JPH0666502B2 - レーザ材料としてnyab結晶を有する自倍周波数小型レーザ装置 - Google Patents
レーザ材料としてnyab結晶を有する自倍周波数小型レーザ装置Info
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Description
【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は、レーザ装置に関するものであり、更に詳細に
は、レーザ材料としてNYAB〔NdxY1-xAl3(BO3)4,式
中、xは0.03〜0.08〕の単晶体を用いたレーザ効果及び
自倍周波数効果を有する小型レーザ装置に関するもので
ある。
は、レーザ材料としてNYAB〔NdxY1-xAl3(BO3)4,式
中、xは0.03〜0.08〕の単晶体を用いたレーザ効果及び
自倍周波数効果を有する小型レーザ装置に関するもので
ある。
レーザ技術及びその応用の発展と共に、レーザ効果及び
非線形光学効果を有する多機能材料の出現が渇望され、
可視レーザ光を直接放出することのできる結晶材料及び
それを用いたレーザ装置の研究に大きな関心が持たれて
いた。1970年代以前には、Tm3+イオン及びNd3+イオ
ンでLiNbO3結晶をドーピングすることにより多機能結晶
を得る化学的研究についての報告があった。自倍周波数
レーザの実験は、Nd3+:LiNbO3の結晶を用いて遂行され
ていた。釣り合わない原子価及びイオン半径のNd3+イオ
ンのドーピングによって、結晶の光学的均質性が、実際
使用には至らない程に劣化することが判っている。19
83年に、ソ連の科学者達は、Nd0.2Y0.8Al3(BO3)4の多
機能結晶を開発して1.32〜0.66μmの自倍周波数レーザ
効果を実現するのに成功した。1986年に、山東大学
晶体材料研究科は、熔塩法(flux method)によりNdxY
1-xAl3(BO3)4〔式中、xは0.05〜0.15〕の結晶を生成
し、それによって、1.06〜0.53μmを放出する自倍周波
数レーザの動作が、ダイレーザの587.8nmレーザビーム
の励起で実現した。然しながら、それ自体より高いエネ
ルギー出力をもつ0.53μmの波長になり得る或るレーザ
を、励起源として使用して、自倍周波数効果によってよ
り低いエネルギー出力をもつ0.53μmのレーザビームを
作り出すことは実用価値がない。
非線形光学効果を有する多機能材料の出現が渇望され、
可視レーザ光を直接放出することのできる結晶材料及び
それを用いたレーザ装置の研究に大きな関心が持たれて
いた。1970年代以前には、Tm3+イオン及びNd3+イオ
ンでLiNbO3結晶をドーピングすることにより多機能結晶
を得る化学的研究についての報告があった。自倍周波数
レーザの実験は、Nd3+:LiNbO3の結晶を用いて遂行され
ていた。釣り合わない原子価及びイオン半径のNd3+イオ
ンのドーピングによって、結晶の光学的均質性が、実際
使用には至らない程に劣化することが判っている。19
83年に、ソ連の科学者達は、Nd0.2Y0.8Al3(BO3)4の多
機能結晶を開発して1.32〜0.66μmの自倍周波数レーザ
効果を実現するのに成功した。1986年に、山東大学
晶体材料研究科は、熔塩法(flux method)によりNdxY
1-xAl3(BO3)4〔式中、xは0.05〜0.15〕の結晶を生成
し、それによって、1.06〜0.53μmを放出する自倍周波
数レーザの動作が、ダイレーザの587.8nmレーザビーム
の励起で実現した。然しながら、それ自体より高いエネ
ルギー出力をもつ0.53μmの波長になり得る或るレーザ
を、励起源として使用して、自倍周波数効果によってよ
り低いエネルギー出力をもつ0.53μmのレーザビームを
作り出すことは実用価値がない。
本発明者等は、材料の構造と性質との間の関係を研究し
た結果、NdxY1-xAl3(BO3)4の結晶が、その大きな結合エ
ネルギー、高い硬度及び高い熱伝導性並びに良好な理化
学的安定性によって、理想的な自倍周波数レーザ材料で
あることを見出した。結晶の光学的均等性は、Nd3+イオ
ンのドーピングによって劣化されなかった。他方、それ
は、高い利得係数をもつ小型レーザに必要なより高いNd
3+レベルで結晶をドーピングするときには、濃度ケンチ
ング効果(concentration quenching effect)が少な
い。
た結果、NdxY1-xAl3(BO3)4の結晶が、その大きな結合エ
ネルギー、高い硬度及び高い熱伝導性並びに良好な理化
学的安定性によって、理想的な自倍周波数レーザ材料で
あることを見出した。結晶の光学的均等性は、Nd3+イオ
ンのドーピングによって劣化されなかった。他方、それ
は、高い利得係数をもつ小型レーザに必要なより高いNd
3+レベルで結晶をドーピングするときには、濃度ケンチ
ング効果(concentration quenching effect)が少な
い。
自倍周波数レーザの実験における特殊条件に基づいて、
周波数ダブリング効果と結晶棒の長さとの間の関係を研
究するため、本研究者等は、非線形光学的結合方程式を
修正してxの値の範囲をx=0.03〜0.08と確定した。
周波数ダブリング効果と結晶棒の長さとの間の関係を研
究するため、本研究者等は、非線形光学的結合方程式を
修正してxの値の範囲をx=0.03〜0.08と確定した。
概括的な意味で、本発明の目的は、NdxY1-xAl3(BO3)
〔式中x=0.03〜0.08〕の単結晶を用いて出力レーザ波
長0.532μmをもつ実際に役に立つ小型レーザ装置を提
供することである。
〔式中x=0.03〜0.08〕の単結晶を用いて出力レーザ波
長0.532μmをもつ実際に役に立つ小型レーザ装置を提
供することである。
本発明の上記及びその他の特殊及び利点は、実施例及び
添付図面に関して示される以下の説明から明らかになる
であろう。
添付図面に関して示される以下の説明から明らかになる
であろう。
本発明は、コヒーレント光または非コヒーレント光ポン
ビング源の光学的励起によって0.532μm及び0.660μm
のレーザ光を発生させるためにNdxY1-xAl3(BO3)4〔式中
x=0.03〜0.08〕の単晶体を自倍周波数レーザ材料とし
て有する小型レーザ装置に存する。非コヒーレントな励
起源は、直線状または螺旋状または環状のキセノンまた
はクリプトンランプまたは、パルスまたは持続波出力で
あることができる発光ダイオードでよい。コヒーレント
な励起源は、矢張りパルスまたは持続波出力であること
ができるシングルレーザダイオードまたはマトリツクス
レーザダイオード系の様なレーザ光源でよい。結晶は、
形式Iまたは形式IIの位相整合方向に従って異なったサ
イズの棒に切断することができる。励起源としての非コ
ヒーレントまたはコヒーレント光源は、結晶の棒と共に
並んで取り付けまたは結晶の棒の一端に配することがで
きる。幾度かの実験の後、本発明者等は、Nd3+ドーピン
グをしたYAB結晶〔NdxY1-xAl3(BO3)4(式中xの数値
は0.03〜0.08)〕が光学的均質性のより大きなサイズに
生長することができることを見出した。結晶は、0.532
μm及び0.660μmの波長のレーザビーム出力をつくる
ために形式Iまたは形式iiの位相整合角に従って異なっ
たサイズの棒に切断することができる。
ビング源の光学的励起によって0.532μm及び0.660μm
のレーザ光を発生させるためにNdxY1-xAl3(BO3)4〔式中
x=0.03〜0.08〕の単晶体を自倍周波数レーザ材料とし
て有する小型レーザ装置に存する。非コヒーレントな励
起源は、直線状または螺旋状または環状のキセノンまた
はクリプトンランプまたは、パルスまたは持続波出力で
あることができる発光ダイオードでよい。コヒーレント
な励起源は、矢張りパルスまたは持続波出力であること
ができるシングルレーザダイオードまたはマトリツクス
レーザダイオード系の様なレーザ光源でよい。結晶は、
形式Iまたは形式IIの位相整合方向に従って異なったサ
イズの棒に切断することができる。励起源としての非コ
ヒーレントまたはコヒーレント光源は、結晶の棒と共に
並んで取り付けまたは結晶の棒の一端に配することがで
きる。幾度かの実験の後、本発明者等は、Nd3+ドーピン
グをしたYAB結晶〔NdxY1-xAl3(BO3)4(式中xの数値
は0.03〜0.08)〕が光学的均質性のより大きなサイズに
生長することができることを見出した。結晶は、0.532
μm及び0.660μmの波長のレーザビーム出力をつくる
ために形式Iまたは形式iiの位相整合角に従って異なっ
たサイズの棒に切断することができる。
形式Iの位相整合方向で切断された結晶の棒による周波
数ダブリングレーザビームの出力の強さは、形式IIの位
相整合方向で切断された結晶の棒による出力の強さより
約4倍大である。
数ダブリングレーザビームの出力の強さは、形式IIの位
相整合方向で切断された結晶の棒による出力の強さより
約4倍大である。
結晶NdxY1-xAl3(BO3)4〔式中x=0.03〜0.08〕の構造
は、空間群R32及び格子定数a=b=9,293Å、c=7,2
45Å,z=4をもつ三方晶系であり、そこには2種の位
相整合形式、即ち形式I及び形式IIがあり、それは、基
本周波数及びダブリング周波数におけるレーザビームが
結晶の特定方向のコヒーレンス増強条件、即ち 〔式中Kは波数ベクトル、nは対応する波長の曲折率,
cは光の速度,ωは円形周波数である。〕を満足するこ
とを意味する。同軸位相整合条件下では、伝搬の方向
は、基本周波数及びダブリング周波数の両方の光に共線
形であり、従ってΔ=0で、且つ、 (1)形式Iの位相整合(o+o→e)で、 ▲Nω o▼=▲N2ω e▼(▲θI m▼) (2)形式IIの位相整合(o+o→e)で、 ▲Nω o▼+▲Nω e▼(▲θII m▼)=▲2N2ω e
▼(▲θII m▼) である。
は、空間群R32及び格子定数a=b=9,293Å、c=7,2
45Å,z=4をもつ三方晶系であり、そこには2種の位
相整合形式、即ち形式I及び形式IIがあり、それは、基
本周波数及びダブリング周波数におけるレーザビームが
結晶の特定方向のコヒーレンス増強条件、即ち 〔式中Kは波数ベクトル、nは対応する波長の曲折率,
cは光の速度,ωは円形周波数である。〕を満足するこ
とを意味する。同軸位相整合条件下では、伝搬の方向
は、基本周波数及びダブリング周波数の両方の光に共線
形であり、従ってΔ=0で、且つ、 (1)形式Iの位相整合(o+o→e)で、 ▲Nω o▼=▲N2ω e▼(▲θI m▼) (2)形式IIの位相整合(o+o→e)で、 ▲Nω o▼+▲Nω e▼(▲θII m▼)=▲2N2ω e
▼(▲θII m▼) である。
詳細は光学学報第7巻,第2号,139〜142頁に劉
恩来等により報告されている。
恩来等により報告されている。
結晶の有効非線性光学係数は、次の通りである。
▲XI eff▼=F2(▲θI m▼,φ,d11)=d11cos▲θI
m▼cos3φ ▲XII eff▼=F1(▲θII m▼,φ,d11)=d11cos▲
θII m▼sin3φ 〔式中、d11は結晶の非線性系数、φは結晶のa軸に対
する方位角,θmはc軸に対する挟角、即ち形式Iまた
は形式IIにおける位相整合角である。〕 結果は次の様に得られる。
m▼cos3φ ▲XII eff▼=F1(▲θII m▼,φ,d11)=d11cos▲
θII m▼sin3φ 〔式中、d11は結晶の非線性系数、φは結晶のa軸に対
する方位角,θmはc軸に対する挟角、即ち形式Iまた
は形式IIにおける位相整合角である。〕 結果は次の様に得られる。
▲Nω o▼=1.7553; ▲Nω e▼=1.6869; ▲N2ω o▼=1.7808; ▲N2ω e▼=1.7050; ▲θI m▼=32°54′;▲θII m▼=51°2′ 且つ、 のとき、▲XI eff▼は極大値を有し、▲XI eff▼=0.82
35d11,▲XII eff▼=0.4032d11,▲XI eff▼=2.04▲
XII eff▼である。
35d11,▲XII eff▼=0.4032d11,▲XI eff▼=2.04▲
XII eff▼である。
周波波ダブリング光の強さは有効非線性係数の平方に正
比例する。従って、形式Iの位相整合における周波数ダ
ブリング光の強さは、形式IIの位相整合における強さの
4倍である。
比例する。従って、形式Iの位相整合における周波数ダ
ブリング光の強さは、形式IIの位相整合における強さの
4倍である。
本発明者等は、NdxY1-xAl3(BO3)4〔式中x=0.03〜0.0
8〕の結晶が高い硬度、抗潮解性、抗劈開性、高い耐酸
及び耐アルカリ性、良好な光学的均質性及び比較的高い
熱伝導性の様な優れた物理的及び化学的性質を有するこ
とも見出した。これは、LiNbO3結晶と比べたNYAB結
晶の利点である。明らかに、NYAB結晶は、損傷また
は劣化なしに長期間に亘って使用することのできるレー
ザ材料である筈である。室温での位相整合の故に、NY
AB結晶は、152℃の位相整合温度をもつNd3+:LiNbO3
結晶よりもレーザ閾値が低くレーザ性能がよい。従っ
て、NYABは、ランプ励起レーザ装置にもパルス波及
び持続波レーザ励起のレーザ装置にも適用できる。特
に、NYABは、半導体ダイオードレーザによつて励起
された緑色の出力を得る利点がある。
8〕の結晶が高い硬度、抗潮解性、抗劈開性、高い耐酸
及び耐アルカリ性、良好な光学的均質性及び比較的高い
熱伝導性の様な優れた物理的及び化学的性質を有するこ
とも見出した。これは、LiNbO3結晶と比べたNYAB結
晶の利点である。明らかに、NYAB結晶は、損傷また
は劣化なしに長期間に亘って使用することのできるレー
ザ材料である筈である。室温での位相整合の故に、NY
AB結晶は、152℃の位相整合温度をもつNd3+:LiNbO3
結晶よりもレーザ閾値が低くレーザ性能がよい。従っ
て、NYABは、ランプ励起レーザ装置にもパルス波及
び持続波レーザ励起のレーザ装置にも適用できる。特
に、NYABは、半導体ダイオードレーザによつて励起
された緑色の出力を得る利点がある。
励起源は、約588nm,748nm及び/または807nmで一つの
ピークをもつ非コヒーレントであり得る。上記の3波長
でのピーク発射が強ければ強い程、結晶の動作効率は高
くなる。商業的に入手可能なクリプトンランプ、キセノ
ンランプ及び光学スペクトル整合レーザダイオード類は
適当な励起源である。励起源がパルス波により動作する
場合は、発生するレーザビームは、パルス形である。励
起源が持続波によって動作する場合は、発生するレーザ
ビームは、パルス形である。励起源が持続波によって動
作する場合は、発生するレーザビームは、接続形であ
る。レーザエネルギ出力は、励起エネルギーの増大と共
に急速に増大する筈である。レーザビームの発散角がθ
=2.3mラジアンであり、レーザビーム出力が高い視準を
もつ線形の偏光であることが測定されている。
ピークをもつ非コヒーレントであり得る。上記の3波長
でのピーク発射が強ければ強い程、結晶の動作効率は高
くなる。商業的に入手可能なクリプトンランプ、キセノ
ンランプ及び光学スペクトル整合レーザダイオード類は
適当な励起源である。励起源がパルス波により動作する
場合は、発生するレーザビームは、パルス形である。励
起源が持続波によって動作する場合は、発生するレーザ
ビームは、パルス形である。励起源が持続波によって動
作する場合は、発生するレーザビームは、接続形であ
る。レーザエネルギ出力は、励起エネルギーの増大と共
に急速に増大する筈である。レーザビームの発散角がθ
=2.3mラジアンであり、レーザビーム出力が高い視準を
もつ線形の偏光であることが測定されている。
実施例1 第1図に示されている本発明の実施例1を参照すると、
1はNdxY1-xAl3(BO3)4[式中xは0.03〜0.08]の結晶の
棒であり、2は直線状、環状または螺旋状のキセノンラ
ンプであり、3は1.06μm及び0.53μmの波長の全反射
をもつミラーであり、4は1.06μmの波長で全反射、0.
53μmの波長で全透過をもつミラーであり、5は1.06μ
mの波長で全反射、0.53μmの波長で全透過を持つ光学
フィルタであり、6はレーザのエネルギー出力を測定す
るためのLPE−1Aメータであり、7はパルスレーザ
電源であり、8は結晶棒と励起源とがそれぞれ各焦点に
置かれている単一長円反射器である焦点反射器である。
長円の主軸2aは10mm、短軸2bは8.6mm、eは0.51であ
る。反射器は真鍮で作られており、その内側は磨いて銀
メッキされている。パルスキセノンランプを持続波クリ
プトンランプまたは高反復率のパルスキセノンランプに
代えると、レーザ装置は、好適には、水冷、空冷または
半導体冷却等の冷却手段が設けられた高反復率パルスま
たは持続波のものにすることができる。
1はNdxY1-xAl3(BO3)4[式中xは0.03〜0.08]の結晶の
棒であり、2は直線状、環状または螺旋状のキセノンラ
ンプであり、3は1.06μm及び0.53μmの波長の全反射
をもつミラーであり、4は1.06μmの波長で全反射、0.
53μmの波長で全透過をもつミラーであり、5は1.06μ
mの波長で全反射、0.53μmの波長で全透過を持つ光学
フィルタであり、6はレーザのエネルギー出力を測定す
るためのLPE−1Aメータであり、7はパルスレーザ
電源であり、8は結晶棒と励起源とがそれぞれ各焦点に
置かれている単一長円反射器である焦点反射器である。
長円の主軸2aは10mm、短軸2bは8.6mm、eは0.51であ
る。反射器は真鍮で作られており、その内側は磨いて銀
メッキされている。パルスキセノンランプを持続波クリ
プトンランプまたは高反復率のパルスキセノンランプに
代えると、レーザ装置は、好適には、水冷、空冷または
半導体冷却等の冷却手段が設けられた高反復率パルスま
たは持続波のものにすることができる。
実施例2 第2図は、発光ダイオードまたは半導体ダイオードレー
ザによって励起される本発明のレーザ装置の一実施例を
示し、1は焦点反射器の代わりに励起光を集めるために
一側面に反射コーチングを施したNdxY1-xAl3(BO3)4〔式
中xは0.03〜0.08〕の結晶棒、2は発光ダイオードアレ
イまたはレーザダイオードアレイであり、3は1.06μm
及び0.53μmで全反射をもつミラー、4は1.06μmで全
反射を0.53μmで全透過をもつミラーである。
ザによって励起される本発明のレーザ装置の一実施例を
示し、1は焦点反射器の代わりに励起光を集めるために
一側面に反射コーチングを施したNdxY1-xAl3(BO3)4〔式
中xは0.03〜0.08〕の結晶棒、2は発光ダイオードアレ
イまたはレーザダイオードアレイであり、3は1.06μm
及び0.53μmで全反射をもつミラー、4は1.06μmで全
反射を0.53μmで全透過をもつミラーである。
実施例3 第3図は、高強度の発光ダイオードまたはレーザダイオ
ードまたはレーザダイオードアレイによって励起される
本発明の他の実施例を示し、1はNdxY1-xAl3(BO3)4〔式
中xは0.03〜0.08〕の結晶棒、2は高強度発光ダイオー
ド、または、レーザダイオードまたはレーザダイオード
アレイ、3は結晶棒の端面に直接コーチングされていて
もよい、1.06μm及び0.53μmで全反射、約8,000Å〜
8,100Åの領域で高い透過をもつ膜状媒体であり、4は
矢張り結晶の他の端面にコーチングされることができ
る、1.06μmで全反射、0.53μmで全透過をもつ出力ミ
ラーであり、5は励起用ビームの開口と視準とを調節す
るためのテレスコープ装置である。
ードまたはレーザダイオードアレイによって励起される
本発明の他の実施例を示し、1はNdxY1-xAl3(BO3)4〔式
中xは0.03〜0.08〕の結晶棒、2は高強度発光ダイオー
ド、または、レーザダイオードまたはレーザダイオード
アレイ、3は結晶棒の端面に直接コーチングされていて
もよい、1.06μm及び0.53μmで全反射、約8,000Å〜
8,100Åの領域で高い透過をもつ膜状媒体であり、4は
矢張り結晶の他の端面にコーチングされることができ
る、1.06μmで全反射、0.53μmで全透過をもつ出力ミ
ラーであり、5は励起用ビームの開口と視準とを調節す
るためのテレスコープ装置である。
更に既述されるべきことは、結晶棒のための要件が、1/
8λ未満の平面度、V級の精細度、20″未満の垂直度
及び10″未満の平行度の様な光学的性質を有する精密
仕上げ部品の通常の方法で充足され得るということであ
る。
8λ未満の平面度、V級の精細度、20″未満の垂直度
及び10″未満の平行度の様な光学的性質を有する精密
仕上げ部品の通常の方法で充足され得るということであ
る。
実施例4 φ3mm×25mmのパルスキセノンランプを励起源として使
用し、φ3.5mm×12.16mのNYABの結晶棒を有するレ
ーザ装置の性能パラメータがLPE−1Aレーザエネル
ギー出力計及びTekronix 466オシログラフにより測定さ
れた。
用し、φ3.5mm×12.16mのNYABの結晶棒を有するレ
ーザ装置の性能パラメータがLPE−1Aレーザエネル
ギー出力計及びTekronix 466オシログラフにより測定さ
れた。
レーザ閾値 〜57.3mJ レーザエネルギー出力 〜3mJ(Qスイッチ) パルス接続時間(自走)100ns (Qスイッチ5〜8ns) ビーム偏光度 >90% ビーム発散度 2ミリラジアン レーザパルスの波形はオシログラフから取られる。NY
ABレーザ装置によって生じる緑色のレーザビームの波
長は、44w回折格子モノクロメーターにより0.532μ
mであると測定された。
ABレーザ装置によって生じる緑色のレーザビームの波
長は、44w回折格子モノクロメーターにより0.532μ
mであると測定された。
〔効果〕 上述した様に、本発明は、普通に入手可能な小型閃光ラ
ンプによって励起でき、且つ容易に輸送設備の少ない高
原、山地及び村落へ携帯できる様に小型、軽量でエネル
ギー消耗の少ない実用的なレーザ装置にすることができ
るNYAB結晶をもつレーザ装置を提供する。本発明の
実施例の一つは、容積が42mm×72mm×135mmで重
量は400gであり、ペンシル型乾電池(5号電池)に
より電力を供給される。
ンプによって励起でき、且つ容易に輸送設備の少ない高
原、山地及び村落へ携帯できる様に小型、軽量でエネル
ギー消耗の少ない実用的なレーザ装置にすることができ
るNYAB結晶をもつレーザ装置を提供する。本発明の
実施例の一つは、容積が42mm×72mm×135mmで重
量は400gであり、ペンシル型乾電池(5号電池)に
より電力を供給される。
本発明により提供されるレーザ装置は、レーザ治療、レ
ーザホログラフィ、速度分野のレーザ測定、海中レーザ
通信、レーザドリル及び空中撮影時に応用できる様に緑
色のレーザビームを発生する、小型且つ非コヒーレント
またはコヒーレント光励起を用いるレーザ装置である。
ーザホログラフィ、速度分野のレーザ測定、海中レーザ
通信、レーザドリル及び空中撮影時に応用できる様に緑
色のレーザビームを発生する、小型且つ非コヒーレント
またはコヒーレント光励起を用いるレーザ装置である。
以上、本発明の現在での好適な実施例と思われるものを
記述したが、多くの変形が可能であり、且つ本発明の真
の精神及び範囲内に属するその様な全ての変形を特許請
求の範囲がカバーすべく意図されていることフ理解され
るであろう。
記述したが、多くの変形が可能であり、且つ本発明の真
の精神及び範囲内に属するその様な全ての変形を特許請
求の範囲がカバーすべく意図されていることフ理解され
るであろう。
第1図は、本発明の第1実施例の概略図である。 第2図は、本発明の第2実施例の概略図である。 第3図は、本発明の第3実施例の概略図である。 1……結晶棒、2……キセノンランプ、3,4……ミラ
ー、5……光学フィルタ、6……LPE−1Aレーザメ
ータ、7……パルスレーザ電源。
ー、5……光学フィルタ、6……LPE−1Aレーザメ
ータ、7……パルスレーザ電源。
フロントページの続き (72)発明者 ホワン イ ツュァン 中国 フゥ ヂェン シャン フゥ ヂョ ォ シィ シィー ムゥン ウァイ チィ ヂュウ リィン 350002 ヅォン ゴォ カォ シュエ ユェン フゥ ヂェン ウ ヂ ヂィェ ゴォ イェン ジュ ス ゥォ 内 (72)発明者 ヂャン アイ ドン 中国 フゥ ヂェン シャン フゥ ヂョ ォ シィ シィー ムゥン ウァイ チィ ヂュウ リィン 350002 ヅォン ゴォ カォ シュエ ユェン フゥ ヂェン ウ ヂ ヂィェ ゴォ イェン ジュ ス ウォ 内 (72)発明者 ロォワ ヅゥン ドゥ 中国 フゥ ヂェン シャン フゥ ヂョ ォ シィ シィー ムゥン ウァイ チィ ヂュウ リィン 350002 ヅォン ゴォ カォ シュエ ユェン フゥ ヂェン ウ ヂ ヂィェ ゴォ イェン ジュ ス ゥォ 内
Claims (10)
- 【請求項1】自倍周波数結晶としてのNdxY1-xA3(BO
3)4〔式中x=0.03〜0.08〕の単晶体棒と、0.532μm及
び0.660μmのレーザ光を発生するための非コヒーレン
ト励起源またはコヒーレント励起源とを有することを特
徴とする、レーザ効果及び非線性光学効果を有する小型
レーザ装置。 - 【請求項2】前記単晶体棒が形式I即ち(o+o→
e):▲Nω o▼=▲N2ω e▼(▲QI m▼)または形
式II即ち(o+e→e):▲Nω o▼+▲Nω e▼(▲
QII m▼)=▲2N2ω e▼(▲QII m▼)の位相整合角
に従って切断されていることを特徴とする、請求項1に
記載の小型レーザ装置。 - 【請求項3】前記非コヒーレント励起源が、直線状ラン
プまたは螺旋状ランプまたは環状ランプであることを特
徴とする、請求項1または2に記載の小型レーザ装置。 - 【請求項4】前記コヒーレント励起源がパルス波または
持続波であることを特徴とする、請求項3に記載の小型
レーザ装置。 - 【請求項5】前記非コヒーレント励起源がキセノンラン
プまたはクリプトンランプまたは他のスペクトル整合の
強い非コヒーレント光源であることを特徴とする、請求
項1,2,3または4に記載の小型レーザ装置。 - 【請求項6】前記非コヒーレント励起光源が、前記結晶
棒の側面または結晶棒の一端面に取り付けられているこ
とを特徴とする、請求項5に記載の小型レーザ装置。 - 【請求項7】前記コヒーレント励起光源が半導体ダイオ
ードレーザまたはダイオードレーザアレイであることを
特徴とする、請求項1または2に記載の小型レーザ装
置。 - 【請求項8】前記コヒーレント励起光源がパルス波また
は持続波であることを特徴とする、請求項7に記載の小
型レーザ装置。 - 【請求項9】前記励起源が結晶棒の側面または結晶棒の
一端面に設けられていることを特徴とする、請求項8に
記載の小型レーザ装置。 - 【請求項10】前記レーザダイオードまたはレーザダイ
オードアレイが7,400Å〜7,500Åまたは8,000Å〜8,100
Åのピーク出力をもつ7,000Å〜8,500Åの範囲の波を発
生することを特徴とする、請求項7に記載の小型レーザ
装置。
Applications Claiming Priority (4)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
CN89102343.7 | 1989-04-15 | ||
CN 89102343 CN1016301B (zh) | 1989-04-15 | 1989-04-15 | 用四硼酸铝钇钕单晶体制造的激光器件 |
CN 89103818 CN1016302B (zh) | 1989-06-01 | 1989-06-01 | 用四硼酸铝钇钕单晶体制造的激光器件 |
CN89103818.3 | 1989-06-01 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH03174786A JPH03174786A (ja) | 1991-07-29 |
JPH0666502B2 true JPH0666502B2 (ja) | 1994-08-24 |
Family
ID=25742558
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2069935A Expired - Lifetime JPH0666502B2 (ja) | 1989-04-15 | 1990-03-22 | レーザ材料としてnyab結晶を有する自倍周波数小型レーザ装置 |
Country Status (2)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US5058118A (ja) |
JP (1) | JPH0666502B2 (ja) |
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JPH04233290A (ja) * | 1990-12-28 | 1992-08-21 | Hoya Corp | 固体レーザ装置 |
EP0592766B1 (en) * | 1992-06-19 | 1998-09-16 | Sony Corporation | Method for adjusting the optical axis of an optical system |
JPH0617261U (ja) * | 1992-08-05 | 1994-03-04 | 勉 高橋 | ハンディレーザー装置 |
JPH06209135A (ja) * | 1992-11-06 | 1994-07-26 | Mitsui Petrochem Ind Ltd | 固体レーザ装置 |
US5388114A (en) * | 1994-03-17 | 1995-02-07 | Polaroid Corporation | Miniaturized self-Q-switched frequency-doubled laser |
US5822345A (en) * | 1996-07-08 | 1998-10-13 | Presstek, Inc. | Diode-pumped laser system and method |
ES2146544B1 (es) * | 1998-07-16 | 2001-03-01 | Univ Madrid Autonoma | Laser productor de radiaciones en la zona azul del espectro, basado enla suma de frecuencias de la intracavidad del laser y en el bombeo de nd:yab bombeado por un diodo o por un laser de titanio zafiro. |
US6210864B1 (en) | 1998-10-06 | 2001-04-03 | Presstek, Inc. | Method and apparatus for laser imaging with multi-mode devices and optical diffusers |
US6185236B1 (en) | 1999-02-02 | 2001-02-06 | University Of Central Florida | Self frequency double nd-doped: YCOB LASER |
JP2004219878A (ja) * | 2003-01-17 | 2004-08-05 | Orc Mfg Co Ltd | 波長変換レーザー装置 |
US20050190805A1 (en) * | 2003-06-30 | 2005-09-01 | Scripsick Michael P. | Doped stoichiometric lithium niobate and lithium tantalate for self-frequency conversion lasers |
JP5189738B2 (ja) * | 2005-03-29 | 2013-04-24 | ジェイディーエス ユニフェイズ コーポレーション | 能動的qスイッチ・レーザの安定化 |
Family Cites Families (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US4942582A (en) * | 1989-04-24 | 1990-07-17 | Spectra-Physics | Single frequency solid state laser |
-
1990
- 1990-03-22 JP JP2069935A patent/JPH0666502B2/ja not_active Expired - Lifetime
- 1990-04-05 US US07/505,022 patent/US5058118A/en not_active Expired - Fee Related
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JPH03174786A (ja) | 1991-07-29 |
US5058118A (en) | 1991-10-15 |
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