JPH063827A - 厚膜配線パターンの露光法 - Google Patents

厚膜配線パターンの露光法

Info

Publication number
JPH063827A
JPH063827A JP15841392A JP15841392A JPH063827A JP H063827 A JPH063827 A JP H063827A JP 15841392 A JP15841392 A JP 15841392A JP 15841392 A JP15841392 A JP 15841392A JP H063827 A JPH063827 A JP H063827A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
light
wiring pattern
photomask
parts
liquid crystal
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
JP15841392A
Other languages
English (en)
Other versions
JP2792342B2 (ja
Inventor
Shiyouichi Kondou
昌一 近道
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
NEC Corp
Original Assignee
NEC Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by NEC Corp filed Critical NEC Corp
Priority to JP15841392A priority Critical patent/JP2792342B2/ja
Publication of JPH063827A publication Critical patent/JPH063827A/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP2792342B2 publication Critical patent/JP2792342B2/ja
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Lifetime legal-status Critical Current

Links

Landscapes

  • Preparing Plates And Mask In Photomechanical Process (AREA)
  • Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
  • Manufacturing Of Printed Wiring (AREA)

Abstract

(57)【要約】 【目的】 フォトマスクに光の透過率分布を持たせ、ポ
ジ型感光性材料を露光することにより現像後のパターン
形状を逆テーパ形状から正テーパ形状へと改善する。 【構成】 透過率分布を持つように投射型液晶ディスプ
レイ1の各液晶セル3の印加電圧を電圧制御装置2にて
制御する。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は厚膜配線パターンの露光
法に関する。
【0002】
【従来の技術】従来、この種の厚膜配線パターンの露光
法は、露光機の光源と投影レンズの間に、品種・形成層
毎に所定の配線パターンが描画されたフォトマスクを、
所望する品種・形成層に応じて1枚1枚フォトマスクキ
ャリアに交換・装備し、光源から発せられたg線(43
6nm)やh線(405nm)といった波長の光をフォ
トマスクを介することにより、フォトマスク上に描画さ
れた配線パターンを透過/遮断の2値情報に変換し、そ
の2値化された配線パターン情報を投影レンズにより所
定の投影倍率で基板上に塗布された感光性材料に所定時
間投影し、XYステージをステップ移動させて基板全体
を露光していた。ここで、基板上に塗布された感光性材
料は、集積回路や多層線基盤の製造で広く用いられてく
る感光性ポリイミドや感光性レジスタなどの、g線やh
線に効率よく感光するネガ型あるいはポジ型の感光性の
材料である。
【0003】
【発明が解決しようとする課題】上述した従来の厚膜配
線パターンの露光法は、一般的に感光性材料の厚さが2
0μm以上で、パターン幅が厚さと同じかそれ以上の場
合、図4(a)〜(d)に示すような欠点がある。即
ち、通常の露光時間では図4(a)のように厚膜の途中
までしか硬化させえない。図で10はフォトマスク、1
1はフォトマスクの光遮断部分、6は厚膜の硬化部分、
7は未硬化部分である。この図4(a)を現像すると図
4(b)のように除去部分の断面形状は逆テーパ形状と
なる。そこで、露光時間を長くすると、図4(c)のよ
うに光の乱反射により、未硬化部分7の下部までも硬化
してしまい図4(d)のように現像しても下部を除去で
きなくなる。
【0004】このため、一般的には感光性材料の厚膜を
薄くコートし、露光・現像を複数回に分け行っており、
製造時間の短縮や製造コストを下げることが難しいとい
う問題があった。
【0005】
【課題を解決するための手段】第1の発明の厚膜配線パ
ターンの露光法は、感光性材料にフォトマスクを介して
光を照射し、配線パターンやコンタクトホールを形成す
る厚膜配線パターンの露光法において、光を遮断する部
分中に設けた光を透過する部分の配線パターンの境界近
傍で光の透過量をその配線パターン内部に向かって漸増
させるように投射型液晶ディスプレイの透過率を電圧制
御装置により制御し、前記電圧制御装置を有した投射型
液晶ディスプレイをフォトマスクとし、前記フォトマス
クを介してポジ型感光性材料に光を照射する。
【0006】第2の発明の厚膜配線パターンの露光方法
は、光を遮断する部分中に設けた光を透過する部分の配
線パターンの境界近傍で光の透過量をその配線パターン
内部に向かって漸増させるようにフィルムを複数枚重ね
合わせ、前記重ね合わせたフィルムをガラス基板上に貼
付しフォトマスクとし、前記フォトマスクを介してポジ
型感光性材料に光を照射する。
【0007】
【実施例】次に、本発明について図面を参照して説明す
る。
【0008】図1(a)〜(c)は本発明の第1の実施
例を示す模式図である。図1(a)は、投射型液晶ディ
スプレイ1と電圧制御装置2との関係を示し、図1
(b)は、投射型液晶ディスプレイ1の各液晶セル3の
透過率分布を示し、図1(c)は、図1(b)の分布を
持った投射型液晶ディスプレイ1の各液晶セル3の透過
状態を模式的に示したものである。
【0009】光の透過率が0パーセントの部分内に透過
率が100パーセントの配線パターンが設けられ、配線
パターンの境界近傍で透過率が配線パターンの周辺から
内部に向けて漸増するように、電圧制御装置2の各液晶
セル3に印加する電圧を変化させ液晶の配向4を変化さ
せる。このように制御された投射型液晶ディスプレイ1
を用いて、ポジ型感光性材料5を露光すると図2(a)
のように光が当たらない部分が硬化部分6となり、当た
っている部分は未硬化部分7となる。これをウエットエ
ッチングなどの方法により除去すると図2(b)のよう
な断面形状が正テーパ形状に近い配線パターンが形成さ
れる。
【0010】ここで使われる光は、感光性材料を効率よ
く硬化させるものでなくてはならず、また、投射型液晶
ディスプレイ1においてもこの光を透過/遮断可能でな
ければならない。さらに、この投射型液晶ディスプレイ
1には、高表示容量、高解像度が要求される。光の波長
の例としては、g線(436nm)、h線(405n
m)などがあり、この波長に効率よく感光するポジ型感
光性レジストやポジ型感光性ポリイミドなどがある。ま
た、この光を選択的に透過/遮断する投射型液晶ディス
プレイ1は、液晶の分子構造の制御、液晶分子の配向制
御、配向剤材料の種々検討を行なうことに実現する。
【0011】図3は本発明の第2の実施例を示す断面図
であり、図1(b)の分布を持った複数枚のフィルム8
により構成されたフォトマスクを示す。ここで用いられ
ているフィルム8は、1枚では光を完全に遮断できず、
光の遮断には複数枚を必要とするものである。光の透過
率が0パーセントの部分内に透過率100パーセントの
配線パターンが設けられ、配線パターンの境界近傍で透
過率が配線パターンの周辺から内部に向けて漸増するよ
うに、複数枚のフィルム8の光の透過面積をそれぞれ変
えて穴開けし、階段上に重ね合わせる。そして、重ね合
わせたフィルム8をガラス基板9上に貼付し、これをフ
ォトマスクとしてポジ型感光性材料を露光する。
【0012】この結果図2(a)のように光が当たらな
い部分が硬化部分6となり、当たっている部分は未硬化
部分7となる。これをウエットエッチングなどの方法に
より除去すると図2(b)のような断面形状が正テーパ
形状に近い配線パターンが形成される。
【0013】
【発明の効果】以上説明したように本発明は、フォトマ
スクに透過率分布を持たせたことにより、ポジ型感光性
材料の厚さが20μm以上で、配線パターン幅が厚さと
同じかそれ以上の場合でも、複数回に分けて露光現象を
行わなくても、ポジ型感光性材料の除去部分の断面形状
を逆テーパ形状から正テーパ形状への改善できる効果が
ある。
【図面の簡単な説明】
【図1】(a)〜(c)は本発明の第1の実施例を示す
模式図である。
【図2】(a),(b)はそれぞれポジ型感光性材料5
を露光した時の縦断面図および現像した後の縦断面図で
ある。
【図3】本発明の第2の実施例を示す断面図である。
【図4】(a)〜(d)は従来の一例を示す断面図であ
る。
【符号の説明】
1 投射型液晶ディスプレイ 2 電圧制御装置 3 液晶セル 4 液晶の配向 5 ポジ型感光性材料 6 硬化部分 7 未硬化部分 8 フィルム 9 ガラス基板 10 光遮断部分 11 フォトマスク

Claims (2)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 感光性材料にフォトマスクを介して光を
    照射し、配線パターンやコンタクトホールを形成する厚
    膜配線パターンの露光法において、光を遮断する部分中
    に設けた光を透過する部分の配線パターンの境界近傍で
    光の透過量をその配線パターン内部に向かって漸増させ
    るように投射型液晶ディスプレイの透過率を電圧制御装
    置により制御し、前記電圧制御装置を有した投射型液晶
    ディスプレイをフォトマスクとし、前記フォトマスクを
    介してポジ型感光性材料に光を照射することを特徴とす
    る厚膜パターンの露光法。
  2. 【請求項2】 光を遮断する部分中に設けた光を透過す
    る部分の配線パターンの境界近傍で光の透過量をその配
    線パターン内部に向かって漸増させるようにフィルムを
    複数枚重ね合わせ、前記重ね合わせたフィルムをガラス
    基板上に貼付しフォトマスクとし、前記フォトマスクを
    介してポジ型感光性材料に光を照射することを特徴とす
    る厚膜パターンの露光法。
JP15841392A 1992-06-18 1992-06-18 厚膜配線パターンの露光法 Expired - Lifetime JP2792342B2 (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP15841392A JP2792342B2 (ja) 1992-06-18 1992-06-18 厚膜配線パターンの露光法

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP15841392A JP2792342B2 (ja) 1992-06-18 1992-06-18 厚膜配線パターンの露光法

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JPH063827A true JPH063827A (ja) 1994-01-14
JP2792342B2 JP2792342B2 (ja) 1998-09-03

Family

ID=15671220

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP15841392A Expired - Lifetime JP2792342B2 (ja) 1992-06-18 1992-06-18 厚膜配線パターンの露光法

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JP2792342B2 (ja)

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE19929199A1 (de) * 1999-06-25 2001-01-18 Hap Handhabungs Automatisierun Verfahren und Vorrichtung zum Herstellen eines dreidimensionalen Objektes
WO2005116774A1 (ja) * 2004-05-26 2005-12-08 Fujifilm Corporation パターン形成方法
CN105404093A (zh) * 2016-01-06 2016-03-16 京东方科技集团股份有限公司 掩模板、显示基板及其制备方法、显示面板及显示装置

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE19929199A1 (de) * 1999-06-25 2001-01-18 Hap Handhabungs Automatisierun Verfahren und Vorrichtung zum Herstellen eines dreidimensionalen Objektes
WO2005116774A1 (ja) * 2004-05-26 2005-12-08 Fujifilm Corporation パターン形成方法
CN105404093A (zh) * 2016-01-06 2016-03-16 京东方科技集团股份有限公司 掩模板、显示基板及其制备方法、显示面板及显示装置

Also Published As

Publication number Publication date
JP2792342B2 (ja) 1998-09-03

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US6537710B2 (en) Electrically programmable photolithography mask
US5547788A (en) Mask and method for manufacturing the same
US20080003525A1 (en) Method for Projecting High Resolution Patterns
JP2792342B2 (ja) 厚膜配線パターンの露光法
US20030039893A1 (en) Exposed phase edge mask method for generating periodic structures with subwavelength feature
Matsui et al. Laser Based Direct Exposure to Photo Materials Used in Advanced Semiconductor Packaging
JP2693805B2 (ja) レチクル及びこれを用いたパターン形成方法
JPH0431858A (ja) マスクの製作方法
JPS62245251A (ja) レジストパタ−ン形成方法
JPH06105686B2 (ja) 半導体装置の製造方法
JPS63275115A (ja) 半導体装置のパタ−ン形成方法
KR940011204B1 (ko) 미세패턴 형성방법
JPH0529197A (ja) レジストパターンの形成方法
JPH06140297A (ja) レジスト塗布方法
KR940007052B1 (ko) 다층레지스트를 이용한 패턴형성방법
JPH0691066B2 (ja) 感光性有機樹脂膜の形成方法
TW202411703A (zh) 多層導光膜、其製作方法及顯示裝置
KR100419971B1 (ko) 반도체소자 제조시의 패턴 형성을 위한 마스크 및 그 제조방법
JPS6136748A (ja) 露光用マスク
KR19990065144A (ko) 반도체 소자의 투과율 조절 마스크 제조 방법
KR970008267B1 (ko) 수지막 오버코팅(Overcoating)에 의한 미세패턴 형성방법
JPH0737782A (ja) 有機薄膜の製造方法
JPS58101427A (ja) 半導体装置の製造方法
KR100399889B1 (ko) 반도체소자의감광층패턴형성방법
JPS58153932A (ja) 写真蝕刻方法

Legal Events

Date Code Title Description
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 19980519