JPH067401B2 - 光磁気ディスク用磁界印加電磁石 - Google Patents
光磁気ディスク用磁界印加電磁石Info
- Publication number
- JPH067401B2 JPH067401B2 JP95388A JP95388A JPH067401B2 JP H067401 B2 JPH067401 B2 JP H067401B2 JP 95388 A JP95388 A JP 95388A JP 95388 A JP95388 A JP 95388A JP H067401 B2 JPH067401 B2 JP H067401B2
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- optical disk
- magnetic
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Description
【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は、光磁気ディスク用磁界印加電磁石に関する。
〔従来の技術〕 従来の光磁気記録において記録情報を消去する場合に
は、外部磁界を記録時とは逆極性に印加し、レーザ光ビ
ームを記録時と同等の強度で記録媒体に一様に照射す
る、いわゆる一括消去が行なわれている。即ち外部磁界
印加により記録媒体の磁化状態は記録前の初期状態に戻
している。
は、外部磁界を記録時とは逆極性に印加し、レーザ光ビ
ームを記録時と同等の強度で記録媒体に一様に照射す
る、いわゆる一括消去が行なわれている。即ち外部磁界
印加により記録媒体の磁化状態は記録前の初期状態に戻
している。
ここで、公知の外部磁界印加手段は、例えば空心コイル
を用いる方法、電磁石を用いる方法、あるいは永久磁石
を用いる方法がある。
を用いる方法、電磁石を用いる方法、あるいは永久磁石
を用いる方法がある。
前述の磁界印加手段において、記録時と消去時とでは通
常数１００エルステッド以上の印加磁界が必要であるた
めに、空心コイルを用いる場合には、コイルが大型化
し、これに伴って、磁界切換速度が遅くなるとともに、
記録媒体とコイルとの距離を充分に接近させないと所要
の印加磁界が得られないという欠点がある。また電磁石
を用いる場合にも、磁界印加手段は大型化し、コイルの
インダクタンスが大きいために磁界切換速度が遅いとい
う欠点が生じている。さらに、永久磁石を用いる場合に
は、機械的な駆動手段を用いて磁界を切り変えるために
複雑な機構が必要であり、この場合も磁界切換速度は遅
いものとなっている。以上の述べたように、従来いずれ
の外部磁界印加手段によっても磁界切換速度は遅いため
に、消去には前述の一括消去方式が用いられ、また記録
するときには、一定磁界印加中にレーザパワーを高速変
調する方法が用いられている。即は、従来の装置では既
に記録された情報に新しい情報を高速で重ね書きするい
わゆるオーバーライト機能を持たせることが困難である
という問題点がある。
常数１００エルステッド以上の印加磁界が必要であるた
めに、空心コイルを用いる場合には、コイルが大型化
し、これに伴って、磁界切換速度が遅くなるとともに、
記録媒体とコイルとの距離を充分に接近させないと所要
の印加磁界が得られないという欠点がある。また電磁石
を用いる場合にも、磁界印加手段は大型化し、コイルの
インダクタンスが大きいために磁界切換速度が遅いとい
う欠点が生じている。さらに、永久磁石を用いる場合に
は、機械的な駆動手段を用いて磁界を切り変えるために
複雑な機構が必要であり、この場合も磁界切換速度は遅
いものとなっている。以上の述べたように、従来いずれ
の外部磁界印加手段によっても磁界切換速度は遅いため
に、消去には前述の一括消去方式が用いられ、また記録
するときには、一定磁界印加中にレーザパワーを高速変
調する方法が用いられている。即は、従来の装置では既
に記録された情報に新しい情報を高速で重ね書きするい
わゆるオーバーライト機能を持たせることが困難である
という問題点がある。
本発明の目的は、このような従来の問題点を解決して、
大きい磁界の高速スイッチングを可能にする新規な外部
磁界印加手段を有して、さらに光ディスクの脱着を容易
にする光磁気ディスク用磁界印加電磁石を提供すること
にある。
大きい磁界の高速スイッチングを可能にする新規な外部
磁界印加手段を有して、さらに光ディスクの脱着を容易
にする光磁気ディスク用磁界印加電磁石を提供すること
にある。
本発明の光磁気ディスク用磁界印加電磁石は、光磁気デ
ィスクの周辺部で折返してＵ字形とし、この折返し部分
に分離境界を有し、このＵ字形の二つの直線部が前記光
磁気ディスクの両面のそれぞれに対面した高透磁率磁性
体と、前記直線部の一つの一端に設けられた中空部のま
わりの光磁気ディスクの面側に設けた第１のコイルと、
前記直線部の少なくとも一方に前記第１のコイルと同一
方向の磁界を発生するように設けられた複数のコイル
と、前記Ｕ字形の高透磁率磁性体を前記分離境界で分離
・結合する接続機構とを有して構成される。
ィスクの周辺部で折返してＵ字形とし、この折返し部分
に分離境界を有し、このＵ字形の二つの直線部が前記光
磁気ディスクの両面のそれぞれに対面した高透磁率磁性
体と、前記直線部の一つの一端に設けられた中空部のま
わりの光磁気ディスクの面側に設けた第１のコイルと、
前記直線部の少なくとも一方に前記第１のコイルと同一
方向の磁界を発生するように設けられた複数のコイル
と、前記Ｕ字形の高透磁率磁性体を前記分離境界で分離
・結合する接続機構とを有して構成される。
ここで高透磁率磁性体にはフェライト（ＭｎＺｎ，Ｎｉ
Ｚｎなど）、パーマロイ（ＮｉＦｅ）、センダスト、ア
モルファス（ＣｏＺｒ，ＦｅＣｏＺｒ，ＣｏＮｂ，Ｃｏ
Ｔａ，ＣｏＨｆなど）、鉄心などが考えられる。
Ｚｎなど）、パーマロイ（ＮｉＦｅ）、センダスト、ア
モルファス（ＣｏＺｒ，ＦｅＣｏＺｒ，ＣｏＮｂ，Ｃｏ
Ｔａ，ＣｏＨｆなど）、鉄心などが考えられる。
また、同心円状の中空を有するＵ字形の高透磁率磁性体
はレーザ集光用レンズと光磁気媒体の間に設定し、その
中空の内径はレーザービームが通過でき、かつトラッキ
ングによりトラック方向にレンズが動かせる程度の大き
さに設定される。
はレーザ集光用レンズと光磁気媒体の間に設定し、その
中空の内径はレーザービームが通過でき、かつトラッキ
ングによりトラック方向にレンズが動かせる程度の大き
さに設定される。
また、Ｕ字型高透磁率磁性体の上半分はもう一つの電磁
石によって分離できるようにして、光磁気ディスクの脱
着が容易に出来るようにする。従って光磁気ディスクが
セットされているときは、Ｕ字型高透磁率磁性体の二つ
の直線部は磁気的に結合し、光磁気ディスクが取り外さ
れているときはＵ字型高透磁率磁性体の二つの直線部は
磁気的に分離される。このようにすることにより、光磁
気ディスクの脱着を容易にし、且つオーバーライトに十
分な磁界を高速で発生する。
石によって分離できるようにして、光磁気ディスクの脱
着が容易に出来るようにする。従って光磁気ディスクが
セットされているときは、Ｕ字型高透磁率磁性体の二つ
の直線部は磁気的に結合し、光磁気ディスクが取り外さ
れているときはＵ字型高透磁率磁性体の二つの直線部は
磁気的に分離される。このようにすることにより、光磁
気ディスクの脱着を容易にし、且つオーバーライトに十
分な磁界を高速で発生する。
以下、本発明の実施例について図面を参照して説明す
る。
る。
第１図は本発明の一実施例の構成図である。この実施例
では光磁気ディスク１１の周辺部で折返してＵ字形とし
た高透磁率磁性体が、この折返し部分に分離境界面を持
った第１の高透磁率磁性体１と第２の高透磁率磁性体２
とにより形成され、第１および第２の高透磁率磁性体１
および２はそれぞれ光磁気ディスク１１の表面および裏
面に対面している。さらに第１の高透磁率磁性体１の先
端に設けられた中空部２１のまわりの光磁気ディスク面
側に第１のコイル８が設けられ、第２の高透磁率磁性体
２には磁界発生電流変調回路１０からの記録電流によ
り、第１のコイル８に発生する磁界の方向と同じ方向に
磁界が発生するコイル７および９が設けられている。さ
らにまた固定された第２の高透磁率磁性体２から第１の
高透磁率磁性体１を分離・結合するための磁石分離機構
３が設けられた構成となっている。
では光磁気ディスク１１の周辺部で折返してＵ字形とし
た高透磁率磁性体が、この折返し部分に分離境界面を持
った第１の高透磁率磁性体１と第２の高透磁率磁性体２
とにより形成され、第１および第２の高透磁率磁性体１
および２はそれぞれ光磁気ディスク１１の表面および裏
面に対面している。さらに第１の高透磁率磁性体１の先
端に設けられた中空部２１のまわりの光磁気ディスク面
側に第１のコイル８が設けられ、第２の高透磁率磁性体
２には磁界発生電流変調回路１０からの記録電流によ
り、第１のコイル８に発生する磁界の方向と同じ方向に
磁界が発生するコイル７および９が設けられている。さ
らにまた固定された第２の高透磁率磁性体２から第１の
高透磁率磁性体１を分離・結合するための磁石分離機構
３が設けられた構成となっている。
以上の構成において磁界発生電流変調回路１０からコイ
ル７，８およびに電流を流すことにより、光磁気ディス
ク１１の裏面側に設けられた磁性薄膜１２である記録媒
体に垂直方向の印加磁界が与えられる。なお、第１およ
び第２の高透磁率磁性体１１の合計長は約２０cmのもの
が用いられ、コイル７，８および９の線径は１５０μｍ
程度、電流値としては１０ｍＡ〜１．０Ａが適当であ
る。
ル７，８およびに電流を流すことにより、光磁気ディス
ク１１の裏面側に設けられた磁性薄膜１２である記録媒
体に垂直方向の印加磁界が与えられる。なお、第１およ
び第２の高透磁率磁性体１１の合計長は約２０cmのもの
が用いられ、コイル７，８および９の線径は１５０μｍ
程度、電流値としては１０ｍＡ〜１．０Ａが適当であ
る。
このようにして構成した磁界印加手段では、コイルのイ
ンダクタンスＬを、小さくすることが容易なため、高透
磁率磁性体の端面から数mm離れた位置において、数１０
０エルステッドの磁界を数ＭHzの高速で容易に切り変え
ることができる。
ンダクタンスＬを、小さくすることが容易なため、高透
磁率磁性体の端面から数mm離れた位置において、数１０
０エルステッドの磁界を数ＭHzの高速で容易に切り変え
ることができる。
第２図は第１図の実施例に周辺系を付加した光磁気記録
再生装置の構成図で、この装置により、光磁気ディスク
１１への記録再生消去を行なった。第２図において磁界
発生電流変調回路１０の出力電流がコイル７，８および
９に流れ、光磁気ディスク１１の磁性薄膜１２で構成さ
れた記録媒体に上向き及び下向きの磁界が交互に印加さ
れる。
再生装置の構成図で、この装置により、光磁気ディスク
１１への記録再生消去を行なった。第２図において磁界
発生電流変調回路１０の出力電流がコイル７，８および
９に流れ、光磁気ディスク１１の磁性薄膜１２で構成さ
れた記録媒体に上向き及び下向きの磁界が交互に印加さ
れる。
光磁気記録用ヘッド３１は従来と同等のものであり、次
のような構成を有する。３２は直線偏光のレーザ光源で
あり、例えば半導体レーザが使用される。３３，３４，
３５はビームスプリッタである。レーザ光ビーム集光用
レンズ３６はアクチュエータ３７により支持されてい
る。フォーカスエラーおよびトラッキングエラー信号は
それぞれフォーカスエラー信号検出用受光素子３８、ト
ラッキングエラー信号検出用受光素子３９によってサー
ボ制御回路４０〜４１に入力され、サーボ信号となり、
アクチュエータ３７にフィードバックされる。再生信号
は偏光フィルタ４２を通過後、再生信号用受光素子４３
によって検出され、再生信号増幅回路４４によって増幅
される。偏光フィルタ４２としてはグラムトムソンプリ
ブムを用い、再生信号検出用受光素子４３としてはＰＩ
Ｎフォトダイオードを用いた。レーザ光源３２の変調に
はレーザ光源変調回路４５が使用され、記録時、消去
時、再生時に合わせてレーザ光のパワーが変調される。
のような構成を有する。３２は直線偏光のレーザ光源で
あり、例えば半導体レーザが使用される。３３，３４，
３５はビームスプリッタである。レーザ光ビーム集光用
レンズ３６はアクチュエータ３７により支持されてい
る。フォーカスエラーおよびトラッキングエラー信号は
それぞれフォーカスエラー信号検出用受光素子３８、ト
ラッキングエラー信号検出用受光素子３９によってサー
ボ制御回路４０〜４１に入力され、サーボ信号となり、
アクチュエータ３７にフィードバックされる。再生信号
は偏光フィルタ４２を通過後、再生信号用受光素子４３
によって検出され、再生信号増幅回路４４によって増幅
される。偏光フィルタ４２としてはグラムトムソンプリ
ブムを用い、再生信号検出用受光素子４３としてはＰＩ
Ｎフォトダイオードを用いた。レーザ光源３２の変調に
はレーザ光源変調回路４５が使用され、記録時、消去
時、再生時に合わせてレーザ光のパワーが変調される。
光磁気ディスクとして１２０mm径のプラスチック基板上
にスパッタ法により形成されたＳｉＮ上に、さらにＴｂ
ＦｅＣｏ膜を８００オングストローム厚に、形成し、こ
のＴｂＦｅＣｏ膜上にさらにＳｉＮを形成したディスク
を使用した。基板としては予めトラックピッチ１．６μ
ｍ、深さ７００オングストロームの溝が形成されたいわ
ゆるプリグルーブ基板を用いた。
にスパッタ法により形成されたＳｉＮ上に、さらにＴｂ
ＦｅＣｏ膜を８００オングストローム厚に、形成し、こ
のＴｂＦｅＣｏ膜上にさらにＳｉＮを形成したディスク
を使用した。基板としては予めトラックピッチ１．６μ
ｍ、深さ７００オングストロームの溝が形成されたいわ
ゆるプリグルーブ基板を用いた。
第３図(a)〜(c)は記録の動作モード図である。記録媒体
をキュリー温度以上に上昇できる一定強度のレーザビー
ムを照射しながら、外部磁界印加のためのコイル７，８
および９に第３図(b)に示すような変調電流を流すこと
によって、記録パターンに対応した外部磁界が印加さ
れ、記録媒体の走行に伴なう冷却過程で印加磁界方向に
対応して、第３図(c)に示すような記録磁化状態が実現
される。まず線速９ｍ／secにてディスク面上４ｍＷの
一定強度レーザ光を照射しながら、外部磁界印加手段の
コイル７，８および９に１ＭHzで、８００ｍＡの変調電
流を流したところ、良好な記録ができた。この記録トラ
ック上に新たに同一条件で記録磁界を0.5ＭHzで印加し
たところ、この記録磁界に対応した記録ができ、前に記
録した信号の消え残りはみられなかった。
をキュリー温度以上に上昇できる一定強度のレーザビー
ムを照射しながら、外部磁界印加のためのコイル７，８
および９に第３図(b)に示すような変調電流を流すこと
によって、記録パターンに対応した外部磁界が印加さ
れ、記録媒体の走行に伴なう冷却過程で印加磁界方向に
対応して、第３図(c)に示すような記録磁化状態が実現
される。まず線速９ｍ／secにてディスク面上４ｍＷの
一定強度レーザ光を照射しながら、外部磁界印加手段の
コイル７，８および９に１ＭHzで、８００ｍＡの変調電
流を流したところ、良好な記録ができた。この記録トラ
ック上に新たに同一条件で記録磁界を0.5ＭHzで印加し
たところ、この記録磁界に対応した記録ができ、前に記
録した信号の消え残りはみられなかった。
以上述べたように本発明によれば、光磁気ディスクの両
側に対面する高透磁率磁性体には二つに分離できる高透
磁率磁性体を用い、且つこの高透磁率磁性体の上半分と
固定された下半分とを分離・結合できる機構を有してい
るために光ディスクの脱着が容易であり、さらにコイル
のインダクタンスを小さくできるために大きい磁界の高
速スイッチングが可能であり、且つ磁束利用効率の良い
光磁気ディスク用磁界印加電磁石を提供できる。従っ
て、光磁気記録再生方式では従来の一括消去を必要とせ
ずに直接所望の記録が可能なオーバーライト性能が実現
でき、且つディスクの脱着が容易になるという効果があ
る。
側に対面する高透磁率磁性体には二つに分離できる高透
磁率磁性体を用い、且つこの高透磁率磁性体の上半分と
固定された下半分とを分離・結合できる機構を有してい
るために光ディスクの脱着が容易であり、さらにコイル
のインダクタンスを小さくできるために大きい磁界の高
速スイッチングが可能であり、且つ磁束利用効率の良い
光磁気ディスク用磁界印加電磁石を提供できる。従っ
て、光磁気記録再生方式では従来の一括消去を必要とせ
ずに直接所望の記録が可能なオーバーライト性能が実現
でき、且つディスクの脱着が容易になるという効果があ
る。
第１図は本発明の一実施例の構成図、第２図は第１図の
実施例を光磁気ディスク装置に適用した場合の構成図、
第３図は第２図の記録の動作モード図である。 １，２……高透磁率磁性体、３……磁石分離機構、７，
８，９……コイル、１０……磁界発生電流変調発生回
路、２１……中空部、３１……光磁気記録用ヘッド、１
１……光ディスク基板、１２……磁性薄膜、３２……レ
ーザ光源、３３，３４，３５……ビームスプリッタ、３
６……レーザ光ビーム集光レンズ、３７……アクチュエ
ータ、３８……フォーカスエラー信号検出用受光素子、
３９……トラッキングエラー信号検出用受光素子、４
０，４１……サーボ制御回路、４２……偏光フィルタ、
４３……再生信号検出用受光素子、４４……増幅回路、
４５……レーザ光源変調回路。
実施例を光磁気ディスク装置に適用した場合の構成図、
第３図は第２図の記録の動作モード図である。 １，２……高透磁率磁性体、３……磁石分離機構、７，
８，９……コイル、１０……磁界発生電流変調発生回
路、２１……中空部、３１……光磁気記録用ヘッド、１
１……光ディスク基板、１２……磁性薄膜、３２……レ
ーザ光源、３３，３４，３５……ビームスプリッタ、３
６……レーザ光ビーム集光レンズ、３７……アクチュエ
ータ、３８……フォーカスエラー信号検出用受光素子、
３９……トラッキングエラー信号検出用受光素子、４
０，４１……サーボ制御回路、４２……偏光フィルタ、
４３……再生信号検出用受光素子、４４……増幅回路、
４５……レーザ光源変調回路。
Claims (1)
- 【請求項１】光磁気ディスクの周辺部で折返してＵ字形
とし、この折返し部分に分離境界を有し、このＵ字形の
二つの直線部が前記光磁気ディスクの両面のそれぞれに
対面した高透磁率磁性体と、前記直線部の一つの一端に
設けられた中空部のまわりの光磁気ディスクの面側に設
けた第１のコイルと、前記直線部の少なくとも一方に前
記第１のコイルと同一方向の磁界を発生するように設け
られた複数のコイルと、前記Ｕ字形の高透磁率磁性体を
前記分離境界で分離・結合する接続機構とを有すること
を特徴とする光磁気ディスク用磁界印加電磁石。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP95388A JPH067401B2 (ja) | 1988-01-05 | 1988-01-05 | 光磁気ディスク用磁界印加電磁石 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP95388A JPH067401B2 (ja) | 1988-01-05 | 1988-01-05 | 光磁気ディスク用磁界印加電磁石 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH01178105A JPH01178105A (ja) | 1989-07-14 |
| JPH067401B2 true JPH067401B2 (ja) | 1994-01-26 |
Family
ID=11488038
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP95388A Expired - Fee Related JPH067401B2 (ja) | 1988-01-05 | 1988-01-05 | 光磁気ディスク用磁界印加電磁石 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH067401B2 (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2653563B2 (ja) * | 1991-03-11 | 1997-09-17 | シャープ株式会社 | 光磁気ディスク装置 |
-
1988
- 1988-01-05 JP JP95388A patent/JPH067401B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH01178105A (ja) | 1989-07-14 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |