JPH0645148A - 高周波用インダクタンス回路 - Google Patents
高周波用インダクタンス回路Info
- Publication number
- JPH0645148A JPH0645148A JP3904992A JP3904992A JPH0645148A JP H0645148 A JPH0645148 A JP H0645148A JP 3904992 A JP3904992 A JP 3904992A JP 3904992 A JP3904992 A JP 3904992A JP H0645148 A JPH0645148 A JP H0645148A
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- JP
- Japan
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- inductors
- coil type
- spiral coil
- adjacent
- inductance circuit
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K1/00—Printed circuits
- H05K1/16—Printed circuits incorporating printed electric components, e.g. printed resistor, capacitor, inductor
Abstract
(57)【要約】
【目的】本発明は、すべてのインダクタの隣接するコイ
ル導体同士で磁界を打ち消し合う部分を無くした高周波
用インダクタンス回路を提供することを目的とする。 【構成】本発明は、絶縁性半導体基板２上に形成する
１．５ターンスパイラルコイル型インダクタ１ａ，１ｂ
を複数個直列もしくは並列に接続して、それぞれ隣接す
るインダクタ１ａ，１ｂのスパイラル巻き方向が互いに
逆方向のインダクタ１ａ，１ｂを交互に配設して構成す
る。
ル導体同士で磁界を打ち消し合う部分を無くした高周波
用インダクタンス回路を提供することを目的とする。 【構成】本発明は、絶縁性半導体基板２上に形成する
１．５ターンスパイラルコイル型インダクタ１ａ，１ｂ
を複数個直列もしくは並列に接続して、それぞれ隣接す
るインダクタ１ａ，１ｂのスパイラル巻き方向が互いに
逆方向のインダクタ１ａ，１ｂを交互に配設して構成す
る。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明はマイクロ波インダクタン
ス回路など、特に高周波のスパイラルインダクタンス回
路の改良に関する。
ス回路など、特に高周波のスパイラルインダクタンス回
路の改良に関する。
【０００２】
【従来の技術】図３（ａ）は従来の１ターンスパイラル
コイル型インダクタの一例を示す平面図であり、図３
（ｂ）は図３（ａ）のＡ−Ａ′線断面図である。図３
中、１ｃは導電膜配線よりなるほぼ１ターンのスパイラ
ルコイル型インダクタ、２は絶縁性半導体基板（または
セラミック基板）である。即ち、例えば特開平２−２７
５６０７号による従来の１ターンスパイラルコイル型イ
ンダクタ１ｃを用い、この１ターンスパイラルコイル型
インダクタ１ｃを絶縁性半導体基板２上に複数個配設す
る。
コイル型インダクタの一例を示す平面図であり、図３
（ｂ）は図３（ａ）のＡ−Ａ′線断面図である。図３
中、１ｃは導電膜配線よりなるほぼ１ターンのスパイラ
ルコイル型インダクタ、２は絶縁性半導体基板（または
セラミック基板）である。即ち、例えば特開平２−２７
５６０７号による従来の１ターンスパイラルコイル型イ
ンダクタ１ｃを用い、この１ターンスパイラルコイル型
インダクタ１ｃを絶縁性半導体基板２上に複数個配設す
る。
【０００３】図３においては、インダクタンスは小さい
が、自己共振周波数の高い１ターンのスパイラルコイル
型インダクタ１ｃを用いて所望のインダクタンスを得る
ために、これらの１ターンのスパイラルコイル型インダ
クタ１ｃを基板２上に複数個直列に配設してある。
が、自己共振周波数の高い１ターンのスパイラルコイル
型インダクタ１ｃを用いて所望のインダクタンスを得る
ために、これらの１ターンのスパイラルコイル型インダ
クタ１ｃを基板２上に複数個直列に配設してある。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】従来の図３（ａ）に示
すインダクタンス回路において、実線矢印の方向に電流
ｉを流すと、隣接する導体部分の電流の向きが逆になっ
ているために、この部分近傍の磁界が打ち消し合い、そ
の結果、隣接するインダクタ間では磁束φのほとんどが
打ち消されてしまう。この結果、図３（ｂ）では、点線
矢印で示す磁束φの磁路が形成されるだけとなる。この
ため１個の１ターンスパイラルコイル型インダクタ１ｃ
から割り出した所望のインダクタンスに必要な個数より
も、より多くのインダクタ１ｃを直列に配設する必要が
生じ回路の配設面積が大きくなるという問題点があっ
た。
すインダクタンス回路において、実線矢印の方向に電流
ｉを流すと、隣接する導体部分の電流の向きが逆になっ
ているために、この部分近傍の磁界が打ち消し合い、そ
の結果、隣接するインダクタ間では磁束φのほとんどが
打ち消されてしまう。この結果、図３（ｂ）では、点線
矢印で示す磁束φの磁路が形成されるだけとなる。この
ため１個の１ターンスパイラルコイル型インダクタ１ｃ
から割り出した所望のインダクタンスに必要な個数より
も、より多くのインダクタ１ｃを直列に配設する必要が
生じ回路の配設面積が大きくなるという問題点があっ
た。
【０００５】本発明は上記の事情に鑑みてなされたもの
で、隣接するスパイラルコイル型インダクタのスパイラ
ル巻き方向が互いに逆方向のものを交互に配列すること
により、すべてのインダクタの隣接するコイル導体どう
しで磁界を打ち消し合う部分を無くした高周波用インダ
クタンス回路を提供することを目的とする。
で、隣接するスパイラルコイル型インダクタのスパイラ
ル巻き方向が互いに逆方向のものを交互に配列すること
により、すべてのインダクタの隣接するコイル導体どう
しで磁界を打ち消し合う部分を無くした高周波用インダ
クタンス回路を提供することを目的とする。
【０００６】
【課題を解決するための手段】本発明は上記課題を解決
するために、基板上に形成するスパイラルコイル型イン
ダクタを複数個直列もしくは並列に接続して、それぞれ
隣接するインダクタのスパイラル巻き方向が互いに逆方
向のインダクタを交互に配設したことを特徴とするもの
である。
するために、基板上に形成するスパイラルコイル型イン
ダクタを複数個直列もしくは並列に接続して、それぞれ
隣接するインダクタのスパイラル巻き方向が互いに逆方
向のインダクタを交互に配設したことを特徴とするもの
である。
【０００７】
【作用】本発明は、隣接するスパイラルコイル型インダ
クタのスパイラル巻き方向が交互に逆方向になっている
ので隣接する導体部分の電流の流れる向きがすべて同一
方向に揃っているために、磁界を打ち消すことがない。
この結果、すべての隣接するインダクタ間に磁路が形成
されてコイル導体の全てがインダクタンスに寄与するた
めに、小さな巻き線用面積で所望のインダクタンスが得
られる回路となる。
クタのスパイラル巻き方向が交互に逆方向になっている
ので隣接する導体部分の電流の流れる向きがすべて同一
方向に揃っているために、磁界を打ち消すことがない。
この結果、すべての隣接するインダクタ間に磁路が形成
されてコイル導体の全てがインダクタンスに寄与するた
めに、小さな巻き線用面積で所望のインダクタンスが得
られる回路となる。
【０００８】
【実施例】以下図面を参照して本発明の実施例を詳細に
説明する。 ［実施例１］
説明する。 ［実施例１］
【０００９】図１（ａ）は本発明の一実施例を示す平面
図であり、図１（ｂ）は図１（ａ）のＡ−Ａ′線断面図
である。図１中、１ａは導電膜配線よりなる１．５ター
ンスパイラルコイル型インダクタ、１ｂはインダクタ１
ａとスパイラル巻き方向が逆の１．５ターンスパイラル
コイル型インダクタ、２は絶縁性半導体基板（またはセ
ラミック基板）である。
図であり、図１（ｂ）は図１（ａ）のＡ−Ａ′線断面図
である。図１中、１ａは導電膜配線よりなる１．５ター
ンスパイラルコイル型インダクタ、１ｂはインダクタ１
ａとスパイラル巻き方向が逆の１．５ターンスパイラル
コイル型インダクタ、２は絶縁性半導体基板（またはセ
ラミック基板）である。
【００１０】即ち、絶縁性半導体基板２上に形成する
１．５ターンのスパイラルコイル型インダクタ１ａ，１
ｂを複数個直列（もしくは並列）に接続して、それぞれ
隣接するインダクタ１ａ，１ｂのスパイラル巻き方向が
互いに逆方向のインダクタ１ａ，１ｂを交互に配設して
構成する。
１．５ターンのスパイラルコイル型インダクタ１ａ，１
ｂを複数個直列（もしくは並列）に接続して、それぞれ
隣接するインダクタ１ａ，１ｂのスパイラル巻き方向が
互いに逆方向のインダクタ１ａ，１ｂを交互に配設して
構成する。
【００１１】図１（ａ）において、実線矢印の方向に電
流ｉを流すと、各インダクタ１ａ，１ｂの隣接する導体
部分の電流の向きは全て同一方向に揃っているために、
これら隣接する導体部分によって生じる磁束φは全て強
められることになる。その結果、図１（ｂ）の点線矢印
で示すように全ての隣接するインダクタ１ａ，１ｂ間に
磁束φの磁路が形成される。このため、各インダクタ１
ａ，１ｂの導体が小さな磁路を多数形成し、小さな面積
内で大きなインダクタンスを得ることができる。 ［実施例２］
流ｉを流すと、各インダクタ１ａ，１ｂの隣接する導体
部分の電流の向きは全て同一方向に揃っているために、
これら隣接する導体部分によって生じる磁束φは全て強
められることになる。その結果、図１（ｂ）の点線矢印
で示すように全ての隣接するインダクタ１ａ，１ｂ間に
磁束φの磁路が形成される。このため、各インダクタ１
ａ，１ｂの導体が小さな磁路を多数形成し、小さな面積
内で大きなインダクタンスを得ることができる。 ［実施例２］
【００１２】図２は本発明の他の実施例を示す平面図で
あり、複数配設する１ターンスパイラルコイル型インダ
クタ１１ａ，１１ｂをマトリクス状に配設してある。こ
の図２の実施例２の場合にも図１の実施例１と同様の効
果が得られる。 ［実施例３］図１、図２に示した実施例１，２におい
て、複数配設するスパイラルコイル型インダクタの巻き
数を複数ターンとしたときも同様の効果を得られる。
あり、複数配設する１ターンスパイラルコイル型インダ
クタ１１ａ，１１ｂをマトリクス状に配設してある。こ
の図２の実施例２の場合にも図１の実施例１と同様の効
果が得られる。 ［実施例３］図１、図２に示した実施例１，２におい
て、複数配設するスパイラルコイル型インダクタの巻き
数を複数ターンとしたときも同様の効果を得られる。
【００１３】
【発明の効果】以上述べたように本発明によれば、全て
の隣接するインダクタ間に小さな磁路が効果的に形成さ
れるので、自己共振周波数の高い超高周波のマイクロ波
回路にも使用できるインダクタンス回路において、所要
面積が小さく回路の小型化、高集積化及び材料費の削減
によるコストダウンを図ることができる。
の隣接するインダクタ間に小さな磁路が効果的に形成さ
れるので、自己共振周波数の高い超高周波のマイクロ波
回路にも使用できるインダクタンス回路において、所要
面積が小さく回路の小型化、高集積化及び材料費の削減
によるコストダウンを図ることができる。
【図１】図（ａ）は本発明の一実施例を示す平面図であ
り、図（ｂ）は図（ａ）のＡ−Ａ′線断面図である。
り、図（ｂ）は図（ａ）のＡ−Ａ′線断面図である。
【図２】本発明の他の実施例を示す平面図である。
【図３】図（ａ）は従来の１ターンスパイラルコイル型
インダクタの一例を示す平面図であり、図（ｂ）は図
（ａ）のＡ−Ａ′線断面図である。
インダクタの一例を示す平面図であり、図（ｂ）は図
（ａ）のＡ−Ａ′線断面図である。
１ａ…導電膜配線よりなる１．５ターンスパイラルコイ
ル型インダクタ、１ｂ…インダクタ１ａとスパイラル巻
き方向が逆の１．５ターンスパイラルコイル型インダク
タ、１ｃ…１ターンスパイラルコイル型インダクタ、２
…絶縁性半導体基板またはセラミック基板。
ル型インダクタ、１ｂ…インダクタ１ａとスパイラル巻
き方向が逆の１．５ターンスパイラルコイル型インダク
タ、１ｃ…１ターンスパイラルコイル型インダクタ、２
…絶縁性半導体基板またはセラミック基板。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 村上 孝一 宮城県仙台市青葉区小松島１−５−29
Claims (1)
- 【請求項１】 基板上に形成するスパイラルコイル型イ
ンダクタを複数個直列もしくは並列に接続して、それぞ
れ隣接するインダクタのスパイラル巻き方向が互いに逆
方向のインダクタを交互に配設したことを特徴とする高
周波用インダクタンス回路。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3904992A JPH0645148A (ja) | 1992-02-26 | 1992-02-26 | 高周波用インダクタンス回路 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3904992A JPH0645148A (ja) | 1992-02-26 | 1992-02-26 | 高周波用インダクタンス回路 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0645148A true JPH0645148A (ja) | 1994-02-18 |
Family
ID=12542275
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3904992A Pending JPH0645148A (ja) | 1992-02-26 | 1992-02-26 | 高周波用インダクタンス回路 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0645148A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US20120154100A1 (en) * | 2006-05-11 | 2012-06-21 | Tamura Fa System Corporation | Coil and method for forming a coil |
| WO2012124870A1 (ko) * | 2011-03-15 | 2012-09-20 | 숭실대학교산학협력단 | 셀 구조 인덕터 |
| US20140145810A1 (en) * | 2012-11-28 | 2014-05-29 | Jun Park | Coil for enhancing the degree of freedom of a magnetic field |
| WO2023176780A1 (ja) * | 2022-03-16 | 2023-09-21 | 株式会社村田製作所 | 電子部品 |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6064392A (ja) * | 1983-09-20 | 1985-04-12 | 日本ビクター株式会社 | ウエイト回路 |
| JPS60200503A (ja) * | 1984-02-23 | 1985-10-11 | デベロツプメント フアイナンス コ−ポレイシヨン オブ ニユ−ジ−ランド | 磁界形成方法およびその装置 |
-
1992
- 1992-02-26 JP JP3904992A patent/JPH0645148A/ja active Pending
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6064392A (ja) * | 1983-09-20 | 1985-04-12 | 日本ビクター株式会社 | ウエイト回路 |
| JPS60200503A (ja) * | 1984-02-23 | 1985-10-11 | デベロツプメント フアイナンス コ−ポレイシヨン オブ ニユ−ジ−ランド | 磁界形成方法およびその装置 |
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US20120154100A1 (en) * | 2006-05-11 | 2012-06-21 | Tamura Fa System Corporation | Coil and method for forming a coil |
| US10403430B2 (en) * | 2006-05-11 | 2019-09-03 | Tamura Corporation | Coil and method for forming a coil |
| US10964470B2 (en) | 2006-05-11 | 2021-03-30 | Tamura Corporation | Coil and method for forming a coil |
| WO2012124870A1 (ko) * | 2011-03-15 | 2012-09-20 | 숭실대학교산학협력단 | 셀 구조 인덕터 |
| US20140145810A1 (en) * | 2012-11-28 | 2014-05-29 | Jun Park | Coil for enhancing the degree of freedom of a magnetic field |
| US9076580B2 (en) * | 2012-11-28 | 2015-07-07 | Lg Electronics Inc. | Coil for enhancing the degree of freedom of a magnetic field |
| WO2023176780A1 (ja) * | 2022-03-16 | 2023-09-21 | 株式会社村田製作所 | 電子部品 |
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