JPH065607A - 電子部品の端子接続方法とこの接続方法で接続した表示/読取一体装置およびその端子接続用のループ状金属ワイヤバンプ - Google Patents
電子部品の端子接続方法とこの接続方法で接続した表示/読取一体装置およびその端子接続用のループ状金属ワイヤバンプInfo
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- JPH065607A JPH065607A JP15906192A JP15906192A JPH065607A JP H065607 A JPH065607 A JP H065607A JP 15906192 A JP15906192 A JP 15906192A JP 15906192 A JP15906192 A JP 15906192A JP H065607 A JPH065607 A JP H065607A
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- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/10—Bump connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/11—Manufacturing methods
- H01L2224/113—Manufacturing methods by local deposition of the material of the bump connector
- H01L2224/1133—Manufacturing methods by local deposition of the material of the bump connector in solid form
- H01L2224/1134—Stud bumping, i.e. using a wire-bonding apparatus
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- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
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- H05K3/00—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
- H05K3/40—Forming printed elements for providing electric connections to or between printed circuits
- H05K3/4007—Surface contacts, e.g. bumps
Landscapes
- Wire Bonding (AREA)
- Photo Coupler, Interrupter, Optical-To-Optical Conversion Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 別々の基板2,4に形成された受光素子と発
光素子から引き出された端子電極12と10間を実装密
度を落とさずに、高い信頼性を保持したまま接続する。 【構成】 一方の基板2に形成した端子電極12上の第
1の位置11−1と第2の位置11−2に金属ワイヤー
の両端をボンディングし、他方の基板4に形成した端子
電極10方向に高さをもつループ状金属ワイヤバンプ1
1−4を形成し、その頂部に導電性の接着剤15を付着
させて他方の端子電極と接続する。 【効果】 100μm以上の高さのバンプを形成するこ
とができ、バンプの形成に必要な面積が小さく、かつ端
子電極との接触面積を大きく取れるので、実装密度を落
とさずに接続できる。
光素子から引き出された端子電極12と10間を実装密
度を落とさずに、高い信頼性を保持したまま接続する。 【構成】 一方の基板2に形成した端子電極12上の第
1の位置11−1と第2の位置11−2に金属ワイヤー
の両端をボンディングし、他方の基板4に形成した端子
電極10方向に高さをもつループ状金属ワイヤバンプ1
1−4を形成し、その頂部に導電性の接着剤15を付着
させて他方の端子電極と接続する。 【効果】 100μm以上の高さのバンプを形成するこ
とができ、バンプの形成に必要な面積が小さく、かつ端
子電極との接触面積を大きく取れるので、実装密度を落
とさずに接続できる。
Description
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は、電子部品の端子間の接
続方法とこの接続方法で一体化した受光素子と発光素子
を有する表示/読取一体装置およびその端子接続用のル
ープ状金属ワイヤバンプに関する。
続方法とこの接続方法で一体化した受光素子と発光素子
を有する表示/読取一体装置およびその端子接続用のル
ープ状金属ワイヤバンプに関する。
【0002】
【従来の技術】従来、電子部品の端子間の上下方向(対
面する端子電極間方向)における接続には、異方性導電
膜や導電性粒子を用いる方法、あるいは半田やボンディ
ングによりバンプを形成してこのバンプを介して接続す
る方法が知られている。異方性導電膜や導電性粒子を用
いるものはプロセスが簡単である一方、微細ピッチが困
難で、耐熱性が低いなどの問題があり、また、半田付け
は信頼性は高いが端子電極にメタライズ処理を施す必要
があるなどの欠点がある。
面する端子電極間方向)における接続には、異方性導電
膜や導電性粒子を用いる方法、あるいは半田やボンディ
ングによりバンプを形成してこのバンプを介して接続す
る方法が知られている。異方性導電膜や導電性粒子を用
いるものはプロセスが簡単である一方、微細ピッチが困
難で、耐熱性が低いなどの問題があり、また、半田付け
は信頼性は高いが端子電極にメタライズ処理を施す必要
があるなどの欠点がある。
【0003】これに対して、ボンディングにより形成す
る金属バンプを用いる方法は微細な端子ピッチにも対応
でき、メタライズ処理も不要であるなどの利点を持って
いる。ボンディングにより形成するバンプを用いる方法
は、電子情報通信学会技術研究報告(CPM89−4
5,pp7−12)“スタッドバンプ方式によるCOG
実装方式”、あるいは特開平1ー227458号公報の
“バンプ電極形成法”に開示がある。
る金属バンプを用いる方法は微細な端子ピッチにも対応
でき、メタライズ処理も不要であるなどの利点を持って
いる。ボンディングにより形成するバンプを用いる方法
は、電子情報通信学会技術研究報告(CPM89−4
5,pp7−12)“スタッドバンプ方式によるCOG
実装方式”、あるいは特開平1ー227458号公報の
“バンプ電極形成法”に開示がある。
【0004】図8は上記従来技術による金属ワイヤバン
プを作成する作成工程の概略図であって、02は基板、
011は金属ワイヤ(好適にはAuワイヤ)、012は
基板上に備えた端子電極、011−01は金属ワイヤ0
11の一端、011−02は金属ワイヤ011の他端、
011−03は折り曲げ部である。同図において、この
金属バンプは金属ワイヤ011の一端を電気放電等によ
って球状の端部011−01に成形し(a)、これを端
子電極012上に超音波併用の熱圧着により接続する
(b)。その後、折り曲げ部011−03を形成して切
断して他端011−2とする(c)。
プを作成する作成工程の概略図であって、02は基板、
011は金属ワイヤ(好適にはAuワイヤ)、012は
基板上に備えた端子電極、011−01は金属ワイヤ0
11の一端、011−02は金属ワイヤ011の他端、
011−03は折り曲げ部である。同図において、この
金属バンプは金属ワイヤ011の一端を電気放電等によ
って球状の端部011−01に成形し(a)、これを端
子電極012上に超音波併用の熱圧着により接続する
(b)。その後、折り曲げ部011−03を形成して切
断して他端011−2とする(c)。
【0005】すなわち、この金属金属ワイヤバンプは、
その一端011−01は端子電極012に接続している
が、他端は遊端となっている。上記従来技術による金属
ワイヤバンプを用いた接続は、液晶表示素子などのよう
に接続する端子電極間が数十μmのギャップである場合
には有効であるが、50μm以上のギャップ間の接続は
困難である。
その一端011−01は端子電極012に接続している
が、他端は遊端となっている。上記従来技術による金属
ワイヤバンプを用いた接続は、液晶表示素子などのよう
に接続する端子電極間が数十μmのギャップである場合
には有効であるが、50μm以上のギャップ間の接続は
困難である。
【0006】一方、情報関連機器のなかで画像入出力装
置が広く使われており、画像出力装置のひとつであるデ
ィスプレイには、CRT,LCD,ELD,PDPなど
色々な方式がある。高密度実装技術の発展とともにディ
スプレイ基板上に駆動ICが直接搭載されるようにな
り、最近では携帯できるパーソナルコンピュータや電子
手帳などコンパクトなディスプレイをもった装置が開発
されている。
置が広く使われており、画像出力装置のひとつであるデ
ィスプレイには、CRT,LCD,ELD,PDPなど
色々な方式がある。高密度実装技術の発展とともにディ
スプレイ基板上に駆動ICが直接搭載されるようにな
り、最近では携帯できるパーソナルコンピュータや電子
手帳などコンパクトなディスプレイをもった装置が開発
されている。
【0007】画像入力装置に関しては、そのひとつであ
るイメージセンサはアモルファスシリコンなどの光電変
換膜を用いた原稿幅のサイズをもった密着型ラインイメ
ージセンサが主流になっている。この種のイメージセン
サに関しては、特開昭53−119619号公報に開示
されたように、紙送りなどの駆動系が要らない二次元イ
メージセンサが提案されているが、光源を移動させるよ
うな照明装置が必要なこと、また小型化が難しいという
欠点がある。
るイメージセンサはアモルファスシリコンなどの光電変
換膜を用いた原稿幅のサイズをもった密着型ラインイメ
ージセンサが主流になっている。この種のイメージセン
サに関しては、特開昭53−119619号公報に開示
されたように、紙送りなどの駆動系が要らない二次元イ
メージセンサが提案されているが、光源を移動させるよ
うな照明装置が必要なこと、また小型化が難しいという
欠点がある。
【0008】また、これらの表示素子と画像読取素子を
同じ基板上の離れた部分に形成し、画像を読み取ったす
ぐ後に表示素子によってモニタするという技術が特開平
1−106467号公報に示されている。しかし、この
公報開示の技術は表示素子と画像読取素子とが別の領域
に形成されているため、光源などの照明装置を付加する
とかなり大きな装置になってしまうという欠点がある。
同じ基板上の離れた部分に形成し、画像を読み取ったす
ぐ後に表示素子によってモニタするという技術が特開平
1−106467号公報に示されている。しかし、この
公報開示の技術は表示素子と画像読取素子とが別の領域
に形成されているため、光源などの照明装置を付加する
とかなり大きな装置になってしまうという欠点がある。
【0009】
【発明が解決しようとする課題】上記の表示素子と読取
素子とを一体化したものは、その構成が液晶ディスプレ
イの液晶セルの構成と類似している。表示素子と読取素
子とを一体化するための両者の端子電極間の接続技術に
関連するものとして知られている特公昭53−4330
6号公報に開示の液晶セルの構造では、液晶セルの上下
の電極を導電性粒子で接続させており、さらにスペーサ
としても機能させている。
素子とを一体化したものは、その構成が液晶ディスプレ
イの液晶セルの構成と類似している。表示素子と読取素
子とを一体化するための両者の端子電極間の接続技術に
関連するものとして知られている特公昭53−4330
6号公報に開示の液晶セルの構造では、液晶セルの上下
の電極を導電性粒子で接続させており、さらにスペーサ
としても機能させている。
【0010】この場合、取り出し電極のline/sp
aceのspace部は、少なくとも使用する導電粒子
の直径より大きくなければ、該導電粒子を介して隣接電
極との間で接触してしまう。液晶セルの場合、電極間の
ギャップは数μmと小さいので導電粒子の直径も数μm
で済み、例えば実装密度400spi程度において、電
極を多数並べた場合でも隣接電極と接触することはな
い。
aceのspace部は、少なくとも使用する導電粒子
の直径より大きくなければ、該導電粒子を介して隣接電
極との間で接触してしまう。液晶セルの場合、電極間の
ギャップは数μmと小さいので導電粒子の直径も数μm
で済み、例えば実装密度400spi程度において、電
極を多数並べた場合でも隣接電極と接触することはな
い。
【0011】しかし、本発明の主たる対象である表示/
読取一体装置の構成では,両者の端子電極間のギャップ
が50μm〜100μmと大きいので、導電粒子もギャ
ップ量に合わせて大きくする必要があるが、導電粒子を
大きくすると当該導電粒子を介して隣接電極と接触して
しまうという問題が生じるため、装置の実装密度を低く
せざるを得ない。
読取一体装置の構成では,両者の端子電極間のギャップ
が50μm〜100μmと大きいので、導電粒子もギャ
ップ量に合わせて大きくする必要があるが、導電粒子を
大きくすると当該導電粒子を介して隣接電極と接触して
しまうという問題が生じるため、装置の実装密度を低く
せざるを得ない。
【0012】また、他の接続方法として特開平1ー22
7458号公報に記載されている方法がある。これは金
属ワイヤーを用いてファーストボンディングのみを行
い、セカンドボンディングをせずにレーザー光によりワ
イヤーを切断して凸状のバンプを形成するものである。
しかし、この方法はバンプの高さが精々50μmである
ため、本発明の主たる対象である表示/読取一体装置の
実装には適用できない。
7458号公報に記載されている方法がある。これは金
属ワイヤーを用いてファーストボンディングのみを行
い、セカンドボンディングをせずにレーザー光によりワ
イヤーを切断して凸状のバンプを形成するものである。
しかし、この方法はバンプの高さが精々50μmである
ため、本発明の主たる対象である表示/読取一体装置の
実装には適用できない。
【0013】したがって、本発明の第1の目的は、ルー
プ状の金属ワイヤバンプを用いることによりギャップ量
が数μmから100μm以上と広い範囲においても、端
子電極間の接続を可能にする電子部品の端子接続方法を
提供することにある。また、本発明の第2の目的は、二
次元の発光素子と受光素子をそれぞれ別の基板に形成
し、それぞれの素子が対向するように二つの基板を所望
のギャップを介して一体に固定させ、発光素子の駆動電
極を受光素子基板側へ高い信頼性をもって接続させる表
示/読取一体装置を提供することにある。
プ状の金属ワイヤバンプを用いることによりギャップ量
が数μmから100μm以上と広い範囲においても、端
子電極間の接続を可能にする電子部品の端子接続方法を
提供することにある。また、本発明の第2の目的は、二
次元の発光素子と受光素子をそれぞれ別の基板に形成
し、それぞれの素子が対向するように二つの基板を所望
のギャップを介して一体に固定させ、発光素子の駆動電
極を受光素子基板側へ高い信頼性をもって接続させる表
示/読取一体装置を提供することにある。
【0014】さらに、本発明の第3の目的は、上記の接
続のためのループ状金属ワイヤバンプを提供することに
ある。なお、本発明における表示/読取一体化装置にお
いては、二次元の発光素子は表示装置として機能するの
は勿論のこと、読取装置は光源としても機能する。
続のためのループ状金属ワイヤバンプを提供することに
ある。なお、本発明における表示/読取一体化装置にお
いては、二次元の発光素子は表示装置として機能するの
は勿論のこと、読取装置は光源としても機能する。
【0015】
【課題を解決するための手段】上記本発明の第1の目的
を達成するため、複数の電子部品に形成された端子電極
間を接続する本発明の端子接続方法は、一方の電子部品
に形成された端子電極上の所定位置にボンディングによ
り金属ワイヤの一端を接続する金属ワイヤ一端接続工程
100と、前記金属ワイヤを前記端子電極の上方に所定
高さのループとしたループ状金属ワイヤを形成するワイ
ヤループ形成工程200と、前記端子電極上の前記ボン
ディング位置に所定の距離をもって異なる位置に再びボ
ンディングにより前記金属ワイヤの他端を接続してワイ
ヤバンプを形成する金属ワイヤ他端接続工程300と、
前記ワイヤループ形成工程で形成したループ状金属ワイ
ヤの頂部または他方の部品に形成された端子電極にに導
電性の接着剤を付着させる接着剤付着工程400と、前
記導電性接着剤を介して前記一方の電子部品に形成され
た端子電極と前記他方の電子部品に形成された端子電極
を接続する電子部品間接続工程500と、からなること
を特徴とする。
を達成するため、複数の電子部品に形成された端子電極
間を接続する本発明の端子接続方法は、一方の電子部品
に形成された端子電極上の所定位置にボンディングによ
り金属ワイヤの一端を接続する金属ワイヤ一端接続工程
100と、前記金属ワイヤを前記端子電極の上方に所定
高さのループとしたループ状金属ワイヤを形成するワイ
ヤループ形成工程200と、前記端子電極上の前記ボン
ディング位置に所定の距離をもって異なる位置に再びボ
ンディングにより前記金属ワイヤの他端を接続してワイ
ヤバンプを形成する金属ワイヤ他端接続工程300と、
前記ワイヤループ形成工程で形成したループ状金属ワイ
ヤの頂部または他方の部品に形成された端子電極にに導
電性の接着剤を付着させる接着剤付着工程400と、前
記導電性接着剤を介して前記一方の電子部品に形成され
た端子電極と前記他方の電子部品に形成された端子電極
を接続する電子部品間接続工程500と、からなること
を特徴とする。
【0016】また、上記本発明の第2の目的を達成する
ために、内面に受光素子1を備えると共に端子電極12
をもつ発光素子基板2と、内面に発光素子3を備えると
共に端子電極10をもつ発光素子基板4とを対向して配
置した表示/読取一体装置が、前記受光素子基板2と前
記発光素子基板4の一方,例えば受光素子基板2に形成
された端子電極12に接続された請求項1記載のループ
状金属ワイヤーからなるバンプ11−4と、前記受光素
子基板2と前記発光素子基板4の他方(ここでは発光素
子基板4)に端子電極10とを備え、前記一方の端子電
極12に形成されたループ状金属ワイヤバンプ11−4
の前記他方の端子電極10側頂部に付着させた導電性接
着剤15により前記他方の端子電極10を前記ループ状
金属ワイヤバンプ11−4に接続してなり、前記受光素
子基板2と前記発光素子基板4との間にギャップ形成用
の透明スペーサ14を設けたことを特徴とする。
ために、内面に受光素子1を備えると共に端子電極12
をもつ発光素子基板2と、内面に発光素子3を備えると
共に端子電極10をもつ発光素子基板4とを対向して配
置した表示/読取一体装置が、前記受光素子基板2と前
記発光素子基板4の一方,例えば受光素子基板2に形成
された端子電極12に接続された請求項1記載のループ
状金属ワイヤーからなるバンプ11−4と、前記受光素
子基板2と前記発光素子基板4の他方(ここでは発光素
子基板4)に端子電極10とを備え、前記一方の端子電
極12に形成されたループ状金属ワイヤバンプ11−4
の前記他方の端子電極10側頂部に付着させた導電性接
着剤15により前記他方の端子電極10を前記ループ状
金属ワイヤバンプ11−4に接続してなり、前記受光素
子基板2と前記発光素子基板4との間にギャップ形成用
の透明スペーサ14を設けたことを特徴とする。
【0017】さらに、内面に受光素子1を備えると共に
端子電極12をもつ受光素子基板2と、内面に発光素子
3を備えると共に前記受光素子基板2の端子電極12と
接続するための端子電極10をもち、内面に発光素子3
を備えると共に端子電極10をもつ発光素子基板4と対
向して前記両端子電極10と12間を接続してなる表示
/読取一体装置が、前記受光素子基板1と前記発光素子
基板4の一方の端子電極(ここでは12)に各端部が異
なる位置11−1,11−2で接続されて上記各端部間
に前記受光素子基板と前記発光素子基板の他方の端子電
極側にループ11−3を有するループ状金属ワイヤバン
プ11−4と、前記受光素子基板2と前記発光素子基板
4との間にギャップ形成用の透明スペーサ14と、を有
してなり、前記ループ状金属ワイヤバンプ11−4の前
記他方の端子電極10方向高さが前記ギャップ形成用の
透明スペーサ14の同方向高さより大であることを特徴
とする。
端子電極12をもつ受光素子基板2と、内面に発光素子
3を備えると共に前記受光素子基板2の端子電極12と
接続するための端子電極10をもち、内面に発光素子3
を備えると共に端子電極10をもつ発光素子基板4と対
向して前記両端子電極10と12間を接続してなる表示
/読取一体装置が、前記受光素子基板1と前記発光素子
基板4の一方の端子電極(ここでは12)に各端部が異
なる位置11−1,11−2で接続されて上記各端部間
に前記受光素子基板と前記発光素子基板の他方の端子電
極側にループ11−3を有するループ状金属ワイヤバン
プ11−4と、前記受光素子基板2と前記発光素子基板
4との間にギャップ形成用の透明スペーサ14と、を有
してなり、前記ループ状金属ワイヤバンプ11−4の前
記他方の端子電極10方向高さが前記ギャップ形成用の
透明スペーサ14の同方向高さより大であることを特徴
とする。
【0018】そして、上記第3の目的を達成するため
に、本発明によるループ状金属ワイヤバンプ11−4
は、接続すべき端子電極12上の所定の位置11−1で
一端を接続し、前記端子電極12上の前記所定の位置1
1−1(第1の位置)とは距離dをもって異なる位置1
1−2(第2の位置)に他端を接続してなり、前記一端
を接続した位置と前記他端を接続した位置との間に前記
端子電極12から離れる方向にループ11−3を有する
ことを特徴とする。
に、本発明によるループ状金属ワイヤバンプ11−4
は、接続すべき端子電極12上の所定の位置11−1で
一端を接続し、前記端子電極12上の前記所定の位置1
1−1(第1の位置)とは距離dをもって異なる位置1
1−2(第2の位置)に他端を接続してなり、前記一端
を接続した位置と前記他端を接続した位置との間に前記
端子電極12から離れる方向にループ11−3を有する
ことを特徴とする。
【0019】
【作用】上記構成の本発明によれば、両端を相互に離れ
た位置で端子電極に固定したループ状金属ワイヤバンプ
を介して電子部品の端子電極間を接続する方法を採用し
たものであるため、高い実装密度を保持したまま、端子
電極との間の接触面積を大きくとることができ、接続信
頼性が高い装置を得ることはできる。
た位置で端子電極に固定したループ状金属ワイヤバンプ
を介して電子部品の端子電極間を接続する方法を採用し
たものであるため、高い実装密度を保持したまま、端子
電極との間の接触面積を大きくとることができ、接続信
頼性が高い装置を得ることはできる。
【0020】また、接続される素子間のギャップは透明
スペーサにより維持されるので、ギャップばらつきの小
さい表示/読取一体装置を実現することが可能となる。
スペーサにより維持されるので、ギャップばらつきの小
さい表示/読取一体装置を実現することが可能となる。
【0021】
【実施例】以下、本発明の実施例につき、図面を参照し
て詳細に説明する。図1は本発明による電子部品の端子
接続方法の1実施例を説明する概略工程図であって、こ
の端子接続方法は、一方の電子部品に形成された端子電
極上の所定位置(第1の位置)にボンディングにより金
属ワイヤの一端を接続する金属ワイヤ一端接続工程10
0と、前記金属ワイヤを前記端子電極の上方に所定高さ
のループとしたループ状金属ワイヤを形成するワイヤル
ープ形成工程200と、前記端子電極上の前記ボンディ
ング位置に距離dをもって異なる位置(第2の位置)に
再びボンディングにより前記金属ワイヤの他端を接続し
てワイヤバンプを形成する金属ワイヤ他端接続工程30
0と、前記ワイヤループ形成工程で形成したループ状金
属ワイヤの他方の部品に形成された端子側頂部に導電性
の接着剤を付着させる接着剤付着工程400と、前記導
電性接着剤を介して前記一方の電子部品に形成された端
子電極と前記他方の電子部品に形成された端子電極を接
続する電子部品間接続工程500と、からなる。
て詳細に説明する。図1は本発明による電子部品の端子
接続方法の1実施例を説明する概略工程図であって、こ
の端子接続方法は、一方の電子部品に形成された端子電
極上の所定位置(第1の位置)にボンディングにより金
属ワイヤの一端を接続する金属ワイヤ一端接続工程10
0と、前記金属ワイヤを前記端子電極の上方に所定高さ
のループとしたループ状金属ワイヤを形成するワイヤル
ープ形成工程200と、前記端子電極上の前記ボンディ
ング位置に距離dをもって異なる位置(第2の位置)に
再びボンディングにより前記金属ワイヤの他端を接続し
てワイヤバンプを形成する金属ワイヤ他端接続工程30
0と、前記ワイヤループ形成工程で形成したループ状金
属ワイヤの他方の部品に形成された端子側頂部に導電性
の接着剤を付着させる接着剤付着工程400と、前記導
電性接着剤を介して前記一方の電子部品に形成された端
子電極と前記他方の電子部品に形成された端子電極を接
続する電子部品間接続工程500と、からなる。
【0022】図2は上記工程における金属ワイヤ一端接
続工程100からワイヤループ形成工程200および金
属ワイヤ他端接続工程300までを説明する模式図であ
って、2は基板、11は金属ワイヤ(好適にはAuワイ
ヤ)、12は基板上に備えた端子電極、11−1は金属
ワイヤ11の一端を接続する位置(第1の位置)、11
−2は金属ワイヤ011の他端を接続する位置(第2の
位置)、11−3はループ、11−4は金属バンプであ
る。
続工程100からワイヤループ形成工程200および金
属ワイヤ他端接続工程300までを説明する模式図であ
って、2は基板、11は金属ワイヤ(好適にはAuワイ
ヤ)、12は基板上に備えた端子電極、11−1は金属
ワイヤ11の一端を接続する位置(第1の位置)、11
−2は金属ワイヤ011の他端を接続する位置(第2の
位置)、11−3はループ、11−4は金属バンプであ
る。
【0023】同図において、この金属バンプ11−4は
金属ワイヤ11の一端を電気放電等によって球状に成形
し(a)、これを端子電極12上の所定の位置11−1
(第1の位置)に超音波併用の熱圧着等により接続する
(b)。その後、ループ11−3を形成して他端を上記
第1の位置11−1から距離dだけ離れた位置11−2
に同様の圧着手段で接続する(c)。
金属ワイヤ11の一端を電気放電等によって球状に成形
し(a)、これを端子電極12上の所定の位置11−1
(第1の位置)に超音波併用の熱圧着等により接続する
(b)。その後、ループ11−3を形成して他端を上記
第1の位置11−1から距離dだけ離れた位置11−2
に同様の圧着手段で接続する(c)。
【0024】図3は図2のワイヤループ形成工程の20
0におけるループ形成方法の説明図であって、16はワ
イヤボンディング治具であるキャピラリである。このル
ープ形成工程では、図2の(b)で金属ワイヤ11の一
端を端子電極12の第1の位置11−1に接続した後、
金属ワイヤ11を挿通保持するキャピラリ16を図示の
第1の位置11−1を示すからの高さ位置まで上昇
させ、然る後横方向に距離dだけ離れた位置に移動さ
せ、他端接続位置11−2(第2の位置)となる位置
まで再度下降させて、図2の(c)で説明したように金
属ワイヤ11の他端を端子電極12に接続すると共にキ
ャピラリ16側で金属ワイヤ11を切断する。
0におけるループ形成方法の説明図であって、16はワ
イヤボンディング治具であるキャピラリである。このル
ープ形成工程では、図2の(b)で金属ワイヤ11の一
端を端子電極12の第1の位置11−1に接続した後、
金属ワイヤ11を挿通保持するキャピラリ16を図示の
第1の位置11−1を示すからの高さ位置まで上昇
させ、然る後横方向に距離dだけ離れた位置に移動さ
せ、他端接続位置11−2(第2の位置)となる位置
まで再度下降させて、図2の(c)で説明したように金
属ワイヤ11の他端を端子電極12に接続すると共にキ
ャピラリ16側で金属ワイヤ11を切断する。
【0025】これにより、高さ方向寸法を十分に取った
ループ状金属ワイヤバンプ11−4が形成される。図4
は図1における接着剤付着工程に付随するレベリング作
業を説明する模式図であり、上記の金属ワイヤ他端接続
工程を経て端子電極12に設置された複数のループ状金
属ワイヤバンプ11−4は、そのループ頂部の高さを所
要の高さプラス10パーセント程度に形成される。
ループ状金属ワイヤバンプ11−4が形成される。図4
は図1における接着剤付着工程に付随するレベリング作
業を説明する模式図であり、上記の金属ワイヤ他端接続
工程を経て端子電極12に設置された複数のループ状金
属ワイヤバンプ11−4は、そのループ頂部の高さを所
要の高さプラス10パーセント程度に形成される。
【0026】複数のループ状金属ワイヤバンプ11−4
の頂部の高さが均一でないと、接着剤を均一に付着させ
ることができないので、その頂部が一様な高さと成るよ
うにレベリングを行う。図4に示したように、このレベ
リング作業は、ループ状金属ワイヤバンプ11−4の上
方から平坦な下面をもつレベラー治具17を所定の高さ
Dまで降下させることによりループ状金属ワイヤバンプ
11−4の頂部を所定の高さとなるレベルL−Lに揃え
る。
の頂部の高さが均一でないと、接着剤を均一に付着させ
ることができないので、その頂部が一様な高さと成るよ
うにレベリングを行う。図4に示したように、このレベ
リング作業は、ループ状金属ワイヤバンプ11−4の上
方から平坦な下面をもつレベラー治具17を所定の高さ
Dまで降下させることによりループ状金属ワイヤバンプ
11−4の頂部を所定の高さとなるレベルL−Lに揃え
る。
【0027】図5は接着剤付着工程の説明図であって、
18は接着剤付着治具、19は導電性接着剤層である。
同図において、導電性接着剤を接着剤付着治具18の下
面に塗布して接着剤層19となし、前記レベリング作業
で高さDの一定のレベルに頂部を揃えたループ状金属ワ
イヤバンプ11−4に対して上記接着剤付着治具18を
下降させ、ループ状金属ワイヤバンプ11−4の頂部と
接着剤層19とを接触させることにより、該ループ状金
属ワイヤバンプ11−4の頂部に導電性接着剤を付着さ
せる。
18は接着剤付着治具、19は導電性接着剤層である。
同図において、導電性接着剤を接着剤付着治具18の下
面に塗布して接着剤層19となし、前記レベリング作業
で高さDの一定のレベルに頂部を揃えたループ状金属ワ
イヤバンプ11−4に対して上記接着剤付着治具18を
下降させ、ループ状金属ワイヤバンプ11−4の頂部と
接着剤層19とを接触させることにより、該ループ状金
属ワイヤバンプ11−4の頂部に導電性接着剤を付着さ
せる。
【0028】導電性接着剤としては、AgあるいはPd
系エポキシ樹脂が好適であるが、これに限るものではな
い。これにより、他方の電子部品の端子電極との接続の
準備が完了する。このように、ループ状金属ワイヤバン
プ11−4の両端を端子電極12上の異なる位置に接続
して、両接続位置の間に当該端子電極から離れる方向に
ループを形成してなる構造を有するため、前記図8に示
した従来の金属バンプと比較して、バンプ位置を正確に
固定でき、隣接する端子に接触することがなく、またル
ープ11−3の高さをより高くとることが容易であるの
で、接続される端子電極間のギャップが大きい場合にも
正確な端子間接続を実現できる。
系エポキシ樹脂が好適であるが、これに限るものではな
い。これにより、他方の電子部品の端子電極との接続の
準備が完了する。このように、ループ状金属ワイヤバン
プ11−4の両端を端子電極12上の異なる位置に接続
して、両接続位置の間に当該端子電極から離れる方向に
ループを形成してなる構造を有するため、前記図8に示
した従来の金属バンプと比較して、バンプ位置を正確に
固定でき、隣接する端子に接触することがなく、またル
ープ11−3の高さをより高くとることが容易であるの
で、接続される端子電極間のギャップが大きい場合にも
正確な端子間接続を実現できる。
【0029】図6は本発明の表示/読取一体装置を原稿
読取装置に適用した1実施例の概略の構成を示す要部断
面図であって、1は受光素子、2は受光素子基板(一方
の基板)、3は発光素子、4は発光素子基板(他方の基
板)、5は原稿、6は入射窓、7は遮光層、8,12は
一方の基板に設けた端子電極、9,13はリード線、1
0は他方の基板に設けた端子電極、11−4はループ状
金属ワイヤバンプ、14はスペーサ、15は導電性接着
剤である。
読取装置に適用した1実施例の概略の構成を示す要部断
面図であって、1は受光素子、2は受光素子基板(一方
の基板)、3は発光素子、4は発光素子基板(他方の基
板)、5は原稿、6は入射窓、7は遮光層、8,12は
一方の基板に設けた端子電極、9,13はリード線、1
0は他方の基板に設けた端子電極、11−4はループ状
金属ワイヤバンプ、14はスペーサ、15は導電性接着
剤である。
【0030】同図において、受光素子1を形成した一方
の基板である受光素子基板2と、発光素子3を形成した
他方の基板である発光素子基板4を、受光素子1と発光
素子3とが内側になるように対面させ、また受光素子1
と発光素子3のそれぞれの素子の位置が対応するように
配置させる。発光素子3の基板である発光素子基板4は
ガラス等の透明体からなり、この発光素子基板4の表
面,すなわち発光素子とは反対の面に原稿5が載置され
るようになっている。
の基板である受光素子基板2と、発光素子3を形成した
他方の基板である発光素子基板4を、受光素子1と発光
素子3とが内側になるように対面させ、また受光素子1
と発光素子3のそれぞれの素子の位置が対応するように
配置させる。発光素子3の基板である発光素子基板4は
ガラス等の透明体からなり、この発光素子基板4の表
面,すなわち発光素子とは反対の面に原稿5が載置され
るようになっている。
【0031】そして、発光素子3からの光を原稿5で反
射させ、この原稿5からの反射光を受光素子1に入射さ
せる入射窓6が形成されている。また、発光素子3から
受光素子1に直接光が入射しないように発光素子3の受
光素子側に遮光層7が設けてある。受光素子1を駆動す
るために受光素子基板2に形成された端子電極8にはリ
ード線9が接続されており、一方、発光素子3を駆動す
るための発光素子基板4に形成された端子電極10はワ
イヤバンプ11−4を介して受光素子基板2に形成され
た端子電極12に接続され、さらにリード線13と接続
されている。
射させ、この原稿5からの反射光を受光素子1に入射さ
せる入射窓6が形成されている。また、発光素子3から
受光素子1に直接光が入射しないように発光素子3の受
光素子側に遮光層7が設けてある。受光素子1を駆動す
るために受光素子基板2に形成された端子電極8にはリ
ード線9が接続されており、一方、発光素子3を駆動す
るための発光素子基板4に形成された端子電極10はワ
イヤバンプ11−4を介して受光素子基板2に形成され
た端子電極12に接続され、さらにリード線13と接続
されている。
【0032】このような構成の表示/読取一体装置で
は、読み取り解像度の点で発光素子3と原稿5との間の
距離、および発光素子3と受光素子1との間の距離は同
じ値であることが望ましく、またその値は小さいほうが
望ましい。そしてこの構成の場合、上記距離の値は、発
光素子基板4の厚みで決まってくる。実際には発光素子
基板4の厚みは50μm〜100μmが作製の限界であ
る。したがって、発光素子3と受光素子1との間の距離
は発光素子基板4の厚みに合ったギャップを形成して両
者を一体に固定させなければならない。
は、読み取り解像度の点で発光素子3と原稿5との間の
距離、および発光素子3と受光素子1との間の距離は同
じ値であることが望ましく、またその値は小さいほうが
望ましい。そしてこの構成の場合、上記距離の値は、発
光素子基板4の厚みで決まってくる。実際には発光素子
基板4の厚みは50μm〜100μmが作製の限界であ
る。したがって、発光素子3と受光素子1との間の距離
は発光素子基板4の厚みに合ったギャップを形成して両
者を一体に固定させなければならない。
【0033】このギャップを形成するために、架橋共重
合物からなる大きさが揃った透明な粒子の透明スペーサ
14を受光素子基板2と発光素子基板4の間に介在させ
る。上記のギャップをもって一体化する両基板におい
て、発光素子側の端子電極10と受光素子側の端子電極
12とを接続するために、前記したループ状金属ワイヤ
バンプ11−4を用いる。
合物からなる大きさが揃った透明な粒子の透明スペーサ
14を受光素子基板2と発光素子基板4の間に介在させ
る。上記のギャップをもって一体化する両基板におい
て、発光素子側の端子電極10と受光素子側の端子電極
12とを接続するために、前記したループ状金属ワイヤ
バンプ11−4を用いる。
【0034】このループ状金属ワイヤバンプ11−4
は、金属ワイヤーをループ状にしてその両端を一方の端
子電極にボンディングすることにより高さ100μm程
度のバンプを隣接電極方向に幅を取ることなく形成でき
る。これにより実装密度の低下を招くことなく、高い信
頼性で上下の電極間の接続を図ることができる。
は、金属ワイヤーをループ状にしてその両端を一方の端
子電極にボンディングすることにより高さ100μm程
度のバンプを隣接電極方向に幅を取ることなく形成でき
る。これにより実装密度の低下を招くことなく、高い信
頼性で上下の電極間の接続を図ることができる。
【0035】図6において、発光素子3にはEL(el
ectro luminescence)素子を用い、
発光素子基板4には厚さ100μmのガラス基板を用い
た。このEL素子は、透明電極であるITO層、第1絶
縁層であるSiNx層、発光層であるZnS:Mn、第
2絶縁層であるSiNx、上部電極と遮光層を兼ねたA
L電極層の5層構造とした。
ectro luminescence)素子を用い、
発光素子基板4には厚さ100μmのガラス基板を用い
た。このEL素子は、透明電極であるITO層、第1絶
縁層であるSiNx層、発光層であるZnS:Mn、第
2絶縁層であるSiNx、上部電極と遮光層を兼ねたA
L電極層の5層構造とした。
【0036】それぞれの膜厚はITO層が約1400
Å、SiNx層が約3000Å、ZnS:Mn層が約5
000Å、Al層が約1μmである。ZnS:Mn層は
高い輝度を安定して得らえるため、光源および表示素子
として適している。発光素子3を構成するEL素子中央
にはAl電極により入射窓6が形成されており、それ以
外は当該Al電極を遮光層7として遮光されている。こ
れにより発光素子3を構成するEL素子の発光層から出
た光は直接受光素子1に入射せずに、一旦原稿5を照射
しその反射光が入射窓6を通過して受光素子1に到達す
る。
Å、SiNx層が約3000Å、ZnS:Mn層が約5
000Å、Al層が約1μmである。ZnS:Mn層は
高い輝度を安定して得らえるため、光源および表示素子
として適している。発光素子3を構成するEL素子中央
にはAl電極により入射窓6が形成されており、それ以
外は当該Al電極を遮光層7として遮光されている。こ
れにより発光素子3を構成するEL素子の発光層から出
た光は直接受光素子1に入射せずに、一旦原稿5を照射
しその反射光が入射窓6を通過して受光素子1に到達す
る。
【0037】受光素子1としては、アモルファスSiに
よるフォトダイオードを用いた。その膜厚は0.5μm
程度である。アモルファスSiはプラズマCVD法等に
より均一な膜を大面積に容易に着膜できるので、このよ
うな原稿読取装置を構成するのに適している。なお、こ
の他にCdSeに代表されるフォトコンダクターを用い
ることができる。
よるフォトダイオードを用いた。その膜厚は0.5μm
程度である。アモルファスSiはプラズマCVD法等に
より均一な膜を大面積に容易に着膜できるので、このよ
うな原稿読取装置を構成するのに適している。なお、こ
の他にCdSeに代表されるフォトコンダクターを用い
ることができる。
【0038】また、ギャップ形成用の透明スペーサ14
としては、粒径が発光素子基板4の厚さと同じ100μ
mであり、上記した架橋共重合物からなる透明な粒子を
用いた。しかし、これに限らず、他の適宜の透明物質を
用いることができることは言うまでもない。上記の発光
素子基板4の端子電極10と受光素子基板2の端子電極
12とを接続するために、前記したように、受光素子基
板2上の端子電極12に金属ワイヤ11にAuを用いた
ボンディングより図2に示した様なループ状のバンプ1
1−4を形成する。ワイヤ11の径は30μmとした。
としては、粒径が発光素子基板4の厚さと同じ100μ
mであり、上記した架橋共重合物からなる透明な粒子を
用いた。しかし、これに限らず、他の適宜の透明物質を
用いることができることは言うまでもない。上記の発光
素子基板4の端子電極10と受光素子基板2の端子電極
12とを接続するために、前記したように、受光素子基
板2上の端子電極12に金属ワイヤ11にAuを用いた
ボンディングより図2に示した様なループ状のバンプ1
1−4を形成する。ワイヤ11の径は30μmとした。
【0039】上記したごとく、金属ワイヤ11をループ
状にすることで、バンプの高さは130μm程度まで実
現できる。本実施例では金属ワイヤ11を用いたループ
状金属ワイヤバンプ11−4の高さはスペーサ14の粒
径に対し10%増しの110μm程度とする。そして、
ループ状金属ワイヤバンプ11−4の頂部にはエポキシ
系の導電ペースト(導電性接着剤)15を一様に付着さ
せ、発光素子基板4上の端子電極10と位置合わせした
後に発光素子基板4を均一荷重し、150°Cで10分
程度ベークすることにより、受光素子基板2上の端子電
極12と発光素子基板4上の端子電極10をループ状金
属ワイヤバンプ11−4を介して接続させる。
状にすることで、バンプの高さは130μm程度まで実
現できる。本実施例では金属ワイヤ11を用いたループ
状金属ワイヤバンプ11−4の高さはスペーサ14の粒
径に対し10%増しの110μm程度とする。そして、
ループ状金属ワイヤバンプ11−4の頂部にはエポキシ
系の導電ペースト(導電性接着剤)15を一様に付着さ
せ、発光素子基板4上の端子電極10と位置合わせした
後に発光素子基板4を均一荷重し、150°Cで10分
程度ベークすることにより、受光素子基板2上の端子電
極12と発光素子基板4上の端子電極10をループ状金
属ワイヤバンプ11−4を介して接続させる。
【0040】図7は本発明による電子部品の端子接続方
法に用いるループ状金属ワイヤバンプで接続した状態を
説明する図6の部分拡大概略図であって、図6と同一符
号は同一部分に対応する。同図において、このループ状
金属ワイヤバンプ11−4は、Au等の金属ワイヤ11
(図2)の一端を電気放電等によって球状に成形し、こ
れを一方の基板である受光素子基板2に形成された端子
電極12上の所定の位置11−1(第1の位置)に超音
波併用の熱圧着等により接続する。
法に用いるループ状金属ワイヤバンプで接続した状態を
説明する図6の部分拡大概略図であって、図6と同一符
号は同一部分に対応する。同図において、このループ状
金属ワイヤバンプ11−4は、Au等の金属ワイヤ11
(図2)の一端を電気放電等によって球状に成形し、こ
れを一方の基板である受光素子基板2に形成された端子
電極12上の所定の位置11−1(第1の位置)に超音
波併用の熱圧着等により接続する。
【0041】次に、図3で説明したワイヤループ形成工
程でループ11−3を形成し、他端を上記位置11−1
と異なる位置11−2(第2の位置)に同様の圧着手段
で接続する。そして、図4で説明したレベリング作業を
経て複数のループ状金属ワイヤバンプ11−4の各頂部
を所定の高さ(すなわちスペーサ14の粒径に対し10
%増し)に均一化した後、図5で説明した接着剤付着工
程で当該頂部に導電性接着剤15を付着させる。
程でループ11−3を形成し、他端を上記位置11−1
と異なる位置11−2(第2の位置)に同様の圧着手段
で接続する。そして、図4で説明したレベリング作業を
経て複数のループ状金属ワイヤバンプ11−4の各頂部
を所定の高さ(すなわちスペーサ14の粒径に対し10
%増し)に均一化した後、図5で説明した接着剤付着工
程で当該頂部に導電性接着剤15を付着させる。
【0042】さらに、一方の基板2の端子電極12上に
ループ状金属ワイヤバンプ11−4を形成し、その頂部
に導電性接着剤15を付着させた状態で、他方の基板4
をその端子電極10が上記端子電極12と対向する位置
で対面させ、スペーサ14を介して両者を圧着させるこ
とにより、端子電極10と端子電極12とが接続され
る。
ループ状金属ワイヤバンプ11−4を形成し、その頂部
に導電性接着剤15を付着させた状態で、他方の基板4
をその端子電極10が上記端子電極12と対向する位置
で対面させ、スペーサ14を介して両者を圧着させるこ
とにより、端子電極10と端子電極12とが接続され
る。
【0043】このように、本実施例においては、ループ
状金属ワイヤバンプ11−4の両端を距離dをもって端
子電極12上の異なる位置に接続して、両接続位置の間
に当該端子電極から離れる方向にループを形成してなる
構造を有するため、前記図8に示した従来の金属バンプ
と比較して、バンプ位置を正確に固定でき、隣接する端
子に接触することがなく、またループ11−3の高さを
高くとることが容易であるので、接続される端子電極間
のギャップが大きい場合にも正確な端子間接続を実現で
きる。
状金属ワイヤバンプ11−4の両端を距離dをもって端
子電極12上の異なる位置に接続して、両接続位置の間
に当該端子電極から離れる方向にループを形成してなる
構造を有するため、前記図8に示した従来の金属バンプ
と比較して、バンプ位置を正確に固定でき、隣接する端
子に接触することがなく、またループ11−3の高さを
高くとることが容易であるので、接続される端子電極間
のギャップが大きい場合にも正確な端子間接続を実現で
きる。
【0044】
【発明の効果】以上説明したように、本発明によれば、
EL発光素子のように高い駆動電圧で1素子あたり数m
A流れる表示素子でも実装密度を下げることなく電極の
接触面積を大きくすることができ、ギャップ形成用の粒
子により液晶セルと同等のギャップばらつきの小さい構
成の信頼性の高い接続が可能となる電子部品の端子接続
方法とこの接続方法で接続した表示/読取一体装置を提
供できると共に、従来技術によるワイヤバンプに比べて
高さ寸法を大きくとれる端子接続用のループ状金属ワイ
ヤバンプを提供することができる。
EL発光素子のように高い駆動電圧で1素子あたり数m
A流れる表示素子でも実装密度を下げることなく電極の
接触面積を大きくすることができ、ギャップ形成用の粒
子により液晶セルと同等のギャップばらつきの小さい構
成の信頼性の高い接続が可能となる電子部品の端子接続
方法とこの接続方法で接続した表示/読取一体装置を提
供できると共に、従来技術によるワイヤバンプに比べて
高さ寸法を大きくとれる端子接続用のループ状金属ワイ
ヤバンプを提供することができる。
【図1】 本発明による電子部品の端子接続方法の1実
施例を説明する概略工程図である。
施例を説明する概略工程図である。
【図2】 本発明による電子部品の端子接続方法におけ
る金属ワイヤ一端接続工程からワイヤループ形成工程お
よび金属ワイヤ他端接続工程までを説明する模式図であ
る。
る金属ワイヤ一端接続工程からワイヤループ形成工程お
よび金属ワイヤ他端接続工程までを説明する模式図であ
る。
【図3】 本発明による電子部品の端子接続方法におけ
る金属ワイヤ一端接続工程からワイヤループ形成工程に
おけるループ形成方法の説明図である。
る金属ワイヤ一端接続工程からワイヤループ形成工程に
おけるループ形成方法の説明図である。
【図4】 本発明による電子部品の端子接続方法におけ
る接着剤付着工程に付随するレベリング作業を説明する
模式図である。
る接着剤付着工程に付随するレベリング作業を説明する
模式図である。
【図5】 本発明による電子部品の端子接続方法におけ
る接着剤付着工程の説明図である。
る接着剤付着工程の説明図である。
【図6】 本発明の表示/読取一体装置を原稿読取装置
に適用した1実施例の概略の構成を示す要部断面図であ
る。
に適用した1実施例の概略の構成を示す要部断面図であ
る。
【図7】 本発明による電子部品の端子接続方法に用い
るループ状金属ワイヤバンプで接続した状態を説明する
図6の部分拡大概略図である。
るループ状金属ワイヤバンプで接続した状態を説明する
図6の部分拡大概略図である。
【図8】 従来技術による金属ワイヤバンプを作成する
作成工程の概略図である。
作成工程の概略図である。
1・・・・受光素子 2・・・・受光素子基板 3・・
・・発光素子 4・・・・発光素子基板 5・・・・原
稿 6・・・・入射窓 7・・・・遮光層 8・・・・
電極 9・・・・リード線 10・・・・他方の基板に
形成された端子電極 11・・・・金属ワイヤ 11−
1・・・・一方の接続位置(第1の位置) 11−2・
・・・他方の接続位置(第2の位置) 11−3・・・
・ループ部 11−4・・・・ループ状金属ワイヤバン
プ 12・・・・一方の基板に形成された端子電極 1
3・・・・・リード線 14・・・・・透明スペーサ
15・・・・AgあるいはPd系エポキシ樹脂からなる
導電性接着剤 16・・・・キャピラリ 17・・・・
レベラー治具 18・・・・接着剤付着治具 19・・
・・導電性接着剤層。
・・発光素子 4・・・・発光素子基板 5・・・・原
稿 6・・・・入射窓 7・・・・遮光層 8・・・・
電極 9・・・・リード線 10・・・・他方の基板に
形成された端子電極 11・・・・金属ワイヤ 11−
1・・・・一方の接続位置(第1の位置) 11−2・
・・・他方の接続位置(第2の位置) 11−3・・・
・ループ部 11−4・・・・ループ状金属ワイヤバン
プ 12・・・・一方の基板に形成された端子電極 1
3・・・・・リード線 14・・・・・透明スペーサ
15・・・・AgあるいはPd系エポキシ樹脂からなる
導電性接着剤 16・・・・キャピラリ 17・・・・
レベラー治具 18・・・・接着剤付着治具 19・・
・・導電性接着剤層。
Claims (4)
- 【請求項1】 複数の電子部品に形成された端子間を接
続する電子部品の端子接続方法において、 一方の電子部品に形成された端子電極上の所定位置にボ
ンディングにより金属ワイヤの一端を接続する金属ワイ
ヤ一端接続工程と、 前記金属ワイヤを前記端子電極の上方に所定高さのルー
プとしたループ状金属ワイヤを形成するワイヤループ形
成工程と、 前記端子電極上の前記ボンディング位置に近接した異な
る位置に再びボンディングにより前記金属ワイヤの他端
を接続してワイヤバンプを形成する金属ワイヤ他端接続
工程と、 前記ワイヤループ形成工程で形成したループ状金属ワイ
ヤの頂部または他方の部品に形成された端子電極に導電
性接着剤を付着させる接着剤付着工程と、 前記導電性接着剤を介して前記一方の電子部品に形成さ
れた端子電極と前記他方の電子部品に形成された端子電
極を接続する電子部品間接続工程と、 からなることを特徴とする電子部品の端子接続方法。 - 【請求項2】 内面に受光素子を備えると共に端子電極
をもつ受光素子基板と、内面に発光素子を備えると共に
端子電極をもつ発光素子基板とを対向して一体配置した
表示/読取一体装置において、 前記受光素子基板と前記発光素子基板の何れか一方に形
成された端子電極に接続された請求項1記載のループ状
金属ワイヤーからなるバンプと、 前記受光素子基板と前記発光素子基板の何れか他方に端
子電極とを備え、 前記一方の端子電極に形成されたループ状金属ワイヤバ
ンプの前記他方の端子電極側頂部に付着させた導電性接
着剤により前記他方の端子電極を前記ループ状金属ワイ
ヤバンプに接続してなり、 前記受光素子基板と前記発光素子基板との間にギャップ
形成用の透明スペーサを設けたことを特徴とする表示/
読取一体装置。 - 【請求項3】 内面に受光素子を備えると共に端子電極
をもつ受光素子基板と、内面に発光素子を備えると共に
前記受光素子基板の端子電極と接続するための端子電極
をもち、内面に発光素子を備えると共に端子電極をもつ
発光素子基板と対向して前記両端子電極間を接続してな
る表示/読取一体装置において、 前記受光素子基板と前記発光素子基板の何れか一方の端
子電極に各端部が異なる位置で接続されて上記各端部間
に前記受光素子基板と前記発光素子基板の何れか他方の
端子電極側にループを有するループ状金属ワイヤバンプ
と、 前記受光素子基板と前記発光素子基板との間にギャップ
形成用の透明スペーサと、 を有してなり、前記ループ状金属ワイヤバンプの前記他
方の端子電極方向高さが前記ギャップ形成用の透明スペ
ーサの同方向高さより大であることを特徴とする表示/
読取一体装置。 - 【請求項4】 接続すべき端子電極上に一端を接続し、
前記端子電極上の前記一端を接続した位置とは距離をも
って異なる位置に他端を接続してなり、 前記一端を接続した位置と前記他端を接続した位置との
間に前記端子電極から離れる方向にループを有すること
を特徴とするループ状金属ワイヤバンプ。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP15906192A JPH065607A (ja) | 1992-06-18 | 1992-06-18 | 電子部品の端子接続方法とこの接続方法で接続した表示/読取一体装置およびその端子接続用のループ状金属ワイヤバンプ |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP15906192A JPH065607A (ja) | 1992-06-18 | 1992-06-18 | 電子部品の端子接続方法とこの接続方法で接続した表示/読取一体装置およびその端子接続用のループ状金属ワイヤバンプ |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH065607A true JPH065607A (ja) | 1994-01-14 |
Family
ID=15685368
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP15906192A Pending JPH065607A (ja) | 1992-06-18 | 1992-06-18 | 電子部品の端子接続方法とこの接続方法で接続した表示/読取一体装置およびその端子接続用のループ状金属ワイヤバンプ |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH065607A (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR100304681B1 (ko) * | 1997-10-28 | 2001-11-02 | 가네꼬 히사시 | 몰드bga형반도체장치및그제조방법 |
-
1992
- 1992-06-18 JP JP15906192A patent/JPH065607A/ja active Pending
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR100304681B1 (ko) * | 1997-10-28 | 2001-11-02 | 가네꼬 히사시 | 몰드bga형반도체장치및그제조방법 |
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