JPH0653761A - 高周波増幅器 - Google Patents
高周波増幅器Info
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- JPH0653761A JPH0653761A JP4206814A JP20681492A JPH0653761A JP H0653761 A JPH0653761 A JP H0653761A JP 4206814 A JP4206814 A JP 4206814A JP 20681492 A JP20681492 A JP 20681492A JP H0653761 A JPH0653761 A JP H0653761A
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- transistor
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 無線装置、携帯電話装置等に用いられる高周
波増幅器に関し、高周波トランジスタの安定指数が1よ
りも小さい場合にも、入力整合及び出力整合を取り易
く、且つ充分に安定動作の可能な高周波増幅器を提供す
ることを目的とする。 【構成】 入力端IN及び出力端OUTにそれぞれ整合
回路1及び3が接続された高周波トランジスタ2と、高
周波トランジスタ2のゲートにバイアス電圧を供給する
ゲートバイアス供給回路4と、高周波トランジスタ2の
ドレインにバイアス電圧を供給するドレインバイアス供
給回路5とを備える高周波増幅器であって、ゲートバイ
アス供給回路4は、高周波増幅器の所要周波数より低い
周波数領域で高周波トランジスタ2を安定動作させる安
定化抵抗R1 と、所要周波数帯域内で高周波トランジス
タ2の安定指数Kを1より大きくさせる挿入損調整抵抗
R2とを有して構成する。
波増幅器に関し、高周波トランジスタの安定指数が1よ
りも小さい場合にも、入力整合及び出力整合を取り易
く、且つ充分に安定動作の可能な高周波増幅器を提供す
ることを目的とする。 【構成】 入力端IN及び出力端OUTにそれぞれ整合
回路1及び3が接続された高周波トランジスタ2と、高
周波トランジスタ2のゲートにバイアス電圧を供給する
ゲートバイアス供給回路4と、高周波トランジスタ2の
ドレインにバイアス電圧を供給するドレインバイアス供
給回路5とを備える高周波増幅器であって、ゲートバイ
アス供給回路4は、高周波増幅器の所要周波数より低い
周波数領域で高周波トランジスタ2を安定動作させる安
定化抵抗R1 と、所要周波数帯域内で高周波トランジス
タ2の安定指数Kを1より大きくさせる挿入損調整抵抗
R2とを有して構成する。
Description
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は無線装置、携帯電話装置
等に用いられる高周波増幅器に係り、特に、高周波トラ
ンジスタの安定指数が1よりも小さい場合にも、入力整
合及び出力整合を取り易く、且つ充分に安定動作の可能
な高周波増幅器に関する。
等に用いられる高周波増幅器に係り、特に、高周波トラ
ンジスタの安定指数が1よりも小さい場合にも、入力整
合及び出力整合を取り易く、且つ充分に安定動作の可能
な高周波増幅器に関する。
【0002】近年、通信機器の高性能化、小型化の要求
に伴い、増幅素子としてSiトランジスタ、GaAsF
ET等の高周波トランジスタが使用されている。これら
の増幅素子を用いた高周波増幅器は、入力整合及び出力
整合手段を備えた単体増幅器を形成し、それらを複数接
続することにより多段増幅して必要な増幅度を得ること
が一般に行なわれている。また、高周波トランジスタの
性能が向上したことにより、高周波領域における1個当
たりのトランジスタの利得が大きくなってきている。
に伴い、増幅素子としてSiトランジスタ、GaAsF
ET等の高周波トランジスタが使用されている。これら
の増幅素子を用いた高周波増幅器は、入力整合及び出力
整合手段を備えた単体増幅器を形成し、それらを複数接
続することにより多段増幅して必要な増幅度を得ること
が一般に行なわれている。また、高周波トランジスタの
性能が向上したことにより、高周波領域における1個当
たりのトランジスタの利得が大きくなってきている。
【0003】
【従来の技術】図3に、従来の高周波増幅器の回路構成
を示す。同図は、高周波増幅器の1段分のユニット(Si
ngle Stage)を示したものである。高周波トランジスタ
としては、GaAsFET(以下、トランジスタ2とい
う)が用いられている。
を示す。同図は、高周波増幅器の1段分のユニット(Si
ngle Stage)を示したものである。高周波トランジスタ
としては、GaAsFET(以下、トランジスタ2とい
う)が用いられている。
【0004】トランジスタ2のゲートには入力整合回路
1及びカップリングコンデンサC1を介して入力端IN
が接続され、トランジスタ2のドレインには出力整合回
路3及びカップリングコンデンサC2 を介して出力端O
UTが接続されており、ソースは接地されている。ま
た、トランジスタ2のゲートには、当該トランジスタ2
を動作させるための直流バイアス電圧を供給するための
ゲートバイアス供給回路24’が接続され、且つ、ドレ
インにも同じ目的でドレインバイアス供給回路5’がそ
れぞれ接続されている。
1及びカップリングコンデンサC1を介して入力端IN
が接続され、トランジスタ2のドレインには出力整合回
路3及びカップリングコンデンサC2 を介して出力端O
UTが接続されており、ソースは接地されている。ま
た、トランジスタ2のゲートには、当該トランジスタ2
を動作させるための直流バイアス電圧を供給するための
ゲートバイアス供給回路24’が接続され、且つ、ドレ
インにも同じ目的でドレインバイアス供給回路5’がそ
れぞれ接続されている。
【0005】ゲートバイアス供給回路24’は、トラン
ジスタ2のゲートに接続されるλ/4分布定数線路16
と、このλ/4分布定数線路16を高周波的に接地する
ための交流接地用コンデンサC9 と、低周波領域でのト
ランジスタ2の安定動作を保つための安定化抵抗R4
(通常、50[ Ω] を使用)と、更に交流接地用コンデ
ンサC8 及び高周波コイルL3 とを備えて、負のバイア
ス電圧VB1を供給する。
ジスタ2のゲートに接続されるλ/4分布定数線路16
と、このλ/4分布定数線路16を高周波的に接地する
ための交流接地用コンデンサC9 と、低周波領域でのト
ランジスタ2の安定動作を保つための安定化抵抗R4
(通常、50[ Ω] を使用)と、更に交流接地用コンデ
ンサC8 及び高周波コイルL3 とを備えて、負のバイア
ス電圧VB1を供給する。
【0006】また、ドレインバイアス供給回路5’は、
トランジスタ2のドレインに接続されるλ/4分布定数
線路14と、このλ/4分布定数線路14を高周波的に
接地するための交流接地用コンデンサC7 と、低周波領
域での出力整合回路3の安定動作を得るための安定化抵
抗R3 (通常、50[Ω]を使用)と、更に交流接地用
コンデンサC4 及び高周波コイルL2 とを備えて、高電
圧のバイアス電圧VB2を供給する。尚、高周波コイルL
2 はゲートバイアス供給回路24’の高周波コイルL3
とは異なり、安定化抵抗R3 を介さず直接的にλ/4分
布定数線路14に接続されている。これは安定化抵抗R
3 によるバイアス電圧VB2の電圧降下を防止するためで
ある。
トランジスタ2のドレインに接続されるλ/4分布定数
線路14と、このλ/4分布定数線路14を高周波的に
接地するための交流接地用コンデンサC7 と、低周波領
域での出力整合回路3の安定動作を得るための安定化抵
抗R3 (通常、50[Ω]を使用)と、更に交流接地用
コンデンサC4 及び高周波コイルL2 とを備えて、高電
圧のバイアス電圧VB2を供給する。尚、高周波コイルL
2 はゲートバイアス供給回路24’の高周波コイルL3
とは異なり、安定化抵抗R3 を介さず直接的にλ/4分
布定数線路14に接続されている。これは安定化抵抗R
3 によるバイアス電圧VB2の電圧降下を防止するためで
ある。
【0007】以上の回路構成において、入力端INに入
力された高周波信号は、カップリングコンデンサC1 を
介して入力整合回路1のインピーダンスマッチングによ
り反射を生ずることなくトランジスタ2に伝えられる。
トランジスタ2は、ゲートバイアス供給回路24’及び
ドレインバイアス供給回路5によって与えられる−VB
1,+VB2によって決まる動作点で増幅作用をなし、出
力整合回路3及びカップリングコンデンサC2 を介して
出力端OUTより出力する。
力された高周波信号は、カップリングコンデンサC1 を
介して入力整合回路1のインピーダンスマッチングによ
り反射を生ずることなくトランジスタ2に伝えられる。
トランジスタ2は、ゲートバイアス供給回路24’及び
ドレインバイアス供給回路5によって与えられる−VB
1,+VB2によって決まる動作点で増幅作用をなし、出
力整合回路3及びカップリングコンデンサC2 を介して
出力端OUTより出力する。
【0008】また他の従来の高周波増幅器の回路構成と
して、図4に示すものがある。これは、図3において、
交流接地用コンデンサC7 及びC9 をλ/4分布定数線
路15及び17で置き換えた回路構成となっており、作
用及び特性は図3の高周波増幅器と同等である。
して、図4に示すものがある。これは、図3において、
交流接地用コンデンサC7 及びC9 をλ/4分布定数線
路15及び17で置き換えた回路構成となっており、作
用及び特性は図3の高周波増幅器と同等である。
【0009】
【発明が解決しようとする課題】このような回路構成の
高周波増幅器では、回路を構成している高周波トランジ
スタ2の特性として、Sパラメータから判定される安定
指数Kが1よりも小さい場合に、入力整合及び出力整合
を取ろうとしても、充分に整合が取れなくなる。この場
合は、入力整合及び出力整合が充分取れていないにもか
かわらず、入力整合及び出力整合を取るにつれて利得が
高くなり、それと共に逆方向利得も高くなるという現象
が生じて不安定性が増加し、発振を起こしたりするとい
う問題があった。
高周波増幅器では、回路を構成している高周波トランジ
スタ2の特性として、Sパラメータから判定される安定
指数Kが1よりも小さい場合に、入力整合及び出力整合
を取ろうとしても、充分に整合が取れなくなる。この場
合は、入力整合及び出力整合が充分取れていないにもか
かわらず、入力整合及び出力整合を取るにつれて利得が
高くなり、それと共に逆方向利得も高くなるという現象
が生じて不安定性が増加し、発振を起こしたりするとい
う問題があった。
【0010】本発明は、上記問題点を解決するもので、
高周波トランジスタの安定指数Kが1よりも小さい場合
にも、入力整合及び出力整合を取り易く、且つ充分に安
定動作の可能な高周波増幅器を提供することを目的とす
る。
高周波トランジスタの安定指数Kが1よりも小さい場合
にも、入力整合及び出力整合を取り易く、且つ充分に安
定動作の可能な高周波増幅器を提供することを目的とす
る。
【0011】
【課題を解決するための手段】図1は本発明の原理説明
図である。上記課題を解決するために、本発明の特徴の
高周波増幅器は、図1に示す如く、入力端IN及び出力
端OUTにそれぞれ整合回路1及び3が接続された高周
波トランジスタ2と、前記高周波トランジスタ2のゲー
ト(或いはベース)にバイアス電圧を供給するゲート
(或いはベース)バイアス供給回路4と、前記高周波ト
ランジスタ2のドレイン(或いはコレクタ)にバイアス
電圧を供給するドレイン(或いはコレクタ)バイアス供
給回路5とを備える高周波増幅器であって、前記ゲート
(或いはベース)バイアス供給回路4は、当該高周波増
幅器の所要周波数より低い周波数領域で前記高周波トラ
ンジスタ2を安定動作させる安定化抵抗R1 と、前記所
要周波数帯域内で前記高周波トランジスタ2の安定指数
Kを1より大きくさせる挿入損調整抵抗R2 とを有して
構成する。
図である。上記課題を解決するために、本発明の特徴の
高周波増幅器は、図1に示す如く、入力端IN及び出力
端OUTにそれぞれ整合回路1及び3が接続された高周
波トランジスタ2と、前記高周波トランジスタ2のゲー
ト(或いはベース)にバイアス電圧を供給するゲート
(或いはベース)バイアス供給回路4と、前記高周波ト
ランジスタ2のドレイン(或いはコレクタ)にバイアス
電圧を供給するドレイン(或いはコレクタ)バイアス供
給回路5とを備える高周波増幅器であって、前記ゲート
(或いはベース)バイアス供給回路4は、当該高周波増
幅器の所要周波数より低い周波数領域で前記高周波トラ
ンジスタ2を安定動作させる安定化抵抗R1 と、前記所
要周波数帯域内で前記高周波トランジスタ2の安定指数
Kを1より大きくさせる挿入損調整抵抗R2 とを有して
構成する。
【0012】
【作用】本発明の特徴の高周波増幅器では、図1に示す
如く、高周波トランジスタ2のゲート(或いはベース)
にバイアス電圧を供給するゲート(或いはベース)バイ
アス供給回路4を、当該高周波増幅器の所要周波数より
低い周波数領域で高周波トランジスタ2を安定動作させ
る安定化抵抗R1 と、前記所要周波数帯域内で高周波ト
ランジスタ2の安定指数Kを1より大きくさせる挿入損
調整抵抗R2 とを備える回路構成とし、当該高周波増幅
器の所要周波数帯域内では、安定化抵抗R1 及び挿入損
調整抵抗R2 の直列回路が高周波的にRF線路と接地電
位間に接続されることによる挿入損失を有することとな
って等価的に安定指数Kが1よりも大きくなり、また、
当該高周波増幅器の所要周波数より低い周波数領域で
は、安定化抵抗R1 が高周波トランジスタ2の入力イン
ピーダンスを支配的に決定する回路構成となって低域で
の安定化も図られ、結果として、高周波増幅器の所要周
波数帯域内での入力整合及び出力整合を充分に取ること
ができ、且つ安定性の良好な高周波増幅器を実現でき
る。
如く、高周波トランジスタ2のゲート(或いはベース)
にバイアス電圧を供給するゲート(或いはベース)バイ
アス供給回路4を、当該高周波増幅器の所要周波数より
低い周波数領域で高周波トランジスタ2を安定動作させ
る安定化抵抗R1 と、前記所要周波数帯域内で高周波ト
ランジスタ2の安定指数Kを1より大きくさせる挿入損
調整抵抗R2 とを備える回路構成とし、当該高周波増幅
器の所要周波数帯域内では、安定化抵抗R1 及び挿入損
調整抵抗R2 の直列回路が高周波的にRF線路と接地電
位間に接続されることによる挿入損失を有することとな
って等価的に安定指数Kが1よりも大きくなり、また、
当該高周波増幅器の所要周波数より低い周波数領域で
は、安定化抵抗R1 が高周波トランジスタ2の入力イン
ピーダンスを支配的に決定する回路構成となって低域で
の安定化も図られ、結果として、高周波増幅器の所要周
波数帯域内での入力整合及び出力整合を充分に取ること
ができ、且つ安定性の良好な高周波増幅器を実現でき
る。
【0013】
【実施例】次に、本発明に係る実施例を図面に基づいて
説明する。 第1実施例 図1に本発明の第1実施例に係る高周波増幅器の回路図
を示す。同図において、図3及び図4(従来例)と重複
する部分には同一の符号を附す。本実施例は、高周波増
幅器の1段分のユニットであり、高周波トランジスタと
しては、GaAsFETが用いられている。
説明する。 第1実施例 図1に本発明の第1実施例に係る高周波増幅器の回路図
を示す。同図において、図3及び図4(従来例)と重複
する部分には同一の符号を附す。本実施例は、高周波増
幅器の1段分のユニットであり、高周波トランジスタと
しては、GaAsFETが用いられている。
【0014】図1において、本実施例の高周波増幅器
は、入力端IN及び出力端OUTにそれぞれ入力整合回
路1及び出力整合回路3が接続された高周波トランジス
タ2と、高周波トランジスタ2のゲートにバイアス電圧
を供給するゲートバイアス供給回路4と、高周波トラン
ジスタ2のドレインにバイアス電圧を供給するドレイン
バイアス供給回路5とを具備している。尚、高周波トラ
ンジスタ2のゲートには入力整合回路1及びカップリン
グコンデンサC1 を介して入力端INが接続され、トラ
ンジスタ2のドレインには出力整合回路3及びカップリ
ングコンデンサC2 を介して出力端OUTが接続され、
高周波トランジスタ2のソースは接地されている。
は、入力端IN及び出力端OUTにそれぞれ入力整合回
路1及び出力整合回路3が接続された高周波トランジス
タ2と、高周波トランジスタ2のゲートにバイアス電圧
を供給するゲートバイアス供給回路4と、高周波トラン
ジスタ2のドレインにバイアス電圧を供給するドレイン
バイアス供給回路5とを具備している。尚、高周波トラ
ンジスタ2のゲートには入力整合回路1及びカップリン
グコンデンサC1 を介して入力端INが接続され、トラ
ンジスタ2のドレインには出力整合回路3及びカップリ
ングコンデンサC2 を介して出力端OUTが接続され、
高周波トランジスタ2のソースは接地されている。
【0015】ゲートバイアス供給回路4は、高周波トラ
ンジスタ2のゲートに接続され、当該高周波増幅器の所
要周波数より低い周波数領域で高周波トランジスタ2を
安定動作させる安定化抵抗R1 (通常、50[Ω]を使
用)と、前記所要周波数帯域内で高周波トランジスタ2
の安定指数Kを1より大きくさせる挿入損調整抵抗R2
(例えば、100[Ω]あるいは250[Ω]など)
と、λ/4分布定数線路13及び高周波コイルL1 とを
備えて、負のバイアス電圧VB1を供給する。更に、安定
化抵抗R1 と挿入損調整抵抗R2 との接続点には、λ/
4分布定数線路11及び12と交流接地用コンデンサC
3 とからなる回路が付加されている。
ンジスタ2のゲートに接続され、当該高周波増幅器の所
要周波数より低い周波数領域で高周波トランジスタ2を
安定動作させる安定化抵抗R1 (通常、50[Ω]を使
用)と、前記所要周波数帯域内で高周波トランジスタ2
の安定指数Kを1より大きくさせる挿入損調整抵抗R2
(例えば、100[Ω]あるいは250[Ω]など)
と、λ/4分布定数線路13及び高周波コイルL1 とを
備えて、負のバイアス電圧VB1を供給する。更に、安定
化抵抗R1 と挿入損調整抵抗R2 との接続点には、λ/
4分布定数線路11及び12と交流接地用コンデンサC
3 とからなる回路が付加されている。
【0016】また、ドレインバイアス供給回路5は、高
周波トランジスタ2のドレインに接続されるλ/4分布
定数線路14と、λ/4分布定数線路15と、低周波領
域での出力整合回路3の安定動作を得るための安定化抵
抗R3 (通常、50[ Ω] を使用)と、更に交流接地用
コンデンサC4 及び高周波コイルL2 とを備えて、高電
圧のバイアス電圧VB2を供給する。尚、高周波コイルL
2 はゲートバイアス供給回路4の高周波コイルL1 とは
異なり、安定化抵抗R3 を介さず直接的にλ/4分布定
数線路14に接続されている。これは安定化抵抗R3 に
よるバイアス電圧VB2の電圧降下を防止するためであ
る。
周波トランジスタ2のドレインに接続されるλ/4分布
定数線路14と、λ/4分布定数線路15と、低周波領
域での出力整合回路3の安定動作を得るための安定化抵
抗R3 (通常、50[ Ω] を使用)と、更に交流接地用
コンデンサC4 及び高周波コイルL2 とを備えて、高電
圧のバイアス電圧VB2を供給する。尚、高周波コイルL
2 はゲートバイアス供給回路4の高周波コイルL1 とは
異なり、安定化抵抗R3 を介さず直接的にλ/4分布定
数線路14に接続されている。これは安定化抵抗R3 に
よるバイアス電圧VB2の電圧降下を防止するためであ
る。
【0017】以上の回路構成において、入力端INに入
力された高周波信号は、カップリングコンデンサC1 を
介して入力整合回路1のインピーダンスマッチングによ
り反射を生ずることなく高周波トランジスタ2に伝えら
れる。高周波トランジスタ2は、ゲートバイアス供給回
路4及びドレインバイアス供給回路5によって与えられ
る−VB1,+VB2によって決まる動作点で増幅作用をな
し、出力整合回路3及びカップリングコンデンサC2 を
介して出力端OUTより出力する。
力された高周波信号は、カップリングコンデンサC1 を
介して入力整合回路1のインピーダンスマッチングによ
り反射を生ずることなく高周波トランジスタ2に伝えら
れる。高周波トランジスタ2は、ゲートバイアス供給回
路4及びドレインバイアス供給回路5によって与えられ
る−VB1,+VB2によって決まる動作点で増幅作用をな
し、出力整合回路3及びカップリングコンデンサC2 を
介して出力端OUTより出力する。
【0018】尚、本実施例の高周波増幅器においては、
所要周波数帯域内では、安定化抵抗R1 及び挿入損調整
抵抗R2 の直列回路が高周波的にRF線路と接地電位間
に接続されることによる、挿入損失(例えば、R1 +R
2 =150[Ω]あるいは300[Ω]など)を有する
こととなって等価的に安定指数Kが1よりも大きくな
り、従来のように入力整合及び出力整合が充分取れない
ことにより発振を起こしたりするといった回路の不安定
性の問題は生じない。
所要周波数帯域内では、安定化抵抗R1 及び挿入損調整
抵抗R2 の直列回路が高周波的にRF線路と接地電位間
に接続されることによる、挿入損失(例えば、R1 +R
2 =150[Ω]あるいは300[Ω]など)を有する
こととなって等価的に安定指数Kが1よりも大きくな
り、従来のように入力整合及び出力整合が充分取れない
ことにより発振を起こしたりするといった回路の不安定
性の問題は生じない。
【0019】また、当該高周波増幅器の所要周波数より
低い周波数領域では、安定化抵抗R1 と挿入損調整抵抗
R2 との接続点に付加される回路により該接続点が交流
的に接地され、安定化抵抗R1 (=50[Ω])が高周
波トランジスタ2の入力インピーダンスを支配的に決定
する回路構成となって低域での安定化も図られる。 第2実施例 図2に本発明の第2実施例に係る高周波増幅器の回路図
を示す。
低い周波数領域では、安定化抵抗R1 と挿入損調整抵抗
R2 との接続点に付加される回路により該接続点が交流
的に接地され、安定化抵抗R1 (=50[Ω])が高周
波トランジスタ2の入力インピーダンスを支配的に決定
する回路構成となって低域での安定化も図られる。 第2実施例 図2に本発明の第2実施例に係る高周波増幅器の回路図
を示す。
【0020】本実施例の高周波増幅器は、第1実施例に
おいて、λ/4分布定数線路12、13、及び15を交
流接地用コンデンサC5 、C6 、及びC7 で置き換えた
回路構成となっており、作用及び特性は第1実施例の高
周波増幅器と同等である。
おいて、λ/4分布定数線路12、13、及び15を交
流接地用コンデンサC5 、C6 、及びC7 で置き換えた
回路構成となっており、作用及び特性は第1実施例の高
周波増幅器と同等である。
【0021】
【発明の効果】以上説明したように、本発明によれば、
高周波トランジスタのゲート(或いはベース)にバイア
ス電圧を供給するゲート(或いはベース)バイアス供給
回路を、当該高周波増幅器の所要周波数より低い周波数
領域で高周波トランジスタを安定動作させる安定化抵抗
と、前記所要周波数帯域内で高周波トランジスタの安定
指数(K)を1より大きくさせる挿入損調整抵抗とを備
える回路構成としたので、当該高周波増幅器の所要周波
数帯域内では、安定化抵抗及び挿入損調整抵抗の直列回
路が高周波的にRF線路と接地電位間に接続されて、挿
入損を有することとなって等価的に安定指数Kが1より
も大きくなり、また、当該高周波増幅器の所要周波数よ
り低い周波数領域では、安定化抵抗が高周波トランジス
タの入力インピーダンスを支配的に決定する回路構成と
なって低域での安定化も図られ、結果として、高周波増
幅器の所要周波数帯域内での入力整合及び出力整合を充
分に取ることができ、且つ安定性の良好な高周波増幅器
を提供することができる。
高周波トランジスタのゲート(或いはベース)にバイア
ス電圧を供給するゲート(或いはベース)バイアス供給
回路を、当該高周波増幅器の所要周波数より低い周波数
領域で高周波トランジスタを安定動作させる安定化抵抗
と、前記所要周波数帯域内で高周波トランジスタの安定
指数(K)を1より大きくさせる挿入損調整抵抗とを備
える回路構成としたので、当該高周波増幅器の所要周波
数帯域内では、安定化抵抗及び挿入損調整抵抗の直列回
路が高周波的にRF線路と接地電位間に接続されて、挿
入損を有することとなって等価的に安定指数Kが1より
も大きくなり、また、当該高周波増幅器の所要周波数よ
り低い周波数領域では、安定化抵抗が高周波トランジス
タの入力インピーダンスを支配的に決定する回路構成と
なって低域での安定化も図られ、結果として、高周波増
幅器の所要周波数帯域内での入力整合及び出力整合を充
分に取ることができ、且つ安定性の良好な高周波増幅器
を提供することができる。
【図1】本発明の第1実施例に係る高周波増幅器の回路
図である。
図である。
【図2】本発明の第2実施例に係る高周波増幅器の回路
図である。
図である。
【図3】従来の高周波増幅器(第1従来例)の回路図で
ある。
ある。
【図4】従来の高周波増幅器(第2従来例)の回路図で
ある。
ある。
1…入力整合回路 2…高周波トランジスタ 3…出力整合回路 4,4’,24,24’…ゲートバイアス供給回路 5,5’…ドレインバイアス供給回路 IN…入力端 OUT…出力端 C1 ,C2 …カップリングコンデンサ C3 ,C4 ,C5 ,C6 ,C7 ,C8 ,C9 …交流接地
用コンデンサ R1 ,R3 ,R4 …安定化抵抗 R2 …挿入損調整抵抗 11,12,13,14,15,16,17…λ/4分
布定数線路 L1 ,L2 ,L3 …高周波コイル VB1,VB2…バイアス電圧
用コンデンサ R1 ,R3 ,R4 …安定化抵抗 R2 …挿入損調整抵抗 11,12,13,14,15,16,17…λ/4分
布定数線路 L1 ,L2 ,L3 …高周波コイル VB1,VB2…バイアス電圧
Claims (1)
- 【請求項1】 入力端(IN)及び出力端(OUT)に
それぞれ整合回路(1及び3)が接続された高周波トラ
ンジスタ(2)と、前記高周波トランジスタ(2)のゲ
ート(或いはベース)にバイアス電圧を供給するゲート
(或いはベース)バイアス供給回路(4)と、前記高周
波トランジスタ(2)のドレイン(或いはコレクタ)に
バイアス電圧を供給するドレイン(或いはコレクタ)バ
イアス供給回路(5)とを備える高周波増幅器であっ
て、 前記ゲート(或いはベース)バイアス供給回路(4)
は、当該高周波増幅器の所要周波数より低い周波数領域
で前記高周波トランジスタ(2)を安定動作させる安定
化抵抗(R1 )と、前記所要周波数帯域内で前記高周波
トランジスタ(2)の安定指数(K)を1より大きくさ
せる挿入損調整抵抗(R2 )とを有することを特徴とす
る高周波増幅器。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP4206814A JPH0653761A (ja) | 1992-08-03 | 1992-08-03 | 高周波増幅器 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP4206814A JPH0653761A (ja) | 1992-08-03 | 1992-08-03 | 高周波増幅器 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH0653761A true JPH0653761A (ja) | 1994-02-25 |
Family
ID=16529535
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP4206814A Withdrawn JPH0653761A (ja) | 1992-08-03 | 1992-08-03 | 高周波増幅器 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH0653761A (ja) |
Cited By (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH08335835A (ja) * | 1995-04-04 | 1996-12-17 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 高周波増幅器 |
US6437649B2 (en) * | 2000-05-19 | 2002-08-20 | Fujitsu Limited | Microwave amplifier |
US6897732B2 (en) * | 2001-02-19 | 2005-05-24 | Fujitsu Limited | Amplifier |
KR100797086B1 (ko) * | 2005-07-26 | 2008-01-22 | 인피니언 테크놀로지스 아게 | 출력 매치 트랜지스터 |
JP2017005501A (ja) * | 2015-06-10 | 2017-01-05 | 住友電気工業株式会社 | 電子回路 |
-
1992
- 1992-08-03 JP JP4206814A patent/JPH0653761A/ja not_active Withdrawn
Cited By (5)
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---|---|---|---|---|
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A300 | Withdrawal of application because of no request for examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A300 Effective date: 19991005 |