JPH0653764A

JPH0653764A - パワーコントロール装置

Info

Publication number: JPH0653764A
Application number: JP5136211A
Authority: JP
Inventors: Hiroyuki Iguchi; 博之井口
Original assignee: Japan Radio Co Ltd
Current assignee: Japan Radio Co Ltd
Priority date: 1992-06-05
Filing date: 1993-06-07
Publication date: 1994-02-25
Anticipated expiration: 2013-08-06
Also published as: JP2784873B2

Abstract

(57)【要約】【目的】ＴＤＭ変調に使われて動作が安定で正確であ
り、温度変化に対して安定しており、さらに、動作がア
ナログ・デジタル変換誤差によってはほとんど悪影響を
受けないパワーコントロール装置を提供する。【構成】ＴＤＭ変調に係るデバイス出力信号を検出す
るレベル検出器１７を制御するバイアス電流源３１は、
検出電圧に対してほぼ温度に無関係な一定の差を有する
バイアス電圧を発生する。コントロール信号発生器１９
は、検出電圧による第１デジタル値からバイアス電圧に
よる第２デジタル値を引くことによりアッテニュエーシ
ョンコントロールアナログ値を作って可変アテニュエー
タ１１に与える。好ましくは、検出電圧およびバイアス
電圧は、コントロール信号発生器１９のプロセッサ２５
からのプロセッサ出力信号により制御される可変増幅器
３５により増幅される。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上に利用分野】この発明は振幅変化を伴うデジタ
ル変調（π／４ＱＰＳＫなど）に使うパワー（レベル）
コントロール装置に関する。

【０００２】

【従来の技術】一般にパワーコントロール装置にはいろ
いろなものが既に知られている。複数種類の例が特開平
４ー１５７，９２７号公報に述べてある。この公報にお
ける先行技術によるパワーコントロール装置には、ＩＦ
信号を局部発振信号とあらかじめ混合してＲＦ信号とし
て供給する。ここに開示された改良形のパワーコントロ
ール装置には、ＩＦ信号をじかに供給する。この改良さ
れたパワーコントロール装置は、制御されたレベルでＲ
Ｆ信号を出力する。

【０００３】一方、アナログ通信からデジタル通信への
移行が近ごろ急に進んでいる。振幅変化を伴なうデジタ
ル変調も通信ネットワークに広く使われている。たとえ
ば、π／４ＱＰＳＫ変調・復調が移動電話またはその他
の通信ネットワークに実用され始めた。

【０００４】一般に、パワーコントロール装置は、デバ
イス入力信号を供給され、制御すなわち予め定めた出力
パワー（レベル）のデバイス出力信号を出力する。振幅
変化を伴なうデジタル変調に使うため、新規なパワー
（レベル）コントロール装置を本願発明者は発明し、ま
だ出願公開されていない特願平４ー１４５，３０２号に
開示した。本願発明を述べるにあたっては特願平４ー１
４５，３０２号に開示した新規なパワーコントロール装
置を技術の現状を示すものとして使おう。

【０００５】図４を参照して、上記新規なパワーコント
ロール装置と述べたものにつき先づ述べよう。この出願
の発明の理解をたやすくするためである。このパワーコ
ントロール装置は、ＴＤＭ変調システムに使うものとし
よう。ＴＤＭ変調は、振幅変化を伴なうデジタル変調で
あり、典型的にはＴＤＭによるπ／４ＱＰＳＫ変調であ
る。

【０００６】図４において、パワーコントロール装置
は、ＴＤＭ変調システムに使われるデバイス入力信号Ｓ
（ｉ）を供給され、制御すなわち予め定められた出力パ
ワー（レベル）のＲＦ信号であるデバイス出力信号Ｓ
（ｏ）を出力する。デバイス入力信号はＩＦ信号でもＲ
Ｆ信号でもかまわない。説明の便宜上、ＲＦ信号だと特
にことわらないかぎり、下記を通じてデバイス入力信号
はＩＦ信号だとしよう。デバイス入力信号を供給される
可変アッテニュエータ１１は、減衰レベルのアッテニュ
エータ出力信号を出力する。アップコンバータ１３は、
局部信号を出力する局部発信器（図示してない）とこの
局部信号とアッテニュエータ出力信号とを混合してＲＦ
仲介信号とするミクサ（図示してない）とを備える。電
力増幅器１５はＲＦ仲介信号を増幅して増幅されたレベ
ルの増幅信号とする。増幅信号はこのようにして出力さ
れるから、増幅されたレベルは減衰レベルに関連してい
る。

【０００７】増幅信号は、まもなく述べるようにして、
レベル検出器１７に結合される。レベル検出器１７は増
幅信号を検出して、増幅されたレベルしたがって減衰レ
ベルに関連する検出電圧の検出信号を出力する。

【０００８】詳しくは、レベル検出器１７は、増幅信号
の供給される第１コンデンサＣ１を含む。第１すなわち
検出ダイオードＣＤ１と第２コンデンサＣ２とが、第１
コンデンサＣ１とアースとの間に直列に接続され半波整
流信号を出力する整流回路として働く。検出ダイオード
ＣＤ１と第２コンデンサＣ２との間の接続点は、第１抵
抗器Ｒ１と第３コンデンサＣ３との直列回路でアースさ
れている。この直列回路は、半波整流信号から振幅変化
を除く平滑回路として働く。検出信号は、第１抵抗器Ｒ
１と第３コンデンサＣ３との接続点と第２抵抗器Ｒ２と
の間の接続点に得られる。

【０００９】アップコンバータ１３と電力増幅器１５と
レベル検出器１７との組み合わせは、アッテニュエータ
出力信号を検出して検出信号を出力するレベル検出ユニ
ットとして働く。デバイス入力信号としてＲＦ信号を使
うときは、レベル検出ユニットはアップコンバータ１３
を含まない。そのようなときは、レベル検出ユニットは
アッテニュエータ出力信号をじかに増幅信号に増幅して
増幅信号にしたのち検出信号を出力する。

【００１０】前記コントロール信号発生器１９は発生器
入力信号を供給される。そして、アッテニュエーション
コントロールレベルのアッテニュエーションコントロー
ル信号を出力する。発生器入力信号は、ここでは入力レ
ベルと呼ぶレベル（値）を持つ。いま述べている例で
は、検出信号が発生器入力信号になっている。検出電圧
が入力レベルを与える。

【００１１】アッテニュエーションコントロール信号供
給手段２１として働く接続線はアッテニュエーションコ
ントロール信号を可変アッテニュエータ１１に供給す
る。アッテニュエーションコントロールレベルに応じて
制御され、可変アッテニュエータ１３は減衰レベルのほ
うを制御する。それに応じて増幅されたレベルも検出電
圧も制御される。

【００１２】コントロール信号発生器１９は、発生器入
力信号を供給されて入力レベルをデジタル値に変換する
ＡＤ変換器（Ａ／Ｄ）２３を含む。制御すなわち予め定
められた出力レベルを考慮した基準値はプロセッサすな
わち中央処理ユニット（ＣＰＵ）２５に予め格納してあ
る。

【００１３】ＡＤ変換器２３に接続されているプロセッ
サ２５はデジタル値と基準値とをくらべて、基準値に関
係的に入力レベルに従って変わる処理されたレベル
（値）の処理された信号を出力する。この処理された信
号を供給されてＤＡ変換器（Ｄ／Ａ）２７は、処理し、
値をアナログ値に変換し、このアナログ値をアッテニュ
エーションコントロールレベルとするアッテニュエーシ
ョンコントロール信号を出力する。

【００１４】送信機（図示してない）とレベル検出器１
７の第１コンデンサＣ１とに接続された方向性結合器２
９を経て増幅信号はデバイス出力信号として出力され
る。増幅されたレベルがアッテニュエーションコントロ
ールレベルによって制御されているから、デバイス出力
信号に制御された出力レベルを持つ。このようにして、
アッテニュエータ出力信号はデバイス出力信号となる。

【００１５】このアッテニュエーションコントロール信
号により制御されて前記可変アッテニュエータは、アッ
テニュエータ出力信号を前記デバイス出力信号として使
えるようにする。基準値は、制御された出力レベルによ
りたやすく決められる。デバイス入力信号はＩＦ信号で
もＲＦ信号でもいい。

【００１６】時分割多重（ＴＤＭ）変調に使うと新規な
レベルコントロール装置はすばらしく動作する。ＴＤＭ
変調はチャネルの有効利用に望ましい。

【００１７】

【発明が解決しようとする課題】図５に転ずるとともに
図４をも参照すると、電圧がＶ単位で縦軸に描いてあ
る。制御されたパワー（レベル）はＷというラベルで表
わして横軸に図示してある。

【００１８】前書きに述べたとおりレベル検出器１７の
検出ダイオードＣＤ１は、減衰レベルしたがって制御さ
れた出力レベルが低いときは高い内部抵抗を持つ。した
がって、検出電圧は、Ｖ（ｄ）というラベルをつけた実
曲線で例示したように、制御された出力レベルにしたが
って変わる。

【００１９】内部抵抗は温度によって変わる。したがっ
て検出電圧は温度変化に応じて変動する。制御されたレ
ベルが低いとき、たとえば＋１０ｄＢより高くはないと
きは、この変動はアッテニュエーションコントロールレ
ベルに誤差を生ずる。その結果、制御されたレベルには
無視できない温度誤差が生じる。

【００２０】図１において、ＡＤおよびＤＡ変換器２３
および２７はやむをえない変換誤差を持つ。これによ
り、制御された出力レベルが上の例のように低いとき
は、アッテニュエーションコントロールレベルしたがっ
て制御された出力レベルには無視できないコンバータ誤
差が生じる。

【００２１】次に図６に転ずるとともに図４を参照しつ
づけると、アッテニュエーションコントロールレベルを
コントロール電圧Ｖ（ｃ）として横軸に描いてある。可
変アッテニュエータ１１において、アッテニュエーショ
ンコントロール信号は縦軸に図示した減衰量ＡＴＴをデ
バイス入力信号に与える。可変アッテニュエータ１１は
リニア軸で例示した減衰特性を持つ。

【００２２】詳しくは、減衰量は、アッテニュエーショ
ンコントロールレベルに関係的には非直線性を伴なって
変わり、制御された出力レベルを低くするときには大き
くしなければならない。この目的のためにはアッテニュ
エーションコントロール信号はそれ相当に低いアッテニ
ュエーションコントロールレベルを持たなければならな
い。制御された出力レベルが前に例示したように低いと
きには、制御された出力レベルにこの非直線性は無視で
きない不確実さを与える。しかも、この低いアッテニュ
エーションコントロールレベルにはＡＤまたはＤＡ変換
器２３または２７の変換誤差がかなりのコンバータ誤差
をひきおこす。

【００２３】図４乃至６を見なおすと、いま説明してい
るパワーコントロール装置の働きがすばらしいことは前
書きに述べたとおりである。しかし、このパワーコント
ロール装置は、温度誤差とコンバータ誤差とから生ずる
動作の不安定さと不確実さから生ずる不正確さにおいて
問題がある。

【００２４】本発明の第１の課題は、ＴＤＭ変調に使わ
れて動作が安定で正確なパワーコントロール装置を提供
することにある。

【００２５】本発明の第２の課題は、温度変化に対して
安定なパワーコントロール装置を提供することにある。

【００２６】本発明の第３の課題は、動作がアナログ・
デジタル変換誤差によってはほとんど悪影響を受けない
パワーコントロール装置を提供することにある。

【００２７】

【課題を解決するための手段】本発明によれば、ＴＤＭ
変調に使われ、デバイス入力信号の供給をうけ、かつ、
制御された出力レベルのデバイス出力信号を出力するパ
ワーコントロール装置において、上記デバイス入力信号
の供給をうけ減衰されたレベルのアッテニュエータ出力
信号を出力する可変アッテニュエータと、バイアス電流
を発生するバイアス電流源と、上記バイアス電流により
制御された上記アッテニュエータ出力信号を検出して得
られる検出信号における上記減衰されたレベルに関連す
る検出電圧と上記バイアス電流に関連するバイアス電圧
とをかわるがわる出力するレベル検出手段と、このレベ
ル検出手段からの検出信号と基準値とからアッテニュエ
ーションコントロールレベルのアッテニュエーションコ
ントロール信号を発生するコントロール信号発生器と、
上記アッテニュエーションコントロール信号を上記可変
アッテニュエータに供給し上記アッテニュエータ出力信
号を上記デバイス出力信号として使えるようにするアッ
テニュエーションコントロール信号供給手段とを具備
し、上記コントロール信号発生器は、上記検出信号にお
ける上記検出電圧と上記バイアス電圧とを実質的には温
度に無関係なデジタル値に変換し、かつ、このデジタル
値と上記基準値とをくらべて上記アッテニュエーション
コントロールレベルとして使うアナログ値に変換するこ
とを特徴とするパワーコントロール装置が得られる。

【００２８】本発明の好ましい実施例においては、前記
パワーコントロール装置において、上記バイアス電流源
は、上記バイアス電圧が上記検出電圧からは温度変化に
無関係にほぼ一定な差を有するように上記バイアス電流
を発生する。

【００２９】また、本発明によれば、ＴＤＭ変調に使わ
れ、デバイス入力信号の供給をうけ、かつ、制御された
出力レベルのデバイス出力信号を出力するパワーコント
ロール装置において、上記デバイス入力信号の供給をう
け減衰されたレベルのアッテニュエータ出力信号を出力
する可変アッテニュエータと、バイアス電流を発生する
バイアス電流源と、上記バイアス電流により制御され上
記アッテニュエータ出力信号を検出して得られる検出信
号における上記減衰されたレベルに関連する検出電圧と
上記バイアス電流に関連するバイアス電圧とをかわるが
わる出力するレベル検出手段と、このレベル検出手段か
らの検出信号と基準値とからアッテニュエーションコン
トロールレベルのアッテニュエーションコントロール信
号を発生するコントロール信号発生器と、上記アッテニ
ュエーションコントロール信号を上記可変アッテニュエ
ータに供給し上記アッテニュエータ出力信号を上記デバ
イス出力信号として使えるようにするアッテニュエーシ
ョンコントロール信号供給手段とを具備し、上記パワー
コントロール装置は、さらに上記検出信号を可変ゲイン
で増幅して増幅器出力とし、この増幅器出力に上記検出
電圧に関連する増幅電圧と上記発生されたバイアス電圧
に関連する増幅バイアスとを与える可変ゲイン増幅器
と、上記アッテニュエーションコントロール信号に応じ
てこの可変ゲインを制御するゲインコントローラとを有
し、上記バイアス電流源は、上記バイアス電圧が上記検
出電圧からは温度変化に無関係にほぼ一定な差を有する
ように上記バイアス電流を発生し、上記コントロール信
号発生器は、上記増幅信号を上記検出信号として使い、
上記増幅電圧と上記増幅バイアス電圧とを実質的には温
度に無関係なデジタル値に変換し、このデジタル値と上
記基準値とをくらべて上記温度に無関係なデジタル値に
比例するデジタルプロセッサ出力値のプロセッサ出力信
号を出力し、このデジタルプロセッサ値を上記アッテニ
ュエーションコントロールレベルとして使われるアナロ
グ値に変換し、かつ、上記プロセッサ出力信号を上記デ
バイス制御信号として上記ゲインコントローラに供給す
ることを特徴とするパワーコントロール装置が得られ
る。

【００３０】

【実施例】次に図１を参照して、この発明の好ましい実
施例によるパワーコントロール装置の説明を進めよう。
図１のパワーコントロール装置においては、図４に示す
ものと同様な部材には同様な参照番号または符号がつけ
てあり、同様な参照番号で示し同様に名づけたレベル
（値）を持ち同様に名づけた信号で働く。上に述べたよ
うにデバイス入力信号Ｓ（ｉ）はＩＦ信号だとする。図
を簡単にするだけのためアップコンバータ１３は図示し
てない。

【００３１】レベル検出器１７の構成は同様だから内部
は示さない。しかし、レベル検出器１７には、図１に示
した第１コンデンサＣ１と検出ダイオードＣＤ１との間
の接続点に接続したバイアス電流源３１が付属する。

【００３２】バイアス電流源３１は、電池として図示し
た電源３３を含む。この電源３３の電源電圧は典型的に
は５ボルトである。今後、ダイオード、抵抗器、および
コンデンサにはレベル検出器１７に使ったものからの通
し番号をつけよう。

【００３３】電源３３と第１コンデンサＣ１および検出
ダイオードＣＤ１の接続点との間には第３抵抗Ｒ３と第
１コイルＬ１との直列回路が接続してある。第４コンデ
ンサＣ４と第４抵抗器Ｒ４とを第３抵抗器および第１コ
イルの間の接続点とアースとの間に並列につないであ
る。

【００３４】バイアス電流は、第２抵抗器Ｒ２（図４）
と両方とも図４に示した第１抵抗器Ｒ１および第３コン
デンサＣ３の接続点との間の接続点にバイアス電圧を生
じる。バイアス電流のほうは、電源３３の電源電圧を含
みレベル検出器１７とバイアス電流源３１との回路定数
できまるバイアス電流値を持つ。

【００３５】図５にＶ（ｂ）というラベルをつけた破線
で示すように、バイアス電圧は制御された出力レベルに
よっては目立つほどには変わらないが、温度のほうには
回路定数の温度依存性にしたがって検出電圧のように変
わる。

【００３６】図２にしばらく転ずるとともに図１を参照
しつづけると、温度を℃で横軸に示してある。電圧を縦
軸にＶ単位で図示する。検出電圧は、Ｖ（ｄ）というラ
ベルをつけた直線で示すように変わるとしよう。

【００３７】この発明に従うと、バイアス電圧が図２に
ラベルＶ（ｂ）をつけたもうひとつの直線で例示するよ
うに変わるようにバイアス電流を選ぶ。詳しくは、回路
定数を選んで、バイアス電圧が温度には無関係に検出電
圧からほぼ一定の差を持つようにする。

【００３８】図１に戻って、このパワーコントロール装
置はＴＤＭ変調シスムに使うのだということに眼をつけ
よう。デバイス入力・出力信号のおのおのは一連のバー
ストになる。レベル検出器１７からの検出電圧は、バー
スト・オンのときは、減衰レベルすなわち制御された出
力レベルに関係する検出電圧を持つ。バースト・オフの
ときの検出レベルはバイアス電圧である。

【００３９】しばらくのあいだ、検出信号はコントロー
ル信号発生器１９にじかに供給されるとしよう。入力レ
ベルは検出電圧とバイアス電圧との間で変わる。

【００４０】コントロール信号発生器１９において、Ａ
Ｄ変換器２３は検出電圧とバイアス電圧とを第１および
第２デジタル値に変換する。プロセッサ２５は、第１デ
ジタル値から第２デジタル値を引いて、温度変化にはほ
とんど無関係な差デジタル値をだす。プロセッサ２５は
次いで差デジタル値と基準値とをくらべて、上述の処理
されたレベルであるデジタルコントロール値を出し、こ
のデジタルコントロール値に比例するデジタルプロセッ
サ出力値のプロセッサ出力信号を作る。ＤＡ変換器２７
はデジタルコントロール値をアナログ値に変換し、この
アナログ値をアッテニュエーションコントロールレベル
とするアッテニュエーションコントロール信号を出力す
る。

【００４１】その結果、アッテニュエーションコントロ
ールレベルは温度変化には実質的に無関係になる。さら
に、温度にはほとんど無関係なデジタル値は、バイアス
電圧が検出電圧から完全には一定の差を持たないときに
制御された出力レベルに現われるかもしれない小さな誤
差をとりのぞくのに有効である。このようにして、制御
された出力パワー（レベル）に、そうしないとひきおこ
されることになる温度誤差を除くことができる。

【００４２】なお、上の説明は、バイアス電圧が温度に
は無関係に検出電圧からほぼ一定の差を持つようにした
最も好ましい場合について説明したが、バイアス電圧の
温度変化と検出電圧の温度変化とがずれていても、検出
電圧のみを基準値と比較する従来の方法に較べて、温度
誤差をはるかに小さくすることができる。この理由は、
本発明では、バイアス電圧と検出電圧との差である差デ
ィジタル値を作り、その差ディジタル値と基準値とを比
較したデジタルコントロール値に比例したデジタルプロ
セッサ出力値のプロセッサ出力信号を作り、そのプロセ
ッサ出力信号をＤＡ変換したアッテニュエーションコン
トロール信号でアッテニュエータを制御しているからで
ある。

【００４３】図１において、検出信号をコントロール信
号発生器１９に、直接にではなしに、＋および−入力端
子と出力端子とを持ち可変ゲインを持つ可変増幅器３５
として働く単一のオペアンプを経て供給するのが好まし
い。＋入力端子に検出電圧を供給され可変増幅器３５は
出力端子から増幅器出力をコントロール信号発生器１９
に供給する。

【００４４】可変ゲインにもよるが、増幅器出力は、検
出電圧すなわち制御された出力レベルとバイアス電圧と
に関係する増幅電圧を持つ。増幅電圧のうちバイアス電
圧は検出電圧からほぼ一定の差を持つので、コントロー
ル信号発生器１９は上記に述べたのと同様に働く。ただ
し、コントロール信号発生器１９は、プロセッサ２５か
ら上記プロセッサ出力信号を追加的に出力する。

【００４５】ゲインコントローラ３７は、アースされた
アナログのマルチプレクサ（ＭＰＸ）３９と可変増幅器
３５の−入力端子と出力端子とに接続された第５抵抗器
Ｒ５とを含む。この出力端子は第５コンデンサＣ５を経
てアースされている。いま述べている例では、数が四つ
の第６乃至第９抵抗器Ｒ６、Ｒ７、Ｒ８、およびＲ９が
−入力端子とマルチプレクサ３９との間に並列につない
である。プロセッサ出力信号により制御されてマルチプ
レクサ３９は−入力端子を四つの抵抗器Ｒ６乃至Ｒ９の
うちから選ばれたものとそれ自身とを経てアースする。
この選ばれた抵抗器は四つのうちのひとつだから、プロ
セッサ出力信号は２ビットである。

【００４６】ゲインコントローラ３７により制御される
可変増幅器３５は、制御された出力レベルが低いほど大
きいゲインで検出信号を増幅する。これによりコンバー
タ誤差はコントロール信号発生器１９が扱っている値に
関係的に小さくなる。

【００４７】図１において可変アッテニュエータ１１は
第１および第２アッテニュエータダイオードを第２およ
び第３ダイオードＣＤ２およびＣＤ３として備える。こ
れらダイオードＣＤ２およびＣＤ３は典型的にはＰＩＮ
ダイオードで直列につながれ、間に直列接続点を持つ。
第２および第３ダイオードの組み合わせは、デバイス入
力信号が供給される可変アッテニュエータ１１の入力端
とアッテニュエータ出力信号を出力するアッテニュエー
タ出力端とを持つ。

【００４８】アッテニュエーションコントロール信号供
給手段２１となるアッテニュエーションコントロールユ
ニットは同じ参照数字がつけてあり、マルチプレクサ３
９をゲインコントローラ３７と共有する。アッテニュエ
ーションコントロールユニット２１において、第１０抵
抗器Ｒ１０には一端にアッテニュエーションコントロー
ル信号が供給される。上記第１０抵抗器Ｒ１０の他端は
第１１抵抗器Ｒ１１を経てアースされている。

【００４９】オペアンプ部材４１は＋および−入力端子
と出力端子とを持つ。第１０および第１１抵抗器Ｒ１０
およびＲ１１の間の接続点は＋入力端子につないであ
る。第１２乃至第１５の四つの抵抗器Ｒ１２、Ｒ１３、
Ｒ１４乃至Ｒ１５は−入力端子とマルチプレクサ３９と
の間に並列につないである。プロセッサ出力信号により
制御されマルチプレクサ３９は四つの抵抗器Ｒ１２乃至
Ｒ１５から選んだひとつをそれ自身を経てアースする。
オペアンプ部材４１と四つの抵抗器のうちの選ばれたひ
とつとは定電流回路となり、アッテニュエータダイオー
ドＣＤ２およびＣＤ３の温度誤差を補償する。さらに、
四つの抵抗器Ｒ１２乃至Ｒ１５のおのおのはアッテニュ
エーション特性の非直線性を減らす。

【００５０】第６コンデンサＣ６がオペアンプ部材４１
の−入力端子と出力端子との間につないである。第２コ
イルＬ２が可変アッテニュエータ１１の出力端とオペア
ンプ部材４１の−入力端子との間につないである。第７
コンデンサＣ７が第２コイルＬ２とオペアンプ部材４１
の−入力端子との間につないである。

【００５１】第３コイルＬ３が可変アッテニュエータ１
１の入力端とオペアンプ部材４１の出力端子との間につ
なである。この出力端子と第３コイルＬ３との接続点と
アースとの間に第８コンデンサＣ８がつないである。第
１６抵抗器Ｒ１６が第２および第３ダイオードＣＤ２お
よびＣＤ３の直列接続点につないである。この第１６抵
抗器が第９コンデンサＣ９でアースされている。

【００５２】図１を見直すと次のことがわかる。可変増
幅器３５とゲインコントローラ３７とは協働して、検出
信号を、制御された出力パワー（レベル）が低いほど高
いゲインで増幅する増幅手段となる。アッテニュエータ
コントロールユニット２１は、アッテニュエータコント
ロールレベルを、制御された出力レベルの低いレベルす
なわち上述の高いゲインに対応して大きい減衰量で減衰
する減衰手段となる。

【００５３】図３を、図１に追加して参照し、プロセッ
サ２５はコントロール信号発生器１９を制御するとしよ
う。説明を短くするだけのために、検出信号がレベル検
出器１７からコントロール信号発生器１９にじかに送ら
れるとする。

【００５４】第１ステップ５１においてプロセッサ２５
はバースト・オフを知る。第２ステップ５２においてＡ
Ｄ変換器２３はバイアス電圧を第２デジタル値に変え
る。第３ステップ５３においてプロセッサ２５はバース
ト・オンを知る。第４ステップ５４においてＡＤ変換器
２３は検出電圧を第１デジタル値に変える。

【００５５】第５ステップ５５においてプロセッサは第
２デジタル値を第１デジタル値から引き差デジタル値を
作る。第６ステップ５６においてプロセッサ２５は本レ
ベルコントロール装置制御用のいろいろな制御値を作
る。

【００５６】第７ステップ５７においてプロセッサ２５
は、差デジタル値が正しいかどうかをしらべる。これ
は、制御された出力パワー（レベル）が正しいかどうか
のしらべである。制御された出力レベルが正しければ、
第７ステップ５７は第１ステップ５１に戻る。

【００５７】第７ステップ５７において、制御された出
力レベルが正しくなければ、プロセッサ２５は、第８ス
テップ５８において、制御された出力レベルが高すぎる
かどうかをしらべる。高すぎるならば、プロセッサ２５
は第９ステップ５９において、アッテニュエーションコ
ントロールレベルを高めて、制御された出力レベルを下
げる。制御された出力レベルが低ければ、プロセッサ２
５は第１０ステップ６０において、制御された出力レベ
ルを高める。第９ステップ５９または第１０ステップ６
０は第１ステップ５１に戻る。

【００５８】図１から図３までを見直すと次のことがわ
かる。このパワーコントロール装置はすばらしく働く。
単に例として、このパワーコントロール装置をセル型の
移動通信システムに使うものとする。送信信号の最小レ
ベルが−４ｄＢよりも高くはないときには、従来のパワ
ーコントロール装置においては±６ｄＢの検波誤差があ
った。制御された出力レベルにはＡＤおよびＤＡ変換器
により±５ｄＢおよび１０ｄＢの変換誤差を生じた。

【００５９】いま述べているパワーコントロール装置を
使うと、検波誤差は±０．４ｄＢにおさまる。ＡＤ変換
器２３およびＤＡ変換器２４による変換誤差は±０．５
ｄＢおよび０．４ｄＢに減る。最悪のときでも、制御さ
れた出力パワー（レベル）の出力誤差は±１．３ｄＢに
すぎなかった。ふつうは、四つの抵抗器Ｒ６乃至Ｒ９ま
たはＲ１２乃至Ｒ１５で十分である。

【００６０】いままでこの発明について、ひとつだけの
実施例について述べて来たが、当業者にはこの発明をい
ろいろなやり方でたやすく実施することができるだろ
う。たとえば、可変増幅器は可変アッテニュエータ１１
と等価である。レベル検出器１７を変形してもよい。

【００６１】

【発明の効果】本発明のパワーコントロール装置は、Ｔ
ＤＭ変調に使われて動作が安定で正確である。

【００６２】また、本発明のパワーコントロール装置
は、温度変化に対して安定している。さらに、本発明の
パワーコントロール装置は、動作がアナログ・デジタル
変換誤差によってはほとんど悪影響を受けない。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の１実施例によるパワーコントロール装
置を示すブロック図である。

【図２】図１に示したパワーコントロール装置における
検出電圧とバイアス電圧との関係を示す図である。

【図３】図１に示したパワーコントロール装置の動作を
説明するための流れ図である。

【図４】本発明者が知っているパワーコントロール装置
を示すブロック図である。

【図５】図４に示したパワーコントロール装置における
レべル検出器の特性を示す図である。

【図６】図４に示したパワーコントロール装置における
可変アッテニュエータの特性を示す図である。

【符号の説明】

１１可変アッテニュエータ１３アップコンバータ１５電力増幅器１７レベル検出器１９コントロール信号発生器２１アッテニュエーションコントロールユニット２３ＡＤ変換器２５プロセッサ２７ＤＡ変換器２９方向結合器３１バイアス電流源３５可変増幅器３７ゲインコントローラ３９マルチプレクサ

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.⁵ 識別記号庁内整理番号ＦＩ技術表示箇所Ｈ０４Ｌ 27/01

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】ＴＤＭ変調に使われ、デバイス入力信号
の供給をうけ、かつ、制御された出力レベルのデバイス
出力信号を出力するパワーコントロール装置において、
上記デバイス入力信号の供給をうけ減衰されたレベルの
アッテニュエータ出力信号を出力する可変アッテニュエ
ータと、バイアス電流を発生するバイアス電流源と、上
記バイアス電流により制御された上記アッテニュエータ
出力信号を検出して得られる検出信号における上記減衰
されたレベルに関連する検出電圧と上記バイアス電流に
関連するバイアス電圧とをかわるがわる出力するレベル
検出手段と、このレベル検出手段からの検出信号と基準
値とからアッテニュエーションコントロールレベルのア
ッテニュエーションコントロール信号を発生するコント
ロール信号発生器と、上記アッテニュエーションコント
ロール信号を上記可変アッテニュエータに供給し上記ア
ッテニュエータ出力信号を上記デバイス出力信号として
使えるようにするアッテニュエーションコントロール信
号供給手段とを具備し、上記コントロール信号発生器
は、上記検出信号における上記検出電圧と上記バイアス
電圧とを実質的には温度に無関係なデジタル値に変換
し、かつ、このデジタル値と上記基準値とをくらべて上
記アッテニュエーションコントロールレベルとして使う
アナログ値に変換することを特徴とするパワーコントロ
ール装置。
【請求項２】請求項１に記載のパワーコントロール装
置において、上記バイアス電流源は、上記バイアス電圧
が上記検出電圧からは温度変化に無関係にほぼ一定な差
を有するように上記バイアス電流を発生することを特徴
とするパワーコントロール装置。
【請求項３】請求項１に記載のパワーコントロール装
置において、上記デバイス入力信号はＩＦ信号であり、
上記レベル検出手段は、上記アッテニュエータ出力信号
をＲＦ信号に変換するアップコンバータと、上記ＲＦ信
号を上記減衰されたレベルに関連する増幅されたレベル
の増幅信号に増幅する電力増幅器と、上記増幅信号を供
給され上記バイアス電流で制御されて上記検出信号を上
記検出電圧がこの増幅されたレベルに関連するように出
力するレベル検出器とを有し、上記増幅信号が上記デバ
イス出力信号として使われることを特徴とするパワーコ
ントロール装置。
【請求項４】請求項１に記載のパワーコントロール装
置において、上記デバイス入力信号はＲＦ信号であり、
上記レベル検出手段は、上記アッテニュエータ出力信号
を増幅されたレベルの増幅信号に増幅する電力増幅器
と、上記増幅信号を供給され上記バイアス電流で制御さ
れて上記検出信号を上記検出電圧がこの増幅されたレベ
ルに関連するように出力するレベル検出器と、上記増幅
信号が上記デバイス出力信号として使われることを特徴
とするパワーコントロール装置。
【請求項５】請求項１に記載のパワーコントロール装
置において、上記コントロール信号発生器は、上記検出
電圧および上記バイアス電圧を第１および第２のバイア
ス値に変換するＡＤ変換器と、上記第２バイアス値を第
１バイアス値から引いて差デジタル値を作りこの差デジ
タル値と上記基準値とをくらべて上記差デジタル値に比
例するデジタルプロセッサ出力値のプロセッサ出力信号
を生ずるプロセッサと、上記デジタルプロセッサ出力値
を上記アナログ値に変換するＤＡ変換器とを有すること
を特徴とするパワーコントロール装置。
【請求項６】請求項１に記載のパワーコントロール装
置において、上記検出信号を上記制御された出力レベル
が低いレベルのときほど高いゲインで増幅する増幅手段
と、上記アッテニュエーションコントロールレベルを上
記高いゲインに対応する大きい減衰量を与えて減衰する
減衰手段とを有することを特徴とするパワーコントロー
ル装置。
【請求項７】ＴＤＭ変調に使われ、デバイス入力信号
の供給をうけ、かつ、制御された出力レベルのデバイス
出力信号を出力するパワーコントロール装置において、
上記デバイス入力信号の供給をうけ減衰されたレベルの
アッテニュエータ出力信号を出力する可変アッテニュエ
ータと、バイアス電流を発生するバイアス電流源と、上
記バイアス電流により制御され上記アッテニュエータ出
力信号を検出して得られる検出信号における上記減衰さ
れたレベルに関連する検出電圧と上記バイアス電流に関
連するバイアス電圧とをかわるがわる出力するレベル検
出手段と、このレベル検出手段からの検出信号と基準値
とからアッテニュエーションコントロールレベルのアッ
テニュエーションコントロール信号を発生するコントロ
ール信号発生器と、上記アッテニュエーションコントロ
ール信号を上記可変アッテニュエータに供給し上記アッ
テニュエータ出力信号を上記デバイス出力信号として使
えるようにするアッテニュエーションコントロール信号
供給手段とを具備し、上記パワーコントロール装置は、
さらに上記検出信号を可変ゲインで増幅して増幅器出力
とし、この増幅器出力に上記検出電圧に関連する増幅電
圧と上記発生されたバイアス電圧に関連する増幅バイア
スとを与える可変ゲイン増幅器と、上記アッテニュエー
ションコントロール信号に応じてこの可変ゲインを制御
するゲインコントローラとを有し、上記バイアス電流源
は、上記バイアス電圧が上記検出電圧からは温度変化に
無関係にほぼ一定な差を有するように上記バイアス電流
を発生し、上記コントロール信号発生器は、上記増幅信
号を上記検出信号として使い、上記増幅電圧と上記増幅
バイアス電圧とを実質的には温度に無関係なデジタル値
に変換し、このデジタル値と上記基準値とをくらべて上
記温度に無関係なデジタル値に比例するデジタルプロセ
ッサ出力値のプロセッサ出力信号を出力し、このデジタ
ルプロセッサ値を上記アッテニュエーションコントロー
ルレベルとして使われるアナログ値に変換し、かつ、上
記プロセッサ出力信号を上記デバイス制御信号として上
記ゲインコントローラに供給することを特徴とするパワ
ーコントロール装置。
【請求項８】請求項７に記載のパワーコントロール装
置において、上記デバイス入力信号はＩＦ信号であり、
上記レベル検出手段は、上記アッテニュエータ出力信号
をＲＦ信号に変換するアップコンバータと、上記ＲＦ信
号を上記減衰レベルに関連する増幅されたレベルの増幅
信号に増幅する電力増幅器と、上記増幅信号を供給され
上記バイアス電流で制御されて上記検出信号を上記検出
電圧がこの増幅されたレベルに関連するように出力する
検出器とを有し、かつ、上記増幅信号が上記デバイス出
力信号として使われることを特徴とするパワーコントロ
ール装置。
【請求項９】請求項７に記載のパワーコントロール装
置において、上記デバイス入力信号はＲＦ信号であり、
上記レベル検出手段は、記アッテニュエータ出力信号を
増幅されたレベルの増幅信号に増幅する電力増幅器と、
上記増幅信号を供給され上記バイアス電流で制御されて
上記検出信号を上記検出電圧がこの増幅されたレベルに
関連するように出力するレベル検出器とを有し、かつ、
上記増幅信号が上記デバイス出力信号として使われるこ
とを特徴とするパワーコントロール装置。
【請求項１０】請求項７に記載のパワーコントロール
装置において、上記コントロール信号発生器は、上記増
幅電圧および上記バイアス電圧を第１および第２デジタ
ル値に変換するＡＤ変換器と、上記第２デジタル値を第
１デジタル値から引いて上記実質的には温度に無関係な
デジタル値として差デジタル値を作り、この差デジタル
値と上記基準値とをくらべてデジタルプロセッサ出力値
を作って上記プロセッサ出力信号を出力するプロセッサ
と、上記デジタルプロセッサ出力値を上記アナログ値に
変換するＤＡ変換器とを有することを特徴とするパワー
コントロール装置。
【請求項１１】請求項７に記載のパワーコントロール
装置において、上記アッテニュエータコントロール信号
供給手段は、上記アッテニュエーションコントロール信
号を供給され上記プロセッサ出力信号により制御されて
上記アッテニュエーションコントロールレベルを制御す
るアッテニュエーション制御ユニットを備えることを特
徴とするパワーコントロール装置。