JPH07104222A - 半導体光変調器 - Google Patents
半導体光変調器Info
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- JPH07104222A JPH07104222A JP5248922A JP24892293A JPH07104222A JP H07104222 A JPH07104222 A JP H07104222A JP 5248922 A JP5248922 A JP 5248922A JP 24892293 A JP24892293 A JP 24892293A JP H07104222 A JPH07104222 A JP H07104222A
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- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 低い逆バイアス電圧で駆動することによりT
M,TE両モードで高い消光比が得られ、さらに、能動
領域の量子井戸層を多層にすることにより消光比を高く
しても結晶が破断することがない半導体光変調器を提供
することを目的とする。 【構成】 互いに逆の符号でかつ絶対値が等しい歪み量
を有する第1の量子井戸層8と、第2の量子井戸層10
とをバリア層9を挟んで交互に積層してなる能動領域3
aを備えた。 【効果】 TE,TM両モードで高い吸収利得を得るこ
とができ、トータル歪量を抑えて量子井戸を増やし、高
い消光比を得ることができる。
M,TE両モードで高い消光比が得られ、さらに、能動
領域の量子井戸層を多層にすることにより消光比を高く
しても結晶が破断することがない半導体光変調器を提供
することを目的とする。 【構成】 互いに逆の符号でかつ絶対値が等しい歪み量
を有する第1の量子井戸層8と、第2の量子井戸層10
とをバリア層9を挟んで交互に積層してなる能動領域3
aを備えた。 【効果】 TE,TM両モードで高い吸収利得を得るこ
とができ、トータル歪量を抑えて量子井戸を増やし、高
い消光比を得ることができる。
Description
【0001】
【産業上の利用分野】この発明は化合物半導体からなる
光変調器に関し、特に、入射光の偏波面に依存しない光
変調を行う半導体光変調器に関するものである。
光変調器に関し、特に、入射光の偏波面に依存しない光
変調を行う半導体光変調器に関するものである。
【0002】
【従来の技術】図9(a) は例えば1992年秋期第53
回応用物理学会学術講演会講演予稿集16a−x−1
(p.911)に示された従来の半導体光変調器の概略
構造を示す斜視図であり、図において、1はp側電極、
2はp型InPクラッド層、4はn型InPクラッド
層、5はn型InP基板、6はn側電極、3はリッジ部
分11に形成された多重量子井戸構造の能動領域、12
は能動領域3に入射するCW(Continuous Wave) レーザ
光であり、その波長は1.585μmである。12’は
能動領域3から出射される変調光である。
回応用物理学会学術講演会講演予稿集16a−x−1
(p.911)に示された従来の半導体光変調器の概略
構造を示す斜視図であり、図において、1はp側電極、
2はp型InPクラッド層、4はn型InPクラッド
層、5はn型InP基板、6はn側電極、3はリッジ部
分11に形成された多重量子井戸構造の能動領域、12
は能動領域3に入射するCW(Continuous Wave) レーザ
光であり、その波長は1.585μmである。12’は
能動領域3から出射される変調光である。
【0003】また、図9(b) は能動領域3の層構造を示
す一部拡大図であり、図において、16は厚さ11nm
のInPバリア層、17は−0.3%の格子歪みを有す
るIn0.49Ga0.51As井戸層であり、層厚は11.5
nmである。そして、該能動領域3は上記In0.49Ga
0.51As井戸層17と、上記InPバリア層16とが2
0周期積層されてなり、引っ張り歪みを有する多重量子
井戸構造とされているものである。
す一部拡大図であり、図において、16は厚さ11nm
のInPバリア層、17は−0.3%の格子歪みを有す
るIn0.49Ga0.51As井戸層であり、層厚は11.5
nmである。そして、該能動領域3は上記In0.49Ga
0.51As井戸層17と、上記InPバリア層16とが2
0周期積層されてなり、引っ張り歪みを有する多重量子
井戸構造とされているものである。
【0004】次に動作について説明する。図9(a) に示
したように、リッジ部分11に形成された能動領域3の
前面3’にレーザ光12が入射すると、該能動領域10
に電界が印加されていないときには、これを導波路とし
て上記レーザ光12は透過され、その後面3''から出射
される。
したように、リッジ部分11に形成された能動領域3の
前面3’にレーザ光12が入射すると、該能動領域10
に電界が印加されていないときには、これを導波路とし
て上記レーザ光12は透過され、その後面3''から出射
される。
【0005】また、p側電極1に負の電圧、n側電極6
に正の電圧を印加して、この逆バイアス電圧による電界
を上記能動領域3に印加すると、電界無印加時に導波路
として働いていた上記能動領域3は、量子閉じ込めシュ
タルク効果により吸収層となり、入射したレーザ光12
を吸収してその進路を遮断する。
に正の電圧を印加して、この逆バイアス電圧による電界
を上記能動領域3に印加すると、電界無印加時に導波路
として働いていた上記能動領域3は、量子閉じ込めシュ
タルク効果により吸収層となり、入射したレーザ光12
を吸収してその進路を遮断する。
【0006】このとき、上記能動領域3に入射するレー
ザ光12には電磁波と同じ様に偏波面があり、例えば上
記レーザ光12を出力する光源が明白光レーザのような
場合、該レーザ光12はTEモード,及びTMモードの
2つの偏波面を有する光となり、一般的な構造を有する
半導体光変調器では、これらTE,TMモードのうちの
いずれか一方のモードの光の吸収がメインとなるため、
その能動領域に電界を印加して吸収層として働かせても
他方のモードの光は透過してしまうものである。そし
て、図9(a) に示したような,能動領域の接合面と平行
にレーザ光12が進行する構造のものにおいては、TE
モードの吸収がメインとなり、TMモードの光は幾ら逆
バイアス電圧を高くして印加する電界強度を上げても吸
収されずに透過してしまい、この透過したTMモードの
光が受光素子に到達して、該受光素子の誤動作を招くこ
ととなる。
ザ光12には電磁波と同じ様に偏波面があり、例えば上
記レーザ光12を出力する光源が明白光レーザのような
場合、該レーザ光12はTEモード,及びTMモードの
2つの偏波面を有する光となり、一般的な構造を有する
半導体光変調器では、これらTE,TMモードのうちの
いずれか一方のモードの光の吸収がメインとなるため、
その能動領域に電界を印加して吸収層として働かせても
他方のモードの光は透過してしまうものである。そし
て、図9(a) に示したような,能動領域の接合面と平行
にレーザ光12が進行する構造のものにおいては、TE
モードの吸収がメインとなり、TMモードの光は幾ら逆
バイアス電圧を高くして印加する電界強度を上げても吸
収されずに透過してしまい、この透過したTMモードの
光が受光素子に到達して、該受光素子の誤動作を招くこ
ととなる。
【0007】そこで、上記図9(a) に示した半導体光変
調器の能動領域3は、図9(b) にその拡大図を示したよ
うに、−0.3%の格子歪みを有するIn0.49Ga0.51
As井戸層17と、InPバリア層16とを20周期積
層した多重量子井戸構造とされており、このように上記
能動領域3に0.3%の引っ張り歪を導入することによ
り、入射するレーザ光12を、その偏波面に依存せずに
吸収することができるものとされている。
調器の能動領域3は、図9(b) にその拡大図を示したよ
うに、−0.3%の格子歪みを有するIn0.49Ga0.51
As井戸層17と、InPバリア層16とを20周期積
層した多重量子井戸構造とされており、このように上記
能動領域3に0.3%の引っ張り歪を導入することによ
り、入射するレーザ光12を、その偏波面に依存せずに
吸収することができるものとされている。
【0008】即ち、0.3%の引っ張り歪を導入された
上記能動領域3における,透過率の電界依存性は図8に
示したようになるため、該能動領域3を有する上記半導
体光変調器のp側電極1,n側電極6間に3V以上の逆
バイアス電圧を印加することにより、波長1.585μ
mのレーザ光12のTEモードでの吸収と、TMモード
での吸収とをほぼ等しくすることができ、これにより偏
波面依存性を減少させることができるものである。
上記能動領域3における,透過率の電界依存性は図8に
示したようになるため、該能動領域3を有する上記半導
体光変調器のp側電極1,n側電極6間に3V以上の逆
バイアス電圧を印加することにより、波長1.585μ
mのレーザ光12のTEモードでの吸収と、TMモード
での吸収とをほぼ等しくすることができ、これにより偏
波面依存性を減少させることができるものである。
【0009】そして、上述のレーザ光12に対する吸収
/透過動作が上記p側電極1,n側電極6間に印加され
る変調信号による3V以上の逆バイアス電圧のオン/オ
フに応じて高速で繰り返され、上記能動領域3の後面
3''から、連続波の上記レーザ光12を上記変調信号に
応じてパルス化した変調光12’が出射されることとな
る。
/透過動作が上記p側電極1,n側電極6間に印加され
る変調信号による3V以上の逆バイアス電圧のオン/オ
フに応じて高速で繰り返され、上記能動領域3の後面
3''から、連続波の上記レーザ光12を上記変調信号に
応じてパルス化した変調光12’が出射されることとな
る。
【0010】
【発明が解決しようとする課題】従来の半導体光変調器
は以上のように構成されており、偏波面依存性をある程
度減少させることができるが、図10に示したように、
逆バイアス電圧を3V以上印加しなければTM,TE両
モードの吸収率を高くすることができず、さらに、消光
比を上げるために上記能動領域3のIn0.49Ga0.51A
s井戸層17を増やして、該In0.49Ga0.51As井戸
層17,InPバリア層16を20周期積層してなる多
重量子井戸をさらに多重化して積層したものとすると、
同時に負の格子歪も増加することとなり、この増加した
歪みによるストレスのために結晶が破断してしまうとい
う問題があり、また、その構造上、1つの半導体光変調
器で複数の入射光をそれぞれ変調して、複数の変調光を
出射するものとする2次元アレイ化することが困難であ
る等の問題があった。
は以上のように構成されており、偏波面依存性をある程
度減少させることができるが、図10に示したように、
逆バイアス電圧を3V以上印加しなければTM,TE両
モードの吸収率を高くすることができず、さらに、消光
比を上げるために上記能動領域3のIn0.49Ga0.51A
s井戸層17を増やして、該In0.49Ga0.51As井戸
層17,InPバリア層16を20周期積層してなる多
重量子井戸をさらに多重化して積層したものとすると、
同時に負の格子歪も増加することとなり、この増加した
歪みによるストレスのために結晶が破断してしまうとい
う問題があり、また、その構造上、1つの半導体光変調
器で複数の入射光をそれぞれ変調して、複数の変調光を
出射するものとする2次元アレイ化することが困難であ
る等の問題があった。
【0011】この発明は上記のような問題点を解消する
ためになされたもので、低い逆バイアス電圧で駆動する
ことによりTM,TE両モードで高い消光比が得られ、
さらに、能動領域の量子井戸層を多層にすることにより
消光比を高くしても結晶が破断することがない半導体光
変調器,及び2次元アレイ化された半導体光変調器を得
ることを目的とする。
ためになされたもので、低い逆バイアス電圧で駆動する
ことによりTM,TE両モードで高い消光比が得られ、
さらに、能動領域の量子井戸層を多層にすることにより
消光比を高くしても結晶が破断することがない半導体光
変調器,及び2次元アレイ化された半導体光変調器を得
ることを目的とする。
【0012】
【課題を解決するための手段】この発明に係る半導体光
変調器は、その能動領域に入射したレーザ光を印加され
た電界に応じて吸収,あるいは透過することにより変調
して出射する半導体光変調器において、半導体基板上に
その格子定数が上記半導体基板の格子定数より大きい材
料からなる第1の半導体層と、それが上記半導体基板の
格子定数より小さい材料からなる第2の半導体層とを有
する能動領域を備えるようにしたものである。
変調器は、その能動領域に入射したレーザ光を印加され
た電界に応じて吸収,あるいは透過することにより変調
して出射する半導体光変調器において、半導体基板上に
その格子定数が上記半導体基板の格子定数より大きい材
料からなる第1の半導体層と、それが上記半導体基板の
格子定数より小さい材料からなる第2の半導体層とを有
する能動領域を備えるようにしたものである。
【0013】また、この発明に係る半導体光変調器は、
上記能動領域を、正の格子歪みを有する第1の量子井戸
層と、負の格子歪みを有する第2の量子井戸層と、バリ
ア層とからなる多重量子井戸構造を有するものとし、該
能動領域の上下には、上記第1の量子井戸層,第2の量
子井戸層及びバリア層が有するバンドギャップ以上の大
きさのバンドギャップを有するクラッド層を備えるよう
にしたものである。
上記能動領域を、正の格子歪みを有する第1の量子井戸
層と、負の格子歪みを有する第2の量子井戸層と、バリ
ア層とからなる多重量子井戸構造を有するものとし、該
能動領域の上下には、上記第1の量子井戸層,第2の量
子井戸層及びバリア層が有するバンドギャップ以上の大
きさのバンドギャップを有するクラッド層を備えるよう
にしたものである。
【0014】また、この発明に係る半導体光変調器は、
上記能動領域を、互いに逆の符号でかつ絶対値が等しい
歪み量を有する第1の量子井戸層と、第2の量子井戸層
とを上記バリア層を挟んで交互に所要数積層してなるも
のとしたものである。
上記能動領域を、互いに逆の符号でかつ絶対値が等しい
歪み量を有する第1の量子井戸層と、第2の量子井戸層
とを上記バリア層を挟んで交互に所要数積層してなるも
のとしたものである。
【0015】また、この発明に係る半導体光変調器は、
InP基板上に各半導体層を結晶成長させてなり、波長
1.32μmのレーザ光を変調するものであり、上記能
動領域を、歪み量が+0.1%のIn0.57Ga0.43As
0.89P0.11圧縮歪量子井戸層と、歪み量が−0.1%の
In0.39Ga0.61As0.18P0.82引っ張り歪量子井戸層
とをIn0.77Ga0.23As0.51P0.49バリア層を挟んで
交互に所要数積層してなるものとしたものである。
InP基板上に各半導体層を結晶成長させてなり、波長
1.32μmのレーザ光を変調するものであり、上記能
動領域を、歪み量が+0.1%のIn0.57Ga0.43As
0.89P0.11圧縮歪量子井戸層と、歪み量が−0.1%の
In0.39Ga0.61As0.18P0.82引っ張り歪量子井戸層
とをIn0.77Ga0.23As0.51P0.49バリア層を挟んで
交互に所要数積層してなるものとしたものである。
【0016】また、この発明に係る半導体光変調器は、
GaAs基板上に各半導体層を結晶成長させてなり、波
長0.69μmのレーザ光を変調するものであり、上記
能動領域を、歪み量が+0.1%のIn0.43Ga0.57A
s0.15P0.85圧縮歪量子井戸層と、歪み量が−0.1%
のIn0.39Ga0.61As0.18P0.82引っ張り歪量子井戸
層とをAlGaInP,あるいはAlGaAsからなる
バリア層を挟んで交互に所要数積層してなるものとした
ものである。
GaAs基板上に各半導体層を結晶成長させてなり、波
長0.69μmのレーザ光を変調するものであり、上記
能動領域を、歪み量が+0.1%のIn0.43Ga0.57A
s0.15P0.85圧縮歪量子井戸層と、歪み量が−0.1%
のIn0.39Ga0.61As0.18P0.82引っ張り歪量子井戸
層とをAlGaInP,あるいはAlGaAsからなる
バリア層を挟んで交互に所要数積層してなるものとした
ものである。
【0017】また、この発明に係る半導体光変調器は、
上記能動領域を、各井戸層間に上記バリア層を挟み、上
記第1の量子井戸層,及び第2の量子井戸層を所定のパ
ターンで積層し、該積層パターンを所定周期繰り返し積
層してなるものとしたものである。
上記能動領域を、各井戸層間に上記バリア層を挟み、上
記第1の量子井戸層,及び第2の量子井戸層を所定のパ
ターンで積層し、該積層パターンを所定周期繰り返し積
層してなるものとしたものである。
【0018】また、この発明に係る半導体光変調器は、
InP基板上に各半導体層を結晶成長させてなり、波長
1.32μmのレーザ光を変調するものであり、上記能
動領域の積層パターンを、In0.77Ga0.23As0.51P
0.49バリア層を挟み、歪み量が+0.1%のIn0.57G
a0.43As0.89P0.11圧縮歪量子井戸層と、歪み量が−
0.1%のIn0.39Ga0.61As0.18P0.82引っ張り歪
量子井戸層とを各々2層ずつ続けて積層したものとした
ものである。
InP基板上に各半導体層を結晶成長させてなり、波長
1.32μmのレーザ光を変調するものであり、上記能
動領域の積層パターンを、In0.77Ga0.23As0.51P
0.49バリア層を挟み、歪み量が+0.1%のIn0.57G
a0.43As0.89P0.11圧縮歪量子井戸層と、歪み量が−
0.1%のIn0.39Ga0.61As0.18P0.82引っ張り歪
量子井戸層とを各々2層ずつ続けて積層したものとした
ものである。
【0019】また、この発明に係る半導体光変調器は、
上記能動領域の積層パターンを、In0.77Ga0.23As
0.51P0.49バリア層を挟み、歪み量が+0.1%のIn
0.57Ga0.43As0.89P0.11圧縮歪量子井戸層と、歪み
量が−0.05%のIn0.58Ga0.42As0.88P0.12引
っ張り歪量子井戸層とを1対2の割合で積層したものと
したものである。
上記能動領域の積層パターンを、In0.77Ga0.23As
0.51P0.49バリア層を挟み、歪み量が+0.1%のIn
0.57Ga0.43As0.89P0.11圧縮歪量子井戸層と、歪み
量が−0.05%のIn0.58Ga0.42As0.88P0.12引
っ張り歪量子井戸層とを1対2の割合で積層したものと
したものである。
【0020】また、この発明に係る半導体光変調器は、
上記能動領域の積層パターンを、In0.77Ga0.23As
0.51P0.49バリア層を挟み、歪み量が+0.1%のIn
0.57Ga0.43As0.89P0.11圧縮歪量子井戸層と、これ
の2分の1の層厚で歪み量が−0.1%のIn0.52Ga
0.48As0.99P0.01引っ張り歪量子井戸層とを1対2の
割合で積層したものとしたものである。
上記能動領域の積層パターンを、In0.77Ga0.23As
0.51P0.49バリア層を挟み、歪み量が+0.1%のIn
0.57Ga0.43As0.89P0.11圧縮歪量子井戸層と、これ
の2分の1の層厚で歪み量が−0.1%のIn0.52Ga
0.48As0.99P0.01引っ張り歪量子井戸層とを1対2の
割合で積層したものとしたものである。
【0021】また、この発明に係る半導体光変調器は、
上記能動領域を、各井戸層間に上記バリア層を挟み、上
記第1の量子井戸層,及び第2の量子井戸層を該能動領
域が有する各層の歪み量の総和が所定範囲内となるよう
にして不規則に積層してなるものとしたものである。
上記能動領域を、各井戸層間に上記バリア層を挟み、上
記第1の量子井戸層,及び第2の量子井戸層を該能動領
域が有する各層の歪み量の総和が所定範囲内となるよう
にして不規則に積層してなるものとしたものである。
【0022】また、この発明に係る半導体光変調器は、
InP基板上に各半導体層を結晶成長させてなり、波長
1.32μmのレーザ光を変調するものであり、上記第
1の量子井戸層は、歪み量が+0.1%のIn0.57Ga
0.43As0.89P0.11圧縮歪量子井戸層であり、上記第2
の量子井戸層は、歪み量が−0.1%のIn0.39Ga0.
61As0.18P0.82引っ張り歪量子井戸層であり、上記バ
リア層は、In0.77Ga0.23As0.51P0.49からなるも
のとしたものである。
InP基板上に各半導体層を結晶成長させてなり、波長
1.32μmのレーザ光を変調するものであり、上記第
1の量子井戸層は、歪み量が+0.1%のIn0.57Ga
0.43As0.89P0.11圧縮歪量子井戸層であり、上記第2
の量子井戸層は、歪み量が−0.1%のIn0.39Ga0.
61As0.18P0.82引っ張り歪量子井戸層であり、上記バ
リア層は、In0.77Ga0.23As0.51P0.49からなるも
のとしたものである。
【0023】また、この発明に係る半導体光変調器は、
上記半導体光変調器の上面及び下面にそれぞれ、所定の
形状の互いに相対する開口部を有する電極を備え、上記
上面,あるいは下面の開口部から入射したレーザ光を変
調して、その相対する下面,もしくは上面の開口部から
出射するものとしたものである。
上記半導体光変調器の上面及び下面にそれぞれ、所定の
形状の互いに相対する開口部を有する電極を備え、上記
上面,あるいは下面の開口部から入射したレーザ光を変
調して、その相対する下面,もしくは上面の開口部から
出射するものとしたものである。
【0024】また、この発明に係る半導体光変調器は、
上記半導体光変調器の上面に各々1つの開口部を有する
複数の電極と、その下面に上記上面の開口部と同数で、
かつ相対した開口部を有する1つの電極とを備え、上記
上面,あるいは下面の複数の開口部から入射した複数の
レーザ光を個々に変調して、その相対する下面,もしく
は上面の複数の開口部から複数の変調光を出射するもの
としたものである。
上記半導体光変調器の上面に各々1つの開口部を有する
複数の電極と、その下面に上記上面の開口部と同数で、
かつ相対した開口部を有する1つの電極とを備え、上記
上面,あるいは下面の複数の開口部から入射した複数の
レーザ光を個々に変調して、その相対する下面,もしく
は上面の複数の開口部から複数の変調光を出射するもの
としたものである。
【0025】
【作用】この発明においては、半導体基板上に、その格
子定数が上記半導体基板の格子定数より大きい材料から
なる第1の半導体層と、それが上記半導体基板の格子定
数より小さい材料からなる第2の半導体層とを有する能
動領域を備えた吸収,透過型の半導体光変調器としたか
ら、上記能動領域に入射したレーザ光を吸収するとき、
該レーザ光が有する2つの偏波モードに対して、上記第
1の半導体層が一方の偏波モードの光を吸収すると同時
に、上記第2の半導体層がもう一方の偏波モードの光を
吸収することとなり、これにより上記2つの偏波モード
を有するレーザ光を高い利得で吸収することができ、偏
波面依存性をなくして変調を行うことができる。
子定数が上記半導体基板の格子定数より大きい材料から
なる第1の半導体層と、それが上記半導体基板の格子定
数より小さい材料からなる第2の半導体層とを有する能
動領域を備えた吸収,透過型の半導体光変調器としたか
ら、上記能動領域に入射したレーザ光を吸収するとき、
該レーザ光が有する2つの偏波モードに対して、上記第
1の半導体層が一方の偏波モードの光を吸収すると同時
に、上記第2の半導体層がもう一方の偏波モードの光を
吸収することとなり、これにより上記2つの偏波モード
を有するレーザ光を高い利得で吸収することができ、偏
波面依存性をなくして変調を行うことができる。
【0026】また、この発明においては、上記能動領域
を、正の格子歪みを有する第1の量子井戸層と、負の格
子歪みを有する第2の量子井戸層と、バリア層とからな
る多重量子井戸構造を有するものとし、該能動領域の上
下には、上記第1の量子井戸層,第2の量子井戸層及び
バリア層が有するバンドギャップ以上の大きさのバンド
ギャップを有するクラッド層を備えるようにしたから、
上記能動領域に電界を印加したとき、該能動領域に入射
したレーザ光が有する2つの偏波モードに対して、上記
第1の量子井戸層が一方の偏波モードの光を吸収すると
同時に、上記第2の量子井戸層がもう一方の偏波モード
の光を吸収し、また、電界非印加時には、入射したレー
ザ光の強度を低下させずに該レーザ光を透過させて出射
することとなり、さらに、上記第1の量子井戸層が有す
る正の歪みと、上記第2の量子井戸層が有する負の歪み
とが互いに打ち消し合うことにより、上記能動領域のト
ータル歪み量を抑えることとなる。これにより上記2つ
の偏波モードを有するレーザ光を高い利得で吸収するこ
とができることに加え、結晶を破断させずに量子井戸の
数を増やすことができ、偏波面依存性をなくし、かつ消
光比を高めた効率の良い変調を行うことができる。
を、正の格子歪みを有する第1の量子井戸層と、負の格
子歪みを有する第2の量子井戸層と、バリア層とからな
る多重量子井戸構造を有するものとし、該能動領域の上
下には、上記第1の量子井戸層,第2の量子井戸層及び
バリア層が有するバンドギャップ以上の大きさのバンド
ギャップを有するクラッド層を備えるようにしたから、
上記能動領域に電界を印加したとき、該能動領域に入射
したレーザ光が有する2つの偏波モードに対して、上記
第1の量子井戸層が一方の偏波モードの光を吸収すると
同時に、上記第2の量子井戸層がもう一方の偏波モード
の光を吸収し、また、電界非印加時には、入射したレー
ザ光の強度を低下させずに該レーザ光を透過させて出射
することとなり、さらに、上記第1の量子井戸層が有す
る正の歪みと、上記第2の量子井戸層が有する負の歪み
とが互いに打ち消し合うことにより、上記能動領域のト
ータル歪み量を抑えることとなる。これにより上記2つ
の偏波モードを有するレーザ光を高い利得で吸収するこ
とができることに加え、結晶を破断させずに量子井戸の
数を増やすことができ、偏波面依存性をなくし、かつ消
光比を高めた効率の良い変調を行うことができる。
【0027】また、この発明においては、上記半導体光
変調器の上面及び下面にそれぞれ、所定の形状の互いに
相対する開口部を有する電極を備え、上記上面,あるい
は下面の開口部から入射したレーザ光を変調して、その
相対する下面,もしくは上面の開口部から出射するもの
としたから、上記上面及び下面の電極間に逆バイアス電
圧を印加すると、上記上面,あるいは下面の開口部から
入射したTE,TM両モードを含むレーザ光に対し、上
記能動領域において、上記第1の量子井戸層がTM偏波
を吸収すると同時に、上記第2の量子井戸層がTE偏波
を吸収することになり、また、上記逆バイアス電圧の非
印加時には、入射した上記レーザ光を透過させることと
なり、これによりTE,TM両モードのレーザ光の吸収
と、透過とを行うことができ、上記上面,あるいは下面
の開口部から偏波面依存性をなくして変調した変調光を
出射することができる。
変調器の上面及び下面にそれぞれ、所定の形状の互いに
相対する開口部を有する電極を備え、上記上面,あるい
は下面の開口部から入射したレーザ光を変調して、その
相対する下面,もしくは上面の開口部から出射するもの
としたから、上記上面及び下面の電極間に逆バイアス電
圧を印加すると、上記上面,あるいは下面の開口部から
入射したTE,TM両モードを含むレーザ光に対し、上
記能動領域において、上記第1の量子井戸層がTM偏波
を吸収すると同時に、上記第2の量子井戸層がTE偏波
を吸収することになり、また、上記逆バイアス電圧の非
印加時には、入射した上記レーザ光を透過させることと
なり、これによりTE,TM両モードのレーザ光の吸収
と、透過とを行うことができ、上記上面,あるいは下面
の開口部から偏波面依存性をなくして変調した変調光を
出射することができる。
【0028】さらに、この発明においては、上記半導体
光変調器の上面に各々1つの開口部を有する複数の電極
と、その下面に上記上面の開口部と同数で、かつ相対し
た開口部を有する1つの電極とを備え、上記上面,ある
いは下面の複数の開口部から入射した複数のレーザ光を
個々に変調して、その相対する下面,もしくは上面の複
数の開口部から複数の変調光を出射するものとしたか
ら、上記能動領域において、上記上面,あるいは下面の
複数の開口部から入射したTE,TM両モードを含む複
数のレーザ光をそれぞれ、その偏波面に依存しないで吸
収,あるいは透過することとなり、これにより偏波面依
存性をなくして個々に変調した複数の変調光を出射する
ことができる。
光変調器の上面に各々1つの開口部を有する複数の電極
と、その下面に上記上面の開口部と同数で、かつ相対し
た開口部を有する1つの電極とを備え、上記上面,ある
いは下面の複数の開口部から入射した複数のレーザ光を
個々に変調して、その相対する下面,もしくは上面の複
数の開口部から複数の変調光を出射するものとしたか
ら、上記能動領域において、上記上面,あるいは下面の
複数の開口部から入射したTE,TM両モードを含む複
数のレーザ光をそれぞれ、その偏波面に依存しないで吸
収,あるいは透過することとなり、これにより偏波面依
存性をなくして個々に変調した複数の変調光を出射する
ことができる。
【0029】
実施例1.以下、この発明の第1の実施例を図について
説明する。図1(a) は本発明の実施例1による半導体光
変調器の構造を示す斜視図であり、図において、この半
導体光変調器は、300μm×300μm角の大きさを
有するものであり、例えばMOCVD装置を用いて厚さ
500μmのn型InP基板5上に、層厚1.5μmの
n型InPクラッド層4,多重量子井戸構造で総層厚が
約8μmの能動領域3a,層厚1.5μmのp型InP
クラッド層2を順次形成し、該p型InPクラッド層2
の上面にp側電極1(Au,Zn)を、n型InP基板
5の下面にn側電極6(Au,Cr)をそれぞれ形成し
た後、該p側電極1,n側電極6にそれぞれ直径約30
μmの円形の開口部7,7’を選択エッチングにより設
けたものである。ここでp側電極1の開口部7はp型I
nPクラッド層2に達する深さを有し、また、n側電極
6の開口部7’はn型InP基板5に達する深さを有す
るものであり、どちらか一方の開口部から入射した波長
1.32μmのCWレーザの光12は能動領域3aで変
調されて、他方の開口部から変調光12’が出射される
ものである。
説明する。図1(a) は本発明の実施例1による半導体光
変調器の構造を示す斜視図であり、図において、この半
導体光変調器は、300μm×300μm角の大きさを
有するものであり、例えばMOCVD装置を用いて厚さ
500μmのn型InP基板5上に、層厚1.5μmの
n型InPクラッド層4,多重量子井戸構造で総層厚が
約8μmの能動領域3a,層厚1.5μmのp型InP
クラッド層2を順次形成し、該p型InPクラッド層2
の上面にp側電極1(Au,Zn)を、n型InP基板
5の下面にn側電極6(Au,Cr)をそれぞれ形成し
た後、該p側電極1,n側電極6にそれぞれ直径約30
μmの円形の開口部7,7’を選択エッチングにより設
けたものである。ここでp側電極1の開口部7はp型I
nPクラッド層2に達する深さを有し、また、n側電極
6の開口部7’はn型InP基板5に達する深さを有す
るものであり、どちらか一方の開口部から入射した波長
1.32μmのCWレーザの光12は能動領域3aで変
調されて、他方の開口部から変調光12’が出射される
ものである。
【0030】また、図1(b) は能動領域3aの層構造を
示す一部拡大図であり、図において、8は正の格子歪み
を有する(歪量=+0.1%)In0.57Ga0.43As0.
89P0.11圧縮歪量子井戸層、9は波長1.15μmに相
当するバンドギャップを有するIn0.77Ga0.23As0.
51P0.49バリア層、10は負の格子歪みを有する(歪量
=−0.1%)In0.39Ga0.61As0.18P0.82引っ張
り歪量子井戸層であり、これら各層の層厚は全て200
オングストロームである(以下、特に断らない限りIn
0.57Ga0.43As0.89P0.11量子井戸層8を圧縮歪量子
井戸層8、In0.77Ga0.23As0.51P0.49バリア層9
をバリア層9、In0.39Ga0.61As0.18P0.82量子井
戸層10を引っ張り歪量子井戸層10と表す)。そし
て、該能動領域3aは、バリア層9,圧縮歪量子井戸層
8,バリア層9,引っ張り歪量子井戸層10の順に積層
した積層パターンを1周期として、これが100周期積
層されており、総層厚が約8μmとなっているものであ
る。
示す一部拡大図であり、図において、8は正の格子歪み
を有する(歪量=+0.1%)In0.57Ga0.43As0.
89P0.11圧縮歪量子井戸層、9は波長1.15μmに相
当するバンドギャップを有するIn0.77Ga0.23As0.
51P0.49バリア層、10は負の格子歪みを有する(歪量
=−0.1%)In0.39Ga0.61As0.18P0.82引っ張
り歪量子井戸層であり、これら各層の層厚は全て200
オングストロームである(以下、特に断らない限りIn
0.57Ga0.43As0.89P0.11量子井戸層8を圧縮歪量子
井戸層8、In0.77Ga0.23As0.51P0.49バリア層9
をバリア層9、In0.39Ga0.61As0.18P0.82量子井
戸層10を引っ張り歪量子井戸層10と表す)。そし
て、該能動領域3aは、バリア層9,圧縮歪量子井戸層
8,バリア層9,引っ張り歪量子井戸層10の順に積層
した積層パターンを1周期として、これが100周期積
層されており、総層厚が約8μmとなっているものであ
る。
【0031】次に動作について説明する。図1(a) に示
したような構造の半導体光変調器においては、レーザ光
源が出力したレーザ光12が、この半導体光変調器の上
面から下面に向けて、もしくは下面から上面に向けて開
口部7,あるいは開口部7’に照射されるものであり、
その変調動作は、上記レーザ光12がいずれの方向から
照射されても同じものとなるため、n側電極6が有する
開口部7’(下面)からp側電極1が有する開口部7
(上面)に向けて上記レーザ光12が照射される場合の
変調動作についてのみ述べる。
したような構造の半導体光変調器においては、レーザ光
源が出力したレーザ光12が、この半導体光変調器の上
面から下面に向けて、もしくは下面から上面に向けて開
口部7,あるいは開口部7’に照射されるものであり、
その変調動作は、上記レーザ光12がいずれの方向から
照射されても同じものとなるため、n側電極6が有する
開口部7’(下面)からp側電極1が有する開口部7
(上面)に向けて上記レーザ光12が照射される場合の
変調動作についてのみ述べる。
【0032】まず、上記n側電極6が有する開口部7’
から入射した波長1.32μmの上記レーザ光12は、
該レーザ光12より長い波長に相当するバンドギャップ
を有するn型InP基板5,n型InPクラッド層4を
透過し、能動領域3aに達する。
から入射した波長1.32μmの上記レーザ光12は、
該レーザ光12より長い波長に相当するバンドギャップ
を有するn型InP基板5,n型InPクラッド層4を
透過し、能動領域3aに達する。
【0033】このとき、上記p側電極1,n側電極6間
に電圧が印加されていないと、上記能動領域3aは上記
レーザ光12を透過するため、該レーザ光12は、上記
能動領域3aを透過してp型InPクラッド層2を通り
抜けた後、上記p側電極1が有する開口部7から出射さ
れる。
に電圧が印加されていないと、上記能動領域3aは上記
レーザ光12を透過するため、該レーザ光12は、上記
能動領域3aを透過してp型InPクラッド層2を通り
抜けた後、上記p側電極1が有する開口部7から出射さ
れる。
【0034】一方、上記p側電極1,n側電極6間に所
定の逆バイアス電圧が印加されると、多重量子井戸構造
の上記能動領域3aはシュタルク効果により、上記レー
ザ光12に対して吸収層として働き、上記n側電極6が
有する開口部7’から入射して来たレーザ光12の進行
を遮断する。
定の逆バイアス電圧が印加されると、多重量子井戸構造
の上記能動領域3aはシュタルク効果により、上記レー
ザ光12に対して吸収層として働き、上記n側電極6が
有する開口部7’から入射して来たレーザ光12の進行
を遮断する。
【0035】ここで、格子歪みと、偏波面依存性との関
係について、IEEE JOURNAL OF QUANTUM ELECTRONICS. V
OL.25 NO.2 FEBRUARY 1989 P.171〜P.178 に記載されて
いる内容を参考にして説明すると、この文献には、図2
に示したように、正および負の格子歪みにおけるTE,
TM偏波と、吸収率との関係において、負の歪みを有す
る量子井戸では、実線で示したl(TMモード)および
l’(TEモード)のように、TMモードの光に対する
利得が高くなり、また、正の歪みを有する量子井戸で
は、破線で示したm(TEモード)およびm’(TMモ
ード)のように、TEモードの光に対する利得が高くな
ることが示されている。然るに、この関係は、図4に示
したような,能動領域3の接合面と平行に進行するレー
ザ光を変調する構造を有する半導体光変調器におけるも
のであり、本実施例1による半導体光変調器のように、
能動領域3aの接合面に対して直角に進行するレーザ光
12を変調する構造の場合、上述の関係は逆のものとな
り、負の歪みを有する量子井戸ではTEモードの光に対
する利得が高く、正の歪みを有する量子井戸ではTMモ
ードの光に対する利得が高くなるものである。
係について、IEEE JOURNAL OF QUANTUM ELECTRONICS. V
OL.25 NO.2 FEBRUARY 1989 P.171〜P.178 に記載されて
いる内容を参考にして説明すると、この文献には、図2
に示したように、正および負の格子歪みにおけるTE,
TM偏波と、吸収率との関係において、負の歪みを有す
る量子井戸では、実線で示したl(TMモード)および
l’(TEモード)のように、TMモードの光に対する
利得が高くなり、また、正の歪みを有する量子井戸で
は、破線で示したm(TEモード)およびm’(TMモ
ード)のように、TEモードの光に対する利得が高くな
ることが示されている。然るに、この関係は、図4に示
したような,能動領域3の接合面と平行に進行するレー
ザ光を変調する構造を有する半導体光変調器におけるも
のであり、本実施例1による半導体光変調器のように、
能動領域3aの接合面に対して直角に進行するレーザ光
12を変調する構造の場合、上述の関係は逆のものとな
り、負の歪みを有する量子井戸ではTEモードの光に対
する利得が高く、正の歪みを有する量子井戸ではTMモ
ードの光に対する利得が高くなるものである。
【0036】即ち、図1(b) に示したような積層構造か
らなる上記能動領域3aは、そこに導入された2種類の
量子井戸層において、図3(a) に示したように、正の歪
を有する圧縮歪量子井戸層8は、主にTMモードの光を
吸収し、また、図3(b) に示したように、負の歪を有す
る引っ張り歪量子井戸層10は、主にTEモードの光を
吸収することとなり、この正,あるいは負の格子歪みを
有する2種類の量子井戸層8,10のそれぞれの作用に
より、上記レーザ光12に含まれているTE,TM両モ
ードの光を高い利得で吸収する。
らなる上記能動領域3aは、そこに導入された2種類の
量子井戸層において、図3(a) に示したように、正の歪
を有する圧縮歪量子井戸層8は、主にTMモードの光を
吸収し、また、図3(b) に示したように、負の歪を有す
る引っ張り歪量子井戸層10は、主にTEモードの光を
吸収することとなり、この正,あるいは負の格子歪みを
有する2種類の量子井戸層8,10のそれぞれの作用に
より、上記レーザ光12に含まれているTE,TM両モ
ードの光を高い利得で吸収する。
【0037】さらに、上記能動領域3aは、上記圧縮歪
量子井戸層8と、上記引っ張り歪量子井戸層10とを交
互に積層したものであり、上記圧縮歪量子井戸層8が有
する正の格子歪みと、上記引っ張り歪量子井戸層10が
有する負の格子歪みとが互いに打ち消し合うことにより
歪みの総和がゼロになり、何層積層しても結晶が破断し
ないゼロネットストレイン構造とされており、所望の周
期数で積層することができるため、積層周期を100周
期として2つの量子井戸層8,10を100層ずつ積層
して多重化することにより消光比が高められている。こ
のため従来の半導体光変調器では、偏波面依存性を低減
させるために3V以上の逆バイアス電圧が必要となって
いたが、本実施例1による半導体光変調器は、さらに低
い逆バイアス電圧で駆動させてもTE,TM両モードで
高い消光比が得られるものである。
量子井戸層8と、上記引っ張り歪量子井戸層10とを交
互に積層したものであり、上記圧縮歪量子井戸層8が有
する正の格子歪みと、上記引っ張り歪量子井戸層10が
有する負の格子歪みとが互いに打ち消し合うことにより
歪みの総和がゼロになり、何層積層しても結晶が破断し
ないゼロネットストレイン構造とされており、所望の周
期数で積層することができるため、積層周期を100周
期として2つの量子井戸層8,10を100層ずつ積層
して多重化することにより消光比が高められている。こ
のため従来の半導体光変調器では、偏波面依存性を低減
させるために3V以上の逆バイアス電圧が必要となって
いたが、本実施例1による半導体光変調器は、さらに低
い逆バイアス電圧で駆動させてもTE,TM両モードで
高い消光比が得られるものである。
【0038】そして、上述のように高い利得でTE,T
M両モードの吸収を行うことができ、消光比を高められ
た上記能動領域3aは、上記p側電極1,n側電極6間
に印加される変調信号による逆バイアス電圧のオフ/オ
ンに応じて、上記n側電極6の開口部7’から入射した
連続波のレーザ光12の透過と、その偏波面に依存しな
い吸収とを高速で繰り返し、これにより上記p側電極1
の開口部7から、上記レーザ光12を上記変調信号に応
じて高い消光比でパルス化した変調光12’が出射され
ることとなる。
M両モードの吸収を行うことができ、消光比を高められ
た上記能動領域3aは、上記p側電極1,n側電極6間
に印加される変調信号による逆バイアス電圧のオフ/オ
ンに応じて、上記n側電極6の開口部7’から入射した
連続波のレーザ光12の透過と、その偏波面に依存しな
い吸収とを高速で繰り返し、これにより上記p側電極1
の開口部7から、上記レーザ光12を上記変調信号に応
じて高い消光比でパルス化した変調光12’が出射され
ることとなる。
【0039】なお、上記半導体光変調器の入射光(レー
ザ光)12に対する出射光(変調光)12’の光強度を
極力低下させないようにするために、上記p型InPク
ラッド層2,n型InPクラッド層4のバンドギャップ
は、上記能動領域3aに積層されているいずれの層のバ
ンドギャップよりも大きいか、もしくは等しいものとし
ておく必要があり、また、上記p側電極1,及びn側電
極6にそれぞれ開口部7,7’を設けているが、波長
1.32μmのレーザ光12を吸収,あるいは反射しな
い材料を用いて上記p側電極1,及びn側電極6を形成
すれば、上記開口部7,7’を設ける必要はない。
ザ光)12に対する出射光(変調光)12’の光強度を
極力低下させないようにするために、上記p型InPク
ラッド層2,n型InPクラッド層4のバンドギャップ
は、上記能動領域3aに積層されているいずれの層のバ
ンドギャップよりも大きいか、もしくは等しいものとし
ておく必要があり、また、上記p側電極1,及びn側電
極6にそれぞれ開口部7,7’を設けているが、波長
1.32μmのレーザ光12を吸収,あるいは反射しな
い材料を用いて上記p側電極1,及びn側電極6を形成
すれば、上記開口部7,7’を設ける必要はない。
【0040】ところで従来、特開昭61−184516
号公報には、小さい駆動電圧で高い消光比を得ることが
できる光変調器として、第1の半導体よりなる層と、第
1の半導体の伝導帯の下端より低い伝導帯の下端と、第
1の半導体の価電子帯の上端より低い価電子帯の上端を
有する第2の半導体よりなる層が、交互に積層してなる
半導体多層構造を備えた光変調器が示されている。然る
に、この公報記載の技術は、本実施例1による半導体光
変調器のように、その多重量子井戸構造の能動領域に
正,及び負の格子歪みを導入するものではなく、この光
変調器においても、明白光レーザのようにTE,TM両
モードを含むレーザ光に対しては、該レーザ光の吸収時
に偏波面依存性が存在するものである。
号公報には、小さい駆動電圧で高い消光比を得ることが
できる光変調器として、第1の半導体よりなる層と、第
1の半導体の伝導帯の下端より低い伝導帯の下端と、第
1の半導体の価電子帯の上端より低い価電子帯の上端を
有する第2の半導体よりなる層が、交互に積層してなる
半導体多層構造を備えた光変調器が示されている。然る
に、この公報記載の技術は、本実施例1による半導体光
変調器のように、その多重量子井戸構造の能動領域に
正,及び負の格子歪みを導入するものではなく、この光
変調器においても、明白光レーザのようにTE,TM両
モードを含むレーザ光に対しては、該レーザ光の吸収時
に偏波面依存性が存在するものである。
【0041】また、特開平2−115818号公報に
は、第1と第2の半導体層が積層された構造が繰り返し
周期で積層され、一周期毎に障壁層が設けられた多層構
造の光変調器が示されているが、この光変調器は、上記
第1の半導体層は禁制帯幅が積層方向に関して単調に変
化しており、上記第2の半導体層は第1の半導体層の禁
制帯幅より小さい禁制帯幅を有し、かつ上記第2の半導
体層は第1の半導体層の最大の禁制帯幅を有する領域に
接して設けられていることに本質があり、これにより低
駆動電圧で高い消光比を得ることができるものとされて
いる。然るに、この公報記載の技術は、本実施例1によ
る半導体光変調器のように、正の格子歪みを有する量子
井戸層8と、負の格子歪みを有する量子井戸層10とを
バリア層9を挟んで交互に積層することにより、そのト
ータル歪み量を抑えて多層化し、消光比を高くするもの
ではなく、この公報記載の光変調器においても、やはり
偏波面依存性は存在しているものである。
は、第1と第2の半導体層が積層された構造が繰り返し
周期で積層され、一周期毎に障壁層が設けられた多層構
造の光変調器が示されているが、この光変調器は、上記
第1の半導体層は禁制帯幅が積層方向に関して単調に変
化しており、上記第2の半導体層は第1の半導体層の禁
制帯幅より小さい禁制帯幅を有し、かつ上記第2の半導
体層は第1の半導体層の最大の禁制帯幅を有する領域に
接して設けられていることに本質があり、これにより低
駆動電圧で高い消光比を得ることができるものとされて
いる。然るに、この公報記載の技術は、本実施例1によ
る半導体光変調器のように、正の格子歪みを有する量子
井戸層8と、負の格子歪みを有する量子井戸層10とを
バリア層9を挟んで交互に積層することにより、そのト
ータル歪み量を抑えて多層化し、消光比を高くするもの
ではなく、この公報記載の光変調器においても、やはり
偏波面依存性は存在しているものである。
【0042】以上のように、本実施例1による半導体光
変調器においては、+0.1%の圧縮歪量子井戸層8
と、−0.1%の引っ張り歪量子井戸層10とをバリア
層9を挟んで交互に積層した多重量子井戸構造の能動領
域3aを備えたものとしたので、上記能動領域3aに導
入した正,及び負の格子歪みにより、TE,TM両モー
ドを含むレーザ光12に対する偏波面依存性をなくすこ
とができ、さらに、上記圧縮歪量子井戸層8と、上記引
っ張り歪量子井戸層10とが互いの歪み量を相殺し合う
ため、上記能動領域3aのトータル歪み量を抑えること
となり、これにより結晶を破断させることなく量子井戸
を増やすことができ、低い逆バイアス電圧で駆動させて
もTE,TM両モードで高い消光比を得ることができ
る。
変調器においては、+0.1%の圧縮歪量子井戸層8
と、−0.1%の引っ張り歪量子井戸層10とをバリア
層9を挟んで交互に積層した多重量子井戸構造の能動領
域3aを備えたものとしたので、上記能動領域3aに導
入した正,及び負の格子歪みにより、TE,TM両モー
ドを含むレーザ光12に対する偏波面依存性をなくすこ
とができ、さらに、上記圧縮歪量子井戸層8と、上記引
っ張り歪量子井戸層10とが互いの歪み量を相殺し合う
ため、上記能動領域3aのトータル歪み量を抑えること
となり、これにより結晶を破断させることなく量子井戸
を増やすことができ、低い逆バイアス電圧で駆動させて
もTE,TM両モードで高い消光比を得ることができ
る。
【0043】実施例2.上記実施例1では、能動領域3
aの多重量子井戸構造を図1(b) に示したように、In
0.57Ga0.43As0.89P0.11圧縮歪量子井戸層8と、I
n0.39Ga0.61As0.18P0.82引っ張り歪量子井戸層1
0とをIn0.77Ga0.23As0.51P0.49バリア層9を挟
んで交互に積層したものとしたが、本実施例2による半
導体光変調器は、図4(a) に示したようにその能動領域
3aを、上記バリア層9を挟んで上記圧縮歪量子井戸層
8と、上記引っ張り歪量子井戸層10とを2層ずつ続け
て積層し、この積層パターンを50周期繰り返してなる
多重量子井戸構造としたものである。
aの多重量子井戸構造を図1(b) に示したように、In
0.57Ga0.43As0.89P0.11圧縮歪量子井戸層8と、I
n0.39Ga0.61As0.18P0.82引っ張り歪量子井戸層1
0とをIn0.77Ga0.23As0.51P0.49バリア層9を挟
んで交互に積層したものとしたが、本実施例2による半
導体光変調器は、図4(a) に示したようにその能動領域
3aを、上記バリア層9を挟んで上記圧縮歪量子井戸層
8と、上記引っ張り歪量子井戸層10とを2層ずつ続け
て積層し、この積層パターンを50周期繰り返してなる
多重量子井戸構造としたものである。
【0044】このような周期性をもった積層パターンの
能動領域3aを備えた半導体光変調器においても、T
E,TM両モードを含むレーザ光12に対し、上記圧縮
歪量子井戸層8がTM偏波を吸収し、上記引っ張り歪量
子井戸層10がTE偏波を吸収することにより、電界印
加時に高い利得で上記レーザ光12のTE,TM両モー
ドの光を吸収することとなる。
能動領域3aを備えた半導体光変調器においても、T
E,TM両モードを含むレーザ光12に対し、上記圧縮
歪量子井戸層8がTM偏波を吸収し、上記引っ張り歪量
子井戸層10がTE偏波を吸収することにより、電界印
加時に高い利得で上記レーザ光12のTE,TM両モー
ドの光を吸収することとなる。
【0045】また、上記能動領域3aは、図4(a) に示
したような積層パターンに限らず、図4(b) に示したよ
うに、層厚200オングストロームで歪み量が−0.0
5%のIn0.58Ga0.42As0.88P0.12引っ張り歪量子
井戸層10aを2層と、上記圧縮歪量子井戸層8とを上
記バリア層9を挟んで積層した積層パターン、もしくは
図4(c) に示したように、層厚100オングストローム
で歪み量が−0.1%のIn0.52Ga0.48As0.99P0.
01引っ張り歪量子井戸層10aを2層と、上記圧縮歪量
子井戸層8とを上記バリア層9を挟んで積層した積層パ
ターンにしても良い。
したような積層パターンに限らず、図4(b) に示したよ
うに、層厚200オングストロームで歪み量が−0.0
5%のIn0.58Ga0.42As0.88P0.12引っ張り歪量子
井戸層10aを2層と、上記圧縮歪量子井戸層8とを上
記バリア層9を挟んで積層した積層パターン、もしくは
図4(c) に示したように、層厚100オングストローム
で歪み量が−0.1%のIn0.52Ga0.48As0.99P0.
01引っ張り歪量子井戸層10aを2層と、上記圧縮歪量
子井戸層8とを上記バリア層9を挟んで積層した積層パ
ターンにしても良い。
【0046】ここで、変調すべきレーザ光の波長と、量
子井戸の材料,格子歪み,層厚との関係を説明すると、
以下のようになる。まず、変調しようとするレーザ光の
波長をλとすると、能動領域3aに形成する量子井戸の
バンドギャップEgは次式(1) となる。 Eg=1.24/λ (eV) … (1) そして、本実施例2のように、量子井戸の材料にIn1-
x Gax Asy P1-yを用いると、この量子井戸のバン
ドギャップEqは次式(2) で表され、 Eq=1.35+0.91x−0.99y+0.15xy(eV)… (2) また、InP基板5の格子定数α0 は5.8688オン
グストロームであり、該InP基板5上に形成した量子
井戸の格子定数αqは次式(3) で表される。 αq=5.8688−0.4176x+0.1896y+0.0125xy (オングストローム)… (3) さらに、格子歪みによるストレスをσとすると、これに
よるバンドギャップシフトΔEs2は ΔEs2=4.9×10-12 (eV/dyncm-2)×σ … (4) となり、薄膜化によるバンドギャップシフトをΔEs1
(例えば、層厚200オングストロームのInGaAs
Pでは+30meVとなる)とすると、バルク結晶のと
きに、 Eg−ΔEs1−ΔEs2 … (5) のバンドギャップを有する結晶を、格子整合しない上記
InP基板5上に形成すれば、Egのバンドギャップを
有する量子井戸が得られることがわかる。また、この結
晶が本来有する格子定数αは、格子不整合度をεとする
と、 σ=Ahε (但し、Aは結晶の物性定数、hは層厚) … (6) ε=((α−α0 ) /α0 )×100 … (7) となる。そして、本実施例2の能動領域3aの各量子井
戸の組成は、上記(5) 式で表されるバンドギャップEg
と、上記(6),(7) 式で求められる格子定数αとを上記式
(2),(3) 式に代入することにより決定したものである。
子井戸の材料,格子歪み,層厚との関係を説明すると、
以下のようになる。まず、変調しようとするレーザ光の
波長をλとすると、能動領域3aに形成する量子井戸の
バンドギャップEgは次式(1) となる。 Eg=1.24/λ (eV) … (1) そして、本実施例2のように、量子井戸の材料にIn1-
x Gax Asy P1-yを用いると、この量子井戸のバン
ドギャップEqは次式(2) で表され、 Eq=1.35+0.91x−0.99y+0.15xy(eV)… (2) また、InP基板5の格子定数α0 は5.8688オン
グストロームであり、該InP基板5上に形成した量子
井戸の格子定数αqは次式(3) で表される。 αq=5.8688−0.4176x+0.1896y+0.0125xy (オングストローム)… (3) さらに、格子歪みによるストレスをσとすると、これに
よるバンドギャップシフトΔEs2は ΔEs2=4.9×10-12 (eV/dyncm-2)×σ … (4) となり、薄膜化によるバンドギャップシフトをΔEs1
(例えば、層厚200オングストロームのInGaAs
Pでは+30meVとなる)とすると、バルク結晶のと
きに、 Eg−ΔEs1−ΔEs2 … (5) のバンドギャップを有する結晶を、格子整合しない上記
InP基板5上に形成すれば、Egのバンドギャップを
有する量子井戸が得られることがわかる。また、この結
晶が本来有する格子定数αは、格子不整合度をεとする
と、 σ=Ahε (但し、Aは結晶の物性定数、hは層厚) … (6) ε=((α−α0 ) /α0 )×100 … (7) となる。そして、本実施例2の能動領域3aの各量子井
戸の組成は、上記(5) 式で表されるバンドギャップEg
と、上記(6),(7) 式で求められる格子定数αとを上記式
(2),(3) 式に代入することにより決定したものである。
【0047】さらにまた、上記能動領域3aの各層の層
厚は、結晶が破断しないようにするため、PeopleとBean
の理論による臨界膜厚hc以下となるようにし、 Σσ=ΣAi hi εi =A1 h1 ε1 +A2 h2 ε2 +A3 h3 ε3 + ・・・+An hn εn … (8) (但し、Ai :第i層の結晶の物性定数,hi :第i層
の層厚εi :第i層の格子不整合度,n:総層数)で表
される上記能動領域3aに形成された各層の結晶界面に
かかるストレスの総和を考慮して決定したものである。
厚は、結晶が破断しないようにするため、PeopleとBean
の理論による臨界膜厚hc以下となるようにし、 Σσ=ΣAi hi εi =A1 h1 ε1 +A2 h2 ε2 +A3 h3 ε3 + ・・・+An hn εn … (8) (但し、Ai :第i層の結晶の物性定数,hi :第i層
の層厚εi :第i層の格子不整合度,n:総層数)で表
される上記能動領域3aに形成された各層の結晶界面に
かかるストレスの総和を考慮して決定したものである。
【0048】このように、本実施例2によれば、正,あ
るいは負の格子歪みを有する2種類の量子井戸からなる
上記能動領域3aの積層パターンを周期性をもった所望
の積層パターンにしても、それが、結晶成長時に量子井
戸が有する格子歪みによる結晶破断を起こさない周期に
よる積層パターンであれば、該半導体光変調器の能動領
域3aの多重量子井戸構造として用いることができ、消
光比を高くし、かつ偏波面依存性を無くして変調を行う
ことができる。
るいは負の格子歪みを有する2種類の量子井戸からなる
上記能動領域3aの積層パターンを周期性をもった所望
の積層パターンにしても、それが、結晶成長時に量子井
戸が有する格子歪みによる結晶破断を起こさない周期に
よる積層パターンであれば、該半導体光変調器の能動領
域3aの多重量子井戸構造として用いることができ、消
光比を高くし、かつ偏波面依存性を無くして変調を行う
ことができる。
【0049】なお、変調すべきレーザ光の波長,あるい
は基板,量子井戸の材料が本実施例2のそれらと違う場
合にも、その能動領域の各層の材料,層厚を上記式(1)
〜(8) を用いて求めたようにして決定すれば良いことは
明らかである。
は基板,量子井戸の材料が本実施例2のそれらと違う場
合にも、その能動領域の各層の材料,層厚を上記式(1)
〜(8) を用いて求めたようにして決定すれば良いことは
明らかである。
【0050】実施例3.図5に示した本実施例3による
半導体光変調器のように、その能動領域3aの積層構造
を、圧縮歪量子井戸層8と、引っ張り歪量子井戸層10
とをバリア層9を挟んで不規則に積層したものとして
も、それが、上記圧縮歪量子井戸層8,及び上記引っ張
り歪量子井戸層10がそれぞれ有する歪み量を考慮し、
結晶成長時に格子歪みによる結晶破断を起こさないよう
にして積層したものであれば、能動領域の多重量子井戸
構造に用いることができ、これにより偏波面依存性を無
くした半導体光変調器を得ることができる。
半導体光変調器のように、その能動領域3aの積層構造
を、圧縮歪量子井戸層8と、引っ張り歪量子井戸層10
とをバリア層9を挟んで不規則に積層したものとして
も、それが、上記圧縮歪量子井戸層8,及び上記引っ張
り歪量子井戸層10がそれぞれ有する歪み量を考慮し、
結晶成長時に格子歪みによる結晶破断を起こさないよう
にして積層したものであれば、能動領域の多重量子井戸
構造に用いることができ、これにより偏波面依存性を無
くした半導体光変調器を得ることができる。
【0051】実施例4.図6(a),(b) は、この発明の第
4の実施例による半導体光変調器と、その能動領域の一
部拡大図とを示す図であり、上記実施例1〜3による半
導体光変調器は、波長1.32μmのレーザ光12を変
調するものであったが、本実施例4による半導体光変調
器は、例えば、現在可視光レーザとして用いられている
波長0.69μmのレーザ光12aに対応するものであ
る。
4の実施例による半導体光変調器と、その能動領域の一
部拡大図とを示す図であり、上記実施例1〜3による半
導体光変調器は、波長1.32μmのレーザ光12を変
調するものであったが、本実施例4による半導体光変調
器は、例えば、現在可視光レーザとして用いられている
波長0.69μmのレーザ光12aに対応するものであ
る。
【0052】図6(a) において、26は厚さ500μm
のn型GaAs基板であり、該n型GaAs基板26上
に層厚1.5μmのn型AlGaInPクラッド層2
5,多重量子井戸構造で総層厚6μmの能動領域24,
層厚1.5μmのp型AlGaInPクラッド層23,
層厚2.5μmのp型GaAsコンタクト層22を順次
形成し、上記p型GaAsコンタクト層22の上面にp
型電極21(Ti,Pt,Au)を、上記n型GaAs
基板26の下面にn型電極27(Au,Ge,Ni,A
u)をそれぞれ形成した後、選択エッチングにより、そ
の上面に上記p型電極21及び上記p型GaAsコンタ
クト層22の一部を上記p型AlGaInPクラッド層
23の表面が完全に露出するように除去してなる開口部
28と、その下面に上記n型電極27及び上記n型Ga
As基板26の一部を上記n型AlGaInPクラッド
層25の表面が完全に露出するように除去してなる開口
部28’とを設けたものである。ここで、上記p型Ga
Asコンタクト層22,及び上記n型GaAs基板26
は、波長0.69μmのレーザ光12aを吸収してしま
うため、上記開口部28,28’においては完全に取り
除いておく必要がある。
のn型GaAs基板であり、該n型GaAs基板26上
に層厚1.5μmのn型AlGaInPクラッド層2
5,多重量子井戸構造で総層厚6μmの能動領域24,
層厚1.5μmのp型AlGaInPクラッド層23,
層厚2.5μmのp型GaAsコンタクト層22を順次
形成し、上記p型GaAsコンタクト層22の上面にp
型電極21(Ti,Pt,Au)を、上記n型GaAs
基板26の下面にn型電極27(Au,Ge,Ni,A
u)をそれぞれ形成した後、選択エッチングにより、そ
の上面に上記p型電極21及び上記p型GaAsコンタ
クト層22の一部を上記p型AlGaInPクラッド層
23の表面が完全に露出するように除去してなる開口部
28と、その下面に上記n型電極27及び上記n型Ga
As基板26の一部を上記n型AlGaInPクラッド
層25の表面が完全に露出するように除去してなる開口
部28’とを設けたものである。ここで、上記p型Ga
Asコンタクト層22,及び上記n型GaAs基板26
は、波長0.69μmのレーザ光12aを吸収してしま
うため、上記開口部28,28’においては完全に取り
除いておく必要がある。
【0053】また、上記能動領域24は、図6(b) にそ
の構造を示したように、層厚200オングストロームの
AlGaInPバリア層9cを挟んで、各々層厚100
オングストロームのIn0.43Ga0.57As0.15P0.85圧
縮歪量子井戸層8c(歪み量:+0.1%)と、In0.
39Ga0.61As0.18P0.82引っ張り歪量子井戸層10c
(歪み量:−0.1%)とを交互に積層したものであ
り、上記バリア層9c,圧縮歪量子井戸層8c,バリア
層9c,引っ張り歪量子井戸層10cからなる積層パタ
ーンを1周期とし、この積層パターンを100周期繰り
返し積層して総層厚6μmとしたものである。
の構造を示したように、層厚200オングストロームの
AlGaInPバリア層9cを挟んで、各々層厚100
オングストロームのIn0.43Ga0.57As0.15P0.85圧
縮歪量子井戸層8c(歪み量:+0.1%)と、In0.
39Ga0.61As0.18P0.82引っ張り歪量子井戸層10c
(歪み量:−0.1%)とを交互に積層したものであ
り、上記バリア層9c,圧縮歪量子井戸層8c,バリア
層9c,引っ張り歪量子井戸層10cからなる積層パタ
ーンを1周期とし、この積層パターンを100周期繰り
返し積層して総層厚6μmとしたものである。
【0054】なお、上記AlGaInPバリア層9cは
AlGaAsを用いても良く、また、上記能動領域24
の積層パターンを上記実施例2,3に示したような積層
パターンとしても良い。
AlGaAsを用いても良く、また、上記能動領域24
の積層パターンを上記実施例2,3に示したような積層
パターンとしても良い。
【0055】そして、上述のような構造とした本実施例
4による半導体光変調器においても、上記能動領域24
に電界を印加すると、TE,TM両モードを含む波長
0.69μmのレーザ光12aに対し、上記In0.43G
a0.57As0.15P0.85圧縮歪量子井戸層8cがTM偏波
を吸収し、上記In0.39Ga0.61As0.18P0.82引っ張
り歪量子井戸層10cがTE偏波を吸収することとな
り、上記TE,TM両モードを含むレーザ光12aをそ
の偏波面に依存せず、高い消光比で変調することができ
るものである。
4による半導体光変調器においても、上記能動領域24
に電界を印加すると、TE,TM両モードを含む波長
0.69μmのレーザ光12aに対し、上記In0.43G
a0.57As0.15P0.85圧縮歪量子井戸層8cがTM偏波
を吸収し、上記In0.39Ga0.61As0.18P0.82引っ張
り歪量子井戸層10cがTE偏波を吸収することとな
り、上記TE,TM両モードを含むレーザ光12aをそ
の偏波面に依存せず、高い消光比で変調することができ
るものである。
【0056】本実施例4のように、上記実施例2におい
て各式(1) 〜(8) を用いて述べたような能動領域の各層
の材料,層厚の条件を満たし、変調するレーザ光に対し
てその波長に対応する正,及び負の格子歪みを有する量
子井戸を所定の積層パターンで積層してなる能動領域を
備えるようにすれば、種々の波長のレーザ光をその偏波
面に依存せずに変調する半導体光変調器を得ることがで
きるものである。
て各式(1) 〜(8) を用いて述べたような能動領域の各層
の材料,層厚の条件を満たし、変調するレーザ光に対し
てその波長に対応する正,及び負の格子歪みを有する量
子井戸を所定の積層パターンで積層してなる能動領域を
備えるようにすれば、種々の波長のレーザ光をその偏波
面に依存せずに変調する半導体光変調器を得ることがで
きるものである。
【0057】実施例5.上記実施例1〜3では、図1
(a) に示したように、上記能動領域3aの接合面に対し
直角に進行するレーザ光12を変調する半導体光変調器
としていたが、本実施例5は、上記能動領域3aの接合
面と平行に進行するレーザ光12を変調する半導体光変
調器としたものである。
(a) に示したように、上記能動領域3aの接合面に対し
直角に進行するレーザ光12を変調する半導体光変調器
としていたが、本実施例5は、上記能動領域3aの接合
面と平行に進行するレーザ光12を変調する半導体光変
調器としたものである。
【0058】即ち、図7に示したように、この半導体光
変調器は、各半導体層が上記実施例1〜3と同じもので
あり、p型電極1a,及びn型電極6aには入,出射光
のための開口部がなく、上記能動領域3aの側面から入
射したレーザ光12を変調して、その反対側の側面から
変調光12’を出射するようにしたものである。
変調器は、各半導体層が上記実施例1〜3と同じもので
あり、p型電極1a,及びn型電極6aには入,出射光
のための開口部がなく、上記能動領域3aの側面から入
射したレーザ光12を変調して、その反対側の側面から
変調光12’を出射するようにしたものである。
【0059】そして、上記実施例1において図2を用い
て説明したように、上記能動領域3aの接合面と平行に
進行するレーザ光12を変調する構造においては、該能
動領域3aに入射するTE,TM両モードを含むレーザ
光12に対し、電界印加時に、TMモードの光を負の歪
みを有する量子井戸が吸収し、TEモードの光を正の歪
みを有する量子井戸が吸収する。
て説明したように、上記能動領域3aの接合面と平行に
進行するレーザ光12を変調する構造においては、該能
動領域3aに入射するTE,TM両モードを含むレーザ
光12に対し、電界印加時に、TMモードの光を負の歪
みを有する量子井戸が吸収し、TEモードの光を正の歪
みを有する量子井戸が吸収する。
【0060】このように、本実施例5による半導体光変
調器においても、上記TE,TM両モードを含むレーザ
光12を、その偏波面に依存せず、高い消光比で変調す
ることができる。
調器においても、上記TE,TM両モードを含むレーザ
光12を、その偏波面に依存せず、高い消光比で変調す
ることができる。
【0061】なお、上記実施例1〜3で用いた構造の半
導体光変調器を例示して説明したが、上記実施例4の波
長0.69μmのレーザ光12aに対応する半導体光変
調器に応用しても良いことは言うまでもない。
導体光変調器を例示して説明したが、上記実施例4の波
長0.69μmのレーザ光12aに対応する半導体光変
調器に応用しても良いことは言うまでもない。
【0062】実施例6.この発明の第6の実施例による
半導体光変調器は、上記実施例1による半導体光変調器
をアレイ化したものであり、例えばアレイレーザが出力
した複数のレーザ光を、個々に変調して出射できるよう
にしたものであり、図8(a) にその平面図を示し、ま
た、図8(b) に図8(a) におけるA−A’断面図、図8
(c) にその裏面図を示した。
半導体光変調器は、上記実施例1による半導体光変調器
をアレイ化したものであり、例えばアレイレーザが出力
した複数のレーザ光を、個々に変調して出射できるよう
にしたものであり、図8(a) にその平面図を示し、ま
た、図8(b) に図8(a) におけるA−A’断面図、図8
(c) にその裏面図を示した。
【0063】図8(a) 〜(c) において、この半導体光変
調器の層構造は、能動領域300を含め上記実施例1に
よる半導体光変調器と同様の積層構造とされたものであ
り、n型InP基板500上に、層厚1.5μmのn型
InPクラッド層400,図1(b) に示したような正お
よび負の格子歪みを導入された多重量子井戸構造で総層
厚が約8μmの能動領域300,層厚1.5μmのp型
InPクラッド層200を順次形成したものである。そ
して、上記p型InPクラッド層200の上面には、該
p型InPクラッド層200に達する深さの円形の開口
部700と、ワイヤボンディングを行うためのボンディ
ングパッド150とをそれぞれ有する独立した9個のp
側電極100(Au,Zn)が設けられており、また、
上記n型InP基板500の下面には、上記開口部70
0に相対し、該n型InP基板500に達する深さの9
個の開口部700’を有する1つのn側電極600(A
u,Cr)が設けられているものである。
調器の層構造は、能動領域300を含め上記実施例1に
よる半導体光変調器と同様の積層構造とされたものであ
り、n型InP基板500上に、層厚1.5μmのn型
InPクラッド層400,図1(b) に示したような正お
よび負の格子歪みを導入された多重量子井戸構造で総層
厚が約8μmの能動領域300,層厚1.5μmのp型
InPクラッド層200を順次形成したものである。そ
して、上記p型InPクラッド層200の上面には、該
p型InPクラッド層200に達する深さの円形の開口
部700と、ワイヤボンディングを行うためのボンディ
ングパッド150とをそれぞれ有する独立した9個のp
側電極100(Au,Zn)が設けられており、また、
上記n型InP基板500の下面には、上記開口部70
0に相対し、該n型InP基板500に達する深さの9
個の開口部700’を有する1つのn側電極600(A
u,Cr)が設けられているものである。
【0064】また、上記開口部700,700’の直径
は、レーザ光12のビーム径に合わせて決めることとな
るが、ここでは10μmとし、さらに各電極100,6
00において隣合う電極の外周間の距離は、クロストー
クが発生しないようにするためにキャリアの拡散長より
長くする必要があり、InPを用いた本実施例6では5
μmとした。
は、レーザ光12のビーム径に合わせて決めることとな
るが、ここでは10μmとし、さらに各電極100,6
00において隣合う電極の外周間の距離は、クロストー
クが発生しないようにするためにキャリアの拡散長より
長くする必要があり、InPを用いた本実施例6では5
μmとした。
【0065】次に動作について説明する。このアレイ化
された半導体光変調器においても、上記実施例1と同
様、その上面から下面へ,もしくは下面から上面へのい
ずれかの方向にレーザ光12が進行しても、その変調動
作は同じものとなるため、ここでは、下面から上面に向
けてレーザ光12が進行する場合についてのみ述べる。
された半導体光変調器においても、上記実施例1と同
様、その上面から下面へ,もしくは下面から上面へのい
ずれかの方向にレーザ光12が進行しても、その変調動
作は同じものとなるため、ここでは、下面から上面に向
けてレーザ光12が進行する場合についてのみ述べる。
【0066】まず、光源であるアレイレーザから出力さ
れ、n側電極600が有する9個の開口部700’にそ
れぞれ照射された9本の波長1.32μmのCWレーザ
の光12は、n型InP基板500,n型InPクラッ
ド層400を透過して能動領域300に到達する。
れ、n側電極600が有する9個の開口部700’にそ
れぞれ照射された9本の波長1.32μmのCWレーザ
の光12は、n型InP基板500,n型InPクラッ
ド層400を透過して能動領域300に到達する。
【0067】このとき、上記9本のレーザ光12は、上
記アレイレーザの9箇所の出力部分を全く同じに形成す
ることは難しく、それぞれの出力部分における組成,膜
厚等のばらつきにより、各レーザ光12が有する偏波面
モードにばらつきを生じているものである。
記アレイレーザの9箇所の出力部分を全く同じに形成す
ることは難しく、それぞれの出力部分における組成,膜
厚等のばらつきにより、各レーザ光12が有する偏波面
モードにばらつきを生じているものである。
【0068】そして、上記能動領域300は、図1(b)
に示した上記実施例1の能動領域3aと材料,層厚,積
層パターンの全てが同じものとなっているため、9個の
p側電極100と、上記n側電極600との間に印加さ
れるそれぞれの変調信号による逆バイアス電圧のオン/
オフに応じて、上記9本のレーザ光12をそれぞれ上記
実施例1で述べたように吸収,あるいは透過することに
より、その偏波面に依存せずに個別に変調する。
に示した上記実施例1の能動領域3aと材料,層厚,積
層パターンの全てが同じものとなっているため、9個の
p側電極100と、上記n側電極600との間に印加さ
れるそれぞれの変調信号による逆バイアス電圧のオン/
オフに応じて、上記9本のレーザ光12をそれぞれ上記
実施例1で述べたように吸収,あるいは透過することに
より、その偏波面に依存せずに個別に変調する。
【0069】即ち、p側電極100の開口部700に向
けて、該開口部700に相対するn側電極600の開口
部700’から入射し、進行して来たレーザ光12は、
該p側電極100,n側電極600間に逆バイアス電圧
が印加されると、たとえその偏波面モードに各々ばらつ
きがあっても、図1(b) に示したような,電界印加時に
偏波面依存性のない吸収層として働く上記能動領域30
0の多重量子井戸にTE,TM両モードの光とも閉じ込
められて進行を遮断される。一方、上記逆バイアス電圧
の非印加時には、上記レーザ光12は上記能動領域30
0を透過し、p型InPクラッド層200を通り抜けて
上記p側電極100の開口部700から出射される。そ
して、上記p側電極100は9個あり、それぞれに別々
の変調信号が印加されるようになっているため、上記n
側電極600が有する9個の開口部700’に入射した
上記9本のレーザ光12は、それぞれ個別に偏波面依存
性なく変調されて9本の変調光12’となり、各々相対
しているp側電極100の開口部700から出射される
ものである。
けて、該開口部700に相対するn側電極600の開口
部700’から入射し、進行して来たレーザ光12は、
該p側電極100,n側電極600間に逆バイアス電圧
が印加されると、たとえその偏波面モードに各々ばらつ
きがあっても、図1(b) に示したような,電界印加時に
偏波面依存性のない吸収層として働く上記能動領域30
0の多重量子井戸にTE,TM両モードの光とも閉じ込
められて進行を遮断される。一方、上記逆バイアス電圧
の非印加時には、上記レーザ光12は上記能動領域30
0を透過し、p型InPクラッド層200を通り抜けて
上記p側電極100の開口部700から出射される。そ
して、上記p側電極100は9個あり、それぞれに別々
の変調信号が印加されるようになっているため、上記n
側電極600が有する9個の開口部700’に入射した
上記9本のレーザ光12は、それぞれ個別に偏波面依存
性なく変調されて9本の変調光12’となり、各々相対
しているp側電極100の開口部700から出射される
ものである。
【0070】このように、本実施例6によれば、上記実
施例1による半導体光変調器をアレイ化したので、T
E,TM両モードを含む上記9本のレーザ光12を、そ
の2つのモードのばらつきに関係なく、それぞれその偏
波面に依存せずに変調することができ、さらに、光ニュ
ーロチップに用いられる光シナプス結合網中のマトリク
ス状の光学マスクとして応用することができる。
施例1による半導体光変調器をアレイ化したので、T
E,TM両モードを含む上記9本のレーザ光12を、そ
の2つのモードのばらつきに関係なく、それぞれその偏
波面に依存せずに変調することができ、さらに、光ニュ
ーロチップに用いられる光シナプス結合網中のマトリク
ス状の光学マスクとして応用することができる。
【0071】なお、本実施例6による半導体光変調器の
光源は、複数のレーザ光を出力するアレイレーザに限ら
ず、1つのレーザ光源が出力した1本のレーザ光を光学
的に拡大したものでも良く、また、上記能動領域300
を上記実施例2あるいは3と同じ積層パターンの多重量
子井戸構造としても、またさらに、変調すべきレーザ光
の波長に応じてその積層構造を上記実施例4に示したよ
うな構造としても良いことは言うまでもない。
光源は、複数のレーザ光を出力するアレイレーザに限ら
ず、1つのレーザ光源が出力した1本のレーザ光を光学
的に拡大したものでも良く、また、上記能動領域300
を上記実施例2あるいは3と同じ積層パターンの多重量
子井戸構造としても、またさらに、変調すべきレーザ光
の波長に応じてその積層構造を上記実施例4に示したよ
うな構造としても良いことは言うまでもない。
【0072】
【発明の効果】以上のように、この発明によれば、その
能動領域に入射したレーザ光を印加された電界に応じて
吸収,あるいは透過することにより変調して出射する半
導体光変調器において、半導体基板上に、その格子定数
が上記半導体基板の格子定数より大きい材料からなる第
1の半導体層と、それが上記半導体基板の格子定数より
小さい材料からなる第2の半導体層とを有する能動領域
を備えたので、上記能動領域に入射したレーザ光を吸収
するとき、該レーザ光が有する2つの偏波モードに対し
て、上記第1の半導体層が一方の偏波モードの光を吸収
すると同時に、上記第2の半導体層がもう一方の偏波モ
ードの光を吸収することができ、上記2つの偏波モード
を有するレーザ光を高い利得で吸収する,偏波面依存性
をなくした半導体光変調器を得ることができる効果があ
る。
能動領域に入射したレーザ光を印加された電界に応じて
吸収,あるいは透過することにより変調して出射する半
導体光変調器において、半導体基板上に、その格子定数
が上記半導体基板の格子定数より大きい材料からなる第
1の半導体層と、それが上記半導体基板の格子定数より
小さい材料からなる第2の半導体層とを有する能動領域
を備えたので、上記能動領域に入射したレーザ光を吸収
するとき、該レーザ光が有する2つの偏波モードに対し
て、上記第1の半導体層が一方の偏波モードの光を吸収
すると同時に、上記第2の半導体層がもう一方の偏波モ
ードの光を吸収することができ、上記2つの偏波モード
を有するレーザ光を高い利得で吸収する,偏波面依存性
をなくした半導体光変調器を得ることができる効果があ
る。
【0073】また、この発明によれば、上記能動領域
を、正の格子歪みを有する第1の量子井戸層と、負の格
子歪みを有する第2の量子井戸層と、バリア層とからな
る多重量子井戸構造を有するものとし、該能動領域の上
下には、上記第1の量子井戸層,第2の量子井戸層及び
バリア層が有するバンドギャップ以上の大きさのバンド
ギャップを有するクラッド層を備えるようにしたので、
上記能動領域に電界を印加したとき、該能動領域に入射
したレーザ光が有する2つの偏波モードに対して、上記
第1の量子井戸層が一方の偏波モードの光を吸収すると
同時に、上記第2の量子井戸層がもう一方の偏波モード
の光を吸収し、また、電界非印加時には、入射したレー
ザ光の強度を低下させずに該レーザ光を透過させて出射
することとなり、これにより上記2つの偏波モードを有
するレーザ光を高い利得で吸収することができることに
加え、上記第1の量子井戸層が有する正の歪みと、上記
第2の量子井戸層が有する負の歪みとが互いに打ち消し
合うことにより、上記能動領域のトータル歪み量を抑え
て、結晶を破断させずに量子井戸の数を増やすことがで
き、偏波面依存性がなく、かつ消光比が高く効率の良い
半導体光変調器を得ることができる効果がある。
を、正の格子歪みを有する第1の量子井戸層と、負の格
子歪みを有する第2の量子井戸層と、バリア層とからな
る多重量子井戸構造を有するものとし、該能動領域の上
下には、上記第1の量子井戸層,第2の量子井戸層及び
バリア層が有するバンドギャップ以上の大きさのバンド
ギャップを有するクラッド層を備えるようにしたので、
上記能動領域に電界を印加したとき、該能動領域に入射
したレーザ光が有する2つの偏波モードに対して、上記
第1の量子井戸層が一方の偏波モードの光を吸収すると
同時に、上記第2の量子井戸層がもう一方の偏波モード
の光を吸収し、また、電界非印加時には、入射したレー
ザ光の強度を低下させずに該レーザ光を透過させて出射
することとなり、これにより上記2つの偏波モードを有
するレーザ光を高い利得で吸収することができることに
加え、上記第1の量子井戸層が有する正の歪みと、上記
第2の量子井戸層が有する負の歪みとが互いに打ち消し
合うことにより、上記能動領域のトータル歪み量を抑え
て、結晶を破断させずに量子井戸の数を増やすことがで
き、偏波面依存性がなく、かつ消光比が高く効率の良い
半導体光変調器を得ることができる効果がある。
【0074】また、この発明によれば、上記半導体光変
調器の上面及び下面にそれぞれ、所定の形状の互いに相
対する開口部を有する電極を備え、上記上面,あるいは
下面の開口部から入射したレーザ光を変調して、その相
対する下面,もしくは上面の開口部から出射するものと
したので、上記上面及び下面の電極間に逆バイアス電圧
を印加すると、上記上面,あるいは下面の開口部から入
射したTE,TM両モードを含むレーザ光に対し、上記
能動領域において、上記第1の量子井戸層がTM偏波を
吸収すると同時に、上記第2の量子井戸層がTE偏波を
吸収することになり、これによりTE,TM両モードの
レーザ光の吸収を行うことができ、上記上面,あるいは
下面の開口部から偏波面依存性をなくして変調した変調
光を出射することができる効果がある。
調器の上面及び下面にそれぞれ、所定の形状の互いに相
対する開口部を有する電極を備え、上記上面,あるいは
下面の開口部から入射したレーザ光を変調して、その相
対する下面,もしくは上面の開口部から出射するものと
したので、上記上面及び下面の電極間に逆バイアス電圧
を印加すると、上記上面,あるいは下面の開口部から入
射したTE,TM両モードを含むレーザ光に対し、上記
能動領域において、上記第1の量子井戸層がTM偏波を
吸収すると同時に、上記第2の量子井戸層がTE偏波を
吸収することになり、これによりTE,TM両モードの
レーザ光の吸収を行うことができ、上記上面,あるいは
下面の開口部から偏波面依存性をなくして変調した変調
光を出射することができる効果がある。
【0075】さらに、この発明によれば、上記半導体光
変調器の上面に各々1つの開口部を有する複数の電極
と、その下面に上記上面の開口部と同数で、かつ相対し
た開口部を有する1つの電極とを備え、上記上面,ある
いは下面の複数の開口部から入射した複数のレーザ光を
個々に変調して、その相対する下面,もしくは上面の複
数の開口部から複数の変調光を出射するものとしたの
で、上記能動領域において、上記上面,あるいは下面の
複数の開口部から入射したTE,TM両モードを含む複
数のレーザ光をそれぞれ、その偏波面に依存しないで吸
収,あるいは透過する,アレイ化された偏波面依存性の
ない半導体光変調器を得ることができ、光ニューロチッ
プに用いられる光シナプス結合網中のマトリクス状の光
学マスクに応用することができる効果がある。
変調器の上面に各々1つの開口部を有する複数の電極
と、その下面に上記上面の開口部と同数で、かつ相対し
た開口部を有する1つの電極とを備え、上記上面,ある
いは下面の複数の開口部から入射した複数のレーザ光を
個々に変調して、その相対する下面,もしくは上面の複
数の開口部から複数の変調光を出射するものとしたの
で、上記能動領域において、上記上面,あるいは下面の
複数の開口部から入射したTE,TM両モードを含む複
数のレーザ光をそれぞれ、その偏波面に依存しないで吸
収,あるいは透過する,アレイ化された偏波面依存性の
ない半導体光変調器を得ることができ、光ニューロチッ
プに用いられる光シナプス結合網中のマトリクス状の光
学マスクに応用することができる効果がある。
【図1】この発明の第1の実施例による半導体光変調器
を示す斜視図、及びその能動領域の積層構造を示す一部
拡大図。
を示す斜視図、及びその能動領域の積層構造を示す一部
拡大図。
【図2】正,あるいは負の格子歪みの導入による偏波モ
ードと、吸収率との関係を示す図。
ードと、吸収率との関係を示す図。
【図3】(110)面に形成された正,あるいは負の格
子歪み層と、吸収されるTE,TM偏波との関係を説明
するための図。
子歪み層と、吸収されるTE,TM偏波との関係を説明
するための図。
【図4】この発明の第2の実施例による半導体光変調器
の能動領域の積層構造を示す一部拡大図。
の能動領域の積層構造を示す一部拡大図。
【図5】この発明の第3の実施例による半導体光変調器
の能動領域の積層構造を示す一部拡大図。
の能動領域の積層構造を示す一部拡大図。
【図6】この発明の第4の実施例による半導体光変調器
を示す斜視図、及びその能動領域の積層構造を示す一部
拡大図。
を示す斜視図、及びその能動領域の積層構造を示す一部
拡大図。
【図7】この発明の第5の実施例による半導体光変調器
を示す斜視図。
を示す斜視図。
【図8】この発明の第6の実施例による半導体光変調器
を示す平面図,断面図,裏面図。
を示す平面図,断面図,裏面図。
【図9】従来の半導体光変調器を示す斜視図、及びその
能動領域の積層構造を示す一部拡大図。
能動領域の積層構造を示す一部拡大図。
【図10】従来の,−0.3%の格子歪を導入した能動
領域を備えた半導体光変調器における透過率の逆バイア
ス依存性を示すグラフである。
領域を備えた半導体光変調器における透過率の逆バイア
ス依存性を示すグラフである。
1 p側電極(Au,Zn) 2 p型InPクラッド層 3 能動領域 3a 能動領域 4 n型InPクラッド層 5 n型InP基板 6 n側電極(Au,Cr) 7,7’ 開口部 8 In0.57Ga0.43As0.89P0.11圧
縮歪量子井戸層 8c In0.43Ga0.57As0.15P0.85圧
縮歪量子井戸層 9 In0.77Ga0.23As0.51P0.49バ
リア層 9c AlGaInPバリア層 10,10c In0.39Ga0.61As0.18P0.82引
っ張り歪量子井戸層 10a In0.58Ga0.42As0.88P0.12引
っ張り歪量子井戸層 10b In0.52Ga0.48As0.99P0.01引
っ張り歪量子井戸層 11 リッジ部分 12,12a レーザ光 12’,12a’ 変調光 16 InPバリア層 17 In0.49Ga0.51As井戸層 21 p型電極(Ti,Pt,Au) 22 p型GaAsコンタクト層 23 p型AlGaInPクラッド層 24 能動領域 25 n型AlGaInPクラッド層 26 n型GaAs基板 27 n型電極(Au,Ge,Ni,A
u) 28,28’ 開口部 100 p側電極 150 ボンディングパッド 200 p型InPクラッド層 300 能動領域 400 n型InPクラッド層 500 n型InP基板 600 n側電極 700 開口部 700’ 開口部
縮歪量子井戸層 8c In0.43Ga0.57As0.15P0.85圧
縮歪量子井戸層 9 In0.77Ga0.23As0.51P0.49バ
リア層 9c AlGaInPバリア層 10,10c In0.39Ga0.61As0.18P0.82引
っ張り歪量子井戸層 10a In0.58Ga0.42As0.88P0.12引
っ張り歪量子井戸層 10b In0.52Ga0.48As0.99P0.01引
っ張り歪量子井戸層 11 リッジ部分 12,12a レーザ光 12’,12a’ 変調光 16 InPバリア層 17 In0.49Ga0.51As井戸層 21 p型電極(Ti,Pt,Au) 22 p型GaAsコンタクト層 23 p型AlGaInPクラッド層 24 能動領域 25 n型AlGaInPクラッド層 26 n型GaAs基板 27 n型電極(Au,Ge,Ni,A
u) 28,28’ 開口部 100 p側電極 150 ボンディングパッド 200 p型InPクラッド層 300 能動領域 400 n型InPクラッド層 500 n型InP基板 600 n側電極 700 開口部 700’ 開口部
─────────────────────────────────────────────────────
【手続補正書】
【提出日】平成6年12月15日
【手続補正1】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】請求項3
【補正方法】変更
【補正内容】
【手続補正2】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】0008
【補正方法】変更
【補正内容】
【0008】即ち、0.3%の引っ張り歪を導入された
上記能動領域3における,透過率の電界依存性は図10
に示したようになるため、該能動領域3を有する上記半
導体光変調器のp側電極1,n側電極6間に3V以上の
逆バイアス電圧を印加することにより、波長1.585
μmのレーザ光12のTEモードでの吸収と、TMモー
ドでの吸収とをほぼ等しくすることができ、これにより
偏波面依存性を減少させることができるものである。
上記能動領域3における,透過率の電界依存性は図10
に示したようになるため、該能動領域3を有する上記半
導体光変調器のp側電極1,n側電極6間に3V以上の
逆バイアス電圧を印加することにより、波長1.585
μmのレーザ光12のTEモードでの吸収と、TMモー
ドでの吸収とをほぼ等しくすることができ、これにより
偏波面依存性を減少させることができるものである。
【手続補正3】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】0014
【補正方法】変更
【補正内容】
【0014】また、この発明に係る半導体光変調器は、
上記能動領域を、互いに逆の符号でかつその総和の絶対
値が等しい歪み量を有する第1の量子井戸層と、第2の
量子井戸層とを上記バリア層を挟んで交互に所要数積層
してなるものとしたものである。
上記能動領域を、互いに逆の符号でかつその総和の絶対
値が等しい歪み量を有する第1の量子井戸層と、第2の
量子井戸層とを上記バリア層を挟んで交互に所要数積層
してなるものとしたものである。
【手続補正4】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】0071
【補正方法】変更
【補正内容】
【0071】なお、本実施例6による半導体光変調器の
光源は、複数のレーザ光を出力するアレイレーザに限ら
ず、1つのレーザ光源が出力した1本のレーザ光を光学
的に拡大したものでも良く、また、上記能動領域300
を上記実施例2あるいは3と同じ積層パターンの多重量
子井戸構造としても、またさらに、変調すべきレーザ光
の波長に応じてその積層構造を上記実施例4に示したよ
うな構造としても良いことは言うまでもない。また、上
記各実施例では、正の格子歪みを有する量子井戸層,負
の格子歪みを有する量子井戸層,及び格子歪みを有しな
いバリア層を用いて能動領域を構成したものについて説
明したが、周知のごとく、量子井戸層が格子整合状態で
ある場合、正の歪みを有する場合ほどのゲインは得られ
ないものの、TEモードのゲインの方がTMモードのゲ
インよりも大きいものであるので、格子歪みを有しない
量子井戸層,負の格子歪みを有する量子井戸層,及び正
の格子歪みを有するバリア層を用いて能動領域を構成し
てもよいことは言うまでもない。
光源は、複数のレーザ光を出力するアレイレーザに限ら
ず、1つのレーザ光源が出力した1本のレーザ光を光学
的に拡大したものでも良く、また、上記能動領域300
を上記実施例2あるいは3と同じ積層パターンの多重量
子井戸構造としても、またさらに、変調すべきレーザ光
の波長に応じてその積層構造を上記実施例4に示したよ
うな構造としても良いことは言うまでもない。また、上
記各実施例では、正の格子歪みを有する量子井戸層,負
の格子歪みを有する量子井戸層,及び格子歪みを有しな
いバリア層を用いて能動領域を構成したものについて説
明したが、周知のごとく、量子井戸層が格子整合状態で
ある場合、正の歪みを有する場合ほどのゲインは得られ
ないものの、TEモードのゲインの方がTMモードのゲ
インよりも大きいものであるので、格子歪みを有しない
量子井戸層,負の格子歪みを有する量子井戸層,及び正
の格子歪みを有するバリア層を用いて能動領域を構成し
てもよいことは言うまでもない。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 瀧口 透 兵庫県伊丹市瑞原4丁目1番地 三菱電機 株式会社光・マイクロ波デバイス開発研究 所内
Claims (13)
- 【請求項1】 その能動領域に入射したレーザ光を、印
加された電界に応じて吸収,あるいは透過することによ
り変調して出射する半導体光変調器において、 半導体基板上に、その格子定数が上記半導体基板の格子
定数より大きい材料からなる第1の半導体層と、その格
子定数が上記半導体基板の格子定数より小さい材料から
なる第2の半導体層とを有する能動領域を備えたことを
特徴とする半導体光変調器。 - 【請求項2】 請求項1記載の半導体光変調器におい
て、 上記能動領域は、正の格子歪みを有する第1の量子井戸
層と、負の格子歪みを有する第2の量子井戸層と、バリ
ア層とからなる多重量子井戸構造を有するものであり、 該能動領域の上下には、上記第1の量子井戸層,第2の
量子井戸層,及びバリア層が有するバンドギャップ以上
の大きさのバンドギャップを有するクラッド層を備えた
ことを特徴とする半導体光変調器。 - 【請求項3】 請求項2記載の半導体光変調器におい
て、 上記能動領域は、互いに逆の符号でかつ絶対値が等しい
歪み量を有する第1の量子井戸層と、第2の量子井戸層
とを上記バリア層を挟んで交互に所要数積層してなるも
のであることを特徴とする半導体光変調器。 - 【請求項4】 請求項3記載の半導体光変調器におい
て、 上記半導体光変調器はInP基板上に各半導体層を結晶
成長させてなり、波長1.32μmのレーザ光を変調す
るものであり、 上記能動領域は、歪み量が+0.1%のIn0.57Ga0.
43As0.89P0.11圧縮歪量子井戸層と、歪み量が−0.
1%のIn0.39Ga0.61As0.18P0.82引っ張り歪量子
井戸層とをIn0.77Ga0.23As0.51P0.49バリア層を
挟んで交互に所要数積層してなるものであることを特徴
とする半導体光変調器。 - 【請求項5】 請求項3記載の半導体光変調器におい
て、 上記半導体光変調器はGaAs基板上に各半導体層を結
晶成長させてなり、波長0.69μmのレーザ光を変調
するものであり、 上記能動領域は、歪み量が+0.1%のIn0.43Ga0.
57As0.15P0.85圧縮歪量子井戸層と、歪み量が−0.
1%のIn0.39Ga0.61As0.18P0.82引っ張り歪量子
井戸層とをAlGaInP,あるいはAlGaAsから
なるバリア層を挟んで交互に所要数積層してなるもので
あることを特徴とする半導体光変調器。 - 【請求項6】 請求項2記載の半導体光変調器におい
て、 上記能動領域は、各井戸層間に上記バリア層を挟み、上
記第1の量子井戸層,及び第2の量子井戸層を所定のパ
ターンで積層し、該積層パターンを所定周期繰り返し積
層してなるものであることを特徴とする半導体光変調
器。 - 【請求項7】 請求項6記載の半導体光変調器におい
て、 上記半導体光変調器はInP基板上に各半導体層を結晶
成長させてなり、波長1.32μmのレーザ光を変調す
るものであり、 上記能動領域の積層パターンは、In0.77Ga0.23As
0.51P0.49バリア層を挟み、歪み量が+0.1%のIn
0.57Ga0.43As0.89P0.11圧縮歪量子井戸層と、歪み
量が−0.1%のIn0.39Ga0.61As0.18P0.82引っ
張り歪量子井戸層とを各々2層ずつ続けて積層したもの
であることを特徴とする半導体光変調器。 - 【請求項8】 請求項6記載の半導体光変調器におい
て、 上記半導体光変調器はInP基板上に各半導体層を結晶
成長させてなり、波長1.32μmのレーザ光を変調す
るものであり、 上記能動領域の積層パターンは、In0.77Ga0.23As
0.51P0.49バリア層を挟み、歪み量が+0.1%のIn
0.57Ga0.43As0.89P0.11圧縮歪量子井戸層と、歪み
量が−0.05%のIn0.58Ga0.42As0.88P0.12引
っ張り歪量子井戸層とを1対2の割合で積層したもので
あることを特徴とする半導体光変調器。 - 【請求項9】 請求項6記載の半導体光変調器におい
て、 上記半導体光変調器はInP基板上に各半導体層を結晶
成長させてなり、波長1.32μmのレーザ光を変調す
るものであり、 上記能動領域の積層パターンは、In0.77Ga0.23As
0.51P0.49バリア層を挟み、歪み量が+0.1%のIn
0.57Ga0.43As0.89P0.11圧縮歪量子井戸層と、これ
の2分の1の層厚で歪み量が−0.1%のIn0.52Ga
0.48As0.99P0.01引っ張り歪量子井戸層とを1対2の
割合で積層したものであることを特徴とする半導体光変
調器。 - 【請求項10】 請求項2記載の半導体光変調器におい
て、 上記能動領域は、各井戸層間に上記バリア層を挟み、上
記第1の量子井戸層,及び第2の量子井戸層を該能動領
域が有する各層の歪み量の総和が所定範囲内となるよう
にして不規則に積層してなるものであることを特徴とす
る半導体光変調器。 - 【請求項11】 請求項10記載の半導体光変調器にお
いて、 上記半導体光変調器はInP基板上に各半導体層を結晶
成長させてなり、波長1.32μmのレーザ光を変調す
るものであり、 上記第1の量子井戸層は、歪み量が+0.1%のIn0.
57Ga0.43As0.89P0.11圧縮歪量子井戸層であり、 上記第2の量子井戸層は、歪み量が−0.1%のIn0.
39Ga0.61As0.18P0.82引っ張り歪量子井戸層であ
り、 上記バリア層は、In0.77Ga0.23As0.51P0.49から
なるものであることを特徴とする半導体光変調器。 - 【請求項12】 請求項2ないし11のいずれかに記載
の半導体光変調器において、 上記半導体光変調器は、その上面及び下面にそれぞれ、
所定の形状の互いに相対する開口部を有する電極を備
え、 上記上面,あるいは下面の開口部から入射したレーザ光
を変調して、その相対する下面,もしくは上面の開口部
から出射するものであることを特徴とする半導体光変調
器。 - 【請求項13】 請求項12記載の半導体光変調器にお
いて、 上記半導体光変調器は、その上面に各々1つの開口部を
有する複数の電極と、その下面に、上記上面の開口部と
同数でかつ相対した開口部を有する1つの電極とを備
え、 上記上面,あるいは下面の複数の開口部から入射した複
数のレーザ光を個々に変調して、その相対する下面,も
しくは上面の複数の開口部から複数の変調光を出射する
ものであることを特徴とする半導体光変調器。
Priority Applications (4)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP5248922A JPH07104222A (ja) | 1993-10-05 | 1993-10-05 | 半導体光変調器 |
US08/314,423 US5621564A (en) | 1993-10-05 | 1994-09-28 | Semiconductor optical modulator |
GB9419700A GB2282670B (en) | 1993-10-05 | 1994-09-29 | Semiconductor optical modulator |
DE4435135A DE4435135A1 (de) | 1993-10-05 | 1994-09-30 | Optischer Modulator auf Halbleiterbasis |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP5248922A JPH07104222A (ja) | 1993-10-05 | 1993-10-05 | 半導体光変調器 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH07104222A true JPH07104222A (ja) | 1995-04-21 |
Family
ID=17185419
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP5248922A Pending JPH07104222A (ja) | 1993-10-05 | 1993-10-05 | 半導体光変調器 |
Country Status (4)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US5621564A (ja) |
JP (1) | JPH07104222A (ja) |
DE (1) | DE4435135A1 (ja) |
GB (1) | GB2282670B (ja) |
Families Citing this family (13)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH10504142A (ja) * | 1995-06-16 | 1998-04-14 | フィリップス エレクトロニクス ネムローゼ フェンノートシャップ | 半導体ダイオードレーザ及びその製造方法 |
JP2003098492A (ja) * | 2001-09-26 | 2003-04-03 | Oki Electric Ind Co Ltd | 半導体光変調器及び光変調器集積型半導体レーザ |
US20040044442A1 (en) * | 2001-12-28 | 2004-03-04 | Bayoumi Deia Salah-Eldin | Optimized dispatch planning of distributed resources in electrical power systems |
JP3904947B2 (ja) * | 2002-03-01 | 2007-04-11 | 三菱電機株式会社 | 光変調器 |
US6757095B2 (en) * | 2002-04-30 | 2004-06-29 | Agilent Technologies, Inc. | Semiconductor structure and method for transmitting optical signals using externally supplied light beam |
US7196349B2 (en) * | 2005-02-17 | 2007-03-27 | Bae Systems Information And Electronic Systems Integration Inc. | Resonant cavity enhanced multi-quantum well light modulator and detector |
GB2483276B (en) * | 2010-09-02 | 2012-10-10 | Jds Uniphase Corp | Photovoltaic junction for a solar cell |
US10036685B2 (en) | 2016-05-18 | 2018-07-31 | Jand, Inc. | Fixtureless lensmeter and methods of operating same |
US10557773B2 (en) | 2016-05-18 | 2020-02-11 | Jand, Inc. | Fixtureless lensmeter system |
CN112433394A (zh) * | 2019-08-06 | 2021-03-02 | 晶连股份有限公司 | 电致吸收光调变器与激光二极管的整合结构 |
US11488239B2 (en) | 2019-08-26 | 2022-11-01 | Warby Parker Inc. | Virtual fitting systems and methods for spectacles |
EP4136563A4 (en) | 2020-04-15 | 2024-03-20 | Warby Parker Inc. | VIRTUAL TRY-ON SYSTEMS FOR GLASSES USING REFERENCE FRAMES |
CA3185605A1 (en) | 2020-06-17 | 2021-12-23 | Warby Parker Inc. | System and method for measuring pupillary distance and uses thereof |
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Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2746326B2 (ja) * | 1989-01-10 | 1998-05-06 | 株式会社日立製作所 | 半導体光素子 |
JPH03174790A (ja) * | 1989-09-26 | 1991-07-29 | Fujitsu Ltd | 光半導体素子 |
DE69129181T2 (de) * | 1990-11-29 | 1998-10-08 | Toshiba Kawasaki Kk | Optische Halbleitervorrichtung |
US5117469A (en) * | 1991-02-01 | 1992-05-26 | Bell Communications Research, Inc. | Polarization-dependent and polarization-diversified opto-electronic devices using a strained quantum well |
EP0558089B1 (en) * | 1992-02-28 | 2002-06-05 | Hitachi, Ltd. | Semiconductor optical integrated device and method of manufacture thereof, and light receiver using said device |
US5315430A (en) * | 1992-04-15 | 1994-05-24 | The United States Of America As Represented By The United States Department Of Energy | Strained layer Fabry-Perot device |
EP0606821A1 (en) * | 1993-01-11 | 1994-07-20 | International Business Machines Corporation | Modulated strain heterostructure light emitting devices |
-
1993
- 1993-10-05 JP JP5248922A patent/JPH07104222A/ja active Pending
-
1994
- 1994-09-28 US US08/314,423 patent/US5621564A/en not_active Expired - Fee Related
- 1994-09-29 GB GB9419700A patent/GB2282670B/en not_active Expired - Fee Related
- 1994-09-30 DE DE4435135A patent/DE4435135A1/de not_active Withdrawn
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
GB2282670B (en) | 1997-06-11 |
GB2282670A (en) | 1995-04-12 |
GB9419700D0 (en) | 1994-11-16 |
US5621564A (en) | 1997-04-15 |
DE4435135A1 (de) | 1995-04-06 |
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