JPH07106481A - Semiconductor device - Google Patents

Semiconductor device

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Publication number
JPH07106481A
JPH07106481A JP11798392A JP11798392A JPH07106481A JP H07106481 A JPH07106481 A JP H07106481A JP 11798392 A JP11798392 A JP 11798392A JP 11798392 A JP11798392 A JP 11798392A JP H07106481 A JPH07106481 A JP H07106481A
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JP
Japan
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finger
finger base
semiconductor chip
lead frame
connection
Prior art date
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Pending
Application number
JP11798392A
Other languages
Japanese (ja)
Inventor
Hiroshi Shimazu
博士 嶋津
Yasuo Yamashita
康雄 山下
Masayoshi Suzuki
正義 鈴記
Eiji Sakata
栄二 坂田
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Kyushu Hitachi Maxell Ltd
Maxell Holdings Ltd
Original Assignee
Kyushu Hitachi Maxell Ltd
Hitachi Maxell Ltd
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Filing date
Publication date
Application filed by Kyushu Hitachi Maxell Ltd, Hitachi Maxell Ltd filed Critical Kyushu Hitachi Maxell Ltd
Priority to JP11798392A priority Critical patent/JPH07106481A/en
Publication of JPH07106481A publication Critical patent/JPH07106481A/en
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  • Wire Bonding (AREA)
  • Lead Frames For Integrated Circuits (AREA)

Abstract

PURPOSE:To prevent a finger from being displaced transversely and deformed by a working force generated when the finger is connected to a semiconductor chip. CONSTITUTION:A finger 4 which is connected to an electrode for a semiconductor chip is formed of a finger base part 4b, of a connection part 4a which is connected to the electrode and of a coupling part 4c which couples the finger base part 4b to the connection part 4a. Since the flexibility of the coupling part 4c formed to be larger than that of the finger base part 4c, a working force is relaxed by the flexible coupling part, the working force is prevented from being transmitted to the finger base part, and an influence by a connection working force can be suppressed.

Description

【発明の詳細な説明】Detailed Description of the Invention

【0001】[0001]

【産業上の利用分野】本発明は、IC,LSI等の半導
体チップを固定するリードフレームに関する。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a lead frame for fixing semiconductor chips such as IC and LSI.

【0002】[0002]

【従来の技術】従来より半導体チップを樹脂モールドで
一体化して複数ピンを突設した半導体装置の組立てには
金属製のリードフレームが用いられている。このリード
フレームは薄い金属板をプレスで撃ち抜いたり、エッチ
ングなどによって形成されており、その形状は図11に
示すように、半導体チップ1を取り付ける矩形のタブ2
をその4隅において支持するタブリードと、タブ2の周
縁に内端を臨ませる複数のフィンガ4と、これらフィン
ガ4及びタブリード3の外端を支持する枠部5と、枠部
5の両端縁に沿って定間隔に設けられたスプロケット孔
6とからなっている。
2. Description of the Related Art Heretofore, a metal lead frame has been used for assembling a semiconductor device in which a semiconductor chip is integrated with a resin mold and a plurality of pins are projected. This lead frame is formed by punching out a thin metal plate with a press, etching or the like, and its shape is a rectangular tab 2 for mounting the semiconductor chip 1 as shown in FIG.
The tab leads that support the four corners of the tabs, the plurality of fingers 4 whose inner ends face the periphery of the tabs 2, the frame portion 5 that supports the outer ends of the fingers 4 and the tab leads 3, and the both end edges of the frame portion 5. The sprocket holes 6 are provided at regular intervals along the sprocket holes.

【0003】このようなリードフレーム7を用いて半導
体装置を組立てるには、まずタブ2上に半導体チップ1
を取り付けた後、半導体チップ1の各電極とこれに対応
するフィンガ4の内端をワイヤあるいはワイヤを用いず
直接に接続し、その後矩形枠部5の内側領域を合成樹脂
でモールドし半導体チップ1を被覆し、次いで枠部5を
切除して半導体装置を得るのである。
In order to assemble a semiconductor device using such a lead frame 7, the semiconductor chip 1 is first mounted on the tab 2.
After mounting, the electrodes of the semiconductor chip 1 and the inner ends of the fingers 4 corresponding to the electrodes are directly connected without using wires or wires, and then the inner region of the rectangular frame portion 5 is molded with synthetic resin to form the semiconductor chip 1 Then, the frame portion 5 is cut off to obtain a semiconductor device.

【0004】[0004]

【発明が解決しようとする課題】ところで、リードフレ
ーム7のフィンガ4の先端は図12に示すように半導体
チップ1の電極1aに半田その他の手段を用いて接続さ
れるのであるが、一般に電極1aはシリコン1b上に薄
膜状に形成されたアルミニウムパッドからなり、周囲の
保護膜1cより凹んだ位置にある。
By the way, the tip of the finger 4 of the lead frame 7 is connected to the electrode 1a of the semiconductor chip 1 by soldering or other means as shown in FIG. Is an aluminum pad formed in a thin film on the silicon 1b and is located at a position recessed from the surrounding protective film 1c.

【0005】そこでフィンガ4の先端部には電極1aと
接続を容易にするためバンプ4aが形成されるのである
が、近年において多数ピンの半導体装置が望まれてくる
と、フィンガ数は同様に増加し、フィンガ4の幅も極め
て細いものとなる。
Therefore, a bump 4a is formed at the tip of the finger 4 in order to facilitate connection with the electrode 1a. However, when a semiconductor device having a large number of pins is desired in recent years, the number of fingers similarly increases. However, the width of the finger 4 is also extremely narrow.

【0006】そのうえ、フィンガは予め圧延された薄い
金属板をプレスで打ち抜いたり、エッチングなどで形成
するため、フィンガ基部Aから先端の接続部Bまで同一
肉厚で同一撓み傾向にあり、電極1aへの接続時にボン
ディングツールが加える接合力が、フィンガ基部Aまで
影響し、フィンガ間ピッチ、特にその先端の接続部間ピ
ッチが不揃いとなり、電極への確度の高い接続が容易に
行えないものであった。
Moreover, since the fingers are formed by punching a thin metal plate that has been rolled in advance by pressing, etching or the like, there is a tendency that the fingers have the same thickness from the finger base portion A to the connecting portion B at the tip and have the same bending, and thus the electrodes 1a. The bonding force applied by the bonding tool at the time of the connection affects the finger base A, and the pitches between the fingers, especially the pitches between the connection parts at the tips thereof become uneven, so that highly accurate connection to the electrodes cannot be easily performed. .

【0007】[0007]

【課題を解決するための手段】本発明は上記点に鑑みて
なされたもので、半導体チップ1の電極1aと接続する
フィンガ4を、フィンガ基部4bと、上記電極と接続さ
れる接続部4aと、前記フィンガ基部4bと接続部4a
との間を連結する連結部4cとから構成し、該連結部4
cがフィンガ基部4bより大きな可撓性を備えてなるも
のである。
SUMMARY OF THE INVENTION The present invention has been made in view of the above points, and includes a finger 4 connected to an electrode 1a of a semiconductor chip 1, a finger base 4b, and a connection portion 4a connected to the electrode. , The finger base 4b and the connecting portion 4a
And a connecting portion 4c for connecting between
c has a greater flexibility than the finger base 4b.

【0008】[0008]

【作用】このようなフィンガを配したリードフレーム7
を用いて半導体チップ1と接続する際には、まずリード
フレーム7のフィンガ先端の接続部4aを電極1aに対
向するよう位置合わせを行い、次いで接続部4aの背面
側からボンディングツールで加熱加圧し接続する。この
加圧時、この加圧力は接続部4aを加圧方向に押し曲げ
変形するよう作用し、この力がフィンガ基部1まで伝達
し影響を与えようとするが、接続部4aとフィンガ基部
4bとの間に連結部4cを配し、この連結部4cがフィ
ンガ基部4bより大きな可撓性を発揮するため、上記加
圧力は柔軟な連結部4cで緩和され、フィンガ基部4b
への影響を軽減できる。これは相対的に、半導体チップ
1側をフィンガ4側へ押圧加工する場合でも同様であ
る。
[Function] Lead frame 7 having such fingers
When connecting to the semiconductor chip 1 by using, the connection part 4a at the finger tip of the lead frame 7 is first aligned so as to face the electrode 1a, and then heated and pressed with a bonding tool from the back side of the connection part 4a. Connecting. At the time of this pressurization, this pressurizing force acts so as to push and deform the connecting portion 4a in the pressing direction, and this force tries to be transmitted to the finger base 1 and exert an influence, but the connecting portion 4a and the finger base 4b Since the connecting portion 4c is disposed between the finger base portion 4b and the connecting portion 4c exhibits greater flexibility than the finger base portion 4b, the pressing force is alleviated by the flexible connecting portion 4c.
Can be reduced. This is relatively the same even when the semiconductor chip 1 side is pressed to the finger 4 side.

【0009】したがって、接続部4aと電極1aとの接
合に傾きが発生しても、この接続部4aに続く連結部4
cがこの傾きを吸収し、フィンガ基部(一般に接続部よ
りも幅広くなっているが)までもが傾きあるいは、横ず
れを発生し隣接するフィンガとのピッチが乱れることも
なく、接続作業を容易にすることができる。
Therefore, even if the joint between the connecting portion 4a and the electrode 1a is inclined, the connecting portion 4 following the connecting portion 4a is formed.
c absorbs this inclination, and even the finger base portion (which is generally wider than the connection portion) is not inclined or lateral shift occurs and the pitch with adjacent fingers is not disturbed, and the connection work is facilitated. be able to.

【0010】[0010]

【実施例】図1ないし図6は本発明の実施例におけるリ
ードフレームの成形工程を示す図である。まず図1の如
くステンレス等の導電性金属からなる基板8上に所望パ
ターンのレジスト層9を形成する。このレジスト層9は
リードフレーム7を形成しない位置にのみ積層されるも
のであって、非レジスト部8aの形状は所望パターンの
リードフレーム形状である。
1 to 6 are views showing a molding process of a lead frame in an embodiment of the present invention. First, as shown in FIG. 1, a resist layer 9 having a desired pattern is formed on a substrate 8 made of a conductive metal such as stainless steel. The resist layer 9 is laminated only on the position where the lead frame 7 is not formed, and the shape of the non-resist portion 8a is a lead frame shape of a desired pattern.

【0011】次にこの基板8上に、レジストがアルカリ
現像タイプではカセイソーダを、溶剤タイプの場合は塩
化メチレン等の溶剤を用いて剥離処理を行う。その後こ
の基板8上に電鋳により銅,ニッケル,金等の金属を積
層させる。これにより図2の如くレジスト層9を除く非
レジスト部8a上にのみ金属層10が形状される。
Next, a peeling process is performed on the substrate 8 by using caustic soda when the resist is an alkali developing type and by using a solvent such as methylene chloride when the resist is a solvent type. Thereafter, a metal such as copper, nickel or gold is laminated on this substrate 8 by electroforming. As a result, the metal layer 10 is formed only on the non-resist portion 8a excluding the resist layer 9 as shown in FIG.

【0012】このようにして一枚の板状に成形された基
板8及び金属層の積層体の一部をプレス成形により図3
の如く、金属層側に突出するように折曲加工する。この
成形部分はリードフレーム7の中央部に位置するタブ2
及びフィンガ4先端部であって、図3ではタブ2に向か
って対向して延出する一対のフィンガ4を示しており、
フィンガ4は平坦なフィンガ基部4b、基部4bより傾
斜して延びる連結部4c、及び連結部4cからフィンガ
基部4bと略平行に延びる先端部4dとをそれぞれ備え
ている。なおタブ2は特に必要としない。
A part of the laminated body of the substrate 8 and the metal layer thus formed into a single plate is press-formed as shown in FIG.
As described above, bending processing is performed so as to project to the metal layer side. This molded portion is a tab 2 located at the center of the lead frame 7.
3 is a front end portion of the fingers 4, and FIG. 3 shows a pair of fingers 4 that face each other and extend toward the tab 2.
The fingers 4 each include a flat finger base 4b, a connecting portion 4c extending obliquely from the base 4b, and a tip 4d extending from the connecting portion 4c substantially parallel to the finger base 4b. The tab 2 is not particularly necessary.

【0013】次いで、上記の如く変形された積層体の金
属層10上に再び電鋳を施し、図4の如き銅、ニッケル
等の第2の金属層11を積層する。この電鋳加工におい
ては、平坦なフィンガ基部4b、先端部4dに対して連
結部4cは傾斜した位置にあるため、電鋳による金属層
11は連結部4cではその成長速度が遅い。
Then, electroforming is performed again on the metal layer 10 of the laminated body deformed as described above, and the second metal layer 11 of copper, nickel or the like as shown in FIG. 4 is laminated. In this electroforming, since the connecting portion 4c is inclined with respect to the flat finger base 4b and the tip 4d, the growth rate of the electroformed metal layer 11 is slow in the connecting portion 4c.

【0014】また、フィンガ4の先端部4dは細い頸部
によって連結部4cに連結されているため、電流密度が
大きくなり、金属はこの部分でより成長する。従って、
図からもわかるように連結部4cの肉厚t2はフィンガ
基部4bの肉厚t1より小さく最小で、先端部4dの肉
厚t3は最大(t3>t1>t2)となる。
Further, since the tip portion 4d of the finger 4 is connected to the connecting portion 4c by the thin neck portion, the current density is increased and the metal grows more in this portion. Therefore,
As can be seen from the figure, the wall thickness t2 of the connecting portion 4c is smaller than the wall thickness t1 of the finger base portion 4b and is minimum, and the wall thickness t3 of the tip portion 4d is maximum (t3>t1> t2).

【0015】更に図5に示すように、フィンガ4の先端
部4dには金,すず,半田の如き材料からなる接点材1
2が塗布される。この接点材12は半導体チップ1の電
極1aとの接続をより良好にするためのもので、特に必
要としないがレジスト層13により他の部分を被覆した
状態で、フィンガ4の先端部4d上面に塗布もしくはメ
ッキを施せばよい。
Further, as shown in FIG. 5, a contact member 1 made of a material such as gold, tin or solder is provided on the tip 4d of the finger 4.
2 is applied. The contact material 12 is for improving the connection with the electrode 1a of the semiconductor chip 1, and is not particularly required, but is provided on the upper surface of the tip end portion 4d of the finger 4 in a state where the resist layer 13 covers the other portion. It may be applied or plated.

【0016】最後に積層体から基板8のみを剥離すれ
ば、図6に示す如きフィンガ4をもつリードフレーム7
が得られる。得られたフィンガ4の先端部4dはその突
出方向に厚みをもつバンプのような接続部4aを構成
し、薄肉の連結部4cによって適度な可撓性を与えられ
ることになる。
Finally, by peeling only the substrate 8 from the laminated body, the lead frame 7 having the fingers 4 as shown in FIG.
Is obtained. The tip 4d of the obtained finger 4 constitutes a bump-like connecting portion 4a having a thickness in the protruding direction thereof, and the thin connecting portion 4c provides appropriate flexibility.

【0017】特に連結部4cの肉厚t2を小さくするこ
とにより、半導体チップとの接合時の加工力を緩和させ
てフィンガ基部4bの変形、横ずれを防止することがで
き、この部分をバッファ領域として利用できる。
In particular, by reducing the wall thickness t2 of the connecting portion 4c, it is possible to reduce the processing force at the time of joining with the semiconductor chip and prevent the finger base portion 4b from being deformed or laterally displaced. This portion serves as a buffer region. Available.

【0018】このバッファ領域は、前記プレス加工法を
用いれば、先端部4dを作るときのプレス加工によって
同時に得られるので、特別な加工を必要とせず、加工の
簡素化が図れる。図7ないし図10は、本発明の変形例
を示す製造工程説明図である。
This buffer area can be obtained at the same time by the press working when forming the tip portion 4d by using the above-mentioned press working method, so that no special working is required and the working can be simplified. 7 to 10 are manufacturing process explanatory diagrams showing a modified example of the present invention.

【0019】即ち、図7に示すように、まずはじめに基
板8上にレジスト層9を形成した状態で第一次の電鋳加
工を行う点は前記実施例と同様である。但し、基板8の
非レジスト部上には予め金,すず,半田等の接触材12
を塗布もしくはメッキを施しておく。
That is, as shown in FIG. 7, the first electroforming process is performed in the state where the resist layer 9 is formed on the substrate 8 as in the first embodiment. However, the contact material 12 such as gold, tin, or solder is previously formed on the non-resist portion of the substrate 8.
Is applied or plated.

【0020】次に図8に示すように積層体全体にプレス
加工を施し、基板8を突出するようにフィンガ相当部分
を折り曲げる。折り曲げ形状は前記の実施例と同様にフ
ィンガ基部4b、連結部4c、先端部4dから構成され
るものであるが、先端部4dの下面には同様にバンプの
ような接続部4aをプレスにより形成する。
Next, as shown in FIG. 8, the entire laminated body is subjected to press working, and the portions corresponding to the fingers are bent so that the substrate 8 is projected. The bent shape is composed of the finger base portion 4b, the connecting portion 4c, and the tip portion 4d as in the above-described embodiment, and the connection portion 4a such as a bump is similarly formed by pressing on the lower surface of the tip portion 4d. To do.

【0021】次いで金属層10上に第二次の電鋳加工を
施し、図9の如き第2の金属層11を金属層10上に形
成する。この際前述したように先端部4d、フィンガ基
部4b、連結部4cの順でその肉厚は大きく形成され
る。
Next, a second electroforming process is performed on the metal layer 10 to form a second metal layer 11 on the metal layer 10 as shown in FIG. At this time, as described above, the front end portion 4d, the finger base portion 4b, and the connecting portion 4c are formed in the order of increasing wall thickness.

【0022】最後に基板8を剥離すれば図10の如き形
状のフィンガ4を有するリードフレーム7が得られる。
特にこの場合には、フィンガ4の半導体チップと接合す
る側が、基板8のプレス形状及び寸法そのままとなるた
め、プレス精度に応じてフィンガ4の精度を向上させる
ことができ、より一層多ピン化に対応できる。
Finally, the substrate 8 is peeled off to obtain the lead frame 7 having the fingers 4 having the shape as shown in FIG.
Particularly, in this case, the side of the finger 4 to be joined with the semiconductor chip remains the press shape and size of the substrate 8, so that the accuracy of the finger 4 can be improved according to the press accuracy, and the number of pins can be further increased. Can handle.

【0023】なお上記実施例では、一次及び二次電鋳に
よる二層金属層を一体として用いたが、一次電鋳と二次
電鋳との間に剥離処理を行い二次電鋳金属層だけを用い
てリードフレームを得ることもでき、この時は一次電鋳
金属材は例えば銅のような二次電鋳材のニッケルと比較
して安価な材質を使用できる。
Although the two-layer metal layer formed by primary and secondary electroforming is integrally used in the above-mentioned embodiment, only the secondary electroformed metal layer is subjected to the peeling treatment between the primary electrocasting and the secondary electrocasting. It is also possible to obtain a lead frame by using, and at this time, the primary electroformed metal material can be made of an inexpensive material as compared with nickel, which is a secondary electroformed material such as copper.

【0024】また、レジスト層9を形成しただけの基板
8をまず所望形状にプレス加工し、その後一次電鋳、も
しくは一次電鋳と二次電鋳をし、基板8からこの電鋳に
よる金属層を剥離してそのままリードフレームとするこ
とも可能である。
Further, the substrate 8 only having the resist layer 9 formed thereon is first pressed into a desired shape, and then primary electrocasting, or primary electrocasting and secondary electrocasting is carried out. It is also possible to peel off and use the lead frame as it is.

【0025】このように上記実施例では、フィンガを含
むリードフレームは基本的に電鋳によって形成されるか
ら、プレス成形によって打ち抜き成形するのが困難な多
数フィンガをもつリードフレームであっても、エッチン
グ等の安価な製造方法を用いることなく容易に成形する
ことができるとともに、フィンガ先端のバンプ及びバン
プを支持する可撓性を有する連結部を第二次の電鋳によ
り同時にかつ容易に成形することができるものである。
As described above, in the above-described embodiment, since the lead frame including the fingers is basically formed by electroforming, even the lead frame having a large number of fingers which is difficult to punch by press molding is etched. It is possible to easily form the bumps at the finger tips and the flexible connecting portions supporting the bumps at the same time and easily by secondary electroforming, without using inexpensive manufacturing methods such as Is something that can be done.

【0026】[0026]

【発明の効果】以上のように本発明によれば、半導体チ
ップ1の電極1aと接続するフィンガ4を、フィンガ基
部4bと、上記電極と接続される接続部4aと、前記フ
ィンガ基部4bと接続部4aとの間を連結する連結部4
cとから構成し、該連結部4cがフィンガ基部4bより
大きな可撓性を備えてなるので、半導体装置の電極1a
とフィンガ先端の接続部4aとの接続時の加工力は、フ
ィンガ基部4bと接合部4,4a間に配され、フィンガ
基部4bより大きい可撓性を発揮する連結部4cにより
緩和されるため、フィンガ基部4bの横ずれ、不揃い等
の加工上のミスが防止でき作業を簡単にすることができ
る。
As described above, according to the present invention, the finger 4 connected to the electrode 1a of the semiconductor chip 1 is connected to the finger base portion 4b, the connection portion 4a connected to the electrode, and the finger base portion 4b. Connecting part 4 for connecting the part 4a
and the connection portion 4c has greater flexibility than the finger base portion 4b, the electrode 1a of the semiconductor device is formed.
Since the processing force at the time of connection between the finger tip and the connection portion 4a at the tip of the finger is arranged between the finger base portion 4b and the joint portions 4 and 4 and is relieved by the connection portion 4c exhibiting greater flexibility than the finger base portion 4b, It is possible to prevent processing mistakes such as lateral displacement and unevenness of the finger base 4b, and to simplify the work.

【図面の簡単な説明】[Brief description of drawings]

【図1】本発明の実施例におけるリードフレームの製造
工程の説明図でレジスト層形成工程である。
FIG. 1 is an explanatory diagram of a lead frame manufacturing process in an example of the present invention, which is a resist layer forming process.

【図2】同製造工程の金属層形成工程である。FIG. 2 is a metal layer forming process of the same manufacturing process.

【図3】同製造工程の折曲加工工程である。FIG. 3 is a bending process of the manufacturing process.

【図4】同製造工程の第2金属層形成工程である。FIG. 4 is a second metal layer forming step in the same manufacturing process.

【図5】同製造工程の接点材形成工程である。FIG. 5 is a contact material forming step in the same manufacturing process.

【図6】同製造工程により得られたリードフレームであ
る。
FIG. 6 is a lead frame obtained by the same manufacturing process.

【図7】別の実施例におけるリードフレームの製造工程
の説明でレジスト層形成工程である。
FIG. 7 is a resist layer forming step in the description of the lead frame manufacturing step in another example.

【図8】同製造工程のプレス加工工程である。FIG. 8 is a press working process of the same manufacturing process.

【図9】同製造工程の第2金属層形成工程である。FIG. 9 is a second metal layer forming step in the same manufacturing process.

【図10】同製造工程により得られたリードフレームで
ある。
FIG. 10 is a lead frame obtained by the same manufacturing process.

【図11】本発明を用いる一般的なリードフレームの平
面図である。
FIG. 11 is a plan view of a general lead frame using the present invention.

【図12】フィンガ先端のバンプと半導体チップの電極
との関係を示す断面図である。
FIG. 12 is a cross-sectional view showing the relationship between bumps at the tips of fingers and electrodes of a semiconductor chip.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

1 半導体チップ 1a 電極 4 フィンガ 4a 接続部 4b フィンガ基部 4c 連結部 4d フィンガ先端部 DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 Semiconductor chip 1a Electrode 4 Finger 4a Connection part 4b Finger base part 4c Connection part 4d Finger tip part

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【手続補正書】[Procedure amendment]

【提出日】平成4年5月11日[Submission date] May 11, 1992

【手続補正1】[Procedure Amendment 1]

【補正対象書類名】明細書[Document name to be amended] Statement

【補正対象項目名】0011[Correction target item name] 0011

【補正方法】変更[Correction method] Change

【補正内容】[Correction content]

【0011】次にこの基板8上に、レジストがアルカリ
現象タイプではカセイソーダを、溶剤タイプの場合は塩
化メチレン等の溶剤を用いて剥離処理を行う。その後こ
の基板8上に電鋳により銅,ニッケル,金等の金属を積
層させる。これにより図2の如くレジスト層9を除く非
レジスト部8a上にのみ金属層10が形成される。
Next, a peeling process is performed on the substrate 8 by using caustic soda when the resist is an alkaline phenomenon type and by using a solvent such as methylene chloride when the resist is a solvent type. Thereafter, a metal such as copper, nickel or gold is laminated on this substrate 8 by electroforming. As a result, as shown in FIG. 2, the metal layer 10 is formed only on the non-resist portion 8a excluding the resist layer 9 .

【手続補正2】[Procedure Amendment 2]

【補正対象書類名】明細書[Document name to be amended] Statement

【補正対象項目名】0015[Name of item to be corrected] 0015

【補正方法】変更[Correction method] Change

【補正内容】[Correction content]

【0015】更に図5に示すように、フィンガ4の先端
部4dには金,すず,半田の如き材料からなる接材1
2が塗布される。この接材12は半導体チップ1の電
極1aとの接続をより良好にするためのもので、特に必
要としないがレジスト層13により他の部分を被覆した
状態で、フィンガ4の先端部4d上面に塗布もしくはメ
ッキを施せばよい。
Furthermore, as shown in FIG. 5, the distal end portion 4d of the finger 4 gold, tin, made of solder of a material such as contact touch material 1
2 is applied. The contact touch member 12 intended to be better the connection between the electrode 1a of the semiconductor chip 1, in a state is not particularly required coating the other portions by the resist layer 13, the distal end portion 4d upper surface of the finger 4 It may be applied or plated on.

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 坂田 栄二 福岡県田川郡方城町大字伊方4680番地 九 州日立マクセル株式会社内 ─────────────────────────────────────────────────── ─── Continuation of the front page (72) Eiji Sakata Inventor Eiji Sakata 4680 Ikata, Katshiro-machi, Tagawa-gun, Fukuoka Prefecture Kyushu Hitachi Maxell, Ltd.

Claims (1)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】 半導体チップ(1)の電極(1a)と接
続するフィンガ(4)を、 フィンガ基部(4b)と、 上記電極と接続される接続部(4a)と、 前記フィンガ基部(4b)と接続部(4a)との間を連
結する連結部(4c)とから構成し、 該連結部(4c)がフィンガ基部(4b)より大きな可
撓性を備えてなる半導体装置。
1. A finger (4) connected to an electrode (1a) of a semiconductor chip (1), a finger base portion (4b), a connection portion (4a) connected to the electrode, and the finger base portion (4b). And a connecting part (4a), and a connecting part (4c) for connecting between the connecting part (4a) and the connecting part (4a), the connecting part (4c) having greater flexibility than the finger base part (4b).
JP11798392A 1992-04-10 1992-04-10 Semiconductor device Pending JPH07106481A (en)

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