JPH0677460A - Radiation detector - Google Patents
Radiation detectorInfo
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- JPH0677460A JPH0677460A JP4230058A JP23005892A JPH0677460A JP H0677460 A JPH0677460 A JP H0677460A JP 4230058 A JP4230058 A JP 4230058A JP 23005892 A JP23005892 A JP 23005892A JP H0677460 A JPH0677460 A JP H0677460A
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Abstract
Description
【０００１】[0001]
【産業上の利用分野】本発明はフレーム転送（ＦＴ）型
ＣＣＤ、または、フル・フレーム転送（ＦＦＴ）型ＣＣ
Ｄを備え、光電変換部の表面より入射したＸ線等の高エ
ネルギー粒子線を検出する放射線検出器に関する。BACKGROUND OF THE INVENTION The present invention relates to a frame transfer (FT) type CCD or a full frame transfer (FFT) type CC.
The present invention relates to a radiation detector that includes D and that detects high-energy particle beams such as X-rays that are incident from the surface of the photoelectric conversion unit.
【０００２】[0002]
【従来の技術】従来においては、ＣＣＤのシフトレジス
タを形成するためのＭＯＳの転送電極としては光透過性
を有する多結晶シリコン（ポリシリコン）が用いられ
る。また、従来のＣＣＤは、可視光線を検出するもので
あり、高エネルギー粒子の検出用としては製造されてい
ない。2. Description of the Related Art Conventionally, polycrystalline silicon (polysilicon) having optical transparency is used as a MOS transfer electrode for forming a CCD shift register. Further, the conventional CCD detects visible light and is not manufactured for detecting high-energy particles.
【０００３】可視光線を検出の対象としている装置で構
造が似ているものとしては、ＣＣＤの転送電極の低抵抗
化によりクロックパルスの波形歪みによる転送効率の低
下、転送電荷量の減少を改善するために、インタライン
転送（ＩＴ）型ＣＣＤの転送電極を金属（例えば、Ｍ
ｏ，Ａｌ，Ｗ）、または、金属シリサイドを中間層とし
て有する多結晶シリコン層から構成されたものがある。
この技術の詳細は、特開昭６３−４６７６３に記載され
ている。As a device having a similar structure in a device for detecting visible light, the transfer electrode of the CCD has a low resistance to improve transfer efficiency and transfer charge due to clock pulse waveform distortion. For this purpose, the transfer electrode of the interline transfer (IT) CCD is made of metal (for example, M
o, Al, W) or a polycrystalline silicon layer having metal silicide as an intermediate layer.
Details of this technique are described in JP-A-63-46763.
【０００４】[0004]
【発明が解決しようとする課題】垂直シフトレジスタの
多結晶シリコンは数ｍｍから数ｃｍになるため、金属に
比べて比抵抗（Ωｃｍ）の大きな寄生抵抗となる。図５
は垂直レジスタの多結晶シリコンの配線の等価回路を示
している。ＦＩＴ（フレームインタライン転送）、ＦＴ
あるいはＦＦＴのように垂直シフトレジスタを高速転送
する場合、あるいは高速転送させたい場合、この多結晶
シリコンの配線抵抗により動作速度が制限される。Since the polycrystalline silicon of the vertical shift register has a size of several mm to several cm, it becomes a parasitic resistance having a larger specific resistance (Ωcm) than metal. Figure 5
Shows an equivalent circuit of a wiring of polycrystalline silicon of a vertical register. FIT (frame interline transfer), FT
Alternatively, when the vertical shift register is transferred at high speed like FFT, or when high speed transfer is desired, the operation speed is limited by the wiring resistance of the polycrystalline silicon.
【０００５】具体的には、外から加えるクロックが配線
の長さに応じて鈍ってしまい、場所によって波形の立上
がりに違いが生じ、結果としてＣＣＤの転送効率（ポテ
ンシャルウェル間の電荷転送の割合）が劣化する。波形
の鈍る原因は抵抗だけでなく容量との組み合わせで決ま
るが、容量はＣＣＤの転送できる電荷量を決めるためむ
やみに小さくすることはできない。Specifically, the clock applied from the outside becomes dull depending on the length of the wiring, the rise of the waveform varies depending on the location, and as a result, the transfer efficiency of the CCD (ratio of charge transfer between potential wells). Deteriorates. The cause of the blunted waveform is determined not only by the resistance but also by the combination with the capacitance, but the capacitance cannot be reduced unnecessarily because it determines the amount of charge that can be transferred by the CCD.
【０００６】また、特開昭６３−４６７６３には、可視
光線の検出を目的としたＦＴ型ＣＣＤの電荷蓄積部の転
送電極に金属、または、金属シリサイドを用いることも
付随して記載されているが、本発明はＸ線等の高エネル
ギー粒子線の検出を目的とし、電荷蓄積部だけではな
く、光電変換部に金属、または、金属シリサイドを用い
るものである。Further, Japanese Patent Laid-Open No. 63-46763 additionally describes that metal or metal silicide is used for the transfer electrode of the charge storage portion of the FT CCD for the purpose of detecting visible light. However, the present invention aims to detect high-energy particle beams such as X-rays, and uses a metal or a metal silicide not only in the charge storage portion but also in the photoelectric conversion portion.
【０００７】本発明は以上の問題に鑑み、Ｘ線等の高エ
ネルギー粒子線を検出するための高速動作可能なＦＴ型
ＣＣＤ、または、ＦＦＴ型ＣＣＤによる放射線検出器を
提供することを目的とする。In view of the above problems, it is an object of the present invention to provide a FT-type CCD capable of high-speed operation for detecting high-energy particle beams such as X-rays, or a radiation detector using an FFT-type CCD. .
【０００８】[0008]
【課題を解決するための手段】以上の問題を解決するた
め、本発明はフレーム転送（ＦＴ）型、または、フル・
フレーム転送（ＦＦＴ）型のいずれか一方のＣＣＤを備
えた放射線検出器であって、ＣＣＤの光電変換部の転送
電極の形成材料として、金属、または、金属シリサイド
が使用され、光電変換部の表面より入射した高エネルギ
ー粒子線を検出することを特徴とする。In order to solve the above problems, the present invention provides a frame transfer (FT) type or full-frame type.
A radiation detector equipped with either one of a frame transfer (FFT) type CCD, wherein metal or metal silicide is used as a material for forming a transfer electrode of a photoelectric conversion part of the CCD, and a surface of the photoelectric conversion part. It is characterized by detecting a high-energy particle beam that is more incident.
【０００９】この転送電極は、多結晶シリコンに金属
を、または、多結晶シリコンに金属シリサイドを裏打ち
した構造により形成されても良く、さらに、多結晶シリ
コンと金属、または、多結晶シリコンと金属シリサイド
の多層構造により形成されることを特徴としても良い。The transfer electrode may be formed by a structure in which polycrystalline silicon is lined with a metal, or polycrystalline silicon is lined with a metal silicide. Further, the polycrystalline silicon and the metal, or the polycrystalline silicon and the metal silicide are used. It may be characterized in that it is formed by a multilayer structure of
【００１０】[0010]
【作用】本発明により、転送電極として、電気的に低抵
抗な金属あるいは金属シリサイドを直接使用したり、多
結晶シリコンの上に金属あるいは金属シリサイドを２層
構造として重ね合わせたり、これらを多層構造とするこ
とにより、従来存在した寄生抵抗を数十分の一から数百
分の一に低減させることができる。According to the present invention, an electrically low-resistance metal or metal silicide is directly used as a transfer electrode, or a metal or metal silicide is superposed on polycrystalline silicon in a two-layer structure, or a multi-layer structure thereof is formed. By so doing, it is possible to reduce the conventionally existing parasitic resistance from several tenths to several hundreds.
【００１１】また、金属、または、金属シリサイドを使
用することで光電変換部が可視光線に対しては不透過と
なるが、Ｘ線等の高エネルギー粒子線は透過し、検出す
ることができる。Further, the use of metal or metal silicide renders the photoelectric conversion part opaque to visible light, but allows high-energy particle beams such as X-rays to be transmitted and detected.
【００１２】[0012]
【実施例】図１に本発明の第１の実施例であるＦＴ型Ｃ
ＣＤの放射線検出器の概略構成図を示す。DETAILED DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS FIG. 1 shows an FT type C which is a first embodiment of the present invention.
The schematic block diagram of the radiation detector of CD is shown.
【００１３】このＦＴ型ＣＣＤは光電変換部１、蓄積部
２、出力部３からなる。光電変換部１の斜線で塗った部
分１１は単位画素を示しており、単位画素当たり平行に
４つ並んで配設された電極によって垂直シフトレジスタ
が形成されている。この垂直シフトレジスタが光電変換
部１と蓄積部２とを構成する。電極は電極の長手方向と
平行に多数本配設され、この長手方向と垂直シフトレジ
スタの構成方向とは直交する関係にある。各電極には４
相の電圧（Ｐ１〜Ｐ４）が加えられ、垂直シフトレジス
タを制御する。出力部３は水平シフトレジスタとアンプ
部３１により構成されている。光電変換部１の表面部に
は、多結晶シリコンと金属シリサイドの２層構造を有す
る電極が配設され、光電変換部１は、この電極を透過し
たＸ線を検出する。This FT type CCD comprises a photoelectric conversion unit 1, a storage unit 2 and an output unit 3. A shaded portion 11 of the photoelectric conversion unit 1 indicates a unit pixel, and a vertical shift register is formed by four electrodes arranged in parallel per unit pixel. This vertical shift register constitutes the photoelectric conversion unit 1 and the storage unit 2. A large number of electrodes are arranged in parallel with the longitudinal direction of the electrodes, and the longitudinal direction and the configuration direction of the vertical shift register are orthogonal to each other. 4 for each electrode
Phase voltages (P1-P4) are applied to control the vertical shift register. The output section 3 is composed of a horizontal shift register and an amplifier section 31. An electrode having a two-layer structure of polycrystalline silicon and metal silicide is arranged on the surface portion of the photoelectric conversion unit 1, and the photoelectric conversion unit 1 detects the X-ray transmitted through this electrode.
【００１４】本発明の電極に用いられる金属としては、
Ｔｉ、Ｗ、Ｍｏ、Ｔａ等が使用され、また、金属シリサ
イドとしては、ＴｉＳｉ2 、ＷＳｉ2 、ＭｏＳｉ2 、Ｔ
ａＳｉ2 、ＮｂＳｉ2 等が使用される。The metal used in the electrode of the present invention includes
Ti, W, Mo, Ta, etc. are used, and as the metal silicide, TiSi 2 , WSi 2 , MoSi 2 , T is used.
aSi 2 , NbSi 2 or the like is used.
【００１５】図３に本発明の実施例における光電変換部
の電極構造を示す。従来の光電変換部の電極としては、
一般的には多結晶シリコン等の透明電極が使用されてい
たが、上述の実施例においては多結晶シリコンに金属シ
リサイド（または金属）を裏打ちした構造を有する電極
が用いられている。すなわち、ｐｎ接合を有する半導体
基板５の上に酸化膜６を介して、多結晶シリコン７が形
成されている。さらに、この多結晶シリコン７の上に、
金属シリサイド８が裏打ちされ低抵抗化をはかってい
る。多結晶シリコン７は半導体基板５（酸化膜６）との
整合性および加工性を高めるため、また、金属シリサイ
ド８の金属原子の半導体層への拡散を防止するために形
成されている。FIG. 3 shows an electrode structure of the photoelectric conversion section in the embodiment of the present invention. As the electrode of the conventional photoelectric conversion unit,
Generally, a transparent electrode made of polycrystalline silicon or the like is used, but in the above-described embodiments, an electrode having a structure in which polycrystalline silicon is lined with metal silicide (or metal) is used. That is, polycrystalline silicon 7 is formed on semiconductor substrate 5 having a pn junction with oxide film 6 interposed. Furthermore, on this polycrystalline silicon 7,
The metal silicide 8 is lined to reduce the resistance. The polycrystalline silicon 7 is formed in order to improve conformity with the semiconductor substrate 5 (oxide film 6) and workability, and to prevent diffusion of metal atoms of the metal silicide 8 into the semiconductor layer.
【００１６】図４（ａ）に、第１および第２実施例にお
ける光電変換部１の１画素分を表面より見た図を示す。
１画素当たり平行に４つ並んで配設された電極１０〜１
５によって垂直シフトレジスタが形成されている。各電
極１０〜１５は紙面左右方向に平行に、すなわち、電極
１０〜１５の長手方向と平行に多数本配設され、隣接す
る電極１０〜１５は絶縁膜９により電気的に絶縁されて
形成されている。この長手方向と垂直シフトレジスタの
構成方向とは直交する関係にある。FIG. 4A shows a view of one pixel of the photoelectric conversion section 1 in the first and second embodiments as seen from the surface.
Four electrodes 10 to 1 arranged in parallel per pixel
A vertical shift register is formed by 5. A large number of electrodes 10 to 15 are arranged parallel to the left-right direction of the paper, that is, parallel to the longitudinal direction of the electrodes 10 to 15, and adjacent electrodes 10 to 15 are electrically insulated by the insulating film 9. ing. The longitudinal direction and the configuration direction of the vertical shift register are orthogonal to each other.
【００１７】各電極１０〜１５には４相の電圧（Ｐ１〜
Ｐ４）が加えられており、半導体中の電位レベルを変え
ることにより垂直シフトレジスタを制御している。これ
らの電圧を制御することで半導体中にポテンシャルウェ
ルを形成し、また、このポテンシャルウェルに集められ
た電荷を転送する。電荷は本実施例においてはＰ１から
Ｐ４の方向、すなわち、紙面の上から下へ転送される。
また、紙面左右方向に隣接する画素とは、半導体中を垂
直方向にアイソレーション領域が設けられることにより
区分されている。Four-phase voltages (P1 to P1) are applied to the electrodes 10 to 15, respectively.
P4) is added to control the vertical shift register by changing the potential level in the semiconductor. By controlling these voltages, a potential well is formed in the semiconductor and the charge collected in this potential well is transferred. In this embodiment, the charges are transferred from P1 to P4, that is, from the top to the bottom of the paper.
Further, the pixels adjacent to each other in the left-right direction on the paper surface are separated from each other by providing an isolation region in the semiconductor in the vertical direction.
【００１８】図４（ｂ）に、図４（ａ）のＡＡ´におけ
る断面図を示す。なお、この図ではより見やすくするた
めに、図４（ａ）とは異なった縮尺により示されてい
る。互いに重なり合った電極１０〜１５は酸化膜９で電
気的に絶縁されており、このように光電変換部１の表面
全体は電極１０〜１５により覆われている。この図にお
いて、電荷は紙面の左から右へ転送される。なお、Ｘ線
は表面より、すなわち、紙面の上側より入射する。FIG. 4B is a sectional view taken along line AA 'of FIG. In addition, in order to make it easier to see in this figure, the scale is different from that of FIG. The electrodes 10 to 15 overlapping each other are electrically insulated by the oxide film 9, and thus the entire surface of the photoelectric conversion unit 1 is covered by the electrodes 10 to 15. In this figure, the charge is transferred from left to right on the page. The X-rays are incident from the surface, that is, the upper side of the paper surface.
【００１９】以下、検出の原理を説明する。電極を透過
してＣＣＤの半導体中にＸ線が入射すると、光電変換が
行われ信号電荷が発生する。この信号電荷は一定時間、
ある電極の下のポテンシャルウェルに集められる。これ
ら、一定時間およびポテンシャルウェルを形成する位置
は、各電極に加えられる４相の電圧（Ｐ１〜Ｐ４）によ
って決められる。そして、この信号電荷は垂直帰線期間
を利用して、フレームごとに蓄積部に高速に転送され
る。このように、ＦＴ型ＣＣＤでは光電変換部１の垂直
シフトレジスタは信号蓄積期間は光電変換デバイスとし
て機能し、また、垂直帰線期間は電荷転送デバイスとし
て機能する。The principle of detection will be described below. When X-rays enter the semiconductor of the CCD through the electrodes, photoelectric conversion is performed and signal charges are generated. This signal charge is
Collected in a potential well under an electrode. The positions for forming the potential wells for a certain period of time are determined by the four-phase voltages (P1 to P4) applied to the electrodes. Then, this signal charge is transferred to the storage unit at high speed for each frame by utilizing the vertical blanking period. As described above, in the FT CCD, the vertical shift register of the photoelectric conversion unit 1 functions as a photoelectric conversion device during the signal storage period, and functions as a charge transfer device during the vertical retrace period.
【００２０】蓄積部２では、水平帰線期間、すなわち、
光電変換部１で光電変換と信号電荷の蓄積が行われてい
る間に、出力部３の水平シフトレジスタに１ライン（紙
面横方向１列）毎に電荷が転送される。さらに、転送さ
れた電荷はアンプ３１を介して外部に出力される。な
お、ＦＴ型ＣＣＤでは光電変換部以外の部分は、Ｘ線が
入射しないように鉛もしくは鉛含有物質等で被われてい
る。In the storage unit 2, the horizontal blanking period, that is,
While the photoelectric conversion unit 1 is performing photoelectric conversion and the accumulation of signal charges, the charges are transferred to the horizontal shift register of the output unit 3 for each line (one row in the lateral direction of the drawing). Further, the transferred charges are output to the outside via the amplifier 31. In the FT-type CCD, parts other than the photoelectric conversion part are covered with lead or a lead-containing substance so that X-rays do not enter.
【００２１】ここで、図６に電荷の転送の概略原理図を
示し、この図を用いて電荷転送の原理を簡単に説明す
る。説明を容易にするためにＣＣＤは３相クロック型と
し、（ａ）には構造、（ｂ）には各電極に加える電圧で
ある駆動クロック波形、（ｃ）には電極に加えられる電
圧によるポテンシャル形状の時間的変化をそれぞれ示
し、動作原理を説明する。φ1 〜φ3 の電圧が加えられ
る３種類の電極が半導体基板上の薄い酸化膜の上に近接
して形成されており、例えば、時刻ｔ0 ではφ1で駆動
される電極直下にはポテンシャルウェルが形成され、こ
こに電荷を蓄積することができる。次に時刻ｔ1 からｔ
2 にかけて、電荷はφ2 で駆動される電極下に転送され
る。このようにして順次電荷が転送される。FIG. 6 shows a schematic principle diagram of charge transfer, and the principle of charge transfer will be briefly described with reference to this figure. For ease of explanation, the CCD is a three-phase clock type, (a) is the structure, (b) is the drive clock waveform that is the voltage applied to each electrode, and (c) is the potential due to the voltage applied to the electrodes. The operation principle will be explained by showing changes in shape with time. Three types of electrodes to which a voltage of φ 1 to φ 3 is applied are formed close to each other on a thin oxide film on a semiconductor substrate. For example, at time t 0 , a potential is provided immediately below the electrode driven by φ 1. A well is formed in which a charge can be stored. Then from time t 1 to t
Over 2 , the charge is transferred below the electrode driven by φ 2 . In this way, charges are sequentially transferred.
【００２２】また、第２の実施例として、ＦＦＴ型ＣＣ
Ｄの放射線検出器の概略構成図を図２に示す。ＦＦＴ型
ＣＣＤは光電変換部１、出力部３からなり、基本的には
ＦＴ型ＣＣＤの蓄積部が無い構成のＣＣＤであり、他の
部分は上記実施例と同様である。また、蓄積部がないた
め、通常は何らかの外部シャッター機構と併用して使用
される。As a second embodiment, an FFT type CC
A schematic configuration diagram of the D radiation detector is shown in FIG. The FFT CCD is a CCD having a photoelectric conversion unit 1 and an output unit 3, and basically has no FT CCD storage unit. The other parts are the same as those in the above-described embodiment. Further, since there is no storage unit, it is usually used in combination with some external shutter mechanism.
【００２３】動作原理もＦＴ型ＣＣＤとほとんど同じで
あり、信号蓄積期間では受光部のポテンシャルウェルに
電荷を集め、その電荷をシャッター等の閉期間に水平シ
フトレジスタに転送する。さらに、転送された電荷はア
ンプ３１を介して外部に出力される。蓄積部がないた
め、同一サイズで多画素にでき、またその受光部サイズ
を大きくできる。The principle of operation is almost the same as that of the FT type CCD. In the signal accumulating period, electric charges are collected in the potential well of the light receiving portion, and the electric charges are transferred to the horizontal shift register in a closing period such as a shutter. Further, the transferred charges are output to the outside via the amplifier 31. Since there is no storage unit, the same size can be used for multiple pixels, and the size of the light receiving unit can be increased.
【００２４】本発明は上述した実施例に限らず、様々な
変形が可能である。電極の構造も図３とは異なり、直接
金属電極または金属シリサイド電極にする構造や、金属
シリサイド（または金属）を多結晶シリコンで挟み込む
構造、さらに、金属シリサイド（または金属）と多結晶
シリコンとを何層か重ね合わせた構造等も考えられる。
図３では、１個の電極のみ示しているが、実際のＣＣＤ
では２相、３相、４相等により電極の構成方法が変わ
る。The present invention is not limited to the above-mentioned embodiment, but various modifications can be made. The electrode structure is also different from that shown in FIG. 3, and the structure is a direct metal electrode or a metal silicide electrode, a structure in which a metal silicide (or a metal) is sandwiched by polycrystalline silicon, and a metal silicide (or a metal) and a polycrystalline silicon. A structure in which several layers are stacked may be considered.
In FIG. 3, only one electrode is shown, but the actual CCD
Then, the method of forming the electrodes varies depending on the two-phase, three-phase, four-phase, and the like.
【００２５】[0025]
【発明の効果】以上の通り、本発明によれば、転送電極
として、電気的に低抵抗な金属あるいは金属シリサイド
を直接使用したり、多結晶シリコンの上に金属あるいは
金属シリサイドを２層構造として重ね合わせたり、これ
らを多層構造とすることにより、従来存在した寄生抵抗
を数十分の一から数百分の一に低減させることができ
る。よって、従来の技術では、大きな配線抵抗のため垂
直シフトレジスタの転送速度が制限されていたが、本発
明により、垂直シフトレジスタにおける電荷の高速転送
を可能とした。As described above, according to the present invention, an electrically low-resistance metal or metal silicide is directly used as a transfer electrode, or a metal or metal silicide has a two-layer structure on polycrystalline silicon. By stacking them or forming them into a multi-layered structure, it is possible to reduce the conventionally existing parasitic resistance from several tenths to several hundredths. Therefore, in the conventional technique, the transfer speed of the vertical shift register is limited due to a large wiring resistance, but the present invention enables high-speed transfer of charges in the vertical shift register.
【００２６】金属、または、金属シリサイドを使用する
ことで、Ｘ線等の高エネルギー粒子線を検出することが
できる。このため、Ｘ線等の高エネルギー粒子線を検出
するための高速動作可能なＦＴ型ＣＣＤ、または、ＦＦ
Ｔ型ＣＣＤによる放射線検出器を提供することができ
る。High energy particle beams such as X-rays can be detected by using metal or metal silicide. Therefore, a high-speed FT-type CCD or FF for detecting high-energy particle beams such as X-rays
A radiation detector using a T-type CCD can be provided.
【図１】本発明の実施例のＦＴ型ＣＣＤの概略図であ
る。FIG. 1 is a schematic diagram of an FT CCD according to an embodiment of the present invention.
【図２】本発明の実施例のＦＦＴ型ＣＣＤの概略図であ
る。FIG. 2 is a schematic diagram of an FFT type CCD according to an embodiment of the present invention.
【図３】電極の構造を示す断面図である。FIG. 3 is a cross-sectional view showing a structure of an electrode.
【図４】１画素分の電極の配設を示す上面図および断面
図である。4A and 4B are a top view and a cross-sectional view showing an arrangement of electrodes for one pixel.
【図５】従来技術における問題点を説明する図である。FIG. 5 is a diagram illustrating a problem in the conventional technique.
【図６】ＣＣＤの電荷転送を説明する概略図である。FIG. 6 is a schematic diagram illustrating charge transfer of a CCD.
１…光電変換部、１１…光電変換部の単位画素、２…蓄
積部、３…出力部、３１…アンプ、５…半導体基板、５
１…ｐ層、５２…ｎ層、６…酸化膜、７…多結晶シリコ
ン、８…金属シリサイド（金属）、９…電極絶縁用の酸
化膜、１０〜１５…電極。DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 ... Photoelectric conversion part, 11 ... Unit pixel of a photoelectric conversion part, 2 ... Storage part, 3 ... Output part, 31 ... Amplifier, 5 ... Semiconductor substrate, 5
DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 ... P layer, 52 ... N layer, 6 ... Oxide film, 7 ... Polycrystalline silicon, 8 ... Metal silicide (metal), 9 ... Oxide film for electrode insulation, 10-15 ... Electrodes.
Claims (3)
ム転送型のいずれか一方のＣＣＤを備えた放射線検出器
であって、 前記ＣＣＤの光電変換部の転送電極の形成材料として、
金属、または、金属シリサイドが使用され、 前記光電変換部の表面より入射した高エネルギー粒子線
を検出することを特徴とする放射線検出器。1. A radiation detector comprising a CCD of either a frame transfer type or a full frame transfer type, wherein as a material for forming a transfer electrode of a photoelectric conversion part of the CCD,
A radiation detector characterized in that a metal or a metal silicide is used and a high energy particle beam incident from the surface of the photoelectric conversion part is detected.
を、または、多結晶シリコンに金属シリサイドを裏打ち
した構造により形成されることを特徴とする請求項１記
載の放射線検出器。2. The radiation detector according to claim 1, wherein the transfer electrode is formed of a structure in which polycrystalline silicon is lined with a metal, or polycrystalline silicon is lined with a metal silicide.
属、または、多結晶シリコンと金属シリサイドの多層構
造により形成されることを特徴とする請求項１記載の放
射線検出器。3. The radiation detector according to claim 1, wherein the transfer electrode is formed of a multi-layer structure of polycrystalline silicon and metal, or polycrystalline silicon and metal silicide.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP23005892A JP3203060B2 (en) | 1992-08-28 | 1992-08-28 | Radiation detector |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP23005892A JP3203060B2 (en) | 1992-08-28 | 1992-08-28 | Radiation detector |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0677460A true JPH0677460A (en) | 1994-03-18 |
| JP3203060B2 JP3203060B2 (en) | 2001-08-27 |
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ID=16901899
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
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| JP23005892A Expired - Fee Related JP3203060B2 (en) | 1992-08-28 | 1992-08-28 | Radiation detector |
Country Status (1)
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|---|---|
| JP (1) | JP3203060B2 (en) |
Cited By (2)
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| US7193252B2 (en) | 2002-05-27 | 2007-03-20 | Hamamatsu Photonics K.K. | Solid-state imaging device and solid-state imaging device array |
| JP2009021610A (en) * | 2008-07-31 | 2009-01-29 | Fujifilm Corp | Solid-state image pickup apparatus |
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1992
- 1992-08-28 JP JP23005892A patent/JP3203060B2/en not_active Expired - Fee Related
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7193252B2 (en) | 2002-05-27 | 2007-03-20 | Hamamatsu Photonics K.K. | Solid-state imaging device and solid-state imaging device array |
| JP2009021610A (en) * | 2008-07-31 | 2009-01-29 | Fujifilm Corp | Solid-state image pickup apparatus |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP3203060B2 (en) | 2001-08-27 |
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