JPH0660397B2

JPH0660397B2 - 真空槽内における基板交換装置

Info

Publication number: JPH0660397B2
Application number: JP61298352A
Authority: JP
Inventors: 泉中山; 章敏鈴木; 浩之名和; 智彦金子
Original assignee: 日本真空技術株式会社
Priority date: 1986-12-15
Filing date: 1986-12-15
Publication date: 1994-08-10
Anticipated expiration: 2009-08-10
Also published as: JPS63153270A

Description

【発明の詳細な説明】〔産業上の利用分野〕本発明は真空槽内における基板交換装置に関する。

〔従来の技術及びその問題点〕

第11図は従来の大気から真空槽内へのウェハーの取り込
み装置の一例を示すが、図において本装置は大気からベ
ルト搬送機(109) 等の手段によりゲートバルブもしくは
仕切バルブ(104) を通って真空槽(101) 内に送り込まれ
たウェハー(106) を真空槽(101) 内に設けたベルト搬送
装置(102) により槽(101) 内の適当な位置まで取り込
み、これを別に設けたウェハー上下装置によりベルト位
置より上方に持ち上げ、次にウェハー(106) の下方に侵
入した別のメカニズム上におろす機能を有する。

今、これを更に詳しく説明すれば以下の通りである。す
なわち第11図Ａに示すように、大気から仕切バルブ(10
4) を通過して真空槽(101) 内に送り込まれた表面処理
すべきウェハー(106) は、さらに真空槽(101) 内に設け
られたベルト搬送装置(102) により適当な位置まで運ば
れ停止する。そこで仕切ハブル(104) が閉り、真空槽(1
01) 内は真空に排気される。

次に第11図Ｂに示すように前記時点ではベルト(102) の
ウェハー(106) が乗る位置より下方に位置していたウェ
ハー・プッシャー(108) がベローズ(105) を介して真空
シールを保ったまゝウェハー上下駆動シリンダー(103)
により上昇しベルト面より上方にウェハー(106) を持ち
上げる。

しかる後に、ウェハー(106) の下方に別のウェハー搬送
メカニズム(107) （例えばフォーク搬送のピックアップ
等）がウェハー(106) の下方に侵入してくる。

次に第11図Ｃに示すようにウェハー・プッシャー(108)
が下降し別のウェハー搬送メカニズム(107) 上にウェハ
ー(106) が受け渡される。

以上が大気側から真空槽(101) 内へウェハー(106) を取
り込む場合の動作であるが逆に処理済のウェハー(106)
を大気側へ取り出す手順はこの逆となる。すなわち、上
記従来例では、真空に排気されている真空槽(101) 内
へ、すでに処理の終ったウェハー(106) をメカニズム(1
07) により搬送し、その後、真空槽(101) をベントし、
処理済ウェハー(106) をとり出す。さらに、未処理ウェ
ハー(106) を真空槽(101) 内に取り込み真空排気を行
い、その後に、メカニズム(107) により、処理室へ搬入
する。以上の大気真空の排気サイクルを含むウェハー
の取り出し、取り込み作業の間、処理室は、待時間とな
り、能率が悪い。

この問題を避けるためのウェハー取り込み用真空槽と、
ウェハー取り込み用真空槽と、ウェハー取り出し用真空
槽を別々に設ける方法もよく用いられるが、この方法で
は装置の構成が複雑となる。

また真空槽を１つしか持たせない場合、装置のスループ
ットにも依るが通常は大気真空の排気サイクルを速く
するため急速排気及び急速なベントが必要となるがＬＳ
Ｉのパターンサイズが微細化している昨近、ウェハーへ
のパーティクル付着を極力抑えることが不可欠となって
おり、パーティクルの舞い上りをおこし易い真空槽内の
急速な排気やペイントは好ましくない。

〔発明が解決しようとする問題点〕

本発明は上記従来の種々の欠点を克服し、処理室におい
て、前に取り込まれたウェハー（基板）を処理している
間に次のウェハーを、真空槽内に取り込んでおき、さら
に、真空排気を完了しておくことにより、処理室のウェ
ハー交換作業から、ベント排気に要する時間をはぶき処
理室の待ち時間を減少させて生産性を向上する真空槽内
における基板交換装置を提供することを目的とする。

〔問題点を解決するための手段〕

以上の目的は、少なくとも未処理基板を大気側ら搬入す
る開口と処理済基板を大気側へ搬出する開口とを形成さ
せた側壁部を有し、これら開口をゲートバルブによりそ
れぞれ開閉自在とした真空槽内に配設される基板支持体
と、該基板支持体を駆動する昇降駆動部とから成り、該
基板支持体には前記未処理基板を載置させ得るようにし
た少なくとも１段の支持部で成る未処理基板支持部及び
前記処理済基板を載置させ得るようにした少なくとも１
段の支持部で成る処理済基板支持部を設け、前記基板支
持体を前記昇降駆動部により上下方向に複数の所定の位
置で停止するように駆動させるようにしたことを特徴と
する真空槽内における基板交換装置によって達成され
る。

〔作用〕

未処理基板支持部に未処理基板を載置させているとき
に、処理済基板支持部に処理済基板を載置させるのを真
空状態で行い、次いで、この状態で未処理基板を所要の
処理室へと搬出し、この後、真空槽内を大気圧にして処
理済基板を真空槽から大気側へ搬出する開口を通って搬
出するようにし、大気側から搬入する開口をとって未処
理基板を搬入するようにし、再び真空槽内を真空排気し
て、上述の操作をくり返す。

以上の一連の作業のうち、真空槽内を大気圧にして処理
済基板支持部から処理済基板を大気側の所要の場所へと
搬出し、大気側から未処理基板を未処理基板支持部に搬
入し、さらに真空槽内を排気する作業は、先に処理室へ
運ばれた未処理基板が、処理されている間に完了してお
く。

〔実施例〕

以下、本発明の実施例によるＣＶＤ装置について図面を
参照して説明する。

第１図は本装置(1)の全体を示すが、左右には一対のＣ
ＶＤ反応室(2a)(2b)が設けられ、これらの間にバッファ
一室(3)が設けられている。バッファー室(3)と両反応室
(2a)(2b)との間の隔壁にはゲートバルブ(16)(17)が設け
られ、これらを介してウェハーの受け渡しが行われるよ
うになっている。バッファー室(3)の前方には本発明に
係わるウェハー交換室(5)が設けられ、ゲートバルブ(6)
を介してこれら室(3)(5)間でウェハー受け渡しが行われ
るようになっている。

バッファー室(3)内にはウェハー転送装置(7)が設けら
れ、これは搬送用フォーク(8)を備え、矢印ａで示すよ
うに中心軸(9)の回りに回動自在であり、かつ矢印ｂで
示すように伸縮自在となっている。ウェハー交換室(5)
の両側壁部にもゲートバルブ(10)(11)が設けられ、この
一方側には未処理ウェハー搬入用ベルト(12)設けられ、
ウェハーストック・カセット(13)から所定のタイミング
で一枚宛、自動的に取り出してベルト(12)によりウェハ
ー交換室(5)内に搬入するようになっている。また他方
には処理済ウェハー搬出用ベルト(14)が設けられ、処理
済ウェハーストック・カセット(15)と搬入するようにな
っている。

次に第２図〜第９図を参照してウェハー交換室(5)の詳
細について説明する。

ウェハー交換室(5)は第２図に示すように密閉槽(21)に
よって画成され、上述したように両側壁部にゲートバル
ブ(10)(11)（第２図では図示省略）及び後壁部にゲート
バルブ(6)を備えており、これらゲートバルブ(6)(10)(1
1)の詳述は後述するが、これらの閉状態によって室(23)
内は密封状態とされ、図示しない排気装置によって室(2
3)内は真空もしくは減圧状態におかれるようになってい
る。

室(23)内には第５図にその全体形状が明示される基板支
持体(24)が配設され、この底面には駆動軸(25)が固定さ
れ、これは密閉槽(21)の底壁部を気密に挿通して下方の
大気中に延びておりスクリュー係合体(27)に固定されて
いる。駆動軸(25)は真空シール(26)よって上下方向に気
密に摺動自在に支承されている。

スクリュー係合体(27)はポールスクリュー(28)に螺合し
ており、このスクリュー(28)の下端部にはプーリ(29)が
固定されている。モータ(31)は図示せずとも機枠に固定
され、この回転軸に固定されたプーリ(32)と上述のプー
リ(29)の間にベルト(30)が巻装されている。モータ(31)
の回転によりボールスクリュー(28)が回転し、これによ
りスクリュー係合体(27)、従って駆動軸(25)は上方か下
方へと移動する。モータ(31)は正逆回転自在であり、こ
の回転方向に応じて駆動軸(25)は上方か下方へと移動す
る。スクリュー係合体(27)の一側方には高さセンサー装
置(36)が設けられ、駆動軸(25)の各高さ位置がこれによ
って検知され、この検知信号によりモータ(31)は駆動制
御される。

ボールスクリュー(28)は公知のようにねじ溝にボールを
嵌めた構成となっており、駆動軸(25)をバックラッシュ
なく正確に所定の位置へ上昇又は下降させることができ
る。

スクリュー係合体(27)の小径部には冷却水入口及び出口
が形成され、これに冷却水導入用チューブ(33)及び導出
用チューブ(34)が接続されている。駆動軸(25)内には図
示せずとも導入路及び導出路が形成され、基板支持体(2
4)の基部(37)内に蛇行状に形成される循環路(35)と連通
している。なお、基板支持体(24)はアルミニウムから成
り熱伝導性にすぐれている。

密閉槽(21)の３側壁部には上述のようにゲートバルブ
(6)(10)(11)が配設され、これら側壁部に形成された開
口(6a)(10a)(11a) を気密に閉じるように構成され、第
１図では略図で示され、第２図ではゲートバルブ(6)に
ついて詳しく図示されている。

まず、ゲートバルブ(6)について第２図を参照して説明
すると、これはすでに広く用いられている構造であっ
て、主として開口(6a)を開閉するゲート本体(71)、これ
と平行リンク(73)(74)で結合された駆動部材(72)から成
り、部材(72)の下端部分は真空シール(75)を介して大気
に突出しておりシリンダ装置(76)によって上下に駆動さ
れるようになっている。第２図ではゲート本体(71)が開
口(6a)を閉じているが、駆動部材(72)を下降させるとゲ
ート本体(71)は開口(6a)を開放し、これから駆動部材(7
2)を上昇させると第２図に示すように開口(6a)を閉じる
ようになっている。

次にゲートバルブ(10)(11)の詳細について説明するが、
ゲートバルブ(10)(11)については同一の構成を有するの
で、ゲートバルブ(10)についてのみ第３図及び第４図を
参照して以下、説明する。第３図はゲートバルブ(10)の
作動状態を示す要部断面図であって、大気圧空間Ａと真
空室Ｂ（ウェハー交換室(5)）とを仕切る隔壁Ｃには、
通孔(41)が穿設され該通孔(41)の真空室Ｂ側の開口(10
a) は上向きに傾斜して形成されている。

上記開口(10a) には、その周りに形成された弁座部を開
閉する弁板(43)が対向して設けられており、該弁板(43)
は、ウエハー(47)の直径より大きく形成され、且つ上記
通孔(41)を挿んでそ両側に隔壁Ｃを貫通して斜め下方に
延びる２本のロッド(44a)(44b)（第３図にはその一方が
示されている。）を介して、大気圧空間Ａの下方に設置
された流体圧（油圧又は空気圧）駆動シリンダ(45)に連
結されている。上記２本のロッド(44a)(44b)は、第４図
に示すように、上端が弁板(43)の両側部のＯリング(43
a) より内側に取付けられ且つ、ロッドと弁板は、結合
部から漏れないように溶接(43b) 等でシールされてい
る。また下端は、２本のロッドを連結する接続部材(44
c) を介してシリンダ(45)のピストンロッド(44)に連結
されている。なお、図中、(45a)(45b)はシリンダ(45)へ
の圧力流体の供給又は排出導管、(12)(48)は大気圧空間
Ａ及び真空室Ｂにそれぞれ設置された搬送用ベルト、(4
9)は軸受プッシュ、(50)はＯリングを示す。

上記のように構成されているので、通常時、即ちウェハ
ーを送り込まない時には、シリンダ(45)内で下方へ働く
流体圧によって弁板(43)は、逆圧状態即ち通孔(41)を経
て開弁方向に圧力（大気圧）が働いている状態で、隔壁
Ｃの通孔(41)の真空室側開口(10a) を密閉している。従
って、真空室Ｂの真空は該通孔(41)を経て漏れることは
ない。

次に、搬送用ベルト(12)によって大気圧空間Ａより送ら
れて来たウェハー(47)を、真空室Ｂへ移送するときは、
シリンダ(45)流体通路を切換えて、ロッド(44)(44a)(44
b)を介して弁板(43)を上昇させ、開口(10a)を解放す
る。この際、通孔(41)は、２本のロッド(44a)(44b)の中
間部に位置しているので、ウェハー(47)の通過には支障
はなく、該ウェハーは真空室Ｂへ円滑に移送される。

次いで、ウェハー(47)が真空室Ｂ内へ移行し終った段階
で、再びシリンダ(45)の流路を切換えて弁板(43)を下降
させ、開口(10a) を閉鎖する。なお、真空室Ｂ内へ移行
されたウェハー(47)は搬送用ベルト(48)によって基板支
持体(24)の所定の位置へ搬送される。

この実施例によれば、弁板を作動する駆動源が大気側に
設けられており、また弁板作動のための摺動部がすべて
ウェハーより下方に位置されているので、該摺動部より
生じるゴミ等がウェハー上に落ちる恐れは全くない。真
空室も駆動源によって汚染されない。また、弁板とロッ
ドが真空隔壁に対して傾斜して設けられているので、コ
ンパクトに形成でき、両室におけるウェハーの両搬送用
ベルトを互いに接近して設置できるもので、装置がコン
パクトになり、作業性もそれだけ向上する。なお、弁板
は、圧力差に抗して逆圧状態で開口をシールすることに
なるので、充分な剛性をもつた弁板と、十分な推力をも
ったシリンダ（駆動源）を選定する必要がある。

上記した実施例において、弁板の駆動源として流体圧駆
動シリンダを用いた構造について説明したが、これに限
らないことは勿論であり、機械的駆動機構に代えること
も可能である。

次に第５図〜第９図を参照して基板支持体(24)の詳細に
ついて説明する。

基板支持体(24)の基板部(37)には、この上面より一段と
低くなったフォーク受入れ用凹所(51)が形成され、これ
に関連して一対の溝(52a)(52b)が形成されている。第６
図にはウェハー搬送用フォーク(8)の一部が図示されて
いるが、このフォーク部(8a)(8b)が溝(52a)(52b)に挿通
可能となっている。

溝(52a)(52b)の延在方向とは直角方向に基板支持体(24)
のウェハー搬出側半部には全高にわたって一対の平行な
切欠き(53a)(53b)が形成され、また、これらの整列して
ウェハー搬入側半部にも一対の平行な切欠き(54a)(54b)
が形成されているが、第６図及び第８図に明示されるよ
うに一端部においては全高にわたっておらず連結部(55)
によって覆われている。

切欠き(53a)(53b)(54a)(54b)とは上下方向に整列してベ
ルトコンベヤ(56a)(56b)(57a)(57b)が配設され、これは
基板支持体(24)が上下するときに切欠き(53a)(53b)(54
a)(54b)を通過することができるようになっている。な
お、ベルトコンベヤ(56a)(56b)は全体として第３図が示
すベルトコンベヤ(48)を構成するものである。

基板支持体(24)の中央上部には部分的環状の未処理基板
支持部である上段基板支持部(58)及びこれより下方に位
置して同心的に部分的円形状の処理済基板支持部である
下段基板支持部(59)が形成されている。上段基板支持部
(58)は第６図に明示されるように円弧状の受面(58a)(58
b)(58c)(58d)(58e)(58f)から成っており、これらは同一
レベル上あるが、第７図及び第８図で一点鎖線で示され
ているように、これらから成る上段基板支持部(58)上に
未処理のウェハー(47)が載置されるようになっている。
また下段基板支持部(59)は同一レベル上にあり各々、円
の一部を構成する受面(59a)(59b)(59c)(59d)(59e)(59f)
(59g)から成っており、やはり第７図及び第８図で一点
鎖線で示されているように、これらには表面処理済のウ
ェハー(47)′が載置されるようになっている。

基板部(37)の底面には円形の段孔凹所(60)が形成されて
いるが、こゝに上述の駆動軸(25)の上端部が嵌着され、
図示せずともねじ等により固定されるようになってい
る。

以上は本実施例の構成について説明したが次に作用につ
いて説明する。

第10図Ａ〜Ｆは基板支持体(24)の各高さ位置を示してい
るが本実施例によれば基板支持体(24)は５つの高さ位置
を取る事が出来る。尚、バッファ室(3)から伸縮するフ
ォーク(8)のレベル及びベルトコンベヤ(56a)(56b)(57a)
(57b)のレベルは一定である。第10図に於て基板支持体
(24)形状は簡略化して示されており、また上述したウェ
ハーの上段支持部(58)及び下段支持部(59)は図面をわか
りやすくする為にコ字状の上アーム上及び下アーム上と
しＵまたはＤでこれ等を示すものとする。（すなわちＵ
とＤとは上段支持部(58)と下段支持部(59)と等価であ
る。）今、基板支持体(24)は第10図Ａの高さ位置にあり
未処理のウェハー(47)は上段支持部Ｕに載置されていて
いるものとする。また両側壁部のゲートバルブ(10)(11)
は閉じているものとする（ゲートバルブ(6)は開で真空
状態にある）。この状態においてフォーク(8)はバッフ
ァ室(3)から伸びてきて処理済のウェハー(47)′を載置
させて第10図Ａに示すように上段支持部Ｕと下段支持部
Ｄとの間に至る。

ここで基板支持体(24)は第10図Ｂで示す位置へと上昇す
る。この上昇途上において処理済のウェハー(47)′は下
段支持部Ｄ上に載置されて、こゝで停止し、尚、基板支
持体(24)は上昇し第10Ｂの位置で停止するのであるが、
こゝではフォーク(8)は処理済のウェハー(47)′から離
れて図示の位置（溝(52a)(52b)内）にある。この位置に
おいてフォーク(8)は矢印で示す如くバッフア室(3)へと
後退する。

第10図Ｃに示すように基板支持体(24)は下降し再び第10
図Ａの高さと同じ位置を取る。ついで、フォーク(8)が
第10図Ｃで矢印で示すようにバッフア室(3)からウェハ
ー交換室(5)内に伸びてきて図示の位置を取る。基板支
持体(24)は下方へと移動し第10図Ｄの位置を取る。これ
によりフォーク(8)により未処理のウェハー(47)が担持
される。ついで、フォーク(8)はバッフア室(3)へと退却
する。

第10図Ｅに示すように基板支持体(24)は更に下方へと移
動する。この位置でゲートバルブが閉じられウェハー交
換室(5)は大気圧にもどされる。そしてゲートバルブ(1
0)(11)が開けられる。

第10図Ｅの位置に基板支持体(24)が停止するとベルトコ
ンベヤ(56a)(56b)上に処理済のウェハー(47)′が図示す
る如く載せられる。こゝでゲートバルブ(10)(11)が開か
れているので処理済のウェハー(47)′は開口(11a) を通
りベルトコンベヤ(14)により移送されて、処理済のウェ
ハーカセット(15)に導入される。基板支持体(24)は更に
下方へと移動し第10図Ｆの位置をとる。この位置ではベ
ルトコンベヤ(12)(57a)(57b)は基板支持体(24)の上段支
持部Ｕより上方に位置するのであるが、この位置で未処
理のウェハーストックカセット(13)から取出されたウェ
ハー(47)はベルトコンベヤ(12)により移送されて開口(1
0a) を通ってウェハー交換室(5)内に導びかれる。つい
で基板支持体(24)は上方へと移動し再び第10図Ａの位置
を取る。即ちベルトコンベヤ(56a)(56b)(57a)(57b)は基
板支持体(24)の下方に位置する。未処理のウェハー(47)
は上段Ｕ上に載置される。こゝでゲートバルブ(10)(11)
が閉じられて交換室(5)内に真空状態に排気される。つ
いで冒頭に述べた如くゲートバルブ(6)が開けられフォ
ーク(8)がバッフ室(3)よりウェハー交換室(5)内に処理
済のウェハー(47)′を載せて第10図Ａに示す位置に至
る。以下、上述の操作を繰返す。

なお、以上の工程において処理済のウェハー(47)′が下
段支持部Ｄに載置されているときには基板支持体(24)の
基板部(37)内には冷却水が循環しているので、これと熱
交換により処理済で熱いウェハー(47)′は冷却される。
これによりウェハー交換室内から大気へと搬出されると
きには化学変化を殆んど受けることなく安定した状態で
カセット(15)内に収めることができる。

以上本発明の実施例について説明したが、勿論、本発明
はこれに限定されることなく本発明の技術的思想にもと
づいて種々の変形が可能である。

例えば、以上の実施例では上段支持部(58)には未処理の
ウェハー(47)を載置し、下段支持部(59)には処理済のウ
ェハー(47)′を載置させるようにしたが、これ等の支持
部の段数を更に増加し、これ等を２つのグループに分け
て、一方のグループには未処理のウェハーをそれぞれ載
置するようにし、また他方のグループには各々処理済の
ウェハーを載置するようにしてもよい。処理済のウェハ
ー及び未処理のウェハーの搬入及び搬出はそれぞれ同期
して行うようにすればよい。この場合、段数に応じて搬
入搬出用のベルトコンベヤが必要であり、またバッフア
室から交換室へのまたこの逆のウェハーの搬入搬出には
複数のフォークが必要であるが、これ等のフォークを上
下に一体化して同期させるようにしてもよい。

また以上の実施例では下段の処理済のウェハーを支持す
る段は冷却し処理済ウェハーを冷却するようにしたが更
に上段の支持部に加熱手段を設け、未処理の基板を前処
理としての予備加熱をするようにしてもよい。この加熱
したウェハーをバッファ室(3)及び反応室(2a)又は(2b)
に導入させるようにしてもよい。

更に、基板支持体(24)において上段支持部と下段支持部
との間に熱絶縁材を介設させ、上段支持部には加熱手段
を設け下段支持部には上記実施例と同様に冷却手段を設
けるようにしてもよい。

また以上の実施例では基板支持体(24)の高さ位置は５つ
としたが、更にこの数を増大させてそれぞれの高さの位
置において上記ウェハーの搬入、搬出方法以外の方法に
より搬入搬出を行うようにしてもよい。この場合、搬
入、搬出装置としてのベルトコンベヤ及びフォークのレ
ベルも実施例のように一箇所だけでなく、上下に複数、
設けるようにしてもよい。また、搬入、搬出手段もフォ
ークやベルトコンベヤに限定されることなく公知の種々
の手段が適用可能である。また以上の実施例では処理済
のウェハーと未処理のウェハーとを別々のゲートバルブ
を介して搬入、搬出するようにしているが、通常の一つ
のゲートバルブを介してこれを行なってもよい。

〔発明の効果〕

以上述べたように、本発明の真空槽内における基板交換
装置に依れば、大気中の所定の位置へウェハー交換室か
ら処理済ウェハーを搬出及び大気中の所定の位置からウ
ェハー交換室へウェハーを搬入する作業、さらにそれに
伴うベント、排気作業を処理室で他のウェハーの処理を
行っている間に平行して行うことが可能となり、処理室
でのウェハー交換作業上要する時間を最小にすることが
出来、又、基板交換作業と同時に未処理基板の予備処理
又は加熱済基板の冷却等を行うことが出来、生産性を一
段と向上させる事が出来る。

【図面の簡単な説明】

第１図は本発明の実施例に依るＣＶＤ装置全体の配置を
示す平面図、第２図は上記装置に於ける基板交換装置の
断面図、第３図は同基板交換装置に於けるゲートバルブ
の詳細を示す断面図、第４図は第３図に於ける一部分の
斜視図、第５図は同基板交換装置に於ける基板支持体の
拡大斜視図、第６図は同平面図、第７図は第６図に於け
るVII−VII線方向断面図、第８図は第６図に於けるVIII
−VIII線方向断面図、第９図は第６図に於けるIX−IX線
方向断面図、第10図Ａ乃至Ｆは本実施例の作用を示すた
めの要部の各側面図である。第11図は従来例の基板交換
装置を示す断面図である。なお図において、 (5)……ウェハー交換室 (6)(10)(11)……ゲートバルブ (24)……基板支持体 (58)……基板上段支持部 (59)……基板下段支持部

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (56)参考文献特開昭61−192334（ＪＰ，Ａ) 特開昭61−113767（ＪＰ，Ａ) 実開昭61−47069（ＪＰ，Ｕ)

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】少なくとも未処理基闇を大気側から搬入す
る開口と処理済基板を大気側へ搬出する開口とを形成さ
せた側壁部を有し、これら開口をゲートバルブによりそ
れぞれ開閉自在とした真空槽内に配設される基板支持体
と、該基板支持体を駆動する昇降駆動部とから成り、該
基板支持体には前記未処理基板を載置させ得るようにし
た少なくとも１段の支持部で成る未処理基板支持部及び
前記処理済基板を載置させ得るようにした少なくとも１
段の支持部で成る処理済基板支持部を設け、前記基板支
持体を前記昇降駆動部により上下方向に複数の所定の位
置で停止するように駆動させるようにしたことを特徴と
する真空槽内における基板交換装置。
【請求項２】前記基板支持体の前記処理済基板支持部に
冷却手段を設けた前記第１項に記載の真空槽内における
基板交換装置。
【請求項３】前記基板支持体の前記未処理基板支持部に
加熱手段を設けた前記第１項に記載の真空槽内における
基板交換装置。
【請求項４】前記ゲートバルブは前記真空槽の側壁部に
設けられた通孔の前記真空槽側の開口を上向きに傾斜し
て設け、該開口を開閉する弁板を、前記真空槽の側壁を
貫通して大気側に斜めに引き出されたロッドを介して、
大気側に設置された駆動源によって昇降させることによ
り前記真空槽内が大気と連通又は遮断するように構成し
た前記第１項に記載の真空槽内における基板交換装置。
【請求項５】前記弁板は、その両側部間の長さが基板の
直径より大きく形成され、該両側部に取付けられ大気側
に引き出された２本のロッドを介して、大気側に設置さ
れたシリンダに連結されている前記第４項に記載の真空
槽内における基板交換装置。