JPH066496B2 - 半導体製造用炉芯管とその製造方法 - Google Patents

半導体製造用炉芯管とその製造方法

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JPH066496B2
JPH066496B2 JP60106932A JP10693285A JPH066496B2 JP H066496 B2 JPH066496 B2 JP H066496B2 JP 60106932 A JP60106932 A JP 60106932A JP 10693285 A JP10693285 A JP 10693285A JP H066496 B2 JPH066496 B2 JP H066496B2
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JP
Japan
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tube
furnace core
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core tube
semiconductor manufacturing
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正好 山口
和教 目黒
秀逸 松尾
泰実 佐々木
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Coorstek KK
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Toshiba Ceramics Co Ltd
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  • Compositions Of Oxide Ceramics (AREA)
  • Surface Treatment Of Glass (AREA)

Description

【発明の詳細な説明】 産業上の利用分野 この発明は、半導体製造用炉芯管とその製造方法に関す
る。
従来の技術 周知のように、半導体拡散炉では石英ガラス製の炉芯管
が使われている。近年、その炉芯管の大型化が強く望ま
れるようになってきた。
発明が解決しようとする問題点 従来の炉芯管は、大型化に伴って、高温での使用による
管の曲がりや、上下方向のつぶれが問題になってきた。
発明の目的 この発明は、前述のような従来技術の欠点を解消して、
高温で大きな強度を有し、しかも安価に製造できる半導
体製造用炉芯管とその製造方法を提供することを目的と
している。
発明の要旨 このような目的を達成するために、第1の発明は、内面
部が石英ガラスの層からなり、外面部がAl2−Al
−Si系複合体の層からなり、かつ内面部と外面部とが
一体化された二重構造になっている半導体製造用炉芯管
を要旨としている。
また、第2の発明は石英ガラス製のチューブの内部を密
封した状態のままチューブの外面部だけをAlにより蒸
着処理してチューブ外面部中のSiOとAlを反応さ
せ、チューブ外面部の層のみをAl2−Al−Si系
複合体にし、そのあと、チューブを所定寸法に切断する
ことを特徴とする半導体製造用炉芯管の製造方法を要旨
としている。
問題点を解決するための手段 第1図は、この発明による炉芯管の外面部のAl2
Al−Si系複合体の微細構造を示す断面図で、第2図
はその複合体の切断面(ダイヤモドペーストによる研磨
面)を示す倍率800倍の顕微鏡写真である。
第1〜2図からも明らかなように、この発明による炉芯
管の外面部を構成しているAl2−Al−Si系複合
体は、Al2の複雑形状の長尺体3が互いに連結され
て連続することにより全体としてマトリックスを構成
し、そのマトリックスにAlとSiの固溶体4が密に設
けられている。
第3〜5図は前述の複合体からAlとSiの固溶体4を
完全に除去してAl2のマトリックスのみを示す倍率
1000倍、2000倍、7000倍の顕微鏡写真であ
る。第3〜5図からも明白なように、Al2の長尺体
3からなるマトリックスは、全体として三次元網状にな
っている。Al2の長尺体3が種々の三次元方向にラ
ンダムに向くように不規則に配置されている。しかも、
Al2の長尺体3は規則的な一定形状でなく不規則な
形状をしていて、各々が比較的偏平になっている。
この発明による炉芯管の内面部は石英ガラスで構成され
ており、それは周知の構造であるので、説明を省略す
る。
なお本明細書では「Al2−Al−Si系」という表
現は最も広義に使用しており、Al2、AlおよびS
iが主成分であることを意味し、主成分以外の未反応の
SiOを含むこともありうるものであり、それは本発
明の範囲に入る。本発明のAl2−Al−Si系複合
体層は、好ましくは50〜90重量%のAl2、5〜
25重量%のAl、2〜25重量%のSiよりなる組成
にする。
本発明による炉芯管の製造方法について述べると、まず
石英ガラス製のチューブをつくる。そのチューブは内部
を密封する。密封の仕方は任意でよい。チューブを密封
したまま減圧下又は不活性雰囲気下で高純度(例えば9
9.9%以上)のAlにより蒸着処理することにより、 4Al+3SiO→2Al2+3Si の式に従ってAlとSiOを反応させ、チューブ外面
部中のSiOをAlに置換する。
最後に、チューブを所定の寸法に切断して、所望の炉芯
管を得る。
以上の製法で得られる炉芯管はその外面部の層がAl2
−Al−Si系複合体になっている。この複合体は酸
化雰囲気で使用すると、Si及びAlが酸化されて、A
l2とSiOとなるため、さらに高温での機械的強
度が向上する。
このようなAl2−Al−Si系複合体層の厚みは、
Alによる石英ガラスへの蒸着時間を変化させることに
よって調節することができる。
実施例1 第6図はこの発明による炉芯管を製造するための蒸着装
置の一例の概略を示している。
石英ガラス製の反応容器1は上部が開放されていて、下
方部が閉じられている。その内部には高純度カーボン製
のルツボ2が配置してある。反応容器1の上部にはシャ
ッター3が設けてある。シャッター3の上部には出入れ
部分4が設けてある。出入れ部分4の側部には別のシャ
ッター5が設けてある。出入れ部分4とシャッター3を
貫通して線状の保持器6が垂直に配装できるようになっ
ている。保持器6の上部は上下駆動機構13に連結され
ていて、下方部は石英ガラス製のチューブ7を保持す
る。チューブ7は上下端が絞られていて内部が密封され
ている。
また、反応容器1の上方側部には排気口8が形成してあ
って、真空ポンプ9に接続してある。さらに反応容器1
及び石英ガラス製チューブ7の外側にはヒータ10が螺
旋状に配置してある。
符号12はルツボ2に収容されている純度99.9%の
Al融液を示している。
なお、ルツボ2を支持するための手段は図の簡略をはか
るため図示を省略している。
使用にあたっては、まず石英ガラス製のチューブ7をつ
くる。シャッター5を開けて、そのチューブ7を保持器
6の下端に取りつけ、しかるのちシャッター5を閉じ
る。つぎはシャッター3を開けて、保持器6の下端を下
降させることにより、そのチューブ7を10〜15To
rrの減圧下又は不活性雰囲気下の反応容器1内で保持す
る。その間、純度99.9%のAl融液12が加熱され
て蒸発し、チューブ7の外面に蒸着する。それにより、 4Al+3SiO→2Al2+3Si の式にしたがって、AlとSiOを反応させ、チュー
ブ7の外面部中のSiOをAl2に置換し、厚さ1
〜100μのAl2−Al−Si系の複合体層を得
る。そのあと、保持器6の下端を上昇させることにより
チューブを出入れ部分4まで上昇させ、シャッター3を
閉じてからシャッター5を開け、チューブ7を保持器6
から除去する。
さらに、チューブ7の両端部を切断して、所定寸法の炉
芯管を得る。
発明の効果 本発明による炉芯管は、外面部の層がAl2−Al−
Si系複合体からなっているので、耐熱性や機械的強度
が高いとともに、靭性を大巾に向上させることができ
る。したがって、製品の大型化をはかっても、高温で曲
がり、つぶれ、割れなどの心配がない。しかも失透防止
にも効果がある。
また、本発明による炉芯管は、酸化雰囲気で使用する
と、Si及びAlが酸化されてAl2とSiOにな
るため、高温での機械的強度がさらに向上する。
【図面の簡単な説明】
第1図はこの発明による炉芯管の外面部に存在するAl2
とSiO−Al−Si系複合体の微細構造を示す
断面図、第2図は第1図のAl2−Al−Si系複合
体の微細構造の断面図を示す顕微鏡写真、第3〜5図は
第2図に示した複合体のAl2マトリックスのみを示
す互に倍率の異なる顕微鏡写真、第6図は本発明を実施
するための蒸着装置の一例を示す概略説明図である。 1.....反応容器 2.....ルツボ 3、5...シャッター 4.....出入れ部分 7.....ガラス製のチューブ 12....Al融液

Claims (2)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】内面部が石英ガラスの層からなり、外面部
    がAl2−Al−Si系複合体の層からなり、かつ内
    面部と外面部とが一体化された二重構造になっている半
    導体製造用炉芯管。
  2. 【請求項2】石英ガラス製のチューブの内部を密封した
    状態のままチューブの外面部だけをAlにより蒸着処理
    してチューブ外面部中のSiOとAlを反応させ、チ
    ューブ外面部の層のみをAl2−Al−Si系複合体
    にし、そのあと、チューブを所定寸法に切断することを
    特徴とする半導体製造用炉芯管の製造方法。
JP60106932A 1985-05-21 1985-05-21 半導体製造用炉芯管とその製造方法 Expired - Lifetime JPH066496B2 (ja)

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US06/855,448 US4673435A (en) 1985-05-21 1986-04-24 Alumina composite body and method for its manufacture
DE19863616578 DE3616578A1 (de) 1985-05-21 1986-05-16 Aluminiumoxid-verbundkoerper und verfahren zu seiner herstellung

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JPS61266335A JPS61266335A (ja) 1986-11-26
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