JPH0669323A - Wafer detection device and wafer positioning device - Google Patents

Wafer detection device and wafer positioning device

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JPH0669323A
JPH0669323A JP24267192A JP24267192A JPH0669323A JP H0669323 A JPH0669323 A JP H0669323A JP 24267192 A JP24267192 A JP 24267192A JP 24267192 A JP24267192 A JP 24267192A JP H0669323 A JPH0669323 A JP H0669323A
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JP
Japan
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wafer
light
light receiving
carrier
reflected
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Pending
Application number
JP24267192A
Other languages
Japanese (ja)
Inventor
Yoichi Deguchi
洋一 出口
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Tokyo Electron Ltd
Original Assignee
Tokyo Electron Ltd
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Publication date
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Priority to US08/105,166 priority patent/US5319216A/en
Priority to KR1019930016108A priority patent/KR100231756B1/en
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  • Photo Coupler, Interrupter, Optical-To-Optical Conversion Devices (AREA)
  • Length Measuring Devices By Optical Means (AREA)
  • Geophysics And Detection Of Objects (AREA)
  • Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)

Abstract

PURPOSE:To prevent an erroneous detection caused by reflected light in a photodetection part even when irradiation light radiated from a light-emitting part of a detection means is reflected by a wafer in an irregular reflection manner. CONSTITUTION:In a wafer detection device 1, the position or the number of a plurality of wafers 2 housed inside a carrier 3 is detected optically by light- emitting elements 13a, 13b which radiate light to the wafers 2 and by photodetectors 14a, 14b faced with the light-emitting elements 13a, 13b. The wafer detection device is constituted of a polarization element 15 installed in the incident light path of the photodetectors 14a, 14b.

Description

【発明の詳細な説明】Detailed Description of the Invention

【0001】[0001]

【産業上の利用分野】本発明はウエハ検出装置およびウ
エハ位置決め装置に関する。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a wafer detecting device and a wafer positioning device.

【0002】[0002]

【従来の技術】従来、ウエハキャリア内に収納されるウ
エハの枚数または位置を検出する手段として、例えば特
開昭62−133286号公報が知られている。この検
出手段は前記ウエハキャリアに収納されるウエハの水平
方向でかつ対向する位置にそれぞれ発光部と受光部を設
け、かつ、ウエハの間を透過させることの出来る透過型
の赤外線レーザーを固定箇所に設け、前記ウエハキャリ
アが載置される載置台を上下移動させ、前記赤外線レー
ザー光がウエハにより遮光される遮光の数または位置を
測定することにより、ウエハの枚数または位置を検出す
るものであった。
2. Description of the Related Art Conventionally, for example, Japanese Patent Laid-Open No. 62-133286 is known as a means for detecting the number or position of wafers stored in a wafer carrier. The detecting means is provided with a light emitting portion and a light receiving portion at positions facing each other in the horizontal direction of the wafer accommodated in the wafer carrier, and a transmission type infrared laser capable of transmitting between the wafers is fixed to a fixed portion. The number of wafers or the positions of the wafers is detected by vertically moving the mounting table on which the wafer carrier is mounted and measuring the number or positions of the light beams shielded by the infrared laser light by the wafers. .

【0003】また、ウエハの外周に設けられたオリエン
テーション・フラットを所定場所に位置決めする手段と
して、例えば特開昭60−213209号公報が知られ
ている。この手段は前記位置決め装置において、イメー
ジセンサーの発光部と受光部をウエハの垂直方向に互い
に対向する場所に固定配置させ、前記発光部より発光す
る帯状の赤外線レーザー光をウエハが遮光することによ
り、その遮光幅または透光幅を前記受光部により検出
し、その検出情報を基に前記ウエハの外周に設けられた
オリエンテーション・フラットを所定の位置に位置決め
させていた。
Further, as means for positioning an orientation flat provided on the outer periphery of a wafer at a predetermined place, for example, Japanese Patent Laid-Open No. 60-213209 is known. In this positioning device, the light emitting unit and the light receiving unit of the image sensor are fixedly arranged at positions facing each other in the vertical direction of the wafer, and the wafer shields the band-shaped infrared laser light emitted from the light emitting unit. The light-shielding width or the light-transmitting width is detected by the light-receiving unit, and the orientation flat provided on the outer periphery of the wafer is positioned at a predetermined position based on the detection information.

【0004】[0004]

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、前者の
赤外線レーザー光がウエハにより遮光される遮光の数ま
たは位置を測定することにより、ウエハの枚数または位
置を検出するものにおいては、発光部より照射された赤
外線レーザー光がウエハの垂直面であるエッジに反射
し、この反射光が上方または下方に収納されている他の
ウエハに反射してしまう。さらに、この反射光は多段の
乱反射となり受光部において検出してしまうので、正確
にウエハの枚数または位置の検出が出来ないという問題
点があった。さらに、前記ウエハの枚数の検出が反射光
により正確に検出出来ないと、ウエハをウエハが収納さ
れているキャリアから移載装置により搬入または搬出す
る際、搬入時にはキャリアのポケットに詰めてウエハを
挿入出来なくなる問題が生じ、搬出時には未処理ウエハ
がキャリア内に残留したまま前記キャリアのウエハを空
であると判断してしまうという問題点があった。さら
に、前記ウエハの位置の検出が正確に出来ないと、前記
移載装置がウエハを前記キャリアに搬入または搬出する
際、位置ずれを起こしてしまうので前記キャリアのポケ
ットに挿入できなくなり、このためウエハをキャリアに
接触させウエハを破損したり、またはキャリアを転倒さ
せてしまうという問題点があった。
However, in the case of detecting the number or positions of wafers by measuring the number or positions of the former infrared laser beams shielded by the wafer, the former infrared laser light is emitted from the light emitting portion. Further, the infrared laser light is reflected on the edge which is the vertical surface of the wafer, and this reflected light is reflected on another wafer housed above or below. Further, since the reflected light becomes multi-level diffuse reflection and is detected by the light receiving portion, there is a problem that the number or position of wafers cannot be accurately detected. Further, if the number of the wafers cannot be detected accurately by the reflected light, when the wafers are loaded into or unloaded from the carrier in which the wafers are stored by the transfer device, the wafers are packed into the pockets of the carriers when the wafers are loaded. There is a problem in that the unprocessed wafer remains unremoved in the carrier and is determined to be empty when the carrier is unloaded. Furthermore, if the position of the wafer cannot be detected accurately, the transfer device may not be able to insert the wafer into the pocket of the carrier because the displacement may occur when the wafer is loaded into or unloaded from the carrier. There is a problem that the wafer is damaged by bringing the wafer into contact with the carrier or the carrier is overturned.

【0005】また、後者の前記位置決め装置において、
イメージセンサーの発光部と受光部をウエハの垂直方向
に互いに対向する場所に固定配置させ、前記発光部より
発光する帯状の赤外線レーザー光をウエハが遮光するこ
とにより、その遮光幅または透光幅を前記受光部により
検出する際、ウエハ外周端のエッジで前記赤外線レーザ
ーの発光部から照射されるレーザー光が反射し、装置内
の壁面に反射するため乱反射を発生してしまい、前記赤
外線レーザーの受光部において前記乱反射光を検出して
しまうという問題点があった。さらに、前記赤外線レー
ザーからの信号により前記ウエハの外周に設けられたオ
リエンテーション・フラットを所定位置に位置決めさせ
る位置決め装置においては前記乱反射光の信号の影響で
所定位置に位置決めできなくなり、または位置ずれが生
じるという問題がある。さらに、前記位置ずれが生じた
ままウエハを処理する処理装置に搬送すると、処理装
置、例えばプラズマエッチング装置においてはウエハ形
状に形成された載置台、例えば静電チャツクに位置ずれ
の状態で載置され処理されるので、静電チャツクのウエ
ハと重ならない部分がプラズマ処理され破損してしまう
という問題点があった。また、前記位置ずれが生じたま
まウエハを搬送すると、各ウエハの向きが不揃いとな
り、この状態で処理された場合、各ウエハ間で処理のバ
ラツキが生じてしまうという問題がある。
In the latter positioning device,
The light emitting portion and the light receiving portion of the image sensor are fixedly arranged at positions facing each other in the vertical direction of the wafer, and the band-shaped infrared laser light emitted from the light emitting portion is shielded by the wafer, so that the light shielding width or the light transmitting width is reduced. At the time of detection by the light receiving unit, the laser light emitted from the light emitting unit of the infrared laser is reflected at the edge of the outer peripheral edge of the wafer and is reflected on the wall surface in the device to cause irregular reflection. There is a problem that the irregularly reflected light is detected in some parts. Further, in a positioning device that positions an orientation flat provided on the outer periphery of the wafer at a predetermined position by a signal from the infrared laser, it becomes impossible to position at a predetermined position or a position shift occurs due to the influence of the signal of the irregular reflection light. There is a problem. Further, when the wafer is transferred to the processing apparatus that processes the wafer with the positional deviation, the processing apparatus, for example, a plasma etching apparatus, places the wafer in a misaligned state on a mounting table formed in a wafer shape, for example, an electrostatic chuck. Since it is processed, there is a problem that a portion of the electrostatic chuck that does not overlap the wafer is plasma-processed and damaged. Further, if the wafers are transferred with the positional deviations occurring, the orientations of the wafers become uneven, and if the wafers are processed in this state, there is a problem in that the processings vary among the wafers.

【0006】本発明の目的は、検出手段の発光部から照
射される照射光がウエハにより乱反射されても受光部に
おいて前記反射光に起因する誤検出を防止するウエハ検
出装置およびウエハ位置決め装置を提供するものであ
る。
An object of the present invention is to provide a wafer detecting device and a wafer positioning device which prevent erroneous detection due to the reflected light in the light receiving portion even if the irradiation light emitted from the light emitting portion of the detecting means is diffusely reflected by the wafer. To do.

【0007】[0007]

【課題を解決するための手段】請求項1の発明では、キ
ャリア内に収納された複数枚のウエハの位置または枚数
をウエハに対して光照射する発光素子と、この発光素子
に対向する受光素子により光学的に検出するウエハ検出
装置において、前記受光素子の入射光路に設けられた偏
光素子を特徴とするウエハ検出装置。
According to a first aspect of the present invention, a light emitting element for irradiating the wafer with the position or number of a plurality of wafers housed in a carrier, and a light receiving element facing the light emitting element. In the wafer detecting apparatus for optically detecting by the above, a wafer detecting apparatus characterized by a polarizing element provided in an incident optical path of the light receiving element.

【0008】請求項2の発明では、ウエハの外周縁部を
ウエハ面と垂直に光照射する発光素子と、この発光素子
に対向する受光素子によりウエハの周縁を光学的に検出
し予め定められた位置にウエハを位置決めする装置にお
いて、前記受光素子の入射光路に設けられた偏光素子を
特徴とするウエハ位置決め装置。
According to the second aspect of the present invention, the peripheral edge of the wafer is optically detected by the light emitting element that irradiates the outer peripheral edge of the wafer perpendicularly to the wafer surface, and the light receiving element that opposes the light emitting element. A device for positioning a wafer at a position, characterized by a polarizing element provided in an incident optical path of the light receiving element.

【0009】[0009]

【作用】本発明は、検出手段の発光部から照射される照
射光がウエハにより乱反射されても受光部の偏向フィル
ターの作用により乱反射光の検出を抑制または防止する
ことが出来る。
According to the present invention, even if the irradiation light emitted from the light emitting portion of the detecting means is diffusely reflected by the wafer, the action of the deflection filter of the light receiving portion can suppress or prevent the detection of the irregular reflection light.

【0010】[0010]

【実施例】以下、本発明をウエハ搬入出検出装置に適用
した第1の実施例について図面に基づいて詳述する。図
1,図2および図3に示す如く、このウエハ搬入出検出
装置1は、ウエハ、例えば半導体ウエハ2は、図2に示
すようにキャリア3内に所定の間隔、例えば4.76m
m±0.8mmの間隔(4a)で設けられた各ポケット
4に一枚づつ複数枚前記ウエハ2(厚み、例えば約0.
8mm(2a))が収納されている。また、前記キャリ
ア3は、エレベータ方式の載置台5上に載置されてお
り、この載置台5は、モーター、例えばACサーボモー
ター6の回転軸にローラ径を変えた結合ベルト7により
係合するとともに、この係合ベルト7により回転制御さ
れる如く直立したボールスクリュウ8に結合されてい
る。さらに、このボールスクリュウ8の上方には、前記
載置台5が螺合され、前記ボールスクリュウ8の回転に
より昇降移動する如く昇降機構が構成されている。さら
に、この昇降機構は、前記ウエハ2の位置検出情報によ
り制御するように構成されている。
DETAILED DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS A first embodiment in which the present invention is applied to a wafer loading / unloading detection apparatus will be described in detail below with reference to the drawings. As shown in FIGS. 1, 2 and 3, the wafer loading / unloading detection device 1 has a wafer, for example, a semiconductor wafer 2 having a predetermined space within a carrier 3 as shown in FIG.
A plurality of wafers 2 (thickness, for example, about 0.
8 mm (2a) is stored. Further, the carrier 3 is placed on an elevator type mounting table 5, and the mounting table 5 is engaged with a motor, for example, a rotating shaft of an AC servomotor 6 by a coupling belt 7 having a different roller diameter. At the same time, it is connected to an upright ball screw 8 so that its rotation is controlled by the engaging belt 7. Further, above the ball screw 8, the mounting table 5 is screwed, and an elevating mechanism is configured so as to move up and down by the rotation of the ball screw 8. Further, the elevating mechanism is configured to be controlled by the position detection information of the wafer 2.

【0011】また、前記キャリア3近傍、例えば対向し
た位置には、ウエハ2を吸着するアーム10が設けら
れ、このアーム10にはウエハ2をバキュームするため
の図示しない吸引パイプに連結したバキューム孔10a
が形成されている。また、前記アーム10はアーム搬入
出機構11によりウエハ2を前記キャリア3に搬入また
は搬出するように構成され、前記アーム搬入出機構11
は第一の固定台12に設置されている。さらに、前記ア
ーム搬入出機構11は固定台12に設けられた、モータ
ーの回転軸にベルト結合されたローラに回転伝達し、こ
の回転はさらに前記アーム10を矢印方向に移動させる
ようにベルト結合機構が設けられている。
An arm 10 for adsorbing the wafer 2 is provided near the carrier 3, for example, at a position facing each other, and the arm 10 has a vacuum hole 10a connected to a suction pipe (not shown) for vacuuming the wafer 2.
Are formed. Further, the arm 10 is configured to carry in or carry out the wafer 2 to / from the carrier 3 by an arm loading / unloading mechanism 11.
Is installed on the first fixed base 12. Further, the arm loading / unloading mechanism 11 transmits the rotation to a roller provided on the fixed base 12 and coupled to the rotation shaft of the motor by a belt, and this rotation further moves the arm 10 in the arrow direction. Is provided.

【0012】また、前記アーム10の走行路でキャリア
3の間にはウエハ2の位置を検出するためのウエハ位置
検出機構が設けられ、このウエハ位置検出機構は光セン
サー、例えば透過型赤外線センサーを用いており、前記
キャリア3内に収納されたウエハ2を介在して一方、例
えば前記アーム10側には、発光素子を内蔵した、発光
部13a,13bが2系統配設され、この発光部13
a,13bは前記固定台12に固定設置されている。ま
た、他方には前記発光部13a,13bと対を成す2系
統の受光素子を内蔵した、受光部14が前記ウエハ2を
介した前記固定台12と対向した第2の固定台16に固
定設置されており、この受光部14には前記発光部13
a,13bより照射される赤外線レーザー、例えば波長
300nm〜10μmの半導体レーザー光を前記受光素
子にそれぞれ受光するための光検出開口部14a,14
b、例えば高さ0.5mm〜3mmで幅2mm〜10m
mが穿設されている。さらに、この光検出開口部14
a,14bにはこの開口部14a,14b全面を被う如
く偏光素子、例えば偏光膜を透明プラスチックシートで
はさんだ構造のシート状の偏光板或いは、2枚のガラス
板の中間に偏光膜を接着剤で張り合わせた偏光フィルタ
ー(ポラライザー:商品名)15が係着固定されてい
る。
A wafer position detecting mechanism for detecting the position of the wafer 2 is provided between the carriers 3 on the traveling path of the arm 10. The wafer position detecting mechanism is an optical sensor, for example, a transmissive infrared sensor. While using the wafer 2 housed in the carrier 3, two systems of light emitting parts 13a and 13b, each having a light emitting element built therein, are arranged on the side of the arm 10, for example.
a and 13b are fixedly installed on the fixed base 12. On the other hand, a light receiving unit 14 having a built-in two-system light receiving element paired with the light emitting units 13a and 13b, is fixedly installed on a second fixed base 16 facing the fixed base 12 through the wafer 2. The light receiving section 14 includes the light emitting section 13
Infrared lasers emitted from a and 13b, for example, photodetection openings 14a and 14 for receiving semiconductor laser light having a wavelength of 300 nm to 10 μm on the light receiving element, respectively.
b, for example, a height of 0.5 mm to 3 mm and a width of 2 mm to 10 m
m has been drilled. Further, this light detection opening 14
A polarizing element, for example, a sheet-like polarizing plate having a structure in which a polarizing film is sandwiched by a transparent plastic sheet, or a polarizing film is glued between two glass plates so as to cover the entire surfaces of the openings 14a and 14b. A polarizing filter (polarizer: product name) 15 adhered to is fixedly attached.

【0013】さらに、図3に示すように、前記発光部1
3aの内部には発光素子20が固定設置されており、こ
の発光素子20には発光素子20を動作制御するための
動作信号が駆動回路25と接続されている。また、前記
発光素子20から発光されるレーザー光23は、このレ
ーザー光23を集光するための投光レンズ21を介して
投光開口部24より前記レーザー光23が受光部14に
向けて投光されるように構成されている。また、受光部
14は前記光検出開口部14aを被う如く偏光フィルタ
ー15が係着固定されており、この偏光フィルター15
から前記レーザー光23を受光するように構成されてい
る。さらに、受光されたレーザー光23は受光レンズ2
6により集光され、光電素子である受光素子27に受光
するように構成され、さらに、前記受光素子27より出
力される光電信号はこの光電信号を増幅するための信号
増幅回路28に接続されている。さらに、前記信号増幅
回路28で増幅された光電信号は前記ウエハ2の有無に
より位置を前記光電信号により判断検出するための検出
回路29に接続されている。前記の如くウエハ搬入出検
出装置が構成されている。
Further, as shown in FIG.
A light emitting element 20 is fixedly installed inside 3a, and an operation signal for controlling the operation of the light emitting element 20 is connected to the drive circuit 25 in the light emitting element 20. Further, the laser light 23 emitted from the light emitting element 20 is projected from the light projecting opening 24 to the light receiving portion 14 through the light projecting lens 21 for condensing the laser light 23. It is configured to be illuminated. A polarization filter 15 is fixedly attached to the light receiving portion 14 so as to cover the light detection opening 14a.
To receive the laser light 23. Further, the received laser beam 23 is received by the light receiving lens 2
The photoelectric signal output from the light receiving element 27 is connected to a signal amplifier circuit 28 for amplifying the photoelectric signal. There is. Further, the photoelectric signal amplified by the signal amplifier circuit 28 is connected to a detection circuit 29 for determining and detecting the position by the photoelectric signal depending on the presence or absence of the wafer 2. The wafer loading / unloading detection device is configured as described above.

【0014】次に、第一の実施例のウエハ2の検出の作
用を説明する。例えば、キャリア3内のウエハ2の位置
を検出する場合、載置台5を昇降させるとともに、その
際に、発光部13a,13bと受光部14a,14bよ
り成る2系統の赤外線センサーでウエハ2の位置と水平
状態を検出して図示しない半導体メモリ等に記憶する。
即ち、前記載置台5を前記昇降機構のモーター6の回転
に同期して昇降させ、最初に前記レーザー光23の光路
をウエハ2が遮断する位置と、次に開光する位置を測定
することにより位置を検出することが出来る。また、こ
の位置を一旦半導体メモリに記憶し、上記2位置間の距
離を常数として演算することにより、前記ウエハ2の傾
きを検出する。
Next, the operation of detecting the wafer 2 of the first embodiment will be described. For example, when detecting the position of the wafer 2 in the carrier 3, the mounting table 5 is moved up and down, and at the same time, the position of the wafer 2 is detected by a two-system infrared sensor composed of the light emitting units 13a and 13b and the light receiving units 14a and 14b. The horizontal state is detected and stored in a semiconductor memory or the like (not shown).
That is, the mounting table 5 is moved up and down in synchronism with the rotation of the motor 6 of the elevating mechanism, and the position where the wafer 2 first blocks the optical path of the laser light 23 and the position where the wafer 2 is opened next are measured. Can be detected. The position of the wafer 2 is detected by temporarily storing this position in a semiconductor memory and calculating the distance between the two positions as a constant.

【0015】しかしながら、前記発光部13a,13b
から投光したレーザー光23は、図4の(a)に示すよ
うに、発光部13aの投光開口部24より投光されたレ
ーザー光23はビーム角θ1の広がりで光路を進むこと
になる。さらに、前記昇降機構によりこれと同期してウ
エハ2も昇降移動する。このウエハ2の周縁部は図4の
(a)に示すように、半径Rの曲面からなる凸状となっ
ており、この凸状周縁部に前記レーザー光23が反射、
例えば、30a,30bで反射し角度θ2,θ3の反射
光32,33となって進行することになる。この反射光
32,33は、図4の(b)に示すように、反射を引き
起こしたウエハ2の上段に位置するウエハ2Xに反射
し、さらにその反射光32,33はウエハ2に反射を繰
り返しながら進行し、受光部14の光検出開口部14a
に係着固定された垂直透過光のみを透過させる偏向フィ
ルター15に入光する。さらに、前記偏向フィルター1
5に角度θ3で入光した乱反射光32,33は前記偏向
フィルター15の偏向作用により抑制または遮断され
る。
However, the light emitting portions 13a and 13b are
As shown in FIG. 4A, the laser light 23 emitted from the laser light 23 emitted from the light emission opening 24 of the light emitting portion 13a travels along the optical path with a spread of the beam angle θ1. . Further, the wafer 2 is also moved up and down in synchronization with the lifting mechanism. As shown in FIG. 4A, the peripheral portion of the wafer 2 has a convex shape having a curved surface with a radius R, and the laser light 23 is reflected on the convex peripheral portion.
For example, the light is reflected by 30a and 30b, and travels as reflected light 32 and 33 having angles θ2 and θ3. As shown in FIG. 4B, the reflected lights 32 and 33 are reflected on the wafer 2X positioned above the wafer 2 that has caused the reflection, and the reflected lights 32 and 33 are repeatedly reflected on the wafer 2. While advancing, the light detection opening 14a of the light receiving unit 14
The light is incident on the deflection filter 15 that is fixedly attached to and transmits only the vertically transmitted light. Further, the deflection filter 1
The irregular reflection lights 32 and 33 entering the light beam 5 at the angle θ3 are suppressed or blocked by the deflecting action of the deflection filter 15.

【0016】このように受光部14の光検出開口部14
aに偏向フィルター15を係着固定させた場合におい
て、前記受光素子27の出力波形は図5の(a)に示す
ように、ウエハ2の位置検出は、前記信号増幅回路28
に前記受光素子27から出力されたウエハ検出波形35
が送信され、例えばn枚目の光路遮光時を36aとし、
n+1枚目の光路遮光時を36bとし、n+2枚目の光
路遮光時を36cのように前記昇降機構の降下または上
昇時において順次ウエハ2の位置を検出する。しかしな
がら、前記偏向フィルター15が受光部14の光検出開
口部14aに係着固定されてない場合、図5の(b)に
示すように、前記反射光が前記受光素子27に受光レン
ズ26を介して入光することになり、ウエハ2による光
路遮光時にグリッジ37が生じることとなり、さらに光
路開光時においてもエッジ38が生ずる。さらに、前記
ウエハ検出波形35は前記信号増幅回路28に送信され
るとともに増幅され、前記検出回路29で位置検出され
る。
As described above, the light detection opening portion 14 of the light receiving portion 14 is
When the deflection filter 15 is fixedly attached to a, the output waveform of the light receiving element 27 is as shown in FIG. 5A, the position of the wafer 2 is detected by the signal amplification circuit 28.
The wafer detection waveform 35 output from the light receiving element 27
Is transmitted, for example, 36a is set when the nth optical path is blocked,
The position of the wafer 2 is sequentially detected when the elevating mechanism is lowered or raised like 36b when the light path of the n + 1th sheet is blocked and 36c when the light path of the n + 2nd sheet is blocked. However, when the deflection filter 15 is not fixed to the light detection opening 14a of the light receiving unit 14, the reflected light passes through the light receiving element 27 and the light receiving lens 26 as shown in FIG. 5B. When the light path is blocked by the wafer 2, a glitch 37 is generated, and an edge 38 is generated even when the light path is opened. Further, the wafer detection waveform 35 is transmitted to the signal amplification circuit 28 and is amplified, and the position is detected by the detection circuit 29.

【0017】前記実施例によれば次の効果が得られる。 (1)前記赤外線レーザー光の光路がウエハ2により遮
光されることにより、ウエハの枚数または位置を検出す
る際、発光部13a,13bより照射された赤外線レー
ザー光がウエハ2の垂直面であるエッジに反射し、この
反射光が上方または下方に収納されているウエハ2に反
射し、この反射光は多段の乱反射となり前記赤外線レー
ザーの受光部14に入光するのを前記偏向フィルター1
5で入光を防止または抑制することができ、正確にキャ
リア3内のウエハ2の枚数または位置の検出が出来る。 (2)さらに、前記ウエハ2の枚数の検出が反射光によ
り正確に出来るので、ウエハ2をウエハ2が収納されて
いるキャリア3から移載装置11により搬入または搬出
する際、搬入時には正確にキャリア3のポケット4に詰
めてウエハ2を挿入でき、搬出時には未処理ウエハ2が
キャリア3内に残留したまま前記キャリアのウエハ2が
空であると判断するのを防止できる。 (3)さらに、前記ウエハ2の位置の検出が正確に出来
るので、前記移載装置11がウエハ2を前記キャリア3
に搬入または搬出する際、位置ずれを防止するので前記
キャリア3のポケット4に正確に挿入でき、ウエハ2を
キャリア3に接触させウエハ2を破損したり、またはキ
ャリア3を転倒させることなく安全に搬入搬出すること
が出来る。 (4)また、前記発光部13a,13bと対を成す2系
統の受光素子を内蔵した、受光部14a,14bにより
前記ウエハ2の水平状態を検出する場合、前記反射光の
影響がなくなるので、正確にウエハ2の水平状態を検出
でき、移載装置11による斜め収納されているウエハ2
の搬入搬送を未然に防ぎ、ウエハ2を破損するのを防止
することが出来るので、移載装置11による搬入搬出の
信頼性を高めることができる。
According to the above embodiment, the following effects can be obtained. (1) Since the optical path of the infrared laser light is blocked by the wafer 2, the infrared laser light emitted from the light emitting portions 13a and 13b is an edge that is a vertical surface of the wafer 2 when detecting the number or positions of the wafers. The reflected light is reflected on the wafer 2 housed above or below, and the reflected light becomes a multi-stage diffuse reflection and enters the light receiving portion 14 of the infrared laser.
5, it is possible to prevent or suppress light entering, and it is possible to accurately detect the number or position of the wafers 2 in the carrier 3. (2) Further, since the number of the wafers 2 can be accurately detected by the reflected light, when the wafers 2 are loaded into or unloaded from the carrier 3 in which the wafers 2 are loaded by the transfer device 11, the carriers are accurately loaded during loading. The wafer 2 can be inserted into the pocket 4 of the carrier 3 and it can be prevented that the wafer 2 of the carrier is empty while the unprocessed wafer 2 remains in the carrier 3 at the time of unloading. (3) Furthermore, since the position of the wafer 2 can be accurately detected, the transfer device 11 transfers the wafer 2 to the carrier 3
When it is carried in or out of the carrier, it is possible to accurately insert it into the pocket 4 of the carrier 3 because it prevents the displacement, and it is possible to safely contact the wafer 2 with the carrier 3 without damaging the wafer 2 or tipping the carrier 3. You can carry in and out. (4) In addition, when the horizontal state of the wafer 2 is detected by the light receiving portions 14a and 14b, which have two light receiving elements paired with the light emitting portions 13a and 13b, the influence of the reflected light is eliminated. The horizontal state of the wafer 2 can be accurately detected, and the wafer 2 is obliquely stored by the transfer device 11.
Since it is possible to prevent the carrying-in / carrying-out of the wafer 2 and to prevent the wafer 2 from being damaged, the reliability of carrying-in / carrying-out by the transfer device 11 can be improved.

【0018】次に、ウエハ位置決め装置に適用した第2
の実施例について説明を行なうが、第1の実施例と同一
部分には同一符合を付けて説明を省略する。図6に示す
ように、ウエハ2を収納するキャリア3は図示しない昇
降移動する載置台上に配置されており、前記キャリア3
の前方には、搬送装置40が配置されている。この搬送
装置40は、開口部41を有し、この開口部41の部分
にウエハ2の中心部が位置するよう吸着保持するアーム
10と、例えばステッピングモーター等によりアーム1
0をY方向に移動させる駆動部42とから構成されてい
る。そして、駆動部42によってアーム10の先端部を
キャリア3内に挿入し、この後キャリア3を図示しない
昇降機構によりわずかに下降させることにより、アーム
10上にウエハ2を載せ、図示しない真空チャックによ
り吸着保持した状態で、キャリア3内からウエハ2を引
き出すよう構成されている。また、前記アーム10の移
動経路には、ウエハ保持機構43が配置されており、こ
のウエハ保持機構43は円柱形状に形成され、上面に図
示しない真空チャックによりウエハ2を吸着保持するチ
ャックベース44が配置されており、また、このチャッ
クベース44の下側には駆動部、例えばステッピングモ
ーター等からなる回転駆動部45を備えており、前記ウ
エハ2を吸着保持した状態で回転可能とするように構成
されている。
Next, the second applied to the wafer positioning device.
The embodiment will be described, but the same parts as those of the first embodiment are designated by the same reference numerals and the description thereof will be omitted. As shown in FIG. 6, the carrier 3 for accommodating the wafer 2 is arranged on a mounting table (not shown) that moves up and down.
A transport device 40 is disposed in front of the. The transfer device 40 has an opening 41, and an arm 10 that holds the wafer 2 by suction so that the center of the wafer 2 is located at the opening 41, and an arm 1 such as a stepping motor.
It is composed of a drive unit 42 for moving 0 in the Y direction. Then, the tip of the arm 10 is inserted into the carrier 3 by the driving unit 42, and then the carrier 3 is slightly lowered by an elevating mechanism (not shown) to place the wafer 2 on the arm 10 and a vacuum chuck (not shown). The wafer 2 is pulled out from the carrier 3 in a sucked and held state. A wafer holding mechanism 43 is arranged in the movement path of the arm 10. The wafer holding mechanism 43 is formed in a cylindrical shape, and a chuck base 44 for sucking and holding the wafer 2 by a vacuum chuck (not shown) is provided on the upper surface thereof. The chuck base 44 is provided with a drive unit, for example, a rotation drive unit 45 composed of a stepping motor or the like, on the lower side of the chuck base 44, and is configured to be rotatable while holding the wafer 2 by suction. Has been done.

【0019】さらに、基体46上には、アーム10上に
吸着保持された、ウエハ2の端部の位置を検出するため
の検出機構47が配置されており、この検出機構47に
は、イメージセンサー、波長、例えば約780nmの半
導体センサーが、固定場所、例えば上下に対向する如く
設けられ、一方下方には発光部50が配置され、他方の
上方には、受光部51が固定配置されている。また、検
出機構47は、例えばステッピングモーター等により前
記検出機構47をX方向に移動させる駆動部48にアー
ム49を介して接続されている。また、図7に示すよう
に、前記発光部50から発光される帯状のレーザー光5
2は、受光部51方向に投光されて進行し、前記受光部
51の光検出開口部53、高さ、例えば0.5mm〜3
mmで幅、例えば2mm〜10mmを被う如く係着され
た偏光フィルター15を介して、前記レーザー光52を
受光部51が受光するように構成されており、さらに、
前記チャックベース44が前記回転駆動部45により回
転し、この回転と同期して前記ウエハ2が回転すること
により、前記帯状、例えば0〜400mmのレーザー光
52をウエハ2が遮光するので、この遮光幅または透光
幅を前記受光部51により測定し、ウエハ2のオリエン
テーションフラット2aの位置を検出し、さらに、ウエ
ハ2の中心位置を前記受光部51より出力される出力信
号は、図示しない検出回路に送信され、この検出回路に
より前記ウエハ2のオリエンテーションフラット2aの
位置を検出するよう構成されている。さらに、前記検出
回路にてオリエンテーションフラットの位置を検出した
検出信号は前記からチャックベース44の回転駆動部4
5に送信され、前記検出信号により前記回転駆動部45
の角度位置決め制御を行なうように構成されている。以
上のように、ウエハ位置決め装置が構成されている。
Further, a detection mechanism 47 for detecting the position of the end portion of the wafer 2, which is adsorbed and held on the arm 10, is arranged on the substrate 46, and the detection mechanism 47 has an image sensor. A semiconductor sensor having a wavelength of, for example, about 780 nm is provided at a fixed place, for example, so as to face each other vertically, and a light emitting unit 50 is disposed below the one and a light receiving unit 51 is disposed above the other. The detection mechanism 47 is connected via an arm 49 to a drive unit 48 that moves the detection mechanism 47 in the X direction by, for example, a stepping motor or the like. In addition, as shown in FIG. 7, a belt-shaped laser beam 5 emitted from the light emitting unit 50.
2 is projected toward the light receiving portion 51 and proceeds, and the light detection opening portion 53 of the light receiving portion 51 has a height, for example, 0.5 mm to 3 mm.
The laser light 52 is configured to be received by the light receiving unit 51 via the polarization filter 15 attached so as to cover a width of, for example, 2 mm to 10 mm in mm, and further,
The chuck base 44 is rotated by the rotation drive unit 45, and the wafer 2 is rotated in synchronization with the rotation, so that the wafer 2 shields the laser beam 52 of the band shape, for example, 0 to 400 mm. The width or the translucent width is measured by the light receiving unit 51, the position of the orientation flat 2a of the wafer 2 is detected, and the output signal output from the light receiving unit 51 at the center position of the wafer 2 is a detection circuit (not shown). And the position of the orientation flat 2a of the wafer 2 is detected by this detection circuit. Further, the detection signal obtained by detecting the position of the orientation flat by the detection circuit is output from the rotation drive unit 4 of the chuck base 44.
5 is transmitted to the rotation drive unit 45 according to the detection signal.
Is configured to perform the angular positioning control. The wafer positioning device is configured as described above.

【0020】前述したウエハ位置決め装置において、前
記ウエハ2の検出時の作用効果を以下に説明する。図8
に示すように、前記発光部50から発光される帯状のレ
ーザー光52は、受光部51方向に投光され進行し、前
記ウエハ2にて遮光される際、反射、例えば反射位置5
3の位置において前記レーザー光52の一部が反射し、
前記基体46方向に反射し、さらに装置側壁54、例え
ば材質はステンレス製(図9に雰囲気中に依存する粒子
および粒子サイズを示すように、高クリーン化が必要と
されるクリーンルームで処理される場合、前記装置に塗
装処理されると、この塗装等の粒子のチリ60がクリー
ンルーム内で浮遊することになり、ウエハ2上の集積回
路等の歩留りに影響する。以上に鑑み、装置に塗装をし
ないのが一般的であり、これにより反射率が大とな
る。)反射を繰り返しながら前記受光部51方向に進行
する。この進行した反射光55は偏向フィルター15に
入光し、前記偏向フィルター15の偏向作用により抑制
または遮断される。また、前記ウエハ2により遮光され
ない帯状のレーザー光52は、垂直入射光のみを透過さ
せる偏向フィルター15を介して受光部51に投光され
透光幅を検出する。
In the above-mentioned wafer positioning apparatus, the operation and effect of detecting the wafer 2 will be described below. Figure 8
As shown in FIG. 5, the strip-shaped laser light 52 emitted from the light emitting section 50 is projected toward the light receiving section 51, travels, and is shielded by the wafer 2, for example, at a reflection position 5.
Part of the laser light 52 is reflected at the position of 3,
In the case of processing in a clean room where high cleanliness is required, as shown in FIG. 9 showing particles and particle size depending on the atmosphere, the side wall 54 of the device reflects the direction toward the substrate 46 and is made of stainless steel. When the apparatus is coated, the dust 60 of particles such as the coating floats in the clean room, which affects the yield of integrated circuits on the wafer 2. In view of the above, the apparatus is not coated. In general, the reflectance is high.) While repeating the reflection, the light travels toward the light receiving portion 51. The reflected light 55 that has traveled enters the deflection filter 15 and is suppressed or blocked by the deflection action of the deflection filter 15. Further, the belt-shaped laser light 52 which is not shielded by the wafer 2 is projected onto the light receiving portion 51 through the deflection filter 15 which transmits only the vertically incident light, and the light transmission width is detected.

【0021】また、前記ウエハ2は前記チャックベース
44が回転機構により回転しており、この時の前記受光
部51から出力される測定信号は、図10の(a)に示
すように、出力信号61が前記受光部51より出力され
る。また、前記出力信号61の出力電圧の最大値である
ピークポイント62は前記ウエハ2のオリエンテーショ
ンフラット2aの検出位置である。さらに、前記ピーク
ポイント62を検出することにより、前記チャックベー
ス44が回転機構により、前記オリエンテーションフラ
ット2aを所定位置に回転角度を移動させ位置決めを行
なう。しかしながら、前記偏向フィルター15を受光部
51に装着しない場合、図10の(b)に示すように、
前記反射光55が受光部51に入光し、前記出力信号6
1にエッジ63a,63bが発生してしまう。このエッ
ジ63a,63bは、オリエンテーションフラット2a
のピークポイント62値より高電圧であるため、エッジ
63a,63bをオリエンテーションフラット位置と誤
検出することになり、前記チャックベース44の位置決
めが正確に行なえなくなる。
The chuck base 44 of the wafer 2 is rotated by a rotating mechanism, and the measurement signal output from the light receiving section 51 at this time is an output signal as shown in FIG. 61 is output from the light receiving unit 51. The peak point 62, which is the maximum value of the output voltage of the output signal 61, is the detection position of the orientation flat 2a of the wafer 2. Further, by detecting the peak point 62, the chuck base 44 is rotated by a rotation mechanism to move the orientation flat 2a to a predetermined position by a rotation angle and perform positioning. However, when the deflection filter 15 is not attached to the light receiving section 51, as shown in FIG.
The reflected light 55 enters the light receiving portion 51, and the output signal 6
Edges 63a and 63b are generated at 1. The edges 63a and 63b are aligned with the orientation flat 2a.
Since the voltage is higher than the peak value 62, the edges 63a and 63b are erroneously detected as orientation flat positions, and the chuck base 44 cannot be accurately positioned.

【0022】以上詳述した、前記位置決め装置におい
て、赤外線センサーの発光部50と受光部51をウエハ
2の垂直方向に互いに対向する場所に固定配置させ、前
記発光部50より発光する帯状の赤外線レーザー光52
をウエハ2が遮光することにより、その遮光幅または透
光幅を前記受光部51により検出する際、ウエハ2の外
周端のエッジに前記赤外線レーザーの発光部50から照
射されるレーザー光52が反射しても、前記偏向フィル
ター15により前記反射光55を遮断または抑制するの
で、ウエハ2のオリエンテーションフラット2aの位置
を正確に検出することが出来る。さらに、前記ウエハ2
のオリエンテーションフラット2aの位置を前記検出回
路により正確に検出することが出来るので、前記検出回
路より出力される検出信号を基とし前記ウエハ2の外周
に設けられたオリエンテーション・フラット2aを所定
場所に移動させる前記チャックベース44の回転機構の
移動角度制御を正確に行なうことが出来る。さらに、前
記チャックベース44の回転機構の移動角度制御が正確
に行なうことが出来るので、次段の処理装置、例えばプ
ラズマエッチング装置においてはウエハ形状に形成され
た載置台、例えば静電チャツクに位置ずれの状態で載置
されることになり、ウエハ2の載置台である静電チャツ
ク上に正確にウエハ2を載置することが出来る。
In the positioning device described in detail above, the light emitting section 50 and the light receiving section 51 of the infrared sensor are fixedly arranged at positions facing each other in the vertical direction of the wafer 2, and a band-shaped infrared laser emitting from the light emitting section 50. Light 52
When the light-shielding width or the light-transmitting width is detected by the light-receiving unit 51 by shielding the wafer 2 from light, the laser light 52 emitted from the light-emitting unit 50 of the infrared laser is reflected on the edge of the outer peripheral edge of the wafer 2. Even so, since the deflection filter 15 blocks or suppresses the reflected light 55, the position of the orientation flat 2a of the wafer 2 can be accurately detected. Further, the wafer 2
Since the position of the orientation flat 2a can be accurately detected by the detection circuit, the orientation flat 2a provided on the outer periphery of the wafer 2 is moved to a predetermined position based on the detection signal output from the detection circuit. The movement angle of the rotating mechanism of the chuck base 44 can be accurately controlled. Further, since the movement angle of the rotating mechanism of the chuck base 44 can be accurately controlled, the next stage processing apparatus, for example, a plasma etching apparatus, is misaligned to a mounting table formed in a wafer shape, for example, an electrostatic chuck. In this state, the wafer 2 can be accurately placed on the electrostatic chuck, which is a placing table for the wafer 2.

【0023】尚、本発明は前記実施例に限定されるもの
ではなく、本発明の要旨の範囲内で種々の変形実施が可
能である。前記偏向フィルター15は受光部14の光検
出開口部14aの内側に係着固定するように構成しても
よいことはもちろんであり、発光部側にも偏向フイルタ
ー15を装着してもよいことは言うまでもない。前記実
施例では、偏光膜を透明プラスチックシートではさんだ
構造のシート状の偏光板或いは、2枚のガラス板の中間
に偏光膜を接着剤で張り合わせた偏光フィルター15を
説明したが斜め入射光を遮光または抑制するものであれ
ばどのような偏向素子でもよい。さらに、前述検出装置
を半導体製造装置に付設する際、エッチング装置、プラ
ズマCVD装置やLCD装置やECR装置等のプラズマ
処理装置或いは洗浄装置、拡散装置、熱処理等にも応用
できるのは当然のことである。さらに、半導体製造装置
に限らず、ウエハの検出を光センサーで行なうものであ
ればいずれにも適用できる。
The present invention is not limited to the above embodiment, and various modifications can be made within the scope of the gist of the present invention. It is needless to say that the deflection filter 15 may be fixed and fixed to the inside of the light detection opening 14a of the light receiving unit 14, and the deflection filter 15 may be attached to the light emitting unit side. Needless to say. In the above embodiments, the polarizing plate 15 having a structure in which the polarizing film is sandwiched by the transparent plastic sheets or the polarizing filter 15 in which the polarizing film is bonded to the middle of two glass plates with an adhesive is described. Alternatively, any deflection element may be used as long as it suppresses it. Furthermore, when the above-mentioned detection device is attached to a semiconductor manufacturing device, it is naturally applicable to a plasma processing device such as an etching device, a plasma CVD device, an LCD device, an ECR device, or a cleaning device, a diffusion device, a heat treatment, etc. is there. Further, the invention is not limited to the semiconductor manufacturing apparatus, but can be applied to any apparatus as long as it can detect a wafer by an optical sensor.

【0024】[0024]

【発明の効果】以上説明したように、本発明は、検出手
段の発光部から照射される照射光がウエハにより反射さ
れても受光部の偏向フィルターにおいて乱反射光の検出
を抑制または防止することが出来るので、ウエハの枚数
または位置の検出が正確にできるという顕著な効果があ
る。
As described above, according to the present invention, even if the irradiation light emitted from the light emitting portion of the detecting means is reflected by the wafer, the detection of irregularly reflected light in the deflection filter of the light receiving portion can be suppressed or prevented. Therefore, there is a remarkable effect that the number or position of wafers can be accurately detected.

【0025】[0025]

【図面の簡単な説明】[Brief description of drawings]

【図1】本発明に係る第1の実施例のウエハ搬入搬出検
出装置を示す縱概斜視図である。
FIG. 1 is a schematic perspective view showing a wafer loading / unloading detection device according to a first embodiment of the present invention.

【図2】図1のウエハ搬入搬出検出装置のキャリアの部
分概略断面図である。
FIG. 2 is a partial schematic cross-sectional view of a carrier of the wafer loading / unloading detection device of FIG.

【図3】図1のウエハ検出の動作を説明するための概略
断面図である。
FIG. 3 is a schematic cross-sectional view for explaining the wafer detection operation of FIG.

【図4】(a)図1の赤外線センサー光の反射光を説明
するための部分断面図である。 (b)図1の赤外線センサーの受光部に透光する反射光
を説明するための部分断面図である。
FIG. 4A is a partial cross-sectional view for explaining reflected light of the infrared sensor light of FIG. FIG. 2B is a partial cross-sectional view for explaining reflected light transmitted through the light receiving portion of the infrared sensor of FIG. 1.

【図5】(a)図1の赤外線センサーの出力波形を時間
軸で示す波形図である。 (b)図1の赤外線センサーの出力波形を時間軸で示す
波形図である。
5 (a) is a waveform diagram showing an output waveform of the infrared sensor of FIG. 1 on a time axis. (B) It is a waveform diagram which shows the output waveform of the infrared sensor of FIG. 1 on a time axis.

【図6】図1の他の実施例を説明する概略斜視図であ
る。
FIG. 6 is a schematic perspective view illustrating another embodiment of FIG.

【図7】図6のウエハの検出を説明するための部分概略
断面図である。
FIG. 7 is a partial schematic cross-sectional view for explaining detection of the wafer in FIG.

【図8】図6の赤外線センサー光の反射光を説明するた
めの部分概略断面図である。
FIG. 8 is a partial schematic cross-sectional view for explaining reflected light of the infrared sensor light of FIG.

【図9】先行技術における大気中に存在する一般的な粒
子及びその径を示す説明図である。
FIG. 9 is an explanatory view showing general particles existing in the atmosphere and their diameters in the prior art.

【図10】(a)図6の赤外線センサーの出力波形を時
間軸で示す波形図である。 (b)図6の赤外線センサーの出力波形を時間軸で示す
波形図である。
10 (a) is a waveform diagram showing an output waveform of the infrared sensor of FIG. 6 on a time axis. 7B is a waveform diagram showing the output waveform of the infrared sensor of FIG. 6 on the time axis.

【符合の説明】[Explanation of sign]

1 ウエハ搬入出検出装置 2 ウエハ 2a オリエンテーションフラット 3 キャリア 13a,13b 発光部 14 受光部 14a,14b 光検出開口部 15 偏向フィルター 20 発光素子 23 レーザー光 24 投光開口部 27 受光素子 32,33 反射光 1 wafer loading / unloading detection device 2 wafer 2a orientation flat 3 carrier 13a, 13b light emitting part 14 light receiving part 14a, 14b light detection opening 15 deflection filter 20 light emitting element 23 laser light 24 light projecting opening 27 light receiving element 32, 33 reflected light

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.5 識別記号 庁内整理番号 FI 技術表示箇所 H01L 31/12 G 7210−4M ─────────────────────────────────────────────────── ─── Continuation of the front page (51) Int.Cl. 5 Identification code Internal reference number FI technical display location H01L 31/12 G 7210-4M

Claims (2)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】 キャリア内に収納された複数枚のウエハ
の位置または枚数をウエハに対して光照射する発光素子
と、この発光素子に対向する受光素子により光学的に検
出するウエハ検出装置において、 前記受光素子の入射光路に設けられた偏光素子を特徴と
するウエハ検出装置。
1. A light-emitting element for irradiating the wafer with the position or the number of a plurality of wafers stored in a carrier, and a wafer detection device for optically detecting the light-receiving element facing the light-emitting element. A wafer detecting device characterized by a polarizing element provided in an incident optical path of the light receiving element.
【請求項2】 ウエハの外周縁部をウエハ面と垂直に光
照射する発光素子と、この発光素子に対向する受光素子
によりウエハの周縁を光学的に検出し予め定められた位
置にウエハを位置決めする装置において、 前記受光素子の入射光路に設けられた偏光素子を特徴と
するウエハ位置決め装置。
2. A light emitting element that irradiates the outer peripheral edge of the wafer perpendicularly to the wafer surface, and a light receiving element facing the light emitting element optically detects the peripheral edge of the wafer to position the wafer at a predetermined position. In the above apparatus, a wafer positioning device characterized by a polarizing element provided in an incident light path of the light receiving element.
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