JPH0670143A

JPH0670143A - 画像記録装置

Info

Publication number: JPH0670143A
Application number: JP4221369A
Authority: JP
Inventors: Koji Hata; 幸次畑
Original assignee: Fuji Photo Film Co Ltd
Current assignee: Fujifilm Holdings Corp
Priority date: 1992-08-20
Filing date: 1992-08-20
Publication date: 1994-03-11

Abstract

(57)【要約】【目的】画像記録時において画像信号に基づく再現性
を向上できる。【構成】同期処理回路１２０では、画素クロックＧＣ
１で同期がとられた２つの信号、１走査線の画像記録画
素に対してハイレベルとなるラスタゲート信号ＲＧ１、
及び白画素の画像データのパルス幅を有する信号／ＦＦ
の論理積の信号ＲＧ０１がＰＷＭ５０へ出力される。こ
の信号ＲＧ０１は、白色の画素のときローレベルとな
る。ＰＷＭ５０では、信号ＲＧ０１に基づいて半導体レ
ーザーを変調するためのパルス信号を生成する。従っ
て、ＰＷＭ５０では、白色画素に対応するパルス信号を
形成しないため、白色画素に対応する画像記録時には微
弱なレーザービームが発生することなく、感光材料はか
ぶりを生じることはない。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明は、画像記録装置にかか
り、特に、複数の波長を含んだ光ビームを感光材料へ露
光させることによって画像の記録を行う画像記録装置に
関する。

【０００２】

【従来の技術】従来より、複数の異なる波長のレーザビ
ームを混合したレーザービームによって感光材料を露光
することにより、画像を記録するレーザビームプリンタ
等の画像記録装置が知られている。

【０００３】この画像記録装置の光源としては、所定の
波長帯域の光（レーザービーム）を得ることができる気
体レーザー等が用いられていたが、装置が大型になり、
かつ光出力を変調することが複雑な構成を用いなければ
ならないため、最近では、小型かつ容易に光出力を変調
できる半導体レーザーが用いられるようになった。

【０００４】画像露光装置には、ポリゴンミラー（回転
多面鏡）が備えられており、このポリゴンミラーに設け
られた反射面へレーザービームを照射すると共に、ポリ
ゴンミラーを回転させることによりレーザービームの主
走査を行っている。また、副走査は感光材料を移動させ
て行っている。このように、レーザービームの主走査及
び副走査が行われることにより感光材料に２次元の画像
が記録される。なお、ポリゴンミラーから反射されたレ
ーザービームを偏向器を介して感光材料に照射し、この
偏向器によって副走査方向にレーザービームを偏向させ
ることにより副走査を行う場合もある。

【０００５】上記半導体レーザーを用いた画像記録装置
によって感光材料に画像を記録するときは、画素毎に、
感光材料の発色濃度が適正になるように、濃度に応じて
半導体レーザーをパルス幅変調することによって最適な
露光量のレーザービームで感光材料を照射している。

【０００６】

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、図１６
に示したように、感光材料が露光量と濃度との特性を有
することは周知である。また、感光材料の成分等によっ
て、最小の発色濃度を得るための最小の露光量は異なる
（図１６の実線及び１点鎖線で示した特性の感光材料に
よる露光量Ｅａ，Ｅｂ）。従って、画像を記録するとき
の画像濃度を表す画像データを単純に露光量に対応させ
るのみでは、画像データに応じて濃度が変化する露光量
の範囲が狭くなり、画像の分解能が低下してしまう。

【０００７】これを解消するために、最小の画像濃度を
表す画像データを最小の露光量にすることが考えられる
が、多重露光する場合には、この最小の露光量による微
弱な光が多数回露光されることによって、かぶりや色ム
ラが生じて、画像が不自然となり、画像データに基づく
適正な画像を再現できないという問題がある。

【０００８】本発明は上記問題を解決すべく成されたも
ので、画像記録時において画像信号に基づく再現性を向
上できる画像記録装置を得ることが目的である。

【０００９】

【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に請求項１に記載の発明は、レーザービームを射出する
半導体レーザーと、前記レーザービームを感光材料へ走
査する走査手段と、前記感光材料へ記録する画像の濃度
を表す画像データに応じたパルス幅のパルス信号を形成
するパルス信号形成手段と、前記パルス信号に基づいて
前記半導体レーザーに流れる電流をパルス幅変調するパ
ルス幅変調手段と、前記画像データが前記画像の最小濃
度を表すときは、対応する前記パルス信号のパルス幅を
０にするように前記パルス信号形成手段を補正する補正
手段と、を備えている。

【００１０】請求項２に記載の発明は、請求項１に記載
の画像記録装置において、前記補正手段は、前記画像デ
ータが前記画像の最小濃度を表すときは対応する前記パ
ルス幅を０にすると共に、前記画像データが該画像の最
小濃度を除いた濃度のうちの最小濃度を表すときは前記
感光材料に最小濃度が現れる最小のパルス幅になるよう
に、前記パルス信号形成手段を補正することを特徴とし
ている。

【００１１】

【作用】請求項１に記載した発明の画像記録装置は、半
導体レーザーから射出されたレーザービームを、走査手
段によって感光材料へ走査する。パルス信号形成手段
は、感光材料へ記録する画像の濃度を表す画像データに
応じたパルス幅のパルス信号を形成する。このパルス信
号に基づいて、パルス幅変調手段が、半導体レーザーに
流れる電流をパルス幅変調する。補正手段は、画像デー
タが画像の最小濃度を表すときは、パルス信号の対応す
るパルス幅を０にするようにパルス信号形成手段を補正
する。従って、最小濃度の画像データ、例えば、発色さ
せずに白色画像を得るときの実質的に感光材料へ形成さ
れる濃度が０となる場合には、パルス幅が０のパルス信
号が形成されることによって、感光材料のレーザービー
ムによる照射はない。このため、感光材料には微弱なレ
ーザービームによるカブリが生じることなく適正な画像
が形成される。さらに、カラー画像記録のように多重露
光する場合には、微弱なレーザービームによるかぶりが
発生することはないので好適である。

【００１２】また、請求項２に記載の発明では、補正手
段は、画像データが画像の最小濃度を表すときは対応す
るパルス幅を０にすると共に、画像データが該画像の最
小濃度を除いた濃度のうちの最小濃度を表すときは感光
材料に最小濃度が現れる最小のパルス幅になるようにパ
ルス信号形成手段を補正する。これによって、最小濃度
の画像データに対応するパルス幅のパルス信号が除去さ
れると共に、この最小濃度を越えた濃度から感光材料に
最小濃度が現れるので、感光材料には、画像データに応
じた階調で濃度が現れるに充分な最適なレーザービーム
が照射される。従って、感光材料は微弱なレーザービー
ムによるカブリが生じることがなくかつ画像データに対
応する階調で適正な画像が形成される。

【００１３】

【実施例】以下、図面を参照して、本発明の実施例を詳
細に説明する。図１は本発明が適用された画像露光装置
１０を示したものである。

【００１４】画像露光装置１０は、半導体レーザー１４
ａ、１４ｂ及び１４ｃを備えている。この半導体レーザ
ー１４ａ、１４ｂ及び１４ｃの各々は、後述する制御装
置４０（図２参照）により駆動され、半導体レーザー１
４ａは波長が例えば、６７０nmである赤外域のレーザー
ビームＬ１を射出し、半導体レーザー１４ｂ及び１４ｃ
は各々８１０nm、７５０nmの波長のレーザービームＬ
２、Ｌ３を射出する。また、レーザービームＬ１、Ｌ２
及びＬ３の波長は、感光材料３６が露光されることによ
り発色するマゼンタ、イエロー及びシアンの各色に対応
されている。なお、これらの波長のレーザービームＬ
１、Ｌ２及びＬ３を射出する半導体レーザー１４は極め
て容易に入手できるものである。

【００１５】半導体レーザー１４ａのレーザービーム射
出側にはレーザービームＬ１を平行光束にするコリメー
タレンズ１６ａが配設されると共に、コリメータレンズ
１６ａから所定の間隔を隔ててシリンドリカルレンズ１
８ａと反射ミラー２０とが設けられている。同様に、半
導体レーザー１４ｂ及び１４ｃのレーザービーム射出側
には各々コリメータレンズ１６ｂ、１６ｃが配設され、
このコリメータレンズ１６ｂ、１６ｃから所定の間隔を
隔ててシリンドリカルレンズ１８ｂ、１８ｃが設けられ
ている。

【００１６】シリンドリカルレンズ１８ｂ、１８ｃを透
過するレーザービームＬ２、Ｌ３の光路上にはダイクロ
イックミラー２２ａ、２２ｂが配設されている。反射ミ
ラー２０とダイクロイックミラー２２ａ、２２ｂとは同
一の傾斜角度を有し、各々のレーザービームＬ１、Ｌ２
及びＬ３を同一の光路２４に導く。ダイクロイックミラ
ー２２ａはレーザービームＬ１を透過させると共にレー
ザービームＬ２を反射させる。一方、ダイクロイックミ
ラー２２ｂはレーザービームＬ１及びＬ２を透過させる
と共にレーザービームＬ３を反射させる機能を備えてい
る。

【００１７】同一の光路２４に至ったレーザービームＬ
１、Ｌ２及びＬ３は反射ミラー２６、２８により反射さ
れた後、ポリゴンミラー３０に入射される。ポリゴンミ
ラー３０は矢印方向に回転し、このポリゴンミラー３０
により反射されたレーザービームＬ１、Ｌ２及びＬ３は
ｆθレンズ３２を通過して面倒れ補正のためのシリンド
リカルミラー３４で反射され、感光材料３６上を矢印Ａ
方向に主走査される。感光材料３６は図示しない副走査
手段により駆動されることにより、主走査方向に略直交
する副走査方向（矢印Ｂ方向）に搬送される。これによ
り、感光材料３６に画像が形成される。

【００１８】上記半導体レーザー１４ａは、レーザーダ
イオード１３ａ及びフォトダイオード１５ａから構成さ
れたアノードコモンタイプの半導体レーザーであり（図
２参照）、レーザーダイオード１３ａは制御装置４０の
制御信号に応じてレーザービームＬ１を射出し、フォト
ダイオード１５ａはレーザーダイオード１３ａから射出
されたレーザービームＬ１の光出力を検出する。半導体
レーザー１４ｂはレーザーダイオード１３ｂ及びフォト
ダイオード１５ｂから構成されたカソードコモンタイプ
の半導体レーザーであり、半導体レーザー１４ｃはレー
ザーダイオード１３ｃ及びフォトダイオード１５ｃから
構成されたカソードコモンタイプの半導体レーザーであ
る。これらの半導体レーザー１４ａ、１４ｂ、１４ｃ、
すなわちレーザーダイオード１３ａ、１３ｂ、１３ｃ及
びフォトダイオード１５ａ、１５ｂ、１５ｃは、制御装
置４０に接続されている。

【００１９】〔制御装置〕図２に示したように、制御装
置４０は、中央演算処理装置（ＣＰＵ）を有するマイク
ロコンピュータで構成されたメイン制御基板（ＶＥＣ基
板）４２を備えている。このＶＥＣ基板４２は、各々の
相互間のデータ及びコマンド等の入出力を行うための複
数のバスライン６２、６４、６６、６８を介して半導体
レーザー駆動基板（ＬＤ基板）４４に接続されている。
なお、このＶＥＣ基板４２は、図示しない記憶装置を備
えており、この図示しない図示しない記憶装置に他の装
置、例えばホストコンピュータ等から供給される画像の
濃度に応じた画像データが記憶されている。また、ＶＥ
Ｃ基板４２には、半導体レーザー１４ａ，１４ｂ，１４
ｃ及び後述するＥＣＬのレシーバ２０２の各々の温度を
計測する図示しないサーミスタが、図示しないアナログ
デジタル変換器を介して接続されている。

【００２０】ＬＤ基板４４は、ゲートアレイ回路（Ｇ／
Ａ）４６、パルス幅変調回路（ＰＷＭ）５０、５２、５
４、レーザー駆動回路（ＬＤＤ）５６、５８、６０、及
び温調回路（ＴＥＭ）４８から構成されている。ＰＷＭ
５０、５２、５４及びＬＤＤ５６、５８、６０は、半導
体レーザー１４ａ，１４ｂ，１４ｃに対応して設けられ
ている。このＰＷＭ５０は信号線７０を介してＬＤＤ５
６へ接続され、ＰＷＭ５２は信号線７２を介してＬＤＤ
５８へ接続され、ＰＷＭ５４は信号線７４を介してＬＤ
Ｄ６０へ接続されている。また、ＰＷＭ５０、５２、５
４及びＬＤＤ５６、５８、６０の各々は、Ｇ／Ａ４６
に、相互間のデータ及びコマンド等の入出力を行うため
の複数のバスライン７６、７８、８０、８２、８４、８
６を介して接続されている。また、温調回路４８は、Ｇ
／Ａ４６に、バスライン８８を介して接続されている。

【００２１】（Ｇ／Ａ）図３に示したように、ゲートア
レイ回路（Ｇ／Ａ）４６は、白信号処理回路１０２、半
導体レーザーの出力を制御するための制御信号を生成す
るレーザーパワー制御信号生成回路１０４、デコーダ回
路１０６を有している。このデコーダ回路１０６は、ア
ドレスデコードを行うためのアドレスデコーダ、入出力
されるレーザーパワーのデジタルデータをラッチするた
めのデータラッチ回路、入力ポート及び出力ポートを含
んでいる。

【００２２】白信号処理回路１０２は、半導体レーザー
１４ａ、１４ｂ、１４ｃに対応する同期処理回路１２
０、１２２、１２４を有しており、各々の同期処理回路
１２０、１２２、１２４は、論理回路で構成されてい
る。この同期処理回路１２０、１２２、１２４の各々に
は、画面の１走査線における画像記録時間だけハイレベ
ルとなるラスタゲート信号（信号名、ＲＧ１、ＲＧ２、
ＲＧ３）が入力されるように、ＶＥＣ基板４２が接続さ
れている。また、同期処理回路１２０、１２２、１２４
は、各々半導体レーザー１４ａ、１４ｂ、１４ｃに対応
したＰＷＭ５０、５２、５４に接続されている。

【００２３】レーザーパワー制御信号生成回路１０４
は、半導体レーザー１４ａ、１４ｂ、１４ｃの何れかの
出力を制御するときの論理に応じた信号（信号名、ＡＰ
１、ＡＰ２）が入力されるように、ＶＥＣ基板４２に接
続されている。このレーザーパワー制御信号生成回路１
０４は、入力された信号（ＡＰ１，ＡＰ２）を、対応す
る画素クロック（ＧＣ１，ＧＣ２，ＧＣ３）で同期され
た信号（信号名、ＡＰ０１，ＡＰ０２，ＡＰ０３）とし
て出力するものである。また、レーザーパワー制御信号
生成回路１０４は、生成された制御信号（ＡＰ０１、Ａ
Ｐ０２、ＡＰ０３）が半導体レーザー１４ａ、１４ｂ、
１４ｃに対応するＰＷＭ５０、５２、５４へ出力される
ように接続されている。

【００２４】デコーダ回路１０６は、ＶＥＣ基板４２に
接続されている。また、デコーダ回路１０６は、ＬＤＤ
５６、５８、６０及び温調回路４８に接続されている。
このデコーダ回路１０６には、半導体レーザーの駆動電
流制御データ及び半導体レーザー（フォトダイオード）
の光出力データ（信号名、ＤＢ）、デコーダ回路１０６
を制御するための制御コマンド（信号名、ＣＭ）が入出
力される。

【００２５】図７には、上記半導体レーザー１４ａに対
応する同期処理回路１２０の回路例を示した。同期処理
回路１２０は、上述のようにＶＥＣ４２及びＰＷＭ５０
と接続されている。なお、同期処理回路１２０にＰＷＭ
５０から入力される信号の詳細は後述し、この信号名を
（）内に記載する。

【００２６】同期処理回路１２０は、フリップフロップ
回路１３０、１３２を備えており、フリップフロップ回
路１３０は、ＡＮＤ回路１３６に接続されている。フリ
ップフロップ回路１３２は、ＯＲ回路１３４を介してＡ
ＮＤ回路１３６に接続されている。このＡＮＤ回路１３
６は、バッファを介して出力される信号（信号名、ＲＧ
０１）がＰＷＭ５０に入力されるように接続されてい
る。詳細は後述するが、この信号ＲＧ０１は、白色画素
に対応するパルス幅を除去するためのパルス幅部分を含
んだ信号である。また、フリップフロップ回路１３０
は、ＶＥＣ４２に、ラスタゲート信号（ＲＧ１）がバッ
ファを介して入力データとして入力されるように接続さ
れかつ、ＰＷＭ５０に、画素クロック（ＧＣ１）が同期
信号として入力されるように接続されている。この画素
クロック（ＧＣ１）はフリップフロップ回路１３２にも
同期信号として入力される。フリップフロップ回路１３
２は、ＰＷＭ５０に、白色の画像データに対応する信号
（／ＦＦ１）がバッファを介して入力データとして入力
されるように接続されている。このＡＮＤ回路１３４
は、ＰＷＭ５０に、画素クロックの遅延信号（ＧＣＳ
１）が入力されるように接続されている。

【００２７】なお、同期処理回路１２２、１２４は、同
期処理回路１２０と同一の構成のため、記載を省略す
る。

【００２８】（ＰＷＭ）図４に示したように、ＰＷＭ５
０は、デジタルアナログ（Ｄ／Ａ）変換器２１６を備え
ている。このＤ／Ａ変換器２１６は、ＶＥＣ４２から入
力される１０ビットの画像データをアナログ信号に変換
する。また、ＰＷＭ５０はＮＡＮＤ回路２１８を有して
おり、このＤ／Ａ変換器２１６には入力される画像デー
タが、ＮＡＮＤ回路２１８を介してＧ／Ａ４６へ出力さ
れるように接続されている。ＮＡＮＤ回路２１８は、白
色の画像データに対応する信号、すなわち入力される画
像データの全てのビットがハイレベルのときにローレベ
ルそれ以外のときハイレベルの信号（信号名、／ＦＦ
１）を出力する。

【００２９】Ｄ／Ａ変換器２１６には、レシーバ２０２
に接続されたＥＣＬ信号をＴＴＬ信号に変換する変換器
２１２が接続され、このレシーバ２０２にはＥＣＬの信
号である画素毎のクロック信号（画素クロック、信号名
ＧＣ１）が入力されるようにＶＥＣ４２が接続されてい
る。このＶＥＣ４２から入力される画素クロック（ＧＣ
１）は、レシーバ２０２及び変換器２１２を介して、Ｄ
／Ａ変換器２１６の同期信号として用いられる。また、
遅延回路２１０には変換器２１２を介してＧ／Ａ４６に
接続され、変換器２１２で変換された画素クロック（Ｇ
Ｃ１）のＴＴＬ信号が遅延回路２１０において所定時間
だけ遅延（信号名、ＧＣＳ１）されて、Ｇ／Ａ４６へ出
力される。

【００３０】レシーバ２０２は、積分回路２０４を介し
てコンパレータ２０６の一方の入力側に接続されてお
り、コンパレータ２０６には画素クロック（ＧＣ１）が
積分された三角波の信号波形が入力される。このコンパ
レータ２０６の他方の入力側には、Ｄ／Ａ変換器２１８
の出力が入力されるように接続されている。

【００３１】コンパレータ２０６の出力側は、ゲート回
路２０８に接続されている。このゲート回路２０８に
は、Ｇ／Ａ４６が接続されており、Ｇ／Ａ４６で生成さ
れた信号ＲＧ０１，ＡＰ０１が入力される。ゲート２０
８の出力側はＬＤＤ５６に接続されている。従って、Ｐ
ＷＭ５０において画像データに応じて変調されたパルス
信号がＬＤＤ５６に入力される。

【００３２】なお、ＰＷＭ５２、５４は、同様の構成の
ため、詳細な説明を省略する。（ＬＤＤ）図５に示したように、ＬＤＤ５６は、変調回
路３０２を備えている。この変調回路３０２は、信号線
７０を介してＰＷＭ５０及び半導体レーザー１４ａが有
するレーザーダイオード１３ａのカソードに接続されて
いる。変調回路３０２は、ＰＷＭ５０から信号線７０を
介して入力されるパルス信号によって、半導体レーザー
１４ａのレーザーダイオード１３ａへの供給電流を切り
換えて変調する回路（図１４参照）である。

【００３３】この変調回路３０２は、定電流回路３０４
及びデジタルアナログ変換器（Ｄ／Ａ）３０６を介し
て、Ｇ／Ａ４６に接続されている。このＤ／Ａ３０６に
は、Ｇ／Ａ４６から、半導体レーザー１４ａの電流制御
信号（信号名、ＤＡＴＡ１）が入力される。この定電流
回路３０４及びＤ／Ａ変換器３０６には、電源遮断時の
サージ電流を抑制するためのオフサージ対策回路３１０
が接続されている。

【００３４】定電流回路３０４は、所定の光出力のレー
ザービームが射出されるように、オートパワーコントロ
ール（ＡＰＣ制御）を行うときの半導体レーザー１４ａ
のレーザーダイオード１３ａに、定電流を供給するため
の回路である（図８参照）。このＡＰＣ制御とは、周知
のように、半導体レーザー１４ａに内蔵されたフォトダ
イオード１５ａによって光出力をモニターしながら規格
光出力になるように、半導体レーザー１４ａをドライブ
するものである。

【００３５】また、変調回路３０２の出力側には、バイ
アス回路３１２が接続されており、このバイアス回路３
１２によって生成された所定のバイアス電流が供給され
る。このバイアス電流は半導体レーザーの自己発熱によ
る光出力変化（ドループ）を低減するためのもので、画
像記録領域及び非記録領域に拘わらず、所定の電流値に
調整されている。

【００３６】レーザーダイオード１３ａのアノードは、
オンサージ対策回路３０８を介して１２Ｖの電源線に接
続されている。このオンサージ対策回路３０８は、抵抗
及びコンデンサによる所定の時定数のスロースタータ回
路と３端子レギュレータ（例えば、１２Ｖを５Ｖにす
る）で構成されており、電源投入時にオンサージ対策回
路３０８を介して供給される電源は上記時定数に応じた
時間だけ遅延される。従って、１２Ｖの電源投入時にレ
ーザーダイオード１３ａのアノードに供給される電源
（本実施例では５Ｖ）は遅延されるため、半導体レーザ
ー１４ａにサージ電流が流れることを防いでいる。レー
ザーダイオード１３ａのアノードは、フォトダイオード
１５ａのカソードに接続されている。

【００３７】また、１２Ｖの電源線は、フォトカプラ３
１８を介してＧ／Ａ４６に接続されており、フォトカプ
ラ３１８は１２Ｖの電源が供給されることによりハイレ
ベルとなる信号（信号名、ＬＤＳＴＳ）をＧ／Ａ４６へ
出力する。

【００３８】このフォトダイオード１５ａのアノード
は、入力された電流を電圧に変換して出力する電流電圧
（Ｉ／Ｖ）変換回路３１４を介してアナログデジタル変
換器（Ａ／Ｄ）３１６に接続されている。このＡ／Ｄ３
１６は、制御コマンドやフラグ等の制御信号（信号名、
ＡＤＣ１）を入出力するように及びＡ／Ｄ３１６によっ
て変換されたデジタルデータ信号（信号名、ＡＤＤ１）
を出力するようにＧ／Ａ４６へ接続されている。

【００３９】なお、ＬＤＤ５８は同様の構成のため詳細
説明を省略し、ＬＤＤ６０については略同様の構成のた
め、以下、異なる部分についてのみ説明する。また、レ
ーザーダイオード１３ｂのカソードには、フォトダイオ
ード１５ｂのカソードが接続され、レーザーダイオード
１３ｃのカソードには、フォトダイオード１５ｃのカソ
ードが接続されている。

【００４０】図６に示したように、ＬＤＤ６０の変調回
路３０２には、信号線７４を介してＰＷＭ５４及び半導
体レーザー１４ｃが有するレーザーダイオード１３ｃの
カソードに接続されている。このレーザーダイオード１
３ｃのアノードには、フォトダイオード１５ｃのカソー
ドが接続されている。

【００４１】フォトダイオード１５ｃのアノードは、Ｉ
／Ｖ変換回路３１４を介してＡ／Ｄ３１６に接続されて
いる。このＡ／Ｄ３１６は、制御コマンドやフラグ等の
制御信号（信号名、ＡＤＣ３）を入出力するように及び
Ａ／Ｄ３１６によって変換されたデジタルデータ信号
（信号名、ＡＤＤ３）を出力するようにＧ／Ａ４６へ接
続されている。

【００４２】本実施例に用いた半導体レーザー１４ｃ
（波長７５０nm）は、ドループ量が大きいことを考慮し
て、ＬＤＤ６０は、自己発熱による光出力変化を補正す
るためのドループ補正回路３２０を備えている。このド
ループ補正回路３２０にはＩ／Ｖ変換回路３１４の出力
信号が入力されるように接続されており、ドループ補正
回路３２０は、出力信号が、定電流回路３０４に入力さ
れるように接続されている。

【００４３】なお、このドループ補正回路３２０は、全
ての半導体レーザー１４ａ，１４ｂ１４ｃのＬＤＤ５
６、５８、６０に備えるようにしてもよい。

【００４４】図１４には、変調回路３０２の回路例を示
した。レーザーダイオード１３ａのカソードは、抵抗１
５７を介してトランジスタ１５０のコレクタに接続さ
れ、エミッタは抵抗１６０を介して定電流回路３０４へ
接続されている。トランジスタ１５０のベースは、半導
体レーザーをパルス変調するためのパルス信号が入力さ
れるようにＰＷＭ５０に接続されかつ、抵抗１６２を介
して−５Ｖに接続されている。レーザーダイオード１３
ａのアノードは、オンサージ対策回路３０８に接続さ
れ、かつ抵抗１５６を介してトランジスタ１５２のコレ
クタに接続されている。トランジスタ１５２のベースは
抵抗１５８を介して−５Ｖに接続され、エミッタはトラ
ンジスタ１５０のエミッタに接続されている。このトラ
ンジスタ１５２のベースには、上記トランジスタ１５０
のベースに供給されるパルス信号の反転されたパルス信
号が入力されるようにＰＷＭ５０が接続されている。な
お、レーザーダイオード１３ａにはコンデンサ１５４が
並列に接続されている。従って、変調回路３０２は、半
導体レーザーを、ＰＷＭ５０からのパルス信号に応じて
トランジスタ１５０、１５２を交互にスイッチングする
ことによって、パルス変調することができる。

【００４５】図８には、定電流回路３０４及びオフサー
ジ対策回路３１０の回路例を示した。定電流回路３０４
は、オペアンプ３４０、トランジスタ３４２、及び抵抗
３３６によって構成される定電流を生成する回路を有し
ている。また、定電流回路３０４は減算用オペアンプ３
３８及び電圧電流（Ｖ／Ｉ）変換用オペアンプ３４０を
備えており、減算用オペアンプ３３８の一方の入力側に
はＤ／Ａ３０６から出力される信号が抵抗３３０を介し
て入力される。この減算用オペアンプ３３８の一方の入
力側は抵抗３３１を介して出力側に接続されている。減
算用オペアンプ３３８の他方の入力側は、抵抗３３３を
介して接地されると共に抵抗３３２及びツェナーダイオ
ード３４４を介して接地されている。また、抵抗３３２
とツェナーダイオード３４４との接続点は、抵抗３３５
を介して図示しない電源（−１２Ｖ）に接続されてい
る。

【００４６】減算用オペアンプ３３８の出力側は、Ｖ／
Ｉ変換用オペアンプ３４０の一方の入力側に接続されて
おり、Ｖ／Ｉ変換用オペアンプ３４０の他方の入力側は
トランジスタ３４２のエミッタに接続されている。この
トランジスタ３４２のエミッタは、端子ＴＰ１に接続さ
れ、端子ＴＰ１は抵抗３３６を介して端子ＴＰ２に接続
されている。また、トランジスタ３４２のベースは抵抗
３３４を介してＶ／Ｉ変換用オペアンプ３４０の出力側
に接続され、コレクタは変調回路３０２に接続されてい
る。このトランジスタ３４２のベースとＶ／Ｉ変換用オ
ペアンプ３４０の他方の入力側とはダイオード３４６を
介して接続されている。

【００４７】オフサージ対策回路３１０は、定電流シャ
ットダウン回路３２２及びＤＡシャットダウン回路３２
４を備えている。定電流シャットダウン回路３２２は、
レギュレータ３５９を有しており、レギュレータ３５９
の出力側は定電流回路３０４の端子ＴＰ２に接続されて
いる。このレギュレータ３５９の入力側はトランジスタ
３５６のコレクタに接続されている。このトランジスタ
３５６のベースは抵抗３５５を介してトランジスタ３５
７のコレクタに接続されている。トランジスタ３５６の
エミッタは、抵抗３５４を介してベースに接続されか
つ、抵抗３５０及びツェナーダイオード３５８を介して
接地されている。トランジスタ３５６のエミッタは、抵
抗３５１、３５３を介してトランジスタ３５７のベース
に接続されると共に、抵抗３５１、３５３の接続点は抵
抗３５２を介して接地されている。トランジスタ３５７
のエミッタはツェナーダイオード３５８のアノードに接
続されている。また、トランジスタ３５６のエミッタに
は、−１２Ｖの負電源が供給されるように図示しない電
源に接続されている。

【００４８】ＤＡシャットダウン回路３２４は、レギュ
レータ３６０を有しており、レギュレータ３６０の出力
側はＤ／Ａ３０６に接続されている。以下、定電流シャ
ットダウン回路３２２と同一構成のため、記載を省略す
る。

【００４９】図９には、図６のＩ／Ｖ変換回路３１４及
びドループ補正回路３２０の回路例を示した。Ｉ／Ｖ変
換回路３１４は、オペアンプ３７２を有して電流電圧変
換回路が構成され、オペアンプ３７２のマイナスの入力
側はフォトダイオード１５ｃに接続され、このオペアン
プ３７２の入力側と出力側とに抵抗３７４及びコンデン
サ３７３が並列に接続されている。このオペアンプ３７
２のプラスの入力側は接地されている。また、オペアン
プ３７２の出力側は抵抗３７５を介してＡ／Ｄ３１６に
接続されている。

【００５０】ドループ補正回路３２０は、オペアンプ３
７８を備えており、このオペアンプ３７８のマイナスの
入力側はＩ／Ｖ変換回路３１４からの出力信号が抵抗３
７９を介して入力されるように接続され、このオペアン
プ３７８の入力側と出力側とにはアナログスイッチ３８
５、抵抗３８３及びコンデンサ３８４が並列に接続され
ている。このオペアンプ３７８のプラスの入力側は抵抗
３８０を介して接地されている。また、オペアンプ３７
８の出力側は抵抗３８２、可変抵抗３８１及び抵抗３２
８を介して定電流回路３０４の減算用オペアンプ３３８
のプラス側に接続されている。上記アナログスイッチ３
８５は、ＶＥＣ４２から出力される信号（ＲＧ３）及び
Ｇ／Ａ（ＡＰ０３）の論理積によって制御されるように
ＡＮＤ回路３８６の出力側に接続されている。

【００５１】（ＴＥＭ）図１０には、温調回路（ＴＥ
Ｍ）の回路構成の一例を示した。このＴＥＭは、パワー
トランジスタの通電時における発熱を利用してパワート
ランジスタをオンオフすることによって温度を制御する
ものであり、本実施例では、レシーバ２０２の温度調整
に、加熱及び加熱停止するための回路ＴＥＭ４８（図１
０（１）参照）を適用させ、半導体レーザー１４ａ，１
４ｂ，１４ｃの温度調整に、強加熱、弱加熱及び加熱停
止するための回路ＴＥＭ４９（図１０（２）参照）を適
用させている。

【００５２】ＴＥＭ４８は、フォトカプラ４０２を備え
ており、フォトカプラ４０２の入力側の一方は抵抗４０
１を介して５Ｖ電源に接続され、他方はＧ／Ａ４６から
の信号が入力されるように接続されている。フォトカプ
ラ４０２の出力側の一方は接地され、他方はオペアンプ
４０４のプラス側に入力される。このオペアンプ４０４
のプラス側は、抵抗４０３を介してアナログ用５Ｖ電源
に接続されている。オペアンプ４０４の出力側は抵抗４
０６を介してパワートランジスタ４０８のベースに接続
され、このパワートランジスタ４０８のエミッタがオペ
アンプ４０４のマイナス側に入力されるように接続され
ている。また、パワートランジスタ４０８のエミッタは
抵抗４１０を介して接地され、パワートランジスタ４０
８のコレクタは２４Ｖの電源に接続されている。

【００５３】従って、Ｇ／Ａ４６から、このＴＥＭ４８
へハイレベルの信号が入力されると、フォトカプラ４０
２はオフし、オペアンプ４０４の入力は５Ｖになる。従
って、このオペアンプ、パワートランジスタ４０８及び
抵抗４１０の構成により、パワートランジスタ４０８に
は定電流が流れ、パワートランジスタ４０８は、発熱す
ることになる。

【００５４】ＴＥＭ４９は、２個の素子からなるフォト
カプラ４１２を備えており、各々の素子の入力側の一方
は抵抗４２３、４２５を介して５Ｖ電源に接続され、他
方のＨ端及びＬ端にはＧ／Ａ４６からの異なる信号が入
力されるように接続されている。このフォトカプラ４１
２の出力側の各一方は接地され、各他方は抵抗４１５、
４１７を介してアナログ用５Ｖ電源に接続されている。
また、フォトカプラ４１２の出力側の各他方は、抵抗４
１３、４１４を介して加算回路４２０に入力されるよう
に接続されている（プラス側）。この加算回路４２０の
出力側とマイナス入力側とには抵抗４１８が並列に接続
され、マイナス入力側は抵抗４１６を介して接地されて
いる。また、加算回路４２０の出力側はオペアンプ４２
２のマイナス側に接続されている。オペアンプ４２２の
出力側は抵抗４２４を介してパワートランジスタ４２６
のベースに接続され、このパワートランジスタ４２６の
エミッタがオペアンプ４２２のマイナス側に入力される
ように接続されている。また、パワートランジスタ４２
６のエミッタは抵抗４２８を介して接地され、パワート
ランジスタ４２６のコレクタは２４Ｖの電源に接続され
ている。

【００５５】従って、Ｇ／Ａ４６から、このＴＥＭ４９
のＨ端及びＬ端へ入力される信号に応じて、フォトカプ
ラ４１２から出力され加算回路４２０に入力される電流
が変化し、加算回路４２０に入力される信号が増減す
る。例えば、ＴＥＭ４９のＨ端にハイレベルの信号及び
Ｌ端にローレベルの信号が入力されると、フォトカプラ
４１２の１つがオンし他の１つがオフし、オペアンプ４
２０には抵抗４１７、４１３と抵抗４１４による分圧が
入力される。一方、Ｈ端にローレベルの信号及びＬ端に
ハイレベルの信号が入力されると、オペアンプ４２０に
は抵抗４１５、４１４と抵抗４１３とによる分圧が入力
される。従って、オペアンプ４２２、パワートランジス
タ４２６及び抵抗４２８の構成により、パワートランジ
スタ４２６には加算回路４２０から出力される信号に応
じた定電流が流れ、パワートランジスタ４０８は、強と
弱とに発熱することになる。

【００５６】（実施例の作用）以下、本実施例の作用に
ついて説明する。

【００５７】図示しない電源スイッチが投入され、制御
装置４０に電源が供給される。このとき、各半導体レー
ザーにはオンサージ３０８を介して電源が供給されるた
め、サージ電流が抑制され、半導体レーザーの劣化及び
破壊が抑制される（図５参照）。次に詳細は後述する
が、図示しない記憶装置から供給される画像データに基
づいて、ＰＷＭ５０において画像濃度に応じたパルス幅
のパルス信号が生成され、ＬＤＤ５６においてこのパル
ス信号で変調された信号によって、半導体レーザー１４
ａが駆動され、所定の露光量のレーザービームＬ１が半
導体レーザー１４ａから射出される。同様に、ＰＷＭ５
２、５４で生成されたパルス信号により、ＬＤＤ５８、
６０で変調された信号によって、各々対応する半導体レ
ーザー１４ｂ，１４ｃが駆動され、所定の露光量のレー
ザービームＬ２、Ｌ３が射出される（図２参照）。半導
体レーザー１４ａ、１４ｂ，１４ｃから射出された各々
のレーザービームＬ１、Ｌ２、Ｌ３は、光路２４に混合
され反射ミラー２６、２８、ポリゴンミラー３０、ｆθ
レンズ３２及びシリンドリカルミラー３４を介して感光
材料３６に照射される。これにより、感光材料３６には
画像データに応じた露光量のレーザービームが照射さ
れ、所定の発色濃度が得られることにより、画像が形成
される（図１参照）。

【００５８】ここで、本実施例の制御装置４０は、レー
ザー駆動回路（ＬＤＤ）内に電源遮断時のサージ電流を
抑制するためのオフサージ対策回路３１０を有してい
る。

【００５９】図８に示したように、制御装置４０に電源
が投入されているときには定電流シャットダウン回路３
２２では、トランジスタ３５７のベースへ抵抗３５１、
３５３を介して電流が供給され、トランジスタ３５７が
オンする。従って、抵抗３５５が通電され、トランジス
タ３５５がオンして、レギュレータ３５９へ−１２Ｖの
電源が供給される。このレギュレータ３５９は、入力さ
れた−１２Ｖの電圧を−８Ｖに変換して出力する。従っ
て、端子ＴＰ２の電圧は−８Ｖになる。ＤＡシャットダ
ウン回路３２４も同様に、トランジスタ３６２のベース
へ抵抗３６５、３６８を介して電流が供給され、トラン
ジスタ３６２がオンして、抵抗３６９の通電によりトラ
ンジスタ３６１がオンして、レギュレータ３６０へ−１
２Ｖの電源が供給される。従って、Ｄ／Ａ３０６には−
８Ｖの電圧が入力される。

【００６０】定電流回路３０４では、ＶＥＣ基板４２か
ら入力される予め設定された半導体レーザーに流す電流
値であるＡＰＣ制御電流データがＤ／Ａ３０６でアナロ
グ値（例えば、電圧値）に変換される。その変換された
出力電圧、及びツェナーダイオード３４４のツェナー電
圧（例えば、−６．９Ｖ）のそれぞれを減算用オペアン
プ３３８に入力する。その減算用オペアンプ３３８の出
力電圧は、オペアンプ３４０へ入力され、オペアンプ３
４０、トランジスタ３４２、抵抗３３６とで構成される
定電流回路で定電流に変換される。この定電流が変調回
路３０２へ供給される。従って、端子ＴＰ１は、減算用
オペアンプ３３８の出力電圧と同レベルとなり、端子Ｔ
Ｐ２の電圧は−８Ｖであるため、この電位差によって抵
抗３３６に流れる電流が変調回路３０２へ供給される。

【００６１】この定電流シャットダウン回路３２２に供
給されている−１２Ｖの電源が低下（例えば、−１０
Ｖ）すると、トランジスタ３５７の抵抗３５１、３５３
によるバイアス条件が崩れ、トランジスタ３５７がオフ
する。これにより、レギュレータ３５９から電圧が出力
されなくなり、端子ＴＰ２の電圧は不定となるが、この
端子ＴＰ２には、抵抗３３６を介して端子ＴＰ１に接続
されているため、端子ＴＰ２の電圧は端子ＴＰ１に近づ
く方向で変動する。従って、変調回路３０２へ供給され
る電流は減少する変動することにより、半導体レーザー
１４ａの光出力が定格以上になることはない。

【００６２】また、本実施例では、Ｄ／Ａ３０６には、
上記定電流シャットダウン回路３２２と同一の構成のＤ
Ａシャットダウン回路３２４によって、電圧が供給され
る。従って、ＤＡシャットダウン回路３２４に供給され
る−１２Ｖの電源が低下すると、Ｄ／Ａ３０６には電圧
が供給されなくなり、Ｄ／Ａ３０６の出力が停止され
る。このため、端子ＴＰ１の電圧についても、端子ＴＰ
２の電圧方向へ変動するようになる。従って、端子ＴＰ
１及び端子ＴＰ２の電位差が減少する方向に電圧が変動
することにより、半導体レーザー１４ａの光出力が定格
以上になることはない。

【００６３】従って、停電や、制御装置の電源スイッチ
がオンされているときの電源プラグの脱着のときような
電源オフ時においても、半導体レーザーにはサージ電流
が流れることがない。これによって、半導体レーザーの
劣化及び破壊を抑制することができる。従って、画像露
光装置においては、半導体レーザーの劣化による光出力
の微弱な変動が、色ムラや濃度ムラとなり、品質に高い
画像形成が困難となるが、本実施例によれば、この半導
体レーザーの劣化を抑制することができるため、画像品
質の高い画像露光装置を継続的に提供することができ
る。

【００６４】なお、上記オフサージ対策回路３１０とし
て、定電流シャットダウン回路３２２及びＤＡシャット
ダウン回路３２４を用いて半導体レーザーへの供給電流
を遮断するようにしたが、定電流シャットダウン回路３
２２及びＤＡシャットダウン回路３２４の何れか一方を
用いたときにおいても充分な効果を得ることができる。
ここで、感光材料３６の発色濃度について図１５を参照
して説明する。感光材料３６は、最小発色濃度Ｄmin 及
び最大発色濃度Ｄmax を有しており、この濃度間で露光
量ｌｏｇＥに対する発色濃度Ｄの特性を有している（図
１５（３）参照）。従って、最小発色濃度Ｄmin に対応
する最小露光量Ｅmin 未満の露光量で、感光材料３６を
照射しても、所望の発色濃度を得ることができない。こ
のため、画像データに対応するパルス幅の信号を生成し
ても、所定の露光量（最小露光量Ｅmin ）までの画像デ
ータによる発色は適正に行われないことになる（図１５
（１）参照）。そこで、本実施例では、画像データによ
る画像濃度が最小（例えば、指示濃度が０）のときに
は、パルス信号のパルス幅を０にしている。さらに本実
施例では、最小濃度に発色させるための画像データに対
応するパルス幅を、最小露光量Ｅmin に対応させるよう
にしている。すなわち、画像データによる指示濃度が最
小値のときパルス幅を０に設定しかつ画像データによる
指示濃度が最小値を越えた最小の画像データのときパル
ス幅を１５nsecに設定している。従って、画像データと
露光量との関係は、指示濃度が０を除いて最適な露光量
と対応させることができる（図１５（２）参照）。これ
によって、感光材料には画像データに基づく最適な発色
濃度の画像が形成される。

【００６５】この半導体レーザーの光出力を画像データ
に応じて変調するためのパルス信号形成について詳細に
説明する。

【００６６】図１１には、ＰＷＭ５０の各所における信
号の波形を示した。図４に示したように、レシーバ２０
２には、画素クロックＧＣ１（図１１（１））がＶＥＣ
基板４２から入力される。積分回路２０４は、この画素
クロックＧＣ１を積分して、三角波形の信号２３０（図
１１（３））を出力する。また、Ｄ／Ａ２１６には、画
像データ（図１１（２））が入力され、Ｄ／Ａ２１６は
この画像データに応じた電圧の信号（図１１（３））を
出力する。コンパレータ２０６は、この信号２３０及び
信号２３２を比較し、三角波の信号２３０が信号２３２
を越えたときにハイレベルの信号（図１１（４））２３
４を出力する。この信号２３４は、白色の画素を形成す
るための画像データ（例えば、１０ビットＤ／Ａなら３
ＦＦ）に対応する信号２３６を含んでいる。

【００６７】画像データはＮＡＮＤ２１８による論理積
の信号（／ＦＦ、図１１（５））がＧ／Ａ４６へ出力さ
れ、Ｇ／Ａ４６において後述する信号ＲＧ０１（図１１
（６））が形成され、ゲート回路２０８に入力される。
ゲート回路２０８は、この信号ＲＧ０１及び信号ＡＰ０
１（図１１（７））の論理和の信号により、信号２３６
がゲートされた信号２３８（図１１（８））が出力され
る。従って、信号２３８は、上記白色画素に対応するパ
ルス幅の信号２３６が除かれ白信号補正されたパルス幅
の信号のみになる。この信号２３８は、信号線７０を介
してＬＤＤ５０へ出力される。

【００６８】次に、上記白信号補正のためのパルス信号
（ＲＧ０１）の形成について説明する。

【００６９】図１２には、Ｇ／Ａ４６における白信号処
理回路１０２の同期処理回路１２０の各所における信号
の波形を示した。図７に示したように、同期処理回路１
２０のフリップフロップ回路１３０では、入力されるラ
スタゲート信号ＲＧ１（図１２（１））が画素クロック
ＧＣ１（図１２（２））の立ち上がりで同期された信号
が形成される。また、フリップフロップ回路１３２に入
力される信号（／ＦＦ、図１２（５））も画素クロック
ＧＣ１で立ち上がりで同期される。この信号（／ＦＦ）
の同期された信号（図１２（６））と画素クロックＧＣ
１が所定時間遅延かつ反転された信号（／ＧＣＳ１、図
１２（４））とのＯＲ回路１３４による論理和の信号
（図１２（７））について、ＡＮＤ回路１３６で上記同
期されたラスタゲート信号ＲＧ１との論理積が求めら
れ、この論理積出力（図１２（８））がＰＷＭ５０へ出
力される。

【００７０】このように、画像の記録を指示するための
ラスタゲート信号ＲＧ１が画素クロックＧＣ１で同期さ
れかつ、白色画素に対応するパルス幅の信号２３６（図
１１参照）が除かれた信号ＲＧ０１が形成される。

【００７１】従って、半導体レーザーの変調時には、白
色画素に対応するパルス幅の信号２３６は除去されてい
るため、微弱な光出力が生じることなく、最適な色再現
を実現できる。また、複数の画像を重ねて露光するとき
のような多重露光を行う場合においても、微弱な光によ
るかぶりを防止することができる。

【００７２】また、本パルス幅変調は、最小パルス幅以
下の制御が必要なく、階調分解能を上げることができ
る。すなわち、最小濃度に発色させるための画像データ
に対応するパルス幅を、最小露光量に対応させているた
め、感光材料が発色しない露光量である短いパルス幅の
制御を行う必要がなく、階調分解能を上げることができ
る。

【００７３】上記説明したように、画像データに応じた
パルス幅の信号で半導体レーザーが変調されるが、一般
に半導体レーザーは、ドループ特性を有しており、パル
ス幅変調時の半導体レーザーの自己発熱により光出力が
変化する。この自己発熱による光出力変化は、時定数が
何１００μｓというレベルのため、温度調整では制御す
ることができない。例えば、１走査内を同一画像データ
で変調した場合は前縁に比べ後縁の光出力が低下する
（前画像の履歴を受ける）。このため、本実施例の制御
装置４０は、ドループ補正回路３２０を備えている。

【００７４】ドループ補正回路３２０には、図９に示し
たように、レーザーダイオード１３ｃから射出される光
出力（図１３（１））を検出したフォトダイオード１５
ｃの電流出力が、Ｉ／Ｖ変換回路３１４において電圧
（図１３（２））に変換されて入力される。この入力さ
れた信号を、ドループ補正回路３２０は、アナログスイ
ッチ３８５がオフの場合に、オペアンプ３７８で反転増
幅すると共に、抵抗３８３及びコンデンサ３８４の時定
数に応じて積分する。この積分された信号は、可変抵抗
３８１で減衰されて（図１３（３））、定電流回路３０
４の減算用オペアンプ３３８のプラス入力側へ出力され
る。従って、定電流回路３０４の減算用オペアンプ３３
８のプラス入力側の電圧は、ツェナーダイオード３４４
で制限された電圧（−６．９Ｖ）に図１３（３）に示し
た信号が加算された信号（図１３（４））になる。

【００７５】上記アナログスイッチ３８５は、ラスタゲ
ート信号ＲＧ３及び信号ＡＰ０３の論理積、すなわち画
像記録領域のときオフ、非画像記録領域のときオンにな
る。従って、非画像記録領域のときは、ドループ補正回
路３２０から０Ｖが出力されるリセット状態とされるた
め、各走査時においてドループ補正を行うときは、前回
の走査時のドループ補正を影響を受けることはない。

【００７６】このように、フォトダイオード１５ｃで検
出したレーザーダイオード１３ｃの光出力に応じて、画
像記録領域に対する時間だけ半導体レーザーに供給する
電流を補正するため、ラスタゲート信号のハイレベルに
対応する１走査の間に、半導体レーザー１４ｃの光出力
が補正することができる。従って、得られる画像の画質
を低下させることなく、画像を形成することができる。

【００７７】なお、ドループ補正回路を付加しないでド
ループの影響による画質劣化を防ぐ方法として、上記パ
ルス幅変調するための半導体レーザーの最小パルス幅及
び最大パルス幅の差を、各々の半導体レーザーが有する
ドループ量に応じて変更する方法がある。すなわち、ド
ループ量が大きな半導体レーザーはその差を小さくし、
ドループ量が小さな半導体レーザーはその差を大きくす
る。このようにすることによってドループ量の均一化が
図れ、カラー画像を形成するときの色相変化の少ない画
像を形成することができる。更に、上記最小パルス幅及
び最大パルス幅の差を大きくした半導体レーザーは、ダ
イナミックレンジが大きくなる。

【００７８】なお、本実施例では、３個の半導体レーザ
ーを使用して画像を形成する場合について説明したが、
半導体レーザーの数量に限定されるものではなく、１個
以上の何れの半導体レーザーについて本発明を適用して
もよい。

【００７９】また、上記実施例では、画像露光装置とし
て画像を記録する場合について説明したが、光電変換素
子等を用いて画像情報を得る読取り再生装置にも容易に
適用できる。

【００８０】また、上記実施例では、半導体レーザーの
自己発熱による光出力の補正をアナログ的に行うように
したが、半導体レーザーを変調するパルス幅を変化させ
補正するようにしてもよい。この場合、記憶されている
画像データに、フォトダイオードで測定した光出力に基
づく補正量を加算することによって、パルス幅を変化さ
せることができる。

【００８１】

【発明の効果】以上説明したように本発明によれば、パ
ルス幅が所定値以下の信号を除去して画像形成に不必要
な信号の除去を図り、画像信号に基づく再現性を向上す
ることができる、という効果がある。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明が適応可能な画像露光装置の概略を示す
構成図である。

【図２】本実施例の画像露光装置の制御装置の内部構成
を示すブロック図である。

【図３】ＬＤ基板のゲートアレイ回路の構成を示すブロ
ック図である。

【図４】ＬＤ基板のパルス幅変調回路の構成を示すブロ
ック図である。

【図５】ＬＤ基板のレーザー駆動回路の構成を示すブロ
ック図である。

【図６】ＬＤ基板のドループ補正回路を含んだレーザー
駆動回路の構成を示すブロック図である。

【図７】同期処理回路の内部構成の一例を示すブロック
図である。

【図８】図５のオフサージ対策回路の構成の一例を示す
回路図である。

【図９】図６のドループ補正回路の構成の一例を示す回
路図である。

【図１０】本実施例の温調回路の構成の一例を示す回路
図である。

【図１１】図４のパルス幅変調回路の各信号のタイムチ
ャートを示す線図である。

【図１２】図３の同期処理回路の各信号のタイムチャー
トを示す線図である。

【図１３】図６のドループ補正回路に関係する各信号の
タイムチャートを示す線図である。

【図１４】図５の変調回路の構成の一例を示す回路図で
ある。

【図１５】（１）は画像データと露光量の関係を示した
線図、（２）は本実施例の画像データと露光量の関係を
示した線図、（３）は感光材料における露光量と発色濃
度の関係を示した線図である。

【図１６】感光材料の露光量と発色濃度との関係を示す
特性曲線である。

【符号の説明】

１０画像露光装置１４半導体レーザー４０制御装置４６ゲートアレイ回路５０パルス幅変調回路５６レーザー駆動回路１０２白信号処理回路１２０同期処理回路

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】レーザービームを射出する半導体レーザ
ーと、前記レーザービームを感光材料へ走査する走査手段と、前記感光材料へ記録する画像の濃度を表す画像データに
応じたパルス幅のパルス信号を形成するパルス信号形成
手段と、前記パルス信号に基づいて前記半導体レーザーに流れる
電流をパルス幅変調するパルス幅変調手段と、前記画像データが前記画像の最小濃度を表すときは、対
応する前記パルス信号のパルス幅を０にするように前記
パルス信号形成手段を補正する補正手段と、を備えた画
像記録装置。
【請求項２】前記補正手段は、前記画像データが前記
画像の最小濃度を表すときは対応する前記パルス幅を０
にすると共に、前記画像データが該画像の最小濃度を除
いた濃度のうちの最小濃度を表すときは前記感光材料に
最小濃度が現れる最小のパルス幅になるように、前記パ
ルス信号形成手段を補正することを特徴とする請求項１
に記載の画像記録装置。