JPH0641219A - α−オレフィン重合用触媒成分 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 （修正有） 【目的】 触媒粒子強度の増大、得られるポリマーの立
体規則性の向上、触媒高活性の維持、触媒の保存中の性
能劣化防止等を計る。 【構成】 下記１）成分を、下記２）化合物及び３）化
合物の存在下、オレフィンで予備重合してなるα−オレ
フィン重合用触媒成分。 １）金属酸化物，マグネシウム，チタン，ハロゲン及び
電子供与性化合物を必須成分とする固体成分、２）トリ
アルキルアルミニウム、３） 〔Ｒ¹ は脂肪族又は脂環式炭化水素基、Ｒ² はＲ¹ また
はＯＲ⁴ 、Ｒ³ はメチル又はエチル、ｘは１又は２、ｙ
は０又は１、ｚは２又は３〕で表わされる有機珪素化合
物。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明は、α−オレフィン重合用
触媒成分に関する。

【０００２】

【従来の技術】金属酸化物、マグネシウム、チタン、ハ
ロゲン及び電子供与性化合物を含有すα−オレフィン重
合用触媒成分は知られている。この金属酸化物担持型触
媒は、高活性及び高立体規則性といった良好な重合性能
と共に、得られるポリマーが狭い粒度分布と球形等の揃
った粒形を持つ等の優れた粒子特性を兼ね備えている。

【０００３】触媒成分の粒子強度が低いと、重合により
生成するポリマーは破壊され、微粉化する。これを防ぐ
典型的な手法として、触媒成分を予めオレフィンと接触
させ、そこで生成するポリマーを触媒成分内に取り込ま
せて、触媒成分粒子の強度を高める、いわゆる予備重合
がある。この予備重合時に、珪素化合物等の電子供与性
化合物を添加することにより、粒子強度の向上と共に、
最終ポリα−オレフィンの立体規則性をも高めようとす
る試みがなされている。しかし、通常予備重合時の電子
供与性化合物の添加は、触媒活性の低下、或いは触媒の
保存中の性能劣化を引き起す等の影響をもたらす。又、
予備重合時に用いられる珪素化合物としては、その性能
の点から、芳香族基を持つ化合物が一般に用いられてい
るが、ポリマーの使用目的によっては芳香族基を有する
珪素化合物が有害になることがある。

【０００４】

【発明が解決しようとする課題】本発明は、触媒粒子強
度の増大、得られるポリマーの立体規則性の向上、触媒
高活性の維持、触媒の保存中の性能劣化防止等を計るこ
とを目的とする。

【０００５】

【課題を解決するための手段】本発明者らは鋭意研究を
行った結果、予備重合時に添加する珪素化合物として、
特定の化合物を用いれば、芳香族基を有する有機珪素化
合物と同等又はそれ以上の性能でポリα−オレフィンが
得られ、かつ本発明の目的が達成できることを見出して
本発明を完成した。

【０００６】発明の要旨 すなわち、本発明の要旨は、（Ａ）金属酸化物、マグネ
シウム、チタン、ハロゲン及び電子供与性化合物を必須
成分とする固体成分を、（Ｂ) トリアルキルアルミニウ
ム及び（Ｃ）一般式

【化２】 〔但し、Ｒ¹ は炭素数３〜１０個の脂肪族若しくは脂環
式炭化水素基、Ｒ² は炭素数１〜１０個の脂肪族若しく
は脂環式炭化水素基又はＲ⁴ Ｏ、Ｒ³ はメチル基若しく
はエチル基であり、ｘは１若しくは２、ｙは０若しくは
１、ｚは２若しくは３、ｘ＋ｙ＋ｚ＝４、Ｒ⁴ はＲ¹ と
同意義である。〕の有機珪素化合物の存在下、（Ｄ）オ
レフィンと接触させてなるα−オレフィン重合用触媒成
分にある。

【０００７】固体成分 本発明で用いられる固体成分（以下、成分Ａという）
は、金属酸化物、マグネシウム、チタン、ハロゲン及び
電子供与性化合物を必須成分とするが、このような成分
は通常金属酸化物、マグネシウム化合物、チタン化合物
及び電子供与性化合物、更に前記各化合物がハロゲンを
有しない化合物の場合は、ハロゲン含有化合物を、それ
ぞれ接触することにより調製される。

【０００８】（１）金属酸化物 本発明で用いられる金属酸化物は、元素の周期表第II族
〜第IV族の元素の群から選ばれる元素の酸化物であり、
それらを例示すると、Ｂ₂ Ｏ₃ 、ＭｇＯ、Ａｌ ₂ Ｏ₃ 、
ＳｉＯ₂ 、ＣａＯ、ＴｉＯ₂ 、ＺｎＯ、ＺｒＯ₂ 、Ｓｎ
Ｏ₂ 、ＢａＯ、ＴｈＯ₂ 等が挙げられる。これらの中で
もＢ₂ Ｏ₃ 、ＭｇＯ、Ａｌ₂ Ｏ₃ 、ＳｉＯ₂ 、Ｔｉ
Ｏ₂ 、ＺｒＯ₂ が望ましく、特にＳｉＯ₂ が望ましい。
更に、これら金属酸化物を含む複合酸化物、例えばＳｉ
Ｏ₂ −ＭｇＯ、ＳｉＯ₂ −Ａｌ₂ Ｏ₃、ＳｉＯ₂ −Ｔｉ
Ｏ₂ 、ＳｉＯ₂ −Ｖ₂ Ｏ₅ 、ＳｉＯ₂ −ＣｒＯ₃ 、Ｓｉ
Ｏ₂ −ＴｉＯ₂ −ＭｇＯ等も使用し得る。

【０００９】これら金属酸化物の形状は通常粉末状のも
のが用いられる。粉末の大きさ及び形状等の形体は、得
られるオレフィン重合体の形体に影響を及ぼすことが多
いので、適宜調節することが望ましい。金属酸化物は、
使用に当って被毒物質を除去する目的等から、可能な限
り高温で焼成し、更に大気と直接接触しないように取扱
うのが望ましい。

【００１０】（２）マグネシウム化合物 マグネシウム化合物は、一般式ＭｇＲ¹ Ｒ² で表わされ
る。式において、Ｒ¹及びＲ² は同一か異なる炭化水素
基、ＯＲ基（Ｒは炭化水素基）、ハロゲン原子を示す。
より詳細には、Ｒ¹ 及びＲ² の炭化水素基としては、炭
素数１〜２０個のアルキル基、シクロアルキル基、アリ
ール基、アルアルキル基が、ＯＲ基としては、Ｒが炭素
数１〜１２個のアルキル基、シクロアルキル基、アリー
ル基、アルアルキル基が、ハロゲン原子としては塩素、
臭素、ヨウ素、弗素等である。

【００１１】それら化合物の具体例を下記に示すが、化
学式において、Ｍｅ：メチル、Ｅｔ：エチル、Ｐｒ :プ
ロピル、Ｂｕ：ブチル、Ｈｅ：ヘキシル、Ｏｃｔ：オク
チル、Ｐｈ：フェニル、ｃｙＨｅ：シクロヘキシルをそ
れぞれ示す。ＭｇＭｅ₂ , ＭｇＥｔ₂ , Ｍｇｉ−Ｐ
ｒ₂ , ＭｇＢｕ₂ , ＭｇＨｅ₂ , ＭｇＯｃｔ₂ ，ＭｇＥ
ｔＢｕ，ＭｇＰｈ₂ , ＭｇｃｙＨｅ₂ , Ｍｇ（ＯＭｅ）
₂ , Ｍｇ（ＯＥｔ）₂ , Ｍｇ（ＯＢｕ）₂ , Ｍｇ（ＯＨ
ｅ）₂ , Ｍｇ（ＯＯｃｔ）₂ , Ｍｇ（ＯＰｈ）₂ , Ｍｇ
（ＯｃｙＨｅ）₂ , ＥｔＭｇＣｌ，ＢｕＭｇＣｌ，Ｈｅ
ＭｇＣｌ，ｉ−ＢｕＭｇＣｌ，ｔ−ＢｕＭｇＣｌ，Ｐｈ
ＭｇＣｌ，ＰｈＣＨ₂ ＭｇＣｌ，ＥｔＭｇＢｒ，ＢｕＭ
ｇＢｒ，ＰｈＭｇＢｒ，ＢｕＭｇＩ，ＥｔＯＭｇＣｌ，
ＢｕＯＭｇＣｌ，ＨｅＯＭｇＣｌ，ＰｈＯＭｇＣｌ，Ｅ
ｔＯＭｇＢｒ，ＢｕＯＭｇＢｒ，ＥｔＯＭｇＩ，ＭｇＣ
ｌ_{2 ,} ＭｇＢｒ_{2 ,} ＭｇＩ₂ 。

【００１２】上記マグネシウム化合物は、成分Ａを調製
する際に、金属マグネシウム又はその他のマグネシウム
化合物から調製することも可能である。その一例とし
て、金属マグネシウム、ハロゲン化炭化水素及び一般式
Ｘ_n Ｍ（ＯＲ）_m-n のアルコキシ基含有化合物〔式にお
いて、Ｘは水素原子、ハロゲン原子又は炭素数１〜２０
個の炭化水素基、Ｍは硼素、炭素、アルミニウム、珪素
又は燐原子、Ｒは炭素数１〜２０個の炭化水素基、ｍは
Ｍの原子価、ｍ＞ｎ≧０を示す。〕を接触させる方法が
挙げられる。該アルコキシ基含有化合物の一般式のＸ及
びＲの炭化水素基としては、メチル（Ｍｅ) 、エチル
（Ｅｔ) 、プロピル（Ｐｒ）、ｉ−プロピル（ｉ−Ｐ
ｒ) 、ブチル（Ｂｕ) 、ｉ−ブチル（ｉ−Ｂｕ) 、ヘキ
シル（Ｈｅ) 、オクチル（Ｏｃｔ）等のアルキル基、シ
クロヘキシル（ｃｙＨｒ）、メチルシクロヘキシル等の
シクロアルキル基、アリル、プロペニル、ブテニル等の
アルケニル基、フェニル（Ｐｈ) 、トリル、キシリル基
のアリール基、フェネチル、３−フェニルプロピル等の
アルアルキル等が挙げられる。これらの中でも、特に炭
素数１〜１０個のアルキル基が望ましい。以下、アルコ
キシ基含有化合物の具体例を挙げる。

【００１３】Ｍが炭素の場合の化合物 式Ｃ（ＯＲ）₄ に含まれるＣ（ＯＭｅ）₄ ，Ｃ（ＯＥ
ｔ）₄ ，Ｃ（ＯＰｒ）₄，Ｃ（ＯＢｕ）₄ ，Ｃ（Ｏｉ−
Ｂｕ）₄ ，Ｃ（ＯＨｅ）₄ ，Ｃ（ＯＯｃｔ）₄ ：式ＸＣ
（ＯＲ）₃ に含まれるＨＣ（ＯＭｅ）₃ ，ＨＣ（ＯＥ
ｔ）₃ ，ＨＣ（ＯＰｒ）₃ ，ＨＣ（ＯＢｕ）₃ ，ＨＣ
（ＯＨｅ）₃ , ＨＣ（ＯＰｈ）₃ ；ＭｅＣ（ＯＭ
ｅ）₃ ，ＭｅＣ（ＯＥｔ）₃ ，ＥｔＣ（ＯＭｅ）₃ ，Ｅ
ｔＣ（ＯＥｔ）₃ ，ｃｙＨｅＣ（ＯＥｔ）₃ ，ＰｈＣ
（ＯＭｅ）₃ ，ＰｈＣ（ＯＥｔ）₃ ，ＣＨ₂ ＣｌＣ（Ｏ
Ｅｔ）₃ ，ＭｅＣＨＢｒＣ（ＯＥｔ）₃ ；ＭｅＣＨＣｌ
Ｃ（ＯＥｔ）₃ ；ＣｌＣ（ＯＭｅ）₃ ，ＣｌＣ（ＯＥ
ｔ）₃ ，ＣｌＣ（Ｏｉ−Ｂｕ）₃ ，ＢｒＣ（ＯＥ
ｔ）₃ ；式Ｘ₂ Ｃ（ＯＲ）₂ に含まれるＭｅＣＨ（ＯＭ
ｅ）₂ , ＭｅＣＨ（ＯＥｔ）₂ , ＣＨ₂ （ＯＭｅ）₂ ,
ＣＨ₂ （ＯＥｔ）₂ , ＣＨ₂ ＣｌＣＨ（ＯＥｔ）₂ , Ｃ
ＨＣｌ₂ ＣＨ（ＯＥｔ）₂ , ＣＣｌ₃ ＣＨ（ＯＥ
ｔ）₂ , ＣＨ₂ ＢｒＣＨ（ＯＥｔ）₂ , ＰｈＣＨ（ＯＥ
ｔ）₂ 。

【００１４】Ｍが珪素の場合の化合物 式Ｓｉ（ＯＲ）₄ に含まれるＳｉ（ＯＭｅ）₄ , Ｓｉ
（ＯＥｔ）₄ , Ｓｉ（ＯＢｕ）₄ , Ｓｉ（Ｏｉ−Ｂｕ）
₄ , Ｓｉ（ＯＨｅ）₄ , Ｓｉ（ＯＯｃｔ）₄ , Ｓｉ（Ｏ
Ｐｈ）₄ ：式ＸＳｉ（ＯＲ）₃ に含まれるＨＳｉ（ＯＥ
ｔ）₃ , ＨＳｉ（ＯＢｕ）₃ , ＨＳｉ（ＯＨｅ）₃ ，Ｈ
Ｓｉ（ＯＰｈ）₃ ；ＭｅＳｉ（ＯＭｅ）₃，ＭｅＳｉ
（ＯＥｔ）₃ , ＭｅＳｉ（ＯＢｕ）₃ , ＥｔＳｉ（ＯＥ
ｔ）₃ , ＰｈＳｉ（ＯＥｔ）₃ , ＥｔＳｉ（ＯＰ
ｈ）₃ ；ＣｌＳｉ（ＯＭｅ）₃ ，ＣｌＳｉ（ＯＥ
ｔ）₃ , ＣｌＳｉ（ＯＢｕ）₃ , ＣｌＳｉ（ＯＰ
ｈ）₃ ，ＢｒＳｉ（ＯＥｔ）₃ ；式Ｘ₂ Ｓｉ（ＯＲ）₂
に含まれるＭｅ₂ Ｓｉ（ＯＭｅ）₂ ，Ｍｅ₂ Ｓｉ（ＯＥ
ｔ）₂ ，Ｅｔ₂ Ｓｉ（ＯＥｔ）₂ ；ＭｅＣｌＳｉ（ＯＥ
ｔ）₂ ；ＣＨＣｌ₂ＳｉＨ（ＯＥｔ）₂ ；ＣＣｌ₃ Ｓｉ
Ｈ（ＯＥｔ）₂ ；ＭｅＢｒＳｉ（ＯＥｔ）₂：Ｘ₃ Ｓｉ
ＯＲに含まれるＭｅ₃ ＳｉＯＭｅ，Ｍｅ₃ ＳｉＯＥｔ，
Ｍｅ₃ ＳｉＯＢｕ，Ｍｅ₃ ＳｉＯＰｈ，Ｅｔ₃ ＳｉＯＥ
ｔ，Ｐｈ₃ ＳｉＯＥｔ。

【００１５】Ｍが硼素の場合の化合物 式Ｂ（ＯＲ）₃ に含まれるＢ（ＯＥｔ）₃ , Ｂ（ＯＢ
ｕ）₃ , Ｂ（ＯＨｅ）₃, Ｂ（ＯＰｈ）₃ 。

【００１６】Ｍがアルミニウムの場合の化合物 式Ａｌ（ＯＲ）₃ に含まれるＡｌ（ＯＭｅ）₃ ，Ａｌ
（ＯＥｔ）₃ , Ａｌ（ＯＰｒ）₃ ，Ａｌ（Ｏｉ−Ｐｒ）
₃ ，Ａｌ（ＯＢｕ）₃ , Ａｌ（Ｏｔ−Ｂｕ）₃ ,Ａｌ
（ＯＨｅ）₃ , Ａｌ（ＯＰｈ）₃ 。

【００１７】Ｍが燐の場合の化合物 式Ｐ（ＯＲ）₃ に含まれるＰ（ＯＭｅ）₃ ，Ｐ（ＯＥ
ｔ）₃ , Ｐ（ＯＢｕ）₃, Ｐ（ＯＨｅ）₃ , Ｐ（ＯＰ
ｈ）₃ 。

【００１８】更に、前記マグネシウム化合物は、周期表
第II族又は第III ａ族金属（Ｍ）の有機化合物との錯体
も使用することができる。該錯体は一般式ＭｇＲ¹ Ｒ²
・ｎ（ＭＲ³ _m ) で表わされる。該金属としては、アル
ミニウム、亜鉛、カルシウム等であり、Ｒ³ は炭素数１
〜１２個のアルキル基、シクロアルキル基、アリール
基、アルアルキル基である。又、ｍは金属Ｍの原子価
を、ｎは０．１〜１０の数を示す。ＭＲ³ _m で表わされ
る化合物の具体例としては、ＡｌＭｅ₃ , ＡｌＥｔ ₃ ,
Ａｌｉ−Ｂｕ₃ , ＡｌＰｈ₃ , ＺｎＭｅ₂ ，, ＺｎＥｔ
₂ , ＺｎＢｕ₂ , ＺｎＰｈ₂ , ＣａＥｔ₂ , ＣａＰｈ₂
等が挙げられる。

【００１９】（３）チタン化合物 チタン化合物は、二価、三価及び四価のチタンの化合物
であり、それらを例示すると、四塩化チタン、四臭化チ
タン、トリクロルエトキシチタン、トリクロルブトキシ
チタン、ジクロルジエトキシチタン、ジクロルジブトキ
シチタン、ジクロルジフェノキシチタン、クロルトリエ
トキシチタン、クロルトリブトキシチタン、テトラブト
キシチタン、三塩化チタン等を挙げることができる。こ
れらの中でも、四塩化チタン、トリクロルエトキシチタ
ン、ジクロルジブトキシチタン、ジクロルジフェノキシ
チタン等の四価のチタンハロゲン化物が望ましく、特に
四塩化チタンが望ましい。

【００２０】（４）電子供与性化合物 電子供与性化合物としては、カルボン酸類、カルボン酸
無水物、カルボン酸エステル類、カルボン酸ハロゲン化
物、アルコール類、エーテル類、ケトン類、アミン類、
アミド類、ニトリル類、アルデヒド類、アルコレート
類、有機基と炭素もしくは酸素を介して結合した燐、ヒ
素およびアンチモン化合物、ホスホアミド類、チオエー
テル類、チオエステル類、炭酸エステル等が挙げられ
る。これのうちカルボン酸類、カルボン酸無水物、カル
ボン酸エステル類、カルボン酸ハロゲン化物、アルコー
ル類、エーテル類が好ましく用いられる。

【００２１】カルボン酸の具体例としては、ギ酸、酢
酸、プロピオン酸、酪酸、イソ酪酸、吉草酸、カプロン
酸、ピバリン酸、アクリル酸、メタクリル酸、クロトン
酸等の脂肪族モノカルボン酸、マロン酸、コハク酸、グ
ルタル酸、アジピン酸、セバシン酸、マレイン酸、フマ
ル酸等の脂肪族ジカルボン酸、酒石酸等の脂肪族オキシ
カルボン酸、シクロヘキサンモノカルボン酸、シクロヘ
キセンモノカルボン酸、シス−１，２−シクロヘキサン
ジカルボン酸、シス−４−メチルシクロヘキセン−１，
２−ジカルボン酸等の脂環式カルボン酸、安息香酸、ト
ルイル酸、アニス酸、ｐ−第三級ブチル安息香酸、ナフ
トエ酸、ケイ皮酸等の芳香族モノカルボン酸、フタル
酸、イソフタル酸、テレフタル酸、ナフタル酸、トリメ
リト酸、ヘミメリト酸、トリメシン酸、ピロメリト酸、
メリト酸等の芳香族多価カルボン酸等が挙げられる。カ
ルボン酸無水物としては、上記のカルボン酸類の酸無水
物が使用し得る。

【００２２】カルボン酸エステルとしては、上記のカル
ボン酸類のモノ又は多価エステルが使用することがで
き、その具体例として、ギ酸ブチル、酢酸エチル、酢酸
ブチル、イソ酪酸イソブチル、ピバリン酸プロピル、ピ
バリン酸イソブチル、アクリル酸エチル、メタクリル酸
メチル、メタクリル酸エチル、メタクリル酸イソブチ
ル、マロン酸ジエチル、マロン酸ジイソブチル、コハク
酸ジエチル、コハク酸ジブチル、コハク酸ジイソブチ
ル、グルタル酸ジエチル、グルタル酸ジブチル、グルタ
ル酸ジイソブチル、アジピン酸ジイソブチル、セバシン
酸ジブチル、セバシン酸ジイソブチル、マレイン酸ジエ
チル、マレイン酸ジブチル、マレイン酸ジイソブチル、
フマル酸モノメチル、フマル酸ジエチル、フマル酸ジイ
ソブチル、酒石酸ジエチル、酒石酸ジブチル、酒石酸ジ
イソブチル、シクロヘキサンカルボン酸エチル、安息香
酸メチル、安息香酸エチル、ｐ−トルイル酸メチル、ｐ
−第三級ブチル安息香酸エチル、ｐ−アニス酸エチル、
α−ナフトエ酸エチル、α−ナフトエ酸イソブチル、ケ
イ皮酸エチル、フタル酸モノメチル、フタル酸モノブチ
ル、フタル酸ジブチル、フタル酸ジイソブチル、フタル
酸ジヘキシル、フタル酸ジオクチル、フタル酸ジ２−エ
チルヘキシル、フタル酸ジアリル、フタル酸ジフェニ
ル、イソフタル酸ジエチル、イソフタル酸ジイソブチ
ル、テレフタル酸ジエチル、テレフタル酸ジブチル、ナ
フタル酸ジエチル、ナフタル酸ジブチル、トリメリト酸
トリエチル、トリメリト酸トリブチル、ピロメリト酸テ
トラメチル、ピロメリト酸テトラエチル、ピロメリト酸
テトラブチル等が挙げられる。

【００２３】カルボン酸ハロゲン化物としては、上記の
カルボン酸類の酸ハロゲン化物を使用することができ、
その具体例として、酢酸クロリド、酢酸ブロミド、酢酸
アイオダイド、プロピオン酸クロリド、酪酸クロリド、
酪酸ブロミド、酪酸アイオダイド、ピバリン酸クロリ
ド、ピバリン酸ブロミド、アクリル酸クロリド、アクリ
ル酸ブロミド、アクリル酸アイオダイド、メタクリル酸
クロリド、メタクリル酸ブロミド、メタクリル酸アイオ
ダイド、クロトン酸クロリド、マロン酸クロリド、マロ
ン酸ブロミド、コハク酸クロリド、コハク酸ブロミド、
グルタル酸クロリド、グルタル酸ブロミド、アジピン酸
クロリド、アジピン酸ブロミド、セバシン酸クロリド、
セバシン酸ブロミド、マレイン酸クロリド、マレイン酸
ブロミド、フマル酸クロリド、フマル酸ブロミド、酒石
酸クロリド、酒石酸ブロミド、シクロヘキサンカルボン
酸クロリド、シクロヘキサンカルボン酸ブロミド、１−
シクロヘキセンカルボン酸クロリド、シス−４−メチル
シクロヘキセンカルボン酸クロリド、シス−４−メチル
シクロヘキセンカルボン酸ブロミド、塩化ベンゾイル、
臭化ベンゾイル、ｐ−トルイル酸クロリド、ｐ−トルイ
ル酸ブロミド、ｐ−アニス酸クロリド、ｐ−アニス酸ブ
ロミド、α−ナフトエ酸クロリド、ケイ皮酸クロリド、
ケイ皮酸ブロミド、フタル酸ジクロリド、フタル酸ジブ
ロミド、イソフタル酸ジクロリド、イソフタル酸ジブロ
ミド、テレフタル酸ジクロリド、ナフタル酸ジクロリド
が挙げられる。又、アジピン酸モノメチルクロリド、マ
レイン酸モノエチルクロリド、マレイン酸モノメチルク
ロリド、フタル酸ブチルクロリドのようなジカルボン酸
のモノアルキルハロゲン化物も使用し得る。

【００２４】アルコール類は、一般式ＲＯＨで表わされ
る。式においてＲは炭素数１〜１２個のアルキル、アル
ケニル、シクロアルキル、アリール、アルアルキルであ
る。その具体例としては、メタノール、エタノール、プ
ロパノール、イソプロパノール、ブタノール、イソブタ
ノール、ペンタノール、ヘキサノール、オクタノール、
２−エチルヘキサノール、シクロヘキサノール、ベンジ
ルアルコール、アリルアルコール、フェノール、クレゾ
ール、キシレノール、エチルフェノール、イソプロピル
フェノール、ｐ−ターシャリーブチルフェノール、ｎ−
オクチルフェノール等である。

【００２５】エーテル類は、一般式ＲＯＲ¹ で表わされ
る。式においてＲ，Ｒ¹ は炭素数１〜１２個のアルキ
ル、アルケニル、シクロアルキル、アリール、アルアル
キルであり、ＲとＲ¹ は同じでも異ってもよい。その具
体例としては、ジエチルエーテル、ジイソプロピルエー
テル、ジブチルエーテル、ジイソブチルエーテル、ジイ
ソアミルエーテル、ジ−２−エチルヘキシルエーテル、
ジアリルエーテル、エチルアリルエーテル、ブチルアリ
ルエーテル、ジフェニルエーテル、アニソール、エチル
フェニルエーテル等である。

【００２６】成分Ａの調製法としては、金属酸化物
（成分１）、マグネシウム化合物（成分２）、チタン化
合物（成分３）及び電子供与性化合物（成分４）をその
順序に接触させる。成分１と成分２を接触させた後、
成分４と成分３をその順序に接触させる。成分１，成
分２を接触させた後、成分３と成分４を同時に用いて接
触させる、成分２と成分３を接触させた後、成分４と
成分１をその順序に接触させる、成分２と成分４を接
触させた後、成分３と成分１をその順序に接触させる、
成分２，成分３及び成分４を同時に接触させた後、成
分１を接触させる等の方法が採用し得る。又、成分３を
用いて接触させる前にハロゲン含有化合物と接触させる
こともできる。

【００２７】ハロゲン含有化合物としては、ハロゲン化
炭化水素、ハロゲン含有アルコール、水素−珪素結合を
有するハロゲン化珪素化合物、周期表第IIａ族、IVａ
族、Ｖａ族元素のハロゲン化物（以下、金属ハライドと
いう。）等が挙げられる。

【００２８】ハロゲン化炭化水素としては、炭素数１〜
１２個の飽和又は不飽和の脂肪族、脂環式及び芳香族炭
化水素のモノ及びポリハロゲン置換体である。それら化
合物の具体的な例は、脂肪族化合物では、メチルクロラ
イド、メチルブロマイド、メチルアイオダイド、メチレ
ンクロライド、メチレンブロマイド、メチレンアイオダ
イド、クロロホルム、ブロモホルム、ヨードホルム、四
塩化炭素、四臭化炭素、四沃化炭素、エチルクロライ
ド、エチルブロマイド、エチルアイオダイド、１，２−
ジクロルエタン、１，２−ジブロムエタン、１，２−ジ
ヨードエタン、メチルクロロホルム、メチルブロモホル
ム、メチルヨードホルム、１，１，２−トリクロルエチ
レン、１，１，２−トリブロモエチレン、１，１，２,
２−テトラクロルエチレン、ペンタクロルエタン、ヘキ
サクロルエタン、ヘキサブロモエタン、ｎ−プロピルク
ロライド、１，２−ジクロルプロパン、ヘキサクロロプ
ロピレン、オクタクロロプロパン、デカブロモブタン、
塩素化パラフィンが、脂環式化合物ではクロロシクロプ
ロパン、テトラクロルシクロペンタン、ヘキサクロロシ
クロペンタジェン、ヘキサクロルシクロヘキサンが、芳
香族化合物ではクロルベンゼン、ブロモベンゼン、ｏ−
ジクロルベンゼン、ｐ−ジクロルベンゼン、ヘキサクロ
ロベンゼン、ヘキサブロモベンゼン、ベンゾトリクロラ
イド、ｐ−クロロベンゾトリクロライド等が挙げられ
る。これらの化合物は、一種のみならず二種以上用いて
もよい。

【００２９】ハロゲン含有アルコールとしては、一分子
中に一個又は二個以上の水酸基を有するモノ又は多価ア
ルコール中の、水酸基以外の任意の一個又は二個以上の
水素原子がハロゲン原子で置換された化合物を意味す
る。ハロゲン原子としては、塩素、臭素、ヨウ素、弗素
原子が挙げられるが、塩素原子が望ましい。

【００３０】それら化合物を例示すると、２−クロルエ
タノール、１−クロル−２−プロパノール、３−クロル
−１−プロパノール、１−クロル−２−メチル−２−プ
ロパノール、４−クロル−１−ブタノール、５−クロル
−１−ペンタノール、６−クロル−１−ヘキサノール、
３−クロル−１，２−プロパンジオール、２−クロルシ
クロヘキサノール、４−クロルベンズヒドロール、
（ｍ，ｏ，ｐ）−クロルベンジルアルコール、４−クロ
ルカテコール、４−クロル−（ｍ，ｏ）−クレゾール、
６−クロル−（ｍ，ｏ）−クレゾール、４−クロル−
３，５−ジメチルフェノール、クロルハイドロキノン、
２−ベンジル−４−クロルフェノール、４−クロル−１
−ナフトール、（ｍ，ｏ，ｐ）−クロルフェノール、ｐ
−クロル−α−メチルベンジルアルコール、２−クロル
−４−フェニルフェノール、６−クロルチモール、４−
クロルレゾルシン、２−ブロムエタノール、３−ブロム
−１−プロパノール、１−ブルム−２−プロパノール、
１−ブロム−２−ブタノール、２−ブロム−ｐ−クレゾ
ール、１−ブロム−２−ナフトール、６−ブロム−２−
ナフトール、（ｍ，ｏ，ｐ）−ブロムフェノール、４−
ブロムレゾルシン、（ｍ，ｏ，ｐ）−フロロフェノー
ル、ｐ−イオドフェノール：２，２−ジクロルエタノー
ル、２，３−ジクロル−１−プロパノール、１，３−ジ
クロル−２−プロパノール、３−クロル−１−（α−ク
ロルメチル）−１−プロパノール、２，３−ジブロム−
１−プロパノール、１，３−ジブロム−２−プロパノー
ル、２，４−ジブロムフェノール、２，４−ジブロム−
１−ナフトール：２，２，２−トリクロルエタノール、
１，１，１−トリクロル−２−プロパノール、β，β，
β−トリクロル−tert−ブタノール、２，３，４−トリ
クロルフェノール、２，４，５−トリクロルフェノー
ル、２，４，６−トリクロルフェノール、２，４，６−
トリブロムフェノール、２，３，５−トリブロム−２−
ヒドロキシトルエン、２，３，５−トリブロム−４−ヒ
ドロキシトルエン、２，２，２−トリフルオロエタノー
ル、α，α，α−トリフルオロ−ｍ−クレゾール、２，
４，６−トリイオドフェノール：２，３，４，６−テト
ラクロルフェノール、テトラクロルハイドロキノン、テ
トラクロルビスフェノールＡ、テトラブロムビスフェノ
ールＡ、２，２，３，３−テトラフルオロ−１−プロパ
ノール、２，３，５，６−テトラフルオロフェノール、
テトラフルオロレゾルシン等が挙げられる。

【００３１】水素−珪素結合を有するハロゲン化珪素化
合物としては、ＨＳｉＣｌ₃ , Ｈ₂ＳｉＣｌ₂ , Ｈ₃ Ｓ
ｉＣｌ，ＨＣＨ₃ ＳｉＣｌ₂ , ＨＣ₂ Ｈ₅ ＳｉＣｌ₂ ,
Ｈ（ｔ−Ｃ₄ Ｈ₉ ）ＳｉＣｌ₂ , ＨＣ₆ Ｈ₅ ＳｉＣ
ｌ₂ , Ｈ（ＣＨ₃ ）₂ ＳｉＣｌ，Ｈ（ｉ−Ｃ₃ Ｈ₇ ）Ｓ
ｉＣｌ, Ｈ₂ Ｃ₂ Ｈ₅ ＳｉＣｌ，Ｈ₂ （ｎ−Ｃ₄ Ｈ₉ ）
ＳｉＣｌ，Ｈ₂ （Ｃ₆ Ｈ₄ ＣＨ₃ ）ＳｉＣｌ, ＨＳｉＣ
ｌ（Ｃ₆ Ｈ₅ ）₂ 等が挙げられる。

【００３２】金属ハライドとしては、Ｂ, Ａｌ，Ｇａ,
Ｉｎ，Ｔｌ，Ｓｉ, Ｇｅ，Ｓｎ, Ｐｂ，Ａｓ, Ｓｂ，Ｂ
ｉの塩化物、弗化物、臭化物、ヨウ化物が挙げられ、特
にＢＣｌ₃ , ＢＢｒ₃ , ＢＩ₃ , ＡｌＣｌ₃ , ＡｌＢｒ
₃ , ＧａＣｌ₃ , ＧａＢｒ₃, ＩｎＣｌ₃ , ＴｌＣｌ₃ ,
ＳｉＣｌ₄ , ＳｎＣｌ₄ , ＳｂＣｌ₅ , ＳｂＦ₅ 等が
好適である。

【００３３】成分１，成分２及び成分３及び成分４、更
に必要に応じて接触させることのできるハロゲン含有化
合物との接触は、不活性媒体の存在下、又は不存在下、
混合攪拌するが、機械的に共粉砕することによりなされ
る。接触は４０〜１５０℃の加熱下で行うことができ
る。

【００３４】不活性媒体としては、ヘキサン、ヘプタ
ン、オクタン等の飽和脂肪族炭化水素、シクロペンタ
ン、シクロヘキサン等の飽和脂環式炭化水素、ベンゼ
ン、トルエン、キシレン等の芳香族炭化水素が使用し得
る。

【００３５】本発明における成分Ａの調製法の具体例と
しては、特開昭５８−１６２６０７号、同５５−９４９
０９号、同５５−１１５４０５号、同５７−１０８１０
７号、同６１−２１１０９号、同６１−１７４２０４
号、同６１−１７４２０５号、同６１−１７４２０６
号、同６２−７７０６号公報等に開示されている方法等
が挙げられる。より詳細には、 金属酸化物とマグネシウムジアルコキシドとの反応
生成物を、電子供与性化合物及び４価のハロゲン化チタ
ンと接触させる方法（特開昭５８−１６２６０７号公
報）、 無機酸化物とマグネシウムヒドロカルビルハライド
化合物との反応生成物を、ルイス塩基化合物及び四塩化
チタンと接触させる方法（特開昭５５−９４９０９号公
報）、 シリカ等の多孔質担体とアルキルマグネシウム化合
物との反応生成物を、チタン化合物と接触させる前に電
子供与性化合物及びハロゲン化珪素化合物と接触させる
方法（特開昭５５−１１５４０５号、同５７−１０８１
０７号公報）、 金属酸化物、アルコキシ基含有マグネシウム化合
物、オルト位にカルボキシル基を持つ芳香族多価カルボ
ン酸若しくはその誘導体及びチタン化合物を接触させる
方法（特開昭６１−１７４２０４号公報）、 金属酸化物、アルコキシ含有マグネシウム化合物、
水素−珪素結合を有する珪素化合物、電子供与性化合物
及びチタン化合物を接触させる方法（特開昭６１−１７
４２０５号公報）、 金属酸化物、アルコキシ含有マグネシウム化合物、
ハロゲン元素若しくはハロゲン含有化合物、電子供与性
化合物及びチタン化合物を接触させる方法（特開昭６１
−１７４２０６号公報）、 金属酸化物、ジヒドロカルビルマグネシウム及びハ
ロゲン含有アルコールを接触させることによって得られ
る反応生成物を、電子供与性化合物及びチタン化合物と
接触させる方法（特開昭６１−２１１０９号公報）、 金属酸化物、ヒドロカルビルマグネシウム及びヒド
ロカルビルオキシ基含有化合物（前記アルコキシ基含有
化合物に相当）を接触させることによって得られる固体
を、ハロゲン含有アルコールと接触させ、更に電子供与
性化合物及びチタン化合物と接触させる方法（特開昭６
２−７７０６号公報）である。これらの内でも〜の
方法が、特に，の方法が望ましい。

【００３６】上記のようにして成分Ａは調製されるが、
成分Ａは必要に応じて前記の不活性媒体で洗浄してもよ
く、更に乾燥してもよい。

【００３７】トリアルキルアルミニウム トリアルキルアルミニウム（以下、成分Ｂという。）
は、一般式ＡｌＲ₃ 〔但し、Ｒは炭素数１〜１２個のア
ルキル基を示す。〕で表わされる。その具体例として
は、トリメチルアルミニウム、トリエチルアルミニウ
ム、トリプロピルアルミニウム、トリイソプロピルアル
ミニウム、トリブチルアルミニウム、トリイソブチルア
ルミニウム、トリヘキシルアルミニウム等が挙げられ
る。

【００３８】有機珪素化合物 本発明の触媒成分を調製される際に用いられる有機珪素
化合物（以下、成分Ｃという。）は、前記一般式で表わ
される。該式において、Ｒ¹ は炭素数３〜１０個の脂肪
族若しくは脂環式炭化水素基であるが、望ましくはアル
キル基、アルケニル基等の脂肪族炭化水素基であり、特
に望ましくはアルキル基である。なお、アルキル基にあ
っては、分岐したアルキル基の場合、好結果を示すこと
が多い。Ｒ² は炭素数１〜１０個の脂肪族若しくは脂環
式炭化水素基又はＲ⁴ Ｏである。該炭化水素基として
は、望ましくはシクロアルキル基、シクロアルケニル
基、シクロアルカジエニル基等の脂環式炭化水素基であ
る。Ｒ⁴ ＯのＲ⁴ はＲ¹ と同意義である。Ｒ³ はメチル
基若しくはエチル基である。ｘは１若しくは２、ｙは０
若しくは１、ｚは２若しくは３であり、ｘ＋ｙ＋ｚ＝４
である。

【００３９】以下、成分Ｃの具体例を列挙する。なお、
以下において、Ｍｅ＝メチル、Ｅｔ＝エチル、Ｐｒ＝プ
ロピル、Ｂｕ＝ブチル、Ａｍｙ＝アミル、Ｈｅｘ＝ヘキ
シ、Ｏｃｔ＝オクチル、Ｄｅｃ＝デシル、ＣｙＰｅ＝シ
クロペンチル、ＣｙＨｅ＝シクロヘキシル、ＣｙＰｙ＝
シクロペンテニル、ＣｙＰｔ＝シクロペンタジエニル、
ＣｙＨｙ＝シクロヘキセニル基をそれぞれ示す。なお、
以下の具体例は、前記一般式において、Ｒ³ がメチル基
の場合についてのみであり、エチル基の場合は省略し
た。これら具体例のＲ³ のメチル基をエチル基に代えた
化合物も、具体例として上げることができる。

【００４０】○（Ｒ¹ Ｏ) ₂ Ｓｉ（ＯＲ³ ）₂ の化合物 （ｎ−ＰｒＯ）₂ Ｓｉ（ＯＭｅ）₂ ，（ｉ−ＰｒＯ）₂
Ｓｉ（ＯＭｅ）₂ ，（ｔ−ＢｕＯ）₂ Ｓｉ（ＯＭ
ｅ）₂ ，（ｓ−ＢｕＯ）₂ Ｓｉ（ＯＭｅ）₂ ，（ｎ−Ｂ
ｕＯ）₂ Ｓｉ（ＯＭｅ）₂ ，（ｉ−ＢｕＯ）₂ Ｓｉ（Ｏ
Ｍｅ）₂ ，（ｔ−ＡｍｙＯ）₂ Ｓｉ（ＯＭｅ）₂ ，（ｎ
−ＡｍｙＯ）₂ Ｓｉ（ＯＭｅ）₂ ，（ｎ−ＨｅｘＯ）₂
Ｓｉ（ＯＭｅ）₂ ，（ｎ−ＯｃｔＯ）₂ Ｓｉ（ＯＭｅ）
₂ ，（ｎ−ＤｅｃＯ）₂ Ｓｉ（ＯＭｅ）₂ ，（ＣｙＰｅ
Ｏ）₂ Ｓｉ（ＯＭｅ）₂ ，（ＣｙＨｅＯ）₂ Ｓｉ（ＯＭ
ｅ）₂ ，（ＣｙＰｙ）₂ Ｓｉ（ＯＭｅ）₂ ，（ＣｙＰｔ
Ｏ）₂ Ｓｉ（ＯＭｅ）₂ ，（ＣｙＨｙ）₂ Ｓｉ（ＯＭ
ｅ）₂ 。

【００４１】 ○（Ｒ¹ Ｏ) （Ｒ⁴ Ｏ) Ｓｉ（ＯＲ³ ）₂ の化合物 （ｉ−ＰｒＯ）（ｎ−ＢｕＯ）Ｓｉ（ＯＭｅ）₂ ，（ｎ
−ＰｒＯ）（ｔ−ＢｕＯ）Ｓｉ（ＯＭｅ）₂ ，（ｔ−Ｂ
ｕＯ）（ｎ−ＢｕＯ）Ｓｉ（ＯＭｅ）₂ ，（ｓ−Ｂｕ
Ｏ）（ｉ−ＢｕＯ）₂ Ｓｉ（ＯＭｅ）₂ ，（ｔ−Ａｍｙ
Ｏ）（ｎ−ＰｒＯ）Ｓｉ（ＯＭｅ）₂ ，（ｎ−Ａｍｙ
Ｏ）（ｉ−ＰｒＯ）Ｓｉ（ＯＭｅ）₂ ，（ｎ−ＢｕＯ）
（ｔ−ＡｍｙＯ）Ｓｉ（ＯＭｅ）₂ ，（ｓ−ＢｕＯ）
（ｓ−ＡｍｙＯ）Ｓｉ（ＯＭｅ）₂ ，（ｉ−ＢｕＯ）
（ｎ−ＡｍｙＯ）Ｓｉ（ＯＭｅ）₂ ，（ｔ−ＡｍｙＯ）
（ｎ−ＡｍｙＯ）Ｓｉ（ＯＭｅ）₂ ，（ｔ−ＡｍｙＯ）
（ｎ−ＨｅｘＯ）Ｓｉ（ＯＭｅ）₂ ，（ＣｙＰｅＯ）
（ｎ−ＰｒＯ）Ｓｉ（ＯＭｅ）₂ ，（ＣｙＰｅＯ）（ｉ
−ＰｒＯ）Ｓｉ（ＯＭｅ）₂ ，（ＣｙＰｅＯ）（ｎ−Ｂ
ｕＯ）Ｓｉ（ＯＭｅ）₂ ，（ＣｙＰｅＯ）（ｉ−Ｂｕ
Ｏ）Ｓｉ（ＯＭｅ）₂ ，（ＣｙＰｅＯ）（ｓ−ＢｕＯ）
Ｓｉ（ＯＭｅ）₂ ，（ＣｙＰｅＯ）（ｔ−ＢｕＯ）Ｓｉ
（ＯＭｅ）₂ ，（ＣｙＰｅＯ）（ｎ−ＡｍｙＯ）Ｓｉ
（ＯＭｅ）₂ ，（ＣｙＰｅＯ）（ｔ−ＡｍｙＯ）Ｓｉ
（ＯＭｅ）₂ ，（ＣｙＰｅＯ）（ｎ−ＨｅｘＯ）Ｓｉ
（ＯＭｅ）₂ ，（ＣｙＰｅＯ）（ｎ−ＯｃｔＯ）Ｓｉ
（ＯＭｅ）₂ ，（ＣｙＨｅＯ）（ｎ−ＰｒＯ）Ｓｉ（Ｏ
Ｍｅ）₂ ，（ＣｙＨｅＯ）（ｉ−ＰｒＯ）Ｓｉ（ＯＭ
ｅ）₂ ，（ＣｙＨｅＯ）（ｎ−ＢｕＯ）Ｓｉ（ＯＭｅ）
₂ ，（ＣｙＨｅＯ）（ｉ−ＢｕＯ）Ｓｉ（ＯＭｅ）₂ ，
（ＣｙＨｅＯ）（ｓ−ＢｕＯ）Ｓｉ（ＯＭｅ）₂，（Ｃ
ｙＨｅＯ）（ｔ−ＢｕＯ）Ｓｉ（ＯＭｅ）₂ ，（ＣｙＨ
ｅＯ）（ｎ−ＡｍｙＯ）Ｓｉ（ＯＭｅ）₂ ，（ＣｙＨｅ
Ｏ）（ｔ−ＡｍｙＯ）Ｓｉ（ＯＭｅ）₂ ，（ＣｙＨｅ
Ｏ）（ｎ−ＨｅｘＯ）Ｓｉ（ＯＭｅ）₂ ，（ＣｙＨｅ
Ｏ）（ｎ−ＯｃｔＯ）Ｓｉ（ＯＭｅ）₂ ，（ＣｙＰｙ
Ｏ）（ｎ−ＰｒＯ）Ｓｉ（ＯＭｅ）₂ ，（ＣｙＰｙＯ）
（ｉ−ＰｒＯ）Ｓｉ（ＯＭｅ）₂ ，（ＣｙＰｙＯ）（ｎ
−ＢｕＯ）Ｓｉ（ＯＭｅ）₂ ，（ＣｙＰｙＯ）（ｉ−Ｂ
ｕＯ）Ｓｉ（ＯＭｅ）₂ ，（ＣｙＰｙＯ）（ｓ−Ｂｕ
Ｏ）Ｓｉ（ＯＭｅ）₂ ，（ＣｙＰｙＯ）（ｔ−ＢｕＯ）
Ｓｉ（ＯＭｅ）₂ ，（ＣｙＰｙＯ）（ｎ−ＡｍｙＯ）Ｓ
ｉ（ＯＭｅ）₂ ，（ＣｙＰｙＯ）（ｔ−ＡｍｙＯ）Ｓｉ
（ＯＭｅ）₂ ，（ＣｙＰｙＯ）（ｎ−ＨｅｘＯ）Ｓｉ
（ＯＭｅ）₂ ，（ＣｙＰｙＯ）（ｎ−ＯｃｔＯ）Ｓｉ
（ＯＭｅ）₂ ，（ＣｙＰｔＯ）（ｎ−ＰｒＯ）Ｓｉ（Ｏ
Ｍｅ）₂ ，（ＣｙＰｔＯ）（ｉ−ＰｒＯ）Ｓｉ（ＯＭ
ｅ）₂ ，（ＣｙＰｔＯ）（ｎ−ＢｕＯ）Ｓｉ（ＯＭｅ）
₂ ，（ＣｙＰｔＯ）（ｉ−ＢｕＯ）Ｓｉ（ＯＭｅ）₂ ，
（ＣｙＰｔＯ）（ｓ−ＢｕＯ）Ｓｉ（ＯＭｅ）₂，（Ｃ
ｙＰｔＯ）（ｔ−ＢｕＯ）Ｓｉ（ＯＭｅ）₂ ，（ＣｙＰ
ｔＯ）（ｎ−ＡｍｙＯ）Ｓｉ（ＯＭｅ）₂ ，（ＣｙＰｔ
Ｏ）（ｔ−ＡｍｙＯ）Ｓｉ（ＯＭｅ）₂ ，（ＣｙＰｔ
Ｏ）（ｎ−ＨｅｘＯ）Ｓｉ（ＯＭｅ）₂ ，（ＣｙＰｔ
Ｏ）（ｎ−ＯｃｔＯ）Ｓｉ（ＯＭｅ）₂ ，（ＣｙＨｙ
Ｏ）（ｎ−ＰｒＯ）Ｓｉ（ＯＭｅ）₂ ，（ＣｙＨｙＯ）
（ｉ−ＰｒＯ）Ｓｉ（ＯＭｅ）₂ ，（ＣｙＨｙＯ）（ｎ
−ＢｕＯ）Ｓｉ（ＯＭｅ）₂ ，（ＣｙＨｙＯ）（ｉ−Ｂ
ｕＯ）Ｓｉ（ＯＭｅ）₂ ，（ＣｙＨｙＯ）（ｓ−Ｂｕ
Ｏ）Ｓｉ（ＯＭｅ）₂ ，（ＣｙＨｙＯ）（ｔ−ＢｕＯ）
Ｓｉ（ＯＭｅ）₂ ，（ＣｙＨｙＯ）（ｎ−ＡｍｙＯ）Ｓ
ｉ（ＯＭｅ）₂ ，（ＣｙＨｙＯ）（ｔ−ＡｍｙＯ）Ｓｉ
（ＯＭｅ）₂ ，（ＣｙＨｙＯ）（ｎ−ＨｅｘＯ）Ｓｉ
（ＯＭｅ）₂ ，（ＣｙＨｙＯ）（ｎ−ＯｃｔＯ）Ｓｉ
（ＯＭｅ）₂ 。

【００４２】 ○（Ｒ¹ Ｏ) Ｒ² Ｓｉ（ＯＲ³ ）₂ の化合物 （ｉ−ＰｒＯ）ＭｅＳｉ（ＯＭｅ）₂ ，（ｉ−ＰｒＯ）
ｎ−ＰｒＳｉ（ＯＭｅ）₂ ，（ｎ−ＰｒＯ）ｔ−Ａｍｙ
Ｓｉ（ＯＭｅ）₂ ，（ｉ−ＰｒＯ）ｎ−ＨｅｘＳｉ（Ｏ
Ｍｅ）₂ ，（ｎ−ＢｕＯ）ＭｅＳｉ（ＯＭｅ）₂ ，（ｔ
−ＢｕＯ）ＭｅＳｉ（ＯＭｅ）₂ ，（ｓ−ＢｕＯ）Ｅｔ
Ｓｉ（ＯＭｅ）₂ ，（ｉ−ＢｕＯ）ｉ−ＰｒＳｉ（ＯＭ
ｅ）₂ ，（ｔ−ＢｕＯ）ｔ−ＢｕＳｉ（ＯＭｅ）₂ ，
（ｎ−ＢｕＯ）ｓ−ＢｕＳｉ（ＯＭｅ）₂ ，（ｔ−Ｂｕ
Ｏ）ｎ−ＡｍｙＳｉ（ＯＭｅ）₂ ，（ｎ−ＡｍｙＯ）ｉ
−ＰｒＳｉ（ＯＭｅ）₂ ，（ｔ−ＡｍｙＯ）ｔ−ＢｕＳ
ｉ（ＯＭｅ）₂ ，（ｔ−ＡｍｙＯ）ｔ−ＡｍｙＳｉ（Ｏ
Ｍｅ）₂ ，（ｔ−ＡｍｙＯ）ＭｅＳｉ（ＯＭｅ）₂ ，
（ｎ−ＡｍｙＯ）ＥｔＳｉ（ＯＭｅ）₂ ，（ｎ−Ｈｅｘ
Ｏ）ＭｅＳｉ（ＯＭｅ）₂ ，（ｎ−ＨｅｘＯ）ＥｔＳｉ
（ＯＭｅ）₂ ，（ｎ−ＨｅｘＯ）ｉ−ＰｒＳｉ（ＯＭ
ｅ）₂ ，（ｎ−ＨｅｘＯ）ｔ−ＢｕＳｉ（ＯＭｅ） ₂ ，
（ｎ−ＨｅｘＯ）ｎ−ＨｅｘＳｉ（ＯＭｅ）₂ ，（ｎ−
ＨｅｘＯ）ｎ−ＯｃｔＳｉ（ＯＭｅ）₂ ，（ｎ−Ｏｃｔ
Ｏ）ＭｅＳｉ（ＯＭｅ）₂ ，（ｎ−ＯｃｔＯ）ｎ−Ｏｃ
ｔＳｉ（ＯＭｅ）₂ ，（ｉ−ＰｒＯ）ＣｙＰｅＳｉ（Ｏ
Ｍｅ）₂ ，（ｎ−ＰｒＯ）ＣｙＰｅＳｉ（ＯＭｅ）₂ ，
（ｎ−ＢｕＯ）ＣｙＰｅＳｉ（ＯＭｅ）₂ ，（ｉ−Ｂｕ
Ｏ）ＣｙＰｅＳｉ（ＯＭｅ）₂ ，（ｓ−ＢｕＯ）ＣｙＰ
ｅＳｉ（ＯＭｅ）₂ ，（ｔ−ＢｕＯ）ＣｙＰｅＳｉ（Ｏ
Ｍｅ）₂ ，（ｎ−ＡｍｙＯ）ＣｙＰｅＳｉ（ＯＭ
ｅ）₂ ，（ｔ−ＡｍｙＯ）ＣｙＰｅＳｉ（ＯＭｅ）₂ ，
（ｎ−ＨｅｘＯ）ＣｙＰｅＳｉ（ＯＭｅ）₂ ，（ｎ−Ｏ
ｃｔ）ＣｙＰｅＳｉ（ＯＭｅ） ₂ ，（ｉ−ＰｒＯ）Ｃｙ
ＨｅＳｉ（ＯＭｅ）₂ ，（ｎ−ＰｒＯ）ＣｙＨｅＳｉ
（ＯＭｅ）₂ ，（ｎ−ＢｕＯ）ＣｙＨｅＳｉ（ＯＭｅ）
₂ ，（ｉ−ＢｕＯ）ＣｙＨｅＳｉ（ＯＭｅ）₂ ，（ｓ−
ＢｕＯ）ＣｙＨｅＳｉ（ＯＭｅ）₂ ，（ｔ−ＢｕＯ）Ｃ
ｙＨｅＳｉ（ＯＭｅ）₂ ，（ｎ−ＡｍｙＯ）ＣｙＨｅＳ
ｉ（ＯＭｅ）₂ ，（ｔ−ＡｍｙＯ）ＣｙＨｅＳｉ（ＯＭ
ｅ）₂ ，（ｎ−ＨｅｘＯ）ＣｙＨｅＳｉ（ＯＭｅ）₂ ，
（ｎ−Ｏｃｔ）ＣｙＨｅＳｉ（ＯＭｅ）₂ ，（ｎ−Ｐｒ
Ｏ）ＣｙＰｙＳｉ（ＯＭｅ）₂ ，（ｉ−ＰｒＯ）ＣｙＰ
ｙＳｉ（ＯＭｅ）₂ ，（ｎ−ＢｕＯ）ＣｙＰｙＳｉ（Ｏ
Ｍｅ）₂ ，（ｉ−ＢｕＯ）ＣｙＰｙＳｉ（ＯＭｅ）₂ ，
（ｓ−ＢｕＯ）ＣｙＰｙＳｉ（ＯＭｅ）₂ ，（ｔ−Ｂｕ
Ｏ）ＣｙＰｙＳｉ（ＯＭｅ）₂，（ｎ−ＡｍｙＯ）Ｃｙ
ＰｙＳｉ（ＯＭｅ）₂ ，（ｔ−ＡｍｙＯ）ＣｙＰｙＳｉ
（ＯＭｅ）₂ ，（ｎ−ＨｅｘＯ）ＣｙＰｙＳｉ（ＯＭ
ｅ）₂ ，（ｎ−Ｏｃｔ）ＣｙＰｙＳｉ（ＯＭｅ）₂ ，
（ｎ−ＰｒＯ）ＣｙＰｔＳｉ（ＯＭｅ）₂ ，（ｉ−Ｐｒ
Ｏ）ＣｙＰｔＳｉ（ＯＭｅ）₂ ，（ｎ−ＢｕＯ）ＣｙＰ
ｔＳｉ（ＯＭｅ）₂ ，（ｉ−ＢｕＯ）ＣｙＰｔＳｉ（Ｏ
Ｍｅ）₂ ，（ｓ−ＢｕＯ）ＣｙＰｔＳｉ（ＯＭｅ）₂ ，
（ｔ−ＢｕＯ）ＣｙＰｔＳｉ（ＯＭｅ）₂ ，（ｎ−Ａｍ
ｙＯ）ＣｙＰｔＳｉ（ＯＭｅ）₂ ，（ｔ−ＡｍｙＯ）Ｃ
ｙＰｔＳｉ（ＯＭｅ）₂ ，（ｎ−ＨｅｘＯ）ＣｙＰｔＳ
ｉ（ＯＭｅ）₂ ，（ｎ−Ｏｃｔ）ＣｙＰｔＳｉ（ＯＭ
ｅ）₂ ，（ｎ−ＰｒＯ）ＣｙＨｙＳｉ（ＯＭｅ）₂ ，
（ｉ−ＰｒＯ）ＣｙＨｙＳｉ（ＯＭｅ）₂ ，（ｎ−Ｂｕ
Ｏ）ＣｙＨｙＳｉ（ＯＭｅ）₂ ，（ｉ−ＰｒＯ）ＣｙＨ
ｙＳｉ（ＯＭｅ）₂ ，（ｓ−ＢｕＯ）ＣｙＨｙＳｉ（Ｏ
Ｍｅ）₂ ，（ｔ−ＢｕＯ）ＣｙＨｙＳｉ（ＯＭｅ）₂ ，
（ｎ−ＡｍｙＯ）ＣｙＨｙＳｉ（ＯＭｅ）₂ ，（ｔ−Ａ
ｍｙＯ）ＣｙＨｙＳｉ（ＯＭｅ）₂ ，（ｎ−ＨｅｘＯ）
ＣｙＨｙＳｉ（ＯＭｅ） ₂ ，（ｎ−ＯｃｔＯ）ＣｙＨｙ
Ｓｉ（ＯＭｅ）₂ ，（ＣｙＰｅＯ）ＭｅＳｉ（ＯＭｅ）
₂ ，（ＣｙＰｅＯ）ＥｔＳｉ（ＯＭｅ）₂ ，（ＣｙＰｅ
Ｏ）ｎ−ＰｒＳｉ（ＯＭｅ）₂ ，（ＣｙＰｅＯ）ｉ−Ｐ
ｒＳｉ（ＯＭｅ）₂ ，（ＣｙＰｅＯ）ｎ−ＢｕＳｉ（Ｏ
Ｍｅ）₂ ，（ＣｙＰｅＯ）ｉ−ＢｕＳｉ（ＯＭｅ）₂ ，
（ＣｙＰｅＯ）ｓ−ＢｕＳｉ（ＯＭｅ）₂ ，（ＣｙＰｅ
Ｏ）ｔ−ＢｕＳｉ（ＯＭｅ）₂ ，（ＣｙＰｅＯ）ｎ−Ａ
ｍｙＳｉ（ＯＭｅ）₂ ，（ＣｙＰｅＯ）ｔ−ＡｍｙＳｉ
（ＯＭｅ）₂ ，（ＣｙＰｅＯ）ｎ−ＨｅｘＳｉ（ＯＭ
ｅ）₂ ，（ＣｙＰｅＯ）ｎ−ＯｃｔＳｉ（ＯＭｅ）₂ ，
（ＣｙＨｅＯ）ＭｅＳｉ（ＯＭｅ）₂ ，（ＣｙＨｅＯ）
ＥｔＳｉ（ＯＭｅ）₂ ，（ＣｙＨｅＯ）ｎ−ＰｒＳｉ
（ＯＭｅ）₂ ，（ＣｙＨｅＯ）ｉ−ＰｒＳｉ（ＯＭｅ）
₂ ，（ＣｙＨｅＯ）ｎ−ＢｕＳｉ（ＯＭｅ）₂ ，（Ｃｙ
ＨｅＯ）ｉ−ＢｕＳｉ（ＯＭｅ）₂ ，（ＣｙＨｅＯ）ｓ
−ＢｕＳｉ（ＯＭｅ）₂ ，（ＣｙＨｅＯ）ｔ−ＢｕＳｉ
（ＯＭｅ）₂ ，（ＣｙＨｅＯ）ｎ−ＡｍｙＳｉ（ＯＭ
ｅ）₂ ，（ＣｙＨｅＯ）ｔ−ＡｍｙＳｉ（ＯＭｅ）₂ ，
（ＣｙＨｅＯ）ｎ−ＨｅｘＳｉ（ＯＭｅ）₂ ，（ＣｙＨ
ｅＯ）ｎ−ＯｃｔＳｉ（ＯＭｅ）₂ ，（ＣｙＰｙＯ）Ｍ
ｅＳｉ（ＯＭｅ）₂ ，（ＣｙＰｙＯ）ＥｔＳｉ（ＯＭ
ｅ）₂ ，（ＣｙＰｙＯ）ｎ−ＰｒＳｉ（ＯＭｅ）₂ ，
（ＣｙＰｙＯ）ｉ−ＰｒＳｉ（ＯＭｅ）₂ ，（ＣｙＰｙ
Ｏ）ｎ−ＢｕＳｉ（ＯＭｅ）₂ ，（ＣｙＰｙＯ）ｉ−Ｂ
ｕＳｉ（ＯＭｅ）₂ ，（ＣｙＰｙＯ）ｓ−ＢｕＳｉ（Ｏ
Ｍｅ）₂ ，（ＣｙＰｙＯ）ｔ−ＢｕＳｉ（ＯＭｅ）₂ ，
（ＣｙＰｙＯ）ｎ−ＡｍｙＳｉ（ＯＭｅ）₂ ，（ＣｙＰ
ｙＯ）ｔ−ＡｍｙＳｉ（ＯＭｅ）₂ ，（ＣｙＰｙＯ）ｎ
−ＨｅｘＳｉ（ＯＭｅ） ₂ ，（ＣｙＰｙＯ）ｎ−Ｏｃｔ
Ｓｉ（ＯＭｅ）₂ ，（ＣｙＰｔＯ）ＭｅＳｉ（ＯＭｅ）
₂ ，（ＣｙＰｔＯ）ＥｔＳｉ（ＯＭｅ）₂ ，（ＣｙＰｔ
Ｏ）ｎ−ＰｒＳｉ（ＯＭｅ）₂ ，（ＣｙＰｔＯ）ｉ−Ｐ
ｒＳｉ（ＯＭｅ）₂ ，（ＣｙＰｔＯ）ｎ−ＢｕＳｉ（Ｏ
Ｍｅ）₂ ，（ＣｙＰｔＯ）ｉ−ＢｕＳｉ（ＯＭｅ）₂ ，
（ＣｙＰｔＯ）ｓ−ＢｕＳｉ（ＯＭｅ）₂ ，（ＣｙＰｔ
Ｏ）ｔ−ＢｕＳｉ（ＯＭｅ）₂ ，（ＣｙＰｔＯ）ｎ−Ａ
ｍｙＳｉ（ＯＭｅ）₂ ，（ＣｙＰｔＯ）ｔ−ＡｍｙＳｉ
（ＯＭｅ）₂ ，（ＣｙＰｔＯ）ｎ−ＨｅｘＳｉ（ＯＭ
ｅ）₂ ，（ＣｙＰｔＯ）ｎ−ＯｃｔＳｉ（ＯＭｅ）₂ ，
（ＣｙＨｙＯ）ＭｅＳｉ（ＯＭｅ）₂ ，（ＣｙＨｙＯ）
ＥｔＳｉ（ＯＭｅ）₂ ，（ＣｙＨｙＯ）ｎ−ＰｒＳｉ
（ＯＭｅ）₂ ，（ＣｙＨｙＯ）ｉ−ＰｒＳｉ（ＯＭｅ）
₂ ，（ＣｙＨｙＯ）ｎ−ＢｕＳｉ（ＯＭｅ）₂ ，（Ｃｙ
ＨｙＯ）ｉ−ＢｕＳｉ（ＯＭｅ）₂ ，（ＣｙＨｙＯ）ｓ
−ＢｕＳｉ（ＯＭｅ）₂ ，（ＣｙＨｙＯ）ｔ−ＢｕＳｉ
（ＯＭｅ）₂ ，（ＣｙＨｙＯ）ｎ−ＡｍｙＳｉ（ＯＭ
ｅ）₂ ，（ＣｙＨｙＯ）ｔ−ＡｍｙＳｉ（ＯＭｅ）₂ ，
（ＣｙＨｙＯ）ｎ−ＨｅｘＳｉ（ＯＭｅ）₂ ，（ＣｙＨ
ｙＯ）ｎ−ＯｃｔＳｉ（ＯＭｅ）₂ ，（ＣｙＰｅＯ）Ｃ
ｙＰｅＳｉ（ＯＭｅ）₂ ，（ＣｙＰｅＯ）ＣｙＨｅＳｉ
（ＯＭｅ）₂ ，（ＣｙＰｅＯ）ＣｙＰｙＳｉ（ＯＭｅ）
₂ ，（ＣｙＰｅＯ）ＣｙＰｔＳｉ（ＯＭｅ）₂ ，（Ｃｙ
ＰｅＯ）ＣｙＨｙＳｉ（ＯＭｅ）₂ ，（ＣｙＨｅＯ）Ｃ
ｙＰｅＳｉ（ＯＭｅ）₂ ，（ＣｙＨｅＯ）ＣｙＨｅＳｉ
（ＯＭｅ）₂ ，（ＣｙＨｅＯ）ＣｙＰｙＳｉ（ＯＭｅ）
₂ ，（ＣｙＨｅＯ）ＣｙＰｔＳｉ（ＯＭｅ）₂ ，（Ｃｙ
ＨｅＯ）ＣｙＨｙＳｉ（ＯＭｅ）₂ ，（ＣｙＰｙＯ）Ｃ
ｙＰｅＳｉ（ＯＭｅ）₂ ，（ＣｙＰｙＯ）ＣｙＨｅＳｉ
（ＯＭｅ）₂ ，（ＣｙＰｙＯ）ＣｙＰｙＳｉ（ＯＭｅ）
₂ ，（ＣｙＰｙＯ）ＣｙＰｔＳｉ（ＯＭｅ）₂ ，（Ｃｙ
ＰｙＯ）ＣｙＨｙＳｉ（ＯＭｅ）₂ ，（ＣｙＰｔＯ）Ｃ
ｙＰｅＳｉ（ＯＭｅ）₂ ，（ＣｙＰｔＯ）ＣｙＨｅＳｉ
（ＯＭｅ）₂ ，（ＣｙＰｔＯ）ＣｙＰｙＳｉ（ＯＭｅ）
₂ ，（ＣｙＰｔＯ）ＣｙＰｔＳｉ（ＯＭｅ）₂ ，（Ｃｙ
ＰｔＯ）ＣｙＨｙＳｉ（ＯＭｅ）₂ ，（ＣｙＨｙＯ）Ｃ
ｙＰｅＳｉ（ＯＭｅ）₂ ，（ＣｙＨｙＯ）ＣｙＨｅＳｉ
（ＯＭｅ）₂ ，（ＣｙＨｙＯ）ＣｙＰｙＳｉ（ＯＭｅ）
₂ ，（ＣｙＨｙＯ）ＣｙＰｔＳｉ（ＯＭｅ）₂ ，（Ｃｙ
ＨｙＯ）ＣｙＨｙＳｉ（ＯＭｅ）₂ 。

【００４３】○（Ｒ¹ Ｏ）Ｓｉ（ＯＲ³ ）₃ の化合物 （ｉ−ＰｒＯ）Ｓｉ（ＯＭｅ）₃ , （ｎ−ＢｕＯ）Ｓｉ
（ＯＭｅ）₃ , （ｓ−ＢｕＯ）Ｓｉ（ＯＭｅ）₃ , （ｉ
−ＢｕＯ）Ｓｉ（ＯＭｅ）₃ , （ｔ−ＢｕＯ）Ｓｉ（Ｏ
Ｍｅ）₃ , （ｔ−ＡｍｙＯ）Ｓｉ（ＯＭｅ）₃ , （ｎ−
ＡｍｙＯ）Ｓｉ（ＯＭｅ）₃ , （ｎ−ＨｅｘＯ）Ｓｉ
（ＯＭｅ）₃ , （ｎ−ＯｃｔＯ）Ｓｉ（ＯＭｅ）₃ ,
（ｎ−ＤｅｃＯ）Ｓｉ（ＯＭｅ）₃ , （ＣｙＰｔＯ）Ｓ
ｉ（ＯＭｅ） ₃ , （ＣｙＨｅＯ）Ｓｉ（ＯＭｅ）₃ ,
（ＣｙＰｙＯ）Ｓｉ（ＯＭｅ）₃ , （ＣｙＰｔＯ）Ｓｉ
（ＯＭｅ）₃ , （ＣｙＨｙＯ）Ｓｉ（ＯＭｅ）₃ 。

【００４４】予備重合 固体成分（成分Ａ）の予備重合は、トリアルキルアルミ
ニウム化合物（成分Ｂ）及び有機珪素化合物（成分Ｃ）
の存在下、オレフィンと接触させることによりなされ
る。

【００４５】オレフィンとしては、エチレンの他、プロ
ピレン，１−ブテン，１−ヘキセン，４−メチル−１−
ペンテン等のα−オレフィンが使用し得る。

【００４６】予備重合は、前記の不活性媒体の存在下で
行うのが望ましい。予備重合は、通常１００℃以下の温
度、望ましくは−３０℃〜＋３０℃、更に望ましくは−
２０℃〜＋１５℃の温度で行なわれる。重合方式として
は、バッチ式、連続式のいずれでもよく、又二段以上の
多段で行ってもよい。多段で行う場合、重合条件をそれ
ぞれ変え得ることは当然である。

【００４７】成分Ｂは、予備重合系での濃度が５０〜５
００ミリモル／リットル、望ましくは８０〜２００ミリ
モル／リットルになるように用いられ、又成分Ａ中のチ
タン１グラム原子当り、４〜５０，０００モル、望まし
くは６〜１，０００モルとなるように用いられる。

【００４８】成分Ｃは、予備重合系での濃度が１〜１０
０ミリモル／リットル、望ましくは５〜５０ミリモル／
リットルになるように用いられる。

【００４９】予備重合により成分Ａ中にオレフィンボリ
マーが取り込まれるが、そのポリマー量を成分Ａ１ｇ当
り０．１〜２００ｇ、特に０．５〜５０ｇとするのが望
ましい。

【００５０】上記のようにして調製された本発明の触媒
成分は、前記の不活性媒体で希釈或いは洗浄することが
できるが、触媒成分の保存劣化を防止する観点からは、
特に洗浄するのが望ましい。洗浄後、必要に応じて乾燥
してもよい。又、触媒成分を保存する場合は、出来る丈
低温で保存するのが望ましく、−５０℃〜＋３０℃、特
に−２０℃〜＋５℃の温度範囲が推奨される。

【００５１】α−オレフィンの重合 上記のようにして得られた本発明の触媒成分は、有機金
属化合物、更には必要に応じて電子供与性化合物と組み
合せて炭素数３〜１０個のα−オレフィンの単独重合又
は他のモノオレフィン若しくは炭素数３〜１０個のジオ
レフィンとの共重合の触媒として有用であるが、特に炭
素数３ないし６個のα−オレフィン、例えばプロピレ
ン、１−ブテン、４−メチル−１−ペンテン、１−ヘキ
セン等の単独重合又は上記のα−オレフィン相互及び／
又はエチレンとのランダム及びブロック共重合の触媒と
して極めて優れた性能を示す。

【００５２】用い得る有機金属化合物は、周期表第Ｉ族
ないし第III 族金属の有機化合物である。該化合物とし
ては、リチウム、マグネシウム、カルシウム、亜鉛及び
アルミニウムの有機化合物が使用し得る。これらの中で
も特に、有機アルミニウム化合物が好適である。用い得
る有機アルミニウム化合物としては、一般式Ｒ_n ＡｌＸ
_3-n （但し、Ｒはアルキル基又はアリール基、Ｘはハロ
ゲン原子、アルコキシ基又は水素原子を示し、ｎは１≦
ｎ≦３の範囲の任意の数である。）で示されるものであ
り、例えばトリアルキルアルミニウム、ジアルキルアル
ミニウムモノハライド、モノアルキルアルミニウムジハ
ライド、アルキルアルミニウムセスキハライド、ジアル
キルアルミニウムモノアルコキシド及びジアルキルアル
ミニウムモノハイドライドなどの炭素数１ないし１８
個、好ましくは炭素数２ないし６個のアルキルアルミニ
ウム化合物又はその混合物もしくは錯化合物が特に好ま
しい。具体的には、トリメチルアルミニウム、トリエチ
ルアルミニウム、トリプロピルアルミニウム、トリイソ
ブチルアルミニウム、トリヘキシルアルミニウムなどの
トリアルキルアルミニウム、ジメチルアルミニウムクロ
リド、ジエチルアルミニウムクロリド、ジエチルアルミ
ニウムブロミド、ジエチルアルミニウムアイオダイド、
ジイソブチルアルミニウムクロリドなどのジアルキルア
ルミニウムモノハライド、メチルアルミニウムジクロリ
ド、エチルアルミニウムジクロリド、メチルアルミニウ
ムジブロミド、エチルアルミニウムジブロミド、エチル
アルミニウムジアイオダイド、イソブチルアルミニウム
ジクロリドなどのモノアルキルアルミニウムジハライ
ド、エチルアルミニウムセスキクロリドなどのアルキル
アルミニウムセスキハライド、ジメチルアルミニウムメ
トキシド、ジエチルアルミニウムエトキシド、ジエチル
アルミニウムフェノキシド、ジプロピルアルミニウムエ
トキシド、ジイソブチルアルミニウムエトキシド、ジイ
ソブチルアルミニウムフェノキシドなどのジアルキルア
ルミニウムモノアルコキシド、ジメチルアルミニウムハ
イドライド、ジエチルアルミニウムハイドライド、ジプ
ロピルアルミニウムハイドライド、ジイソブチルアルミ
ニウムハイドライドなどのジアルキルアルミニウムハイ
ドライドが挙げられる。これらの中でも、トリアルキル
アルミニウムが、特にトリエチルアルミニウム、トリイ
ソブチルアルミニウムが望ましい。又、これらトリアル
キルアルミニウムは、その他の有機アルミニウム化合
物、例えば、工業的に入手し易いジエチルアルミニウム
クロリド、エチルアルミニウムジクロリド、エチルアル
ミニウムセスキクロリド、ジエチルアルミニウムエトキ
シド、ジエチルアルミニウムハイドライド又はこれらの
混合物若しくは錯化合物等と併用することができる。

【００５３】又、酸素原子や窒素原子を介して２個以上
のアルミニウムが結合した有機アルミニウム化合物も使
用可能である。そのような化合物としては、例えば

【化３】 等を例示できる。

【００５４】アルミニウム金属以外の金属の有機化合物
としては、ジエチルマグネシウム、エチルマグネシウム
クロリド、ジエチル亜鉛等の他ＬｉＡｌ（Ｃ
₂ Ｈ₅ ）₄ ，ＬｉＡｌ（Ｃ₇ Ｈ₁₅）₄ 等の化合物が挙げ
られる。

【００５５】本発明の触媒成分及び有機金属化合物と必
要に応じて組み合せることができる電子供与性化合物と
しては、前記成分Ａを調製する際に用いられる化合物及
び前記予備重合の際に用いられる有機珪素化合物（成分
Ｃ）の中から適宜選ばれる他、該珪素化合物以外の有機
珪素化合物からなる電子供与性化合物や、窒素、イオ
ウ、酸素、リン等のヘテロ原子を含む電子供与性化合物
も使用可能である。

【００５６】有機珪素化合物の具体例としては、テトラ
メトキシシラン、テトラエトキシシラン、テトラブトキ
シシラン、テトライソブトキシシラン、テトラフェノキ
シシラン、テトラ（ｐ−メチルフェノキシ）シラン、テ
トラベンジルオキシシラン、メチルトリメトキシシラ
ン、メチルトリエトキシシラン、メチルトリブトキシシ
ラン、メチルトリフェノキシシラン、エチルトリエトキ
シシラン、エチルトリイソブトキシシラン、エチルトリ
フェノキシシラン、ブチルトリメトキシシラン、ブチル
トリエトキシシラン、ブチルトリブトキシシラン、ブチ
ルトリフェノキシシラン、イソブチルトリイソブトキシ
シラン、ビニルトリエトキシシラン、アリルトリメトキ
シシラン、ジメチルジイソプロポキシシラン、ジメチル
ジブトキシシラン、ジメチルジヘキシルオキシシラン、
ジメチルジフェノキシシラン、ジエチルジエトキシシラ
ン、ジエチルジイソブトキシシラン、ジエチルジフェノ
キシシラン、ジブチルジイソプロポキシシラン、ジブチ
ルジブトキシシラン、ジブチルジフェノキシシラン、ジ
イソブチルジエトキシシラン、ジイソブチルジイソブト
キシシラン、ジフェニルジメトキシシラン、ジフェニル
ジエトキシシラン、ジフェニルジブトキシシラン、ジベ
ンジルジエトキシシラン、ジビニルジフェノキシシラ
ン、ジアリルジプロポキシシラン、ジフェニルジアリル
オキシシラン、メチルフェニルジメトキシシラン、クロ
ロフェニルジエトキシシラン等が挙げられる。

【００５７】ヘテロ原子を含む電子供与性化合物の具体
例としては、窒素原子を含む化合物として、２，２，
６，６−テトラメチルピペリジン、２，６−ジメチルピ
ペリジン、２，６−ジエチルピペリジン、２，６−ジイ
ソプロピルピペリジン、２，６−ジイソブチル−４−メ
チルピペリジン、１，２，２，６，６−ペンタメチルピ
ペリジン、２，２，５，５−テトラメチルピロリジン、
２，５−ジメチルピロリジン、２，５−ジエチルピロリ
ジン、２，５−ジイソプロピルピロリジン、１，２，
２，５，５−ペンタメチルピロリジン、２，２，５−ト
リメチルピロリジン、２−メチルピリジン、３−メチル
ピリジン、４−メチルピリジン、２，６−ジイソプロピ
ルピリジン、２、６−ジイソブチルピリジン、１，２，
４−トリメチルピペリジン、２，５−ジメチルピペリジ
ン、ニコチン酸メチル、ニコチン酸エチル、ニコチン酸
アミド、安息香酸アミド、２−メチルピロール、２，５
−ジメチルピロール、イミダゾール、トルイル酸アミ
ド、ベンゾニトリル、アセトニトリル、アニリン、パラ
トルイジン、オルトトルイジン、メタトルイジン、トリ
エチルアミン、ジエチルアミン、ジブチルアミン、テト
ラメチレンジアミン、トリブチルアミン等が、イオウ原
子を含む化合物として、チオフェノール、チオフェン、
２−チオフェンカルボン酸エチル、３−チオフェンカル
ボン酸エチル、２−メチルチオフェン、メチルメルカブ
タン、エチルメルカプタン、イソプロピルメルカプタ
ン、ブチルメルカプタン、ジエチルチオエーテル、ジフ
ェニルチオエーテル、ベンゼンスルフォン酸メチル、メ
チルサルファイト、エチルサルファイト等が、酸素原子
を含む化合物として、テトラヒドロフラン、２−メチル
テトラヒドロフラン、３−メチルテトラヒドロフラン、
２−メチルテトラヒドロフラン、２，２，５，５−テト
ラエチルテトラヒドロフラン、２，２，５，５−テトラ
メチルテトラヒドロフラン、２，２，６，６−テトラエ
チルテトラヒドロピラン、２，２，６，６−テトラヒド
ロピラン、ジオキサン、ジメチルエーテル、ジエチルエ
ーテル、ジブチルエーテル、ジイソアミルエーテル、ジ
フェニルエーテル、アニソール、アセトフェノン、アセ
トン、メチルエチルケトン、アセチルアセトン、ｏ−ト
リル−ｔ−ブチルケトン、メチル−２，６−ジｔ−ブチ
ルフェニルケトン、２−フラル酸エチル、２−フラル酸
イソアミル、２−フラル酸メチル、２−フラル酸プロピ
ル等が、リン原子を含む化合物として、トリフェニルホ
スフィン、トリブチルホスフィン、トリフェニルホスフ
ァイト、トリベンジルホスファイト、ジエチルホスフェ
ート、ジフェニルホスフェート等が挙げられる。

【００５８】これら電子供与性化合物は、二種以上用い
てもよい。又、これら電子供与性化合物は、有機金属化
合物を触媒成分と組合せて用いる際に用いてもよく、予
め有機金属化合物と接触させた上で用いてもよい。

【００５９】本発明の触媒成分に対する有機金属化合物
の使用量は、該触媒成分中のチタン１グラム原子当り、
通常１〜２，０００グラムモル、特に２０〜５００グラ
ムモルが望ましい。

【００６０】又、有機金属化合物と電子供与性化合物の
比率は、電子供与性化合物１モルに対して有機金属化合
物がアルミニウムとして０．１〜４０、好ましくは１〜
２５グラム原子の範囲で選ばれる。

【００６１】α−オレフィンの重合反応は、気相、液相
のいずれでもよく、液相で重合させる場合は、ノルマル
ブタン、イソブタン、ノルマルペンタン、イソペンタ
ン、ヘキサン、ヘプタン、オクタン、シクロヘキサン、
ベンゼン、トルエン、キシレン等の不活性炭化水素中及
び液状モノマー中で行うことができる。重合温度は、通
常−８０℃〜＋１５０℃、好ましくは４０〜１２０℃の
範囲である。重合圧力は、例えば１〜６０気圧でよい。
又、得られる重合体の分子量の調節は、水素若しくは他
の公知の分子量調節剤を存在せしめることにより行われ
る。又、共重合においてα−オレフィンに共重合させる
他のオレフィンの量は、α−オレフィンに対して通常３
０重量％迄、特に０．３〜１５重量％の範囲で選ばれ
る。重合反応は、連続又はバッチ式反応で行い、その条
件は通常用いられる条件でよい。又、共重合反応は一段
で行ってもよく、二段以上で行ってもよい。

【００６２】

【実施例】本発明を実施例及び応用例により具体的に説
明する。なお、例におけるパーセント（％）は特に断ら
ない限り重量による。ポリマー中の結晶性ポリマーの割
合を示すヘプタン不溶分（以下ＨＩと略称する。）は、
改良型ソックスレー抽出器で沸騰ｎ−ヘプタンにより６
時間抽出した場合の残量である。

【００６３】実施例１ 成分Ａの調製 滴下ロート及び攪拌機を取付けた２００mlのフラスコを
窒素ガスで置換した。このフラスコに、酸化ケイ素（Ｄ
ＡＶＩＳＯＮ社製、商品名Ｇ−９５２）を窒素気流中に
おいて２００℃で２時間、更に７００℃で５時間焼成し
たものを５ｇ及びｎ−ヘプタンを４０ml入れた。更にｎ
−ブチルエチルマグネシウム（以下、ＢＥＭという。）
の２０％ｎ−ヘプタン溶液（テキサスアルキルズ社製、
商品名ＭＡＧＡＬＡ ＢＥＭ）２０mlを加え、９０℃で
１時間攪拌した。上記懸濁液を０℃に冷却した後、これ
にテトラエトキシシラン１１．２ｇを２０mlのｎ−ヘプ
タンに溶解した溶液を滴下ロートから３０分掛けて滴下
した。滴下終了後、２時間掛けて５０℃に昇温し、５０
℃で１時間攪拌を続けた。反応終了後、デカンテーショ
ンにより上澄液を除去し、生成した固体を６０mlのｎ−
ヘプタンにより室温で洗浄し、更にデカンテーションに
より上澄液を除去した。このｎ−ヘプタンによる洗浄処
理を更に４回行った。上記の固体に、５０mlのｎ−ヘプ
タンを加えて懸濁液とし、これに２，２，２−トリクロ
ルエタノール８．０ｇを１０mlのｎ−ヘプタンに溶解し
た溶液を、滴下ロートから２５℃において１５分間掛け
て滴下した。滴下終了後２５℃で３０分間攪拌を続け
た。反応終了後、室温において、６０mlのｎ−ヘプタン
にて２回、６０mlのトルエンにて３回それぞれ洗浄を行
った。得られた固体（固体成分Ｉ）を分析したところ、
ＳｉＯ₂ ３６．６％、マグネシウム５．１％、塩素３
８．５％を含んでいた。上記で得られた固体成分Ｉに、
ｎ−ヘプタン１０ml及び四塩化チタン４０mlを加え、９
０℃迄昇温し、ｎ−ヘプタン５mlに溶解したフタル酸ジ
ｎ−ブチル０．６ｇを５分間掛けて添加した。その後、
１１５℃に昇温し、２時間反応させた。９０℃に降温し
た後、デカンテーションにより上澄液を除き、ｎ−ヘプ
タン７０mlで２回洗浄を行った。更に、ｎ−ヘプタン１
５mlと四塩化チタン４０mlを加え、１１５℃で２時間反
応させた。反応終了後、得られた固体物質を６０mlのｎ
−ヘキサンにて室温で８回洗浄を行った。次いで、減圧
下室温にて１時間乾燥を行い、８．３ｇの触媒成分（成
分Ａ）を得た。この成分Ａには、３．１％のチタンの他
酸化ケイ素、マグネシウム、塩素及びフタル酸ジｎ−ブ
チルが含まれていた。

【００６４】予備重合 攪拌機を取付けた５００mlの反応器に、窒素ガス雰囲気
下、上記で得られた成分Ａ１．６ｇ及びｎ−ヘプタン２
８０mlを入れ、攪拌しながら−５℃に冷却した。次にト
リエチルアルミニウム（以下ＴＥＡＬと略称する。）の
ｎ−ヘプタン溶液（２．０モル／リットル）及びｎ−ヘ
キシルオキシトリエトキシシランのｎ−ヘプタン溶液
（１．０モル／リットル）を、反応系におけるＴＥＡＬ
及びｎ−ヘキシルオキシトリエトキシシランの濃度がそ
れぞれ２００ミリモル／リットル及び２０ミリモル／リ
ットルとなるように添加し、５分間攪拌した。次いで、
系内を減圧した後、プロピレンガスを連続的に供給し、
プロピレンを３０分間重合させた。重合終了後、気相の
プロピレンを窒素ガスでパージし、５℃のｎ−ヘプタン
を添加し、５倍に希釈した。このようにして触媒成分を
スラリーを調製した。スラリーの一部を取り出し、乾燥
し、触媒成分中に含まれるマグネシウム量を測定した結
果、予備重合量は成分１ｇ当り１．６ｇであった。

【００６５】実施例２〜５ 実施例１の予備重合において、ｎ−ヘキシルオキシトリ
エトキシシランの代りに、表１に示す有機珪素化合物
を、又ＴＥＡＬの代りに表１に示すトリアルキルアルミ
ニウムをそれぞれ表１に示す濃度で用い、かつ予備重合
条件を表１に示す通りにした以外は、実施例１と同様に
して成分Ａの予備重合を行い、触媒成分を調製した。

【００６６】比較例１ 予備重合を行なわなかった以外は、実施例１と同様にし
て触媒成分（成分Ａ）を調製した。

【００６７】比較例２ 実施例１の予備重合において、ｎ−ヘキシルオキシトリ
エトキシシランを用いず、かつ予備重合条件を表１に示
す通りにした以外は、実施例１と同様にして成分Ａの予
備重合を行い、触媒成分を調製した。

【００６８】比較例３、参考例１ 実施例１の予備重合において、ｎ−ヘキシルオキシトリ
エトキシシランの代りに、表１に示す有機珪素化合物を
用い、かつ予備重合条件を表１に示す通りにした以外
は、実施例１と同様にして成分Ａの予備重合を行い、触
媒成分を調製した。

【表１】

【００６９】実施例６ 成分Ａの調製 ９０℃における攪拌時間を２時間とした以外は、実施例
１と同様にして酸化ケイ素とＢＥＭを接触させた後、デ
カンテーションにより上澄液を除去し、生成した固体を
５０mlのｎ−ヘプタンにより室温で洗浄し、更にデカン
テーションにより上澄液を除去した。このｎ−ヘプタン
による洗浄処理を更に４回行った。上記の固体に、２０
mlのｎ−ヘプタンを加えて懸濁液とし、これに２，２，
２−トリクロルエタノール９．６ｇを１０mlのｎ−ヘプ
タンに溶解した溶液を、滴下ロートから０℃において
３０分間掛けて滴下した。０℃で１時間攪拌を続けた
後、１時間掛けて８０℃に昇温し、８０℃で１時間攪拌
を続けた。反応終了後、室温において、５０mlのｎ−ヘ
プタンにて２回、５０mlのトルエンにて３回それぞれ洗
浄を行い、固体（固体成分Ｉ）を得た。上記で得られた
固体成分Ｉに、トルエン２０ml及びフタル酸ジｎ−ブチ
ル０．６ｇを加え、５０℃で２時間反応を行った。次い
で、四塩化チタン３０mlを加え、９０℃にて２時間反応
させた後、得られた固体物質を５０mlのｎ−ヘキサンに
て、室温で８回洗浄を行った。減圧下、室温にて１時間
乾燥を行ない、７．７ｇの成分Ａを得た。この成分Ａに
は、３．０％のチタンの他、酸化ケイ素、マグネシウ
ム、塩素、フタル酸ジｎ−ブチルが含まれていた。

【００７０】予備重合 上記で得られた成分Ａを用い、かつ予備重合条件を表２
に示す通りにした以外は、実施例１と同様にして成分Ａ
の予備重合を行い、触媒成分を調製した。

【００７１】なお、（ｔ−ＢｕＯ）ｔ−ＢｕＳｉ（ＯＭ
ｅ）₂ は下記の方法で合成した。２００mlのフラスコ
に、ｔ−ブチルトリクロルシラン１２．２ｇ及び乾燥エ
ーテル６０mlを入れ、外部から氷水冷却した。これにｔ
−ブチルアルコール１８．１ｇとピリジン１８．１ｇの
混合溶液を攪拌下３０分間で滴下した。その後、５時間
加熱還流した。再び氷水で冷却し、メタノール５．４ｇ
を１５分間で滴下した。滴下終了後、１０時間加熱還流
して反応を完結した。生成した沈澱を濾別し、濾液を蒸
留することにより、目的物のｔ−ブトキシｔ−ブチルジ
メトキシシラン８．７ｇを得た。構造は、ガスクローマ
ススペクトル ¹Ｈ−ＮＭＲ及びＩＲで確認した。

【００７２】実施例７〜８ 実施例６の予備重合において、ｔ−ブトキシｔ−ブチル
ジメトキシシランの代りに、表２に示す有機珪素化合物
を用い、かつ予備重合条件を表２に示す通りにした以外
は、実施例６と同様にして成分Ａの予備重合を行い、触
媒成分を調製した。

【００７３】比較例４ 実施例６の予備重合において、ｔ−ブトキシｔ−ブチル
ジメトキシシランを用いず、予備重合条件を表２に示す
通りにした以外は、実施例６と同様にして触媒成分を調
製した。

【００７４】参考例２ 実施例６の予備重合において、ｔ−ブトキシｔ−ブチル
ジメトキシシランの代りに、ジフェニルジメトキシシラ
ンを用い、かつ予備重合条件を表２に示す通りにした以
外は、実施例６と同様にして成分Ａの予備重合を行い、
触媒成分を調製した。

【表２】

【００７５】応用例１ プロピレンの重合 攪拌機を設けた１．５リットルのステンレス製オートク
レーブに、窒素ガス雰囲気下、ＴＥＡＬのｎ−ヘプタン
溶液（０．１モル／リットル）４mlを入れた。次いで、
分子量制御剤としての水素ガス１リットル及び液体プロ
ピレン１リットルを圧入した後、反応系を７０℃に昇温
した。実施例１で得られた触媒成分４３mgを反応系に装
入した後、１時間プロピレンの重合を行った。重合終了
後、未反応のプロピレンをパージし、ＨＩ ９６．４％
の白色ポリプロピレン粉末を得た。成分Ａ１ｇ・１時間
当りのポリプロピレン生成量（ＣＥ) は２０．１kgであ
った。

【００７６】応用例２ オートクレーブに、ＴＥＡＬのｎ−ヘプタン溶液４mlの
代りに、該ｎ−ヘプタン溶液４mlとジフェニルジメトキ
シシランのｎ−ヘプタン溶液（０．０１モル／リット
ル）２mlを混合し５分間保持したものを入れ、かつ触媒
成分として実施例２で得られたものを用いた以外は、応
用例１と同様にしてプロピレンの重合を行い、その結果
を表３に示した。

【００７７】応用例３〜９ 実施例２で得られた触媒成分に代えて、実施例３〜８で
得られた触媒成分を用い、かつジフェニルジメトキシシ
ランの代りに表３に示す電子供与性化合物を用いるか用
いない以外は、応用例２と同様にしてプロピレンの重合
を行い、それらの結果を表３に示した。

【００７８】応用例１０〜１６ 実施例２で得られた触媒成分に代えて、比較例１〜４及
び参考例１，２で得られた触媒成分を用い、かつジフェ
ニルジメトキシシランの代りに表３に示す電子供与性化
合物を用いるか用いない以外は、応用例２と同様にして
プロピレンの重合を行い、それらの結果を表３に示し
た。

【表３】

【００７９】

【発明の効果】本発明は、上記の構成を採ることによ
り、触媒成分の強度を向上することができると共に、該
触媒成分はα−オレフィンの（共）重合において、高活
性を維持しつつ、高立体規則性を示し、かつ特に洗浄し
た触媒成分は、触媒の保存において性能の劣化を抑制で
きるという優れた効果を発揮する。

【図面の簡単な説明】

【図１】図１は、本発明の触媒成分の調製工程を示すフ
ローチャート図である。

─────────────────────────────────────────────────────

【手続補正書】

【提出日】平成３年５月２９日

【手続補正１】

【補正対象書類名】明細書

【補正対象項目名】００４０

【補正方法】変更

【補正内容】

【００４０】 ○（Ｒ^１Ｏ）_２Ｓｉ（ＯＲ^３）_２の化合物 （ｎ−ＰｒＯ）_２Ｓｉ（ＯＭｅ）_２，（ｉ−ＰｒＯ）_２
Ｓｉ（ＯＭｅ）_２，（ｔ−ＢｕＯ）_２Ｓｉ（ＯＭ
ｅ）_２，（Ｓ−ＢｕＯ）_２Ｓｉ（ＯＭｅ）_２，（ｎ−Ｂ
ｕＯ）_２Ｓｉ（ＯＭｅ）_２，（ｉ−ＢｕＯ）_２Ｓｉ（Ｏ
Ｍｅ）_２，（ｔ−ＡｍｙＯ）_２Ｓｉ（ＯＭｅ）_２，（ｎ
−ＡｍｙＯ）_２Ｓｉ（ＯＭｅ）_２，（ｎ−ＨｅｘＯ）_２
Ｓｉ（ＯＭｅ）_２，（ｎ−ＯｃｔＯ）_２Ｓｉ（ＯＭｅ）
_２，（ｎ−ＤｅｃＯ）_２Ｓｉ（ＯＭｅ）_２，（ＣｙＰｅ
Ｏ）_２Ｓｉ（ＯＭｅ）_２，（ＣｙＨｅＯ）_２Ｓｉ（ＯＭ
ｅ）_２，（ＣｙＰｙＯ）_２Ｓｉ（ＯＭｅ）_２，（ＣｙＰ
ｔＯ）_２Ｓｉ（ＯＭｅ）_２，（ＣｙＨｙＯ）_２Ｓｉ（Ｏ
Ｍｅ）_２。

【手続補正２】

【補正対象書類名】明細書

【補正対象項目名】００４３

【補正方法】変更

【補正内容】

【００４３】○（Ｒ^１Ｏ）Ｓｉ（ＯＲ^３）_３の化合物 （ｉ−ＰｒＯ）Ｓｉ（ＯＭｅ）_３，（ｎ−ＢｕＯ）Ｓｉ
（ＯＭｅ）_３，（ｓ−ＢｕＯ）Ｓｉ（ＯＭｅ）_３，（ｉ
−ＢｕＯ）Ｓｉ（ＯＭｅ）_３，（ｔ−ＢｕＯ）Ｓｉ（Ｏ
Ｍｅ）_３，（ｔ−ＡｍｙＯ）Ｓｉ（ＯＭｅ）_３，（ｎ−
ＡｍｙＯ）Ｓｉ（ＯＭｅ）_３，（ｎ−ＨｅｘＯ）Ｓｉ
（ＯＭｅ）_３，（ｎ−ＯｃｔＯ）Ｓｉ（ＯＭｅ）_３，
（ｎ−ＤｅｃＯ）Ｓｉ（ＯＭｅ）_３，（ＣｙＰｅＯ）Ｓ
ｉ（ＯＭｅ）_３，（ＣｙＨｅＯ）Ｓｉ（ＯＭｅ）_３，
（ＣｙＰｙＯ）Ｓｉ（ＯＭｅ）_３，（ＣｙＰｔＯ）Ｓｉ
（ＯＭｅ）_３，（ＣｙＨｙＯ）Ｓｉ（ＯＭｅ）_３。

【手続補正３】

【補正対象書類名】明細書

【補正対象項目名】００６８

【補正方法】変更

【補正内容】

【００６８】比較例３、参考例１ 実施例１の予備重合において、ｎ−ヘキシルオキシトリ
エトキシシランの代りに、表１に示す有機珪素化合物を
用い、かつ予備重合条件を表１に示す通りにした以外
は、実施例１と同様にして成分Ａの予備重合を行い、触
媒成分を調製した。

【表１】

フロントページの続き (72)発明者 青木 倫子 埼玉県入間郡大井町西鶴ヶ岡一丁目３番１ 号 東燃株式会社総合研究所内 (72)発明者 碓氷 幸 埼玉県入間郡大井町西鶴ヶ岡一丁目３番１ 号 東燃株式会社総合研究所内 (72)発明者 植木 ▲聡▼ 埼玉県入間郡大井町西鶴ヶ岡一丁目３番１ 号 東燃株式会社総合研究所内

Claims (1)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 （Ａ）金属酸化物、マグネシウム、チタ
   ン、ハロゲン及び電子供与性化合物を必須成分とする固
   体成分を、（Ｂ）トリアルキルアルミニウム及び（Ｃ）
   一般式 【化１】 〔但し、Ｒ¹ は炭素数３〜１０個の脂肪族若しくは脂環
   式炭化水素基、Ｒ² は炭素数１〜１０個の脂肪族若しく
   は脂環式炭化水素基又はＲ⁴ Ｏ、Ｒ³ はメチル基若しく
   はエチル基であり、ｘは１若しくは２、ｙは０若しくは
   １、ｚは２若しくは３、ｘ＋ｙ＋ｚ＝４、Ｒ⁴ はＲ¹ と
   同意義である。〕の有機珪素化合物の存在下、（Ｄ）オ
   レフィンと接触させてなるα−オレフィン重合用触媒成
   分。