JPH067682B2 - Integrated circuit - Google Patents

Integrated circuit

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JPH067682B2
JPH067682B2 JP23587688A JP23587688A JPH067682B2 JP H067682 B2 JPH067682 B2 JP H067682B2 JP 23587688 A JP23587688 A JP 23587688A JP 23587688 A JP23587688 A JP 23587688A JP H067682 B2 JPH067682 B2 JP H067682B2
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信和 細矢
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Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は、PN接合で形成された半導体集積回路に関す
る。
TECHNICAL FIELD The present invention relates to a semiconductor integrated circuit formed of a PN junction.

〔従来の技術〕[Conventional technology]

従来、PN接合で形成されるバイポーラ型の半導体集積
回路においては、コンデンサが容易に放電するため、カ
ラーテレビジヨン受像機のACC回路(自動クロマ制御
回路)等をこの種半導体集積回路で形成する際は、例え
ば特公昭57−14072号公報(H04N 9/46)に記載され
ているように、ピークホールドコンデンサが外付けされ
る。
Conventionally, in a bipolar type semiconductor integrated circuit formed by a PN junction, a capacitor is easily discharged. Therefore, when an ACC circuit (automatic chroma control circuit) of a color television receiver is formed by this type of semiconductor integrated circuit. For example, as described in Japanese Patent Publication No. S57-14072 (H04N 9/46), a peak hold capacitor is externally attached.

また、この種半導体集積回路で低周波又は広帯域の増幅
器を形成する際は、結合コンデンサを用いたレベルシフ
トが行えないため、直流結合型に形成される。
Further, when a low-frequency or wide-band amplifier is formed by this kind of semiconductor integrated circuit, the level shift using a coupling capacitor cannot be performed, so that it is formed as a DC coupling type.

〔発明が解決しようとする課題〕[Problems to be Solved by the Invention]

前記従来の半導体集積回路においては、前述したように
ピークホールドコンデンサを外付けしなければならず、
ACC回路等の製造が容易に行えない問題点がある。
In the conventional semiconductor integrated circuit, as described above, the peak hold capacitor must be externally attached,
There is a problem that the ACC circuit and the like cannot be easily manufactured.

また、低周波又は広帯域の増幅器を直流結合型に形成し
なければならないため、回路設計等が容易に行えない問
題点がある。
Further, since a low-frequency or wide-band amplifier has to be formed as a DC coupling type, there is a problem that circuit design and the like cannot be easily performed.

本発明は、PN接合によつて形成したピークホールド用
のコンデンサの放電を防止し、ピークホールドコンデン
サ,結合コンデンサを内蔵するようにした集積回路を提
供することを目的とする。
It is an object of the present invention to provide an integrated circuit in which a peak hold capacitor formed by a PN junction is prevented from discharging and a peak hold capacitor and a coupling capacitor are built in.

〔課題を解決するための手段〕[Means for Solving the Problems]

前記目的を達成するために、本発明の集積回路において
は、トランジスタ構成のピークホールド部にPN接合で
形成して設けられ、前記ピークホールド部の入力信号に
よつて間欠的に充電され非充電期間に前記ピークホール
ド部のPN接合を介したほぼ一定の電流で放電する主コ
ンデンサと、PN接合によつて前記主コンデンサとほぼ
同一に形成された副コンデンサを有し、該副コンデンサ
を前記主コンデンサの非充電期間とほぼ同一の回路状態
に保持するトランジスタ構成の放電模擬部と、 前記副コンデンサの電位の基準電位からの放電低下に追
従して前記主,副コンデンサに定電圧制御用のほぼ同一
の主,副補償電流それぞれを注入するトランジスタ構成
の定電圧回路部と を備えるという技術的手段を講じている。
In order to achieve the above-mentioned object, in the integrated circuit of the present invention, a peak hold portion of a transistor structure is provided by forming a PN junction, and is intermittently charged by an input signal of the peak hold portion and is in a non-charge period. Has a main capacitor that discharges at a substantially constant current through the PN junction of the peak hold section, and a sub-capacitor formed by the PN junction in substantially the same manner as the main capacitor. Of the transistor structure, which holds the circuit state almost the same as the non-charging period, and the constant voltage control of the main capacitor and the sub capacitor for the constant voltage control following the discharge decrease of the potential of the sub capacitor from the reference potential. The technical means is provided by including a constant voltage circuit section of a transistor configuration that injects each of the main and sub compensation currents.

〔作 用〕[Work]

前記のように構成された本発明の集積回路は、PN接合
によつて形成されたピークホールド部の主コンデンサの
放電低下を、放電模擬部の副コンデンサの放電低下から
検出し、副コンデンサの放電低下に追従した定電圧回路
部の主,副補償電流を主,副コンデンサそれぞれに注入
し、主コンデンサの非充電期間の放電を防止し、主コン
デンサを充電された電位に保持する。
The integrated circuit of the present invention configured as described above detects the discharge decrease of the main capacitor of the peak hold part formed by the PN junction from the discharge decrease of the sub capacitor of the discharge simulation part, and discharges the sub capacitor. The main and sub-compensation currents of the constant voltage circuit that follow the drop are injected into the main and sub-capacitors respectively to prevent discharge during the non-charging period of the main capacitor and hold the main capacitor at the charged potential.

そのため、主コンデンサをピークホールドコンデンサ,
結合コンデンサとし、入力信号のピークホールド,レベ
ルシフトを内蔵のコンデンサで行える。
Therefore, the main capacitor is the peak hold capacitor,
As a coupling capacitor, the input signal peak hold and level shift can be performed with the built-in capacitor.

〔実施例〕〔Example〕

実施例について第1図ないし第3図を参照して以下に説
明する。
An embodiment will be described below with reference to FIGS. 1 to 3.

(1実施例) まず、1実施例について第1図及び第2図を参照して説
明する。
First Embodiment First, one embodiment will be described with reference to FIGS. 1 and 2.

第1図は主コンデンサをカラーテレビジヨン受像機のA
CC回路のピークホールドコンデンサに用いた場合を示
し、同図において、(1)は電圧Vccの電源端子、(2)は復
調カラーバースト信号の入力端子、(3),(4)はバースト
期間にハイレベル,ローレベルそれぞれに反転する相互
に逆位相の1対のバーストゲートパルスの入力端子であ
る。
Fig. 1 shows the main condenser A of a color television receiver.
The figure shows the case where it is used for the peak hold capacitor of the CC circuit. In the figure, (1) is the power supply terminal of the voltage Vcc, (2) is the input terminal of the demodulation color burst signal, and (3) and (4) are the burst period. It is an input terminal for a pair of burst gate pulses having opposite phases, which are inverted to high level and low level.

(Q1)はベースが抵抗(R1)を介して入力端子(2)に接続さ
れたNPN型の入力用のトランイズタ、(Q2),(Q3)はベ
ースが入力端子(3),(4)それぞれに接続された差動対構
成のNPN型の1対のトランジスタ、(Q4)はトランジス
タ(Q2),(Q3)のエミツタと抵抗(R2)との間に設けられた
NPN型の定電流源用のトランジスタである。
(Q1) is an NPN type input transistor whose base is connected to the input terminal (2) through a resistor (R1), and (Q2) and (Q3) are base input terminals (3) and (4) respectively. A pair of NPN type transistors of differential pair configuration connected to each other, (Q4) for NPN type constant current source provided between the emitters of the transistors (Q2) and (Q3) and the resistor (R2) Is a transistor.

(Q5),(Q6)はトランジスタ(Q1)のエミツタとACC増幅
器(5)の入力端子との間に直結2段接続されたNPN型
の入力バッフア用のトランジスタ、(Q7)はトランジスタ
(Q6)のエミツタと抵抗(R3)との間に設けられたNPN型
の定電流源用のトランジスタである。
(Q5) and (Q6) are transistors for NPN type input buffer directly connected between the emitter of the transistor (Q1) and the input terminal of the ACC amplifier (5), and (Q7) is a transistor.
It is a transistor for NPN type constant current source provided between the emitter (Q6) and the resistor (R3).

(C1)はPN接合で形成された小容量(数10PF程度)の
主コンデンサであり、一端がトランジスタ(Q1)のエミツ
タ及びトランジスタ(Q5)のベースに接続され、他端がア
ースされている。(6)はトランジスタ(Q1)〜(Q7)及び主
コンデンサ(C1)が形成するACC検波用のピークホール
ド部である。
(C1) is a small-capacity (several tens of PF) main capacitor formed of a PN junction, one end of which is connected to the emitter of the transistor (Q1) and the base of the transistor (Q5), and the other end of which is grounded. (6) is a peak hold unit for ACC detection formed by the transistors (Q1) to (Q7) and the main capacitor (C1).

(Q8),…,(Q14)はトランジスタ(Q1)〜(Q7)それぞれと
ほぼ同一のNPN型の7個のトランジスタであり、トラ
ンジスタ(Q8)〜(Q10)のベース回路、トランジスタ(Q13)
のコレクタ回路を除き、トランジスタ(Q1)〜(Q7)とほぼ
同一の回路構成に接続されている。
(Q8), ..., (Q14) are seven NPN-type transistors, which are almost the same as the transistors (Q1) to (Q7) respectively. The base circuits of the transistors (Q8) to (Q10) and the transistor (Q13)
Except for the collector circuit of, the transistors (Q1) to (Q7) are connected in almost the same circuit configuration.

(E1)は抵抗(R4)を介してトランジスタ(Q8)のベースに接
続されたバイアス電源、(E2),(E3),(E4)は直列接続さ
れた3個のバイアス電源であり、電源(E2)の電圧がトラ
ンジスタ(Q4),(Q7),(Q11),(Q14)のベースに印加さ
れ、電源(E2),(E3)の直列バイアス電圧がトランジスタ
(Q9)のベースに印加され、電源(E2)〜(E4)の直列バイア
ス電圧がトランジスタ(Q10)のベースに印加されてい
る。(R5),(R6)はトランジスタ(Q11),(Q14)のエミツタ
それぞれに接続された2個の抵抗である。
(E1) is a bias power supply connected to the base of the transistor (Q8) via a resistor (R4), and (E2), (E3), and (E4) are three bias power supplies connected in series. The voltage of E2) is applied to the bases of transistors (Q4), (Q7), (Q11), and (Q14), and the series bias voltage of power supplies (E2) and (E3) is applied to the transistors.
A series bias voltage of the power supplies (E2) to (E4) is applied to the base of (Q9) and is applied to the base of the transistor (Q10). (R5) and (R6) are two resistors connected to the emitters of the transistors (Q11) and (Q14), respectively.

(C2)は主コンデンサ(C1)とほぼ同一面積,同一形状のP
N接合で形成された副コンデンサ、(Q15)はトラジスタ
(Q13)と差動対を構成するNPN型のトランジスタ、(Q1
6)はトランジスタ(Q15)のベースにバイアス電圧を印加
するNPN型のトランジスタであり、電圧Vccを抵抗(R
7),(R8)で分圧した基準電圧がベースに印加されてい
る。(7)はトランジスタ(Q8)〜(Q16)及び副コンデンサ(C
2)が形成する放電模擬部である。
(C2) has the same area and shape as the main capacitor (C1)
Sub capacitor formed by N junction, (Q15) is a transistor
An NPN transistor that forms a differential pair with (Q13), (Q1
6) is an NPN type transistor which applies a bias voltage to the base of the transistor (Q15), and which is a resistor (R
The reference voltage divided in 7) and (R8) is applied to the base. (7) is the transistor (Q8) to (Q16) and the sub capacitor (C
It is a discharge simulation part formed by 2).

(Q17),(Q18),(Q19)はカレントミラー回路を構成する
PNP型の3個のトランジスタであり、トランジスタ(Q
13)のコレクタ電流にしたがつてトランジスタ(Q19)のコ
レクタ電流が変化する。(Q20),(Q21),(Q22),(Q23)及
び(R9)はカレントミラー回路を構成するPNP型の4個
のトランジスタ及び抵抗であり、トランジスタ(Q15)の
コレクタ電流にしたがつてトランジスタ(Q22),(Q23)の
コレクタ電流が変化する。
(Q17), (Q18), and (Q19) are three PNP-type transistors forming a current mirror circuit.
According to the collector current of 13), the collector current of the transistor (Q19) changes. (Q20), (Q21), (Q22), (Q23) and (R9) are four PNP-type transistors and resistors that form a current mirror circuit, and are transistors according to the collector current of the transistor (Q15). The collector currents of (Q22) and (Q23) change.

(Q24),(Q25),(Q26),(Q27)及び(R10)はカレントミラ
ー回路を構成するNPN型の4個のトランジスタ及び抵
抗であり、トランジスタ(Q19)のコレクタ電流の減少に
したがつてトランジスタ(Q22),(Q23)のコレクタに接続
されたトランジスタ(Q26),(Q27)のコレクタ電流が同量
減少する。(8)はトランジスタ(Q17)〜(Q27),抵抗(R
9),(R10)が形成する定電圧回路部である。
(Q24), (Q25), (Q26), (Q27), and (R10) are four NPN-type transistors and resistors that form a current mirror circuit, and reduce the collector current of the transistor (Q19). Then, the collector currents of the transistors (Q26) and (Q27) connected to the collectors of the transistors (Q22) and (Q23) decrease by the same amount. (8) is a transistor (Q17) to (Q27) and a resistor (R
9), a constant voltage circuit formed by (R10).

なお、各トランジスタ(Q1)〜(Q27),各抵抗(R1)〜(R1
0)、両コンデンサ(C1),(C2)は増幅部(5)などとともに
半導体集積回路の各PN接合によつて形成されている。
In addition, each transistor (Q1) to (Q27), each resistor (R1) to (R1
0) and both capacitors (C1) and (C2) are formed by each PN junction of the semiconductor integrated circuit together with the amplifier (5) and the like.

また、コンデンサ(C1),(C2)に注入される主,副補償電
流ID,ID′を同一にするため、トランジスタ(Q2
2),(Q23)がほぼ同一面積,同一形状に形成され、トラ
ンジスタ(Q26),(Q27)がほぼ同一面積,同一形状に形成
されている。
Further, in order to make the main and sub compensation currents ID and ID 'injected into the capacitors (C1) and (C2) the same, the transistor (Q2
2) and (Q23) are formed in substantially the same area and shape, and the transistors (Q26) and (Q27) are formed in substantially the same area and shape.

そして、入力端子(3),(4)のバーストゲートパルスにも
とづき、バースト期間毎に、トランジスタ(Q2),(Q3)が
オン,オフそれぞれに反転し、入力端子(2)の復調カラ
ーバースト信号がトランジスタ(Q1)を介してトランジス
タ(Q5)のベース及びコンデンサ(C1)に流れ、コンデンサ
(C1)が充電される。
Then, based on the burst gate pulse at the input terminals (3) and (4), the transistors (Q2) and (Q3) are turned on and off at each burst period, and the demodulated color burst signal at the input terminal (2) is inverted. Flows through the transistor (Q1) to the base of the transistor (Q5) and the capacitor (C1),
(C1) is charged.

このとき、コレクタ接地のトランジスタ(Q5),(Q6)の直
結回路により、トランジスタ(Q1)のエミツタからみたト
ランジスタ(Q6)のベース入力インピーダンスが高く、コ
ンデンサ(C1)がほぼ完全に復調バースト信号をピークホ
ールドする。
At this time, the base input impedance of the transistor (Q6) seen from the emitter of the transistor (Q1) is high due to the direct connection circuit of the transistors (Q5) and (Q6) with the collector grounded, and the capacitor (C1) almost completely demodulates the burst signal. Hold the peak.

また、バースト期間を除く期間には、トランジスタ(Q
2),(Q3)がオフ,オンそれぞれに反転してトランジスタ
(Q1)がオフし、コンデンサ(C1)のホールド電圧がトラン
ジスタ(Q5),(Q6)を介して増幅部(5)に印加される。
During the period excluding the burst period, the transistor (Q
2) and (Q3) are turned off and on respectively
(Q1) is turned off, and the hold voltage of the capacitor (C1) is applied to the amplification unit (5) via the transistors (Q5) and (Q6).

このとき、コンデンサ(C1)の充電電荷がトランジスタ(Q
2),(Q5)のベースへの放電電流IA,IB及びコンデン
サ(C1)を通流する放電電流ICとして放電し、模擬部
(7),定電圧回路部(8)がなければ、コンデンサ(C1)の電
位が放電低下してピークホールドが行えなくなる。
At this time, the charge stored in the capacitor (C1) is
2), discharge current IA, IB to the base of (Q5) and discharge as discharge current IC flowing through the capacitor (C1), and simulate section
(7) Without the constant voltage circuit section (8), the electric potential of the capacitor (C1) drops and the peak hold cannot be performed.

そして、放電電流IA,ICは、それぞれPN接合の電
流特性を示す第2図の降伏点電圧VS以下のほぼ一定の
逆方向飽和電流ISになる。
Then, the discharge currents IA and IC become substantially constant reverse saturation currents IS equal to or lower than the breakdown point voltage VS of FIG. 2 showing the current characteristics of the PN junction.

また、トランジスタ(7)のコレクタ電流IKが定電流保
持され、トランジスタ(Q6)のエミツタから増幅部(5)に
流れる電流ILがIL《IKに設定されているため、放
電電流IBは、ほぼ一定の順方向電流になる。
Further, since the collector current IK of the transistor (7) is held constant and the current IL flowing from the emitter of the transistor (Q6) to the amplifier (5) is set to IL << IK, the discharge current IB is almost constant. Forward current.

したがつて、コンデンサ(C1)の放電電流(=IA+IB
+IC)は、電圧に依存しないほぼ一定の電流になる。
Therefore, the discharge current of capacitor (C1) (= IA + IB
+ IC) becomes a substantially constant current independent of voltage.

一方、トランジスタ(Q8)〜(Q10)のベースバイアス電圧
の設定にもとづき、トランジスタ(Q8),(Q9)がオフ,ト
ランジスタ(Q10)がオンに保持され、トランジスタ(Q8)
〜(Q14)により、コンデンサ(C2)が放電期間のコンデン
サ(C1)とほぼ同一の回路状態に保持され、放電電流I
A,IB,ICそれぞれとほぼ同一の放電電流IA′,
IB′,IC′でコンデンサ(C2)が放電する。
On the other hand, based on the setting of the base bias voltage of the transistors (Q8) to (Q10), the transistors (Q8) and (Q9) are kept off, the transistor (Q10) is kept on, and the transistor (Q8)
~ (Q14) keeps the capacitor (C2) in almost the same circuit state as the capacitor (C1) during the discharging period, and discharge current I
A, IB, and IC have almost the same discharge current IA ',
The capacitor (C2) is discharged by IB 'and IC'.

また、抵抗(R7),(R8)で分割設定した一定の基準電圧が
トランジスタ(Q16)のベースに印加され、トランジスタ
(Q14)のコレクタ電流がトランジスタ(Q7)のコレクタ電
流IKの2倍の2IKになる。
Also, a constant reference voltage divided and set by resistors (R7) and (R8) is applied to the base of the transistor (Q16),
The collector current of (Q14) becomes 2IK which is twice the collector current IK of the transistor (Q7).

そして、トランジスタ(Q12)のベース電圧の前記基準電
圧から増,減にしたがつてトランジスタ(Q13)のコレク
タ電流が変化し、トランジスタ(Q16)のコレクタ電流が
その逆に変化する。
Then, as the base voltage of the transistor (Q12) is increased or decreased from the reference voltage, the collector current of the transistor (Q13) changes and the collector current of the transistor (Q16) changes vice versa.

さらに、トランジスタ(Q13)のコレクタ電流にしたがつ
てトランジスタ(Q19)のコレクタ電流が変化し、トラン
ジスタ(Q24)のコレクタ電流,トランジスタ(Q25)のベー
ス電流が調整される。
Further, the collector current of the transistor (Q19) changes according to the collector current of the transistor (Q13), and the collector current of the transistor (Q24) and the base current of the transistor (Q25) are adjusted.

そして、トランジスタ(Q25)のベース電流にしたがつて
トランジスタ(Q24),(Q26),(Q27)のベース電流が変化
し、トランジスタ(Q12)のベース電圧の増,減の逆に、
コンデンサ(C1),(C2)の充放電調整用のトラジスタ(Q2
7),(Q26)のコレクタ電流が変化する。
Then, according to the base current of the transistor (Q25), the base currents of the transistors (Q24), (Q26), (Q27) change, and the base voltage of the transistor (Q12) increases and decreases.
Transistor (Q2) for charge / discharge adjustment of capacitors (C1) and (C2)
7), (Q26) collector current changes.

また、トランジスタ(Q15)のコレクタ電流にしたがつて
トランジスタ(Q22),(Q23)のコレクタ電流それぞれが変
化する。
In addition, the collector currents of the transistors (Q22) and (Q23) change according to the collector current of the transistor (Q15).

そのため、トランジスタ(Q23),(Q22)のコレクタ電流に
もとづく主、副補償電流ID,ID′により、トランジ
スタ(Q13)のベース電圧が前記基準電圧になるように、
主,副コンデンサ(C1),(C2)それぞれが充電されて定電
圧制御される。
Therefore, the base voltage of the transistor (Q13) becomes the reference voltage by the main and sub compensation currents ID and ID 'based on the collector currents of the transistors (Q23) and (Q22).
The main and sub capacitors (C1) and (C2) are charged to control the constant voltage.

このとき、補償電流ID′はコンデンサ(C2)の放電電流
(=IA′+IB′+IC′)に等しくなる。
At this time, the compensation current ID 'becomes equal to the discharge current (= IA' + IB '+ IC') of the capacitor (C2).

また、放電電流IA′,IB′,IC′が、放電電流I
A,IB,ICそれぞれとほぼ同一の電圧に依存しない
電流になるため、前記基準電圧をどのように設定して
も、つぎの式が成立する。
Further, the discharge currents IA ', IB' and IC 'are the discharge currents I
Since the currents are substantially the same as those of A, IB, and IC and do not depend on the voltage, the following formula is established no matter how the reference voltage is set.

IA+IB+IC=IA′+IB′+IC′ さらに、トランジスタ(Q22)と(Q23),トランジスタ(Q2
6)と(Q27)がそれそれほぼ同一面積,同一形状に形成さ
れているため、補償電流IDは補償電流ID′とほぼ同
一になる。
IA + IB + IC = IA '+ IB' + IC 'Further, transistors (Q22) and (Q23), a transistor (Q2
Since 6) and (Q27) are formed to have substantially the same area and the same shape, the compensation current ID becomes substantially the same as the compensation current ID '.

そして、補償電流IDの充電にもとづき、コンデンサ(C
1)の放電が相殺されて防止され、みかけ上、トランジス
タ(Q5)の入力インピーダンスが無限大となり、コンデン
サ(C1)によつて復調カラーバースト信号がピークホール
ドされ、コンデンサ(C1)がピークホールドコンデンサと
して動作する。
Then, based on the charging of the compensation current ID, the capacitor (C
The discharge of 1) is canceled and prevented, and apparently the input impedance of the transistor (Q5) becomes infinite, the demodulation color burst signal is peak-held by the capacitor (C1), and the capacitor (C1) is the peak-hold capacitor. To work as.

(他の実施例) つぎに、他の実施例について第3図を参照して説明す
る。
(Other Embodiment) Next, another embodiment will be described with reference to FIG.

第3図は主コンデンサを結合コンデンサとして用いた場
合に示し、同図において、第1図と同一記号は同一もし
くは相当するものを示し、(9)はビデオ信号の入力端
子、(10)はビデオ信号の出力端子であり、抵抗(R11)を
介して入力端子(9)に接続されている。(11)はハイレベ
ルのバーストゲートパルスの入力端子である。
Fig. 3 shows the case where the main capacitor is used as a coupling capacitor. In the same figure, the same symbols as those in Fig. 1 show the same or corresponding ones, (9) is a video signal input terminal, and (10) is a video signal. This is a signal output terminal and is connected to the input terminal (9) via a resistor (R11). (11) is a high-level burst gate pulse input terminal.

(Q28),(Q29)は差動対を形成するNPN型の2個のトラ
ンジスタであり、抵抗(R11)を介した入力端子(9)のビデ
オ信号が抵抗(R13),コンデンサ(C3)のローパスフイル
タを介してトランジスタ(Q28)のベースに入力され、電
圧Vccを抵抗(R13),(R14)で分圧した電圧Vccが印加さ
れている。(R16)は電源端子(1)とトランジスタ(Q28)の
コレクタとの間に設けらてたコレクタ負荷用の抵抗であ
る。
(Q28) and (Q29) are two NPN-type transistors forming a differential pair, and the video signal of the input terminal (9) via the resistor (R11) is connected to the resistor (R13) and the capacitor (C3). A voltage Vcc, which is input to the base of the transistor (Q28) through a low-pass filter and divided by the resistors (R13) and (R14), is applied. (R16) is a collector load resistor provided between the power supply terminal (1) and the collector of the transistor (Q28).

(Q30)はトランジスタ(Q28),(Q29)のエミツタと抵抗(R1
5)との間に設けられたNPN型の定電流源用のトランジ
スタであり、ベースに入力端子(11)のゲートパルスが入
力される。
(Q30) is the transistor (Q28) and (Q29) emitter and resistor (R1
It is a transistor for an NPN type constant current source provided between the input terminal (11) and the gate pulse of the input terminal (11).

(Q31)はベースがトランジスタ(Q28)のコレクタに接続さ
れたPNP型のエミツタ接地のトランジスタであり、エ
ミツタが抵抗(R17)を介して電源端子(1)に接続され、コ
レクタが抵抗(R18)を介してアースされている。
(Q31) is a PNP type emitter grounded transistor whose base is connected to the collector of the transistor (Q28). The emitter is connected to the power supply terminal (1) via the resistor (R17) and the collector is the resistor (R18). Is grounded through.

(Q32)はベースがトランジスタ(Q31)のコレクタに接続さ
れたNPN型のコレクタ接地トランジスタであり、コレ
クタが電源端子(1)に接続され、エミツタがコンデンサ
(C1)に接続されている。
(Q32) is an NPN collector grounded transistor whose base is connected to the collector of the transistor (Q31), whose collector is connected to the power supply terminal (1) and whose emitter is a capacitor.
It is connected to (C1).

(Q33),(Q34)は直結2段接続されたNPN型のコレクタ
接地の2個のトランジスタであり、トランジスタ(Q33)
がトランジスタ(Q32)にダーリントン接続され、トラン
ジスタ(Q34)のコレクタ,エミツタが出力端子(10),抵
抗(R19)に接続されている。
(Q33) and (Q34) are two directly connected two-stage NPN-type collector-grounded transistors. The transistor (Q33)
Is connected to the transistor (Q32) in Darlington connection, and the collector and the emitter of the transistor (Q34) are connected to the output terminal (10) and the resistor (R19).

(6)′はトランジスタ(Q28)〜(Q34),抵抗(R11)〜(R1
9),コンデンサ(C1)が形成するレベルシフト用のピーク
ホールド部である。
(6) ′ is a transistor (Q28) to (Q34) and a resistor (R11) to (R1
9) It is the peak hold part for level shift formed by the capacitor (C1).

(9)は模擬部(7)のトランジスタ(Q13),(Q15)の共通エミ
ツタ路に設けられた定電流源であり、第1図のトランジ
スタ(Q14),抵抗(R6)に相当するトランジスタ、抵抗か
らなる。
(9) is a constant current source provided in the common emitter path of the transistors (Q13) and (Q15) of the simulation section (7), which corresponds to the transistor (Q14) and the resistor (R6) of FIG. It consists of resistance.

なお、第3図においては、トランジスタ(Q8),(Q12),
(Q13)がトランジスタ(Q32),(Q33),(Q34)それぞれとほ
ぼ同一に形成され、第1図のトランジスタ(Q9)〜(Q1
1),電源(E1),(E3),(E4)によるトランジスタ(8)のバ
イアスが省かれている。
In FIG. 3, transistors (Q8), (Q12),
(Q13) is formed substantially the same as each of the transistors (Q32), (Q33), (Q34), and the transistors (Q9) to (Q1) shown in FIG.
The bias of transistor (8) due to 1), power supplies (E1), (E3), and (E4) is omitted.

また、トランジスタ(Q28)〜(Q34),抵抗(R11)〜(R19)及
びコンデンサ(C3)等も、トランジスタ(Q8)〜(Q27),抵
抗(R4),(R7)〜(R10),コンデンサ(C1),(C2)と同様、
集積回路のPN接合で形成されている。
Transistors (Q28) to (Q34), resistors (R11) to (R19), capacitors (C3), etc. are also transistors (Q8) to (Q27), resistors (R4), (R7) to (R10), capacitors. Similar to (C1) and (C2)
It is formed by a PN junction of an integrated circuit.

そして、入力端子(9)のビデオ信号の直流成分が抵抗(R1
2),コンデンサ(C3)で抽出されてトランジスタ(Q28)の
ベースに供給される。
Then, the DC component of the video signal at the input terminal (9) is
2), extracted by the capacitor (C3) and supplied to the base of the transistor (Q28).

また、入力端子(11)のバーストゲートパルスの入力期間
だけトランジスタ(Q30)がオンする。
Further, the transistor (Q30) is turned on only during the input period of the burst gate pulse of the input terminal (11).

そして、トランジスタ(Q30)がオンすると、トランジス
タ(Q28),(Q29)の差動対が動作し、トランジスタ(Q28)
のコレクタ電流が前記直流成分の増,源にしたがつて変
化する。
Then, when the transistor (Q30) turns on, the differential pair of the transistors (Q28) and (Q29) operates, and the transistor (Q28)
Collector current changes with the increase and source of the DC component.

さらに、トランジスタ(Q28)のコレクタ電流の増,減に
したがつてトランジスタ(Q31)のコレクタ電流が変化
し、トランジスタ(Q31)のコレクタ電流の増,減にした
がつてトランジスタ(Q32)のエミツタ電流が変化する。
Furthermore, the collector current of the transistor (Q31) changes as the collector current of the transistor (Q28) increases and decreases, and the emitter current of the transistor (Q32) changes as the collector current of the transistor (Q31) increases and decreases. Changes.

そのため、トランジスタ(Q30)がオンする充電期間に
は、前記直流成分に比例したトランジスタ(Q32)のエミ
ツタ電流でコンデンサ(C1)が充電され、コンデンサ(C1)
に前記直流成分がピークホールドされる。
Therefore, during the charging period when the transistor (Q30) is turned on, the capacitor (C1) is charged by the emitter current of the transistor (Q32) proportional to the DC component, and the capacitor (C1)
Then, the DC component is peak-held.

つぎに、トランジスタ(Q30)がオフする非充電期間に
は、トランジスタ(Q31)がオフしてトランジスタ(Q32)が
オフに保持される。
Next, during the non-charging period when the transistor (Q30) is turned off, the transistor (Q31) is turned off and the transistor (Q32) is held off.

このとき、コンデンサ(C1)の充電電荷はトランジスタ(Q
33)のベースへの順方向の放電電流IB及びコンデンサ
(C1)を通る逆方向の放電電流ICとして放電する。
At this time, the charge charged in the capacitor (C1) is
33) Forward discharge current IB to the base and capacitor
It discharges as a reverse discharge current IC passing through (C1).

そして、コンデンサ(C1)の容量が小さく、かつ、トラン
ジスタ(Q33),(Q34)の直結2段接続にもとづき、トラン
ジスタ(Q33)のベースからみたトランジスタ(Q33)のエミ
ツタ側のインピーダンスが高いため、放電電流IBは第
2図の順方向の極めて微小なほぼ一定の電流になる。
And because the capacity of the capacitor (C1) is small and the direct impedance of the transistor (Q33) seen from the base of the transistor (Q33) is high due to the direct connection two-stage connection of the transistors (Q33) and (Q34), The discharge current IB becomes an extremely small, almost constant current in the forward direction of FIG.

そのため、非充電期間のコンデンサ(C1)は、電圧に依存
しないほぼ一定の放電電流IB,ICによつて放電す
る。
Therefore, the capacitor (C1) in the non-charging period is discharged by the substantially constant discharge current IB, IC that does not depend on the voltage.

一方、トランジスタ(Q8)がオフに保持され、コンデンサ
(C2)が放電電流IB,ICに相当する放電電流IB′,
IC′で放電する。
Meanwhile, the transistor (Q8) is held off and the capacitor
(C2) is a discharge current IB, a discharge current IB 'corresponding to IC,
Discharge at IC '.

そして、第1図の場合とほぼ同様にして補償電流ID,
ID′が形成され、補償電流ID,ID′でコンデンサ
(C1),(C2)それぞれが充電され、コンデンサ(C1)の放電
が防止される。
Then, in the same manner as in the case of FIG. 1, the compensation current ID,
ID 'is formed and the compensation currents ID and ID' are used to form a capacitor.
Each of (C1) and (C2) is charged, and discharge of the capacitor (C1) is prevented.

さらに、コンデンサ(C1)のホールド電圧にしたがつてト
ランジスタ(Q33)のエミツタ電流が変化し、トラジスタ
(Q34)のコレクタ,エミツタ間インピーダンスが前記ホ
ールド電圧の逆に変化する。
Furthermore, the emitter current of the transistor (Q33) changes according to the hold voltage of the capacitor (C1), and the transistor
The impedance between the collector and the emitter of (Q34) changes opposite to the hold voltage.

そして、入力端子(9)のビデオ信号が、抵抗(R11)と、ト
ランジスタ(Q34)のコレクタ,エミツタ間インピーダン
ス,抵抗(R19)の直列回路とで分圧されて出力端子(10)
から出力される。
Then, the video signal of the input terminal (9) is divided by the resistor (R11), the collector of the transistor (Q34), the impedance between the emitter and the series circuit of the resistor (R19), and the output terminal (10) is divided.
Is output from.

そのため、出力端子(10)から出力れるビデオ信号は、入
力端子(9)のビデオ信号の直流成分の増,減の逆にレベ
ルシフトされてクランプされる。
Therefore, the video signal output from the output terminal (10) is level-shifted and clamped in reverse to the increase and decrease of the DC component of the video signal of the input terminal (9).

したがつて、第3図においては、コンデンサ(C1)が例え
ば広帯域増幅器の結合コンデンサと等価なコンデンサと
して動作し、所望のレベルにシフトされたビデオ信号が
出力端子(10)から後段回路部に供給される。
Therefore, in FIG. 3, the capacitor (C1) operates as a capacitor equivalent to, for example, the coupling capacitor of the wide band amplifier, and the video signal shifted to a desired level is supplied from the output terminal (10) to the subsequent circuit section. To be done.

なお、前記両実施例では入力信号を復調カラーバースト
信号,ビデオ信号それぞれとしたが、入力信号を音声信
号などの種々の信号を入力信号とし、コンデンサ(C1)を
種々の信号のピークホールドコンデンサ,結合コンデン
サとして用いることができるのは勿論である。
Although the input signals are demodulated color burst signals and video signals respectively in the above-mentioned embodiments, the input signals are various signals such as audio signals, and the capacitor (C1) is a peak hold capacitor for various signals. Of course, it can be used as a coupling capacitor.

また、ピークホールド(6),(6)′,模擬部(7),定電圧
回路部(8)等が前記両実施例と異なるトランジスタ構成
で形成されていてもよいのも勿論である。
Further, it goes without saying that the peak hold (6), (6) ', the simulation part (7), the constant voltage circuit part (8) and the like may be formed with a transistor configuration different from those of the above-mentioned embodiments.

〔発明の効果〕〔The invention's effect〕

本発明は、以上説明したように構成されているため、以
下に記載するような効果を奏する。
Since the present invention is configured as described above, it has the following effects.

PN接合によつて形成されたピークホールド部の主コン
デンサの放電低下を、放電模擬部の副コンデンサの放電
低下から検出し、副コンデンサの放電低下に追従した定
電圧回路部の主,副補償電流を主,副コンデンサそれぞ
れに注入し、主コンデンサの非充電期間の放電を防止
し、主コンデンサを充電された電位に保持したことによ
り、従来は内臓できなかつたピークホールドコンデン
サ,結合コンデンサをバイポーラ型の半導体集積回路に
内蔵し、コンデンサ内蔵型のピークホールド用集積回
路,コンデンサ結合型の低周波あるいは広帯域増幅器用
集積回路等を提供することができる。
The decrease in discharge of the main capacitor in the peak hold section formed by the PN junction is detected from the decrease in discharge of the sub capacitor in the discharge simulating section, and the main and sub compensation currents of the constant voltage circuit section follow the discharge decrease in the sub capacitor. Is injected into each of the main and sub capacitors to prevent discharge during the non-charging period of the main capacitor and to keep the main capacitor at the charged potential, so that the peak hold capacitor and the coupling capacitor, which could not be built in the past, are bipolar type. It is possible to provide a peak hold integrated circuit with a built-in capacitor and a capacitor-coupled low frequency or wide band amplifier integrated circuit, etc.

そして、ピークホールドコンデンサを外付けしなくてよ
いため、ACC回路等の製造を容易に行うことができ
る。
Since the peak hold capacitor does not have to be externally attached, the ACC circuit and the like can be easily manufactured.

また、低周波又は広帯域の増幅器用集積回路をコンデン
サ結合型に形成し、回路設計等を容易に行うことができ
る。
Further, a low-frequency or wide-band amplifier integrated circuit can be formed in a capacitor-coupled type to facilitate circuit design and the like.

【図面の簡単な説明】[Brief description of drawings]

第1図ないし第3図は本発明の集積回路の実施例を示
し、第1図は1実施例の結線図、第2図はPN接合の電
流特性図、第3図は他の実施例の結線図である。 (6),(6)′…ピークホールド部、(7)…放電模擬部、(8)
…定電圧回路部、(C1),(C2)…主,副コンデンサ。
1 to 3 show an embodiment of an integrated circuit of the present invention. FIG. 1 is a connection diagram of one embodiment, FIG. 2 is a current characteristic diagram of a PN junction, and FIG. 3 is another embodiment. It is a connection diagram. (6), (6) '... Peak hold part, (7) ... Discharge simulation part, (8)
… Constant voltage circuit, (C1), (C2)… Main and sub capacitors.

Claims (1)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】トランジスタ構成のピークホールド部にP
N接合で形成して設けられ,前記ピークホールド部の入
力信号によつて間欠的に充電され非充電期間に前記ピー
クホールド部のPN接合を介したほぼ一定の電流で放電
する主コンデンサと、 PN接合によつて前記主コンデンサとほぼ同一に形成さ
れた副コンデンサを有し,該副コンデンサを前記主コン
デンサの非充電期間とほぼ同一の回路状態に保持するト
ランジスタ構成の放電模擬部と、 前記副コンデンサの電位の基準電位からの放電低下に追
従して前記主,副コンデンサに定電圧制御用のほぼ同一
の主,副補償電流それぞれを注入するトランジスタ構成
の定電圧回路部と を備えたことを特徴とする集積回路。
1. A P in a peak hold portion of a transistor structure.
A main capacitor which is formed by an N-junction, is intermittently charged by an input signal of the peak-hold section, and is discharged at a substantially constant current through the PN-junction of the peak-hold section during a non-charging period; A sub-capacitor formed by joining to be substantially the same as the main capacitor, and a discharge simulating unit having a transistor configuration for holding the sub-capacitor in a circuit state substantially the same as the non-charging period of the main capacitor; And a constant voltage circuit section having a transistor configuration for injecting substantially the same main and sub compensation currents for constant voltage control into the main and sub capacitors, respectively, in accordance with a decrease in discharge of the capacitor potential from the reference potential. Characterized integrated circuit.
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