JPS61169015A - Flip-flop circuit - Google Patents

Flip-flop circuit

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JPS61169015A
JPS61169015A JP60008979A JP897985A JPS61169015A JP S61169015 A JPS61169015 A JP S61169015A JP 60008979 A JP60008979 A JP 60008979A JP 897985 A JP897985 A JP 897985A JP S61169015 A JPS61169015 A JP S61169015A
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flip
transistors
flop
output
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Hiroyuki Itou
以頭 博之
Masayoshi Yagyu
正義 柳生
Toshio Yamada
利夫 山田
Masaru Osanai
小山内 勝
Akira Masaki
亮 正木
Mitsuo Usami
光雄 宇佐美
Toru Kobayashi
徹 小林
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Original Assignee
Hitachi Ltd
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Abstract

PURPOSE:To decrease remarkably errors in software by providing two elements each constituting a feedback loop, connecting inputs together and ORing output signals to provide a withstanding performance against an alpha ray. CONSTITUTION:A circuit 1 forming the feedback loop is a required minimum unit to store information and called a latch. An FF circuit comprising an input control circuit 2 applying input signals VIN1, VIN2 to the latch 1 and an output control circuit 3 controlling output signals VOUT1, VOUT2 from the latch 1 is duplicated in the elements causing an error so that no soft error is caused because of an alpha ray or the like. Thus, the software error is decreased remarkably while minimizing the increase in the number of elements due to duplication.

Description

【発明の詳細な説明】 〔発明の利用分野〕 本発明は、論理装置内において情報を一時的に記憶する
ためのフリップフロップ回路、特に半導体のパッケージ
材料中の微量の放射性物質から放射されるα線等によっ
てソフトエラーが生じることがないよう改良したフリッ
プフロップ回路に関する。
Detailed Description of the Invention [Field of Application of the Invention] The present invention relates to a flip-flop circuit for temporarily storing information in a logic device, and in particular to a flip-flop circuit for temporarily storing information in a logic device. This invention relates to a flip-flop circuit that is improved so that soft errors do not occur due to wires, etc.

〔発明の背景〕[Background of the invention]

第19図に、フリップフロップ回路の論理構成の一例を
示す、この回路は、入力端子In、を介して印加される
クロック入力62が“1”状態の時は入力端子In1を
介して印加されるデータ入力61の内容を肯定側出力端
子64に出力し、データ人力61の内容を反転したもの
を否定側出力端子63に出力する機能を有し、クロック
人力62が“O”状態の時はその前にクロック入力62
が1”であった時のデータ人力61の内容を記憶し、そ
の記憶内容を肯定側出力端子64に、その記憶内容を反
転したものを否定側出力端子63に出力する機能を持っ
ている。なお、図において、69Aはインバータ、66
A〜66GはORゲート、67はANDゲート、65は
フィードバック線である。
FIG. 19 shows an example of the logical configuration of a flip-flop circuit. When the clock input 62 applied through the input terminal In is in the "1" state, the clock input 62 is applied through the input terminal In1. It has a function of outputting the contents of the data input 61 to the positive output terminal 64 and outputting the inverted contents of the data input 61 to the negative output terminal 63, and when the clock input 62 is in the "O" state, Clock input 62 before
It has a function of storing the contents of the data input 61 when the value is 1'', and outputting the stored contents to the positive side output terminal 64 and the inverted version of the stored contents to the negative side output terminal 63. In addition, in the figure, 69A is an inverter, 66
A to 66G are OR gates, 67 is an AND gate, and 65 is a feedback line.

第20図は、第19図のフリップフロップを実現するた
めの従来の回路構成図である。この回路は基本ゲートと
してエミッタ結合論理回路(Emitter Coup
led Logic 、以下ECL回路と記す)を用い
たもので、定電流源718,728゜738に対応して
それぞれ1ゲートが構成されている。定電流源718に
対応するゲートに着目すると、このゲートは入力端子が
トランジスタ71↓。
FIG. 20 is a conventional circuit configuration diagram for realizing the flip-flop shown in FIG. 19. This circuit uses an emitter coupled logic circuit (Emitter Coup) as a basic gate.
LED Logic (hereinafter referred to as ECL circuit) is used, and one gate is configured for each of the constant current sources 718, 728 and 738. Focusing on the gate corresponding to the constant current source 718, the input terminal of this gate is the transistor 71↓.

712のそれぞれのベースであり、NOR出力とOR出
力はそれぞれトランジスタ711,712の共通コレク
タとトランジスタ713のコレクタより得られる。他の
ゲートについても同様である。
712, and the NOR and OR outputs are obtained from the common collectors of transistors 711 and 712 and the collector of transistor 713, respectively. The same applies to other gates.

次に、第20図において第19図のANDゲート67に
対応する動作について説明する。第20図の回路におい
て、3個のゲートのそれぞれのOR出力は、上述したよ
うなトランジスタ713゜723.733のコレクタよ
り得られるが、この回路ではその3個のコレクタは共通
に結線(703)され、エミッタフォロワ・トランジス
タ701を介して64に出力される。結線703によっ
て、3個のゲートのOR出力は論理的にANDをとられ
る。一方、各ゲートのNOR出力はエミッタフォロワ・
トランジスタ714,724,734を介して出力され
るが、これらのトランジスタのエミッタは共通に結線(
704)されているので、3個のゲートのNOR出力は
論理的にORをとられる。これは、ド・モルガンの定理
によってOR出力のANDの否定と等価である。したが
って、第20図の回路構成によって第19図と同様に肯
定側出力64.否定側出力63が得られる。第19図及
び第20図の回路の詳細は、特願昭57−81426号
明細書を参照のこと。
Next, referring to FIG. 20, the operation corresponding to the AND gate 67 of FIG. 19 will be explained. In the circuit of FIG. 20, the OR output of each of the three gates is obtained from the collectors of the transistors 713, 723, and 733 as described above, but in this circuit, the three collectors are commonly connected (703). and is output to 64 via emitter follower transistor 701. By connection 703, the OR outputs of the three gates are logically ANDed. On the other hand, the NOR output of each gate is an emitter follower.
It is output through transistors 714, 724, and 734, but the emitters of these transistors are commonly connected (
704), the NOR outputs of the three gates are logically ORed. This is equivalent to negating the AND of the OR output according to De Morgan's theorem. Therefore, with the circuit configuration of FIG. 20, the positive side output 64. A negative output 63 is obtained. For details of the circuits shown in FIGS. 19 and 20, see Japanese Patent Application No. 57-81426.

ところで、近年、半導体のパッケージ材料中の微量の放
射性物質から放出されるα線によって。
By the way, in recent years, alpha rays emitted from trace amounts of radioactive substances in semiconductor packaging materials have been causing damage.

メモリやフリップフロップ回路がソフトエラーを生じる
ことが明らかになってきた。第21図は、半導体チップ
にα線が入射したときの様子を示すもので、バイポーラ
・トランジスタの場合を示している。126,127,
129はそれぞれエミッタ、ベース、コレクタ領域であ
り、130はコレクタ129と基板131で形成される
PN接合の空乏層である6α線が入射すると、その軌跡
120に沿って電子・正孔対が発生する。各領域で発生
する電子・正孔対の中で回路動作に最も大きな影響を与
えるのは空乏層130と基板131で発生する電子・正
孔対である。電子に着目すると空乏層130で発生した
電子はPN接合の電界によってコレクタに引かれ集めら
れる。また、基板131で発生した電子は拡散によって
空乏層130に達しその後は上と同様にコレクタに集め
られる。したがって、α線入射による影響は電流性ノイ
ズとなって現われ、その電流はα線が入射したトランジ
スタのコレクタから基板へ流れる形となる。
It has become clear that memory and flip-flop circuits cause soft errors. FIG. 21 shows the situation when α rays are incident on a semiconductor chip, and shows the case of a bipolar transistor. 126, 127,
129 are the emitter, base, and collector regions, respectively, and 130 is the depletion layer of the PN junction formed by the collector 129 and the substrate 131. When 6α rays are incident, electron-hole pairs are generated along the trajectory 120. . Among the electron-hole pairs generated in each region, the electron-hole pairs generated in the depletion layer 130 and the substrate 131 have the greatest influence on circuit operation. Focusing on electrons, the electrons generated in the depletion layer 130 are attracted to the collector and collected by the electric field of the PN junction. Further, electrons generated in the substrate 131 reach the depletion layer 130 by diffusion and are then collected in the collector as above. Therefore, the influence of the incident α rays appears as current noise, and the current flows from the collector of the transistor into which the α rays are incident to the substrate.

以上の性質は、バイポーラ・トランジスタに関するもの
であるから、メモリでもロジックのLSIでも事情は同
じである。バイポーラ・メモリに関するソフトエラーの
報告は、たとえば電子通信学会論文誌Trans、IE
CE、Vol63− C、Na 2 (1980−2)
(売足、他;“α粒子による高速バイポーラRAMのソ
フトエラー”)がある、一方、ロジック(論理)LSI
については、まだソフトエラーが起きたという報告はな
い、これは、論理LSIでは、メモリLSIに比較して
回路電流が多く、また信号振幅も大きいためである。し
かしながら。
Since the above properties relate to bipolar transistors, the situation is the same for memory and logic LSIs. For example, reports on soft errors related to bipolar memory can be found in Trans, IE, Transactions of the Institute of Electronics and Communication Engineers.
CE, Vol63-C, Na2 (1980-2)
(Sales, etc.; "Soft error in high-speed bipolar RAM due to α particles"), on the other hand, logic LSI
There have been no reports of soft errors occurring in logic LSIs.This is because logic LSIs require more circuit current and have larger signal amplitudes than memory LSIs. however.

今後デバイスの微細化、高性能化にともなって寄生容量
が減少するため、蓄積電荷量も減少し、論理LSIでも
ソフトエラーが問題となってくる。
In the future, as devices become smaller and more sophisticated, parasitic capacitance will decrease, so the amount of stored charge will also decrease, and soft errors will become a problem even in logic LSIs.

さらに、論理LSI特有の問題としては信号ピン数が多
いため従来のワイヤボンディングに代わってCCB (
Controlled Co11apse Bondi
ng )と呼ばれるチップ接続法が採用されつつあり(
たとえば、 IEEE J、5tate C1rcui
t、Vol  S C−14、Ha5、pp818−8
22 (1979−11)参照)。
Furthermore, as a problem unique to logic LSIs, since the number of signal pins is large, CCB (
Controlled Co11apse Bondi
A chip connection method called ng) is being adopted (
For example, IEEE J, 5tate C1rcui
t, Vol S C-14, Ha5, pp818-8
22 (1979-11)).

この方法では、半田のボールがチップの全面に配置され
るが、半田の中に不純物として含まれる放射性同位元素
(たとえばRa、Amなど)が論理LSIのソフトエラ
ーの原因となり得る。この半田ボールはチップに接着さ
れるので、たとえばチップを何らかの材料で贋ってα線
を遮へいすることは不可能となり、α線に強い回路が必
要となる。
In this method, solder balls are placed over the entire surface of the chip, but radioactive isotopes (eg, Ra, Am, etc.) contained as impurities in the solder can cause soft errors in the logic LSI. Since the solder balls are bonded to the chip, it is impossible to block the alpha rays by, for example, counterfeiting the chip with some material, and a circuit that is resistant to alpha rays is required.

論理LSI用の耐α回路としては1本発明者らだ が先に出願(特願昭59−67653) L、たもので
あるが、それはα線の電流性ノイズに応じ回路の参照電
位を変化させるものであり微分回路を応用していた。
The present inventors have previously filed an application for an α-resistant circuit for logic LSI (Japanese Patent Application No. 59-67653), which changes the reference potential of the circuit according to the current noise of α-rays. It applied a differential circuit.

微分回路は、ノイズの波形にかなり大きく依存するため
回路動作の安定性という点では必らずしもよいものでは
なかった。
Since differentiating circuits are quite dependent on the waveform of noise, they have not always been good in terms of stability of circuit operation.

〔発明の目的〕[Purpose of the invention]

そこで本発明の目的は、α線などの放射線に対して耐性
があり、ソフトエラーを生じることのないフリップフロ
ップ回路を提供することにある。
SUMMARY OF THE INVENTION Therefore, an object of the present invention is to provide a flip-flop circuit that is resistant to radiation such as alpha rays and does not cause soft errors.

〔発明の概要〕[Summary of the invention]

このため、本発明ではフィードバック信号を2重化する
、つまり、従来のフィードバック信号と、たとえばその
信号とは逆相かつ独立に得られる信号の反転信号とのO
R論理、又は全く同相の別個の信号とのOR論理ケをと
り、それをフィードバック信号とするものであり、フィ
ードバック信号が論理的HighレベルからLowレベ
ルのエラーを起こすためには、OR論理をとられる2信
号がともにエラーを起こす必要があり、これは確率的に
は非常に小さくなるため、ソフトエラーを激減できる。
Therefore, in the present invention, the feedback signal is duplicated, that is, the conventional feedback signal is combined with an inverted signal of a signal obtained independently and in opposite phase to the conventional feedback signal.
It is a method that takes an OR logic with R logic or a separate signal of exactly the same phase and uses it as a feedback signal.In order for the feedback signal to cause an error from a logical high level to a low level, an OR logic is required. It is necessary for both of the two signals to cause an error, and since the probability of this error is extremely small, soft errors can be drastically reduced.

〔発明の実施例〕[Embodiments of the invention]

本発明の説明に先立ち、まずバイポーラ・トランジスタ
を例にとりフリップフロップ回路でのα線による問題に
つき詳細に説明する。第22図はECL回路の電流切り
換え部を示し、α線による電流性ノイズが等測的にどの
ように表わされるかを示したものである。この図はトラ
ンジスタ223にα線が入射した場合であり、ノイズ源
は227である。第23図はα線によるノイズが信号レ
ベルにどのような変動を引き起こすのかを示したもので
ある。320は、たとえば第22図のトランジスタ22
3のコレクタの電位を示しており、α線ノイズ源227
によって321,322のようなノイズが生じる。
Before explaining the present invention, problems caused by alpha rays in flip-flop circuits will be explained in detail, taking a bipolar transistor as an example. FIG. 22 shows a current switching section of an ECL circuit, and shows how current noise due to α rays is expressed isometrically. This figure shows the case where α rays are incident on the transistor 223, and the noise source is 227. FIG. 23 shows what kind of fluctuations the noise caused by α rays causes in the signal level. 320 is, for example, the transistor 22 of FIG.
It shows the potential of the collector of No. 3, and the α-ray noise source 227
This causes noises such as 321 and 322.

このノイズによってフリップフロップの情報が失なわれ
る動作について説明する。第20図に示すように、フリ
ップフロップのフィードバック線65は、共通に結線さ
れたトランジスタ713゜723.733のコレクタか
ら、エミッタフォロワ・トランジスタ701を経てゲー
トの入力端子であるトランジスタ722,732のベー
スへ接続されている。したがって、トランジスタ713
゜723.733のいずれかにα線が入射すると。
The operation in which information in the flip-flop is lost due to this noise will be explained. As shown in FIG. 20, the feedback line 65 of the flip-flop runs from the collectors of the commonly connected transistors 713, 723, and 733, through the emitter follower transistor 701, and then to the bases of the transistors 722, 732, which are the input terminals of the gates. connected to. Therefore, transistor 713
When α rays are incident on either of ゜723.733.

その共通コレクタに第23図に示すノイズ321゜32
2が生じ、それがフィードバックされる。その場合、コ
レクタの電位がLowレベルのときにはノイズ321が
生じてもその電位をさらに低く引き下げるだけであるか
らフリップフロップのLOWの情報が失われることはな
い、一方、コレクタの電位がHighレベルのときには
、ノイズ322が生じそれがフィードバックされると、
フィードバックの電位は参照電位v、mに近づき、ノイ
ズが大きい場合には論理的にHi g hレベルである
はずのフィードバック電位がVHよりも下がるため、E
CL回路の電流が切り換わり情報が失われることになる
The noise 321°32 shown in Fig. 23 is applied to the common collector.
2 occurs and is fed back. In that case, when the potential of the collector is at a low level, even if noise 321 occurs, the potential is only lowered further, so the LOW information of the flip-flop is not lost.On the other hand, when the potential of the collector is at a high level, the LOW information of the flip-flop is not lost. , when noise 322 is generated and fed back,
The feedback potential approaches the reference potentials v and m, and when the noise is large, the feedback potential, which should logically be at the High level, falls below VH, so E
The current in the CL circuit will switch and information will be lost.

ECL回路だけでなく、他のバイポーラ回路、たとえば
TTL(トランジスタ・トランジスタ論理)回路におい
ても、コレクタ電位が下がることによるソフトエラーの
メカニズムは同様である。
The soft error mechanism caused by a drop in collector potential is similar not only in ECL circuits but also in other bipolar circuits, such as TTL (transistor-transistor logic) circuits.

また、電界効果トランジスタ(FET)の場合も。Also in the case of field effect transistors (FETs).

第21図のバイポーラトランジスタのコレクタ層129
に、FETのソース、ドレインが対応し。
Collector layer 129 of the bipolar transistor in FIG.
The source and drain of the FET correspond to this.

同様のエラー動作があられれる。つまり、α線の入射に
よってNチャネルの場合はドレインから基板に電流が流
れドレイン電位が下がる。
Similar error behavior occurs. That is, in the case of an N channel, a current flows from the drain to the substrate due to the incidence of α rays, and the drain potential decreases.

第1図は、本発明の概略構成図である。1はフィードバ
ックループを形成する回路であり、情報を記憶するため
に最小限に必要な単位である。ここでは、この単位をラ
ッチと呼び、ラッチ1へ入力信号V l ml t V
 l ++2などを供給するための入力制御回路2と、
ラッチ2からの出力信号V e w t 1 yV、、
t□などを制御するための出力制御回路3とからなる回
路をフリップフロップ回路と呼ぶ0本発明のフリップフ
ロップ回路は、ラッチ1がα線等によるソフトエラーが
起きないように、従来のラッチ内のフィードバックルー
プを構成する素子の中でエラーの原因となる素子を二重
化したものである。
FIG. 1 is a schematic configuration diagram of the present invention. 1 is a circuit forming a feedback loop, and is the minimum necessary unit for storing information. Here, this unit is called a latch, and the input signal to latch 1 is V l ml t V
an input control circuit 2 for supplying l++2, etc.;
Output signal from latch 2 V e w t 1 yV,,
A circuit consisting of an output control circuit 3 for controlling t Among the elements constituting the feedback loop, the elements that cause errors are duplicated.

フリップフロップ単位での単なる二重化は、フリップフ
ロップ数が2倍になり、さらにエラーの判定回路を必要
とし、必要な回路数が大きくふくれ上がってしまう。
Simply duplicating each flip-flop doubles the number of flip-flops and requires an error determination circuit, which greatly increases the number of required circuits.

本発明では、情報破壊の原因となる素子のみを二重化し
、生じる得るエラーモードに応じて、二重化された信号
を処理する。したがって、二重化による素子数の増大を
最小限に押さえながら、効果的にソフトエラーを激減さ
せることができる。
In the present invention, only the elements that cause information destruction are duplicated, and the duplicated signals are processed depending on the error mode that may occur. Therefore, while minimizing the increase in the number of elements due to duplication, it is possible to effectively drastically reduce soft errors.

第2図は1本発明で用いるラッチ1の一例である。本図
は、NOR回路を用いたRSランチの場合であり、RS
ラッチ等従来回路の動作については、たとえば、横井与
次部「ディジタルIC実用回路マニュアル」 (ラジオ
技術社)などで説明されている。第2図において、従来
回路につけ加わっている部分は破線20内の回路である
。NOR回路21.22に対応してNOR回路23.2
4によって二重化している。NOR回路21〜24は、
α線の入射によって論理Highレベルからしowレベ
ルへのエラー・モードが起きるとすると、OR回路25
.26があるためにエラー信号がフィードバックされる
ことはない。たとえば、QがHighレベルのとき、N
OR回路22.24の出力はHighレベルであるが1
回路22又は24にα線が入っても、OR回路26のた
めに1回路22゜24に同時にα線が入らない限りQが
Lowレベルになることはない。
FIG. 2 shows an example of the latch 1 used in the present invention. This figure shows the case of RS launch using a NOR circuit, and the RS
The operation of conventional circuits such as latches is explained, for example, in Yojibe Yokoi's ``Digital IC Practical Circuit Manual'' (Radio Gijutsu Sha). In FIG. 2, the portion added to the conventional circuit is the circuit within the broken line 20. NOR circuit 23.2 corresponds to NOR circuit 21.22.
It is doubled by 4. The NOR circuits 21 to 24 are
If the error mode from the logic high level to the low level occurs due to the incidence of α rays, the OR circuit 25
.. 26, no error signal is fed back. For example, when Q is High level, N
The outputs of the OR circuits 22 and 24 are at High level, but 1
Even if α rays enter the circuits 22 or 24, Q will not go to Low level unless the α rays enter one circuit 22 or 24 at the same time because of the OR circuit 26.

エラー・モードが、上の場合と逆で、Lowレベルから
Highレベルへエラーする場合には、第3図に示すよ
うに、二重化された信号をAND回路りされるのを防止
できる。第2図、第3図において、ラッチを構成するゲ
ートはNORであるが、NANDの場合も全く同様であ
る。
If the error mode is opposite to the above case, and the error goes from low level to high level, it is possible to prevent the duplicated signal from being used in an AND circuit as shown in FIG. In FIGS. 2 and 3, the gates constituting the latch are NOR, but the same applies to NAND.

第4図は、第1図のラッチ1の他の一例である。FIG. 4 shows another example of the latch 1 shown in FIG. 1.

本図では、OR回路41とAND回路42がフィードバ
ックループを作っている。従来回路につけ加わっている
部分は破線40で囲った部分である。
In this figure, an OR circuit 41 and an AND circuit 42 form a feedback loop. The portion added to the conventional circuit is the portion surrounded by a broken line 40.

本実施例は、AND回路42とインバータ44だけが論
理)1ighレベルからLowレベルへのエラー・モー
ドを有する場合であり、二重化した信号は、OR回路4
1’t”0Rti:トッテイル、 NAND回路43と
インバータ44はひとつのAND回路で置き代えること
も可能であるるが、使用する素子によっては本実−例の
ような構成の方が簡単になる0本実施例のように1本発
明では、二重化は、エラーを起こし得るゲートに対して
だけ行なえばよいから、二重化による素子の増加は最小
限に押さえられる。
In this embodiment, only the AND circuit 42 and the inverter 44 have an error mode from logic high level to low level.
1't"0Rti: Total, it is possible to replace the NAND circuit 43 and the inverter 44 with one AND circuit, but depending on the elements used, the configuration as in this example may be simpler. In the present invention, as in this embodiment, duplication only needs to be performed on gates that may cause errors, so that the increase in the number of elements due to duplication can be kept to a minimum.

第5図は、第4図と同じ<、OR回路51とAND回路
52で構成されるラッチに対して、回路50の追加でソ
フトエラーを防ぐものである。
In FIG. 5, a circuit 50 is added to prevent soft errors in the same latch as in FIG. 4, which is composed of an OR circuit 51 and an AND circuit 52.

エラー・モードは、第4図と同じく、AND回路52と
インバータ54だけが、 HighレベルからLowレ
ベルへエラーし得る。
As for the error mode, only the AND circuit 52 and the inverter 54 can cause an error from High level to Low level, as in FIG.

第6図は、第4図のラッチを用いたDタイプ・フリップ
フロップの構成図である6従来のフリップフロップの第
19図と比較すると、回路6oが追加されているのが特
徴である。この回路60の入力信号は、本フリップフロ
ップ回路の肯定側出力64と否定側出力63であり、否
定側出力63はインバータ回路69によって反転される
ため。
FIG. 6 is a block diagram of a D-type flip-flop using the latch shown in FIG. 4, and is characterized by the addition of a circuit 6o when compared with FIG. 19 of the conventional flip-flop. The input signals of this circuit 60 are the positive side output 64 and the negative side output 63 of this flip-flop circuit, and the negative side output 63 is inverted by the inverter circuit 69.

ORゲート68への2つの入力信号は論理的には同相と
なる。したがって、α線の影響のない正常動作において
は、フィードバック信号65は、もとの第19図のフリ
ップフロップと全く同じ働きをする。  ′ 第6図を実現するための回路構成としては、第7図のよ
うなものが考えられる。ここで示すように、トランジス
タのレベルで二重化を行なうと。
The two input signals to OR gate 68 are logically in phase. Therefore, in normal operation without the influence of alpha rays, the feedback signal 65 functions exactly the same as the original flip-flop shown in FIG. ' As a circuit configuration for realizing FIG. 6, the one shown in FIG. 7 can be considered. If we do the duplication at the transistor level, as shown here.

二重化による素子の増加は非常に少なくなる。ここで、
回路70を除き、第20図の従来のフリップフロップ回
路と全く同じ構成である。第6図のインバータ69は、
第7図の71に対応する。また、第6図のORゲート6
8は、第7図においては、トランジスタ72と701の
エミッタが結線(753)されているので、論理的にO
Rがとられている。第6図と同様、第7図においても、
α線の影響のない正常動作においては1本フリップフロ
ップ回路は従来のフリップフロップ回路と論理的に全く
同様の動作をする。
The increase in the number of elements due to duplication is extremely small. here,
Except for the circuit 70, this circuit has exactly the same configuration as the conventional flip-flop circuit shown in FIG. The inverter 69 in FIG.
This corresponds to 71 in FIG. Also, OR gate 6 in FIG.
8, in FIG. 7, the emitters of transistors 72 and 701 are connected (753), so logically O
R is taken. Similar to Figure 6, in Figure 7,
In normal operation without the influence of alpha rays, a single flip-flop circuit operates logically in exactly the same way as a conventional flip-flop circuit.

次に、第7図においてα線が入射したときの動作を説明
する。α線の影響は、前述したようにトランジスタ71
3,723,733のいずれかのコレクタにα線が入射
したとき、そのコレクタの電位が引き下げられるという
形が現われる。したがって、共通コレクタの電位703
が論理的にHi g hレベルのとき1問題となる。つ
まり論理的なHighレベルがα線ノイズによってLo
wレベルと見なされるくらい引き下げられるとき、それ
がフィードバックされればフリップフロップは反転して
情報が失われてしまう。従来のフリップフロップでは、
共通コレクタの電位703がそのままエミッタフォロワ
を通してフィードバックされているためこの反転を避け
ることができなかった。一方、本実施例による第7図の
フリップフロップでは、回路70と結線73によって、
フィードバック信号65は、共通コレクタ電位703と
、ラッチの否定側出力63の反転信号とのORで作られ
る6したがって、共通コレクタ電位703がα線ノイズ
によって論理的にHighレベルからLowレベルにな
っても、否定側量カフ04の反転信号が)1ighレベ
ルのままであれば、フィードバック信号65はHigh
レベルが保たれラッチ回路の情報が失われることはない
。否定側量カフ04の反転信号74は、共通コレクタ電
位703と別個のトランジスタから得られるため、1個
のα線によって同時に共通コレクタ電位703と否定側
量カフ04の反転信号74がHighレベルからLow
レベルの引き下げられることはない、一方、共通コレク
タ電位703がLowレベルのときは、否定側量カフ0
4がHighレベルなので、今度は704がα線ノイズ
によって引き下げられる危険性がある。し男1し、この
場合は、定電流源728と738で代表されるカレント
・スイッチの否定側トランジスタに同時にα線が入射し
ない限りエラーが起こることはない、つまり、トランジ
スタ721(又は722)と731(又は732)のコ
レクタに同時にα線が入射する確率は無視できる。した
がって、α線入射によるラッチ回路のソフトエラーはほ
とんど無視できる程度になる。
Next, in FIG. 7, the operation when α rays are incident will be explained. As mentioned above, the influence of α rays is caused by the transistor 71
When α rays are incident on the collector of either of No. 3, 723, and 733, the potential of that collector is lowered. Therefore, the common collector potential 703
One problem occurs when is logically at a high level. In other words, the logical High level becomes Low due to α-ray noise.
When it is lowered enough to be considered as w level, if it is fed back, the flip-flop will be reversed and information will be lost. In traditional flip-flops,
This reversal could not be avoided because the common collector potential 703 is fed back as is through the emitter follower. On the other hand, in the flip-flop of FIG. 7 according to this embodiment, the circuit 70 and the connection 73 provide
The feedback signal 65 is created by ORing the common collector potential 703 and the inverted signal of the negative output 63 of the latch6. Therefore, even if the common collector potential 703 logically changes from High level to Low level due to α-ray noise, , if the inverted signal of the negative side amount cuff 04 remains at the )1high level, the feedback signal 65 becomes High.
The level is maintained and the information in the latch circuit is not lost. Since the inverted signal 74 of the negative side amount cuff 04 is obtained from the common collector potential 703 and a separate transistor, the common collector potential 703 and the inverted signal 74 of the negative side amount cuff 04 are simultaneously changed from High level to Low by one α ray.
On the other hand, when the common collector potential 703 is at Low level, the negative side amount cuff 0
Since 4 is a high level, there is a risk that 704 will be lowered by α-ray noise. However, in this case, an error will not occur unless α rays are simultaneously incident on the negative side transistors of the current switch represented by constant current sources 728 and 738. The probability that α rays are simultaneously incident on the collector of 731 (or 732) is negligible. Therefore, soft errors in the latch circuit due to incidence of α rays become almost negligible.

第8図は、第7図における回路70の構成方法を示した
ものであり、定電流源803をトランジスタ801,8
02で切換えるECL回路を利用したものである。
FIG. 8 shows a method of configuring the circuit 70 in FIG.
This utilizes an ECL circuit that switches at 02.

第9図は、第7図における回路70の他の構成方法を示
したものであり、トランジスタ901のコレクタからエ
ミッタフォロワを通してフィードバック信号65を得る
ものである。
FIG. 9 shows another method of configuring the circuit 70 in FIG. 7, in which a feedback signal 65 is obtained from the collector of a transistor 901 through an emitter follower.

以上の実施例では、インバータ71への入力信号は、フ
リップフロップの否定側出力63をそのまま利用してい
る。つまりトランジスタ714゜724.734の結線
ORを使っているが、これらのトランジスタとは別個に
、新たに3個のトランジスタを設け、それぞれトランジ
スタ714゜724.734と同様に接続してインバー
タ71へ入力させることも可能である。
In the above embodiment, the negative output 63 of the flip-flop is used as the input signal to the inverter 71. In other words, the OR connection of transistors 714°724.734 is used, but three new transistors are provided separately from these transistors, and each is connected in the same way as transistors 714°724.734 and input to the inverter 71. It is also possible to do so.

また、以上の実施例ではラッチの肯定側出力64は、フ
ィードバック信号65と同じエミッタフォロワトランジ
スタ701によって得ているが。
Further, in the above embodiment, the positive side output 64 of the latch is obtained by the same emitter follower transistor 701 as the feedback signal 65.

これも別個のトランジスタによって得ることが可能であ
る。つまり、トランジスタ701と同様にトランジスタ
713,723,733の共通コレクタ703にベース
を接続し、エミッタから肯定側出力64を得る。
This can also be achieved with separate transistors. That is, like the transistor 701, the base is connected to the common collector 703 of the transistors 713, 723, and 733, and the positive output 64 is obtained from the emitter.

第6図を実現するための他の回路構成法を第10図に示
す。この回路では、第7図のように回路70への入力信
号としてフリップフロップの否定側量カフ04を使うこ
とをしないで、それぞれ定電流源718,728,73
8で代表される力レントスイツチの否定側のコレクタ電
位11゜12.13を直接回路70への入力信号とする
ことによって、フィードバックの回路速度を速めること
ができる。このとき、インバータ71の代わりに、NO
Rゲート14を使う。このゲート14には第8,9図の
回路の入力数を増やして、それぞれ第11.12図のよ
うな回路を使うことができる。つまり、第7図において
は、各カレントスイッチの否定側出力のORをとって回
路71で反転させていたのを、まとめてゲート14で行
なってしまうため1回路速度を速められる。また、NO
Rゲートとしては、第11図のように定電流源を使った
ことによる安定性と、第12図のような非閾値化による
高速性を合わせもったものとして第13図のような回路
も可能である。ここで、抵抗335,336の分割比は
、高速化と信号レベルを考慮して決定する6また。静電
容量338は、スピードアップ容量であり、NOR出力
を高速化することができる。
Another circuit configuration method for realizing FIG. 6 is shown in FIG. 10. In this circuit, constant current sources 718, 728, 73 are used instead of using the negative side capacitor 04 of the flip-flop as an input signal to the circuit 70 as shown in FIG.
By directly inputting the collector potential 11°12.13 on the negative side of the force rent switch represented by 8 as an input signal to the circuit 70, the feedback circuit speed can be increased. At this time, instead of the inverter 71, the NO
Use R gate 14. For this gate 14, the number of inputs of the circuits shown in FIGS. 8 and 9 can be increased to use circuits shown in FIGS. 11 and 12, respectively. That is, in FIG. 7, the ORing of the negative side outputs of each current switch and inversion in the circuit 71 is performed all together in the gate 14, so that the speed of one circuit can be increased. Also, NO
As an R gate, it is also possible to create a circuit as shown in Figure 13, which combines the stability achieved by using a constant current source as shown in Figure 11, and the high speed achieved by non-thresholding as shown in Figure 12. It is. Here, the division ratio of the resistors 335 and 336 is determined in consideration of speed increase and signal level. The capacitor 338 is a speed-up capacitor and can speed up the NOR output.

第10図の回路では、ラッチの否定側出力については示
してはいないが、第7図と同様にすることが可能である
。また、肯定側出力64についても第7図について説明
したように出力用とフィードバック用に別個のエミッタ
フォロワ・トランジスタを使うこともできる。
Although the negative side output of the latch is not shown in the circuit of FIG. 10, it can be similar to that of FIG. 7. Also, for the positive output 64, separate emitter follower transistors can be used for output and feedback, as described with reference to FIG.

本発明の他の実施例を第14図に示す6本実施例では、
第6図の実施例と比較し、ORゲート68がなくて、そ
の代わり、ORゲート66B。
Another embodiment of the present invention is shown in FIG. 14. In this embodiment,
Compared to the embodiment of FIG. 6, there is no OR gate 68, but instead an OR gate 66B.

66Cの入力数を2人力から3人力にする6人力数を増
すことが可能なときは、この方が回路速度を速めること
ができる。第14図の各ゲートの具体的な構成は、すべ
て第6図の実施例の場合と同様な方法が可能である。
If it is possible to increase the number of 66C inputs from 2 to 3, or increase the number of inputs by 6, then the circuit speed can be increased. The specific structure of each gate in FIG. 14 can be made in the same manner as in the embodiment shown in FIG. 6.

本発明のさらに他の実施例を第15図に示す。Still another embodiment of the present invention is shown in FIG.

本実施例は、これまでのものとちがって、縦積みのEC
L回路、いわゆるシリーズゲートECLによるフリップ
フロップに対して耐α線対策を施したものである。従来
回路の第24図において、データ入カニ、1.クロック
を相入力Imp、ラッチの肯定側出力64、否定側出力
63の相互関係は第6図の場合と全く同じである。動作
の概略を説明すると、クロックを相入力1.2が参照電
圧v1.2より高いとき、データ入力1.、に応じてト
ランジスタ・ペア551,552のいずれかのトランジ
スタに電流が流れる。一方、I m2が参照電圧V、、
This embodiment differs from the previous ones in that it is a vertically stacked EC.
This is a flip-flop using an L circuit, so-called series gate ECL, which has been made resistant to alpha rays. In FIG. 24 of the conventional circuit, data input crabs, 1. The mutual relationship between the clock phase input Imp, the positive output 64 of the latch, and the negative output 63 is exactly the same as in the case of FIG. To briefly explain the operation, when the clock phase input 1.2 is higher than the reference voltage v1.2, the data input 1.2 is higher than the reference voltage v1.2. , a current flows through one of the transistors of the transistor pair 551, 552. On the other hand, I m2 is the reference voltage V,
.

より低いときは、トランジスタ・ペア553゜554の
いずれかのトランジスタに電流が流れ、データが保持さ
れる。データを保持するためのフィードバックは、ラッ
チの肯定側出力64からトランジスタ553のベースへ
フィードバックされる。
When it is lower, current flows through one of the transistors in transistor pair 553, 554 and data is retained. Feedback for holding data is fed back from the positive output 64 of the latch to the base of transistor 553.

本回路でα線入射によってエラーが起き得るのは、肯定
側出力64を作るためのトランジスタ552と554の
コレクタにα線が入った場合で。
An error can occur in this circuit due to the incidence of α rays when α rays enter the collectors of transistors 552 and 554 for producing the positive output 64.

しかもその出力がIlighレベルのときだけである。Moreover, this is only when the output is at the Illight level.

したがって、第15図に示すように、耐α線対策のため
に、トランジスタ552,554に対してそれぞれトラ
ンジスタ566と567を並列にし、ただし、コレクタ
は分けて負荷抵抗tL564と565のように別にし、
エミッタフォロワ・トランジスタ559と568のワイ
アードオアによって論理的ORを得、フィードバック信
号とする。
Therefore, as shown in FIG. 15, for alpha ray resistance, transistors 566 and 567 are connected in parallel with transistors 552 and 554, respectively, but the collectors are separated and load resistors tL564 and 565 are connected separately. ,
A logical OR is obtained by a wired OR of emitter follower transistors 559 and 568, and a feedback signal is obtained.

こうすることによって、トランジスタ552(又は55
4)と566(又は567)に同様にα線が入射しない
限りソフトエラーは起こらない。
By doing this, the transistor 552 (or 55
4) and 566 (or 567), soft errors will not occur unless α rays are incident on them.

本実施例においては、シリーズゲートECL回路として
データ保持用のトランジスタ・ペア553゜554は、
554のベースに参照電圧v1.1を与える構成になっ
ているが、トランジスタ553と554のベースに互い
に逆相の信号、つまり差動信号を入れる方法もあり得る
。つまり、トランジスタ554のベースに、否定側出力
63を入れることもできる。この場合は、第15図のよ
うな二重化を否定側出力に対して全く同じように行なう
ことによって、α線によるソフトエラーを防止できる。
In this embodiment, the series gate ECL circuit includes transistor pairs 553 and 554 for data retention.
Although the configuration is such that reference voltage v1.1 is applied to the bases of transistors 553 and 554, it is also possible to input signals having opposite phases to each other, that is, differential signals, to the bases of transistors 553 and 554. That is, the negative side output 63 can also be input to the base of the transistor 554. In this case, soft errors due to α rays can be prevented by performing duplication as shown in FIG. 15 in exactly the same way for the negative side output.

また1本実施例では、ラッチの出力とフィードバック信
号とは全く同じものを使っているが、第7図の実施例の
ところでも説明したように、別のエミッタフォロワ・ト
ランジスタを接続することによって、フリップフロップ
の出力とフィードバックとを分けることも可能である。
In addition, in this embodiment, the latch output and feedback signal are exactly the same, but as explained in the embodiment of FIG. 7, by connecting another emitter follower transistor, It is also possible to separate the output of the flip-flop and the feedback.

本発明のさらに他の実施例を第16図に示す。Still another embodiment of the present invention is shown in FIG.

本実施例は、第6図を実現するための回路構成のひとつ
であり、第7図とはちがって、電源電圧等の関係でNo
 R11l理しかとれない場合である。したがって、フ
ィードバック65を得るために、フリッププロップの否
定側゛出カフ04をNORゲート650によって反転す
る。本実施例では、α線によるソフトエラーはゲート6
50にα線が入射した場合に起こり得る。したがって、
ゲート650として、第17図に示すような回路を用い
る1本回路は、第8図に対応し、トランジスタ801゜
72と抵抗804で構成される部分を二重化したもので
あり、ソフトエラーは、トランジスタ801と751の
コレクタに同時にα線が入射しない限りエラーは起こら
ない、したがって、現実的にはα線ソフトエラーは非常
に小さくなる。
This example is one of the circuit configurations for realizing FIG. 6, and is different from FIG.
This is a case where only R11l principle can be taken. Therefore, to obtain feedback 65, the negative output cuff 04 of the flip-flop is inverted by NOR gate 650. In this example, soft errors due to α rays are caused by gate 6.
This can occur when alpha rays are incident on the 50. therefore,
A single circuit using a circuit as shown in FIG. 17 as the gate 650 corresponds to FIG. No error will occur unless α rays are incident on the collectors 801 and 751 at the same time, so in reality, the α ray soft error will be very small.

第17図の代わりに、第9,13図に対応して同様に二
重化が可能である。
In place of FIG. 17, duplication can be made in the same way as in FIGS. 9 and 13.

今までは、主にバイポーラのECL回路について、トラ
ンジスタのレベルで二重化する実施例を示したが、EC
Lのほかに、たとえばTTL回路についても同様の考え
方で二重化することが可能である。第18図は、TTL
の基本ゲートを二重化したものであり、これを使ってフ
リップフロップを組むと、ゲートで二重化するよりも素
子数の増加は少ない。第18図においては、トランジス
タ824,827.ダイオード826.抵抗829が二
重化された部分である。
Until now, we have mainly shown examples of duplication at the transistor level for bipolar ECL circuits.
In addition to L, for example, TTL circuits can also be duplicated using the same concept. Figure 18 shows TTL
This is a duplication of the basic gate of , and when a flip-flop is constructed using this, the increase in the number of elements is smaller than duplication with gates. In FIG. 18, transistors 824, 827 . Diode 826. The resistor 829 is a duplicated part.

また、これまでのNPNトランジスタとちがってPNP
 トランジスタの場合も1本質的には変わらず、α線に
よるノイズ電流が基板からコレクタへ流れる他は1回路
的には動作は同じである。ただし、LowレベルからH
ighレベルへのエラー・モードに変わるため、二′重
化した信号はANDでくくる必要がある。
Also, unlike previous NPN transistors, PNP
In the case of a transistor, the circuit operation is essentially the same, except that the noise current due to α rays flows from the substrate to the collector. However, from Low level to H
In order to change the error mode to high level, the duplicated signals must be ANDed.

また、実施例の説明の最初でも述べたように、NPNト
ランジスタに対応してNチャネルFET。
Furthermore, as mentioned at the beginning of the description of the embodiment, an N-channel FET is used in correspondence with the NPN transistor.

PNPトランジスタに対応してPチャネルFETが、α
線ノイズに対して同様の回路動作を示すので、上で述べ
たバイポーラ・トランジスタを用いた実施例の考え方が
そのまま適用できる。
Corresponding to the PNP transistor, the P channel FET is α
Since the same circuit operation is shown for line noise, the concept of the embodiment using bipolar transistors described above can be applied as is.

〔発明の効果〕〔Effect of the invention〕

以上説明したように本発明によれば、通常のラッチ動作
をそこなうことがなく、また素子数を大幅に増やすこと
がなく、α線に対して耐性がありソフトエラーを生じる
ことのないフリップフロップ回路を実現することができ
る。
As explained above, according to the present invention, a flip-flop circuit that does not impair normal latch operation, does not significantly increase the number of elements, is resistant to alpha rays, and does not cause soft errors. can be realized.

【図面の簡単な説明】[Brief explanation of drawings]

第1図は本発明の概念図、第2〜18図は本発明の一実
施例を示す図、第19〜24図は従来回路を示す図であ
る。 ■1.1.vi、!・・・フリップフロップ回路の入力
信号。 ■・11!v・wL2”°フリップフロップ回路の出力
信号、1・・・素子を多重化したフィードバックループ
を含むラッチ、2・・・入力制御回路、3・・・出力制
御回路、S・・・セット入力、R・・・リセット入力、
Q・・・肯定出力、Q−・・否定出力、21〜24・・
・NORゲート、  25 、 26− ORグー1’
+、35.36−・・ANDゲート、43・・・NAN
Dゲート、44・・・インバータ、61・・・フリップ
フロップのデータ入力。 62・・・フリッププロップの正相クロック入力、62
A・・・フリップフロップの逆相クロック入力。 64・・・フリップフロップの肯定側出力、63・・・
フリップフロップの否定側出力、20,30,40゜5
0.60,70・・・耐α線に付加した回路、、−¥1
図 冨 2 図 蔓3図 ■ 4 目 頁 5 図 篤 6  図 6と   6r VJ7図 第3図 T q 図 ηE′ 菖11図 ’E tz図 葛!3図 五E 茅 14  口 ¥JtS  国 EE vJlg  5 第 I7 図 VJzθ 図
FIG. 1 is a conceptual diagram of the present invention, FIGS. 2 to 18 are diagrams showing an embodiment of the present invention, and FIGS. 19 to 24 are diagrams showing conventional circuits. ■1.1. Vi,! ...Flip-flop circuit input signal. ■・11! v・wL2''° Output signal of flip-flop circuit, 1... Latch including a feedback loop with multiplexed elements, 2... Input control circuit, 3... Output control circuit, S... Set input, R...Reset input,
Q...affirmative output, Q-...negative output, 21-24...
・NOR gate, 25, 26-OR goo 1'
+, 35.36-...AND gate, 43...NAN
D gate, 44...inverter, 61...flip-flop data input. 62...Flip-flop positive phase clock input, 62
A...Flip-flop reverse phase clock input. 64...Flip-flop positive side output, 63...
Flip-flop negative output, 20, 30, 40°5
0.60,70...Circuit added to alpha ray resistance, -¥1
Figure 2 Figure 3 Figure ■ 4th page 5 Figure Atsushi 6 Figures 6 and 6r Figure 3 VJ7 Figure T q Figure ηE' Iris Figure 11 'E tz Figure Kuzu! 3 Figure 5E Kaya 14 口¥JtS 国EE vJlg 5 Figure I7 VJzθ Figure

Claims (1)

【特許請求の範囲】 1、フィードバックループを構成する素子のうち、一部
またはすべての素子を2個ずつ設け、該2個ずつ設けら
れた素子のそれぞれの入力を互いに接続し、それぞれの
出力信号を論理的にOR又はANDをとったことを特徴
とするフリップフロップ回路。 2、上記フリップフロップ回路をバイポーラ・トランジ
スタで構成し、上記フィードバックループを構成するト
ランジスタのうち、フィードバック信号がコレクタ電極
を通るトランジスタを2個ずつ設け、2個の該トランジ
スタの入力は互いに接続し、コレクタからの出力信号は
論理的にORをとったことを特徴とする第1項記載のフ
リップフロップ回路。 3、上記フリップフロップ回路をエミッタ結合論理回路
で構成し、肯定側出力からフィードバック信号を得ると
共に、該フィードバック信号として肯定側出力と、否定
側出力の反転信号との論理的ORをとった信号を利用す
ることを特徴とする第1項記載のフリップフロップ回路
[Claims] 1. Among the elements constituting the feedback loop, some or all of the elements are provided in pairs, and the inputs of the two elements are connected to each other, and the output signals of the respective elements are connected to each other. A flip-flop circuit that is logically ORed or ANDed. 2. The flip-flop circuit is composed of bipolar transistors, and among the transistors forming the feedback loop, two transistors each having a feedback signal passing through a collector electrode are provided, and the inputs of the two transistors are connected to each other, 2. The flip-flop circuit according to claim 1, wherein the output signal from the collector is logically ORed. 3. The above flip-flop circuit is configured with an emitter-coupled logic circuit, and a feedback signal is obtained from the positive side output, and a signal obtained by logically ORing the positive side output and the inverted signal of the negative side output is used as the feedback signal. 2. The flip-flop circuit according to claim 1, wherein the flip-flop circuit is used.
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