JPH0692963B2 - Analytical method for oxygen difluoride in nitrogen trifluoride gas - Google Patents

Analytical method for oxygen difluoride in nitrogen trifluoride gas

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JPH0692963B2
JPH0692963B2 JP26705788A JP26705788A JPH0692963B2 JP H0692963 B2 JPH0692963 B2 JP H0692963B2 JP 26705788 A JP26705788 A JP 26705788A JP 26705788 A JP26705788 A JP 26705788A JP H0692963 B2 JPH0692963 B2 JP H0692963B2
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column
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俊彦 西辻
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三井東圧化学株式会社
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Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は三弗化窒素(NF3)ガス中の二弗化酸素(OF2
の分析方法に関する。更に詳しくはガスクロマトグラフ
ィー(以下、ガスクロマトグラフィーをGCと略記する)
を使用する上記分析方法に関する。
DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION [Industrial Field of Application] The present invention relates to oxygen difluoride (OF 2 ) in nitrogen trifluoride (NF 3 ) gas.
Analysis method. More specifically, gas chromatography (hereinafter gas chromatography is abbreviated as GC)
Is used for the above analysis method.

〔従来の技術〕[Conventional technology]

NF3ガスは、半導体のドライエッチング剤やCVD装置のク
リーニングガスとして近年注目されているが、これらの
用途に使用されるNF3ガスは可及的高純度のものが要求
されている。
NF 3 gas has recently been attracting attention as a dry etching agent for semiconductors and a cleaning gas for a CVD apparatus, but NF 3 gas used for these applications is required to have a purity as high as possible.

NF3ガスは、酸性弗化アンモニウムまたは弗化アンモニ
ウムと弗化水素を原料とするNH4F・xHFを電気分解する
いわゆる溶融塩電解法や、アンモニウムと弗素を反応さ
せる方法など、種々の方法で製造されるが、何れの方法
で得られたNF3ガスも、窒素(N2)、二弗化二窒素(N2F
2)、亜酸化窒素(N2O)、二酸化炭素(CO2)等の種々
の化合物が不純物として含有されていることは知られて
いる。従って、高純度のNF3ガスを得るためには、これ
らの不純物を除去・精製する必要があり、その精製方法
として種々の方法が提案されている。
NF 3 gas can be produced by various methods such as so-called molten salt electrolysis method of electrolyzing NH 4 F · xHF using acidic ammonium fluoride or ammonium fluoride and hydrogen fluoride as raw materials, and a method of reacting ammonium and fluorine. Although produced, the NF 3 gas obtained by either method is nitrogen (N 2 ), dinitrogen difluoride (N 2 F 2
It is known that various compounds such as 2 ), nitrous oxide (N 2 O), carbon dioxide (CO 2 ) are contained as impurities. Therefore, in order to obtain high-purity NF 3 gas, it is necessary to remove and purify these impurities, and various purification methods have been proposed.

しかしながら、NF3ガス中には上記の各不純物のほかにO
F2も含有している可能性がある。特に前記溶融塩電解法
で製造されたNF3ガスの場合、かなりの量のOF2を含有し
ている可能性があると考えられる。
However, in the NF 3 gas, in addition to the above-mentioned impurities, O
It may also contain F 2 . In particular, it is considered that the NF 3 gas produced by the molten salt electrolysis method may contain a considerable amount of OF 2 .

NF3ガス中にOF2も含有されているとするならば、高純度
のNF3ガスを得るためにはこのOF2を除去する必要があ
る。また、OF2は含酸素化合物であるので、このような
含酸素化合物を含有するNF3ガスを半導体のドライエッ
チング剤やCVD装置のクリーニングガスとして使用した
場合に、悪影響を及ぼすという問題がある。
If the NF 3 in the gas OF 2 is also contained, in order to obtain a high-purity NF 3 gases it is necessary to remove the OF 2. In addition, since OF 2 is an oxygen-containing compound, there is a problem that when NF 3 gas containing such an oxygen-containing compound is used as a dry etching agent for semiconductors or a cleaning gas for CVD equipment, it has an adverse effect.

ところが、GCを使用して通常の方法で常温でNF3ガスを
分析しても、N2O、CO2等のピークは検出できるが、OF2
のピークは検出されず、その分析方法は未だ知られてい
ない。従って、NF3ガス中のOF2の存在も確認されていな
い。勿論、NF3ガス中のOF2の除去方法も知られていな
い。
However, although the peaks of N 2 O and CO 2 can be detected even when the NF 3 gas is analyzed at normal temperature using a GC, OF 2
Peak was not detected, and its analysis method is not yet known. Therefore, the presence of OF 2 in NF 3 gas has not been confirmed. Of course, there is no known method for removing OF 2 from NF 3 gas.

以上のような状況から、NF3ガス中に含有するOF2の除去
方法を確立することももさることながら、除去方法の確
立の前提として、NF3ガス中のOF2の存在を確認、定量す
る方法の確立が必要とされるのである。
From the above circumstances, while also be monkey to establish a method for removing OF 2 containing in the NF 3 gas, as a premise of establishing removal methods, confirmed the presence of OF 2 of NF 3 gas, quantitative It is necessary to establish a method of doing so.

〔課題を解決するための手段〕[Means for Solving the Problems]

本発明者らは上記の状況に鑑み、NF3ガス中に含有するO
F2の分析方法を確立すべく鋭意検討を重ねた結果、GCを
使用して低温でNF3ガスを分析すれば、含有するOF2が精
度よく定量できることを見い出し、本発明を完成するに
至ったものである。
In view of the above situation, the present inventors have found that O contained in NF 3 gas.
As a result of extensive studies to establish an F 2 analysis method, it was found that OF 2 contained can be accurately quantified by analyzing NF 3 gas at low temperature using GC, and the present invention was completed. It is a thing.

即ち本発明は、少なくとも不純物として二弗化酸素を含
有する三弗化窒素ガスをGCで分析するに方法において、
該GCのカラムの充填剤に予め加熱して脱水処理したシリ
カゲルを用い、該カラムを−30℃〜−110℃の範囲の温
度に冷却して該カラムに三弗化窒素ガスを注入した後、
該カラムを上記温度範囲内の一定温度に維持するかまた
は−30℃を越えない温度において20℃/min.以下の速度
で昇温することを特徴とする三弗化窒素ガス中の二弗化
酸素の分析方法を提供するものである。
That is, the present invention provides a method for analyzing nitrogen trifluoride gas containing oxygen difluoride as an impurity by GC,
Using silica gel preheated and dehydrated as a packing material for the column of the GC, cooling the column to a temperature in the range of -30 ° C to -110 ° C, and injecting nitrogen trifluoride gas into the column,
Difluorination in nitrogen trifluoride gas, characterized in that the column is maintained at a constant temperature within the above temperature range or is heated at a rate of 20 ° C / min. Or less at a temperature not exceeding -30 ° C. The present invention provides a method for analyzing oxygen.

〔発明の詳細な開示〕[Detailed Disclosure of the Invention]

以下、本発明を詳細に説明する。 Hereinafter, the present invention will be described in detail.

一般にGCを使用してガスを分析する場合には、充填剤を
充填したカラムにヘリウム(He)ガス等のガスをキャリ
アガスとして送入しながら、カラムに一定量のサンプル
ガスを注入して常温で分析するが、本発明の分析方法を
基本的にはこれと同様である。
Generally, when a gas is analyzed using a GC, a certain amount of sample gas is injected into the column at a room temperature while feeding a gas such as helium (He) gas as a carrier gas into the column packed with a packing material. The analysis method of the present invention is basically the same as this.

本発明ではキャリアガスとしてHeガスを使用する。そし
てこのHeガスはGC用として使用されるもので差支えない
が、分析精度を上げるためには純度が99.99%以上のも
のが好ましい。
In the present invention, He gas is used as the carrier gas. This He gas may be used for GC, but it is preferable that it has a purity of 99.99% or higher in order to improve analysis accuracy.

また、OF2は水と反応して加水分解し易いので、Heガス
はモレキュラシーブ等の脱湿剤で脱湿した後、上記カラ
ムに送入するのがこのましい。
Moreover, since OF 2 is easily hydrolyzed by reacting with water, it is preferable that He gas is dehumidified with a dehumidifying agent such as molecular sieve and then fed into the column.

次に充填剤について述べる。Next, the filler will be described.

本発明ではカラムの充填剤としてシリカゲルを使用する
が、該シリカゲルは粒度が60〜80メッシュの通常市販の
GC用のものが使用される。
In the present invention, silica gel is used as a packing material for the column, and the silica gel has a particle size of 60 to 80 mesh and is usually commercially available.
The one for GC is used.

しかし、シリカゲル中に水分が存在すると、上記の通り
OF2が加水分解し易いので、本発明ではNF3ガスの分析に
先立って、このシリカゲルを加熱して脱水処理する必要
がある。
However, if water is present in the silica gel,
Since OF 2 is easily hydrolyzed, it is necessary in the present invention to heat this silica gel for dehydration treatment prior to the analysis of NF 3 gas.

上記加熱はシリカゲル中の水分を、実質的に完全に除去
するために行なうので、加熱温度は通常100〜200℃、加
熱時間は加熱温度によって異なるが5〜12時間で実施さ
れる。尚、上記加熱をN2ガス、Heガス等の不活性ガスを
流通させながら、行ななうことは好ましい方法である。
Since the above heating is carried out in order to substantially completely remove the water content in the silica gel, the heating temperature is usually 100 to 200 ° C., and the heating time is 5 to 12 hours, although it depends on the heating temperature. In addition, it is a preferable method to carry out the above heating while circulating an inert gas such as N 2 gas or He gas.

かくして加熱によって脱水処理されたシリカゲルは、常
温まで冷却した後カラムに充填されるが、この冷却及び
充填の際に空気中の水分の吸湿を防止しなければならな
い。
Thus, the silica gel dehydrated by heating is packed in a column after being cooled to room temperature, and moisture absorption in the air must be prevented during the cooling and packing.

以上のようなことから、シリカゲルは予めカラムに充填
した後、不活性ガスを送入させながら加熱による脱水処
理を行なえば、加熱後の冷却時に空気中の水分を吸湿す
ることもなく、上記冷却後に直ちにNF3ガスの分析操作
に移行することができるので操作上有利である。
From the above, if silica gel is packed in a column in advance and then dehydrated by heating while feeding an inert gas, it does not absorb moisture in the air during cooling after heating, Since it is possible to immediately shift to the analysis operation of NF 3 gas later, it is advantageous in operation.

本発明ではサンプルであるNF3ガスと接触するカラム及
び配管等は、NF3ガス中のOF2と反応しない材質である必
要があり、通常テフロン(弗素系樹脂)製のものが使用
される。しかしテフロン製の配管を使用することが困難
な場合には、ニッケル管やステンレス管等の配管を用
い、該配管の内壁の脱脂を充分行なった後、弗素ガス等
を通気して配管の内壁を弗素化し、OF2と配管が反応し
ないようにする必要がある。
In the present invention, the column, piping, etc. that come into contact with the sample NF 3 gas must be made of a material that does not react with OF 2 in the NF 3 gas, and Teflon (fluorine-based resin) is usually used. However, if it is difficult to use the Teflon pipe, use a pipe such as a nickel pipe or a stainless pipe, thoroughly degrease the inner wall of the pipe, and then ventilate fluorine gas or the like to clean the inner wall of the pipe. It is necessary to fluorinate and prevent OF 2 from reacting with the piping.

次に、NF3ガス中のOF2の分析について説明する。Next, the analysis of OF 2 in NF 3 gas will be described.

上記のようにしてシリカゲルの加熱による脱水処理が完
了すると、キャリアガスとしてHeガスを一定量連続的に
カラムに送入する。次に該カルムを−30〜−110℃の範
囲の温度に冷却した後、サンプルガスであるNF3ガスを
該カラムに一定量注入する。しかる後、該カラムを上記
温度範囲内の一定温度に維持するか、または−30℃以下
の温度において20℃/min.以下の速度で昇温することに
より、低温用GCのクロマトグラムでOF2のピークを検出
することができる。
When the dehydration treatment by heating the silica gel is completed as described above, a fixed amount of He gas as a carrier gas is continuously fed into the column. Next, the calm is cooled to a temperature in the range of −30 to −110 ° C., and then a fixed amount of NF 3 gas as a sample gas is injected into the column. Thereafter, by the column temperature is raised at 20 ° C. / min. Following rates or to maintain a constant temperature, or at -30 ° C. below the temperature in the above temperature range, OF 2 chromatogram of low-temperature GC The peak of can be detected.

本発明では上記カラムの温度は最も重要で、NF3ガスを
注入する前にカラムの温度を−30〜−110℃の範囲の温
度に冷却しておく必要がある。カラムの温度が−30℃以
上であると、上記クロマトグラムでOF2のピークが検出
されない。また、カラムの温度が−110℃以下である
と、NF3沸点が−129℃であるので分析操作が事実上困難
となるので不都合である。
In the present invention, the temperature of the column is the most important, and it is necessary to cool the temperature of the column to a temperature in the range of −30 to −110 ° C. before injecting the NF 3 gas. If the column temperature is -30 ° C or higher, the OF 2 peak is not detected in the above chromatogram. Further, if the temperature of the column is −110 ° C. or lower, the boiling point of NF 3 is −129 ° C., which makes it practically difficult to carry out the analytical operation, which is inconvenient.

上記温度に冷却されたカラムはこの温度に維持するか、
または−30℃を越えない温度において20℃/min.以下の
速度で昇温する。しかし、昇温するのは操作がやや煩雑
になるので、一定温度に維持するのが好ましい。尚、上
記の昇温速度が20℃/min.を越えると、OF2のピークが不
正確であるかまたは検出されない。
Keep the column cooled to the above temperature at this temperature,
Alternatively, raise the temperature at a rate of 20 ° C / min. Or less at a temperature not exceeding -30 ° C. However, raising the temperature makes the operation a little complicated, so it is preferable to maintain a constant temperature. If the temperature rising rate exceeds 20 ° C./min., The OF 2 peak will be inaccurate or not detected.

不純物を含有するNF3ガスをGCを使用して常温で分析し
た場合には、前記の通りクロマトグラムにはOF2は検出
されず、N2、NF3、N2F2、N2O、CO2の順にピークが検出
される。ところが、カラムの温度を−30〜−110℃で分
析する本発明の方法を採用した場合には、N2のピークと
NF3のピークの間にOF2のピークが検出されるのである。
勿論N2F2、N2O、CO2のピークも検出される。
When NF 3 gas containing impurities was analyzed at normal temperature using GC, OF 2 was not detected in the chromatogram as described above, and N 2 , NF 3 , N 2 F 2 , N 2 O, Peaks are detected in the order of CO 2 . However, when the method of the present invention in which the column temperature is analyzed at −30 to −110 ° C. is adopted, N 2 peak and
The OF 2 peak is detected between the NF 3 peaks.
Of course, peaks of N 2 F 2 , N 2 O and CO 2 are also detected.

以上説明したように、本発明の方法を採用することによ
りNF3ガス中のOF2を良好に分析することはできる。しか
しながら、本発明の方法ではカラムの温度を低温で分析
するので、常温で分析する通常の方法に比べて長時間を
要する。そこで、本発明の方法によりOF2以外の不純物
も同時に分析する場合には、OF2が検出された後、カラ
ムを後記する冷媒浴から取り出し常温まで昇温すれば、
それ以降の分析は通常の方法と同程度の時間で行なうこ
とができる。
As described above, by adopting the method of the present invention, OF 2 in NF 3 gas can be satisfactorily analyzed. However, in the method of the present invention, since the temperature of the column is analyzed at a low temperature, it takes a longer time than the usual method in which analysis is performed at room temperature. Therefore, in the case of simultaneously analyzing impurities other than OF 2 by the method of the present invention, after OF 2 is detected, the column is taken out from the refrigerant bath described below and heated to room temperature,
Subsequent analyzes can be performed in about the same time as conventional methods.

本発明の方法ではNF3ガス中のOF2の含有量は、以上のよ
うな方法で検出されたピークと標準試料のピークから面
積百分率によって定量することができる。
In the method of the present invention, the content of OF 2 in NF 3 gas can be quantified by the area percentage from the peak detected by the above method and the peak of the standard sample.

本発明では、カラムを上記の如く−30〜−110℃の温度
に冷却する必要があるが、かかる冷却は例えば液体窒素
−エタノール系やドライアイス−エタノール系の冷媒浴
に、カラムを浸漬することで簡単に実施することができ
る。また、液体窒素とエタノールの混合割合、ドライア
イスとエタノールの混合割合を変更することにより、冷
却温度も調節することができる。
In the present invention, it is necessary to cool the column to a temperature of −30 to −110 ° C. as described above, but such cooling is performed by immersing the column in a liquid nitrogen-ethanol-based or dry ice-ethanol-based refrigerant bath. Can be implemented easily. Also, the cooling temperature can be adjusted by changing the mixing ratio of liquid nitrogen and ethanol and the mixing ratio of dry ice and ethanol.

尚、本発明の方法においては、シリカゲルは分析の都
度、前以って加熱して脱水処理を行なう必要はなく、一
回の脱水処理で数回の分析を行なうことができる。
In the method of the present invention, it is not necessary to heat silica gel in advance for dehydration treatment each time it is analyzed, and it is possible to perform analysis several times in one dehydration treatment.

〔実施例〕〔Example〕

以下、実施例により本発明を更に具体的に説明する。 Hereinafter, the present invention will be described in more detail with reference to examples.

実施例1 (株)島津製作所製のGC(型式GC−8A)を使用して、NH
4F・HF系溶融塩を電解して得た不純物を含有するNF3
スの分析を行なった。
Example 1 Using a GC (model GC-8A) manufactured by Shimadzu Corporation, NH
NF 3 gas containing impurities obtained by electrolysis of 4 F / HF molten salt was analyzed.

即ち、粒径が60〜80メッシュの市販のGC用シリカゲル2m
lを、上記GCのテフロン製カラム(内径2mmのテフロン管
をコイル状に巻いたもので長さ680mm)に充填し、この
カラムをGCに装着した。次に、予めモレキュラシーブ5A
で脱湿したHeガスを30ml/min.の流量で該カラムに送入
しながら、該カラムを180℃の温度に10時間加熱して脱
水処理を行なった。
That is, commercially available silica gel for GC with a particle size of 60-80 mesh 2 m
l was packed in the Teflon column of the above GC (Teflon tube having an inner diameter of 2 mm wound in a coil shape and having a length of 680 mm), and this column was attached to the GC. Next, molecular sieve 5A in advance
The He gas dehumidified in 1. was fed to the column at a flow rate of 30 ml / min., And the column was heated to a temperature of 180 ° C. for 10 hours for dehydration treatment.

脱水処理が終了した該カラムは、引続き上記流量でHeガ
スを送入しながら常温まで冷却した。常温まで冷却され
たカラムは、次いでドライアイス−エタノール系の冷媒
浴に浸漬して−50℃の温度まで冷却した状態を維持しな
がら、次に該カラムに上記のNF3ガスを5Nml注入して分
析し、第1図に示すクロマトグラフムを得た。
The column after the dehydration treatment was cooled to room temperature while continuously feeding He gas at the above flow rate. The column cooled to room temperature is then immersed in a dry ice-ethanol-based refrigerant bath to maintain the state of being cooled to a temperature of -50 ° C, and then 5 Nml of the above NF 3 gas is injected into the column. Analysis was performed to obtain the chromatograph shown in FIG.

尚、分析はOF2のピークが完全に検出された後は、上記
カラムから冷媒浴を取外して分析を続行した。
In the analysis, after the OF 2 peak was completely detected, the refrigerant bath was removed from the column and the analysis was continued.

第1図に示すクロマトグラムのピークと標準試料のピー
クから面積百分率によって、NF3ガス中のOF2の含有量は
1.1容量%であることが確認された。
The content of OF 2 in the NF 3 gas was calculated from the peaks of the chromatogram shown in FIG.
It was confirmed to be 1.1% by volume.

実施例2 実施例1と全く同様な方法で加熱して脱水処理され常温
まで冷却された、シリカゲルを充填したカラムを、液体
窒素−エタノール系の冷媒浴に浸漬して−100℃の温度
まで冷却した。しかる後、該カラムに実施例1で使用し
たものと同一のNF3ガスを5Nml注入した後、該カラムの
温度を約10℃/min.の速度で昇温しながら分析し、第2
図に示すクロマトグラムを得た。
Example 2 A column packed with silica gel, which had been dehydrated by heating in the same manner as in Example 1 and cooled to room temperature, was immersed in a liquid nitrogen-ethanol-based refrigerant bath and cooled to a temperature of -100 ° C. did. Thereafter, 5 Nml of the same NF 3 gas as that used in Example 1 was injected into the column, and then the temperature of the column was analyzed at a rate of about 10 ° C./min.
The chromatogram shown in the figure was obtained.

尚、分析は実施例1と同様にOF2のピークが完全に検出
された後は、上記カラムから冷媒浴を取外して分析を続
行した。
In the analysis, as in Example 1, after the OF 2 peak was completely detected, the refrigerant bath was removed from the column and the analysis was continued.

また、上記カラムの昇温速度の調節は、冷媒浴に連続的
に一定量のエタノールを添加する方法で行なった。
The temperature rising rate of the column was adjusted by a method of continuously adding a fixed amount of ethanol to the refrigerant bath.

第2図に示すクロマトグラムのピークと標準試料のピー
クから面積百分率によって、実施例1と同様にNF3ガス
中のOF2の含有量は1.1容量%であることが確認された。
From the peak of the chromatogram shown in FIG. 2 and the peak of the standard sample, it was confirmed by the area percentage that the content of OF 2 in the NF 3 gas was 1.1% by volume, as in Example 1.

比較例1 実施例1と全く同様な方法で加熱して脱水処理され常温
まで冷却された、シリカゲルを充填したカラムを冷媒浴
で冷却せずに常温(約25℃)で、その他は実施例1と全
く同一の方法で分析を行なった。
Comparative Example 1 A column packed with silica gel, which has been dehydrated by heating in the same manner as in Example 1 and cooled to room temperature, is at room temperature (about 25 ° C.) without being cooled in a refrigerant bath, and the others are in Example 1 The analysis was performed in exactly the same manner as in.

その結果は第3図に示す通りであり、得られたクロマト
グラムにはOF2のピークは検出されなかった。
The results are shown in FIG. 3, and no OF 2 peak was detected in the obtained chromatogram.

比較例2 カラムの昇温速度を約30℃/minとした以外は、実施例2
と全く同様な方法でNF3ガスの分析を行なった。
Comparative Example 2 Example 2 except that the heating rate of the column was set to about 30 ° C./min.
The NF 3 gas was analyzed by the same method as in.

その結果は第4図に示す通りであり、比較例1と同様に
クロマトグラムにはOF2のピークが検出されなかった。
The results are shown in FIG. 4, and as in Comparative Example 1, no peak of OF 2 was detected in the chromatogram.

〔発明の効果〕〔The invention's effect〕

以上詳細に説明したように本発明の方法により、従来存
在していると考えられていながら確認されていなかっ
た、NF3ガス中のOF2の存在を確認することができ、更に
は定量することが可能となった。
As described in detail above, by the method of the present invention, it was possible to confirm the presence of OF 2 in the NF 3 gas, which has not been confirmed although it was thought to exist in the past, and further to be quantified. Became possible.

従って、NF3ガスを例えばチオ硫酸ナトリウム、亜硫酸
ナトリウム等の水溶液と接触させる方法により、含有す
るOF2の除去を確認できるというように、高純度のNF3
スを製造する上で本発明の方法は大きな役割を果たすも
のである。
Therefore, the method of the present invention for producing high-purity NF 3 gas such that removal of OF 2 contained can be confirmed by a method of contacting NF 3 gas with an aqueous solution of sodium thiosulfate, sodium sulfite, etc. Plays a big role.

【図面の簡単な説明】[Brief description of drawings]

第1図は実施例1で、第2図は実施例2で、第3図は比
較例1で、第4図は比較例2で得られた、それぞれのク
ロマトグラムを示す図である。
1 is Example 1, FIG. 2 is Example 2, FIG. 3 is Comparative Example 1, and FIG. 4 is a diagram showing respective chromatograms obtained in Comparative Example 2.

Claims (1)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】少なくとも不純物として二弗化酸素を含有
する三弗化窒素ガスをガスクロマトグラフィーで分析す
るに方法において、該ガスクロマトグラフィーのカラム
の充填剤に予め加熱して脱水処理したシリカゲルを用
い、該カラムを−30℃〜−110℃の範囲の温度に冷却し
て該カラムに三弗化窒素ガスを注入した後、該カラムを
上記温度範囲内の一定温度に維持するかまたは−30℃を
越えない温度において20℃/min.以下の速度で昇温する
ことを特徴とする三弗化窒素ガス中の二弗化酸素の分析
方法。
1. A method for analyzing a nitrogen trifluoride gas containing at least oxygen difluoride as an impurity by gas chromatography, wherein silica gel dehydrated by preheating the packing material of the column of the gas chromatography is used. Used, after cooling the column to a temperature in the range of -30 ° C to -110 ° C and injecting nitrogen trifluoride gas into the column, maintaining the column at a constant temperature within the above temperature range or -30 A method for analyzing oxygen difluoride in nitrogen trifluoride gas, characterized in that the temperature is raised at a rate not exceeding 20 ° C / min.
JP26705788A 1988-10-25 1988-10-25 Analytical method for oxygen difluoride in nitrogen trifluoride gas Expired - Fee Related JPH0692963B2 (en)

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