JPH0689860A - 半導体結晶成長方法および分子線エピタクシー装置 - Google Patents
半導体結晶成長方法および分子線エピタクシー装置Info
- Publication number
- JPH0689860A JPH0689860A JP13497692A JP13497692A JPH0689860A JP H0689860 A JPH0689860 A JP H0689860A JP 13497692 A JP13497692 A JP 13497692A JP 13497692 A JP13497692 A JP 13497692A JP H0689860 A JPH0689860 A JP H0689860A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- growth
- shutter
- main shutter
- crystal growth
- semiconductor crystal
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Withdrawn
Links
Landscapes
- Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
- Physical Vapour Deposition (AREA)
- Physical Deposition Of Substances That Are Components Of Semiconductor Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 絶対膜厚制御性の優れた半導体結晶成長方法
を提供することにある。 【構成】 ＭＢＥによるＧａＡｓ結晶成長工程におい
て、図２（ａ）に示すように、メインシャッター１６を
用いて成長中断を行う。その後、図２（ｂ）に示すよう
に、ＧａＡｓの成長を開始して、ＲＨＥＥＤ振動測定を
行う。このときに、メインシャッター１６は、Ｇａシャ
ッター４およびＡｓシャッター７から５０ｍｍ以上離れ
ているために、メインシャッター１６を開けたときのＧ
ａビーム５のビーム強度変動はほとんど無い。このた
め、ＲＨＥＥＤ振動測定によって、正確に成長速度を測
定でき、絶対膜厚制御性に優れた結晶成長が実現でき
る。
を提供することにある。 【構成】 ＭＢＥによるＧａＡｓ結晶成長工程におい
て、図２（ａ）に示すように、メインシャッター１６を
用いて成長中断を行う。その後、図２（ｂ）に示すよう
に、ＧａＡｓの成長を開始して、ＲＨＥＥＤ振動測定を
行う。このときに、メインシャッター１６は、Ｇａシャ
ッター４およびＡｓシャッター７から５０ｍｍ以上離れ
ているために、メインシャッター１６を開けたときのＧ
ａビーム５のビーム強度変動はほとんど無い。このた
め、ＲＨＥＥＤ振動測定によって、正確に成長速度を測
定でき、絶対膜厚制御性に優れた結晶成長が実現でき
る。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、半導体の結晶成長方
法、特に３−５族半導体の結晶成長方法、およびそれに
用いる分子線エピタクシー（ＭＢＥ）装置に関する。
法、特に３−５族半導体の結晶成長方法、およびそれに
用いる分子線エピタクシー（ＭＢＥ）装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】ＭＢＥによる結晶成長方法は、超薄膜を
制限性良く結晶成長出来るため、量子井戸レーザや高移
動度トランジスタなどに用いられる結晶の成長に広く用
いられている。
制限性良く結晶成長出来るため、量子井戸レーザや高移
動度トランジスタなどに用いられる結晶の成長に広く用
いられている。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、従来の
ＭＢＥ法では、一枚のウェハーの結晶成長では、精密に
膜厚を制御出来るものの、ＲＵＮ ｔｏ ＲＵＮでの絶
対膜厚の制御性は、必ずしも良好ではなかった。例え
ば、ＧａＡｓの化合物半導体の結晶成長の例では、絶対
膜厚は２−３％程度のばらつきが、どうしてもでてしま
う欠点があった。従来のＭＢＥによる結晶成長において
は、通常、所望の成長の前に、材料となるビーム強度を
イオンゲージによって測定して成長速度を補正してい
る。しかしながら、イオンゲージによる測定は、その日
によって、イオンゲージコントローラのアンプゲイン
や、イオンゲージの測定場所のばらつきによって、測定
結果に２〜３％のばらつきがでる。このため、成長速度
を測定精度が、成長膜厚のばらつきとなって、２〜３％
の膜厚のばらつきがでていた。
ＭＢＥ法では、一枚のウェハーの結晶成長では、精密に
膜厚を制御出来るものの、ＲＵＮ ｔｏ ＲＵＮでの絶
対膜厚の制御性は、必ずしも良好ではなかった。例え
ば、ＧａＡｓの化合物半導体の結晶成長の例では、絶対
膜厚は２−３％程度のばらつきが、どうしてもでてしま
う欠点があった。従来のＭＢＥによる結晶成長において
は、通常、所望の成長の前に、材料となるビーム強度を
イオンゲージによって測定して成長速度を補正してい
る。しかしながら、イオンゲージによる測定は、その日
によって、イオンゲージコントローラのアンプゲイン
や、イオンゲージの測定場所のばらつきによって、測定
結果に２〜３％のばらつきがでる。このため、成長速度
を測定精度が、成長膜厚のばらつきとなって、２〜３％
の膜厚のばらつきがでていた。
【０００４】ほかの方法としては、高速反射電子線回折
（ＲＨＥＥＤ）を用いる方法がある。すなわち、ＭＢＥ
による結晶成長中に、ＲＨＥＥＤ測定を行うと、電子線
の回折強度が時間とともに周期的に変動し、それが１原
子層の堆積速度に対応していることから知られている。
このような、ＲＨＥＥＤの回折強度変化をＲＨＥＥＤ振
動と呼んでいる。そこで、成長の初期段階において、こ
のＲＨＥＥＤ振動を測定することによって、成長速度を
正確に知ることが出来る。しかしながら、通常のＭＢＥ
成長では、ＲＨＥＥＤ振動を再現性良く測定するには、
成長中断を行うことが必要である。ここでの成長中断と
は、例えば、ＧａＡｓでの成長では、蒸気圧の大きくて
蒸発し易いＡｓ脱離を防ぐために、成長温度に保存した
ままＡｓビームを基板に当てる一方、Ｇａビームを遮断
して、ＧａＡｓの成長を中断している状態を言う。この
ような、成長中断を行った後、ＲＨＥＥＤ振動測定を行
うには、Ｇａシャッターを開けて、ＧａとＡｓビームを
基板に当てて成長を再開して、そのときの電子線回折強
度変化を観測すれば良い。
（ＲＨＥＥＤ）を用いる方法がある。すなわち、ＭＢＥ
による結晶成長中に、ＲＨＥＥＤ測定を行うと、電子線
の回折強度が時間とともに周期的に変動し、それが１原
子層の堆積速度に対応していることから知られている。
このような、ＲＨＥＥＤの回折強度変化をＲＨＥＥＤ振
動と呼んでいる。そこで、成長の初期段階において、こ
のＲＨＥＥＤ振動を測定することによって、成長速度を
正確に知ることが出来る。しかしながら、通常のＭＢＥ
成長では、ＲＨＥＥＤ振動を再現性良く測定するには、
成長中断を行うことが必要である。ここでの成長中断と
は、例えば、ＧａＡｓでの成長では、蒸気圧の大きくて
蒸発し易いＡｓ脱離を防ぐために、成長温度に保存した
ままＡｓビームを基板に当てる一方、Ｇａビームを遮断
して、ＧａＡｓの成長を中断している状態を言う。この
ような、成長中断を行った後、ＲＨＥＥＤ振動測定を行
うには、Ｇａシャッターを開けて、ＧａとＡｓビームを
基板に当てて成長を再開して、そのときの電子線回折強
度変化を観測すれば良い。
【０００５】しかしながら、Ｇａなどのビームを遮断す
るために通常のセルシャッターを用いると、シャッター
開閉時にビーム強度が２〜１０％程度変動する現象（こ
れをシャッター過渡応答と呼ぶ）があり、正確な成長速
度を測ることがむずかしい問題があった。そこで、本発
明の目的は、このようなＲＨＥＥＤ振動測定を正確に行
うことが出来、成長速度を正確に測定できるため、絶対
膜厚制御性を優れた半導体結晶成長方法およびＭＢＥ成
長方法を提供することにある。
るために通常のセルシャッターを用いると、シャッター
開閉時にビーム強度が２〜１０％程度変動する現象（こ
れをシャッター過渡応答と呼ぶ）があり、正確な成長速
度を測ることがむずかしい問題があった。そこで、本発
明の目的は、このようなＲＨＥＥＤ振動測定を正確に行
うことが出来、成長速度を正確に測定できるため、絶対
膜厚制御性を優れた半導体結晶成長方法およびＭＢＥ成
長方法を提供することにある。
【０００６】
【課題を解決するための手段】本発明の第１の半導体結
晶成長方法では、少なくとも２つ以上の材料ビームを遮
断できるメインシャッターを閉めて成長中断する工程
と、この成長中断後に前記メインシャッターを開けて成
長を開始する工程と、この成長開始時の高速電子線回折
強度変化を測定することによって、成長速度を測定する
工程を備えることを特徴とする。
晶成長方法では、少なくとも２つ以上の材料ビームを遮
断できるメインシャッターを閉めて成長中断する工程
と、この成長中断後に前記メインシャッターを開けて成
長を開始する工程と、この成長開始時の高速電子線回折
強度変化を測定することによって、成長速度を測定する
工程を備えることを特徴とする。
【０００７】本発明の第２の半導体結晶成長方法では、
少なくとも２つ以上の材料ビームを遮断でき、かつ５族
元素材料ビームが通過できるメインシャッターを閉めて
成長中断する工程と、この成長中断後に前記メインシャ
ッターを開けて３−５族半導体の成長を開始する工程
と、この成長開始時の高速電子線回折強度変化を測定す
ることによって、成長速度を測定する工程を備えること
を特徴とする。
少なくとも２つ以上の材料ビームを遮断でき、かつ５族
元素材料ビームが通過できるメインシャッターを閉めて
成長中断する工程と、この成長中断後に前記メインシャ
ッターを開けて３−５族半導体の成長を開始する工程
と、この成長開始時の高速電子線回折強度変化を測定す
ることによって、成長速度を測定する工程を備えること
を特徴とする。
【０００８】本発明の分子線エピタクシー装置では、３
−５族半導体を結晶成長できる分子線エピタクシーであ
り、少なくとも２つ以上の材料ビームを遮断でき、かつ
５族ビームが通過できるメインシャッターを備えること
を特徴とする。
−５族半導体を結晶成長できる分子線エピタクシーであ
り、少なくとも２つ以上の材料ビームを遮断でき、かつ
５族ビームが通過できるメインシャッターを備えること
を特徴とする。
【０００９】
【作用】発明が解決しようとする課題の項で述べたよう
に、従来のＭＢＥにおける成長速度測定の方法として
は、ビーム強度をイオンゲージによって測定する方法
と、ＲＨＥＥＤ振動測定の方法の２種類がある。しかし
ながら、イオンゲージによる測定は、その日によって、
イオンゲージコントローラのアンプゲインや、イオンゲ
ージの測定場所のばらつきによって、測定結果に２〜３
％のばらつきがでる。また、ＲＨＥＥＤ振動測定では、
シャッター開閉時に、ビーム強度が２〜１０％程度変動
するシャッターの過渡応答と呼ばれる現象があり、正確
に成長速度を測定することが出来なかった。
に、従来のＭＢＥにおける成長速度測定の方法として
は、ビーム強度をイオンゲージによって測定する方法
と、ＲＨＥＥＤ振動測定の方法の２種類がある。しかし
ながら、イオンゲージによる測定は、その日によって、
イオンゲージコントローラのアンプゲインや、イオンゲ
ージの測定場所のばらつきによって、測定結果に２〜３
％のばらつきがでる。また、ＲＨＥＥＤ振動測定では、
シャッター開閉時に、ビーム強度が２〜１０％程度変動
するシャッターの過渡応答と呼ばれる現象があり、正確
に成長速度を測定することが出来なかった。
【００１０】そこで、本発明の方法では、メインシャッ
ターを利用する方法を、新たに開発した。すなわち、上
述のシャッターの過渡応答では、シャッターと蒸発源セ
ルが近いために、シャッターを閉じたときにシャッター
板での輻射で材料の温度が上昇してしまうことが原因で
あった。そこで、本発明では、メインシャッターを利用
して、成長を中断して、ＲＨＥＥＤ振動測定を行ってい
る。メインシャッターは、全ての材料ビームを遮断する
ために、通常、セルシャッターと基板の中間に配置され
ている。そのために、メインシャッターと、蒸発源セル
の間隔は、５０ｍｍ以上に離れて配置されているため、
メインシャッターを閉じても、蒸発源セルの温度上昇が
ないために、上述のシャッターの過渡応答の問題は無
い。そのため、シャッターの過渡応答の影響を受けるこ
と無く、正確にＲＨＥＥＤ振動測定できるため、正確に
成長速度を測定できて、絶対膜厚制御性に優れた、半導
体結晶成長が実現できる。
ターを利用する方法を、新たに開発した。すなわち、上
述のシャッターの過渡応答では、シャッターと蒸発源セ
ルが近いために、シャッターを閉じたときにシャッター
板での輻射で材料の温度が上昇してしまうことが原因で
あった。そこで、本発明では、メインシャッターを利用
して、成長を中断して、ＲＨＥＥＤ振動測定を行ってい
る。メインシャッターは、全ての材料ビームを遮断する
ために、通常、セルシャッターと基板の中間に配置され
ている。そのために、メインシャッターと、蒸発源セル
の間隔は、５０ｍｍ以上に離れて配置されているため、
メインシャッターを閉じても、蒸発源セルの温度上昇が
ないために、上述のシャッターの過渡応答の問題は無
い。そのため、シャッターの過渡応答の影響を受けるこ
と無く、正確にＲＨＥＥＤ振動測定できるため、正確に
成長速度を測定できて、絶対膜厚制御性に優れた、半導
体結晶成長が実現できる。
【００１１】
【実施例】次に本発明の実施例について図面を用いて詳
細に説明する。
細に説明する。
【００１２】図１は、図２は、本発明の第１の実施例の
ＧａＡｓ結晶の成長方法における工程図である。図中、
１は基板ホルダー、２はＧａＡｓダミー基板、３はＧ
ａ、４はＧａシャッター、５はＧａビーム、６はＡｓ、
７はＡｓシャッター、８はＡｓビームである、９はヒー
タ、１０はＲＨＥＥＤ電子線、１１は蛍光スクリーン、
１２はレンズ、１３はフォトダイオード、１４はレコー
ダ、１５はＭＢＥチェンバー、１６はメインシャッター
である。このメインシャッター１６は、Ｇａシャッター
４やＡｓシャッター７から充分離れて（＞５０ｍｍ）配
置されているために、メインシャッター１６の開閉時の
ビーム強度の変動（シャッターの過渡応答）はほとんど
無い。（＜１％）。
ＧａＡｓ結晶の成長方法における工程図である。図中、
１は基板ホルダー、２はＧａＡｓダミー基板、３はＧ
ａ、４はＧａシャッター、５はＧａビーム、６はＡｓ、
７はＡｓシャッター、８はＡｓビームである、９はヒー
タ、１０はＲＨＥＥＤ電子線、１１は蛍光スクリーン、
１２はレンズ、１３はフォトダイオード、１４はレコー
ダ、１５はＭＢＥチェンバー、１６はメインシャッター
である。このメインシャッター１６は、Ｇａシャッター
４やＡｓシャッター７から充分離れて（＞５０ｍｍ）配
置されているために、メインシャッター１６の開閉時の
ビーム強度の変動（シャッターの過渡応答）はほとんど
無い。（＜１％）。
【００１３】図１において、第１の実施例の結晶成長方
法におけるＲＨＥＥＤ振動測定を説明する。まず、図１
（ａ）に示すように、ＧａＡｓ基板２をヒータ９上に設
置して、Ａｓビーム８を照射しながら、ＧａＡｓ基板２
を昇温加熱する。６３０℃以上加熱すると、表面酸化膜
が蒸発して、清浄表面を有するＧａＡｓ基板２が得られ
る。
法におけるＲＨＥＥＤ振動測定を説明する。まず、図１
（ａ）に示すように、ＧａＡｓ基板２をヒータ９上に設
置して、Ａｓビーム８を照射しながら、ＧａＡｓ基板２
を昇温加熱する。６３０℃以上加熱すると、表面酸化膜
が蒸発して、清浄表面を有するＧａＡｓ基板２が得られ
る。
【００１４】次に図１（ｂ）に示すように、Ｇａシャッ
ター４を開けて、ＧａＡｓの成長を開始する。このとき
に、所定の成長温度にＧａＡｓ基板２の温度を設定す
る。ＧａＡｓの成長を少なくとも３分間以上行うことに
よって、Ｇａシャッター４によるＧａビーム５のビーム
強度変動が収束する。
ター４を開けて、ＧａＡｓの成長を開始する。このとき
に、所定の成長温度にＧａＡｓ基板２の温度を設定す
る。ＧａＡｓの成長を少なくとも３分間以上行うことに
よって、Ｇａシャッター４によるＧａビーム５のビーム
強度変動が収束する。
【００１５】しかる後に、図２（ａ）に示すように、メ
インシャッター１６を閉じて、成長中断を行う。この成
長中断は、通常Ａｓビーム８を照射しながら行うのが普
通であるが、本実施例では、メインシャッターを用いて
成長中断を行うために、Ａｓビーム８も遮断することと
なる。このため、Ａｓ欠乏による表面荒れを防ぐため、
余り長時間（＞３０秒）の成長中断は好ましくない。そ
こで、メインシャッター１６による成長中断は、１０〜
３０秒程度行う。
インシャッター１６を閉じて、成長中断を行う。この成
長中断は、通常Ａｓビーム８を照射しながら行うのが普
通であるが、本実施例では、メインシャッターを用いて
成長中断を行うために、Ａｓビーム８も遮断することと
なる。このため、Ａｓ欠乏による表面荒れを防ぐため、
余り長時間（＞３０秒）の成長中断は好ましくない。そ
こで、メインシャッター１６による成長中断は、１０〜
３０秒程度行う。
【００１６】次に、図２（ｂ）に示すように、メインシ
ャッター１６を開けて、ＧａＡｓの成長を再生する。こ
のときに、メインシャッター１６は、Ｇａシャッター５
やＡｓシャッター７から５０ｍｍ以上離れているため
に、メインシャッター１６を開けたときのＧａビーム４
のビーム強度変動はほとんど無い。そのため、シャッタ
ーの過渡応答の影響を受けること無く、正確にＧａＡｓ
の成長速度をＲＨＥＥＤ振動測定から行うことが出来
る。
ャッター１６を開けて、ＧａＡｓの成長を再生する。こ
のときに、メインシャッター１６は、Ｇａシャッター５
やＡｓシャッター７から５０ｍｍ以上離れているため
に、メインシャッター１６を開けたときのＧａビーム４
のビーム強度変動はほとんど無い。そのため、シャッタ
ーの過渡応答の影響を受けること無く、正確にＧａＡｓ
の成長速度をＲＨＥＥＤ振動測定から行うことが出来
る。
【００１７】図３、図４は、本発明の第２の実施例の結
晶成長方法の工程図である。第２の実施例は、第１の実
施例とほとんど同じであり、途中の工程までは同じであ
るが、Ａｓ用開口部１８を有するメインシャッター１７
を用いる点が異なる。このため、図４（ａ）における、
メインシャッター１７による成長中断では、第１の実施
例のようなＡｓの遮断が起きないため、成長中断を長時
間行っても表面荒れが生じにくく、成長中断による表面
平坦化が促進される。そのため、ＲＨＥＥＤ振動が長時
間にわたって観測され易くなり、ＲＨＥＥＤ振動の周期
測定による成長速度測定精度が向上する。
晶成長方法の工程図である。第２の実施例は、第１の実
施例とほとんど同じであり、途中の工程までは同じであ
るが、Ａｓ用開口部１８を有するメインシャッター１７
を用いる点が異なる。このため、図４（ａ）における、
メインシャッター１７による成長中断では、第１の実施
例のようなＡｓの遮断が起きないため、成長中断を長時
間行っても表面荒れが生じにくく、成長中断による表面
平坦化が促進される。そのため、ＲＨＥＥＤ振動が長時
間にわたって観測され易くなり、ＲＨＥＥＤ振動の周期
測定による成長速度測定精度が向上する。
【００１８】図５は、本発明の第３の実施例の分子線エ
ピタクシー装置の摸式図である。通常、メインシャッタ
ー１７上では、図５に示すように、ビーム同士の重なり
が生じている。従って、Ｇａビーム５のみを遮断するこ
とは、通常の平面たけで構成されたメインシャッター板
では困難である。そこで、図５のメインシャッター１７
では、Ｇａビーム３を遮断するシールド１９とＡｓ用開
口部１８を設けて、Ｇａビーム３は遮断して、Ａｓビー
ム８は通過する構成となっている。このような工夫によ
って、第２の実施例におけるメインシャッター１７によ
る成長中断をＡｓ照射を行いながら実現できる。この実
施例では、Ｇａビーム５との重なりについてのみ検討し
たが、Ａｓビーム８と、例えばＡｌなどのほかのビーム
との重なりもある場合には、シールド１９のほかにさら
にもう１枚のシールドを追加する必要がある。
ピタクシー装置の摸式図である。通常、メインシャッタ
ー１７上では、図５に示すように、ビーム同士の重なり
が生じている。従って、Ｇａビーム５のみを遮断するこ
とは、通常の平面たけで構成されたメインシャッター板
では困難である。そこで、図５のメインシャッター１７
では、Ｇａビーム３を遮断するシールド１９とＡｓ用開
口部１８を設けて、Ｇａビーム３は遮断して、Ａｓビー
ム８は通過する構成となっている。このような工夫によ
って、第２の実施例におけるメインシャッター１７によ
る成長中断をＡｓ照射を行いながら実現できる。この実
施例では、Ｇａビーム５との重なりについてのみ検討し
たが、Ａｓビーム８と、例えばＡｌなどのほかのビーム
との重なりもある場合には、シールド１９のほかにさら
にもう１枚のシールドを追加する必要がある。
【００１９】図６に第４の実施例におけるＭＢＥ結晶装
置の模式図を示す。これは、第３の実施例と同様に、メ
インシャッター１７上でのビームの重なりを排出して、
Ａｓビーム８のみを通過できる工夫をしたメインシャッ
ター１７の構造を示している。ここでは、ブラインド状
のシールド１９と、Ａｓ通過用スリット２０を設置して
Ｇａビーム３を遮断している。この実施例では、多数
の、小さいシールド１９を用いるため、第３の実施例に
比べて、小型に出来る利点がある。このため、ほかのセ
ルシャッターにぶつかるなどの問題が少なく実用的であ
る。
置の模式図を示す。これは、第３の実施例と同様に、メ
インシャッター１７上でのビームの重なりを排出して、
Ａｓビーム８のみを通過できる工夫をしたメインシャッ
ター１７の構造を示している。ここでは、ブラインド状
のシールド１９と、Ａｓ通過用スリット２０を設置して
Ｇａビーム３を遮断している。この実施例では、多数
の、小さいシールド１９を用いるため、第３の実施例に
比べて、小型に出来る利点がある。このため、ほかのセ
ルシャッターにぶつかるなどの問題が少なく実用的であ
る。
【００２０】以上の実施例では、ＧａＡｓの成長速度の
測定を行ったがこれに限らず、ＡｌＧａＡｓやほかの半
導体、ＧａＩｎＰ、ＩｎＰ、ＳｉなどのＭＢＥ成長に
も、本発明は適用可能である。
測定を行ったがこれに限らず、ＡｌＧａＡｓやほかの半
導体、ＧａＩｎＰ、ＩｎＰ、ＳｉなどのＭＢＥ成長に
も、本発明は適用可能である。
【００２１】
【発明の効果】本発明によれば、シャッターの過渡応答
の影響無しにＲＨＥＥＤ振動測定が出来るために成長速
度を精度よく測定できて、絶対膜厚の制御性がよい半導
体の結晶成長が実現できる。
の影響無しにＲＨＥＥＤ振動測定が出来るために成長速
度を精度よく測定できて、絶対膜厚の制御性がよい半導
体の結晶成長が実現できる。
【図１】本発明の第１の実施例の半導体結晶成長方法の
工程図である。
工程図である。
【図２】本発明の第１の実施例の半導体結晶成長方法の
工程図である。
工程図である。
【図３】本発明の第２の実施例の半導体結晶成長方法の
工程図である。
工程図である。
【図４】本発明の第２の実施例の半導体結晶成長方法の
工程図である。
工程図である。
【図５】本発明の第３の実施例の分子線エピタクシー装
置の模式図である。
置の模式図である。
【図６】本発明の第４の実施例の分子線エピタクシー装
置の模式図である。
置の模式図である。
１ 基板ホルダー ２ ＧａＡｓ基板 ３ Ｇａ ４ Ｇａシャッター ５ Ｇａビーム ６ Ａｓ ７ Ａｓシャッター ８ Ａｓビーム ９ ヒータ １０ ＲＨＥＥＤ電子線 １１ 蛍光スクリーン １２ レンズ １３ フォトダイオード １４ レコーダ １５ ＭＢＥチェンバー １６ メインシャッター １７ メインシャッター １８ Ａｓ用開口部 １９ シールド ２０ Ａｓ通過用スリット ２１ メインシャッター軸
Claims (3)
- 【請求項１】 分子線エピタクシー装置を用いる半導体
結晶成長方法において、少なくとも２つ以上の材料ビー
ムを遮断できるメインシャッターを閉めて成長中断する
工程と、この成長中断後に前記メインシャッターを開け
て成長を開始する工程と、この成長開始時の高速電子線
回折強化変化を測定することによって、成長速度を測定
する工程を備えることを特徴とする半導体結晶成長方
法。 - 【請求項２】 分子線エピタクシー装置を用いる半導体
結晶成長方法において、少なくとも２つ以上の材料ビー
ムを遮断でき、かつ５族元素材料ビームが通過できるメ
インシャッターを閉めて成長中断する工程と、この成長
中断後に前記メインシャッターを開けて３−５族半導体
の成長開始する工程と、この成長開始時の高速電子線回
折強度変化を測定することによって、成長速度を測定す
る工程を備えることを特徴とする半導体結晶成長方法。 - 【請求項３】 ３−５族化合物半導体結晶成長に用い
る、分子線エピタクシー装置において、少なくとも２つ
以上の材料ビームを遮断でき、かつ５族ビームが通過で
きるメインシャッターを備えることを特徴とする分子線
エピタクシー装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP13497692A JPH0689860A (ja) | 1992-05-27 | 1992-05-27 | 半導体結晶成長方法および分子線エピタクシー装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP13497692A JPH0689860A (ja) | 1992-05-27 | 1992-05-27 | 半導体結晶成長方法および分子線エピタクシー装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0689860A true JPH0689860A (ja) | 1994-03-29 |
Family
ID=15141012
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP13497692A Withdrawn JPH0689860A (ja) | 1992-05-27 | 1992-05-27 | 半導体結晶成長方法および分子線エピタクシー装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0689860A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5582646A (en) * | 1994-10-21 | 1996-12-10 | J.A. Woollam Co. Inc. | Ellipsometer/polarimeter based process monitor and control system suitable for simultaneous retrofit on molecular beam epitaxy system RHEED/LEED interface system, and method of use |
| CN100388424C (zh) * | 2003-08-25 | 2008-05-14 | 夏普株式会社 | 分子束外延生长设备和控制它的方法 |
-
1992
- 1992-05-27 JP JP13497692A patent/JPH0689860A/ja not_active Withdrawn
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5582646A (en) * | 1994-10-21 | 1996-12-10 | J.A. Woollam Co. Inc. | Ellipsometer/polarimeter based process monitor and control system suitable for simultaneous retrofit on molecular beam epitaxy system RHEED/LEED interface system, and method of use |
| CN100388424C (zh) * | 2003-08-25 | 2008-05-14 | 夏普株式会社 | 分子束外延生长设备和控制它的方法 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US4203799A (en) | Method for monitoring thickness of epitaxial growth layer on substrate | |
| Bachrach et al. | Low temperature crystallization of amorphous silicon using an excimer laser | |
| US5490880A (en) | Compound semiconductors and a method for thin film growth | |
| JP2001516022A (ja) | 薄膜の原位置厚み及び化学量論測定のための装置及び方法 | |
| JPH0689860A (ja) | 半導体結晶成長方法および分子線エピタクシー装置 | |
| JPH04344443A (ja) | シリコン中の炭素および酸素濃度測定方法 | |
| KR950007482B1 (ko) | 기상성장방법 | |
| JPS5948786B2 (ja) | 分子線結晶成長方法 | |
| JPS61220414A (ja) | 分子線発生装置 | |
| US5966626A (en) | Method for stabilizing a silicon structure after ion implantation | |
| JPH04104042A (ja) | シリコン中の酸素濃度測定方法 | |
| JPH023539B2 (ja) | ||
| JPH04324655A (ja) | 薄膜の製造方法 | |
| JPH05178687A (ja) | 半導体結晶成長方法 | |
| JP2705682B2 (ja) | 分子線結晶成長方法 | |
| JPH05182910A (ja) | 分子線エピタキシャル成長方法 | |
| US20040105486A1 (en) | Method and apparatus for detecting contaminants in ion-implanted wafer | |
| JPH04273121A (ja) | 分子線結晶成長法 | |
| JPH0254519A (ja) | 分子線強度の測定方法 | |
| JPS5954234A (ja) | 半導体単結晶の評価方法 | |
| JPS59228713A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JPS6249985B2 (ja) | ||
| JPH05117081A (ja) | 分子線結晶成長装置及び該装置を用いた分子線結晶成長方法 | |
| JPH0144680B2 (ja) | ||
| JPS6214771B2 (ja) |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A300 | Withdrawal of application because of no request for examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A300 Effective date: 19990803 |