JPH0690143B2 - Method for detecting agglomerated particles in transparent thin film - Google Patents

Method for detecting agglomerated particles in transparent thin film

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JPH0690143B2
JPH0690143B2 JP62297494A JP29749487A JPH0690143B2 JP H0690143 B2 JPH0690143 B2 JP H0690143B2 JP 62297494 A JP62297494 A JP 62297494A JP 29749487 A JP29749487 A JP 29749487A JP H0690143 B2 JPH0690143 B2 JP H0690143B2
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transparent thin
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幸雄 松山
仁志 窪田
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Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は、コンピュータ用磁気ディスクに使用する薄膜
磁気ヘッドのように、透明保護膜に覆われた素子の外観
検査方法に係り、特に透明保護膜中に存在する塊状粒子
を検出するのに好適とされた透明薄膜中における塊状粒
子検出方法に関するものである。
Description: TECHNICAL FIELD The present invention relates to a method for inspecting the appearance of an element covered with a transparent protective film, such as a thin film magnetic head used for a magnetic disk for a computer, and more particularly to a transparent protective method. The present invention relates to a method for detecting agglomerated particles in a transparent thin film, which is suitable for detecting agglomerated particles existing in a film.

〔従来の技術〕[Conventional technology]

第7図にその部分断面を示すが、薄膜軸ヘッドはコイル
導体1,絶縁層2,磁性体4および透明保護膜3より構成さ
れるようになっている。ところで保護膜3を作成するプ
ロセス上での問題点としては、透明保護膜3が均一に作
成されず同図に示す如く塊状の粒子5a,5bが生成される
場合があることである。透明保護膜3中に塊状粒子5a,5
bが存在すれば、有効な膜厚が薄くなってしまい素子の
信頼性が低下することになるからである。また、塊状粒
子5bが透明保護膜3表面に存在する場合、ディスク使用
時にその塊状粒子5bがディスク面に落下すると装置の破
損、あるいはデータの消失等、重大な事故を引き起こす
ことから、よって、厳重な検査が必要となっている。
The partial cross section is shown in FIG. 7, and the thin film axial head is composed of a coil conductor 1, an insulating layer 2, a magnetic body 4 and a transparent protective film 3. By the way, a problem in the process of forming the protective film 3 is that the transparent protective film 3 may not be uniformly formed, and lump particles 5a and 5b may be generated as shown in FIG. Agglomerated particles 5a, 5 in the transparent protective film 3
This is because if b exists, the effective film thickness will be reduced and the reliability of the device will be reduced. In addition, if the lump particles 5b are present on the surface of the transparent protective film 3, if the lump particles 5b fall onto the disc surface during use of the disc, a serious accident such as damage to the device or loss of data may occur. Inspection is needed.

ところで、従来技術に係る通常の暗視野照明による透明
薄膜中での塊状粒子検出方法について説明すれば、第7
図に示すように塊状粒子5a,5bは不規則な形状を有して
いるため、暗視野で照明することによって、明視野照明
では検出し得ない透明な塊状粒子であっても、その表面
で光が散乱されるため明るいものとして検出されるよう
になっている。しかし、第8図に示すように、暗視野照
明により得られる像には塊状粒子5cによる散乱光と、素
子を構成するパターンの傾斜部(例えば磁性体4の傾斜
部41,42)からの正反射光やパターンエッジ(例えばコ
イル導体1のエッジ)からの散乱光が含まれたものとな
っている。そこで、同一形状を有する2つの素子を暗視
野照明で撮像、比較することによって、透明薄膜中での
塊状粒子を画像間の不一致部分として検出し得るもので
ある。
By the way, a conventional method for detecting agglomerated particles in a transparent thin film by dark field illumination will be described.
As shown in the figure, since the agglomerated particles 5a, 5b have an irregular shape, by illuminating them in the dark field, even transparent agglomerated particles that cannot be detected by bright-field illumination have their surfaces. Since light is scattered, it is detected as bright. However, as shown in FIG. 8, in the image obtained by dark-field illumination, scattered light by the agglomerated particles 5c and the positive light from the inclined portions of the pattern forming the element (for example, the inclined portions 41 and 42 of the magnetic body 4) are included. The reflected light and the scattered light from the pattern edge (for example, the edge of the coil conductor 1) are included. Therefore, by capturing and comparing two elements having the same shape with dark-field illumination, the agglomerated particles in the transparent thin film can be detected as a mismatched portion between the images.

なお、半導体ウエハ上に付着された塊状粒子(異物)を
検出する方法としては、レーザでウエハを斜め上部方向
から照明し、その散乱光を検出するものが特開昭55-997
35号公報に示されている。この方法ではレーザ光が異物
で散乱される際に偏光特性が乱れることを利用してお
り、パターンからの反射光の影響を受けることなく異物
のみを検出するようになっている。しかし、半導体ウエ
ハのパターンに比し薄膜磁気ヘッドのパターンは表面が
粗く、パターン表面でもレーザ光の偏光特性が乱される
ため、パターンからの散乱光と保護膜中の塊状粒子から
の散乱光を弁別し得ないことから、磁気ヘッドの検査に
従来方法を適用し得ないものとなっている。
As a method for detecting the lump particles (foreign matter) attached on the semiconductor wafer, there is a method of illuminating the wafer from a diagonally upper direction with a laser and detecting the scattered light thereof.
No. 35 publication. This method utilizes the fact that the polarization characteristics are disturbed when the laser light is scattered by the foreign matter, and only the foreign matter is detected without being affected by the reflected light from the pattern. However, the pattern of the thin-film magnetic head has a rougher surface than the pattern of the semiconductor wafer, and the polarization characteristics of the laser light are disturbed even on the pattern surface, so the scattered light from the pattern and the scattered particles from the lump particles in the protective film are Since the discrimination cannot be made, the conventional method cannot be applied to the inspection of the magnetic head.

〔発明が解決しようとする問題点〕[Problems to be solved by the invention]

しかしながら、暗視野照明で同一形状の2つの形状を撮
像、比較することによって、透明膜中での塊状粒子を検
出する従来方法では、第8図に示すようにパターン傾斜
部分の上部方向に存在する塊状粒子(5c)についてはそ
の検出が困難であるというものである。即ち、塊状粒子
(5c)からの散乱光の強度はその下部に存在するパター
ン傾斜部分からの正反射光強度に比し微弱であり、塊状
粒子(5c)からの散乱光とパターン傾斜部分からの正反
射光を同時に検出し、2つの素子の比較により塊状粒子
(5c)のみを検出することは困難であるというわけであ
る。
However, in the conventional method of detecting agglomerated particles in a transparent film by imaging and comparing two shapes having the same shape with dark field illumination, the pattern exists in the upper direction of the pattern inclined portion as shown in FIG. It is difficult to detect agglomerated particles (5c). That is, the intensity of the scattered light from the agglomerated particles (5c) is weaker than the intensity of the specular reflection light from the pattern slanted portion existing therebelow, and the scattered light from the agglomerated particles (5c) and the pattern slanted portion It is difficult to detect specular reflection light at the same time and detect only the aggregated particles (5c) by comparing two elements.

また、パターン傾斜部分にしてもその製造プロセスの微
妙な条件変動により各素子毎に傾斜角度や高さにばらつ
きがあり、暗視野照明を行なった場合、正反射光強度は
各素子毎に大きく異なったものとなる。このため、暗視
野照明で2つの素子を撮像、比較すると、パターン傾斜
部分で大きな不一致が生じ多数の擬似欠陥を発生してし
まうことになる。
In addition, even in the pattern tilted part, there are variations in tilt angle and height for each element due to subtle fluctuations in the manufacturing process, and when dark field illumination is performed, the intensity of specularly reflected light differs greatly for each element. It becomes a thing. For this reason, when two devices are imaged and compared by dark field illumination, a large mismatch occurs in the pattern inclined portion, and many pseudo defects occur.

本発明の目的は、透明薄膜中に存在する塊状粒子を擬似
欠陥を発生させることなく、高信頼性にして検出し得る
透明薄膜中における塊状粒子検出方法を供するにある。
An object of the present invention is to provide a method for detecting agglomerated particles in a transparent thin film, which enables highly reliable detection of agglomerated particles present in a transparent thin film without generating pseudo defects.

〔問題点を解決するための手段〕[Means for solving problems]

上記目的は、2つの素子各々を相対向する方向より別々
に暗視野照明した状態で撮影した後は、これら方向対応
に撮像された2つの素子についての4種類の画像を所定
に処理することで達成される。
The above-mentioned purpose is to process four types of images of the two elements imaged corresponding to these directions in a predetermined manner after the two elements are imaged in the dark field illumination from the opposite directions separately To be achieved.

〔作用〕[Action]

透明薄膜中での塊状粒子は暗視野照明の方向に拘らずそ
の散乱光が検出され得るが、パターン傾斜部分はある一
定方向からの暗視野照明に対する正反射光しか検出し得
ない。このため、対向する2方向から別々に暗視野照明
した状態で撮像された2つの画像には、同一の塊状粒子
からの散乱光が共通に含まれるが、同一のパターン傾斜
部分からの正反射光は共通には含まれず、各々異なった
パターン傾斜部分からの正反射光のみが検出されるよう
になっている。さて、パターン傾斜部分上部に塊状粒子
が存在する場合、対向する2方向から別々に暗視野照明
した状態で撮像された2つの画像のうち、一方ではその
塊状粒子からの散乱光が下部に存在するパターン傾斜部
分からの正反射光成分に埋もれて検出されるが、他方で
は下地パターンの影響を受けることなく塊状粒子からの
散乱光成分のみが検出されることになる。そこで、一方
向からの暗視野照明で2つの素子を撮像し、その方向か
らの照明により明るく検出されるパターン傾斜部分を検
査禁止領域としたうえで、撮像された2つの画像を比較
検査することを照明方向を切換えて行なうことによっ
て、パターン傾斜部分で擬似欠陥を発生することなく全
ての塊状粒子が検出可能となるものである。検査禁止領
域は対向する2方向から照明により得られる2つの画像
の差分の2値化によって設定されていることから、各照
明方向毎に設定される検査禁止領域は重複することはな
く、よって各照明方向毎の検査結果を合成することによ
って、全領域に亘っての検査が可能となるものである。
The scattered particles of the agglomerated particles in the transparent thin film can be detected regardless of the direction of the dark field illumination, but the pattern inclined portion can detect only the specular reflection light for the dark field illumination from a certain direction. Therefore, the two images captured under the dark-field illumination from the two opposite directions include the scattered light from the same lumpy particles in common, but the specular reflection light from the same pattern inclined portion is included. Are not included in common, and only specular reflection light from different pattern inclined portions is detected. By the way, when agglomerated particles are present in the upper part of the pattern inclined portion, one of the two images imaged under the dark field illumination from the two opposite directions separately has scattered light from the agglomerated particles in the lower part. Although it is detected by being buried in the regular reflection light component from the pattern inclined portion, on the other hand, only the scattered light component from the agglomerated particles is detected without being affected by the underlying pattern. Therefore, two elements are imaged by dark-field illumination from one direction, and a pattern inclined portion that is brightly detected by illumination from that direction is set as an inspection prohibited area, and the two images thus picked up are compared and inspected. By switching the illumination direction, all the aggregated particles can be detected without generating a pseudo defect in the pattern inclined portion. Since the inspection prohibited area is set by binarizing the difference between the two images obtained by illumination from two opposite directions, the inspection prohibited areas set for each illumination direction do not overlap each other, and By combining the inspection results for each illumination direction, the inspection can be performed over the entire area.

〔実施例〕〔Example〕

以下、本発明を第1図から第6図により説明する。 Hereinafter, the present invention will be described with reference to FIGS. 1 to 6.

先ず本発明に係る塊状粒子検出装置の概要を第2図によ
って説明すれば以下のようである。
First, the outline of the lumpy particle detecting apparatus according to the present invention will be described with reference to FIG. 2 as follows.

即ち、光源10からの光はコンデンサレンズ11、遮光板1
2、反射鏡13、暗視野用対物レンズ14周囲を介し、複数
の本来同一であるべき素子が形成された被検査ウエハ17
を照明するようになっている。被検査ウエハ17からの反
射光は暗視野用対物レンズ14の中央レンズ部分、反射鏡
(周囲のみ鏡で中央は光が透過可能)13、結像レンズ15
を介してTVカメラ16上に結像されるものとなっている。
ところで、遮光板12は第3図に示す如く2種類の遮光部
31,32を有しており、部分31a,32aが光を透過し、部分31
b,32bでは遮光するようになっているため、第2図にお
いて遮光板12を上下に移動することによって、暗視野照
明方向を左右に切換え可能となっている。
That is, the light from the light source 10 is condensed by the condenser lens 11 and the light blocking plate 1.
2. A wafer 17 to be inspected on which a plurality of elements that should be the same are formed via the periphery of the reflecting mirror 13 and the dark field objective lens 14.
It is designed to illuminate. Reflected light from the wafer 17 to be inspected is a central lens portion of the dark-field objective lens 14, a reflecting mirror (a mirror is only around the periphery and light can be transmitted through the center) 13, and an imaging lens 15.
An image is formed on the TV camera 16 via the.
By the way, the shading plate 12 has two kinds of shading parts as shown in FIG.
31 and 32, the portions 31a and 32a transmit light, and the portion 31
Since b and 32b are designed to block light, the dark-field illumination direction can be switched between left and right by moving the light-shielding plate 12 up and down in FIG.

さて、その装置の動作を説明すれば、先ず遮光部31を光
路に挿入した状態で被検査ウエハ17上の1つの素子をTV
カメラ16で撮像し、その出力はA/D変換器19でディジタ
ル量に変換された後メモリ20aに記憶される。次に遮光
板12を移動し遮光部32を光路に挿入した状態でその素子
をTVカメラ16で撮像したうえA/D変換器19を介しメモリ2
0bに記憶するようになっている。この後は再度遮光板12
を移動し遮光部31を光路に挿入した状態でXYステージ18
を移動し、被検査ウエハ17上の本来同一形状を有する他
の素子をTVカメラ16で撮像したうえA/D変換器19を介し
メモリ20cに記憶し、更には遮光板12を移動し遮光部32
を光路に挿入した状態でその他の素子をTカメラ16で撮
像したうえA/D変換器19を介しメモリ20dに記憶するよう
になっている。
Now, the operation of the device will be described. First, one element on the wafer 17 to be inspected is set on the TV with the light shielding part 31 inserted in the optical path.
An image is picked up by the camera 16, and its output is converted into a digital amount by the A / D converter 19 and then stored in the memory 20a. Next, while moving the light shielding plate 12 and inserting the light shielding portion 32 in the optical path, the device is imaged by the TV camera 16 and then the memory 2 is transmitted via the A / D converter 19.
It is supposed to be stored in 0b. After this, the shading plate 12 again
XY stage 18 with the light shield 31 moved in the optical path
The other elements having the same shape on the wafer 17 to be inspected are imaged by the TV camera 16 and stored in the memory 20c through the A / D converter 19, and the light shielding plate 12 is further moved to shield the light. 32
Is inserted in the optical path, the other elements are imaged by the T camera 16 and stored in the memory 20d via the A / D converter 19.

以上のようにしてメモリ20a〜20dに記憶された4つの画
像は以下に詳述する欠陥判定回路40に入力され、透明保
護膜中に存在する塊状粒子が検出されるのであるが、比
較される2つの素子の画像は予め相互に位置合せがなさ
れている必要がある。位置合せの方法は本発明に直接関
係しなくその詳細な説明は省略するが、XYステージ18を
精密に位置決めして2つの素子を位置合せした後TVカメ
ラ16で撮像する方法や、メモリ20a〜20dに記憶された画
像を電気的にシフトすることで、2つの素子を位置合せ
する方法などがある。
The four images stored in the memories 20a to 20d as described above are input to the defect determination circuit 40, which will be described in detail below, and the lump particles existing in the transparent protective film are detected. The images of the two elements must be pre-registered with each other. Although the alignment method is not directly related to the present invention and its detailed description is omitted, a method of precisely positioning the XY stage 18 to align the two elements and then imaging with the TV camera 16, and the memory 20a. There is a method of aligning the two elements by electrically shifting the image stored in 20d.

第1図は第2図における欠陥判定回路の一例での構成を
示したものである。以下、説明を簡便にするため、第2
図において遮光部31が光路中に挿入された状態での暗視
野照明方向をLとし、遮光部32が光路中に挿入された状
態での暗視野照明方向をRとする。また、比較すべき2
つの素子をそれぞれA,Bとして照明方向Lで撮像された
素子Aの画像をAL,素子Bの画像をBL,照明方向Rで撮像
された素子Aの画像をAR,素子Bの画像をBRとして説明
すれば以下のようである。
FIG. 1 shows a configuration of an example of the defect judgment circuit in FIG. Below, in order to simplify the explanation, the second
In the figure, the dark-field illumination direction with the light shield 31 inserted in the optical path is L, and the dark-field illumination direction with the light shield 32 inserted in the optical path is R. Also, 2 to compare
The image of the element A taken in the illumination direction L is A L , the image of the element B is B L , and the image of the element A taken in the illumination direction R is A R Is described as B R , it is as follows.

即ち、欠陥判定回路40ではメモリ20a,20b,20c,20dに予
め記憶された画像AL,AR,BL,BRを入力しこれらを所定に
処理するが、その構成はALとBL,AR,BRを比較するための
差の絶対値回路44a,44b、これら差の絶対値回路44a,44b
からの出力のうち、所定領域(検査禁止領域)対応のも
のをマスクするためのセレクタ45a,45b、セレクタ45a,4
5bからの出力を2値化するための2値化回路46a,46b、
2値化回路46a,46bからの、各照明方向L,R毎に比較検査
された結果を合成し最終検査結果を得るための論理和回
路47、更には各照明方向L,R毎に撮像された画像を比較
検査する際での検査禁止領域(以下ML,MRとする)を算
出するための演算回路41a〜41d,2値化回路42a〜42dおよ
び論理積回路43a,43bより構成されたものとなってい
る。
In other words, the defect determination circuit 40 memory 20a, 20b, 20c, the previously stored image A L to 20d, A R, B L, enter the B R is processing these in a predetermined, its configuration is A L and B Absolute value circuit 44a, 44b for comparing L , A R , B R , absolute value circuit 44a, 44b for these difference
Of the outputs from the selectors 45a and 45b and the selectors 45a and 45 for masking those corresponding to a predetermined area (inspection prohibited area)
Binarization circuits 46a, 46b for binarizing the output from 5b,
A logical sum circuit 47 for synthesizing the results of comparison and inspection from the binarization circuits 46a and 46b for each illumination direction L and R to obtain a final inspection result, and further imaged for each illumination direction L and R. Comprised of arithmetic circuits 41a to 41d, binarization circuits 42a to 42d, and AND circuits 43a and 43b for calculating an inspection prohibited area (hereinafter referred to as M L and M R ) when performing a comparative inspection of the images. It has become a thing.

さて、その回路動作について処理間関係を示す第4図を
参照しつつ説明すれば画像ALから画像ARを減算回路41a
により減算し、その結果は2値化回路42aでしきい値
(正の値)Th1によって2値化されるが、この2値化結
果は素子Aを照明方向Lで暗視野照明した際に明るく検
出される領域部分のうち、パターン傾斜部分に相当する
領域のみを抽出した結果として得られるものである。即
ち、照明方向L,Rでとともに明るく検出される部分(塊
状粒子部分や、表面が粗い平坦(水平)部分(因みに、
第4図に示すAL,AR、BL,BRは、図面の簡単化上、表面が
粗い平坦(水平)部分に対応する部分は明るい状態とし
ては表示されていない))や、照明方向Rで明るく検出
されるパターン傾斜部分に相当する傾斜は排除されるも
のである。同様に画像BLから画像BRを減算回路41cによ
り減算し、その結果を2値化回路42cによりしきい値Th1
で2値化することによって、素子Bを照明方向Lより暗
視野照明した際に、明るく検出される領域部分のうち、
パターン傾斜部分に相当する領域のみが抽出されるもの
である。その後2値化回路42a,42cの出力は論理積回路4
3aで論理積されることによって、照明方向Lにより素子
A,Bにおいて共通に明るく検出されるパターン傾斜部分
が検出されるが、これが照明方向Lで2素子の比較を行
なう場合での検査禁止領域MLとなるわけである。
Now, the circuit operation will be described with reference to FIG. 4 showing the relationship between processes. The subtraction circuit 41a for subtracting the image A R from the image A L.
, And the result is binarized by the threshold value (positive value) Th 1 in the binarization circuit 42a. This binarization result is obtained when the element A is dark-field illuminated in the illumination direction L. It is obtained as a result of extracting only the area corresponding to the pattern inclination portion from the brightly detected area portion. That is, a portion that is brightly detected along with the illumination directions L and R (a lump particle portion or a flat (horizontal) portion with a rough surface (by the way,
A L , A R , B L , and B R shown in Fig. 4 are not displayed as a bright state in the part corresponding to the flat (horizontal) part where the surface is rough due to the simplification of the drawing)) and lighting The inclination corresponding to the pattern inclination portion which is detected bright in the direction R is excluded. Similarly, the subtraction circuit 41c subtracts the image B R from the image B L, and the binarization circuit 42c subtracts the result from the threshold value Th 1
When the element B is illuminated in the dark field from the illumination direction L by performing binarization with
Only the area corresponding to the pattern inclination portion is extracted. After that, the outputs of the binarization circuits 42a and 42c are AND circuits 4
By logical product of 3a
A, although common brightly the detected pattern inclined portion at B is detected, this is not an inspection inhibited area M L in the case of performing the comparison of the two elements in the illumination direction L.

一方、差の絶対値回路44aによってはALとBLとの差の絶
対値、即ち、不一致量が演算されており、その結果はセ
レクタ45aより出力可とされているが、この結果か、ま
たは“0"が出力されるかは論理積回路43aからのMLの状
態によっている。MLが“1"の時セレクタ45aは“0"を、
また、MLが“0"の時は差の絶対値回路44aの出力をその
まま出力するようになっているものである。したがって
セレクタ45aの出力には、照明方向Lより暗視野照明し
た暗に明るく検出される。パターン傾斜部分以外の領域
に存在する塊状粒子からの散乱光が含まれており、これ
を2値化回路46aによりしきい値Th2で2値化することに
よって、その塊状粒子を検出し得るものである。以下説
明したのと同様動作によって、照明方向Rより暗視野照
明した時に明るく検出されるパターン傾斜部分以外の領
域に存在する塊状粒子が2値化回路46bの出力として検
出されるものである。最後に2値化回路46a,46bの出力
は論理和回路47で論理和されることによって、素子上に
存在する全ての塊状粒子が検出され得るものである。第
4図では論理和されてから2値化されているが、何れに
しても同様の結果が得られるようになっている。ところ
で、論理和処理が必要とされているのは、塊粒状子から
の散乱状態が暗視野照明方向によって一般に異なるから
であり、その大きさをより確実に検出する必要があるか
らである。第1図に示されていないが、その後論理和処
理された結果に含まれる“1"領域の大きさが判定される
ことによって、ノイズ成分が除去されるものとなってい
る。
On the other hand, the absolute value of the difference between A L and B L is calculated by the difference absolute value circuit 44a, that is, the amount of mismatch is calculated, and the result can be output from the selector 45a. Alternatively, whether "0" is output depends on the state of M L from the AND circuit 43a. When M L is “1”, the selector 45a outputs “0”,
When M L is “0”, the output of the absolute difference circuit 44a is output as it is. Therefore, in the output of the selector 45a, the dark field illuminated from the illumination direction L is detected to be dark and bright. The scattered light from the agglomerated particles existing in the area other than the pattern inclined portion is included, and the agglomerated particles can be detected by binarizing the scattered light with the threshold value Th 2 by the binarizing circuit 46a. Is. By the same operation as described below, the lump particles existing in the area other than the pattern inclined portion which is brightly detected when the dark field illumination is performed from the illumination direction R are detected as the output of the binarization circuit 46b. Finally, the outputs of the binarization circuits 46a and 46b are logically summed by the logical sum circuit 47 so that all the lump particles existing on the device can be detected. In FIG. 4, the result is ORed and then binarized, but the same result is obtained in any case. By the way, the logical sum processing is required because the scattering state from the agglomerates is generally different depending on the dark-field illumination direction, and its size needs to be detected more reliably. Although not shown in FIG. 1, the noise component is removed by determining the size of the “1” area included in the result of the logical sum processing thereafter.

さて、第5図は本発明の他の実施例での構成を示したも
のである。異なる波長帯域の光で対向する2方向から同
時に暗視野照明を行ない、各波長帯域毎にTVカメラで画
像を検出することによって、対向する2方向から照明さ
れた素子についての2つの画像を同時に検出しようとい
うものである。これを実現すべく暗視野光路に挿入され
る遮光板21は第6図に示すように、光を透過しない遮光
部23、長波長帯域の光(赤色光)のみを透過し他の波長
光を反射する色フィルタ24aおよび短波長帯域の光(青
色光)のみを透過し他の波長光を反射する色フィルタ24
bより構成されるようになっている。また、2つの波長
帯域の光を分離して検出すべく、第5図に示すように、
検出光路中にはダイクロイックミラー22が挿入されるよ
うになっている(ダイクロイックミラー22は赤色光を透
過し、青色光を反射するものを使用)。この状態で2つ
のTVカメラ16a,16bで検出された画像はA/D変換器19,19b
を介しそれぞれメモリ20a,20bに、XYステージ18移動後
の他の素子についての画像はメモリ20c,20dに記憶され
るところとなるものである。
Now, FIG. 5 shows the configuration of another embodiment of the present invention. Dark field illumination is performed simultaneously from two opposite directions with light of different wavelength bands, and the image is detected by the TV camera for each wavelength band, so that two images of the element illuminated from the opposite two directions are detected simultaneously. It is to try. In order to achieve this, the light shield plate 21 inserted in the dark field optical path is, as shown in FIG. 6, a light shield portion 23 that does not transmit light, and transmits only light in the long wavelength band (red light) and transmits light of other wavelengths. A color filter 24a that reflects light and a color filter 24 that transmits only light in the short wavelength band (blue light) and reflects light of other wavelengths
It is composed of b. Further, as shown in FIG. 5, in order to separate and detect light in two wavelength bands,
A dichroic mirror 22 is inserted in the detection optical path (the dichroic mirror 22 is one that transmits red light and reflects blue light). In this state, the images detected by the two TV cameras 16a and 16b are A / D converters 19 and 19b.
The images of other elements after the movement of the XY stage 18 are stored in the memories 20a and 20b via the memory 20c and 20d, respectively.

このように本例では、対向する2方向から照明された素
子についての2つの画像は同時に検出され得るから、検
査が速やかに行なわれることになる。
In this way, in this example, two images of the element illuminated from two opposite directions can be detected at the same time, so that the inspection can be performed quickly.

〔発明の効果〕〔The invention's effect〕

以上説明したように本発明によれば、コンピュータ用磁
気ディスクに使用する薄膜磁気ヘッドのように、透明保
護膜に覆われた素子の保護膜中に存在する塊状粒子は素
子のパターンに影響されることなく、しかも擬似欠陥を
発生することなく高い信頼度が検出されるから、製品の
信頼性が向上されるといった効果がある。
As described above, according to the present invention, like a thin film magnetic head used in a magnetic disk for a computer, agglomerated particles existing in a protective film of an element covered with a transparent protective film are affected by the pattern of the element. In addition, since the high reliability is detected without generating pseudo defects, the reliability of the product is improved.

【図面の簡単な説明】[Brief description of drawings]

第1図は本発明に係る欠陥判定回路の一例での構成を示
す図、第2図,第3図は、本発明に係る塊状粒子検出装
置の一例での概要構成とその構成における遮光板の詳細
を示す図、第4図は、第1図に示す欠陥判定回路での処
理間関係を示す図、第5図,第6図は、本発明に係る塊
状粒子検出装置の他の例での概要構成とその構成におけ
る遮光板の詳細を示す図、第7図,第8図は、従来技術
の不具合を説明するための薄膜磁気ヘッドの部分断面を
示す図である。 12,21……遮光板、13……反射鏡、14……暗視野用対物
レンズ、16,16a,16b……TVカメラ、19,19a,19b……A/D
変換器、20a〜20d……メモリ、40……欠陥判定回路、41
a〜41d……減算回路、42a〜42d,46a,46b……2値化回
路、43a,43b……論理積回路、44a,44b……差の絶対値回
路、45a,45b……セレクタ、47……論理和回路。
FIG. 1 is a diagram showing a configuration of an example of a defect determination circuit according to the present invention, and FIGS. 2 and 3 are schematic configurations of an example of a lump particle detection device according to the present invention and a light shielding plate in the configuration. FIG. 4 is a diagram showing details, FIG. 4 is a diagram showing an inter-process relation in the defect determination circuit shown in FIG. 1, and FIGS. 5 and 6 are other examples of the lump particle detecting device according to the present invention. FIGS. 7 and 8 are diagrams showing a schematic structure and details of a light-shielding plate in the structure, and FIGS. 7 and 8 are partial cross-sectional views of a thin-film magnetic head for explaining the problems of the conventional technique. 12,21 Shield plate, 13 ...... Reflector, 14 ...... Dark field objective lens, 16,16a, 16b ...... TV camera, 19,19a, 19b ...... A / D
Transducer, 20a to 20d ... Memory, 40 ... Defect determination circuit, 41
a to 41d ... subtraction circuit, 42a to 42d, 46a, 46b ... binarization circuit, 43a, 43b ... AND circuit, 44a, 44b ... difference absolute value circuit, 45a, 45b ... selector, 47 ...... OR circuit.

Claims (2)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】透明薄膜により上部表面が保護され、かつ
本来同一形状とされる2個の被検査素子A,B各々を、相
対向する2方向L,Rから別々に暗視野照明した状態で撮
像し、被検査素子A,B各々についての暗視野照明方向L,R
対応に得られた多値ディジタル画像データAL,AR、BL,BR
を所定に処理することで、透明薄膜中に存在する塊状粒
子の存否が検出されるようにした塊状粒子検出方法にし
て、視野照明照明方向Lに係る被検査素子A,B各々につ
いての多値ディジタル画像データAL,BLから絶対値差画
像データ|AL−BL|を求めるとともに、暗視野照明照明方
向Rに係る被検査素子A,B各々についての多値ディジタ
ル画像データAR,BRから絶対値差画像データ|AR−BR|を
求める一方、差画像データAL−AR,BL−BRから視野照明
照明方向Lにおける検査禁止領域MLを抽出するととも
に、差画像データAR−AL,BR−BLから視野照明照明方向
Rにおける検査禁止領域MRを抽出し、検査禁止領域ML
よりマスクされた状態での絶対値差画像データ|AL−BL|
に対する2値化結果と、検査禁止領域MRによりマスクさ
れた状態での絶対値差画像データ|AR−BR|に対する2値
化結果との論理和結果から、透明薄膜中に存在する塊状
粒子の存否が検出されるようにした、透明薄膜中におけ
る塊状粒子検出方法。
1. A transparent thin film protects the upper surface of each of the two inspected elements A and B, which have the same shape, and are separately dark-field illuminated from opposite two directions L and R. Imaged, dark field illumination direction L, R for each device A, B to be inspected
Corresponding multi-level digital image data A L , A R , B L , B R
By a predetermined process to detect the presence or absence of agglomerated particles existing in the transparent thin film, and a multi-value for each of the inspected elements A and B related to the visual field illumination direction L is obtained. Absolute value difference image data | A L −B L | is calculated from the digital image data A L , B L , and multivalued digital image data A R , a R -B R | | absolute value difference image data from the B R while obtaining the difference image data a L -A R, extracts the examination forbidden region M L in field illumination the illumination direction L from the B L -B R, the difference image data a R -A L, B R -B L extracts the examination forbidden region M R in field illumination the illumination direction R from the absolute value difference image data in a state masked by the inspection inhibited area M L | a L −B L |
Binarization result and the absolute value difference image data in a state masked by the inspection prohibited area M R for | A R -B R | from the OR result of the binarization results for bulk present in the transparent thin film A method for detecting agglomerated particles in a transparent thin film, wherein the presence or absence of particles is detected.
【請求項2】検査禁止領域MLは、差画像データAL−BL
対する2値化結果と、差画像データBL−BRに対する2値
化結果との論理積結果として、検査禁止領域MRは、差画
像データAR,ALに対する2値化結果と、差画像データBL
−BRに対する2値化結果との論理積結果としてそれぞれ
抽出される、特許請求の範囲第1項記載の透明薄膜中に
おける塊状粒子検出方法。
2. The inspection-prohibited area M L is an inspection-prohibited area as a logical product result of a binarization result for the difference image data A L -B L and a binarization result for the difference image data B L -B R. M R is the binarization result for the difference image data A R , A L and the difference image data B L
Each of which is extracted as a logical result of the binarization result for the -B R, massive particle detection method in the transparent thin film of the appended claimed range first term of.
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