JPH06511313A - Ｘ線を使用して層の厚みを測定する装置の較正装置および較正方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるため要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 Ｘ線を使用して層の厚みを測定する装置の較正装置および較正方法 Ｘ線を使用して物質の厚みすなわち被覆の厚みをゲージ測定するシステムは、多 くの文献、特にジニュー（Ｇｉｇｎｏｕｘ）とムレイ（Ｍｕｒｒａｙ）の米国特 許第４５７４３８７号に詳細に発表されている。さらに精度を上げるには、厚み を検出器出力と関係づける一つの曲線すなわち関数を得るために、異なるゲージ 厚みを持つ多数の標準器又はこれらの組み合わせをビーム中に配置する、曲線あ わせとしての周知の作業を、これらのゲージを用いてしばしば実施する必要があ る。ビーム中の標準器の各組み合わせに対して、ゲージの演算手段が、標準器の 合計が示す厚みと、ゲージ検知器から得られる読み取り値とを記憶する。次に、 厚みの関数として検知器出力が示す全ての点にわたって、曲線を当てはめる。こ の「曲線あわせ」と呼ばれる作業は、面倒でしかもコストがかかるうえに、別々 に使用する１０個又は１２個にも及ぶ標準器をふくむ標準マガジンが必要である 。再度完全な較正を行う必要が生ずるのは、調整の目的でＸ線管に供給した高電 圧に比例する電圧をフィードバックするために、分圧器として使用した高電圧抵 抗器のような構成要素の公差が原因で、Ｘ線管に供給される高電圧が変動するこ とに主たる原因がある。これらの高電圧抵抗器には、製造に起因する公差と、電 圧および温度に関する係数とか存在する。

その結果、正確ではあるか極めて高いコストのかかる高電圧計を用いて、Ｘ線管 にかかる電圧を直接測定しないことには、Ｘ線管にかかる高電圧の正確な値は、 決してまらない。しかし、Ｘ線によるゲージ測定システムでは、Ｘ線管にかかる 高電圧変動か、厚み測定の際の精度損失となって現れる。

再度完全な較正を行う必要は絶対的であって、ゲージのＸ線源か故障して取り替 えを要するときは、特にそうである。

本発明は、完全に較正することを必要とせずに、Ｘ線管に供給される高電圧を、 元の完全な較正のときに供給されたものと同じ値に復元することで、物質層の厚 みを測定するＸ線によるゲージ測定システムの測定精度を元どおりに復帰する手 段を提供せんとするものである。本方法を実施するには、２個のサンプルと、Ｘ 線管にかかる高電圧を自動的に制御する手段とが必要である。また本発明は、必 要とする標準器の数を１個又は２個に制限しても、公知のゲージで得られたのと 同じ精度を達成可能にしようとするものである。

本発明によれば、層の厚みを測定する装置の較正装置が提供され、この層の厚み を測定する装置は、厚みを測定する層に向けて配置されて予め決められたエネル ギーのＸ線を発生するＸ線発生器と、測定する層の厚みの関数の出力の形になっ た放射線を受けるように配置した放射線検知器とから構成され、前記較正装置の 特徴は、ｉ）層が存在しないとき、 ｉｉ）第一の予め決まった厚みのサンプル層をつけたとき、ｉｉ）第二の予め決 まった厚みのサンプルをつけたとき、および■）無限厚みのサンプルと同じ効果 を発揮する厚みをもつサンプルをつけたときに、 検知器から存られる出力信号に応じて層からの放射線強度を測定するための演算 手段を有することにある。

本発明の一実施例では、Ｘ線発生器と放射線検知器とが層の両側に配置され、そ の場合の較正比は、第一の予め決まった厚みのサンプルをつけたときの検知器出 力から、放射線検知器のバックグラウンド出力値を差し引いたものを分子にもち 、また第二の予め決まった厚みのサンプルをつけたときの検知器出力から、放射 線検知器のバックグラウンド出力値を差し引いたものを分母にもつ関数である。

本発明の他の実施例では、Ｘ線発生器と検知器手段とが厚みを測定する層に対し 同し側に配置され、また蛍光を発する能力のある別の物質のシートが、層の他の 側に配置される。この場合の較正比は、第一の予め決まった厚みのサンプルをつ けたときの検知器出力から、放射線検知器のバックグラウンド出力値を差し引い たものを分子にもち、また第二の予め決まった厚みのサンプルをつけたときの検 出器出力から、放射線検知器のバックグラウンド出力を差し引いたものを分母に もつ関数である。

本発明のさらに他の実施例では、Ｘ線発生器と検知器手段とが厚みを測定する層 に対し同じ側に配置され、また後方散乱する能力のある別の物資のシートが、層 の他の側に配置される。この場合の較正比は、第一の予め決まった厚みのサンプ ルをつけたときの検知器出力から、放射線検知器のバックグラウンド出力値を差 し引いたものを分子にもち、また第二の予め決まった厚みのサンプルをつけたと きの検知器出力から、放射線検知器のバックグラウンド出力を差し引いたものを 分母にもつ関数である。

本発明のさらなる実施例では、Ｘ線発生器と放射線検知器とが厚みを測定する層 に対し同じ側に配置され、その層の物質は蛍光を発する能力がある。この場合の 較正比は、サンプルが存在しないときの検知器出力から、第二の予め決まった厚 みのサンプルをつけたときの値を差し引いたものを分子にもち、またサンプルの 存在しないときの検知器出力から、無限厚みのサンプルについての放射線検知器 の出力を差し引いたものを分母にもつ関数である。

本発明の他の実施例では、Ｘ線発生器と放射線検知器とが、厚みを測定する層に 対し同じ側に配置され、その層の物質は蛍光を発する能力がある。この場合の較 正比は、第一の予め決まった厚みのサンプルをつけたときの検知器出力から、放 射線検知器のバックグラウンド出力を差し引いたものを分子にもち、また無限厚 みのサンプルについての検知器出力から、放射線検知器のバックグラウンド出力 を差し引いたものを分母にもつ関数である。

本発明のさらに他の実施例では、Ｘ線発生器と放射線検知器とが厚みを測定する 層に対し同じ側に配置され、その層の物質は後方散乱する能力がある。この場合 の較正比は、サンプルの存在しないときの検知器出力から、第二の予め決まった 厚みのサンプル値を差し引いたものを分子にもち、またサンプルの存在しないと きの検知器出力から、無限厚みのサンプルについての放射線検知器の出力を差し 引いたものを分母にもつ関数である。

本発明のさらなる実施例では、第一の予め決まった厚みのサンプルにつき、その 厚みを零に等しいとすることができる。

本発明はまた、層の厚みを測定する装置を較正する方法をも提供する。この方法 は、次のステップを有する。すなわち、ｉ）予め決まったエネルギをもつＸ線ビ ームを、厚みを測定すべき層に向け、 ｉｉ）層の厚みの関数の出力の形の信号として、層から発生する放射線を検知し 、 伍）放射されたビームの強度を、次の場合に数値としてｆｆ１ｌｌ定し、ａ）層 が存在しないとき（Ｉｏ）、 ｂ）第一の予め決まった厚みのサンプルをつけたとき（ｌ、）、Ｃ）第二の予め 決まった厚みのサンプルをつけｔことき（■、）、そして、 ｄ）無限厚みのサンプルと同じ値を発生する厚みを持つサンプルをつけたとき（ Ｉコ）、 そして、前記予め決まったサンプルの厚みを示すととも（＝、Ｘ線ビームのエネ ルギーを変化させることで較正比をある一定値（こ維持するところの、放射線強 度の少なくとも一部の測定値あるＩ、％ｌよ全測定値から、較正比をめるもので ある。

本発明の方法は多くのやり方で実施することができる力（、その一つにおいては 、Ｘ線発生器と放射線検知器とを、層の両側−配置する。その場合の較正比は、 第一の予め決まった厚みのサンプルをつけたときの検知器出力から、放射線線検 知器のツク・ツクグラウンド出力値を差し引いたものを分子にもち、また第二の 予め決まった厚みのサンプルをつけたときの検知器出力から、放射線検知器の］ くツクグラウンド出力を差し引いたものを分母にもつ関数で−ある（■１−ｖ　 ｂ／Ｖ２−Ｖ−）。

本発明を実施するための他の方法においては、Ｘ線発生器と検知器手段とを、厚 みを測定する層に対し同じ側に配置し、また蛍光を発する能力のある別の物質の シートを、層の他の側に配置する。この場合の較正比は、第一の予め決まった厚 みのサンプルをつｌすたときの検知器出力から、放射線検知器のノ＜・ツクグラ ウンド出力を差し引いたものを分子にもち、また第二の予め決まった厚みのサン ブルをつけたときの検知器出力から、放射線検知器のバックグラウンド出力を差 し引いたものを分母にもつ関数である（Ｖ、−Ｖ、／Ｖ。

−■、）。

本発明にもとづく他の方法では、Ｘ線発生器と検知器手段とを、厚みを測定する 層に対し同じ側に配置し、また後方散乱が可能な物質のシートを層の他の側に配 置する。このときの較正比は、第一の予め決まった厚みのサンプルをつけたとき の検知器出力から、放射線のバックグラウンド出力値を差し引いたものを分子に もち、また第二の予め決まった厚みのサンプルをつけたときの検知器出力から、 放射線のバックグラウンド出力を差し引いたものを分母にもつ関数である。

本発明にもとづくさらに他の方法では、Ｘ線発生器と放射線検知器とを、厚みを 測定する層に対し同じ側に配置する。層の物質は、蛍光を発する能力がある。こ の場合の較正比は、サンプルが存在しないときの検知器出力から、第二の予め決 まった厚みのサンプルについての値を差し引いたものを分子にもち、またサンプ ルが存在しないときの検知器出力から、無限厚みのサンプルをつけたときの放射 線検知器出力を差し引いたものを分母にもつ関数である（ｖｏ−Ｖ２／Ｖ。−Ｖ ｓ）。

本発明を実施するためのさらなる方法によれば、Ｘ線発生器と放射線検知器とを 、厚みを測定する層に対し同じ側に配置する。その層の物質は、蛍光を発する能 力がある。この場合の較正比は、第一の予め決まった厚みのサンプルをつけたと きの検知器出力から、放射線検知器のバックグラウンド出力を差し引いたものを 分子にもち、また無限厚みのサンプルをつけたときの検知器出力から、放射線検 知器のバックグラウンド出力を差し引いたものを分母にもつ関数である（Ｖ、− Ｖ、／ｖ＊　−Ｖ、　）。

本発明を実施するためのさらなる方法においては、Ｘ線発生器と放射線検知器と を、厚みを測定する層に対し同じ側に配置する。その層の物質は、後方散乱が可 能である。この場合の較正比は、サンプルの存在しないときの検知器出力から第 二の予め決まった厚みのサンプル値を差し引いたものを分子にもち、またサンプ ルの存在しないときの検知器出力から、無限厚みのサンプルをつけたときの放射 線検知器の出力を差し引いたものを分母にもつ関数である（　Ｖ　Ｏ−Ｖ、／Ｖ 、−Ｖ２　）。

本発明を実施するに際して、第一の予め決まったサンプルの厚みを零とすること もできる。

次に、添付の図面を参照しつつ、実施例を用いて本発明を説明する。

図１は、第１実施例の装置部品の配置を示す概略図である。

図２は、第２実施例を示す類似の概略図である。

図１に示すとおり、層の厚みは透過法で測定され、Ｘ線源１が予め決定されたエ ネルギーの放射ビームを検知器２に対して放射する。

測定する物質層３を放射線源ｌと検知器２との間に配置して、層を通過する前で 強度Ｉ０を示す放射ビームが層を通過して、強度Ｉで検知器に達するものとする 。本装置には２個の検定板５．６が付属する。

一次近似として、測定層３の厚みＸは次式によって１およびＩｏと関係づけられ る。

（１）　Ｉ＝Ｉｏｅ　ｑ ここに係数ｑは物質中を通過する放射線ビームの光子の平均自由行程である。

放射線ビームの強度が変化すると、■およびＩｏの値も変化する。

このような強度の変化は、■とＩｏについて同じ割合となる。Ｘ線管の電圧エネ ルギーＥが変化すると、係数ｑの変化と１０の変化とによって曲線の形が変わる 。係数ｑはＥに関して次のように変化し、−Ｅ２ もしＸ線管の真空中ての電子流を一定とすると測定中は、Ｉと１゜の両者はＥの 二乗で変化する。式（２）を応用するに際して、Ｅが変化するとｑとＩも変わる ものと想像されるか、ＩｏはＥが変化する前に測定したものなので、式中に使用 された■。の値か変わるとは考えられない。

この式から、訂正を受けないＥ値の変化が、次の関係式に従ってＸ値の変化とな って現れる。

ｄ　ｘ／ｘ＝ｎ　−ｄ　Ｅ／Ｅ ここでｎは３〜１３の範囲で変化する。

従ってＸが１０００当たり１以上は変化しないようにするためには、Ｅがｔｏｏ ｏ当たりｌ／３から１７１３以上は変化しないようにすることが必要になる。し かし、これを達成することは困難である。

一般的には電圧Ｅを一定値に保つために調節系を使用する。最もありふれた例で は、抵抗を利用した分圧器を用いて電圧を分割し、高電圧を一定に保つため閉ル ープ回路でこの電圧を使用する。ここで発生する主たる問題の一つは、極めて高 い電圧測定に使用する抵抗器か温度変化に極めて鋭敏なことで、そのために電圧 を一定に保つたけてなく、許容範囲を越えてまで電圧を変えるように大きく変化 することである。この理由から既知のゲージの中に標準マガジンを充分に準備し て、Ｘと■に関する曲線、又は関数を、必要に応じてしばしば再決定出来るよう にする。

ここで電圧が変動すると、■と■。にも相対的に等しい変動を生ずることが明ら かである。したがって電圧を一定に保つには、係数ｑを一定に維持する必要があ ることも明らかである。

このことは、■とＩｏとの比を測定することで達成できる、すなわち標準サンプ ルによる一定厚みＸについての透過比を測定することで達成できる。

このようにして、Ｘ線管に供給される高電圧の測定に透過比を使用し、透過比が 再び前の値となるまで、閉ループ制御回路を使ってドリフト後の電圧を変化させ る。そのとき、新たな電圧の値は、測定前に発生した電圧に等しくなる。

実際上は、電子素子についての制限によって、■。を測定することは一般に不可 能である。その時は、図１に示すとおり、厚みがそれぞれＸ、、！：Ｘ２の二つ のサンプル４．５を使用する。エネルギーがドリフトしたのではないかとの疑い がある後での測定値にプライムを付けて示すと、次の式が得られる。

ｘｌ ｘｌ Ｘ鵞 ｑを変化させないためには、すなわちｑ＝ｑ’とするためには、■の測定値の比 が一定となることが必要かつ十分である。

この比を較正比と称する。実際上は、較正比の値がドリフトしたことが分かると 、この較正比が元の値に戻るまでＥの値を変えることができる。このようにして 、抵抗分圧器を用いてＥを測定するよりもはるかに正確な手法で、Ｅの値を一定 に維持することができる。

また、この比か変化した方向から、Ｅが変化した方向を決定することもできる。

もし放射線ビームの強度Ｉ０がＥ値の変動以外の理由で変化するのなら、このビ ームの強度１．へ施す修正と、上述の方法とを組み合わせることができる。

零に相当する厚みに較正範囲が到達するような場合でも、上述の方法はやはり効 果的である。この場合は次のようになるので、式はいっそう簡単になる。すなわ ち、 Ｘ、二〇のときに、ｌ１＝ＩＯ たとえば図２に示すとおり、Ｘ線蛍光ゲージについても、著しくこれに類似した 分析が可能になる。

つまり、Ｘ線源１１で発生した強度Ｉ０のＸ線ビームを、基板１４で支持した測 定すべき物質層すなわち被覆１３にあてる。そして強度Ｉの蛍光ビームを検知器 １２に集める。図示の好ましい構成では、検知器に集まる蛍光放射線量を最大に する目的で、ビームを囲む環状構造に検知器を形成する。サンプル１５．１６は 、同じ物質ではあるか厚みの異なる二種類の層が基板上に形成されたものである 。

ｌと１．どの関係は、二つの異なる方法によって、層の厚みＸに依存する。すな わち検知器か補集した蛍光ビームが、基板から放射されたものか、あるいは測定 すべき層から放射されたものかによって変わるからである。

Ａ、蛍光ビームが測定すべき層から放射されたものであるときは、次の関係が成 立する。

ここでｌｏｏは層の厚みが極めて大きいとき（Ｘ＝ＯＯ）に得られる強度であり 、またμは層の物質と当初のビームエネルギーとに関係する特性値である。Ｉｏ ｏが線源強度Ｉ０に比例することは明らかである。

Ｂ、蛍光ビームか基板から放射されたものであるときは、次の関係式が成立する 。

国際調査報告 国際調査報告 フロントページの続き （７２）発明者　ジニュー、ドミニク アメリカ合衆国　２０８１６　メリーランド州ベゼス　ダ、アルベマール　スト リート（７２）発明者　ボウエル、ローランド　ミッチェルアメリカ合衆国　メ リーランド州　２０８８４ゲイザースバーグ、プレイラン　コート

Claims (17)

【特許請求の範囲】
1. １．層の厚みを測定する装置の較正装置であり、前記測定装置が、厚みを測定す る層に向けて配置されて予め決まったエネルギーのＸ線を発生するＸ線発生器と 、測定する層の厚みの関数の出力の形になった放射線を受けるように配置した放 射線検知器とを備えたものにおいて、前記較正装置が、 ｉ）層が存在しないとき、 ｉｉ）第一の予め決まった厚みのサンプル層をつけたとき、ｉｉｉ）第二の予め 決まった厚みのサンプルをつけたとき、およびＩＶ）無限厚みのサンプルと同じ 効果を発揮する厚みをもつサンプルをつけたときに、 検知器から得られる出力信号に応じて層からの放射線強度を測定するための演算 手段を有することを特徴とするＸ線を使用して層の厚みを測定する装置の較正装 置。
2. ２．Ｘ線発生器と放射線検知器とが層の両側に配置されるとともに、較正比が、 第一の予め決まった厚みのサンプルをつけたときの検知器出力から、放射線検知 器のバックグラウンド出力値を差し引いたものを分子にもち、また第二の予め決 まった厚みのサンプルをつけたときの検知器出力から、放射線検知器のバックグ ラウンド出力値を差し引いたものを分母にもつ関数であることを特徴とする請求 項１記載のＸ線を使用して層の厚みを測定する装置の較正装置。
3. ３．Ｘ線発生器と検知器手段とが厚みを測定する層に対し同じ側に配置されると ともに、蛍光を発する能力のある別の物質のシートが層の他の側に配置され、か つ較正比が、第一の予め決まった厚みのサンプルをつけたときの検知器出力から 、放射線検知器のバックグラウンド出力値を差し引いたものを分子にもち、また 第二の予め決まった厚みのサンプルをつけたときの検出器出力から、放射線検知 器のバックグラウンド出力を差し引いたものを分母にもつ関数であることを特徴 とする請求項１記載のＸ線を使用して層の厚みを測定する装置の較正装置。
4. ４．Ｘ線発生器と検知器手段とが厚みを測定する層に対し同じ側に配置されると ともに、後方散乱する能力のある別の物資のシートが層の他の側に配置され、か つ較正比が、第一の予め決まった厚みのサンプルをつけたときの検知器出力から 、放射線検知器のバックグラウンド出力値を差し引いたものを分子にもち、また 第二の予め決まった厚みのサンプルをつけたときの検知器出力から、放射線検知 器のバックグラウンド出力を差し引いたものを分母にもつ関数であることを特徴 とする請求項１又は２記載のＸ線を使用して層の厚みを測定する装置の較正装置 。
5. ５．Ｘ線発生器と放射線検知器とが厚みを測定する層に対し同じ側に配置される とともに、層の物質が蛍光を発する能力を有し、かつ較正比が、サンプルが存在 しないときの検知器出力から、第二の予め決まった厚みのサンプルをつけたとき の値を差し引いたものを分子にもち、またサンプルの存在しないときの検知器出 力から、無限厚みのサンプルについての放射線検知器の出力を差し引いたものを 分母にもつ関数であることを特徴とする請求項４記載のＸ線を使用して層の厚み を測定する装置の較正装置。
6. ６．Ｘ線発生器と放射線検知器とが厚みを測定する層に対し同じ側に配置される とともに、層の物質が蛍光を発する能力を有し、かつ較正比が、第一の予め決ま った厚みのサンプルをつけたときの検知器出力から、放射線検知器のバックグラ ウンド出力を差し引いたものを分子にもち、また無限厚みのサンプルについての 検知器出力から、放射線検知器のバックグラウンド出力を差し引いたものを分母 にもつ関数であることを特徴とする請求項４記載のＸ線を使用して層の厚みを測 定する装置の較正装置。
7. ７．Ｘ線発生器と放射線検知器とが厚みを測定する層に対し同じ側に配置される とともに、層の物質が後方散乱する能力を有し、かつ較正比が、サンプルの存在 しないときの検知器出力から、第二の予め決まった厚みのサンプル値を差し引い たものを分子にもち、またサンプルの存在しないときの検知器出力から、無限厚 みのサンプルについての放射線検知器の出力を差し引いたものを分母にもつ関数 であることを特徴とする請求項４記載のＸ線を使用して層の厚みを測定する装置 の較正装置。
8. ８．第一の予め決まった厚みのサンプルのその厚みが零に等しいことを特徴とす る請求項１から７までのいずれか１項記載のＸ線を使用して層の厚みを測定する 装置の較正装置。
9. ９．ｉ）予め決まったエネルギをもつＸ線ビームを、厚みを測定すべき層に向け 、 ｉｉ）層の厚みの関数の出力の形の信号として、層から発生する放射線を検知し 、 ｉｉｉ）放射されたビームの強度を、次の場合に数値として測定し、ａ）層が存 在しないとき、 ｂ）第一の予め決まった厚みのサンプルをつけたとき、Ｃ）第二の予め決まった 厚みのサンプルをつけたとき、そして、ｄ）無限厚みのサンプルと同じ値を発生 する厚みを持つサンプルをつけたとき、 そして、前記予め決まったサンプルの厚みを示すとともに、Ｘ線ビームのエネル ギーを変化させることで較正比をある一定値に維持するところの、放射線強度の 少なくとも一部の測定値あるいは全測定値から、較正比を求めることを特徴とす るＸ線を使用して層の厚みを測定する装置の較正方法。
10. １０．Ｘ線発生器と放射線検知器とを層の両側に配置し、かつ較正比を、第一の 予め決まった厚みのサンプルをつけたときの検知器出力から、放射線線検知器の バックグラウンド出力値を差し引いたものを分子にもち、また第二の予め決まっ た厚みのサンプルをつけたときの検知器出力から、放射線検知器のバックグラウ ンド出力を差し引いたものを分母にもつ関数とすることを特徴とする請求項９記 載のＸ線を使用して層の厚みを測定する装置の較正方法。
11. １１．Ｘ線発生器と検知器手段とを、厚みを測定する層に対し同じ側に配置する とともに、蛍光を発する能力のある別の物質のシートを層の他の側に配置し、か つ較正比を、第一の予め決まった厚みのサンプルをつけたときの検知器出力から 、放射線検知器のバックグラウンド出力を差し引いたものを分子にもち、また第 二の予め決まった厚みのサンプルをつけたときの検知器出力から、放射線検知器 のバックグラウンド出力を差し引いたものを分母にもつ関数とすることを特徴と する請求項９記載のＸ線を使用して層の厚みを測定する装置の較正方法。
12. １２．Ｘ線発生器と検知器手段とを厚みを測定する層に対し同じ側に配置すると ともに、後方散乱が可能な物質のシートを層の他の側に配置し、かつ較正比を、 第一の予め決まった厚みのサンプルをつけたときの検知器出力から、放射線のバ ックグラウンド出力値を差し引いたものを分子にもち、また第二の予め決まった 厚みのサンプルをつけたときの検知器出力から、放射線のバックグラウンド出力 を差し引いたものを分母にもつ関数とすることを特徴とする請求項９記載のＸ線 を使用して層の厚みを測定する装置の較正方法。
13. １３．Ｘ線発生器と放射線検知器とを厚みを測定する層に対し同じ側に配置する とともに、層の物質に蛍光を発する能力を持たせ、かつ較正比を、サンプルが存 在しないときの検知器出力から、第二の予め決まった厚みのサンプルについての 値を差し引いたものを分子にもち、またサンプルが存在しないときの検知器出力 から、無限厚みのサンプルをつけたときの放射線検知器出力を差し引いたものを 分母にもつ関数とすることを特徴とする請求項９記載のＸ線を使用して層の厚み を測定する装置の較正方法。
14. １４．Ｘ線発生器と放射線検知器とを厚みを測定する層に対し同じ側に配置する とともに、層の物質に蛍光を発する能力を持たせ、かつ較正比を、第一の予め決 まった厚みのサンプルをつけたときの検知器出力から、放射線検知器のバックグ ラウンド出力を差し引いたものを分子にもち、また無限厚みのサンプルをつけた ときの検知器出力から、放射線検知器のバックグラウンド出力を差し引いたもの を分母にもつ関数とすることを特徴とする請求項９記載のＸ線を使用して層の厚 みを測定する装置の較正方法。
15. １５．Ｘ線発生器と放射線検知器とを厚みを測定する層に対し同じ側に配置する とともに、層の物質に後方散乱の能力を持たせ、かつ較正比を、サンプルの存在 しないときの検知器出力から第二の予め決まった厚みのサンプル値を差し引いた ものを分子にもち、またサンプルの存在しないときの検知器出力から、無限厚み のサンプルをつけたときの放射線検知器の出力を差し引いたものを分母にもつ関 数とすることを特徴とする請求項９又は１２記載のＸ線を使用して層の厚みを測 定する装置の較正方法。
16. １６．第一の予め決まった厚みのサンプルのその厚みを零とすることを特徴とす る請求項９から１５までのいずれか１項記載のＸ線を使用して層の厚みを測定す る装置の較正方法。
17. １７．請求項９から１６までのいずれか１項記載の方法を実施するための較正装 置。