JPH0697363A - Semiconductor integrated circuit device - Google Patents

Semiconductor integrated circuit device

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Publication number
JPH0697363A
JPH0697363A JP4243191A JP24319192A JPH0697363A JP H0697363 A JPH0697363 A JP H0697363A JP 4243191 A JP4243191 A JP 4243191A JP 24319192 A JP24319192 A JP 24319192A JP H0697363 A JPH0697363 A JP H0697363A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
package
leads
integrated circuit
circuit device
semiconductor chip
Prior art date
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Pending
Application number
JP4243191A
Other languages
Japanese (ja)
Inventor
Masayuki Nakamura
正行 中村
Kazuyoshi Oshima
一義 大嶋
Hiroshi Otori
浩 大鳥
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Hitachi Ltd
Original Assignee
Hitachi Ltd
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Filing date
Publication date
Application filed by Hitachi Ltd filed Critical Hitachi Ltd
Priority to JP4243191A priority Critical patent/JPH0697363A/en
Publication of JPH0697363A publication Critical patent/JPH0697363A/en
Pending legal-status Critical Current

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Abstract

PURPOSE:To provide an LSI package suitable for high density mounting. CONSTITUTION:A plurality of semiconductor chips 3 are arranged in parallel in a single package body and a plurality of leads 5 are arranged thereon while traversing respective semiconductor chips 3. The semiconductor chips 3 are connected electrically through wires 7 with the leads 5. The leads 5 are folded at the opposite ends of the package body 4 and extended on the rear surface of the package body 4.

Description

【発明の詳細な説明】Detailed Description of the Invention

【0001】[0001]

【産業上の利用分野】本発明は、半導体集積回路装置に
関し、特に、半導体チップを封止するLSIパッケージ
に適用して有効な技術に関するものである。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a semiconductor integrated circuit device, and more particularly to a technique effective when applied to an LSI package encapsulating a semiconductor chip.

【0002】[0002]

【従来の技術】近年、RAM、ROMなどのメモリLS
Iは、メモリ容量の大規模化に伴って半導体チップの面
積が著しく増大しているため、半導体チップをTSOP
(ThinSmall Outline Package)、TSOJ(Thin Small O
utline J-lead package) のような超薄形のLSIパッ
ケージに封止することにより、実装密度の向上を図って
いる。
2. Description of the Related Art In recent years, memory LS such as RAM and ROM
Since the area of the semiconductor chip has increased remarkably as the memory capacity has increased, I
(Thin Small Outline Package), TSOJ (Thin Small O
The packaging density is improved by encapsulating in an ultra-thin LSI package such as utline J-lead package).

【0003】[0003]

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、前記T
SOP、TSOJなどのLSIパッケージは、パッケー
ジの外部に突出したアウターリードを介して半導体チッ
プと基板との電気的接続を取るため、このアウターリー
ドの長さ分だけパッケージの実効的な占有面積が大きく
なり、その分、実装密度が低下する。
However, the above-mentioned T
In LSI packages such as SOP and TSOJ, since the semiconductor chip and the substrate are electrically connected through the outer leads protruding to the outside of the package, the effective occupation area of the package is increased by the length of the outer leads. Therefore, the mounting density decreases accordingly.

【0004】そこで、本発明の目的は、LSIパッケー
ジの実装密度を向上させることのできる技術を提供する
ことにある。
Therefore, an object of the present invention is to provide a technique capable of improving the packaging density of LSI packages.

【0005】本発明の前記ならびにその他の目的と新規
な特徴は、本明細書の記述および添付図面から明らかに
なるであろう。
The above and other objects and novel features of the present invention will be apparent from the description of this specification and the accompanying drawings.

【0006】[0006]

【課題を解決するための手段】本願において開示される
発明のうち、代表的なものの概要を説明すれば、下記の
とおりである。
The typical ones of the inventions disclosed in the present application will be outlined below.

【0007】本発明のLSIパッケージは、単一のパッ
ケージ内に複数個の半導体チップが並列して封止されて
おり、それぞれの半導体チップの上面には、それらを横
断するように複数本のリードが配置され、これらのリー
ドは、パッケージの端部で折り曲げられて半導体チップ
の下面に延在し、それらの一端がパッケージの外方に突
出されている。
In the LSI package of the present invention, a plurality of semiconductor chips are sealed in parallel in a single package, and a plurality of leads are provided on the upper surface of each semiconductor chip so as to traverse them. Are arranged, and these leads are bent at the ends of the package and extend to the lower surface of the semiconductor chip, and one ends of these leads protrude to the outside of the package.

【0008】[0008]

【作用】上記した手段によれば、複数個の半導体チップ
を単一のパッケージ内に効率良く封止することが可能と
なるので、LSIパッケージの実装密度を向上させるこ
とができる。
According to the above means, a plurality of semiconductor chips can be efficiently sealed in a single package, so that the packaging density of the LSI package can be improved.

【0009】[0009]

【実施例】以下、図1〜図3を用いて本発明の一実施例
であるLSIパッケージの構成を説明する。図1は、本
実施例のLSIパッケージの上面図、図2は、その下面
図、図3は、その断面図である。
DETAILED DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS The configuration of an LSI package which is an embodiment of the present invention will be described below with reference to FIGS. FIG. 1 is a top view of the LSI package of this embodiment, FIG. 2 is a bottom view thereof, and FIG. 3 is a sectional view thereof.

【0010】LSIパッケージ1は、ポリイミド樹脂な
どからなる絶縁フィルム2の上面に所定の間隔で並列し
て接合された複数個の半導体チップ3を単一のパッケー
ジ本体4に封止したモジュール構造を有している。半導
体チップ3は、DRAMやSRAMなどのメモリLSI
を形成したシリコン単結晶からなり、パッケージ本体4
は、エポキシ系の合成樹脂からなる。
The LSI package 1 has a module structure in which a plurality of semiconductor chips 3 bonded in parallel on the upper surface of an insulating film 2 made of polyimide resin or the like at a predetermined interval are sealed in a single package body 4. is doing. The semiconductor chip 3 is a memory LSI such as DRAM or SRAM.
Package body 4 made of silicon single crystal
Is made of an epoxy-based synthetic resin.

【0011】図1に示すように、上記絶縁フィルム2上
に接合された複数個の半導体チップ3の上面(素子形成
面)には、それらを横断するように複数本のリード5が
平行に配置されている。これらのリード5とそれぞれの
半導体チップ3の上面に設けられた電極パッド6とは、
ワイヤ7を介して電気的に接続され、それぞれのリード
5を通じて所定の入出力信号(電源またはGND)が複
数個の半導体チップ3に同時に供給されるようになって
いる。
As shown in FIG. 1, on the upper surface (element forming surface) of the plurality of semiconductor chips 3 bonded on the insulating film 2, a plurality of leads 5 are arranged in parallel so as to traverse them. Has been done. These leads 5 and the electrode pads 6 provided on the upper surface of each semiconductor chip 3 are
It is electrically connected via a wire 7, and a predetermined input / output signal (power supply or GND) is simultaneously supplied to a plurality of semiconductor chips 3 through respective leads 5.

【0012】図3に示すように、上記複数本のリード5
は、パッケージ本体4の両端で折り曲げられて絶縁フィ
ルム2の下面に延在し、図2に示すように、それらの一
端がパッケージ本体4の一側面から外方に突出され、L
SIパッケージ1の外部端子を構成している。
As shown in FIG. 3, the plurality of leads 5 are provided.
Are bent at both ends of the package body 4 and extend to the lower surface of the insulating film 2. As shown in FIG. 2, one end thereof is projected outward from one side surface of the package body 4, and L
It constitutes an external terminal of the SI package 1.

【0013】なお、上記は、パッケージ本体4の一側面
からリード5を外方に突出させた例であるが、パッケー
ジ本体4の二側面または四側面からリード5を外方に突
出させてもよい。
Although the lead 5 is projected outward from one side surface of the package body 4 in the above, the lead 5 may be projected outward from two side surfaces or four side surfaces of the package body 4. .

【0014】上記の構成を備えた本実施例のLSIパッ
ケージ1によれば、複数個の半導体チップ3を1つのパ
ッケージ本体4内に効率良く封止することが可能となる
ので、高密度実装に好適なLSIパッケージ1を提供す
ることができ、メモリモジュールの集積度を向上させる
ことができる。
According to the LSI package 1 of the present embodiment having the above-mentioned structure, it is possible to efficiently seal a plurality of semiconductor chips 3 in one package body 4, so that high density mounting is possible. The suitable LSI package 1 can be provided, and the integration degree of the memory module can be improved.

【0015】以上、本発明者によってなされた発明を実
施例に基づき具体的に説明したが、本発明は前記実施例
に限定されるものではなく、その要旨を逸脱しない範囲
で種々変更可能であることはいうまでもない。
Although the invention made by the present inventor has been concretely described based on the embodiments, the present invention is not limited to the embodiments and can be variously modified without departing from the gist thereof. Needless to say.

【0016】前記実施例では、半導体チップとリードと
をワイヤを介して電気的に接続した例について説明した
が、例えば図4に示すように、半田バンプやAuバンプ
などのバンプ電極8を介して両者を電気的に接続しても
よい。
In the above-described embodiment, an example in which the semiconductor chip and the leads are electrically connected via wires has been described. For example, as shown in FIG. 4, via bump electrodes 8 such as solder bumps or Au bumps. Both may be electrically connected.

【0017】また、前記実施例では、絶縁フィルムの上
面に半導体チップを接合した例について説明したが、例
えば図5〜図7に示すように、リード5上に半導体チッ
プ3を直接接合してもよい。この場合、図5に示すよう
に、隣接する半導体チップ3、3の間で上下のリード5
をろう材9などで接合することにより、半導体チップ3
の保護やリード5の強化を図ることができる。
Further, in the above-mentioned embodiment, the example in which the semiconductor chip is bonded to the upper surface of the insulating film has been described, but the semiconductor chip 3 may be directly bonded to the lead 5 as shown in FIGS. 5 to 7, for example. Good. In this case, as shown in FIG. 5, the upper and lower leads 5 are provided between the adjacent semiconductor chips 3, 3.
The semiconductor chip 3
Can be protected and the lead 5 can be strengthened.

【0018】[0018]

【発明の効果】本願によって開示される発明のうち、代
表的なものによって得られる効果を簡単に説明すれば、
以下の通りである。
The effects obtained by the typical ones of the inventions disclosed in this application will be briefly described as follows.
It is as follows.

【0019】単一のパッケージ内に並列して配置した複
数個の半導体チップの上面に、それぞれの半導体チップ
を横断するように複数本のリードを配置し、前記複数本
のリードをパッケージの端部で折り曲げて半導体チップ
の下面に延在し、それらの一端をパッケージの外方に突
出させたLSIパッケージ構造とすることにより、LS
Iパッケージの実装密度を向上させることができる。
A plurality of leads are arranged on the upper surfaces of a plurality of semiconductor chips arranged in parallel in a single package so as to traverse the respective semiconductor chips, and the plurality of leads are connected to the end portion of the package. The LS is formed by bending the IC chip to extend to the lower surface of the semiconductor chip and projecting one end of the LSI package outside the package.
The packaging density of the I package can be improved.

【図面の簡単な説明】[Brief description of drawings]

【図1】本発明の一実施例であるLSIパッケージの上
面図である。
FIG. 1 is a top view of an LSI package that is an embodiment of the present invention.

【図2】同じく、LSIパッケージの下面図である。FIG. 2 is likewise a bottom view of the LSI package.

【図3】同じく、LSIパッケージの断面図である。FIG. 3 is likewise a sectional view of an LSI package.

【図4】本発明の他の実施例であるLSIパッケージの
部分断面図である。
FIG. 4 is a partial cross-sectional view of an LSI package which is another embodiment of the present invention.

【図5】本発明の他の実施例であるLSIパッケージの
部分断面図である。
FIG. 5 is a partial cross-sectional view of an LSI package which is another embodiment of the present invention.

【図6】同じく、LSIパッケージの上面図である。FIG. 6 is likewise a top view of an LSI package.

【図7】同じく、LSIパッケージの下面図である。FIG. 7 is likewise a bottom view of the LSI package.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

1 LSIパッケージ 2 絶縁フィルム 3 半導体チップ 4 パッケージ本体 5 リード 6 電極パッド 7 ワイヤ 8 バンプ電極 9 ろう材 1 LSI Package 2 Insulating Film 3 Semiconductor Chip 4 Package Body 5 Lead 6 Electrode Pad 7 Wire 8 Bump Electrode 9 Brazing Material

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.5 識別記号 庁内整理番号 FI 技術表示箇所 // H01L 23/50 X 9272−4M ─────────────────────────────────────────────────── ─── Continuation of the front page (51) Int.Cl. 5 Identification code Office reference number FI technical display location // H01L 23/50 X 9272-4M

Claims (4)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】 単一のパッケージ内に並列して配置した
複数個の半導体チップの上面に、それぞれの半導体チッ
プを横断するように複数本のリードを配置し、前記複数
本のリードをパッケージの端部で折り曲げて半導体チッ
プの下面に延在し、それらの一端をパッケージの外方に
突出させてなることを特徴とする半導体集積回路装置。
1. A plurality of leads are arranged on the upper surfaces of a plurality of semiconductor chips arranged in parallel in a single package so as to cross each semiconductor chip, and the plurality of leads are packaged. A semiconductor integrated circuit device, characterized in that it is bent at an end portion and extends to a lower surface of a semiconductor chip, and one end thereof is projected to the outside of a package.
【請求項2】 複数個の半導体チップを絶縁フィルムの
一面に接合したことを特徴とする請求項1記載の半導体
集積回路装置。
2. The semiconductor integrated circuit device according to claim 1, wherein a plurality of semiconductor chips are bonded to one surface of the insulating film.
【請求項3】 半田バンプを介して半導体チップとリー
ドとを電気的に接続したことを特徴とする請求項1また
は2記載の半導体集積回路装置。
3. The semiconductor integrated circuit device according to claim 1, wherein the semiconductor chip and the lead are electrically connected via a solder bump.
【請求項4】 メモリモジュールであることを特徴とす
る請求項1、2または3記載の半導体集積回路装置。
4. The semiconductor integrated circuit device according to claim 1, which is a memory module.
JP4243191A 1992-09-11 1992-09-11 Semiconductor integrated circuit device Pending JPH0697363A (en)

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