JPH0685592A - Manufacture of saw element - Google Patents
Manufacture of saw elementInfo
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- JPH0685592A JPH0685592A JP23798592A JP23798592A JPH0685592A JP H0685592 A JPH0685592 A JP H0685592A JP 23798592 A JP23798592 A JP 23798592A JP 23798592 A JP23798592 A JP 23798592A JP H0685592 A JPH0685592 A JP H0685592A
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- Surface Acoustic Wave Elements And Circuit Networks Thereof (AREA)
Abstract
Description
【0001】[0001]
【産業上の利用分野】本発明は、例えば共振子やフィル
タ等に利用される、弾性表面波素子の製造方法に関す
る。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a method of manufacturing a surface acoustic wave device used in, for example, a resonator or a filter.
【0002】[0002]
【従来の技術】弾性表面波素子は、一般に、圧電性基板
の表面に、インターデジタルトランスジューサ(以下、
IDTと称する)と、このIDTにより励振された弾性
表面波を反射するための反射器を持つ構造を採る。2. Description of the Related Art Generally, a surface acoustic wave device has an interdigital transducer (hereinafter referred to as "interdigital transducer") on a surface of a piezoelectric substrate.
And a reflector for reflecting the surface acoustic wave excited by this IDT.
【0003】IDTおよび反射器は、通常はフォトリソ
グラフィ技術を用いて、同一の金属を基板上にパターニ
ングすることによって得ている。これらの各電極に使用
される金属としては、IDTによる電気信号の弾性表面
波への変換効率を向上させて挿入損失を小さくするため
に、比重の小さい金属であるAlまたはAlを主成分とする
合金が用いられている。IDTs and reflectors are usually obtained by patterning the same metal on a substrate using photolithographic techniques. As a metal used for each of these electrodes, in order to improve the conversion efficiency of the electric signal into the surface acoustic wave by the IDT and reduce the insertion loss, Al or Al which is a metal having a small specific gravity is the main component. Alloys are used.
【0004】ところで、IDTの材質は上述のように軽
い方が好都合であるが、反射器の反射効率は用いる材質
の比重に依存し、Alのように軽い金属を用いた場合には
反射効率が低下してしまい、格子数を多くしないと所望
の反射が得られないという問題がある。By the way, it is convenient for the material of the IDT to be light as described above, but the reflection efficiency of the reflector depends on the specific gravity of the material used, and when a light metal such as Al is used, the reflection efficiency is low. There is a problem that desired reflection cannot be obtained unless the number of gratings is increased.
【0005】このような問題を解決するために、従来、
フォトリソグラフィを用いた電極形成工程を2回繰り返
すことによって、IDTと反射器の材質を相違させ、例
えばIDTをAlで、反射器をAuもしくはAlとAuの2層構
造とすることにより、挿入損失が少なく、しかも反射器
の格子数を少なくして小型化することのできる弾性表面
波素子が提案されている(特開平2−299312
号)。In order to solve such a problem, conventionally,
By repeating the electrode forming process using photolithography twice, the materials of the IDT and the reflector are made different, for example, the IDT is made of Al and the reflector is made of Au or a two-layer structure of Al and Au, so that the insertion loss can be improved. There is proposed a surface acoustic wave device which has a small number of reflectors and which can be miniaturized by reducing the number of gratings of reflectors (Japanese Patent Laid-Open No. 2-2999312).
issue).
【0006】[0006]
【発明が解決しようとする課題】ところが、以上の提案
では、反射器の構造を1層構造または2層構造のいずれ
にしようとも、製膜〜レジスト塗布〜露光〜エッチング
レジスト除去の各工程を2度にわたって行う必要があ
り、工程が複雑化してコストが上昇するばかりでなく、
各回のフォトリソグラフィ工程における位置決め精度の
限界に起因して、各材質のパターニング結果にはサブミ
クロンオーダーのずれが生じてしまうという欠点があ
る。IDTおよび反射器は、いずれも波長に応じて定ま
る数ミクロン程度のピッチで多数の格子を持つ構造を有
しており、このようなずれが生じると素子特性が劣化し
てしまうことになる。However, in the above proposals, regardless of whether the structure of the reflector is a one-layer structure or a two-layer structure, the steps of film formation-resist coating-exposure-etching resist removal are performed in two steps. It has to be done over time, which not only complicates the process and raises the cost,
Due to the limitation of the positioning accuracy in each photolithography process, there is a drawback in that the patterning result of each material may deviate on the order of submicrons. Each of the IDT and the reflector has a structure having a large number of gratings at a pitch of about several microns which is determined according to the wavelength, and if such a deviation occurs, the element characteristics will deteriorate.
【0007】本発明はこのような欠点を解消すべくなさ
れたもので、挿入損失が少なく、かつ、反射器の格子数
が少なく小型化可能な弾性表面波素子を、簡単な工程の
もとに高精度に製造することのできる方法の提供を目的
としている。The present invention has been made in order to eliminate such drawbacks, and provides a surface acoustic wave device which has a small insertion loss and a small number of reflector gratings and which can be miniaturized by a simple process. It is intended to provide a method that can be manufactured with high accuracy.
【0008】[0008]
【課題を解決するための手段】上記の目的を達成するた
め、本発明の弾性表面波素子の製造方法は、圧電性基板
の表面に、1回のフォトリソグラフィ工程によりAlまた
はその合金からなるIDTおよび反射器を同時に形成し
た後、反射器の表面に、Alまたはその合金よりも比重の
大きい金属をメッキすることによって特徴づけられる。In order to achieve the above object, a method of manufacturing a surface acoustic wave device according to the present invention is an IDT made of Al or an alloy thereof on a surface of a piezoelectric substrate by a single photolithography process. And the reflector is formed at the same time, and then the surface of the reflector is characterized by plating a metal having a specific gravity larger than that of Al or its alloy.
【0009】[0009]
【作用】IDTがAlまたはその合金により形成され、反
射器は同じくAlまたはその合金をベースとしてその上方
にそれよりも比重の大きい、例えばAu等の金属からなる
メッキ層が形成された構造となる。The function is such that the IDT is formed of Al or its alloy, and the reflector is also based on Al or its alloy, and a plating layer made of a metal such as Au having a larger specific gravity is formed above the reflector. .
【0010】フォトリソグラフィ工程により形成された
Alまたはその合金製の反射器に対して選択的に電界また
は無電界メッキを施すと、メッキ層はベースとなるAlま
たはその合金の表面に対してずれることなく確実に形成
されることになり、所期の目的を達成できる。Formed by photolithography process
When the electric field or electroless plating is selectively applied to the reflector made of Al or its alloy, the plating layer is surely formed without being displaced with respect to the surface of the base Al or its alloy, The desired purpose can be achieved.
【0011】[0011]
【実施例】図1ないし図2は本発明実施例の手順の模式
的説明図である。まず、圧電性基板1の表面にAl薄膜2
を厚さ3000Åで製膜し、その表面にフォトレジスト
3を塗布する。この状態を図1に断面図で示す。1 to 2 are schematic explanatory views of the procedure of an embodiment of the present invention. First, the Al thin film 2 is formed on the surface of the piezoelectric substrate 1.
Is formed into a film having a thickness of 3000 Å, and the photoresist 3 is applied to the surface thereof. This state is shown in a sectional view in FIG.
【0012】次に、IDTおよび反射器のパターンがと
もに描かれたマスクを用いてフォトレジスト3を露光し
た後に現像し、これをマスクとしてAl薄膜2をエッチン
グすることにより、図2(A)に断面端面図、(B)に
平面図で示すように、Al製のIDTパターン4とその両
側の共振器パターン5,6を得る。なお、図(A)は図
(B)におけるA−A線に沿う断面端面図である。Next, the photoresist 3 is exposed using a mask on which both the IDT and reflector patterns are drawn, and then developed, and the Al thin film 2 is etched by using this as a mask, and as shown in FIG. As shown in a cross-sectional end view and a plan view in (B), an IDT pattern 4 made of Al and resonator patterns 5 and 6 on both sides thereof are obtained. Note that FIG. (A) is a sectional end view taken along the line AA in FIG.
【0013】その後、IDTパターン4の有機レジスト
等によってマスクするとともに、反射器パターン5およ
び6の表面を、適当な表面処理によって活性化した状態
で、例えば厚さ1000ÅでAuの無電界メッキを施す。
これにより、図2(A)と同一の部分での断面端面図を
図3に示すように、反射器パターン5および6の表面に
のみ、Auメッキ層5aおよび6aが形成される。After that, while masking the IDT pattern 4 with an organic resist or the like, the surfaces of the reflector patterns 5 and 6 are activated by appropriate surface treatment, and electroless plating of Au, for example, with a thickness of 1000 Å is performed. .
As a result, Au plating layers 5a and 6a are formed only on the surfaces of the reflector patterns 5 and 6, as shown in FIG. 3 which is a sectional end view of the same portion as FIG.
【0014】以上の本発明実施例において、各反射器パ
ターン5,6とAuメッキ層5a,6aの幅方向のずれは
数百Å以内に収まることが確認された。また、各反射器
パターン5,6の格子幅寸法を3μm、ピッチを6μm
として、それぞれ200本の格子数のものを製造して特
性を調査したところ、各反射器パターン5,6の表面に
Auメッキ層5a,6aを施さない状態で、それぞれの格
子数を300本とした比較例と同等の反射が行われるこ
とが確認され、挿入損失をはじめとする他の素子特性に
ついても、比較例に対して劣るものは無かった。その結
果、挿入損失を小さく維持しつつ、各反射器の格子数が
減少した分だけ、この例においては素子の全長を1.2
mm程度短くすることができた。In the above-described embodiments of the present invention, it was confirmed that the widthwise displacement between the reflector patterns 5 and 6 and the Au plating layers 5a and 6a is within several hundred Å. Also, the grating width of each reflector pattern 5 and 6 is 3 μm, and the pitch is 6 μm.
As a result, when the number of grids of 200 was manufactured and the characteristics were investigated, it was confirmed that
It was confirmed that the same reflection as that of the comparative example in which the number of grids of each was 300 was performed without the Au plating layers 5a and 6a, and other element characteristics such as insertion loss were also compared. There was nothing inferior to. As a result, while keeping the insertion loss small, the total number of elements in this example is 1.2 because the number of gratings in each reflector is reduced.
It could be shortened by about mm.
【0015】なお、Auメッキ層5aおよび6aは、上記
した例のように無電界メッキによって形成するほか、電
界メッキによっても形成することができる。この場合、
各反射器パターンを陰極として用いることにより、ID
Tパターンには特にマスクを施す必要がない。ここで、
電界メッキを採用する場合には、ダイシング前の圧電性
基板の表面に複数個の素子を形成するに当たり、各反射
器に接続形成される電極パッド等を利用して、各素子の
反射器が相互に接続されたパターンとしておくことで、
効率的にメッキを施すことが可能となる。The Au plating layers 5a and 6a can be formed by electroless plating as well as electroless plating as in the above example. in this case,
By using each reflector pattern as a cathode,
It is not necessary to mask the T pattern. here,
When electroplating is used, when forming multiple elements on the surface of the piezoelectric substrate before dicing, the reflectors of each element must be connected to each other by using the electrode pads connected to each reflector. By setting it as a pattern connected to
It becomes possible to perform plating efficiently.
【0016】また、フォトリソグラフィにより形成する
IDTおよび反射器パターンの材質はAlのほか、Alを主
成分とする合金であってもよく、また、反射器パターン
の表面に施すメッキ層の材質としても、Auのほか、Cu、
Ag、Pt等を採用することができる。The material of the IDT and the reflector pattern formed by photolithography may be Al or an alloy containing Al as a main component, and may be the material of the plating layer applied to the surface of the reflector pattern. , Au, Cu,
Ag, Pt, etc. can be adopted.
【0017】[0017]
【発明の効果】以上説明したように、本発明によれば、
1回のフォトリソグラフィ工程とメッキ工程によって、
挿入損失が小さく、かつ、反射器の格子数が少ない小型
の弾性表面波素子が得られることになり、2回のフォト
リソグラフィ工程を施す場合に比して、工程が簡素化さ
れて製造コストの低減を達成することができるばかりで
なく、反射器の層間の平面上での位置精度も2回のフォ
トリソグラフィ工程を施す場合に比して向上し、他の素
子特性を劣化させる恐れもない。As described above, according to the present invention,
By one photolithography process and plating process,
A small surface acoustic wave element with a small insertion loss and a small number of reflector gratings can be obtained, which simplifies the process and reduces the manufacturing cost compared with the case where two photolithography processes are performed. Not only can the reduction be achieved, but the positional accuracy of the reflector on the plane between the layers is improved as compared with the case where two photolithography processes are performed, and there is no fear of degrading other device characteristics.
【図1】本発明実施例の手順を説明するための模式的断
面図FIG. 1 is a schematic sectional view for explaining a procedure of an embodiment of the present invention.
【図2】本発明実施例の手順を説明するための模式的断
面端面図(A)およびその平面図(B)FIG. 2 is a schematic sectional end view (A) and a plan view thereof (B) for explaining the procedure of the embodiment of the present invention.
【図3】本発明実施例の手順を説明するための模式的断
面端面図FIG. 3 is a schematic sectional end view for explaining the procedure of the embodiment of the present invention.
1 圧電性基板 2 Al薄膜 3 フォトレジスト 4 Al製IDTパターン 5,6 Al製反射器パターン 5a,6a Auメッキ層 1 Piezoelectric Substrate 2 Al Thin Film 3 Photoresist 4 Al IDT Pattern 5, 6 Al Reflector Pattern 5a, 6a Au Plating Layer
Claims (1)
グラフィー工程によりアルミニウムまたはその合金から
なるインターデジタルトランスジューサおよび反射器を
同時に形成した後、上記反射器の表面に、アルミニウム
まはたその合金よりも比重の大きい金属をメッキするこ
とを特徴とする弾性表面波素子の製造方法。1. An interdigital transducer and a reflector made of aluminum or an alloy thereof are simultaneously formed on the surface of a piezoelectric substrate by a single photolithography process, and then aluminum or an alloy thereof is formed on the surface of the reflector. A method of manufacturing a surface acoustic wave device, which comprises plating a metal having a larger specific gravity than that of the surface acoustic wave device.
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP23798592A JPH0685592A (en) | 1992-09-07 | 1992-09-07 | Manufacture of saw element |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP23798592A JPH0685592A (en) | 1992-09-07 | 1992-09-07 | Manufacture of saw element |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH0685592A true JPH0685592A (en) | 1994-03-25 |
Family
ID=17023412
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP23798592A Pending JPH0685592A (en) | 1992-09-07 | 1992-09-07 | Manufacture of saw element |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH0685592A (en) |
-
1992
- 1992-09-07 JP JP23798592A patent/JPH0685592A/en active Pending
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