JPH0681152A - プラズマ処理装置 - Google Patents
プラズマ処理装置Info
- Publication number
- JPH0681152A JPH0681152A JP3081637A JP8163791A JPH0681152A JP H0681152 A JPH0681152 A JP H0681152A JP 3081637 A JP3081637 A JP 3081637A JP 8163791 A JP8163791 A JP 8163791A JP H0681152 A JPH0681152 A JP H0681152A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- magnetic field
- plasma
- magnets
- sample
- treating device
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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- Plasma Technology (AREA)
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- ing And Chemical Polishing (AREA)
- Drying Of Semiconductors (AREA)
Abstract
(57)【要約】 （修正有）
【目的】プラズマ密度を均一にして、試料の成膜やエッ
チング処理を良好にするプラズマ処理装置を提供する。 【構成】真空槽内に導入されたガスを電界と磁界とによ
りプラズマ化し、発生したプラズマによって試料を処理
するプラズマ処理装置において、前記磁界を発生させる
複数の磁石５，６を、その隣同士の磁極の極性が相異な
るように配置し、前記磁界の垂直磁場の０ガウスになる
領域を１本のループになるようにした。
チング処理を良好にするプラズマ処理装置を提供する。 【構成】真空槽内に導入されたガスを電界と磁界とによ
りプラズマ化し、発生したプラズマによって試料を処理
するプラズマ処理装置において、前記磁界を発生させる
複数の磁石５，６を、その隣同士の磁極の極性が相異な
るように配置し、前記磁界の垂直磁場の０ガウスになる
領域を１本のループになるようにした。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】この発明は真空槽内に導入された
ガスを電界と磁界とによりプラズマ化し、発生したプラ
ズマによって試料を処理するプラズマ処理装置に関する
ものである。
ガスを電界と磁界とによりプラズマ化し、発生したプラ
ズマによって試料を処理するプラズマ処理装置に関する
ものである。
【０００２】
【従来の技術】従来のプラズマ処理装置は真空槽内に導
入されたガスを電界と磁界とによりプラズマ化し、発生
したプラズマによって試料を処理するものであるが、こ
のプラズマ処理装置に用いられる磁石の配置は図７およ
び図８に示されている。これらの図において、四角形の
ヨーク１の周縁部には周縁部磁石２が立設され、その平
面は四角形をなしている。四角形をなす周縁部磁石２の
対向する２辺の間には仕切磁石３がヨーク１に立設する
ように設けられ、その仕切磁石３によって周縁部磁石２
の四角形が２等分されている。２等分された四角形の各
中央には中央部磁石４がヨーク１に立設するように設け
られている。なお、周縁部磁石２と仕切磁石３の先端部
の磁極はＮ極で、中央部磁石４の先端部の磁極はＳ極で
ある。
入されたガスを電界と磁界とによりプラズマ化し、発生
したプラズマによって試料を処理するものであるが、こ
のプラズマ処理装置に用いられる磁石の配置は図７およ
び図８に示されている。これらの図において、四角形の
ヨーク１の周縁部には周縁部磁石２が立設され、その平
面は四角形をなしている。四角形をなす周縁部磁石２の
対向する２辺の間には仕切磁石３がヨーク１に立設する
ように設けられ、その仕切磁石３によって周縁部磁石２
の四角形が２等分されている。２等分された四角形の各
中央には中央部磁石４がヨーク１に立設するように設け
られている。なお、周縁部磁石２と仕切磁石３の先端部
の磁極はＮ極で、中央部磁石４の先端部の磁極はＳ極で
ある。
【０００３】従来のプラズマ処理装置に用いられる磁石
の配置においては、周縁部磁石２と仕切磁石３の先端部
の磁極Ｎ極と、中央部磁石４の先端部の磁極Ｓ極との間
で湾曲した磁界が形成される。この湾曲した磁界により
高密度のプラズマが形成され、この高密度のプラズマに
よって、例えば、周縁部磁石２、仕切磁石３および中央
部磁石４を背後に配設したターゲット（図示せず）がエ
ロージョンされ、試料に成膜処理される。
の配置においては、周縁部磁石２と仕切磁石３の先端部
の磁極Ｎ極と、中央部磁石４の先端部の磁極Ｓ極との間
で湾曲した磁界が形成される。この湾曲した磁界により
高密度のプラズマが形成され、この高密度のプラズマに
よって、例えば、周縁部磁石２、仕切磁石３および中央
部磁石４を背後に配設したターゲット（図示せず）がエ
ロージョンされ、試料に成膜処理される。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】従来のプラズマ処理装
置は、上記のように湾曲した磁界により高密度のプラズ
マを形成することによって、ターゲット（図示せず）を
エロージョンして、試料を成膜処理するようにしている
が、湾曲した磁界の密度が均一でないため、プラズマ密
度が不均一になり、試料の成膜処理にむらが生じる等の
問題があった。
置は、上記のように湾曲した磁界により高密度のプラズ
マを形成することによって、ターゲット（図示せず）を
エロージョンして、試料を成膜処理するようにしている
が、湾曲した磁界の密度が均一でないため、プラズマ密
度が不均一になり、試料の成膜処理にむらが生じる等の
問題があった。
【０００５】この発明の目的は、従来の上記問題を解決
して、プラズマ密度を均一にして、試料の成膜やエッチ
ング処理を良好にするプラズマ処理装置を提供すること
にある。
して、プラズマ密度を均一にして、試料の成膜やエッチ
ング処理を良好にするプラズマ処理装置を提供すること
にある。
【０００６】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に、この発明は、真空槽内に導入されたガスを電界と磁
界とによりプラズマ化し、発生したプラズマによって試
料を処理するプラズマ処理装置において、前記磁界を発
生させる複数の磁石を、その隣同士の磁極の極性が相異
なるように配置し、前記磁界の垂直磁場の０ガウスにな
る領域を１本のループになるようにしたことを特徴とす
るものである。
に、この発明は、真空槽内に導入されたガスを電界と磁
界とによりプラズマ化し、発生したプラズマによって試
料を処理するプラズマ処理装置において、前記磁界を発
生させる複数の磁石を、その隣同士の磁極の極性が相異
なるように配置し、前記磁界の垂直磁場の０ガウスにな
る領域を１本のループになるようにしたことを特徴とす
るものである。
【０００７】
【作用】この発明において、磁界を発生させる複数の磁
石を、その隣同士の磁極の極性が相異なるように配置
し、前記磁界の垂直磁場の０ガウスになる領域を１本の
ループになるようにしているので、磁界によって形成さ
れるプラズマ密度が均一になり、試料の成膜やエッチン
グ処理を良好になる。
石を、その隣同士の磁極の極性が相異なるように配置
し、前記磁界の垂直磁場の０ガウスになる領域を１本の
ループになるようにしているので、磁界によって形成さ
れるプラズマ密度が均一になり、試料の成膜やエッチン
グ処理を良好になる。
【０００８】
【実施例】以下、この発明の実施例について図面を参照
しながら説明する。この発明の第１実施例のプラズマ処
理装置に用いられる磁石の配置は図１および図２に示さ
れており、これらの図において、四角形のヨーク１に
は、先端部の磁極がＮ極になった１つの磁石５と、先端
部の磁極がＳ極になった磁石６とが間隔をおいて立設さ
れ、磁石５の一部と磁石６とが配置され、これらの磁石
５、６間において磁界が形成される。しかしながら、形
成される磁界の垂直磁場において０ガウスになる領域は
１本のループになっている。
しながら説明する。この発明の第１実施例のプラズマ処
理装置に用いられる磁石の配置は図１および図２に示さ
れており、これらの図において、四角形のヨーク１に
は、先端部の磁極がＮ極になった１つの磁石５と、先端
部の磁極がＳ極になった磁石６とが間隔をおいて立設さ
れ、磁石５の一部と磁石６とが配置され、これらの磁石
５、６間において磁界が形成される。しかしながら、形
成される磁界の垂直磁場において０ガウスになる領域は
１本のループになっている。
【０００９】したがって、上記第１実施例においては、
磁石５、６間において形成される磁界により高密度のプ
ラズマが形成されるが、形成される磁界の垂直磁場の０
ガウスになる領域は１本のループになっているため、プ
ラズマ密度が均一になり、例えば、磁石５、６を背後に
配設したターゲット（図示せず）のエロージョンが均一
になって、試料の成膜処理が良好になった。なお、試料
をエッチング処理する場合も良好になった。
磁石５、６間において形成される磁界により高密度のプ
ラズマが形成されるが、形成される磁界の垂直磁場の０
ガウスになる領域は１本のループになっているため、プ
ラズマ密度が均一になり、例えば、磁石５、６を背後に
配設したターゲット（図示せず）のエロージョンが均一
になって、試料の成膜処理が良好になった。なお、試料
をエッチング処理する場合も良好になった。
【００１０】ところで、図３はこの発明の第２実施例に
おける磁石７、８を配置した平面図である。図４はこの
発明の第３実施例において形成される磁界の垂直磁場の
０ガウスになる領域９を示す説明図であり、図５はこの
発明の第４実施例において形成される磁界の垂直磁場の
０ガウスになる領域９を示す説明図であり、図６はこの
発明の第５実施例において形成される磁界の垂直磁場の
０ガウスになる領域９を示す説明図である。
おける磁石７、８を配置した平面図である。図４はこの
発明の第３実施例において形成される磁界の垂直磁場の
０ガウスになる領域９を示す説明図であり、図５はこの
発明の第４実施例において形成される磁界の垂直磁場の
０ガウスになる領域９を示す説明図であり、図６はこの
発明の第５実施例において形成される磁界の垂直磁場の
０ガウスになる領域９を示す説明図である。
【００１１】
【発明の効果】この発明は、磁界を発生させる複数の磁
石を、その隣同士の磁極の極性が相異なるように配置
し、前記磁界の垂直磁場の０ガウスになる領域を１本の
ループになるようにしているので、磁界によって形成さ
れるプラズマ密度が均一になり、試料の成膜やエッチン
グ処理を良好になる。
石を、その隣同士の磁極の極性が相異なるように配置
し、前記磁界の垂直磁場の０ガウスになる領域を１本の
ループになるようにしているので、磁界によって形成さ
れるプラズマ密度が均一になり、試料の成膜やエッチン
グ処理を良好になる。
【図面の簡単な説明】
【図１】この発明の第１実施例のプラズマ処理装置に用
いられる磁石の配置を示す平面図
いられる磁石の配置を示す平面図
【図２】この発明の第１実施例のプラズマ処理装置に用
いられる磁石の配置を示す断面図
いられる磁石の配置を示す断面図
【図３】この発明の第２実施例のプラズマ処理装置に用
いられる磁石の配置を示す平面図
いられる磁石の配置を示す平面図
【図４】この発明の第３実施例において形成される磁界
の垂直磁場の０ガウスになる領域を示す説明図
の垂直磁場の０ガウスになる領域を示す説明図
【図５】この発明の第４実施例において形成される磁界
の垂直磁場の０ガウスになる領域を示す説明図
の垂直磁場の０ガウスになる領域を示す説明図
【図６】この発明の第５実施例において形成される磁界
の垂直磁場の０ガウスになる領域を示す説明図
の垂直磁場の０ガウスになる領域を示す説明図
【図７】従来のプラズマ処理装置に用いられる磁石の配
置を示す平面図
置を示す平面図
【図８】従来のプラズマ処理装置に用いられる磁石の配
置を示す断面図
置を示す断面図
１・・・・・・ヨーク ５・・・・・・磁石 ６・・・・・・磁石 ７・・・・・・磁石 ８・・・・・・磁石 ９・・・・・・磁界の垂直磁場の０ガウスになる領域
Claims (1)
- 【請求項１】真空槽内に導入されたガスを電界と磁界と
によりプラズマ化し、発生したプラズマによって試料を
処理するプラズマ処理装置において、前記磁界を発生さ
せる複数の磁石を、その隣同士の磁極の極性が相異なる
ように配置し、前記磁界の垂直磁場の０ガウスになる領
域を１本のループになるようにしたことを特徴とするプ
ラズマ処理装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3081637A JPH0681152A (ja) | 1991-03-20 | 1991-03-20 | プラズマ処理装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3081637A JPH0681152A (ja) | 1991-03-20 | 1991-03-20 | プラズマ処理装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0681152A true JPH0681152A (ja) | 1994-03-22 |
Family
ID=13751854
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3081637A Pending JPH0681152A (ja) | 1991-03-20 | 1991-03-20 | プラズマ処理装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0681152A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN1329957C (zh) * | 2001-08-06 | 2007-08-01 | 安内华股份有限公司 | 表面处理装置 |
| CN113133175A (zh) * | 2019-12-31 | 2021-07-16 | 中微半导体设备(上海)股份有限公司 | 等离子体电感线圈结构、等离子体处理设备以及处理方法 |
-
1991
- 1991-03-20 JP JP3081637A patent/JPH0681152A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN1329957C (zh) * | 2001-08-06 | 2007-08-01 | 安内华股份有限公司 | 表面处理装置 |
| CN113133175A (zh) * | 2019-12-31 | 2021-07-16 | 中微半导体设备(上海)股份有限公司 | 等离子体电感线圈结构、等离子体处理设备以及处理方法 |
| CN113133175B (zh) * | 2019-12-31 | 2024-02-09 | 中微半导体设备(上海)股份有限公司 | 等离子体电感线圈结构、等离子体处理设备以及处理方法 |
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