JPH02152289A

JPH02152289A - 光増幅装置

Info

Publication number: JPH02152289A
Application number: JP30633588A
Authority: JP
Inventors: Yoshimitsu Yamazoe; 山添　良光
Original assignee: Sumitomo Electric Industries Ltd
Current assignee: Sumitomo Electric Industries Ltd
Priority date: 1988-12-02
Filing date: 1988-12-02
Publication date: 1990-06-12

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】［産業上の利用分野］この発明は光増幅装置に関し、特に光信号を直接、処理
する機能を備えた光増幅装置に関するものである。

［従来の技術］光エレクトロニクスの分野においては、多くの場合、光
信号は、光を光ファイバに導入することによって遠方へ
信号伝達するための手段（光通信）、あるいは磁場や電
場、回転体等の中に光を通過させ、その変動を計測する
ことによって物理的な変化量等を測定するための手段（
光計測）に用いられる。このとき、光信号を伝達する上
で光フアイバ内での信号の減衰が問題となる。そのため
、従来から、光ファイバの途中に光増幅器を設け、強度
の減衰した信号を増幅することが行なわれてきた。この
ような従来から用いられてきた光増幅器は、いわゆる、
ＦＰ型と呼ばれる半導体レーザ素子と類似の構造を有し
、その光路は平行平板状の反射面で囲まれている。

第６図は従来の光増幅器として用いられる光半導体素子
の光路に沿った軸上での断面を示す。この図を参照して
、従来型の光増幅器２０は、ＩｎＰ、ＧａＡｓ等からな
るＰ型クラッド層２１と、Ｎ型クラッド層２２と、それ
らの間に挾まれて形成されたＩｎＧａＡｓＰ、ＡｆＬＧ
ａＡｓ等からなる活性層２３とから構成される。光路の
方向は矢印で示されている。光が入力および出力される
部分には反射防止膜３０が形成されている。このような
構成を有する光半導体素子を用いて、光が矢印で示され
る方向に入力されるとともに、活性部電極２６および共
通電極２８を介して活性層２３内に所定の電流が流され
る。そうすると、この光増幅器２０に入射された光は増
幅されて出力される。

［発明が解決しようとする課題］しかしながら、第６図に示されるような従来の光増幅器
は、所望の波長を選択して増幅することは不可能であっ
た。この光増幅器によれば、出力光の波長は増幅器自体
の特性に支配されている。

すなわち、光増幅器の増幅層（活性層）を形成している
結晶の利得帯域幅（５０〜１１００ｎ程度）の範囲内の
波長であれば、いずれの波長の光でも増幅される。また
、出力光の強度は入力光の強度に比例しており、すなわ
ち、増幅度はほぼ線形であった。

そこで、この発明は、所望の波長のみを増幅することが
できる波長選択機能を備えた光増幅装置を提供すること
を目的とする。

〔課題を解決するための手段］この発明に従った光増幅装置は、光入力部分と、その光
入力部分から光を受入れる光半導体素子部分と、その光
半導体素子部分から発する光を出力させる光出力部分と
を備えている。光半導体素子部分は、ＰＮ接合を有し、
かつ、第１の分布ブラッグ反射部分と活性部分と第２の
分布ブラッグ反射部分とが光路に沿った方向に配された
分布ブラッグ反射型構造を有している。この分布ブラッ
グ反射型構造は、ＰＮ接合を介して活性部分に順方向通
電させるのみでは、レーザ光を自己発振しないように構
成されている。

好ましくは、この光増幅装置は、光路内に、ブラッグ反
射の反射波長を変更させるための通電領域をさらに備え
ている。また、第１および第２の分布ブラッグ反射部分
の光路に沿った方向の長さを短くすることによって、分
布ブラッグ反射型構造はレーザ光を自己発振しないよう
に構成されてもよい。さらに、活性部分が有する増幅度
を小さくすることによって、分布ブラッグ反射型構造は
レーザ光を自己発振しないように構成されてもよい。通
電領域は、ＰＮ接合を挾むように配された電極部分を含
むものであればよい。

［作用］この発明においては、分布ブラッグ反射型構造は、活性
部分に順方向通電させるのみではレーザ光を自己発振し
ないように構成されている。そのため、活性部分に順方
向通電させるとともに、光をその光半導体素子部分に入
射させることによって初めて、ブラッグ反射により特定
波長のみが選択されて反射し、光が出力される。すなわ
ち、光が入射されることによって、その分布ブラッグ反
射型構造を満足するブラッグ波長のみが選択されて出力
される。

また、分布ブラッグ反射型構造に光が入射されると、成
る強度以上の入力光のみが増幅され得る。

それによって、入力光の強度分布に応じて光信号の波形
を修正することが可能になる。

したがって、この発明によれば、波長選択機能と波形修
正機能とを備えた光増幅装置が提供され得る。

また、光路内にブラッグ反射の反射波長を変更させるた
めの通電領域を備えることによって、ブラッグ反射の反
射波長を変更することが可能になる。そのため、入力光
のうち、所望の波長のみが選択され得る。

［実施例］以下、この発明の一実施例について図を用いて説明する
。

第１図はこの発明に従った分布ブラッグ反射器（Ｄｉｓ
ｔｒｉｂｕｔｅｄ　　Ｂｒａｇｇ　　ＲｅｆＩｅｃｔｏ
ｒ：以下、ＤＢＲと略す。）を有する光半導体素子部分
（以下、ＤＢＲ−ＡＭＰと略す。

）の光路に沿った軸上での概略断面を示す断面図である
。なお、構造が理解されやすくするため、第１図は模式
的に示されている。

第１図を参照して、−具体例を説明する。ＤＢＲ−ＡＭ
Ｐｌｏｏは、Ｐ型ＩｎＰ層１と、Ｎ型ＩｎＰ層２と、そ
れらの間に挾まれて形成された活性層３および導波層４
とから構成される。活性層３の両側に配された導波層４
は回折格子４１を有ヂる。光路の方向は矢印で示されて
いる。具体的には、Ｐ型ＩｎＰ層１は厚さ約１００μｍ
のＰ型ＩｎＰ基板とその上に形成された約３μｍの厚み
を有するＰ型ＩｎＰからなる。Ｎ型１ｎＰ層２は約２μ
ｍの厚みを有する。Ｐ型１ｎＰ層１とＮ型ＩｎＰ層２と
の間に挾まれた活性層３および導波層４の平均厚みは約
０．３μｍである。導波層４に形成された回折格子４１
の周期（ピッチ）は、０．２４μｍであり、各格子の深
さが約５００Å以下（０，０５μｍ以下）である。

導波層４のバンドギャップは０．９７ｅＶであり、波長
１．５５μｍの光に対しては透明である。

活性層３の部分は、図示されていないが、４層から構成
されている。具体的には、活性層３は、下から順に、厚
み０．１μｍのＩｎＧａＡｓＰ層（バンドギャップ０，
８０ｅＶ）と、厚み０．０５μｍのＩｎＧａＡｓＰ層（
バンドギャップ０゜９７　ｅ　Ｖ）と、厚み０．０５μ
ｍのＩｎＰ層と、厚み０．１μｍのＩｎＧａＡｓＰ層（
バンドギャップ０．９７ｅＶ）との４層からなる。下か
ら第２層目のＩｎＧａＡｓＰ層は下層の活性部分の保護
のために形成されている。また、上部の２層は活性部分
の全体の屈折率を調整するために形成されている。この
ようにして構成される活性層３によれば、波長１．５５
μｍの光が増幅されることになる。

Ｎ型ＩｎＰ層２の上面には、ＰＮ接合に通電させるため
の電極部分が形成されている。この電極部分は、それぞ
れ、膜厚０．５μｍの金−クロム合金層からなり、活性
部電極６と波長調整電極７ａ、７ｂ、７ｃとから構成さ
れる。各電極は、Ｎ型１ｎＰ層２の上面に形成された膜
厚０．２μｍの窒化シリコンからなる絶縁層９と、Ｎ型
１ｎＰ層２の上部分内に形成された幅約５０μｍ１深さ
１．９５μｍの半絶縁化ＩｎＰ層５とによって電気的に
分離されている。また、Ｐ型ＩｎＰ層１の下面には、膜
厚０．５μｍの金−亜鉛合金層からなる共通電極８が形
成されている。

また、光が入力および出力される部分には、膜厚的０，
１８μｍの窒化シリコンからなる反射防止膜１０が形成
されている。

このような構造を有するＤＢＲ−ＡＭＰｌｏｏは、第１
のＤＢＲＩＯＩと、第２のＤＢＨ２と、それらの間に挾
まれた活性部１０３および位相調整部１０４とに区分さ
れる。各部分の光路方向に沿った長さは、第１および第
２のＤＢＲＩＯＩ。

１０２がり、、−Ｌ、　２−１００μｍｓ活性部１０３
が３００μｍ１位相調整部１０４が１００μｍである。

この実施例によれば、第１および第２のＤＢＲＩＯＩ、
１０２の長さ（Ｌｌｌｌ、ＬＲ２）は、ＰＮ接合を介し
て活性層３に通電させるのみではレーザ光を自己発振し
ないように短くされている。それによって、第１および
第２のＤＢＲｌｏｌ、１０２の反射率は約３〜５％程度
に設定されている。さらに、反射防止膜１０が施されて
いるので、その両側の端面の反射率は実質的にはＯと考
えられる。

上記のように構成されるＤＢＨの部分は、近似的に以下
の（１）式を満足する特定の波長だけを反射する反射器
と考えられる。

２八−λＢ／η８ｑ　　　　　　　・・・（１）ここで
、ＡはＤＢＲ部分の回折格子４１のピッチ、λＢは光の
波長、ηｅＱは等価屈折率である。

この場合、ＤＢＲ部分の長さは短いので、波長λＢの光
に対する反射率も低く保たれている。したがって、通常
の使用状態では、すなわち、単にＤＢＲ−ＡＭＰの活性
部分に電流を流したとしてもレーザ光を自己発振するこ
とはない。なお、大電流の通電、あるいは著しく冷却さ
れた場合においては、自己発振する危険があるので注意
を要する。

一方、λＢ以外の波長を有する光は、回折格子にほとん
ど無関係に、ＤＢＲ部分を透過する。したがって、この
場合、活性部分に電流を流すだけでは、ＤＢＲ−ＡＭＰ
の出力光はごく微弱な自然放出光である。その出力は約
−１０〜−２０ｄＢｍ程度である。なお、この部分の詳
細については、文献「半導体レーザと光集積回路」：末
松安晴編二オーム社、昭和５９年４月２５日発行二３１
３頁以降に示されている。厳密には、上記の記述は正確
ではないが、厳密な記述は極めて煩雑となるため゛省略
する。むしろ、本発明における物理的現象については、
上記の記述によって特に本質を損なうことはないと考え
られるので、以下、近似化した記述によって説明を行な
う。

上記のように作用するＤＢＲ−ＡＭＰｌｏｏに人力光と
してλＢ以外の波長を有する光を入力すると、出力光は
上記の自然放出光と、活性層３によってわずかに増幅さ
れた光の和となる。一方、入力光がλＢの波長に一致し
、しかも、その光強度が十分大きい場合には、外部から
の入力光によってレーザ発光が維持される状態となる。

したがって、出力光の強度は、この状態では５〜１０ｄ
Ｂｍ以上となる。このとき良好な使用状態であれば、消
光比２０〜３０ｄＢｍ程度を維持することが可能である
。また、入力光の波長がλＢであれば、入力側のＤＢＲ
ＩＯＩにおいて一部の入力光が反射されるが、ＤＢＲ部
分の全長は上記のように短くされているので、入力光は
活性層３に到達し得る。

この場合、ＤＢＲ−ＡＭＰのレーザ発振を持続させるた
めには、通常の光受信器で検出される光よりも大きな強
度を有する入力光が必要である。

そのため、ＤＢＲ−ＡＭＰへ入力される前に、通常のＦ
Ｐ型光増幅器を用いて予め増幅された光がＤＢＲ−ＡＭ
Ｐに人力されてもよい。

このようにしてＤＢＲ−ＡＭＰに光が入力されると、そ
の出力光は、単一モード（単一波長）の光となり、成る
一定の入力光の強度レベルを越えた信号だけが増幅され
た出力信号を有する。

第２Ａ図、第２Ｂ図は、それぞれＤＢＲ−ＡＭＰを用い
て増幅された、入力光と出力光の光学スペクトルを示す
模式化したグラフである。第３Ａ図、第３Ｂ図は、それ
ぞれ、ＤＢＲ−ＡＭＰを用いて増幅された、入力光と出
力光の時間変化を示すグラフである。以下、これらの図
を参照してＤＢＲ−ＡＭＰの特性について説明する。

第２Ａ図に示される入力光は、いわゆる、ＦＰ型レーザ
の多モードの光スペクトルを示している。

第２Ｂ図によれば、出力光においては、入力光のうちの
特定の波長（λＢ）のものが選択的に出力されている。

このようにして、ＤＢＲ−ＡＭＰを介することにより、
所望の波長（λＢ）の光だけを取出すことができる。従
来のＦＰ型レーザによれば、単一波長の光を放出させよ
うとしても、動作原理上、必ず、第２Ａ図に示される多
モードのスペクトルを含む光になるのに対し、ＤＢＲ−
ＡＭＰを用いれば、単一波長の光を放出させることがで
きる。また、入射光として、たとえば、ＤＦＢレーザ等
の単一モードレーザを複数個、使用して、波長を接近さ
せた複数本の波長を含む信号（波長多重信号）を１本の
光ファイバで伝送する方式を採用している場合には、そ
の入力光の中から特定の波長（λＢ）だけを選択的に増
幅させる波長選別器（すなわち、チャネル・セレクタ、
選局器）として、ＤＢＲ−ＡＭＰを用いることができる
。

具体的には、第１図を参照してその構造が説明されたＤ
ＢＲ−ＡＭＰｌｏｏの一実施例においては、以下のよう
に選択的に増幅され得る。第２Ａ図において、入力光の
ピーク強度ＩＦを０．７ｍＷ１波長λＢを１．５５００
μｍとする。このとき、入力光の全強度は通常１．５ｍ
Ｗ程度である。

このような入力光を、第１図に示された構造を有するＤ
ＢＲ−ＡＭＰｌｏｏによって増幅すると、出力光は第２
Ｂ図においてＩＯが３ｍＷ程度となる。なお、この場合
、活性層３に流される電流の値は７０〜８０ｍＡ程度で
ある。

さらに、光ファイバに入力される信号として多く使用さ
れるのは、第３Ｂ図に示すように、時間に対して方形波
となるような信号である。ところが、通常、このような
信号は、光フアイバ中において分散効果等の影響によっ
て第３Ａ図に示すようになだらかな波形となり、その信
号判別が困難になる。そこで、ＤＢＲ−ＡＭＰによれば
、上述したように、成る特定の入力信号強度以上になる
と出力光が発生し、入力信号の強度が小さい間はほとん
ど出力光が発生しない。したがって、第３Ａ図に示され
る時間変化を有する入力光がＤＢＲ−ＡＭＰに入射され
ると、第３Ｂ図に示されるように、その出力光は方形波
を有するようになる。

このように、ＤＢＲ−ＡＭＰを用いると、なだらかな信
号波形を方形波状に復元することが可能になる。

具体的には、第１図に示される構造を有するＤＢＲ−Ａ
ＭＰを用いると、以下のような波形復元機能が実現され
得る。第３Ａ図において、入力光の全強度■１を１．５
ｍＷ、入力光の判別信号強度ＩＣを０．５ｍＷ程度に設
定する。そうすると、第３Ｂ図において、入力光のうち
、判別信号強度ＩＣを越える部分のみが増幅されて、出
力光の強度ｔｏが３ｍＷとなるような方形波が得られる
。

以上のように、この発明のＤＢＲ−ＡＭＰによれば、従
来、その実現が非常に困難であった波長選択機能と波形
復元機能とが実現され得る。

また、この発明のＤＢＲ−ＡＭＰによれば、第１図に示
されるように波長調整電極７ａ、７ｂ。

７ｃに外部から電流を流すことにより、回折格子４１の
ブラッグ反射波長λＢを変更することができる。そのた
め、ＤＢＲ−ＡＭＰを波長選択器として用いる場合には
、外部から注入される電流の大きさを適宜、調整するこ
とによって、所望の波長を選択することが可能になる。

具体的には、第１図を用いて説明されたＤＢＲ−ＡＭＰ
　１００の一実施例において、選択波長の設定は以下の
ように行なわれる。

まず、回折格子４１のブラッグ反射波長λａ＝１．５５
００μｍとなるようにＤＢＲ−ＡＭＰが構成されている
場合、活性部電極６のみに所定の電流を流し、波長調整
電極７ａ、７ｂ、７ｃのいずれの電極にも通電させない
ことによって、波長１．５５００μｍの光のみが選択さ
れ得る。

次に、回折格子４１のブラッグ反射波長λＢが１．５５
００μｍから２０人以内でずれた構成を有するＤＢＲ−
ＡＭＰを用いて、１．５５００μｍの波長の光のみを選
択する場合、次のように外部注入電流値が設定される。

今、λＢの中心波長が１．５５００μｍより長いものと
する。この場合、ＩＡのずれに対して３ｍＡの割合で電
流を注入すればよい。たとえば、ブラッグ反射波長λＢ
−１，５５０４ｔｔｍであるＤＢＲ−ＡＭＰを用いる場
合、所望の選択波長１．５５００μｍに対して４人だけ
ずれているので、外部から注入される電流値の大きさは
１２ｍＡとなる。したがって、波長調整電極７ａ、７ｃ
に１２ｍＡの電流を流し、波長調整電極７ｂには通電さ
せないことにより、１．５５００μｍの波長のみを選択
することが可能になる。

さらに、選択波長と回折格子のブラッグ反射波長λＢと
の間のずれが２０Å以上である場合には、次のように外
部注入電流値の大きさが設定される。

まず、波長調整電極７ｂに所定の電流を流すことによっ
て、波長のずれを２０Ａ以内に調整する。

これによって波長のずれが２０Ａ以内に調整されれば、
上記と同様に電流が外部から注入されることによって、
波長１．５５００μｍの光を選択することが可能になる
。

次に、第１図に示されるような構造のＤＢＲ−ＡＭＰ　
１００の製造方法について説明する。第４Ａ図−第４Ｄ
図はＤＢＲ−ＡＭＰｌｏｏの製造方法を工程順に示す概
略断面図、または斜視図である。

まず、第４Ａ図を参照して、エピタキシャル結晶成長に
よって、Ｐ型ＩｎＰ層１と、Ｎ型１ｎＰ層２と、それら
の層の間に挾まれた活性層３および導波層４とを有する
構造が形成される。この製造工程は、通常のＤＢＲ型半
導体レーザとほぼ同一の工程によって行なわれる。この
工程は、上記において示した文献中においても記載され
ているので、その詳細については省略する。

その後、第４Ｂ図に示すように、フォトリソグラフィ法
およびＭＯＣＶＤ法により、半絶縁化ＩｎＰ層５が所定
の間隔を隔てて形成される。このとき、半絶縁化は、Ｍ
ＯＣＶＤ法による結晶成長中において鉄をドープするこ
とによって行なわれる。鉄の原料としては、フェロセン
が使用される。

次に、第４Ｃ図に示すように、絶縁層９、活性部電極６
および波長調整電極７ａ、７ｂ、７ｃが形成される。こ
のとき、ＤＢＲ部分の光路方向の長さは、いずれも５０
〜１００μｍ程度とする。

それぞれ、ＤＢＲ部分の端面には、反射防止膜１０が形
成されることによって、反射率が０．１％程度以下に設
定される。なお、ＤＢＲ部分の長さは、回折格子と光の
結合係数によって変更され得る。結合係数にを大きくす
るほど、ＤＢＲ部分の長さは短くされる必要がある。ま
た、ＤＢＲ部分の反射率をたとえば、５％程度とすると
、活性部分に注入される電流値が８０ｍＡ程度までの範
囲内で、ＤＢＲ−ＡＭＰが自己発振しないように設定す
ることも可能となる。自己発振を抑える方法としては、
活性部分が有する増幅度を小さくすることによっても行
なわれ得る。具体的には、活性層の全長を短くしてもよ
い。但し、この場合、増幅度の減少度合に十分注意して
設計する必要がある。

このようにして形成されたＤＢＲ−ＡＭＰのチップは、
その両側に光ファイバが接続され得るようにマウントさ
れる。このマウントされた状態は第４Ｄ図に示されてい
る。この図によれば、ＤＢＲ−ＡＭＰｌｏｏの活性部電
極６には活性部り一ド６０が配され、波長調整電極７ａ
、　　７ｂ、　　７ｃにはそれぞれ、波長調整部リード
７０ａ、７０ｂ。

７０ｃが配置されている。光の入力側には、入力光を伝
達する光ファイバ２００ａと、その光ファイバを支持す
る光フアイバ用マウント２０１ａが設けられている。入
力光は入力光用レンズ４００ａを介してＤＢＲ−ＡＭＰ
ｌｏｏに入射される。

ＤＢＲ−ＡＭＰｌｏｏから発した出力光は出力光用レン
ズ４００ｂを介して出力され、光ファイバ２００ｂに伝
達される。光ファイバ２００ｂは光フアイバ用マウント
２０１ｂによって支えられている。増幅器全体は増幅器
用マウント３００によって支持されている。このように
して、光増幅装置として用いられるＤＢＲ−ＡＭＰｌｏ
ｏが完成する。

第５図はこの発明のＤＢＲ−ＡＭＰｌｏｏを光中継器１
０００に用いた例を示す概略構成図であある。この図に
よれば、光ファイバ２００ａによって伝達された入力光
は入力光用レンズ４００ａを介して通常のＦＰ型光増幅
器２０に入射される。

この従来型の光増幅器２０から出力された光は中間ルン
ズ４００ｂを介してＤＢＲ−ＡＭＰｌｏｏに入射される
。ＤＢＲ−ＡＭＰｌｏｏから発した出力光は出力用レン
ズ４００ｃを介して光ファイバ２００ｂに伝達される。

なお、従来型の光増幅器２０およびＤＢＲ−ＡＭＰｌｏ
ｏは、制御用電子回路５００によって制御される。この
例によれば、入力信号は、従来型の光増幅器２０を用い
て予備増幅された後、ＤＢＲ−ＡＭＰｌｏｏに入力され
る。

［発明の効果］以上のように、この発明によれば、従来、困難であった
光信号を直接処理する技術が実現され得る。すなわち、
この発明のＤＢＲ−ＡＭＰによれば、波長選択機能と波
形復元機能が光信号のままで処理される技術として実現
される。従来、光信号を一旦、光検出器を用いて電気信
号に変換した後、電気回路によって波形修正や選局が実
行され、必要な場合にはもう一度発光素子を介して光信
号に戻していた。

このように、単純な増幅作用だけでなく、波長選択機能
および波形復元機能を備えているので、光信号の処理技
術が大幅に改良され得る。

さらに、光信号−電気信号−光信号と変換される必要が
ないので、中継器として使用される場合、中間に配置さ
れる電気回路が不要となる。そのため、光エレクトロニ
クス関係の製品の低価格化および信頼性の向上を図るこ
とができる。

【図面の簡単な説明】

第１図はこの発明に従った光増幅装置に用いられる光半
導体素子の光路方向に沿った断面を示す概略断面図であ
る。第２Ａ図および第２Ｂ図はこの発明の光増幅装置を用い
て増幅された、入力光と出力光の光学スペクトルをそれ
ぞれ示すグラフである。第３Ａ図および第３Ｂ図はこの発明の光増幅装置を用い
て増幅された、入力光と出力光の時間変化をそれぞれ示
すグラフである。第４Ａ図、第４Ｂ図、第４Ｃ図、第４Ｄ図は、この発明
の光増幅装置の製造方法を工程順に示す概略断面図、ま
たは概略斜視図である。第５図はこの発明の光増幅装置を光中継器に用いた例を
示す概略構成図である。第６図は従来の光増幅器の光路方向に沿った断面を示す
概略断面図である。図において、１はＰ型ＩｎＰ層、２はＮ型Ｉｎ２層、３
は活性層、４は導波層、６は活性部電極、７ａ、７ｂ、
７ｃは波長調整電極、８は共通電極、４１は回折格子、
１００はＤＢＲ−ＡＭＰ、１０１は第１の分布ブラッグ
反射器、１０２は第２の分布ブラッグ反射器、１０３は
活性部、１０４は位相調整部、４００ａは入力用レンズ
、４００ｂは出力用レンズである。第２Ａ図第３Ａ図 λＢ埴朱（〜時Ｐシｑ　（をン

Claims

【特許請求の範囲】

（１）光入力部分と、その光入力部分から光を受入れる
光半導体素子部分と、その光半導体素子部分から発する
光を出力させる光出力部分とを備えた光増幅装置であっ
て、前記光半導体素子部分は、ＰＮ接合を有し、かつ、第１
の分布ブラッグ反射部分と活性部分と第２の分布ブラッ
グ反射部分とが光路に沿った方向に配された分布ブラッ
グ反射型構造を有しており、前記分布ブラッグ反射型構
造は、前記ＰＮ接合を介して前記活性部分に順方向通電
させるのみでは、レーザ光を自己発振しないように構成
されている、光増幅装置。
（２）当該光増幅装置は、前記光路内に、ブラッグ反射
の反射波長を変更させるための通電領域をさらに備える
、請求項１に記載の光増幅装置。
（３）前記第１および第２の分布ブラッグ反射部分の光
路に沿った方向の長さを短くすることによって、前記分
布ブラッグ反射型構造はレーザ光を自己発振しないよう
に構成されている、請求項１または２に記載の光増幅装
置。
（４）前記活性部分が有する増幅度を小さくすることに
よって、前記分布ブラッグ反射型構造は、レーザ光を自
己発振しないように構成されている、請求項１または２
に記載の光増幅装置。
（５）前記通電領域は、前記ＰＮ接合を挾むように配さ
れた電極部分を含む、請求項２ないし４のいずれかに記
載の光増幅装置。