JPH0657352A - クリスタルバージルコニウムからなる部材の製造方法 - Google Patents

クリスタルバージルコニウムからなる部材の製造方法

Info

Publication number
JPH0657352A
JPH0657352A JP21441792A JP21441792A JPH0657352A JP H0657352 A JPH0657352 A JP H0657352A JP 21441792 A JP21441792 A JP 21441792A JP 21441792 A JP21441792 A JP 21441792A JP H0657352 A JPH0657352 A JP H0657352A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
zirconium
crystal bar
tube
bar zirconium
base body
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP21441792A
Other languages
English (en)
Inventor
Emiko Higashinakagaha
恵美子 東中川
Minoru Obata
稔 小畑
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Toshiba Corp
Original Assignee
Toshiba Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Toshiba Corp filed Critical Toshiba Corp
Priority to JP21441792A priority Critical patent/JPH0657352A/ja
Publication of JPH0657352A publication Critical patent/JPH0657352A/ja
Pending legal-status Critical Current

Links

Landscapes

  • Manufacture And Refinement Of Metals (AREA)

Abstract

(57)【要約】 【構成】 本発明は、ヨウ化物法によってジルコニウム
からなる基体上にジルコニウムを析出させるクリスタル
バージルコニウムからなる部材の製造方法において、中
空管形状の基体にクリスタルバージルコニウムを析出さ
せることを特徴とするクリスタルバージルコニウムから
なる部材の製造方法である。 【効果】 本発明の製造方法によれば燃料被覆管の内筒
として優れた性質を示す酸素不純物量の少ないクリスタ
ルバージルコニウムよりなる部材を生産できる。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は、ジルコニウム合金から
なる管の内面に純ジルコニウムをライニングした構成の
原子炉用核燃料被覆管に用いる、クリスタルバージルコ
ニウムからなる部材の製造方法に係る。
【0002】
【従来の技術】酸化ウランあるいは、酸化プルトニウム
等を含有した原子炉用の核燃料ペレットを装填する燃料
被覆管として、ジルコニウム合金からなる被覆管の内面
に純ジルコニウムをライニングした構成の燃料被覆管
は、原子炉の急速な立上りや負荷変動などの過酷な運転
条件下においても、核燃料ペレットとの機械的な相互作
用、核分裂生成物による応力腐食割れ(SCC)が少な
いという良好な特性を有している。
【0003】このような構成の燃料被覆管は、通常、純
ジルコニウムからなる内筒と、ジルカロイ−2などのジ
ルコニウム合金からなる外筒とを組み合わせることによ
って製造される。例えば、特開昭56-128493 号公報に
は、上記内筒及び外筒とを嵌合させ複合ビレットとし、
真空中でこの複合ビレットの両端面の境界部分を溶接接
合し、その後一体押し出しの製管工程を行うことにより
燃料被覆管を得る方法が開示されている。純ジルコニウ
ムからなる内筒の材料としては、現在、スポンジジルコ
ニウムが用いられている。スポンジジルコニウムは、
【0004】
【化1】ZrCl2 +Mg→Zr+MgCl2 の反応により得られる純ジルコニウムで、工業的には直
径数mの円柱塊状のジルコニウム材が安価に生産されて
いる。スポンジジルコニウム材は部分的に約500ppm〜30
00ppm の酸素不純物を含有している。純ジルコニウムは
純度が高い方が軟らかく燃料被覆管の内筒に用いた場合
の耐SCC性に優れているため、スポンジジルコニウム
材のうち約500ppmの低酸素部分を選別し、さらに中空管
形状に機械加工して燃料被覆管の内筒として用いてい
る。一方、クリスタルバージルコニウムは酸素不純物濃
度が約100ppm台と低く、燃料被覆管用の純ジルコニウム
としてスポンジジルコニウムより性能が高い。
【0005】クリスタルバージルコニウムの製造方法と
してヨウ化物法がある。ヨウ化物法は容器内にヨウ化ジ
ルコニウム(ZrI4 )合成域とZrI4 熱分解域とを
共存させた化学輸送反応法である。
【0006】すなわち、容器内を約250 ℃〜600 ℃の温
度範囲に保ち、さらに前記容器内に設置したスポンジジ
ルコニウムの存在下で前記容器内にI2 ガスを供給する
ことにより、以下の反応が起こりZrI4 が生成する。
(ZrI4 合成域)
【0007】
【化2】Zr+2I2 →ZrI4 (1)
【0008】一方、前記容器内に設置したジルコニウム
からなる細いフィラメントに直接通電して約1100℃〜15
00℃の温度範囲で加熱すると、以下に示す反応により
(1)で生成したZrI4 が熱分解し、フィラメント上
に純ジルコニウムが析出する。(ZrI4 熱分解域)
【0009】
【化3】ZrI4 →2I2 +Zr (2) 最終的にはフィラメントの周囲に純度の高いクリスタル
バージルコニウムが析出し、円柱状のクリスタルバージ
ルコニウム材が得られる。
【0010】ところが、上記の方法であるとフィラメン
ト上でのジルコニウムの析出に時間がかかる上、基体で
あるフィラメントは最初は細線であるが、反応の進行に
伴い基体の径が増大し、電気抵抗が変化して容器内及び
基体の温度制御が難しくなるため、太い径のクリスタル
バージルコニウム材を得ることは不可能であった。
【0011】したがって、ある程度の太い径を必要とす
る燃料被覆管用の内筒を製造する場合は、上記の方法で
得られた細径のクリスタルバージルコニウム材を一旦E
B溶解し、再凝固させることにより必要な径を有する円
柱状のクリスタルバージルコニウム材を得ていた。さら
に、燃料被覆管の内筒を得る際は、上記の方法で得られ
た円柱状のクリスタルバージルコニウム材を内部くりぬ
き加工によって中空管形状にしていた。
【0012】
【発明が解決しようとする課題】上述の如く、純ジルコ
ニウムからなる燃料被覆管の内筒を純度の高いクリスタ
ルバージルコニウムを用いて製造する場合、前述した従
来の製造方法であると、クリスタルバージルコニウム材
を一旦EB溶解すると、得られるクリスタルバージルコ
ニウム材中に含まれる酸素不純物量がEB溶解前のクリ
スタルバージルコニウム材に比して多くなってしまって
いた。
【0013】本発明は、上記の問題点を解決するために
なされたもので、燃料被覆管の内筒となる部材を得る
際、得られる部材中に含まれる酸素不純物量が少ない高
性能のクリスタルバージルコニウムからなる部材の製造
方法を提供することを目的としている。
【0014】
【課題を解決するための手段】本発明は、ヨウ化ジルコ
ニウムをジルコニウムからなる基体上で熱分解し基体上
にクリスタルバージルコニウムを析出させるクリスタル
バージルコニウムの製造方法において、前記基体が中空
管形状であることを特徴とするクリスタルバージルコニ
ウムからなる部材の製造方法である。
【0015】すなわち本発明は、ヨウ化物法を用いて純
ジルコニウムからなる中空管形状の基体上にクリスタル
バージルコニウムを析出させ、中空管形状のクリスタル
バージルコニウムよりなる部材を得るものである。以
下、図1を用いて本発明を説明する。
【0016】図1は、クリスタルバージルコニウムから
なる部材の製造装置の一例を示す概略図である。反応容
器1には、反応容器1内部を外部から加熱できる外部加
熱ヒータ2及び反応容器1内を真空排気できる機構7、
8が設置されている。反応容器1内には、純ジルコニウ
ムからなり中空管形状であるジルコニウム析出管3、及
びスポンジジルコニウムの塊4が設けられている。ジル
コニウム析出管3内には内部加熱ヒータ5が設けられ、
ジルコニウム析出管3を間接加熱することができる。ま
た、内部加熱ヒータ5の保護のため、ジルコニウム析出
管3内は機構8により真空排気されている。また、Zr
4 蒸発器6からZrI4 が反応容器1内に供給されて
いる。容器1内は外部加熱ヒータ2で約250 ℃〜600 ℃
に、またジルコニウム析出管3は約1100℃〜1500℃に加
熱する。
【0017】以上の構成の装置内で、前記(2)の反応
によりジルコニウム析出管3を基体としてその表面にク
リスタルバージルコニウムが析出する。(2)の反応に
より生成したI2 ガスはスポンジジルコニウム塊4と前
記(1)の反応によりZrI4 を生成し、再びジルコニ
ウム析出管3上の(2)の反応に用いられる。
【0018】言うまでもなくZrI4 の代わりにI2
スを供給しても反応は進行するが、ZrI4 を供給した
方がクリスタルバージルコニウムの析出の効率が良く、
工業的に有利である。
【0019】反応容器1内は上部から真空排気すること
により未反応のI2 ガスが除去され、ZrI4 が連続的
に反応容器1内に供給される。上記反応は、クリスタル
バージルコニウムが所定の厚さに析出したときに停止す
ればよい。ジルコニウム析出管上に析出させるクリスタ
ルバージルコニウムはその外径が、燃料被覆管の内筒の
外径となるまで反応を生じさせれば良い。
【0020】ジルコニウム析出管3は、純ジルコニウム
からなるものを用いる。クリスタルバージルコニウム材
を中空管形状に加工し、圧延して用いても良いし、スポ
ンジジルコニウム材を同様に加工したものでも良い。ク
リスタルバージルコニウムからなるジルコニウム析出管
を用いる場合、該析出管の内径を燃料被覆管の内筒の内
径となるようにすればよい。
【0021】一方、スポンジジルコニウムからなるジル
コニウム析出管3を用いる場合、得られる部材には内側
にスポンジジルコニウムが存在することになるので、そ
の際は機械加工を施してスポンジジルコニウムを除去す
る方法を用いても良い。
【0022】燃料被覆管を得るためには、得られた中空
形状のクリスタルバージルコニウムからなる部材を内筒
とし、これをジルコニウム合金製外筒ビレットの中に嵌
合して両端面の境界を電子ビームで溶接することにより
複合ビレットとする。内筒の外面はクリスタルバージル
コニウムを析出させた後、所定の寸法に機械研削すると
外筒と嵌合したときに良く嵌合する。複合ビレットは熱
間圧延により複合素管とし、さらに外表面に熱処理を行
い冷間圧延と焼鈍を複数回繰り返して原子炉用の燃料被
覆管とする。
【0023】
【作用】本発明のクリスタルバージルコニウムからなる
部材の製造方法によれば、中空管形状のジルコニウム析
出管を基体として、その外側にクリスタルバージルコニ
ウムが析出するため、中空管形状のクリスタルバージル
コニウムからなる部材がヨウ化物法によって直接得られ
る。したがってヨウ化物法により得られたクリスタルバ
ージルコニウムを、EB溶解を施すことなく、燃料被覆
管の内筒として用いることができる。すなわち、EB溶
解によるクリスタルバージルコニウム材への酸素の混入
がなく、燃料被覆管の部材として適する高純度の部材が
得られる。
【0024】また、EB溶解しない本願発明に係るクリ
スタルバージルコニウムからなる部材は、一旦EB溶解
し、再凝固して得られるクリスタルバージルコニウムか
らなる部材に比して、半径方向に結晶の(0001)面
がより良く並んでいる。このような結晶の(0001)
面が半径方向に並んだ純ジルコニウム層を有する燃料被
覆管は、核分裂生成物との化学反応が生じにくく耐蝕性
に優れている。
【0025】また、従来の製造方法であると円柱状のク
リスタルバージルコニウム材の内部をくりぬくことによ
って中空管形状の内筒を形成するため、多量のクリスタ
ルバージルコニウム材を必要とし、製造コストが高くな
っていた。しかし、ジルコニウム析出管としてスポンジ
ジルコニウムからなるジルコニウム析出管を用いるか、
またはクリスタルバージルコニウム材を中空管形状に加
工し、析出管の内径を燃料被覆管の内筒の内径となるよ
うに圧延して用いた場合、必要なクリスタルバージルコ
ニウム材の量が格段に低減できる。
【0026】
【実施例】
(実施例)まず、図1に示す部材の製造装置を用い、ク
リスタルバージルコニウムからなる燃料被覆管の内筒を
製造した。
【0027】ジルコニウム析出管3として、内径44m
m、外径45.4mm、長さ100mmのクリスタルバージ
ルコニウムからなる中空管を用いた。前記クリスタルバ
ージルコニウムからなる中空管は、ヨウ化物法により得
た直径30mmのクリスタルバージルコニウムをEB溶
解、及び内部くりぬき加工することにより、内径10m
m、外径50mmの中空管を得、さらに冷間圧延、焼鈍、
及び切断加工を行うことにより大量に生産できる。
【0028】また、ZrI4 蒸発器6から反応容器1内
にZrI4 を供給した。外部加熱ヒータ2により反応容
器1内の雰囲気温度400℃とし、また、外部加熱ヒー
タ5により、クリスタルバージルコニウム析出管3の外
表面の熱分解温度を1200℃とした。ジルコニウム析
出管3外表面にクリスタルバージルコニウムが析出し、
100時間後には、内径44mm、外径が67mmの中空管
形状のクリスタルバージルコニウムからなる部材が得ら
れた。尚、得られた部材はジルコニウム析出管と析出し
たクリスタルバージルコニウムの二層構造となってい
る。析出したクリスタルバージルコニウムに含まれる酸
素濃度は115ppm であった。
【0029】上記方法で得られた部材を外径65.8mm
に機械加工して、外表面を滑らかにし、また長さ450
mmになるように切断した。この部材を内筒とし、ジルカ
ロイ−2よりなり内径65.8φ、外径146φ、長さ
450mmの外筒ビレットに嵌合しその両端面を電子ビ
ーム溶接して一体化した。その後、熱間押出しで複合素
管を形成し、内面に水を流しながら外面を高周波電気炉
で高温からの熱処理を行った。その後、冷間加工及び焼
鈍を繰り返して燃料被覆管とした。
【0030】得られた燃料被覆管の内面の純ジルコニウ
ム層の厚さは約80μmであった。純ジルコニウム層の
うち当初ジルコニウム析出管であった部分は、溶接処理
後の圧延処理により非常に薄い層となり燃料被覆管の特
性に殆ど影響を与えない。
【0031】該被覆管の純ジルコニウム層についてX線
回折により、結晶の(0001)面がどのくらい半径方
向に揃っているの指標となるfr値を測定したところ、
0.690であった。 (比較例)
【0032】ジルコニウム析出管3として、直径1.5
mmのクリスタルバージルコニウムからなる細線を用い、
該細線を直接通電して加熱した以外は、実施例と同様な
装置及び反応条件で、該細線上にクリスタルバージルコ
ニウムを析出させたところ、150時間後に直径30mm
の円柱状のクリスタルバージルコニウム材が得られた。
さらに析出反応を続行しようとしたが、クリスタルバー
ジルコニウムの円柱の径が増加して電気抵抗が増加した
ため、基体の周囲の雰囲気温度が変化し、析出反応はそ
れ以上進まなかった。
【0033】得られた円柱状クリスタルバージルコニウ
ム材を、複数本束ねてEB溶解し、さらに再凝固し、直
径が67mm、長さ500mmの円柱状クリスタルバージル
コニウム材を得た。この工程で得られたクリスタルバー
ジルコニウム材中に含まれる酸素濃度は130ppm であ
った。
【0034】さらに、前記円柱状のクリスタルバージル
コニウム材を内部くりぬき加工を施すことにより内径4
4mm、外径65.8mm、長さ450mmの燃料被覆管用の
内筒を得た。
【0035】得られた内筒を、ジルカロイ−2よりなり
内径65.8mm、外径146mm、長さ450mmの外筒ビ
レットに嵌合しその両端面を電子ビーム溶接して一体化
した。その後、熱間押出しで複合素管を形成し、内面に
水を流しながら外面を高周波電気炉で高温からの熱処理
を行った。その後、冷間加工及び焼鈍を繰り返して燃料
被覆管とした。
【0036】得られた燃料被覆管の内面の純ジルコニウ
ム層の厚さは約80μmであった。該被覆管の純ジルコ
ニウム層についてX線回折により、結晶の(0001)
面がどのくらい半径方向に揃っているの指標となるfr
値を測定したところ、0.590であった。
【0037】以上の実施例及び比較例から本願発明の製
造方法によれば、酸素不純物量が少なく、また、結晶の
(0001)面が半径方向に揃った、燃料被覆管の内筒
として優れた性質を示すクリスタルバージルコニウムか
らなる部材が得られることがわかる。
【0038】
【発明の効果】以上詳述した如く、本発明の製造方法に
よれば燃料被覆管の内筒として優れた性質を示すクリス
タルバージルコニウムよりなる部材を得ることができ
る。
【図面の簡単な説明】
【図1】 クリスタルバージルコニウムからなる部材の
製造装置の一例を示す概略図。
【符号の説明】
1…反応容器 2…外部加熱ヒータ 3…ジルコニウム析出管 4…スポンジジルコニウム塊 5…内部加熱ヒータ 6…ZrI4 蒸発器 7…真空排気機構 8…真空排気機構

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 ヨウ化ジルコニウムをジルコニウムから
    なる基体上で熱分解し基体上にジルコニウムを析出させ
    るクリスタルバージルコニウムからなる部材の製造方法
    において、前記基体が中空管形状であることを特徴とす
    るクリスタルバージルコニウムからなる部材の製造方
    法。
JP21441792A 1992-08-12 1992-08-12 クリスタルバージルコニウムからなる部材の製造方法 Pending JPH0657352A (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP21441792A JPH0657352A (ja) 1992-08-12 1992-08-12 クリスタルバージルコニウムからなる部材の製造方法

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP21441792A JPH0657352A (ja) 1992-08-12 1992-08-12 クリスタルバージルコニウムからなる部材の製造方法

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JPH0657352A true JPH0657352A (ja) 1994-03-01

Family

ID=16655447

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP21441792A Pending JPH0657352A (ja) 1992-08-12 1992-08-12 クリスタルバージルコニウムからなる部材の製造方法

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JPH0657352A (ja)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP2135625A1 (en) 2004-03-19 2009-12-23 Japan Science and Technology Agency Microwave plasma sterilizing device and method

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP2135625A1 (en) 2004-03-19 2009-12-23 Japan Science and Technology Agency Microwave plasma sterilizing device and method

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US7732012B2 (en) Method for manufacturing polycrystalline silicon, and polycrystalline silicon for solar cells manufactured by the method
US4481232A (en) Method and apparatus for producing high purity silicon
US4627148A (en) Method of producing high-purity metal member
US3425826A (en) Purification of vanadium and columbium (niobium)
JPH0657352A (ja) クリスタルバージルコニウムからなる部材の製造方法
JPH05262512A (ja) シリコンの精製方法
GB1569652A (en) Manufacture of silicon rods or tubes by deposition
Gerds et al. Reaction of Nitrogen with, and the Diffusion of Nitrogen in, Thorium
EP2824071B1 (en) Silicon refining device
US3135697A (en) Method of hydriding
EP0210486A1 (en) A method of producing composite nuclear fuel cladding
JPS61143530A (ja) 高純度ジルコニウムの製造方法
US5958105A (en) Process for preparing metallic beryllium pebbles
JPH04246136A (ja) 高純度チタンの精製方法
JPS619532A (ja) ニオブ又はタンタルの金属鋳塊の製造方法
JPS6360818B2 (ja)
US4380470A (en) Ductile transplutonium metal alloys
JP2877351B2 (ja) 高純度ジルコニウム材およびその製造方法
JP2642372B2 (ja) 高純度ジルコニウムの製造方法
JPH01212726A (ja) 原子燃料要素のライナに用いるジルコニウムの製造方法
JPH02175687A (ja) シリコン単結晶引上げ用石英ルツボ
JP2593450B2 (ja) クリスタルバージルコニウムの製造方法
JP3207393B2 (ja) 高純度タンタル材、それを用いてなるタンタルターゲット、それを用いて形成されてなる薄膜および半導体装置
Brizes Deformation of the groups IVB and VB monocarbides
JPH0859261A (ja) シリカガラス加工品の製造方法