JPH06505101A - Photodefinable intermediate level dielectric - Google Patents

Photodefinable intermediate level dielectric

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JPH06505101A
JPH06505101A JP4503713A JP50371392A JPH06505101A JP H06505101 A JPH06505101 A JP H06505101A JP 4503713 A JP4503713 A JP 4503713A JP 50371392 A JP50371392 A JP 50371392A JP H06505101 A JPH06505101 A JP H06505101A
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phenol
ether
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ズパンシック,ジョセフ・ジェームズ
ブレーゼ,ダニエル・チャールズ
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるため要約のデータは記録されません。 (57) [Abstract] This bulletin contains application data before electronic filing, so abstract data is not recorded.

Description

【発明の詳細な説明】 フォトデフィナブル中間レベル誘電体 アメリカ合衆国政府は本発明にU、S、Air Force Contract  P33615−89−C−5603の下に権利を有する。[Detailed description of the invention] Photodefinable intermediate level dielectric The United States government granted this invention a U.S. Air Force Contract. Rights under P33615-89-C-5603.

先行技術 本発明はミクロ電子回路における誘電層を単離させるために用いられる物質に関 する。特に、本発明は多層状構造中の所望の箇所に誘電層を形成することができ るように、光重合させることができるポリマー物質に関する。このような層は優 れた絶縁体であり、良好な耐薬品性を有さなければならず、もちろん、それらが 置かれる基板に接着しなければならない。prior art The present invention relates to materials used to isolate dielectric layers in microelectronic circuits. do. In particular, the present invention allows the formation of dielectric layers at desired locations within a multilayer structure. It relates to polymeric materials that can be photopolymerized as described above. This type of layer is They must be insulators with good chemical resistance and, of course, if they are It must be adhered to the substrate on which it will be placed.

ポリイミド類は他の多くのポリマーに比べて優れた耐熱性と耐薬品性とを有する ので、このような誘電体に用いられている。ポリイミド類の使用を開示する文献 及び特許は、本発明の発明者の一人による米国特許第4,908,096号にお いて広範囲に考察されている。ポリイミド類の欠点が考察されている、すなわち 、ポリイミド類は硬化中に多量の揮発物を放出し、水分を吸収し、不良な接着性 を有し、かつ比較的高い膨張係数を有する。この特許は改良された性質を有する 中間レベル誘電体として他のポリマー、すなわちジアルデヒドとフェノールとの 縮合生成物のビニルベンジルもしくはアルキルエーテルの使用を開示し、特許請 求する。Polyimides have superior heat and chemical resistance compared to many other polymers. Therefore, it is used for such dielectric materials. Literature disclosing the use of polyimides and a patent in U.S. Pat. No. 4,908,096 by one of the inventors of this invention. has been extensively studied. The drawbacks of polyimides are discussed, viz. , polyimides release large amounts of volatiles during curing, absorb moisture, and cause poor adhesion. and has a relatively high coefficient of expansion. This patent has improved properties with other polymers, namely dialdehydes and phenols, as intermediate level dielectrics. Discloses and claims the use of vinylbenzyl or alkyl ether condensation products. seek

本発明は有用な中間レベル誘電体を形成することが判明している他のポリマーに 関する。The present invention applies to other polymers that have been found to form useful interlevel dielectrics. related.

米国特許第4.824,920号において、本発明の発明者の一人はジシクロペ ンタジェンとフェノールとの反応生成物のビニルベンジルエーテルであり、電子 工学用の積層ボードを製造する用途を有する熱硬化性樹脂を開示する。米国特許 第4.816.498号では、ジアルデヒドと3〜4モルのフェノールとの縮合 生成物であることで前記樹脂とは異なる、他の種類のオリゴマー縮合生成物が開 示されている。このようなオリゴマーはまた、エステル化されてビニルベンジル とアルキルエーテルとの混合物を形成する。これらは電子工学用の積層ボードの 製造に用いることができる。このような樹脂は下記考察で分かるように、中間レ ベル誘電体用ポリマーの先駆体として有用であると判明している。In U.S. Pat. No. 4,824,920, one of the inventors of the present invention Vinyl benzyl ether is the reaction product of phenol and Thermoset resins are disclosed that have application in manufacturing laminated boards for engineering applications. US patent No. 4.816.498 describes the condensation of dialdehydes with 3 to 4 moles of phenol Other types of oligomer condensation products that differ from the resins in that they are It is shown. Such oligomers can also be esterified to vinylbenzyl and alkyl ether. These are laminated boards for electronics. Can be used for manufacturing. As you can see from the discussion below, such resins have intermediate levels. It has been found to be useful as a precursor for polymers for Bell dielectrics.

発明の概要 本発明は基板上のポリマーとこのように製造された誘電層とから、電子中間連結 構造体に用いることができる所定パターンの形成方法を含む。Summary of the invention The present invention provides electronic intermediate connections from a polymer on a substrate and a dielectric layer thus produced. It includes a method of forming a predetermined pattern that can be used in a structure.

このようなパターンは、基板上にプレポリマーを塗布し、次に遮蔽ノくターンの 露出部分を照射して、プレポリマーを不溶性にし、次いで被覆層の非照射遮蔽部 分を選択的に溶解して、不溶性照射プレポリマーを残し、そして照射プレポリマ ーを硬化させて、所定パターンの不融性ガラス状固体を形成することによって製 造される。Such patterns are created by applying a prepolymer onto a substrate and then forming a shielding pattern. The exposed areas are irradiated to render the prepolymer insoluble and then the non-irradiated shielded areas of the coating layer selectively dissolve the irradiated prepolymer, leaving the insoluble irradiated prepolymer produced by curing to form an infusible glassy solid in a predetermined pattern. will be built.

このプレポリマーは下記の2種オリゴマーの最初のものか、又はこれらのオリゴ マーの両方の混合物のいずれかである。一つはジシクロペンタジェンとフェノー ルとの反応生成物のビニルベンジルエーテルであり、この反応生成物は次式を有 する: 式中、 R1、R2=H又は炭素数1〜10のアルキル:R4=H。This prepolymer is the first of the two oligomers listed below, or Either a mixture of both mer. One is dicyclopentadiene and phenol. The reaction product is vinylbenzyl ether, which has the following formula: do: During the ceremony, R1, R2=H or alkyl having 1 to 10 carbon atoms: R4=H.

10のシクロアルキル部分、又はベンジルである、但し全てのAの少なくとも5 0%はビニルベンジル部分である; L=Br又はC1: a=O11又は2; b=o又は1; m5nSs及びtは0又は整数であるが、m+n十s+t=zは1〜10の整数 である; R,=H,炭素数1〜10のアルキル部分、ハロゲンもしくはアルコキシ部分、 又は1価の芳香族ラジカル。好ましい実施態様では、Aの70%がビニルベンジ ルであり、残りのAはプロピルである。10 cycloalkyl moieties, or benzyl, provided that at least 5 of all A 0% is vinylbenzyl moiety; L=Br or C1: a=O11 or 2; b=o or 1; m5nSs and t are 0 or an integer, but m+n0s+t=z is an integer from 1 to 10 is; R, = H, alkyl moiety having 1 to 10 carbon atoms, halogen or alkoxy moiety, Or a monovalent aromatic radical. In a preferred embodiment, 70% of A is vinylbenzene. The remaining A is propyl.

第2オリゴマーは(a)ジアルデヒド1モル割合と(b)フェノール約3〜約4 モル割合とのオリゴマー縮合生成物のエーテルであり;この場合、ジアルデヒド はOHC(CHz)−CHO(式中、n=0又は1〜6の整数)、シクロペンタ ンジアルデヒド、フタルアルデヒド、イソフタルアルデヒド、テレフタルアルデ ヒド、ヘキサヒドロフタルアルデヒド、シクロへブタンジアルデヒド、ヘキサヒ ドロイソフタルアルデヒド、ヘキサヒドロテレフタルアルデヒド、及びシクロオ クタンジアルデヒドから成る群から選択され;この場合、フェノールは構造R0 C,H,OH(式中、R1は水素又は炭素数1〜約10のアルキル基である)を 有する:前記オリゴマー縮合生成物のフェノール残基はビニルベンジル、炭素数 1〜10のアルキル部分、炭素数5〜10のシクロアルキル部分、及びベンジル から成る群からランダムに選択される1種以上の置換基によってエーテル化され て、エーテル部分を形成し、この場合ビニルベンジル対地の部分の比は1:1か ら約6二1までである。The second oligomer comprises (a) 1 molar proportion of dialdehyde and (b) about 3 to about 4 phenols. ether of oligomeric condensation products with molar proportions; in this case dialdehyde is OHC(CHz)-CHO (in the formula, n = 0 or an integer from 1 to 6), cyclopenta dialdehyde, phthalaldehyde, isophthalaldehyde, terephthalaldehyde Hyde, hexahydrophthaldehyde, cyclohebutanedialdehyde, hexahyde Droisophthalaldehyde, hexahydroterephthalaldehyde, and cycloo selected from the group consisting of cutandialdehyde; in this case the phenol is of structure R0 C, H, OH (wherein R1 is hydrogen or an alkyl group having 1 to about 10 carbon atoms) Has: The phenol residue of the oligomer condensation product is vinylbenzyl, carbon number Alkyl moiety having 1 to 10 carbon atoms, cycloalkyl moiety having 5 to 10 carbon atoms, and benzyl etherified by one or more substituents randomly selected from the group consisting of to form an ether moiety, in which case the ratio of vinylbenzyl to ground moieties is 1:1. From 621 to approximately 621.

米国特許第4,824.920号において、本発明の発明者の一人はジシクロペ ンタジェンとフェノールとの反応生成物のエーテルの製造と使用、及び複合体、 特に電子工学用の積層ボードへのそれらの使用を開示している。これらの組成物 が米国特許第4,816,498号のオリゴマーと組合わされて、中間レベル誘 電体として使用可能であることが今回判明した、この場合にこれらは低い吸水性 、低い誘電率、低い熱膨張係数、高いガラス転移温度、高い熱安定性、高固形分 コーティング濃度、光化学硬化性、熱硬化性及び硬化プロセス中に殆ど又は全く 揮発物を発生させないという利点を有する。In U.S. Pat. No. 4,824.920, one of the inventors of the present invention production and use of ethers and complexes of reaction products of ntadiene and phenol; In particular, their use in laminated boards for electronics is disclosed. These compositions was combined with the oligomers of U.S. Pat. No. 4,816,498 to provide an intermediate level of It has now been found that they can be used as electrical objects, in which case they have low water absorption. , low dielectric constant, low coefficient of thermal expansion, high glass transition temperature, high thermal stability, high solids content little or no coating concentration, photochemical curability, thermal curability and curing process It has the advantage of not generating volatile substances.

パターン形成に用いられるプレポリマーは次式を有する:式中、 R1、R2=H又は炭素数1〜10のアルキル;R4=H。The prepolymer used for patterning has the following formula: R1, R2=H or alkyl having 1 to 10 carbon atoms; R4=H.

10のシクロアルキル部分、又はベンジルである、但し全てのAの少なくとも5 0%はビニルベンジル部分である; L=Br又はC1; a=o、1又は2; b=o又は1; mSn、s及びtは0又は整数であるが、m+n十s+t=zは1〜10の整数 である; R5=H1炭素数1〜10のアルキル部分、ハロゲンもしくはアルコキシ部分、 又は1価の芳香族ラジカル。10 cycloalkyl moieties, or benzyl, provided that at least 5 of all A 0% is vinylbenzyl moiety; L=Br or C1; a=o, 1 or 2; b=o or 1; mSn, s and t are 0 or integers, but m+n+s+t=z is an integer from 1 to 10 is; R5=H1 alkyl moiety having 1 to 10 carbon atoms, halogen or alkoxy moiety, Or a monovalent aromatic radical.

いずれの環におけるジシクロペンタジェン部も置換されることができる。R1と R2は通常、水素である、すなわち本発明の実施では、非置換ジシクロペンタジ ェンが好ましいが、R1とR2の各々は炭素数約10までのアルキル基、好まし くは第1アルキル基であることができる。ジシクロペンタジェンが置換される場 合に、例えばメチル、エチル、プロピル及びブチルのような、低級アルキル基が 特に好ましい。ジシクロペンタジェン環系のいずれの位置においても置換が可能 であるが、R1がアリール基に結合されない5員環の炭素に存在し、R2が二環 部分の架橋又は架橋末端(br idgehead)炭素に存在することが好ま しい。 我々の樹脂のフェノール末端並びにP又はQのフェノール部はメチル基 又はハロゲン原子によって置換されることができる。ジシクロペンタジェンとの 縮合のために、このようなフェノールの混合物も使用可能である。メチル基は酸 素原子を有する位置に対してメタ又はパラの位置に存在する。本発明の実施には バラ置換フェノールが好ましい、このような混合物は、有利な態様(featu re)であり、光化学硬化を受けやすい非晶質樹脂を与える傾向があるからであ る。The dicyclopentadiene moiety in either ring can be substituted. R1 and R2 is typically hydrogen, i.e., in the practice of this invention, unsubstituted dicyclopentadiene. R1 and R2 are each an alkyl group having up to about 10 carbon atoms, preferably or a primary alkyl group. When dicyclopentadiene is substituted In some cases, lower alkyl groups such as methyl, ethyl, propyl and butyl are used. Particularly preferred. Substitution possible at any position on the dicyclopentadiene ring system However, R1 exists on a carbon of a 5-membered ring that is not bonded to an aryl group, and R2 is a bicyclic ring. Preferably present at the bridge or bridge head carbon of the moiety. Yes. The phenol end of our resin and the phenol part of P or Q are methyl groups. or can be substituted by a halogen atom. with dicyclopentadiene It is also possible to use mixtures of such phenols for the condensation. Methyl group is acid Exists in a meta or para position relative to a position containing an elementary atom. To carry out the invention: Such mixtures, in which rose-substituted phenols are preferred, are an advantageous embodiment. re) and tend to give amorphous resins that are susceptible to photochemical curing. Ru.

この基本的樹脂は芳香環にハロゲン原子を導入することによって難燃性に容易に 改質することもできる。従って、Lはハロゲン原子、特に臭素であることができ 、芳香環がハロゲン化される場合に、aは0.1又は2であり、bは0又は1で ある。難燃剤としては、ポリハロゲン化物質が好ましく、このことはaとbが最 大であることが望ましいことを意味する。芳香環がハロゲン置換されない場合に は、aとbの両方は0である。This basic resin can be easily made flame retardant by introducing halogen atoms into the aromatic ring. It can also be modified. Thus, L can be a halogen atom, especially bromine. , when the aromatic ring is halogenated, a is 0.1 or 2, and b is 0 or 1. be. As flame retardants, polyhalogenated substances are preferred, which means that a and b are the most It means that it is desirable to be large. When the aromatic ring is not substituted with halogen , both a and b are 0.

フラグメントのPとQはアダクツのサブユニットである。このアダクツがオリゴ マーである場合に、これは頭−頭装置、頭−尾装置、又は完全にもしくは部分的 にランダムな配置である。オリゴマーが形成される場合に、オリゴマーは比較的 低分子量である。変数m、n、s及びtはそれぞれ整数であり、2がm+n+s +tに等しい場合に、2は1〜10の整数、通常は約5までの整数であり、本発 明の実施には2が3又は4であることが好ましい。Fragments P and Q are subunits of the adduct. This adduct is oligo This may be a head-to-head arrangement, a head-to-tail arrangement, or a fully or partially It is a random arrangement. When oligomers are formed, they are relatively It has a low molecular weight. The variables m, n, s and t are each integers, and 2 is m+n+s +t, 2 is an integer from 1 to 10, usually up to about 5, and the present invention Preferably, 2 is 3 or 4 for the specific implementation.

アダクツ中のフェノール性ヒドロキシルはエーテルに転化されるようにキャップ される(capped)。フェノール基の少なくとも80%がこのようにキャッ プされるが、少なくとも90%がキャップされることが好ましく、フェノール基 の少なくとも95%がキャップされることがさらに一層好ましい。換言すると、 上記式において、A部分の約20%未満が水素であり、10%未満が水素である ことが好ましく、5%未満が水素であることがさらに一層好ましい。The phenolic hydroxyl in the adduct is capped so that it is converted to an ether. capped. At least 80% of the phenolic groups are thus capped. but preferably at least 90% capped, with the phenolic groups It is even more preferred that at least 95% of the In other words, In the above formula, less than about 20% of the A moiety is hydrogen and less than 10% is hydrogen. Preferably, less than 5% is hydrogen, even more preferably.

エーテル部、Aがビニルベンジル部分、すなわち下記構造:[式中、ビニル基は CHtに対してメタ又はパラであり、R6は水素である]であり、通常はメタ− 異性体とパラ−異性体との混合物である場合に、最も良L1ケースが生ずる。R 6は水素、炭素数1〜約10のアルキル部分、ハロゲン、炭素数1〜約10のア ルコキシ部分、本体(parent)が芳香族炭化水素であるm個うンジカルか ら成る群から選択される化学的に不活性な置換基である。In the ether moiety, A is the vinylbenzyl moiety, that is, the following structure: [wherein the vinyl group is is meta or para to CHt and R6 is hydrogen], usually meta- The best L1 case occurs when it is a mixture of isomers and para-isomers. R 6 is hydrogen, an alkyl moiety having 1 to about 10 carbon atoms, halogen, an alkyl moiety having 1 to about 10 carbon atoms; lukoxy moiety, the parent is an aromatic hydrocarbon. is a chemically inert substituent selected from the group consisting of

しかし、全てのフェノール性ヒドロキシルがビニルベンジル部分によって末端キ ャップされることが望ましく、他の基の全て未満が通常は多少低い誘電率という 犠牲を伴ってビニルベンジルである場合に、決定的な費用利益が存在する。本発 明では、水素とは異なるA部分の少なくとも50%がビニルベンジル部分である ことが必要であるが、エーテル基の70〜100%がビニルベンジルである場合 により良好な性能特性を有する化合物が得られ、このような基の95〜100% がビニルベンジルである場合に、最良の生成物が得られる。多くの用途では、ビ ニルベンジル基による完全未満の末端キャッピングが受容されるが、ヒドロキシ ル基の全てがキャップされるべきである。However, all phenolic hydroxyls are end-capped by vinylbenzyl moieties. It is desirable that the dielectric constant of all other groups is lower than that of the lower dielectric constant. There is a definite cost benefit in the case of vinyl benzyl with the sacrifice. main departure In light, at least 50% of the A moieties that are different from hydrogen are vinylbenzyl moieties. However, if 70 to 100% of the ether groups are vinylbenzyl gives compounds with good performance properties, with 95-100% of such groups The best products are obtained when is vinylbenzyl. In many applications, Less than complete end-capping with nylbenzyl groups is accepted, but hydroxy All of the groups should be capped.

エーテル基の全て未満がビニルベンジルである場合には、Aが炭素数1〜10の アルキル基、炭素数5〜10のシクロアルキル基又はベンジル基である樹脂が好 ましい。Aがアルキル基である場合に、第1アルキル基が好ましく、特に炭素数 1〜4の第1低級アルキル基が好ましい。従って、最も好ましいアルキル基はメ チル、エチル、1−プロピル、1−ブチル、及び2−メチル−1−プロピルから 成る。他のアルキル基は1−ペンチル、l−ヘキシル、1−へブチル、l−オク チル、1−ノニル、1−デシル、2−メチル−1−ブチル、3−メチル−1−ブ チル、2.3−ジメチル−1−ブチル、3.3−ジメチル−1−ブチル、2−メ チル−1−ペンチル等によって代表される。しかし、本発明の実施ではベンジル 基も非常に充分に作用することを強調すべきである。本発明に用いられる、最も 一般的なシクロアルキル基は、非置換又は炭素原子5〜10個を含むようにアル キル置換した5員及び6員シクロアルカンである。例はシクロペンチル、シクロ ヘキシル、メチルシクロペンチル、ジメチルシクロペンチル、エチルシクロペン チル、プロピルシクロペンチル、ブチルシクロペンチル、ペンチルシクロペンチ ル、エチルメチルシクロペンチル、メチルプロピルシクロペンチル、ブチルメチ ルシクロペンチル、メチルシクロペンチル、ジメチルシクロヘキシル、エチルシ クロヘキシル、プロピルシクロヘキシル、ブチルシクロヘキシル等である。When less than all of the ether groups are vinylbenzyl, A has 1 to 10 carbon atoms. Resins having an alkyl group, a cycloalkyl group having 5 to 10 carbon atoms, or a benzyl group are preferred. Delicious. When A is an alkyl group, a primary alkyl group is preferable, especially if the number of carbon atoms is 1 to 4 primary lower alkyl groups are preferred. Therefore, the most preferred alkyl group is From thyl, ethyl, 1-propyl, 1-butyl, and 2-methyl-1-propyl Become. Other alkyl groups are 1-pentyl, 1-hexyl, 1-hebutyl, 1-octyl, Chyl, 1-nonyl, 1-decyl, 2-methyl-1-butyl, 3-methyl-1-butyl methyl, 2,3-dimethyl-1-butyl, 3,3-dimethyl-1-butyl, 2-methyl Typical examples include tyl-1-pentyl. However, in the practice of this invention, benzyl It should be emphasized that radicals also work very well. The most used in the present invention Typical cycloalkyl groups are unsubstituted or alkyl containing 5 to 10 carbon atoms. Kyl-substituted 5- and 6-membered cycloalkanes. Examples are cyclopentyl, cyclo Hexyl, methylcyclopentyl, dimethylcyclopentyl, ethylcyclopene Chyl, propylcyclopentyl, butylcyclopentyl, pentylcyclopentyl , ethylmethylcyclopentyl, methylpropylcyclopentyl, butylmethylene cyclopentyl, methylcyclopentyl, dimethylcyclohexyl, ethylcyclopentyl Chlorhexyl, propylcyclohexyl, butylcyclohexyl, etc.

l−プロピル基はビニルベンジル部分の特に望ましい代替え基であり、Aの5% 未満が水素であり、残りが1.1:1から約6:1までの比でビニルベンジル又 は1−ピロピルである樹脂が非常に望ましい。好ましい実施態様では、Aは少な くとも70%がビニルベンジルであり、残りのAがプロピルである。The l-propyl group is a particularly desirable replacement group for the vinylbenzyl moiety, with 5% of A less than 50% is hydrogen and the remainder is vinylbenzyl or A resin in which is 1-propyl is highly desirable. In a preferred embodiment, A is less than At least 70% is vinylbenzyl, and the remaining A is propyl.

混合物の使用は溶液中への樹脂の溶解度を高め、良好なフィルム形成性を促進さ せることと安定な非フレーク化(non−flaking)コーティングを形成 することの両方で望ましい非晶質樹脂の形成する傾向がある。樹脂の望ましい混 合物はz=1樹脂約5〜20重量%、z=2樹脂約10〜約30重量%、2;3 樹脂約5〜約30重量%、z=4樹脂約5〜約30%及びz=5〜10樹脂約5 〜約30%から成る混合物である。The use of mixtures increases the solubility of the resin in the solution and promotes good film formation. forming a stable non-flaking coating Both tend to form desirable amorphous resins. Desired mix of resins The compound is z=1 resin about 5 to 20% by weight, z=2 resin about 10 to about 30% by weight, 2; 3 About 5 to about 30% by weight resin, z = 4 resin about 5 to about 30% and z = 5 to 10 resin about 5 ~30% mixture.

この付随ビニル基は熱、化学又は放射(radiative)手段によって行わ れる硬化工程において容易に架橋される。熱硬化は一般に約100〜約300℃ の温度範囲で実施され、実際に約150〜約200℃の温度において領 5〜5 時間実施され、約180〜300℃における後硬化が約0. 5〜24時間実施 される。硬化は例えばアゾ−ビス−イソブチロニトリル、過酸化ベンゾイル、過 酸化ジ−t−ブチル等のような、フリーラジカル開始剤を用いても実施される。This accompanying vinyl group is removed by thermal, chemical or radiative means. It is easily crosslinked during the curing process. Heat curing is generally about 100 to about 300℃ It was carried out in the temperature range of 150 to 200 degrees Celsius, and in fact The post-curing at about 180-300°C was carried out for about 0.0000000000000000000000000000000000000000000000000000000. Implemented for 5 to 24 hours be done. Curing can be done with e.g. azo-bis-isobutyronitrile, benzoyl peroxide, peroxide, etc. Free radical initiators such as di-t-butyl oxide and the like may also be used.

硬化は、特に適当な光開始剤又は増感剤の存在下での可視光線又は紫外線による 照射によっても同様に実施される。熱、化学的又は光化学的硬化のいずれを実施 しても、樹脂は広範囲に架橋され、硬化して、不融性、不溶性のガラス状固体に なる。Curing can be effected by visible or ultraviolet light, especially in the presence of suitable photoinitiators or sensitizers. The same can be done by irradiation. Perform either thermal, chemical or photochemical curing However, the resin is extensively crosslinked and cured into an infusible, insoluble, glassy solid. Become.

本発明の樹脂は技術上公知の便利な方法によって製造される。しかし、これらは ビニルベンジルハリドをジシクロペンタジェン−フェノールアダクツと塩基性溶 液中で反応させることによって、最も容易に製造される。一般に、ビニルベンジ ルクロリドのメタ異性体とパラ異性体との混合物が用いられるが、プロミドと、 低度ではあるが、ヨーシトも使用可能である。この反応はしばしばアセトン、N −メチルピロリドン又は他の有機補助溶剤を含むアルコール性水酸化カリウム溶 液中で、還流温度において好都合に実施される。Aの一部がアルキル、シクロア ルキル又はベンジル部分である場合には、これらは適当なアルキル、シクロアル キル又はペンジルハリドを部分的ビニルベンジル末端キャップトアダクツと反応 させることによって、又は非キャップトアダクツと/%リド混合物とを反応させ ることによって製造することができる。The resins of this invention are made by any convenient method known in the art. However, these Vinylbenzyl halide is dissolved in basic solution with dicyclopentadiene-phenol adduct. It is most easily produced by reacting in liquid. Generally, vinylbenzene Mixtures of meta and para isomers of luchloride are used; Yoshito can also be used, although to a lesser extent. This reaction often involves acetone, N - Alcoholic potassium hydroxide solution containing methylpyrrolidone or other organic co-solvents It is conveniently carried out in liquid at reflux temperature. Part of A is alkyl, cycloa alkyl or benzyl moieties, these are the appropriate alkyl, cycloalkyl, Reacting kill or pendyl halides with partially vinylbenzyl end-capped adducts or by reacting the uncapped adduct with the /% lido mixture. It can be manufactured by

第2オリゴマーは、ある種のジアルデヒド1モル割合とフェノール約3〜約4モ ル割合とのオリゴマー縮合生成物のエーテルである。さらに詳しくは、エーテル 部分はビニルベンジル部分、炭素数1〜10のアルキル部分、炭素数5〜10の シクロアルキル、及びベンジルから成る群からランダムに選択される、この場合 、ビニルベンジル対地のエーテル部分の比は少なくとも1:1であり、約6=1 程度の大きさになることができる。The second oligomer contains 1 molar proportion of certain dialdehyde and about 3 to about 4 molar proportions of phenol. It is an ether of the oligomer condensation product with a le proportion. For more information, see Ether The moiety is a vinylbenzyl moiety, an alkyl moiety having 1 to 10 carbon atoms, and a vinylbenzyl moiety having 5 to 10 carbon atoms. randomly selected from the group consisting of cycloalkyl, and benzyl, in this case , the ratio of vinylbenzyl to ground ether moieties is at least 1:1, and about 6=1 It can be of a certain size.

フェノール性オリゴマーは選択されたジアルデヒド1モル割合とフェノール3〜 4モル割合との縮合生成物である。本発明の実施には4モルを越える割合のフェ ノールを用いることもできるが、4モル以下の割合がジアルデヒドと反応する本 発明に使用可能なジアルデヒドの1種類は式:OHC(CHz)、CHO(式中 、r=o又は1〜6の整数)の線状、末端アルキレンジアルデヒドである。この ようなジアルデヒド類はグリオキサール、マロンジアルデヒド、スクシニジアル デヒド、グルタルアルデヒド、アジフアルデヒド(adiphaldehyde )、ピメルアルデヒド、セバカアルデヒドを含む。nが0〜4であるようなアル デヒド類が特に好ましく、本発明の実施には、グリオキサール(n=0)が特に 好ましい。The phenolic oligomer contains 1 molar proportion of the selected dialdehyde and 3 to 3 phenols. It is a condensation product with 4 molar proportions. In the practice of this invention, a proportion of more than 4 moles of Fe It is also possible to use alcohol, but in this case less than 4 moles react with the dialdehyde. One type of dialdehyde that can be used in the invention has the formula: OHC (CHz), CHO (in the formula , r=o or an integer from 1 to 6). this Dialdehydes such as glyoxal, malondialdehyde, and succinidial Dehyde, glutaraldehyde, adiphaldehyde ), pimelaldehyde, and sebacaldehyde. Al such that n is 0 to 4 Dehydes are particularly preferred, and glyoxal (n=0) is particularly preferred for the practice of the invention. preferable.

オリゴマー縮合生成物の製造に使用可能な他のアルデヒド類は、シクロペンタン ジアルデヒド、フタルアルデヒド、イソフタルアルデヒド、テレフタルアルデヒ ド、ヘキサヒドロフタルアルデヒド(すなわち、芳香環が還元されてシクロヘキ サン環になったフタルアルデヒドのフタルアルデヒドの還元対応物)、シクロへ ブタンジアルデヒド及びシクロオクタンジアルデヒドを含む。Other aldehydes that can be used to make oligomeric condensation products are cyclopentane dialdehyde, phthalaldehyde, isophthalaldehyde, terephthalaldehyde hexahydrophthalaldehyde (i.e., the aromatic ring is reduced to form cyclohexyl Phthalaldehyde reduced counterpart of phthalaldehyde which became San ring), to cyclo Contains butane dialdehyde and cyclooctanedialdehyde.

オリゴマーは上記ジアルデヒド1モル割合と上記ジアルデヒド類3〜約4モル割 合との縮合生成物である。フェノールは一般構造Ra Cs Ha OH(式中 、R6は水素又は炭素数1〜約8のアルキルである)を有する。最も望ましいフ ェノールはフェノール自体、すなわちR6が水素である場合である。R6がアル キル基である場合に、炭素数1〜約4のアルキル基が最も好ましく、R6がメチ ル基である場合のクレゾールがフェノールの他の好ましい種である。The oligomer contains 1 mole of the above dialdehyde and 3 to about 4 moles of the above dialdehyde. It is a condensation product with Phenol has the general structure Ra Cs Ha OH (in the formula , R6 is hydrogen or alkyl having 1 to about 8 carbon atoms). The most desirable frame Phenol is phenol itself, ie when R6 is hydrogen. R6 is Al When it is a kyl group, an alkyl group having 1 to about 4 carbon atoms is most preferred, and R6 is a methyl group. Cresol is another preferred species of phenol.

この縮合生成物はフェノール−ホルムアルデヒド縮合生成物に類似する。すなわ ち、この生成物はフェノール2モル割合と各アルデヒド基との縮合から生ずる。This condensation product is similar to the phenol-formaldehyde condensation product. Sunawa This product results from the condensation of two molar proportions of phenol with each aldehyde group.

この反応を例示するためにフェノールとグリオキサールとを用いた、“モノマー ”生成物と見なされることができる最も簡単な場合には、生成物は下記構造を有 する: 式中、ヒドロキシルはフェノールとグリオキサールとの縮合点に対して殆ど排他 的にオルト及びパラであり、大抵はパラである。しかし、上記生成物は4フ工ノ ール基/分子を有し、これらのいずれもグリオキサールの他の1モルと反応する ことができ、このグリオキサールがさらに他の3モルのフェノールと縮合して、 下記構造を生ずる: 上記オリゴマー生成物は7フエノールと2グリオキサールとのモル割合から生ず る。このオリゴマーは次にグリオキサールの他の1モルと反応することができ、 後者はさらに他の3フエノールと反応して、10フエノール基対3グリオキサー ルのモル比を有する、下記構造の次の高級のオリゴマーを生ずる:同様に、次の 高級オリゴマーは13:4のフェノール対グリオキサールのモル比を有し、次の 高級オリゴマーは16:5のフェノール対グリオキサールのモル比を有し、この ように進行し、限定モル比は3:1である。3:1未満の比が内部理化なしには 決して得られないこと、すなわちオリゴマーの少なくとも2フ工ノール部分と反 応するには、1モルのグリオキサールが必要であることに言及する必要がある。To illustrate this reaction, a “monomer” using phenol and glyoxal is used. ``In the simplest case that can be considered a product, the product has the structure do: In the formula, hydroxyl is almost exclusive to the condensation point of phenol and glyoxal. Usually ortho and para, mostly para. However, the above product Glyoxal groups/molecules, any of which reacts with another mole of glyoxal This glyoxal is further condensed with another 3 moles of phenol, yields the following structure: The above oligomeric product results from the molar ratio of 7-phenol and 2-glyoxal. Ru. This oligomer can then be reacted with another mole of glyoxal, The latter is further reacted with other 3 phenols to form 10 phenolic groups to 3 glyoxers. Similarly, the following higher oligomers of the following structure with a molar ratio of The higher oligomer has a phenol to glyoxal molar ratio of 13:4 and has the following: The higher oligomer has a phenol to glyoxal molar ratio of 16:5; The limiting molar ratio is 3:1. Ratio less than 3:1 without internal rationalization What can never be obtained, i.e., at least two phenolic portions of the oligomer and the reaction It should be mentioned that 1 mol of glyoxal is required to meet this requirement.

同様に、“モノマー”である縮合生成物は4:1のフェノール−グリオキサール 限定比を有する。Similarly, the "monomer" condensation product is a 4:1 phenol-glyoxal Has a limited ratio.

縮合生成物は、上述したように、それら自体がフェノールであり、オリゴマーの 混合物である。我々は4〜約60フ工ノール部分/分子を有し、より通常には4 〜約22フ工ノール部分/分子を有する縮合生成物に関心を有する。この生成物 はオリゴマーの混合物であり、好ましい混合物は平均として約5〜約8フエノー ル部分/分子を有することを特徴とする。The condensation products, as mentioned above, are themselves phenols and oligomers. It is a mixture. We have from 4 to about 60 phenol moieties/molecule, more usually 4 Of interest are condensation products having ~22 phenol moieties/molecule. this product is a mixture of oligomers, with preferred mixtures containing on average about 5 to about 8 phenolic It is characterized by having a double moiety/molecule.

さらに詳しくは、ジアルデヒドがグリオキサールであり、フェノールがフェノー ル自体である場合には、各オリゴマー生成物は約400〜6000の分子量、よ り好ましくは約400〜約2200の分子量を有する。オリゴマー生成物の混合 物は約500〜約800の平均分子量を有する。More specifically, dialdehyde is glyoxal and phenol is phenol. per se, each oligomeric product has a molecular weight of about 400 to 6000, and so on. It preferably has a molecular weight of about 400 to about 2,200. Mixing of oligomeric products The material has an average molecular weight of about 500 to about 800.

本発明の中間レベル誘電体樹脂は上記オリゴマー縮合生成物のエーテルである。The intermediate level dielectric resin of the present invention is an ether of the oligomeric condensation products described above.

本発明の1変異態様では、最終樹脂をより大きく難燃性にするために、フェノー ル縮合生成物をエーテル形成の前にハロゲン化する。ハロゲンが塩素もしくは臭 素である場合に特に、難燃性の増大が生じ、臭化生成物の使用が好ましい。ハロ ゲンをフェノール性ヒドロキシル基に対してオルト及びパラの位置に導入する。In one variant of the invention, phenol is added to make the final resin more flame retardant. The condensation product is halogenated prior to ether formation. Halogen is chlorine or smells The use of brominated products is preferred, as an increase in flame retardancy occurs especially when the brominated products are brominated. Halo The gene is introduced at the ortho and para positions to the phenolic hydroxyl group.

オルト及びパラの位置の全てが利用可能である場合には、1フ工ノール部分につ き最大3ハロゲン原子を導入することができる。最大にハロゲン化されたオリゴ マー縮合生成物を製造することがしばしば好ましいが、時には、最大未満のハロ ゲン含量が有利である。しかし、後者の変異態様では、1フ工ノール部分につき 少なくとも1個の塩素又は臭素原子が存在することが明らかになる筈である。If all ortho and para positions are available, then Up to three halogen atoms can be introduced. Maximally halogenated oligo Although it is often preferred to produce mer condensation products, sometimes less than the maximum Gen content is advantageous. However, in the latter variant, per phenolic moiety It should become apparent that at least one chlorine or bromine atom is present.

ヒドロキシルの実質的に全て(約99.5%より大)をエーテル部分に転化させ るために、フェノール縮合生成物にキャップする。エーテル部分の各々は、ビニ ルベンジル対地の全てのエーテル部分の比が少なくとも1:1であり、約6=1 程度の大きさになりつる第1型オリゴマーに関して、上述したように、ビニルベ ンジル、炭素数1〜10のアルキル部分、炭素数5〜10のシクロアルキル、及 びベンジルから成る群からランダムに選択される。converting substantially all (greater than about 99.5%) of the hydroxyls to ether moieties; The phenol condensation product is capped in order to Each of the ether parts is vinyl The ratio of all ether moieties of rubenzyl to earth is at least 1:1 and about 6=1 Regarding the first type oligomer that grows to a certain extent, as mentioned above, vinyl vinyl alkyl moiety having 1 to 10 carbon atoms, cycloalkyl having 5 to 10 carbon atoms, and and benzyl.

フェノールとジアルデヒドとの酸触媒作用縮合と、その後の、フェノール性ヒド ロキシルをエーテルに転化させることによるフェノール性ヒドロキシルの実質的 に全ての末端キャップ化とによって、プレポリマーを製造することができる。Acid-catalyzed condensation of phenol and dialdehyde followed by phenolic hydride Substantial conversion of phenolic hydroxyl by converting roxyl to ether A prepolymer can be produced by all end-capping.

末端ヒドロキシルメチレン基−CH,OHの形成を避けるために、酸触媒作用縮 合が好ましい。例えば、フェノール縮合生成物をアルキルもしくはペンジルハリ ドと塩基性媒質中で反応させることによるような、適当な手段によってエーテル 形成による末端キャップ化を行うことができる。To avoid the formation of terminal hydroxyl methylene groups -CH,OH, the acid-catalyzed condensation preferably. For example, phenol condensation products can be ether by suitable means, such as by reaction in a basic medium with End-capping by formation can be performed.

得られる中間レベル誘電体オリゴマーは種々な硬化手段によって架橋を付随して 重合されることができる。硬化を熱手段によって実施する場合には、オリゴマー 御脂を空気中で約100〜300℃、特に約120〜200℃の温度に加熱する ことによって、硬化が一般に自己開始する。硬化は例えばアゾ−ビス−イソブチ ロニトリル、過酸化ベンゾイル、過酸化ジ−t−ブチル等のような、フリーラジ カル開始剤を用いても実施される。硬化を特に適当な光開始剤又は増感剤の存在 下又は不存在下での可視光線又は紫外線による照射によって開始し、次に、熱硬 化を実施して、不融性、不溶性のガラス状固体を製造することができる。The resulting mesolevel dielectric oligomers are concomitantly crosslinked by various curing means. Can be polymerized. If curing is carried out by thermal means, the oligomer Heat the sesame oil in air to a temperature of about 100 to 300 degrees Celsius, especially about 120 to 200 degrees Celsius. As a result, curing is generally self-initiated. For example, azo-bis-isobutyl Free radicals such as lonitrile, benzoyl peroxide, di-t-butyl peroxide, etc. It is also carried out using cal initiators. The presence of a particularly suitable photoinitiator or sensitizer for curing Start by irradiation with visible or ultraviolet light in the absence or presence of can be carried out to produce an infusible, insoluble glassy solid.

フォトデフィナブル(photodef 1nable)用途このオリゴマー類 は不動態化剤として、中間レベル誘電体として、デバイスに深い誘電性単離領域 (絶縁体単離トレンチ)を形成する手段として、高温はんだマスクとして、フォ トレジスト等として用いられることができる。以下の大部分は中間レベル誘電体 としてのその使用を述べるが、熟練した研究者はこの説明から本発明の物質を他 の用途に如何に使用するかをも認識するであろう。Photodefinable (photodef 1nable) usage of these oligomers as a passivation agent, as an interlevel dielectric, and as a deep dielectric isolation region in devices. (Insulator isolation trench) It can be used as a resist or the like. Most of the following are mid-level dielectrics However, from this description the skilled researcher will be able to use the substance of the present invention in other ways. You will also recognize how to use it for this purpose.

このオリゴマーはコーティングとして適当な基板上に塗布される。用いられる基 板は、大抵、ケイ素ウェファ−1積層回路のケイ素チップ、印刷回路ボード又は セラミック基板である。感光性オリゴマー類をスピン塗装、スプレー塗装によっ て、ドクターナイフの使用によって、又は他の通常の技術上公知の方法によって 塗布して、均一な塗膜を得ることができる。粘度が高すぎる場合には、適当な溶 剤中の樹脂の溶液を用いることができる。このオリゴマー類は極性非プロトン性 溶剤、芳香族炭化水素、ハロゲンン化炭化水素、ケトン、エステル等を含めた、 広範囲な種類の溶剤中に可溶である。本発明の実施に使用可能である溶剤の例は ジメチルホルムアミド(DMF) 、ヘキサメチルホスホルアミド(HMPA) 、N−メチルアセトアミド(NMAc)、ジメチルスルホキシド(DMSO)、 N−メチルピロリドン(NMP) 、ベンゼン、トルエン、キシレン、ジクロロ メタン、クロロホルム、四塩化炭素、クロロベンゼン、テトラクロロエタン、テ トラクロロエチレン、トリクロロエタン、ガンマ−ブチロラクトン、メチルエチ ルケトン、ジエチルケトン、ヘキサノン、ヘプタノン、オクタノン、酢酸メチル 、酢酸エチル、メトキシエタノール、エトキシエタノール等を含む。この溶剤は 基板と感光性オリゴマーとの両方と不反応性であるべきであ、す、かつ樹脂を溶 解させて、少なくとも約10重量−容量%溶液を形成することができるべきであ る。This oligomer is applied as a coating onto a suitable substrate. Group used The board is usually a silicon wafer-1 laminated circuit silicon chip, a printed circuit board or It is a ceramic substrate. Photosensitive oligomers are applied by spin coating or spray coating. by the use of a doctor's knife or by other methods commonly known in the art. Can be applied to obtain a uniform coating. If the viscosity is too high, use a suitable solution. A solution of the resin in a solution can be used. These oligomers are polar aprotic including solvents, aromatic hydrocarbons, halogenated hydrocarbons, ketones, esters, etc. Soluble in a wide variety of solvents. Examples of solvents that can be used in the practice of this invention are Dimethylformamide (DMF), hexamethylphosphoramide (HMPA) , N-methylacetamide (NMAc), dimethyl sulfoxide (DMSO), N-methylpyrrolidone (NMP), benzene, toluene, xylene, dichloro Methane, chloroform, carbon tetrachloride, chlorobenzene, tetrachloroethane, tetrachloride Trachlorethylene, trichloroethane, gamma-butyrolactone, methylethyl ketone, diethyl ketone, hexanone, heptanone, octanone, methyl acetate , ethyl acetate, methoxyethanol, ethoxyethanol, etc. This solvent It should be non-reactive with both the substrate and the photosensitive oligomer, and should not dissolve the resin. should be able to dissolve to form a solution of at least about 10% weight-volume. Ru.

この溶剤はこの後の処理の前に典型的に除去されるので、上記考察と一致して、 できるかぎり低い沸点の溶剤を用いることも好ましい。Consistent with the above considerations, since this solvent is typically removed before further processing, It is also preferred to use a solvent with the lowest possible boiling point.

このオリゴマー類は直接光重合されるので、感光剤又は光開始剤を用いることが でき、感光剤又は光開始剤は照射時間を短縮させるために有用である。感光剤又 は光開始剤を用いる場合には、感光剤又は光開始剤は塗装工程でオリゴマーに加 えられることができ、オリゴマーを基準にして約0.001〜約5.0重量%の 量で存在する。本発明の実施に連続的に使用可能である感光剤又は光開始剤の例 は、例えばベンゾフェノン、4.4° −ビス(ジメチルアミノ)ベンゾフェノ ン、キサントン、アセトフェノン、4−トリフルオロメチル−アセトフェノン、 トリフェニレン、チオキサントン、アントラキノン、4−フェニルベンゾフェノ ン、ナフタレン、2−アセトナフタレン、1−アセトナフタレン、クリセン、ア ントラセン、9.10−ジクロロアントラセン、ピレン、トリフェニレン、1− フルオロナフタレン、1−クロロナフタレン、1−ブロモナフタレン、1−ヨー ドナフタレン、1.3−ジシアノベンゼン、ジメチルイソフタレート、ジエチル インフタレート、メチル3−シアノ−ベンゾエート、エチル3−シアノベンゾエ ート、フェニル3−シアノ−ベンゾエート、2,2−ジメトキシアセトフェノン 、2,2−ジェトキシアセトフェノン、2. 2’ −ジメトキシ−2−フェニ ルアセトフェノン、2. 2’ −ジェトキシ−2−フェニルアセトフェノン、 ベンゾインメチルエーテル、及び1−フェニル−1,2−プロパンジオン−2− 0−ベンゾイルオキシムのような物質を含む。好ましい増感剤はベンゾフェノン 、 4゜4“−ビス(ジメチルアミノ)ベンゾフェノン、1.3−ジシアノベン ゼン、ジメチルイソフタレート、ジエチルイソフタレート、メチル3−シアノ− ベンゾエート及びフェニル3−シアノ−ベンゾエートを含む。Since these oligomers are directly photopolymerized, it is not possible to use a photosensitizer or photoinitiator. A photosensitizer or photoinitiator is useful for shortening irradiation time. Photosensitizer When using a photoinitiator, the photosensitizer or photoinitiator is added to the oligomer during the coating process. from about 0.001 to about 5.0% by weight based on the oligomer. Exist in quantity. Examples of photosensitizers or photoinitiators that can be used continuously in the practice of the invention is, for example, benzophenone, 4.4°-bis(dimethylamino)benzopheno xanthone, acetophenone, 4-trifluoromethyl-acetophenone, Triphenylene, thioxanthone, anthraquinone, 4-phenylbenzopheno Naphthalene, 2-acetonaphthalene, 1-acetonaphthalene, chrysene, acetonaphthalene, anthracene, 9.10-dichloroanthracene, pyrene, triphenylene, 1- Fluoronaphthalene, 1-chloronaphthalene, 1-bromonaphthalene, 1-io Donaphthalene, 1,3-dicyanobenzene, dimethyl isophthalate, diethyl Inphthalate, methyl 3-cyano-benzoate, ethyl 3-cyanobenzoate phenyl 3-cyano-benzoate, 2,2-dimethoxyacetophenone , 2,2-jethoxyacetophenone, 2. 2’-dimethoxy-2-pheny Ruacetophenone, 2. 2'-jethoxy-2-phenylacetophenone, Benzoin methyl ether, and 1-phenyl-1,2-propanedione-2- Contains substances such as 0-benzoyloxime. The preferred sensitizer is benzophenone , 4゜4“-bis(dimethylamino)benzophenone, 1,3-dicyanoben Zen, dimethyl isophthalate, diethyl isophthalate, methyl 3-cyano- Includes benzoate and phenyl 3-cyano-benzoate.

感光性オリゴマーを溶液として基板に塗布した場合には、用いた溶剤を照射の前 に除去しなければならない。従って、溶剤が存在する場合には、存在する溶剤の 実質的に全てを照射の前に除去するために充分な時間、塗装された基板を加熱す ることが通常行われ、これは“ソフトベーク(soft bake)”として公 知の工程である。低沸点溶剤の使用が好ましいのは、この理由からである。特に 、このオリゴマーは約110℃程度の低い温度において硬化を開始するので、半 硬化塗膜を形成するために充分な熱を用いることが受容される。このソフトベー クは真空中、不活性雰囲気(例えば、窒素、ヘリウム、アルゴン等)中又は空気 中で実施することができる。If the photosensitive oligomer is applied to the substrate as a solution, the solvent used should be removed before irradiation. must be removed. Therefore, if a solvent is present, the Heating the coated substrate for a sufficient period of time to remove substantially all of the material before irradiation This is commonly known as a “soft bake”. It is a process of knowledge. It is for this reason that the use of low boiling point solvents is preferred. especially , this oligomer starts curing at a low temperature of about 110°C, so It is acceptable to use sufficient heat to form a cured coating. This soft base Store in vacuum, in an inert atmosphere (e.g. nitrogen, helium, argon, etc.) or in air. It can be carried out inside.

好ましいターンもしくは画像を含むマスクを塗装された基板上に又はこの基板に 隣接して配置し、次にこのオリゴマー塗膜をマスクを介してX線、電子ビーム、 イオンビーム、紫外線又は可視光線によって照射する。経済性と製造の容易さの 理由から、約200〜約s o o nmの範囲内の光線(radiation )を用いることが好ましい。低い波長の光線はより良好な解像を与える傾向があ るので、200〜500nm範囲内の照射が好ましい。この処理によって、塗膜 の照射された部分は架橋されるので、光架橋したオリゴマーは最初の感光性オリ ゴマーが依然として実際に可溶である同じ溶剤中にむしろ不溶性になる。A mask containing the desired turns or images is placed on or onto the painted substrate. placed adjacent to each other, and then this oligomer coating is exposed to X-rays, electron beams, Irradiation by ion beam, ultraviolet light or visible light. Economical and easy to manufacture For reasons of radiation in the range of about 200 to about s o nm. ) is preferably used. Lower wavelength rays tend to give better resolution. Therefore, irradiation within the range of 200 to 500 nm is preferable. Through this treatment, the coating film The irradiated portion of It becomes rather insoluble in the same solvent in which the sesame is still actually soluble.

照射は酸素の存在下又は不存在下のいずれでも実施される。必要な溶解度特性の 差を与えるために充分な光架橋に必要な露光時間は、用いる光の波長、その強度 、感光剤又は増感剤の存在もしくは不存在等に依存して、数秒間から数分間まで 変化する。製造のためには、短い露光時間が非常に好ましい。本発明の感光性オ リゴマー類の望ましい特性の一つは、これらがフィルムの厚さを通して光化学的 に架橋することであり、そのため、パターンは現像時に最小のアンダーカット形 成を示す。Irradiation is carried out either in the presence or absence of oxygen. of the required solubility properties. The exposure time required for sufficient photocrosslinking to produce a difference depends on the wavelength of the light used and its intensity. , from a few seconds to a few minutes, depending on the presence or absence of the photosensitizer or sensitizer, etc. Change. For manufacturing purposes, short exposure times are highly preferred. The photosensitive film of the present invention One of the desirable properties of oligomers is that they are photochemically stable throughout the thickness of the film. cross-linking, so that the pattern has a minimal undercut shape during development. Indicates completion.

溶剤による現像時に選択的パターンが出現する。上述したように、照射時に、感 光性オリゴマー樹脂は広範囲に架橋され、この後にオリゴマーの架橋すなわち照 射部分と非架橋すなわち非照射部分との大きな溶解度の差を示す。現像に用いら れる溶剤は一般には、塗装のためにオリゴマー溶液の製造に用いた溶剤と同じで ある。従って、溶剤の種類は非プロトン性溶剤、芳香族炭化水素、ハロゲン化炭 化水素、ケトン、エステル、カルピトール及びこれらの混合物を含む。現像時に 選択的パターンが出現し、高い部分は光化学的架橋オリゴマーに相当する。次に 、これらのレリーフ構造を熱硬化すると、高温、化学的分解、イオン輸送に対し て高度に耐性であり、有効な保護層及び誘電絶縁層として役立つ、高度に架橋下 、不融性、不溶性ガラス状固体が得られる。硬化はビニル基の架橋に伴って生じ 、熱的、化学的又は光化学的に行われることができるが、熱硬化が好ましい。Selective patterns emerge upon development with solvents. As mentioned above, during irradiation, The photopolymer resin is extensively crosslinked, and this is followed by crosslinking or illumination of the oligomer. It shows a large solubility difference between the irradiated portion and the non-crosslinked or non-irradiated portion. used for development The solvent used is generally the same as that used to prepare the oligomer solution for the coating. be. Therefore, the types of solvents are aprotic solvents, aromatic hydrocarbons, and halogenated carbons. Contains hydrohydrides, ketones, esters, calpitol and mixtures thereof. During development A selective pattern appears, with high areas corresponding to photochemically crosslinked oligomers. next , thermosetting these relief structures makes them resistant to high temperatures, chemical decomposition, and ion transport. Highly cross-linked, highly resistant and serves as an effective protective and dielectric insulating layer , an infusible, insoluble glassy solid is obtained. Curing occurs due to crosslinking of vinyl groups. , thermally, chemically or photochemically, although thermal curing is preferred.

熱硬化は一般に約200〜約300℃の温度範囲において実施され、しばしば数 段階で実施される。そこで、例えば、硬化は最初に約200〜約200℃の温度 において0. 5〜5時間実施され、約180℃〜300℃において約0.5〜 24時間後硬化が行われる。硬化は例えばアゾ−ビス−イソブチロニトリル、過 酸化ベンゾイル、過酸化ジ−t−ブチル等のような、フリーラジカル開始剤を用 いても実施される。Heat curing is generally carried out at a temperature range of about 200 to about 300°C, often several Implemented in stages. So, for example, curing is first carried out at a temperature of about 200 to about 200°C. 0. It is carried out for 5 to 5 hours, and the temperature is about 0.5 to 180℃ to 300℃. Curing takes place after 24 hours. Curing can be done with e.g. azo-bis-isobutyronitrile, peroxide, etc. Using free radical initiators such as benzoyl oxide, di-t-butyl peroxide, etc. It will be implemented even if

本発明のオリゴマー類は高い固形分レベルを有する溶液として塗布され、少量の 溶媒を蒸発させればよいので、フォトデフィナブル用途に特に有用であることが 判明している。また、硬化中に揮発性副生成物が発生しないので、フィルムの収 縮は最小である。The oligomers of the present invention are applied as a solution with high solids levels, and a small amount of This method is particularly useful for photodefinable applications, as the solvent only needs to be evaporated. It's clear. Additionally, no volatile by-products are generated during curing, making the film more stable. Shrinkage is minimal.

多層状加工 基板(すなわち、セラミック、アルミナ、ケイ素、印刷配線ボード等)を通常の 洗浄溶剤(例えば、塩化メチレン、クロロホルム、Genesolv”、トリク ロロエチレン、エタノール、メタノール、亜硫酸水素ナトリウム、亜硫酸ナトリ ウム、亜硫酸カリウム等)によって、技術上公知の通常の洗浄方法を用いて洗浄 される。さらに、基板はその上に既に付着した回路を含むことができる。基板は 洗浄プロセス後に用いることができる、又は基板と金属及び/又はポリマー誘電 層の間の接着を促進させるように表面処理されることができる。Multilayer processing Substrates (i.e. ceramic, alumina, silicon, printed wiring boards, etc.) are Cleaning solvents (e.g., methylene chloride, chloroform, Loloethylene, ethanol, methanol, sodium bisulfite, sodium sulfite um, potassium sulfite, etc.) using conventional cleaning methods known in the art. be done. Additionally, the substrate can include circuitry already deposited thereon. The board is Can be used after cleaning process or substrate and metal and/or polymer dielectric The surface can be treated to promote adhesion between the layers.

用いる場合には、基板と誘電層との間の接着促進剤を本発明のポリマーと反応す ることができる反応基を含む表面シリル化剤の範囲から選択することができる。If used, an adhesion promoter between the substrate and the dielectric layer may be reacted with the polymer of the invention. The surface silylating agent can be selected from a range of surface silylating agents containing reactive groups that can be used.

使用可能な表面シリル化剤は:ビニルメチルジメトキシシラン、ビニルトリメト キシシラン、ビニルメチルジェトキシシラン、ビニルトリエトキシシラン、ジェ トキシメチルビニルフェネチルシラン、ジメトキシメチルビニルフェネチルシラ ン、トリエトキシビニルフェネチルシラン、トリメトキシビニルフェネチルシラ ン等である。好ましいシリル化剤はビニルメチルジメトキシシラン、ビニルメチ ルジェトキシシラン、ジェトキシメチルビニルフェネチルシラン及びジメトキシ メチルビニルフェネチルシランである。表面シリル化剤は浸漬、スピン塗装又は 他の方法によってアルコール−水溶液から基板に塗布される。例えば、シリル化 剤の1〜10重量%溶液を85〜98重量%のアルコール(例えば、メタノール 、エタノール、インプロパツール等)と1〜13重量%の水との中に溶解する。Usable surface silylating agents are: vinylmethyldimethoxysilane, vinyltrimeth xysilane, vinylmethyljethoxysilane, vinyltriethoxysilane, gel Toxymethylvinylphenethylsilane, dimethoxymethylvinylphenethylsilane Triethoxyvinylphenethylsilane, Trimethoxyvinylphenethylsilane N et al. Preferred silylating agents are vinylmethyldimethoxysilane, vinylmethoxysilane, Jetoxysilane, Jetoxymethylvinylphenethylsilane and Dimethoxy It is methylvinylphenethylsilane. Surface silylation agents can be applied by dipping, spin coating or Other methods apply to the substrate from an alcohol-water solution. For example, silylation A 1-10% solution by weight of the agent in 85-98% alcohol (e.g. methanol) , ethanol, impropatul, etc.) and 1-13% by weight of water.

基板をこの溶液中に15秒〜5分間浸漬し、1分間〜5時間風乾させ、次に対流 炉、真空炉又はホットプレートのいずれかにおいて60〜100℃に1分間〜5 時間ソフトベークさせる。洗浄及び/又は表面処理した基板を、本発明の誘電層 によって被覆する前に、金属パターンで被覆する。例えば、クロムの500〜1 000人層、銅の8000〜20000人層及びクロムの500〜1000人層 を表面にスパッターする。次に、この金属層を市販のフォトレジストによって被 覆し、望ましい加工実(processing scheme)に従って、スピ ン塗装、ソフトベーク、画像形成、現像及びハードベークサイクルを用いて加工 する。これは除去されるべき金属層をエツチングによって露出させて、パターン を形成する。標準的湿式法を用いて金属をエツチングする、例えば二上部クロム 層をアルミニウムによって活性化した1〜30%塩酸溶液によって10秒〜5分 間エツチングし;銅層を過硫酸ナトリウム溶液によって10秒〜10分間エツチ ングし;下部クロム層をアルミニウムによって活性化した1〜30%塩酸溶液に よって10秒〜5分間エツチングし;最後に、エツチングされた基板を脱イオン 水によって10〜60秒間洗浄する。次に、残留するフォトレジストをフォトレ ジストにとって望ましい加工方法によって金属パターンから剥離する。最後に、 洗浄した表面を次の加工工程の前に乾燥させる。The substrate was immersed in this solution for 15 seconds to 5 minutes, air-dried for 1 minute to 5 hours, then convection 60-100℃ for 1 minute to 5 minutes in either a furnace, vacuum oven or hot plate Let soft bake for an hour. The cleaned and/or surface-treated substrate is then coated with the dielectric layer of the present invention. coated with a metal pattern before being coated with a metal pattern. For example, 500 to 1 of chromium 000 people layer, copper 8000~20000 people layer and chrome 500~1000 people layer Sputter onto the surface. This metal layer is then covered with a commercially available photoresist. reverse and spin according to the desired processing scheme. Processing using paint, soft bake, imaging, development and hard bake cycles do. This is done by etching the metal layer to be removed and patterning it. form. Etch the metal using standard wet methods, e.g. The layer is treated with a 1-30% hydrochloric acid solution activated by aluminum for 10 seconds to 5 minutes. Etch the copper layer with sodium persulfate solution for 10 seconds to 10 minutes. the lower chromium layer in a 1-30% hydrochloric acid solution activated by aluminum. Therefore, etching is performed for 10 seconds to 5 minutes; finally, the etched substrate is deionized. Wash with water for 10-60 seconds. Next, remove the remaining photoresist from the photoresist. The resist is peeled off from the metal pattern using a processing method that is desirable for the resist. lastly, The cleaned surface is allowed to dry before the next processing step.

誘電層を基板とその金属パターンとの上に塗布し、下記のように処理する:ブレ ポリマー(適当な溶剤(例えば、トルエン、NMP、DMF等)中の10〜80 重量%)を基板上に500〜2500rpmの速度によって30〜90秒間スピ ン塗装する;プレポリマー被覆基板を窒素ブリード(bleed)t、て又はし ないで真空炉中で25〜60℃の温度において15分〜24時間ソフトベークす る;ソフトベークした塗膜に次にUV光線源(220〜320nm範囲)によっ てバイアス(v i a s)のための好ましい設計のマスク等を用いて15秒 〜30分間画像形成する:次に、光硬化したポリマーを適当な溶剤系(例えば、 トルエン、トルエン/ヘキサン、トルエン/エタノール、シクロヘキサン等)に よって25〜35℃において超音波を用いてもしくは用いずに、又は15〜12 0秒間スプレーすることによって現像する;現像した基板を次に停止浴もしくは すすぎ洗い浴に、又は現像溶剤と混和しつる、但しポリマー系に対する不良溶剤 (例えば、ヘキサン、ペンタン、エタノール等)以外の溶剤系に基づく溶剤スプ レーに暴露させることができる(任意工程):バイアスを次にプラズマ又は湿式 エツチングによって清浄にする:最後に、乾燥させた基板を真空下、又は不活性 雰囲気(窒素、アルゴン等)下で、25℃〜300℃のランプ(ramp)30 分間〜2時間、300℃での維持1時間、次に30分間〜3時間のランプによる 300℃から25℃までの冷却を含む硬化サイクルによってハードベークする。A dielectric layer is applied over the substrate and its metal pattern and processed as follows: Polymer (10-80 in a suitable solvent (e.g. toluene, NMP, DMF, etc.) % by weight) onto the substrate for 30-90 seconds at a speed of 500-2500 rpm. Paint the prepolymer-coated substrate with nitrogen bleed or heat treatment. Soft bake in a vacuum oven for 15 minutes to 24 hours at a temperature of 25 to 60°C. the soft-baked coating is then exposed to a UV light source (220-320 nm range). for 15 seconds using a mask of a preferred design for bias (v i as ). Imaging for ~30 minutes: The photocured polymer is then washed with a suitable solvent system (e.g. toluene, toluene/hexane, toluene/ethanol, cyclohexane, etc.) Thus, at 25-35° C. with or without ultrasound, or at 15-12° C. Develop by spraying for 0 seconds; the developed substrate is then exposed to a stop bath or Miscible in rinse baths or with developer solvents, but poor solvent for polymer systems Solvent sprays based on solvent systems other than (e.g. hexane, pentane, ethanol, etc.) (optional step): bias is then exposed to plasma or wet Clean by etching: Finally, the dried substrate is placed under vacuum or in an inert Under an atmosphere (nitrogen, argon, etc.), a lamp 30 at 25°C to 300°C minutes to 2 hours, maintained at 300°C for 1 hour, then ramped for 30 minutes to 3 hours. Hard bake with a curing cycle including cooling from 300°C to 25°C.

所望の電気的及び誘電性レベルの電子工学用中間連結構造を形成するために、こ のプロセスを必要に応じて繰り返す。This is used to form an electronic interlocking structure with the desired electrical and dielectric level. Repeat the process as necessary.

実施例1 スチレン末端パラ−クレゾールジシクロペンタジェン(STPCDP (70V Bz/30Pr))の合成 機械的スターシー、添加ロート、冷却管、温度計、窒素パージ及びTherm− O−Watchを装備した2000m1三つロ丸底フラスコ中のN−メチルピロ リジノン(NMP)700ml中に、Borden Chemicalからのパ ラ−クレゾールジシクロペンタジェン(PCDP)(Mn=520.Mw=11 00、分散度2.12)200.0gを溶解した。この反応混合物にビニルベン ジルクロリド(60/40パラ/メタ異性体比)123.06g (0,806 モル)と2.6−シーtert−ブチル−p−クレゾール(BHT)0.30g とを加えた。反応混合物を60℃に加熱し、メタノール125m1中の水酸化カ リウム52.78g (0,941モル)を30分間にわたって滴加した。反応 を窒素パージ下で撹拌しながら、60℃に16時間維持した。この反応混合物に n−プロピルプロミド31.32g (0,254モル)を加え、次にメタノー ルSQml中の水酸化カリウム15. 34g (0,273モル)を1時間に わたって加えた。反応を60℃に3.5時間維持してから、室温に冷却させた。Example 1 Styrene-terminated para-cresol dicyclopentadiene (STPCDP (70V Synthesis of Bz/30Pr) Mechanical starchy, addition funnel, cooling tube, thermometer, nitrogen purge and Therm- N-Methylpyro in a 2000 m 1 triple round bottom flask equipped with an O-Watch In 700 ml of lysinone (NMP), add powder from Borden Chemical. Lacresol dicyclopentadiene (PCDP) (Mn=520.Mw=11 00, dispersion degree 2.12) 200.0g was dissolved. vinylben in this reaction mixture. Zyl chloride (60/40 para/meta isomer ratio) 123.06g (0,806 mole) and 0.30 g of 2.6-tert-butyl-p-cresol (BHT) added. The reaction mixture was heated to 60°C and dissolved in 125 ml of methanol. 52.78 g (0,941 mol) of lithium was added dropwise over a period of 30 minutes. reaction was maintained at 60° C. for 16 hours with stirring under nitrogen purge. In this reaction mixture Add 31.32 g (0,254 mol) of n-propylbromide, then add methanol Potassium hydroxide in LeSQml 15. 34g (0,273mol) in 1 hour Added across. The reaction was maintained at 60° C. for 3.5 hours before being allowed to cool to room temperature.

この反応混合物を分液ロートに移し、トルエン2,0リツトルを加え、次に水1 .0リットルで3回洗浄し、硫酸マグネシウム上で乾燥させ、濾過し、真空濃縮 し、赤色樹脂状生成物を得た;Mn=630.Mw=1200.分散度1.9゜ 実施例2 スチレン末端パラ−クレゾールジシクロペンタジェン(STPCDP (70V Bz/30Pr))の合成 機械的スターシー、添加ロート、冷却管、温度計、窒素パージ及びTherm− O−Watchを装備した5000ml三つロ丸底フラスコ中のN−メチルピロ リジノン(NMP)1750ml中に、Borden Chemicalからの バラ−クレゾールジシクロペンタジェン(PCDP)(Mn=520.Mw=1 100、分散度2.12)500.0gを溶解した。この反応混合物にビニルベ ンジルクロリド(60/40パラ/メタ異性体比)307.65g (2,01 6モル)と2.6−シーtert−ブチル−p−クレゾール(BHT)1.43 gとを加えた。反応混合物を60℃に加熱し、メタノール312m1中の水酸化 カリウム131.95g (2,35モル)を6.0時間にわたって滴加した。Transfer the reaction mixture to a separatory funnel, add 2.0 liters of toluene, then add 1 liter of water. .. Wash 3 times with 0 liters, dry over magnesium sulfate, filter and concentrate in vacuo. A red resinous product was obtained; Mn=630. Mw=1200. Dispersion degree 1.9° Example 2 Styrene-terminated para-cresol dicyclopentadiene (STPCDP (70V Synthesis of Bz/30Pr) Mechanical starchy, addition funnel, cooling tube, thermometer, nitrogen purge and Therm- N-Methylpyro in a 5000 ml three-way round bottom flask equipped with an O-Watch. Lysinone (NMP) from Borden Chemical in 1750 ml. Vara-cresol dicyclopentadiene (PCDP) (Mn=520.Mw=1 100, dispersity 2.12) 500.0g was dissolved. Add vinyl vinyl to this reaction mixture. 307.65g (60/40 para/meta isomer ratio) (2,01 6 mol) and 2.6-tert-butyl-p-cresol (BHT) 1.43 g was added. The reaction mixture was heated to 60 °C and hydroxylated in 312 ml of methanol. 131.95 g (2.35 mol) of potassium were added dropwise over a period of 6.0 hours.

反応を窒素パージ下で撹拌しながら、60℃に16時間維持した。この反応混合 物にn−プロピルプロミド78.30g (0,637モル)を加え、次にメタ ノール200m1中の水酸化カリウム38.35g (0,630モル)を20 分間にわたって加えた。反応を60℃に3.5時間維持してから、室温に冷却さ せた。The reaction was maintained at 60° C. for 16 hours with stirring under a nitrogen purge. This reaction mixture Add 78.30 g (0,637 mol) of n-propyl bromide to the mixture, then add meth 38.35 g (0,630 mol) of potassium hydroxide in 200 ml of alcohol Added over a period of minutes. The reaction was maintained at 60°C for 3.5 hours, then cooled to room temperature. I set it.

この反応混合物を分液ロートに移し、トルエン2.0リツトルを加え、次に水2 .0リツトルで洗浄し、飽和塩化ナトリウム溶液で1回洗浄し、最後に飽和塩化 アンモニウム溶液で洗浄し、硫酸マグネシウム上で乾燥させ、濾過し、真空濃縮 し、赤色樹脂状生成物を得た; Mn=500. Mw−960,分散度1.9 ゜実施例3 スチレン末端パラ−クレゾールジシクロペンタジェン(STPCDP (70V Bz/30Pr))の合成 機械的スターシー、添加ロート、冷却管、温度計、Th e rm−0−Wa  t ch及び窒素パージを装備した10100O三つ日丸底フラスコにパラ−ク レゾール324.0g (2,996モル)を装入した。この反応フラスコを窒 素下で撹拌しながら90℃に加熱する。溶融したp−クレゾールに、三フッ化ホ ウ素ニーテレートロ、0ml (0,041モル)を加える。この反応混合物に ジシクロペンタジェン262、Og (1,982モル)を2.2時間にわたっ て加え、反応を撹拌しながら、90℃に1時間維持し;次に、未反応p−クレゾ ールを反応混合物から真空留去した。バラ−クレゾールジシクロペンタジェン( PCDP)樹脂をステンレス鋼パン中に注入することによって単離させ、室温に 冷却させた;Mn=650.Mw=1500.分散度2.31゜上記からのバラ −クレゾールジシクロペンタジェン(PCDP)207.2gを、機械的スター シー、添加ロート、冷却管、温度計、窒素パージ及びTherm−0−Watc hを装備した2000m1三つロ丸底フラスコ中のN−メチルピロリジノン(N MP)700ml中に溶解した。この反応混合物にビニルベンジルクロリド(6 0/40バラ/メタ異性体比)127.5g (0,835モル)と2.6−シ ーtert−ブチル−p−クレゾール(BIT)0.20gとを加えた。反応混 合物を60℃に加熱し、メタノール130m1中の水酸化カリウム54.68g  (0,975モル)を2.0時間にわたって滴加した。反応を窒素パージ下で 撹拌しながら、60℃に16時間維持した。この反応混合物にn −プロピルプ ロミド32.45g (0,263モル)を加え、次にメタノール80mI中の 水酸化カリウム15.89g (0,283モル)を1.33時間にわたって加 えた。反応を60℃に8時間維持してから、室温に冷却させた。この反応混合物 を分岐ロートに移し、トルエン1.5リツトルを加え、次に水2.0リットルで 3回洗浄し、硫酸マグネシウム上で乾燥させ、濾過し、真空濃縮し、赤色樹脂状 生成物を得た;Mn=770.Mw=1400.分散度1.82゜機械的スター シー、添加ロート、冷却管、温度計、Th e rm−0−Wa t ch及び 窒素パージを装備した2000m1三つロ丸底フラスコ中に、Borden C hemicalからのバラ−クレゾールジシクロペンタジェン(PCDP)(M n=520.Mw=1100.分散度2.12)500.0gとオルト−ジクロ ロベンゼン420m1とを装入した。反応混合物を窒素下で撹拌しながら60℃ に加熱し、PCDPが完全に溶解した後に、三フッ化ホウ素ニーテレートロ、0 ml (0,041モル)を加えた。この反応混合物にジシクロペンタジェン7 1.12g (0,538モル)を1.1時間にわたって加え、この添加中に、 反応を撹拌しながら、60℃に維持し;次に、反応を150℃に4時間加熱した 。オルト−ジクロロベンゼンと未反応ジシクロペンタジェンとを反応混合物から 真空留去した。バラ−クレゾールジシクロペンタジェン(PCDP)樹脂をステ ンレス鋼パン中に注入することによって単離させ、室温に冷却させた、収量33 2.0g;Mn=800.Mw=2500.分散度3.12゜上記からのバラ− クレゾールジシクロペンタジェン(PCDP)318.5gを、機械的スターシ ー、添加ロート、冷却管、温度計、窒素パージ及びTherm−0−Watch を装備した2000m1三つロ丸底フラスコ中のN−メチルピロリジノン(NM P)1100ml中に溶解した。この反応混合物にビニルベンジルクロリド(6 0/40パラ/メタ異性体比)195.0g (1,278モル)と2.6−シ ーtert−ブチル−p−クレゾール(BIT)0.30gとを加えた。反応混 合物を60℃に加熱し、メタノール200m1中の水酸化カリウム84.05g  (1,498モル)を3時間にわたって滴加した。反応を窒素パージ下で撹拌 しながら、60℃に16時間維持した。この反応混合物にn−プロピルプロミド 49.88g (0,406モル)を加え、次にメタノール125m1中の水酸 化カリウム24.43g (0,435モル)を2時間にわたって加えた。反応 を60℃に4時間維持してから、室温に冷却させた。この反応混合物を分液ロー トに移し、トルエン1.5リツトルを加え、次に水4.0リットルで1回、飽和 塩化ナトリウム溶液で2回洗浄し、硫酸マグネシウム上で乾燥させ、濾過し、真 空濃縮して、赤色樹脂状生成物を得た;Mn=700.Mw=1600、分散度 2.3゜ 実施例5 スチレン末端パラ−クレゾールジシクロペンタジェン(STPCDP (70V Bz/30Pr))の合成 機械的スターシー、添加ロート、冷却管、温度計、Th e rm−0−Wa  t ch及び窒素パージを装備した10100O四つ口樹脂ケットルにパラ−ク レゾール324.0g (2,996モル)を装入した。この反応フラスコを窒 素下で撹拌しながら90℃に加熱する。溶融したp−クレゾールに、三フッ化ホ ウ素ニーテレートロ、Oml (0,041モル)を加える。この反応混合物に ジシクロペンタジェン288.2g (2,180モル)を1.5時間にわたっ て加え、反応を撹拌しながら、90℃に1時間維持し;次に、未反応p−クレゾ ールを反応混合物から真空留去した。パラ−クレゾールジシクロペンタジェン( PCDP)樹脂をステンレス鋼パン中に注入することによって単離させ、室温に 冷却させた、収量456.0g;Mn−720,Mw=1900.分散度2.6 4゜上記からのパラ−クレゾールジシクロペンタジェン(PCDP)436.0 gを、機械的スターシー、添加ロート、冷却管、温度計、窒素パージ及びThe rm−0−Watchを装備した2000m1三つロ丸底フラスコ中のN−メチ ルピロリジノン(NMP)1200ml中に溶解した。この反応混合物にビニル ベンジルクロリド(60/40バラ/メタ異性体比)269.0g (1,76 3モル)と2,6−シーtert−ブチル−p−クレゾール(BHT)0.45 gとを加えた。反応混合物を60℃に加熱し、メタノール250m1中の水酸化 カリウム106.0g (1,890モル)を2.5時間にわたって滴加した。Transfer the reaction mixture to a separatory funnel, add 2.0 liters of toluene, then add 2.0 liters of water. .. 0 liter, one wash with saturated sodium chloride solution, and finally saturated sodium chloride solution. Wash with ammonium solution, dry over magnesium sulfate, filter and concentrate in vacuo. A red resinous product was obtained; Mn=500. Mw-960, dispersity 1.9 ゜Example 3 Styrene-terminated para-cresol dicyclopentadiene (STPCDP (70V Synthesis of Bz/30Pr) Mechanical star sea, addition funnel, cooling pipe, thermometer, Th rm-0-Wa  Paraculate into a 10100O Mikka round bottom flask equipped with tch and nitrogen purge. 324.0 g (2,996 mol) of resol was charged. This reaction flask was Heat to 90°C under stirring. Add fluoride trifluoride to the molten p-cresol. Add 0 ml (0,041 mol) of urinary nitrate. In this reaction mixture Dicyclopentadiene 262, Og (1,982 mol) was added over 2.2 hours. and the reaction was maintained at 90°C for 1 hour with stirring; then unreacted p-creso The mol was removed from the reaction mixture in vacuo. Vara-cresol dicyclopentadiene ( PCDP) resin was isolated by pouring it into a stainless steel pan and brought to room temperature. Cooled; Mn=650. Mw=1500. Dispersity 2.31゜Rose from above - 207.2 g of cresol dicyclopentadiene (PCDP) was added to a mechanical star Sheet, addition funnel, cooling tube, thermometer, nitrogen purge and Therm-0-Watc N-Methylpyrrolidinone (N MP) dissolved in 700 ml. Vinylbenzyl chloride (6 0/40 rose/meta isomer ratio) 127.5 g (0,835 mol) and 2.6-shi -0.20 g of tert-butyl-p-cresol (BIT) was added. reaction mixture The mixture was heated to 60°C and 54.68 g of potassium hydroxide in 130 ml of methanol (0,975 mol) was added dropwise over 2.0 hours. Run the reaction under nitrogen purge Maintained at 60° C. for 16 hours with stirring. This reaction mixture was added with n-propyl alcohol. Add 32.45 g (0,263 mol) of Lomid, then add 15.89 g (0,283 mol) of potassium hydroxide was added over 1.33 hours. I got it. The reaction was maintained at 60° C. for 8 hours before being allowed to cool to room temperature. This reaction mixture Transfer to a branch funnel, add 1.5 liters of toluene, then add 2.0 liters of water. Washed three times, dried over magnesium sulfate, filtered and concentrated in vacuo to a red resinous form. A product was obtained; Mn=770. Mw=1400. Dispersion degree 1.82゜mechanical star Sea, addition funnel, cooling pipe, thermometer, Th e rm-0-Watch and Borden C in a 2000 m 3-hole round bottom flask equipped with a nitrogen purge. Vara-cresol dicyclopentadiene (PCDP) from chemical (M n=520. Mw=1100. Dispersity 2.12) 500.0g and ortho-dichloro 420ml of lobenzene was charged. The reaction mixture was heated to 60 °C with stirring under nitrogen. After the PCDP is completely dissolved, add boron trifluoride nitrate, 0 ml (0,041 mol) was added. Dicyclopentadiene 7 was added to this reaction mixture. 1.12 g (0,538 mol) was added over 1.1 hours, during this addition: The reaction was maintained at 60°C with stirring; the reaction was then heated to 150°C for 4 hours. . Ortho-dichlorobenzene and unreacted dicyclopentadiene are removed from the reaction mixture. It was distilled off in vacuo. Stereo-cresol dicyclopentadiene (PCDP) resin Yield 33, isolated by pouring into a stainless steel pan and allowed to cool to room temperature. 2.0g; Mn=800. Mw=2500. Dispersity 3.12゜Rose from above 318.5 g of cresol dicyclopentadiene (PCDP) was -, addition funnel, cooling tube, thermometer, nitrogen purge and Therm-0-Watch N-Methylpyrrolidinone (NM P) Dissolved in 1100 ml. Vinylbenzyl chloride (6 0/40 para/meta isomer ratio) 195.0 g (1,278 mol) and 2.6-cy -0.30 g of tert-butyl-p-cresol (BIT) was added. reaction mixture Heat the mixture to 60°C and add 84.05 g of potassium hydroxide in 200 ml of methanol. (1,498 mol) was added dropwise over 3 hours. Stir the reaction under nitrogen purge The temperature was maintained at 60° C. for 16 hours. Add n-propyl bromide to this reaction mixture. 49.88 g (0,406 mol) of hydroxyl in 125 ml of methanol was added, followed by 24.43 g (0,435 mol) of potassium chloride were added over a period of 2 hours. reaction was maintained at 60° C. for 4 hours and then allowed to cool to room temperature. Transfer this reaction mixture to a separatory funnel. Add 1.5 liters of toluene, then add 4.0 liters of water once to saturate. Wash twice with sodium chloride solution, dry over magnesium sulfate, filter, and Vacuum concentration gave a red resinous product; Mn=700. Mw=1600, degree of dispersion 2.3゜ Example 5 Styrene-terminated para-cresol dicyclopentadiene (STPCDP (70V Synthesis of Bz/30Pr) Mechanical star sea, addition funnel, cooling pipe, thermometer, Th rm-0-Wa  10100O four-necked resin kettle equipped with tch and nitrogen purge 324.0 g (2,996 mol) of resol was charged. This reaction flask was Heat to 90°C under stirring. Add fluoride trifluoride to the molten p-cresol. Add urinary nitrate, Oml (0,041 mol). In this reaction mixture 288.2 g (2,180 mol) of dicyclopentadiene was added over 1.5 hours. and the reaction was maintained at 90°C for 1 hour with stirring; then unreacted p-creso The mol was removed from the reaction mixture in vacuo. Para-cresol dicyclopentadiene ( PCDP) resin was isolated by pouring it into a stainless steel pan and brought to room temperature. Cooled, yield 456.0g; Mn-720, Mw=1900. Dispersion degree 2.6 4° Para-cresol dicyclopentadiene (PCDP) from above 436.0 g, mechanical starch, addition funnel, cooling tube, thermometer, nitrogen purge and the N-Methi in a 2000 m 1 triple round bottom flask equipped with rm-0-Watch Dissolved in 1200 ml of lupyrrolidinone (NMP). vinyl in this reaction mixture. Benzyl chloride (60/40 bulk/meta isomer ratio) 269.0g (1,76 3 mol) and 2,6-tert-butyl-p-cresol (BHT) 0.45 g was added. The reaction mixture was heated to 60 °C and hydroxylated in 250 ml of methanol. 106.0 g (1,890 mol) of potassium was added dropwise over 2.5 hours.

反応を窒素パージ下で撹拌しながら、60℃に16時間維持した。この反応混合 物にn−プロピルプロミド102.0g (0,829モル)を加え、パージ下 で撹拌しながら60℃に加熱した。この反応混合物に、次にメタノール120m 1中の水酸化カリウム35.4g (0,631モル)を1.5時間にわたって 加えた。反応を60℃に3時間維持してから、室温に冷却させた。次に、反応混 合物を分液ロートに移し、トルエン4リツトルを加え、次に水2.0リットルで 4回、飽和塩化ナトリウム溶液で1回洗浄し、硫酸ナトリウム上で乾燥させ、濾 過し、真空濃縮し、赤色樹脂状生成物を得た;Mn=780.Mw=1600. 分散度2゜1゜ 機械的スターシー、添加ロート、冷却管、温度計、Th e rm−0−Wa  t ch及び窒素パージを装備した10100O三つ口先底フラスコにパラ−ク レゾール628.0g (5,807モル)を装入した。この反応フラスコを窒 素下で撹拌しながら90℃に加熱する。溶融したp−クレゾールに、三フッ化ホ ウ素エーテレート12.Oml (0,082モル)を加える。この反応混合物 にジシクロペンタジェン524.0g (3,963モル)を3.0時間にわた って加え、反応を撹拌しながら、90℃に1時間維持し;次に、未反応p−クレ ゾールを反応混合物から真空留去した。パラ−クレゾールジシクロペンタジェン (PCDP)樹脂をステンレス鋼パン中に注入することによって単離させ、室温 に冷却させた、樹脂612.2gが得られた:Mn=990.Mw=2900. 分散度2.9上記からのパラ−クレゾールジシクロペンタジェン(PCDP)5 91.2gを、機械的スターシー、添加ロート、冷却管、温度計、窒素パージ及 びTherm−0−Watchを装備した5000ml三つロ丸底フラスコ中の N−メチルピロリジノン(NMP)1200ml中に溶解した。この反応混合物 にビニルベンジルクロリド(60/40パラ/メタ異性体比)364.6g ( 2,389モル)と2.6−シーtert−ブチル−p−クレゾール(BHT) 0.6gとを加えた。反応混合物を60℃に加熱し、メタノール325m1中の 水酸化カリウム147.4g (2,627モル)を2時間にわたって滴加した 。反応を窒素パージ下で撹拌しながら、60℃に6時間維持した。この反応混合 物にn−プロピルプロミド157.0g (1,276モル)を加え、次にメタ ノール165m1中の水酸化カリウム71.82g (1,280モル)を2時 間にわたって加えた。反応を60℃に4時間維持してから、室温に冷却させた。The reaction was maintained at 60° C. for 16 hours with stirring under a nitrogen purge. This reaction mixture 102.0 g (0,829 mol) of n-propylbromide was added to the mixture, and the mixture was purified under purging. The mixture was heated to 60° C. with stirring. This reaction mixture was then added with 120ml of methanol. 35.4 g (0,631 mol) of potassium hydroxide in 1 was added over 1.5 hours. added. The reaction was maintained at 60° C. for 3 hours before being allowed to cool to room temperature. Next, the reaction mixture Transfer the mixture to a separating funnel, add 4 liters of toluene, then add 2.0 liters of water. Washed 4 times, once with saturated sodium chloride solution, dried over sodium sulfate and filtered. Filtration and concentration in vacuo gave a red resinous product; Mn=780. Mw=1600. Dispersion degree 2゜1゜ Mechanical star sea, addition funnel, cooling pipe, thermometer, Th rm-0-Wa  Parac in a 10100O three-necked bottom flask equipped with tch and nitrogen purge. 628.0 g (5,807 mol) of resol was charged. This reaction flask was Heat to 90°C under stirring. Add fluoride trifluoride to the molten p-cresol. Uron etherate12. Add Oml (0,082 mol). This reaction mixture 524.0 g (3,963 mol) of dicyclopentadiene was added over 3.0 hours to and the reaction was maintained at 90°C for 1 hour with stirring; The sol was removed from the reaction mixture in vacuo. para-cresol dicyclopentadiene (PCDP) resin was isolated by injecting it into a stainless steel pan and at room temperature. 612.2 g of resin were obtained: Mn=990. Mw=2900. Dispersity 2.9 para-cresol dicyclopentadiene (PCDP) from above 5 91.2g was added to the mechanical starchy, addition funnel, cooling tube, thermometer, nitrogen purge and in a 5000 ml three-way round bottom flask equipped with a Therm-0-Watch. Dissolved in 1200 ml of N-methylpyrrolidinone (NMP). This reaction mixture 364.6 g of vinylbenzyl chloride (60/40 para/meta isomer ratio) ( 2,389 mol) and 2,6-tert-butyl-p-cresol (BHT) 0.6g was added. The reaction mixture was heated to 60°C and dissolved in 325 ml of methanol. 147.4 g (2,627 mol) of potassium hydroxide was added dropwise over 2 hours. . The reaction was maintained at 60° C. for 6 hours with stirring under a nitrogen purge. This reaction mixture 157.0 g (1,276 mol) of n-propyl bromide was added to the mixture, and then meth 71.82 g (1,280 mol) of potassium hydroxide in 165 ml of alcohol was added at 2 hours. added over time. The reaction was maintained at 60° C. for 4 hours before being allowed to cool to room temperature.

次に、反応混合物を分液ロートに移し、トルエン4.0リツトルを加え、次に水 2.0リットルで3回洗浄し、硫酸ナトリウムム上で乾燥させ、濾過し、真空濃 縮し、赤色樹脂状生成物を得た;Mn=740.Mw=1500.分散度2.0 3゜実施例7 スチレン末端パラ−クレゾールジシクロペンタジェン(STPCDP (70V Bz/30Pr))の合成 機械的スターシー、添加ロート、冷却管、温度計、Th e rm−0−Wa  t ch及び窒素パージを装備した2000m1三つロ丸底フラスコ中に、Bo rden Chemicalからのパラ−クレゾールジシクロペンタジェン(P CDP)(Mn=520.Mw=1100.分散度2.12)500.0gとオ ルト−ジクロロベンゼン500m1とを装入した。反応混合物を窒素下で撹拌し ながら60℃に加熱し; PCDPが完全に溶解した後に、三フッ化ホウ素エー テレート1、Oml (6,83xlO−”モル)を加えた。この反応混合物に ジシクロペンタジェン71.12g (0,538モル)を45分間にわたって 加え、この添加中に、反応を撹拌しながら、60℃に維持し;次に、反応を15 0℃に4時間加熱してから、周囲温度に冷却させた。反応混合物をメタノールに 添加することによって凝固させ、濾過し、真空炉中で80℃において一晩乾燥さ せた; Mnニア00、Mw=1500.分散度2.14゜上記からのパラ−ク レゾールジシクロペンタジェン(PCDP)308.0gを、機械的スターシー 、添加ロート、冷却管、温度計、窒素パージ及びTherm−0−Watchを 装備した2000m1三つロ丸底フラスコ中のN−メチルピロリジノン(NMP )1050ml中に溶解した。この反応混合物にビニルベンジルクロリド(60 /40パラ/メタ異性体比)189.0g (1,238モル)と2,6−シー tert−ブチル−p−クレゾール(BHT)0.20gとを加えた。反応混合 物を60℃に加熱し、メタノール225m1中の水酸化カリウム76.82g  (1,370モル)を1.75時間にわたって滴加した。反応を窒素パージ下で 撹拌しながら、60℃に4.2時間維持した。この反応混合物にn−プロピルプ ロミド78.83g (0,640モル)を加え、次にメタノール125m1中 の水酸化カリウム35.91g (0,640モル)を2時間にわたって加えた 。反応を60℃に16時間維持してから、室温に冷却させた。この反応混合物を 分液ロートに移し、トルエン3リツトルを加え、次に水2.0リットルで3回洗 浄し、硫酸マグネシウム上で乾燥させ、濾過し、真空濃縮して、赤色樹脂状生成 物332.0gを得た;Mn=670.Mw=1300.分散度1.9゜ 実施例8 スチレン末端パラ−クレゾールジシクロペンタジェン(STPCDP (70V Bz/30Pr))の合成 機械的スターシー、添加ロート、冷却管、温度計、Th e rm−0−Wa  t ch及び窒素パージを装備した2000m1三つロ丸底フラスコ中に、Bo rden Chemicalからのパラ−クレゾールジシクロペンタジェン(P CDP)(Mn=520.Mw=1100.分散度2.12)500.0gとオ ルトージクロロベンゼン500m1とを装入した。反応混合物を窒素下で撹拌し ながら60℃に加熱し、PCDPが完全に溶解した後に、三フッ化ホウ素エーテ レート1、Oml (6,83xlO−3モル)を加えた。この反応混合物にジ シクロペンタジェン59.26g (0,448モル)を2時間にわたって加え 、この添加中に、反応を撹拌しながら、60℃に維持し;次に、反応を150℃ に4時間加熱してから、周囲温度に冷却させた。反応混合物をメタノールに添加 することによって凝固させ、濾過し、真空炉中で80℃において一晩乾燥させた : Mn=630、Mw=1400.分散度2.22゜上記からのパラ−クレゾ ールジシクロペンタジェン(PCDP)146.22gを、機械的スターシー、 添加ロート、冷却管、温度計、窒素パージ及びTherm−0−Wa t c  hを装備した2000m1三つロ丸底フラスコ中のN−メチルピロリジノン(N MP)600ml中に溶解した。この反応混合物にビニルベンジルクロリド(6 0/40パラ/メタ異性体比)64.76g (0,424モル)と2,6−シ ーtert−ブチル−p−クレゾール(BHT)0.15gとを加えた。反応混 合物を60℃に加熱し、メタノール5Qml中の水酸化カリウム23.81g  (0,424モノりを1.2時間にわたって滴加した。反応を窒素パージ下で撹 拌しながら、60℃に4.0時間維持した。この反応混合物にn−プロピルプロ ミド40.14g (0,326モル)を加え、次にメタノール40m1中の水 酸化カリウム18.32g (0,327モル)を1時間にわたって加えた。反 応を60℃に4時間維持してから、室温に冷却させた。この反応混合物を次に分 液ロートに移し、トルエン1リツトルを加え、次に水1リットルで3回洗浄し、 硫酸ナトリウム上で乾燥させ、濾過し、真空濃縮して、赤色樹脂状生成物を得た ;Mn=710.Mw=1400.分散度1.97゜実施例9 スチレン末端テトラフェノールエタン(70%ビニルベンジル/30%プロピル )(STTPE (70VBz/30Pr))の合成撹拌シャフト、添加ロート 及び冷却管を装備した250m1三つ日丸底フラスコに、テトラフェノールエタ ン(TPE)(Mn=274.Mw=711)25.0g (0,0354モル ) と、BHT O,23g (0,00106モル) と、N−メチルピロリ ジノン(NMP)120mlとを加えた。TPEの溶解時に、ビニルベンジルク ロリド(VBC)26.48g (0,174モル) を加え、容器をフラッシ ュし、鉱油バブラーによって窒素正圧下に置いた。この溶液を水浴によって60 ℃に加熱し、メタノール25m1に溶解したKOH11,34g(0,177モ ル)を30分間にわたって滴加した。この混合物を60℃にさらに1.3時間維 持してから、1−ブロモプロパン9.Oml (0,099モル)を加えた。次 に、メタノール11m1に溶解したKOH4,86g (0,0758モル)を 30分間にわた9て滴加し、温度を50’Cにさらに1.5時間維持した。Next, the reaction mixture was transferred to a separatory funnel, 4.0 liters of toluene was added, and then water was added. Wash three times with 2.0 liters, dry over sodium sulfate, filter, and concentrate in vacuo. Condensation gave a red resinous product; Mn=740. Mw=1500. Dispersion degree 2.0 3゜Example 7 Styrene-terminated para-cresol dicyclopentadiene (STPCDP (70V Synthesis of Bz/30Pr) Mechanical star sea, addition funnel, cooling pipe, thermometer, Th rm-0-Wa  Bo Para-cresol dicyclopentadiene (P) from rden Chemical CDP) (Mn=520.Mw=1100.Dispersity 2.12) 500.0g and 500 ml of dichlorobenzene was charged. The reaction mixture was stirred under nitrogen. After the PCDP is completely dissolved, add boron trifluoride ether. terate 1, Oml (6,83xlO-"mol) was added. To this reaction mixture 71.12 g (0,538 mol) of dicyclopentadiene over 45 minutes and maintained the reaction at 60° C. with stirring during this addition; Heated to 0° C. for 4 hours and then allowed to cool to ambient temperature. Reaction mixture in methanol Solidify by adding, filter and dry in a vacuum oven at 80 °C overnight. Set; Mn near 00, Mw=1500. Dispersity 2.14゜parak from above 308.0 g of resol dicyclopentadiene (PCDP) was added to mechanical starch , addition funnel, cooling tube, thermometer, nitrogen purge and Therm-0-Watch N-Methylpyrrolidinone (NMP) in a 2000 m triplicate round bottom flask equipped with ) was dissolved in 1050 ml. Vinylbenzyl chloride (60% /40 para/meta isomer ratio) 189.0 g (1,238 mol) and 2,6-cy 0.20 g of tert-butyl-p-cresol (BHT) was added. reaction mixture Heating the material to 60°C, 76.82 g of potassium hydroxide in 225 ml of methanol (1,370 mol) was added dropwise over 1.75 hours. Run the reaction under nitrogen purge Maintained at 60° C. for 4.2 hours with stirring. This reaction mixture was added with n-propyl alcohol. Add 78.83 g (0,640 mol) of Romid, then add in 125 ml of methanol. 35.91 g (0,640 mol) of potassium hydroxide was added over 2 hours. . The reaction was maintained at 60° C. for 16 hours before being allowed to cool to room temperature. This reaction mixture Transfer to a separating funnel, add 3 liters of toluene, then wash 3 times with 2.0 liters of water. Clean, dry over magnesium sulfate, filter, and concentrate in vacuo to yield a red resin. 332.0g of product was obtained; Mn=670. Mw=1300. Dispersion degree 1.9° Example 8 Styrene-terminated para-cresol dicyclopentadiene (STPCDP (70V Synthesis of Bz/30Pr) Mechanical star sea, addition funnel, cooling pipe, thermometer, Th rm-0-Wa  Bo Para-cresol dicyclopentadiene (P) from rden Chemical CDP) (Mn=520.Mw=1100.Dispersity 2.12) 500.0g and 500 ml of luto dichlorobenzene was charged. The reaction mixture was stirred under nitrogen. After heating to 60℃ and completely dissolving PCDP, add boron trifluoride ether. Rate 1, Oml (6,83xlO-3 mol) was added. Add dilution to this reaction mixture. 59.26 g (0,448 mol) of cyclopentadiene was added over 2 hours. , the reaction was maintained at 60°C with stirring during this addition; then the reaction was heated to 150°C. The mixture was heated for 4 hours and then allowed to cool to ambient temperature. Add reaction mixture to methanol Coagulated by washing, filtering and drying in a vacuum oven at 80°C overnight. : Mn=630, Mw=1400. Dispersity 2.22゜ Para-creso from above 146.22 g of polydicyclopentadiene (PCDP) was added to Addition funnel, cooling pipe, thermometer, nitrogen purge and Therm-0-Watc N-Methylpyrrolidinone (N MP) dissolved in 600 ml. Vinylbenzyl chloride (6 0/40 para/meta isomer ratio) 64.76 g (0,424 mol) and 2,6-cy -0.15 g of tert-butyl-p-cresol (BHT) was added. reaction mixture Heat the mixture to 60°C and add 23.81 g of potassium hydroxide in 5 Qml of methanol. (0,424 monomer was added dropwise over 1.2 hours. The reaction was stirred under a nitrogen purge. The temperature was maintained at 60° C. for 4.0 hours while stirring. Add n-propylpropylene to this reaction mixture. Add 40.14 g (0,326 mol) of amide, then water in 40 ml of methanol. 18.32 g (0.327 mol) of potassium oxide were added over a period of 1 hour. anti The reaction was maintained at 60° C. for 4 hours and then allowed to cool to room temperature. This reaction mixture is then divided into Transfer to a liquid funnel, add 1 liter of toluene, then wash 3 times with 1 liter of water, Dry over sodium sulfate, filter, and concentrate in vacuo to give a red resinous product. ;Mn=710. Mw=1400. Dispersity: 1.97° Example 9 Styrene-terminated tetraphenol ethane (70% vinylbenzyl/30% propyl ) (STTPE (70VBz/30Pr)) synthetic stirring shaft, addition funnel In a 250 m1 three-day round-bottomed flask equipped with a cooling tube, add tetraphenol ether. (TPE) (Mn=274.Mw=711) 25.0g (0,0354mol ), BHT O, 23g (0,00106 mol), and N-methylpyrroli 120 ml of Zinone (NMP) was added. When dissolving TPE, vinyl benzyl Add 26.48g (0,174mol) of Loride (VBC) and flush the container. and placed under positive nitrogen pressure with a mineral oil bubbler. This solution was washed for 60 minutes in a water bath. 11,34 g (0,177 mole) of KOH dissolved in 25 ml methanol heated to ) was added dropwise over a period of 30 minutes. Maintain this mixture at 60°C for an additional 1.3 hours. 1-bromopropane9. Oml (0,099 mol) was added. Next 4.86 g (0.0758 mol) of KOH dissolved in 11 ml of methanol was added to Additions were made 9 times over 30 minutes, and the temperature was maintained at 50'C for an additional 1.5 hours.

混合物を冷却し、メタノール600m1中に徐々に加えると、黄色固体物体が残 留した。メタノールを捨て、この固体を新たなメタノールと共にブレングーに入 れると、油状固体が生じ、これはブフナーロートで回収された。この物質をジク ロロメタンに溶解して、水4X500mlで洗浄した。有機相を硫酸ナトリウム 上で乾燥させて、セライトを通して濾過した。溶媒を回転蒸発器によって除去す ると、橙色半固体49%収率が得られた。樹脂のGPC試験はMnニ1040、 Mw=1290.分散度1.24を示す。樹脂の赤外分析は若干の残留OH(〈 5%)を示し、イオンクロマトグラフィーは17ppmCI−、<lppmBr −、lppm5o4−”を示す。The mixture is cooled and added slowly to 600ml of methanol, leaving a yellow solid. I stayed. Discard the methanol and enter this solid with fresh methanol into the blender. An oily solid was formed which was collected in a Buchner funnel. remove this substance Dissolved in lolomethane and washed with 4×500 ml of water. Sodium sulfate organic phase Dry on top and filter through Celite. Remove the solvent by rotary evaporator. A 49% yield of an orange semi-solid was obtained. GPC test of resin is Mn Ni 1040, Mw=1290. It shows a dispersity of 1.24. Infrared analysis of the resin revealed some residual OH (< 5%), and ion chromatography showed 17 ppm CI-, <lppmBr -, lppm5o4-''.

撹拌シャフト、添加ロート及び冷却管を装備した2リツトル三つ日丸底フラスコ に、テトラフェノールエタン(TPE)(Mn=274.Mw=711)200 .0g (0,284モル)、!:、BHT 1.88g (0,00852モ /l/)(!:、N−メチルピロリジノン(NMP)950mlとを加えた。T PEの溶解時に、ビニルヘンシルクロリド(VBC)242.65g (1,5 9モル)を加え、容器をフラッシュし、鉱油バブラーによって窒素正圧下に置い た。この溶液を水浴によって60℃に加熱し、メタノール230m1に溶解した KOH101゜95g (1,59モル)を30分間にわたって滴加した。この 混合物を60℃にさらニ4.7時間維持シテから、VBC15,17g (0, 0994ル) を加えた。次に、メタノール15m1に溶解したKOH6,37 g (0,0994モル)を滴加した。1゜7時間後に最後に同様にVBCとK OH/メタノールを添加し、反応を60℃に1時間以上維持した。2 liter three day round bottom flask equipped with stirring shaft, addition funnel and condenser tube , tetraphenolethane (TPE) (Mn=274.Mw=711) 200 .. 0g (0,284 mol),! :, BHT 1.88g (0,00852 mo /l/)(!:, 950 ml of N-methylpyrrolidinone (NMP) was added.T When dissolving PE, 242.65 g of vinylhensyl chloride (VBC) (1,5 9 mol) and the vessel was flushed and placed under positive nitrogen pressure with a mineral oil bubbler. Ta. This solution was heated to 60 °C by water bath and dissolved in 230 ml of methanol. 95 g (1.59 mol) of KOH 101 was added dropwise over a period of 30 minutes. this The mixture was heated to 60° C. and maintained for 4.7 hours. VBC 15.17 g (0. 0994 ru) was added. Next, KOH6,37 dissolved in 15 ml of methanol g (0,0994 mol) was added dropwise. 1゜Finally after 7 hours, VBC and K OH/methanol was added and the reaction was maintained at 60° C. for over 1 hour.

混合物を冷却し、トルエン1.2リツトルを加えた。混合物を水1x3リットル 、LM NaC1(aq)2x3リツトルで洗浄した。有機相を硫酸ナトリウム 上で乾燥させて、セライトによってスラリー化して、濾過した。溶媒を3t。The mixture was cooled and 1.2 liters of toluene was added. Mixture in 1 x 3 liters of water , washed with 2x3 liters of LM NaCl (aq). Sodium sulfate organic phase Dry on top, slurry through Celite, and filter. 3t of solvent.

rr、40℃までの回転蒸発器によって除去すると、粘稠な褐色樹脂が残留した 、95%収率。GPC分析はMn=778.Mw=1079.分散度1.39を 実測した。赤外分析は残留ヒドロキシルを示さず(<0. 5%)、イオンクロ マトグラフィーは45ppmCI−を実測した。rr, removal by rotary evaporator up to 40°C left a viscous brown resin. , 95% yield. GPC analysis shows Mn=778. Mw=1079. Dispersity 1.39 I actually measured it. Infrared analysis showed no residual hydroxyls (<0.5%) and ion chromatography showed no residual hydroxyls (<0.5%). Matography actually measured 45 ppm CI-.

実施例11 サンプル1.2.3.4.5にそれぞれ対応する実施例6.7.8.4.5のス チレン末端バラ−クレゾールジシクロペンタジェン(STPCDP)のシリーズ を下記硬化サイクルによって、80℃において2時間、100℃において16時 間、120℃において4時間、160℃において16時間、200℃において2 時間及び225℃において1時間硬化させた。硬化樹脂の性質は下記表に示す表 A Tg(’C)”’ >300 >300 >300 >300 >300Ts  p (℃) ”’ 177±8 160±5 179±6 135±5 173 ±7α、p(ppm/℃)” 42f2 55±9 71±6 66110 5 7±5αtso(1)I)III/’C)”’ 96土7 85±12 155 ±4 125±5 86±2ε”” 2.73 2.86 2.78 2.72  2.70tanδ” 0.0009 0.0001 0.001 0.000 4 0.003ε”” 2.75 2.89 2.80 2.74 2.74t an6i”’ 0.004 0.004 0.005 0.002 0.002 吸水性%”’ 0.145 0.156 0.161 0.0g9 0.107 (a)示差走査カロリメーターによるガラス転移温度(b)Thermo Me chanical Analysis微小熱転移による軟化点 (c)25℃と軟化点との間の熱膨張係数(d)25℃と260℃との間の熱膨 張係数(e)IMHz、25℃における相対湿度0%での誘電率(f)IMHz 、25℃における相対湿度0%での誘電正接(g)IMHz、25℃における相 対湿度50%での誘電率(h)IMHz、25℃における相対湿度50%での誘 電正接(i)25℃における相対湿度50%での168時間実施例12 一連のコーティング溶液を製造して、ケイ素表面の塗布に用いた。溶液濃度はト ルエン中実施例6からの5TPCDP56重量%であった。この溶液は950r pmでの60秒間のスピン塗装によって塗布した。塗布されたディスクを真空下 、25℃において18時間ソフトベークした。次に、これらを石英/水フィルタ ー付き300ワツト水銀蒸気ランプによるUV照射に3分間露光させた。照射さ れた塗膜を次に種々な溶剤に暴露させて、硬化樹脂の溶解量を測定した。結果は 下記表に示す。Example 11 Example 6.7.8.4.5 corresponding to Sample 1.2.3.4.5 respectively Series of tyrene-terminated rose-cresol dicyclopentadiene (STPCDP) with the following curing cycle: 2 hours at 80°C and 16 hours at 100°C. 4 hours at 120°C, 16 hours at 160°C, 2 hours at 200°C. and cured for 1 hour at 225°C. The properties of the cured resin are shown in the table below. A Tg('C)'' >300 >300 >300 >300 >300Ts p (℃) ”’ 177±8 160±5 179±6 135±5 173 ±7α, p (ppm/℃)” 42f2 55±9 71±6 66110 5 7±5αtso(1)I)III/’C)”’96 Sat 7 85±12 155 ±4 125±5 86±2ε"" 2.73 2.86 2.78 2.72 2.70 tan δ" 0.0009 0.0001 0.001 0.000 4 0.003ε"" 2.75 2.89 2.80 2.74 2.74t an6i"' 0.004 0.004 0.005 0.002 0.002 Water absorption %'' 0.145 0.156 0.161 0.0g9 0.107 (a) Glass transition temperature measured by differential scanning calorimeter (b) ThermoMe Softening point due to small thermal transition (c) Coefficient of thermal expansion between 25°C and softening point (d) Coefficient of thermal expansion between 25°C and 260°C Tensile modulus (e) IMHz, dielectric constant (f) IMHz at 25°C and 0% relative humidity , dissipation factor (g) IMHz at 0% relative humidity at 25°C, phase at 25°C Dielectric constant (h) at 50% relative humidity IMHz, dielectric constant at 50% relative humidity at 25°C Dissipation tangent (i) 168 hours at 25°C and 50% relative humidity Example 12 A series of coating solutions were prepared and used for application to silicon surfaces. The solution concentration is 56% by weight of 5TPCDP from Example 6 in toluene. This solution is 950r Application was done by spin painting for 60 seconds at pm. Coated disc under vacuum , soft baked at 25°C for 18 hours. Next, add these to the quartz/water filter The specimens were exposed to UV radiation for 3 minutes using a 300 watt mercury vapor lamp with a lamp. irradiated The coated films were then exposed to various solvents and the amount of cured resin dissolved was measured. Result is Shown in the table below.

o ooooo。ooooooo.

30 2.16 2.69 0.83 0.56 0.84 0.8860 4 .32 2.69 2.20 0.83 2.23 0.8890 3.51  2.44 2.20 0.56 2.23 1.46120 3.51 3.1 8 1.65 1.67 0.84 1.75180 3.24 2.69 0 .00 2.78 0.84 1.75300 5.68 4.89 1.38  1.67 0.00 −0.29(a)ケイ素ウェファ−上に塗布され、25 ℃において18時間ソフトベークされた5TPCDP、石英/水フィルター付き 300ワツト水銀蒸気ランプによ3分間硬化 (b)重量%溶液 表C 時間(秒) 100:0 80:20 60:40 40:60 20:80 0:100o  ooooo。30 2.16 2.69 0.83 0.56 0.84 0.8860 4 .. 32 2.69 2.20 0.83 2.23 0.8890 3.51 2.44 2.20 0.56 2.23 1.46120 3.51 3.1 8 1.65 1.67 0.84 1.75180 3.24 2.69 0 .. 00 2.78 0.84 1.75300 5.68 4.89 1.38 1.67 0.00 -0.29 (a) Coated on silicon wafer, 25 5TPCDP soft-baked for 18 hours at °C with quartz/water filter Cured for 3 minutes using a 300 watt mercury vapor lamp. (b) wt% solution Table C time (seconds) 100:0 80:20 60:40 40:60 20:80 0:100o  oooooo.

30 2.16 −0.90 −1.50 −1.45 −1.63 −1.4 260 4.32 0.00 0.00 −0.87 0.00 −0.289 0 3.51 0.30 0.00 −1.16 0.00 −0.28120  3.51 0.60 0.60 0.29 0.27 −0.57180 3 .24 0.30 1.20 0.00 0.82 0.00300 5.68  1.80 −0JO−0,290,82−0,28(a)ケイ素ウェファ−上 に塗布され、25℃において18時間ソフトベークされた5TPCDP、石英/ 水フィルター付き300ワツト水銀蒸気ランプによ3分間硬化 (b)重量%溶液 表BとCを、ソフトベークのみを実施し、UV照射による硬化を行わなかった、 以下の表りとEの結果と比較することができる。30 2.16 -0.90 -1.50 -1.45 -1.63 -1.4 260 4.32 0.00 0.00 -0.87 0.00 -0.289 0 3.51 0.30 0.00 -1.16 0.00 -0.28120 3.51 0.60 0.60 0.29 0.27 -0.57180 3 .. 24 0.30 1.20 0.00 0.82 0.00300 5.68 1.80 -0JO-0,290,82-0,28 (a) On silicon wafer 5TPCDP, quartz/coated and soft baked for 18 hours at 25°C Cure for 3 minutes using a 300 watt mercury vapor lamp with water filter (b) wt% solution For Tables B and C, only soft baking was performed and no curing by UV irradiation was performed. The results of E can be compared with the table below.

表り 時間(秒) 100:0 80:20 60:40 40:60 20:80 0:100o  oo ooo。appearance time (seconds) 100:0 80:20 60:40 40:60 20:80 0:100o  oo oooo.

30 97.38 97.69 90.06 15.16 −4.02 0.0 060 101.46 100.58 100.00 41.11 −0.93  0.0090 102.33 100.00 100.28 57.73 0 .00 2.35120 102.04 100.00 99.72 63.5 6 1.55 1.76180 101.46 100.29 100.57  69.68 2.79 −0.29300 100.00 100.29 10 0.57 74.34 0.93 −0.59(a)ケイ素ウェファ−上に塗布 され、25℃において18時間ソフトベークされた5TPCDP。30 97.38 97.69 90.06 15.16 -4.02 0.0 060 101.46 100.58 100.00 41.11 -0.93 0.0090 102.33 100.00 100.28 57.73 0 .. 00 2.35120 102.04 100.00 99.72 63.5 6 1.55 1.76180 101.46 100.29 100.57 69.68 2.79 -0.29300 100.00 100.29 10 0.57 74.34 0.93 -0.59 (a) Coated on silicon wafer 5TPCDP and soft baked at 25° C. for 18 hours.

(b)重量%溶液 時間(秒) too:o 80:20 60:40 40:60 20:80 0:100o  oo ooo。(b) wt% solution time (seconds) too:o 80:20 60:40 40:60 20:80 0:100o  oo oooo.

30 97.38 101.71 −2.82 −2.82 −3.42 −0 .5860 101.46 103.43 12.43 87.32 9.97  −1.1790 102.33 104.29 65.54 103.38  60.40 −0.58120 102.04 104.00 92.66 1 04.23 74.36 0.58180 101.46 104.00 96 .33 102.82 83.19 −0.58(a)ケイ素ウェファ−上に塗 布され、25℃において18時間ソフトベークされた5TPCDP。30 97.38 101.71 -2.82 -2.82 -3.42 -0 .. 5860 101.46 103.43 12.43 87.32 9.97 -1.1790 102.33 104.29 65.54 103.38 60.40 -0.58120 102.04 104.00 92.66 1 04.23 74.36 0.58180 101.46 104.00 96 .. 33 102.82 83.19 -0.58 (a) Coated on silicon wafer 5TPCDP fabricated and soft baked for 18 hours at 25°C.

(b)重量%溶液 実施例13 トルエン中実施例6からの5TPCDPの種々な濃度を用L)て、一連の5TP CDP溶液を製造した。これらの溶液をケイ素基板(表面)に600〜2000 rpmのスピン塗装速度を用いて60秒間スピン塗布い真空下25℃にお(λで 24時間ソフトベークした。サンプルを次に、USAFテストノくターンと石英 /水フィルターとを用いる300ワツト水銀蒸気ランプによるUV照射に3分間 露光させた。光硬化ポリマーを次にトルエンに主って25℃において1分間現像 した。風乾させた基板を25℃〜220℃ランプの1時間の真空上硬化サイクル を用いてハードベークし、220℃に2.5時間維持してから、室温に冷却した 。(b) wt% solution Example 13 Using various concentrations of 5TPCDP from Example 6 in toluene, a series of 5TPCDP A CDP solution was prepared. Apply these solutions to the silicon substrate (surface) at a concentration of 600 to 2000 Spin coat for 60 seconds using a spin coating speed of rpm at 25 °C (at λ). Soft bake for 24 hours. The sample was then tested with USAF test strips and quartz. / 3 minutes of UV irradiation with a 300 watt mercury vapor lamp using a water filter exposed to light. The photocured polymer was then developed in toluene for 1 minute at 25°C. did. The air-dried substrate was subjected to a 1-hour vacuum curing cycle at 25°C to 220°C. Hard-baked using .

光硬化ポリマーのフィルム厚さをTaylor−Hobson Ta1ysur f 10 プロフィロメーター(prof i lometer)を用1.%て 分析した。下記表は得られたフィルム厚さを示す。Taylor-Hobson Taylor Sur Using a f10 profilometer (prof i lometer) 1. %hand analyzed. The table below shows the film thicknesses obtained.

紅 5TPCDP 粘度 フィルム厚さくμm)(s+pa s) 600 刊虹  州 胆四 用四 覗凹36.7駕 5.0 −−− 4.4 −−− 3.6  2.8 −−−50.0% 15.0 8.8 8.6 7.9 7.2 6. 1 5.852.6% 22.0 −−− 11.3 −−− 9.8 8.0  −−−(a)トルエン中の溶解固形分 トルエン中実施例6からの5TPCDPの種々な濃度を用いて、一連の5TPC DP溶液を製造した。これらの溶液をケイ素基板(表面)に600〜2000r pmのスピン塗装速度を用いて60秒間スピン塗布し;真空下25℃において2 4時間ソフトベークした。サンプルを次に、USAFテストパターンと石英/水 フィルターとを用いる300ワツト水銀蒸気ランプによるUV照射に3分間露光 させた。光硬化ポリマーを次にトルエンによって25℃において1分間現像した 。風乾させた基板を25℃〜220℃ランプの1時間の真空下硬化サイクルを用 いてハードベークし、220℃に2.5時間維持してから、室温に冷却した。deep red 5TPCDP viscosity film thickness μm) (s+pa s) 600 published by Rainbow State gall 4 Yo 4 Peeking concave 36.7 5.0 --- 4.4 --- 3.6 2.8 ---50.0% 15.0 8.8 8.6 7.9 7.2 6. 1 5.852.6% 22.0 --- 11.3 --- 9.8 8.0 ---(a) Dissolved solid content in toluene A series of 5TPCDP using various concentrations of 5TPCDP from Example 6 in toluene. A DP solution was prepared. Apply these solutions to the silicon substrate (surface) for 600 to 2000 r. Spin coating for 60 seconds using a spin coating speed of pm; Soft bake for 4 hours. The sample was then tested with the USAF test pattern and quartz/water. 3 minute exposure to UV irradiation with a 300 watt mercury vapor lamp using a filter. I let it happen. The photocured polymer was then developed with toluene for 1 minute at 25°C. . The air-dried substrate was cured using a 1-hour vacuum curing cycle at 25°C to 220°C. Hard baked at 220° C. for 2.5 hours, then cooled to room temperature.

光硬化ポリマーのフィルム厚さと側壁角度とを5loan Technol。The film thickness and sidewall angle of the photocurable polymer were determined by 5loan Technol.

gy Corporation Dektak3030 プロフィロメーターを 用いて分析した。このデータは下記表に要約する。gy Corporation Dektak3030 profilometer It was analyzed using This data is summarized in the table below.

表G スピン速度 フィルム厚さ 側壁角度 (rpm) (μm) 600 10、0 31 600 10、0 22 600 11、5 13 600 12、0 28 700 10、8 16 700 8、5 9 700 9、4 39 700 11、3 39 800 9、7 13 800 7、0 5 soo 9. O1i 800 10、0 10 1000 5、9 7 1000 9、4 12 1000 8、5 22 1000 8、3 17 1500 6、4 24 1500 6、5 23 1500 8、0 6 1500 7、0 20 2000 7、0 15 2000 6、8 23 2000 6、2 24 実施例15 トルエン中実施例6からの5TPCDPの種々な濃度を用いて、一連の5TPC DP溶液を製造した。これらの溶液をケイ素基板(表面)に600〜2000r pmのスピン塗装速度を用いて60秒間スピン塗布し、真空下25℃において2 4時間ソフトベークした。サンプルを次に、USAFテストパターンと石英/水 フィルターとを用いる300ワツト水銀蒸気ランプによるUV照射に3分間露光 させた。光硬化ポリマーを次にトルエンによって25℃において1分間現像した 。風乾させた基板を25℃〜220℃ランプの1時間の真空下硬化サイクルを用 いてハードベークし、220℃に2.5時間維持してから、室温に冷却した。Table G Spin speed Film thickness Sidewall angle (rpm) (μm) 600 10, 0 31 600 10, 0 22 600 11, 5 13 600 12, 0 28 700 10, 8 16 700 8, 5 9 700 9, 4 39 700 11, 3 39 800 9, 7 13 800 7, 0 5 soo 9. O1i 800 10, 0 10 1000 5, 9 7 1000 9, 4 12 1000 8, 5 22 1000 8, 3 17 1500 6, 4 24 1500 6, 5 23 1500 8, 0 6 1500 7, 0 20 2000 7, 0 15 2000 6, 8 23 2000 6, 2 24 Example 15 A series of 5TPCDP using various concentrations of 5TPCDP from Example 6 in toluene. A DP solution was prepared. Apply these solutions to the silicon substrate (surface) for 600 to 2000 r. Spin coating for 60 seconds using a spin coating speed of Soft bake for 4 hours. The sample was then tested with the USAF test pattern and quartz/water. 3 minute exposure to UV irradiation with a 300 watt mercury vapor lamp using a filter. I let it happen. The photocured polymer was then developed with toluene for 1 minute at 25°C. . The air-dried substrate was cured using a 1-hour vacuum curing cycle at 25°C to 220°C. Hard baked at 220° C. for 2.5 hours, then cooled to room temperature.

サンプルを次にイオンビーム スパッターリングによって金属化して、厚さ50 00〜1oooo人の金属フィルムを得た。The sample was then metallized by ion beam sputtering to a thickness of 50 mm. A metal film of 00 to 1000 people was obtained.

熱衝撃サイクリングの前後の較正された“スコッチテープ接着試験によって接着 力を評価した。熱衝撃サイクルはサンプルの下記熱サイクリングニー55℃に1 0分間維持;−55℃〜125℃の急激なランプ:125℃に10分間維持を含 む。下記表では、記載した比は、金属の25個の方形の内、全方形に対して幾ら かがテープによって除去されなかったことを意味する。すなわち、25/25は 方形の全てが誘電性ポリマーに付着して残留したことを意味し、5/25は金属 の20個の方形が除去されたことを意味する。Adhesion by calibrated “Scotch tape adhesion test before and after thermal shock cycling” evaluated the power. The thermal shock cycle was performed by thermal cycling the sample at 55°C for 1 time. 0 minute hold; -55°C to 125°C rapid ramp: Includes 10 minute hold at 125°C. nothing. In the table below, the ratios listed are for all squares out of 25 squares of metal. This means that the material was not removed by the tape. In other words, 25/25 is 5/25 means that all of the squares remained attached to the dielectric polymer, and 5/25 is the metal This means that 20 squares have been removed.

接着力測定結果 金属層 熱衝撃 92サイクル後 184サイクル後サイクリング前 2.51b、IO,01b、2.51b、10.01b、 2.51b、10. 01b。Adhesive force measurement results Metal layer Thermal shock After 92 cycles After 184 cycles Before cycling 2.51b, IO, 01b, 2.51b, 10.01b, 2.51b, 10. 01b.

クロム 8/25 8/8 8/8 8/8 7/8 6/7パス 銅 0/25 ノくス 銅 O/25 バス アルミニウム 0/25 25/25 25/25 25/25バス バス バ ス バス 金 0725 7櫂ス 金 0725 ノ(ス ニッケル 0/25 バス ニッケル 0/25 バス (a)サンプル評価せず (b)1/2インチ幅テープに対するIb、でのテープ評価実施例16 実施例5の5TPCDP樹脂をトルエンに溶解して、5TPCDP47.2%と トルエン52.8%との組成の溶液を得た。この溶液をアルミナ又はケイ素基板 (表面)に11000rpのスピン塗装速度を用いて60秒間スピン塗布−窒素 下60℃において1時間ソフトベークした。このポリマーを次に、3時間の25 ℃〜220℃ランプ、2. 0時間の220℃に維持、次に4時間での220℃ 〜25℃のランプを含む窒素下硬化サイクルを用いてハードベークした。Chrome 8/25 8/8 8/8 8/8 7/8 6/7 pass Copper 0/25 Nokusu Copper O/25 bus Aluminum 0/25 25/25 25/25 25/25 bus bus bar Bus Gold 0725 7 paddles Gold 0725 No(su) Nickel 0/25 bus Nickel 0/25 bus (a) No sample evaluation (b) Tape evaluation example 16 at Ib for 1/2 inch width tape The 5TPCDP resin of Example 5 was dissolved in toluene to give 5TPCDP47.2%. A solution having a composition of 52.8% toluene was obtained. This solution is applied to an alumina or silicon substrate. (Surface) for 60 seconds using a spin speed of 11000 rpm - Nitrogen Soft bake was performed at 60° C. for 1 hour. This polymer was then heated for 25 hours for 3 hours. ℃~220℃ lamp, 2. Maintained at 220℃ for 0 hours, then 220℃ for 4 hours Hard baked using a nitrogen curing cycle including a ~25°C lamp.

熱衝撃サイクリングの前後の較正された“スコッチテープ接着試験によって接着 力を評価した。熱衝撃サイクルはサンプルの下記熱サイクリングニー55℃に1 0分間維持;−55℃〜125℃の急激なランプ;125℃に10分間維持を含 む。Adhesion by calibrated “Scotch tape adhesion test before and after thermal shock cycling” evaluated the power. The thermal shock cycle was performed by thermal cycling the sample at 55°C for 1 time. 0 min hold; rapid ramp from -55°C to 125°C; 10 min hold at 125°C included nothing.

接着力測定結果 基板 熱衝撃サイクリング前 92サイクル後2.5 10.0 2.5 10 .0 1b、 Ib、 lb、 lb。Adhesive force measurement results Substrate Before thermal shock cycling After 92 cycles 2.5 10.0 2.5 10 .. 0 1b, Ib, lb, lb.

アルミナ 25/25 25/25 25/25 25/25パス パス パス  パス ケイ素 25/25 25/25 25/25 25/25パス パス パス  パス 実施例17 実施例5の5TPCDP樹脂をトルエンに溶解して、5TPCDP47.2%と トルエン52.8%との組成の溶液を得た。この溶液を、アルミナ基板(表面) に11000rpのスピン塗装速度を用いて60秒間スピン塗布し;窒素下、6 0℃において1時間ソフトベークした。このポリマーを次に、3時間の25℃〜 220℃ランプ、2. 0時間の220℃に維持、次に4時間での220℃〜2 5℃のランプを含む窒素下硬化サイクルを用いてハードベークした。Alumina 25/25 25/25 25/25 25/25 Pass Pass Pass  Pass Silicon 25/25 25/25 25/25 25/25 Pass Pass Pass path Example 17 The 5TPCDP resin of Example 5 was dissolved in toluene to give 5TPCDP47.2%. A solution having a composition of 52.8% toluene was obtained. Apply this solution to the alumina substrate (surface) under nitrogen for 60 seconds using a spin speed of 11,000 rpm; Soft bake for 1 hour at 0°C. This polymer was then heated at 25°C for 3 hours. 220℃ lamp, 2. Maintained at 220℃ for 0 hours, then 220℃ for 4 hours ~ 2 Hard baked using a nitrogen cure cycle including a 5° C. lamp.

熱衝撃サイクリングの前後の較正された“スコッチテープ接着試験によって接着 力を評価した。熱衝撃サイクルはサンプルの下記熱サイクリングニー55℃に1 0分間維持ニー55℃〜125℃の急激なランプ;125℃に10分間維持を含 む。Adhesion by calibrated “Scotch tape adhesion test before and after thermal shock cycling” evaluated the power. Thermal shock cycle was carried out at 55°C for 1 time. 0 min hold knee 55°C to 125°C rapid ramp; 10 min hold at 125°C included nothing.

接着力測定結果 基板 熱衝撃サイクリング前 92サイクル後2.5 10.0 2.5 10 .0 1b、 Ib、 ’ Ib、 Ib。Adhesive force measurement results Substrate Before thermal shock cycling After 92 cycles 2.5 10.0 2.5 10 .. 0 1b, Ib, 'Ib, Ib.

クロム 25/25 25/25 25/25 25/25パス パス パス  パス ニッケル 25/25 25/25 25/25 25/25パス パス パス  バス 銅 25/25 25/25 25/25 25/25パス パス パス パス アルミニウム 25/25 25/25 a aパス パス 金 25/25 25/25 25/25 25/25パス パス パス パス a)サンプル評価せず それぞれ実施例4と9に述べたように、製造したスチレン末端パラ−クレゾール ジシクロペンタジェン(STPCDP)とスチレン末端テトラフェノールエタン (STTPE) を、下記硬化サイクル:80℃において2時間、100℃l: 16時間、120℃に4時間、160℃に16時間、2oo℃に2時間、225 ℃に1時間を用いて熱硬化した。得られた硬化混合樹脂の一部の性質を下記表に 要約する。Chrome 25/25 25/25 25/25 25/25 Pass Pass Pass path Nickel 25/25 25/25 25/25 25/25 Pass Pass Pass bus Copper 25/25 25/25 25/25 25/25 Pass Pass Pass Pass Aluminum 25/25 25/25 a a pass pass Fri 25/25 25/25 25/25 25/25 Pass Pass Pass Pass a) No sample evaluation Styrene-terminated para-cresol prepared as described in Examples 4 and 9, respectively. Dicyclopentadiene (STPCDP) and styrene-terminated tetraphenolethane (STTPE) with the following curing cycle: 2 hours at 80°C, 100°C: 16 hours, 4 hours at 120℃, 16 hours at 160℃, 2 hours at 2oo℃, 225 Heat curing was carried out using 1 hour at ℃. Some properties of the obtained cured mixed resin are shown in the table below. Summarize.

表A Tg (’C) ”’ >300 >300 >300T S D Lb’ 1 47±3 160±4 16I±2a so (ppm/℃) ” 75±37 0±974±2αzso(ppI/’C) ”’ 167±1 11叶1493 ±2ε”” 2.75 2.79 2.77tan δ” 0.0003 0. 0005 0.003ε”” 2.76 2.85 2.77janδLh’  0.002 0.001 0.0008吸水性%”’ 0.102 0.110  0.136モジユラス GPa)” 9.1 9.2 8.9Tg (℃)  Lk’ >200 >200 >200(a)示差走査カロリメーターによるガ ラス転移温度(b)Thermo Mechanical Analysis微 小熱転移による軟化点 (c)25℃と軟化点との間の熱膨張係数(d)25℃と260℃との間の熱膨 張係(e)IMHz、25℃における相対湿度0%での誘電率(f)IMHz、 25℃における相対湿度0%での誘電正接(g)IMHz、25℃における相対 湿度50%での誘電率(h)IMHz、25℃における相対湿度50%での誘電 正接(i)25℃における相対湿度50%での168時間(04Hzにおいて一 125℃〜200℃で測定したモジュラス(k)−125℃〜200℃で走査し た、4H2におけるDMAによるガラス転移温度 実施例19 一連のコーティング溶液を製造し、ケイ素表面の塗布に用いた。溶液濃度はトル エン中5TPCDP(実施例5)と5TTPE (実施例9) (7)50.  8〜53.1重量%であった。溶液を900〜950rpm、60秒間のスピン 塗装によって塗布した。塗布されたディスクを真空下、25℃において18時間 ソフトベークした。次に、これらを石英/水フィルター付き300ワツト水銀蒸 気ランプによるUV照射に3分間露光させた。照射された塗膜を次に種々の溶剤 に暴露させ、硬化樹脂の溶解量を測定した。結果は下記表に示す。Table A Tg ('C)''>300>300>300T S D Lb' 1 47±3 160±4 16I±2a so (ppm/℃)” 75±37 0±974±2αzso(ppI/’C)”’167±1 11 Kano 1493 ±2ε"" 2.75 2.79 2.77tan δ" 0.0003 0. 0005 0.003ε”” 2.76 2.85 2.77janδLh’ 0.002 0.001 0.0008 Water absorption%'' 0.102 0.110 0.136 Modulus GPa)” 9.1 9.2 8.9Tg (℃) Lk'>200>200>200 (a) Gauge by differential scanning calorimeter Las transition temperature (b) Thermo Mechanical Analysis fine Softening point due to small thermal transition (c) Coefficient of thermal expansion between 25°C and softening point (d) Coefficient of thermal expansion between 25°C and 260°C tension (e) IMHz, dielectric constant (f) IMHz at 25°C and relative humidity 0%, Dissipation tangent (g) IMHz at 0% relative humidity at 25°C, relative at 25°C Dielectric constant (h) at 50% humidity IMHz, dielectric constant at 50% relative humidity at 25°C Tangent (i) 168 hours at 50% relative humidity at 25°C (168 hours at 04Hz) Modulus (k) measured from 125°C to 200°C - Scanned from 125°C to 200°C Also, the glass transition temperature due to DMA in 4H2 Example 19 A series of coating solutions were prepared and used for application to silicon surfaces. Solution concentration is torr 5TPCDP (Example 5) and 5TTPE (Example 9) (7) 50.  It was 8 to 53.1% by weight. Spin the solution at 900-950 rpm for 60 seconds Applied by painting. The coated discs were placed under vacuum at 25°C for 18 hours. Soft baked. These were then placed in a 300 watt mercury evaporator with quartz/water filter. It was exposed to UV irradiation by a gas lamp for 3 minutes. The irradiated coating is then treated with various solvents. The amount of cured resin dissolved was measured. The results are shown in the table below.

青旦 除去5TPCDP/5TTPE(1)%溶剤(トルエン:エタノール) (11 1時間(秒) 100:0 80:20 60:40 40:60 20:80 0:100o  oo ooo。Aodan Removal 5TPCDP/5TTPE (1)% solvent (toluene:ethanol) (11 1 hour (seconds) 100:0 80:20 60:40 40:60 20:80 0:100o  oo oooo.

30 3.59 6.29 11.30 9.42 26.98 0.3460  2.99 7.86 12.62 11.69 30.15 0.0090  6.29 10.38 13.95 14.94 34.60 2.03120  6.59 10.69 15.211! 16.56 35.24 2.03 180 8.08 11.32 16.28 16.56 35.24 1.6 9300 5.39 9.12 15.61 17.86 34.92 0.6 8a)ケイ素ウェファ−上に塗布、25℃において18時間ソフトベークし、石 英/水フィルター付き300ワツト水銀蒸気ランプにより3分間硬化させた、9 ゜5TPCDP/l05TTPE (重量)b)重量%溶液 表C 時間(秒) 100:0 80:20 60:40 40:60 20:80 0:100o  oo ooo。30 3.59 6.29 11.30 9.42 26.98 0.3460 2.99 7.86 12.62 11.69 30.15 0.0090 6.29 10.38 13.95 14.94 34.60 2.03120 6.59 10.69 15.211! 16.56 35.24 2.03 180 8.08 11.32 16.28 16.56 35.24 1.6 9300 5.39 9.12 15.61 17.86 34.92 0.6 8a) Coated on silicon wafer, soft baked at 25°C for 18 hours, English/Cured for 3 minutes in a 300 watt mercury vapor lamp with water filter, 9 ゜5TPCDP/l05TTPE (weight) b) Weight% solution Table C time (seconds) 100:0 80:20 60:40 40:60 20:80 0:100o  oo oooo.

30 3.59 −1.71 −2.76 0!6 0.34 −0.6660  2.99 −1.71 5.17 2.87 −0.67 −2.3290  6.29 −2.05 15.17 8.24 2.69 −0.33120  6.59 −1.71 18.62 15.41 6.73 −0.66180  8.08 −2.05 21.38 23.66 14.81 0.0030 0 5.39 −3.07 24.83 28.32 25.25 1.99a )ケイ素ウェファ−上に塗布、25℃において18時間ソフトベークし、石英/ 水フィルター付き300ワツト水銀蒸気ランプにより3分間硬化させた、90S TPCDP/l08TTPE (重量)b)重量%溶液 表BとCを、ソフトベークのみを実施し、UV照射による硬化を行わなかった、 以下の表りとEの結果と比較することができる。30 3.59 -1.71 -2.76 0!6 0.34 -0.6660 2.99 -1.71 5.17 2.87 -0.67 -2.3290 6.29 -2.05 15.17 8.24 2.69 -0.33120 6.59 -1.71 18.62 15.41 6.73 -0.66180 8.08 -2.05 21.38 23.66 14.81 0.0030 0 5.39 -3.07 24.83 28.32 25.25 1.99a ) Coated on a silicon wafer, soft-baked at 25°C for 18 hours, and coated on a quartz/ 90S cured for 3 minutes in a 300 watt mercury vapor lamp with water filter TPCDP/108TTPE (weight) b) Weight % solution For Tables B and C, only soft baking was performed and no curing by UV irradiation was performed. The results of E can be compared with the table below.

表り 時間(秒) 100:0 80:20 60:40 40:60 20:80 0:100o  oo ooo。appearance time (seconds) 100:0 80:20 60:40 40:60 20:80 0:100o  oo oooo.

30 99.08 99J2 100.00 41.55 96.92 1.7 260 98.16 98.98 99.34 53.72 99.32 1. 0390 100.61 100.68 101.97 71.2g 100. 34 1.37120 99.69 101.36 100.99 73.31  100.00 2.06180 100.92 100.68 100.00  77.70 100.68 2.41300 99.69 100.34 1 00.33 79.05 99.32 2.41(a)ケイ素ウェファ−上に塗 布され、25℃において18時間ソフトベークされた90STPCDP/l08 TTPE。30 99.08 99J2 100.00 41.55 96.92 1.7 260 98.16 98.98 99.34 53.72 99.32 1. 0390 100.61 100.68 101.97 71.2g 100. 34 1.37120 99.69 101.36 100.99 73.31 100.00 2.06180 100.92 100.68 100.00 77.70 100.68 2.41300 99.69 100.34 1 00.33 79.05 99.32 2.41 (a) Coating on silicon wafer 90STPCDP/108 fabricated and soft baked for 18 hours at 25°C TTPE.

(b)重量%溶液 時間(秒) 博國 膜量 延厘 炒厘 煕憩 用厚 o oo ooo。(b) wt% solution time (seconds) Hirokuni film thickness Enrin Chaiku Hiroki thickness o oo oooo.

30 99.08 102.14 13.57 −3.03 1.69 −0. 7060 98.16 101.42 91.79 30.64 −1.36  −1.7590 100.61 101.07 9g、57 78.11 8. 81 −1.05120 99.69 102.49 98.57 95.62  29.83 0.35180 100.92 101.42 99.64 9 7.31 62.03 0.70且)ケイ素ウェファ−上に塗布、25℃におい て18時間ソフトベークした、90STPCDP/l08TTPE (重量)b )重量%溶液 溶剤(トルエン:エタノール)(b) 時間(秒) 100:0 80:20 60:40 40:60 20:80 0:100o  oo ooo。30 99.08 102.14 13.57 -3.03 1.69 -0. 7060 98.16 101.42 91.79 30.64 -1.36 -1.7590 100.61 101.07 9g, 57 78.11 8. 81 -1.05120 99.69 102.49 98.57 95.62 29.83 0.35180 100.92 101.42 99.64 9 7.31 62.03 0.70 and) Coated on silicon wafer, 25℃ odor Soft baked for 18 hours, 90STPCDP/108TTPE (weight)b )wt% solution Solvent (toluene:ethanol) (b) time (seconds) 100:0 80:20 60:40 40:60 20:80 0:100o  oo oooo.

30 53.97 64.84 64.38 20.00 −2.05 0.0 060 69.21 70.33 70.21 30.36 −2.05 −1 .3990 70.86 73.63 70.89 37.50 −0.68  −1.39120 71.85 71.79 71.58 42.50 −1. 02 0.69180 71.85 74.36 72.95 45.36 − 1.37 0.35300 74.83 74.73 73.29 50.71  0.34 0.35a)ケイ素ウェファ−上に塗布、25℃において18時間 ソフトベークし、石英/水フィルター付き300ワツト水銀蒸気ランプにより3 分間硬化させた、75STPCDP/25STTPE (重量)b)重量%溶液 表G 時間(秒) 100:0 80+20 60:40 40:60 20+80 0:100o  oo ooo。30 53.97 64.84 64.38 20.00 -2.05 0.0 060 69.21 70.33 70.21 30.36 -2.05 -1 .. 3990 70.86 73.63 70.89 37.50 -0.68 -1.39120 71.85 71.79 71.58 42.50 -1. 02 0.69180 71.85 74.36 72.95 45.36 - 1.37 0.35300 74.83 74.73 73.29 50.71 0.34 0.35a) Coated on silicon wafer, 18 hours at 25°C Soft bake and 300 watt mercury vapor lamp with quartz/water filter 75STPCDP/25STTPE (weight) b) wt% solution cured for minutes Table G time (seconds) 100:0 80+20 60:40 40:60 20+80 0:100o  oo oooo.

30 53.97 69.47 0.73 −1.10 1.01 −0.70 60 69.21 73.33 18.18 8.46 −0.34 −1.7 690 70.86 77.89 42.55 30.15 0.34 −2. 821.20 71.85 7g、25 48.73 41.54 1.35  −1.41180 71.85 78.25 52.36 51.84 3.0 3 −1.06300 74.83 81.40 54.55 60.29 6 .40 −1.76a)ケイ素ウェファ−上に塗布、25℃において18時間ソ フトベークし、石英/水フィルター付き300ワツト水銀蒸気ランプにより3分 間硬化させた、75STPCDP/25STTPE (重量)b)重量%溶液 表FとGは、ソフトベークのみを実施し、UV照射による硬化を行わなかった、 以下の表HとIの結果と比較することができる。30 53.97 69.47 0.73 -1.10 1.01 -0.70 60 69.21 73.33 18.18 8.46 -0.34 -1.7 690 70.86 77.89 42.55 30.15 0.34 -2. 821.20 71.85 7g, 25 48.73 41.54 1.35 -1.41180 71.85 78.25 52.36 51.84 3.0 3 -1.06300 74.83 81.40 54.55 60.29 6 .. 40-1.76a) Coated on silicon wafer, soaked at 25°C for 18 hours. Bake for 3 minutes using a 300 watt mercury vapor lamp with quartz/water filter. 75STPCDP/25STTPE (weight) b) wt% solution, cured for a while In Tables F and G, only soft baking was performed and no curing by UV irradiation was performed. The results can be compared with the results in Tables H and I below.

表H 時間(秒) 100:0 80:20 60+40 40:60 20:80 0:100o  oo ooo。Table H time (seconds) 100:0 80:20 60+40 40:60 20:80 0:100o  oo oooo.

30 96.10 98.98 89.66 28.09 0.68 2.42 60 99.29 101.36 98.62 47.16 3.74 2.4 290 99.65 99.69 99.66 57.53 5.78 1.0 4120 99.65 100.34 100.00 64.55 6.12  2.08180 99.29 99.32 99.31 69.90 9.18  2.08300 100.35 100.34 99.31 75.25 1 0.88 1.38a)ケイ素ウェファ−上に塗布、25℃において18時間ソ フトベークした、75STPCDP/25STTPE (重量)b)重量%溶液 時間(秒) 100:0 80:20 60:40 40:60 20:80 0:100o  oo ooo。30 96.10 98.98 89.66 28.09 0.68 2.42 60 99.29 101.36 98.62 47.16 3.74 2.4 290 99.65 99.69 99.66 57.53 5.78 1.0 4120 99.65 100.34 100.00 64.55 6.12 2.08180 99.29 99.32 99.31 69.90 9.18 2.08300 100.35 100.34 99.31 75.25 1 0.88 1.38a) Coated on silicon wafer, soaked at 25°C for 18 hours. Futobaked 75STPCDP/25STTPE (weight) b) Weight % solution time (seconds) 100:0 80:20 60:40 40:60 20:80 0:100o  oo oooo.

30 96.10 59.52 −2.00 −5.35 −0.33 1.0 060 99.29 98.96 54.00 10.37 −3.92 1. 0090 99.65 99.65 85.00 46.82 3.92 0. 33120 99.65 100.35 95.00 74.25 7.52  0J3180 99.29 99.65 9g、67 87.96 16.99  0.33a)ケイ素ウェファ−上に塗布、25℃において18時間ソフトベー クした、75STPCDP/25STTPE (重量)b)重量%溶液 時間(秒) 100:0 80:20 60:40 40:60 20:80 0:100o  oo ooo。30 96.10 59.52 -2.00 -5.35 -0.33 1.0 060 99.29 98.96 54.00 10.37 -3.92 1. 0090 99.65 99.65 85.00 46.82 3.92 0. 33120 99.65 100.35 95.00 74.25 7.52 0J3180 99.29 99.65 9g, 67 87.96 16.99 0.33a) Coated on silicon wafer, softbaked for 18 hours at 25°C. 75STPCDP/25STTPE (weight) b) wt% solution time (seconds) 100:0 80:20 60:40 40:60 20:80 0:100o  oo oooo.

30 2.56 10.84 3.73 −2.69 −2.60 −1.86 60 3.66 15.38 10.45 −0.38 −1.49 −1.1 290 7.69 17.83 14.18 3.85 −2.97 0.00 120 12.09 18.53 18.66 3.85 −0.74 −1. 12180 13.19 20.98 1g、66 6.54 −0.37 1 .86300 14.65 23.08 27.99 11.54 10.04  0.00a)ケイ素ウェファ−上に塗布、25℃において18時間ソフトベー クし、石英/水フィルター付き300ワツト水銀蒸気ランプにより3分間硬化さ せた、50STPCDP150STTPE (重量)b)重量%溶液 表ム 時間(秒) 埠I 設〃 照刈 炒厘 股〃 照準 o oo ooo。30 2.56 10.84 3.73 -2.69 -2.60 -1.86 60 3.66 15.38 10.45 -0.38 -1.49 -1.1 290 7.69 17.83 14.18 3.85 -2.97 0.00 120 12.09 18.53 18.66 3.85 -0.74 -1. 12180 13.19 20.98 1g, 66 6.54 -0.37 1 .. 86300 14.65 23.08 27.99 11.54 10.04 0.00a) Coated on silicon wafer, softbaked for 18 hours at 25℃ Cured for 3 minutes in a 300 watt mercury vapor lamp with quartz/water filter. 50STPCDP150STTPE (weight) b) Weight % solution table time (seconds) Bu I Establishment Terukari Satoru Aiming o oo oooo.

30 2.56 1.13 0.00 −0.39 0.00 −0.3760  3.66 2.26 1.84 2.33 1.57 0.0090 7.6 9 3.02 1.84 −0.39 0!9 0.00120 12.09  3.40 2.94 1.95 1.18’ 0.00180 13.19 7 .55 2.94 1.95 0.78 0.00300 14.65 10. 94 2.94 3.11 3.14 0.00a)ケイ素ウェファ−上に塗布 、25℃において18時間ソフトベークし、石英/水フィルター付き300ワツ ト水銀蒸気ランプにより3分間硬化させた、50STPCDP150STTPE  (重量)b)重量%溶液 表JとKは、ソフトベークのみを実施し、Uv照射による硬化を行わなかった、 以下の表しとMの結果と比較することができる。30 2.56 1.13 0.00 -0.39 0.00 -0.3760 3.66 2.26 1.84 2.33 1.57 0.0090 7.6 9 3.02 1.84 -0.39 0!9 0.00120 12.09 3.40 2.94 1.95 1.18' 0.00180 13.19 7 .. 55 2.94 1.95 0.78 0.00300 14.65 10. 94 2.94 3.11 3.14 0.00a) Coating on silicon wafer , soft baked at 25°C for 18 hours, 300 watts with quartz/water filter 50STPCDP150STTPE, cured for 3 minutes in a mercury vapor lamp. (Weight) b) Weight % solution In Tables J and K, only soft baking was performed and no curing by UV irradiation was performed. The results of M can be compared with the table below.

表り 時間(秒) 100:0 80:20 60:40 40:60 20:80 0:1003 0 97.03 102.24 95.47 37.36 −1.57 −2. 1460 100.74 99.63 98.87 65.66 3.54 0 .0090 101.12 99.63 99.62 73.58 5.12  −0.71120 100.37 99.25 99.25 80.75 7. 48 −1.42180 101.12 98.88 98.11 83.40  10.24 −3.20300 101.12 98.88 101.13  87.55 15.75 −0.71a)ケイ素ウェファ−上に塗布、25℃に おいて18時間ソフトベークした、50STPCDP150STTPE (重量 )b)重量%溶液 時間(秒) 100:Oso:2o 60:40 40:60 20:80 0:100o  oo ooo。appearance time (seconds) 100:0 80:20 60:40 40:60 20:80 0:1003 0 97.03 102.24 95.47 37.36 -1.57 -2. 1460 100.74 99.63 98.87 65.66 3.54 0 .. 0090 101.12 99.63 99.62 73.58 5.12 -0.71120 100.37 99.25 99.25 80.75 7. 48 -1.42180 101.12 98.88 98.11 83.40 10.24 -3.20300 101.12 98.88 101.13 87.55 15.75 -0.71a) Coated on silicon wafer, heated to 25℃ 50STPCDP150STTPE (weight ) b) wt % solution time (seconds) 100:Oso:2o 60:40 40:60 20:80 0:100o oo oooo.

30 97.03 99.25 −3.18 −3.04 0.35 −0.7 160 100.74 103.02 39.93 −0.38 0.70 − 1.7990 101.12 101.51 91.87 14.45 5.6 1 −0.71120 100.37 102.64 9g、94 56.27  12.98 0.00180 101.12 104.15 98.23 8 0.23 20.70 0.00300 101.12 103.77 99. 29 92.02 35.09 −0J6a)ケイ素ウェファ−上に塗布、25 ℃において18時間ソフトベークした、50STPCDP150STTPE ( 重量)b)重量%溶液 実施例20 トルエン中の50%5TPCDP (実施例6)と50%5TTPE (実施例 9)との一連の溶液を46.0重量%固形分〜58.4重量%固形分の範囲の種 々な濃度を用いて、製造した。これらの溶液をケイ素基板(表面)に700〜1 500rpmのスピン塗装速度を用いて60秒間スピン塗布し:真空下25℃に おいて24時間ソフトベークした。サンプルを次に、USAFテストパターンと 石英/水フィルターとを用いる300ワツト水銀蒸気ランプによるUV照射に3 分間露光させた。光硬化ポリマーを次にトルエンによって25℃において1分間 現像した。風乾させた基板を25℃〜220℃ランプの1時間の真空下硬化サイ クルを用いてハードベークし、220℃に2.5時間維持してから、室温に冷却 した。 光硬化ポリマーのフィルム厚さをTaylor−Hobson Ta1 ysurf 10 プロフィロメーターを用いて分析した。下記表は得られたフ ィルム厚さを示す。30 97.03 99.25 -3.18 -3.04 0.35 -0.7 160 100.74 103.02 39.93 -0.38 0.70 - 1.7990 101.12 101.51 91.87 14.45 5.6 1 -0.71120 100.37 102.64 9g, 94 56.27 12.98 0.00180 101.12 104.15 98.23 8 0.23 20.70 0.00300 101.12 103.77 99. 29 92.02 35.09 -0J6a) Coating on silicon wafer, 25 50STPCDP150STTPE soft-baked for 18 hours at ℃ Weight) b) Weight % solution Example 20 50% 5TPCDP (Example 6) and 50% 5TTPE (Example 6) in toluene 9) A series of solutions with seeds ranging from 46.0% solids to 58.4% solids by weight were prepared using various concentrations. These solutions are applied to the silicon substrate (surface) at a rate of 700 to 1 Spin coating for 60 seconds using a spin coating speed of 500 rpm: 25°C under vacuum. Soft bake for 24 hours. The sample is then tested with the USAF test pattern. 3 for UV irradiation with a 300 Watt mercury vapor lamp using a quartz/water filter. Exposure was made for a minute. The photocured polymer was then cured with toluene for 1 min at 25°C. Developed. The air-dried board was cured under vacuum for 1 hour at 25°C to 220°C. Hard bake using a heat exchanger and maintained at 220°C for 2.5 hours, then cooled to room temperature. did. The film thickness of the photocurable polymer was determined by Taylor-Hobson Ta1. Analysis was performed using a ysurf 10 profilometer. The table below shows the obtained results. Indicates film thickness.

表N 505TPCDP/ 505TTPE 粘度 フィルム厚さくμm)固形分 ス ピン塗装速度(rpm) (mPa s) 700 1000 150046.0 6.0 5.3 4. 4 4.248.9 10.0 7.5 6.3 4.753.5 16.0  10.5 8.2 6.858.4 32.0 −−− 12.9 10.9( a)トルエン中の溶解固形分 実施例21 実施例6の5TPCDPと実施例9の5TTPEとを用いて、トルエン中に50 %5TPCDP、50%5TTPEの56重量%固形分溶液を製造した。この溶 液をケイ素基板(表面)に600〜200Orpmのスピン塗装速度を用いて6 0秒間スピン塗布し:真空下25℃において24時間ソフトベークした。サンプ ルを次に、USAFテストパターンと石英/水フィルターとを用いる300ワツ ト水銀蒸気ランプによるUV照射に3分間露光させた。光硬化ポリマーを次にト ルエンによって25℃において1分間現像した。風乾させた基板を25℃〜21 9℃ランプの1時間の真空下硬化サイクルを用いてハードベークし、219℃に 2.5時間維持してから、室温に冷却した。 光硬化ポリマーのフィルム厚さと 側壁角度とを5loan Technology CorporationDe ktak3030 プロフィロメーターを用いて分析した。このデータは下記表 に要約する。Table N 505TPCDP/505TTPE Viscosity Film thickness μm) Solid content Pin painting speed (rpm) (mPa s) 700 1000 150046.0 6.0 5.3 4. 4 4.248.9 10.0 7.5 6.3 4.753.5 16.0 10.5 8.2 6.85 8.4 32.0 --- 12.9 10.9 ( a) Dissolved solids in toluene Example 21 Using 5TPCDP of Example 6 and 5TTPE of Example 9, 50 A 56 wt % solids solution of 50% 5TTPE and 50% 5TTPE was prepared. This melt The solution was applied to the silicon substrate (surface) using a spin coating speed of 600 to 200 Orpm. Spin coating for 0 seconds: soft bake at 25° C. for 24 hours under vacuum. sump 300W using the USAF test pattern and quartz/water filter. It was exposed to UV radiation from a mercury vapor lamp for 3 minutes. The light-cured polymer is then treated. Developed with luene for 1 minute at 25°C. Air-dried board at 25℃~21℃ Hard bake to 219°C using a 1 hour vacuum curing cycle with a 9°C lamp. It was maintained for 2.5 hours and then cooled to room temperature. Film thickness of photocurable polymer The side wall angle is 5loan Technology Corporation Analysis was performed using a ktak3030 profilometer. This data is shown in the table below. To summarize.

表G スピン速度 フィルム厚さ 側壁角度 (rpm) (μm) 600 13、5 19 600 13、5 20 700 12、0 35 700 12、0 30 800 12、3 33 800 11.2 21 800 11、3 35 800 12、0 18 1000 10、3 24 1000 10、5 28 1000 10、0 33 1000 11、2 26 1500 8、5 22 1500 8、8 30 1500 9、2 26 1500 12、4 18 2000 7、5 25 2000 7゜79 2000 7、9 37 2000 8、0 20 実施例22 トルエン中の50%5TPCDP (実施例6)と50%5TTPE (実施例 9)との一連の溶液を46.0重量%固形分〜58.4重量%固形分の範囲の種 々な濃度を用いて、製造した。これらの溶液をケイ素基板(表面)に700〜1 500rpmのスピン塗装速度を用いて60秒間スピン塗布し;真空下25℃に おいて24時間ソフトベークした。サンプルを次に、USAFテストパターンと 石英/水フィルターとを用いる300ワツト水銀蒸気ランプにょるUV照射に3 分間露光させた。光硬化ポリマーを次にトルエンによって25°Cにおいて1分 間現像した。風乾させた基板を25℃〜220℃ランプの1時間の真空下硬化サ イクルを用いてハードベークし、220℃に2.5時間維持してから、室温に冷 却した。サンプルを次にイオンビーム スパッターリングによって金属化して、 厚さ5000〜1oooo人の金属フィルムを得た。Table G Spin speed Film thickness Sidewall angle (rpm) (μm) 600 13, 5 19 600 13, 5 20 700 12, 0 35 700 12, 0 30 800 12, 3 33 800 11.2 21 800 11, 3 35 800 12, 0 18 1000 10, 3 24 1000 10, 5 28 1000 10, 0 33 1000 11, 2 26 1500 8, 5 22 1500 8, 8 30 1500 9, 2 26 1500 12, 4 18 2000 7, 5 25 2000 7゜79 2000 7, 9 37 2000 8, 0 20 Example 22 50% 5TPCDP (Example 6) and 50% 5TTPE (Example 6) in toluene 9) A series of solutions with seeds ranging from 46.0% solids to 58.4% solids by weight were prepared using various concentrations. These solutions are applied to the silicon substrate (surface) at a rate of 700 to 1 Spin coating for 60 seconds using a spin coating speed of 500 rpm; at 25°C under vacuum. Soft bake for 24 hours. The sample is then tested with the USAF test pattern. 3 for UV irradiation with a 300 Watt mercury vapor lamp using a quartz/water filter. Exposure was made for a minute. The photocured polymer was then cured with toluene for 1 min at 25°C. Developed for a while. The air-dried board was cured under vacuum for 1 hour at 25°C to 220°C. hard bake using a vacuum cleaner and maintain at 220°C for 2.5 hours, then cool to room temperature. Rejected. The sample was then metallized by ion beam sputtering. A metal film with a thickness of 5,000 to 1000 mm was obtained.

熱衝撃サイクリングの前後の較正された“スコッチテープ接着試験によって接着 力を評価した。熱衝撃サイクルはサンプルの下記熱サイクリングニー55℃に1 0分間維持;−55℃〜125℃の急激なランプ;125℃に10分間維持を含 む。下記表では、記載した比は、金属の25個の方形の内、全方形に対して幾ら かがテープによって除去されなかったことを意味する。すなわち、5/25は金 属の20個の方形が除去されたことを意味する。Adhesion by calibrated “Scotch tape adhesion test before and after thermal shock cycling” evaluated the power. The thermal shock cycle was performed by thermal cycling the sample at 55°C for 1 time. 0 min hold; rapid ramp from -55°C to 125°C; 10 min hold at 125°C included nothing. In the table below, the ratios listed are for all squares out of 25 squares of metal. This means that the material was not removed by the tape. In other words, 5/25 is gold This means that 20 squares of the genus have been removed.

接着力測定結果 サイクリング前 2.51b、10.01b、2.51b、10.01b、 2.51b、10. 01b。Adhesive force measurement results Before cycling 2.51b, 10.01b, 2.51b, 10.01b, 2.51b, 10. 01b.

クロム 0/25 バス クロム 0/25 バス 銅 0/25 バス 銅 O/25 /<ス アルミニウム 1/25 0/1 パス バス アルミニウム 0/25 ノぐス 金 6/25 6/6 a a a aバス 金 0725 ノくス ニッケル O/25 バス ニッケル 0/25 バス (a)サンプル評価せず (b)1/2インチ幅テープに対するlb、でのテープ評価実施例23 実施例5の5TPCDP樹脂と実施例9の5TTPE樹脂とをトルエンに溶解し て、5TPCDP28.0%と、5TTPE28.0%と、トルエン44重量% との(50: 50STPCDP : 5TTPE)組成の溶液を得た。この溶 液をアルミナ又はケイ素基板(表面)に11000rpのスピン塗装速度を用い て60秒間スピン塗布し;窒素下60℃において1時間ソフトベークした。この ポリマーを次に、3時間の25℃〜220℃ランプの窒素下硬化サイクルを用い てハードベークし、220℃に2.0時間維持し、次に4時間で220℃〜25 ℃ヘランブさせた。Chrome 0/25 bus Chrome 0/25 bus Copper 0/25 bus Copper O/25 /<S Aluminum 1/25 0/1 pass bus Aluminum 0/25 Nogusu Fri 6/25 6/6 a a a bus Gold 0725 Nokusu Nickel O/25 bus Nickel 0/25 bus (a) No sample evaluation (b) Tape evaluation example 23 in lb for 1/2 inch width tape The 5TPCDP resin of Example 5 and the 5TTPE resin of Example 9 were dissolved in toluene. 28.0% of 5TPCDP, 28.0% of 5TTPE, and 44% by weight of toluene. A solution having a composition of (50:50STPCDP:5TTPE) was obtained. This melt Apply the solution to an alumina or silicon substrate (surface) using a spin coating speed of 11,000 rpm. spin coated for 60 seconds; soft baked at 60° C. for 1 hour under nitrogen. this The polymer was then cured using a 3 hour 25°C to 220°C lamp nitrogen curing cycle. hard bake at 220°C for 2.0 hours, then heat to 220°C to 25°C for 4 hours. It was heated to ℃.

熱衝撃サイクリングの前後の較正された“スコッチテープ接着試験によって接着 力を評価した。熱衝撃サイクルはサンプルの下記熱サイクリングニー55℃に1 0分間維持ニー55℃〜125℃の急激なランプ;125℃に10分間維持基板  熱衝撃サイクリング前 92サイクル後2.5 10.0 2.5 10.0 アルミナ 0/25パス −一−−−−ケイ素 0/25パス −一−−−− 実施例24 実施例5の5TPCDP樹脂と実施例9の5TTPE樹脂とをトルエンに溶解し て、5TPCDP28.0%と、5TTPE28.0%と、トルエン44重量% との(50: 50STPCDP : 5TTPE)組成の溶液を得た。この溶 液をアルミナ又はケイ素基板(表面)に1100Orpのスピン塗装速度を用い て60秒間スピン塗布し;窒素下60℃において1時間ソフトベークした。この ポリマーを次に、3時間の25℃〜220℃ランプの窒素下硬化サイクルを用い てハードベークし、220℃に2.0時間維持し、次に4時間で220℃〜25 ℃ヘランブさせた。Adhesion by calibrated “Scotch tape adhesion test before and after thermal shock cycling” evaluated the power. The thermal shock cycle was performed by thermal cycling the sample at 55°C for 1 time. Sudden ramp from 55°C to 125°C maintained for 0 minutes; maintained substrate at 125°C for 10 minutes Before thermal shock cycling After 92 cycles 2.5 10.0 2.5 10.0 Alumina 0/25 pass -1---- Silicon 0/25 pass -1--- Example 24 The 5TPCDP resin of Example 5 and the 5TTPE resin of Example 9 were dissolved in toluene. 28.0% of 5TPCDP, 28.0% of 5TTPE, and 44% by weight of toluene. A solution having a composition of (50:50STPCDP:5TTPE) was obtained. This melt Apply the solution to an alumina or silicon substrate (surface) using a spin coating speed of 1100 Orp. spin coated for 60 seconds; soft baked at 60° C. for 1 hour under nitrogen. this The polymer was then cured using a 3 hour 25°C to 220°C lamp nitrogen curing cycle. hard bake at 220°C for 2.0 hours, then heat to 220°C to 25°C for 4 hours. It was heated to ℃.

熱衝撃サイクリングの前後の較正された“スコッチテープ接着試験によって接着 力を評価した。熱衝撃サイクルはサンプルの下記熱サイクリングニー55℃に1 0分間維持;−55℃〜125℃の急激なランプ:125℃に10分間維持基板  熱衝撃サイクリング前 92サイクル後2.5 10.0 2.5 10.0 1b、 lb、 Ib、 lb。Adhesion by calibrated “Scotch tape adhesion test before and after thermal shock cycling” evaluated the power. The thermal shock cycle was performed by thermal cycling the sample at 55°C for 1 time. Hold for 0 minutes; Rapid ramp from -55℃ to 125℃: Hold for 10 minutes at 125℃ Substrate Before thermal shock cycling After 92 cycles 2.5 10.0 2.5 10.0 1b, lb, Ib, lb.

クロム 25/25 25/25 a aパス バス ニッケル O/25パス(b)−−−−−−銅 0/25パス(b)−−−−− − アルミニウム 0/25パス(b)−−−−−−金 0/25パス(b)−一  −−−−a)サンプル評価せず b)ポリマー/金属界面で破損 上記例22〜24において、クロムは特に良好に誘電性ポリマーに接着し、従っ てマルチレベル構造に導電性パターンを形成する銅層の適当なベースとして役立 つことができる。Chrome 25/25 25/25 a a pass bus Nickel O/25 pass (b)------- Copper 0/25 pass (b)------ − Aluminum 0/25 pass (b)------ Gold 0/25 pass (b)-1 -----a) No sample evaluation b) Damage at polymer/metal interface In Examples 22-24 above, chromium adheres particularly well to the dielectric polymer and therefore serves as a suitable base for copper layers to form conductive patterns in multilevel structures. can be done.

手続補正書 シ 平成 6年〉月 1日Procedural amendment written Month 1, 1994

Claims (1)

【特許請求の範囲】 1.基板上に所定パターンでポリマーを形成する方法において、(a)構造; ▲数式、化学式、表等があります▼ [式中、 ▲数式、化学式、表等があります▼; ▲数式、化学式、表等があります▼ R1、R2=H又は炭素数1〜10のアルキル;R3=メチル; R4=H; ▲数式、化学式、表等があります▼、炭素数1〜10のアルキル部分、炭素数5 〜10のシクロアルキル部分、又はベンジルである、但し全てのAの少なくとも 50%はビニルベンジル部分である; L=Br又はCl; a=0、1又は2; b=0又は1; m、n、s及びtは0又は整数であるが、m+n+s+t=zは1〜10の整数 である; R5=H、炭素数1〜10のアルキル部分、ハロゲンもしくはアルコキシ部分、 又は1価の芳香族ラジカルである] で示される、ジシクロペンタジエンとフェノールとの反応生成物のエーテルであ るプレポリマーを基板に塗布する工程と;(b)(a)の塗布されたプレポリマ ーを遮蔽用パターンを通して照射して、照射された前記塗膜部分を選択的に硬化 させる工程と;(c)(a)のプレポリマー塗膜の非照射部分を選択的に溶解す る工程と;(d)プレポリマー塗膜の架橋部分を100℃〜300℃の範囲内の 温度で、前記架橋された塗膜をさらに架橋させ、プレポリマーを不融性ガラス状 固体に変えるために充分な時間加熱することによって硬化させる工程とを含む方 法。 2.基板上に所定パターンでポリマーを形成する方法において、(a)次の要素 ; (1)式: ▲数式、化学式、表等があります▼ [式中、 ▲数式、化学式、表等があります▼; ▲数式、化学式、表等があります▼ R1、R2=H又は炭素数1〜10のアルキル;R3=メチル; R4=H; ▲数式、化学式、表等があります▼、炭素数1〜10のアルキル部分、炭素数5 〜10のシクロアルキル部分、又はベンジルである;L=Br又はCl; a=0、1又は2; b=0又は1; m、n、s及びtは0又は整数であるが、m+n+s+t=zは1〜10の整数 である; R5=H、炭素数1〜10のアルキル部分、ハロゲンもしくはアルコキシ部分、 又は1価の芳香族ラジカルである] で示される、ジシクロペンタジエンとフェノールとの反応生成物のエーテルと( 2)(a)ジアルデヒド1モル割合と、(b)フェノール約3〜約4モル割合と のオリゴマー縮合生成物のエーテルであり、ジアルデヒドが式:OHC(CH2 )rCHO(式中、r=0又は1〜6の整数)、シクロペンタンジアルデヒド、 フタルアルデヒド、イソフタルアルデヒド、テレフタルアルデヒド、ヘキサヒド ロフタルアルデヒド、シクロヘプタンジアルデヒド、ヘキサヒドロイソフタルア ルデヒド、ヘキサヒドロテレフタルアルデヒド及びシクロオクタンジアルデヒド から成る群から選択され、フェノールが構造R6C6H4を有し、R6が水素又 は炭素数1〜約10のアルキル基であり前記オリゴマー縮合生成物のフェノール 残基が、ビニルベンジル、炭素数1〜10のアルキル部分、炭素数5〜10のシ クロアルキル部分及びベンジルから成る群からランダムに選択される1個以上の 置換基によってエーテル化されて、エーテル部分を形成し、この場合にビニルベ ンジル対他の部分との比が1:1から約6:1までであるエーテル から成るプレポリマー混合物を基板に塗布する工程と;(b)(a)の塗布され たプレポリマーを遮蔽用パターンを通して照射して、照射された前記塗膜部分を 選択的に硬化させる工程と;(c)(a)のプレポリマー塗膜の非照射部分を選 択的に溶解する工程と;(d)プレポリマー塗膜の架橋部分を100℃〜300 ℃の範囲内の温度で、前記架橋された塗膜をさらに架橋させ、プレポリマーを不 融性ガラス状固体に変えるために充分な時間加熱することによって硬化させる工 程とを含む方法。 3.R1とR2が水素である請求項1又は2に記載の方法。 4.zが3又は4である請求項1又は2に記載の方法。 5.Aがパラ−ビニルベンンジルである請求項1又は2に記載の方法。 6.LがBrである請求項1又は2に記載の方法。 7.Aの70%がビニルベンジルであり、残りがプロピルである請求項1又は2 に記載の方法。 8.ジアルデヒドがOHC(CH2)CHOであり、rが0又は1〜6の整数で ある請求項2記載の方法。 9.R6が水素又はメチルである請求項2記載の方法。 10.縮合生成物(2)のエーテル部分が約70%のビニルベンジルと30%の プロピルである請求項2記載の方法。 11.縮合生成物(2)の分子量が400〜6000である請求項2記載の方法 。 12.請求項1又は2に記載の方法によって製造される硬化ポリマーを含む電子 工学中間連結構造体。 13.前記硬化ポリマーがクロム金属層に付着されている請求項12記載の電子 工学中間連結構造体。[Claims] 1. A method of forming a polymer in a predetermined pattern on a substrate, the method comprising: (a) a structure; ▲Contains mathematical formulas, chemical formulas, tables, etc.▼ [In the formula, ▲There are mathematical formulas, chemical formulas, tables, etc.▼; ▲Contains mathematical formulas, chemical formulas, tables, etc.▼ R1, R2=H or alkyl having 1 to 10 carbon atoms; R3=methyl; R4=H; ▲There are mathematical formulas, chemical formulas, tables, etc.▼, alkyl moiety with 1 to 10 carbon atoms, 5 carbon atoms ~10 cycloalkyl moieties, or benzyl, provided that at least of all A 50% is vinylbenzyl moiety; L=Br or Cl; a=0, 1 or 2; b=0 or 1; m, n, s and t are 0 or integers, m+n+s+t=z is an integer from 1 to 10 is; R5=H, alkyl moiety having 1 to 10 carbon atoms, halogen or alkoxy moiety, or a monovalent aromatic radical] is an ether of the reaction product of dicyclopentadiene and phenol, shown as (b) applying the applied prepolymer of (a) to the substrate; - is irradiated through the shielding pattern to selectively cure the irradiated parts of the coating film. and (c) selectively dissolving the non-irradiated portions of the prepolymer coating film of (a). (d) heating the crosslinked portion of the prepolymer coating at a temperature within the range of 100°C to 300°C; temperature to further crosslink the crosslinked coating and transform the prepolymer into an infusible glassy and curing by heating for a sufficient period of time to convert it into a solid. Law. 2. In a method of forming a polymer in a predetermined pattern on a substrate, (a) the following elements ; (1) Formula: ▲Contains mathematical formulas, chemical formulas, tables, etc.▼ [In the formula, ▲There are mathematical formulas, chemical formulas, tables, etc.▼; ▲Contains mathematical formulas, chemical formulas, tables, etc.▼ R1, R2=H or alkyl having 1 to 10 carbon atoms; R3=methyl; R4=H; ▲There are mathematical formulas, chemical formulas, tables, etc.▼, alkyl moiety with 1 to 10 carbon atoms, 5 carbon atoms ~10 cycloalkyl moieties, or benzyl; L=Br or Cl; a=0, 1 or 2; b=0 or 1; m, n, s and t are 0 or integers, m+n+s+t=z is an integer from 1 to 10 is; R5=H, alkyl moiety having 1 to 10 carbon atoms, halogen or alkoxy moiety, or a monovalent aromatic radical] The ether of the reaction product of dicyclopentadiene and phenol, shown as ( 2) (a) 1 molar proportion of dialdehyde, (b) about 3 to about 4 molar proportion of phenol; is an ether of the oligomeric condensation product of dialdehyde having the formula: OHC(CH2 ) rCHO (in the formula, r = 0 or an integer of 1 to 6), cyclopentanedialdehyde, Phthalaldehyde, isophthalaldehyde, terephthalaldehyde, hexahyde Loftaldehyde, cycloheptane dialdehyde, hexahydroisophthala hexahydroterephthalaldehyde and cyclooctanedialdehyde selected from the group consisting of, the phenol has the structure R6C6H4, and R6 is hydrogen or is an alkyl group having 1 to about 10 carbon atoms, and the phenol of the oligomer condensation product is The residue is vinylbenzyl, an alkyl moiety having 1 to 10 carbon atoms, or a cylinder having 5 to 10 carbon atoms. one or more randomly selected from the group consisting of chloroalkyl moiety and benzyl etherified by a substituent to form an ether moiety, in this case vinyl base ethers in which the ratio of ether to other moieties is from 1:1 to about 6:1. (b) applying the prepolymer mixture of (a) to the substrate; The irradiated prepolymer is irradiated through the shielding pattern to expose the irradiated coating area. selectively curing; (c) selecting non-irradiated areas of the prepolymer coating of (a); selectively dissolving; (d) the crosslinked portion of the prepolymer coating film at 100°C to 300°C; The crosslinked coating is further crosslinked at a temperature in the range of A process that hardens by heating for a sufficient time to convert it into a fusible glassy solid. A method that includes moderation. 3. The method according to claim 1 or 2, wherein R1 and R2 are hydrogen. 4. 3. The method according to claim 1 or 2, wherein z is 3 or 4. 5. 3. A method according to claim 1 or 2, wherein A is para-vinylbennzyl. 6. 3. The method according to claim 1 or 2, wherein L is Br. 7. Claim 1 or 2, wherein 70% of A is vinylbenzyl and the remainder is propyl. The method described in. 8. The dialdehyde is OHC(CH2)CHO, and r is 0 or an integer from 1 to 6. 3. The method of claim 2. 9. 3. The method according to claim 2, wherein R6 is hydrogen or methyl. 10. The ether moiety of condensation product (2) is approximately 70% vinylbenzyl and 30% 3. The method according to claim 2, wherein propyl is used. 11. The method according to claim 2, wherein the condensation product (2) has a molecular weight of 400 to 6,000. . 12. An electronic comprising a cured polymer produced by the method according to claim 1 or 2. Engineering intermediate connection structure. 13. 13. The electronic device of claim 12, wherein the cured polymer is attached to a chromium metal layer. Engineering intermediate connection structure.
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