JPH0653301A - 半導体ウエハのｂｔ処理装置 - Google Patents
半導体ウエハのｂｔ処理装置Info
- Publication number
- JPH0653301A JPH0653301A JP22331592A JP22331592A JPH0653301A JP H0653301 A JPH0653301 A JP H0653301A JP 22331592 A JP22331592 A JP 22331592A JP 22331592 A JP22331592 A JP 22331592A JP H0653301 A JPH0653301 A JP H0653301A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- semiconductor wafer
- semiconductor wafers
- processing device
- insulating film
- electrode
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 絶縁膜上に電極を形成することなくＢＴ処理
を行なう。 【構成】 ２枚の半導体ウエハ１００ａ，１００ｂは吸
着板１６，３０で吸着され、半導体ウエハの互いの主面
が所定のギャップ△Ｇを隔てて向き合う状態で保持され
る。２枚の半導体ウエハは、加熱板１４，２６によって
加熱されるとともに、直流電源４２によって所定の直流
バイアスが印加される。
を行なう。 【構成】 ２枚の半導体ウエハ１００ａ，１００ｂは吸
着板１６，３０で吸着され、半導体ウエハの互いの主面
が所定のギャップ△Ｇを隔てて向き合う状態で保持され
る。２枚の半導体ウエハは、加熱板１４，２６によって
加熱されるとともに、直流電源４２によって所定の直流
バイアスが印加される。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】この発明は、半導体ウエハのＢＴ
処理を行なうＢＴ処理装置に関する。
処理を行なうＢＴ処理装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】半導体ウエハ表面の絶縁膜には、ウエハ
プロセスの際にナトリウムイオンなどの可動イオンが混
入する。これらの可動イオンは電界によって容易に移動
するので、半導体表面の安定性を劣化させる。
プロセスの際にナトリウムイオンなどの可動イオンが混
入する。これらの可動イオンは電界によって容易に移動
するので、半導体表面の安定性を劣化させる。
【０００３】絶縁膜中の可動イオン量の評価は、いわゆ
るＢＴ処理（Bias Temperature処理）と、Ｃ−Ｖ特性評
価とによって行なうのが一般的である。従来のＢＴ処理
は、高温状態で絶縁膜上のゲート電極に直流バイアスを
印加する処理である。図４は、従来のＢＴ処理の方法を
示す概念図である。図４において、半導体ウエハ１００
の絶縁膜１０２の上には電極２０１が形成されている。
電極２０１と半導体ウエハの基板１０１との間には直流
バイアスが印加される。高温状態で直流バイアスを印加
すると、絶縁膜中の可動イオンがバイアスに応じて移動
し、この結果、Ｃ−Ｖ測定で得られるフラットバンド電
圧Ｖfbが変化する。従って、ＢＴ処理の前後にＣ−Ｖ特
性を測定してフラットバンド電圧Ｖfbの変化量を求める
と、この変化量から絶縁膜内の可動イオン量を評価する
ことができる。
るＢＴ処理（Bias Temperature処理）と、Ｃ−Ｖ特性評
価とによって行なうのが一般的である。従来のＢＴ処理
は、高温状態で絶縁膜上のゲート電極に直流バイアスを
印加する処理である。図４は、従来のＢＴ処理の方法を
示す概念図である。図４において、半導体ウエハ１００
の絶縁膜１０２の上には電極２０１が形成されている。
電極２０１と半導体ウエハの基板１０１との間には直流
バイアスが印加される。高温状態で直流バイアスを印加
すると、絶縁膜中の可動イオンがバイアスに応じて移動
し、この結果、Ｃ−Ｖ測定で得られるフラットバンド電
圧Ｖfbが変化する。従って、ＢＴ処理の前後にＣ−Ｖ特
性を測定してフラットバンド電圧Ｖfbの変化量を求める
と、この変化量から絶縁膜内の可動イオン量を評価する
ことができる。
【０００４】なお、従来のＣ−Ｖ測定は、電極２０１と
基板１０１との間に交流電圧を印加することによって行
なわれていた。すなわち、電極２０１はＣ−Ｖ測定とＢ
Ｔ処理の両方において利用されていた。
基板１０１との間に交流電圧を印加することによって行
なわれていた。すなわち、電極２０１はＣ−Ｖ測定とＢ
Ｔ処理の両方において利用されていた。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】ところで、絶縁膜１０
２上に電極２０１を形成すると、電極形成のプロセスに
おいて、絶縁膜１０２中に可動イオンが混入してしまう
可能性がある。従って、絶縁膜中の可動イオン量が多い
と評価された場合に、従来の方法では、絶縁膜形成のプ
ロセスに原因があるのか、電極形成のプロセスに原因が
あるのかを区別できなかった。
２上に電極２０１を形成すると、電極形成のプロセスに
おいて、絶縁膜１０２中に可動イオンが混入してしまう
可能性がある。従って、絶縁膜中の可動イオン量が多い
と評価された場合に、従来の方法では、絶縁膜形成のプ
ロセスに原因があるのか、電極形成のプロセスに原因が
あるのかを区別できなかった。
【０００６】そこで、本出願人は、絶縁膜上に電極を形
成せずに非接触でＣ−Ｖ測定を行なう装置を開発し、特
開平４−１３２２３６号公報にその装置を開示してい
る。図５は、この非接触Ｃ−Ｖ測定装置の概念図であ
る。この装置では、電極２０１が半導体ウエハ１００の
表面から約１μｍ以下のギャップ△Ｇを介して保持され
ており、この電極２０１と半導体ウエハ１００との間に
交流電圧を印加することによってＣ−Ｖ特性を測定す
る。
成せずに非接触でＣ−Ｖ測定を行なう装置を開発し、特
開平４−１３２２３６号公報にその装置を開示してい
る。図５は、この非接触Ｃ−Ｖ測定装置の概念図であ
る。この装置では、電極２０１が半導体ウエハ１００の
表面から約１μｍ以下のギャップ△Ｇを介して保持され
ており、この電極２０１と半導体ウエハ１００との間に
交流電圧を印加することによってＣ−Ｖ特性を測定す
る。
【０００７】ところが、非接触Ｃ−Ｖ測定装置でＣ−Ｖ
測定を行なう場合には、絶縁膜１０２上に電極２０１を
形成しないので、図４の方法でＢＴ処理を行なうことが
できないという問題がある。この発明は、従来技術にお
ける上述の課題を解決するためになされたものであり、
絶縁膜上に電極を形成することなくＢＴ処理を行なうこ
とのできるＢＴ処理装置を提供することを目的とする。
測定を行なう場合には、絶縁膜１０２上に電極２０１を
形成しないので、図４の方法でＢＴ処理を行なうことが
できないという問題がある。この発明は、従来技術にお
ける上述の課題を解決するためになされたものであり、
絶縁膜上に電極を形成することなくＢＴ処理を行なうこ
とのできるＢＴ処理装置を提供することを目的とする。
【０００８】
【課題を解決するための手段】上述の課題を解決するた
め、この発明によるＢＴ処理装置は、２枚の半導体ウエ
ハの互いの主面を、所定のギャップを隔てて向き合わせ
た状態で保持する半導体ウエハ保持手段と、前記２枚の
半導体ウエハを加熱する加熱手段と、前記２枚の半導体
ウエハ間に所定の直流電圧を印加する直流電源と、を備
える。
め、この発明によるＢＴ処理装置は、２枚の半導体ウエ
ハの互いの主面を、所定のギャップを隔てて向き合わせ
た状態で保持する半導体ウエハ保持手段と、前記２枚の
半導体ウエハを加熱する加熱手段と、前記２枚の半導体
ウエハ間に所定の直流電圧を印加する直流電源と、を備
える。
【０００９】
【作用】２枚の半導体ウエハの互いの主面を所定のギャ
ップを隔てて向き合わせた状態で保持し、これらの半導
体ウエハに直流電圧を印加するので、半導体ウエハの上
に電極を形成することなくＢＴ処理を行なうことができ
る。
ップを隔てて向き合わせた状態で保持し、これらの半導
体ウエハに直流電圧を印加するので、半導体ウエハの上
に電極を形成することなくＢＴ処理を行なうことができ
る。
【００１０】
【実施例】図１は、この発明の第１の実施例としてのＢ
Ｔ処理装置を示す断面図である。このＢＴ処理装置ＢＴ
１は、ベース１０とベース１０上に載置されたカバー１
２とで構成される筺体の中に収納されている。ベース１
０の上には第１の加熱板１４が設置されており、さらに
第１の加熱板１４の上には第１の吸着板１６が設置され
ている。第１の吸着板１６の上には第１の半導体ウエハ
１００ａが載置される。第１の吸着板１６の上表面には
溝１６ａが形成されている。この溝１６ａは、吸着板１
６と加熱板１４とベース１０とを貫通する貫通孔２０に
連通しており、貫通孔２０はパイプによって真空ポンプ
２２に接続されている。半導体ウエハ１００ａを吸着板
１６上に載置し、真空ポンプ２２を運転すると、半導体
ウエハ１００ａが吸着板１６に吸着される。
Ｔ処理装置を示す断面図である。このＢＴ処理装置ＢＴ
１は、ベース１０とベース１０上に載置されたカバー１
２とで構成される筺体の中に収納されている。ベース１
０の上には第１の加熱板１４が設置されており、さらに
第１の加熱板１４の上には第１の吸着板１６が設置され
ている。第１の吸着板１６の上には第１の半導体ウエハ
１００ａが載置される。第１の吸着板１６の上表面には
溝１６ａが形成されている。この溝１６ａは、吸着板１
６と加熱板１４とベース１０とを貫通する貫通孔２０に
連通しており、貫通孔２０はパイプによって真空ポンプ
２２に接続されている。半導体ウエハ１００ａを吸着板
１６上に載置し、真空ポンプ２２を運転すると、半導体
ウエハ１００ａが吸着板１６に吸着される。
【００１１】ベース１０には、また、リニアガイド２４
が垂直方向に立設されている。リニアガイド２４には、
第２の加熱板２６が垂直方向に移動可能に連結されてい
る。第２の加熱板２６は、パルスモータ２８によって駆
動され、リニアガイド２４に沿って垂直方向に移動す
る。第２の加熱板２６の下面には第２の吸着板３０が固
定されている。第２の吸着板３０は、第１の吸着板１６
と同様に、第２の半導体ウエハ１００ｂを吸着する。な
お、第１と第２の加熱板１４，２６にはそれぞれヒータ
１４ａ，２６ａが内蔵されている。また、第１と第２の
吸着板１６，３０はアルミニウムや銅などの金属製であ
り、配線４０を介して直流電源４２の両極に吸着板１
６，３０がそれぞれ電気的に接続される。
が垂直方向に立設されている。リニアガイド２４には、
第２の加熱板２６が垂直方向に移動可能に連結されてい
る。第２の加熱板２６は、パルスモータ２８によって駆
動され、リニアガイド２４に沿って垂直方向に移動す
る。第２の加熱板２６の下面には第２の吸着板３０が固
定されている。第２の吸着板３０は、第１の吸着板１６
と同様に、第２の半導体ウエハ１００ｂを吸着する。な
お、第１と第２の加熱板１４，２６にはそれぞれヒータ
１４ａ，２６ａが内蔵されている。また、第１と第２の
吸着板１６，３０はアルミニウムや銅などの金属製であ
り、配線４０を介して直流電源４２の両極に吸着板１
６，３０がそれぞれ電気的に接続される。
【００１２】第１と第２の半導体ウエハ１００ａ，１０
０ｂをＢＴ処理装置ＢＴ１にセットする際には、カバー
１２を外し、パルスモータ２８を駆動して第２の加熱板
２６と第２の吸着板３０とを上方に退避させる。次に、
第１と第２の半導体ウエハ１００ａ，１００ｂを吸着板
１６，３０にそれぞれ吸着させる。半導体ウエハ１００
ａ，１００ｂの表面には、全面に渡って絶縁膜が形成さ
れている。そして、絶縁膜が形成された主面が互いに向
き合うように設置される。つぎに、パルスモータ２８を
駆動して、２枚の半導体ウエハ１００ａ，１００ｂのギ
ャップ△Ｇを所定の値（約５μｍ〜約３０μｍ）に設定
する。このギャップの値は、直流電源４２の電圧と、Ｂ
Ｔ処理において必要とされる半導体ウエハ内の電界強度
とに応じて予め決定される。
０ｂをＢＴ処理装置ＢＴ１にセットする際には、カバー
１２を外し、パルスモータ２８を駆動して第２の加熱板
２６と第２の吸着板３０とを上方に退避させる。次に、
第１と第２の半導体ウエハ１００ａ，１００ｂを吸着板
１６，３０にそれぞれ吸着させる。半導体ウエハ１００
ａ，１００ｂの表面には、全面に渡って絶縁膜が形成さ
れている。そして、絶縁膜が形成された主面が互いに向
き合うように設置される。つぎに、パルスモータ２８を
駆動して、２枚の半導体ウエハ１００ａ，１００ｂのギ
ャップ△Ｇを所定の値（約５μｍ〜約３０μｍ）に設定
する。このギャップの値は、直流電源４２の電圧と、Ｂ
Ｔ処理において必要とされる半導体ウエハ内の電界強度
とに応じて予め決定される。
【００１３】その後、カバー１２をベース１０上に設置
し、ＢＴ処理を開始する。すなわち、加熱板１４，２６
のヒータ１４ａ．２６ａを発熱させて半導体ウエハ１０
０ａ，１００ｂを加熱しつつ、直流電源４２によって半
導体ウエハ１００ａ，１００ｂに直流バイアスを印加す
る。なお、この際、カバー１２の左右に設けられている
開口部１２ａ，１２ｂを通して窒素ガスが導入され、Ｂ
Ｔ処理装置ＢＴ１内がパージされる。これにより、半導
体ウエハ表面の加熱中の汚染が防止される。
し、ＢＴ処理を開始する。すなわち、加熱板１４，２６
のヒータ１４ａ．２６ａを発熱させて半導体ウエハ１０
０ａ，１００ｂを加熱しつつ、直流電源４２によって半
導体ウエハ１００ａ，１００ｂに直流バイアスを印加す
る。なお、この際、カバー１２の左右に設けられている
開口部１２ａ，１２ｂを通して窒素ガスが導入され、Ｂ
Ｔ処理装置ＢＴ１内がパージされる。これにより、半導
体ウエハ表面の加熱中の汚染が防止される。
【００１４】このＢＴ処理装置ＢＴ１では、半導体ウエ
ハの上に電極を形成することなくＢＴ処理を行なうこと
ができる。また、２枚の半導体ウエハに対して逆のバイ
アスを掛けつつ、同時にＢＴ処理を行なうことができる
という利点がある。さらに、半導体ウエハの全面に形成
された絶縁層（例えば酸化層）の全体に対してＢＴ処理
を同時に行なうことができる。従って、ＢＴ処理の前後
において、半導体ウエハの複数の位置においてＣ−Ｖ測
定を実施すれば、絶縁膜形成の良否を、半導体ウエハの
複数位置において評価することができるという利点があ
る。
ハの上に電極を形成することなくＢＴ処理を行なうこと
ができる。また、２枚の半導体ウエハに対して逆のバイ
アスを掛けつつ、同時にＢＴ処理を行なうことができる
という利点がある。さらに、半導体ウエハの全面に形成
された絶縁層（例えば酸化層）の全体に対してＢＴ処理
を同時に行なうことができる。従って、ＢＴ処理の前後
において、半導体ウエハの複数の位置においてＣ−Ｖ測
定を実施すれば、絶縁膜形成の良否を、半導体ウエハの
複数位置において評価することができるという利点があ
る。
【００１５】図２は、この発明の第２の実施例としての
ＢＴ処理装置を示す断面図である。このＢＴ処理装置Ｂ
Ｔ２は、図１のＢＴ処理装置ＢＴ１の吸着板１６，３０
を省略し、また、半導体ウエハを吸着するための溝５２
ａ，５４ａを有する加熱板５２，５４を加熱板１４，２
６の代わりに採用している。すなわち、図２の加熱板５
２，５４は図１における吸着板１６，３０と加熱板１
４，２６の両方の役割を果たしている。加熱板５２，５
４はアルミニウムや銅などの金属製であり、直流電源４
２がこれらの加熱板５２，５４に電気的に接続されてい
る。他の構成は、図１のＢＴ処理装置と同じである。図
２のＢＴ処理装置ＢＴ２も、図１のＢＴ処理装置ＢＴ２
と同様の効果を有している。ただし、図２のＢＴ処理装
置ＢＴ２の方が部品点数が少なく、また、装置全体を小
さくすることが可能である。
ＢＴ処理装置を示す断面図である。このＢＴ処理装置Ｂ
Ｔ２は、図１のＢＴ処理装置ＢＴ１の吸着板１６，３０
を省略し、また、半導体ウエハを吸着するための溝５２
ａ，５４ａを有する加熱板５２，５４を加熱板１４，２
６の代わりに採用している。すなわち、図２の加熱板５
２，５４は図１における吸着板１６，３０と加熱板１
４，２６の両方の役割を果たしている。加熱板５２，５
４はアルミニウムや銅などの金属製であり、直流電源４
２がこれらの加熱板５２，５４に電気的に接続されてい
る。他の構成は、図１のＢＴ処理装置と同じである。図
２のＢＴ処理装置ＢＴ２も、図１のＢＴ処理装置ＢＴ２
と同様の効果を有している。ただし、図２のＢＴ処理装
置ＢＴ２の方が部品点数が少なく、また、装置全体を小
さくすることが可能である。
【００１６】図３は、この発明の第３の実施例としての
ＢＴ処理装置を示す断面図である。このＢＴ処理装置Ｂ
Ｔ３は、図２のＢＴ処理装置ＢＴ２におけるリニアガイ
ド２４とパルスモータ２８の代わりに、２つの加熱板５
２，５４の間に挟み込まれるＯリング５６を採用してい
る。半導体ウエハ１００ａ，１００ｂ間のギャップは、
Ｏリング５６の断面直径によって決定される。このＯリ
ング５６は、温度変化や応力による変形が小さく、半導
体ウエハ間のギャップを正確に設定することができる材
料（例えば、石英ガラス）で製作することが好ましい。
ＢＴ処理装置を示す断面図である。このＢＴ処理装置Ｂ
Ｔ３は、図２のＢＴ処理装置ＢＴ２におけるリニアガイ
ド２４とパルスモータ２８の代わりに、２つの加熱板５
２，５４の間に挟み込まれるＯリング５６を採用してい
る。半導体ウエハ１００ａ，１００ｂ間のギャップは、
Ｏリング５６の断面直径によって決定される。このＯリ
ング５６は、温度変化や応力による変形が小さく、半導
体ウエハ間のギャップを正確に設定することができる材
料（例えば、石英ガラス）で製作することが好ましい。
【００１７】図３のＢＴ処理装置ＢＴ３も、図１や図２
のＢＴ処理装置と同様の効果を有している。図３のＢＴ
処理装置ＢＴ３では、リニアガイド２４とパルスモータ
２８とが不要なので、部品点数がさらに少なく、構成が
単純になる。また、図２のＢＴ処理装置ＢＴ２よりもさ
らに小型化することが可能である。なお、この発明は上
記実施例に限られるものではなく、その要旨を逸脱しな
い範囲において種々の態様において実施することが可能
である。例えば、半導体ウエハを吸着以外の他の慣用手
段で保持するようにしてもよい。ただし、吸着して保持
すると、半導体ウエハに傷をつけにくいという利点があ
る。また、加熱手段としては、加熱板の他に、赤外線加
熱などの他の加熱手段を使用してもよい。
のＢＴ処理装置と同様の効果を有している。図３のＢＴ
処理装置ＢＴ３では、リニアガイド２４とパルスモータ
２８とが不要なので、部品点数がさらに少なく、構成が
単純になる。また、図２のＢＴ処理装置ＢＴ２よりもさ
らに小型化することが可能である。なお、この発明は上
記実施例に限られるものではなく、その要旨を逸脱しな
い範囲において種々の態様において実施することが可能
である。例えば、半導体ウエハを吸着以外の他の慣用手
段で保持するようにしてもよい。ただし、吸着して保持
すると、半導体ウエハに傷をつけにくいという利点があ
る。また、加熱手段としては、加熱板の他に、赤外線加
熱などの他の加熱手段を使用してもよい。
【００１８】
【発明の効果】以上説明したように、本発明のＢＴ処理
装置によれば、２枚の半導体ウエハの互いの主面を所定
のギャップを隔てて向き合わせた状態で保持し、これら
の半導体ウエハに直流電圧を印加するので、半導体ウエ
ハの上に電極を形成することなくＢＴ処理を行なうこと
ができるという効果がある。
装置によれば、２枚の半導体ウエハの互いの主面を所定
のギャップを隔てて向き合わせた状態で保持し、これら
の半導体ウエハに直流電圧を印加するので、半導体ウエ
ハの上に電極を形成することなくＢＴ処理を行なうこと
ができるという効果がある。
【図１】この発明の第１の実施例としてのＢＴ処理装置
を示す断面図。
を示す断面図。
【図２】この発明の第２の実施例としてのＢＴ処理装置
を示す断面図。
を示す断面図。
【図３】この発明の第３の実施例としてのＢＴ処理装置
を示す断面図。
を示す断面図。
【図４】従来のＢＴ処理の方法を示す概念図。
【図５】非接触Ｃ−Ｖ測定装置の概念図。
１０…ベース １２…カバー １２ａ，１２ｂ…開口部 １４，２６…加熱板 １４ａ，２６ａ…ヒータ １６，３０…吸着板 １６ａ…溝 ２０…貫通孔 ２２…真空ポンプ ２４…リニアガイド ２８…パルスモータ ３０…第２の吸着板 ４０…配線 ４２…直流電源 ５２，５４…加熱板 ５２ａ，５４ａ…溝 ５６…Ｏリング １００，１００ａ，１００ｂ…半導体ウエハ １０１…基板 １０２…絶縁膜 ２０１…電極 Ｖｆｂ…フラットバンド電圧 △Ｇ…ギャップ
Claims (1)
- 【請求項１】 半導体ウエハのＢＴ処理を行なうＢＴ処
理装置であって、 ２枚の半導体ウエハの互いの主面を、所定のギャップを
隔てて向き合わせた状態で保持する半導体ウエハ保持手
段と、 前記２枚の半導体ウエハを加熱する加熱手段と、 前記２枚の半導体ウエハ間に所定の直流電圧を印加する
直流電源と、 を備えることを特徴とするＢＴ処理装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP22331592A JPH0653301A (ja) | 1992-07-29 | 1992-07-29 | 半導体ウエハのｂｔ処理装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP22331592A JPH0653301A (ja) | 1992-07-29 | 1992-07-29 | 半導体ウエハのｂｔ処理装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0653301A true JPH0653301A (ja) | 1994-02-25 |
Family
ID=16796230
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP22331592A Pending JPH0653301A (ja) | 1992-07-29 | 1992-07-29 | 半導体ウエハのｂｔ処理装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0653301A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0982761A1 (de) * | 1998-08-27 | 2000-03-01 | Wacker Siltronic Gesellschaft für Halbleitermaterialien Aktiengesellschaft | Verfahren und Vorrichtung für die Wärmebehandlung von Halbleiterplatten |
| WO2008081400A1 (en) | 2006-12-28 | 2008-07-10 | Tofas Turk Otomobil Fabrikasi Anonim Sirketi | Flexible seat system |
| US9263192B2 (en) | 2012-08-30 | 2016-02-16 | Aoi Electronics Co., Ltd. | Method for forming electret containing positive ions |
-
1992
- 1992-07-29 JP JP22331592A patent/JPH0653301A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0982761A1 (de) * | 1998-08-27 | 2000-03-01 | Wacker Siltronic Gesellschaft für Halbleitermaterialien Aktiengesellschaft | Verfahren und Vorrichtung für die Wärmebehandlung von Halbleiterplatten |
| WO2008081400A1 (en) | 2006-12-28 | 2008-07-10 | Tofas Turk Otomobil Fabrikasi Anonim Sirketi | Flexible seat system |
| US9263192B2 (en) | 2012-08-30 | 2016-02-16 | Aoi Electronics Co., Ltd. | Method for forming electret containing positive ions |
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