JPH0691428B2 - Flip-flop circuit - Google Patents

Flip-flop circuit

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JPH0691428B2
JPH0691428B2 JP60008979A JP897985A JPH0691428B2 JP H0691428 B2 JPH0691428 B2 JP H0691428B2 JP 60008979 A JP60008979 A JP 60008979A JP 897985 A JP897985 A JP 897985A JP H0691428 B2 JPH0691428 B2 JP H0691428B2
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circuit
gate circuit
flip
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gate
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博之 以頭
正義 柳生
利夫 山田
勝 小山内
亮 正木
光雄 宇佐美
徹 小林
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Description

【発明の詳細な説明】 〔発明の利用分野〕 本発明は、論理装置内において情報を一時的に記憶する
ためのフリツプフロツプ回路、特に半導体のパツケージ
材料中の微量の放射性物質から放射されるα線等によつ
てソフトエラーが生じることがないよう改良したフリツ
プフロツプ回路に関する。
Description: FIELD OF THE INVENTION The present invention relates to a flip-flop circuit for temporarily storing information in a logic device, and in particular, α rays emitted from a trace amount of radioactive substances in a semiconductor package material. The present invention relates to a flip-flop circuit improved so that a soft error does not occur due to such reasons.

〔発明の背景〕[Background of the Invention]

第19図に、フリツプフロツプ回路の論理構成の一例を示
す。この回路は、入力端子In2を介して印加されるクロ
ツク入力62が“1"状態の時は入力端子In1を介して印加
されるデータ入力61の内容を肯定側出力端子64に出力
し、データ入力61の内容を反転したものを否定側出力端
子63に出力する機能を有し、クロツク入力62が“0"状態
の時はその前にクロツク入力62が“1"であつた時のデー
タ入力61の内容を記憶し、その記憶内容を肯定側出力端
子64に、その記憶内容を反転したものを否定側出力端子
63に出力する機能を持つている。なお、図において、69
Aはインバータ、66A〜66CはORゲート、67はANDゲート、
65はフイードバツク線である。
FIG. 19 shows an example of the logical configuration of the flip-flop circuit. This circuit outputs the content of the data input 61 applied through the input terminal In 1 to the positive side output terminal 64 when the clock input 62 applied through the input terminal In 2 is in the “1” state, It has a function to output the inverted contents of the data input 61 to the output terminal 63 on the negative side. Data when the clock input 62 is "1" before the clock input 62 is in the "0" state. Memorizes the contents of the input 61, stores the stored contents in the positive output terminal 64, and inverts the stored contents in the negative output terminal.
It has a function to output to 63. In the figure, 69
A is an inverter, 66A to 66C are OR gates, 67 is an AND gate,
65 is a feed back line.

第20図は、第19図のフリツプフロツプを実現するための
従来の回路構成図である。この回路は基本ゲートとして
エミツタ結合論理回路(Emitter Coupled Logic、以下E
CL回路と記す)を用いたもので、定電流源718,728,738
に対応してそれぞれ1ゲートが構成されている。定電流
源718に対応するゲートに着目すると、このゲートは入
力端子がトランジスタ711,712のそれぞれのベースであ
り、NOR出力とOR出力はそれぞれトランジスタ711,712の
共通コレクタとトランジスタ713のコレクタより得られ
る。他のゲートについても同様である。
FIG. 20 is a conventional circuit configuration diagram for realizing the flip-flop of FIG. This circuit uses an Emitter Coupled Logic (E) as a basic gate.
CL current circuit), constant current source 718,728,738
One gate is formed for each of the above. Focusing on the gate corresponding to the constant current source 718, the input terminal of this gate is the base of each of the transistors 711 and 712, and the NOR output and the OR output are obtained from the common collector of the transistors 711 and 712 and the collector of the transistor 713, respectively. The same applies to the other gates.

次に、第20図において第19図のANDゲート67に対応する
動作について説明する。第20図の回路において、3個の
ゲートのそれぞれのOR出力は、上述したようなトランジ
スタ713,723,733のコレクタより得られるが、この回路
ではその3個のコレクタは共通に結線(703)され、エ
ミツタフオロワ・トランジスタ701を介して64に出力さ
れる。結線703によつて、3個のゲートのOR出力は論理
的にANDをとられる。一方、各ゲートのNOR出力はエミツ
タフオロワ・トランジスタ714,724,734を介して出力さ
れるが、これらのトランジスタのエミツタは共通に結線
(704)されているので、3個のゲートのNOR出力は論理
的にORをとられる。これは、ド・モルガンの定理によつ
てOR出力のANDの否定と等価である。したがつて、第20
図の回路構成によつて第19図と同様に肯定側出力64、否
定側出力63が得られる。第19図及び第20図の回路の詳細
は、特願昭57−81426号明細書を参照のこと。
Next, the operation corresponding to the AND gate 67 in FIG. 19 will be described with reference to FIG. In the circuit of FIG. 20, the OR output of each of the three gates is obtained from the collectors of the transistors 713, 723, 733 as described above, but in this circuit, the three collectors are commonly connected (703), and the emitter output follower It is output to 64 via the transistor 701. The OR outputs of the three gates are logically ANDed by connection 703. On the other hand, the NOR output of each gate is output via the emitter-follower transistors 714, 724, 734. Since the emitters of these transistors are commonly connected (704), the NOR outputs of the three gates are logically ORed. Be taken. This is equivalent to the negation of the AND output AND by De Morgan's theorem. Therefore, the 20th
The positive side output 64 and the negative side output 63 are obtained by the circuit configuration shown in the same manner as in FIG. For details of the circuits shown in FIGS. 19 and 20, see Japanese Patent Application No. 57-81426.

ところで、近年、半導体のパツケージ材料中の微量の放
射性物質から放出されるα線によつて、メモリやフリツ
プフロツプ回路がソフトエラーを生じることが明らかに
なつてきた。第21図は、半導体チップにα線が入射した
ときの様子を示すもので、バイポーラ・トランジスタの
場合を示している。126,127,129はそれぞれエミツタ,
ベース,コレクタ領域であり、130はコレクタ129と基板
131で形成されるPN接合の空乏層である。α線が入射す
ると、その軌跡120に沿つて電子・正孔対が発生する。
各領域で発生する電子・正孔対の中で回路動作に最も大
きな影響を与えるのは空乏層130と基板131で発生する電
子・正孔対である。電子に着目すると空乏層130で発生
した電子はPN接合の電界によつてコレクタに引かれ集め
られる。また、基板131で発生した電子は拡散によつて
空乏層130に達しその後は上と同様にコレクタに集めら
れる。したがつて、α線入射による影響は電流性ノイズ
となつて現われ、その電流はα線が入射したトランジス
タのコレクタから基板へ流れる形となる。
By the way, in recent years, it has become clear that a memory or a flip-flop circuit causes a soft error due to α rays emitted from a very small amount of radioactive substances in a semiconductor package material. FIG. 21 shows a state where α rays are incident on the semiconductor chip, and shows a case of a bipolar transistor. 126, 127, and 129 are Emitta,
Base and collector regions, 130 is collector 129 and substrate
This is the depletion layer of the PN junction formed by 131. When the α-ray enters, electron-hole pairs are generated along the locus 120.
Among the electron-hole pairs generated in each region, the electron-hole pairs generated in the depletion layer 130 and the substrate 131 have the greatest influence on the circuit operation. Focusing on the electrons, the electrons generated in the depletion layer 130 are attracted and collected by the collector by the electric field of the PN junction. In addition, the electrons generated in the substrate 131 reach the depletion layer 130 by diffusion and thereafter are collected in the collector as in the above. Therefore, the influence of α-ray incidence appears as current noise, and the current flows from the collector of the transistor into which the α-ray is incident to the substrate.

以上の性質は、バイポーラ・トランジスタに関するもの
であるから、メモリでもロジツクのLSIでも事情は同じ
である。バイポーラ・メモリに関するソフトエラーの報
告は、たとえば電子通信学会論文誌Trans.IECE,Vol63−
C,No.2(1980−2)(光定、他;“α粒子による高速バ
イポーラRAMのソフトエラー”)がある。一方、ロジツ
ク(論理)LSIについては、またソフトエラーが起きた
という報告はない。これは、論理LSIでは、メモリLSIに
比較して回路電流が多く、また信号振幅も大きいためで
ある。しかしながら、今後デバイスの微細化、高性能化
にともなつて寄生容量が減少するため、蓄積電荷量も減
少し、論理LSIでもソフトエラーが問題となつてくる。
さらに、論理LSI特有の問題としては信号ピン数が多い
ため従来のワイヤボンデイングに代わつてCCB(Control
led Collapse Bonding)と呼ばれるチツプ接続法が採用
されつつあり(たとえば、IEEE J.State Circuit,Vol
SC−14,No.5,pp818−822(1979−11)参照)、この方法
では、半田のボールがチツプの全面に配置されるが、半
田の中に不純物として含まれる放射性同位元素(たとえ
ばRa,Amなど)が論理LSIのソフトエラーの原因となり得
る。この半田ボールはチツプに接着されるので、たとえ
ばチツプを何らかの材料で覆つてα線を遮へいすること
は不可能となり、α線に強い回路が必要となる。
Since the above properties are related to the bipolar transistor, the situation is the same whether it is a memory or a logic LSI. For example, a soft error report on a bipolar memory is reported in the Institute of Electronics and Communication Engineers, Trans.IECE, Vol 63-
C, No.2 (1980-2) (Mitsuda, et al .; "Soft error in high-speed bipolar RAM due to α particles"). On the other hand, regarding the logic (logic) LSI, there is no report that a soft error has occurred. This is because the logic LSI has a larger circuit current and a larger signal amplitude than the memory LSI. However, in the future, as the device becomes more miniaturized and its performance becomes higher, the parasitic capacitance will decrease, so that the amount of accumulated charge will decrease, and soft error will become a problem even in logic LSI.
Furthermore, as a problem peculiar to logic LSIs, since there are many signal pins, CCB (Control
A chip connection method called "LED Collapse Bonding" is being adopted (for example, IEEE J. State Circuit, Vol.
SC-14, No. 5, pp818-822 (1979-11)), in this method, the solder balls are arranged on the entire surface of the chip, but the radioactive isotope (for example, Ra , Am, etc.) can cause a soft error in the logic LSI. Since this solder ball is bonded to the chip, it is impossible to cover the chip with some material to shield the α-rays, and a circuit resistant to the α-rays is required.

論理LSI用の耐α回路としては、本発明者らが先に出願
(特願昭59−67653)したものがあるが、それはα線の
電流性ノイズに応じ回路の参照電位を変化させるもので
あり微分回路を応用していた。微分回路は、ノイズの波
形にかなり大きく依存するため回路動作の安定性という
点では必らずしもよいものではなかつた。
As an α-resistant circuit for a logic LSI, there is one previously filed by the present inventors (Japanese Patent Application No. 59-67653), which changes the reference potential of the circuit according to the current noise of the α-ray. Yes, the differential circuit was applied. The differentiating circuit is not necessarily good in terms of the stability of the circuit operation because it relies heavily on the noise waveform.

〔発明の目的〕[Object of the Invention]

そこで本発明の目的は、α線などの放射線に対して耐性
があり、ソフトエラーを生じることのないフリツプフロ
ツプ回路を提供することにある。
Therefore, an object of the present invention is to provide a flip-flop circuit that is resistant to radiation such as α rays and does not cause a soft error.

〔発明の概要〕[Outline of Invention]

このため、本発明では、 少なくとも一つの外部入力信号が入力される第1のゲー
ト回路と、該第1のゲート回路の出力信号を受け、フリ
ップフロップの出力として用いる信号を与える第2のゲ
ート回路と、第3のゲート回路とを少なくとも有し、該
第3のゲート回路は、該第2のゲート回路からフィード
バック信号を受けるとともに、その第3のゲート回路の
出力信号を該第2のゲート回路に与えるように、該第2
のゲート回路に接続され、もって該第3のゲート回路と
該第2のゲート回路がフィードバックループを構成し、
該第1のゲート回路は、相互に接続された複数のバイポ
ーラトランジスタからなり、該複数のバイポーラトラン
ジスタの少なく一つの制御電極に該外部入力信号が与え
られ、その複数のバイポーラトランジスタの少なくとも
一つの特定のバイポーラトランジスタのコレクタの電圧
を、その第1のゲート回路の出力信号として該第2のゲ
ート回路に与えるように構成されているフリップフロッ
プ回路において、 該第2のゲート回路は、該コレクタの電位が、該特定の
バイポーラトランジスタにおけるソフトエラーにより高
レベルより一時的に低下した場合に、該第2のゲート回
路から該第3のゲート回路への上記フィードバック信号
のレベルが変化するのを防止するように構成されてい
る。
Therefore, in the present invention, the first gate circuit to which at least one external input signal is input, and the second gate circuit which receives the output signal of the first gate circuit and gives the signal used as the output of the flip-flop And a third gate circuit, wherein the third gate circuit receives a feedback signal from the second gate circuit and outputs the output signal of the third gate circuit from the second gate circuit. To give to the second
And the third gate circuit and the second gate circuit form a feedback loop.
The first gate circuit includes a plurality of bipolar transistors connected to each other, at least one control electrode of the plurality of bipolar transistors is provided with the external input signal, and at least one of the plurality of bipolar transistors is specified. In a flip-flop circuit configured to give the voltage of the collector of the bipolar transistor as the output signal of the first gate circuit to the second gate circuit, wherein the second gate circuit has a potential of the collector. To prevent the level of the feedback signal from the second gate circuit to the third gate circuit from changing when it temporarily falls below a high level due to a soft error in the particular bipolar transistor. Is configured.

〔発明の実施例〕Example of Invention

本発明の説明に先立ち、まずバイポーラ・トランジスタ
を例にとりフリツプフロツプ回路でのα線による問題に
つき詳細に説明する。第22図はECL回路の電流切り換え
部を示し、α線による電流性ノイズが等価的にどのよう
に表わされるかを示したものである。この図はトランジ
スタ223にα線が入射した場合であり、ノイズ源は227で
ある。第23図はα線によるノイズが信号レベルにどのよ
うな変動を引き起こすのかを示したものである。320
は、たとえば第22図のトランジスタ223のコレクタの電
位を示しており、α線ノイズ源227によつて321,322のよ
うなノイズが生じる。
Prior to the description of the present invention, a problem caused by α rays in a flip-flop circuit will be described in detail by taking a bipolar transistor as an example. FIG. 22 shows the current switching unit of the ECL circuit and shows how the current noise due to α rays is equivalently expressed. In this figure, α rays are incident on the transistor 223, and the noise source is 227. FIG. 23 shows what kind of fluctuation the noise caused by α rays causes in the signal level. 320
Indicates the potential of the collector of the transistor 223 in FIG. 22, for example, and noise such as 321 and 322 is generated by the α-ray noise source 227.

このノイズによつてフリツプフロツプの情報が失なわれ
る動作について説明する。第20図に示すように、フリツ
プフロツプのフイードバツク線65は、共通に結線された
トランジスタ713,723,733のコレクタから、エミツタフ
オロワ・トランジスタ701を経てゲートの入力端子であ
るトランジスタ722,732のベースへ接続されている。し
たがつて、トランジスタ713,723,733のいずれかにα線
が入射すると、その共通コレクタに第23図に示すノイズ
321,322が生じ、それがフイードバツクされる。その場
合、コレクタの電位がLowレベルのときにはノイズ321が
生じてもその電位をさらに低く引き下げるだけであるか
らフリツプフロツプのLowの情報が失われることはな
い。一方、コレクタの電位がHighレベルのときには、ノ
イズ322が生じそれがフイードバツクされると、フイー
ドバツクの電位は参照電位VBBに近づき、ノイズが大き
い場合には論理的にHighレベルであるはずのフイードバ
ツク電位がVBBよりも下がるため、ECL回路の電流が切り
換わり情報が失われることになる。
The operation of losing the flip-flop information due to this noise will be described. As shown in FIG. 20, the flip-flop feed back line 65 is connected from the collectors of the transistors 713, 723 and 733 connected in common to the bases of the transistors 722 and 732 which are the input terminals of the gates via the emitter follower transistor 701. Therefore, when α-rays enter any of the transistors 713, 723, 733, the noise shown in Fig.
321,322 occurs, and it is fed back. In that case, even if noise 321 occurs when the potential of the collector is at a low level, the potential is merely lowered to a lower level, so that the low information of the flip-flop is not lost. On the other hand, when the collector potential is at the high level, noise 322 is generated and is fed back, the potential of the feedback back approaches the reference potential V BB, and when the noise is large, the feedback back potential that should be logically high level. Becomes lower than V BB , the current in the ECL circuit switches and the information is lost.

ECL回路だけでなく、他のバイポーラ回路、たとえばTTL
(トランジスタ・トランジスタ論理)回路においても、
コレクタ電位が下がることによるソフトエラーのメカニ
ズムは同様である。また、電界効果トランジウタ(FE
T)の場合も、第21図のバイポーラトランジスタのコレ
クタ層129に、FETのソース,ドレインが対応し、同様の
エラー動作があらわれる。つまり、α線の入射によつて
Nチヤネルの場合はドレインから基板に電流が流れドレ
イン電位が下がる。
Not only ECL circuits, but also other bipolar circuits such as TTL
In (transistor / transistor logic) circuit,
The mechanism of the soft error due to the decrease of the collector potential is similar. In addition, the field effect transistor (FE
Also in the case of T), the source and drain of the FET correspond to the collector layer 129 of the bipolar transistor of FIG. 21, and the same error operation appears. That is, in the case of N channel due to the incidence of α rays, a current flows from the drain to the substrate, and the drain potential drops.

第1図は、本発明の概略構成図である。1はフイードバ
ツクループを形成する回路であり、情報を記憶するため
に最小限に必要な単位である。ここでは、この単位をラ
ツチと呼び、ラツチ1へ入力信号Vin1,Vin2などを供給
するための入力制御回路2と、ラツチ2からの出力信号
Vout1,Vout2などを制御するための出力制御回路3とか
らなる回路をフリツプフロツプ回路と呼ぶ。本発明のフ
リツプフロツプ回路は、ラツチ1がα線等によるソフト
エラーが起きないように、従来のラツチ内のフイードバ
ツクループを構成する素子の中でエラーの原因となる素
子を二重化したものである。
FIG. 1 is a schematic configuration diagram of the present invention. Reference numeral 1 is a circuit forming a feedback loop, which is the minimum unit necessary for storing information. Here, this unit is called a latch, and an input control circuit 2 for supplying input signals Vin 1 , Vin 2 etc. to the latch 1 and an output signal from the latch 2
A circuit including an output control circuit 3 for controlling Vout 1 , Vout 2, etc. is called a flip-flop circuit. The flip-flop circuit of the present invention is a duplicate of an element that causes an error in the elements constituting the feedback loop in the conventional latch so that the latch 1 does not cause a soft error due to α rays or the like. .

フリツプフロツプ単位での単なる二重化は、フリツプフ
ロツプ数が2倍になり、さらにエラーの判定回路を必要
とし、必要な回路数が大きくふくれ上がつてしまう。
The simple duplication on a flip-flop basis doubles the number of flip-flops and further requires an error determination circuit, resulting in a large number of required circuits.

本発明では、情報破壊の原因となる素子のみを二重化
し、生じる得るエラーモードに応じて、二重化された信
号を処理する。したがつて、二重化による素子数の増大
を最小限に押さえながら、効果的にソフトエラーを激減
させることができる。
In the present invention, only the element that causes information destruction is duplicated, and the duplicated signal is processed according to the possible error mode. Therefore, the soft error can be effectively reduced drastically while the increase in the number of elements due to the duplication is minimized.

第2図は、本発明で用いるラツチ1の一例である。本図
は、NOR回路を用いたRSラツチの場合であり、RSラツチ
等従来回路の動作については、たとえば、横井与次郎
「デイジタルIC実用回路マニユアル」(ラジオ技術社)
などで説明されている。第2図において、従来回路につ
け加わつている部分は破線20内の回路である。NOR回路2
1,22に対応してNOR回路23,24によつて二重化している。
NOR回路21〜24は、α線の入射によつて論理Highレベル
からLowレベルへのエラー・モードが起きるとすると、O
R回路25,26があるためにエラー信号がフイードバツクさ
れることはない。たとえば、QがHighレベルのとき、NO
R回路22,24の出力はHighレベルであるが、回路22又は24
にα線が入つても、OR回路26のために、回路22,24に同
時にα線に入らない限りQがLowレベルになることはな
い。
FIG. 2 is an example of the latch 1 used in the present invention. This figure shows the case of RS latch using NOR circuit. For the operation of the conventional circuit such as RS latch, see, for example, Yojiro Yokoi "Digital IC Practical Circuit Manual" (Radio Engineering Co., Ltd.).
Etc. are explained. In FIG. 2, the part added to the conventional circuit is the circuit within the broken line 20. NOR circuit 2
Corresponding to 1,22, it is duplicated by NOR circuits 23,24.
If the NOR circuits 21 to 24 cause an error mode from a logic high level to a low level due to the incidence of α rays,
Since the R circuits 25 and 26 are provided, the error signal is not fed back. For example, when Q is high level, NO
The output of R circuit 22 and 24 is high level, but the circuit 22 or 24
Even if an α ray enters, the OR circuit 26 prevents Q from being at a low level unless the circuits 22 and 24 simultaneously enter an α ray.

エラー・モードが、上の場合と逆で、LowレベルからHig
hレベルへエラーする場合には、第3図に示すように、
二重化された信号をAND回路35,36でくくると、エラー信
号がフイードバツクされるのを防止できる。第2図,第
3図において、ラツチを構成するゲートはNORである
が、NANDの場合も全く同様である。
The error mode is the same as above, but from Low level to Hig
When there is an error in the h level, as shown in Fig. 3,
Combining the duplicated signals with the AND circuits 35 and 36 can prevent the error signal from being fed back. In FIGS. 2 and 3, the gate forming the latch is NOR, but the same applies to the case of NAND.

第4図は、第1図のラツチ1の他の一例である。本図で
は、OR回路41とAND回路42がフイードバツクループを作
つている。従来回路につけ加わつている部分は破線40で
囲つた部分である。本実施例は、AND回路42とインバー
タ44だけが論理HighレベルからLowレベルへのエラー・
モードを有する場合であり、二重化した信号は、OR回路
41でORをとつている。NAND回路43とインバータ44はひと
つのAND回路で置き代えることも可能であるるが、使用
する素子によつては本実施例のような構成の方が簡単に
なる。本実施例のように、本発明では、二重化は、エラ
ーを起こし得るゲートに対してだけ行なえばよいから、
二重化による素子の増加は最小限に押さえられる。
FIG. 4 is another example of the latch 1 of FIG. In this figure, the OR circuit 41 and the AND circuit 42 form a feedback loop. The part added to the conventional circuit is the part surrounded by the broken line 40. In the present embodiment, only the AND circuit 42 and the inverter 44 generate an error signal from the logic high level to the low level.
If the signal has a mode and the signal is duplicated, the OR circuit
ORed at 41. The NAND circuit 43 and the inverter 44 can be replaced with a single AND circuit, but the configuration of this embodiment is simpler depending on the elements used. As in the present embodiment, in the present invention, duplication need only be performed for gates that may cause an error.
The increase in the number of elements due to the duplication is minimized.

第5図は、第4図と同じく、OR回路51とAND回路52で構
成されるラツチに対して、回路50の追加でソフトエラー
を防ぐものである。エラー・モードは、第4図と同じ
く、AND回路52とインバータ54だけが、HighレベルからL
owレベルへエラーし得る。
Similar to FIG. 4, FIG. 5 is for preventing a soft error by adding the circuit 50 to the latch composed of the OR circuit 51 and the AND circuit 52. In the error mode, only AND circuit 52 and inverter 54 change from High level to L, as in FIG.
Can error to ow level.

第6図は、第4図のラツチを用いたDタイプ・フリツプ
フロツプの構成図である。従来のフリツプフロツプの第
19図と比較すると、回路60が追加されているのが特徴で
ある。この回路60の入力信号は、本フリツプフロツプ回
路の肯定側出力64と否定側出力63であり、否定側出力63
はインバータ回路69によつて反転されるため、ORゲート
68への2つの入力信号は論理的には同相となる。したが
つて、α線の影響のない正常動作においては、フイード
バツク信号65は、もとの第19図のフリツプフロツプと全
く同じ働きをする。
FIG. 6 is a block diagram of a D-type flip-flop using the latch of FIG. The first of the conventional flip flops
Compared with FIG. 19, it is characterized in that a circuit 60 is added. The input signals of this circuit 60 are the positive side output 64 and the negative side output 63 of this flip-flop circuit, and the negative side output 63.
Is inverted by the inverter circuit 69, so that the OR gate
The two input signals to 68 are logically in phase. Therefore, in normal operation without the influence of α rays, the feed back signal 65 works exactly the same as the flip-flop shown in FIG.

第6図を実現するための回路構成としては、第7図のよ
うなものが考えられる。ここで、回路70を除き、第20図
の従来のフリツプフロツプ回路と全く同じ構成である。
第6図のインバータ69は、第7図の71に対応する。ま
た、第6図のORゲート68は、第7図においては、トラン
ジスタ72と701のエミツタが結線(753)されているの
で、論理的にORがとられている。第6図と同様、第7図
においても、α線の影響のない正常動作においては、本
フリツプフロツプ回路は従来のフリツプフロツプ回路と
論理的に全く同様の動作をする。
A circuit configuration for realizing FIG. 6 may be as shown in FIG. Here, except for the circuit 70, the configuration is exactly the same as the conventional flip-flop circuit shown in FIG.
The inverter 69 in FIG. 6 corresponds to 71 in FIG. Further, the OR gate 68 in FIG. 6 is logically ORed because the emitters of the transistors 72 and 701 are connected (753) in FIG. Similar to FIG. 6, in FIG. 7 as well, in the normal operation without the influence of α rays, the flip-flop circuit logically operates exactly like the conventional flip-flop circuit.

次に、第7図においてα線が入射したときの動作を説明
する。α線の影響は、前述したようにトランジスタ713,
723,733のいずれかのコレクタにα線が入射したとき、
そのコレクタの電位が引き下げられるという形が現われ
る。したがつて、共通コレクタの電位703が論理的にHig
hレベルのとき、問題となる。つまり論理的なHighレベ
ルがα線ノイズによつてLowレベルと見なされるくらい
引き下げられるとき、それがフイードバツクされればフ
リツプフロツプは反転して情報が失われてしまう。従来
のフリツプフロツプでは、共通コレクタの電位703がそ
のままエミツタフオロワを通してフイードバツクされて
いるためこの反転を避けることができなかつた。一方、
本実施例による第7図のフリツプフロツプでは、回路70
と結線73によつて、フイードバツク信号65は、共通コレ
クタ電位703と、ラツチの否定側出力63の反転信号とのO
Rで作られる。したがつて、共通コレクタ電位703がα線
ノイズによつて論理的にHighレベルからLowレベルにな
つても、否定側出力704の反転信号がHighレベルのまま
であれば、フイードバツク信号65はHighレベルが保たれ
ラツチ回路の情報が失われることはない。否定側出力70
4の反転信号74は、共通コレクタ電位703と別個のトラン
ジスタから得られるため、1個のα線によつて同時に共
通コレクタ電位703と否定側出力704の反転信号74がHigh
レベルからLowレベルの引き下げられることはない。一
方、共通コレクタ電位703がLowレベルのときは、否定側
出力704がHighレベルなので、今度は704がα線ノイズに
よつて引き下げられる危険性がある。しかし、この場合
は、定電流源728と738で代表されるカレント・スイツチ
の否定側トランジスタに同時にα線が入射しない限りエ
ラーが起こることはない。つまり、トランジスタ721
(又は722)と731(又は732)のコレクタに同時にα線
が入射する確率は無視できる。したがつて、α線入射に
よるラツチ回路のソフトエラーはほとんど無視できる程
度になる。
Next, the operation when the α ray is incident in FIG. 7 will be described. The effect of α rays is that the transistor 713,
When α rays enter the collector of either 723 or 733,
It appears that the potential of the collector is lowered. Therefore, the common collector potential 703 is logically Hig.
There is a problem at the h level. In other words, when the logical high level is lowered due to α-ray noise to the extent that it is considered to be the low level, if it is fed back, the flip-flop will be inverted and information will be lost. In the conventional flip-flop, this inversion cannot be avoided because the common collector potential 703 is fed back through the emitter follower as it is. on the other hand,
In the flip-flop of FIG. 7 according to this embodiment, the circuit 70
The feed back signal 65 is connected to the common collector potential 703 and the inversion signal of the negative side output 63 of the latch by the connection 73.
Made in R. Therefore, even if the common collector potential 703 logically changes from the high level to the low level due to α-ray noise, if the inverted signal of the negative side output 704 remains at the high level, the feedback back signal 65 is at the high level. The latch circuit information is not lost. Negative output 70
Since the inversion signal 74 of 4 is obtained from a transistor different from the common collector potential 703, the inversion signal 74 of the common collector potential 703 and the negative side output 704 is simultaneously High by one α line.
The level cannot be lowered to the low level. On the other hand, when the common collector potential 703 is at the Low level, the negative side output 704 is at the High level, so there is a risk that the 704 will be pulled down due to α ray noise. However, in this case, no error occurs unless α-rays are simultaneously incident on the negative side transistors of the current switch represented by the constant current sources 728 and 738. That is, transistor 721
(Or 722) and 731 (or 732) collectors can simultaneously ignore the probability that α rays are incident. Therefore, the soft error of the latch circuit due to the α-ray incidence is almost negligible.

第8図は、第7図における回路70の構成方法を示したも
のであり、定電流源803をトランジスタ801,802で切換え
るECL回路を利用したものである。
FIG. 8 shows a method of constructing the circuit 70 in FIG. 7, which uses an ECL circuit in which the constant current source 803 is switched by the transistors 801 and 802.

第9図は、第7図における回路70の他の構成方法を示し
たものであり、トランジスタ901のコレクタからエミツ
タフオロワを通してフイードバツク信号65を得るもので
ある。
FIG. 9 shows another construction method of the circuit 70 in FIG. 7, in which the feedback back signal 65 is obtained from the collector of the transistor 901 through the emitter follower.

以上の実施例では、インバータ71への入力信号は、フリ
ツプフロツプの否定側出力63をそのまま利用している。
つまりトランジスタ714,724,734の結線ORを使つている
が、これらのトランジスタとは別個に、新たに3個のト
ランジスタを設け、それぞれトランジスタ714,724,734
と同様に接続してインバータ71へ入力させることも可能
である。
In the above embodiment, the flip-flop negative side output 63 is used as it is as the input signal to the inverter 71.
That is, the connection OR of the transistors 714, 724, 734 is used, but three transistors are newly provided separately from these transistors, and the transistors 714, 724, 734 are respectively provided.
It is also possible to connect in the same manner as above and input to the inverter 71.

また、以上の実施例ではラツチの肯定側出力64は、フイ
ードバツク信号65と同じエミツタフオロワトランジスタ
701によつて得ているが、これも別個のトランジスタに
よつて得ることが可能である。つまり、トランジスタ70
1と同様にトランジスタ713,723,733の共通コレクタ703
にベースを接続し、エミツタから肯定側出力64を得る。
Further, in the above embodiment, the positive output 64 of the latch is the same emitter follower transistor as the feedback signal 65.
Although it is obtained by the 701, it can also be obtained by a separate transistor. That is, the transistor 70
Common collector 703 of transistors 713,723,733 as in 1
Connect the base to and get the positive output 64 from the Emitter.

第6図を実現するための他の回路構成法を第10図に示
す。この回路では、第7図のように回路70への入力信号
としてフリツプフロツプの否定側出力704を使うことを
しないで、それぞれ定電流源718,728,738で代表される
カレントスイツチの否定側のコレクタ電位11,12,13を直
接回路70への入力信号とすることによつて、フイードバ
ツクの回路速度を速めることができる。このとき、イン
バータ71の代わりに、NORゲート14を使う。このゲート1
4には第8,9図の回路の入力数を増やして、それぞれ第1
1,12図のような回路を使うことができる。つまり、第7
図においては、各カレントスイツチの否定側出力のORを
とつて回路71で反転させていたのを、まとめてゲート14
で行なつてしまうため、回路速度を速められる。また、
NORゲートとしては、第11図のように定電流源を使つた
ことによる安定性と、第12図のような非閾値化による高
速性を合わせもつたものとして第13図のような回路も可
能である。ここで、抵抗335,336の分割比は、高速化と
信号レベルを考慮して決定する。また、静電容量338
は、スピードアツプ容量であり、NOR出力を高速化する
ことができる。
Another circuit configuration method for realizing FIG. 6 is shown in FIG. In this circuit, the flip-flop negative side output 704 is not used as the input signal to the circuit 70 as shown in FIG. 7, but the negative side collector potentials 11 and 12 of the current switch represented by the constant current sources 718, 728 and 738, respectively. The circuit speed of the feed back can be increased by directly inputting signals 13 and 13 to the circuit 70. At this time, the NOR gate 14 is used instead of the inverter 71. This gate 1
In Fig. 4, the number of inputs of the circuits in Figs.
You can use the circuits shown in Figures 1 and 12. That is, the 7th
In the figure, the OR of the output on the negative side of each current switch is taken and inverted by the circuit 71.
The circuit speed can be increased because it is done with. Also,
As the NOR gate, a circuit such as that shown in Fig. 13 can be used as a combination of stability by using a constant current source as shown in Fig. 11 and high speed by non-thresholding as shown in Fig. 12. Is. Here, the division ratio of the resistors 335 and 336 is determined in consideration of the speedup and the signal level. In addition, the capacitance 338
Is a speed-up capacity and can speed up NOR output.

第10図の回路では、ラツチの否定側出力については示し
てはいないが、第7図と同様にすることが可能である。
また、肯定側出力64についても第7図について説明した
ように出力用とフイードバツク用に別個のエミツタフオ
ロワ・トランジスタを使うこともできる。
In the circuit of FIG. 10, the output on the negative side of the latch is not shown, but it can be the same as that of FIG.
Also for the positive side output 64, separate emitter follower transistors can be used for the output and for the feedback as described in FIG.

本発明の他の実施例を第14図に示す。本実施例では、第
6図の実施例と比較し、ORゲート68がなくて、その代わ
り、ORゲート66B,66Cの入力数を2入力から3入力にす
る。入力数を増すことが可能なときは、この方が回路速
度を速めることができる。第14図の各ゲートの具体的な
構成は、すべて第6図の実施例の場合と同様な方法が可
能である。
Another embodiment of the present invention is shown in FIG. Compared with the embodiment of FIG. 6, the present embodiment does not have the OR gate 68, but instead, the number of inputs of the OR gates 66B and 66C is changed from 2 inputs to 3 inputs. If the number of inputs can be increased, this can increase the circuit speed. The specific structure of each gate shown in FIG. 14 can be the same as in the case of the embodiment shown in FIG.

本発明のさらに他の実施例を第15図に示す。本実施例
は、これまでのものとちがつて、縦積みのECL回路、い
わゆるシリーズゲートECLによるフリツプフロツプに対
して耐α線対策を施したものである。従来回路の第24図
において、データ入力In1、クロツクを相入力In2、ラツ
チの肯定側出力64、否定側出力63の相互関係は第6図の
場合と全く同じである。動作の概略を説明すると、クロ
ツクを相入力In2が参照電圧VBB2より高いとき、データ
入力In1に応じてトランジスタ・ペア551,552のいずれか
のトランジスタに電流が流れる。一方、In2が参照電圧V
BB2より低いときは、トランジスタ・ペア553,554のいず
れかのトランジスタに電流が流れ、データが保持され
る。データを保持するためのフイードバツクは、ラツチ
の肯定側出力64からトランジスタ553のベースへフイー
ドバツクされる。
Yet another embodiment of the present invention is shown in FIG. This embodiment differs from the conventional ones in that a vertically stacked ECL circuit, so-called series gate ECL, is provided with a countermeasure against α rays against a flip-flop. In the conventional circuit shown in FIG. 24, the mutual relationships among the data input In 1 , the clock phase input In 2 , the latch positive side output 64, and the negative side output 63 are exactly the same as in FIG. In summary, when the clock phase input In 2 is higher than the reference voltage V BB2 , a current flows through either transistor of the transistor pair 551, 552 depending on the data input In 1 . On the other hand, In 2 is the reference voltage V
When it is lower than BB2 , current flows in one of the transistors of the transistor pair 553, 554, and the data is retained. The feedback back for holding data is fed back from the positive output 64 of the latch to the base of transistor 553.

本回路でα線入射によつてエラーが起き得るのは、肯定
側出力64を作るためのトランジスタ552と554のコレクタ
にα線が入つた場合で、しかもその出力がHighレベルの
ときだけである。
An error can occur in this circuit due to α-ray incidence only when α-rays enter the collectors of the transistors 552 and 554 for making the positive side output 64, and only when the output is at high level. .

したがつて、第15図に示すように、耐α線対策のため
に、トランジスタ552,554に対してそれぞれトランジス
タ566と567を並列にし、ただし、コレクタは分けて負荷
抵抗を564と565のように別にし、エミツタフオロワ・ト
ランジスタ559と568のワイアードオアによつて論理的OR
を得、フイードバツク信号とする。こうすることによつ
て、トランジスタ552(又は554)と566(又は567)に同
時にα線が入射しない限りソフトエラーは起こらない。
Therefore, as shown in Fig. 15, transistors 566 and 567 are connected in parallel to transistors 552 and 554, respectively, as a countermeasure against α rays, but the collectors are separated and the load resistances are separately set to 564 and 565, respectively. However, it is logically ORed by the wired OR of the Emitta-Fourois transistors 559 and 568.
As a feedback signal. By doing so, the soft error does not occur unless the α rays are simultaneously incident on the transistors 552 (or 554) and 566 (or 567).

本実施例においては、シリーズゲートECL回路としてデ
ータ保持用のトランジスタ・ペア553,554は、554のベー
スに参照電圧VBB1を与える構成になつているが、トラン
ジスタ553と554のベースに互いに逆相の信号、つまり差
動信号を入れる方法もあり得る。つまり、トランジスタ
554のベースに、否定側出力63を入れることもできる。
この場合は、第15図のような二重化を否定側出力に対し
て全く同じように行なうことによつて、α線によるソフ
トエラーを防止できる。
In this embodiment, as the series gate ECL circuit, the data holding transistor pair 553, 554 is configured to give the reference voltage V BB1 to the bases of 554, but the signals of opposite phases to the bases of the transistors 553 and 554. That is, there may be a method of inserting a differential signal. That is, the transistor
The negative output 63 can also be put in the base of 554.
In this case, by performing the duplication as shown in FIG. 15 in exactly the same manner for the output on the negative side, it is possible to prevent the soft error due to the α ray.

また、本実施例では、ラツチの出力とフイードバツク信
号とは全く同じものを使つているが、第7図の実施例の
ところでも説明したように、別のエミツタフオロワ・ト
ランジスタを接続することによつて、フリツプフロツプ
の出力とフイードバツクとを分けることも可能である。
Further, in this embodiment, the latch output and the feedback signal are exactly the same, but as described in the embodiment of FIG. 7, it is possible to connect another emitter follower transistor. It is also possible to separate the flip-flop output and the feed back.

本発明のさらに他の実施例を第16図に示す。本実施例
は、第6図を実現するための回路構成のひとつであり、
第7図とはちがつて、電源電圧等の関係でNOR論理しか
とれない場合である。したがつて、フイードバツク65を
得るために、フリツプフロツプの否定側出力704をNORゲ
ート650によつて反転する。本実施例では、α線による
ソフトエラーはゲート650にα線が入射した場合に起こ
り得る。したがつて、ゲート650として、第17図に示す
ような回路を用いる。本回路は、第8図に対応し、トラ
ンジスタ801,72と抵抗804で構成される部分を二重化し
たものであり、ソフトエラーは、トランジスタ801と751
のコレクタに同時にα線が入射しない限りエラーは起こ
らない。したがつて、現実的にはα線ソフトエラーは非
常に小さくなる。
Yet another embodiment of the present invention is shown in FIG. The present embodiment is one of the circuit configurations for realizing FIG.
Unlike FIG. 7, it is the case where only NOR logic can be taken due to the relationship of the power supply voltage and the like. Therefore, the flip-flop negative output 704 is inverted by NOR gate 650 to obtain feed back 65. In this embodiment, the soft error due to the α-ray can occur when the α-ray enters the gate 650. Therefore, a circuit as shown in FIG. 17 is used as the gate 650. This circuit corresponds to FIG. 8 and is a duplication of the portion composed of the transistors 801 and 72 and the resistor 804. The soft error is caused by the transistors 801 and 751.
No error will occur unless α-rays are simultaneously incident on the collector of. Therefore, in reality, the α ray soft error becomes very small.

第17図の代わりに、第9,13図に対応して同様に回路構成
を変更することが可能である。
Instead of FIG. 17, the circuit configuration can be similarly changed corresponding to FIGS.

今までは、主にバイポーラのECL回路について、トラン
ジスタのレベルで二重化する実施例を示したが、ECLの
ほかに、たとえばTTL回路についても同様の考え方で二
重化することが可能である。第18図は、TTLの基本ゲー
トを二重化したものであり、これを使つてフリツプフロ
ツプを組むと、ゲートで二重化するよりも素子数の増加
は少ない。第18図においては、トランジスタ824,827、
ダイオード826、抵抗829が二重化された部分である。
Up to now, although the embodiment in which the bipolar ECL circuit is mainly duplicated at the transistor level has been shown, it is possible to duplicate not only the ECL but also the TTL circuit in the same way. Fig. 18 shows a duplicated TTL basic gate. If a flip-flop is built using this, the increase in the number of elements will be smaller than if the gate is duplicated. In FIG. 18, transistors 824, 827,
The diode 826 and the resistor 829 are duplicated portions.

また、これまでのNPNトランジスタとちがつてPNPトラン
ジスタの場合も、本質的には変わらず、α線によるノイ
ズ電流が基板からコレクタへ流れる他は、回路的には動
作は同じである。ただし、LowレベルからHighレベルへ
のエラー・モードに変わるため、二重化した信号はAND
でくくる必要がある。
Also, unlike the conventional NPN transistor, the case of the PNP transistor is essentially the same, and the operation is the same in terms of the circuit except that the noise current due to the α ray flows from the substrate to the collector. However, since the error mode changes from Low level to High level, the duplicated signal is AND
I need to come up with it.

また、実施例の説明の最初でも述べたように、NPNトラ
ンジスタに対応してNチヤネルFET,PNPトランジスタに
対応してPチヤネルFETが、α線ノイズに対して同様の
回路動作を示すので、上で述べたバイポーラ・トランジ
スタを用いた実施例の考え方がそのまま適用できる。
Further, as described at the beginning of the description of the embodiments, the N-channel FET corresponding to the NPN transistor and the P-channel FET corresponding to the PNP transistor exhibit the same circuit operation with respect to α-ray noise. The concept of the embodiment using the bipolar transistor described in the above can be applied as it is.

〔発明の効果〕〔The invention's effect〕

以上説明したように本発明によれば、通常のラツチ動作
をそこなうことがなく、また素子数を大幅に増やすこと
がなく、α線に対して耐性がありソフトエラーを生じる
ことのないフリツプフロツプ回路を実現することができ
る。
As described above, according to the present invention, a flip-flop circuit that does not impair the normal latch operation, does not significantly increase the number of elements, is resistant to α-rays, and does not cause a soft error is provided. Can be realized.

【図面の簡単な説明】[Brief description of drawings]

第1図は本発明の概念図、第2〜18図は本発明の一実施
例を示す図、第19〜24図は従来回路を示す図である。 Vin1,Vin2……フリツプフロツプ回路の入力信号、Vou
t1,Vout2……フリツプフロツプ回路の出力信号、1……
素子を多重化したフイードバツクループを含むラツチ、
2……入力制御回路、3……出力制御回路、S……セツ
ト入力、R……リセツト入力、Q……肯定出力、……
否定出力、21〜24……NORゲート、25,26……ORゲート、
35,36……ANDゲート、43……NANDゲート、44……インバ
ータ、61……フリツプフロツプのデータ入力、62……フ
リツプフロツプの正相クロツク入力、62A……フリツプ
フロツプの逆相クロツク入力、64……フリツプフロツプ
の肯定側出力、63……フリツプフロツプの否定側出力、
20,30,40,50,60,70……耐α線に付加した回路。
FIG. 1 is a conceptual diagram of the present invention, FIGS. 2 to 18 are diagrams showing an embodiment of the present invention, and FIGS. 19 to 24 are diagrams showing a conventional circuit. Vin 1 , Vin 2 ...... Input signal of flip-flop circuit, Vou
t 1 , Vout 2 …… Output signal of flip-flop circuit, 1 ……
A latch that includes a feedback loop with multiple elements,
2 ... Input control circuit, 3 ... Output control circuit, S ... Set input, R ... Reset input, Q ... Positive output, ...
Negative output, 21-24 …… NOR gate, 25,26 …… OR gate,
35,36 …… AND gate, 43 …… NAND gate, 44 …… Inverter, 61 …… Flipflop data input, 62 …… Flipflop positive phase clock input, 62A …… Flipflop reverse phase clock input, 64 …… Positive output of flip-flop, 63 …… Negative output of flip-flop,
20,30,40,50,60,70 …… A circuit added to the α-resistant line.

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 小山内 勝 東京都国分寺市東恋ヶ窪1丁目280番地 株式会社日立製作所中央研究所内 (72)発明者 正木 亮 東京都国分寺市東恋ヶ窪1丁目280番地 株式会社日立製作所中央研究所内 (72)発明者 宇佐美 光雄 東京都小平市上水本町1450番地 株式会社 日立製作所コンピユータ事業本部デバイス 開発センター内 (72)発明者 小林 徹 東京都小平市上水本町1450番地 株式会社 日立製作所コンピユータ事業本部デバイス 開発センター内 (56)参考文献 特開 昭56−135251(JP,A) 特開 昭54−94851(JP,A) 特開 昭58−15394(JP,A) 特開 昭61−170118(JP,A) ─────────────────────────────────────────────────── ─── Continuation of the front page (72) Inventor Masaru Oyamauchi 1-280 Higashi Koigakubo, Kokubunji City, Tokyo Inside Hitachi Central Research Laboratory (72) Inventor Ryo Masaki 1-280 Higashi Koigakubo, Kokubunji City, Tokyo Hitachi Ltd. In the Central Research Laboratory (72) Inventor Mitsuo Usami 1450, Kamimizuhonmachi, Kodaira, Tokyo Hitachi, Ltd. Computer Business Unit Device Development Center (72) Inventor Toru Kobayashi 1450, Kamimizumoto, Kodaira, Tokyo Hitachi, Ltd. (56) Reference JP-A-56-135251 (JP, A) JP-A-54-94851 (JP, A) JP-A-58-15394 (JP, A) JP-A-61- 170118 (JP, A)

Claims (4)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】少なくとも一つの外部入力信号が入力され
る第1のゲート回路と、該第1のゲート回路の出力信号
を受け、フリップフロップの出力として用いる信号を与
える第2のゲート回路と、第3のゲート回路とを少なく
とも有し、該第3のゲート回路は、該第2のゲート回路
からフィードバック信号を受けるとともに、その第3の
ゲート回路の出力信号を該第2のゲート回路に与えるよ
うに、該第2のゲート回路に接続され、もって該第3の
ゲート回路と該第2のゲート回路がフィードバックルー
プを構成し、該第1のゲート回路は、相互に接続された
複数のバイポーラトランジスタからなり、該複数のバイ
ポーラトランジスタの少なく一つの制御電極に該外部入
力信号が与えられ、その複数のバイポーラトランジスタ
の少なくとも一つの特定のバイポーラトランジスタのコ
レクタの電圧を、その第1のゲート回路の出力信号とし
て該第2のゲート回路に与えるように構成されているフ
リップフロップ回路において、 該第2のゲート回路は、該コレクタの電位が、該特定の
バイポーラトランジスタにおけるソフトエラーにより高
レベルより一時的に低下した場合に、該第2のゲート回
路から該第3のゲート回路への上記フィードバック信号
のレベルが変化するのを防止するように構成されている
フリップフロップ回路。
1. A first gate circuit to which at least one external input signal is input, and a second gate circuit which receives an output signal of the first gate circuit and gives a signal used as an output of a flip-flop. At least a third gate circuit, the third gate circuit receiving a feedback signal from the second gate circuit and providing an output signal of the third gate circuit to the second gate circuit. Thus, the third gate circuit and the second gate circuit are connected to the second gate circuit to form a feedback loop, and the first gate circuit is connected to the plurality of bipolar circuits connected to each other. At least one of the plurality of bipolar transistors, the external input signal being applied to at least one control electrode of the plurality of bipolar transistors. In a flip-flop circuit configured to supply the voltage of the collector of a specific bipolar transistor to the second gate circuit as an output signal of the first gate circuit, the second gate circuit is Preventing the level of the feedback signal from the second gate circuit to the third gate circuit from changing when the potential temporarily drops below a high level due to a soft error in the particular bipolar transistor. Flip-flop circuit configured as.
【請求項2】該第1のゲート回路は、そこに含まれた複
数のバイポーラトランジスタの内、他の特定のバイポー
ラトランジスタのコレクタから、該特定のバイポーラト
ランジスタのコレクタの電圧と論理的に補の関係にある
電圧を該第2のゲート回路に供給するように構成され、 該第2のゲート回路は、該補の関係にある電圧を使用し
て、上記フィードバック信号のレベルの変化を防止する
回路を有する請求項1記載のフリップフロップ回路。
2. The first gate circuit is logically complementary to the voltage of the collector of the specific bipolar transistor from the collector of another specific bipolar transistor among a plurality of bipolar transistors included therein. A circuit configured to supply a related voltage to the second gate circuit, wherein the second gate circuit uses the complementary voltage to prevent a change in level of the feedback signal. The flip-flop circuit according to claim 1, further comprising:
【請求項3】該第2のゲート回路は、該補の関係にある
電圧を反転するゲート回路と、該反転により得られた電
圧と該特定のトランジスタのコレクタからの出力との論
理和に相当する信号を該フィードバック信号として生成
する回路を有する請求項2記載のフリップフロップ回
路。
3. The second gate circuit corresponds to a logical sum of a gate circuit for inverting the complementary voltage and a voltage obtained by the inversion and an output from the collector of the specific transistor. 3. The flip-flop circuit according to claim 2, further comprising a circuit that generates a signal to perform as the feedback signal.
【請求項4】該第1のゲート回路の該複数のバイポーラ
トランジスタは、それぞれのエミッタが相互に結合さ
れ、該外部信号が、それらのバイポーラトランジスタの
一つのベースに与えられているエミッタ結合論理回路を
構成する請求項1から3のいずれか一つに記載のフリッ
プフロップ回路。
4. An emitter-coupled logic circuit in which the plurality of bipolar transistors of the first gate circuit have their respective emitters coupled to each other and the external signal is applied to the base of one of the bipolar transistors. The flip-flop circuit according to any one of claims 1 to 3, which is configured as follows.
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