JPH0654365B2 - 被覆光フアイバ - Google Patents

被覆光フアイバ

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JPH0654365B2
JPH0654365B2 JP59129084A JP12908484A JPH0654365B2 JP H0654365 B2 JPH0654365 B2 JP H0654365B2 JP 59129084 A JP59129084 A JP 59129084A JP 12908484 A JP12908484 A JP 12908484A JP H0654365 B2 JPH0654365 B2 JP H0654365B2
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JP
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optical fiber
hydrogen
coated optical
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glass
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基博 中原
保治 大森
弘樹 伊藤
隆男 木村
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Description

【発明の詳細な説明】 [産業上の利用分野] 本発明は伝送特性についての信頼性の高い被覆光ファイ
バに関するものである。
[従来の技術] 周知のように、光ファイバは直径125μm程度の石英ガ
ラス繊維である。ガラス繊維は表面の微小傷を起点とし
て破断するので、通常は、光ファイバを使用するに際し
て、カイナー,ウレタン,エポキシシリコンなどのプラ
スチックの被覆をファイバ表面に施す。この1次被覆は
光ファイバ線引き時に行われ、このように外界との物理
的接触による傷発生が防止された被覆光ファイバの強度
は6GPa(125φμmで約6.5kg)に達する。さらに温
度(特に低温)や側圧などに対する光伝送特性の安定性
の観点からも被覆材料や被覆構造に関して多くの研究開
発が行われてきた。その結果、シリコーン樹脂,UV硬
化型樹脂などが現在多く用いられている。
然るに、最近、布設した光ファイバの長期間における経
年変化および200℃以上での高温熱処理または水素雰囲
気中処理などに起因して光ファイバの伝送特性が劣化す
る現象が発見された(Uchida et al.9th European Confe
rence on Optical Communication(1983))。これは、石
英ガラスが水素を極めて透過させ易いことに起因してお
り、コア部にまで浸入した水素がSi−OH,Ge−O
H,P−OHなどの化学結合を生成し、それによる光吸
収が増大するためであると考えられている。水素の発生
源としては、ガラス材料および被覆材料の両者が考えら
れているが、特に被覆材料から多量の水素が発生するこ
とがガス分析などにより確認されている。例えば、被覆
材料としてシリコーン樹脂を使用した場合、以下の反応
によって水素が発生するものと考えられる。
このような被覆材料から発生する水素による吸収増加を
抑圧する方法としては、光ファイバのガラス層もしくは
被覆層に水素吸着材料を添加して水素のコア部への拡散
を抑圧する方法が考えられる。これまでに水素の拡散防
止方法として、水素吸着材料であるGeOやP
を添加したガラス層を光ファイバのクラッドの外に設け
る方法や、水素吸着材料である金属パラジウムなどを被
覆材料中に添加する方法が提案されている。しかし、光
ファイバの線引き工程のファイバ母材加熱時にガラス層
の温度を2000℃以上に上げるため、GeOなどをガラ
ス層に添加する方法では、GeOにおける水素との結
合手であるダングリングボンドなどの電子的欠陥が高温
における再結合過程で消失してしまい、結果としてGe
などの持つ水素の吸着性が劣化してしまう危険があ
る。また、シリコーンなどの被覆材料中にパラジウムな
どの金属を添加する方法では、金属が析出することによ
って被覆のむらが生じやすいという問題があった。
[目的] 本発明の目的は、被覆による光ファイバの機械的特性の
劣化を招くことなく、被覆材料から発生する水素ガスが
光ファイバ用ガラス中に浸入する前にこれを効率よく吸
着して水素の浸入に起因する伝送特性の劣化を阻止でき
る被覆光ファイバを提供することにある。
[発明の構成] かかる目的を達成するために、本発明では、光ファイバ
の被覆材料中に水素吸着材料である放射線が照射された
SiO,GeOおよびPのうちの少なくとも
1つの成分からなる酸化物微粒子を含有させることを特
徴とする。
この場合、放射線を照射することにより水素との結合手
であるGeOなどのダングリングボンドなどの数を増
やすことができ水素の吸着性を向上させることができ
る。
また、被覆材料であるシリコーン樹脂に水素吸着材料を
含有させる方法としては、エタノール,メタノールまた
は水に分散させてシリコーン樹脂に含有させる方法が有
効である。
[実施例] 以下に本発明を実施例に基づいて説明する。
実施例 石英ガラス系光ファイバとして例えばSiO−GeO
−Pの組成のコア部を持つものを用いた。H
がこれら成分と化学結合し易いことから、これら成分と
同様な組成のガラス微粒子を水素吸着材料として、1次
被覆材料中に含有させればよいと考えて、SiO(85
mol%)−GeO(10mol%)−P(5mol%)
の組成の微粒子を使用した。
ここで、Pの組成比は大である方がHとの化学
結合を生じさせ易かった。さらにまた、GeO−P
共存の方がその効果はより大きかった。このような
ガラス微粒子は出発原料をSiCl、GeCl,P
Clとして火炎加水分解反応,熱酸化反応などによっ
て容易に製造することができる。
ここで、微粒子の直径は製造条件によって任意に制御で
き、本実施例では0.05μm程度のものを用いた。このよ
うなガラス微粒子に対して、あらかじめ104 rad/hrの照
射率で24hrにわたってγ線を照射したものを硬化前のシ
リコーン樹脂中に3wt%混入して十分に混ぜ合わせた後
に脱泡して、1次被覆材料とした。この際、かかる微粒
子を、エチルアルコール,メチルアルコール,水などの
中に分散させ溶液状態にした方が、シリコーン樹脂に均
一に混ぜ合わすことが可能であった。
上記シリコーン樹脂を200μm厚に光ファイバに被覆し
た後にさらに2次被覆としてナイロンを押出し法で被覆
して被覆光ファイバを作製した。
従来例1として水素吸着材料としての微粒子を全く含有
しない以外は同様の被覆光ファイバを作製した。また、
従来例2として放射線を照射しなかった以外は同様の水
素吸着材料を使用して同様に被覆光ファイバを作製し
た。
このようして得た被覆光ファイバの200℃加熱処理にお
ける伝送損失の変化を第1図に示す。実線で示す初期値
に対して、水素吸着材料としての微粒子を含まない従来
例1の光ファイバ(点線曲線)では10dB/kmの光吸収増
大が1.4μmの波長域で発生したが、一点鎖線で示す放
射線処理をしない微粒子を含有する従来例2の光ファイ
バ(一点鎖線)では吸収の増加量は約1/10程度であっ
た。また、強度や低温,側圧に対する特性劣化は認めら
れなかった。
これに対して、本発明のようにγ線やX線などの放射線
を照射した場合、ガラス微粒子中に多くの電子的欠陥が
発生し、Hとの化学結合生成はさらに容易となった。
本実施例による被覆光ファイバの200℃加熱処理では、
波長1.4μmでの光吸収増大は放射線処理を行わなかっ
た比較例よりもさらに抑制されており、実線で示す初期
値からほとんど吸収が増加しない特性の被覆光ファイバ
が得られた。なお、第1図では、初期値と実施例の光損
失とを便宜的に同じ曲線で示してある。
[効果] 以上説明したように、本発明によれば、あらかじめ放射
線を照射されたSiO,GeOおよびPのう
ちの少なくとも一つの成分からなる酸化物微粒子を使用
したので、水素の光ファイバガラス内への浸入を効果的
に防止することができるため、長期信頼性に優れた被覆
光ファイバを得ることができる。さらにまた、本発明に
よれば、光ファイバ母材の製造方法,材料,光ファイバ
線引き方法など、他の工程は従来と全く同様にして行え
る点においても利点があるとともに、少量の水素吸着材
料でその効果が期待でき、きわめて経済的である。
【図面の簡単な説明】
第1図は本発明の実施例および従来例1および2による
被覆光ファイバの伝送損失の加熱試験結果を示す特性曲
線図である。
フロントページの続き (72)発明者 伊藤 弘樹 茨城県那珂郡東海村大字白方字白根162番 地 日本電信電話公社茨城電気通信研究所 内 (72)発明者 木村 隆男 茨城県那珂郡東海村大字白方字白根162番 地 日本電信電話公社茨城電気通信研究所 内 (56)参考文献 特開 昭51−117641(JP,A) 特開 昭55−41469(JP,A) 特開 昭60−50503(JP,A) 特開 昭60−195040(JP,A) 実開 昭58−57802(JP,U)

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】コアおよびクラッドを有し、かつ水素を吸
    着することのできる材料を含有する被覆材料で被覆され
    た被覆光ファイバにおいて、前記水素吸着材料が放射線
    の照射されたSiO,GeOおよびPのうち
    の少なくとも一つの成分からなる酸化物微粒子であるこ
    とを特徴とする被覆光ファイバ。
JP59129084A 1984-06-25 1984-06-25 被覆光フアイバ Expired - Fee Related JPH0654365B2 (ja)

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