JPH0637121A - Method and device for removing foreign matter - Google Patents
Method and device for removing foreign matterInfo
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- JPH0637121A JPH0637121A JP4189031A JP18903192A JPH0637121A JP H0637121 A JPH0637121 A JP H0637121A JP 4189031 A JP4189031 A JP 4189031A JP 18903192 A JP18903192 A JP 18903192A JP H0637121 A JPH0637121 A JP H0637121A
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Abstract
Description
【0001】[0001]
【産業上の利用分野】本発明は、異物除去方法および装
置技術に関し、特に、半導体パッケージの製造工程で発
生する異物の除去方法および除去装置に適用して有効な
技術に関するものである。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a method and apparatus for removing foreign matter, and more particularly to a technology effectively applied to a method and apparatus for removing foreign matter generated in a semiconductor package manufacturing process.
【0002】[0002]
【従来の技術】例えば半導体パッケージの組立工程で発
生した異物を除去する方法として、エア噴射ノズルを用
いた方法がある。2. Description of the Related Art For example, a method using an air jet nozzle is known as a method for removing foreign matter generated in the process of assembling a semiconductor package.
【0003】この方法は、異物除去室内に収容された半
導体パッケージに対して、異物除去室内に設けられたエ
ア噴射ノズルから噴出された一定圧力のエアを連続的に
吹きかけ、これによって浮上した異物を、異物除去室内
においてエア噴射ノズルとは別体に設けられた吸引ダク
トを通じて外部に除去する方法である。According to this method, air having a constant pressure ejected from an air injection nozzle provided in the foreign substance removing chamber is continuously blown to the semiconductor package housed in the foreign substance removing chamber, so that the floating foreign substance is removed. In the foreign matter removing chamber, the foreign matter is removed to the outside through a suction duct provided separately from the air injection nozzle.
【0004】ただし、この従来技術の場合、半導体パッ
ケージには、エア噴射ノズルからの一定圧力のエアのみ
が吹きかけられ、吸引ダクトは、もっぱら異物除去室内
に浮上する異物の吸引に使用されていた。However, in the case of this conventional technique, only the air having a constant pressure from the air injection nozzle is blown onto the semiconductor package, and the suction duct is used exclusively for sucking the foreign matter floating in the foreign matter removing chamber.
【0005】なお、半導体パッケージの組立工程で発生
した異物のスクリーニングの必要性および検出方法につ
いては、例えば応用技術出版株式会社、1988年11
月16日発行、「表面実装形LSIパッケージの実装技
術とその信頼性向上」P287〜P288に記載があ
る。Regarding the necessity and detection method for screening foreign matter generated in the process of assembling a semiconductor package, for example, Applied Technology Publishing Co., Ltd., 1988 11
It is described in "Mounting Technology of Surface Mount Type LSI Package and Improvement of Its Reliability", P287 to P288, issued on March 16th.
【0006】[0006]
【発明が解決しようとする課題】ところが、上記従来の
異物除去方法においては、以下の問題があることを本発
明者は見い出した。However, the inventor of the present invention has found that the above-mentioned conventional foreign matter removing method has the following problems.
【0007】すなわち、従来は、半導体パッケージに対
して一定圧力のエアを吹きかけるのみなので、例えば異
物が、半導体パッケージに静電気的に付着していたり、
隅や凹部に入り込んでいたりすると、その異物を吹き上
げることができない場合があり、異物を充分に除去する
ことができないという問題があった。That is, conventionally, only air having a constant pressure is blown to the semiconductor package, so that, for example, foreign matter is electrostatically attached to the semiconductor package,
If it enters into a corner or a recess, the foreign matter may not be blown up, and there is a problem that the foreign matter cannot be removed sufficiently.
【0008】本発明は上記課題に着目してなされたもの
であり、その目的は、異物除去効果を向上させることの
できる技術を提供することにある。The present invention has been made in view of the above problems, and an object thereof is to provide a technique capable of improving the foreign substance removing effect.
【0009】本発明の他の目的は、半導体パッケージの
歩留りおよび信頼性を向上させることのできる技術を提
供することにある。Another object of the present invention is to provide a technique capable of improving the yield and reliability of semiconductor packages.
【0010】本発明の前記ならびにその他の目的と新規
な特徴は、明細書の記述および添付図面から明らかにな
るであろう。The above and other objects and novel features of the present invention will be apparent from the description of the specification and the accompanying drawings.
【0011】[0011]
【課題を解決するための手段】本願において開示される
発明のうち、代表的なものの概要を簡単に説明すれば、
以下のとおりである。Among the inventions disclosed in the present application, a brief description will be given to the outline of typical ones.
It is as follows.
【0012】すなわち、請求項1記載の発明は、被処理
物の所定領域に対してエアを噴射する工程と、前記所定
領域のエアを吸引する工程とを交互に繰り返し、前記被
処理物の所定領域に存在する異物を除去するものであ
る。That is, according to the first aspect of the present invention, the step of injecting air to a predetermined area of the object to be processed and the step of sucking air in the predetermined area are alternately repeated to predetermined the object to be processed. The foreign matter existing in the area is removed.
【0013】[0013]
【作用】上記した請求項1記載の発明によれば、エアの
噴射のみならず、その噴射領域のエアを吸引してその領
域に存在する異物を吸い取ることにより、エアの噴射で
浮上しない異物をも除去することができる。According to the first aspect of the present invention, not only the air is jetted, but also the air in the jetting area is sucked and the foreign matters existing in the area are sucked to remove the foreign matters which do not float by the air jetting. Can also be removed.
【0014】また、エアの噴射と、吸引とを交互に繰り
返すことにより、そのエアの噴射吸引された領域におい
て大きな圧力勾配を発生させることができ、かつ、異物
に対して相反する方向に作用する力を交互に加えること
ができる。Further, by alternately repeating the air injection and the air suction, a large pressure gradient can be generated in the area where the air is jetted and sucked, and the foreign matter acts in opposite directions. Forces can be applied alternately.
【0015】[0015]
【実施例】図1は本発明の一実施例である異物除去装置
の説明図、図2は被処理物の要部断面図、図3は図1の
異物除去装置のエアノズルの拡大断面図、図4は被処理
物の所定領域に対して所定時間内にエア噴射とエア吸引
とを交互に繰り返すタイミング例を示すグラフ図、図5
は異物除去処理前における被処理物の要部断面図、図6
および図7は異物除去処理中における被処理物の要部断
面図である。DETAILED DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS FIG. 1 is an explanatory view of a foreign matter removing apparatus according to an embodiment of the present invention, FIG. 2 is a sectional view of a main part of an object to be processed, and FIG. 3 is an enlarged sectional view of an air nozzle of the foreign matter removing apparatus of FIG. 4 is a graph showing a timing example in which air injection and air suction are alternately repeated within a predetermined time for a predetermined region of the object to be processed, FIG.
6 is a sectional view of a main part of the object to be processed before the foreign matter removing process, FIG.
And FIG. 7 is a cross-sectional view of a main part of the object to be processed during the foreign matter removing process.
【0016】以下、本実施例の異物除去装置を図1〜図
4によって説明する。図1に示す本実施例の異物除去装
置1は、例えば半導体パッケージの組立工程中に発生し
た異物を除去するための装置である。The foreign matter removing apparatus of this embodiment will be described below with reference to FIGS. The foreign matter removing apparatus 1 of this embodiment shown in FIG. 1 is an apparatus for removing foreign matter generated during, for example, an assembly process of a semiconductor package.
【0017】異物除去装置1は、ローダ室2と、異物除
去室3と、アンローダ室4とを備えている。ローダ室2
には、例えばワイヤボンディング工程後の半導体パッケ
ージ(被処理物)5が収容されている。なお、ローダ室
2は、複数の半導体パッケージ5を収容することが可能
な構造になっている。その半導体パッケージ5を図2に
示す。The foreign matter removing apparatus 1 comprises a loader chamber 2, a foreign matter removing chamber 3 and an unloader chamber 4. Loader room 2
The semiconductor package (object to be processed) 5 after the wire bonding process, for example, is housed in. The loader chamber 2 has a structure capable of housing a plurality of semiconductor packages 5. The semiconductor package 5 is shown in FIG.
【0018】半導体パッケージ5のベース基板6上に
は、半導体チップ7が主面を上に向けた状態で接着され
ている。半導体チップ7は、例えばシリコン(Si)単
結晶からなり、その主面には、例えば論理回路やメモリ
回路等のような半導体集積回路が形成されている。A semiconductor chip 7 is bonded onto a base substrate 6 of the semiconductor package 5 with its main surface facing upward. The semiconductor chip 7 is made of, for example, silicon (Si) single crystal, and a semiconductor integrated circuit such as a logic circuit or a memory circuit is formed on its main surface.
【0019】一方、ベース基板6上において、半導体チ
ップ7の周囲には、リード8が、例えば低融点ガラス等
からなる接合部9を介して接合されている。リード8
は、ボンディングワイヤ10を介して上記半導体チップ
7主面の半導体集積回路と電気的に接続されている。な
お、ボンディングワイヤ10は、例えば金(Au)から
なり、その直径は、例えば50μm程度である。On the other hand, on the base substrate 6, the leads 8 are joined to the periphery of the semiconductor chip 7 via a joining portion 9 made of, for example, low melting point glass. Lead 8
Are electrically connected to the semiconductor integrated circuit on the main surface of the semiconductor chip 7 via the bonding wires 10. The bonding wire 10 is made of gold (Au), for example, and its diameter is, for example, about 50 μm.
【0020】異物除去装置1の異物除去室3には、エア
ノズル11と、吸引ダクト12とが設置されている。In the foreign matter removing chamber 3 of the foreign matter removing apparatus 1, an air nozzle 11 and a suction duct 12 are installed.
【0021】エアノズル11は、上下および半導体パッ
ケージ5の主面に対して斜めになるように動作すること
が可能な状態で設置されている。そして、本実施例のエ
アノズル11は、図1および図3に示すように、中空円
管状のエア噴射ノズル11aと、軸を同一にしてエア噴
射ノズル11aを取り囲む中空円管状のエア吸引ノズル
11bとから構成されている。The air nozzle 11 is installed in such a state that it can be operated vertically and obliquely with respect to the main surface of the semiconductor package 5. As shown in FIGS. 1 and 3, the air nozzle 11 of the present embodiment includes a hollow circular tube-shaped air injection nozzle 11a and a hollow circular tube-shaped air suction nozzle 11b that surrounds the air injection nozzle 11a with the same axis. It consists of
【0022】エア噴射ノズル11aは、図1に示すよう
に、エアフィルタ13aおよびエア制御弁(エア切換制
御部)14aを介して、加圧エア噴射部15に機械的に
接続されている。一方、エア吸引ノズル11bは、エア
フィルタ13bおよびエア制御弁(エア切換制御部)1
4bを介して真空ポンプ16aと機械的に接続されてい
る。As shown in FIG. 1, the air injection nozzle 11a is mechanically connected to the pressurized air injection unit 15 via an air filter 13a and an air control valve (air switching control unit) 14a. On the other hand, the air suction nozzle 11b includes an air filter 13b and an air control valve (air switching control unit) 1
It is mechanically connected to the vacuum pump 16a via 4b.
【0023】エアフィルタ13a,13bは、異物を捕
獲するためのフィルタである。エア制御弁14a,14
bは、制御部(エア切換制御部)17と電気的に接続さ
れており、制御部17からの制御信号に基づいて、各々
の弁(図示せず)を開閉する構造になっている。The air filters 13a and 13b are filters for trapping foreign matter. Air control valves 14a, 14
b is electrically connected to the control unit (air switching control unit) 17, and has a structure for opening and closing each valve (not shown) based on a control signal from the control unit 17.
【0024】本実施例においては、エア制御弁14a,
14bの各々の弁が交互に開閉するように制御される構
造になっており、その結果、図4に示すように、所定時
間、例えば数秒〜数十秒間に、エアノズル11から所定
領域へのエアの噴射(加圧)と、所定領域からエアノズ
ル11へのエアの吸引とがほぼ同一時間づつ交互に繰り
返されるようになっている。In this embodiment, the air control valve 14a,
Each of the valves 14b is controlled to open and close alternately, and as a result, as shown in FIG. 4, air from the air nozzle 11 to a predetermined area is maintained for a predetermined time, for example, several seconds to several tens of seconds. The injection (pressurization) and the suction of air from the predetermined area to the air nozzle 11 are alternately repeated at substantially the same time.
【0025】この際、エア吸引処理によって吸引された
異物は、エア吸引ノズル11bを通じて除去されるよう
になっている。また、エア噴射処理によって異物除去室
3内に浮上した異物は、吸引ダクト12を通じて除去さ
れるようになっている。吸引ダクト12は、真空ポンプ
16bと機械的に接続されており、異物除去室3内のエ
アは、常時、真空ポンプ16bによって吸引されてい
る。At this time, the foreign matter sucked by the air suction process is removed through the air suction nozzle 11b. Further, the foreign matter floating in the foreign matter removing chamber 3 by the air injection process is removed through the suction duct 12. The suction duct 12 is mechanically connected to the vacuum pump 16b, and the air in the foreign matter removal chamber 3 is constantly sucked by the vacuum pump 16b.
【0026】アンローダ室4には、異物除去処理の終了
した半導体パッケージ5が収容されるようになってい
る。アンローダ室4は、複数の半導体パッケージ5を収
容可能な構造になっている。The unloader chamber 4 is adapted to accommodate the semiconductor package 5 which has been subjected to the foreign matter removing process. The unloader chamber 4 has a structure capable of accommodating a plurality of semiconductor packages 5.
【0027】なお、ローダ室2と異物除去室3との間お
よび異物除去室3とアンローダ室4との間には、それぞ
れドア18a,18bが自動的に開閉可能な状態で設置
されている。また、ローダ室2から異物除去室3および
異物除去室3からアンローダ室4への半導体パッケージ
5の移送は、ベルトコンベア19によって自動的に行わ
れるようになっている。Doors 18a and 18b are installed between the loader chamber 2 and the foreign matter removing chamber 3 and between the foreign matter removing chamber 3 and the unloader chamber 4, respectively, so that the doors 18a and 18b can be automatically opened and closed. The transfer of the semiconductor package 5 from the loader chamber 2 to the foreign matter removing chamber 3 and from the foreign matter removing chamber 3 to the unloader chamber 4 is automatically performed by the belt conveyor 19.
【0028】次に、本実施例の異物除去方法を図5〜図
7によって説明する。Next, the foreign matter removing method of this embodiment will be described with reference to FIGS.
【0029】図5は異物除去処理前の半導体パッケージ
5の要部を示しており、その半導体パッケージ5上に
は、異物20a〜20eが存在している。異物20a〜
20eは、それぞれ次の位置に存在している。FIG. 5 shows a main part of the semiconductor package 5 before the foreign matter removing process, and foreign matter 20a to 20e are present on the semiconductor package 5. Foreign object 20a ~
20e are present at the following positions, respectively.
【0030】異物20aは、半導体チップ7とベース基
板6とが形成する隅に存在している。異物20bは、半
導体チップ7の主面上に形成された凹部に入り込んでい
る。異物20cは、半導体チップ7の主面上の平坦領域
に存在している。異物20dは、ベース基板6の凹部
(キャビティー)に入り込んでいる。異物20eは、リ
ード8上に存在している。The foreign matter 20a exists in the corner formed by the semiconductor chip 7 and the base substrate 6. The foreign matter 20b has entered the concave portion formed on the main surface of the semiconductor chip 7. The foreign matter 20c exists in a flat area on the main surface of the semiconductor chip 7. The foreign matter 20d has entered the concave portion (cavity) of the base substrate 6. The foreign matter 20e is present on the lead 8.
【0031】まず、このような半導体パッケージ5に対
して、図6に示すように、エア噴射ノズル11aから一
定圧力の加圧エアを一定時間噴射する。First, as shown in FIG. 6, pressurized air having a constant pressure is jetted to the semiconductor package 5 from the air jet nozzle 11a for a given time.
【0032】この処理により、例えば半導体チップ7の
主面上の平坦領域に存在する異物20cやリード8上の
異物20e等は加圧エアによって吹き上げられ吸引ダク
ト12(図1参照)を通じて除去され、隅の異物20a
や凹部の異物20b,20d等はそのまま残ったとす
る。By this processing, for example, the foreign matter 20c existing in the flat area on the main surface of the semiconductor chip 7, the foreign matter 20e on the lead 8 and the like are blown up by the pressurized air and removed through the suction duct 12 (see FIG. 1), Foreign object 20a in the corner
It is assumed that the foreign matter 20b, 20d, etc. in the concave portion remain as they are.
【0033】この際、凹部の異物20b等は、加圧エア
の圧力を上げれば吹き上げることもできると考えられる
が、あまりエア圧力を上げるとボンディングワイヤ10
が曲がり、隣接するボンディングワイヤ10間が短絡す
る等のような問題が生じるので、エア圧力を上げられな
い場合がある。At this time, it is considered that the foreign matter 20b in the recess can be blown up by increasing the pressure of the pressurized air.
May bend, causing a problem such as a short circuit between the adjacent bonding wires 10. Therefore, the air pressure may not be increased.
【0034】そこで、本実施例においては、エア噴射ノ
ズル11aからのエアの噴射を止めて、今度は、図7に
示すように、エアを噴射した領域におけるエアをエア吸
引ノズル11bによって所定時間吸引する。これによ
り、隅の異物20aや凹部の異物20b,20dをエア
吸引ノズル11bを通じて除去する。Therefore, in this embodiment, the air injection from the air injection nozzle 11a is stopped, and this time, as shown in FIG. 7, the air in the area where the air is injected is sucked for a predetermined time by the air suction nozzle 11b. To do. As a result, the foreign matter 20a in the corner and the foreign matter 20b, 20d in the recess are removed through the air suction nozzle 11b.
【0035】そして、本実施例においては、上記した加
圧エアの噴射と、エアの吸引とを所定時間内に交互に繰
り返すことにより、エアの噴射吸引を行った領域におい
て大きな圧力勾配を発生させることができ、かつ、異物
に対して相反する方向に作用する力を交互に加えること
ができる。この結果、例えば静電気的に付着した異物や
凹部・隅に入り込んだ異物等でも除去することが可能と
なる。In the present embodiment, a large pressure gradient is generated in the region where the air is jetted and sucked by alternately repeating the injection of the pressurized air and the suction of the air within a predetermined time. In addition, it is possible to alternately apply forces acting on the foreign matter in opposite directions. As a result, it is possible to remove, for example, electrostatically adhered foreign matter or foreign matter that has entered recesses or corners.
【0036】このように本実施例によれば、以下の効果
を得ることが可能となる。As described above, according to this embodiment, the following effects can be obtained.
【0037】(1).エア噴射ノズル11aから半導体パッ
ケージ5の所定領域に対してエアを吹きかける工程と、
その所定領域のエアをエア吸引ノズル11bによって吸
引し異物を除去する工程とを交互に繰り返すことによ
り、エアの噴射のみでは浮上しない異物をも除去するこ
とが可能となる。(1). A step of blowing air from the air injection nozzle 11a to a predetermined region of the semiconductor package 5,
By alternately repeating the step of sucking the air in the predetermined region with the air suction nozzle 11b to remove the foreign matter, it is possible to remove the foreign matter that does not float only by injecting the air.
【0038】(2).エア噴射ノズル11aから半導体パッ
ケージ5の所定領域に対してエアを吹きかける工程と、
その所定領域のエアをエア吸引ノズル11bによって吸
引し異物を除去する工程とを交互に繰り返すことによ
り、そのエアの噴射吸引された領域において大きな圧力
勾配を発生させることができ、かつ、異物に対して相反
する方向に作用する力を交互に加えることが可能とな
る。(2). A step of blowing air from the air jet nozzle 11a to a predetermined region of the semiconductor package 5,
By alternately repeating the step of sucking the air in the predetermined area by the air suction nozzle 11b and removing the foreign matter, a large pressure gradient can be generated in the area where the air is jetted and sucked, and It is possible to alternately apply forces acting in opposite directions.
【0039】(3).上記(1) ,(2) により、加圧エアの圧
力を上げることなく、例えば静電気的に付着している異
物や隅・凹部に入り込んでいる異物20a,20b,2
0d等でも除去することができ、異物除去効果を向上さ
せることが可能となる。(3) Due to the above (1) and (2), for example, the foreign matter that is electrostatically attached or the foreign matter 20a, 20b, 2 that has entered the corners / recesses without increasing the pressure of the pressurized air.
Even 0d or the like can be removed, and the foreign substance removing effect can be improved.
【0040】(4).上記(3) により、加圧エアの圧力によ
るボンディングワイヤ10の曲がり不良を発生させるこ
となく、異物の除去が可能となる。(4) Due to the above (3), the foreign matter can be removed without causing the bending defect of the bonding wire 10 due to the pressure of the pressurized air.
【0041】(5).上記(3) ,(4) により、半導体パッケ
ージ5の歩留りおよび信頼性を向上させることが可能と
なる。(5). Due to the above (3) and (4), the yield and reliability of the semiconductor package 5 can be improved.
【0042】以上、本発明者によってなされた発明を実
施例に基づき具体的に説明したが、本発明は前記実施例
に限定されるものではなく、その要旨を逸脱しない範囲
で種々変更可能であることはいうまでもない。The invention made by the inventor of the present invention has been specifically described above based on the embodiments, but the present invention is not limited to the above embodiments, and various modifications can be made without departing from the scope of the invention. Needless to say.
【0043】例えば前記実施例においては、本発明を半
導体パッケージの組立工程の一つであるワイヤボンディ
ング工程後の異物除去処理に適用した場合について説明
したが、これに限定されるものではなく種々変更可能で
あり、例えばワイヤボンディング工程前の異物除去処理
等にも適用することができる。For example, in the above-described embodiment, the case where the present invention is applied to the foreign matter removing process after the wire bonding process which is one of the assembling processes of the semiconductor package has been described, but the present invention is not limited to this and various modifications are made. This is also possible, and can be applied to, for example, a foreign matter removing process before the wire bonding process.
【0044】また、前記実施例においては、エアの噴射
時間と吸引時間とをほぼ同一とした場合について説明し
たが、これに限定されるものではなく、例えばエアの噴
射時間よりもエアの吸引時間を長くしたり、反対にエア
の噴射時間を吸引時間よりも長くしたりしても良い。Further, in the above embodiment, the case where the air injection time and the suction time are set to be substantially the same has been described, but the present invention is not limited to this, and for example, the air suction time is longer than the air injection time. May be made longer, or conversely, the air injection time may be made longer than the suction time.
【0045】以上の説明では主として本発明者によって
なされた発明をその背景となった利用分野である半導体
パッケージの製造工程で用いられる異物除去技術に適用
した場合について説明したが、これに限定されず種々適
用可能であり、例えばフォトマスクや液晶基板の製造工
程で用いられる異物除去方法等のような他の異物除去方
法に適用することも可能である。In the above description, the case where the invention made by the present inventor is mainly applied to the foreign matter removing technique used in the manufacturing process of the semiconductor package which is the background field of application has been described, but the invention is not limited to this. It can be applied in various ways, for example, it can be applied to other foreign matter removing methods such as a foreign matter removing method used in the manufacturing process of photomasks and liquid crystal substrates.
【0046】[0046]
【発明の効果】本願において開示される発明のうち、代
表的なものによって得られる効果を簡単に説明すれば、
下記のとおりである。The effects obtained by the typical ones of the inventions disclosed in the present application will be briefly described as follows.
It is as follows.
【0047】すなわち、請求項1記載の発明によれば、
エアの噴射のみならず、その噴射領域のエアを吸引して
その領域に存在する異物を吸い取ることにより、エアの
噴射で浮上しない異物をも除去することができる。That is, according to the invention of claim 1,
Not only the air injection, but also the air in the injection area is sucked and the foreign matter existing in the area is sucked, so that the foreign matter that does not float by the air injection can be removed.
【0048】また、エアの噴射と、吸引とを交互に繰り
返すことにより、そのエアの噴射吸引された領域におい
て大きな圧力勾配を発生させることができ、かつ、異物
に対して相反する方向に作用する力を交互に加えること
ができる。Further, by alternately repeating the air injection and the air suction, a large pressure gradient can be generated in the area where the air is jetted and sucked, and the foreign matter acts in opposite directions. Forces can be applied alternately.
【0049】これらにより、例えば静電気的に付着して
いる異物や隅・凹部に入り込んでいる異物でも除去で
き、異物除去効果を向上させることが可能となる。As a result, it is possible to remove, for example, electrostatically adhering foreign substances and foreign substances that have entered the corners / recesses, so that the foreign substance removing effect can be improved.
【0050】したがって、本発明を、例えば半導体パッ
ケージの製造工程における異物除去に適用することによ
り、半導体パッケージの歩留りおよび信頼性を向上させ
ることが可能となる。Therefore, by applying the present invention to, for example, foreign matter removal in the manufacturing process of a semiconductor package, the yield and reliability of the semiconductor package can be improved.
【図1】本発明の一実施例である異物除去装置の説明図
である。FIG. 1 is an explanatory diagram of a foreign matter removing device that is an embodiment of the present invention.
【図2】被処理物の要部断面図である。FIG. 2 is a cross-sectional view of a main part of an object to be processed.
【図3】図1の異物除去装置のエアノズルの拡大断面図
である。3 is an enlarged cross-sectional view of an air nozzle of the foreign matter removing device of FIG.
【図4】被処理物の所定領域に対して所定時間内にエア
噴射とエア吸引とを交互に繰り返すタイミング例を示す
グラフ図である。FIG. 4 is a graph showing a timing example in which air injection and air suction are alternately repeated within a predetermined time for a predetermined region of the object to be processed.
【図5】異物除去処理前における被処理物の要部断面図
である。FIG. 5 is a cross-sectional view of a main part of the object to be processed before the foreign matter removing process.
【図6】異物除去処理中における被処理物の要部断面図
である。FIG. 6 is a cross-sectional view of a main part of the object to be processed during the foreign matter removing process.
【図7】図6に続く異物除去処理中における被処理物の
要部断面図である。FIG. 7 is a cross-sectional view of the main parts of the object to be processed during the foreign matter removing process subsequent to FIG. 6;
1 異物除去装置 2 ローダ室 3 異物除去室 4 アンローダ室 5 半導体パッケージ(被処理物) 6 ベース基板 7 半導体チップ 8 リード 9 接合部 10 ボンディングワイヤ 11 エアノズル 11a エア噴射ノズル 11b エア吸引ノズル 12 吸引ダクト 13a エアフィルタ 13b エアフィルタ 14a エア制御弁(エア切換制御部) 14b エア制御弁(エア切換制御部) 15 加圧エア噴射部 16a 真空ポンプ 16b 真空ポンプ 17 制御部(エア切換制御部) 18a ドア 18b ドア 19 ベルトコンベア 20a 異物 20b 異物 20c 異物 20d 異物 20e 異物 1 foreign matter removing device 2 loader chamber 3 foreign matter removing chamber 4 unloader chamber 5 semiconductor package (object to be processed) 6 base substrate 7 semiconductor chip 8 lead 9 bonding portion 10 bonding wire 11 air nozzle 11a air injection nozzle 11b air suction nozzle 12 suction duct 13a Air filter 13b Air filter 14a Air control valve (air switching control part) 14b Air control valve (air switching control part) 15 Pressurized air injection part 16a Vacuum pump 16b Vacuum pump 17 Control part (air switching control part) 18a Door 18b Door 19 belt conveyor 20a foreign matter 20b foreign matter 20c foreign matter 20d foreign matter 20e foreign matter
Claims (5)
する工程と、前記所定領域のエアを吸引する工程とを交
互に繰り返し、前記被処理物の所定領域に存在する異物
を除去することを特徴とする異物除去方法。1. A foreign matter existing in a predetermined area of the object to be processed is alternately repeated by a step of injecting air to the predetermined area of the object to be processed and a step of sucking air in the predetermined area. A method for removing foreign matter characterized by the above.
アを噴射する工程と、前記所定領域のエアを吸引する工
程とを交互に繰り返し、前記半導体パッケージの所定領
域に存在する異物を除去することを特徴とする異物除去
方法。2. A step of ejecting air to a predetermined area of the semiconductor package and a step of sucking air in the predetermined area are alternately repeated to remove foreign matters existing in the predetermined area of the semiconductor package. Characteristic foreign material removal method.
するエア噴射ノズルと、前記被処理物の所定領域のエア
を吸引することにより異物を除去するエア吸引ノズル
と、前記エアの噴射とエアの吸引とが交互に行われるよ
うにエアの噴射と吸引との切り換えを制御するエア切換
制御部とを有することを特徴とする異物除去装置。3. An air injection nozzle for injecting air to a predetermined area of the object to be processed, an air suction nozzle for removing foreign matter by sucking air in the predetermined area of the object to be processed, and an injection of the air. And an air switching control unit that controls switching between air injection and suction so that air suction and air suction are alternately performed.
アを噴射するエア噴射ノズルと、前記半導体パッケージ
の所定領域のエアを吸引することにより異物を除去する
エア吸引ノズルと、前記エアの噴射とエアの吸引とが交
互に行われるようにエアの噴射と吸引との切り換えを制
御するエア切換制御部とを有することを特徴とする異物
除去装置。4. An air jet nozzle for jetting air to a predetermined area of a semiconductor package, an air suction nozzle for removing foreign matter by sucking air in a predetermined area of the semiconductor package, and jetting and air of the air. A foreign matter removing device, comprising: an air switching control unit that controls switching between injection and suction of air so that the suction and the suction are alternately performed.
ズルとを軸を同一にした状態で一体的に形成したことを
特徴とする請求項3または4記載の異物除去装置。5. The foreign matter removing device according to claim 3, wherein the air injection nozzle and the air suction nozzle are integrally formed with the same axis.
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP4189031A JPH0637121A (en) | 1992-07-16 | 1992-07-16 | Method and device for removing foreign matter |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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JP4189031A JPH0637121A (en) | 1992-07-16 | 1992-07-16 | Method and device for removing foreign matter |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
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JPH0637121A true JPH0637121A (en) | 1994-02-10 |
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ID=16234143
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP4189031A Pending JPH0637121A (en) | 1992-07-16 | 1992-07-16 | Method and device for removing foreign matter |
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JP (1) | JPH0637121A (en) |
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2014064987A (en) * | 2012-09-26 | 2014-04-17 | Nec Embedded Products Ltd | Nozzle control device, dust removing device, and nozzle control method |
US8783319B2 (en) | 2011-03-23 | 2014-07-22 | Hitachi High-Tech Instruments Co., Ltd. | Foreign substance removing device and die bonder equipped with the same |
JP2017040561A (en) * | 2015-08-20 | 2017-02-23 | 三菱電機株式会社 | Semiconductor chip testing device and semiconductor chip testing method |
-
1992
- 1992-07-16 JP JP4189031A patent/JPH0637121A/en active Pending
Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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TWI453808B (en) * | 2011-03-23 | 2014-09-21 | Hitachi High Tech Instr Co Ltd | A foreign matter removing device and a wafer bonding machine provided with the same |
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