JPH0669762A - バイアス電源の制御装置 - Google Patents
バイアス電源の制御装置Info
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- JPH0669762A JPH0669762A JP21756792A JP21756792A JPH0669762A JP H0669762 A JPH0669762 A JP H0669762A JP 21756792 A JP21756792 A JP 21756792A JP 21756792 A JP21756792 A JP 21756792A JP H0669762 A JPH0669762 A JP H0669762A
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 バイアス巻線を有したフェライト等の強磁性
体のバイアス巻線にバイアス電流を流し、このバイアス
電流の大きさを調整してインダクタンスを変化させるこ
とにより、周波数同調をとるようにした同調器と、前記
バイアス巻線にバイアス電流を流すためのバイアス電源
と、周波数に対して１対１で決定される前記バイアス電
流の電流基準に対して電流フィ―ドバック制御を行うこ
とにより同調するようにした前記バイアス電源の制御装
置とを備えた同調装置において、フェライトの温度の影
響を位相フィ―ドバック制御やフェライトの温度調整器
によらなくとも補正できるようにする。 【構成】 フェライトの温度を検出するための温度検出
器と、フェライトの温度に対して電流基準の補正量を決
定するための補正量発生器を備えたバイアス電源の制御
装置。
体のバイアス巻線にバイアス電流を流し、このバイアス
電流の大きさを調整してインダクタンスを変化させるこ
とにより、周波数同調をとるようにした同調器と、前記
バイアス巻線にバイアス電流を流すためのバイアス電源
と、周波数に対して１対１で決定される前記バイアス電
流の電流基準に対して電流フィ―ドバック制御を行うこ
とにより同調するようにした前記バイアス電源の制御装
置とを備えた同調装置において、フェライトの温度の影
響を位相フィ―ドバック制御やフェライトの温度調整器
によらなくとも補正できるようにする。 【構成】 フェライトの温度を検出するための温度検出
器と、フェライトの温度に対して電流基準の補正量を決
定するための補正量発生器を備えたバイアス電源の制御
装置。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、フェライト等の強磁性
体（以下、フェライトと記す）を備えた同調器に流すバ
イアス電流によりインダクタンスを変化させて周波数同
調をとるようにした同調装置システムに用いられるバイ
アス電源の制御装置に関する。
体（以下、フェライトと記す）を備えた同調器に流すバ
イアス電流によりインダクタンスを変化させて周波数同
調をとるようにした同調装置システムに用いられるバイ
アス電源の制御装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】図２は従来の同調装置システムの構成を
示す図である。１は発振器、２は励振装置、３は中間電
力増幅器、４は同調器、５は電力増幅器、６は１対の電
極、７はフェライト、８はバイアス電源、９は制御装
置、１０は変流器である。周波数を変化させることので
きる発振器１からの出力は、励磁装置２により振幅及び
位相が制御され出力される。この出力は中間電力増幅器
３及び同調器４の中にある電力増幅器５（四極管等の真
空管又は半導体を使用した増幅器）を介して１対の電極
６に入力される。１対の電極６は発振周波数に同調器４
が同調した時に、高調波電力に応じて所望の高調波電圧
を発生させるために設けてある。この際、同調器４が同
調からずれると高調波電力は電力増幅器５に反射してし
まうことになる。同調器４の中には、さらにバイアス巻
線が施されたフェライト７を備えている。このバイアス
巻線には、バイアス電源８により通電され、このバイア
ス電流ｉb を変化させ、インダクタンスを変化させこと
により同調が行われる。バイアス電源８からの出力電流
は制御装置９により制御される。制御装置９では、変流
器１０からのバイアス電源出力電流信号ｉct及び電力増
幅器５の入力信号Ｖi と１対の電極６での発生電圧信号
Ｖ0 が入力されて、フィ―ドバック制御が行われる。
示す図である。１は発振器、２は励振装置、３は中間電
力増幅器、４は同調器、５は電力増幅器、６は１対の電
極、７はフェライト、８はバイアス電源、９は制御装
置、１０は変流器である。周波数を変化させることので
きる発振器１からの出力は、励磁装置２により振幅及び
位相が制御され出力される。この出力は中間電力増幅器
３及び同調器４の中にある電力増幅器５（四極管等の真
空管又は半導体を使用した増幅器）を介して１対の電極
６に入力される。１対の電極６は発振周波数に同調器４
が同調した時に、高調波電力に応じて所望の高調波電圧
を発生させるために設けてある。この際、同調器４が同
調からずれると高調波電力は電力増幅器５に反射してし
まうことになる。同調器４の中には、さらにバイアス巻
線が施されたフェライト７を備えている。このバイアス
巻線には、バイアス電源８により通電され、このバイア
ス電流ｉb を変化させ、インダクタンスを変化させこと
により同調が行われる。バイアス電源８からの出力電流
は制御装置９により制御される。制御装置９では、変流
器１０からのバイアス電源出力電流信号ｉct及び電力増
幅器５の入力信号Ｖi と１対の電極６での発生電圧信号
Ｖ0 が入力されて、フィ―ドバック制御が行われる。
【０００３】図３は従来の同調装置システムにおけるバ
イアス電源の制御装置の構成を示すブロック図である。
１１は電流検出器、１２は電流制御器、１３は運転量決
定器、１４は位相検出器、１５は位相制御器である。こ
の制御装置の中には、電流フィ―ドバック制御系と位相
フィ―ドバック制御系の２つの制御系を備えている。
イアス電源の制御装置の構成を示すブロック図である。
１１は電流検出器、１２は電流制御器、１３は運転量決
定器、１４は位相検出器、１５は位相制御器である。こ
の制御装置の中には、電流フィ―ドバック制御系と位相
フィ―ドバック制御系の２つの制御系を備えている。
【０００４】まず電流フィ―ドバック制御系の説明をす
る。電流検出器１１により、変流器１０からのバイアス
電源出力電流信号ｉctはバイアス電源出力電流検出信号
ｉに変換される。このバイアス電源出力電流検出信号ｉ
は電流基準ｉ* と比較され、その誤差が電流制御器１２
に入力される。電流制御器１２の中では例えば比例積分
制御が行われる。電流制御器１２からの出力は、運転量
決定器１３を通してバイアス電源８に入力される。運転
量決定器１３ではその入力信号からバイアス電源８の運
転量を生成し、出力するようになっている。この時の電
流基準ｉ* は、予め測定されている図４に示すような同
調週数ｆとバイアス電流ｉB との関係から、必要とする
同調周波数ｆに応じて決定するようにしている。
る。電流検出器１１により、変流器１０からのバイアス
電源出力電流信号ｉctはバイアス電源出力電流検出信号
ｉに変換される。このバイアス電源出力電流検出信号ｉ
は電流基準ｉ* と比較され、その誤差が電流制御器１２
に入力される。電流制御器１２の中では例えば比例積分
制御が行われる。電流制御器１２からの出力は、運転量
決定器１３を通してバイアス電源８に入力される。運転
量決定器１３ではその入力信号からバイアス電源８の運
転量を生成し、出力するようになっている。この時の電
流基準ｉ* は、予め測定されている図４に示すような同
調週数ｆとバイアス電流ｉB との関係から、必要とする
同調周波数ｆに応じて決定するようにしている。
【０００５】次に位相フィ―ドバック制御系の説明をす
る。この制御系は、主にフェライトの温度特性による同
調周波数ｆとバイアス電流ｉB との関係の変化分を補正
するために組み込まれている。同調器４の中の電力増幅
器５の入力信号Ｖi と１対の電極６での発生電圧信号Ｖ
0 は位相検出器１４に入力され位相φとして生成され
る。この位相φは位相制御器１５に入力され、例えば比
例積分制御が行われる。位相制御器１５からの出力は電
流基準ｉ* に加算され、前述の電流フィ―ドバック制御
系に組込まれる。このとき位相φは常に一定値（通常は
０になるように調整される。）になるように調整され、
バイアス電流ｉB の微調整を行うことにより、フェライ
トの温度特性を補正し、精度の良い自動同調が行われ
る。
る。この制御系は、主にフェライトの温度特性による同
調周波数ｆとバイアス電流ｉB との関係の変化分を補正
するために組み込まれている。同調器４の中の電力増幅
器５の入力信号Ｖi と１対の電極６での発生電圧信号Ｖ
0 は位相検出器１４に入力され位相φとして生成され
る。この位相φは位相制御器１５に入力され、例えば比
例積分制御が行われる。位相制御器１５からの出力は電
流基準ｉ* に加算され、前述の電流フィ―ドバック制御
系に組込まれる。このとき位相φは常に一定値（通常は
０になるように調整される。）になるように調整され、
バイアス電流ｉB の微調整を行うことにより、フェライ
トの温度特性を補正し、精度の良い自動同調が行われ
る。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】一般にフェライトのバ
イアス電流ｉB を変化させることにより透磁率μが変化
する。一方、インダクタンスＬは透磁率μと１対１の比
例関係にあるので、結果的にバイアス電流ｉB を変化さ
せてインダクタンスＬを変化させることができる。ま
た、同調器４が周波数ｆで同調するための条件は同調器
４のキャパシタンスＣと前記インダクタンスＬにより、 と表せる。従って、キャパシタンスＣを一定とすれば、
インダクタンスＬを変化させることにより、同調器４の
同調周波数ｆを変化させることができる。以上のような
性質から、同調器４の中のフェライトのバイアス電流ｉ
B に対する同調周波数ｆの関係は１対１で一義的に決定
できる。ただし、この関係はフェライトの温度により図
４のように変化するので、位相フィ―ドバック制御によ
る補正が必要になる。
イアス電流ｉB を変化させることにより透磁率μが変化
する。一方、インダクタンスＬは透磁率μと１対１の比
例関係にあるので、結果的にバイアス電流ｉB を変化さ
せてインダクタンスＬを変化させることができる。ま
た、同調器４が周波数ｆで同調するための条件は同調器
４のキャパシタンスＣと前記インダクタンスＬにより、 と表せる。従って、キャパシタンスＣを一定とすれば、
インダクタンスＬを変化させることにより、同調器４の
同調周波数ｆを変化させることができる。以上のような
性質から、同調器４の中のフェライトのバイアス電流ｉ
B に対する同調周波数ｆの関係は１対１で一義的に決定
できる。ただし、この関係はフェライトの温度により図
４のように変化するので、位相フィ―ドバック制御によ
る補正が必要になる。
【０００７】このような同調装置システムにおいては、
位相フィ―ドバック制御系の主構成要素である位相検出
器１４が、周波数広帯域であることから高価なものにな
ってしまう。又、仮に位相フィ―ドバック制御系を無く
してフェライトの温度を一定に保つための温度調整器を
用いたとしもやはり高価なものになってしまうという問
題があった。
位相フィ―ドバック制御系の主構成要素である位相検出
器１４が、周波数広帯域であることから高価なものにな
ってしまう。又、仮に位相フィ―ドバック制御系を無く
してフェライトの温度を一定に保つための温度調整器を
用いたとしもやはり高価なものになってしまうという問
題があった。
【０００８】そこで本発明では、フェライトの温度特性
の影響を、位相フィ―ドバック制御系やフェライトの温
度調整器によらなくとも補正できるような、ハ―ド構成
が簡単でかつ安価なバイアス電源の制御装置を提供する
ことを目的とする。
の影響を、位相フィ―ドバック制御系やフェライトの温
度調整器によらなくとも補正できるような、ハ―ド構成
が簡単でかつ安価なバイアス電源の制御装置を提供する
ことを目的とする。
【０００９】
【課題を解決するための手段】本発明は上記の目的を達
成すために、フェライトの温度を検出するための温度検
出器と、フェライトの温度に対して電流基準の補正量を
決定するための補正量発生器を備えたことを特徴とする
ものである。
成すために、フェライトの温度を検出するための温度検
出器と、フェライトの温度に対して電流基準の補正量を
決定するための補正量発生器を備えたことを特徴とする
ものである。
【００１０】
【作用】本発明によれば、フェライトの温度特性の影響
を、位相フィ―ドバック制御系やフェライトの温度調整
器によらなくとも補正できるようになり、バイアス電源
制御装置のハ―ド構成を簡単にし、コストの低減ができ
る。
を、位相フィ―ドバック制御系やフェライトの温度調整
器によらなくとも補正できるようになり、バイアス電源
制御装置のハ―ド構成を簡単にし、コストの低減ができ
る。
【００１１】
【実施例】以下本発明の一実施例を図１の構成図を参照
して説明する。尚、従来例と同一部については同一符号
を付し、その説明を省略する。
して説明する。尚、従来例と同一部については同一符号
を付し、その説明を省略する。
【００１２】図１の同調装置システムにおけるバイアス
電源８の制御装置９の構成では、従来例の図３と比較し
て、位相検出器１４と位相制御器１５を無くし、代りに
温度検出器１６と補正量発生器１７と電流基準補正器１
８を備えている。以下、本発明の作用について、図１を
参照して説明する。
電源８の制御装置９の構成では、従来例の図３と比較し
て、位相検出器１４と位相制御器１５を無くし、代りに
温度検出器１６と補正量発生器１７と電流基準補正器１
８を備えている。以下、本発明の作用について、図１を
参照して説明する。
【００１３】先、同調器４の中のフェライトの温度を、
熱電対等を用いて温度検出器により検出する。この時の
検出点は、フェライト直接でも、フェライトの冷却水等
の間接的な場所でも良い。この温度検出値Ｔは補正量発
生器１７に入力される。補正量発生器１７の中では温度
検出値Ｔに従って、例えばメモリに記憶させてある補正
係数Ｋc を出力するようにしてある。この時の補正係数
Ｋc の求め方を説明すると、まず、図４に示すようなバ
イアス電流ｉB に対する同調周波数ｆの関係を、フェラ
イトの温度をバラメ―タにして測定する。次にこの結果
より、例えば温度がＴ3 のときの（ｉB ―ｆ）特性を基
準にして、ある温度Ｔにおける補正係数Ｋc を、この温
度がＴ3 のときの（ｉB ―ｆ）特性に乗算したときに、
ある温度Ｔにおける（ｉB ―ｆ）特性に概ね一致するよ
うに、例えば図５に示すような関数にする。なおさら
に、この補正係数Ｋc の精度を上げるためには、温度Ｔ
のほかに、周波数ｆ（または電流基準ｉ* でも同等）で
も変わるような関数にしておけば良い。このようにして
決定された補正係数Ｋc は、電流基準補正器１８に入力
される。電流基準補正器１８では、 Ｋc ・ｉ* ……（２） の演算を行い、この結果を新たな電流基準として出力す
る。このようにすれば。フェライトの温度特性の影響
を、位相フィ―ドバック制御系やフェライトの温度調整
器によらなくとも補正することができる。
熱電対等を用いて温度検出器により検出する。この時の
検出点は、フェライト直接でも、フェライトの冷却水等
の間接的な場所でも良い。この温度検出値Ｔは補正量発
生器１７に入力される。補正量発生器１７の中では温度
検出値Ｔに従って、例えばメモリに記憶させてある補正
係数Ｋc を出力するようにしてある。この時の補正係数
Ｋc の求め方を説明すると、まず、図４に示すようなバ
イアス電流ｉB に対する同調周波数ｆの関係を、フェラ
イトの温度をバラメ―タにして測定する。次にこの結果
より、例えば温度がＴ3 のときの（ｉB ―ｆ）特性を基
準にして、ある温度Ｔにおける補正係数Ｋc を、この温
度がＴ3 のときの（ｉB ―ｆ）特性に乗算したときに、
ある温度Ｔにおける（ｉB ―ｆ）特性に概ね一致するよ
うに、例えば図５に示すような関数にする。なおさら
に、この補正係数Ｋc の精度を上げるためには、温度Ｔ
のほかに、周波数ｆ（または電流基準ｉ* でも同等）で
も変わるような関数にしておけば良い。このようにして
決定された補正係数Ｋc は、電流基準補正器１８に入力
される。電流基準補正器１８では、 Ｋc ・ｉ* ……（２） の演算を行い、この結果を新たな電流基準として出力す
る。このようにすれば。フェライトの温度特性の影響
を、位相フィ―ドバック制御系やフェライトの温度調整
器によらなくとも補正することができる。
【００１４】
【発明の効果】以上説明のように、本発明によればフェ
ライトの温度特性の影響を、位相フィ―ドバック制御系
やフェライトの温度調整器によらなくとも補正できるよ
うなハ―ド構成が簡単でかつ安価なバイアス電源の制御
装置を提供することができる。
ライトの温度特性の影響を、位相フィ―ドバック制御系
やフェライトの温度調整器によらなくとも補正できるよ
うなハ―ド構成が簡単でかつ安価なバイアス電源の制御
装置を提供することができる。
【図１】本発明の一実施例を示すバイアス電源の制御装
置の構成を示すブロック図。
置の構成を示すブロック図。
【図２】従来の同調装置システムの構成を示すブロック
図。
図。
【図３】従来のバイアス電源の制御装置の構成を示すブ
ロック図。
ロック図。
【図４】フェライトのバイアス電流ｉB に対する同調周
波数ｆの関係を示す図。
波数ｆの関係を示す図。
【図５】温度検出値Ｔに対する補正係数Ｋc の関係を示
す特性図。
す特性図。
１ ……発振器、 ２
……励振装置、３ ……中間電力増幅器、
４ ……同調器、５ ……電力増幅
器、 ６ ……１対の電極、７
……フェライト、 ８ ……バ
イアス電源、９ ……制御装置、
１０ ……変流器、１１ ……電流検出器、
１２ ……電流制御器、１３
……運転量決定器、 １４ ……位相検
出器、１５ ……位相制御器、 １６
……温度検出器、１７ ……補正量発生器
１８ ……電流基準補正器
……励振装置、３ ……中間電力増幅器、
４ ……同調器、５ ……電力増幅
器、 ６ ……１対の電極、７
……フェライト、 ８ ……バ
イアス電源、９ ……制御装置、
１０ ……変流器、１１ ……電流検出器、
１２ ……電流制御器、１３
……運転量決定器、 １４ ……位相検
出器、１５ ……位相制御器、 １６
……温度検出器、１７ ……補正量発生器
１８ ……電流基準補正器
Claims (1)
- 【請求項１】 バイアス巻線を有したフェライト等の強
磁性体のバイアス巻線にバイアス電流を流し、このバイ
アス電流の大きさを調整してインダクタンスを変化させ
ることにより、周波数同調をとるようにした同調器と、
前記バイアス巻線にバイアス電流を流すためのバイアス
電源と、周波数に対して１対１で決定される前記バイア
ス電流の電流基準に対して電流フィ―ドバック制御を行
うことにより同調するようにした前記バイアス電源の制
御装置とを備えた同調装置において、前記バイアス電源
の制御装置に、前記同調器のフェライト等の強磁性体の
温度によって電流基準を補正する手段を備えたことを特
徴とするバイアス電源の制御装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP21756792A JPH0669762A (ja) | 1992-08-17 | 1992-08-17 | バイアス電源の制御装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP21756792A JPH0669762A (ja) | 1992-08-17 | 1992-08-17 | バイアス電源の制御装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0669762A true JPH0669762A (ja) | 1994-03-11 |
Family
ID=16706294
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP21756792A Pending JPH0669762A (ja) | 1992-08-17 | 1992-08-17 | バイアス電源の制御装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0669762A (ja) |
-
1992
- 1992-08-17 JP JP21756792A patent/JPH0669762A/ja active Pending
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