JPH06510568A - 直接電気メッキ用温和塩基性促進液剤 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるため要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 官　メッキ　？ｇｕ塩　°液剤 関係出願 本願は、１９８９年１１月２１日に出願された合衆国特許願４４０，６６１号の 分割及び一部継続出願である。

木兄■の背景 立型Ω分野 本発明は、誘電性基材の直接電気メッキ、及び同基材の非電着性金属析出を伴う メッキとの関連で用いられる促進液剤に関する。

詳しく云うと、本発明は、電気メッキをする前の誘電性基材の表面処理をするた めの同イオンを含む温和な塩基性促進水溶液に関する。

本発明は、特に、予備的な非電着性金属析出のメッキ、転化コーティング、溶液 混合剤、又は伝導性クリップで、金属メッキを始める必要なしに、非伝導性又は 誘電性基板に金属を直接メッキする方法に関連して用いられるのに最適である。

本発明の温和な塩基性促進液剤は、多層回路板や銅を被覆した基材に適用でき、 特に、パターンメッキ処理、非被覆基板、及び成型された回路に用いられるのが 最適である。

また、本発明の温和な塩基性促進液剤は、多くのメッキ用金属を節約し、製造コ ストを軽減できる。

往水の技術 促進液剤は、通常金属メッキ工程の速度を増し、質を良くするために用いられる 。

誘電性表面の金属メッキの方法は多数公知であり、プリント回路板の製造に有用 であることが証明されている。

概して、誘電性表面の金属メッキは、まず触媒のはたらきで、被電着性金属析出 を伴う伝導性金属被覆物の上に、メッキ用金属を電気的に被覆した、非電着性金 属析出の金属デポジットに表面を変える。

的に影響されやすいのと、厳密な工程管理が必要なので、用途は限定されている 。

また、非常に危険で有毒な物質を使用しなければならぬので、非電着性金属析出 工程に限度がある。

これらの限度を克服し、非電着性金属析出メッキ段階を省略して、費用を軽減し 、健康リスクを回避する努力は、はんの一部しか成功していない。

一般に、非電着性金属析出メッキの代わりに、伝導性剤で基板を被覆するような 追加工程が、それらの代替方法である。

誘電性材の直接メッキは、非電着性金属析出の被覆金属層の代わりに、グラファ イトコーティング又は、伝導性金属粉コーティングを用いて達成されたけれども 、同様に厄介であり、欠点を有している。

特に、酸溶液中のパラジウム塩化物と錫塩化物からなる初期の非電着性金属析出 メッキ触媒システムは、１９４０年後半から１９５０年前半にかけて発達した。

例えば、米国特許第２，１０２，２５３号（バーゲストロム　Ｂａｒｇｓｔｒｏ ｍ）の明細書では、誘電性基板がまず酸性錫塩化物溶液に漬けられ、次にパラジ ウム塩化物溶液で増感される二段階法が開示されている。

このような触媒のはたらきによる表面は、非電着性金属析出のメッキ浴槽内に含 まれる適当な要素の酸化を介して、非電着性金属析出に伴う金属デポジット層の 発生を促進する。

この最初の非電着性金属析出による伝導性金属層は、さらに通常の電気メッキを 介してメッキされる。

しかし、この二段階触媒システムは、重大な欠点を有している。例えば、絶縁誘 電性基板の反対側に、銅被覆伝導表面を有するプリント回路板の製造において、 回路板に孔を貫通して、回路板の両側のコンダクタ−間に電気的な接続をし、そ れから伝導層を交互に連結させるため、孔の表面に伝導性材をメッキすることが 通常行われている。

孔の表面を伝導性材でメッキするのに、二段階非電着性金属析出デポジット法を 適用する場合、パラジウム塩化物溶液は、基板の銅非覆面にパラジウム金属の不 要なはみ出しを生じ、それを除去しなければならない。

その結果、不良品が多く、非常にコストのかかる製法である。

非伝導性基板材により分離されている多数の伝導性層を相互に連結するのに、貫 通孔が用いられている。

不運にも、非電着性金属析出メッキに用いられる酸性触媒溶液は、多層基板の黒 い酸化銅の層に化学的な破壊作用を開始し、銅の層と、非伝導性層の間に空洞す なわち隙間を生し、それが化学的汚染と浸食の場となり、従って層の伝導性を阻 害する。

触媒法における改良は、一つの溶液内に増感と活性化段階を結合したパラジウム と錫の混合触媒システムを含む。これは、米国特許第３，０１１，９２０　（シ ブレイ　５ｈｉｐｌｅｙ）の明細書に例示されている。

この単一段階触媒浴槽は、高濃度のＨ］を含む水溶液からなり、それは、パラジ ウム塩化物と錫塩化物の変量が、コロイド状の懸濁液を作るため溶解されている 。

初期の二段階触媒法の改良には違いないが、この結合触媒溶液は、メッキ溶槽の 側壁に不安定で乱雑な金属か析出するので、注意深い監視と制御が必要である。

この欠点にかかわらず、金属の最初の層の非電着性金属析出は、非金属面を金属 化するのに用いられる全工程中の不可欠な部分であった。

非電着性金属析出法の欠点を解消する次の試みは、米国特許第３，０９９，６０ ８　（ラドウスキー他、Ｒａｄｏｖｓｋｙ、ａｔ　ａｌ、）　テ開示されティる 。

この方法は、薄い非伝導性の半コロイド状パラジウムの層に、金属を直接メッキ することにより、非電着性金属析出メッキ段階の必要性を回避しようとする試み である。

この非伝導性パラジウムのフィルムは、非電着性金属析出で用いられたのと同し パラジウムと錫の触媒溶液を使って、基板表面に析出された。

パラジウムのフィルム層は、非伝導性（貫通孔あたりの抵抗は、約８Ｘ１０’オ ームと測定された）であるが、フィルム上に電気メッキするのが可能であると報 しられた。

しかし、電気メッキされた金属の析出は、伝導性面と、非伝導性パラヂウム触媒 フィルム層の中間面のみであった。

従って、電気メッキされた金属層は、この中間層からバラヂウム層に沿って、エ ピタキシタル層になり、その結果、この層に直接金属を析出するのは、非常に遅 い方法であった。

また、基板に伝導性金属メツキクリップを取付ける必要が屡々あり、クリップと 基板の間の中間面に電気的析出を始める必要があった。

メツキクリップなしでは、この方法は、伝導性表面に近い部分の非伝導性基板を 電気メッキするのに限られていた。

別の欠点は、十分にメッキしてコネクターを有効にするため、比較的大きな貫通 孔を必要としたことである。

直接メッキ法の代案は、英国特許出願第ＧＢ　２，１２３．０３６Ａ　（モリセ イ他、Ｍｏｒｉｓｓｅｙ、ｅｔ　ａｌ）で開示された。

初期の方法論では、メッキされる非伝導性表面は、まず、金属の場を作るため触 媒のパラヂウムと錫の溶液で処理された。それから電気メッキは、電気メツキ溶 液中の選択的添加物を用いて達成され、非伝導性表面に、触媒で形成された金属 面に金属の析出を阻止することなく、メッキによって形成された金属面に金属の 析出を阻止すると報じられた。

米国特許第３，０９９，６０８号の前述の直接メッキ法に関して、この方法はま た、電気メッキされた金属のデポジットの開始を広がりのため、金属の場近くに 伝導性面の存在が必要であった。

この方法論の欠点の一つは、工程か電流密度を必要条件としているので、比較的 大きな貫通孔をメッキするのに限られていたことである。

詳しく云うと、この方法で通常用いられる電気メッキの電流密度は、３〜６Ａ／ ｄポの位数てあった。

メノキ工程を開始するのに必要な電流密度は、大幅に減少することはできなかっ たので、貫通孔の直径を小さくすると、孔は金属で充填されてしまい、工程の適 用性が限定される。

この方法の別の欠点は、電気的に析出された金属が、処理された貫通孔の内壁ば かりか、被覆基板の伝導性表面の全面にわたりメッキすることである。これはデ ポジットになり、余計なメッキ金属を除去しなければならず、コスト高になる。

この方法のさらに別の限定は、近代的なパターンメッキ回路板の構造技術に適合 性がないことである。

パターンメッキ工程では、金属の電着は、基板がフォトレジストで回路パターン がイメージされるまで、生じない。その結果、電気メッキされた金属は、基板の 表面を覆わない。

不運にも、フォトレジストを適用し実施する前の、基板の伝導性クラツディング 処理は、化学製品を使用するので、貫通孔の内へ記に以前析出した不連続の金属 サイトを溶解し、又は取り除かねばならない。その結果、貫通孔の直接メッキは 、不可能であり、この方法論は、パターンメッキに通用しない。

直接メッキの代案は、欧州特許第０．２９８，２９８Ａ２号（プラトン、Ｂｌａ ｄｏｎ）に開示されている。

この方法は、転化処理後、非伝導性面を電気メッキするもので、その転化処理と は、吸着されたコロイド状の表面コーティングを、直接メッキのベースとして機 能する、化学的レジスト「転化コーティング」に転化するものである。

同様の方法は、米国特許第４．８１０，３３３号（グラ他、Ｇｕｌｌａ、　ｅｔ 　ａｌ、）に開示されている。

転化コーティングは、パターンメッキ技法に用いられる化学処理に耐えられるが 、この工程は、非電着性金属析出メッキのように複雑で、危険な化学製品を使用 するので、処理が難しく、コストがかかる。

転化コーティングの別の欠点は、直接電気メッキに比較的高い電流密度を必要と するので、この光栄は、大きな貫通孔をメッキすることに限定される。

全ての公知のこれら非電着性金属析出及び直接金属法による促進段階の利用は有 益であることが分かった。

一般に、促進は、メッキ金属の最終電着の前に生じる。

メッキされる基板の触媒で処理される面は、一般的には、強酸の又は、それに比 へては少ないが、強塩基性の促進液剤に浸して処理される。次のメッキ工程で支 障が生じないように、促進処理された基板は、蒸留水で洗い落とされる。

両者の場合、促進溶液は、触媒で析出されたバラヂウムと錫のフィルムから多量 の錫の保護要素を除去する働きをする。この処理によって、パラジウム塩化物は 、その表面に吸着され、次の非電着性金属メッキに向けて、触媒的により活性化 する。

また、従来の促進剤は、銅被覆回路板にある銅の表面から触媒により析出された 活性剤又はフィルムの相当量を除去するのに用いられてきた。

銅箔上の余分な触媒に析出されたフィルムは、接着不良細部を生じ、電気メッキ された銅は、銅クラツディングに付着しない。

また、銅箔上に残された触媒の痕跡は、次に作られる回路の電気の流れを不通に し、高い確度で回路のインピーダンスを予言するのは難しくなり、回路の構成要 素の最小寸法を限定する。

従来技術では、触媒活性剤が析出されたコロイド状フィルムからの錫の除去、及 び銅被覆回路板の銅の表面からの触媒の除去は、この機能が誘電性基板からバラ ヂウムと錫の触媒を除去しないで、達成される場合は、正確な工程管理が必要と される。

従って、公知の促進溶剤は、溶液濃度、処理時間、温度及び撹乱方法に対し、ま た溶液中の錫又は銅の過度の集積に関し、よく監視されなければならない。

従って、本発明の主目的は、表面に金属を直接電気メッキする前に、誘電性基板 の表面に析出された、触媒で析出された活性剤のフィルムの伝導性を増す、新し い促進溶液を提供することである。この方法により、より低コストのプリント回 路板を製造できる。

また、本発明の目的は、弱塩基性促進液剤を提供し、従来技術の促進液剤で通常 行われていた正確な工程管理を不要にする。

本発明の別の目的は、非伝導性基板の表面に、金属を直接メッキする方法を提供 することである。

本発明のさらに別の目的は、転化処理又は電気メツキ溶液の転化剤を必要としな いで、非伝導性基板の表面に金属層を直接メッキする方法を提供することである 。

本発明のさらに別の目的は、特にパターンメッキ工程に最適の非伝導性基板の表 面を直接電気メンキする工程法を提供することである。

また、本発明の目的は、高い電流密度も、従って大きな直径の貫通孔も必要とし ないで、非伝導性基板の表面を直接電気メッキする工程法を提供することであ本 発明の別の目的は、特に高密度回路構造、成型された回路及び多層回路板の適用 に最適な、処理された基板と、直接電気メッキされた誘電性基板を提供すること である。

本発明のさらに別の目的は、パターンメッキされる、直接電気メッキされた誘電 性基板回路板と成型された回路を提供することである。

光■の概要 概説したごとく、本発明は、前記目的を、新しい弱塩基性促進液剤（溶解された 銅イオンと混合されているのが好ましい）と、非伝導性剤の表面に（従来の非電 着性金属析出同様）金属を直接電気メッキする新しい方法を併用して、達成でき る。

新しい方法は、パラヂウムや錫のような貴金属又は高価な触媒の微粒子のコロイ ド状溶液を用い、電気メッキをする前に基板表面に均一な伝導性触媒金属層をデ ポジットする。

そのように作られた伝導性コロイド状層は、非常に耐久性があり、パターンメッ キ工程で通常相遇する状態に耐えることができる。

また、本発明の弱塩基性促進液剤で処理される場合は、多数の重要な利益を得ら れる。特に、触媒金属層の伝導性は増加し、促進液剤は、誘電性基板の表面に吸 着された触媒の活性剤のより濃いフィルムを残すようになる。

また、本発明の促進溶液は、触媒で析出された活性剤のフィルムを、（従来技術 の触媒金属フィルムのように隙間のある、または不連続の触媒サイトを作らずに ）より均一な伝導性層を作るようにアレンジする。

また、例示の本発明の促進溶液に加えられた銅イオンは、触媒フィルム層に吸着 し、バラヂウムと錫のコロイド間の隙間にブリッジを架ける。

また、従来技術の当業者なら分かるように、本発明の超微粒子のコロイド状の伝 導性層は、直接電気メッキのための電流密度の要件を大幅に低減する。

これは特に本発明の技術による下記の促進処理で本当であると判明する。

その結果、本発明によれば、型通りに容易に非常に小さな直径の貫通孔を有する 高密度プリント回路板と成型された回路を作ることができる。

本発明の別な利点は、超微粒子の触媒コロイド溶液が、非酸性であり、従って、 それは通常の酸化銅の層を浸食開始しないので、多層プリント回路板に特に最適 である。

詳しく云うと、本発明の方法は、超微粒子のコロイド状金属の強く吸着された、 均一の伝導性層でコートされた面の少なくとも一部を有する非伝導性基板を直接 電気メッキする段階を有している。

これは、非伝導性基板の表面をパラヂウムと錫の超微粒子のコロイド溶液で処理 することにより達成される。デポジットされたコロイド状剤の均一な伝導性層を 作り、次いで、この伝導性層の上に直接電気メッキをすればよい。

本発明によれば、微細な伝導性のコロイド層は、電気メツキ工程前に銅イオンを 含んでいる温和な塩基性促進溶液によって処理されることが望ましい。

触媒的に処理されかつ促進された誘電性の基板は乾燥され、がっ吸着されずにま たはコロイド状の伝導性の層を破壊せずに以下の触媒処理をうけるので、直接電 気メッキされる前にパターン処理工程に入ることが可能である。

微細なコロイド状触媒溶液は、非酸性の飽和円錐液を利用している多段工程で作 られる。塩水液は塩化ナトｌＪ’７ムまたはハロゲン塩で飽和されるのが望まし い。

溶液は２つの部分に分けられ、がっ効果的な量の貴金属塩が第１の部分に分けら れ、かつ相対的に過剰なモル数の塩化第１錫または他のハロゲン化塩が第２の部 分に溶解される。それらの溶液はそこで混ぜ合わされ、カリ高度に拡散され、均 一で安定な微細コロイド状の粒子の過飽和濃縮を作って体積を減少させる。

使用の前に大きなコロイド粒子を除去すべく、熟成し、デカントしなくてはなら ない従来技術の触媒溶液とは異なり、本発明による過飽和濃縮液は、粒子の沈殿 を生じずに、無期限に保存可能で、デカントを不要にする。

濃縮触媒溶液は、次に塩水溶液とともに、１０’がら１の順序の要因により希釈 して、メッキするべき基板を浸すための触媒槽をを作る。このようにして生成さ れた触媒溶液と共に、誘導性基板を処理すると、基板の表面に、微細なコロイド 金属の強く吸収された均一な導電層を付着する。コロイド層は十分な導電性を有 するので、処理された基板は、溶解したメッキ金属を含む、電解電池の中で、電 極として使用されることが可能である。触媒により処理された基板電極電離溶液 中に浸漬された第２の電極の間に電流が流れると、基板の表面に、メッキ金属を 電気メッキする。

弱塩基性促進溶液は、希釈水に、ＮａＯＨ，ＫＯＨ，Ｎａ、ＣＯｓ、に２ＣＯｓ を含む広範囲のアルカリ性物質１００〜４００ｇ／Ｉを混合することにより、生 成されるとよい。この溶液に、少量の銅イオン、好ましくはＣｕＳＯ４を添加す る。こうして生成された弱塩基性促進溶液は、非常に安定で、広範囲の温度と処 理時間で作用する。また、これらのアルカリ性溶液は、すず又は銅を積極的に除 去しないので、促進槽を追跡する必要がない。そこで、この促進処理段階は、室 温若しくはそれより僅かに高い温度（たとえば、はぼ４５６Ｃ〜６５℃が好まし い）で攪拌しながら、この触媒で処理された基板を、選択された促進溶液に、は ぼ１０分間、浸漬し、希釈水で簡単にすすぐ段階を含んでいる。

処理した基板の表面に付着した微細コロイド金属の強く吸収された導電層は、促 進の後でさえ安定で耐久性がある。従って、コロイド金属の強く吸収された導電 層を損なわずに、電気メッキの前に、処理基板を更に加工することが可能である 。かかる工程は、現在のメッキ技術に通常付随するイメージ段階を含んでいる。

触媒金属の強く吸収された層は導電性であるので、本発明による方法は、最初の 基板が、接着された銅フオイルを含まない非クラッド基板と、成形された回路に 使用するために特に好適である。

本発明による方法のもう１つの利点は、強く吸収された導電触媒層の直接電気メ ッキか、従来の基板メッキに関わる、明らかに減少された電流密度において生じ ることである。そこで、本発明による方法は、導電性金属で孔を満たすことなく 、孔の小径部をメッキすることが可能である。この特徴はプリント回路基板に、 微細な導線と素子を取付けたり、従来の大径の孔メッキ工程よりも、より大きな 電流密度を有するプリント回路基板を製造するのに有利である。

本発明による方法及び、こうして製造された触媒による又は電気的にメッキされ た基板における他の目的特徴及び利点は、次の詳細な説明により、当業者により より良く理解されるものである。

主型の詳細を説明 広い観点では、本発明による方法は、塩化パラジウム／塩化すず溶液の様な触媒 貴金属が非酸性塩水溶液で調整され得るという驚くべき発見に基づいている。

より重要には、本発明による溶液の改良は、公知の触媒溶液に対して、著しく小 さく良好に分散する触媒コロイド粒子を生成する。そこで、固体表面に吸収する のに特に好適で、均一な導電性触媒層を形成する。

また、少量の銅イオンを含む弱塩基性促進剤による処理で、吸収された触媒フィ ルムの物理的持続性と導電性を高めることが出来るという驚くべき発見があった 。これらの銅イオンは、触媒フィルムに吸収されて、微細なパラジウム／すずコ ロイドの間のギャップを橋かけする。更に、この弱塩基性促進溶液は、コロイド 粒子を、わずかに溶解して、再付着させ、より持続的な導電性フィルム又は粒子 ネットワークを作ると信じられている。

この処理は、絶縁された、非導電性の別々の触媒部を作る従来の促進剤に比べて 、触媒的に付着した活性剤の導電性を著しく高める。

非酸性触媒溶液は、同一の発明者による国際出願ＰＣＴ／ＵＳ８９１００１０２ 　（国際出願日１９８９年１月１１日）、米国特許願第２３９，９３５号（出願 日１９８８年９月２日）、特願昭６３−３１３３号（出願日１９８８年１月１２ 日）の主題である。このような種類の非酸性パラジウム／すず触媒溶液の精製は 、微細な触媒コロイド粒子を生成し、これは均一性と強度を有する非導電性基板 の表面に優先的に付着し、こうして形成された金属表面層は、添加メッキ溶液、 転換コーティング又は非電気金属付着を必要とせずに、直接の電気メッキを施す のに十分導電性がある。

本発明による方法は、多層回路基板と銅クラツド絶縁性基板に特に好適である。

というのは、微細導電性コロイド触媒層の強い吸収がＨＣＩを多量に必要とせず におき、そこで孔を介して回路基板の表面に沿って露出した粗酸化銅層を攻撃し ないからである。

また、本発明の方法により、絶縁基板表面に付着した導電性微細コロイド層が、 非常に耐久性があることを強調したい。そこで、直接メッキの前に、パターンメ ッキとイメージングに通常付随する加工段階に耐えることが出来る。そこで、本 発明による方法と、こうして生成された回路基板は、非クラッド基板や成形回路 のみならず、現在のパターンメッキに好適である。

また、本発明による方法は、高価な非電気金属メッキ方法と、付随する工程の限 界を不要とし、かつ電気メッキを改良すると云う点で、当業者に好適である。

従来技術と異なり、本発明は、非電気メッキの必要性をなくすとともに、有効な 金属付着の為に必要な段階の総数を減少させる。更に、非電気メッキ、従来の変 換コーティング、添加溶液を不要とすることにより、従来における高価な溶液を 追跡したり、制御したり、用意したりするのに必要な複雑さ、困難さ、費用を不 要にする。本発明による方法は、安価なパターン技術によりその費用を、プリン ト回路基板の製造に要する従来の費用の４０％迄、削減することが出来る。

このような使用のために、本発明により、絶縁性基板の表面に付着した微細なコ ロイド層は、「導電性」として表現される。これらの付着した金属層は貫通孔の 端から端迄測定した時に１〜９０オームの順、特にほぼ１〜５０オームの範囲に ある著しく低い電気抵抗を示している。この比較的に大きな導電性を対比して、 米国特許第３．０９９．６０８号明細書、ラドフスキー（Ｒａｄｏｖｓｋｙ）他 、に開示された直接メッキ法におけるセミコロイドパラジウムフィルム層は、は ぼ８Ｘ１０’オームの抵抗を示している。同様に、従来技術における最高の導電 性金属層は、５００〜１０００オームの高電気抵抗のために、多層基板に、金属 の直接電気メッキを支持することが出来ない。電気抵抗のみに基づき、本発明の 方法により製造された、優先的に吸収された微細コロイド層が、独特で、従来技 術におけるものよりも、著しく均一で完全である。

本発明の方法は、非導体の表面に金属付着の必要な、市販の種々の製品のメッキ と製造に好適である。直接の電気メッキにとって、好ましくない導電性を示す従 来の非導電性基板は、プラスチック、樹脂、及びプリント回路基板の製造に通常 使用される、ガラス繊維で満たしたエポキシ基板のようなエポキシ基板である。

プリント回路基板の製造に特に好適な本発明による方法において、上記に述べた 実施例は、プリント回路板の製造に直接関わっている。しかし、本発明のこれら の実施例が、単に例示のためてあり、回路基板製造のみに本発明を限定するもの ではない。上述のパラジウムの代わりに、貴金属を含む他の触媒金属を使用して もよい。しかし、当業者にとっては、パラジウムと塩化パラジウムが、容易に入 手可能で、高い用途を持ち、他の有効な貴金属に比べて比較的低コストである。

従って、パラジウム金属の触媒溶液の使用が好ましいか、本発明はパラジウムの 使用に限定されるものではない。

濃塩酸溶液中に特に生成される、従来技術のパラジウム／すず触媒溶液と対象的 に、本発明の方法に使用されるパラジウム／すずの微細な触媒コロイドは、非酸 性、過飽和塩水溶液中に生成される。例えば本発明に使用される微細なコロイド 溶液は、次のようにして製造される。まず、３１の水に、塩化ナトリウム１ｋｇ を添加し、はぼ６０℃迄加熱して、飽和溶液を生成する。次に塩化第一すず１ｋ ｇを、十分な量の前記飽和塩溶液と混合して、１．９１生成する。塩化第一すす を、溶液に完全に溶解するのに、わずかの量の水が必要であるかもしれない。

例えば、この溶液を、時々、攪拌しながら、はぼ２０〜３０℃に加熱することで 、通常十分である。次に、別の容器で、粉末塩化パラジウム２０ｇを、飽和塩溶 液２００ｍ１に添加する。このパラジウム溶液を攪拌して、塩化パラジウムが完 全に溶解する迄、約４０℃と６０℃の間の温度に加熱する。次に、溶解した塩化 パラジウム塩溶液を、攪拌しつつ、塩化第一すず塩溶液に添加して、加熱して、 はぼ８０℃±２℃の温度に上昇させた。好ましくは、この温度をほぼ１時間維持 して、溶液のほぼ５〜１０％を蒸発させ、過飽和溶液を生成する。この濃縮段階 に続き、溶液を冷やして、はぼ２１の過飽和濃縮微細コロイドパラジウム／すず 塩溶液を生成する。

過飽和濃度又はその近くで、塩水溶液を塩化ナトリウムで形成するとよい。しか し、塩化ナトリウムが、容易に入手しえ、低コストであるので好ましいが、他の ハロゲン化塩を使用することも本発明の範囲内である。また、はぼ飽和した溶液 で十分であるので、予備的な塩溶液を過飽和する必要はない。しかし、加熱工程 の間に、５〜１０％の水分が蒸発するので、過飽和が生じる。

次の技術を使って、修正された微細コロイド触媒溶液を調整できる。前述の塩溶 液について、塩化ナトリウム１ｋｇを水３１に添加し、はぼ６０℃迄に加熱して 、過飽和溶液を生成する。次に、塩化パラジウムと、前述の嘆下第−すずを添加 する前に、飽和塩溶液２１を、別の容器に移し、その中に（結晶状）リグニン・ バニリンのような芳香族アルデヒド３ｇを添加する。アルデヒドが完全に溶解す る迄、温度上昇と攪拌をほぼ３０〜４０分間維持する。この芳香族アルデヒド塩 溶液を次に使用して、前述の微細パラジウム／すず触媒溶液を生成する。この芳 香族アルデヒドは、パラジウム／すずコロイドを防御し、塩溶液中で凝集したり 凝固したりしないようにしている。

本発明の実施に必ずしも必要ではないが、芳香族アルデヒドの添加は、触媒溶液 の吸着力を更に高め、触媒不着層の耐久性と導電性を高める。芳香族アルデヒド パラジウム／すずコロイドは極性であるとともに疎水性である、そこで、基板の 固体表面に優先的に吸着して、基板の最も近くにアルデヒドを残し、パラジウム とともに液体の最も近くにすすを残す。こうして付着したコロイド層は、共に、 基板により強く吸着し、より容易に促進される。これは、促進の間に、はがされ たすすが、促進溶液の最も近くにあるからである。

こうして製造した微細触媒コロイド濃縮液は、本発明の方法に従い、使用される 前に希釈するとよい。はぼ３０対１位の希釈が好ましいが、他の濃縮及び超濃縮 触媒溶液も本発明の範囲内である。濃縮微細触媒コロイド溶液は、飽和塩溶液中 で、１０対１て希釈されるとよい。他の添加剤又は安定剤は、この希釈溶液を生 成するのに必要がない。しかし、少量のＭＣＩ（はぼ４　ｍｌ）若しくはＨ，Ｓ Ｏ，（はぼ０．５ｍ１）を、所望に応じて、溶液の補助空気的な表面における酸 化すず層を生成しないように添加するとよい。

あるいは、安定剤として、約ｏ、ｏｏｏｓ〜０．００１容量％含む約５〜ｌＯ％ 塩溶液における濃縮微細コロイド溶液を希釈することが可能である。代表的な溶 液が、従来実施できない位の微細なコロイド分布を保有しているが、現存の触媒 溶液に対しては、特別の追跡や制御を必要としない。更に、所望に応じて、触媒 溶液に添加される安定化酸の量か、租酸化銅と化学的に反応するには不十分であ ることを留意すべきである。

こうして生成された微細な触媒コロイド溶液は、公知の触媒技術により実施され 、本発明による独特の導電性コロイド層を生成する。

例えば、本発明によりメッキされる非導電性基板の表面は、はぼ５〜１０分の時 間で、好ましくは３５℃〜５５℃の間で変化する温度で、溶液層中に浸漬されて 触媒溶液にさらされる。また、所望に応じて、この工程は、触媒前浸漬溶液に浸 すことを含んでいる。この溶液は、触媒溶液と適合しうる塩水溶液を含んでいる が、微細なコロイドは含んでいない。従来技術で知られているように、前浸漬溶 液の使用が、処理される基板の表面に付着するすすぎ水や他の溶液により、触媒 の汚染を防ぐ。これは、従来のメッキ技術に対して、本発明の独特な適合性を示 している。追加の利点は、前浸漬液中でバニリンの存在により得られる。その中 で、基板表面の分布的な極性化を開示することにより、微細なコロイドの好適な 吸着を促進する。

従って、最も広い観点によれば、本発明による方法は、メッキされる非導電性基 板の表面に付着した導電性微細触媒コロイド層に、導電性物質を直接電気メッキ する工程を含んでいる。処理された基板の電気メッキは、溶解したメッキ金属を 含む電解質層に浸漬した２個の電極の間に電流を流す公知の、電気メツキ技術を 使用してなされる。本発明による方法において、絶縁性基板の表面に設けた微細 なコロイド金属の、優先的に吸着されたほぼ均一の導電層の独特の導電性のため に、メッキ槽中で、電極の１つとして処理された基板を直接利用できる。このよ うにして処理された基板は、予備的な非電気メッキ処理、変換コーティングやメ ッキ溶液添加剤を必要とせずに、金属の層で直接電気メッキされる。

本発明は、添加剤を必要とせずに、簡単なメッキ技術を使用できるので、本発明 の方法を実施する代表的なメッキ溶液は次のようにして製造される。希釈し、非 イオン化した水の１１毎に、硫酸銅８０ｇ１硫酸１８０ｇ及び塩素３０ｍｇの混 合物を溶解する。これにより、メッキされるべき金属の酸水溶液を含む代表的電 気メツキ金属は、銅及びニッケルであるが、本発明によれば他の金属によっても 直接電気メッキしうる。

本発明の予期しない利点は、他の絶縁メッキ法で従来使用されたものよりも、低 い電流密度を使用して、非導電性基板を直接電気メッキしうることである。例え ば、本発明の触媒処理基板をメッキする際は、電気メツキ電流密度は、はぼ０゜ ２５Ａ〜５．ＯＡ／ｄｍ’の範囲で変化しうる。そこで、本発明による方法及び 処理基板は、孔を導電性金属で満たさずにメッキされる孔を介して、特別の小径 を有する回路基板の製造を可能にしている。例えば、０．１５ｍｍの直径を有す る孔を介して、メッキすることは容易に可能である。そこで、孔径に対する孔の 深さが１０対１である貫通孔が普通である従来のメッキ技術と対比して、本発明 による方法は、２０対１以上の比を有する孔をメッキする。当業者には好適なよ うに、孔を介して回路基板の大きさを減少させると、従来技術では作動しない高 電流密度装置の製造を容易にする。

本発明の別の利点は、電気メツキ基板に、より軟らかな銅を付着する簡単な銅電 気メッキ溶液で直接の電気メッキがなされることである。そこで、本発明により メッキされた基板は、従来の直接メッキ法と非電気メッキ法で製造されれたもの よりも、より強固である。熱衝撃のために、クラッキングが生じにくくなり、従 来技術のものよりも耐久性が延びる。

すべての他の観点では、本発明による処理基板の電気メツキ法は一般に公知のも のである。例えば使用される簡単なメッキ溶液槽は、はぼ２５℃〜３０℃の間の 温度に維持されるとよい。また、電気メッキは十分な時間持続されて、所望の厚 さの付着層を形成する。特に、回路基板の所望の厚さはほぼ２５°Ｃ〜３０℃の 間の温度に維持されるとよい。また、電気メッキは十分な時間持続されて、所望 の厚さの付着層を形成する。特に、回路基板の所望の厚さは、はぼ０５ミル〜２ ．０ミルである。はぼ、１５〜９０分のメッキ時間は、メッキ電流密度の好適範 囲内の厚さの付着層を得るのに十分である。しかし、メッキ金属の開裂やクラッ キングが生じる従来の電気メツキ法とは異なり、本発明により生成された電気メ ツキ付着層は、非導電性基板の表面に強力に接着され、欠点もなく、また均一に 付着した触媒微細コロイド層のすぐれた性質により、均一の厚さとなる。そこで 、電気メツキ金属の接着強度は、印刷回路基板の製造に通常使用されるハンダ衝 撃試験に耐えるのに十分である。本発明の別の特徴は、電気メッキの前に、弱塩 基性促進溶液により生成された微細コロイド金属の触媒で付着した導電層を処理 する能力である。公知のメッキ促進溶液は、通常強度の酸性か、より少ない割合 で強度の塩基性である。しかし、本発明により処理された基板の独特の性質は、 希釈水酸化ナトリウムまたはカリウム溶液又は炭酸ナトリウム又はカリウム溶液 のような弱塩基性促進溶液の使用を可能にしたことである。好ましくは、希釈水 にＮａＯＨ，ＫＯＨ，ＮａｖＣＯ３，に２ＣＯ３のようなアルカリ塩混合したり 、溶解したりすることにより、はぼ１００〜４００ｇ／ｌの範囲の濃度にするこ とにより生成されるとよい。この溶液に、少量の銅イオン溶液を添加する。

例えば、好適な弱塩基性促進溶液は、希釈水の１１に付き、選択したアルカリ物 質の５０〜４００ｇ以上を溶解することにより生成される。次に、この溶液１１ ＋、−付き、１０％Ｈ１ＳＯ，（７）１１１：ｊｉぼ１００ｇ（７）ＣｕＳＯｔ を溶解すルコとにより、生成された銅イオン溶液はぼ２ｍｌを添加する。あるい は、本発明に使用される好適な促進溶液は、炭酸ナトリウム１１に付きほぼ２０ ０ｇの水溶液である。

本発明の触媒基板は、好ましくは攪拌しつつ、はぼ１ｏ分間、はぼ５０度の温度 −Ｃ１かかる促進溶液の槽内で浸漬に処理される。促進処理に続いて、基板は希 釈水で濯がれ、次の処理段階での相互作用を防ぐ。

銅とのクラッドである部分を処理する際、銅イオンを、促進溶液に自然に含ませ るのは普通でない。本発明によれば、促進溶液に銅イオンを添加すると、コロイ ド状に付着したフィルムに銅イオンを故意に吸着され、フィルムの密度と導電性 を高めると云う追加の利点がある。また、促進溶液に銅イオンを含ませると、銅 イオンが溶液に含まれない、非クラッド絶縁性基板を処理する際に、特に重要で ある。

更に、本発明による処理基板は、パターンメッキ工程に通常使用される物理的か つ化学的に抵抗力のある処理溶液に対して十分に強い。

公知のように、パターンメッキ法は、フォトレジストフィルムを適用してイメー ジングし、所望の回路パターンマスクを得る前に絶縁性基板を乾燥させ、洗浄す る段階を含んでいる。フォトレジストパターンのイメージングは、電気メッキの 前に、基板を反応性現像エツチング溶液にさらす段階を含んでいる。従来の触媒 層は、かかる処理に耐えられず、処理基板の表面の電気メッキを不可能にする。

本発明を更によく理解するために実施例を提供する。

実施健よ 炭酸す１ザｐλム触媒を　用している官　バネ四電気スヱ土両表面上か銅で覆わ れ、かつ０．０２０３２センチメートル（８ミル）の通孔を有するガラス繊維お よびエポキシで形成された従来のプリント回路基板は、周知の技術で洗浄され、 条件付けされかつ乾燥されていた。基本的に、基板は、市販のシブレイ　１１７ ５　クリーナーコンデショナ−（商品名）の中に、８０℃で１０分間浸漬した後 、水洗いし、粒子を取り除くために柔らかい毛の刷毛による仕上げ及びオーブン によって１８０℃の温度で６０分間乾燥していた。銅の表面は、過酸化ナトリウ ム（Ｎａ、Ｓ−５−０ｓ）（２００Ｉ）と硫酸（５％）　０’）溶液ノ中に室温 で１分間浸漬されてマイクロエツチングされ、続いて蒸留水で洗浄される。

本発明によれば、ベニ１ルが４５℃で１０秒間添加された（０．５ｇ／Ｉ）塩化 ナトリウム／錫の微細なコロイド触媒溶液の中浸漬される。簡単に述べれば、３ ５ｍ１の濃縮され、非酸性の飽和パラディラム／錫の微細なコロイド触媒が、０ ．５ｇ／ｌのバニリン及び４ｍｌ／Ｉの塩酸を含んでいる約ＩＩの飽和塩酸ナト リウム溶液に希釈される。希釈された溶液は４５℃に加熱され、がっ基板は８分 間触媒溶液バスの中に浸漬され、続いて８分間蒸留水で洗浄される。触媒を用い て処理された基板は、次に２００’ｇ／Ｉの炭酸ナトリウムの弱い塩基性の促進 溶液の中に５０℃で１０分間浸漬され、その復水で洗浄される。処理された基板 は、銅電気メッキバスの１１当たり硫酸銅（８０ｇ）、硫酸（１８０ｇ）及び塩 素（３０ｍ　ｇ）を混合することによって作られた金属電気メツキバスにより電 気メッキされた電気メツキ用の電流の強さは、温度２８℃で１，０平方センチメ ートル当たり０５〜２０アンペアで３０分から１時間通じた。当業者は、電流の 強さ及びメッキ時間が通孔のサイス及び電気メッキされる銅の層の所望の厚さに よって非常に変ることは承知であろう。

電気メッキの後、メッキされた基板は、約０．００２５４センチ（１ミル）の厚 さの電気メッキされた銅の均一で欠陥のない層を有するものであった。

大漁例ス フ　カリウムＣ進剤を　用している官　パネル　メッキ同一の誘電気板が、触媒 を用いて沈殿させた微細な導電コロイド層を形成するために実施例１と同じ様に 処理した。触媒に続いて、処理された基板は、水酸化カリウム（２００ｇ／　ｌ 　）の塩基性促進溶液の中に５０’Ｃで１０分間浸漬され、続いて水で洗浄され た。電気メッキは、実施例１において述べたのと比較し得る結果であった。

実施例１ 過が貧しマンガン処理と水　ヒカリウム　退却を　用した官　パターン電　メッ キ実施例１および２において利用したものと同し銅被覆基板を４５度の温度で６ 分間過マンガン酸カリウム（５０ｇ／ｌ）の溶液の中に浸漬し、続いて蒸留水で 洗浄した通孔壁は、基板を市販のクリナーコンデショナ−（シブレイ　１１７５ ）の中に浸漬することにより、洗浄され調節された。銅の表面は、その時、室温 で過硫酸ナトリウム（２００ｇ／Ｉ）と硫酸（５％）の溶液の中に基板を浸漬し 、後蒸留水によって洗浄された。基板は、実施例２と同じように、予め浸漬し触 媒を使用して沈殿させ、微細な導電性のコロイド層を形成した。

電気メッキする前に、フォトレジストを適用し、イメージ付けを以下の様に行っ た。触媒を利用して処理された基板は乾燥され、洗浄され、ついでフォトレジス トの薄膜（プラウエヤ州　Ｅ■、デュポン　ド　ネモールス　アンド　カンパニ ー　オブ　ウィルミングトンから得られるリストン　３０１５）を、適用温度９ ８℃から１１０℃でかつ１分当たり３０．４８ｃｍ乃至９１．４４ｃｍ　（１フ イート乃至３フイート）の速度で処理した。

薄膜を適用した後１５分間、フォトレジスト薄膜は、所望の回路を得るために４ ０ｍｇ／ｃｍの露出でマスターを通して浮性エネルギ源にさらされた。１５分後 、イメージ化されたフォトレジストが、２２７．１１　（６０ガロン）の現像液 通たり２２７０ｇ（５ポンド）の炭酸ナトリウムと３．７８５１のブチルカルピ トールから成る溶液を使用しているスプレィ室の中に基板を置いて８５℃で１分 間現像された。

イメージ化された基板は、次に過硫酸ナトリウム（２２０ｇ／Ｉ）と硫酸（５％ ）の溶液の中に室温で１５秒浸漬して銅の表面に微細なエツチングを形成し、そ の後、蒸留水で洗浄された。それから基板は先行した実施例において述べたよう に電気メッキされた。

市販されている既成のパターンプリント回路基板を利用するのに関して、前述の 実施例において生成されたメッキされた基板は、溶接メッキ、フォトレジスト除 去および銅の表面のエツチングなどの追加工程が必要であることに注意すべきで ある。しかし、これらの工程は、本発明の直接のパターンメッキ処理方法によっ て影響されない。

実施例Ａ− ｆｕ！触媒を　用　る官　パターンメッキ銅で被覆された誘電性基板は、前述し た実施例の方法に基づいて電気メッキした。しかしながら、導電性の微細なコロ イド状金属層を形成するために利用された触媒は、１５ｇ／Ｉの塩化バラディン と６００ｇ／ｌの塩化第１錫を含むように作られた。このように作られたメッキ された基板は、固く結合し、均一の電気メッキした厚さ約０．００２５４ｃｍの 銅の層を有している。

実施例旦 ′マンガン　び　ナトリウム　”　１　る　パターンメッキ前述の実施例（１乃 至３）において利用されたものと同じ銅被覆基板を、過マンガン酸ナトリウム（ ３０ｃ／ｌ）と苛性ソーダ（水酸化ナトリウム）（２０ｇ／ｌ）の溶液の中に４ ０℃で７分間浸漬した。その後、蒸留水で洗浄した。通孔壁を、実施例３におけ るように洗浄したが、浸漬時間を、７分間までに短縮した点だけは異なる。

それから基板を、実施例１における場合と同じように飽和塩化ナトリウムの予備 浸漬液の中に浸漬した。但し、１．０ｇ／Ｉのバニリンは使用したが塩酸は省略 した点が異なる。

予備浸漬工程の後、４５ｍ１の濃縮液と塩化水素を含まないが約１．０ｇ／Ｉの バニリンを含む予備浸漬溶液とを混合させて作った活性溶液の中に直ちに浸漬し た。

浸漬は、４５℃で１０分間続けられた。それから炭酸ナトリウムに浸漬により反 応が促進された後、水洗いされた。

促進処理された基板を、次に１０％の硫酸（Ｈ，５Ｏ４）溶液の中に室温で５分 間浸漬することによって安定させた。酸による安定化洗浄に続いて、基板は実施 例３の中に記載されているようにイメージ化された。パターン化された基板は、 そこで室温で２秒間３％の炭酸ナトリウムの溶液の中に浸漬することによって通 孔がら空気を取り除くために湿らせた。その後、活性剤を含む銅の表面上の異物 を取り除くために、湿らした基板は、ソフトエツチングされた。ソフトエツチン グは、１０％の硫酸（Ｈ，ＳＯ，）及び５％の過酸化水素の溶液の中に！温で２ 分間浸漬することによって行われ、その後、水で洗浄された。

基板は、上記した実施例のように、約０．００２５４センチメートル（１ミル） の固く結合し、かつ均一な銅の電気メツキ層を作っている電気メッキが行われた 。

寒鼻■亙 ゛浄なコンデショナー及び炭酸ナトリウム促進剤を用いて、過マンガン酸　理で ない、灸的パターンメッキ同一な基板を、実施例５と同様であｉが、過マンガン 酸塩工程なしで、処理した。電気メッキした後、実施例４に説明したと同じ結果 を得た。

広い範囲のアルカリ物質の穏やかな塩基性促進溶液を形成する本発明の範囲内で あるが、次の実施例は、本発明の詳細な説明するものとしであるし、好適なもの である。本発明の教示により作成された種々のアルカリ促進剤の性能を試験する ために、２つの均一なテストを各々行なった。第１のテストは、標準的なＦＲＡ タイプの銅クラツドの、２重側面の回路板材料で、約２．５ｃｍＸ５ｃｍで、ス ルーホールを有する。示した第２のテストは、クラッドなしのＡＢＳプラスチッ クパネルであり、１．５ｃｍＸ５ａｍで、クロム酸／硫酸の溶液でエッチされた ものである。各々のテストは、次の実験法を用いて行なった。

先ず、基板は、水中に３０ｇ／ｌのＫ　Ｍ　ｎ　Ｏを及び２０ｇ／ＩＮ　ａ　Ｏ Ｈを溶解した溶液中で、室温で約２分間、撹拌しながら、浸漬を通して付着促進 剤で処理された。その後、１分間水で洗浄した。

次に、基板は、清浄剤／コンデショナーで、水中４５　ｍ　Ｉ　７１のスップレ イ印１１７５Ａアルカリ清浄剤コンデショナーで、８０℃で１０分間で撹拌浸漬 で処理された。次に、水中で１分間洗浄された。

コンデショニングの後、基板は、水中２８０ｇ／ＩのＮａＣ１、Ｉｇ／Ｉのワセ リン及び４　ｍ　Ｉ　／　ＩのＨＣＩの溶液中で、室温で、２０秒間、撹拌浸漬 でプレデツプ（予備浸漬）にかけられた。プレデツプの後、基板は、例示のパラ ジウム／錫コロイダル触媒で、上記のように、本発明の教示により処理された。

その後、１分間水中洗浄された。

活性化の後に、触媒的に処理された基板は、穏やかな塩基性促進溶液で、浸漬、 撹拌しながら、上記のように、アルカリ物質の種々の組合わせ溶液中で、５８℃ で１０分間処理された。そして、１分間水中洗浄された。

最後に、促進された基板は、酸性浴で、撹拌されながら、１０％Ｉ（、Ｓ　０４ 溶液で、室温で、３分間処理された。更に、２分間水中で洗浄された。

この実験処理法を用いて、次のテストを行ない、本発明による、穏やかな塩基性 促進溶液及び穏やかな塩基性の銅含有の促進溶液の効果を調査した。この促進処 理の効果を示す基本的証拠は、従来技術の高い抵抗値に対して、導電性コロイダ ル層が著しく低い電気抵抗値であることに留意すべきである。更に、電気メツキ 電流密度は、本発明の技術を用いると、著しく低くなり、スルーホール被覆の完 全な直接的な電気メッキが非常に迅速にでき、それは、次の実施例に示される。

寒鼻町ユ 穏やかな　ＫＯＨ溶液での促進効果 ＦＲＪタイプの銅クラツドの２重側面の回路板材料の５つの試料を、上記の実験 法を用いて、蒸留水中に２００ｇ／ＩのＫＯＨを含有する促進溶液を利用して処 理した。この処理の後に、側面から側面までの抵抗値を、測定すると平均１５オ ームであった。

触媒的に処理され促進された試料を次に、上記のように、８０ｇの硫酸銅、１８ ０ｇの硫酸及び３０ｍｇの塩素を含有する溶液を利用して、２８℃の温度で、０ ．５Ａ／ｄｍ’−１．ＯＡ／ｄｍ′の範囲の電流密度で、メッキした。スルーホ ール被覆形成は、約４分間、０．５アンペアで達成され、１．０アンペアでは、 約２分間で達成されたことが分かった。

Ｋ鼻Ａ港 銅イオンを含む穏やかな　性ＫＯＨ溶液での促進効果実施例７と同様に、ＦＲＡ タイプ材料の５つの試料を、上記の実験法を用いて、そして、ｚｏＯｇ／ＩのＫ ＯＨを含有する促進溶液と、蒸留水中の１０％Ｈ＊　Ｓ　Ｏｓ溶液１１当りＣｕ 　Ｓ　０４１００ｇを含有する溶液２ｍｌを用いて、処理した。この処理の後に 、側面−側面の抵抗値を、測定すると平均１０オームであった。　試料を次に、 上記の実施例と同じように、同じ銅メツキ溶液と電流密度を用いてメッキした。

スルーホール被覆形成は、０．５アンペアで３分間で達成され、１．Ｏアンペア では、ｌ。

５分間で達成された。

実施例９ 穏やかな　Ｎ　ａ　＊　ＣＯｓ促進溶液での促進効果更にＦＲ４タイプ材料の５ つの試料を、上記のように、蒸留水中３００ｇ／ＩのＮ　ａ　＊　ＣＯ＊を含有 する促進溶液を用いて、処理した。この処理の後に、側面−側面の抵抗値を測定 すると平均１．５オームであった。

試料を、上記の実施例と同じように、同じメッキ条件と電流密度を用いて銅メッ キした。スルーホール被覆形成は、０．５アンペアで１５秒間で達成され、１． ０アンペアでは、１０秒間で達成された。

友度侃±旦 穏やかな　Ｎ　ａ　＠　ＣＯｓの銅イオン含　の促進溶液での促進効果 更にＦＲＪタイプ材料の５つの試料を、上記のように、蒸留水中３００ｇ／Ｉの Ｎ　ａ　ｔ　ＣＯｒを含有する促進溶液と蒸留水ｌｌ中′１０％Ｈ＊ＳＯ，５０ ｇを含有する溶液２ｍｌを用いて、処理した。この処理の後に、側面−側面の抵 抗値を、測定すると平均ｌオームであった。

試料を、上記の実施例と同じように、同じメッキ条件と電流密度を用いてメッキ した。スルーホール被覆形成は、０．５アンペアで１０秒間に達成され、１．Ｏ アンペアでは、５秒間で達成されな。

寒＾皿上ユ やかｆ　Ｋ　ｔ　ＣＯｓ促進溶液での促進効果更にＦＲＡタイプ材料の５つの試 料を、上記のように、蒸留水中３９０　ｇ／　ｌのに、Ｃｏ、を含有する促進溶 液を用いて、処理した。この処理の後に、側面−側面の抵抗値を測定すると平均 １５０オームであった。

処理された試料を、上記のように、同じ銅メツキ条件と電流密度を用いてメッキ した。スルーホール被覆形成は、０．５アンペアで７分間で達成され、１．Ｏア ンペアでは、５分間で達成された。

及鼻■上ユ 穏やかなｔ　Ｋ、ＣＯ＋の銅イオン　の促進溶液での促進効果更にＦＲＡタイプ 材料の５つの試料を、上記のように、３００ｇ／ＩのＫ　＊　ＣＯＸを含有する 促進溶液と１０％Ｈｔ　Ｓ　Ｏａ溶液１１当りＣｕ　５０．１００　ｇを含有す る溶液２ｍｌを用いて、処理した。この処理の後に、側面−側面の抵抗値を、測 定すると平均１５０オームであった。

試料を、上記のように、同じ銅メツキ条件と電流密度を用いて銅メッキした。ス ルーホール被覆形成は、０．５アンペアで６分間で達成され、１．０アンペアで は、５分間で達成された。

寒＾■土ユ やかｆ　Ｎ　ａ　ｓ　ＣＯＩ及びＫ　ｔ　ＣＯｓの銅イオン含有の促進溶東又り 旦盈勿呈 更にＦＲ４タイプ材料の５つの試料を、上記のように、１．５０ｇ／ｌのＮ　ａ 　＠　ＣＯ＊と１５０ｇ／Ｉのに、ＣＯ，を含有する促進溶液とｌＯ％Ｈ，Ｓｏ 、溶液１１当りＣｕＳ０．１００ｇを含有する溶液２ｍｌを用いて、処理した。

この処理の後に、側面−側面の抵抗値を、測定すると平均０．３オームであった 。

試料を、上記のように、同じメッキ条件と電流密度を用いて銅メッキした。スル ーホール被覆形成は、０．　５アンペアで５秒間で達成され、１．０アンペアで は、２秒間で達成された。

に叛侃１１ 穏やかな　性Ｋ　ＯＨの銅イオン含　の促進溶液での促進効果更にＡＢＳ材料の ５つの試料を、上記の実験法で、２００　ｇ／ｌのＫＯＨを含有する促進溶液と １０％Ｈ，Ｓｏ、溶液１１当りＣｕ５Ｏ＋１００ｇを含有する溶液２ｍｌを用い て、処理した。この処理の後に、約３ｃｍ離れた２つの点の間の抵抗値を、測定 すると平均７０００オームであった。

試料を、上記のように、同じ銅メツキ条件と電流密度を用いて銅メッキした。被 覆形成は、０．５アンペアで８分間で達成され、１．０アンペアでは、３．５分 間で達成された。

寒叛叫↓１ 穏やかな塩　性ＮａＩＣ０Ｉの銅イオン含　の促進溶液での促進効里 更にＡＢＳ材料の５つの試料を、上記の実験法で、３ｏ　ｏ　ｇ／ｌのＮａ、Ｃ Ｏ＝を含有する促進溶液と１０％Ｈ，ＳＯ，溶液１１当りＣＩ　Ｓ　Ｏｉ　５０ 　ｇを含有する溶液２ｍｌを用いて、処理した。

この処理の後に、約３ｃｍ離れた２つの点の間の抵抗値を、測定すると平均１０ ００オームであった。

試料を、上記のように、同じ銅メツキ条件と電流密度を用いて銅メッキした。被 覆形成は、０．５アンペアで３分間に達成され、１．０アンペアでは、１．５分 間で達成された。

寒胤己上１ 穏やかな塩　Ｎ　ａ　ｘ　ＣＯｓとＫ　ｒ　ＣＯｓの銅イオン含　の促進溶液で の促進効果 更にＡＢＳ材料の５つの試料を、上記の実験法で、１５０ｇ／ｌのＮ　ａ　＊　 ＣＯｓと１５０ｇ／Ｉのに、ＣＯ，を含有する促進溶液と１０％）（、Ｓｏ、溶 液１１当りＣｕ　Ｓ　Ｏ＊　１００　ｇを含有する溶液２ｍｌを用いて、処理し た。この処理の後に、約３ｃｍ離れた２つの点の間の抵抗値を、測定すると平均 ５００オームであった。

処理した試料を、上記のように、同じ銅メツキ条件と電流密度を用いて銅メッキ した。被覆形成は、０．５アンペアで１．５分間で達成され、１．０アンペアで は、１分間で達成された。

本発明の好適な具体的な実施例を説明したが、当業者にとって、ここで説明され たものは、例示のみであり、その変更例、修正例、変成例も本発明の範囲内のも のである。従って、興なる触媒溶液濃度及び変更された貴金属を用いて、均一な 導電性の、マイクロファイン触媒的析出のコロイダル層を、本発明の基板上に形 成することも、制限なく、例示として示される。従って、本発明は、ここで示さ れた特定の実施例に限定されるものでない。

補正書の写しく翻訳文）提出書 （特許法第１８４条の７第１項） 平成５年１２月２０日

Claims (12)

【特許請求の範囲】
1. １．電気メッキの前に基板の表面を処理するための隠やかな塩基性水性促進溶液 。
2. ２．前記の溶液は、銅イオン濃度を有することを特徴とする請求項１に記載の穏 やかな塩基性水性促進溶液。
3. ３．銅イオンの前記の濃度は、希である請求項２に記載の穏やかな塩基性水性促 進溶液。
4. ４．前記促進溶液はＮａＯＨ、ＫＯＨ、Ｎａ２ＣＯ３及びＫ２ＣＯ３からなる群 より選択された少なくとも１つのアルカリ物質的１００ｇ／ｌ〜４００ｇ／ｌと 水を含有することを特徴とする電気メッキ前に誘電体基板表面を処理するための 穏やかな塩基性促進溶液。
5. ５．銅イオンの希釈濃度を有することを特徴とする請求項４に記載の穏やかな塩 基性水性促進溶液。
6. ６．前記の銅イオン希釈濃度は，促進溶液１１当り約５０〜１００ｇ／ｌのＣｕ ＳＯ４を含有する１０％Ｈ３ＳＯ４溶液２ｍｌに相当することを特徴とする請求 項５に記載の穏やかな塩基性水性促進溶液。
7. ７．前記のアルカリ物質はＮａＯＨである請求項４に記載の穏やかな塩基性水性 促進溶液。
8. ８．前記のアルカリ物質はＫＯＨである請求項４に記載の穏やかな塩基性水性促 進溶液。
9. ９．前記のアルカリ物質はＫ２ＣＯ３である請求項４に記載の穏やかな塩基性水 性促進溶液。
10. １０．前記のアルカリ物質はＫ２ＣＯ３である請求項４に記載の穏やかな塩基性 水性促進溶液。
11. １１．前記のアルカリ物質は、Ｎａ２ＣＯ３及びＫ２ＣＯ３である請求項４に記 載の穏やかな塩基性水性促進溶液。
12. １２．ＮａＯＨ、ＫＯＨ、Ｎａ２ＣＯ３及びＫ２ＣＯ３からなる群より選択され た少なくとも１つのアルカリ物質を約１００ｇ／ｌ〜４００ｇ／ｌと銅イオンの 希濃度を含有する促進溶液を作成し；そして、前記促進溶液中で誘電体基板を浸 漬する工程を特徴とする電気メッキ前に前記基板を触媒的に促進する方法。