JPH07105855A - プラズマディスプレイパネル及びその製造方法 - Google Patents
プラズマディスプレイパネル及びその製造方法Info
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- JPH07105855A JPH07105855A JP25034593A JP25034593A JPH07105855A JP H07105855 A JPH07105855 A JP H07105855A JP 25034593 A JP25034593 A JP 25034593A JP 25034593 A JP25034593 A JP 25034593A JP H07105855 A JPH07105855 A JP H07105855A
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- glass layer
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- Manufacture Of Electron Tubes, Discharge Lamp Vessels, Lead-In Wires, And The Like (AREA)
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Abstract
(57)【要約】
【目的】ＡＣ型のプラズマディスプレイパネルに関し、
耐圧の低下を招く気泡の発生を抑えて誘電体層の均質化
を図り、表示動作の信頼性を高めることを目的とする。 【構成】表示電極Ｘ，Ｙを放電空間３０に対して被覆す
る誘電体層１７を有したＡＣ型のプラズマディスプレイ
パネル１であって、誘電体層１７が、第１のガラス材料
をその軟化点より低い温度で焼成して形成された下側ガ
ラス層１７Ａと、第２のガラス材料をその軟化点より高
い温度で焼成して形成された上側ガラス層１７Ｂとから
構成される。
耐圧の低下を招く気泡の発生を抑えて誘電体層の均質化
を図り、表示動作の信頼性を高めることを目的とする。 【構成】表示電極Ｘ，Ｙを放電空間３０に対して被覆す
る誘電体層１７を有したＡＣ型のプラズマディスプレイ
パネル１であって、誘電体層１７が、第１のガラス材料
をその軟化点より低い温度で焼成して形成された下側ガ
ラス層１７Ａと、第２のガラス材料をその軟化点より高
い温度で焼成して形成された上側ガラス層１７Ｂとから
構成される。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、ＡＣ型のプラズマディ
スプレイパネル（ＰＤＰ）及びその製造方法に関する。
スプレイパネル（ＰＤＰ）及びその製造方法に関する。
【０００２】ＰＤＰは、表示輝度の上で有利な自己発光
型の表示デバイスであり、画面の大型化及び高速表示が
可能であることから、ＣＲＴに代わる表示デバイスとし
て注目されている。特に蛍光体によるカラー表示に適し
た面放電型ＰＤＰは、ハイビジョンを含むテレビジョン
映像の分野にその用途が拡大されつつある。
型の表示デバイスであり、画面の大型化及び高速表示が
可能であることから、ＣＲＴに代わる表示デバイスとし
て注目されている。特に蛍光体によるカラー表示に適し
た面放電型ＰＤＰは、ハイビジョンを含むテレビジョン
映像の分野にその用途が拡大されつつある。
【０００３】
【従来の技術】図３は一般的な面放電型ＰＤＰの分解斜
視図であり、１つの画素ＥＧに対応する部分の基本的な
構造を示している。
視図であり、１つの画素ＥＧに対応する部分の基本的な
構造を示している。
【０００４】図３に例示したＰＤＰ１０は、蛍光体の配
置形態による分類の上で反射型と呼称される３電極構造
のＰＤＰであり、一対のガラス基板１１，２１、横方向
に互いに平行に隣接して延びた一対の表示電極Ｘ，Ｙ、
壁電荷によって放電を維持するＡＣ駆動のための誘電体
層１７、ＭｇＯからなる保護膜１８、表示電極Ｘ，Ｙと
直交するアドレス電極Ａ、アドレス電極Ａと平行なスト
ライプ状の隔壁２９、及びフルカラー表示のための蛍光
体層２８などから構成されている。
置形態による分類の上で反射型と呼称される３電極構造
のＰＤＰであり、一対のガラス基板１１，２１、横方向
に互いに平行に隣接して延びた一対の表示電極Ｘ，Ｙ、
壁電荷によって放電を維持するＡＣ駆動のための誘電体
層１７、ＭｇＯからなる保護膜１８、表示電極Ｘ，Ｙと
直交するアドレス電極Ａ、アドレス電極Ａと平行なスト
ライプ状の隔壁２９、及びフルカラー表示のための蛍光
体層２８などから構成されている。
【０００５】内部の放電空間３０は、隔壁２９によって
表示電極Ｘ，Ｙの延長方向に単位発光領域ＥＵ毎に区画
され、且つその間隙寸法が規定されている。また、この
放電空間３０には適当な放電ガスが封入されている。
表示電極Ｘ，Ｙの延長方向に単位発光領域ＥＵ毎に区画
され、且つその間隙寸法が規定されている。また、この
放電空間３０には適当な放電ガスが封入されている。
【０００６】ＰＤＰ１０では、図のように１つの画素
（ドット）ＥＧに対応づけられた３つの単位発光領域Ｅ
Ｕのそれぞれにおいて、一方の表示電極Ｙとアドレス電
極Ａとの交差部に表示又は非表示を選択するための選択
放電セルが画定され、選択放電セルの近傍における表示
電極Ｘ，Ｙの間に主放電セルが画定される。
（ドット）ＥＧに対応づけられた３つの単位発光領域Ｅ
Ｕのそれぞれにおいて、一方の表示電極Ｙとアドレス電
極Ａとの交差部に表示又は非表示を選択するための選択
放電セルが画定され、選択放電セルの近傍における表示
電極Ｘ，Ｙの間に主放電セルが画定される。
【０００７】蛍光体層２８は、面放電によるイオン衝撃
を避けるために、表示電極Ｘ，Ｙと反対側のガラス基板
２１上の各隔壁２９の間に設けられ、主放電セルの面放
電で生じる紫外線によって励起されて発光する。蛍光体
層２８の表層面（放電空間と接する面）で発光した光
は、誘電体層１７及びガラス基板１１などを透過して外
部へ射出する。つまり、ＰＤＰ１０では、ガラス基板１
１の外面が表示面Ｈとなる。
を避けるために、表示電極Ｘ，Ｙと反対側のガラス基板
２１上の各隔壁２９の間に設けられ、主放電セルの面放
電で生じる紫外線によって励起されて発光する。蛍光体
層２８の表層面（放電空間と接する面）で発光した光
は、誘電体層１７及びガラス基板１１などを透過して外
部へ射出する。つまり、ＰＤＰ１０では、ガラス基板１
１の外面が表示面Ｈとなる。
【０００８】表示電極Ｘ，Ｙは、蛍光体層２８に対して
表示面Ｈ側に配置されることから、面放電を広範囲とし
且つ表示光の遮光を最小限とするため、幅の広い透明導
電膜４１とその導電性を補うための幅の狭い金属膜（バ
ス電極）４２とから構成されている。透明導電膜４１
は、ＩＴＯ（酸化インジウム）やネサ（酸化錫）などの
酸化金属からなる。また、金属膜４２は、クロム−銅−
クロムの三層構造の薄膜などからなる。
表示面Ｈ側に配置されることから、面放電を広範囲とし
且つ表示光の遮光を最小限とするため、幅の広い透明導
電膜４１とその導電性を補うための幅の狭い金属膜（バ
ス電極）４２とから構成されている。透明導電膜４１
は、ＩＴＯ（酸化インジウム）やネサ（酸化錫）などの
酸化金属からなる。また、金属膜４２は、クロム−銅−
クロムの三層構造の薄膜などからなる。
【０００９】さて、誘電体層１７の表層面は、放電特性
の均一化の上で、より平滑であることが望ましい。ただ
し、実際には粗さが２μｍ程度以下であれば表示に支障
はない。
の均一化の上で、より平滑であることが望ましい。ただ
し、実際には粗さが２μｍ程度以下であれば表示に支障
はない。
【００１０】従来において、誘電体層１７は、単層構造
のガラス層とされ、例えば軟化点が４７０℃程度の低融
点鉛ガラス（ＰｂＯの組成比が７５％程度）を、軟化点
より十分に高い６００℃程度の温度で焼成することによ
って形成されていた。
のガラス層とされ、例えば軟化点が４７０℃程度の低融
点鉛ガラス（ＰｂＯの組成比が７５％程度）を、軟化点
より十分に高い６００℃程度の温度で焼成することによ
って形成されていた。
【００１１】
【発明が解決しようとする課題】軟化点より十分に高い
温度で焼成すれば、焼成に際してガラス材料が流動する
ことから、表層面の平坦なガラス層を得ることができ
る。しかし、そのようなガラス層では、焼成中にガラス
材料が特に表示電極Ｘ，Ｙと活発に反応し、層内に比較
的に大きな気泡が生じ易いという問題があった。
温度で焼成すれば、焼成に際してガラス材料が流動する
ことから、表層面の平坦なガラス層を得ることができ
る。しかし、そのようなガラス層では、焼成中にガラス
材料が特に表示電極Ｘ，Ｙと活発に反応し、層内に比較
的に大きな気泡が生じ易いという問題があった。
【００１２】このような気泡が誘電体層１７内に生じる
と、特に面放電型ＰＤＰにおいて、面放電を担う表示電
極Ｘ，Ｙと選択放電のためのアドレス電極Ａとの間で、
耐圧の低下に起因する不要の放電が生じ、表示が乱れる
とともに、アドレス電極Ａや駆動回路が破損するおそれ
がある。つまり、気泡が絶縁破壊を誘発する層欠陥とな
る。
と、特に面放電型ＰＤＰにおいて、面放電を担う表示電
極Ｘ，Ｙと選択放電のためのアドレス電極Ａとの間で、
耐圧の低下に起因する不要の放電が生じ、表示が乱れる
とともに、アドレス電極Ａや駆動回路が破損するおそれ
がある。つまり、気泡が絶縁破壊を誘発する層欠陥とな
る。
【００１３】本発明は、上述の問題に鑑み、耐圧の低下
を招く気泡の発生を抑えて誘電体層の均質化を図り、表
示動作の信頼性を高めることを目的としている。
を招く気泡の発生を抑えて誘電体層の均質化を図り、表
示動作の信頼性を高めることを目的としている。
【００１４】
【課題を解決するための手段】請求項１の発明に係るＰ
ＤＰは、上述の課題を解決するため、図１に示すよう
に、表示電極Ｘ，Ｙを放電空間３０に対して被覆する誘
電体層１７を有したＡＣ型のプラズマディスプレイパネ
ル１であって、前記誘電体層１７が、第１のガラス材料
をその軟化点Ｔ１１より低い温度Ｔ２１で焼成して形成
された下側ガラス層１７Ａと、第２のガラス材料をその
軟化点Ｔ１２より高い温度Ｔ２２で焼成して形成された
上側ガラス層１７Ｂとからなる。
ＤＰは、上述の課題を解決するため、図１に示すよう
に、表示電極Ｘ，Ｙを放電空間３０に対して被覆する誘
電体層１７を有したＡＣ型のプラズマディスプレイパネ
ル１であって、前記誘電体層１７が、第１のガラス材料
をその軟化点Ｔ１１より低い温度Ｔ２１で焼成して形成
された下側ガラス層１７Ａと、第２のガラス材料をその
軟化点Ｔ１２より高い温度Ｔ２２で焼成して形成された
上側ガラス層１７Ｂとからなる。
【００１５】請求項２の発明に係るＰＤＰは、前記表示
電極Ｘ，Ｙが、透光性を有した酸化金属膜４１及びその
導電性を補う金属膜４２からなる。請求項３の発明に係
る製造方法は、前記上側ガラス層１７Ｂを、前記下側ガ
ラス層１７Ａの焼成温度Ｔ２１より低い温度Ｔ２２で焼
成して形成するものである。
電極Ｘ，Ｙが、透光性を有した酸化金属膜４１及びその
導電性を補う金属膜４２からなる。請求項３の発明に係
る製造方法は、前記上側ガラス層１７Ｂを、前記下側ガ
ラス層１７Ａの焼成温度Ｔ２１より低い温度Ｔ２２で焼
成して形成するものである。
【００１６】請求項４の発明に係る製造方法は、前記上
側ガラス層１７Ｂのガラス材料として、軟化点Ｔ１２が
前記下側ガラス層１７Ａの軟化点Ｔ１１よりも低いガラ
ス材料を用いるものである。
側ガラス層１７Ｂのガラス材料として、軟化点Ｔ１２が
前記下側ガラス層１７Ａの軟化点Ｔ１１よりも低いガラ
ス材料を用いるものである。
【００１７】請求項５の発明に係る製造方法は、前記上
側ガラス層１７Ｂのガラス材料として、軟化速度が前記
下側ガラス層１７Ａよりも大きいガラス材料を用いるも
のである。
側ガラス層１７Ｂのガラス材料として、軟化速度が前記
下側ガラス層１７Ａよりも大きいガラス材料を用いるも
のである。
【００１８】
【作用】一様に塗布した粒界状のガラス材料を熱してガ
ラス層を形成する際に、最高温度である焼成温度を、粘
度が特定値（４．５×１０7 ポアズ）となる軟化点より
も低い温度とすると、焼成中におけるガラス材料の流動
が緩慢であることから、ガラス材料と他の部材（主とし
て表示電極Ｘ，Ｙ）との接触により起こる化学反応が持
続せず、反応による大きな気泡の発生を抑えることがで
きる。ただし、そのガラス層の表層面（上面）は、ガラ
ス粒界の大きさを反映した凹凸面になる。
ラス層を形成する際に、最高温度である焼成温度を、粘
度が特定値（４．５×１０7 ポアズ）となる軟化点より
も低い温度とすると、焼成中におけるガラス材料の流動
が緩慢であることから、ガラス材料と他の部材（主とし
て表示電極Ｘ，Ｙ）との接触により起こる化学反応が持
続せず、反応による大きな気泡の発生を抑えることがで
きる。ただし、そのガラス層の表層面（上面）は、ガラ
ス粒界の大きさを反映した凹凸面になる。
【００１９】一方、軟化点よりも高い温度で焼成する
と、表層面の平坦なガラス層を得ることができる。誘電
体層１７は、このように互いに異なる焼成条件で形成さ
れた下側ガラス層１７Ａと上側ガラス層１７Ｂとからな
る２層構造を有しており、上面が平坦であり且つ全体と
してほぼ均質である。つまり、誘電体層１７において、
下側ガラス層１７Ａは、それ自体が気泡の発生を抑えた
均質な層として形成されるとともに、上面を平坦化する
ための上側ガラス層１７Ｂの形成に際して、ガラス材料
と表示電極Ｘ，Ｙとを隔てて上側ガラス層１７Ｂ内での
気泡の発生を抑える。
と、表層面の平坦なガラス層を得ることができる。誘電
体層１７は、このように互いに異なる焼成条件で形成さ
れた下側ガラス層１７Ａと上側ガラス層１７Ｂとからな
る２層構造を有しており、上面が平坦であり且つ全体と
してほぼ均質である。つまり、誘電体層１７において、
下側ガラス層１７Ａは、それ自体が気泡の発生を抑えた
均質な層として形成されるとともに、上面を平坦化する
ための上側ガラス層１７Ｂの形成に際して、ガラス材料
と表示電極Ｘ，Ｙとを隔てて上側ガラス層１７Ｂ内での
気泡の発生を抑える。
【００２０】
【実施例】図１は本発明に係るＰＤＰ１の要部の構成を
示す断面図である。ＰＤＰ１は、マトリクス表示の単位
発光領域に一対の表示電極Ｘ，Ｙとアドレス電極Ａとが
対応する３電極構造を有し、蛍光体の配置形態による分
類の上で反射型と呼称される面放電型ＰＤＰである。
示す断面図である。ＰＤＰ１は、マトリクス表示の単位
発光領域に一対の表示電極Ｘ，Ｙとアドレス電極Ａとが
対応する３電極構造を有し、蛍光体の配置形態による分
類の上で反射型と呼称される面放電型ＰＤＰである。
【００２１】面放電のための表示電極Ｘ，Ｙは、表示面
Ｈ側のガラス基板１１上に設けられ、ＡＣ駆動用の誘電
体層１７によって放電空間３０に対して被覆されてい
る。誘電体層１７の厚さは２０〜３０μｍ程度である。
誘電体層１７の表面には、保護膜として数千Å程度の厚
さのＭｇＯ膜１８が設けられている。
Ｈ側のガラス基板１１上に設けられ、ＡＣ駆動用の誘電
体層１７によって放電空間３０に対して被覆されてい
る。誘電体層１７の厚さは２０〜３０μｍ程度である。
誘電体層１７の表面には、保護膜として数千Å程度の厚
さのＭｇＯ膜１８が設けられている。
【００２２】表示電極Ｘ，Ｙは、放電空間３０に対して
表示面Ｈ側に配置されることから、面放電を広範囲とす
るための幅の広い帯状の透明導電膜４１と、その導電性
を補うために外端側に重ねられた幅の狭いバス金属膜４
２とから構成されている。透明導電膜４１は数千Å〜１
μｍ程度の厚さのＩＴＯ膜（酸化インジウム膜）又はネ
サ膜（酸化錫膜）からなり、バス金属膜４２は例えばク
ロム−銅−クロムの３層構造の薄膜からなる。
表示面Ｈ側に配置されることから、面放電を広範囲とす
るための幅の広い帯状の透明導電膜４１と、その導電性
を補うために外端側に重ねられた幅の狭いバス金属膜４
２とから構成されている。透明導電膜４１は数千Å〜１
μｍ程度の厚さのＩＴＯ膜（酸化インジウム膜）又はネ
サ膜（酸化錫膜）からなり、バス金属膜４２は例えばク
ロム−銅−クロムの３層構造の薄膜からなる。
【００２３】一方、単位発光領域を選択的に発光させる
ためのアドレス電極Ａは、背面側のガラス基板２１上
に、表示電極Ｘ，Ｙと直交するように配列されている。
なお、ガラス基板２１には、アドレス電極Ａの上面を含
めて背面側の内面を被覆するように、所定発光色の蛍光
体２８が設けられている。蛍光体２８は、面放電時に放
電空間３０内の放電ガスが放つ紫外線によって励起され
て発光する。
ためのアドレス電極Ａは、背面側のガラス基板２１上
に、表示電極Ｘ，Ｙと直交するように配列されている。
なお、ガラス基板２１には、アドレス電極Ａの上面を含
めて背面側の内面を被覆するように、所定発光色の蛍光
体２８が設けられている。蛍光体２８は、面放電時に放
電空間３０内の放電ガスが放つ紫外線によって励起され
て発光する。
【００２４】ＰＤＰ１において、図３のＰＤＰ１０との
構造上の相違点は、誘電体層１７が２層構造を有してい
る点である。すなわち、誘電体層１７は、層の欠陥とな
る気泡の発生を抑えるための下側ガラス層１７Ａと、表
層面を平坦化するための上側ガラス層１７Ｂとから構成
されている。これにより、誘電体層１７が全体的に欠陥
のない均質な層となっており、表示電極Ｘ，Ｙとアドレ
ス電極Ａとの間で所定の耐圧が確保されている。なお、
各ガラス層１７Ａ，１７Ｂの厚さは同程度に選定されて
いる。
構造上の相違点は、誘電体層１７が２層構造を有してい
る点である。すなわち、誘電体層１７は、層の欠陥とな
る気泡の発生を抑えるための下側ガラス層１７Ａと、表
層面を平坦化するための上側ガラス層１７Ｂとから構成
されている。これにより、誘電体層１７が全体的に欠陥
のない均質な層となっており、表示電極Ｘ，Ｙとアドレ
ス電極Ａとの間で所定の耐圧が確保されている。なお、
各ガラス層１７Ａ，１７Ｂの厚さは同程度に選定されて
いる。
【００２５】以下、誘電体層１７の形成工程を中心にＰ
ＤＰ１の製造方法について図２を参照して説明する。図
２は、下側及び上側のガラス層１７Ａ，Ｂの各材料に係
る焼成温度と表面粗さとの関係、及び下側ガラス層１７
Ａの材料に係る焼成温度と欠陥発生率との関係を示すグ
ラフである。
ＤＰ１の製造方法について図２を参照して説明する。図
２は、下側及び上側のガラス層１７Ａ，Ｂの各材料に係
る焼成温度と表面粗さとの関係、及び下側ガラス層１７
Ａの材料に係る焼成温度と欠陥発生率との関係を示すグ
ラフである。
【００２６】ＰＤＰ１は、各ガラス基板１１，２１につ
いて別個に所定の構成要素を設け、その後にガラス基板
１１，２１を重ね合わせて封止を行い、内部の排気及び
放電ガスの充填を行う一連の工程によって製造される。
いて別個に所定の構成要素を設け、その後にガラス基板
１１，２１を重ね合わせて封止を行い、内部の排気及び
放電ガスの充填を行う一連の工程によって製造される。
【００２７】ガラス基板１１側の製造に際しては、ま
ず、蒸着やスパッタなどによる成膜、及びフォトリソグ
ラフィ法によるパターニングによって、ガラス基板１１
上に透明導電膜４１とバス金属膜４２とを順に形成して
表示電極Ｘ，Ｙを設ける。なお、ガラス基板１１は、表
面に二酸化珪素膜を設けた３ｍｍ程度の厚さのソーダ石
灰ガラス板からなる。
ず、蒸着やスパッタなどによる成膜、及びフォトリソグ
ラフィ法によるパターニングによって、ガラス基板１１
上に透明導電膜４１とバス金属膜４２とを順に形成して
表示電極Ｘ，Ｙを設ける。なお、ガラス基板１１は、表
面に二酸化珪素膜を設けた３ｍｍ程度の厚さのソーダ石
灰ガラス板からなる。
【００２８】次に、表示電極Ｘ，Ｙを被覆するように、
ガラス基板１１の表面に一様に低融点ガラスペーストを
塗布する。このとき、軟化点Ｔ１１が例えば５８０℃程
度の低融点鉛ガラス（ＰｂＯの組成比が６０％程度）を
主成分のガラス材料として含むペーストを用いる。
ガラス基板１１の表面に一様に低融点ガラスペーストを
塗布する。このとき、軟化点Ｔ１１が例えば５８０℃程
度の低融点鉛ガラス（ＰｂＯの組成比が６０％程度）を
主成分のガラス材料として含むペーストを用いる。
【００２９】そして、乾燥させたペースト層を、軟化点
Ｔ１１より低くガラス材料が若干軟化する程度の温度Ｔ
２１（例えば５５０〜５６０℃）で焼成し、下側ガラス
層１７Ａを形成する。焼成温度Ｔ２１を軟化点Ｔ１１よ
り低く設定することにより、図２において白抜きの三角
で示すように、電極材料との反応による気泡などの欠陥
のない下側ガラス層１７Ａを得ることができる。ただ
し、下側ガラス層１７Ａの表層面は、図２において白丸
で示すように、表面粗さが５〜６μｍの粗い面、すなわ
ちガラス材料の粒界の大きさに依存した凹凸を有する面
となる。
Ｔ１１より低くガラス材料が若干軟化する程度の温度Ｔ
２１（例えば５５０〜５６０℃）で焼成し、下側ガラス
層１７Ａを形成する。焼成温度Ｔ２１を軟化点Ｔ１１よ
り低く設定することにより、図２において白抜きの三角
で示すように、電極材料との反応による気泡などの欠陥
のない下側ガラス層１７Ａを得ることができる。ただ
し、下側ガラス層１７Ａの表層面は、図２において白丸
で示すように、表面粗さが５〜６μｍの粗い面、すなわ
ちガラス材料の粒界の大きさに依存した凹凸を有する面
となる。
【００３０】そこで、続いて下側ガラス層１７Ａの上
に、誘電体層１７を平坦化するための上側ガラス層１７
Ｂが形成される。上側ガラス層１７Ｂの形成に際して
は、軟化点Ｔ１２が例えば４７０℃程度の低融点鉛ガラ
スを主成分のガラス材料として含むペーストを用いる。
つまり、上側ガラス層１７Ｂに比べて軟化点の低い材料
を用いる。そして、そのようなガラスペーストを、軟化
点Ｔ１２より高く且つ下側ガラス層１７Ａの焼成温度Ｔ
２１より低い温度Ｔ２２（例えば５３０℃）で焼成す
る。
に、誘電体層１７を平坦化するための上側ガラス層１７
Ｂが形成される。上側ガラス層１７Ｂの形成に際して
は、軟化点Ｔ１２が例えば４７０℃程度の低融点鉛ガラ
スを主成分のガラス材料として含むペーストを用いる。
つまり、上側ガラス層１７Ｂに比べて軟化点の低い材料
を用いる。そして、そのようなガラスペーストを、軟化
点Ｔ１２より高く且つ下側ガラス層１７Ａの焼成温度Ｔ
２１より低い温度Ｔ２２（例えば５３０℃）で焼成す
る。
【００３１】焼成温度Ｔ２２を軟化点Ｔ１２より高く設
定することにより、焼成中にガラス材料が流動すること
から、図２において黒丸で示すように表面粗さが１〜２
μｍ程度の平坦な上側ガラス層１７Ｂ（すなわち誘電体
層１７）を得ることができる。また、焼成温度Ｔ２２を
下側ガラス層１７Ａの焼成温度Ｔ２１より低く設定する
ことにより、下側ガラス層１７Ａの変質を防ぐことがで
きる。
定することにより、焼成中にガラス材料が流動すること
から、図２において黒丸で示すように表面粗さが１〜２
μｍ程度の平坦な上側ガラス層１７Ｂ（すなわち誘電体
層１７）を得ることができる。また、焼成温度Ｔ２２を
下側ガラス層１７Ａの焼成温度Ｔ２１より低く設定する
ことにより、下側ガラス層１７Ａの変質を防ぐことがで
きる。
【００３２】このようにして下側ガラス層１７Ａと上側
ガラス層１７Ｂとを順に形成して誘電体層１７を設けた
後、電子ビーム蒸着などによってＭｇＯ膜１８を設けて
ガラス基板１１側の製造を終える。
ガラス層１７Ｂとを順に形成して誘電体層１７を設けた
後、電子ビーム蒸着などによってＭｇＯ膜１８を設けて
ガラス基板１１側の製造を終える。
【００３３】上述の実施例によれば、上側ガラス層１７
Ｂの材料として、軟化点Ｔ１２が下側ガラス層１７Ａの
軟化点Ｔ１１よりも低いガラス材料を用いたので、上側
ガラス層１７Ｂの焼成時に下側ガラス層１７Ａ内でガス
が発生したとしても、そのガスが上側ガラス層１７Ｂを
通って外部へ発散し、上側ガラス層１７Ｂによるガスの
封じ込めが起こらない。
Ｂの材料として、軟化点Ｔ１２が下側ガラス層１７Ａの
軟化点Ｔ１１よりも低いガラス材料を用いたので、上側
ガラス層１７Ｂの焼成時に下側ガラス層１７Ａ内でガス
が発生したとしても、そのガスが上側ガラス層１７Ｂを
通って外部へ発散し、上側ガラス層１７Ｂによるガスの
封じ込めが起こらない。
【００３４】なお、上側ガラス層１７Ｂの材料として、
軟化速度が下側ガラス層１７Ａよりも大きいガラス材料
を用いた場合にも、上側ガラス層１７Ｂの焼成に際し
て、上側ガラス層１７Ｂを下側ガラス層１７Ａに比べて
柔らかい状態とすることができるので、同様に上側ガラ
ス層１７Ｂによるガスの封じ込めを防止できる。
軟化速度が下側ガラス層１７Ａよりも大きいガラス材料
を用いた場合にも、上側ガラス層１７Ｂの焼成に際し
て、上側ガラス層１７Ｂを下側ガラス層１７Ａに比べて
柔らかい状態とすることができるので、同様に上側ガラ
ス層１７Ｂによるガスの封じ込めを防止できる。
【００３５】上述の実施例において、各ガラス層１７
Ａ，１７Ｂの材料、互いの厚さの比率、及び焼成条件
（温度プロファイル）などは、ガラス基板材料・基板表
面コート材料・透明導電膜４１の材料、・バス金属膜の
材料に応じて、均質且つ上面の平坦な誘電体層１７が得
られるように適宜変更することができる。
Ａ，１７Ｂの材料、互いの厚さの比率、及び焼成条件
（温度プロファイル）などは、ガラス基板材料・基板表
面コート材料・透明導電膜４１の材料、・バス金属膜の
材料に応じて、均質且つ上面の平坦な誘電体層１７が得
られるように適宜変更することができる。
【００３６】
【発明の効果】本発明によれば、誘電体層の均質化を図
り、所定の耐圧を確保して表示動作の信頼性を高めるこ
とができる。
り、所定の耐圧を確保して表示動作の信頼性を高めるこ
とができる。
【図１】本発明に係るＰＤＰの要部の構成を示す断面図
である。
である。
【図２】焼成温度と表面粗さとの関係、及び焼成温度と
欠陥発生率との関係を示すグラフである。
欠陥発生率との関係を示すグラフである。
【図３】一般的な面放電型ＰＤＰの分解斜視図である。
１ ＰＤＰ（プラズマディスプレイパネル） １７ 誘電体層 １７Ａ 下側ガラス層 １７Ｂ 上側ガラス層 ３０ 放電空間 ４１ 透明導電膜（酸化金属膜） ４２ バス金属膜（金属膜） Ｔ１１，Ｔ１２ 軟化点 Ｔ２１，Ｔ２２ 焼成温度 Ｘ，Ｙ 表示電極
Claims (5)
- 【請求項１】表示電極（Ｘ）（Ｙ）を放電空間（３０）
に対して被覆する誘電体層（１７）を有したＡＣ型のプ
ラズマディスプレイパネル（１）であって、 前記誘電体層（１７）が、第１のガラス材料をその軟化
点（Ｔ１１）より低い温度（Ｔ２１）で焼成して形成さ
れた下側ガラス層（１７Ａ）と、第２のガラス材料をそ
の軟化点（Ｔ１２）より高い温度（Ｔ２２）で焼成して
形成された上側ガラス層（１７Ｂ）とからなることを特
徴とするプラズマディスプレイパネル。 - 【請求項２】請求項１記載のプラズマディスプレイパネ
ル（１）であって、 前記表示電極（Ｘ）（Ｙ）は、透光性を有した酸化金属
膜（４１）及びその導電性を補う金属膜（４２）からな
ることを特徴とするプラズマディスプレイパネル。 - 【請求項３】請求項１又は請求項２記載のプラズマディ
スプレイパネル（１）の製造方法であって、 前記上側ガラス層（１７Ｂ）を、前記下側ガラス層（１
７Ａ）の焼成温度（Ｔ２１）より低い温度（Ｔ２２）で
焼成して形成することを特徴とするプラズマディスプレ
イパネルの製造方法。 - 【請求項４】請求項３記載のプラズマディスプレイパネ
ルの製造方法であって、 前記上側ガラス層（１７Ｂ）のガラス材料として、軟化
点（Ｔ１２）が前記下側ガラス層（１７Ａ）の軟化点
（Ｔ１１）よりも低いガラス材料を用いることを特徴と
するプラズマディスプレイパネルの製造方法。 - 【請求項５】請求項３記載のプラズマディスプレイパネ
ルの製造方法であって、 前記上側ガラス層（１７Ｂ）のガラス材料として、軟化
速度が前記下側ガラス層（１７Ａ）よりも大きいガラス
材料を用いることを特徴とするプラズマディスプレイパ
ネルの製造方法。
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| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP25034593A JP3476224B2 (ja) | 1993-10-06 | 1993-10-06 | プラズマディスプレイパネルの製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP25034593A JP3476224B2 (ja) | 1993-10-06 | 1993-10-06 | プラズマディスプレイパネルの製造方法 |
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| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH07105855A true JPH07105855A (ja) | 1995-04-21 |
| JP3476224B2 JP3476224B2 (ja) | 2003-12-10 |
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ID=17206538
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| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP25034593A Expired - Fee Related JP3476224B2 (ja) | 1993-10-06 | 1993-10-06 | プラズマディスプレイパネルの製造方法 |
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| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3476224B2 (ja) |
Cited By (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5948537A (en) * | 1997-03-28 | 1999-09-07 | Asahi Glass Company Ltd. | Substrate for a plasma display panel and low melting point glass composition |
| EP1041600A1 (en) | 1995-08-25 | 2000-10-04 | Fujitsu Limited | A surface discharge plasma display panel and a manufacturing method therefor |
| US6419540B1 (en) | 1996-11-27 | 2002-07-16 | Mastushita Electric Industrial Co., Ltd. | Plasma display panel suitable for high-quality display and production method |
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-
1993
- 1993-10-06 JP JP25034593A patent/JP3476224B2/ja not_active Expired - Fee Related
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| US7489079B2 (en) | 2002-03-06 | 2009-02-10 | Panasonic Corporation | Plasma display having a recessed part in a discharge cell |
| WO2003075301A1 (fr) * | 2002-03-06 | 2003-09-12 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Ecran a plasma |
| WO2004105074A1 (ja) * | 2003-05-21 | 2004-12-02 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | プラズマディスプレイパネルおよびその製造方法 |
| US7422503B2 (en) | 2003-05-21 | 2008-09-09 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Plasma display panel and method of manufacturing the same |
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| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP3476224B2 (ja) | 2003-12-10 |
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