JPH0646647B2 - Semiconductor wafer pitch switching device - Google Patents

Semiconductor wafer pitch switching device

Info

Publication number
JPH0646647B2
JPH0646647B2 JP63057645A JP5764588A JPH0646647B2 JP H0646647 B2 JPH0646647 B2 JP H0646647B2 JP 63057645 A JP63057645 A JP 63057645A JP 5764588 A JP5764588 A JP 5764588A JP H0646647 B2 JPH0646647 B2 JP H0646647B2
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
semiconductor wafer
pitch
gate
boat
wafer
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired - Lifetime
Application number
JP63057645A
Other languages
Japanese (ja)
Other versions
JPH021143A (en
Inventor
康則 松本
立夫 桶田
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Toshiba Corp
Original Assignee
Toshiba Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Toshiba Corp filed Critical Toshiba Corp
Priority to JP63057645A priority Critical patent/JPH0646647B2/en
Publication of JPH021143A publication Critical patent/JPH021143A/en
Publication of JPH0646647B2 publication Critical patent/JPH0646647B2/en
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Lifetime legal-status Critical Current

Links

Landscapes

  • Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)

Description

【発明の詳細な説明】 〔発明の目的〕 (産業上の利用分野) 本発明は、半導体装置の製造工程において、キャリアカ
セット内に収納した半導体ウェハを、移替ヘッドを介し
て所定ピッチに切換えてボートに移替える半導体ウェハ
のピッチ切換え装置に関する。
DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION Object of the Invention (Industrial field of use) The present invention switches a semiconductor wafer housed in a carrier cassette to a predetermined pitch via a transfer head in a semiconductor device manufacturing process. The present invention relates to a semiconductor wafer pitch switching device for transferring to a boat.

(従来の技術) 半導体装置の製造の際に、半導体ウェハ間の間隔である
ピッチの大小によって拡散の変化の状態を試験する等の
目的で、キャリアカセット内に収納した半導体ウェハ
を、キャリアカセット内におけるピッチから例えば2倍
等の所定ピッチに切換えてボートに移替える半導体ウェ
ハのピッチ切換え装置が一般に使用されている。
(Prior Art) When manufacturing a semiconductor device, a semiconductor wafer housed in a carrier cassette is stored in a carrier cassette for the purpose of testing the state of diffusion change depending on the size of the pitch, which is the distance between semiconductor wafers. A semiconductor wafer pitch switching device is generally used in which the pitch is switched to a predetermined pitch, for example, doubled, and transferred to a boat.

従来、このピッチ切換え装置としては、例えば第10図
に示すように、キャリアカセット内に収納した半導体ウ
ェハWの下部を挟持する櫛歯Tを、上下複数列(図示は
2列)に配置し、先ずこの上方の第1列の櫛歯T1で半
導体ウェハの下部を挟持した状態で櫛歯T1を図示しな
いボートの上方へ横移動し、半導体ウェハをボートに移
し替える。この段階で、櫛歯T1は半導体ウェハTを1
個おきに挟持したのでボートには2倍のピッチで半導体
ウェハが載置されている。次に、第2列の櫛歯T2で半
導体ウェハWの下部を挟持した状態で櫛歯T2をボート
の上方へ横移動し、既に載置されている2倍のピッチの
半導体ウェハの末尾に櫛歯T2によって挟持した半導体
ウェハの先頭が続くように、櫛歯T2によって挟持した
半導体ウェハをボートに載置する。この段階で、キャリ
アカセット内に1倍のピッチで収納されていた半導体ウ
ェハWを2倍のピッチでボートに移し替えることが完了
する。このように順々に夫々移替えることにより、所定
のピッチ毎(この場合は2倍ピッチ毎)に切換えるよう
に構成したものが通常使用されていた。
Conventionally, as this pitch switching device, for example, as shown in FIG. 10, comb teeth T for sandwiching a lower portion of a semiconductor wafer W housed in a carrier cassette are arranged in a plurality of upper and lower rows (two rows in the figure), First, the comb teeth T1 are laterally moved above a boat (not shown) while the lower part of the semiconductor wafer is sandwiched by the comb teeth T1 in the upper first row, and the semiconductor wafer is transferred to the boat. At this stage, the comb teeth T1 move the semiconductor wafer T
Since the wafers are sandwiched every other semiconductor wafer is mounted on the boat at a double pitch. Next, the comb teeth T2 are laterally moved above the boat while the lower part of the semiconductor wafer W is sandwiched by the comb teeth T2 in the second row, and the comb teeth T2 are combed to the end of the already mounted semiconductor wafer having a double pitch. The semiconductor wafer sandwiched by the comb teeth T2 is placed on the boat so that the head of the semiconductor wafer sandwiched by the teeth T2 continues. At this stage, the transfer of the semiconductor wafers W stored in the carrier cassette at a pitch of 1 × to the boat at a pitch of 2 × is completed. As described above, a device configured to switch at a predetermined pitch (in this case, at every double pitch) by shifting each in sequence has been generally used.

(発明が解決しようとする課題) しかしながら、上記従来のピッチ切換え装置は、上下複
数列に配置して半導体ウェハの下部を順に挟持する櫛歯
が必要である等、構造的にかなり複雑な機構が必要とな
ってしまうばかりでなく、この複雑な機構のために信頼
性を図ることが困難であるといった問題点があった。ま
た、櫛歯が半導体ウェハの有効面を挟持する必要がある
という問題点があった。
(Problems to be Solved by the Invention) However, the above-mentioned conventional pitch switching device has a structurally complicated mechanism such as comb teeth that are arranged in a plurality of upper and lower rows and sequentially hold the lower portion of the semiconductor wafer. Not only is it necessary, but there is a problem that it is difficult to achieve reliability due to this complicated mechanism. Further, there is a problem that the comb teeth need to sandwich the effective surface of the semiconductor wafer.

本発明は上記に鑑み、半導体ウェハの有効面との接触を
少なくし、しかも比較的簡単な機構を用いて確実にキャ
リアカセット内に収納した半導体ウェハを、全ピッチや
2倍ピッチ等の所定ピッチに切換えてボートに移替える
ことができるものを提供することを目的とする。
In view of the above, the present invention reduces the contact with the effective surface of a semiconductor wafer and, moreover, uses a relatively simple mechanism to reliably store the semiconductor wafer in a predetermined pitch such as a full pitch or a double pitch. The purpose is to provide a boat that can be switched to a boat.

〔発明の構成〕[Structure of Invention]

(課題を解決するための手段) 上記目的を達成するため、本発明におけるピッチ切換え
装置は、キャリアカセット内に基本ピッチで互いに面と
面とが対向するように配列された複数の半導体ウェハ
を、移替ヘッドを介して所定ピッチに切換えてボートに
移替える半導体ウェハのピッチ切換え装置において、前
記移替ヘッドは、前記半導体ウェハの下部を側方から挟
持可能な互いに対向する一対のゲートを有し、前記一対
のゲートの少なくとも一方のゲストの前記半導体ウェハ
が側方から当接される端部には、凹部と凸部とが前記半
導体ウェハの配列方向に繰り返してなるピッチ選択用凹
凸が形成されており、前記凹部と前記凸部とは、前記半
導体ウェハの配列方向のそれぞれの長さが前記基本ピッ
チの整数倍となるように形成されており、前記一対のゲ
ートは、互いに対向する方向の間隔が前記半導体ウェハ
の直径に比べて小さくまたは大きくなるように対向する
方向に前進または後退して前記半導体ウェハを側方から
挟持またはこの挟持の解除を行うことを特徴とする。
(Means for Solving the Problems) In order to achieve the above object, a pitch switching device according to the present invention has a plurality of semiconductor wafers arranged in a carrier cassette such that the surfaces face each other at a basic pitch. In a semiconductor wafer pitch switching device for switching to a boat by switching to a predetermined pitch via a transfer head, the transfer head has a pair of opposing gates that can sandwich the lower portion of the semiconductor wafer from the side. At least one guest of the pair of gates is provided with pitch selecting concavities and convexities, in which concave portions and convex portions are repeated in the arrangement direction of the semiconductor wafer, at the end portions where the semiconductor wafer is abutted from the side. The concave portion and the convex portion are formed such that each length in the arrangement direction of the semiconductor wafer is an integral multiple of the basic pitch. The pair of gates move forward or backward in opposite directions so that the distance between the opposite directions becomes smaller or larger than the diameter of the semiconductor wafer, and the semiconductor wafer is laterally clamped or released. It is characterized by performing.

(作 用) 上記のように構成することにより、例えば2倍ピッチの
場合は、移替ヘッドのゲートを互いに対向する内方に前
進させてキャリアカセットに収納した半導体ウェハを全
て支持し、ボート上方において上記ゲートを一旦互いに
対向する外方へ後退させて、先ずゲートのピッチ選択用
凹凸の凹部に位置する半導体ウェハをボートに載置し、
次に移替ヘッド又はボートを横移動させた後ゲートを更
に後退させてこのピッチ選択用凹凸の凸部に位置する半
導体ウェハをボートに載置することによってピッチを2
倍に切換えるか、または移替ヘッドのゲートを内方に前
進させて、先ずゲートの選択用凹凸の凸部に位置するキ
ャリアカセット内の半導体ウェハを支持してボートに移
送し、次に上記ゲートを更に内方に前進させてピッチ選
択用凹凸の凹部に位置する半導体ウェハ支持してボート
に移送することによってピッチを2倍に切換えるように
することができる。
(Operation) With the above-described configuration, in the case of a double pitch, for example, the gates of the transfer heads are moved inward so as to face each other to support all the semiconductor wafers stored in the carrier cassette, and above the boat. In the above, the gates are once retracted outwards facing each other, and first, the semiconductor wafer positioned in the recesses of the pitch selecting concavities and convexities of the gate is placed on the boat,
Next, after the transfer head or the boat is laterally moved, the gate is further retracted, and the semiconductor wafer located on the convex portion of the pitch selecting concavo-convex is placed on the boat to adjust the pitch to 2
Double or move the gate of the transfer head inward to first support and transfer the semiconductor wafer in the carrier cassette located in the convex portion of the selection unevenness of the gate to the boat, and then to the gate. It is possible to double the pitch by further advancing inward to support the semiconductor wafer located in the concave portion of the pitch selecting concavo-convex and transfer it to the boat.

(実施例) 以下、第1の実施例を第1図乃至第8図を参照して説明
する。
(Example) Hereinafter, a first example will be described with reference to FIGS. 1 to 8.

第2、3図において、複数の半導体ウェハWを収納した
キャリアカセト1は、キャリアステージ2の上面に載置
され、ピッチを切換えた後の半導体ウェハWを収納する
石英ボート3は、上記キャリアステージ2に連続したボ
ートステージ4の上面に載置されている。
In FIGS. 2 and 3, the carrier cassette 1 containing a plurality of semiconductor wafers W is placed on the upper surface of the carrier stage 2, and the quartz boat 3 containing the semiconductor wafers W whose pitch has been switched is the carrier stage 2 described above. It is mounted on the upper surface of the boat stage 4 which is continuous.

上記キャリアステージ2とボートステージ4との間に
は、その下方においてレール5が敷設され、台車6がこ
のレール5の上を走行自在に配置されて、これによって
台車6が上記キャリアステージ2とボートステージ4と
の間を往復できるよう構成されている。
A rail 5 is laid below the carrier stage 2 and the boat stage 4, and a carriage 6 is movably arranged on the rail 5 so that the carriage 6 and the boat stage 4 can be moved. The stage 4 can be reciprocated.

この台車6の前面には上下動自在なウェハプッシャ7が
固着されているとともに、後面には支持板8が上下動自
在に支持され、この支持板8の上端には、上記キャリア
ステージ2及びボートステージ4の上方に位置して移替
ヘッド9が連結されている。ウェハプッシャ7は、キャ
リアカセット1に整列されて収納された複数のウェハW
を上方へ押し上げて移替ヘッド9へ移し渡す。
A vertically movable wafer pusher 7 is fixed to the front surface of the dolly 6, and a support plate 8 is vertically movably supported on the rear surface, and the carrier stage 2 and the boat are mounted on the upper end of the support plate 8. The transfer head 9 is connected to the upper side of the stage 4. The wafer pusher 7 includes a plurality of wafers W arranged and stored in the carrier cassette 1.
Is pushed upward and transferred to the transfer head 9.

移替ヘッド9は、第1図に示すように上記キャリアカセ
ット1内に収納された半導体ウェハWを一旦支持し、所
定ピッチに切換えて石英ボート3に該半導体ウェハWを
移替えるためのものであり、この下面には互いに対向し
前進(矢印A、A′方向に移動)または後退(矢印B,
B′方向に移動)の運動自在な一対のゲート10,11
が配置され、このゲート10,11の少なくとも一方を
前進(矢印A、A′方向に移動)させることにより、こ
の上面に半導体ウェハWを載置してこれを支持するよう
構成されている。
As shown in FIG. 1, the transfer head 9 is for temporarily supporting the semiconductor wafer W stored in the carrier cassette 1, switching it to a predetermined pitch, and transferring the semiconductor wafer W to the quartz boat 3. Yes, on the lower surface, facing each other forward (moving in the direction of arrow A, A ') or retracting (arrow B,
A pair of movable gates 10 and 11 (moving in the B'direction)
Is arranged, and the semiconductor wafer W is mounted on and supported by the upper surface of at least one of the gates 10 and 11 by advancing (moving in the directions of arrows A and A ′).

上記一方のゲート10は全ピッチ(1倍ピッチ)用とし
て他方のゲート11との対向端が凹凸のない平板状に形
成され、他方のゲート11は2倍ピッチ用として、この
上記一方のゲート10との対向端には、連続した凹部1
2aと凸部12bとからなるピッチ選択用凹凸12が形
成されている。
The one gate 10 is formed in a flat plate shape with no unevenness at the end facing the other gate 11 for the entire pitch (1 × pitch), and the other gate 11 is for the 2 × pitch and the one gate 10 is formed. At the end opposite to the
Pitch selection unevenness 12 including 2a and a convex portion 12b is formed.

第8図に示すように、この凹部12aの幅T1と凸部1
2bの幅T2とは互いに等しく、しかもキャリアカセッ
ト1内に収納された際の半導体ウェハWのピッチPとも
等しく(T1=T2=P)構成され、これにより、この
ゲート10とゲート11とを前進させて半導体ウェハW
を支持した時に、第8図および第11図に示すように、
一枚置きに該半導体ウェハWがピッチ選択用凹凸12の
凹部12aまたは凸部12bの中心に位置するようなさ
れている。詳細には第11図に示すように、凹部12a
とゲート10とで支持されるウェハW1と、凸部12b
とゲート10とで支持されるウェハW2とに分類され
る。
As shown in FIG. 8, the width T1 of the concave portion 12a and the convex portion 1
The width T2 of 2b is equal to each other, and is also equal to the pitch P of the semiconductor wafer W when stored in the carrier cassette 1 (T1 = T2 = P), whereby the gate 10 and the gate 11 are moved forward. Let semiconductor wafer W
When it is supported, as shown in FIGS. 8 and 11,
Every other semiconductor wafer W is positioned at the center of the concave portion 12a or the convex portion 12b of the pitch selecting concave-convex portion 12. Specifically, as shown in FIG. 11, the recess 12a is formed.
And the wafer W1 supported by the gate 10 and the convex portion 12b
And the wafer W2 supported by the gate 10.

而して、2倍ピッチ、即ち1ロットの半導体ウェハWを
2度に分けて、この2倍のピッチで移替える場合は、第
8図および第11図に示すように、凸部12bがaの位
置にくるようにゲート11を、第1図のAの方向に移動
(以下、「前進」とする)させ、これで半導体ウェハW
を凹部12aとゲート10で支持されるウェハW1と凸
部12bとゲート10とで支持されるウェハW2とに分
類して支持する。
Thus, when the semiconductor wafer W of double pitch, that is, one lot of semiconductor wafers W is divided into two parts and transferred at this double pitch, as shown in FIG. 8 and FIG. The gate 11 is moved in the direction of A in FIG. 1 (hereinafter referred to as “advancement”) so that the semiconductor wafer W
Are classified into a wafer W1 supported by the concave portion 12a and the gate 10 and a wafer W2 supported by the convex portion 12b and the gate 10 and are supported.

ウェハW1,W2を支持した状態で、移替ヘッド9は石
英ボート3の上方に位置するように移動させられる。こ
の後、凸部12bがaの位置からbの位置にくるように
ゲート11を、第1図のBの方向に移動(以下、「後
退」とする)させることによって、先ずピッチ選択用凹
凸12の凹部12aに位置する半導体ウェハW1を、ウ
ェハプッシャ7を下降させながら、石英ボート3へ落下
させる。半導体ウェハW1は1ロットの半導体ウェハW
を1枚おきに分類されたものであるから、半導体ウェハ
W1は2倍ピッチで石英ボート3に載置されることにな
る。
The transfer head 9 is moved so as to be located above the quartz boat 3 while supporting the wafers W1 and W2. After that, the gate 11 is moved in the direction of B in FIG. 1 (hereinafter referred to as “retraction”) so that the convex portion 12b comes from the position a to the position b. The semiconductor wafer W1 located in the recess 12a is dropped onto the quartz boat 3 while the wafer pusher 7 is being lowered. The semiconductor wafer W1 is one lot of the semiconductor wafer W.
Therefore, the semiconductor wafers W1 are mounted on the quartz boat 3 at a double pitch.

この後に、石英ボート3に載置された末尾の半導体ウェ
ハW1に続けて半導体ウェハW2を載置するために、第
6図(ロ)に示すように移替ヘッド9は石英ボート3の
次の位置へ平行移動させられる。次に、ゲート11を更
に後退させる(位置c)ことによって、ピッチ選択用凹
凸12の凸部12bに位置する半導体ウェハW2を、ウ
ェハプッシャ7を下降させながら、石英ボート3へ落下
させる。これによって、1ロットの半導体ウェハは2倍
のピッチで石英ボード3に移し替えることができる。
After this, in order to mount the semiconductor wafer W2 subsequent to the last semiconductor wafer W1 mounted on the quartz boat 3, the transfer head 9 is placed next to the quartz boat 3 as shown in FIG. Translated to position. Next, by further retracting the gate 11 (position c), the semiconductor wafer W2 located on the convex portion 12b of the pitch selecting concavo-convex portion 12 is dropped onto the quartz boat 3 while lowering the wafer pusher 7. As a result, one lot of semiconductor wafers can be transferred to the quartz board 3 at a double pitch.

なお、上記ゲート10を半導体ウェハWの下面まで前進
させると同時に、ゲート11も上記位置bまで前進させ
ることで、ゲート10とゲート11とで半導体ウェハW
を支持し、石英ボート3上において、先ずゲート10を
後退(B′の方向に移動)させることにより、ビッチ選
択用凹凸12の凹部12aに位置する半導体ウェハW1
を落下させ、移替ヘッド9を、第6図に示す石英ボート
3の次の位置へ平行移動させた後にゲート11を位置c
まで後退させることによって、ピッチ選択用凹凸12の
凸部12bに位置する半導体ウェハW2を落下させるよ
うにしても良い。
The gate 10 is advanced to the lower surface of the semiconductor wafer W, and at the same time, the gate 11 is also advanced to the position b.
Of the semiconductor wafer W1 located in the recess 12a of the concavo-convex 12 for bite selection by first retracting (moving in the direction B ') the gate 10 on the quartz boat 3.
And the transfer head 9 is moved in parallel to the next position of the quartz boat 3 shown in FIG.
The semiconductor wafer W2 located on the convex portion 12b of the pitch selecting concavo-convex portion 12 may be dropped by retreating to the above.

また、上記と反対に、先ずゲート11を一旦前進させる
(位置b)ことにより、ピッチ選択用凹凸12の凸部1
2bに位置する半導体ウェハW2をゲート11と枠体1
3とで支持してこれをボート3に移送し、この移送後、
更にゲート11を前進させて(位置a)、ピッチ選択用
凹凸12の凹部12aに位置する半導体ウェハW1をゲ
ート11と枠体13とで支持してこれをボート3に移送
するようにしても良い。
Contrary to the above, first, the gate 11 is first moved forward (position b) so that the convex portion 1 of the pitch selecting concave-convex 12 is formed.
The semiconductor wafer W2 located at 2b is connected to the gate 11 and the frame 1.
3 and support it and transfer it to the boat 3, and after this transfer,
Further, the gate 11 may be further advanced (position a), and the semiconductor wafer W1 located in the concave portion 12a of the pitch selecting concave-convex portion 12 may be supported by the gate 11 and the frame body 13 and transferred to the boat 3. .

また、全ピッチで半導体ウェハWを移し替える場合、上
記ゲート10を前進させて半導体ウェハWをゲート10
と枠体13とで支持し、石英ボート3の上方でこのゲー
ト10を後退させてこれを行うのである。
When the semiconductor wafers W are transferred at all pitches, the gate 10 is advanced to move the semiconductor wafer W to the gate 10.
The gate 10 is supported above the quartz boat 3, and the gate 10 is retracted above the quartz boat 3 to do this.

なお、ゲート10を補助ゲートとなし、これを前進させ
ると同時にゲート11も上記位置aまで前進させて半導
体ウェハWをゲート10とゲート11とで支持し、ゲー
ト10を後退させた後、ゲート11も上記位置cまで一
気に後退させることにより、これを行うようにしても良
い。
The gate 10 serves as an auxiliary gate, and at the same time when the gate 10 is moved forward, the gate 11 is also moved forward to the position a so that the semiconductor wafer W is supported by the gate 10 and the gate 11, and the gate 10 is moved backward, Alternatively, this may be performed by retreating to the position c at once.

次に上記実施例の作用を説明する。Next, the operation of the above embodiment will be described.

先ず、台車6をキャリアスレージ3側のキャリアカセッ
ト1に対応する位置に移動させた後、移替ヘッド9を僅
かに下降させておく。
First, the carriage 6 is moved to a position corresponding to the carrier cassette 1 on the carrier sledge 3 side, and then the transfer head 9 is slightly lowered.

なお、このように移替ヘッド9を下降させるのは、台車
6の走行の際に、他の部材と干渉してしまうことを避け
るためである。
In addition, the reason why the transfer head 9 is lowered in this manner is to avoid interference with other members when the carriage 6 travels.

次に、ウェハプッシャ7を作動させてこれを上昇させる
ことにより、この上面で上記キャリアカセット1に収納
した半導体ウェハWの下部を支持して上昇させ、該半導
体ウェハWを移替ヘッド9の内部に位置させる。
Next, by operating the wafer pusher 7 and raising it, the lower surface of the semiconductor wafer W housed in the carrier cassette 1 is supported and raised by this upper surface, and the semiconductor wafer W is moved inside the transfer head 9. Located in.

この状態で、2倍ピッチで移し替える場合は、ゲート1
0およびゲート11を前進させ、これによって上記半導
体ウェハWをゲート10およびゲート11で支持した
後、ウェハプッシャ7を逆作動させてこれを下降させ
る。
In this state, when transferring at double pitch, gate 1
0 and the gate 11 are moved forward to support the semiconductor wafer W by the gate 10 and the gate 11, and then the wafer pusher 7 is reversely operated to lower it.

しかる後、台車6をボートステージ2側の所定の石英ボ
ート3の収納位置に移動させ、移替ヘッド9を下降させ
た後、ウェハプッシャ7を上昇させ、この上面を半導体
ウェハWの下端に当接させる。この段階で第11を参照
して前述したように、半導体ウェハWは、凹部12aと
ゲート10とで支持されるウェハW1と、凸部12bと
ゲート10とで支持されるウェハW2とに分類されてい
る。
Thereafter, the carriage 6 is moved to a predetermined storage position of the quartz boat 3 on the boat stage 2 side, the transfer head 9 is lowered, and then the wafer pusher 7 is raised so that the upper surface of the wafer pusher 7 contacts the lower end of the semiconductor wafer W. Contact. At this stage, as described above with reference to the eleventh aspect, the semiconductor wafer W is classified into the wafer W1 supported by the concave portion 12a and the gate 10 and the wafer W2 supported by the convex portion 12b and the gate 10. ing.

そして、第6図および第8図で示すように、ゲート11
を少し後退させることによって、ピッチ選択用凹凸12
の凹部12aに位置する一枚置きの半導体ウェハW1を
ウェハプッシャ7で支持してウェハプッシャ7を下降さ
せる。
Then, as shown in FIG. 6 and FIG.
By retreating a little, the unevenness for pitch selection 12
Every other semiconductor wafer W1 located in the concave portion 12a is supported by the wafer pusher 7 and the wafer pusher 7 is lowered.

次に、第6図(ロ)に示すように台車6を更に移替ヘッ
ド9の幅の分だけ横移動させ、この状態でウェハプッシ
ャ7を上昇させた後、ゲート11を更に後退させること
によって、ピッチ選択用凹凸12の凸部12bに位置す
る半導体ウェハW2をウェハプッシャ7で支持してウェ
ハプッシャ7を下降させるのである。
Next, as shown in FIG. 6B, the carriage 6 is further laterally moved by the width of the transfer head 9, the wafer pusher 7 is raised in this state, and then the gate 11 is further retracted. The semiconductor wafer W2 located on the convex portion 12b of the pitch selecting concavo-convex portion 12 is supported by the wafer pusher 7 and the wafer pusher 7 is lowered.

なお、上記のように、ゲート10,11を同時に前進さ
せて半導体ウェハWを支持し、先ずゲート10を後退さ
せることにより一枚置きの半導体チップWをウェハプッ
シャ7で支持して石英ボート3に収納し、しかる後にゲ
ート11を後退させることにより、他の半導体チップW
をウェハプッシャ7で支持して石英ボート3に収納する
ようにしても良い。
As described above, the gates 10 and 11 are simultaneously advanced to support the semiconductor wafer W, and first the gate 10 is retracted so that every other semiconductor chip W is supported by the wafer pusher 7 and placed on the quartz boat 3. Other semiconductor chips W are stored by storing and then retracting the gate 11.
May be supported by the wafer pusher 7 and stored in the quartz boat 3.

全ピッチの場合は、第7図に示すように、一方のゲート
10を前進させ、これによって上記半導体ウェハWの全
てをこのゲート10と枠体13とで支持した後、ウェハ
プッシャ7を逆作動させてこれを下降させる。
In the case of all pitches, as shown in FIG. 7, one gate 10 is moved forward so that the entire semiconductor wafer W is supported by the gate 10 and the frame 13, and then the wafer pusher 7 is operated in reverse. Let it descend.

しかる後、台車6をボートステージ2側の所定の石英ボ
ート3の収納位置に移動させ、移替ヘッド9を下降させ
た後、ウェハプッシャ7を上昇させ、この上面を半導体
ウェハWの下端に当接させる。そして、ゲート10を後
退させることによって、半導体ウェハWをウェハプッシ
ャ7で支持し、しかる後にウェハプッシャ7を下降させ
ることにより、半導体ウェハWの全てを一度に石英ボー
ト3上に載置するのである。
Thereafter, the carriage 6 is moved to a predetermined storage position of the quartz boat 3 on the boat stage 2 side, the transfer head 9 is lowered, and then the wafer pusher 7 is raised so that the upper surface of the wafer pusher 7 contacts the lower end of the semiconductor wafer W. Contact. Then, the semiconductor wafer W is supported by the wafer pusher 7 by moving the gate 10 backward, and then the wafer pusher 7 is lowered to mount all the semiconductor wafers W on the quartz boat 3 at a time. .

なお、上記のように、ゲート10,11を同時に前進さ
せて半導体ウェハWを支持し、ゲート10を後退させた
後、ゲート11も最後方まで後退させて、これを行うよ
うにしても良い。
As described above, the gates 10 and 11 may be simultaneously advanced to support the semiconductor wafer W, the gate 10 may be retracted, and then the gate 11 may be retracted to the rearmost position to perform this.

第9図は、3倍ピッチの場合の一対のゲート10′,1
1′を示すもので、各ゲート10′,11′の互いに対
向する端面には、連続した凹部12′aと凸部12′b
とからなるピッチ選択用凹凸12′及び連続した凹部1
2″aと凸部12″bとからなるピッチ選択用凹凸1
2″が夫々形成されている。
FIG. 9 shows a pair of gates 10 ', 1 in the case of triple pitch.
1 ', a continuous concave portion 12'a and a continuous convex portion 12'b are formed on the end surfaces of the gates 10', 11 'facing each other.
Pitch selecting concavo-convex portion 12 'and continuous concave portion 1
Pitch selecting concavo-convex 1 consisting of 2 "a and convex portion 12" b
2 ″ are formed respectively.

このピッチ選択用凹凸12′の凹部12′aの幅T3
は、キャリア1内に収納された際の半導体ウェハWのピ
ッチPと等しく設定した凸部12′bの幅T4の2倍の
(T3=2T4=2P)、ピッチ選択用凹凸12″の凹
部12″aの幅T5は、キャリアカセット1内に収納さ
れた際の半導体ウェハWのピッチPと等しく,かつ凸部
12″bの幅T6はこの2倍に(T5=P=2T6)夫
々設定されている。
The width T3 of the concave portion 12'a of the pitch selecting concave-convex portion 12 '
Is the recess 12 of the pitch selection unevenness 12 ″, which is twice the width T4 of the projection 12′b set equal to the pitch P of the semiconductor wafer W when stored in the carrier 1 (T3 = 2T4 = 2P). The width T5 of the ″ a is equal to the pitch P of the semiconductor wafer W when stored in the carrier cassette 1, and the width T6 of the convex portion 12 ″ b is set to twice this (T5 = P = 2T6). ing.

これにより、この両ゲート11′,12′を前進させて
半導体ウェハWを支持した時に、第9図に示すように、
二枚置きに該半導体ウェハWがピッチ選択用凹凸1
2′,12″の凹部12′a,12″aの間、凹部1
2′aと凸部12″bとの間、及び凸部12′b,1
2″bとの間に夫々位置し、先ずゲート11′,12′
を最初に後退させた時に、凹部12′a,12″a間に
位置する半導体ウェハWが、次に後退させた時に、凹部
12′aと凸部12″bの間に位置する半導体ウェハW
が、最後に後退させた後に、凸部12′b,12″bの
間に位置する半導体ウェハWが夫々落下するように構成
されている。これにより、上記と同様にして、3倍ピッ
チのピッチの切換を行うのである。
As a result, when both the gates 11 'and 12' are advanced to support the semiconductor wafer W, as shown in FIG.
Every other two semiconductor wafers W have pitch selection irregularities 1
Between the 2 ', 12 "recesses 12'a, 12" a, the recess 1
2'a and the convex portion 12 "b, and the convex portions 12'b, 1
The gates 11 'and 12' are located respectively between the 2 "b and
Of the semiconductor wafer W located between the recesses 12'a and 12 "a when first retracted, and the semiconductor wafer W located between the recesses 12'a and 12" b of the next recessed.
However, the semiconductor wafer W located between the convex portions 12'b and 12 "b is configured to drop after the final retreat. Thus, in the same manner as described above, the semiconductor wafer W having the triple pitch is formed. The pitch is switched.

〔発明の効果〕〔The invention's effect〕

本発明は上記のような構成であるので、半導体ウェハと
の接触を少なくして、しかも比較的簡単な機構で確実に
全ピッチや2倍ピッチ等のピッチの切換えを行うことが
できる。
Since the present invention is configured as described above, it is possible to reduce the contact with the semiconductor wafer and to reliably switch the pitch such as the full pitch or the double pitch with a relatively simple mechanism.

また、メンテナンスの面でも取外し等を簡単に行うこと
ができて、洗浄等の便を図るようにすることができると
いった効果がある。
In addition, in terms of maintenance, it is possible to easily remove the device, which is convenient for cleaning.

【図面の簡単な説明】[Brief description of drawings]

第1図は要部を拡大して示す斜視図、第2図は全体正面
図、第3図はその左側面図、第4図及び第5図は要部を
して示す右側面図及び左側面図、第6図(イ)は2倍ピ
ッチの時の要部を示す斜視図、同図(ロ)は同じく正面
図、第7図(イ)は全ピッチの時の要部を示す斜視図、
同図(ロ)は同じく平面図第、第8図は2倍ピッチの切
換え状態を示す正面図、第9図は3倍ピッチに使用する
ためのゲートを示す第8図相当図、第10図は従来例の
要部を示す正面図である。第11図は2倍ピッチの移し
替えを行う時に、ゲート10とゲート11とによって支
持されるW1,W2を示す断面図である。 1……キャリアカセット、2……キャリアステージ、3
……石英ボート、4……ボートステージ、6……台車、
7……ウェハプッシャ、9……移替ヘッド、10,1
0′,11,11′……ゲート、12,12′,12″
……ピッチ選択用凹凸、12a,12′a,12″a…
…同凹部、12b,12′b,12″b……同凸部、1
3……枠体。
FIG. 1 is an enlarged perspective view showing an essential part, FIG. 2 is an overall front view, FIG. 3 is a left side view thereof, and FIGS. 4 and 5 are right side views and left side showing the essential part. A plan view, FIG. 6 (a) is a perspective view showing a main part at a double pitch, FIG. 6 (b) is a front view showing the same, and FIG. 7 (a) is a perspective view showing a main part at all pitches. Figure,
The same figure (b) is also a plan view, FIG. 8 is a front view showing a switching state of double pitch, and FIG. 9 is a view corresponding to FIG. 8 and FIG. 10 showing a gate for use in triple pitch. [FIG. 6] is a front view showing a main part of a conventional example. FIG. 11 is a cross-sectional view showing W1 and W2 supported by the gate 10 and the gate 11 when the double pitch transfer is performed. 1 ... Carrier cassette, 2 ... Carrier stage, 3
...... Quartz boat, 4 ... Boat stage, 6 ... Bogie,
7 ... Wafer pusher, 9 ... Transfer head, 10, 1
0 ', 11, 11' ... gate, 12, 12 ', 12 "
... Pitch selection unevenness, 12a, 12'a, 12 "a ...
... the same concave portion, 12b, 12'b, 12 "b ... the same convex portion, 1
3 ... frame.

Claims (1)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】キャリアカセット内に基本ピッチで互いに
面と面とが対向するように配列された複数の半導体ウェ
ハを、移替ヘッドを介して所定ピッチに切換えてボート
に移替える半導体ウェハのピッチ切換え装置において、 前記移替ヘッドは、前記半導体ウェハの下部を側方から
挟持可能な互いに対向する一対のゲートを有し、 前記一対のゲートの少なくとも一方のゲートの前記半導
体ウェハが側方から当接される端部には、凹部と凸部と
が前記半導体ウェハの配列方向に繰り返してなるピッチ
選択用凹凸が形成されており、 前記凹部と前記凸部とは、前記半導体ウェハの配列方向
のそれぞれの長さが前記基本ピッチの整数倍となるよう
に形成されており、 前記一対のゲートは、互いに対向する方向の間隔が前記
半導体ウェハの直径に比べて小さくまたは大きくなるよ
うに対向する方向に前進または後退して前記半導体ウェ
ハを側方から挟持またはこの挟持の解除を行うことを特
徴とする半導体ウェハのピッチ切換え装置。
1. A pitch of semiconductor wafers in which a plurality of semiconductor wafers arranged in a carrier cassette so as to face each other at a basic pitch are switched to a predetermined pitch by a transfer head and transferred to a boat. In the switching device, the transfer head has a pair of gates facing each other capable of sandwiching a lower portion of the semiconductor wafer from the side, and the semiconductor wafer of at least one gate of the pair of gates is abutted from the side. In the contacted end portion, concave and convex portions are formed with pitch selecting concavities and convexities which are repeated in the arrangement direction of the semiconductor wafer, and the concave and convex portions are arranged in the arrangement direction of the semiconductor wafer. Each length is formed to be an integral multiple of the basic pitch, and the pair of gates have a distance in a direction opposite to each other compared to a diameter of the semiconductor wafer. A semiconductor wafer pitch switching device characterized in that the semiconductor wafer is clamped or released from the side by advancing or retracting in opposite directions so as to become smaller or larger.
JP63057645A 1988-03-11 1988-03-11 Semiconductor wafer pitch switching device Expired - Lifetime JPH0646647B2 (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP63057645A JPH0646647B2 (en) 1988-03-11 1988-03-11 Semiconductor wafer pitch switching device

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP63057645A JPH0646647B2 (en) 1988-03-11 1988-03-11 Semiconductor wafer pitch switching device

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JPH021143A JPH021143A (en) 1990-01-05
JPH0646647B2 true JPH0646647B2 (en) 1994-06-15

Family

ID=13061631

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP63057645A Expired - Lifetime JPH0646647B2 (en) 1988-03-11 1988-03-11 Semiconductor wafer pitch switching device

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JPH0646647B2 (en)

Families Citing this family (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2598359B2 (en) * 1992-11-26 1997-04-09 株式会社スガイ Substrate cleaning equipment
JP3648233B2 (en) * 2003-04-08 2005-05-18 明治飼糧株式会社 Feed composition

Family Cites Families (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS6133443U (en) * 1984-07-28 1986-02-28 ソニー株式会社 Wafer transfer device
JPS61244040A (en) * 1985-04-22 1986-10-30 Sony Corp Wafer transferring tool

Also Published As

Publication number Publication date
JPH021143A (en) 1990-01-05

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JPH0646647B2 (en) Semiconductor wafer pitch switching device
JP4190785B2 (en) Method and apparatus for storing single-wafer substrate
JPH11165866A (en) Wafer conveying hand
JP3988809B2 (en) Substrate pitch converter
JP3227033B2 (en) Semiconductor manufacturing equipment
JP2657187B2 (en) Sorting method and sorting device
JP3145844B2 (en) Apparatus and method for transferring thin plate members
JPH06329208A (en) Wafer carrying device of semiconductor manufacturing device
JP3283779B2 (en) Disk-shaped substrate chuck device
JPH1032236A (en) Variable pitch wafer transfer hand
JPS63134442A (en) Article delivering device
JPH0582742B2 (en)
JPH0327838B2 (en)
JP3986027B2 (en) Glass plate cassette
JPH0590308A (en) Die bonding method and chip stock tray for die bonder
KR0156511B1 (en) Magazine apparatus of ball grid array i.c package singulation system
JPH04748U (en)
JPS61270008A (en) Multi spindle head exchangeable machine tool
TWI331787B (en) Apparatus and method of arraying wafers
JPH0328024Y2 (en)
JPH03249247A (en) Filling knitting machinery, needle bed used therefor and needle
JPH0322305Y2 (en)
JPH07139210A (en) Vehicle transferring device for multistory parking device
JPS6253948B2 (en)
JPS63272410A (en) Machine tool equipped with gang head exchange device

Legal Events

Date Code Title Description
EXPY Cancellation because of completion of term
FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20080615

Year of fee payment: 14