JPH0658881B2 - 気相成長層中への均一なド−ピング方法 - Google Patents
気相成長層中への均一なド−ピング方法Info
- Publication number
- JPH0658881B2 JPH0658881B2 JP61038358A JP3835886A JPH0658881B2 JP H0658881 B2 JPH0658881 B2 JP H0658881B2 JP 61038358 A JP61038358 A JP 61038358A JP 3835886 A JP3835886 A JP 3835886A JP H0658881 B2 JPH0658881 B2 JP H0658881B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- layer
- doping
- gas
- concentration
- furnace
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Lifetime
Links
Description
【発明の詳細な説明】 ＜産業上の利用分野＞ 本発明は気相成長法による結晶成長において、ドーピン
グガスを材料ガスよりも早く炉内に導入し，遅くまで炉
内に滞留させ結晶中の不純物濃度を均一にする気相成長
層中への均一なドーピング方法に関し，詳しくは，静電
誘電型トランジスタの製造方法に関する。
グガスを材料ガスよりも早く炉内に導入し，遅くまで炉
内に滞留させ結晶中の不純物濃度を均一にする気相成長
層中への均一なドーピング方法に関し，詳しくは，静電
誘電型トランジスタの製造方法に関する。
＜従来の技術＞ 従来一般に気相成長法によって半導体結晶を製造する方
法は第７図のタイミング図に示すようにPH3，B2H6など
のドーピングガスを炉内に導入後炉内に滞留させる時間
t2とSiCl2などの材料ガスを炉内に導入後炉内に滞留さ
せる時間t1とを同じくしている。すなわちドーピングガ
スと材料ガスとは同時に導入と停止の方法がとられてい
る。
法は第７図のタイミング図に示すようにPH3，B2H6など
のドーピングガスを炉内に導入後炉内に滞留させる時間
t2とSiCl2などの材料ガスを炉内に導入後炉内に滞留さ
せる時間t1とを同じくしている。すなわちドーピングガ
スと材料ガスとは同時に導入と停止の方法がとられてい
る。
＜発明が解決しようとする問題点＞ しかし従来のこの方法においては厚さ数マイクロ程度の
比較的薄い成長層では目標とする濃度からはずれ，濃度
むらが生じ第８図のように基板１の上に，まづ不純物濃
度が薄い層２が成長し，その上に濃度が均一な層３が成
長し，成長の終りに再び不純物濃度が薄い層４が生ずる
欠点がある。しかしこの成長層の不純物濃度が1014/cm3
以下の成長層，あるいは数十μｍ程度の比較的厚い成長
層ではあまり問題にならないが厚さ数μｍ程度の薄い成
長層では目標とする濃度から外れ，濃度むらが存在する
ため半導体素子の特性に大きく影響することが分った。
比較的薄い成長層では目標とする濃度からはずれ，濃度
むらが生じ第８図のように基板１の上に，まづ不純物濃
度が薄い層２が成長し，その上に濃度が均一な層３が成
長し，成長の終りに再び不純物濃度が薄い層４が生ずる
欠点がある。しかしこの成長層の不純物濃度が1014/cm3
以下の成長層，あるいは数十μｍ程度の比較的厚い成長
層ではあまり問題にならないが厚さ数μｍ程度の薄い成
長層では目標とする濃度から外れ，濃度むらが存在する
ため半導体素子の特性に大きく影響することが分った。
本発明の目的は，Ｐ型の高不純物濃度の拡散層（２〜４
×１０19cm-3）表面から，不純物であるボロン原子の飛
び出しを補償して，チャンネルの導電型反転を防止する
ことができる気相成長層中への均一なドーピング方法を
提供することにある。
×１０19cm-3）表面から，不純物であるボロン原子の飛
び出しを補償して，チャンネルの導電型反転を防止する
ことができる気相成長層中への均一なドーピング方法を
提供することにある。
＜問題点を解決するための手段＞ 本発明は従来のかかる欠点を除き，高周波誘導炉内で溶
融された結晶中にドーピングガスと材料ガスとを導入し
気相成長法により均一な不純物濃度の重合わされるもの
が互いに異なる導電タイプの不純物層を複数積層して半
導体材料を得るドーピング方法において，まずドーピン
グガスを材料ガスよりも早く炉内に導入し且つ該ガスを
遅くまで炉内に滞留させる気相成長層中への均一なドー
ピング方法である。
融された結晶中にドーピングガスと材料ガスとを導入し
気相成長法により均一な不純物濃度の重合わされるもの
が互いに異なる導電タイプの不純物層を複数積層して半
導体材料を得るドーピング方法において，まずドーピン
グガスを材料ガスよりも早く炉内に導入し且つ該ガスを
遅くまで炉内に滞留させる気相成長層中への均一なドー
ピング方法である。
＜作用＞ ドーピングガスを早く導入し遅くまで炉内に滞留させる
ことによって均一な半導体が得られる。
ことによって均一な半導体が得られる。
＜実施例＞ 本発明による気相成長層中への均一なドーピング法の実
施例を図面を参照して説明する。第１図のタイミング図
に示すように，まずPH3，B2H6，AsH3の如きドーピング
ガスをＡ点の時に炉内に導入し時間T1径過後Ｂ点にてSi
Cl4，SiHCl3，SiH2Cl2の如き材料ガスをt1時間導入し，
Ｃ点で停止してもドーピングガスを時間T2だけ続けて滞
留させＤ点で停止させる。すなわちドーピングガスの滞
留時間はＡ点からＤ点までの時間t2に対し材料ガスの滞
留時間はt1であり，t2＞t1の条件で結晶を成長させる。
施例を図面を参照して説明する。第１図のタイミング図
に示すように，まずPH3，B2H6，AsH3の如きドーピング
ガスをＡ点の時に炉内に導入し時間T1径過後Ｂ点にてSi
Cl4，SiHCl3，SiH2Cl2の如き材料ガスをt1時間導入し，
Ｃ点で停止してもドーピングガスを時間T2だけ続けて滞
留させＤ点で停止させる。すなわちドーピングガスの滞
留時間はＡ点からＤ点までの時間t2に対し材料ガスの滞
留時間はt1であり，t2＞t1の条件で結晶を成長させる。
いま従来の方法で成長させた層を四探針法で不純物の濃
度を測定した結果は５×1015／cm3に対し，本発明の方
法で材料ガスが導入開始と停止の前後でドーピングガス
が滞留している第１図に示す時T1＝T2＝４分として得た
不純物濃度は８〜９×1015/cm3であり約２倍の濃度とな
る。しかし成長層の厚みはいずれも８μｍでキャリア流
量，モル比，基板温度は同じ条件とした。
度を測定した結果は５×1015／cm3に対し，本発明の方
法で材料ガスが導入開始と停止の前後でドーピングガス
が滞留している第１図に示す時T1＝T2＝４分として得た
不純物濃度は８〜９×1015/cm3であり約２倍の濃度とな
る。しかし成長層の厚みはいずれも８μｍでキャリア流
量，モル比，基板温度は同じ条件とした。
一方本発明者はPCl2を0.5 apm混入させたSiCl4液のみで
上記と同じ条件で気相成長させて８〜１２×1015／cm3
の不純物濃度の成長層を得た。この方法は昭和５３年特
許願第159,196号（昭５６年審判第２１，４３６号）
「半導体エピタキシャル層のドーピング法」として出願
した。この方法を仮に液ドーピング法と名ずける。
上記と同じ条件で気相成長させて８〜１２×1015／cm3
の不純物濃度の成長層を得た。この方法は昭和５３年特
許願第159,196号（昭５６年審判第２１，４３６号）
「半導体エピタキシャル層のドーピング法」として出願
した。この方法を仮に液ドーピング法と名ずける。
更に本発明者は燐を２〜３×1013／cm3ドーピングさせ
たＮ型半導体中に不純物として硼素濃度２×1019/cm3以
上の反対導電型の島をストライプ状，あるいはメッシュ
状に埋込む実験を行い，これに基づく発明を行った。そ
の結果は特公昭56−４３６０５号，および特公昭５７−
６６８５号「埋め込み層を有する半導体素子の製造方
法」として公告されている。
たＮ型半導体中に不純物として硼素濃度２×1019/cm3以
上の反対導電型の島をストライプ状，あるいはメッシュ
状に埋込む実験を行い，これに基づく発明を行った。そ
の結果は特公昭56−４３６０５号，および特公昭５７−
６６８５号「埋め込み層を有する半導体素子の製造方
法」として公告されている。
その結果は従来の方法によるガスドーピング法では目標
とする始めと終りの部分の不純物濃度１×1016／cm3に
対し，少くとも５×1014／cm3以下であり第３図のよう
にｎ型半導体７の中に燐り相ったｐ型半導体６の島がつ
ながり，反転層５が生じるいわゆる反転現象が見られ
た。特にこの場合は成長開始時の濃度が薄いことによっ
て補償効果が弱くなり反転しやすいことが分る。一方本
発明による方法においては第４図のように反転現象はな
かった。このように本発明によるドーピング方法は従来
のドーピング方法では得られない特長を有しており，特
に反対導電型の埋め込み層を有する半導体素子の製造に
は有効である。
とする始めと終りの部分の不純物濃度１×1016／cm3に
対し，少くとも５×1014／cm3以下であり第３図のよう
にｎ型半導体７の中に燐り相ったｐ型半導体６の島がつ
ながり，反転層５が生じるいわゆる反転現象が見られ
た。特にこの場合は成長開始時の濃度が薄いことによっ
て補償効果が弱くなり反転しやすいことが分る。一方本
発明による方法においては第４図のように反転現象はな
かった。このように本発明によるドーピング方法は従来
のドーピング方法では得られない特長を有しており，特
に反対導電型の埋め込み層を有する半導体素子の製造に
は有効である。
以下に本発明の実施例を説明する。
実施例１ すでに述べたように半導体素子中に効率よく
反対導電型の層を埋め込むため，あらかじめ，基板１に
薄い補償層を成長させる場合，従来方法によるガスドー
ピング法でまず成長させ，次に本発明の方法によるガス
ドーピング法で成長させ，最後に参考のため前述の液ド
ーピング法で成長させた。この条件と結果を表１に示
す。
反対導電型の層を埋め込むため，あらかじめ，基板１に
薄い補償層を成長させる場合，従来方法によるガスドー
ピング法でまず成長させ，次に本発明の方法によるガス
ドーピング法で成長させ，最後に参考のため前述の液ド
ーピング法で成長させた。この条件と結果を表１に示
す。
表１の結果に見られるように各ドーピング法によって成
長層濃度に差がでている。しかしこれらの差は従来ガス
ドーピング法によって得られた成長層が第８図に示すよ
うに成長層内に濃度の均一な層３と薄い層２，４を生
じ，結局この濃度むらが四探針法による測定では，平均
の濃度として算出されるから，結果として濃度差となっ
て現われると考えられる。なお，H2プローブによる成長
層の容量値でも差となって示されている。この濃度むら
は，第１図の本発明による方法では最小限におさえられ
る。すなわち始めにPH3ガスを炉内に導入し以後時間t2
の間炉内に流しつづけ，一定の時間T1後にSiCl4を時間t
1だけ炉内に導入し，SiCl4を止めてから一定の時間T2の
間はPH3を炉内に流しつづけるのである。このように炉
内の雰囲気を，SiCl4を導入する前後一定時間，PH3で満
たしておくと，成長の始めと終りにPH3がSiCl4の還元反
応にとり込まれやすくなり，第２図に示すように濃度の
むらが生じにくくなり基板１に続き濃度が均一な層３が
成長する。実際第８図の濃度むらの厚さを計算すると，
濃度の薄い層２，４の厚さは表１の例の場合，それぞれ
約１μｍであった。この値は次の実施例２でも検証する
ことができる。
長層濃度に差がでている。しかしこれらの差は従来ガス
ドーピング法によって得られた成長層が第８図に示すよ
うに成長層内に濃度の均一な層３と薄い層２，４を生
じ，結局この濃度むらが四探針法による測定では，平均
の濃度として算出されるから，結果として濃度差となっ
て現われると考えられる。なお，H2プローブによる成長
層の容量値でも差となって示されている。この濃度むら
は，第１図の本発明による方法では最小限におさえられ
る。すなわち始めにPH3ガスを炉内に導入し以後時間t2
の間炉内に流しつづけ，一定の時間T1後にSiCl4を時間t
1だけ炉内に導入し，SiCl4を止めてから一定の時間T2の
間はPH3を炉内に流しつづけるのである。このように炉
内の雰囲気を，SiCl4を導入する前後一定時間，PH3で満
たしておくと，成長の始めと終りにPH3がSiCl4の還元反
応にとり込まれやすくなり，第２図に示すように濃度の
むらが生じにくくなり基板１に続き濃度が均一な層３が
成長する。実際第８図の濃度むらの厚さを計算すると，
濃度の薄い層２，４の厚さは表１の例の場合，それぞれ
約１μｍであった。この値は次の実施例２でも検証する
ことができる。
実施例２ 前記実施例１の方法によって得られたｎ型半
導体７からなる濃度が均一な層３上に酸化膜を形成させ
酸化膜にストライプ状あるいはメッシュ状の窓を選択エ
ッチングで開け，次に拡散炉でｐ型半導体６の不純物を
窓に拡散し，酸化膜を除去後ｐ型半導体６の島をｎ型半
導体７中に埋め込むための気相成長工程において，ｎ型
半導体からなる補償層をまず成長させてから，必要な濃
度厚さのｎ型半導体を成長させる。したがって本実施例
２の目的は第４図のようにｎ型半導体７の中にｐ型半導
体６を効率よく埋め込むことである。しかし従来のガス
ドーピング法では，第３図のようにとなりのｐ型半導体
６の層が互に反転層５のように連結してしまう。（反転
現象） この現象は表２の条件のもとで起る。
導体７からなる濃度が均一な層３上に酸化膜を形成させ
酸化膜にストライプ状あるいはメッシュ状の窓を選択エ
ッチングで開け，次に拡散炉でｐ型半導体６の不純物を
窓に拡散し，酸化膜を除去後ｐ型半導体６の島をｎ型半
導体７中に埋め込むための気相成長工程において，ｎ型
半導体からなる補償層をまず成長させてから，必要な濃
度厚さのｎ型半導体を成長させる。したがって本実施例
２の目的は第４図のようにｎ型半導体７の中にｐ型半導
体６を効率よく埋め込むことである。しかし従来のガス
ドーピング法では，第３図のようにとなりのｐ型半導体
６の層が互に反転層５のように連結してしまう。（反転
現象） この現象は表２の条件のもとで起る。
すなわち従来の方法によるガスドーピング法で，第７図
のタイミングがt1＝t2＝４分の場合，ドーピング量を１
ppmより増やしても確実に反転する。これは，先に述べ
た通り補償層８に濃度むらができるためである。すなわ
ち濃度２×1019／cm3以上の濃度のｐ型半導体６の不純
物を窓に拡散した基板１上に濃度１×1016／cm3程度の
ｎ型半導体７を成長させる工程で，成長開始時の化学反
応によって拡散層から不純物が飛び出し，その不純物が
逆に成長層に付着し，ついには第３図のように反転層５
のようにつながってしまう。この反転層５の厚みでの評
価される程度は成長時の温度，SiCl4のモル比，拡散層
の不純物濃度などによっても決定されるが，本実験例に
おいては１×1016/cm3程度の濃度むらのないｎ型半導体
７を成長させることによって確実に島状のｐ型半導体６
を埋め込むことができる。ちなみに従来方法によるガス
ドーピング法で埋め込まれた第３図の反転層５の厚みは
０．４〜０．５μｍであった。この値より反転層５に含
まれるｐ型不純物の量は，第６図のようにｐ+とｎの間
隔が１：１の場合，飛び出した拡散層の不純物の０．１
％が反転層５に含まれたとして，４〜５×1011／cm2で
ある。従ってこの単位面積当りの不純物の数を補償する
には５×1011／cm2以上のｎ型不純物が必要になる。つ
まり第６図の反転しなかった補償層１０で示される厚さ
約０．５μｍの補償層８は１×1016／cm3以上の不純物
濃度が必要になる。逆に推定すれば，従来のガスドーピ
ングにより同条件で埋め込み成長すると，第８図のよう
な１×1016／cm3より濃度の薄い層２，４が成長される
ので反転することになり，その薄い層２，４の濃度は，
概略１×1015／cm3程度になる。なお，実験例において
は，ｎ型半導体７の均一性について説明したが，ｐ型半
導体６においてもドーピングガスが異なるだけである。
のタイミングがt1＝t2＝４分の場合，ドーピング量を１
ppmより増やしても確実に反転する。これは，先に述べ
た通り補償層８に濃度むらができるためである。すなわ
ち濃度２×1019／cm3以上の濃度のｐ型半導体６の不純
物を窓に拡散した基板１上に濃度１×1016／cm3程度の
ｎ型半導体７を成長させる工程で，成長開始時の化学反
応によって拡散層から不純物が飛び出し，その不純物が
逆に成長層に付着し，ついには第３図のように反転層５
のようにつながってしまう。この反転層５の厚みでの評
価される程度は成長時の温度，SiCl4のモル比，拡散層
の不純物濃度などによっても決定されるが，本実験例に
おいては１×1016/cm3程度の濃度むらのないｎ型半導体
７を成長させることによって確実に島状のｐ型半導体６
を埋め込むことができる。ちなみに従来方法によるガス
ドーピング法で埋め込まれた第３図の反転層５の厚みは
０．４〜０．５μｍであった。この値より反転層５に含
まれるｐ型不純物の量は，第６図のようにｐ+とｎの間
隔が１：１の場合，飛び出した拡散層の不純物の０．１
％が反転層５に含まれたとして，４〜５×1011／cm2で
ある。従ってこの単位面積当りの不純物の数を補償する
には５×1011／cm2以上のｎ型不純物が必要になる。つ
まり第６図の反転しなかった補償層１０で示される厚さ
約０．５μｍの補償層８は１×1016／cm3以上の不純物
濃度が必要になる。逆に推定すれば，従来のガスドーピ
ングにより同条件で埋め込み成長すると，第８図のよう
な１×1016／cm3より濃度の薄い層２，４が成長される
ので反転することになり，その薄い層２，４の濃度は，
概略１×1015／cm3程度になる。なお，実験例において
は，ｎ型半導体７の均一性について説明したが，ｐ型半
導体６においてもドーピングガスが異なるだけである。
＜発明の効果＞ 以上に述べたように本発明によれば気相成長層内の不純
物濃度を均一にすることができ，特に厚さの薄い成長層
には有効で効率よく反対導電型の埋め込み層が容易に得
られる。また，本発明によれば，チャンネルの反転を防
止することができるとともに，例えば，Ｐ＋（１０19cm
-3）層ゲートをＮ（１０14〜１０15cm-3）層ソースとＮ
−（１０13〜１０1415cm-3）層ドレインとの中に埋め込
むことが可能である気相成長層中への均一なドーピング
方法を提供することができる。
物濃度を均一にすることができ，特に厚さの薄い成長層
には有効で効率よく反対導電型の埋め込み層が容易に得
られる。また，本発明によれば，チャンネルの反転を防
止することができるとともに，例えば，Ｐ＋（１０19cm
-3）層ゲートをＮ（１０14〜１０15cm-3）層ソースとＮ
−（１０13〜１０1415cm-3）層ドレインとの中に埋め込
むことが可能である気相成長層中への均一なドーピング
方法を提供することができる。
【図面の簡単な説明】 第１図は本発明の気相成長層中への均一なガスドーピン
グ法の実施例によるドーピングガスと材料ガスの炉内に
導入停止時間のタイミングチャート図，第２図は本発明
によって形成された濃度が均一な成長層の一部の断面
図，第３図は埋め込み層が反転した半導体の一部の断面
図，第４図は正常な埋め込み層が正常に形成された半導
体の一部の断面図，第５図および第６図は補償層中に効
率よく埋め込まれた半導体の一部の断面図，第７図は従
来のガスドーピング法の例によるドーピングガスと材料
ガスを同時に炉内に導入停止時間のタイミングチャート
図，第８図は第７図の方法によって得られる成長層が不
均一な濃度によって形成された半導体の一部の断面図で
ある。 なお １：基板，２，４：濃度が薄い層，３：濃度が均一な
層，５：反転層，６：ｐ型半導体，７：ｎ型半導体，
８：補償層，９：補償層より濃度が薄い層，１０：反転
しなかった補償層。
グ法の実施例によるドーピングガスと材料ガスの炉内に
導入停止時間のタイミングチャート図，第２図は本発明
によって形成された濃度が均一な成長層の一部の断面
図，第３図は埋め込み層が反転した半導体の一部の断面
図，第４図は正常な埋め込み層が正常に形成された半導
体の一部の断面図，第５図および第６図は補償層中に効
率よく埋め込まれた半導体の一部の断面図，第７図は従
来のガスドーピング法の例によるドーピングガスと材料
ガスを同時に炉内に導入停止時間のタイミングチャート
図，第８図は第７図の方法によって得られる成長層が不
均一な濃度によって形成された半導体の一部の断面図で
ある。 なお １：基板，２，４：濃度が薄い層，３：濃度が均一な
層，５：反転層，６：ｐ型半導体，７：ｎ型半導体，
８：補償層，９：補償層より濃度が薄い層，１０：反転
しなかった補償層。
Claims (1)
- 【請求項１】結晶が溶融されている炉内にドーピングガ
スと材料ガスを導入し気相成長法により均一な不純物濃
度の重合わされるものが互いに異なる導電タイプの不純
物層を複数積層して半導体材料を得るドーピング方法に
おいて、 前記ドーピングガスを前記材料ガスよりも早く前記炉内
に導入し、且つ遅くまで炉内に滞留させることを特徴と
する気相成長層中への均一なドーピング方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61038358A JPH0658881B2 (ja) | 1986-02-25 | 1986-02-25 | 気相成長層中への均一なド−ピング方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61038358A JPH0658881B2 (ja) | 1986-02-25 | 1986-02-25 | 気相成長層中への均一なド−ピング方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS62198115A JPS62198115A (ja) | 1987-09-01 |
| JPH0658881B2 true JPH0658881B2 (ja) | 1994-08-03 |
Family
ID=12523055
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP61038358A Expired - Lifetime JPH0658881B2 (ja) | 1986-02-25 | 1986-02-25 | 気相成長層中への均一なド−ピング方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0658881B2 (ja) |
Family Cites Families (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5324155B2 (ja) * | 1973-05-22 | 1978-07-19 | ||
| JPS5229171A (en) * | 1975-08-30 | 1977-03-04 | Fujitsu Ltd | Process for crowing semiconductor crystal |
-
1986
- 1986-02-25 JP JP61038358A patent/JPH0658881B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS62198115A (ja) | 1987-09-01 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| KR100588098B1 (ko) | 실리콘 단결정 웨이퍼, 에피택셜 실리콘 웨이퍼와 그제조방법 | |
| JP4335867B2 (ja) | エピタキシャル析出層を備えた半導体ウェハ及び前記半導体ウェハの製造方法 | |
| KR960004592B1 (ko) | 감소된 저항률을 갖는 개량된 다결정 실리콘막을 포함하는 반도체 디바이스 제조 방법 | |
| JP3626364B2 (ja) | エピタキシャルシリコン単結晶ウエーハの製造方法及びエピタキシャルシリコン単結晶ウエーハ | |
| KR100450316B1 (ko) | 탄화 규소 및 이의 제조 방법 | |
| US7341787B2 (en) | Process for producing highly doped semiconductor wafers, and dislocation-free highly doped semiconductor wafers | |
| US4992846A (en) | Polycrystalline silicon active layer for good carrier mobility | |
| US5951755A (en) | Manufacturing method of semiconductor substrate and inspection method therefor | |
| EP0750333A3 (en) | Highly doped N+ substrate and a method for making | |
| WO2001016408A1 (fr) | Plaquette de silicium epitaxiale | |
| JP4656788B2 (ja) | シリコンエピタキシャルウェーハの製造方法 | |
| JP4189041B2 (ja) | 半導体基板の製造方法およびその検査方法 | |
| KR100774070B1 (ko) | 실리콘 에피텍셜 웨이퍼의 제조방법 | |
| JPH0658881B2 (ja) | 気相成長層中への均一なド−ピング方法 | |
| JPH0563439B2 (ja) | ||
| JP3147338B2 (ja) | 半導体基板の製造方法 | |
| JP3006396B2 (ja) | 半導体薄膜の形成方法 | |
| CA1111146A (en) | Method of manufacturing semiconductor device | |
| JP3097107B2 (ja) | エピタキシャル成長方法 | |
| KR900003836B1 (ko) | 반도체 장치의 제조방법 | |
| JPH0196923A (ja) | エピタキシャル成長方法 | |
| JP3533238B2 (ja) | 半導体基板 | |
| JP3903643B2 (ja) | エピタキシャルウェーハの製造方法 | |
| KR100862856B1 (ko) | 실리콘웨이퍼 제조 방법 | |
| KR970000464B1 (ko) | 고집적 바이폴라 ic의 제조방법 |