JPH0638030B2 - トンネル炉 - Google Patents

Description

【発明の詳細な説明】 （産業上の利用分野） 本発明は釉薬瓦のような施釉製品を焼成するためのトン
ネル炉に関するものである。

（従来の技術） 一般にトンネル炉には焼成帯にて重油、ガス等を燃焼さ
せるとともに、燃焼ガスを焼成帯から予熱帯へと移動さ
せ、被焼成物と接触させて被焼成物の予熱を行う流焚方
式が採用されている。ところがこのようなトンネル炉で
釉薬瓦のような施釉製品を焼成する場合には900℃〜100
0℃以上の高温域において釉薬中のアルカリ成分の一部
が揮発し、炉内ガスの流れに乗って低温の予熱帯に流入
することとなり、この揮発成分が750〜1000℃程度の温
度域まで冷却されたときに天井に凝縮することがある。
そしてこのような凝縮が生ずると、揮発成分自体が液滴
となり落下したりアルカリ成分と天井の耐火れんがとの
反応物が液滴となって施釉製品上に落下する「釉垂れ」
と呼ばれる不良を生ずる。

そこで本出願人は特公昭55−47308号公報に示されるよ
うに、予熱帯の天井の一部をアルカリ成分と反応しにく
い塩基性耐火物により構成して「釉垂れ」を防止する技
術を発明し実用化しているが、高価で重量の大きい塩基
性耐火物を使用するため築炉作業が容易ではなく築炉費
が高価となること、釉薬の組成によっては釉垂れを有効
に防止することができない場合があること等の問題が残
されていた。

（発明が解決しようとする問題点） 本発明は上記したような従来の問題点を解決して、築炉
作業が容易であるうえ、釉薬の組成にかかわらず釉垂れ
を有効に防止することができるトンネル炉を目的として
完成されたものである。

（問題点を解決するための手段） 本発明は施釉製品を焼成するトンネル炉の予熱帯から焼
成帯に至る部分のうち天井温度が釉薬からの揮発成分の
液相凝縮温度域となる天井部に、焼成帯から予熱帯に向
って流れる釉薬からの揮発成分を含むガスを炉外に強制
吸引する吸引管と、吸引されたガスを冷却して揮発成分
を凝縮分離する凝縮器と、凝縮器を通過したガスを炉内
に戻す吹込管とからなるバイパスラインを設けたことを
特徴とするものである。

（実施例） 次に本発明を図示の実施例によって更に詳細に説明する
と、(1)はトンネル炉の炉体、(2)はその焼成帯、(3)は
予熱帯であり、釉薬瓦のような施釉製品を積載した台車
(4)が炉体(1)の内部を予熱帯(3)から焼成帯(2)の方向に
移動しつつ焼成が行われるようになっている。このよう
な炉体(1)の予熱帯(3)から焼成帯(2)に至る部分の天井
部にはバイパスライン(5)が設けられている。バイパス
ライン(5)は焼成帯(2)から予熱帯(3)に向って流れるガ
スを炉外に吸引する吸引管(6)と、吸引されたガスを冷
却する凝縮器(7)と、凝縮器(7)を通過したガスを炉内の
天井部に戻す吹込管(8)とからなるものであり、バイパ
スライン(5)への炉内ガスの吸引を確実化するためにブ
ロア(9)を設け、また流動量を制御するためにダンパ(1
0)を設けておくものとする。凝縮器(7)は吸引された炉
内のガスを釉薬からの揮発成分の液相凝縮温度以下にま
で冷却して揮発成分を凝縮分離することができるもので
あれば任意の形式のものを採用することができる。なお
バイパスライン(5)を通ったガスは冷却されたうえ炉体
(1)内へ戻されるので、吹込管(8)には加熱器を設けて炉
内の温度バランスの乱れを防止することもできる。

（作用） このように構成された本発明のトンネル炉においても、
焼成帯(2)において施釉製品は例えば1100℃程度の高温
に加熱され、釉薬中から揮発したアルカリ等の揮発成分
が炉内ガスの流れに乗って予熱帯(3)に向って流れるこ
とは避けることができない。しかし本発明においては、
炉内ガスの一部が炉体(1)の予熱帯(3)から焼成帯(2)に
至る部分の天井部に設けられた吸引管(6)に強制吸引さ
れたうえでによって冷却され、揮発成分が凝縮分離され
た後のガスだけが吹込管(8)を介して炉内に凝縮器(7)戻
されるので、揮発成分が最も凝縮し易い部分における天
井付近の揮発成分の濃度が有効的に低減される。この結
果揮発成分を含む炉内ガスがこの部分に達しても液相凝
縮を生じる可能性が大幅に減少することとなり、釉垂れ
による製品欠点の発生率を従来の数分の一にまで減少さ
せることができる。またバイパスライン(5)への吸引ガ
ス量を、釉薬からの揮発成分が予熱帯(3)内において凝
縮落下することを防止できる最少量に制御することによ
り炉の熱損失が最少限度に抑えられるうえ、凝縮器(7)
を通過したガスは再び炉内へ戻されるので炉内全体のガ
ス流動や圧力バランスが崩されることもない。

（発明の効果） 本発明は以上の説明からも明らかなように、釉垂れを発
生し易い部分の天井部に釉薬からの揮発成分を凝縮分離
する凝縮器を含むバイパスラインを設けて揮発成分の濃
度を低下させることにより、炉内のガス流動や圧力バラ
ンスを崩すことなく釉垂れ発生率を従来の数分の一にま
で減少させることに成功したものであり、しかも本発明
の効果は釉薬の組成によって左右されることがない。従
って本発明によれば従来のように塩基性耐火物により天
井部を形成する必要もなく、築炉作業が容易となり、ま
た築炉費を低減できることとなる。よって本発明は従来
の問題点を解決したトンネル炉として、産業の発展に寄
与するところは極めて大である。

【図面の簡単な説明】

図面は本発明の実施例を示す要部の断面図である。 (2)：焼成帯、(3)：予熱帯、(5)：バイパスライン、
(6)：吸引管、(7)：凝縮器、(8)：吹込管。

Claims (1)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】施釉製品を焼成するトンネル炉の予熱帯か
   ら焼成帯に至る部分のうち天井温度が釉薬からの揮発成
   分の液相凝縮温度域となる天井部に、焼成帯から予熱帯
   に向って流れる釉薬からの揮発成分を含むガスを炉外に
   強制吸引する吸引管と、吸引されたガスを冷却して揮発
   成分を凝縮分離する凝縮器と、凝縮器を通過したガスを
   炉内に戻す吹込管とからなるバイパスラインを設けたこ
   とを特徴とするトンネル炉。