JPH07106714A - 小さな非直線性を呈する半導体光増幅器 - Google Patents

小さな非直線性を呈する半導体光増幅器

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JPH07106714A
JPH07106714A JP6195606A JP19560694A JPH07106714A JP H07106714 A JPH07106714 A JP H07106714A JP 6195606 A JP6195606 A JP 6195606A JP 19560694 A JP19560694 A JP 19560694A JP H07106714 A JPH07106714 A JP H07106714A
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waveguide
amplified
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gain
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ピエール・ドウシエール
Simon Jean-Claude
ジヨン−クロード・シモン
Valiente Ivan
イバン・バリアンテ
Brosson Philippe
フイリツプ・ブロツソン
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Abstract

(57)【要約】 【目的】 光信号伝送システムへの適用。 【構成】 増幅器の利得を、入力信号Ｐｉの増幅に利用
されない波長でその増幅器を発振させることで安定させ
る。一実施例では基板２、活性光導波路３、光導波路３
の全長に沿って結合され、また増幅したい信号の波長と
は異なるブラッグ波長を持つ格子４、電流Ｉを横断方向
に注入するための２つの電極１、６を含んでいる。

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は小さな非直線性を呈する
半導体光増幅器に関する。このような増幅器は、光ファ
イバによる遠隔通信の分野で、特に光信号の長距離伝送
に先だって増幅するのに利用できる。現在、２種類の光
増幅器が使用されている。半導体を用いた増幅器と、希
土元素をドープしたファイバを用いた増幅器である。
【０００２】
【従来の技術】ほぼ１．５５ミクロンの波長を伝送する
には、エルビウムをドープしたファイバ増幅器のほうが
広く使用されている。その本質的な理由は、ファイバ増
幅器では、光通信システムにおいて使用される信号の場
合、入力信号のパワーの変動に対して利得が非直線性を
示さないからである。エルビウムをドープしたファイバ
増幅器での利得の回復時間は０．１ｍｓを上回ってい
る。この長い回復時間は利得の安定性をもたらす。なぜ
なら、通信分野で使用される変調周波数、すなわち１０
０ＭＨｚから１０ＧＨｚ程度の周波数に対しては、信号
がハイ状態からロー状態に移行するとき、利得が再上昇
するほどの時間がないからである。
【０００３】対照的に、回復時間が極めて短いため、半
導体増幅器はそれが飽和領域で作動しているとき、数ギ
ガヘルツの変調周波数に至るまで大きな利得の非直線性
を呈する。従来から、半導体光増幅器は活性光導波路を
備えており、その中に側面から電流が注入されている。
増幅すべき入力信号は導波路の端から注入され、増幅さ
れた信号は導波路の他端で集められる。従来の半導体増
幅器の利得は、１次近似では活性導波路内の電荷担体の
密度の１次関数である。この担体密度は、ポンピングの
比率と、信号の増幅に起因する誘導放出による再結合の
比率との間の平衡の結果として得られ、ポンピング率は
この密度を増す傾向があり、また再結合率はこの密度を
減らす傾向がある。ポンピング率のどのような変動も、
あるいは入力信号のパワーのどのような変動も、担体密
度を変動させ、したがって増幅器の利得を変動させる。
とりわけ、入力信号のパワーを大きくすると、光子数の
増加と誘導放出の増加の影響を受けて担体の再結合率が
上昇し、その結果として担体密度が減少し、利得が下が
る。反対に、入力信号のパワーを減らすと、光子数の減
少の影響を受けて再結合率が下がり、結果として担体密
度が上昇し、利得が上がる。
【０００４】この利得上昇は極めて急激である。入力信
号を瞬時に遮断した後、利得の回復時間は５００ピコ秒
を下回っている。したがって、通信分野において使用さ
れる変調周波数は一般に極めて高いにも係わらず、利得
は増幅済み信号を変調する２値データに追従して変動す
る。この非直線性は、増幅済み信号の高レベルと低レベ
ルの間のコントラスト低下をもたらし、したがって信号
の変調率の低下をもたらし、このことはＳ／Ｎ比の低下
をもたらす。さらに、波長多重化した複数チャネルを同
時に増幅する場合には、この非直線性に起因する利得の
揺らぎが異なったチャネル間のクロストークを引き起こ
す。したがって半導体増幅器の使用は、このコントラス
ト低下とクロストークを避けるため、小さな信号の場合
に限定される。
【０００５】その上、光ファイバを通じた画像信号の配
送に使用される ＭＡＢＬＲ（狭側波帯アナログ変調）
形式のアナログ信号は、現在の時点では、要求される歪
みレベルが極めて低いので、半導体増幅器で増幅するこ
とはできない。
【０００６】半導体増幅器の非直線挙動を直す目的でい
くつかの解決策が提案された。
【０００７】−増幅器から出力される増幅済み信号の振
幅に応じて、電気的フィードバックを、その増幅器に注
入される電流の強度に作用させる方法。この解決策は、
変調周波数がほぼ数メガヘルツを越えると直ちに、ほと
んど有効でなくなり、しかも複雑さや消費電力や費用が
増幅器自体を大きく上回る電気回路が必要となる。
【０００８】−量子井戸を有する半導体材料の利用。こ
の解決策により、非直線現象が現れるようになるまでの
信号のパワーを上げることができる。文献中に記載され
た数値は、増幅器の出力部において得られる電力が５ｄ
Ｂ増加することに基づいている。しかし、この解決策は
直線性を除去するのではなく、それの出現閾値を遠ざけ
るだけであり、増幅済み信号に関して理論上得られる全
パワーを利用することはできず、一般的には利得の４ｄ
Ｂ圧縮が必要となる。
【０００９】日本の特許出願ＪＰ−Ａ−０１ １４３
３８２号は、半導体レーザを備えた半導体光増幅器につ
いて述べており、半導体レーザは第１波長で光を放射し
ている。増幅すべき光信号は、第１波長とは異なった第
２波長を有する。その光信号をレーザの活性層に、光ア
イソレータを通して注入する。出力フィルタは増幅済み
信号を抽出するため、第２波長だけを通過させる。レー
ザは、活性層の両端にそれぞれ位置する２つの劈開面を
備えている。劈開面は反射防止処理を受けておらず、し
たがって多数の波長で共振する１つの空洞を形成してい
る。増幅すべき信号の強度が変化しても、レーザ発振は
電子密度および正孔密度を一定に保つ。したがって利得
は安定するが、この増幅は、空洞の共振ピークにおいて
共振を起こし、増幅すべき信号は劈開面で部分反射し、
空洞内に定常波を生じるので満足すべきものではない。
増幅すべき信号は空洞の共振ピークのいずれかに対応す
る波長を持たなければならない。しかし共振ピークの波
長は、制御が困難な多くのパラメータに追従して変化す
るので、実際にこの条件を満たすのは困難である。した
がって、ピークのいかなるずれも増幅器の利得低下をも
たらす。
【００１０】
【発明が解決しようとする課題】本発明の目標は、半導
体光増幅器を提案することであり、その増幅器への外部
装置を必要とすることなく、利得は極めて高い変調周波
数に至るまで一定であり、増幅済み信号について理論上
得られる全パワーを利用することができ、しかも増幅は
進行波に対して行われ、定常波に対しては行われないよ
うにすることである。
【００１１】
【課題を解決するための手段】本発明の目的は、小さな
非直線性を呈する半導体光増幅器であり、その光増幅器
は光導波路と共振手段とを備え、共振手段は導波路と結
合しており、それにより、増幅したい信号の波長とは異
なっているが、増幅器の利得帯域に属する特有の波長で
増幅器を発振させ、また増幅したい信号の進行波だけを
増幅するようにしたことを特徴としている。
【００１２】このような特徴を持つ増幅器は、発振波長
と異なるすべての波長に対して、半導体レーザにおいて
すでに知られている現象に似た現象のおかげで、増幅済
み信号の変動と比べて一定の進行波利得をもたらす。
【００１３】実際に、半導体レーザの利得は、レーザが
発振閾値に達すると直ちに空洞損失の逆数に等しい一定
値で不動となる。閾値より先では、発振は過剰な注入担
体を取り除き、また担体密度を、その発振を持続させる
のに必要な最小利得に対応する平衡値に保つ。注入電流
の増加によって追加担体がいくらかでも注入されると、
発振波長における放出パワーの増加を引き起こすが、し
かし平衡状態にある担体密度を増加させることはない。
逆に、電流のいかなる減少も、発振波長における放出パ
ワーの減少となって現れるが、平衡状態にある担体密度
は変化しない。
【００１４】本発明による増幅器では、それをレーザと
して、入力信号の増幅に使われていない１つの波長で発
振させることで、増幅器の利得を安定化させている。し
かし増幅は進行波に対して行われる。なぜなら、使用し
た共振手段はだた１つの波長にだけ共振するからであ
る。しかし実際には、使用する共振器は、極めて近い２
つの波長において共振する共振器であってもよい。半導
体の場合に当てはまることであるが、導波路を構成して
いる材料の螢光スペクトル線が全体的に均一に広がって
いると仮定すれば、レーザ発振はそのスペクトル範囲の
内部に位置する決まった１つの波長においてのみ存在す
るが、増幅器の利得曲線のいかなるスペクトル範囲も、
このレーザ発振によって安定化される。利得の安定化の
おかげで、本発明による増幅器は、非直線性からの厄介
な影響、つまりコントラストの低下や、波長多重化チャ
ネルの場合のクロストークなどを示さない。
【００１５】好ましい一実施例によれば、少なくとも１
つの共振手段は分布格子を備えており、それぞれの格子
は光導波路に結合され、また発振のために選んだ波長に
等しいブラッグ波長を持つ。
【００１６】実施例に関する以下の説明によって、本発
明はさらによく理解され、他の特性も明らかにされる。
【００１７】
【実施例】図１に示すグラフは、発振のスペクトル線λ
ｏ、増幅済み信号のスペクトル線λｉ、そして増幅した
自然放出ＥＳＡのスペクトル分布を表し、この自然放出
は本発明による増幅器の利得帯域全体にわたって分布し
ている。波長λｉは波長λｏより大きくても小さくても
構わないが、ただし発振によって生じた信号から増幅済
み信号を濾波によって分離できるようにするため、λｉ
はλｏと異なっていなければならない。
【００１８】しかもこの分離は、４つの波との混合によ
る寄生側波帯の発生を避けるため、十分に大きくなけれ
ばならない。
【００１９】増幅済み信号のスペクトル線λｉのパワー
が増加すると、発振のスペクトル線λｏのパワーは、
（第１次近似で）その増加量に等しい量だけ減少する。
なぜなら、過剰な担体の消費はスペクトル線λｏとスペ
クトル線λｉの間で分配されるからである。入力信号の
パワーが増加する場合には、発振のパワーは場合によっ
てはこのスペクトル線λｏが消失するまで減少する。こ
の消失より先では、増幅器の利得はもはや一定ではな
い。利得は減少し始め、これが非直線性の再発現を引き
起こす。したがって、増幅器を非直線性の再発現閾値の
手前に保持するため、増幅済み信号のパワーは、入力信
号がまったくない状態で導波路の両端から放出される発
振スペクトル線のパワーより小さいか、等しくなければ
ならない。
【００２０】したがって、増幅済み信号において大きな
パワーを得るには、発振スペクトル線のパワー自体も入
力信号がない状態で大きくなければならない。したがっ
て、注入電流を増大させ、発振閾値を十分に越えて、一
般にはこの閾値に対応する強度の２倍から４倍にする必
要がある。
【００２１】他方では、従来型レーザの場合には、発振
のために必要な利得を最小にし、したがって強い光学的
フィードバックを用いなければならないが、本発明によ
る増幅器においては、これとは対照的に、発振に必要な
利得を最大にする必要がある。そのためには、共振手段
と、導波路によって導波されるモードとの間の結合係数
を最小にしなければならない。共振手段の反射係数は−
２０ｄＢに等しく、これにより増幅器において２０ｄＢ
の利得を得ることができる。ちなみに比較すると、利得
は従来型半導体レーザにおいて５ｄＢである。
【００２２】図２に、本発明による増幅器の第１実施例
を概略的に示す。この増幅器は以下を備えている。
【００２３】ポンピング用電流Ｉの注入を可能にする２
つの平行電極１と６ Ｎタイプの第１の半導体材料から構成され、電極１と６
の間に挟まれている半導体基板８ 同じ第１半導体材料からできているが、基板８の材料と
は反対にＰ+ にドープされていいる閉じ込め層２ 全長にわたって活性であり、縦軸は電極１、６と平行で
あり、第２半導体材料から構成され、その単位格子は第
１材料の単位格子と調和しており、またその屈折率は第
１材料の屈折率よりも大きい光導波路３ 導波路３の全長にわたって伸びており、基板８の屈折率
より大きな屈折率を持った半導体材料の薄い層からでき
ており、定期的にその層の厚みの一部、あるいは全部が
刻み込まれている分布格子４ 反射防止処理が施され、基板８の端面を形成し、導波路
３の縦軸に対し垂直である２つの劈開面５、７ 導波路３の長さは基板８の長さより短いが、これは導波
路３の両端が、それぞれの劈開面５、７からある一定の
距離で基板８の中に埋め込まれた２つの窓を構成するよ
うにするためである。
【００２４】導波路３は、半導体光増幅器を作成するた
めの従来の方法で作成される。これは例えば、１．５ま
たは１．３ミクロンで使用するため、ＩｎＧａＡｓＰで
作成される。基板８はＩｎＰで作られている。これらは
分子ビーム、または気相における従来のエピタキシ成長
法で作成できる。
【００２５】Ｐｉで示す光信号を、導波路３の一方の端
に面７を通して印加する。Ｐｓで示す増幅済みの光信号
が面５から現れる。
【００２６】格子４のピッチは、この格子のブラッグ波
長が活性導波路３を作っている半導体材料の増幅スペク
トル範囲内にあるように選択する。格子４は、導波路３
の中を進行し、しかもこのブラッグ波長を持ったすべて
の波を反射する。格子４の深さと、格子４の導波路から
の面間距離から、導波路３によって導波されるモードと
格子４との間の結合係数が決まる。この結合係数は、発
振が生じるように、しかもその発振に必要な利得が高い
数値、例えば２０ｄＢを持つように選択する。
【００２７】面５、７には反射防止処理を施してある。
これは、フレネル反射損と、基板２の劈開面５、７によ
って自然に生じるファブリ・ペロー効果を取り除くため
である。後者は、波長を横軸とするグラフにおいて、利
得曲線の好ましくない起伏となって現れる。さらに、面
５、７は、増幅器が発振スペクトル線の帯域外では進行
波にだけ作用するためにも、反射防止処理を施さなけれ
ばならない。面５、７から小さな反射率、つまり１０-4
以下の値を得るためには、面５、７の法線に対して導波
路３の縦軸のアラインメントをずらしたり、あるいは活
性導波路３を面５、７の手前で中断して、埋め込まれた
窓を構成することが必要となる場合もある。図２に示す
実施例は、このような埋込み窓を備えており、導波路３
の長さを基板８の長さより短く選ぶことで、導波路３の
両端が基板８の中に、それぞれ面５と７からある一定の
距離で埋め込まれている。
【００２８】図３に、第１の実施例を横断面図で表す。
この実施例において、活性導波路３への電流の閉込めは
側面のホモ接合によって実現される。Ｐ+ タイプである
閉込め層２と、Ｎタイプである基板８との間の接合は、
活性導波路３の領域外のほうが高い閾値電圧を呈してお
り、このことから電流は、優先的に活性導波路３を越え
て流れるようになる。
【００２９】図４に、第１の実施例の変形例を横断面図
で示すが、ここでは閉込めを異なった方法で実現してい
る。Ｐタイプの層１１を、続いてＮタイプの層１０を次
々と、Ｎタイプの基板８’の層の上に付着させ、つぎに
Ｐタイプの閉込め層２’を付着させる。このようにし
て、層１０と１１から構成される極性が逆の接合が、電
流の側面通過を妨げる。別の実施変形例によれば、層１
０と層１１はただ１つの半絶縁層で置き替えることがで
きる。
【００３０】この第１実施例の一変形例によれば、導波
路３のそれぞれの端に従来型の断熱遷移域を含ませて、
それにより導波モードを導波路３の両端にまで広げるこ
とができ、またこうして、それぞれの端において、一方
では入力信号を導き入れ、他方では出力信号を受け取る
ために、導波路３と光ファイバで構成される外部導波路
の結合を容易にすることができる。
【００３１】図５に、従来タイプの半導体光増幅器の利
得のグラフＢＯと、本発明による増幅器の利得のグラフ
ＢＦを、それらの増幅器から出力される増幅済み信号の
パワーＰｓの関数として示す。これら２つの増幅器は同
材料と同寸法で作成され、同じ強度の電流が供給されて
いる。
【００３２】グラフＢＯは、利得の小さな信号に対して
は２８ｄＢであること、また利得が出力パワーの増大と
ともに勾配を増しながら減少し、最高２４ｄＢ付近の利
得値に達することを示している。この利得値は９ｄＢｍ
付近の最大パワーに対応している。この実施例では、あ
る与えられた注入電流に対して、入力信号のパワーがど
のような値であっても、この最大パワーを出力できる。
ただし小さな信号に対する利得に比べて、利得が４ｄＢ
程度下がったときにこの最大パワー９ｄＢｍに達する。
したがって、従来の増幅器の出力部で得られるすべての
パワーを利用するためには、少なくとも４ｄＢの利得低
下を受け入れなければならない。すなわち極めて高い非
直線性を受け入れなければならない。
【００３３】グラフＢＦは実際上、２４ｄＢ付近の縦座
標が一定の直線である。この縦座標は、従来の増幅器が
出力できる最大パワー１０ｄＢｍ付近で得られる利得に
等しい。したがってこれらのグラフは、本発明による増
幅器であれば、入力信号のパワーがどのような値であっ
ても、利得を一定に保ったままで増幅器の最大パワーが
利用できることを示している。
【００３４】図６は別の実施例を示し、以下を含む。
【００３５】２つの電極２１、２６ 基板２８ その全長にわたって活性である導波路２３ 導波路２３に平行な２つの分布格子２４ａ、２４ｂであ
って、格子２４ａは増幅器の入力部を構成する導波路２
３の端に結合され、格子２４ｂは増幅器の出力部を構成
する導波路２３の端に結合されている前記の２つの分布
格子 導波路２３の縦軸と垂直に基板２８の端面を成す２つの
劈開面２５、２７ 導波路２３の長さは基板２８の長さよりも短いので、導
波路２３の両端は、劈開面２５、２７からある一定距離
のところで、基板２２の内部に埋め込まれた窓を構成す
る。
【００３６】２つの格子２４ａ、２４ｂは、導波路２３
との間で同じ結合係数を持っていない。それらは同じ層
の中に作られ、また導波路２３から同じ面間距離に位置
しているが、格子２４ａより小さな結合係数を呈するよ
うに、格子２４ｂの長さは格子２４ａの長さより短い。
格子２４ａ、２４ｂは導波路２３の両端より先に伸びて
いない。導波路２３の中間部分は２つの格子のどちらと
も結合していない。第１の実施例に比べて、こちらの構
造のほうが、発振スペクトル線の電界を不均斉にするこ
とで、波長λｏでの発振によって実現したフィードバッ
クを導波路２３に沿ってうまく配分でき、したがって担
体密度を導波路２３に沿ってうまく配分できる。非直線
性の影響は導波路２３に沿って増大する。なぜなら増幅
済み信号の振幅の影響は、導波路２３に沿って増大し、
増幅器の出力部付近で最大に達するからである。したが
って、減少させたい非直線性の大きさに応じた大きさの
フィードバックをかけるには、増幅器の入力部から出力
部に向かって増大する振動電界が望ましい。これが、格
子２４ａに格子２４ｂより大きな結合係数を持たせた理
由である。
【００３７】図７は、本発明による増幅器の第３実施例
の概略図であり、以下を含む。
【００３８】２つの電極３１、３６ 電極３１と３６の間に挟まれた半導体基板３８ ２つの受動部分４１、４３の間に挟まれた１つの能動部
分４２を含み、受動部分を構成する材料は能動部分４２
の材料よりも大きな禁制帯を持ち、それによりこの材料
は透明で、したがって増幅や発振に対して不活性である
光導波路 それぞれ導波路の受動部分４１と受動部分４３に沿って
置かれた２つの分布格子３４ａ、３４ｂ 導波路４１、４２、４３の縦軸に垂直に基板３８を成端
する、反射防止処理された２つの劈開面３５、３７ 導波路４１、４２、４３の合計長さは基板３８の長さよ
り短く、したがって導波路の両端は基板の内部にあり、
また劈開面３５、３７からある一定距離のところで、基
板３２の中に埋め込まれた窓を構成する。格子３４ａは
受動部分４１の全長またはその一部にわたって伸びる
が、しかしそれより先には伸びず、とりわけ、能動部分
４２に沿って伸びていない。同様に、格子３４ｂは受動
部分４３の全長またはその一部にわたって伸びている
が、しかし能動部分４２に沿って伸びていない。この実
施方法は、能動部分４２の両端の内側で、より均一な電
磁場が得られるという利点をもたらす。なぜなら格子３
４ａや３４ｂによって電磁場の不規則性が生じたとして
も、それらは格子のすぐ近くに局所化されており、すな
わち導波路の受動部分４１、４３の中に留まっているか
らである。格子３４ａ、３４ｂによって能動部分４２に
発生させた電磁場のほうが均一であるという事実によっ
て、発振に対してかけられるフィードバックをよりうま
く制御できるようになり、またしたがって、増幅器の利
得の不変性を向上させることができる。
【００３９】本発明の範囲は、上で説明した実施例に限
られるものではなく、以下の２つの条件を遵守しなが
ら、活性導波路に結合された共振手段を別の方法で実現
することも、当業者の理解できる範囲内にある。
【００４０】結合係数は、増幅器が有利な利得を持つた
めに比較的小さくなければならない。
【００４１】共振手段の応答は、フィードバックが、変
調によって引き起こされる利得変動の速さに追従できる
よう、増幅したい信号の変調速度と比べて速くなければ
ならない。
【００４２】いくつかの適用例においては、発振スペク
トル線を増幅済み信号の検出または監視に利用できる。
発振振幅は、増幅済み信号の振幅と逆位相で変動する。
すなわち一方が増えると他方が減り、一方が減ると他方
が増える。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明による増幅器における発振スペクトル
線、増幅済み信号のスペクトル線、そして増幅済み自然
放出スペクトル分布を示す図である。
【図２】本発明による増幅器の第１実施例を、縦断面と
して示す概要図である。
【図３】第１実施例を横断面図である。
【図４】第１実施例の変形例の横断面図である。
【図５】一方では従来型増幅器について、他方では本発
明による増幅器について、利得のグラフを増幅済み信号
のパワーの関数として示す図である。
【図６】本発明による増幅器の別の実施例を示す図であ
る。
【図７】本発明による増幅器の別の実施例を示す図であ
る。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 ジヨン−クロード・シモン フランス国、22700・ルワンネク、アル・ ブステ・５ (72)発明者 イバン・バリアンテ フランス国、22300・カワンネク・ランベ ゼアク、ラン・リウ（番地なし) (72)発明者 フイリツプ・ブロツソン フランス国、91470・フオルジエ・レ・バ ン、プラス・ドウ・ラ・フオンテン・オ・ キユレ・６

Claims (6)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】 小さな非直線性を呈する半導体光増幅器
    であって、その増幅器は光導波路３；２３；４１、４
    ２、４３および共振手段４；２４ａ、２４ｂ；３４ａ、
    ３４ｂを備え、共振手段は導波路に結合されており、そ
    れによりその増幅器を、増幅すべき信号の波長λｉとは
    異なるが、増幅器の利得帯域に属する特有の波長λｏで
    発振させ、また増幅すべき信号の進行波だけを増幅する
    ようにしたことを特徴とする、前記の半導体光増幅器。
  2. 【請求項２】 共振手段が、分布格子４；２４ａ、２４
    ｂ；３４ａ、３４ｂを少なくとも１つ備えており、各格
    子は光導波路３と結合され、また発振のために選択した
    波長と等しいブラッグ波長を持っていることを特徴とす
    る、請求項１に記載の増幅器。
  3. 【請求項３】 共振手段が第１の分布格子と第２の分布
    格子２４ａ、２４ｂ；３４ａ、３４ｂを備えており、そ
    れらが導波路３；２３；４１、４２、４３の第１の端と
    第２の端に結合されていることを特徴とする、請求項２
    に記載の増幅器。
  4. 【請求項４】 請求項３に記載の増幅器であって、導波
    路が１つの能動部分４２と２つの受動部分４１、４３を
    備え、受動部分はそれぞれ能動部分４２の両端の延長部
    分となっていることを特徴とし、また２つの格子３４
    ａ、３４ｂがそれぞれ導波路の２つの受動部分４１、４
    ３に結合され、能動部分４２には結合されていないこと
    を特徴とする増幅器。
  5. 【請求項５】 請求項３に記載の増幅器であって、２つ
    の格子３４ａ、３４ｂが導波路との結合係数に関して同
    じ値を持った、すなわち格子３４ｂは端３３と結合して
    増幅器の出力部を構成するが、その結合係数は、端３１
    と結合して増幅器の入力部を構成する格子３４ａより大
    きいことを特徴とする増幅器。
  6. 【請求項６】 請求項１に記載の増幅器であって、その
    増幅器が基板８を備えており、その基板の両端が、反射
    防止処理を施された劈開面７、５となっていることを特
    徴とする増幅器。
JP6195606A 1993-08-20 1994-08-19 小さな非直線性を呈する半導体光増幅器 Pending JPH07106714A (ja)

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