JPH0647016Y2 - Molecular beam source cell for low temperature vapor deposition - Google Patents

Molecular beam source cell for low temperature vapor deposition

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JPH0647016Y2
JPH0647016Y2 JP6231292U JP6231292U JPH0647016Y2 JP H0647016 Y2 JPH0647016 Y2 JP H0647016Y2 JP 6231292 U JP6231292 U JP 6231292U JP 6231292 U JP6231292 U JP 6231292U JP H0647016 Y2 JPH0647016 Y2 JP H0647016Y2
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molecular beam
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crucible
vapor deposition
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Description

【考案の詳細な説明】[Detailed description of the device]

【0001】[0001]

【産業上の利用分野】本考案は超電導薄膜や光記録ディ
スク等の分野において用いられる比較的低温の蒸着用分
子線源セルの改良構造に関する。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to an improved structure of a molecular beam source cell for vapor deposition at a relatively low temperature used in fields such as superconducting thin films and optical recording disks.

【0002】[0002]

【従来の技術】分子線源セルは、結晶成長法の一つであ
る分子線エピタキシーにおいて用いられており、特に、
超電導薄膜や光記録ディスク等の分野においては、例え
ばZn、Cd、Hg等の第二属金属元素や、S、Se、
Te、Po等の第六属元素、あるいはフタロシアニン等
の比較的低い融点を有する元素を、100〜500℃と
いう比較的低温下の希薄酸素ガスの雰囲気中で真空蒸着
を行う。
Molecular beam source cells are used in molecular beam epitaxy, which is one of the crystal growth methods.
In the fields of superconducting thin films and optical recording disks, for example, second group metal elements such as Zn, Cd and Hg, S, Se,
A sixth group element such as Te or Po or an element having a relatively low melting point such as phthalocyanine is vacuum-deposited in a dilute oxygen gas atmosphere at a relatively low temperature of 100 to 500 ° C.

【0003】ところで、従来、かかる分子線源セルの一
般的な構造としては、例えば特開昭60−108400
号公報、特開平1−141894号公報、特開平4−3
9920号公報、あるいは、実公平4−3005号公報
等に知られるように、加熱部が真空中に入る構造が採用
されており、その材質についても、例えばTa、Mo、
PBN等の真空中でのガス放出の少ないものが用いられ
ていた。
By the way, conventionally, as a general structure of such a molecular beam source cell, for example, JP-A-60-108400 is used.
Japanese Patent Application Laid-Open No. 1-141894, Japanese Patent Application Laid-Open No. 4-3
As is known in Japanese Patent Publication No. 9920 or Japanese Utility Model Publication No. 4-3005, a structure is adopted in which a heating unit enters a vacuum, and the material thereof is, for example, Ta, Mo,
A material such as PBN which releases a small amount of gas in a vacuum has been used.

【0004】[0004]

【考案が解決しようとする課題】しかしながら、上記の
従来技術の分子線源セルでは、加熱部を形成するTa、
Mo、PBN等の材料は高価であり、かつ、低融点の元
素の蒸発に使用するには適していなかった。これは、M
o、Ta等の物質は、希薄酸素ガス雰囲気中で他の物質
と反応し易く、例えばイオウ・セレン化合物等の低融点
の元素を真空チェンバー内で取り扱った場合、それとの
反応により寿命が短くなってしまうことによる。そのた
め、セルの製造価格を上昇させるとともに、高価である
加熱部を長期間に渡って安定的に使用するということが
困難であるという問題点があった。
However, in the above-mentioned prior art molecular beam source cell, Ta which forms the heating portion,
Materials such as Mo and PBN are expensive and not suitable for use in vaporizing low melting point elements. This is M
Substances such as o and Ta easily react with other substances in a dilute oxygen gas atmosphere. For example, when a low melting point element such as a sulfur-selenium compound is handled in a vacuum chamber, its life shortens due to the reaction with it. Due to Therefore, there is a problem that it is difficult to increase the manufacturing cost of the cell and stably use the expensive heating part for a long period of time.

【0005】そこで、本考案では、上記の従来技術にお
ける問題点を解決し、すなわち、真空チェンバー内の希
薄酸素ガス雰囲気中での発生蒸気ガスとの反応がなく、
そのため寿命が長く、かつ、メンテナンスが容易でしか
も使い易く安価に製造することの可能な低温蒸着用分子
線源セルの改良された構造を提供することをその目的と
するものである。
Therefore, the present invention solves the above problems in the prior art, that is, there is no reaction with the generated vapor gas in the dilute oxygen gas atmosphere in the vacuum chamber,
Therefore, it is an object of the present invention to provide an improved structure of a molecular beam source cell for low temperature vapor deposition, which has a long life, is easy to maintain, is easy to use, and can be manufactured at low cost.

【0006】[0006]

【課題を解決するための手段】すなわち、上記の目的を
達成するため、本考案によれば、セル本体の略中心部に
配置され、加熱されることで分子線を発生する分子線源
材料をその凹部内に収納する坩堝と、前記坩堝の外周に
配置されたヒーターとを備え、分子線源材料を加熱、蒸
発させて、真空装置の真空雰囲気中へ分子線を放射する
低温蒸着用分子線源セルにおいて、前記坩堝はガラスか
ら形成される二重壁の袋管状構造となっており、その内
壁により取り囲まれた形成される空間は前記真空装置の
真空雰囲気中に開口され、前記内壁と外壁との間に形成
される空間は大気側に開口され、前記ヒーターは、前記
内壁と外壁との間に形成される空間内に配置されている
と共に、前記坩堝を形成するガラス二重壁袋管の外壁の
端部は、前記真空装置の外壁に気密的に取り付けられて
いることを特徴とする低温蒸着用分子線源セルが提案さ
れる。
[Means for Solving the Problems] That is, according to the present invention, in order to achieve the above-mentioned object, a molecular beam source material which is arranged substantially in the center of a cell body and generates a molecular beam when heated is provided. A crucible housed in the recess, and a heater arranged on the outer periphery of the crucible, for heating and evaporating the molecular beam source material, and radiating the molecular beam into a vacuum atmosphere of a vacuum device. In the source cell, the crucible has a double-walled tubular structure made of glass, and the space surrounded by the inner wall is opened in the vacuum atmosphere of the vacuum device, and the inner wall and the outer wall are formed. A space formed between the inner wall and the outer wall of the heater is located in the space formed between the inner wall and the outer wall, and a double-walled glass double-walled tube forming the crucible. The end of the outer wall of the Low deposition molecular beam source cell is proposed which is characterized in that it air-tightly attached to the outer wall of the location.

【0007】[0007]

【作用】上記の本考案の低温蒸着用分子線源セルによれ
ば、ヒーターは、坩堝を構成するガラス二重壁袋管の内
壁と外壁との間に形成される空間内に配置され、ヒータ
ーを真空系外(すなわち、大気側)に配置することが可
能となる。このことから、ヒーターが真空系側の蒸気と
反応することを防止することが可能となり、ヒーターの
寿命を長くし、かつ、そのメンテナンスを容易にすると
ともに、しかも、Ta、Mo、PBN等の高価なヒータ
ー材料を使用することなく安価に製造することができ
る。
According to the molecular beam source cell for low temperature vapor deposition of the present invention described above, the heater is disposed in the space formed between the inner wall and the outer wall of the double-walled glass tube forming the crucible, Can be arranged outside the vacuum system (that is, on the atmosphere side). This makes it possible to prevent the heater from reacting with the vapor on the vacuum system side, prolongs the life of the heater, facilitates its maintenance, and is expensive, such as Ta, Mo, or PBN. It can be manufactured at low cost without using a different heater material.

【0008】[0008]

【実施例】以下、本考案の実施例について、図面を参照
しながら詳細に説明するとまず、図1には、本考案の実
施例である低温蒸着用分子線源セルがその断面構造と共
に示されている。この図において、低温蒸着用分子線源
セルは、その内部を高真空状態にする真空チェンバーの
外壁10の一部に形成された開口部11に、略円盤形状
の金属製の取付フランジ20により真空雰囲気中に突出
して取り付けられている。なお、図中の符号12は、上
記真空チェンバー外壁10と取付フランジ20との間に
挿入固定されたリング状の金属製部材であり、これは例
えばスルーボルト等により気密的に固定されている。
Embodiments of the present invention will be described in detail below with reference to the drawings. First, FIG. 1 shows a molecular beam source cell for low temperature vapor deposition, which is an embodiment of the present invention, together with its cross-sectional structure. ing. In this figure, the molecular beam source cell for low-temperature vapor deposition has a substantially disk-shaped metal mounting flange 20 for vacuuming an opening 11 formed in a part of an outer wall 10 of a vacuum chamber for bringing the inside into a high vacuum state. It is mounted so as to project into the atmosphere. Reference numeral 12 in the figure is a ring-shaped metal member inserted and fixed between the outer wall 10 of the vacuum chamber and the mounting flange 20, which is hermetically fixed by, for example, a through bolt.

【0009】この低温蒸着用分子線源セルの構造は、セ
ル本体の略中心部には、Zn、Cd、Hg等の第二属金
属元素や、S、Se、Te、Po等の第六属元素、ある
いはフタロシアニン等の比較的低い融点を有する元素を
その凹部内に収納し、これを加熱して100〜500℃
という比較的低温下で分子線を発生させる坩堝22が配
置されている。この坩堝22は石英ガラスから形成され
ており、その形状は、図に明らかに示されるように、二
重壁の袋管状構造となっており、その内側の壁23によ
り取り囲まれて形成される空間(すなわち、坩堝部分)
は真空チェンバー内の真空雰囲気側に(図中では上方)
開口され、他方、内側の壁23と外側の壁24との二重
壁間に形成された空間は、取付フランジ20の中央に形
成された開口21を介して、大気側(図中では下側)に
開放されている。
The structure of the molecular beam source cell for low temperature vapor deposition is such that the second group metal element such as Zn, Cd and Hg and the sixth group such as S, Se, Te and Po are formed in the substantially center part of the cell body. An element or an element having a relatively low melting point such as phthalocyanine is housed in the recess and heated to 100 to 500 ° C.
That is, a crucible 22 that generates a molecular beam at a relatively low temperature is arranged. This crucible 22 is made of quartz glass, and its shape is a double-walled bag-like tubular structure, as shown clearly in the figure, and is a space surrounded by an inner wall 23. (That is, the crucible part)
Is on the vacuum atmosphere side in the vacuum chamber (upward in the figure)
On the other hand, the space formed between the double walls of the inner wall 23 and the outer wall 24 is opened, and the atmosphere side (lower side in the figure) is opened through the opening 21 formed in the center of the mounting flange 20. ) Is open to the public.

【0010】なお、前記石英ガラスから形成された坩堝
22の下端部には、石英ガラスと熱膨張率が類似してい
るコバール(NiとCoの合金)から形成されたリング
状部材25の上側尖端に加熱溶融により気密的に接続さ
れ、更に、このコバール鋼リング状部材25の下端はス
テンレスのリング状部材26を介して上記金属製の取付
フランジ20に気密的に接続されている。
At the lower end of the crucible 22 made of quartz glass, an upper tip of a ring-shaped member 25 made of Kovar (alloy of Ni and Co) having a coefficient of thermal expansion similar to that of quartz glass is formed. Is hermetically connected by heating and melting, and the lower end of the Kovar steel ring-shaped member 25 is hermetically connected to the metal mounting flange 20 via a stainless-steel ring-shaped member 26.

【0011】また、上記取付フランジ20の中央部に形
成された円形の開口21を介してヒーター30が挿入さ
れており、坩堝22の外周を取り囲む位置に配置され
る。すなわち、ヒーター30は、二重壁の袋管状構造の
坩堝22の内壁23と外壁24との間に形成された大気
側に開放された空間内に挿入され、坩堝22の内壁23
の外周から内部の試料を加熱する構造となっている。な
お、本実施例においては、ヒーター30としてはシーズ
ヒータ31を採用しており、ヒータベース32上に巻き
付けて取り付けている。また、このヒータベース32の
下からは2本の脚部33、33が下方に向かって延びて
おり、その内部には上記ヒーター30に加熱電力を供給
するための配線34、34が施されており、これらの配
線は、例えば図示したように直流電源35に接続されて
いる。
A heater 30 is inserted through a circular opening 21 formed in the central portion of the mounting flange 20 and is arranged at a position surrounding the outer periphery of the crucible 22. That is, the heater 30 is inserted into a space opened between the inner wall 23 and the outer wall 24 of the crucible 22 having a double-walled tubular structure and opened to the atmosphere side, and the inner wall 23 of the crucible 22 is
The structure is such that the sample inside is heated from the outer circumference. In this embodiment, a sheathed heater 31 is used as the heater 30, and the sheathed heater 31 is wound around and mounted on the heater base 32. Two legs 33, 33 extend downward from the bottom of the heater base 32, and wirings 34, 34 for supplying heating power to the heater 30 are provided inside thereof. These wirings are connected to the DC power supply 35, for example, as illustrated.

【0012】さらに、坩堝22の下面中央部には凹部2
21が形成されており、この凹部には坩堝22内の温度
を検出するための熱電対40が、下方から上記ヒータの
脚部33、33に沿って配設されている。図中の符号4
1は上記熱電対40を坩堝22を形成する外壁24内に
固定保持するための部材であり、符号42はこの熱電対
40を上方に押し上げ、その先端を坩堝22下面中央部
に形成された凹部221に所定の圧力で押圧するための
バネであり、さらに、符号45はこの熱電対40に接続
された電気回路である。この電気回路45は、電気的な
処理により上記坩堝22内の温度を検出し、その検出さ
れた温度に基づいて必要な温度制御を行うためのもので
ある。
Further, a recess 2 is formed in the center of the lower surface of the crucible 22.
21 is formed, and a thermocouple 40 for detecting the temperature in the crucible 22 is disposed in the recess along the leg portions 33, 33 of the heater from below. Reference numeral 4 in the figure
Reference numeral 1 denotes a member for fixing and holding the thermocouple 40 in the outer wall 24 forming the crucible 22. Reference numeral 42 pushes the thermocouple 40 upward, and its tip is a recess formed in the center of the lower surface of the crucible 22. 221 is a spring for pressing with a predetermined pressure, and reference numeral 45 is an electric circuit connected to the thermocouple 40. The electric circuit 45 is for detecting the temperature in the crucible 22 by electrical processing and performing necessary temperature control based on the detected temperature.

【0013】図示の実施例では、さらに、上記の坩堝2
2の外周を取り囲むようにして、冷媒を内部に循環して
冷却を行い、上記坩堝22内の温度を制御調整するため
の冷却筒50が設けられている。この冷却筒50は、図
から明かなように、取付フランジ20に取り付けられた
円筒形状の金属部材51と、その上方外周に配置された
第2の円筒形状の金属部材52と、上下の中空円盤5
3、54によって形成されており、その内部には、図に
は示されていない冷媒供給路により、例えば液化窒素、
水等の冷媒が循環して供給される。比較的低い融点を有
する低温元素を分子線源材料とする場合、真空系をベー
キングする際に、分子線源材料が溶融、蒸発してしまう
ことがある。これを防止するため、冷却筒50に冷媒を
通し、分子線源材料を冷却しながら真空系のベーキング
を行なうことができる。
In the illustrated embodiment, the above crucible 2 is further added.
A cooling cylinder 50 is provided so as to surround the outer circumference of the cooling medium 2 to circulate a cooling medium inside for cooling and to control and adjust the temperature inside the crucible 22. As is clear from the drawing, the cooling cylinder 50 includes a cylindrical metal member 51 mounted on the mounting flange 20, a second cylindrical metal member 52 arranged on the upper outer periphery thereof, and upper and lower hollow discs. 5
3 and 54, inside of which, for example, liquefied nitrogen,
A coolant such as water is circulated and supplied. When a low temperature element having a relatively low melting point is used as the molecular beam source material, the molecular beam source material may melt and evaporate when baking the vacuum system. In order to prevent this, a refrigerant can be passed through the cooling cylinder 50 to perform vacuum-type baking while cooling the molecular beam source material.

【0014】さらに、上記冷却筒50を構成する円筒形
状の金属部材51の外側には、シャッターロッド55が
図の矢印方向に回転可能に配設されている。このシャッ
ターロッド55の先端には、円盤状のシャッター56が
取り付けられており、外部からこのシャッターロッド5
5を回転することにより、シャッター56が坩堝22の
開口部を覆い、あるいは、開放する位置に制御すること
ができるようになっている。また、図中の符号57は、
上記シャッターロッド55を真空チェンバーの外部に気
密的に連結するためのシール連結機構である。
Further, a shutter rod 55 is arranged outside the cylindrical metal member 51 constituting the cooling cylinder 50 so as to be rotatable in the direction of the arrow in the figure. A disc-shaped shutter 56 is attached to the tip of the shutter rod 55, and the shutter rod 5 is externally attached.
By rotating 5 the shutter 56 can be controlled to a position where it covers or opens the opening of the crucible 22. Further, the reference numeral 57 in the drawing is
A seal connecting mechanism for airtightly connecting the shutter rod 55 to the outside of the vacuum chamber.

【0015】以上に説明した低温蒸着用分子線源セルで
は、上記坩堝22内にZn、Cd、Hg等の第二属金属
元素や、S、Se、Te、Po等の第六属元素、あるい
はフタロシアニン等の比較的低い融点を有する分子線源
材料を収納し、これを真空チェンバーの外壁10の一部
に形成された開口部11を介して真空チェンバー内に導
入する。その後、ヒーター30に加熱電力を加えて、あ
るいは冷却筒50の冷媒を調整制御しながら、上記の低
融点元素を100〜500℃程度の比較的低温下で加熱
して分子線を発生させ、シャッター56を開閉しながら
真空蒸着を行う。
In the molecular beam source cell for low temperature vapor deposition described above, the second group metal element such as Zn, Cd, and Hg, the sixth group element such as S, Se, Te, and Po, or the sixth group element in the crucible 22 is used. A molecular beam source material having a relatively low melting point such as phthalocyanine is housed and introduced into the vacuum chamber through an opening 11 formed in a part of the outer wall 10 of the vacuum chamber. Thereafter, heating power is applied to the heater 30 or the refrigerant in the cooling cylinder 50 is adjusted and controlled, and the low melting point element is heated at a relatively low temperature of about 100 to 500 ° C. to generate a molecular beam, and the shutter is released. Vacuum deposition is performed while opening and closing 56.

【0016】そして、上述の構造から明らかなように、
本考案の低温蒸着用分子線源セルでは、蒸着用低融点元
素を加熱蒸発させるためのヒーター30は、坩堝22を
構成するガラス二重壁袋管の内壁23と外壁24との間
に形成された大気側に開放された空間内に配置されてい
ることから、真空チェンバー内で発生した低融点元素の
蒸気等と希薄酸素雰囲気中で反応することはない。その
ため、ヒーター30が発生蒸気と反応してヒーターの寿
命が短くなることは確実に防止され、かつ、そのメンテ
ナンスも、大気側で取付フランジ20の中央部に形成さ
れた開口21を介して容易に脱着可能であることから、
極めて容易となる。しかも、上記冷却筒50に冷媒を通
し、分子線源材料を冷却しながら真空系のベーキングを
行なうことができることから、特に低温蒸着用分子線源
セルとして好適である。さらに、真空中でのガス放出が
少ないTa、Mo、PBN等の高価なヒーター材料を選
択して使用する必要もなく、他の安価な材料を選択する
ことができるため、低温蒸着用分子線源セル全体を安価
に製造可能とすることができる。
And, as is clear from the above structure,
In the low temperature vapor deposition molecular beam source cell of the present invention, the heater 30 for heating and evaporating the low melting point element for vapor deposition is formed between the inner wall 23 and the outer wall 24 of the double-walled glass double-walled tube forming the crucible 22. Since it is arranged in a space open to the atmosphere, it does not react with the vapor of the low melting point element generated in the vacuum chamber in a dilute oxygen atmosphere. Therefore, the heater 30 is reliably prevented from reacting with the generated steam to shorten the life of the heater, and the maintenance thereof is facilitated through the opening 21 formed in the central portion of the mounting flange 20 on the atmosphere side. Since it is removable,
It will be extremely easy. In addition, a cooling system can be passed through the cooling cylinder 50 to perform vacuum baking while cooling the molecular beam source material, which is particularly suitable as a low temperature vapor deposition molecular beam source cell. Further, it is not necessary to select and use an expensive heater material such as Ta, Mo, or PBN, which emits less gas in a vacuum, and other inexpensive materials can be selected. The whole cell can be manufactured at low cost.

【0017】[0017]

【考案の効果】上記の本考案の詳細な説明からも明かな
様に、本考案による低温蒸着用分子線源セルによれば、
ヒーターを真空チェンバー内に配置せず、大気中に配置
される構造とすることが出来ることから、ヒーターの希
薄雰囲気中での蒸気ガスとの反応がなく、そのためヒー
ターの寿命を長くし、かつ、そのメンテナンスも容易で
しかも使い易く、さらには安価に製造することの可能な
低温蒸着用分子線源セルとすることが可能となるという
実用的にも極めて優れた効果を発揮する。
As is apparent from the above detailed description of the present invention, according to the molecular beam source cell for low temperature vapor deposition according to the present invention,
Since the heater can be configured not to be placed in the vacuum chamber but to be placed in the atmosphere, there is no reaction with the vapor gas in the lean atmosphere of the heater, thus prolonging the life of the heater, and The maintenance is easy and easy to use, and further, it is possible to obtain a low temperature vapor deposition molecular beam source cell that can be manufactured at low cost, which is a very excellent practical effect.

【図面の簡単な説明】[Brief description of drawings]

【図1】本考案の実施例である低温蒸着用分子線源セル
の内部構造の詳細を説明するための断面を含む全体斜視
図である。
FIG. 1 is an overall perspective view including a cross-section for explaining details of an internal structure of a low temperature vapor deposition molecular beam source cell according to an embodiment of the present invention.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

10 真空チェンバーの外壁 11 開口部 20 取付フランジ 21 開口 22 坩堝 23 坩堝内壁 24 坩堝外壁 25 コバール鋼リング状部材 26 ステンレスリング状部材 30 ヒーター 35 加熱電力供給用電源 40 熱電対 50 冷却筒 56 シャッター 10 Outer wall of vacuum chamber 11 Opening 20 Mounting flange 21 Opening 22 Crucible 23 Crucible inner wall 24 Crucible outer wall 25 Kovar steel ring-shaped member 26 Stainless ring-shaped member 30 Heater 35 Power supply for heating power 40 Thermocouple 50 Cooling tube 56 Shutter

Claims (2)

【整理番号】 0920097−02 【実用新案登録請求の範囲】[Reference Number] 09200997-02 [Claims for utility model registration] 【請求項1】 セル本体の略中心部に配置され、加熱さ
れることで分子線を発生する分子線源材料をその凹部内
に収納する坩堝と、前記坩堝の外周に配置されたヒータ
ーとを備え、分子線源材料を加熱、蒸発させて、真空装
置の真空雰囲気中へ分子線を放射する低温蒸着用分子線
源セルにおいて、前記坩堝はガラスから形成される二重
壁の袋管状構造となっており、その内壁により取り囲ま
れた形成される空間は前記真空装置の真空雰囲気中に開
口され、前記内壁と外壁との間に形成される空間は大気
側に開口され、前記ヒーターは、前記内壁と外壁との間
に形成される空間内に配置されていると共に、前記坩堝
を形成するガラス二重壁袋管の外壁の端部は、前記真空
装置の外壁に気密的に取り付けられていることを特徴と
する低温蒸着用分子線源セル。
1. A crucible, which is arranged substantially in the center of the cell body and accommodates a molecular beam source material that generates a molecular beam when heated, in a recess thereof, and a heater arranged on the outer periphery of the crucible. In a molecular beam source cell for low-temperature vapor deposition, which comprises heating and evaporating a molecular beam source material to radiate a molecular beam into a vacuum atmosphere of a vacuum apparatus, the crucible is a double-walled bag-shaped tubular structure formed of glass. The space formed by the inner wall is opened to the vacuum atmosphere of the vacuum device, the space formed between the inner wall and the outer wall is opened to the atmosphere side, and the heater is The end portion of the outer wall of the glass double-walled bag tube that is arranged in the space formed between the inner wall and the outer wall and that forms the crucible is airtightly attached to the outer wall of the vacuum device. Molecules for low temperature vapor deposition characterized by Source cell.
【請求項2】 前記請求項1において、前記ガラス二重
壁管の外壁の端部は、コバール鋼のリング状部材を介し
て、前記真空装置の外壁に気密的に取り付けられている
ことを特徴とする低温蒸着用分子線源セル。
2. The apparatus according to claim 1, wherein an end portion of the outer wall of the glass double-walled tube is hermetically attached to the outer wall of the vacuum device via a ring-shaped member made of Kovar steel. Molecular beam source cell for low temperature vapor deposition.
JP6231292U 1992-08-12 1992-08-12 Molecular beam source cell for low temperature vapor deposition Expired - Lifetime JPH0647016Y2 (en)

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JPH0620462U JPH0620462U (en) 1994-03-18
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