JPH07102253A - 液晶組成物およびこれを用いた液晶素子 - Google Patents
液晶組成物およびこれを用いた液晶素子Info
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- JPH07102253A JPH07102253A JP16035294A JP16035294A JPH07102253A JP H07102253 A JPH07102253 A JP H07102253A JP 16035294 A JP16035294 A JP 16035294A JP 16035294 A JP16035294 A JP 16035294A JP H07102253 A JPH07102253 A JP H07102253A
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Abstract
(57)【要約】
【構成】一般式（Ｉ）
【化１】
で示される化合物の少なくとも一種と、一般式（ＩＩ）
【化３】
で示される化合物を含有する強誘電性カイラルスメクチ
ック液晶組成物および該組成物を用いた液晶素子。 【効果】配向性が良好で、高コントラスト比を示し、メ
モリー性が優れており、光シャッターや表示素子等に用
いることができる。
ック液晶組成物および該組成物を用いた液晶素子。 【効果】配向性が良好で、高コントラスト比を示し、メ
モリー性が優れており、光シャッターや表示素子等に用
いることができる。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、新規な強誘電性カイラ
ルスメクチック液晶組成物およびそれを用いた液晶素子
に関する。さらに詳しくは、コントラスト比、メモリー
性が改良された新規な液晶組成物およびそれを用いた光
シャッターや表示素子等に使用できる液晶素子に関す
る。
ルスメクチック液晶組成物およびそれを用いた液晶素子
に関する。さらに詳しくは、コントラスト比、メモリー
性が改良された新規な液晶組成物およびそれを用いた光
シャッターや表示素子等に使用できる液晶素子に関す
る。
【０００２】
【従来の技術】近年情報化社会の進展に伴い、各種の表
示装置はマンマシーンインターフェースの一つとして、
その重要性がますます高まっている。そのような中で平
面ディスプレイ、特に液晶ディスプレイ（ＬＣＤ）は、
薄型・軽量・低電圧駆動・低消費電力等の特徴を有し急
速に普及してきた。液晶ディスプレイに代表される液晶
素子のうち情報量の大きいマトリクス型液晶素子には、
アクティブマトリクス方式と単純マトリクス方式と呼ば
れている二つの駆動方法がある。
示装置はマンマシーンインターフェースの一つとして、
その重要性がますます高まっている。そのような中で平
面ディスプレイ、特に液晶ディスプレイ（ＬＣＤ）は、
薄型・軽量・低電圧駆動・低消費電力等の特徴を有し急
速に普及してきた。液晶ディスプレイに代表される液晶
素子のうち情報量の大きいマトリクス型液晶素子には、
アクティブマトリクス方式と単純マトリクス方式と呼ば
れている二つの駆動方法がある。
【０００３】アクティブマトリクス方式は、ポリシリコ
ン、アモルファスシリコン等の薄膜トランジスターまた
はダイオードを画素毎に非線形素子として装着したもの
である。しかし、アクティブマトリクス方式は、複雑な
製造プロセスと歩留まりの悪さから大面積化、低価格
化、高密度化に関して課題を有しており、価格や生産性
などを考え合わせると単純マトリクス方式の方が有力で
ある。
ン、アモルファスシリコン等の薄膜トランジスターまた
はダイオードを画素毎に非線形素子として装着したもの
である。しかし、アクティブマトリクス方式は、複雑な
製造プロセスと歩留まりの悪さから大面積化、低価格
化、高密度化に関して課題を有しており、価格や生産性
などを考え合わせると単純マトリクス方式の方が有力で
ある。
【０００４】現在実用化されている単純マトリクス方式
の液晶素子としてはＴＮ型・ＳＴＮ型液晶を用いたもの
が主流である。しかしこれらの素子の光学的な応答は、
電界印加時に生じる液晶分子の誘電率異方性に基づく平
均的な液晶分子軸の特定方向への配列を利用している。
従ってこれらの素子の光学的な応答速度の限界は、ミリ
秒のオーダーであり、情報量の増大を考えると不十分で
ある。また情報量を増大するために走査線の数を増大す
るとコントラスト比の低下やクロストークが原理的に避
けられない。これはＴＮ型やＳＴＮ型の液晶がメモリー
性（双安定性）を示さないことによる本質的な問題であ
る。このことを改良するために、二周波駆動法・電圧平
均化法・多重マトリクス法等種々の駆動法が提案されて
いるが問題の本質的な解決ではなく、大容量化、高密度
化は容易ではない。またこれらの液晶は視野角の制約や
表示品質にも大きな問題がある。
の液晶素子としてはＴＮ型・ＳＴＮ型液晶を用いたもの
が主流である。しかしこれらの素子の光学的な応答は、
電界印加時に生じる液晶分子の誘電率異方性に基づく平
均的な液晶分子軸の特定方向への配列を利用している。
従ってこれらの素子の光学的な応答速度の限界は、ミリ
秒のオーダーであり、情報量の増大を考えると不十分で
ある。また情報量を増大するために走査線の数を増大す
るとコントラスト比の低下やクロストークが原理的に避
けられない。これはＴＮ型やＳＴＮ型の液晶がメモリー
性（双安定性）を示さないことによる本質的な問題であ
る。このことを改良するために、二周波駆動法・電圧平
均化法・多重マトリクス法等種々の駆動法が提案されて
いるが問題の本質的な解決ではなく、大容量化、高密度
化は容易ではない。またこれらの液晶は視野角の制約や
表示品質にも大きな問題がある。
【０００５】このような液晶素子の本質的な問題点を解
決することを目標に、１９８０年Ｎ．Ａ．Ｃｌａｒｋと
Ｓ．Ｔ．Ｌａｇｅｒｗａｌｌは、双安定性を有する液晶
を利用する液晶素子を提案した（米国特許第４３６７９
２４号明細書、特開昭５６−１０７２１６号公報等）。
このような双安定性を示す液晶としてはカイラルスメク
チックＣ相を発現する強誘電性液晶が主として用いられ
ている。
決することを目標に、１９８０年Ｎ．Ａ．Ｃｌａｒｋと
Ｓ．Ｔ．Ｌａｇｅｒｗａｌｌは、双安定性を有する液晶
を利用する液晶素子を提案した（米国特許第４３６７９
２４号明細書、特開昭５６−１０７２１６号公報等）。
このような双安定性を示す液晶としてはカイラルスメク
チックＣ相を発現する強誘電性液晶が主として用いられ
ている。
【０００６】強誘電性液晶を用いることの特徴の一つ
は、強誘電性液晶が双安定性を示すことにある。双安定
性とは、強誘電性液晶を透明電極を有する二枚のガラス
基板間に狭持した場合に、印加する電界の向きに依存し
て二つの光学的な安定状態を有し、しかもこの二つの光
学的安定状態は、印加した電界を除去しても維持される
性質である。このような性質を有することから、強誘電
性液晶を用いた液晶素子は走査線の数を増大させてもコ
ントラスト比の低下やクロストークがないことが期待で
きる。
は、強誘電性液晶が双安定性を示すことにある。双安定
性とは、強誘電性液晶を透明電極を有する二枚のガラス
基板間に狭持した場合に、印加する電界の向きに依存し
て二つの光学的な安定状態を有し、しかもこの二つの光
学的安定状態は、印加した電界を除去しても維持される
性質である。このような性質を有することから、強誘電
性液晶を用いた液晶素子は走査線の数を増大させてもコ
ントラスト比の低下やクロストークがないことが期待で
きる。
【０００７】もう一つの強誘電性液晶の特徴は、高速応
答性にある。すなわち強誘電性液晶の光学的応答は、強
誘電性液晶が有する自発分極と電場との直接的な相互作
用によって生じる液晶分子の配列の変化を利用するた
め、前述したＴＮ型・ＳＴＮ型液晶の場合の光学応答に
比較して、約１０００倍速い。
答性にある。すなわち強誘電性液晶の光学的応答は、強
誘電性液晶が有する自発分極と電場との直接的な相互作
用によって生じる液晶分子の配列の変化を利用するた
め、前述したＴＮ型・ＳＴＮ型液晶の場合の光学応答に
比較して、約１０００倍速い。
【０００８】すなわち強誘電性液晶素子は、（１）二つ
の光学的安定状態を示し、その光学的安定状態が電界を
除去してもそのまま保持され（双安定性）、（２) その
二つの光学的安定状態をマイクロ秒オーダーでスイッチ
ングする（高速応答性）という本質的な特徴を有する。
さらに強誘電性液晶素子は、（３) 液晶分子が基板に対
して平行な面内で応答し、セル厚も薄いので表示の視角
依存性が小さい（広視野角）という特徴も有している。
従って強誘電性液晶素子は、アクティブマトリクス方式
の場合のように高価な非線形素子を必要とせず、単純マ
トリクス方式で大表示容量と高表示品質を達成できる高
品質大型ディスプレイとして期待されている。
の光学的安定状態を示し、その光学的安定状態が電界を
除去してもそのまま保持され（双安定性）、（２) その
二つの光学的安定状態をマイクロ秒オーダーでスイッチ
ングする（高速応答性）という本質的な特徴を有する。
さらに強誘電性液晶素子は、（３) 液晶分子が基板に対
して平行な面内で応答し、セル厚も薄いので表示の視角
依存性が小さい（広視野角）という特徴も有している。
従って強誘電性液晶素子は、アクティブマトリクス方式
の場合のように高価な非線形素子を必要とせず、単純マ
トリクス方式で大表示容量と高表示品質を達成できる高
品質大型ディスプレイとして期待されている。
【０００９】このため現在までに強誘電性を示す液晶材
料に関して莫大な研究がなされ報告されている。強誘電
性液晶素子を実用化するためには、解決しなければなら
ない課題がいくつか存在しているが、特に良好な配向性
とメモリー性を示す液晶材料を提供することが要求され
ている。
料に関して莫大な研究がなされ報告されている。強誘電
性液晶素子を実用化するためには、解決しなければなら
ない課題がいくつか存在しているが、特に良好な配向性
とメモリー性を示す液晶材料を提供することが要求され
ている。
【００１０】
【本発明が解決しようとする課題】本発明は、配向性が
良好で、高コントラスト比を示し、メモリー性が優れた
強誘電性液晶組成物および該組成物を用いた液晶素子を
提供することを目的とする。
良好で、高コントラスト比を示し、メモリー性が優れた
強誘電性液晶組成物および該組成物を用いた液晶素子を
提供することを目的とする。
【００１１】
【課題を解決するための手段】本発明は次に記す発明か
らなる。 〔１〕下記一般式（Ｉ）
らなる。 〔１〕下記一般式（Ｉ）
【００１２】
【化８】 （式中、Ｒ11は炭素数５〜１５のアルキル基である。Ｒ
12は炭素数１〜１０のアルキル基または炭素数２〜１０
のアルコキシアルキル基であり、置換基としてハロゲン
原子を有していても良い。Ｘ1 は-O- 、-COO- または-O
CO- であり、Ａr 1 は、
12は炭素数１〜１０のアルキル基または炭素数２〜１０
のアルコキシアルキル基であり、置換基としてハロゲン
原子を有していても良い。Ｘ1 は-O- 、-COO- または-O
CO- であり、Ａr 1 は、
【００１３】
【化９】 のいずれかを示し、Ｙ11は-(CH2 )m- または-CH=CH-(CH
2 )n- である。Ｚは水素原子またはフッ素原子である。
Ｙ12は-O- 、-COO- または-OCO- である。ｐ、ｑ、ｒは
０または１である。ｍは０〜１０の整数、ｎは０〜８の
整数である。ここで記号＊は不斉炭素原子であることを
示している。）で示される化合物の少なくとも一種と、
下記一般式（ＩＩ）
2 )n- である。Ｚは水素原子またはフッ素原子である。
Ｙ12は-O- 、-COO- または-OCO- である。ｐ、ｑ、ｒは
０または１である。ｍは０〜１０の整数、ｎは０〜８の
整数である。ここで記号＊は不斉炭素原子であることを
示している。）で示される化合物の少なくとも一種と、
下記一般式（ＩＩ）
【００１４】
【化１０】 （式中、Ｒ21は炭素数５〜１５のアルキル基である。Ｒ
22は炭素数１〜２０のアルキル基または炭素数２〜２０
のアルコキシアルキル基である。Ｘ21は-O- 、-COO- ま
たは-OCO- であり、ｓは０または１である。Ｘ22は-COO
- または-OCO- である。ｔは０または１である。Ａr 2
は、
22は炭素数１〜２０のアルキル基または炭素数２〜２０
のアルコキシアルキル基である。Ｘ21は-O- 、-COO- ま
たは-OCO- であり、ｓは０または１である。Ｘ22は-COO
- または-OCO- である。ｔは０または１である。Ａr 2
は、
【００１５】
【化１１】 のいずれかである。Ｚは水素原子またはフッ素原子であ
る。t は０または１である。Ｙ21は-(CH2 )m- であり、
ｍはｔ＝１の場合０〜１０の整数であり、ｔ＝０の場合
０〜１１の整数である。Ｙ22は-O- または-OCO- であ
る。ｕは０または１である。ここで記号＊は不斉炭素原
子であることを示している。）で示される化合物および
下記一般式（ＩＩＩ）
る。t は０または１である。Ｙ21は-(CH2 )m- であり、
ｍはｔ＝１の場合０〜１０の整数であり、ｔ＝０の場合
０〜１１の整数である。Ｙ22は-O- または-OCO- であ
る。ｕは０または１である。ここで記号＊は不斉炭素原
子であることを示している。）で示される化合物および
下記一般式（ＩＩＩ）
【００１６】
【化１２】 （式中、Ｒ31は炭素数５〜１５のアルキル基である。Ｘ
3 は、-O- 、-COO- または-OCO- であり、ｖは０または
１である。Ｒ32は炭素数１〜２０のアルキル基または炭
素数２〜２０のアルコキシアルキル基である。Ａr
3 は、
3 は、-O- 、-COO- または-OCO- であり、ｖは０または
１である。Ｒ32は炭素数１〜２０のアルキル基または炭
素数２〜２０のアルコキシアルキル基である。Ａr
3 は、
【００１７】
【化１３】 のいずれかである。Ｚは水素原子またはフッ素原子であ
る。Ｙ31は-(CH2 )m- であり、ｍはｗ＝１の場合０〜１
０の整数であり、ｗ＝０の場合０〜１１の整数である。
Ｙ32は-O- または-OCO- である。ａは０または１であ
る。ここで記号＊は不斉炭素原子であることを示してい
る。）で示される化合物のどちらかまたは両方の少なく
とも一種を含有し、一般式（Ｉ）、一般式（ＩＩ）また
は一般式（ＩＩＩ）で示される化合物の組成比（モル基
準）が、（Ｉ）：（ＩＩ）＝（２０〜８０）：（８０〜
２０）、（Ｉ）：（ＩＩＩ）＝（２０〜８０）：（８０
〜２０）または（Ｉ）：〔（ＩＩ）＋（ＩＩＩ）〕＝
（２０〜８０）：（８０〜２０）である強誘電性カイラ
ルスメクチック液晶組成物。
る。Ｙ31は-(CH2 )m- であり、ｍはｗ＝１の場合０〜１
０の整数であり、ｗ＝０の場合０〜１１の整数である。
Ｙ32は-O- または-OCO- である。ａは０または１であ
る。ここで記号＊は不斉炭素原子であることを示してい
る。）で示される化合物のどちらかまたは両方の少なく
とも一種を含有し、一般式（Ｉ）、一般式（ＩＩ）また
は一般式（ＩＩＩ）で示される化合物の組成比（モル基
準）が、（Ｉ）：（ＩＩ）＝（２０〜８０）：（８０〜
２０）、（Ｉ）：（ＩＩＩ）＝（２０〜８０）：（８０
〜２０）または（Ｉ）：〔（ＩＩ）＋（ＩＩＩ）〕＝
（２０〜８０）：（８０〜２０）である強誘電性カイラ
ルスメクチック液晶組成物。
【００１８】〔２〕前記項〔１〕記載の一般式（Ｉ）で
あらわされる化合物の少なくとも一種と、下記一般式
（ＩＶ）
あらわされる化合物の少なくとも一種と、下記一般式
（ＩＶ）
【００１９】
【化１４】 （ただしＲ41は炭素数５〜１５のアルキル基を示す。Ｒ
42はハロゲン原子で置換されていてもよい炭素数１〜１
０のアルキル基または炭素数２〜１０のアルコキシアル
キル基を示す。Ｘ41は-O- 、-COO- 、-OCO- 、または単
結合であり、Ｘ42は-COO- または-OCO- であり、Ｙ41は
-(CH2 )m- である。ｍは１〜１０の整数である。３個の
Ｚはそれぞれ独立の水素原子またはフッ素原子を示す。
ｑは０または１を表す。ここで記号＊は不斉炭素原子で
あることを示す。）で示される化合物の少なくとも一種
とを含有し、一般式（Ｉ）および一般式（ＩＶ）で示さ
れる化合物の組成比（モル基準）が、（Ｉ）：（ＩＶ）
＝（１０〜７５）：（９０〜２５）であることを特徴と
する強誘電性カイラルスメクチック液晶組成物。
42はハロゲン原子で置換されていてもよい炭素数１〜１
０のアルキル基または炭素数２〜１０のアルコキシアル
キル基を示す。Ｘ41は-O- 、-COO- 、-OCO- 、または単
結合であり、Ｘ42は-COO- または-OCO- であり、Ｙ41は
-(CH2 )m- である。ｍは１〜１０の整数である。３個の
Ｚはそれぞれ独立の水素原子またはフッ素原子を示す。
ｑは０または１を表す。ここで記号＊は不斉炭素原子で
あることを示す。）で示される化合物の少なくとも一種
とを含有し、一般式（Ｉ）および一般式（ＩＶ）で示さ
れる化合物の組成比（モル基準）が、（Ｉ）：（ＩＶ）
＝（１０〜７５）：（９０〜２５）であることを特徴と
する強誘電性カイラルスメクチック液晶組成物。
【００２０】〔３〕前記項〔１〕記載の一般式（Ｉ）で
表される化合物で、ｑが１でかつｍが１以上で、Ｙ12が
-O- または-OCO- である化合物の少なくとも一種と、請
求項２記載の一般式（ＩＶ）で表される化合物の少なく
とも一種とを含有し、一般式（Ｉ）および一般式（Ｉ
Ｖ）で示される化合物の組成比（モル基準）が、
（Ｉ）：（ＩＶ）＝（１０〜７５）：（９０〜２５）で
あることを特徴とする強誘電性カイラルスメクチック液
晶組成物。
表される化合物で、ｑが１でかつｍが１以上で、Ｙ12が
-O- または-OCO- である化合物の少なくとも一種と、請
求項２記載の一般式（ＩＶ）で表される化合物の少なく
とも一種とを含有し、一般式（Ｉ）および一般式（Ｉ
Ｖ）で示される化合物の組成比（モル基準）が、
（Ｉ）：（ＩＶ）＝（１０〜７５）：（９０〜２５）で
あることを特徴とする強誘電性カイラルスメクチック液
晶組成物。
【００２１】〔４〕前記項〔１〕記載の一般式（Ｉ）で
示される化合物の少なくとも一種と、一般式（ＩＩ）お
よび一般式（ＩＩＩ）で示される化合物のどちらかまた
は両方の少なくとも一種と、前記項〔２〕記載の一般式
（ＩＶ）で示される化合物の少なくとも一種を含有し、
その組成比（モル基準）が、（Ｉ）：〔（ＩＩ）または
（ＩＩＩ）または（ＩＩ）＋（ＩＩＩ）〕：（ＩＶ）＝
（１０〜７５）：（８０〜１）：（９０〜１）（ただし
（Ｉ）＋〔（ＩＩ）または（ＩＩＩ）または（ＩＩ）＋
（ＩＩＩ）〕＋（ＩＶ）＝１００である）であることを
特徴とする強誘電性カイラルスメクチック液晶組成物。
示される化合物の少なくとも一種と、一般式（ＩＩ）お
よび一般式（ＩＩＩ）で示される化合物のどちらかまた
は両方の少なくとも一種と、前記項〔２〕記載の一般式
（ＩＶ）で示される化合物の少なくとも一種を含有し、
その組成比（モル基準）が、（Ｉ）：〔（ＩＩ）または
（ＩＩＩ）または（ＩＩ）＋（ＩＩＩ）〕：（ＩＶ）＝
（１０〜７５）：（８０〜１）：（９０〜１）（ただし
（Ｉ）＋〔（ＩＩ）または（ＩＩＩ）または（ＩＩ）＋
（ＩＩＩ）〕＋（ＩＶ）＝１００である）であることを
特徴とする強誘電性カイラルスメクチック液晶組成物。
【００２２】〔５〕前記項〔１〕、〔２〕、〔３〕また
は〔４〕記載の強誘電性カイラルスメクチック液晶組成
物を一対の電極基板間に挾持してなることを特徴とする
液晶素子。
は〔４〕記載の強誘電性カイラルスメクチック液晶組成
物を一対の電極基板間に挾持してなることを特徴とする
液晶素子。
【００２３】一般式（Ｉ）で示される化合物として、以
下に示す（１−１Ｈ）〜（１−１６Ｈ）、（１−１Ｆ）
〜（１−１６Ｆ）、（１−１７）〜（１−３２）、（１
−３３Ｈ）〜（１−４８Ｈ）、（１−３３Ｆ）〜（１−
４８Ｆ）、（１−４９）〜（１−６４）、（１−６５
Ｈ）〜（１−８０Ｈ）、（１−６５Ｆ）〜（１−８０
Ｆ）、（１−８１）〜（１−９６）、（１−９７Ｈ）〜
（１−１１２Ｈ）、（１−９７Ｆ）〜（１−１１２
Ｆ）、（１−１１３）〜（１−１２８）の番号を付した
化合物が挙げられる。
下に示す（１−１Ｈ）〜（１−１６Ｈ）、（１−１Ｆ）
〜（１−１６Ｆ）、（１−１７）〜（１−３２）、（１
−３３Ｈ）〜（１−４８Ｈ）、（１−３３Ｆ）〜（１−
４８Ｆ）、（１−４９）〜（１−６４）、（１−６５
Ｈ）〜（１−８０Ｈ）、（１−６５Ｆ）〜（１−８０
Ｆ）、（１−８１）〜（１−９６）、（１−９７Ｈ）〜
（１−１１２Ｈ）、（１−９７Ｆ）〜（１−１１２
Ｆ）、（１−１１３）〜（１−１２８）の番号を付した
化合物が挙げられる。
【００２４】これらの一般式（Ｉ）で示される化合物
は、例えば特開平４−１２８２６７、特開平４−１７８
３６９号公報等に記載の方法で合成することができる。
は、例えば特開平４−１２８２６７、特開平４−１７８
３６９号公報等に記載の方法で合成することができる。
【００２５】一般式（ＩＩ）で示される化合物として、
以下に示す（２−１Ｈ）〜（２−１６Ｈ）、（２−１
Ｆ）〜（２−１６Ｆ）、（２−１７）〜（２−３２）、
（２−３３Ｈ）〜（２−４８Ｈ）、（２−３３Ｆ）〜
（２−４８Ｆ）、（２−４９）〜（２−６４）の番号を
付した化合物が挙げられる。一般式（ＩＩＩ）で示され
る化合物として、以下に示す（３−１Ｈ）〜（３−２４
Ｈ）、（３−１Ｆ）〜（３−２４Ｆ）、（３−２５）〜
（３−４８）の番号を付した化合物が挙げられる。一般
式（ＩＩ）または（ＩＩＩ）で示される化合物は、例え
ば特開昭５６−５３６６、特開平２−１７４７６６号公
報等に記載の方法で合成することができる。
以下に示す（２−１Ｈ）〜（２−１６Ｈ）、（２−１
Ｆ）〜（２−１６Ｆ）、（２−１７）〜（２−３２）、
（２−３３Ｈ）〜（２−４８Ｈ）、（２−３３Ｆ）〜
（２−４８Ｆ）、（２−４９）〜（２−６４）の番号を
付した化合物が挙げられる。一般式（ＩＩＩ）で示され
る化合物として、以下に示す（３−１Ｈ）〜（３−２４
Ｈ）、（３−１Ｆ）〜（３−２４Ｆ）、（３−２５）〜
（３−４８）の番号を付した化合物が挙げられる。一般
式（ＩＩ）または（ＩＩＩ）で示される化合物は、例え
ば特開昭５６−５３６６、特開平２−１７４７６６号公
報等に記載の方法で合成することができる。
【００２６】一般式（Ｉ）で示される化合物と一般式
（ＩＩ）または（ＩＩＩ）で示される化合物とを組み合
わせることにより、コントラスト比の向上を達成するこ
とができる。
（ＩＩ）または（ＩＩＩ）で示される化合物とを組み合
わせることにより、コントラスト比の向上を達成するこ
とができる。
【００２７】一般式（Ｉ）で示される化合物としては、
前記した具体例のうち、（１−５Ｈ）〜（１−１２
Ｈ）、（１−５Ｆ）〜（１−１２Ｆ）、（１−２１）〜
（１−２８）、（１−３７Ｈ）〜（１−４４Ｈ）、（１
−３７Ｆ）〜（１−４４Ｆ）、（１−５３）〜（１−６
０）、（１−６９Ｈ）〜（１−７６Ｈ）、（１−６９
Ｆ）〜（１−７６Ｆ）、（１−８５）〜（１−９２）、
（１−１０１Ｈ）〜（１−１０８Ｈ）、（１−１０１
Ｆ）〜（１−１０８Ｆ）、（１−１１７）〜（１−１２
４）の化合物が好ましい。さらに好ましい化合物とし
て、（１−５Ｈ）、（１−９Ｈ）、（１−５Ｆ）、（１
−９Ｆ）、（１−２１）、（１−２４）、（１−２
５）、（１−２８）、（１−３７Ｈ）、（１−４１
Ｆ）、（１−５３）、（１−５６）、（１−５７）、
（１−６０）、（１−６９Ｈ）、（１−７３Ｈ）、（１
−８５）、（１−８９）、（１−１０１Ｈ）、（１−１
０５Ｈ）、（１−１０１Ｆ）、（１−１０５Ｆ）、（１
−１１７）、（１−１２１）の化合物が挙げられる。
前記した具体例のうち、（１−５Ｈ）〜（１−１２
Ｈ）、（１−５Ｆ）〜（１−１２Ｆ）、（１−２１）〜
（１−２８）、（１−３７Ｈ）〜（１−４４Ｈ）、（１
−３７Ｆ）〜（１−４４Ｆ）、（１−５３）〜（１−６
０）、（１−６９Ｈ）〜（１−７６Ｈ）、（１−６９
Ｆ）〜（１−７６Ｆ）、（１−８５）〜（１−９２）、
（１−１０１Ｈ）〜（１−１０８Ｈ）、（１−１０１
Ｆ）〜（１−１０８Ｆ）、（１−１１７）〜（１−１２
４）の化合物が好ましい。さらに好ましい化合物とし
て、（１−５Ｈ）、（１−９Ｈ）、（１−５Ｆ）、（１
−９Ｆ）、（１−２１）、（１−２４）、（１−２
５）、（１−２８）、（１−３７Ｈ）、（１−４１
Ｆ）、（１−５３）、（１−５６）、（１−５７）、
（１−６０）、（１−６９Ｈ）、（１−７３Ｈ）、（１
−８５）、（１−８９）、（１−１０１Ｈ）、（１−１
０５Ｈ）、（１−１０１Ｆ）、（１−１０５Ｆ）、（１
−１１７）、（１−１２１）の化合物が挙げられる。
【００２８】一般式（ＩＩ）で示される化合物として
は、前記した具体例のうち、（２−５Ｈ）〜（２−１２
Ｈ）、（２−５Ｆ）〜（２−１２Ｆ）、（２−２１）〜
（２−２８）、（２−３７Ｈ）〜（２−４４Ｈ）、（２
−３７Ｆ）〜（２−４４Ｆ）、（２−５３）〜（２−６
０）の化合物が好ましい。さらに好ましい化合物とし
て、（２−５Ｈ）、（２−８Ｈ）、（２−５Ｆ）、（２
−８Ｆ）、（２−２１）、（２−２４）、（２−３７
Ｈ）、（２−４０Ｈ）、（２−３７Ｆ）、（２−４０
Ｆ）、（２−５３）、（２−５６）の化合物が挙げられ
る。
は、前記した具体例のうち、（２−５Ｈ）〜（２−１２
Ｈ）、（２−５Ｆ）〜（２−１２Ｆ）、（２−２１）〜
（２−２８）、（２−３７Ｈ）〜（２−４４Ｈ）、（２
−３７Ｆ）〜（２−４４Ｆ）、（２−５３）〜（２−６
０）の化合物が好ましい。さらに好ましい化合物とし
て、（２−５Ｈ）、（２−８Ｈ）、（２−５Ｆ）、（２
−８Ｆ）、（２−２１）、（２−２４）、（２−３７
Ｈ）、（２−４０Ｈ）、（２−３７Ｆ）、（２−４０
Ｆ）、（２−５３）、（２−５６）の化合物が挙げられ
る。
【００２９】一般式（ＩＩＩ）で示される化合物として
は、前記した具体例のうち、（３−５Ｈ）〜（３−２０
Ｈ）、（３−５Ｆ）〜（３−２０Ｆ）、（３−２９）〜
（３−４４）の化合物が好ましい。さらに好ましい化合
物として、（３−５Ｈ）、（３−８Ｈ）、（３−５
Ｆ）、（３−８Ｆ）、（３−２９）、（３−３２）の化
合物が挙げられる。
は、前記した具体例のうち、（３−５Ｈ）〜（３−２０
Ｈ）、（３−５Ｆ）〜（３−２０Ｆ）、（３−２９）〜
（３−４４）の化合物が好ましい。さらに好ましい化合
物として、（３−５Ｈ）、（３−８Ｈ）、（３−５
Ｆ）、（３−８Ｆ）、（３−２９）、（３−３２）の化
合物が挙げられる。
【００３０】一般式（ＩＶ）で示される化合物として、
以下に示す（４−１Ｈ）〜（４−１６Ｈ）、（４−１
Ｆ）〜（４−１６Ｆ）の番号を付した化合物が挙げられ
る。
以下に示す（４−１Ｈ）〜（４−１６Ｈ）、（４−１
Ｆ）〜（４−１６Ｆ）の番号を付した化合物が挙げられ
る。
【００３１】
【化１５】
【００３２】
【化１６】
【００３３】
【化１７】
【００３４】
【化１８】
【００３５】
【化１９】
【００３６】
【化２０】
【００３７】
【化２１】
【００３８】
【化２２】
【００３９】
【化２３】
【００４０】
【化２４】
【００４１】
【化２５】
【００４２】
【化２６】
【００４３】
【化２７】
【００４４】
【化２８】
【００４５】
【化２９】
【００４６】
【化３０】
【００４７】
【化３１】
【００４８】
【化３２】
【００４９】
【化３３】
【００５０】
【化３４】
【００５１】
【化３５】
【００５２】
【化３６】
【００５３】
【化３７】
【００５４】
【化３８】
【００５５】
【化３９】
【００５６】
【化４０】
【００５７】
【化４１】
【００５８】
【化４２】
【００５９】
【化４３】
【００６０】
【化４４】
【００６１】
【化４５】
【００６２】
【化４６】
【００６３】
【化４７】
【００６４】
【化４８】
【００６５】
【化４９】
【００６６】
【化５０】
【００６７】
【化５１】
【００６８】
【化５２】
【００６９】
【化５３】
【００７０】
【化５４】
【００７１】
【化５５】
【００７２】
【化５６】
【００７３】
【化５７】
【００７４】
【化５８】
【００７５】
【化５９】
【００７６】
【化６０】
【００７７】本発明の強誘電性カイラルスメクチック液
晶組成物には他の液晶性化合物または非液晶性化合物を
混合することができる。用いられる他の液晶性化合物ま
たは非液晶性化合物は、特に限定されるものではない
が、具体例としては例えば以下の一般式（Ｖ）、（Ｖ
Ｉ）で示される化合物を用いることができる。ただし、
一般式（Ｖ）、（ＶＩ）で示される化合物のうち、一般
式（ＩＩ）、（ＩＩＩ）で示される化合物は除く。一般
式（Ｖ）、（ＶＩ）で示される化合物の配合量は特に限
定されないが、好ましくは液晶組成物中５〜６０モル％
である。
晶組成物には他の液晶性化合物または非液晶性化合物を
混合することができる。用いられる他の液晶性化合物ま
たは非液晶性化合物は、特に限定されるものではない
が、具体例としては例えば以下の一般式（Ｖ）、（Ｖ
Ｉ）で示される化合物を用いることができる。ただし、
一般式（Ｖ）、（ＶＩ）で示される化合物のうち、一般
式（ＩＩ）、（ＩＩＩ）で示される化合物は除く。一般
式（Ｖ）、（ＶＩ）で示される化合物の配合量は特に限
定されないが、好ましくは液晶組成物中５〜６０モル％
である。
【００７８】
【化６１】 ここで、
【００７９】
【化６２】 は、
【００８０】
【化６３】 または、
【００８１】
【化６４】 を表し、
【００８２】
【化６５】 の水素原子はハロゲン原子、メチル基またはトリフルオ
ロメチル基で置き換えられていてもよい。ｍは０または
１である。Ｘ51、Ｘ53は、それぞれ独立に単結合、-O-
、-COO- 、-OCO- または-OCOO-でである。Ｘ52は、単
結合、-COO- 、-OCO- 、-OCH2 - または -CH2 O-であ
る。Ｒ51、Ｒ52は炭素数１〜１８の直鎖状または分岐状
のアルキル基であり、該アルキル基の一つまたは隣接し
ない二つ以上のメチレン基の水素原子はハロゲン原子、
メチル基またはトリフルオロメチル基で置き換えられて
いてもよい。さらにＸ51、Ｘ53と直接結合するメチレン
基を除く一つまたは隣接しない二つ以上のメチレン基
は、-O- 、-CO-、-COO- または-OCO- 等により置き換え
られていてもよい。ただしＲ51、Ｒ52の一つのメチレン
基の水素原子をハロゲン原子で置き換えた場合は、
Ｘ51、Ｘ53は単結合ではない。
ロメチル基で置き換えられていてもよい。ｍは０または
１である。Ｘ51、Ｘ53は、それぞれ独立に単結合、-O-
、-COO- 、-OCO- または-OCOO-でである。Ｘ52は、単
結合、-COO- 、-OCO- 、-OCH2 - または -CH2 O-であ
る。Ｒ51、Ｒ52は炭素数１〜１８の直鎖状または分岐状
のアルキル基であり、該アルキル基の一つまたは隣接し
ない二つ以上のメチレン基の水素原子はハロゲン原子、
メチル基またはトリフルオロメチル基で置き換えられて
いてもよい。さらにＸ51、Ｘ53と直接結合するメチレン
基を除く一つまたは隣接しない二つ以上のメチレン基
は、-O- 、-CO-、-COO- または-OCO- 等により置き換え
られていてもよい。ただしＲ51、Ｒ52の一つのメチレン
基の水素原子をハロゲン原子で置き換えた場合は、
Ｘ51、Ｘ53は単結合ではない。
【００８３】一般式（Ｖ）で示される化合物の具体例と
しては、例えば以下に示す（５−１）〜（５−６）の番
号を付した化合物が挙げられる。一般式（ＶＩ）で示さ
れる化合物は次式で示される。
しては、例えば以下に示す（５−１）〜（５−６）の番
号を付した化合物が挙げられる。一般式（ＶＩ）で示さ
れる化合物は次式で示される。
【００８４】
【化６６】
【００８５】ここで、フェニレン基の水素原子はハロゲ
ン原子、メチル基またはトリフルオロメチル基で置き換
えられていてもよい。ｋは０または１である。Ｘ61、Ｘ
64は単結合、-O- 、-COO- 、-OCO- または-OCOO-であ
る。Ｘ62、Ｘ63は単結合、-COO- 、-OCO- 、-OCH2 - 、
-CH2 O-、 -CH2 CH2 - 、-COS- 、-SCO- 、-(CH2 ) 2
COS-、 -CH2 COO-または-CH=CH-COO- である。Ｒ61、Ｒ
62は炭素数１〜１８の直鎖状または分岐状のアルキル基
であり、該アルキル基の一つまたは隣接しない二つ以上
のメチレン基の水素原子はハロゲン原子、メチル基また
はトリフルオロメチル基で置き換えられていてもよい。
さらにＸ61、Ｘ64と直接結合するメチレン基を除く一つ
または隣接しない二つ以上のメチレン基は、-O- 、-CO-
、-COO- または-OCO- 等により置き換えられていても
よい。ただし、Ｒ61、Ｒ62の一つのメチレン基の水素原
子をハロゲン原子で置き換えた場合は、Ｘ61、Ｘ64は単
結合ではない。
ン原子、メチル基またはトリフルオロメチル基で置き換
えられていてもよい。ｋは０または１である。Ｘ61、Ｘ
64は単結合、-O- 、-COO- 、-OCO- または-OCOO-であ
る。Ｘ62、Ｘ63は単結合、-COO- 、-OCO- 、-OCH2 - 、
-CH2 O-、 -CH2 CH2 - 、-COS- 、-SCO- 、-(CH2 ) 2
COS-、 -CH2 COO-または-CH=CH-COO- である。Ｒ61、Ｒ
62は炭素数１〜１８の直鎖状または分岐状のアルキル基
であり、該アルキル基の一つまたは隣接しない二つ以上
のメチレン基の水素原子はハロゲン原子、メチル基また
はトリフルオロメチル基で置き換えられていてもよい。
さらにＸ61、Ｘ64と直接結合するメチレン基を除く一つ
または隣接しない二つ以上のメチレン基は、-O- 、-CO-
、-COO- または-OCO- 等により置き換えられていても
よい。ただし、Ｒ61、Ｒ62の一つのメチレン基の水素原
子をハロゲン原子で置き換えた場合は、Ｘ61、Ｘ64は単
結合ではない。
【００８６】化合物（ＶＩ）の具体例としては、以下に
記す（６−１）〜（６−１８）の番号を付した化合物を
挙げることができる。
記す（６−１）〜（６−１８）の番号を付した化合物を
挙げることができる。
【００８７】
【化６７】
【００８８】
【化６８】
【００８９】本発明の強誘電性カイラルスメクチック液
晶組成物に用いられる他の液晶性化合物または非液晶性
化合物の具体例を示したが、本発明はこれらの例に限定
されるものではない。
晶組成物に用いられる他の液晶性化合物または非液晶性
化合物の具体例を示したが、本発明はこれらの例に限定
されるものではない。
【００９０】本発明の液晶素子は種々のタイプの液晶素
子、表示装置として利用することができる。液晶素子の
構造は特に限定されるものではない。図１に強誘電性液
晶素子の一例の概略図を示す。図１において、１は偏光
板、２はガラス基板、３は透明電極、４は絶縁性の配向
制御膜、５は強誘電性液晶、６はスペーサーである。
子、表示装置として利用することができる。液晶素子の
構造は特に限定されるものではない。図１に強誘電性液
晶素子の一例の概略図を示す。図１において、１は偏光
板、２はガラス基板、３は透明電極、４は絶縁性の配向
制御膜、５は強誘電性液晶、６はスペーサーである。
【００９１】図１に記載したような構造をもつ液晶素子
の一つの例として表面安定化型強誘電性液晶表示装置を
挙げることができる。この表示装置は、二枚のガラス基
板２の間の間隔を極めて薄くしたセルに強誘電性液晶を
水平配向するようにつめたものである。強誘電性液晶層
５の厚さは、二枚のガラス基板２の間隔とそれらの上で
強誘電性液晶層５の方向に設置された透明電極３と絶縁
性配向膜４の厚みのみで決定され、好ましくは０．５〜
２０μｍ、さらに好ましくは１〜５μｍである。
の一つの例として表面安定化型強誘電性液晶表示装置を
挙げることができる。この表示装置は、二枚のガラス基
板２の間の間隔を極めて薄くしたセルに強誘電性液晶を
水平配向するようにつめたものである。強誘電性液晶層
５の厚さは、二枚のガラス基板２の間隔とそれらの上で
強誘電性液晶層５の方向に設置された透明電極３と絶縁
性配向膜４の厚みのみで決定され、好ましくは０．５〜
２０μｍ、さらに好ましくは１〜５μｍである。
【００９２】透明電極３は、強誘電性液晶層５の側のガ
ラス基板２の上に被覆されており、ＩＴＯ膜（酸化イン
ジウム・酸化スズ膜）、酸化インジウム膜、酸化スズ膜
等が用いられている。透明電極３の強誘電性液晶層５の
側には、絶縁性配向膜４が設置されている。この際、配
向膜がそれ単独で充分な絶縁性を有する場合には、配向
膜のみでよいが、必要に応じて配向膜と配向膜の下に絶
縁膜を設置し、その両者で絶縁性配向膜としてもかまわ
ない。
ラス基板２の上に被覆されており、ＩＴＯ膜（酸化イン
ジウム・酸化スズ膜）、酸化インジウム膜、酸化スズ膜
等が用いられている。透明電極３の強誘電性液晶層５の
側には、絶縁性配向膜４が設置されている。この際、配
向膜がそれ単独で充分な絶縁性を有する場合には、配向
膜のみでよいが、必要に応じて配向膜と配向膜の下に絶
縁膜を設置し、その両者で絶縁性配向膜としてもかまわ
ない。
【００９３】配向膜としては、有機物、無機物、低分
子、高分子等、公知のものを使用することができる。高
分子物質としては、例えばポリイミド、ポリアミド、ポ
リアミドイミド、ポリビニルアルコール、ポリスチレ
ン、ポリエステル、ポリエステルイミドや種々のフォト
レジスト等を必要に応じて用いることができる。
子、高分子等、公知のものを使用することができる。高
分子物質としては、例えばポリイミド、ポリアミド、ポ
リアミドイミド、ポリビニルアルコール、ポリスチレ
ン、ポリエステル、ポリエステルイミドや種々のフォト
レジスト等を必要に応じて用いることができる。
【００９４】またこれらの高分子物質を配向膜として用
いた場合には必要に応じてこれら配向膜の表面を、ガー
ゼやアセテート植毛布等を用いて、一方向にこする、い
わゆるラビング処理を行なうことによって液晶分子の配
向をより一層促進することができる。
いた場合には必要に応じてこれら配向膜の表面を、ガー
ゼやアセテート植毛布等を用いて、一方向にこする、い
わゆるラビング処理を行なうことによって液晶分子の配
向をより一層促進することができる。
【００９５】絶縁膜としては、例えば、チタン酸化物、
アルミニウム酸化物、ジルコニウム酸化物、シリコン酸
化物、シリコン窒化物等を用いることができる。
アルミニウム酸化物、ジルコニウム酸化物、シリコン酸
化物、シリコン窒化物等を用いることができる。
【００９６】これらの配向膜や絶縁膜を形成する方法と
しては、必要に応じて、それら用いる物質によって最適
な方法を用いることができる。例えば、高分子物質の場
合には、その高分子物質またはその前駆体を、それらの
物質を溶解できる溶媒に溶解後、スクリーン印刷法、ス
ピンナー塗布法、浸漬法等の方法で塗布することができ
る。無機物質の場合には、浸漬法、蒸着法、斜方蒸着法
等を用いることができる。これら絶縁性配向膜の厚み
は、特に限定されるものでなく、好ましくは１０Å〜２
０μｍ、さらに好ましくは２０Å〜１０００Åの範囲か
ら選ばれる。
しては、必要に応じて、それら用いる物質によって最適
な方法を用いることができる。例えば、高分子物質の場
合には、その高分子物質またはその前駆体を、それらの
物質を溶解できる溶媒に溶解後、スクリーン印刷法、ス
ピンナー塗布法、浸漬法等の方法で塗布することができ
る。無機物質の場合には、浸漬法、蒸着法、斜方蒸着法
等を用いることができる。これら絶縁性配向膜の厚み
は、特に限定されるものでなく、好ましくは１０Å〜２
０μｍ、さらに好ましくは２０Å〜１０００Åの範囲か
ら選ばれる。
【００９７】これら絶縁性配向膜４および透明電極３を
設置した二枚のガラス基板３は、スペーサー６を介して
所定の間隔に保持される。スペーサーとしては、シリ
カ、アルミナ、高分子よりなり、所定の直径または厚み
を有するビーズ、ファイバーまたはフィルム状の絶縁性
の材料を用いることができる。これらスペーサー６を２
枚のガラス基板２で挟持し、周囲を例えばエポキシ系接
着剤等を用いてシールした後、強誘電性液晶を封入する
ことができる。
設置した二枚のガラス基板３は、スペーサー６を介して
所定の間隔に保持される。スペーサーとしては、シリ
カ、アルミナ、高分子よりなり、所定の直径または厚み
を有するビーズ、ファイバーまたはフィルム状の絶縁性
の材料を用いることができる。これらスペーサー６を２
枚のガラス基板２で挟持し、周囲を例えばエポキシ系接
着剤等を用いてシールした後、強誘電性液晶を封入する
ことができる。
【００９８】二枚のガラス基板の外側には、通常一枚ま
たは二枚の偏光板１が設置されている。二色性色素を添
加するゲスト−ホスト法の場合は用いる偏光板は一枚
で、複屈折法の場合は用いる偏光板は二枚である。図１
には二枚の偏光板を用いた場合が例示されている。この
際二枚の偏光板は互いの偏光軸を直交させた状態、すな
わちクロスニコル状態となっている。透明電極３は、適
当なリード線が接続されており、外部の駆動回路に接続
されている。
たは二枚の偏光板１が設置されている。二色性色素を添
加するゲスト−ホスト法の場合は用いる偏光板は一枚
で、複屈折法の場合は用いる偏光板は二枚である。図１
には二枚の偏光板を用いた場合が例示されている。この
際二枚の偏光板は互いの偏光軸を直交させた状態、すな
わちクロスニコル状態となっている。透明電極３は、適
当なリード線が接続されており、外部の駆動回路に接続
されている。
【００９９】
【実施例】以下、実施例により、本発明に関してより詳
細に述べるが、本発明はこれらの実施例に限定されるも
のではない。
細に述べるが、本発明はこれらの実施例に限定されるも
のではない。
【０１００】実施例１ 下記化合物を下記の比率で混合し、液晶組成物（１−
ａ）を調製した。
ａ）を調製した。
【表１】
【０１０１】この組成物を、ガラス基板上に透明電極と
ポリイミド配向膜を塗布した、二枚のガラス基板間にス
ペーサーを用いてギャップが２μｍになるように挟持
し、この二枚のガラス基板のそれぞれ外側に偏光面が９
０゜回転した状態で二枚の偏光板を設置し液晶素子を作
製した。この際、光の入射側の偏光軸はポリイミド配向
膜のラビング方向に一致するように設置した。次にこの
液晶素子を用いてコントラスト比を測定した。コントラ
スト比の測定法は以下のとおりである。この液晶素子に
光を入射し、＋２０Ｖの直流電界を印加した場合の出射
光の強度をフォトマルで計測し、出射光強度が最小にな
るように液晶素子を回転させた。この時の出射光強度を
暗状態の値とし、暗状態から液晶素子を４５°回転させ
たときの出射光強度を明状態の値とし、これらの強度比
よりコントラスト比を求めた。このような評価法では、
液晶のティルト角の大きさの違いによるコントラスト比
の違いを考慮する必要がなくなり、液晶材料の配向性を
直接比較することができる。測定結果を以下に示す。
ポリイミド配向膜を塗布した、二枚のガラス基板間にス
ペーサーを用いてギャップが２μｍになるように挟持
し、この二枚のガラス基板のそれぞれ外側に偏光面が９
０゜回転した状態で二枚の偏光板を設置し液晶素子を作
製した。この際、光の入射側の偏光軸はポリイミド配向
膜のラビング方向に一致するように設置した。次にこの
液晶素子を用いてコントラスト比を測定した。コントラ
スト比の測定法は以下のとおりである。この液晶素子に
光を入射し、＋２０Ｖの直流電界を印加した場合の出射
光の強度をフォトマルで計測し、出射光強度が最小にな
るように液晶素子を回転させた。この時の出射光強度を
暗状態の値とし、暗状態から液晶素子を４５°回転させ
たときの出射光強度を明状態の値とし、これらの強度比
よりコントラスト比を求めた。このような評価法では、
液晶のティルト角の大きさの違いによるコントラスト比
の違いを考慮する必要がなくなり、液晶材料の配向性を
直接比較することができる。測定結果を以下に示す。
【０１０２】
【表２】 表２．コントラスト比の比較 ────────────────────────── 組成物１−ａ 化合物Ｉ−１ 化合物ＩＩ−１ ３７ ３ １ ────────────────────────── 表２に記載したコントラスト比の測定値から明らかなよ
うに、化合物（Ｉ）の具体例である化合物Ｉ−１と化合
物（ＩＩ）の具体例である化合物ＩＩ−１とよりなる組
成物（１−ａ）を調製して用いることにより、それぞれ
の化合物を単独で用いるよりもコントラスト比が改善さ
れた液晶素子を得ることができた。
うに、化合物（Ｉ）の具体例である化合物Ｉ−１と化合
物（ＩＩ）の具体例である化合物ＩＩ−１とよりなる組
成物（１−ａ）を調製して用いることにより、それぞれ
の化合物を単独で用いるよりもコントラスト比が改善さ
れた液晶素子を得ることができた。
【０１０３】実施例２ 下記化合物を下記の比率で混合し、液晶組成物（２−
ａ）を調製した。
ａ）を調製した。
【表３】
【０１０４】この組成物を用いて実施例１と同様の方法
で強誘電性液晶素子を作製した。次にこの強誘電性液晶
素子を用いてコントラスト比を測定した。測定結果を次
に示す。
で強誘電性液晶素子を作製した。次にこの強誘電性液晶
素子を用いてコントラスト比を測定した。測定結果を次
に示す。
【表４】 表４．コントラスト比の比較 ────────────────────────── 組成物２−ａ 化合物Ｉ−２ 化合物ＩＩ−２ １１ ３ ２ ────────────────────────── 表４に記載したコントラスト比の測定値から明らかなよ
うに、化合物（Ｉ）の具体例である化合物Ｉ−２と化合
物（ＩＩ）の具体例である化合物ＩＩ−２とよりなる組
成物（２−ａ）を調整して用いることにより、それぞれ
の化合物を単独で用いるよりもコントラスト比が改善さ
れた液晶素子を得ることができた。
うに、化合物（Ｉ）の具体例である化合物Ｉ−２と化合
物（ＩＩ）の具体例である化合物ＩＩ−２とよりなる組
成物（２−ａ）を調整して用いることにより、それぞれ
の化合物を単独で用いるよりもコントラスト比が改善さ
れた液晶素子を得ることができた。
【０１０５】実施例３ 下記化合物を下記の比率で混合し、液晶組成物（３−
ａ）を調製した。
ａ）を調製した。
【表５】
【０１０６】この組成物を用いて実施例１と同様の方法
で強誘電性液晶素子を作製し、この強誘電性液晶素子を
用いてコントラスト比を測定した。また比較のために、
液晶組成物（３−ａ）に化合物（ＩＩ−３）を下記の比
率で混合し、液晶組成物（３−ｂ）を調製した。
で強誘電性液晶素子を作製し、この強誘電性液晶素子を
用いてコントラスト比を測定した。また比較のために、
液晶組成物（３−ａ）に化合物（ＩＩ−３）を下記の比
率で混合し、液晶組成物（３−ｂ）を調製した。
【表６】
【０１０７】この組成物（３−ｂ）を用いて実施例１と
同様の方法で強誘電性液晶素子を作製した。次にこの強
誘電性液晶素子を用いてコントラスト比を測定した。測
定結果を次に記す。
同様の方法で強誘電性液晶素子を作製した。次にこの強
誘電性液晶素子を用いてコントラスト比を測定した。測
定結果を次に記す。
【表７】 表７．コントラストの比較 ────────────────────────── 組成物３−ａ 化合物３−ｂ 化合物ＩＩ−３ ４ ４４ １ ────────────────────────── 表７に記載したコントラスト比の測定値から明らかなよ
うに、本発明に関わる液晶組成物の方は、コントラスト
比が高く、優れている。
うに、本発明に関わる液晶組成物の方は、コントラスト
比が高く、優れている。
【０１０８】実施例４ 化合物（ＩＩ−４）を実施例３で調整した組成物（３−
ａ）に下記の比率で混合し、液晶組成物（４−ａ）を調
製した。
ａ）に下記の比率で混合し、液晶組成物（４−ａ）を調
製した。
【表８】
【０１０９】この液晶組成物（４−ａ）を用いて実施例
１と同様の方法で強誘電性液晶素子を作製した。次にこ
の強誘電性液晶素子を用いてコントラスト比を測定し
た。測定結果を次に示す。
１と同様の方法で強誘電性液晶素子を作製した。次にこ
の強誘電性液晶素子を用いてコントラスト比を測定し
た。測定結果を次に示す。
【表９】 表９．コントラスト比の比較 ────────────────────────── 組成物４−ａ 組成物３−ａ 化合物ＩＩ−４ １２ ４ − ────────────────────────── 表９に記載したコントラスト比の測定値から明らかなよ
うに、本発明に関わる液晶組成物の方はコントラスト比
が高く優れている。
うに、本発明に関わる液晶組成物の方はコントラスト比
が高く優れている。
【０１１０】実施例５ 化合物ＩＩの具体例である下記化合物を下記の比率で混
合し、液晶組成物（５−ａ）を調製した。
合し、液晶組成物（５−ａ）を調製した。
【表１０】
【０１１１】この液晶組成物（５−ａ）を用いて実施例
１と同様の方法で強誘電性液晶素子を作製した。次にこ
の強誘電性液晶素子を用いてコントラスト比を測定し
た。また比較のために、液晶組成物（５−ａ）に化合物
（Ｉ−５）を下記の比率で混合し、液晶組成物（５−
ｂ）を調製した。
１と同様の方法で強誘電性液晶素子を作製した。次にこ
の強誘電性液晶素子を用いてコントラスト比を測定し
た。また比較のために、液晶組成物（５−ａ）に化合物
（Ｉ−５）を下記の比率で混合し、液晶組成物（５−
ｂ）を調製した。
【表１１】
【０１１２】この液晶組成物（５−ｂ）を用いて実施例
１と同様の方法で強誘電性液晶素子を作製した。次にこ
の強誘電性液晶素子を用いてコントラスト比を測定し
た。測定結果を次に示す。
１と同様の方法で強誘電性液晶素子を作製した。次にこ
の強誘電性液晶素子を用いてコントラスト比を測定し
た。測定結果を次に示す。
【表１２】 表１２．コントラスト比の比較 ────────────────────────── 組成物５−ｂ 組成物３−ａ 化合物ＩＩ−５ ２０ １ １ ────────────────────────── 表１２に記載したコントラスト比の測定値から明らかな
ように、本発明に関わる液晶組成物の方はコントラスト
比が高く優れている。
ように、本発明に関わる液晶組成物の方はコントラスト
比が高く優れている。
【０１１３】実施例６ 下記化合物を下記の比率で混合し、液晶組成物（６−
ａ）を調製した。
ａ）を調製した。
【表１３】
【０１１４】この液晶組成物を用いて実施例１と同様の
方法で強誘電性液晶素子を作製し、この強誘電性液晶素
子を用いてコントラスト比を測定した。また比較のため
に、液晶組成物（６−ａ）に化合物（ＩＩ−７）を下記
の比率で混合し、液晶組成物（６−ｂ）を調製した。
方法で強誘電性液晶素子を作製し、この強誘電性液晶素
子を用いてコントラスト比を測定した。また比較のため
に、液晶組成物（６−ａ）に化合物（ＩＩ−７）を下記
の比率で混合し、液晶組成物（６−ｂ）を調製した。
【表１４】
【０１１５】この液晶組成物（６−ｂ）を用いて実施例
１と同様の方法で強誘電性液晶素子を作製した。次にこ
の強誘電性液晶素子を用いてコントラスト比を測定し
た。測定結果を次に示す。化合物（ＩＩ−７）は単独で
カイラルスメクチックＣ相を示さないので、この化合物
のコントラスト比は測定できない。
１と同様の方法で強誘電性液晶素子を作製した。次にこ
の強誘電性液晶素子を用いてコントラスト比を測定し
た。測定結果を次に示す。化合物（ＩＩ−７）は単独で
カイラルスメクチックＣ相を示さないので、この化合物
のコントラスト比は測定できない。
【表１５】 表１５．コントラスト比の比較 ────────────────────────── 組成物６−ｂ 化合物ＩＩ−７ 組成物６−ａ ６４ − ４３ ────────────────────────── 表１５に記載したコントラスト比の測定値から明らかな
ように、本発明に関わる液晶組成物の方はコントラスト
比が高く優れている。
ように、本発明に関わる液晶組成物の方はコントラスト
比が高く優れている。
【０１１６】実施例７ 下記化合物を下記の比率で混合し、液晶組成物（７−
ａ）を調製した。
ａ）を調製した。
【表１６】
【０１１７】この液晶組成物（７−ａ）を用いて実施例
１と同様の方法で強誘電性液晶素子を作製した。次にこ
の強誘電性液晶素子を用いて、ピーク・ツ・ピーク電圧
Ｖp-p ＝±１０Ｖ／μｍの双極性パルス波形を印加し、
その時観察される透過光量の変化より２０℃でメモリー
率を測定した。印加したパルス波形は書き込みパルスと
バイアスパルスから構成されており、書き込みパルスと
バイアスパルスのパルス高は４：１に設定し、一周期間
中にそれぞれのパルスを１：４９９の比率で印加した。
暗状態への書き込みパルスが印加された際の透過光量を
Ｙ1 、暗状態への書き込みパルスが印加される直前の透
過光量をＹ2 、明状態への書き込みパルスを印加する直
前の透過光量をＹ3 、明状態への書き込みパルスが印加
された際の透過光量をＹ4 としたとき、（Ｙ3 −Ｙ2 ）
／（Ｙ4 −Ｙ1 ）×１００としてメモリー率を定義し
た。図２（ａ）は印加波形を図２（ｂ）にその時の光学
応答を示す。測定結果を次に示す。
１と同様の方法で強誘電性液晶素子を作製した。次にこ
の強誘電性液晶素子を用いて、ピーク・ツ・ピーク電圧
Ｖp-p ＝±１０Ｖ／μｍの双極性パルス波形を印加し、
その時観察される透過光量の変化より２０℃でメモリー
率を測定した。印加したパルス波形は書き込みパルスと
バイアスパルスから構成されており、書き込みパルスと
バイアスパルスのパルス高は４：１に設定し、一周期間
中にそれぞれのパルスを１：４９９の比率で印加した。
暗状態への書き込みパルスが印加された際の透過光量を
Ｙ1 、暗状態への書き込みパルスが印加される直前の透
過光量をＹ2 、明状態への書き込みパルスを印加する直
前の透過光量をＹ3 、明状態への書き込みパルスが印加
された際の透過光量をＹ4 としたとき、（Ｙ3 −Ｙ2 ）
／（Ｙ4 −Ｙ1 ）×１００としてメモリー率を定義し
た。図２（ａ）は印加波形を図２（ｂ）にその時の光学
応答を示す。測定結果を次に示す。
【０１１８】
【表１７】 表１７．メモリー率の比較 （％） ───────────────────────── 組成物７−ａ 化合物Ｉ−７ 化合物ＩＶ−７ ８１ １０ ５０ ───────────────────────── 表１７に記載したメモリー率の測定値から明らかなよう
に、本発明の化合物（Ｉ）の具体例である化合物（Ｉ−
７）と、化合物（ＩＶ）の具体例である化合物（ＩＶ−
７）よりなる液晶組成物７−ａを調製して用いることに
より、それぞれの化合物を単独で用いるよりもメモリー
率が改善された液晶素子を得ることができる。
に、本発明の化合物（Ｉ）の具体例である化合物（Ｉ−
７）と、化合物（ＩＶ）の具体例である化合物（ＩＶ−
７）よりなる液晶組成物７−ａを調製して用いることに
より、それぞれの化合物を単独で用いるよりもメモリー
率が改善された液晶素子を得ることができる。
【０１１９】実施例８ 下記化合物を下記の比率で混合し、液晶組成物（８−
ａ）を調製した。
ａ）を調製した。
【表１８】
【０１２０】実施例１と同様の方法で強誘電性液晶セル
を作製し、メモリー率を２０℃で測定した。
を作製し、メモリー率を２０℃で測定した。
【表１９】 表１９．メモリー率の比較（％） ───────────────────────── 組成物８−ａ 化合物Ｉ−８ 化合物ＩＶ−８ ９５ ９０ ８５ ───────────────────────── 表１９に記載したメモリー率の測定値から明らかなよう
に、本発明の化合物（Ｉ）の具体例である化合物Ｉ−８
と化合物（ＩＶ）の具体例である化合物ＩＶ−８とより
なる液晶組成物８−ａを調製して用いることにより、そ
れぞれの化合物を単独で用いるよりメモリー率が改善さ
れた液晶素子を得ることができた。
に、本発明の化合物（Ｉ）の具体例である化合物Ｉ−８
と化合物（ＩＶ）の具体例である化合物ＩＶ−８とより
なる液晶組成物８−ａを調製して用いることにより、そ
れぞれの化合物を単独で用いるよりメモリー率が改善さ
れた液晶素子を得ることができた。
【０１２１】実施例９ 下記化合物を下記の比率で混合し、液晶組成物（９−
ａ）を調製した。
ａ）を調製した。
【表２０】
【０１２２】実施例１と同様の方法で強誘電性液晶セル
を作製し、メモリー率を２０℃で測定した。
を作製し、メモリー率を２０℃で測定した。
【表２１】 表２１．メモリー率の比較（％） ───────────────────────────────── 組成物９−ａ 化合物Ｉ−７ 化合物ＩＶ−７ 化合物ＩＩ−８ ９５ １０ ５０ − ───────────────────────────────── 表２１に記載したメモリー率の測定値から明らかなよう
に、本発明の化合物（Ｉ）の具体例である化合物Ｉ−７
と化合物（ＩＶ）の具体例である化合物ＩＶ−７と化合
物（ＩＩ）の具体例である化合物ＩＩ−８とよりなる液
晶組成物７−ａを調製して用いることにより、それぞれ
の化合物を単独で用いるよりメモリー率が改善された液
晶素子を得ることができた。ただし、化合物ＩＩ−８は
２０℃では強誘電性相を示さないのでメモリー率は測定
できない。
に、本発明の化合物（Ｉ）の具体例である化合物Ｉ−７
と化合物（ＩＶ）の具体例である化合物ＩＶ−７と化合
物（ＩＩ）の具体例である化合物ＩＩ−８とよりなる液
晶組成物７−ａを調製して用いることにより、それぞれ
の化合物を単独で用いるよりメモリー率が改善された液
晶素子を得ることができた。ただし、化合物ＩＩ−８は
２０℃では強誘電性相を示さないのでメモリー率は測定
できない。
【０１２３】実施例１０ 下記化合物を下記の比率で混合し、液晶組成物（１０−
ａ）を調製した。
ａ）を調製した。
【表２２】 実施例１と同様の方法で強誘電性液晶セルを作製し、メ
モリー率を２０℃で測定した。
モリー率を２０℃で測定した。
【０１２４】
【表２３】 表２３．メモリー率の比較（％） ───────────────────────────────── 組成物10−ａ 化合物Ｉ−７ 化合物ＩＶ−７ 化合物Ｉ−10 ８５ １０ ５０ − ───────────────────────────────── 表２３に記載したメモリー率の測定値から明らかなよう
に、本発明の化合物（Ｉ）の具体例である化合物Ｉ−
７、Ｉ−１０と、化合物（ＩＶ）の具体例である化合物
ＩＶ−７よりなる液晶組成物１０−ａを調製して用いる
ことにより、それぞれの化合物を単独で用いるよりメモ
リー率が改善された液晶素子を得ることができた。ただ
し、化合物Ｉ−１０はノンキラル化合物なのでメモリー
率は測定できない。
に、本発明の化合物（Ｉ）の具体例である化合物Ｉ−
７、Ｉ−１０と、化合物（ＩＶ）の具体例である化合物
ＩＶ−７よりなる液晶組成物１０−ａを調製して用いる
ことにより、それぞれの化合物を単独で用いるよりメモ
リー率が改善された液晶素子を得ることができた。ただ
し、化合物Ｉ−１０はノンキラル化合物なのでメモリー
率は測定できない。
【０１２５】実施例１１ 下記化合物を下記の比率で混合し、液晶組成物（１１−
ａ）を調製した。
ａ）を調製した。
【表２４】 実施例１と同様の方法で強誘電性液晶セルを作製し、メ
モリー率を２０℃で測定した。
モリー率を２０℃で測定した。
【０１２６】
【表２５】 表２５．メモリー率の比較（％） ─────────────────────────────────── 組成物11−ａ 化合物Ｉ-7 化合物ＩＶ-7 化合物ＩＩ-8 化合物ＩＶ-11 ８５ １０ ５０ − − ─────────────────────────────────── 表２５に記載したメモリー率の測定値から明らかなよう
に、本発明の化合物（Ｉ）の具体例である化合物Ｉ−７
と化合物（ＩＶ）の具体例である化合物ＩＶ−７と化合
物（ＩＩ）の具体例である化合物ＩＩ−８と化合物（Ｖ
Ｉ）の具体例である化合物ＶＩ−11とよりなる液晶組成
物11−ａを調製して用いることにより、それぞれの化合
物を単独で用いるよりメモリー率が改善された液晶素子
を得ることができた。ただし、化合物ＩＩ−８は２０℃
では強誘電性相を示さないのでメモリー率は測定できな
い。また、化合物ＶＩ−11はノンキラル化合物なのでメ
モリー率は測定できない。
に、本発明の化合物（Ｉ）の具体例である化合物Ｉ−７
と化合物（ＩＶ）の具体例である化合物ＩＶ−７と化合
物（ＩＩ）の具体例である化合物ＩＩ−８と化合物（Ｖ
Ｉ）の具体例である化合物ＶＩ−11とよりなる液晶組成
物11−ａを調製して用いることにより、それぞれの化合
物を単独で用いるよりメモリー率が改善された液晶素子
を得ることができた。ただし、化合物ＩＩ−８は２０℃
では強誘電性相を示さないのでメモリー率は測定できな
い。また、化合物ＶＩ−11はノンキラル化合物なのでメ
モリー率は測定できない。
【０１２７】実施例１２ 下記化合物を下記の比率で混合し、液晶組成物（１２−
ａ）を調製した。
ａ）を調製した。
【表２６】
【０１２８】実施例１と同様の方法で強誘電性液晶セル
を作製し、メモリー率を２０℃で測定した。
を作製し、メモリー率を２０℃で測定した。
【表２７】 表２７．メモリー率の比較（％） ─────────────────────────────────── 組成物12−ａ 化合物Ｉ-7 化合物ＩＶ-7 化合物ＩＶ-12 化合物ＩＩ-9 ８５ １０ ５０ ６０ − ───────────────────────────────────
【０１２９】表２７に記載したメモリー率の測定値から
明らかなように、本発明の化合物（Ｉ）の具体例である
化合物Ｉ−７と化合物（ＩＶ）の具体例である化合物Ｉ
Ｖ−７、ＩＶ−１２と化合物（ＩＩ）の具体例である化
合物ＩＩ−９よりなる液晶組成物12−ａを調製して用い
ることにより、それぞれの化合物を単独で用いるよりメ
モリー率が改善された液晶素子を得ることができた。た
だし、化合物ＩＩ−９は２０℃では強誘電性相を示さな
いのでメモリー率は測定できない。以上の結果から明ら
かなように、本発明の液晶組成物はメモリー性が優れて
いる。
明らかなように、本発明の化合物（Ｉ）の具体例である
化合物Ｉ−７と化合物（ＩＶ）の具体例である化合物Ｉ
Ｖ−７、ＩＶ−１２と化合物（ＩＩ）の具体例である化
合物ＩＩ−９よりなる液晶組成物12−ａを調製して用い
ることにより、それぞれの化合物を単独で用いるよりメ
モリー率が改善された液晶素子を得ることができた。た
だし、化合物ＩＩ−９は２０℃では強誘電性相を示さな
いのでメモリー率は測定できない。以上の結果から明ら
かなように、本発明の液晶組成物はメモリー性が優れて
いる。
【０１３０】
【発明の効果】本発明のカイラルスメクチックＣ相を示
す液晶組成物は、従来の強誘電性カイラルスメクチック
Ｃ相を示す液晶化合物、組成物に比較して配向性、メモ
リー性が優れており、光シャッターや表示素子当の液晶
素子に用いることができる。
す液晶組成物は、従来の強誘電性カイラルスメクチック
Ｃ相を示す液晶化合物、組成物に比較して配向性、メモ
リー性が優れており、光シャッターや表示素子当の液晶
素子に用いることができる。
【図１】強誘電性液晶を用いた表示装置の一例の概略図
を表す。
を表す。
【図２】（ａ）液晶セルに印加する波形を示す図。 （ｂ）その時の光学応答を示す図。
１．偏光板 ２．ガラス基板 ３．透明電極 ４．絶縁性の配向制御膜 ５．強誘電性液晶層 ６．スペーサー
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 藤沢 幸一 茨城県つくば市北原６ 住友化学工業株式 会社内 (72)発明者 東井 隆行 大阪府高槻市塚原２丁目10番１号 住友化 学工業株式会社内 (72)発明者 戸田 昭二 大阪府高槻市塚原２丁目10番１号 住友化 学工業株式会社内 (72)発明者 藤本 ゆかり 大阪府高槻市塚原２丁目10番１号 住友化 学工業株式会社内 (72)発明者 南井 正好 大阪府高槻市塚原２丁目10番１号 住友化 学工業株式会社内
Claims (5)
- 【請求項１】下記一般式（Ｉ） 【化１】 （式中、Ｒ11は炭素数５〜１５のアルキル基である。Ｒ
12は炭素数１〜１０のアルキル基または炭素数２〜１０
のアルコキシアルキル基であり、置換基としてハロゲン
原子を有していてもよい。Ｘ1 は-O- 、-COO- または-O
CO- であり、Ａr 1 は、 【化２】 のいずれかを示し、Ｙ11は-(CH2 )m- または-CH=CH-(CH
2 )n- である。Ｚは水素原子またはフッ素原子である。
Ｙ12は-O- 、-COO- または-OCO- である。ｐ、ｑ、ｒは
０または１である。ｍは０〜１０の整数、ｎは０〜８の
整数である。ここで記号＊は不斉炭素原子であることを
示している。）で示される化合物の少なくとも一種と、
下記一般式（ＩＩ） 【化３】 （式中、Ｒ21は炭素数５〜１５のアルキル基である。Ｒ
22は炭素数１〜２０のアルキル基または炭素数２〜２０
のアルコキシアルキル基である。Ｘ21は-O- 、-COO- ま
たは-OCO- であり、ｓは０または１である。Ｘ22は-COO
- または-OCO- である。ｔは０または１である。Ａr 2
は、 【化４】 のいずれかを示す。Ｚは水素原子またはフッ素原子であ
る。t は０または１である。Ｙ21は-(CH2 )m- であり、
ｍはｔ＝１の場合０〜１０の整数であり、ｔ＝０の場合
０〜１１の整数である。Ｙ22は-O- または-OCO- であ
る。ｕは０または１である。ここで記号＊は不斉炭素原
子であることを示している。）で示される化合物および
下記一般式（ＩＩＩ） 【化５】 （式中、Ｒ31は炭素数５〜１５のアルキル基である。Ｘ
3 は、-O- 、-COO- または-OCO- であり、ｖは０または
１である。Ｒ32は炭素数１〜２０のアルキル基または炭
素数２〜２０のアルコキシアルキル基である。Ａr
3 は、 【化６】 のいずれかを示す。Ｚは水素原子またはフッ素原子であ
る。Ｙ31は-(CH2 )m- であり、ｍはｗ＝１の場合０〜１
０の整数であり、ｗ＝０の場合０〜１１の整数である。
Ｙ32は-O- または-OCO- である。ａは０または１であ
る。ここで記号＊は不斉炭素原子であることを示してい
る。）で示される化合物のどちらかまたは両方の少なく
とも一種を含有し、一般式（Ｉ）、一般式（ＩＩ）また
は一般式（ＩＩＩ）で示される化合物の組成比（モル基
準）が、（Ｉ）：（ＩＩ）＝（２０〜８０）：（８０〜
２０）、（Ｉ）：（ＩＩＩ）＝（２０〜８０）：（８０
〜２０）または（Ｉ）：〔（ＩＩ）＋（ＩＩＩ）〕＝
（２０〜８０）：（８０〜２０）である強誘電性カイラ
ルスメクチック液晶組成物。 - 【請求項２】請求項１記載の一般式（Ｉ）で表される化
合物の少なくとも一種と、下記一般式（ＩＶ） 【化７】 （ただしＲ41は炭素数５〜１５のアルキル基を示す。Ｒ
42はハロゲン原子で置換されていてもよい炭素数１〜１
０のアルキル基または炭素数２〜１０のアルコキシアル
キル基を示す。Ｘ41は-O- 、-COO- 、-OCO- 、または単
結合であり、Ｘ42、-COO- または-OCO- であり、Ｙ41は
-(CH2 ) m-である。ｍは１〜１０の整数である。３個の
Ｚはそれぞれ独立の水素原子またはフッ素原子である。
ｑは０または１である。ここで記号＊は不斉炭素原子で
あることを示している。）で示される化合物の少なくと
も一種とを含有し、一般式（Ｉ）および一般式（ＩＶ）
で示される化合物の組成比（モル基準）が、（Ｉ）：
（ＩＶ）＝（１０〜７５）：（９０〜２５）であること
を特徴とする強誘電性カイラルスメクチック液晶組成
物。 - 【請求項３】請求項１記載の一般式（Ｉ）で表される化
合物で、ｑが１でかつｍが１以上で、Ｙ12が-O- または
-OCO- である化合物の少なくとも一種と、請求項２記載
の一般式（ＩＶ）で表される化合物の少なくとも一種と
を含有し、一般式（Ｉ）および一般式（ＩＶ）で示され
る化合物の組成比（モル基準）が、（Ｉ）：（ＩＶ）＝
（１０〜７５）：（９０〜２５）であることを特徴とす
る強誘電性カイラルスメクチック液晶組成物。 - 【請求項４】請求項１記載の一般式（Ｉ）で示される化
合物の少なくとも一種と、一般式（ＩＩ）および一般式
（ＩＩＩ）で示される化合物のどちらかまたは両方の少
なくとも一種と、請求項２記載の一般式（ＩＶ）で示さ
れる化合物の少なくとも一種を含有し、その組成比（モ
ル基準）が、（Ｉ）：〔（ＩＩ）または（ＩＩＩ）また
は（ＩＩ）＋（ＩＩＩ）〕：（ＩＶ）＝（１０〜７
５）：（８０〜１）：（９０〜１）（ただし（Ｉ）＋
〔（ＩＩ）または（ＩＩＩ）または（ＩＩ）＋（ＩＩ
Ｉ）〕＋（ＩＶ）＝１００である）であることを特徴と
する強誘電性カイラルスメクチック液晶組成物。 - 【請求項５】請求項１、２、３または４記載の強誘電性
カイラルスメクチック液晶組成物を一対の電極基板間に
挾持してなることを特徴とする液晶素子。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP16035294A JPH07102253A (ja) | 1993-07-30 | 1994-07-12 | 液晶組成物およびこれを用いた液晶素子 |
Applications Claiming Priority (5)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP20866793 | 1993-07-30 | ||
| JP19821993 | 1993-08-10 | ||
| JP5-198219 | 1993-08-10 | ||
| JP5-208667 | 1993-08-10 | ||
| JP16035294A JPH07102253A (ja) | 1993-07-30 | 1994-07-12 | 液晶組成物およびこれを用いた液晶素子 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH07102253A true JPH07102253A (ja) | 1995-04-18 |
Family
ID=27321684
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP16035294A Pending JPH07102253A (ja) | 1993-07-30 | 1994-07-12 | 液晶組成物およびこれを用いた液晶素子 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH07102253A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7731587B2 (en) | 2005-07-13 | 2010-06-08 | Kabushiki Kaisha Sega | Prize game apparatus |
-
1994
- 1994-07-12 JP JP16035294A patent/JPH07102253A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7731587B2 (en) | 2005-07-13 | 2010-06-08 | Kabushiki Kaisha Sega | Prize game apparatus |
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