JPH0645496A - Semiconductor device and mounting method - Google Patents
Semiconductor device and mounting methodInfo
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- JPH0645496A JPH0645496A JP4198635A JP19863592A JPH0645496A JP H0645496 A JPH0645496 A JP H0645496A JP 4198635 A JP4198635 A JP 4198635A JP 19863592 A JP19863592 A JP 19863592A JP H0645496 A JPH0645496 A JP H0645496A
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Abstract
Description
【０００１】[0001]
【産業上の利用分野】本発明は、半導体素子を樹脂封止
する構造の半導体装置に関する。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a semiconductor device having a structure in which a semiconductor element is sealed with resin.
【０００２】近年の半導体装置は小型化、薄型化が図ら
れており、これに伴い樹脂性パッケージに肉厚は薄くな
る傾向にある。これに伴い、パッケージの機能的強度は
低下し、実装時において熱印加時に発生する水蒸気によ
りパッケージに割れが発生するおそれがある。Recently, semiconductor devices have been reduced in size and thickness, and with this trend, the resin package tends to be thin. Along with this, the functional strength of the package is lowered, and the package may be cracked by steam generated when heat is applied during mounting.
【０００３】そこで、熱ストレスに強く、熱加熱時にお
いてもパッケージ割れが発生しない半導体装置が望まれ
ている。Therefore, there is a demand for a semiconductor device that is resistant to thermal stress and does not cause package cracking even during thermal heating.
【０００４】[0004]
【従来の技術】一般に樹脂封止型の半導体装置として、
半導体素子をリードフレームのステージ上にダイ付け
し、半導体素子のパッドとリードとをワイヤボンディン
グした後、樹脂モールドすることによりパッケージを形
成した構造のものが知られている。2. Description of the Related Art Generally, as a resin-sealed semiconductor device,
There is known a structure in which a semiconductor element is die-attached on a stage of a lead frame, a pad of the semiconductor element and a lead are wire-bonded, and then a resin is molded to form a package.
【０００５】この樹脂封止型の半導体装置では、室温に
放置しているとパッケージ自体が水分を吸収する。この
水分は半導体装置の基板実装時に行なわれる加熱処理に
より水蒸気となる。この水蒸気は非常に大きな圧力であ
り、この水蒸気圧が直接ダイス付け層やステージ裏面に
加わると、ダイス付け層やステージ裏面に剥離が発生
し、その部分を起因とするパッケージ割れが生じてしま
う。In this resin-sealed semiconductor device, the package itself absorbs moisture when left at room temperature. This moisture becomes water vapor by the heat treatment performed when the semiconductor device is mounted on the substrate. This water vapor has a very large pressure, and when this water vapor pressure is directly applied to the die attaching layer or the back surface of the stage, peeling occurs on the die attaching layer or the back surface of the stage, and the cracking of the package due to that portion occurs.
【０００６】従来このダイス付け層の剥離およびその部
分を起因とするパッケージ割れを防止する手段として
は、サポートリードやインナリードの形状を直線的でな
く変形させ、樹脂とリードフレームの界面から侵入する
水分の経路を長くして侵入防止を図っていたが、樹脂の
性能向上により密着力が増してこのような構造とするこ
とが不要となってきた。Conventionally, as a means for preventing the peeling of the die attaching layer and the cracking of the package caused by the portion, the shape of the support lead or the inner lead is deformed in a non-linear manner, and it penetrates from the interface between the resin and the lead frame. Although the moisture path was lengthened to prevent invasion, the improved performance of the resin increased the adhesive force, making it unnecessary to employ such a structure.
【０００７】そして、ＳＯＰ（Small Outline Packag
e)、ＳＯＪ（Small Outline J-Lead Package) 、ＴＳ
ＯＰ（Thin Small Outline Package) 型等のパッケージ
では、リードフレームのインナリード中に、不要のリー
ドを含ませてステージに接続させたり、インナリード間
に新たにサポートリードを設けることで実装時のパッケ
ージ割れの防止を図っている。[0007] And, SOP (Small Outline Packag
e), SOJ (Small Outline J-Lead Package), TS
OP (Thin Small Outline Package) type packages are packaged by mounting unnecessary leads in the inner lead of the lead frame and connecting them to the stage, or by newly providing support leads between the inner leads. We are trying to prevent cracking.
【０００８】これは、実装時に内部に生じた水蒸気を外
部に排出することでパッケージ割れが防止されるもので
ある。This is to prevent package cracking by discharging water vapor generated inside during mounting to the outside.
【０００９】[0009]
【発明が解決しようとする課題】ところで、リードピッ
チ０．６５ｍｍ以下のＱＦＰ（Quad Flat Package)型の
パッケージでは、パッケージ四辺にアウタリードが配置
され、しかもリードピッチが細いことから、リード間に
水抜き経路を設けることはできない。また、インナリー
ド中に不要のリードを含ませることはリードフレームの
汎用性に欠けることになる。By the way, in a QFP (Quad Flat Package) type package having a lead pitch of 0.65 mm or less, the outer leads are arranged on the four sides of the package, and the lead pitch is narrow. No route can be established. In addition, the inclusion of unnecessary leads in the inner leads lacks the versatility of the lead frame.
【００１０】ここで、図４に、従来のＱＦＰ型パッケー
ジに使用されるリードフレームの概略図を示す。図４に
示すリードフレーム１は、半導体素子を搭載するステー
ジ２が四隅より幅細のサポートバー３を介してフレーム
４ａ，４ｂに一体に支持されている。そして、ステージ
２の四辺にはインナリード５ａとアウタリード５ｂで構
成されるリード部材５が配置（三辺は省略）される。Here, FIG. 4 shows a schematic view of a lead frame used in a conventional QFP type package. In a lead frame 1 shown in FIG. 4, a stage 2 on which a semiconductor element is mounted is integrally supported by frames 4a and 4b via support bars 3 each having a width narrower than four corners. Then, the lead member 5 including the inner leads 5a and the outer leads 5b is arranged on the four sides of the stage 2 (three sides are omitted).
【００１１】このため、ＱＦＰ型においては、半導体素
子を搭載するステージ２の四隅より、該ステージ２を支
持するサポートバー３が形成されていることを利用し
て、サポートバー３を水蒸気の排出経路としている。し
かし、ＱＦＰ型のサポートバー３の幅が細く、またパッ
ケージ外へのパスが長いことから、実装時に内部に発生
した水蒸気を排出することができず、リフロークラック
を生じるという問題がある。Therefore, in the QFP type, the support bar 3 supporting the stage 2 is formed from the four corners of the stage 2 on which the semiconductor element is mounted. I am trying. However, since the width of the QFP type support bar 3 is narrow and the path to the outside of the package is long, there is a problem that water vapor generated inside cannot be discharged at the time of mounting and a reflow crack occurs.
【００１２】そこで、本発明は上記課題に鑑みなされた
もので、リフロークラックによるパッケージ割れを防止
する半導体装置を提供することを目的とする。Therefore, the present invention has been made in view of the above problems, and an object thereof is to provide a semiconductor device which prevents package cracking due to reflow cracking.
【００１３】[0013]
【課題を解決するための手段】上記課題は、半導体素子
を搭載するステージがフレームに所定数のサポートバー
により一体に支持され、該ステージの周辺に配置される
リード部材から構成される金属導体を、モールド樹脂に
よりパッケージングして該フレームが除去される半導体
装置において、前記サポートバーは、少なくとも前記ス
テージへの接続部分が幅広に形成されると共に、前記フ
レームへの接続部分が幅細に形成されることにより解決
される。SUMMARY OF THE INVENTION The above object is to provide a metal conductor composed of a lead member arranged around a stage on which a stage on which a semiconductor element is mounted is integrally supported by a predetermined number of support bars. In a semiconductor device in which the frame is removed by packaging with a molding resin, at least the connecting portion to the stage of the support bar is formed wide and the connecting portion to the frame is formed narrow. Will be solved.
【００１４】[0014]
【作用】上述のように、サポートバーを、ステージ部分
で幅広に形成し、フレーム部分で幅細に形成する。これ
により、実装時の熱によりモールド樹脂と金属導体との
熱膨張率の違いから、ステージ及びサポートバーの幅広
から幅細にかけて剥離が生じる。この剥離部分から、パ
ッケージ内に存在する水分が排出される。As described above, the support bar is formed wide at the stage portion and narrow at the frame portion. As a result, due to the difference in the coefficient of thermal expansion between the mold resin and the metal conductor due to the heat during mounting, the stage and the support bar are peeled from a wide width to a narrow width. Water existing in the package is discharged from the peeled portion.
【００１５】すなわち、水分による応力がサポートバー
の幅広部分に分散され、実装時のパッケージ割れを防止
することが可能となるものである。That is, the stress due to moisture is dispersed in the wide portion of the support bar, and it is possible to prevent the package from cracking during mounting.
【００１６】[0016]
【実施例】図１に、本発明の一実施例の構成図を示す。
図１（Ａ）は側面図であり、図１（Ｂ）は平面断面図で
ある。DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS FIG. 1 shows a block diagram of an embodiment of the present invention.
FIG. 1A is a side view and FIG. 1B is a plan sectional view.
【００１７】図１（Ａ）において、半導体装置１１は、
ＱＦＰ型のリードフレーム（図示せず）のステージ１２
上に接着剤１３により半導体チップ１４が搭載される。
ステージ１２は、リードフレーム単体時には外枠（フレ
ーム、図４参照）にサポートバー１５により四隅で支持
され、一体に成形される。なお、外枠（フレーム）は樹
脂モールド後切断されて除去されるものである。In FIG. 1A, the semiconductor device 11 is
QFP type lead frame (not shown) stage 12
The semiconductor chip 14 is mounted on the upper surface by the adhesive 13.
When the lead frame is a single body, the stage 12 is supported by the outer frame (frame, see FIG. 4) by the support bars 15 at the four corners, and is integrally molded. The outer frame is cut and removed after resin molding.
【００１８】ステージ１２の四辺部分にはリード部材１
６を構成するインナリード１６ａが接近して配置され、
半導体チップ１４上の電極パッドとワイヤボンディング
１７によりボンディングが行われる。The lead member 1 is provided on the four sides of the stage 12.
Inner leads 16a that form 6 are arranged close to each other,
Bonding is performed by wire bonding 17 with the electrode pads on the semiconductor chip 14.
【００１９】そして、モールド樹脂によりパッケージン
グを行い、パッケージ１８が形成される。この場合、パ
ッケージ１８より四方に延出するリード部材１６がアウ
タリード１６ｂであり、表面実装用に折曲される。すな
わち、この半導体装置１１は、表面実装型のＱＦＰパッ
ケージのものである。Then, the package 18 is formed by packaging with a mold resin. In this case, the lead member 16 extending in all directions from the package 18 is the outer lead 16b, and is bent for surface mounting. That is, the semiconductor device 11 is a surface mount type QFP package.
【００２０】ここで、図１（Ｂ）に示すように、ステー
ジ１２を支持（切断前外枠に支持）するサポートバー１
５は、ステージ１２への接続部分が幅広の幅広部１５ａ
が一体的に形成される。この幅広部１５ａは、ステージ
１２部分の幅広部分から、外側方向（外枠方向）までの
途中部分にかけて幅細となる直線的テーパ形状に形成さ
れる。すなわち、幅広部１５ａと、この先端より同一幅
細で形成されて、各サポートバー１５が形成される。Here, as shown in FIG. 1B, the support bar 1 that supports the stage 12 (supports the outer frame before cutting).
5 is a wide portion 15a having a wide connecting portion to the stage 12
Are integrally formed. The wide portion 15a is formed in a linear taper shape that becomes narrow from the wide portion of the stage 12 portion to the middle portion in the outer direction (outer frame direction). That is, each support bar 15 is formed by forming the wide portion 15a and the same width narrower than the tip.
【００２１】なお、サポートバー１５の幅広部１５ａの
表面及び裏面の少なくとも何れか一方で、パッケージ１
８におけるモールド樹脂との剥離を容易にするために、
Ａｇメッキ又は鏡面仕上げ等が施されてる。The package 1 is provided on at least one of the front surface and the back surface of the wide portion 15a of the support bar 15.
In order to facilitate separation from the mold resin in 8,
It is Ag-plated or mirror-finished.
【００２２】上述の半導体装置１１は、プリント基板上
に半田リフロー等で実装される場合に、リフロー時の熱
により、パッケージ１８内に存在する水分が水蒸気とな
ってサポートバー１５を通ってパッケージ１８外に排出
される。When the above-described semiconductor device 11 is mounted on a printed circuit board by solder reflow or the like, the moisture existing in the package 18 becomes water vapor due to the heat during the reflow and passes through the support bar 15 and passes through the package 18. It is discharged outside.
【００２３】ここで、図２に、図１の水蒸気排出を説明
するための図を示す。図２（Ａ），（Ｂ）は、共にサポ
ートバー１５の幅広部１５ａの部分を示したものであ
る。Here, FIG. 2 shows a diagram for explaining the steam discharge of FIG. 2 (A) and 2 (B) both show the portion of the wide portion 15 a of the support bar 15.
【００２４】半導体装置１１を上述のように半田リフロ
ーにより実装する場合、図２（Ａ）において、リフロー
時の熱（実装ストレス）により、リードフレームとモー
ルド樹脂１８との熱膨張率の違いから、ステージ１２裏
面周囲及びサポートバー１５の幅広部１５ａ（斜線部
分）に剪断応力が集中して剥離が生じ、剥離部１９が形
成される。When the semiconductor device 11 is mounted by solder reflow as described above, in FIG. 2A, due to the heat (mounting stress) at the time of reflow, the difference in the coefficient of thermal expansion between the lead frame and the mold resin 18 causes Shear stress concentrates on the periphery of the back surface of the stage 12 and the wide portion 15a (hatched portion) of the support bar 15 to cause peeling, whereby the peeled portion 19 is formed.
【００２５】そして、図２（Ｂ）において、ステージ裏
面やダイス層（接着剤１３）の水蒸気が剥離部１９に到
達する。これにより、水蒸気圧力でサポートバー１５の
同一幅細部分にまで剥離が進展する。Then, in FIG. 2B, the water vapor of the back surface of the stage and the die layer (adhesive 13) reaches the peeling portion 19. As a result, the peeling progresses to the same narrow portion of the support bar 15 by the steam pressure.
【００２６】そして、ステージ１２辺中央部の応力集中
部が樹脂破断強度に達する前に、サポートバー１５で剥
離がパッケージ１８外に到達する。Then, the peeling reaches the outside of the package 18 by the support bar 15 before the stress concentration portion at the center of the side of the stage 12 reaches the resin breaking strength.
【００２７】これにより、水蒸気が排出され、パッケー
ジ割れ（クラック）を防止することができるものであ
る。As a result, water vapor is discharged and package cracks can be prevented.
【００２８】なお、実装終了後、温度が低下すると、モ
ールド樹脂がステージ１２及びサポートバー１５との間
の隙間が狭まった状態に戻る。すなわち、実装前におい
ても密着状態であり、パッケージ１８内へのサポートバ
ー１５からの水分の侵入が防止され、実装時にはパッケ
ージ１８内の水分を排出し、実装後においても水分の侵
入が防止されるものである。When the temperature drops after the mounting is completed, the mold resin returns to the state in which the gap between the stage 12 and the support bar 15 is narrowed. That is, it is in a close contact state even before mounting, moisture is prevented from entering the package 18 from the support bar 15, moisture in the package 18 is discharged at the time of mounting, and moisture is prevented from entering even after mounting. It is a thing.
【００２９】そこで、表１に、従来のサポートバー（全
部が同一幅細）を有する半導体装置と本発明の半導体装
置のパッケージ割れの比較を示す。Therefore, Table 1 shows a comparison of package cracks between the semiconductor device having the conventional support bar (all having the same width) and the semiconductor device of the present invention.
【００３０】[0030]
【表１】 [Table 1]
【００３１】表１において、Ａが従来の半導体装置であ
り、Ｂが本発明の半導体装置の場合である。共に、１４
ｍｍ□のＱＦＢパッケージの半導体装置であり、ベーキ
ング後３日、５日、７日間室温放置したものである。In Table 1, A is the conventional semiconductor device and B is the semiconductor device of the present invention. Together 14
This is a semiconductor device in a QFB package of mm □, which is left at room temperature for 3 days, 5 days, and 7 days after baking.
【００３２】表１に示すように、従来の半導体装置で
は、５日間放置で４０個中２１個のクラックが生じ、７
日間放置で４０個中４０個のクラックが生じた。一方、
本発明の半導体装置では何れかの場合においてもクラッ
クは生じなかった。As shown in Table 1, in the conventional semiconductor device, 21 cracks out of 40 cracks were generated after leaving for 5 days.
After being left for one day, 40 out of 40 cracks were generated. on the other hand,
In any case, the semiconductor device of the present invention did not crack.
【００３３】次に、図３に、本発明のサポートバーの他
の形状の構成図を示す。Next, FIG. 3 shows a configuration diagram of another shape of the support bar of the present invention.
【００３４】図３（Ａ）は、図１におけるサポートバー
１５の幅広部１５ａの形状を、膨らみを有する円弧形状
の幅広部１５ｂとしたものである。すなわち、リードフ
レーム全体のうち、当該箇所が最も剥離し易いものであ
り、この部分を円弧形状の幅広部１５ｂとすることで、
応力分散を行うことができ、よりパッケージ割れを防止
することができるものである。In FIG. 3A, the shape of the wide portion 15a of the support bar 15 in FIG. 1 is an arc-shaped wide portion 15b having a bulge. That is, in the entire lead frame, the portion is most likely to be peeled off, and by forming this portion into the arc-shaped wide portion 15b,
It is possible to disperse the stress and further prevent package cracking.
【００３５】また、図３（Ｂ）に示すように、サポート
バー１５をステージ１２への接続部分より先端部分（リ
ードフレーム切断前の外枠への接続部分）まで、幅広か
ら直線的テーパ形状で幅細とした幅広部１５ｃを形成し
たもので、図１と同様の作用効果を有するものである。Further, as shown in FIG. 3B, the support bar 15 has a wide to linear taper shape from the connecting portion to the stage 12 to the tip portion (the connecting portion to the outer frame before cutting the lead frame). A wide portion 15c having a narrow width is formed, and has the same effect as that of FIG.
【００３６】なお、図３（Ｂ）の破線で示したように幅
広部１５ｃを円弧形状としてもよいのは図３（Ａ）と同
様である。As shown in FIG. 3B, the wide portion 15c may have a circular arc shape as in FIG. 3A.
【００３７】このように、サポートバー１５に幅広部１
５ａ〜１５ｃのようなアウトラインを形成することで、
実装時にモールド樹脂の剥離が発生し易く、また剥離が
発生した部分でパッケージ割れが発生しにくくなり、安
全に水蒸気の排出路を形成することができるものであ
る。In this way, the wide portion 1 is attached to the support bar 15.
By forming an outline like 5a to 15c,
Peeling of the mold resin easily occurs at the time of mounting, package cracking does not easily occur at the peeled portion, and a water vapor discharge path can be formed safely.
【００３８】[0038]
【発明の効果】以上のように本発明によれば、サポート
バーをステージ部分で幅広に形成し、フレーム部分で幅
細に形成することにより、実装時に剥離を生じさせて水
蒸気を排出することができ、パッケージ割れを防止する
ことができる。As described above, according to the present invention, the support bar is formed wide in the stage portion and narrow in the frame portion, so that peeling can be caused at the time of mounting and the water vapor can be discharged. It is possible to prevent the package from cracking.
【図１】本発明の一実施例の構成図である。FIG. 1 is a configuration diagram of an embodiment of the present invention.
【図２】図１の水蒸気排出を説明するための図である。FIG. 2 is a diagram for explaining water vapor discharge in FIG.
【図３】本発明のサポートバーの他の形状の構成図であ
る。FIG. 3 is a configuration diagram of another shape of the support bar of the present invention.
【図４】従来のＱＦＰ型パッケージに使用されるリード
フレームの概略図である。FIG. 4 is a schematic view of a lead frame used in a conventional QFP type package.
１１ 半導体装置 １２ ステージ １３ 接着剤 １４ 半導体チップ １５ サポートバー １５ａ〜１５ｃ 幅広部 １６ リード部材 １６ａ インナリード １６ｂ アウタリード １７ ワイヤ １８ パッケージ １９ 剥離部 DESCRIPTION OF SYMBOLS 11 Semiconductor device 12 Stage 13 Adhesive agent 14 Semiconductor chip 15 Support bar 15a-15c Wide part 16 Lead member 16a Inner lead 16b Outer lead 17 Wire 18 Package 19 Exfoliation part
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 西郷 幸生 鹿児島県薩摩郡入来町副田5950番地 株式 会社九州富士通エレクトロニクス内 (72)発明者 川原 登志実 神奈川県川崎市中原区上小田中1015番地 富士通株式会社内 (72)発明者 渡辺 浩二 神奈川県川崎市中原区上小田中1015番地 富士通株式会社内 ─────────────────────────────────────────────────── ─── Continuation of the front page (72) Inventor Yukio Saigo 5950 Soeda, Iriki-cho, Satsuma-gun, Kagoshima Prefecture Kyushu Fujitsu Electronics Co., Ltd. In-house (72) Inventor Koji Watanabe 1015 Kamiodanaka, Nakahara-ku, Kawasaki-shi, Kanagawa Within Fujitsu Limited
Claims (5)
（１２）がフレームに所定数のサポートバー（１５）に
より一体に支持され、該ステージ（１２）の周辺に配置
されるリード部材（１６，１６ａ，１６ｂ）から構成さ
れる金属導体を、モールド樹脂によりパッケージングし
て該フレームが除去される半導体装置において、 前記サポートバー（１５）は、少なくとも前記ステージ
（１２）への接続部分が幅広に形成されると共に、前記
フレームへの接続部分が幅細に形成されることを特徴と
する半導体装置。1. A lead member (16) having a semiconductor element (14) mounted thereon, the stage (12) being integrally supported by a frame by a predetermined number of support bars (15) and arranged around the stage (12). In a semiconductor device in which the frame is removed by packaging a metal conductor composed of 16a, 16b) with a mold resin, the support bar (15) has at least a wide connection portion to the stage (12). A semiconductor device, characterized in that it is formed and a connecting portion to the frame is formed narrow.
ージ（１２）部分の幅広から前記フレーム部分の幅細に
かけて直線的テーパ形状又は膨らみを有する円弧形状で
形成されることを特徴とする請求項１記載の半導体装
置。2. The support bar (15) is formed in a linear taper shape or an arc shape having a bulge from the wide portion of the stage (12) to the narrow portion of the frame portion. 1. The semiconductor device according to 1.
ージ（１２）部分の幅広から前記フレームまでの途中部
分にかけて幅細に形成されると共に、該途中部分より該
フレーム部分まで同一幅細に形成されることを特徴とす
る請求項１記載の半導体装置。3. The support bar (15) is formed to have a narrow width from a wide portion of the stage (12) portion to an intermediate portion from the frame, and has the same width from the intermediate portion to the frame portion. The semiconductor device according to claim 1, wherein
ージ（１２）部分の幅広から前記途中部分の幅細までの
形状を、直線的テーパ形状又は膨らみを有する円弧形状
に形成することを特徴とする請求項３記載の半導体装
置。4. The shape of the support bar (15) from the wide portion of the stage (12) to the narrow portion of the intermediate portion is formed into a linear taper shape or an arc shape having a bulge. The semiconductor device according to claim 3.
（１２）がフレームにサポートバー（１５）により一体
に支持され、該ステージ（１２）の周辺に配置されるリ
ード部材（１６，１６ａ，１６ｂ）から構成される金属
導体を、モールド樹脂によりパッケージングして該フレ
ームが除去される半導体装置の実装方法において、 前記サポートバー（１５）は、前記ステージ（１２）へ
の接続部分が幅広に形成され、前記フレームへの接続部
分が幅細に形成されており、実装時の熱により、該ステ
ージ（１２）及び該サポートバー（１５）の幅広から幅
細にかけて前記モールド樹脂を剥離させる工程と、 該剥離させた部分より、前記パッケージ（１８）内に存
在する水分を外部に排出させる工程と、 実装後の温度低下によって該モールド樹脂と該ステージ
（１２）及びサポートバー（１５）との間の隙間が狭ま
り、該パッケージ（１８）内に水分の侵入を排除させる
工程と、 を含むことを特徴とする半導体装置の実装方法。5. A lead member (16, 16a, 16b) in which a stage (12) on which a semiconductor element (14) is mounted is integrally supported on a frame by a support bar (15), and which is arranged around the stage (12). In the method for mounting a semiconductor device, wherein a metal conductor composed of (4) is packaged with a mold resin to remove the frame, the support bar (15) has a wide connecting portion to the stage (12). And a connecting portion to the frame is formed to have a narrow width, and a step of peeling the mold resin from a wide width to a narrow width of the stage (12) and the support bar (15) by heat during mounting, The step of discharging moisture existing in the package (18) from the peeled portion to the outside, and the molding resin by the temperature decrease after mounting. And a step of narrowing a gap between the stage (12) and the support bar (15) to prevent moisture from entering the package (18).
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4198635A JPH0645496A (en) | 1992-07-24 | 1992-07-24 | Semiconductor device and mounting method |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4198635A JPH0645496A (en) | 1992-07-24 | 1992-07-24 | Semiconductor device and mounting method |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0645496A true JPH0645496A (en) | 1994-02-18 |
Family
ID=16394487
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP4198635A Withdrawn JPH0645496A (en) | 1992-07-24 | 1992-07-24 | Semiconductor device and mounting method |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0645496A (en) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6972488B2 (en) | 2001-07-31 | 2005-12-06 | Nec Compound Semiconductor Devices, Ltd. | Semiconductor device in which a semiconductor chip mounted on a printed circuit is sealed with a molded resin |
| JP2011210893A (en) * | 2010-03-29 | 2011-10-20 | Fujitsu Semiconductor Ltd | Semiconductor device and lead frame |
-
1992
- 1992-07-24 JP JP4198635A patent/JPH0645496A/en not_active Withdrawn
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6972488B2 (en) | 2001-07-31 | 2005-12-06 | Nec Compound Semiconductor Devices, Ltd. | Semiconductor device in which a semiconductor chip mounted on a printed circuit is sealed with a molded resin |
| JP2011210893A (en) * | 2010-03-29 | 2011-10-20 | Fujitsu Semiconductor Ltd | Semiconductor device and lead frame |
| US8791555B2 (en) | 2010-03-29 | 2014-07-29 | Fujitsu Semiconductor Limited | Semiconductor device and lead frame |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A300 | Withdrawal of application because of no request for examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A300 Effective date: 19991005 |