JPH0668831A - 走査電子顕微鏡などの反射電子検出器 - Google Patents
走査電子顕微鏡などの反射電子検出器Info
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- JPH0668831A JPH0668831A JP21919292A JP21919292A JPH0668831A JP H0668831 A JPH0668831 A JP H0668831A JP 21919292 A JP21919292 A JP 21919292A JP 21919292 A JP21919292 A JP 21919292A JP H0668831 A JPH0668831 A JP H0668831A
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 反射電子の検出感度に優れ、十分な検出電流
量を得ることができる走査電子顕微鏡などの反射電子検
出器を実現する。 【構成】 半導体検出器９の試料３に対向した受光面を
Ｎ形半導体（Ｎ＋）層１２で形成し、他方の面をＰ形半
導体（Ｐ＋）層１０で形成している。すなわち、シリコ
ン（Ｓｉ）半導体のＰＩＮ層間に形成される空間電荷に
よる電界Ｅに注目し、この電界Ｅが電子と正孔の移動に
対して順方向に作用するように反射電子の受光面をＮ＋
層とした。
量を得ることができる走査電子顕微鏡などの反射電子検
出器を実現する。 【構成】 半導体検出器９の試料３に対向した受光面を
Ｎ形半導体（Ｎ＋）層１２で形成し、他方の面をＰ形半
導体（Ｐ＋）層１０で形成している。すなわち、シリコ
ン（Ｓｉ）半導体のＰＩＮ層間に形成される空間電荷に
よる電界Ｅに注目し、この電界Ｅが電子と正孔の移動に
対して順方向に作用するように反射電子の受光面をＮ＋
層とした。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、走査電子顕微鏡などの
反射電子検出器に関し、特に、ＰＩＮ型の半導体の反射
電子検出器に関する。
反射電子検出器に関し、特に、ＰＩＮ型の半導体の反射
電子検出器に関する。
【０００２】
【従来の技術】走査電子顕微鏡などに用いられる反射電
子検出器は、シンチレータ形と半導体形に大きく分類さ
れる。図１（ａ），（ｂ）はシンチレータ形の反射電子
検出器を示しており、図１（ａ）において、１は走査電
子顕微鏡の対物レンズ、２は試料台、３は試料台２上に
載せられた試料である。対物レンズ１と試料３との間の
空間の光軸から離された部分にシンチレータ形反射電子
検出器４が配置されている。この検出器４は、アクリル
製チップの上にＰ４７などの蛍光体を塗布し、更にその
上からアルミニウムなどの金属を蒸着したシンチレータ
５とシンチレータで発光した光を導くライトガイド６な
どが含まれている。なお、シンチレータ５には二次電子
検出器として使用する場合には、１０ｋＶ程度の電圧が
印加されているが、反射電子検出器として使用する場合
には前記印加電圧を切る。また、図１（ｂ）の反射電子
検出器はロビンソン形検出器と呼ばれるもので、ライド
ガイド６部分が対物レンズ１と試料３との間にまで延ば
されており、入射電子ビームＥＢの通過開口７がライト
ガイド６に穿たれている。そして、ライトガイド６の試
料３に対向した表面にはフィルム状のシンチレータ８が
設けられている。この図１（ａ），（ｂ）に示した検出
器では、試料３への電子ビームＥＢの照射によって発生
した反射電子がシンチレータ５に入射して発光させる。
この光はライトガイド６によって光電子増倍管（図示せ
ず）に導かれ、電気信号に変換される。
子検出器は、シンチレータ形と半導体形に大きく分類さ
れる。図１（ａ），（ｂ）はシンチレータ形の反射電子
検出器を示しており、図１（ａ）において、１は走査電
子顕微鏡の対物レンズ、２は試料台、３は試料台２上に
載せられた試料である。対物レンズ１と試料３との間の
空間の光軸から離された部分にシンチレータ形反射電子
検出器４が配置されている。この検出器４は、アクリル
製チップの上にＰ４７などの蛍光体を塗布し、更にその
上からアルミニウムなどの金属を蒸着したシンチレータ
５とシンチレータで発光した光を導くライトガイド６な
どが含まれている。なお、シンチレータ５には二次電子
検出器として使用する場合には、１０ｋＶ程度の電圧が
印加されているが、反射電子検出器として使用する場合
には前記印加電圧を切る。また、図１（ｂ）の反射電子
検出器はロビンソン形検出器と呼ばれるもので、ライド
ガイド６部分が対物レンズ１と試料３との間にまで延ば
されており、入射電子ビームＥＢの通過開口７がライト
ガイド６に穿たれている。そして、ライトガイド６の試
料３に対向した表面にはフィルム状のシンチレータ８が
設けられている。この図１（ａ），（ｂ）に示した検出
器では、試料３への電子ビームＥＢの照射によって発生
した反射電子がシンチレータ５に入射して発光させる。
この光はライトガイド６によって光電子増倍管（図示せ
ず）に導かれ、電気信号に変換される。
【０００３】図１（ｃ）は半導体形反射電子検出器を用
いた走査電子顕微鏡を示しており、対物レンズ１と試料
３との間の空間に、入射電子ビームＥＢを通過させるた
めの穴が穿たれたドーナツ状のＰＩＮ型半導体検出器９
が配置される。図２はその詳細を示しており、半導体検
出器９は反射電子の受光面となるＰ形半導体（Ｐ＋）層
１０、真性領域のＩ層１１、Ｎ形半導体（Ｎ＋）層１２
より成り、ＰＩＮ形フォトダイオードを構成している。
すなわち、Ｐ＋層１０は、シリコンにボロン（Ｂ）など
の不純物が拡散されており、また、Ｎ＋層１２にはリン
（Ｐ）などの不純物が拡散されている。この構成で、Ｎ
＋層１２は接地され、Ｐ＋層１０から入射電子に応じた
強度の信号が取り出される。
いた走査電子顕微鏡を示しており、対物レンズ１と試料
３との間の空間に、入射電子ビームＥＢを通過させるた
めの穴が穿たれたドーナツ状のＰＩＮ型半導体検出器９
が配置される。図２はその詳細を示しており、半導体検
出器９は反射電子の受光面となるＰ形半導体（Ｐ＋）層
１０、真性領域のＩ層１１、Ｎ形半導体（Ｎ＋）層１２
より成り、ＰＩＮ形フォトダイオードを構成している。
すなわち、Ｐ＋層１０は、シリコンにボロン（Ｂ）など
の不純物が拡散されており、また、Ｎ＋層１２にはリン
（Ｐ）などの不純物が拡散されている。この構成で、Ｎ
＋層１２は接地され、Ｐ＋層１０から入射電子に応じた
強度の信号が取り出される。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】一般に、反射電子検出
器の感度は、試料表面から検出器の受光面までの距離に
依存し、その距離（間隔）が短いほど感度が向上するこ
とが知られている。しかしながら、図１（ａ），（ｂ）
に示したシンチレータ形検出器は、大きな試料を傾斜さ
せると試料が検出器４に接触する危険があるため、試料
３と検出器４との間の距離を短くすることには限度があ
る。一方、図１（ｃ）や図２に示した半導体検出器９
は、薄板構造のため、検出器９に試料３を限りなく近づ
けることができるので、シンチレータ形に比べて感度の
面で有利となる。
器の感度は、試料表面から検出器の受光面までの距離に
依存し、その距離（間隔）が短いほど感度が向上するこ
とが知られている。しかしながら、図１（ａ），（ｂ）
に示したシンチレータ形検出器は、大きな試料を傾斜さ
せると試料が検出器４に接触する危険があるため、試料
３と検出器４との間の距離を短くすることには限度があ
る。一方、図１（ｃ）や図２に示した半導体検出器９
は、薄板構造のため、検出器９に試料３を限りなく近づ
けることができるので、シンチレータ形に比べて感度の
面で有利となる。
【０００５】しかし、従来の受光面をＰ形半導体とする
検出器は、例えば、入射電子ビームＥＢの加速電圧が
０．５ｋＶ〜３５ｋＶの範囲のとき、その加速された電
子が試料３に入射すると、試料との相互作用によって一
次入射電子が試料表面および試料内部から反射し、検出
器のＰ＋層に入射する。この時、Ｐ＋層に入射する反射
電子のエネルギーは、試料の構成元素や形状、検出器と
試料間の距離、試料室内の真空度およびガス雰囲気など
によって異なるが、入射電子のエネルギーの相当部分を
有している。このように、０．５ｋＶ〜３５ｋＶで加速
された電子が試料に照射されると、試料表面から発生す
る反射電子に対してＰＩＮ層間に形成される空間電荷
（図７（ａ）に示すドナーイオンとアクセプタイオン）
による電界Ｅが逆方向に作用している。このため、加速
電圧が低い時の反射電子ほどＰ＋層の多数キャリアであ
る正孔と結合し、電界Ｅの壁を乗り越えられなくなる。
電界Ｅの壁を乗り越えた極くわずかの反射電子が有感層
であるＩ層の格子（電子・正孔対）を励起し、Ｉ層の電
子・正孔対はそれぞれ自由電子と自由正孔に分離され
る。
検出器は、例えば、入射電子ビームＥＢの加速電圧が
０．５ｋＶ〜３５ｋＶの範囲のとき、その加速された電
子が試料３に入射すると、試料との相互作用によって一
次入射電子が試料表面および試料内部から反射し、検出
器のＰ＋層に入射する。この時、Ｐ＋層に入射する反射
電子のエネルギーは、試料の構成元素や形状、検出器と
試料間の距離、試料室内の真空度およびガス雰囲気など
によって異なるが、入射電子のエネルギーの相当部分を
有している。このように、０．５ｋＶ〜３５ｋＶで加速
された電子が試料に照射されると、試料表面から発生す
る反射電子に対してＰＩＮ層間に形成される空間電荷
（図７（ａ）に示すドナーイオンとアクセプタイオン）
による電界Ｅが逆方向に作用している。このため、加速
電圧が低い時の反射電子ほどＰ＋層の多数キャリアであ
る正孔と結合し、電界Ｅの壁を乗り越えられなくなる。
電界Ｅの壁を乗り越えた極くわずかの反射電子が有感層
であるＩ層の格子（電子・正孔対）を励起し、Ｉ層の電
子・正孔対はそれぞれ自由電子と自由正孔に分離され
る。
【０００６】分離された自由電子は、電界Ｅの作用を受
けてＮ＋層に移動する。また、自由正孔は電界Ｅの作用
を受けてＰ＋層に移動する。このように自由電子と自由
正孔の移動によって電流ｉは、Ｎ＋層からＰ＋層へ流れ
る。この電流は、極めて微弱なため、電気回路によって
増幅しても加速電圧が０．５ｋＶ〜３５ｋＶの走査電子
顕微鏡などにおいて、高倍率で像観察する場合には決し
て十分な信号量とはならなかった。
けてＮ＋層に移動する。また、自由正孔は電界Ｅの作用
を受けてＰ＋層に移動する。このように自由電子と自由
正孔の移動によって電流ｉは、Ｎ＋層からＰ＋層へ流れ
る。この電流は、極めて微弱なため、電気回路によって
増幅しても加速電圧が０．５ｋＶ〜３５ｋＶの走査電子
顕微鏡などにおいて、高倍率で像観察する場合には決し
て十分な信号量とはならなかった。
【０００７】本発明は、このような点に鑑みてなされた
もので、その目的は、反射電子の検出感度に優れ、十分
な検出電流量を得ることができる走査電子顕微鏡などの
反射電子検出器を実現するにある。
もので、その目的は、反射電子の検出感度に優れ、十分
な検出電流量を得ることができる走査電子顕微鏡などの
反射電子検出器を実現するにある。
【０００８】
【課題を解決するための手段】本発明に基づく走査電子
顕微鏡などの反射電子検出器は、試料へ電子ビームを照
射し、試料からの反射電子を検出するＰＩＮ型半導体検
出器であって、試料に対向した反射電子の受光面をＮ型
半導体としたことを特徴としている。
顕微鏡などの反射電子検出器は、試料へ電子ビームを照
射し、試料からの反射電子を検出するＰＩＮ型半導体検
出器であって、試料に対向した反射電子の受光面をＮ型
半導体としたことを特徴としている。
【０００９】
【作用】本発明に基づく走査電子顕微鏡などの反射電子
検出器は、試料からの反射電子を検出するＰＩＮ型半導
体検出器の試料に対向した反射電子の受光面をＮ型半導
体とし、検出感度を向上させる。
検出器は、試料からの反射電子を検出するＰＩＮ型半導
体検出器の試料に対向した反射電子の受光面をＮ型半導
体とし、検出感度を向上させる。
【００１０】
【実施例】以下、図面を参照して本発明の実施例を詳細
に説明する。図３は、本発明の一実施例を示しており、
図２の従来装置と同一部分には同一番号が付されてい
る。この実施例では、半導体検出器９の試料３に対向し
た受光面をＮ形半導体（Ｎ＋）層１２で形成し、他方の
面をＰ形半導体（Ｐ＋）層１０で形成している。すなわ
ち、シリコン（Ｓｉ）半導体のＰＩＮ層間に形成される
空間電荷による電界の方向に注目し、この電界が電子と
正孔の移動に対して順方向に作用するように反射電子の
受光面をＮ＋層とした。このような構成とした場合の動
作原理を次に説明する。
に説明する。図３は、本発明の一実施例を示しており、
図２の従来装置と同一部分には同一番号が付されてい
る。この実施例では、半導体検出器９の試料３に対向し
た受光面をＮ形半導体（Ｎ＋）層１２で形成し、他方の
面をＰ形半導体（Ｐ＋）層１０で形成している。すなわ
ち、シリコン（Ｓｉ）半導体のＰＩＮ層間に形成される
空間電荷による電界の方向に注目し、この電界が電子と
正孔の移動に対して順方向に作用するように反射電子の
受光面をＮ＋層とした。このような構成とした場合の動
作原理を次に説明する。
【００１１】図示しない電子線の発生源からの電子ビー
ムＥＢが反射電子検出器９の電子ビーム通過穴１３を通
して試料台２に載せられた試料３に入射すると、反射電
子が発生し、その反射電子はＳｉ半導体検出器９のＮ＋
層１２に入射する。電子が多数キャリアであるＮ＋層１
２の表層部は、マイナス電荷を有する反射電子で充満さ
れ、電子密度が上昇し、電子がＩ層１１に流れ込む。こ
の時、反射電子に対してＰＩＮ層間に形成される空間電
荷（図７（ｂ）に示すドナーイオンとアクセプタイオ
ン）による電界ＥがＮ＋層１２からＩ層１１に流れ込む
電子を加速する方向に作用する。このため、加速電圧が
低い時の反射電子でも容易に有感層であるＩ層に到達す
ることが可能となりＩ層の格子（電子・正孔対）を励起
する。その結果、従来（受光面がＰ＋層）よりも多くの
自由電子と自由正孔を得ることができる。この自由電子
は、電界Ｅの作用を受けてＮ＋層に移動し、自由正孔は
電界Ｅの作用を受けてＰ＋層に移動する。このように数
多くの自由電子と自由正孔が移動することによって得ら
れる電流ｉは、従来（受光面がＰ＋層）よりも大きくな
る。すなわち、電流量はＩ層で分離される自由電子と自
由正孔の数に依存する。また、別の言い方をすると、上
記した現象は、反射電子のエネルギー損失が受光面をＰ
＋層とするよりもＮ＋層としたほうが少なかったためで
はないかと思われる。
ムＥＢが反射電子検出器９の電子ビーム通過穴１３を通
して試料台２に載せられた試料３に入射すると、反射電
子が発生し、その反射電子はＳｉ半導体検出器９のＮ＋
層１２に入射する。電子が多数キャリアであるＮ＋層１
２の表層部は、マイナス電荷を有する反射電子で充満さ
れ、電子密度が上昇し、電子がＩ層１１に流れ込む。こ
の時、反射電子に対してＰＩＮ層間に形成される空間電
荷（図７（ｂ）に示すドナーイオンとアクセプタイオ
ン）による電界ＥがＮ＋層１２からＩ層１１に流れ込む
電子を加速する方向に作用する。このため、加速電圧が
低い時の反射電子でも容易に有感層であるＩ層に到達す
ることが可能となりＩ層の格子（電子・正孔対）を励起
する。その結果、従来（受光面がＰ＋層）よりも多くの
自由電子と自由正孔を得ることができる。この自由電子
は、電界Ｅの作用を受けてＮ＋層に移動し、自由正孔は
電界Ｅの作用を受けてＰ＋層に移動する。このように数
多くの自由電子と自由正孔が移動することによって得ら
れる電流ｉは、従来（受光面がＰ＋層）よりも大きくな
る。すなわち、電流量はＩ層で分離される自由電子と自
由正孔の数に依存する。また、別の言い方をすると、上
記した現象は、反射電子のエネルギー損失が受光面をＰ
＋層とするよりもＮ＋層としたほうが少なかったためで
はないかと思われる。
【００１２】図４は本発明のより具体的な実施例を示し
ており、図４（ａ）はＳｉ半導体検出器１５の平面図、
図４（ｂ）は検出器をフォトダイオードと見なした際の
模式図である。この実施例で用いられている検出器は、
反射電子の受光面がＮ＋層のカソード、裏側のＰ＋層が
アノードとなる検出器１５ａ，１５ｂの２分割１対形の
検出器である。なお、図中Ｈは電子ビームの通過開口で
ある。この２分割とする理由は、２つの検出器の出力信
号の演算を行うことによって試料の組成信号と凹凸信号
の分離を可能ならしめるためるものです。すなわち、検
出器１５ａと１５ｂの両出力信号を加算すると試料の組
成に基づいた信号のみとなり、加算信号を一次電子ビー
ムの走査信号が供給されている陰極線管に輝度信号とし
て供給すれば、組成像を表示することができる。一方、
検出器１５ａと１５ｂの出力信号を減算すると、試料の
凹凸に基づいた信号のみとなり、減算信号を陰極線管に
供給することにより、試料の凹凸像を表示することがで
きる。
ており、図４（ａ）はＳｉ半導体検出器１５の平面図、
図４（ｂ）は検出器をフォトダイオードと見なした際の
模式図である。この実施例で用いられている検出器は、
反射電子の受光面がＮ＋層のカソード、裏側のＰ＋層が
アノードとなる検出器１５ａ，１５ｂの２分割１対形の
検出器である。なお、図中Ｈは電子ビームの通過開口で
ある。この２分割とする理由は、２つの検出器の出力信
号の演算を行うことによって試料の組成信号と凹凸信号
の分離を可能ならしめるためるものです。すなわち、検
出器１５ａと１５ｂの両出力信号を加算すると試料の組
成に基づいた信号のみとなり、加算信号を一次電子ビー
ムの走査信号が供給されている陰極線管に輝度信号とし
て供給すれば、組成像を表示することができる。一方、
検出器１５ａと１５ｂの出力信号を減算すると、試料の
凹凸に基づいた信号のみとなり、減算信号を陰極線管に
供給することにより、試料の凹凸像を表示することがで
きる。
【００１３】図５は本発明の他の実施例を示しており、
図５（ａ）はＳｉ半導体検出器１６の平面図、図５
（ｂ）は検出器をフォトダイオードと見なした際の模式
図である。反射電子の受光面がＮ＋層のカソード、裏側
のＰ＋層がアノードとなる検出器１６ａ〜１６ｈの８分
割形の検出器である。４つの検出器１６ａ〜１６ｄを電
気的に４個直列接続となるようにリード線で結び、実質
的に単一の検出器としている。また、他の４つの検出器
１６ｅ〜１６ｈも電気的に４個直列接続となるようにリ
ード線で結び、実質的に単一の検出器としている。この
実施例のように、多数の検出器（Ｎ個）を直列接続する
と、ＰＩＮ層間の寄性容量（浮遊容量ともいう）が１／
Ｎとなり、電気的応答速度が早くなる利点を有する。
図５（ａ）はＳｉ半導体検出器１６の平面図、図５
（ｂ）は検出器をフォトダイオードと見なした際の模式
図である。反射電子の受光面がＮ＋層のカソード、裏側
のＰ＋層がアノードとなる検出器１６ａ〜１６ｈの８分
割形の検出器である。４つの検出器１６ａ〜１６ｄを電
気的に４個直列接続となるようにリード線で結び、実質
的に単一の検出器としている。また、他の４つの検出器
１６ｅ〜１６ｈも電気的に４個直列接続となるようにリ
ード線で結び、実質的に単一の検出器としている。この
実施例のように、多数の検出器（Ｎ個）を直列接続する
と、ＰＩＮ層間の寄性容量（浮遊容量ともいう）が１／
Ｎとなり、電気的応答速度が早くなる利点を有する。
【００１４】図６は本発明の他の実施例を示している。
この実施例では、２分割一対形の検出器１７ａ，１７ｂ
の他に独立した検出器１７ｃを備えている。各検出器１
７ａ〜１７ｃの検出信号を前置増幅器で増幅し、演算増
幅器に導くわけであるが、検出器１７ｃの信号を電気的
にオフとし、検出器１７ａ，１７ｂの両信号を加算すれ
ば、組成像のための信号が得られ、両信号の差信号を得
れば、凹凸像のための信号が得られる。ここまでは、図
４の実施例で述べた通りである。この実施例では、検出
器１７ａと１７ｂの加算信号に、更に検出器１７ｃの出
力信号を加算すれば、組成信号と凹凸信号の混合した立
体感に富む像を形成することができる。なお、この実施
例では、検出器１７ｃによって斜め方向から試料の観察
領域を望むように、すなわち、試料から反射された反射
電子を低い角度で受光できるように、検出器１７ｃを電
子ビーム光軸から一定距離以上離して配置することによ
り、立体感をより強く出すことができる。
この実施例では、２分割一対形の検出器１７ａ，１７ｂ
の他に独立した検出器１７ｃを備えている。各検出器１
７ａ〜１７ｃの検出信号を前置増幅器で増幅し、演算増
幅器に導くわけであるが、検出器１７ｃの信号を電気的
にオフとし、検出器１７ａ，１７ｂの両信号を加算すれ
ば、組成像のための信号が得られ、両信号の差信号を得
れば、凹凸像のための信号が得られる。ここまでは、図
４の実施例で述べた通りである。この実施例では、検出
器１７ａと１７ｂの加算信号に、更に検出器１７ｃの出
力信号を加算すれば、組成信号と凹凸信号の混合した立
体感に富む像を形成することができる。なお、この実施
例では、検出器１７ｃによって斜め方向から試料の観察
領域を望むように、すなわち、試料から反射された反射
電子を低い角度で受光できるように、検出器１７ｃを電
子ビーム光軸から一定距離以上離して配置することによ
り、立体感をより強く出すことができる。
【００１５】
【発明の効果】以上説明したように、本発明に基づく走
査電子顕微鏡などの反射電子検出器は、試料からの反射
電子を検出するＰＩＮ型半導体検出器の試料に対向した
反射電子の受光面をＮ型半導体としたので、反射電子の
検出感度を向上させ、十分な検出電流量を得ることがで
きる。
査電子顕微鏡などの反射電子検出器は、試料からの反射
電子を検出するＰＩＮ型半導体検出器の試料に対向した
反射電子の受光面をＮ型半導体としたので、反射電子の
検出感度を向上させ、十分な検出電流量を得ることがで
きる。
【図１】従来の反射電子検出器を示す図である。
【図２】従来の半導体形反射電子検出器を示す図であ
る。
る。
【図３】本発明の一実施例である反射電子検出器を示す
図である。
図である。
【図４】本発明の具体的な実施例を示す図である。
【図５】本発明の具体的な実施例を示す図である。
【図６】本発明の具体的な実施例を示す図である。
【図７】従来形と本発明との対比を説明するための図で
ある。
ある。
１ 対物レンズ ２ 試料台 ３ 試料 ９ 半導体形検出器 １０ Ｐ＋層 １１ Ｉ層 １２ Ｎ＋層
フロントページの続き (51)Int.Cl.5 識別記号 庁内整理番号 ＦＩ 技術表示箇所 Ｈ０１Ｌ 21/027
Claims (3)
- 【請求項１】 試料へ電子ビームを照射し、試料からの
反射電子を検出するＰＩＮ型半導体検出器であって、試
料に対向した反射電子の受光面をＮ型半導体としたこと
を特徴とする走査電子顕微鏡などの反射電子検出器。 - 【請求項２】 試料へ電子ビームを照射し、試料からの
反射電子を検出するＰＩＮ型半導体検出器であって、試
料に対向した反射電子の受光面をＮ型半導体とした反射
電子検出器を複数設け、それらの検出器を直列接続した
ことを特徴とする走査電子顕微鏡などの反射電子検出
器。 - 【請求項３】 試料へ電子ビームを照射し、試料からの
反射電子を検出するＰＩＮ型半導体検出器であって、電
子ビーム光軸に対称に設けられ、試料に対向した反射電
子の受光面をＮ型半導体とした第１と第２の反射電子検
出器と、試料から反射された反射電子を低い角度で検出
するための第３の反射電子検出器とを備えた走査電子顕
微鏡などの反射電子検出器。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP21919292A JP3154827B2 (ja) | 1992-08-18 | 1992-08-18 | 走査電子顕微鏡などの反射電子検出器 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP21919292A JP3154827B2 (ja) | 1992-08-18 | 1992-08-18 | 走査電子顕微鏡などの反射電子検出器 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0668831A true JPH0668831A (ja) | 1994-03-11 |
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1992
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