JP3444765B2 - Photosensitive resin composition - Google Patents

Photosensitive resin composition

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JP3444765B2
JP3444765B2 JP27646397A JP27646397A JP3444765B2 JP 3444765 B2 JP3444765 B2 JP 3444765B2 JP 27646397 A JP27646397 A JP 27646397A JP 27646397 A JP27646397 A JP 27646397A JP 3444765 B2 JP3444765 B2 JP 3444765B2
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  • Macromolecular Compounds Obtained By Forming Nitrogen-Containing Linkages In General (AREA)
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Description

【発明の詳細な説明】 【0001】 【発明の属する技術分野】本発明は、半導体素子用保護
絶縁膜、液晶表示素子用配向膜、多層プリント基盤用絶
縁膜等の形成に有用な感光性樹脂組成物に関する。 【0002】 【従来の技術】従来、耐熱性感光材科として、例えぱ、
ポリアミック酸と重クロム酸塩とからなる材科(特公昭
49−17374号公報)、ポリアミック酸のカルボキ
シル基にエステル結合により感光基を導入したものから
なる材料(特開昭49−115541号公報、特開昭5
5−45746号公報)、ポリアミック酸と感光基を有
するアミン化合物からなる材料(特開昭54−1457
94号公報)、ポリアミック酸のカルボキシル基にシリ
ルエステル結合により感光基を導入したものからなる材
料(特開昭62−275129号公報)等が提案されて
いる。これらの材料は、ポリイミド樹脂前駆体を使用し
ており、所定の基材上に塗布した後に光を照射しパター
ン形成を行った後で、通常300℃を越える温度でイミ
ド化反応を進行させて耐熱性ポリイミド樹脂膜を得るも
のである。これらは、このような高温に耐えられない基
材上にポリイミド皮膜を形成するには適していない。 【0003】一方、すでにイミド化されたポリイミド樹
脂を基本骨格として有する感光性ボリイミドも提案され
ている。例えば、ネガ型として、ポリイミド骨格に光重
合可能な官能基を導入した例(特開昭60−7292
5、特開昭61−59334)、ポジ型としてフェノー
ル性水酸基を有するポリイミドにジアゾナフトキノンを
配合した例(特開平3−209478)があげられる。
これらの材料は皮膜形成後の高温処理を必要としない
が、いずれもパタトーン化され基材上に形成された皮膜
と基材との接着性が不十分であり、特にこれらの材料を
電子材料として適用する場合には、金属の腐食等の重大
な問題を引き起こす恐れがある。 【0004】 【発明が解決しようとする課題】本発明は、上記問題点
の解決を目的としてなされたもので、パターン形成後、
250℃以下の低温でイミド化を行うことができ、得ら
れる皮膜が基材に対して良好な接着性を示すとともに金
属腐食の恐れがない高信頼性の感光性樹脂組成物を提供
する。 【0005】 【課題を解決するための手段】本発明者らは上記目的を
達成するために鋭意検討を重ねた結果、下記の組成物が
光の照射に対して良好な感度を有し容易にパターンの形
成が行え、かつ、250℃以下の比較的低温の熱処理で
イミド化された皮膜を基材上に形成する事ができるこ
と、硬化により得られる皮膜は耐熱性、電気的特性、機
械的特性、基材への接着性に優れたポリイミド皮膜であ
ることを見出した。即ち、本発明は、(A)一般式
(1): 【0006】 【化6】 〔式中、Xは、式(2−1)、(2−2)、(2−3)
及び(2−4): 【0007】 【化7】 で表される基から選ばれ、Yは、下記式(3)で示され
るメタクリロキシ基を含有する二価の芳香族基30〜1
00モル%と下記式(4)で示される二価の芳香族基7
0〜0モル%とよりなり、 【0008】 【化8】 【0009】(式(3)において、Rは式(5): -NH-CH2CH2OCO-CH(CH3)=CH2 (5) で示されるメタクリロイル基含有基及び水酸基より選ぱ
れる基であり、かつRのうち50モル%以上は、式
(5)で示される基からなる。式(4)において、Bは
式(6−1)、(6−2)及び(6−3): 【0010】 【化9】 で表される基より選ばれる。) Zは、式(7): 【0011】 【化10】 【0012】(式中bは、5〜80の整数である。)で
示される二価のシロキサン含有基であり、m及びnは整
数であって、m/(m+n)は0.70〜0.98の範
囲である。〕で表される構造を有し、平均分子量500
0〜150000のポリイミド樹脂100重量部、及び
(B)光重合開始剤0.0l重量部〜20重量部を含有
してなる感光性樹脂組成物を提供するものである。 【0013】 【発明の実施の形態】以下、本発明の組成物を詳細に説
明する。(A)ポリイミド樹脂 (A)成分として用いられるポリイミド樹脂を表わす一
般式(1)において、Xで表される4価の基は式(2−
1)〜(2−4)のいずれでもよく、二種以上が混在し
ていてもよい。Yで表される二価の基において、式
(3)のメタクリロイル基含有基は必須であり、Y中の
30〜100モル%、好ましくは50〜100モル%を
占める。式(3)の基が100モル%未満のとき、残余
の基は式(4)の基である。式(3)の基が30モル%
未満では、露光部が十分な光硬化性を示さず、良好なパ
ターンが得られない。 【0014】式(3)の基においてRは前記式(5)の
メタクリロイル基含有基か水酸基であり、ただし式
(5)の基が50モル%以上、好ましくは、80〜10
0モル%である。 【0015】Bで表される基は式(6−1)〜(6−
3)で表される基から選ばれ、1種単独でも二種以上が
混在してもよい。好ましくは、式(6−2)の基であ
る。Zで表される基は式(7)のシロキサン含有基であ
り、式(7)においてbは5〜80、好ましくは、8〜
75の整数である。bが5未満では、樹脂皮膜の弾性率
が高いため、半導体素子などの電子部品等の保護用皮膜
としては適用し難く、80を超えるとシロキサン成分が
系に不溶となって重合反応が進行しない。 【0016】一般式(1)において、Yを含む構造単位
の数(m)とZを含む構造単位の数(n)との割合は両
単位の合計においてmが70〜98モル%、nが2〜3
0モル%である。好ましくは、mが80〜98モル%、
nが20〜2モル%である。mが70モル%未満では、
樹脂皮膜の強度が低下し、保護用皮膜としては不適当で
あり、98モル%を超えると基材に対する接着性に劣
る。なお、通常mは1〜500(好ましくは3〜30
0)の整数であり、nは1〜200(好ましくは1〜1
00)の整数である。このポリイミド樹脂は、例えば、
次のようにして製造することができる。 一般式(8): 【0017】 【化11】 〔式中、Xは前記の通り〕 【0018】で表される酸無水物と、一般式(9): H2N−Y’−NH2 (9) 〔式中、Y’は、式(10): 【0019】 【化12】 【0020】で表されるカルボキシル基を有する二価の
芳香族基及び式(4)で表される二価の芳香族基から選
ばれる。〕で表される芳香族ジアミン化合物及び一般式
(11): H2N−Z−NH2 (11) 〔式中、Zは前記の通り〕で表されるシロキサンジアミ
ン化合物とをもちいて定法によりポリイミドを合成す
る。 【0021】この合成は常説に従えばよいが、反応溶媒
としては後述する本願ポリイミド樹脂の溶液組成物に使
用するものと同様の有機溶剤、特に、N−メチル−2ピ
ロリドン、シクロヘキサノン等を好適に使用し得る。反
応は、室温下(例えば0〜40℃)にて溶媒中に酸無水
物とジアミンとを溶解後反応させてポリアミック酸とし
た後、この反応溶液にトルエン、キシレン等の脱水溶剤
を加えて、130〜200℃程度に加熱して脱水縮合を
行いポリイミド化する。これを冷却してポリイミド樹脂
を得る。こうして得られたポリイミド樹脂は、式(1
2): 【0022】 【化13】 〔式中、X、Y’、Z、m及びnは前記の通り〕で表さ
れる構造を有する。 【0023】次に、式(12)のY’のカルボキシル基
にメタクリロイル基を導入することにより、一般式
(1)の樹脂を得る。このメタクリロイル基の導人方法
に制限はないが、例えば、イソシアナトエチルメタクリ
レートとメチレンビス(4−アミノ−3−ベンゾイック
アシッド)のカルボキシル基との反応によって導入され
る。この反応は、室温、無触媒で進行する。生成樹脂の
Rの50モル%以上が式(5)のメタクリロイル含有基
となるようにする。 【0024】上記の合成において、一般式(8)の酸無
水物としては、Xの異なる4種の化合物から選ばれる1
種又は2種以上を目的のポリイミドの構造が得られるよ
うに用いることができる。一般式(9)のジアミン化合
物は二価の基Yにおける一般式(3)の基と一般式
(4)の基との割合が所望値になるように使用される。
一般式(11)のシロキサン基含有ジアミン化合物は、
所望のm/(m+n)値が得られるように、他のジアミ
ン成分との使用比が調節される。 【0025】一般式(3)の基を形成するジアミン化合
物としては、例えば、メチレンビス(4−アミノ−3−
ベンゾイックアシッド)、メチレンビス(4−アミノ−
2−ベンゾイックアシッド)、メチレンビス(3−アミ
ノ−4−ベンゾイックアシッド)等が挙げられる。 【0026】式(4)の基を形成するジアミン化合物と
しては、例えば、1,4−ビス(3‐アミノフェノキ
シ)ベンゼン、l,4−ビス(4−アミノフェノキシ)
ベンゼン、2,2−ビス〔4−(4−アミノフェノキ
シ)フェニル〕プロパン、2,2−ビス〔4−(4−ア
ミノフェノキシ)フェニル〕パーフルオロプロパンがあ
げられるが、これらに限定されるものではない。好まし
くは、2,2−ビス[4−(4−アミノフェノキシ)フ
ェニル]プロパンである。 【0027】(B)光重合開始剤 光重合開始剤の具体例としては、以下のようなものが挙
げられるが、これらに限定されるものではない。ベンゾ
フェノン、アセトフェノン、アントロン、フェナントレ
ン、ニトロフルオレン、二トロアセナフテン、p,p’
−テトラメチルジアミノベンゾフェノン、 p,p’−
テトラエチルジアミノベンゾフェノン、クロロチオキサ
ントン、ベンズアントラキノン、2,6−ビス−(4‐
ジエチルアミノベンザル)‐シクロヘキサノン、2,6
−ビス−(4−ジエチルアミノベンザル)−4‐メチル
−シクロヘキサノン、4,4’−ビス−(ジエチルアミ
ノ)カルコン、2,4−ジエチルチオキサントン、N−
フェニル−ジエタノールアミン、ジエチルアミノエチル
メタクリレート、クマリン化合物ベンジル、ベンゾイン
イソプロピルエーテル、1−ヒドロキシ−シクロヘキシ
ル−フェニルケトン、2−メチル−〔4−(メチルチ
オ)フェニルコ−2−モルフオリノ−1−プロパン、1
−フェニル1,2−ブタンジオン−2−(o−メトキシ
カルボニル)オキシム,N−フェニルグリシン、3−フ
ェニル5−イソキサゾロン、カンフアーキノン、ビミダ
ゾール類これらは、単独であるいは、2種類以上を併用
することができる。(B)成分は、(A)成分の樹脂1
00重量部に対して0.0l重量部〜20重量部用いら
れ、好ましくは0.05〜5重量部である。 【0028】その他の成分 本発明の組成物の成分は通常有機溶剤に溶解され、溶液
状態(ポリイミド樹脂溶液組成物として)で基材に塗布
される。用いられる溶剤としては、ポリイミド前駆体を
合成するために用いられる溶剤が好適に用いられる。そ
の具体例としては、N−メチル−2−ピロリドン、ジメ
チルアセトアミド、ジメチルホルムアミド、ヘキサメチ
ルホスホルアミド、テトラヒドロフラン、1,4−ジオ
キサン、メチルセロソルブ、ブチルセロソルブ、ジエチ
レングリコールジメチルエーテル、ジエチレングリコー
ルジエチルエーテル、トリエチレングリコールジメチル
エーテル、アセトン、メチルエチルケトン、メチルイソ
ブチルケトン、シクロペンタノン、シクロヘキサノン、
2−へプタノン、2−オクタノン、7−ブチロラクト
ン、ブチルセロソルブアセテート、トルエン、キシレ
ン、アニソール、メチルアニソール、エチルフェニルエ
ーテル等があげられ、これらの一種を単独で又は二種以
上を併用して用いることができる。また、溶剤の使用量
は、(A)成分のポリイミド樹脂と溶剤との合計量に対
して(A)成分のポリイミド樹脂が、5〜50重量%と
することが好ましい。 【0029】使用法・用途 本発明の組成物は通常上記の溶液状態で、スピンコー
ト、浸潰、印刷等公知の方法により基材(ないし基板)
に施される。基材としては、シリコンウエハー、金属
板、ガラス枚、セラミックス基板等がある。塗布後、乾
燥器あるいはホットプレート等の加熱手段を用い、30
〜180℃の温度で数分から数時間プリベークを行い、
塗膜中の溶剤を大部分除去することにより感光性樹脂組
成物の皮膜を得ることができる。この塗膜上にマスクを
置き、可視光線、紫外線等の光を数秒〜数分間照射し、
次いで、未露光部を現像液で溶解除去することにより、
レリーフパターンを得ることができる。また、このとき
に用いる現像液としては、上記のこの組成物の溶剤とし
て用いられる溶剤を一種単独で、あるいは、2種以上併
用して用いることができる。更に、現像により形成され
たレリーフパターンの樹脂は、すでにイミド化された樹
脂の形であるため、これを乾燥器、あるいは電気炉など
の加熱手段により150〜250℃、特に150〜20
0℃の温度で数十分〜数時間加熱することにより、残存
溶剤や、増感剤、重合開始剤を気散させるだけでパター
ン化されたポリイミド皮膜を形成することができる。 【0030】本発明の感光性樹脂組成物は、容易にパタ
ーン形成ができ、また、その加熱後に形成される樹脂皮
膜は、耐熱性、機械的特性、電気的特性に優れるため
に、電子部品用保護膜として好適に用いることができ
る。この電子部品用保護膜としては、例えば半導体装
置、具体的には、ダイオード、トランジスタ、IC、L
SIなどの半導体素子表面のジヤンクションコート膜、
パッシベーション膜、バッファーコート膜、LSI等の
α線遮蔽膜、多層配線の層間絶縁膜、その他にもプリン
トサーキットボードのコンフオーマルコート、液品表示
素子の配向膜、イオン注入マスク等があげられ、幅広い
範囲にわたり利用することができる。 【0031】 【実施例】以下に、実施例を示し、本発明を具体的に説
明するが、本発明は、下記の実施例に制限されるもので
はない。 〔合成例1〕攪拌機、温度計、窒素置換装置及びエステ
ルアダプターを具備したフラスコ内に2,2−ビス
(3,4−ベンゼンジカルボン酸アンヒドリド)パーフ
ルオロブロパン44.42g(0.100モル)、溶剤
としてシクロヘキサノン250gを仕込んだ。この溶液
を攪拌しながら次に滴下ロートから式(11)において
bが9.8であるシロキサン含有ジアミン27.00g
(0.030モル)を滴下し、さらに、続いてシクロヘ
キサノン100gに溶解したメチレンビス(4−アミノ
−3−ベンゾイックアシッド)20.02g(0.07
0モル)を滴下した。滴下終了後さらに10時間攪拌を
続けた。その後、反応溶液に50gのトルエンを加え、
系を150℃に加熱した。このときエステルアダプター
を通じて、3.5gの水を回収した。加熱終了後、室温
まで冷却し、目的とする下記式(13)で表される構造
の樹脂の溶液を得た。 【0032】この樹脂のIRスペクトルを観測したとこ
ろ、1780cm-1と1720cm-1とにイミド基に基
づく吸収が、また、3300cm-l付近にフェノール基
に由来する吸収が観測された。テトラヒドロフランを溶
媒とするゲルパーミュエイションクロマトグラフにてそ
の分子量を測定したところポリスチレン換算で重量平均
分子量が45,000であった。 【0033】 【化14】 X: 【0034】 【化15】 Y: 【0035】 【化16】 Z: 【0036】 【化17】 【0037】このようにして得られた樹脂溶液280g
をフラスコ中に仕込み、これにイソシアナトエチルメタ
クリレート8.65gを室温で滴下した。滴下中、溶液
の温度が上昇し、炭酸ガスの発生が観測された。滴下が
終了した後、さらに室温で4時間攪拌を行って、樹脂に
メタクリロイル基を導入し(−COOHの50モル%に
導入)、目的とする本発明の(A)成分に相当する樹脂
の溶液(a−1という)を得た。(樹脂固形分約24重
量%) 【0038】〔合成例2〕原料等として、テトラカルボ
ン酸二無水物として、3,3’,4,4’−ビフェニル
テトラカルボン酸無水物8.83g(0.030モル)
及び1,3−ビス(3,4−ジカルボキシフェニル)−
1,1,3,3−テトラメチルジシロキサンジアンヒド
リド29.82g(0.070モル)、溶剤として、N
−メチル−2−ピロリドン250g、芳香族ジアミンと
して、メチレンビス(4−アミノ−3−ベンゾイックア
シッド)14.3g(0.050モル)、1,3−ビス
(3−アミノフェノキシ)ベンゼン13.15g(0.
045モル)、及び式(11)においてbが75である
シロキサン含有ジアミン28.62g(0.005モ
ル)、溶剤として、N−メチル−2−ピロリドンll0
g(合計360g)、を用いた以外は、合成例1と同様
にして、平均分子量82,000の樹脂溶液を得た。こ
の樹脂溶液にイソシアナトエチルメタクリレート15.
5gを用いてメタクリロイル基を導入した(−COOH
に対し100モル%導入)。こうして、本発明の(A)
成分に相当する樹脂の溶液(a−2という)を得た。 【0039】〔合成例3〕原料等として、テトラカルボ
ン酸二無水物として、4,4’−オキシフタリックアン
ヒドリド15.51g(0.050モル)、及びl,3
−ビス(3,4−ジカルボキシフェニル)−l,1,
3,3−テトラメチルジシロキサンジアンヒドリド2
1.30g(0.050モル)、溶剤として、シクロヘ
キサノン255g、芳香族ジアミンとして、メチレンビ
ス(4−アミノ−3ベンゾイックアシッド)11.44
g(0.040モル)、2,2‐ビス〔4−(4−アミ
ノフェノキシ)フェニル〕プロパン16.42g(0.
04モル)、並びに式(11)においてbが9.8であ
るシロキサン含有ジアミン16.20g(0.018モ
ル)、及び式(11)においてbが75であるシロキサ
ンジアミン11.45g(0.002モル)、溶剤とし
て、N−メチル−2−ピロリドン100gを用いた以外
は、合成例1と同様にして平均分子量23,000の樹
脂の溶液を得た。この樹脂にイソシアナトエチルメタク
リレート12.4gを用いてメタクリロイル基を導入し
た(−COOHに対し100モル%導入)。こうして得
られた本発明の(A)成分に相当する樹脂の溶液(a−
3という)を得た。 【0040】〔合成例4〕原料等として、酸無水物とし
て、3,3’,4,4’−ベンゾフェノンテトラカルボン
酸二無水物32.23g(0.100モル)、溶剤とし
て、N−メチル−2−ピロリドン 250g、芳香族ジ
アミンとして、メチレンビス(4−アミノ−3−ベンゾ
イックアシッド)14.3g(0.050モル)、
4,4’−メチレンジアニリン 8.91g(0.04
5モル)及び式(11)においてbが75であるシロキ
サン含有ジアミン 28.62g(0.005モル)、
溶剤として、N−メチル−2−ピロリドン 110g
(合計360g)を用いた以外は、合成例1と同様にし
て平均分子量60,000のポリイミド樹脂溶液を得
た。この樹脂溶液にイソシアナトエチルメタクリレート
15.5gを用いてメタクリロイル基を導入した(−
COOHに対し100モル%導入)。こうして得られた
樹脂溶液を(a−4)という。 【0041】〔合成例5〕原料等として、酸無水物とし
て、2,2−ビス(3,4−ベンゼンジカルボン酸アンヒ
ドリド)パーフルオロプロパン 44.42g(0.1
00モル)、溶剤として、シクロヘキサノン 250
g、式(11)においてbが98であるシロキサンジア
ミン27.00g(0.030モル)、メチレンビス
(4−アミノ−3−ベンゾイックアシッド) 20.0
2g(0.070モル)、及びシクロヘキサノン 10
0gを用いた以外は、実施例1と同様にして平均分子量
45,000のポリイミド樹脂溶液を得た。この樹脂溶
液に6.51gのイソシアナトエチルメタクリレートを
用いて、メタクリロイル基を導入した(−COOHに対
し30モル%)。こうして得られた樹脂溶液を(a−
5)という。 【0042】〔合成例6〕酸無水物として、2,2−ビ
ス(3,4−ベンゼンジカルボン酸アンヒドリド)パー
フルオロプロパン44.42g(0.100モル)、溶
剤として、シクロヘキサノン 250g、メチレンビス
(4−アミノ−3−ベンゾイックアシッド) 17.1
6g(0.060モル)、式(11)においてbが75
であるシロキサンジアミン 228.96g(0.04
0モル)、及びシクロヘキサノン 100gを用いて重
合を行った。しかし、黄白濁色の不均一な溶液が得られ
るのみで、均一に重合したポリイミド樹脂溶液は得られ
なかった。 【0043】〔実施例1〜6、比較例1〜2〕表1に示
すように、各例において合成例で得られたいずれかの樹
脂溶液100部に光重合開始剤を同表に示した量添加し
て組成物を調製した。得られた組成物をスピンコーター
を用いてシリコンウエハーに塗布し、ホットプレート上
で90℃/4分乾燥した。得られた塗膜にストライプパ
ターンを有するフオトマスクを密着させ、250Wの超
高圧水銀灯からの紫外線を60秒間照射した。次に、N
−メチル−2−ピロリドン/キシレン=50/50の溶
液で30秒間現像し、さらに、キシレンでリンスした。 【0044】得られたライン・アンド・スペース・パタ
ーンの形状及び得られた最小の線幅を観測することによ
って感光性を評価した。また、得られたパターンを乾燥
器中で150℃/0.5時間と200℃/1時間で硬化
し、その後、2気圧のプレッシャークッカー中に24時
間放置した後のウエハーとの密着性を碁盤目剥離試験
(JIS5400)により調べた。 【0045】結果を表1に示す。 【0046】 【表1】(注) α:4−ジエチルアミノ安息香酸エチル β:ジエチルアミノエチルメタクリレート γ:2,6−ビス(4−ジエチルアミノベンザル)‐4
−メチルシクロヘキサノン δ:カルボニルビス(ジエチルアミノクマリン) ε:N−フェニルグリシン ζ:3−フェニル5−イソキサゾロン η:2,2−ビス(o‐クロロフエニル)−4,5,
4’,5’−テトラフエニル−1,2’−ビイミダゾー
ル 【0047】表1の結果より明らかなように、実施例1
〜4の樹脂組成物の溶液は、比較的厚膜のフィルムにお
いても良好な感光性を有し、現像後、良好なパターンを
与え、さらに、低温での熱処理によってシリコンウエハ
ーに対して優れた接着性を有する皮膜を形成した。 【0048】 【発明の効果】以上説明したように、本発明の感光性樹
脂組成物は、その溶液は、保存安定性に優れ、良好な感
度を有しており、かつ、低温の熱処理によって容易にパ
ターン化された樹脂皮膜を与える。さらに、このパター
ン化された皮膜は、耐熱性、電気的、機械的特性、基材
に対する接着性に優れたポリイミド樹脂よりなり、電子
部品用保護膜として好適に利用することができる。
DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION [0001] The present invention relates to protection for semiconductor devices.
Insulating film, alignment film for liquid crystal display element, perfect for multilayer printed circuit board
The present invention relates to a photosensitive resin composition useful for forming an edge film and the like. [0002] 2. Description of the Related Art Conventionally, as a heat-resistant photosensitive material family, for example,
Materials consisting of polyamic acid and dichromate
No. 49-17374), carboxyl of polyamic acid
From those with a photosensitive group introduced into the sil group through an ester bond
Materials (JP-A-49-115541, JP-A-5-115541)
5-45746) having a polyamic acid and a photosensitive group.
Consisting of an amine compound (see JP-A-54-1457)
No. 94), the carboxyl group of polyamic acid
A material consisting of a compound having a photosensitive group introduced by a
Fees (JP-A-62-275129) and the like have been proposed.
I have. These materials use a polyimide resin precursor
After applying on a predetermined substrate,
After forming the mask, the imprint is usually performed at a temperature exceeding 300 ° C.
To obtain a heat-resistant polyimide resin film
It is. These are substrates that cannot withstand such high temperatures.
It is not suitable for forming a polyimide film on a material. On the other hand, an imidized polyimide resin
A photosensitive polyimide having a fatty acid as a basic skeleton has also been proposed.
ing. For example, as a negative type, polyimide
Example in which a functional group capable of combining is introduced (Japanese Patent Laid-Open No. 60-7292)
5, JP-A-61-59334).
Diazonaphthoquinone for polyimides
An example of blending (JP-A-3-209478) is given.
These materials do not require high temperature treatment after film formation
However, all of them are patter-toned and formed on the substrate
Adhesion between the material and the substrate is insufficient.
When applied as an electronic material, serious
Cause serious problems. [0004] SUMMARY OF THE INVENTION The present invention has the above-mentioned problems.
The purpose was to solve the problem, after pattern formation,
The imidization can be performed at a low temperature of 250 ° C. or less,
Film shows good adhesion to the substrate and
Providing highly reliable photosensitive resin compositions without the risk of metal corrosion
I do. [0005] The present inventors have achieved the above object.
As a result of intensive studies to achieve, the following composition
Easy pattern formation with good sensitivity to light irradiation
And heat treatment at a relatively low temperature of 250 ° C or less.
An imidized film can be formed on a substrate.
The film obtained by curing has heat resistance, electrical properties,
Polyimide film with excellent mechanical properties and adhesion to substrate
I found that. That is, the present invention relates to (A)
(1): [0006] Embedded image [In the formula, X is the formula (2-1), (2-2), (2-3)
And (2-4): [0007] Embedded image Wherein Y is represented by the following formula (3):
Methacryloxy group-containing divalent aromatic group 30-1
00 mol% and the divalent aromatic group 7 represented by the following formula (4)
0 to 0 mol%, [0008] Embedded image (In the formula (3), R is the formula (5): -NH-CHTwoCHTwoOCO-CH (CHThree) = CHTwo (5) Selected from methacryloyl group-containing groups and hydroxyl groups represented by
And at least 50 mol% of R is of the formula
It consists of the group shown by (5). In equation (4), B is
Formulas (6-1), (6-2) and (6-3): [0010] Embedded image Selected from the groups represented by ) Z is represented by the formula (7): [0011] Embedded image (Where b is an integer of 5 to 80)
Are the divalent siloxane-containing groups shown, where m and n are integers
M / (m + n) is in the range of 0.70 to 0.98.
It is an enclosure. And a mean molecular weight of 500
100 parts by weight of 0 to 150,000 polyimide resin, and
(B) 0.01 to 20 parts by weight of a photopolymerization initiator
And a photosensitive resin composition comprising: [0013] BEST MODE FOR CARRYING OUT THE INVENTION Hereinafter, the composition of the present invention will be described in detail.
I will tell.(A) Polyimide resin (A) a polyimide resin used as a component
In the general formula (1), the tetravalent group represented by X is represented by the formula (2-
Any of 1) to (2-4) may be used, and two or more kinds may be mixed.
May be. In a divalent group represented by Y,
The methacryloyl group-containing group of (3) is essential, and
30-100 mol%, preferably 50-100 mol%
Occupy. When the group of the formula (3) is less than 100 mol%,
Is a group of the formula (4). 30 mol% of the group of the formula (3)
If it is less than 1, the exposed portion does not show sufficient photocurability, and
I can't get a turn. In the group of the formula (3), R represents the above-mentioned formula (5)
A methacryloyl group-containing group or a hydroxyl group, provided that the formula
The group of (5) is at least 50 mol%, preferably 80 to 10
0 mol%. The groups represented by B are represented by the formulas (6-1) to (6-
3) selected from the groups represented by
They may be mixed. Preferably, it is a group of the formula (6-2)
You. The group represented by Z is a siloxane-containing group of the formula (7)
In the formula (7), b is from 5 to 80, preferably from 8 to
It is an integer of 75. If b is less than 5, the elastic modulus of the resin film
High protective film for electronic components such as semiconductor devices
Is difficult to apply, and if it exceeds 80, the siloxane component
It becomes insoluble in the system and the polymerization reaction does not proceed. In the general formula (1), a structural unit containing Y
And the number of structural units containing Z (n) are both
M is 70 to 98 mol% and n is 2 to 3 in the total of the units.
0 mol%. Preferably, m is 80 to 98 mol%,
n is 20 to 2 mol%. When m is less than 70 mol%,
The strength of the resin film decreases, making it unsuitable as a protective film.
Yes, if over 98 mol%, poor adhesion to substrate
You. In addition, m is usually 1 to 500 (preferably 3 to 30).
0) and n is 1 to 200 (preferably 1 to 1)
00). This polyimide resin, for example,
It can be manufactured as follows. General formula (8): [0017] Embedded image [Wherein, X is as described above] And an acid anhydride represented by the general formula (9): HTwoN-Y'-NHTwo            (9) [In the formula, Y ′ is the formula (10): [0019] Embedded image Divalent having a carboxyl group represented by
Selected from an aromatic group and a divalent aromatic group represented by the formula (4).
Devour. An aromatic diamine compound represented by the general formula
(11): HTwoNZ-NHTwo        (11) [Wherein, Z is as defined above]
Polyimide is synthesized by a standard method using
You. This synthesis may be performed according to a conventional theory, but the reaction solvent
Is used in the solution composition of the polyimide resin of the present invention described later.
Organic solvents similar to those used, especially N-methyl-2
Loridone, cyclohexanone and the like can be suitably used. Anti
The reaction is carried out at room temperature (e.g.
After dissolving the substance and the diamine, they are reacted to form a polyamic acid.
After that, add a dehydrating solvent such as toluene or xylene to the reaction solution.
And heated to about 130 to 200 ° C. to carry out dehydration condensation.
And perform polyimide. Cool this to polyimide resin
Get. The polyimide resin thus obtained has the formula (1)
2): [0022] Embedded image Wherein X, Y ′, Z, m and n are as described above.
Has a structure that is Next, the carboxyl group of Y 'in the formula (12)
By introducing a methacryloyl group into the general formula
Obtain the resin of (1). How to guide this methacryloyl group
Although there is no limitation, for example, isocyanatoethyl methacrylate
And methylenebis (4-amino-3-benzoic)
Acid) by reaction with carboxyl groups
You. This reaction proceeds at room temperature without a catalyst. Generated resin
50 mol% or more of R is a methacryloyl-containing group of the formula (5)
So that In the above synthesis, the acid anhydride of the general formula (8)
As the hydrate, 1 selected from four kinds of compounds having different Xs
The desired polyimide structure can be obtained from one or more kinds
Can be used. Diamine compound of general formula (9)
The compound is a group of the general formula (3) in the divalent group Y and the general formula
It is used so that the ratio with the group of (4) becomes a desired value.
The siloxane group-containing diamine compound of the general formula (11)
In order to obtain the desired m / (m + n) value,
The use ratio with the component is adjusted. Diamine compound forming a group of the general formula (3)
As a product, for example, methylenebis (4-amino-3-
Benzoic acid), methylene bis (4-amino-
2-benzoic acid), methylene bis (3-amido)
No-4-benzoic acid). A diamine compound forming a group of the formula (4)
For example, for example, 1,4-bis (3-aminophenoxy)
B) benzene, l, 4-bis (4-aminophenoxy)
Benzene, 2,2-bis [4- (4-aminophenoxy)
Cis) phenyl] propane, 2,2-bis [4- (4-A
Minophenoxy) phenyl] perfluoropropane
However, the present invention is not limited to these. Preferred
Or 2,2-bis [4- (4-aminophenoxy) phenyl
Enyl] is propane. [0027](B) Photopolymerization initiator The following are specific examples of the photopolymerization initiator.
However, the present invention is not limited to these. Benzo
Phenone, acetophenone, anthrone, phenanthrene
, Nitrofluorene, ditroacenaphthene, p, p '
-Tetramethyldiaminobenzophenone, p, p'-
Tetraethyldiaminobenzophenone, chlorothioxa
N-ton, benzanthraquinone, 2,6-bis- (4-
Diethylaminobenzal) -cyclohexanone, 2,6
-Bis- (4-diethylaminobenzal) -4-methyl
-Cyclohexanone, 4,4'-bis- (diethylamido
G) chalcone, 2,4-diethylthioxanthone, N-
Phenyl-diethanolamine, diethylaminoethyl
Methacrylate, coumarin compound benzyl, benzoin
Isopropyl ether, 1-hydroxy-cyclohexyl
Le-phenyl ketone, 2-methyl- [4- (methylthio
E) phenylco-2-morpholino-1-propane, 1
-Phenyl 1,2-butanedione-2- (o-methoxy
Carbonyl) oxime, N-phenylglycine, 3-f
Enyl 5-isoxazolone, camphorquinone, bimida
Sols These may be used alone or in combination of two or more.
can do. The component (B) is a resin 1 of the component (A).
0.0l parts by weight to 20 parts by weight based on 00 parts by weight
And preferably 0.05 to 5 parts by weight. [0028]Other ingredients The components of the composition of the present invention are usually dissolved in an organic solvent,
Apply to substrate in the state (as polyimide resin solution composition)
Is done. As the solvent used, a polyimide precursor
The solvent used for the synthesis is preferably used. So
Specific examples of N-methyl-2-pyrrolidone,
Tylacetamide, dimethylformamide, hexamethyl
Ruphosphoramide, tetrahydrofuran, 1,4-di
Xan, methyl cellosolve, butyl cellosolve, diechi
Len glycol dimethyl ether, diethylene glycol
Diethyl ether, triethylene glycol dimethyl
Ether, acetone, methyl ethyl ketone, methyl iso
Butyl ketone, cyclopentanone, cyclohexanone,
2-heptanone, 2-octanone, 7-butyrolact
Butyl cellosolve acetate, toluene, xylene
, Anisole, methylanisole, ethylphenyle
Or one or more of these.
The above can be used in combination. Also, the amount of solvent used
Is relative to the total amount of the polyimide resin (A) and the solvent.
And the polyimide resin of the component (A) is 5 to 50% by weight.
Is preferred. [0029]Usage / Use The composition of the present invention is usually spin-coated in the above-mentioned solution state.
Substrate (or substrate) by known methods such as
It is applied to Substrates include silicon wafers, metals
There are a plate, a glass sheet, a ceramic substrate and the like. After application, dry
Use heating means such as a dryer or hot plate,
Prebake at a temperature of ~ 180 ° C for several minutes to several hours,
By removing most of the solvent in the coating film,
A product film can be obtained. Put a mask on this coating
Place, irradiate light such as visible light, ultraviolet light for several seconds to several minutes,
Next, by dissolving and removing the unexposed portion with a developer,
A relief pattern can be obtained. Also at this time
As the developer used for the above, a solvent for the above composition is used.
Solvent used alone or in combination of two or more
Can be used. Furthermore, formed by development
The resin of the relief pattern
Because it is in the form of fat, it can be dried or used in an electric furnace
150 to 250 ° C, especially 150 to 20
By heating at a temperature of 0 ° C. for several tens of minutes to several hours,
Just put off the solvent, sensitizer and polymerization initiator
Can be formed. The photosensitive resin composition of the present invention can be easily patterned.
Can be formed, and the resin skin formed after heating
Because the film has excellent heat resistance, mechanical properties, and electrical properties
In addition, it can be suitably used as a protective film for electronic components.
You. As the protective film for electronic parts, for example, a semiconductor device
Device, specifically, diode, transistor, IC, L
Junction coating film on the surface of semiconductor devices such as SI,
Passivation film, buffer coat film, LSI etc.
α-ray shielding film, interlayer insulation film for multilayer wiring,
Circuit board conformal coat, liquid product display
There are a wide range of devices including alignment films for devices and ion implantation masks.
Can be used over a range. [0031] EXAMPLES The present invention will be described below in more detail with reference to Examples.
As will be explained, the present invention is limited to the following examples.
There is no. [Synthesis Example 1] Stirrer, thermometer, nitrogen purging device and esthetic
2,2-bis in a flask equipped with an adapter
(3,4-benzenedicarboxylic anhydride) perf
Luoropropane 44.42 g (0.100 mol), solvent
Was charged with 250 g of cyclohexanone. This solution
While stirring, then from the dropping funnel in the formula (11)
27.00 g of a siloxane-containing diamine where b is 9.8
(0.030 mol) was added dropwise.
Methylene bis (4-amino) dissolved in 100 g of xanone
20.02 g (0.07 g of -3-benzoic acid)
0 mol) was added dropwise. Stir for another 10 hours after dropping
Continued. Thereafter, 50 g of toluene was added to the reaction solution,
The system was heated to 150C. At this time ester adapter
Through which 3.5 g of water was recovered. After heating, room temperature
And the target structure represented by the following formula (13)
To obtain a resin solution. When the IR spectrum of this resin was observed,
1780cm-1And 1720cm-1Based on imide group
Absorption is 3300cm-lPhenol group nearby
Was observed. Dissolve tetrahydrofuran
The gel permeation chromatograph
When the molecular weight was measured, the weight average was calculated in terms of polystyrene.
The molecular weight was 45,000. [0033] Embedded image X: [0034] Embedded image Y: [0035] Embedded image Z: [0036] Embedded image 280 g of the resin solution thus obtained
Into a flask, and add isocyanatoethyl meta
8.65 g of acrylate was added dropwise at room temperature. During dripping, solution
And the generation of carbon dioxide gas was observed. Dripping
After completion, the mixture was further stirred at room temperature for 4 hours,
Introduction of methacryloyl group (to 50 mol% of -COOH
Introduction), the desired resin corresponding to the component (A) of the present invention
(Referred to as a-1) was obtained. (Resin solid content about 24 layers
amount%) [Synthesis Example 2] Tetracarbo
3,3 ', 4,4'-biphenyl as dianhydride
8.83 g (0.030 mol) of tetracarboxylic anhydride
And 1,3-bis (3,4-dicarboxyphenyl)-
1,1,3,3-tetramethyldisiloxane dianhydride
29.82 g (0.070 mol) of L, N as a solvent
-Methyl-2-pyrrolidone 250 g, aromatic diamine and
To methylene bis (4-amino-3-benzoic acid)
Sid) 14.3 g (0.050 mol), 1,3-bis
13.15 g of (3-aminophenoxy) benzene (0.
045 mol), and b in formula (11) is 75
28.62 g of siloxane-containing diamine (0.005
) And N-methyl-2-pyrrolidone 110 as a solvent.
g (total 360 g), except that g was used.
Thus, a resin solution having an average molecular weight of 82,000 was obtained. This
14. Isocyanatoethyl methacrylate is added to the resin solution of 15.
A methacryloyl group was introduced using 5 g (-COOH
100 mol% based on the total). Thus, (A) of the present invention
A solution of a resin corresponding to the component (referred to as a-2) was obtained. [Synthesis Example 3] Tetracarbo
4,4'-oxyphthalic anhydride as the acid dianhydride
15.51 g (0.050 mol) of hydride and 1,3
-Bis (3,4-dicarboxyphenyl) -l, 1,
3,3-tetramethyldisiloxane dianhydride 2
1.30 g (0.050 mol), cyclohexane as a solvent
255 g of xanone, methylenebi as aromatic diamine
(4-amino-3benzoic acid) 11.44
g (0.040 mol), 2,2-bis [4- (4-amido)
Nophenoxy) phenyl] propane 16.42 g (0.
04 mol), and b is 9.8 in the formula (11).
16.20 g of siloxane-containing diamine (0.018
), And siloxa wherein b in formula (11) is 75
Diamine 11.45 g (0.002 mol) as solvent
Except that 100 g of N-methyl-2-pyrrolidone was used.
Is a tree having an average molecular weight of 23,000 in the same manner as in Synthesis Example 1.
A solution of the fat was obtained. Isocyanatoethyl methacrylate
A methacryloyl group was introduced using 12.4 g of
(Introduced 100 mol% based on -COOH). Thus obtained
A solution of the resin corresponding to the component (A) of the present invention (a-
3). [Synthesis Example 4] An acid anhydride was used as a raw material.
3,3 ', 4,4'-benzophenonetetracarboxylic
32.23 g (0.100 mol) of acid dianhydride as a solvent
250 g of N-methyl-2-pyrrolidone,
As the amine, methylene bis (4-amino-3-benzo
Ic Acid) 14.3 g (0.050 mol),
8.91 g of 4,4'-methylenedianiline (0.04
5 mol) and siloki wherein b is 75 in formula (11)
28.62 g (0.005 mol) of a sun-containing diamine,
As a solvent, N-methyl-2-pyrrolidone 110 g
(Synthesis Example 1) except that (total 360 g) was used.
To obtain a polyimide resin solution with an average molecular weight of 60,000
Was. Isocyanatoethyl methacrylate is added to this resin solution.
  A methacryloyl group was introduced using 15.5 g (-
100 mol% based on COOH). Thus obtained
The resin solution is referred to as (a-4). [Synthesis Example 5] An acid anhydride was used as a raw material.
2,2-bis (3,4-benzenedicarboxylic acid anhydride)
(Doride) perfluoropropane 44.42 g (0.1
00 mol) and cyclohexanone 250 as a solvent.
g, a siloxanedia of the formula (11) wherein b is 98
27.00 g (0.030 mol) of min, methylene bis
(4-amino-3-benzoic acid) 20.0
2 g (0.070 mol), and cyclohexanone 10
Average molecular weight in the same manner as in Example 1 except that 0 g was used.
45,000 polyimide resin solutions were obtained. This resin melt
6.51 g of isocyanatoethyl methacrylate is added to the liquid.
To introduce a methacryloyl group (versus -COOH).
30 mol%). The resin solution obtained in this manner was (a-
5). [Synthesis Example 6] As an acid anhydride, 2,2-bi
(3,4-benzenedicarboxylic anhydride) par
44.42 g (0.100 mol) of fluoropropane, dissolved
As an agent, cyclohexanone 250 g, methylenebis
(4-amino-3-benzoic acid) 17.1
6 g (0.060 mol), and in the formula (11), b is 75
228.96 g of siloxane diamine (0.04
0 mol) and 100 g of cyclohexanone.
Was performed. However, a heterogeneous yellow-white cloudy solution was obtained.
Only to obtain a uniformly polymerized polyimide resin solution.
Did not. Examples 1 to 6 and Comparative Examples 1 and 2
As in each case, one of the trees
To 100 parts of the fat solution, the photopolymerization initiator was added in the amount shown in the table.
To prepare the composition. Spin coater the resulting composition
Apply to silicon wafer using
At 90 ° C. for 4 minutes. Stripe coating on the resulting coating
A photo mask with a turn is adhered, and the
Ultraviolet light from a high pressure mercury lamp was irradiated for 60 seconds. Next, N
-Methyl-2-pyrrolidone / xylene = 50/50 solution
The solution was developed for 30 seconds and rinsed with xylene. The obtained line and space pattern
By observing the shape of the
To evaluate the photosensitivity. Also, dry the obtained pattern
Curing at 150 ℃ / 0.5hour and 200 ℃ / 1hour in oven
And then 24:00 during a 2 atm pressure cooker
Cross-cut peeling test for adhesion to wafer after standing for a while
(JIS5400). The results are shown in Table 1. [0046] [Table 1](note) α: ethyl 4-diethylaminobenzoate β: diethylaminoethyl methacrylate γ: 2,6-bis (4-diethylaminobenzal) -4
-Methylcyclohexanone δ: carbonyl bis (diethylaminocoumarin) ε: N-phenylglycine ζ: 3-phenyl 5-isoxazolone η: 2,2-bis (o-chlorophenyl) -4,5
4 ', 5'-tetraphenyl-1,2'-biimidazo
Le As is clear from the results in Table 1, Example 1
The solutions of the resin compositions (1) to (4) are applied to relatively thick films.
It has good photosensitivity and good pattern after development.
Silicon wafer by heat treatment at low temperature
A film having excellent adhesiveness to the film was formed. [0048] As described above, the photosensitive tree of the present invention
The fat composition has excellent storage stability and good feeling
And easily heat-treated by low-temperature heat treatment.
Gives a turned resin film. Furthermore, this putter
Heat-resistant, electrical and mechanical properties, substrate
Made of polyimide resin with excellent adhesion to
It can be suitably used as a protective film for components.

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (56)参考文献 特開 昭60−100143(JP,A) 特開 平1−283554(JP,A) 特開 平5−247211(JP,A) 特開 平8−272098(JP,A) 特開 平9−100350(JP,A) 特開 平10−265571(JP,A) 特開 平10−274850(JP,A) (58)調査した分野(Int.Cl.7,DB名) C08G 73/00 - 73/26 G03F 7/00 - 7/42 C08L 79/00 - 79/08 CAPLUS(STN) REGISTRY(STN)──────────────────────────────────────────────────続 き Continuation of the front page (56) References JP-A-60-100143 (JP, A) JP-A-1-283554 (JP, A) JP-A-5-247211 (JP, A) JP-A 8- 272098 (JP, A) JP-A-9-100350 (JP, A) JP-A-10-265571 (JP, A) JP-A-10-274850 (JP, A) (58) Fields investigated (Int. Cl. 7 , DB name) C08G 73/00-73/26 G03F 7/ 00-7/42 C08L 79/00-79/08 CAPLUS (STN) REGISTRY (STN)

Claims (1)

(57)【特許請求の範囲】 【請求項1】(A)一般式(1): 【化1】 〔式中、Xは、式(2−1)、(2−2)、(2−3)
及び(2−4): 【化2】で表される基から選ばれ、Yは、下記式(3)で示され
るメタクリロキシ基を含有する二価の芳香族基30〜1
00モル%と下記式(4)で示される二価の芳香族基7
0〜0モル%とよりなり、 【化3】 (式(3)において、Rは式(5): -NH-CH2CH2OCO-CH(CH3)=CH2 (5) で示されるメタクリロイル基含有基及び水酸基より選ぱ
れる基であり、かつRのうち50モル%以上は、式
(5)で示される基からなる。式(4)において、Bは
式(6−1)、(6−2)及び(6−3): 【化4】 で表される基より選ばれる。) Zは、式(7): 【化5】 (式中bは、5〜80の整数である。)で示される二価
のシロキサン含有基であり、m及びnは整数であって、
m/(m+n)は0.70〜0.98の範囲である。〕
で表される構造を有し、平均分子量5,000〜150,
000のポリイミド樹脂100重量部、及び(B)光重
合開始剤0.0l重量部〜20重量部を含有してなる感
光性樹脂組成物。
(57) [Claim 1] (A) General formula (1): [In the formula, X is the formula (2-1), (2-2), (2-3)
And (2-4): Y is a divalent aromatic group containing a methacryloxy group represented by the following formula (3):
00 mol% and the divalent aromatic group 7 represented by the following formula (4)
0 to 0 mol%, (In the formula (3), R is formula (5): -NH-CH 2 CH 2 OCO-CH (CH 3) = CH 2 (5) a group selected from a methacryloyl group-containing group and a hydroxyl group represented by (5), and at least 50 mol% of R is a group represented by the formula (5). In the formula (4), B is represented by the formulas (6-1), (6-2) and (6-3): Selected from the groups represented by Z is represented by the formula (7): (Where b is an integer of 5 to 80), and m and n are integers,
m / (m + n) is in the range of 0.70 to 0.98. ]
Having a structure represented by the following formula, having an average molecular weight of 5,000 to 150,
A photosensitive resin composition comprising 100 parts by weight of a 2,000 polyimide resin and 0.01 part by weight to 20 parts by weight of a photopolymerization initiator (B).
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