JPH03246469A - Peak level detecting circuit - Google Patents

Peak level detecting circuit

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JPH03246469A
JPH03246469A JP2340901A JP34090190A JPH03246469A JP H03246469 A JPH03246469 A JP H03246469A JP 2340901 A JP2340901 A JP 2340901A JP 34090190 A JP34090190 A JP 34090190A JP H03246469 A JPH03246469 A JP H03246469A
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Abstract

PURPOSE:To reduce the error of an output signal due to the input offset voltage of a 2nd differential amplifying circuit by feeding the output signal back directly to the opposite-phase input terminal of a 1st differential amplifying circuit. CONSTITUTION:When the input signal potential of an input terminal 1 becomes higher than the potential of a capacitor C1, the 2nd differential amplifying circuit 4 which is connected in a voltage follower circuit state and an emitter follower circuit provide the feedback to the opposite-phase input terminal of the 1st differential amplifying circuit 3 and the capacitor C1 is charged up to the potential of the input at the terminal 1. When the input signal potential at the terminal 1 falls, the emitter follower circuit Q13 is cut off and the maximum potential is held with charges accumulated in the capacitor C1. The output signal at an output signal terminal 2 is equal in level to the peak level of the input signal at the terminal 1. Namely, the error of the output signal 2 is affected only by the input offset voltage of the 1st differential amplifying circuit 3 and the influence of the input offset voltage of the 2nd differential amplifying circuit 4 is reduced.

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は、信号のピークレベルを保持するピークレベル
検出回路に関する。
DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION [Field of Industrial Application] The present invention relates to a peak level detection circuit that maintains the peak level of a signal.

〔従来の技術〕[Conventional technology]

従来のピークレベル検出回路は第10図に示す様に、正
相入力端子1を信号入力端子とする差動型に接続された
トランジスタQll及びQ12から成る差動増幅回路3
からの出力信号をエミッタホロワ回路を構成するトラン
ジスタQ13を介してコンデンサC1を充電し、ピーク
レベル出力2を得ていた。更に、第11図に示す様に、
第10図のピークレベル検出回路の出力信号を低インピ
ーダンスで取り出すために第2の差動増幅回路4をボル
テージホロワ接続として付加したものがあった。
As shown in FIG. 10, the conventional peak level detection circuit includes a differential amplifier circuit 3 consisting of transistors Qll and Q12 connected in a differential manner with the positive phase input terminal 1 as the signal input terminal.
A peak level output 2 was obtained by charging the capacitor C1 with the output signal from the emitter follower circuit through the transistor Q13. Furthermore, as shown in Figure 11,
In order to take out the output signal of the peak level detection circuit shown in FIG. 10 with low impedance, a second differential amplifier circuit 4 was added as a voltage follower connection.

〔発明が解決しようとする課題〕[Problem to be solved by the invention]

第11図に示す従来のピークレベル検出回路では、正相
入力端子に入力される入力信号のピーク値に対して逆相
入力端子に接続されているコンデンサC1の電位とを比
較し、その出力信号を更に第2の差動増幅回路を介して
出力していたため、第1の差動増幅回路及び第2の差動
増幅回路に於ける入力オフセット電圧分が出力信号の誤
差として現れてしまうという欠点がある。又第2の差動
増幅回路の入力インピーダンスが有限であるため、電圧
保持用のコンデンサC1に蓄積された電荷が第2の差動
増幅回路のトランジスタQ14のベース電流として放電
されることとなり、出力信号に生ずる誤差の第2の要因
となってしまう欠点もある。
In the conventional peak level detection circuit shown in FIG. 11, the peak value of the input signal input to the positive phase input terminal is compared with the potential of the capacitor C1 connected to the negative phase input terminal, and the output signal is is further output through the second differential amplifier circuit, so the disadvantage is that the input offset voltage in the first differential amplifier circuit and the second differential amplifier circuit appears as an error in the output signal. There is. Furthermore, since the input impedance of the second differential amplifier circuit is finite, the charge accumulated in the voltage holding capacitor C1 is discharged as the base current of the transistor Q14 of the second differential amplifier circuit, and the output It also has the disadvantage that it becomes a second source of error in the signal.

本発明の目的は、第2の差動増幅器の入力オフセット電
圧によって生じる誤差を出力信号に影響させない様にし
、又、電圧保持用コンデンサの電荷の放電を抑える様に
すると共に、更に、第1の差動増幅回路の入力オフセッ
ト電圧に起因する誤差をも低減する事が可能なピークレ
ベル検出回路を提供する事にある。
It is an object of the present invention to prevent errors caused by the input offset voltage of the second differential amplifier from affecting the output signal, and to suppress the discharge of charges in the voltage holding capacitor. An object of the present invention is to provide a peak level detection circuit that can also reduce errors caused by input offset voltage of a differential amplifier circuit.

〔課題を解決するための手段〕[Means to solve the problem]

本発明によるピークレベル検出回路は、正相入力端子を
信号入力端子とするボルテージホロワ接続した第1の差
動増幅回路と、該第1の差動増幅回路の出力信号を第1
のエミッタホロワ回路を介してコンデンサに充電せしめ
かつ同信号をボルテージホロワ接続した第2の差動増幅
回路の正相入力端子に入力したピークレベル検出回路に
於いて、前記第1の差動増幅回路をボルテージホロワ接
続とせず、前記第2の差動増幅回路の出力信号を前記第
1の差動増幅回路の逆相入力端子帰還する事を特徴とし
、又、前記第2の差動増幅回路を構成する正相入力段ト
ランジスタのコレクタとコレクタ負荷との間に該入力段
トランジスタと同極性のトランジスタを挿入し、該トラ
ンジスタのベース電流を基準電流源とし出力電流を前記
第2の差動増幅回路の正相側入力端子に帰還するカレン
トミラー回路を設ける事を特徴とし、更に、前記第1の
差動増幅回路の正相入力段トランジスタのコレクタとコ
レクタ負荷との間に該入力段トランジスタと同極性のト
ランジスタを挿入したことを特徴とする。
The peak level detection circuit according to the present invention includes a first differential amplifier circuit connected as a voltage follower with a positive phase input terminal as a signal input terminal, and an output signal of the first differential amplifier circuit that is connected to a first differential amplifier circuit as a signal input terminal.
In the peak level detection circuit, the capacitor is charged through the emitter follower circuit of the first differential amplifier circuit, and the same signal is inputted to the positive phase input terminal of the second differential amplifier circuit connected as a voltage follower. is not connected as a voltage follower, and the output signal of the second differential amplifier circuit is fed back to the negative phase input terminal of the first differential amplifier circuit, and the second differential amplifier circuit A transistor having the same polarity as the input stage transistor is inserted between the collector of the positive phase input stage transistor and the collector load, and the base current of the transistor is used as a reference current source, and the output current is input to the second differential amplification. The circuit is characterized by providing a current mirror circuit that feeds back to the positive-phase input terminal of the circuit, and further comprising a current mirror circuit that feeds back to the positive-phase input terminal of the circuit, and further includes a current mirror circuit that feeds back to the positive-phase input terminal of the circuit, and further includes a current mirror circuit that is connected to the input-stage transistor between the collector of the positive-phase input stage transistor of the first differential amplifier circuit and the collector load. It is characterized by the insertion of transistors with the same polarity.

〔実施例〕〔Example〕

次に本発明について図面を参照して説明する。 Next, the present invention will be explained with reference to the drawings.

第1図は本発明の第1の実施例を説明するための回路図
である。第1の差動増幅回路3は、定電流源IEEI、
入力段NPN)ランジスタQ11゜Q21及び能動負荷
としてのPNP )ランジスタQ12.Q22より成り
、その正相入力端子1を信号入力端子とする。エミッタ
ホロワ回路としてのNPN)ランジスタQ13のベース
は第10差動増幅回路3の出力端子に、コレクタは高電
位電源VCCに、エミッタは電圧保持用コンデンサCI
に接続される。第2の差動増幅回路4は、定電流源IE
E2、入力段NPN)ランシスタQ14゜Q24、能動
負荷としてのPNP )ランシスタQ15、Q25によ
り成り、その正相入力端子はエミッタホロワ回路Q13
のエミッタに接続される。
FIG. 1 is a circuit diagram for explaining a first embodiment of the present invention. The first differential amplifier circuit 3 includes a constant current source IEEI,
Input stage NPN) transistor Q11°Q21 and PNP as active load) transistor Q12. Q22, whose positive phase input terminal 1 is used as a signal input terminal. The base of NPN transistor Q13 (as an emitter follower circuit) is connected to the output terminal of the 10th differential amplifier circuit 3, the collector is connected to the high potential power supply VCC, and the emitter is connected to the voltage holding capacitor CI.
connected to. The second differential amplifier circuit 4 includes a constant current source IE
E2, input stage NPN) Lancistor Q14゜Q24, PNP as active load) Consists of Lancissistor Q15, Q25, whose positive phase input terminal is connected to emitter follower circuit Q13
connected to the emitter of

NPNhランシスタQ16及び定電流源IEE3より成
るエミッタホロワ回路は、第2の差動増幅回路の出力信
号を入力として接続され、本回路のピークレベル検出信
号である出力信号2を出力すると同時に第1及び第2の
差動増幅回路の逆相入力端子に接続される。
An emitter follower circuit consisting of an NPNh transistor Q16 and a constant current source IEE3 is connected with the output signal of the second differential amplifier circuit as input, and outputs an output signal 2 which is the peak level detection signal of this circuit, and at the same time outputs the output signal 2 which is the peak level detection signal of this circuit. It is connected to the anti-phase input terminal of the second differential amplifier circuit.

次に、第1図についてその動作を説明する。入力端子1
に入力される信号の電位がコンデンサCIに保持されて
いる電位よりも高くなると、第1の差動増幅回路3の出
力信号は高電位になろうとし、従ってエミッタホロワ回
路の出力即ちQ13のエミッタは高電位になろうとする
ので、コンデンサC1を充電する。しかしこの電位は、
ボルテージホロワ回路接続された第2の差動増幅回路及
びエミッタホロワ回路により第1の差動増幅回路の逆相
入力端子に帰還されるためコンデンサCIは、入力端子
1に入力された電位と第1の差動増幅回路の逆相入力端
子の電位、即ち本回路の出力端子2の電位が等しくなる
まで充電される。又、入力端子1の入力信号の電位が下
がると、第1の差動増幅回路の逆相入力端子の電位が正
相入力端子の電位より高くなり、第1の差動増幅回路の
出力信号は低電位になるがエミッタホロワ回路Q13が
カットオフしコンデンサC1に蓄積された電荷によりそ
れまでの最高電位が保持される。この様にして出力信号
端子2に出力される信号は、入力信号端子1に入力され
る信号の最高電位即ち入力信号のピークレベルに等しい
電位となる。本回路では、第1の差動増幅回路の逆相入
力端子に出力信号2を直接帰還をかけているために、第
2の差動増幅回路の入力オフセット電圧による誤差は、
第1の差動増幅回路により補正され、結果として出力信
号2に生ずる誤差は、第1の差動増幅回路の入力オフセ
ット電圧のみが影響し、第2の差動増幅回路の入力オフ
セット電圧による影響は著しく低減される。
Next, the operation will be explained with reference to FIG. Input terminal 1
When the potential of the signal input to Q13 becomes higher than the potential held in the capacitor CI, the output signal of the first differential amplifier circuit 3 tends to have a high potential, and therefore the output of the emitter follower circuit, that is, the emitter of Q13 becomes Since the potential is about to become high, the capacitor C1 is charged. However, this potential is
Since the voltage is fed back to the negative phase input terminal of the first differential amplifier circuit by the second differential amplifier circuit and the emitter follower circuit connected to the voltage follower circuit, the capacitor CI has the potential input to input terminal 1 and the first differential amplifier circuit. are charged until the potentials of the negative phase input terminals of the differential amplifier circuit, that is, the potentials of the output terminal 2 of this circuit become equal. Furthermore, when the potential of the input signal at input terminal 1 decreases, the potential at the negative phase input terminal of the first differential amplifier circuit becomes higher than the potential at the positive phase input terminal, and the output signal of the first differential amplifier circuit becomes Although the potential becomes low, the emitter follower circuit Q13 is cut off and the highest potential up to that point is maintained by the charge accumulated in the capacitor C1. In this way, the signal output to the output signal terminal 2 has a potential equal to the highest potential of the signal input to the input signal terminal 1, that is, the peak level of the input signal. In this circuit, since the output signal 2 is directly fed back to the negative phase input terminal of the first differential amplifier circuit, the error due to the input offset voltage of the second differential amplifier circuit is
The error corrected by the first differential amplifier circuit and resulting in the output signal 2 is affected only by the input offset voltage of the first differential amplifier circuit, and is affected by the input offset voltage of the second differential amplifier circuit. is significantly reduced.

次に本発明の第2の実施例について説明する。Next, a second embodiment of the present invention will be described.

第2図は本発明の第2の実施例を説明するための回路図
である。第1の差動増幅回路3は、定電流源IEEI、
入力段NPN)ランジスタQll。
FIG. 2 is a circuit diagram for explaining a second embodiment of the present invention. The first differential amplifier circuit 3 includes a constant current source IEEI,
Input stage NPN) transistor Qll.

Q21及び能動負荷としてのPNP )ランジスタQ1
2.Q22よりなり、その正相入力端子1を入力信号端
子とする。エミッタホロワ回路としてのNPN)ランジ
スタQ13のベースは第1の差動増幅回路3の出力端子
に、コレクタは高電位電源■CCに、エミッタは電圧保
持用コンデンサC1に接続される。第2の差動増幅回路
4は、定電流源IEE2、入力NPN)ランジスタQ1
4゜Q24、能動負荷としてのPNP )ランジスタQ
15、Q25及び入力段トランジスタQ14と能動負荷
トランジスタQ15との間に挿入されたNPN)ランジ
スタQ17より成り、その正相入力端子は前述のエミッ
タホロワ回路Q13のエミッタに接続される。NPN)
ランジスタQ16及び定電流源IEE3より成るエミッ
タホロワ回路は、第2の差動増幅回路の出力信号を入力
として接続され、本回路のピークレベル検出信号である
出力信号2を出力すると同時に第1及び第2の差動増幅
回路の逆相入力端子に接続される。カレントミラー回路
5は、PNP)ランジスタQ18.Q28より成り前記
第2の差動増幅回路に挿入されたNPN)ランジスタQ
17のベース電流が基準N 流と成るように接続され、
PNP )ランジスタQ18のコレクタがこのカレント
ミラー回路の出力端子でありQ14のベースに接続され
る。
Q21 and PNP as active load) transistor Q1
2. Q22, whose positive phase input terminal 1 is used as an input signal terminal. The base of the NPN transistor Q13 as an emitter follower circuit is connected to the output terminal of the first differential amplifier circuit 3, the collector is connected to the high potential power supply CC, and the emitter is connected to the voltage holding capacitor C1. The second differential amplifier circuit 4 includes a constant current source IEE2, an input NPN) transistor Q1
4゜Q24, PNP as active load) transistor Q
15, Q25, and an NPN (NPN) transistor Q17 inserted between the input stage transistor Q14 and the active load transistor Q15, and its positive phase input terminal is connected to the emitter of the emitter follower circuit Q13 described above. NPN)
An emitter follower circuit consisting of a transistor Q16 and a constant current source IEE3 is connected with the output signal of the second differential amplifier circuit as an input, and outputs an output signal 2 which is the peak level detection signal of this circuit, and at the same time outputs the output signal 2 which is the peak level detection signal of this circuit. is connected to the negative phase input terminal of the differential amplifier circuit. The current mirror circuit 5 includes a PNP) transistor Q18. an NPN transistor Q28 inserted in the second differential amplifier circuit;
17 base current is connected to the reference N current,
The collector of transistor Q18 (PNP) is the output terminal of this current mirror circuit and is connected to the base of transistor Q14.

ここでは第1の実施例と異なる構成部分、即ち、カレン
トミラー回路5について説明する。上述したように、第
2の差動増幅回路の入力段トランジスタQ14に流れる
コレクタ電流の1/Hfeのベース電流力Q 14のベ
ースに流れ、コンデンサC1に蓄積された電荷が放電さ
れ出力信号2に誤差を生ずる事となる。そこでトランジ
スタQ14と特性の等しいトランジスタQ17を挿入す
る事によりQ14とQ17のコレクタ電流はほぼ等しく
なりQ14とQ17のベース電流がほぼ等しくなる。そ
こでトランジスタQ18.Q28で構成されるカレント
ミラー回路5によりトランジスタQ17のベース電流に
ほぼ等しい電流をトランジスタQ14のベースに戻す事
でQ14に流れるベース電流に起因する出力信号2に生
ずる誤差を著しく低減する事が可能となる。
Here, a component different from the first embodiment, that is, the current mirror circuit 5 will be explained. As described above, a base current of 1/Hfe of the collector current flowing through the input stage transistor Q14 of the second differential amplifier circuit flows into the base of the Q14, and the charge accumulated in the capacitor C1 is discharged and becomes the output signal 2. This will result in an error. Therefore, by inserting a transistor Q17 having the same characteristics as the transistor Q14, the collector currents of Q14 and Q17 become almost equal, and the base currents of Q14 and Q17 become almost equal. Therefore, transistor Q18. By returning a current approximately equal to the base current of transistor Q17 to the base of transistor Q14 by the current mirror circuit 5 composed of Q28, it is possible to significantly reduce the error occurring in the output signal 2 due to the base current flowing to Q14. Become.

次に本発明の第3の実施例について説明する。Next, a third embodiment of the present invention will be described.

第3図は本発明の第3の実施例を説明するための回路図
である。第1の差動増幅回路3は、定電流源IEEI、
入力段NPN)ランジスタQll。
FIG. 3 is a circuit diagram for explaining a third embodiment of the present invention. The first differential amplifier circuit 3 includes a constant current source IEEI,
Input stage NPN) transistor Qll.

Q21及び能動負荷としてのPNP)ランジスタQ12
.Q22よりなり、その正相入力端子1を入力信号端子
とする。エミッタホロワ回路としてのNPN)ランジス
タQ13のベースは第1の差動増幅回路3の出力端子に
、コレクタは高電位電源vCCに、エミッタは電圧保持
用コンデンサC1に接続される。第2の差動増幅回路4
は、定電流源IEE2、入力NPN)ランジスタQ14
゜Q24、能動負荷としてのPNP )ランジスタQ1
5、’Q25及び入力段トランジスタQ14と能動負荷
トランジスタQ15との間に挿入されたNPN)ランシ
スタQ17より成り、その正相入力端子は前述のエミッ
タホロワ回路013のエミッタに接続される。NPNト
ランジスタQI6及び定電流源IEE3より成るエミッ
タホロワ回路は、第2の差動増幅回路の出力信号を入力
として接続され、本回路のピークレベル検出信号である
出力信号2を出力すると同時に第1及び第2の差動増幅
回路の逆相入力端子に接続される。カレントミラー回路
5は、PNP)ランジスタQ18.Q28より成り前述
の第2の差動増幅回路に挿入されたNPN)ランジスタ
Q17のベース電流が基準電流と成るように接続され、
PNP )ランジスタQ18のコレクタがこのカレント
ミラー回路5の出力端子となる。PNP )ランジスタ
Q19は、エミッタが前述のカレントミラー回路5の出
力端子に、ベースがQ14のコレクタに、コレクタがQ
14のベースに接続される。
Q21 and PNP as active load) transistor Q12
.. Q22, whose positive phase input terminal 1 is used as an input signal terminal. The base of the NPN transistor Q13 (as an emitter follower circuit) is connected to the output terminal of the first differential amplifier circuit 3, the collector is connected to the high potential power supply vCC, and the emitter is connected to the voltage holding capacitor C1. Second differential amplifier circuit 4
is constant current source IEE2, input NPN) transistor Q14
゜Q24, PNP as active load) transistor Q1
5, 'Q25, and an NPN) run transistor Q17 inserted between the input stage transistor Q14 and the active load transistor Q15, and its positive phase input terminal is connected to the emitter of the emitter follower circuit 013 described above. An emitter follower circuit consisting of an NPN transistor QI6 and a constant current source IEE3 is connected to receive the output signal of the second differential amplifier circuit, and outputs an output signal 2, which is the peak level detection signal of this circuit, and at the same time outputs the output signal of the first and second differential amplifier circuits. It is connected to the anti-phase input terminal of the second differential amplifier circuit. The current mirror circuit 5 includes a PNP) transistor Q18. Q28 is connected so that the base current of the NPN transistor Q17 inserted in the second differential amplifier circuit described above becomes a reference current;
PNP) The collector of the transistor Q18 becomes the output terminal of the current mirror circuit 5. PNP ) transistor Q19 has an emitter connected to the output terminal of the current mirror circuit 5 described above, a base connected to the collector of Q14, and a collector connected to Q14.
Connected to 14 bases.

本実施例において、第2の実施例と異なる構成部分、即
ち、カレントミラー回路5の出力端子Q18のコレクタ
と第2の差動増幅回路の入力端子で’JるQ140ベー
スとの間に挿入されたトランジスタQ19は、PNP 
)ランジスタQ18.Q28で構成されるカレントミラ
ー回路5の電流比精度を向上するためであり、トランジ
スタ018とQ28のコレクターエミッタ間の電EEV
ceを等しくしており、即ち、トランジスタQ18.Q
28のアーリー電圧効果による電流誤差を軽減している
In this embodiment, a component different from the second embodiment is inserted between the collector of the output terminal Q18 of the current mirror circuit 5 and the base of the Q140 connected to the input terminal of the second differential amplifier circuit. The transistor Q19 is a PNP
) transistor Q18. This is to improve the current ratio accuracy of the current mirror circuit 5 composed of Q28, and the voltage EEV between the collector emitter of transistor 018 and Q28 is
ce are made equal, that is, transistors Q18. Q
The current error due to the early voltage effect of 28 is reduced.

次に本発明の第4の実施例について説明する。Next, a fourth embodiment of the present invention will be described.

第4図は本発明の第4の実施例を説明するための回路図
である。本実施例は第1図に示す第1の実施例において
、第1の差動増幅回路3の正相側入力段トランジスタQ
llとそのコレクタ負荷であるトランジスタQ12との
間にNPN)ランジスタQ31を、エミッタをQllの
コレクタ、コレクタをQ12のコレクタ及びベースをQ
21のコレクタに接続して挿入した点が異なっている。
FIG. 4 is a circuit diagram for explaining a fourth embodiment of the present invention. This embodiment is based on the positive phase side input stage transistor Q of the first differential amplifier circuit 3 in the first embodiment shown in FIG.
A transistor Q31 (NPN) is connected between the transistor Q12 which is the collector load of the NPN transistor Q31, the emitter is the collector of Qll, the collector is the collector of Q12, and the base is the collector of Q12.
The difference is that it is connected to and inserted into the collector of No. 21.

本実施例において、第1の実施例と異なる部分、即ち、
第1の差動増幅回路3の入力段トランジスタQllとそ
のコレクタ負荷であるトランジスタQ12との間に挿入
されたNP、N)ランシスタQ31は、第1の差動増幅
回路3の入力オフセット電圧を低減するためであり、ト
ランジスタQllのコレクタ電位をトランジスタQ21
のコレクタ電位より常にトランジスタQ31のベース−
エミッタ間電位分だけ低い電位に保ち、トランジスタQ
l 1.Q21の7−リー電圧効果に起因する第1の差
動増幅回路の入力オフセット電圧を低減している。
In this embodiment, the different parts from the first embodiment, namely,
The NP, N) run transistor Q31 inserted between the input stage transistor Qll of the first differential amplifier circuit 3 and the transistor Q12 which is its collector load reduces the input offset voltage of the first differential amplifier circuit 3. This is to change the collector potential of transistor Qll to transistor Q21.
The base of transistor Q31 is always lower than the collector potential of
Keep the potential as low as the emitter potential, and
l 1. The input offset voltage of the first differential amplifier circuit caused by the 7-Lee voltage effect of Q21 is reduced.

次に本発明の第5の実施例について説明する。Next, a fifth embodiment of the present invention will be described.

第5図は本発明の第5の実施例を説明するための回路図
である。本実施例は第2図に示す第2の実施例において
、第1の差動増幅回路3の正相側入力段トランジスタQ
llとそのコレクタ負荷であるトランジスタQ12との
間にNPN)ランジスタQ31を、エミッタをQllの
コレクタ、コレクタをQ12のコレクタ及びベースを0
21のコレクタに接続して挿入した点が異なっている。
FIG. 5 is a circuit diagram for explaining a fifth embodiment of the present invention. This embodiment is based on the positive phase side input stage transistor Q of the first differential amplifier circuit 3 in the second embodiment shown in FIG.
An NPN (NPN) transistor Q31 is connected between the collector load of Qll and the transistor Q12, the emitter of which is the collector of Qll, the collector of Q12, and the base of the transistor Q12.
The difference is that it is connected to and inserted into the collector of No. 21.

本実施例は第2の実施例に第4の実施例を適用したもの
であり、第2の差動増幅回路の入力ベース電流による誤
差の低減と第1の差動増幅回路の入力オフセット電圧に
よる誤差の低減とを可能としたものである。
This embodiment is an application of the fourth embodiment to the second embodiment, and reduces the error due to the input base current of the second differential amplifier circuit and the error due to the input offset voltage of the first differential amplifier circuit. This makes it possible to reduce errors.

次に本発明の第6の実施例について説明する。Next, a sixth embodiment of the present invention will be described.

第6図は本発明の第6の実施例を説明するための回路図
である。本実施例は第3図に示す第3の実施例において
、第1の差動増幅回路3の正相側入力段トランジスタQ
llとそのコレクタ負荷であるトランジスタQ12との
間にNPN)ランジスタQ31を、エミッタをQllの
コレクタ、コレクタをQ12のコレクタ及びベースをQ
21のコレクタに接続して挿入した点が異なっている。
FIG. 6 is a circuit diagram for explaining a sixth embodiment of the present invention. This embodiment is based on the third embodiment shown in FIG.
A transistor Q31 (NPN) is connected between the transistor Q12 which is the collector load of the NPN transistor Q31, the emitter is the collector of Qll, the collector is the collector of Q12, and the base is the collector of Q12.
The difference is that it is connected to and inserted into the collector of No. 21.

本実施例は第3の実施例に第4の実施例を適用したもの
であり、第5の実施例よりもより一層、第2の差動増幅
回路の入力段トランジスタのベス電流による誤差を低減
させたものである。
This example is an application of the fourth example to the third example, and reduces the error due to the base current of the input stage transistor of the second differential amplifier circuit even more than the fifth example. This is what I did.

次に本発明の第7の実施例について説明する。Next, a seventh embodiment of the present invention will be described.

第7図は本発明の第7の実施例を説明するための回路図
である。本実施例は第1図に示す第1の実施例において
、第1の差動増幅回路3の正相側入力段トランジスタQ
llとそのコレクタ負荷であるトランジスタQ12との
間にNPN)ランシスタQ31を、エミッタをQllの
コレクタ、コレクタをQ12のコレクタ及びベースをQ
22のコレクタに接続して挿入した点と、逆相側入力段
トランジスタQ21とそのコレクタ負荷としてのPNP
)ランジスタQ22との間にダイオード接続したNPN
)ランジスタを順方向に挿入した点が異なっている。
FIG. 7 is a circuit diagram for explaining a seventh embodiment of the present invention. This embodiment is based on the positive phase side input stage transistor Q of the first differential amplifier circuit 3 in the first embodiment shown in FIG.
An NPN) run transistor Q31 is connected between ll and its collector load, the transistor Q12, the emitter is the collector of Qll, the collector is the collector of Q12, and the base is Q12.
22, the input stage transistor Q21 on the negative phase side, and the PNP as its collector load.
) NPN connected with a diode between transistor Q22
) The difference is that the transistors are inserted in the forward direction.

本実施例において、第1の実施例と異なる部分、即ち、
第1の差動増幅回路3の正相側入力段トランジスタQl
lとそのコレクタ負荷であるトランジスタQ12との間
に挿入されたNPNトランジスタQ31及び前記第1の
差動増幅回路の逆相側入力段トランジスタQ21とその
コレクタ負荷トしてのトランジスタQ22との間に挿入
されたトランジスタQ32は、第1の差動増1[回路3
の入力オフセット電圧を低減するためであり、トランジ
スタQllのコレクタ電位をトランジスタQ21のコレ
クタ電位とほぼ同じ電位、即ち両電位を第1の差動増幅
回路の出力電圧であるトランジスタQ22のコレクタ電
位よりもベース−エミッタ間電位降下−段分低い電位に
保ち、トランジスタQ11、Q21のアーリー電圧効果
に起因する第1の差動増幅回路の入力オフセット電圧を
著しく低減している。
In this embodiment, the different parts from the first embodiment, namely,
Positive-phase side input stage transistor Ql of the first differential amplifier circuit 3
NPN transistor Q31 inserted between the input stage transistor Q21 on the negative phase side of the first differential amplifier circuit and the transistor Q22 as its collector load. The inserted transistor Q32 is connected to the first differential amplifier 1 [circuit 3
This is to reduce the input offset voltage of the transistor Qll, and the collector potential of the transistor Qll is set to approximately the same potential as the collector potential of the transistor Q21, that is, both potentials are set to be lower than the collector potential of the transistor Q22, which is the output voltage of the first differential amplifier circuit. The base-emitter potential drop is maintained at a lower potential by a step, thereby significantly reducing the input offset voltage of the first differential amplifier circuit caused by the Early voltage effect of the transistors Q11 and Q21.

次に本発明の第8の実施例について説明する。Next, an eighth embodiment of the present invention will be described.

第8図は本発明の第8の実施例を説明するための回路図
である。本実施例は第2図に示す第2の実施例において
、第1の差動増幅回路3の正相側入力段トランジスタQ
llとそのコレクタ負荷であるトランジスタQ12との
間にNPNトランジスタQ31を、エミッタをQllの
コレクタ、コレクタをQ12のコレクタ及びベースを0
22のコレクタに接続して挿入した点と、逆相側入力段
トランジスタQ21とそのコレクタ負荷としてのPNP
)ランジスタQ22との間にダイオード接続したNPN
)ランジスタを順方向に挿入した点が異なっている。
FIG. 8 is a circuit diagram for explaining an eighth embodiment of the present invention. This embodiment is based on the positive phase side input stage transistor Q of the first differential amplifier circuit 3 in the second embodiment shown in FIG.
An NPN transistor Q31 is connected between Qll and its collector load transistor Q12, the emitter is the collector of Qll, the collector is the collector of Q12, and the base is 0.
22, the input stage transistor Q21 on the negative phase side, and the PNP as its collector load.
) NPN connected with a diode between transistor Q22
) The difference is that the transistors are inserted in the forward direction.

本実施例は第2の実施例に第7の実施例を適用したもの
であり、第2の差動増幅回路の入力ベース電流による誤
差の低減と第1の差動増幅回路の入力オフセット電圧に
よる誤差のより一層の低減とを可能としたものである。
This embodiment is an application of the seventh embodiment to the second embodiment, and reduces the error caused by the input base current of the second differential amplifier circuit and the error caused by the input offset voltage of the first differential amplifier circuit. This makes it possible to further reduce errors.

次に本発明の第9の実施例について説明する。Next, a ninth embodiment of the present invention will be described.

第9は本発明の第9の実施例を説明するための回路図で
ある。本実施例は第3図に示す第3の実施例において、
第1の差動増幅回路3の正相側入力段トランジスタQl
lとそのコレクタ負荷であるトランジスタQ12との間
にNPN)ランシスタQ31を、エミッタをQllのコ
レクタ、コレクタを012のコレクタ及びベースをQ2
2のコレクタに接続して挿入した点と、逆相側入力段ト
ランジスタQ21とそのコレクタ負荷としてのPNPト
ランジスタQ22との間にダイオード接続したNPN)
ランシスタを順方向に挿入した点が異なっている。
9 is a circuit diagram for explaining a ninth embodiment of the present invention. This embodiment is the third embodiment shown in FIG.
Positive-phase side input stage transistor Ql of the first differential amplifier circuit 3
An NPN) run transistor Q31 is connected between the transistor Q12 which is the collector load of the NPN transistor Q31, the emitter is the collector of Qll, the collector is the collector of 012, and the base is the collector of Q2.
(NPN with a diode connected between the point connected and inserted to the collector of 2 and the negative phase side input stage transistor Q21 and the PNP transistor Q22 as its collector load)
The difference is that the Runcisor is inserted in the forward direction.

本実施例は第3図の実施例に第7の実施例を適用したも
のであり、第8の実施例によりもより一層、第2の差動
増幅回路の入力段トランジスタのベース電流による誤差
を低減させたものである。
This embodiment is an application of the seventh embodiment to the embodiment shown in FIG. 3, and the error caused by the base current of the input stage transistor of the second differential amplifier circuit can be reduced even more than the eighth embodiment. It has been reduced.

〔発明の効果〕〔Effect of the invention〕

以上説明したように、本発明によれば第1の差動増幅回
路の逆相入力端子に直接、回路の出力端子の出力信号か
ら帰還をかけることにより、第20差動増幅回路の入力
オフセット電圧に起因する出力信号の誤差を低減する効
果がある。又、第2の差動増幅回路の正相入力端子の入
力電流を検出する回路と、これと等しい電流を出力する
カレントミラー回路を付加することにより第2の差動増
幅回路の正相入力端子の入力電流に起因する出力信号に
生ずる誤差を著しく低減し、このカレントミラー回路と
第2の差動増幅回路の正相入力端子の間に挿入したトラ
ンジスタによりカレントミラー回路の電流精度を著しく
向上することが可能となり、上記の第2の差動増幅回路
の正相入力端子に流れる入力電流のキャンセル効果を一
層高める効果がある。更に、第1の差動増幅回路の正相
入力段トランジスタとそのコレクタ負荷トランジスタと
の間にトランジスタを挿入することにより第1の差動増
幅回路の正相入力段トランジスタと逆相入力段トランジ
スタのコレクタ電位を一定の関係に保つことで、第1の
差動増幅回路の入力オフセット電圧を著しく低減し、第
1の差動増幅回路の逆相入力段トランジスタとそのコレ
クタ負荷トランジスタとの間にダイオード接続されたト
ランジスタを追加することで、第1の差動増幅回路の正
逆両入力段トランジスタのコレクタ電位をほぼ等しくす
ることが出来、第1の差動増幅回路の入力オフセット電
圧に起因する出力信号の誤差をより一層低減することが
可能となる。
As explained above, according to the present invention, by applying feedback directly to the negative phase input terminal of the first differential amplifier circuit from the output signal of the output terminal of the circuit, the input offset voltage of the 20th differential amplifier circuit is This has the effect of reducing errors in the output signal caused by. In addition, by adding a circuit that detects the input current of the positive-phase input terminal of the second differential amplifier circuit and a current mirror circuit that outputs a current equal to this, the positive-phase input terminal of the second differential amplifier circuit The error occurring in the output signal due to the input current of the current mirror circuit is significantly reduced, and the current accuracy of the current mirror circuit is significantly improved by the transistor inserted between this current mirror circuit and the positive phase input terminal of the second differential amplifier circuit. This has the effect of further enhancing the canceling effect of the input current flowing to the positive phase input terminal of the second differential amplifier circuit. Furthermore, by inserting a transistor between the positive-phase input stage transistor of the first differential amplifier circuit and its collector load transistor, the positive-phase input stage transistor and the negative-phase input stage transistor of the first differential amplifier circuit are By keeping the collector potentials in a constant relationship, the input offset voltage of the first differential amplifier circuit can be significantly reduced, and a diode can be connected between the anti-phase input stage transistor of the first differential amplifier circuit and its collector load transistor. By adding a connected transistor, the collector potentials of both the positive and negative input stage transistors of the first differential amplifier circuit can be made almost equal, and the output caused by the input offset voltage of the first differential amplifier circuit can be made almost equal. It becomes possible to further reduce signal errors.

【図面の簡単な説明】[Brief explanation of drawings]

第1図は本発明の第1の実施例を説明するための回路図
、第2図は本発明の第2の実施例を説明するための回路
図、第3図は本発明の第3の実施例を説明するための回
路図、第4図は本発明の第4の実施例を説明するための
回路図、第5図は本発明の第5の実施例を説明するため
の回路図、第6図は本発明の第6の実施例を説明するた
めの回路図、第7図は本発明の第7の実施例を説明する
ための回路図、第8図は本発明の第8の実施例を説明す
るための回路図、第9図は本発明の第9の実施例を説明
するための回路図、第10図及び第11図は従来例を説
明するための回路図である。 1・・・・・・信号入力端子、2・・・・・・信号出力
端子、3・・・・・・第1の差動増幅回路、4・・・・
・・第2の差動増幅回路、5・・・・・・カレントミラ
ー回路、Qll、C21゜Ql 3.Ql 4.C24
,Ql 6.Ql 7.C31゜C32・・・・・・N
PN)ランジスタ、C12,C22゜Ql 5.C25
,Ql 8.C28,Ql 9・・・・・・PNP)ラ
ンジスタ、IEEI、IEE2.IEE3・・・・・・
定電流源、C1・・・・・・コンデンサ、VCc・・・
・・・高電位電圧源、VER・・・・・・低電位電圧源
FIG. 1 is a circuit diagram for explaining a first embodiment of the present invention, FIG. 2 is a circuit diagram for explaining a second embodiment of the present invention, and FIG. 3 is a circuit diagram for explaining a third embodiment of the present invention. A circuit diagram for explaining the embodiment, FIG. 4 is a circuit diagram for explaining the fourth embodiment of the present invention, and FIG. 5 is a circuit diagram for explaining the fifth embodiment of the present invention. FIG. 6 is a circuit diagram for explaining the sixth embodiment of the present invention, FIG. 7 is a circuit diagram for explaining the seventh embodiment of the present invention, and FIG. 8 is a circuit diagram for explaining the seventh embodiment of the present invention. FIG. 9 is a circuit diagram for explaining the ninth embodiment of the present invention, and FIGS. 10 and 11 are circuit diagrams for explaining the conventional example. 1... Signal input terminal, 2... Signal output terminal, 3... First differential amplifier circuit, 4...
...Second differential amplifier circuit, 5...Current mirror circuit, Qll, C21°Ql 3. Ql 4. C24
, Ql 6. Ql 7. C31゜C32・・・・・・N
PN) transistor, C12, C22°Ql 5. C25
, Ql 8. C28, Ql 9...PNP) transistor, IEEE, IEEE2. IEE3...
Constant current source, C1... Capacitor, VCc...
...High potential voltage source, VER...Low potential voltage source.

Claims (1)

【特許請求の範囲】 1、入力信号を第1の差動増幅回路の正相入力端子に供
給し、該第1の差動増幅回路の出力信号を第1のエミッ
タホロワ回路を介してコンデンサに充電せしめ、このコ
ンデンサの電荷を第2の差動増幅回路の正相入力端子に
入力したピークレベル検出回路において、前記第2の差
動増幅回路の出力信号を第2のエミッタホロワ回路を介
して前記第1及び第2の差動増幅回路の逆相入力端子に
帰還することを特徴とするピークレベル検出回路。 2、前記第2の差動増幅回路を構成する正相入力側入力
段トランジスタとコレクタ負荷との間に該入力段トラン
ジスタと同極性の第1のトランジスタを接続し、該第1
のトランジスタのベース電流を基準電流源とし出力電流
を前記第2の差動増幅回路の正相入力端子に帰還するカ
レントミラー回路を設けたことを特徴する特許請求の範
囲第1項記載のピークレベル検出回路。 3、前記第2の差動増幅回路の入力段トランジスタとは
逆極性の第2のトランジスタのエミッタを前記カレント
ミラー回路の出力端子に、ベースを前記第2の差動増幅
回路の入力段トランジスタのコレクタに、コレクタを前
記第2の差動増幅回路の正相入力端子に接続することを
特徴とする特許請求の範囲第2項記載のピークレベル検
出回路。 4、前記第1の差動増幅回路を構成する正相入力側入力
段トランジスタとコレクタ負荷との間に該入力段トラン
ジスタと同極性の第3のトランジスタのエミッタを該入
力段トランジスタのコレクタに、コレクタを前記コレク
タ負荷とに接続する形で挿入し、該第3のトランジスタ
のベースを前記第1の差動増幅回路の逆相入力側入力段
トランジスタのコレクタに接続することを特徴する特許
請求の範囲第1項、第2項または第3項記載のピークレ
ベル検出回路。 5、前記第1の差動増幅回路を構成する逆相入力段トラ
ンジスタのコレクタと該トランジスタのコレクタ負荷と
の間に、前記第3のトランジスタと同極性の第4のトラ
ンジスタをダイオード接続し、順方向極性に挿入した事
を特徴とする特許請求項の範囲第4項記載のピークレベ
ル検出回路。
[Claims] 1. Supplying an input signal to the positive phase input terminal of a first differential amplifier circuit, and charging a capacitor with the output signal of the first differential amplifier circuit via a first emitter follower circuit. Then, in a peak level detection circuit that inputs the charge of this capacitor to the positive phase input terminal of a second differential amplifier circuit, the output signal of the second differential amplifier circuit is input to the second emitter follower circuit. A peak level detection circuit characterized in that feedback is fed back to the opposite phase input terminals of the first and second differential amplifier circuits. 2. A first transistor having the same polarity as the input stage transistor is connected between the positive phase input side input stage transistor constituting the second differential amplifier circuit and the collector load, and
The peak level according to claim 1, further comprising a current mirror circuit which uses the base current of the transistor as a reference current source and feeds back the output current to the positive phase input terminal of the second differential amplifier circuit. detection circuit. 3. Connect the emitter of the second transistor having the opposite polarity to the input stage transistor of the second differential amplifier circuit to the output terminal of the current mirror circuit, and connect the base to the input stage transistor of the second differential amplifier circuit. 3. The peak level detection circuit according to claim 2, wherein the collector is connected to the positive phase input terminal of the second differential amplifier circuit. 4. An emitter of a third transistor having the same polarity as the input stage transistor is connected to the collector of the input stage transistor between the positive phase input side input stage transistor constituting the first differential amplifier circuit and the collector load; A collector is inserted in a manner connected to the collector load, and a base of the third transistor is connected to a collector of an input stage transistor on the negative phase input side of the first differential amplifier circuit. The peak level detection circuit according to the first, second or third range. 5. A fourth transistor having the same polarity as the third transistor is diode-connected between the collector of the negative-phase input stage transistor constituting the first differential amplifier circuit and the collector load of the transistor, and A peak level detection circuit according to claim 4, characterized in that the peak level detection circuit is inserted in a direction polarity.
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