JPH0653761A - 高周波増幅器 - Google Patents
高周波増幅器Info
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- JPH0653761A JPH0653761A JP4206814A JP20681492A JPH0653761A JP H0653761 A JPH0653761 A JP H0653761A JP 4206814 A JP4206814 A JP 4206814A JP 20681492 A JP20681492 A JP 20681492A JP H0653761 A JPH0653761 A JP H0653761A
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 無線装置、携帯電話装置等に用いられる高周
波増幅器に関し、高周波トランジスタの安定指数が１よ
りも小さい場合にも、入力整合及び出力整合を取り易
く、且つ充分に安定動作の可能な高周波増幅器を提供す
ることを目的とする。 【構成】 入力端ＩＮ及び出力端ＯＵＴにそれぞれ整合
回路１及び３が接続された高周波トランジスタ２と、高
周波トランジスタ２のゲートにバイアス電圧を供給する
ゲートバイアス供給回路４と、高周波トランジスタ２の
ドレインにバイアス電圧を供給するドレインバイアス供
給回路５とを備える高周波増幅器であって、ゲートバイ
アス供給回路４は、高周波増幅器の所要周波数より低い
周波数領域で高周波トランジスタ２を安定動作させる安
定化抵抗Ｒ1 と、所要周波数帯域内で高周波トランジス
タ２の安定指数Ｋを１より大きくさせる挿入損調整抵抗
Ｒ2とを有して構成する。
波増幅器に関し、高周波トランジスタの安定指数が１よ
りも小さい場合にも、入力整合及び出力整合を取り易
く、且つ充分に安定動作の可能な高周波増幅器を提供す
ることを目的とする。 【構成】 入力端ＩＮ及び出力端ＯＵＴにそれぞれ整合
回路１及び３が接続された高周波トランジスタ２と、高
周波トランジスタ２のゲートにバイアス電圧を供給する
ゲートバイアス供給回路４と、高周波トランジスタ２の
ドレインにバイアス電圧を供給するドレインバイアス供
給回路５とを備える高周波増幅器であって、ゲートバイ
アス供給回路４は、高周波増幅器の所要周波数より低い
周波数領域で高周波トランジスタ２を安定動作させる安
定化抵抗Ｒ1 と、所要周波数帯域内で高周波トランジス
タ２の安定指数Ｋを１より大きくさせる挿入損調整抵抗
Ｒ2とを有して構成する。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は無線装置、携帯電話装置
等に用いられる高周波増幅器に係り、特に、高周波トラ
ンジスタの安定指数が１よりも小さい場合にも、入力整
合及び出力整合を取り易く、且つ充分に安定動作の可能
な高周波増幅器に関する。
等に用いられる高周波増幅器に係り、特に、高周波トラ
ンジスタの安定指数が１よりも小さい場合にも、入力整
合及び出力整合を取り易く、且つ充分に安定動作の可能
な高周波増幅器に関する。
【０００２】近年、通信機器の高性能化、小型化の要求
に伴い、増幅素子としてＳｉトランジスタ、ＧａＡｓＦ
ＥＴ等の高周波トランジスタが使用されている。これら
の増幅素子を用いた高周波増幅器は、入力整合及び出力
整合手段を備えた単体増幅器を形成し、それらを複数接
続することにより多段増幅して必要な増幅度を得ること
が一般に行なわれている。また、高周波トランジスタの
性能が向上したことにより、高周波領域における１個当
たりのトランジスタの利得が大きくなってきている。
に伴い、増幅素子としてＳｉトランジスタ、ＧａＡｓＦ
ＥＴ等の高周波トランジスタが使用されている。これら
の増幅素子を用いた高周波増幅器は、入力整合及び出力
整合手段を備えた単体増幅器を形成し、それらを複数接
続することにより多段増幅して必要な増幅度を得ること
が一般に行なわれている。また、高周波トランジスタの
性能が向上したことにより、高周波領域における１個当
たりのトランジスタの利得が大きくなってきている。
【０００３】
【従来の技術】図３に、従来の高周波増幅器の回路構成
を示す。同図は、高周波増幅器の１段分のユニット（Si
ngle Stage）を示したものである。高周波トランジスタ
としては、ＧａＡｓＦＥＴ（以下、トランジスタ２とい
う）が用いられている。
を示す。同図は、高周波増幅器の１段分のユニット（Si
ngle Stage）を示したものである。高周波トランジスタ
としては、ＧａＡｓＦＥＴ（以下、トランジスタ２とい
う）が用いられている。
【０００４】トランジスタ２のゲートには入力整合回路
１及びカップリングコンデンサＣ1を介して入力端ＩＮ
が接続され、トランジスタ２のドレインには出力整合回
路３及びカップリングコンデンサＣ2 を介して出力端Ｏ
ＵＴが接続されており、ソースは接地されている。ま
た、トランジスタ２のゲートには、当該トランジスタ２
を動作させるための直流バイアス電圧を供給するための
ゲートバイアス供給回路２４’が接続され、且つ、ドレ
インにも同じ目的でドレインバイアス供給回路５’がそ
れぞれ接続されている。
１及びカップリングコンデンサＣ1を介して入力端ＩＮ
が接続され、トランジスタ２のドレインには出力整合回
路３及びカップリングコンデンサＣ2 を介して出力端Ｏ
ＵＴが接続されており、ソースは接地されている。ま
た、トランジスタ２のゲートには、当該トランジスタ２
を動作させるための直流バイアス電圧を供給するための
ゲートバイアス供給回路２４’が接続され、且つ、ドレ
インにも同じ目的でドレインバイアス供給回路５’がそ
れぞれ接続されている。
【０００５】ゲートバイアス供給回路２４’は、トラン
ジスタ２のゲートに接続されるλ／４分布定数線路１６
と、このλ／４分布定数線路１６を高周波的に接地する
ための交流接地用コンデンサＣ9 と、低周波領域でのト
ランジスタ２の安定動作を保つための安定化抵抗Ｒ4
（通常、５０[ Ω] を使用）と、更に交流接地用コンデ
ンサＣ8 及び高周波コイルＬ3 とを備えて、負のバイア
ス電圧ＶB1を供給する。
ジスタ２のゲートに接続されるλ／４分布定数線路１６
と、このλ／４分布定数線路１６を高周波的に接地する
ための交流接地用コンデンサＣ9 と、低周波領域でのト
ランジスタ２の安定動作を保つための安定化抵抗Ｒ4
（通常、５０[ Ω] を使用）と、更に交流接地用コンデ
ンサＣ8 及び高周波コイルＬ3 とを備えて、負のバイア
ス電圧ＶB1を供給する。
【０００６】また、ドレインバイアス供給回路５’は、
トランジスタ２のドレインに接続されるλ／４分布定数
線路１４と、このλ／４分布定数線路１４を高周波的に
接地するための交流接地用コンデンサＣ7 と、低周波領
域での出力整合回路３の安定動作を得るための安定化抵
抗Ｒ3 （通常、５０［Ω］を使用）と、更に交流接地用
コンデンサＣ4 及び高周波コイルＬ2 とを備えて、高電
圧のバイアス電圧ＶB2を供給する。尚、高周波コイルＬ
2 はゲートバイアス供給回路２４’の高周波コイルＬ3
とは異なり、安定化抵抗Ｒ3 を介さず直接的にλ／４分
布定数線路１４に接続されている。これは安定化抵抗Ｒ
3 によるバイアス電圧ＶB2の電圧降下を防止するためで
ある。
トランジスタ２のドレインに接続されるλ／４分布定数
線路１４と、このλ／４分布定数線路１４を高周波的に
接地するための交流接地用コンデンサＣ7 と、低周波領
域での出力整合回路３の安定動作を得るための安定化抵
抗Ｒ3 （通常、５０［Ω］を使用）と、更に交流接地用
コンデンサＣ4 及び高周波コイルＬ2 とを備えて、高電
圧のバイアス電圧ＶB2を供給する。尚、高周波コイルＬ
2 はゲートバイアス供給回路２４’の高周波コイルＬ3
とは異なり、安定化抵抗Ｒ3 を介さず直接的にλ／４分
布定数線路１４に接続されている。これは安定化抵抗Ｒ
3 によるバイアス電圧ＶB2の電圧降下を防止するためで
ある。
【０００７】以上の回路構成において、入力端ＩＮに入
力された高周波信号は、カップリングコンデンサＣ1 を
介して入力整合回路１のインピーダンスマッチングによ
り反射を生ずることなくトランジスタ２に伝えられる。
トランジスタ２は、ゲートバイアス供給回路２４’及び
ドレインバイアス供給回路５によって与えられる−ＶB
1，＋ＶB2によって決まる動作点で増幅作用をなし、出
力整合回路３及びカップリングコンデンサＣ2 を介して
出力端ＯＵＴより出力する。
力された高周波信号は、カップリングコンデンサＣ1 を
介して入力整合回路１のインピーダンスマッチングによ
り反射を生ずることなくトランジスタ２に伝えられる。
トランジスタ２は、ゲートバイアス供給回路２４’及び
ドレインバイアス供給回路５によって与えられる−ＶB
1，＋ＶB2によって決まる動作点で増幅作用をなし、出
力整合回路３及びカップリングコンデンサＣ2 を介して
出力端ＯＵＴより出力する。
【０００８】また他の従来の高周波増幅器の回路構成と
して、図４に示すものがある。これは、図３において、
交流接地用コンデンサＣ7 及びＣ9 をλ／４分布定数線
路１５及び１７で置き換えた回路構成となっており、作
用及び特性は図３の高周波増幅器と同等である。
して、図４に示すものがある。これは、図３において、
交流接地用コンデンサＣ7 及びＣ9 をλ／４分布定数線
路１５及び１７で置き換えた回路構成となっており、作
用及び特性は図３の高周波増幅器と同等である。
【０００９】
【発明が解決しようとする課題】このような回路構成の
高周波増幅器では、回路を構成している高周波トランジ
スタ２の特性として、Ｓパラメータから判定される安定
指数Ｋが１よりも小さい場合に、入力整合及び出力整合
を取ろうとしても、充分に整合が取れなくなる。この場
合は、入力整合及び出力整合が充分取れていないにもか
かわらず、入力整合及び出力整合を取るにつれて利得が
高くなり、それと共に逆方向利得も高くなるという現象
が生じて不安定性が増加し、発振を起こしたりするとい
う問題があった。
高周波増幅器では、回路を構成している高周波トランジ
スタ２の特性として、Ｓパラメータから判定される安定
指数Ｋが１よりも小さい場合に、入力整合及び出力整合
を取ろうとしても、充分に整合が取れなくなる。この場
合は、入力整合及び出力整合が充分取れていないにもか
かわらず、入力整合及び出力整合を取るにつれて利得が
高くなり、それと共に逆方向利得も高くなるという現象
が生じて不安定性が増加し、発振を起こしたりするとい
う問題があった。
【００１０】本発明は、上記問題点を解決するもので、
高周波トランジスタの安定指数Ｋが１よりも小さい場合
にも、入力整合及び出力整合を取り易く、且つ充分に安
定動作の可能な高周波増幅器を提供することを目的とす
る。
高周波トランジスタの安定指数Ｋが１よりも小さい場合
にも、入力整合及び出力整合を取り易く、且つ充分に安
定動作の可能な高周波増幅器を提供することを目的とす
る。
【００１１】
【課題を解決するための手段】図１は本発明の原理説明
図である。上記課題を解決するために、本発明の特徴の
高周波増幅器は、図１に示す如く、入力端ＩＮ及び出力
端ＯＵＴにそれぞれ整合回路１及び３が接続された高周
波トランジスタ２と、前記高周波トランジスタ２のゲー
ト（或いはベース）にバイアス電圧を供給するゲート
（或いはベース）バイアス供給回路４と、前記高周波ト
ランジスタ２のドレイン（或いはコレクタ）にバイアス
電圧を供給するドレイン（或いはコレクタ）バイアス供
給回路５とを備える高周波増幅器であって、前記ゲート
（或いはベース）バイアス供給回路４は、当該高周波増
幅器の所要周波数より低い周波数領域で前記高周波トラ
ンジスタ２を安定動作させる安定化抵抗Ｒ1 と、前記所
要周波数帯域内で前記高周波トランジスタ２の安定指数
Ｋを１より大きくさせる挿入損調整抵抗Ｒ2 とを有して
構成する。
図である。上記課題を解決するために、本発明の特徴の
高周波増幅器は、図１に示す如く、入力端ＩＮ及び出力
端ＯＵＴにそれぞれ整合回路１及び３が接続された高周
波トランジスタ２と、前記高周波トランジスタ２のゲー
ト（或いはベース）にバイアス電圧を供給するゲート
（或いはベース）バイアス供給回路４と、前記高周波ト
ランジスタ２のドレイン（或いはコレクタ）にバイアス
電圧を供給するドレイン（或いはコレクタ）バイアス供
給回路５とを備える高周波増幅器であって、前記ゲート
（或いはベース）バイアス供給回路４は、当該高周波増
幅器の所要周波数より低い周波数領域で前記高周波トラ
ンジスタ２を安定動作させる安定化抵抗Ｒ1 と、前記所
要周波数帯域内で前記高周波トランジスタ２の安定指数
Ｋを１より大きくさせる挿入損調整抵抗Ｒ2 とを有して
構成する。
【００１２】
【作用】本発明の特徴の高周波増幅器では、図１に示す
如く、高周波トランジスタ２のゲート（或いはベース）
にバイアス電圧を供給するゲート（或いはベース）バイ
アス供給回路４を、当該高周波増幅器の所要周波数より
低い周波数領域で高周波トランジスタ２を安定動作させ
る安定化抵抗Ｒ1 と、前記所要周波数帯域内で高周波ト
ランジスタ２の安定指数Ｋを１より大きくさせる挿入損
調整抵抗Ｒ2 とを備える回路構成とし、当該高周波増幅
器の所要周波数帯域内では、安定化抵抗Ｒ1 及び挿入損
調整抵抗Ｒ2 の直列回路が高周波的にＲＦ線路と接地電
位間に接続されることによる挿入損失を有することとな
って等価的に安定指数Ｋが１よりも大きくなり、また、
当該高周波増幅器の所要周波数より低い周波数領域で
は、安定化抵抗Ｒ1 が高周波トランジスタ２の入力イン
ピーダンスを支配的に決定する回路構成となって低域で
の安定化も図られ、結果として、高周波増幅器の所要周
波数帯域内での入力整合及び出力整合を充分に取ること
ができ、且つ安定性の良好な高周波増幅器を実現でき
る。
如く、高周波トランジスタ２のゲート（或いはベース）
にバイアス電圧を供給するゲート（或いはベース）バイ
アス供給回路４を、当該高周波増幅器の所要周波数より
低い周波数領域で高周波トランジスタ２を安定動作させ
る安定化抵抗Ｒ1 と、前記所要周波数帯域内で高周波ト
ランジスタ２の安定指数Ｋを１より大きくさせる挿入損
調整抵抗Ｒ2 とを備える回路構成とし、当該高周波増幅
器の所要周波数帯域内では、安定化抵抗Ｒ1 及び挿入損
調整抵抗Ｒ2 の直列回路が高周波的にＲＦ線路と接地電
位間に接続されることによる挿入損失を有することとな
って等価的に安定指数Ｋが１よりも大きくなり、また、
当該高周波増幅器の所要周波数より低い周波数領域で
は、安定化抵抗Ｒ1 が高周波トランジスタ２の入力イン
ピーダンスを支配的に決定する回路構成となって低域で
の安定化も図られ、結果として、高周波増幅器の所要周
波数帯域内での入力整合及び出力整合を充分に取ること
ができ、且つ安定性の良好な高周波増幅器を実現でき
る。
【００１３】
【実施例】次に、本発明に係る実施例を図面に基づいて
説明する。 第１実施例 図１に本発明の第１実施例に係る高周波増幅器の回路図
を示す。同図において、図３及び図４（従来例）と重複
する部分には同一の符号を附す。本実施例は、高周波増
幅器の１段分のユニットであり、高周波トランジスタと
しては、ＧａＡｓＦＥＴが用いられている。
説明する。 第１実施例 図１に本発明の第１実施例に係る高周波増幅器の回路図
を示す。同図において、図３及び図４（従来例）と重複
する部分には同一の符号を附す。本実施例は、高周波増
幅器の１段分のユニットであり、高周波トランジスタと
しては、ＧａＡｓＦＥＴが用いられている。
【００１４】図１において、本実施例の高周波増幅器
は、入力端ＩＮ及び出力端ＯＵＴにそれぞれ入力整合回
路１及び出力整合回路３が接続された高周波トランジス
タ２と、高周波トランジスタ２のゲートにバイアス電圧
を供給するゲートバイアス供給回路４と、高周波トラン
ジスタ２のドレインにバイアス電圧を供給するドレイン
バイアス供給回路５とを具備している。尚、高周波トラ
ンジスタ２のゲートには入力整合回路１及びカップリン
グコンデンサＣ1 を介して入力端ＩＮが接続され、トラ
ンジスタ２のドレインには出力整合回路３及びカップリ
ングコンデンサＣ2 を介して出力端ＯＵＴが接続され、
高周波トランジスタ２のソースは接地されている。
は、入力端ＩＮ及び出力端ＯＵＴにそれぞれ入力整合回
路１及び出力整合回路３が接続された高周波トランジス
タ２と、高周波トランジスタ２のゲートにバイアス電圧
を供給するゲートバイアス供給回路４と、高周波トラン
ジスタ２のドレインにバイアス電圧を供給するドレイン
バイアス供給回路５とを具備している。尚、高周波トラ
ンジスタ２のゲートには入力整合回路１及びカップリン
グコンデンサＣ1 を介して入力端ＩＮが接続され、トラ
ンジスタ２のドレインには出力整合回路３及びカップリ
ングコンデンサＣ2 を介して出力端ＯＵＴが接続され、
高周波トランジスタ２のソースは接地されている。
【００１５】ゲートバイアス供給回路４は、高周波トラ
ンジスタ２のゲートに接続され、当該高周波増幅器の所
要周波数より低い周波数領域で高周波トランジスタ２を
安定動作させる安定化抵抗Ｒ1 （通常、５０［Ω］を使
用）と、前記所要周波数帯域内で高周波トランジスタ２
の安定指数Ｋを１より大きくさせる挿入損調整抵抗Ｒ2
（例えば、１００［Ω］あるいは２５０［Ω］など）
と、λ／４分布定数線路１３及び高周波コイルＬ1 とを
備えて、負のバイアス電圧ＶB1を供給する。更に、安定
化抵抗Ｒ1 と挿入損調整抵抗Ｒ2 との接続点には、λ／
４分布定数線路１１及び１２と交流接地用コンデンサＣ
3 とからなる回路が付加されている。
ンジスタ２のゲートに接続され、当該高周波増幅器の所
要周波数より低い周波数領域で高周波トランジスタ２を
安定動作させる安定化抵抗Ｒ1 （通常、５０［Ω］を使
用）と、前記所要周波数帯域内で高周波トランジスタ２
の安定指数Ｋを１より大きくさせる挿入損調整抵抗Ｒ2
（例えば、１００［Ω］あるいは２５０［Ω］など）
と、λ／４分布定数線路１３及び高周波コイルＬ1 とを
備えて、負のバイアス電圧ＶB1を供給する。更に、安定
化抵抗Ｒ1 と挿入損調整抵抗Ｒ2 との接続点には、λ／
４分布定数線路１１及び１２と交流接地用コンデンサＣ
3 とからなる回路が付加されている。
【００１６】また、ドレインバイアス供給回路５は、高
周波トランジスタ２のドレインに接続されるλ／４分布
定数線路１４と、λ／４分布定数線路１５と、低周波領
域での出力整合回路３の安定動作を得るための安定化抵
抗Ｒ3 （通常、５０[ Ω] を使用）と、更に交流接地用
コンデンサＣ4 及び高周波コイルＬ2 とを備えて、高電
圧のバイアス電圧ＶB2を供給する。尚、高周波コイルＬ
2 はゲートバイアス供給回路４の高周波コイルＬ1 とは
異なり、安定化抵抗Ｒ3 を介さず直接的にλ／４分布定
数線路１４に接続されている。これは安定化抵抗Ｒ3 に
よるバイアス電圧ＶB2の電圧降下を防止するためであ
る。
周波トランジスタ２のドレインに接続されるλ／４分布
定数線路１４と、λ／４分布定数線路１５と、低周波領
域での出力整合回路３の安定動作を得るための安定化抵
抗Ｒ3 （通常、５０[ Ω] を使用）と、更に交流接地用
コンデンサＣ4 及び高周波コイルＬ2 とを備えて、高電
圧のバイアス電圧ＶB2を供給する。尚、高周波コイルＬ
2 はゲートバイアス供給回路４の高周波コイルＬ1 とは
異なり、安定化抵抗Ｒ3 を介さず直接的にλ／４分布定
数線路１４に接続されている。これは安定化抵抗Ｒ3 に
よるバイアス電圧ＶB2の電圧降下を防止するためであ
る。
【００１７】以上の回路構成において、入力端ＩＮに入
力された高周波信号は、カップリングコンデンサＣ1 を
介して入力整合回路１のインピーダンスマッチングによ
り反射を生ずることなく高周波トランジスタ２に伝えら
れる。高周波トランジスタ２は、ゲートバイアス供給回
路４及びドレインバイアス供給回路５によって与えられ
る−ＶB1，＋ＶB2によって決まる動作点で増幅作用をな
し、出力整合回路３及びカップリングコンデンサＣ2 を
介して出力端ＯＵＴより出力する。
力された高周波信号は、カップリングコンデンサＣ1 を
介して入力整合回路１のインピーダンスマッチングによ
り反射を生ずることなく高周波トランジスタ２に伝えら
れる。高周波トランジスタ２は、ゲートバイアス供給回
路４及びドレインバイアス供給回路５によって与えられ
る−ＶB1，＋ＶB2によって決まる動作点で増幅作用をな
し、出力整合回路３及びカップリングコンデンサＣ2 を
介して出力端ＯＵＴより出力する。
【００１８】尚、本実施例の高周波増幅器においては、
所要周波数帯域内では、安定化抵抗Ｒ1 及び挿入損調整
抵抗Ｒ2 の直列回路が高周波的にＲＦ線路と接地電位間
に接続されることによる、挿入損失（例えば、Ｒ1 ＋Ｒ
2 ＝１５０［Ω］あるいは３００［Ω］など）を有する
こととなって等価的に安定指数Ｋが１よりも大きくな
り、従来のように入力整合及び出力整合が充分取れない
ことにより発振を起こしたりするといった回路の不安定
性の問題は生じない。
所要周波数帯域内では、安定化抵抗Ｒ1 及び挿入損調整
抵抗Ｒ2 の直列回路が高周波的にＲＦ線路と接地電位間
に接続されることによる、挿入損失（例えば、Ｒ1 ＋Ｒ
2 ＝１５０［Ω］あるいは３００［Ω］など）を有する
こととなって等価的に安定指数Ｋが１よりも大きくな
り、従来のように入力整合及び出力整合が充分取れない
ことにより発振を起こしたりするといった回路の不安定
性の問題は生じない。
【００１９】また、当該高周波増幅器の所要周波数より
低い周波数領域では、安定化抵抗Ｒ1 と挿入損調整抵抗
Ｒ2 との接続点に付加される回路により該接続点が交流
的に接地され、安定化抵抗Ｒ1 （＝５０［Ω］）が高周
波トランジスタ２の入力インピーダンスを支配的に決定
する回路構成となって低域での安定化も図られる。 第２実施例 図２に本発明の第２実施例に係る高周波増幅器の回路図
を示す。
低い周波数領域では、安定化抵抗Ｒ1 と挿入損調整抵抗
Ｒ2 との接続点に付加される回路により該接続点が交流
的に接地され、安定化抵抗Ｒ1 （＝５０［Ω］）が高周
波トランジスタ２の入力インピーダンスを支配的に決定
する回路構成となって低域での安定化も図られる。 第２実施例 図２に本発明の第２実施例に係る高周波増幅器の回路図
を示す。
【００２０】本実施例の高周波増幅器は、第１実施例に
おいて、λ／４分布定数線路１２、１３、及び１５を交
流接地用コンデンサＣ5 、Ｃ6 、及びＣ7 で置き換えた
回路構成となっており、作用及び特性は第１実施例の高
周波増幅器と同等である。
おいて、λ／４分布定数線路１２、１３、及び１５を交
流接地用コンデンサＣ5 、Ｃ6 、及びＣ7 で置き換えた
回路構成となっており、作用及び特性は第１実施例の高
周波増幅器と同等である。
【００２１】
【発明の効果】以上説明したように、本発明によれば、
高周波トランジスタのゲート（或いはベース）にバイア
ス電圧を供給するゲート（或いはベース）バイアス供給
回路を、当該高周波増幅器の所要周波数より低い周波数
領域で高周波トランジスタを安定動作させる安定化抵抗
と、前記所要周波数帯域内で高周波トランジスタの安定
指数（Ｋ）を１より大きくさせる挿入損調整抵抗とを備
える回路構成としたので、当該高周波増幅器の所要周波
数帯域内では、安定化抵抗及び挿入損調整抵抗の直列回
路が高周波的にＲＦ線路と接地電位間に接続されて、挿
入損を有することとなって等価的に安定指数Ｋが１より
も大きくなり、また、当該高周波増幅器の所要周波数よ
り低い周波数領域では、安定化抵抗が高周波トランジス
タの入力インピーダンスを支配的に決定する回路構成と
なって低域での安定化も図られ、結果として、高周波増
幅器の所要周波数帯域内での入力整合及び出力整合を充
分に取ることができ、且つ安定性の良好な高周波増幅器
を提供することができる。
高周波トランジスタのゲート（或いはベース）にバイア
ス電圧を供給するゲート（或いはベース）バイアス供給
回路を、当該高周波増幅器の所要周波数より低い周波数
領域で高周波トランジスタを安定動作させる安定化抵抗
と、前記所要周波数帯域内で高周波トランジスタの安定
指数（Ｋ）を１より大きくさせる挿入損調整抵抗とを備
える回路構成としたので、当該高周波増幅器の所要周波
数帯域内では、安定化抵抗及び挿入損調整抵抗の直列回
路が高周波的にＲＦ線路と接地電位間に接続されて、挿
入損を有することとなって等価的に安定指数Ｋが１より
も大きくなり、また、当該高周波増幅器の所要周波数よ
り低い周波数領域では、安定化抵抗が高周波トランジス
タの入力インピーダンスを支配的に決定する回路構成と
なって低域での安定化も図られ、結果として、高周波増
幅器の所要周波数帯域内での入力整合及び出力整合を充
分に取ることができ、且つ安定性の良好な高周波増幅器
を提供することができる。
【図１】本発明の第１実施例に係る高周波増幅器の回路
図である。
図である。
【図２】本発明の第２実施例に係る高周波増幅器の回路
図である。
図である。
【図３】従来の高周波増幅器（第１従来例）の回路図で
ある。
ある。
【図４】従来の高周波増幅器（第２従来例）の回路図で
ある。
ある。
１…入力整合回路 ２…高周波トランジスタ ３…出力整合回路 ４，４’，２４，２４’…ゲートバイアス供給回路 ５，５’…ドレインバイアス供給回路 ＩＮ…入力端 ＯＵＴ…出力端 Ｃ1 ，Ｃ2 …カップリングコンデンサ Ｃ3 ，Ｃ4 ，Ｃ5 ，Ｃ6 ，Ｃ7 ，Ｃ8 ，Ｃ9 …交流接地
用コンデンサ Ｒ1 ，Ｒ3 ，Ｒ4 …安定化抵抗 Ｒ2 …挿入損調整抵抗 １１，１２，１３，１４，１５，１６，１７…λ／４分
布定数線路 Ｌ1 ，Ｌ2 ，Ｌ3 …高周波コイル ＶB1，ＶB2…バイアス電圧
用コンデンサ Ｒ1 ，Ｒ3 ，Ｒ4 …安定化抵抗 Ｒ2 …挿入損調整抵抗 １１，１２，１３，１４，１５，１６，１７…λ／４分
布定数線路 Ｌ1 ，Ｌ2 ，Ｌ3 …高周波コイル ＶB1，ＶB2…バイアス電圧
Claims (1)
- 【請求項１】 入力端（ＩＮ）及び出力端（ＯＵＴ）に
それぞれ整合回路（１及び３）が接続された高周波トラ
ンジスタ（２）と、前記高周波トランジスタ（２）のゲ
ート（或いはベース）にバイアス電圧を供給するゲート
（或いはベース）バイアス供給回路（４）と、前記高周
波トランジスタ（２）のドレイン（或いはコレクタ）に
バイアス電圧を供給するドレイン（或いはコレクタ）バ
イアス供給回路（５）とを備える高周波増幅器であっ
て、 前記ゲート（或いはベース）バイアス供給回路（４）
は、当該高周波増幅器の所要周波数より低い周波数領域
で前記高周波トランジスタ（２）を安定動作させる安定
化抵抗（Ｒ1 ）と、前記所要周波数帯域内で前記高周波
トランジスタ（２）の安定指数（Ｋ）を１より大きくさ
せる挿入損調整抵抗（Ｒ2 ）とを有することを特徴とす
る高周波増幅器。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4206814A JPH0653761A (ja) | 1992-08-03 | 1992-08-03 | 高周波増幅器 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4206814A JPH0653761A (ja) | 1992-08-03 | 1992-08-03 | 高周波増幅器 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0653761A true JPH0653761A (ja) | 1994-02-25 |
Family
ID=16529535
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP4206814A Withdrawn JPH0653761A (ja) | 1992-08-03 | 1992-08-03 | 高周波増幅器 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0653761A (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH08335835A (ja) * | 1995-04-04 | 1996-12-17 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 高周波増幅器 |
| US6437649B2 (en) * | 2000-05-19 | 2002-08-20 | Fujitsu Limited | Microwave amplifier |
| US6897732B2 (en) * | 2001-02-19 | 2005-05-24 | Fujitsu Limited | Amplifier |
| KR100797086B1 (ko) * | 2005-07-26 | 2008-01-22 | 인피니언 테크놀로지스 아게 | 출력 매치 트랜지스터 |
| JP2017005501A (ja) * | 2015-06-10 | 2017-01-05 | 住友電気工業株式会社 | 電子回路 |
-
1992
- 1992-08-03 JP JP4206814A patent/JPH0653761A/ja not_active Withdrawn
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH08335835A (ja) * | 1995-04-04 | 1996-12-17 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 高周波増幅器 |
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| JP2017005501A (ja) * | 2015-06-10 | 2017-01-05 | 住友電気工業株式会社 | 電子回路 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A300 | Withdrawal of application because of no request for examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A300 Effective date: 19991005 |