JPH0636908A - 電子回路装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【目的】応力に起因する抵抗器の抵抗値変動による回路
の出力ばらつきを低減可能な電子回路装置を提供する。 【構成】例えばモールド樹脂部３の硬化収縮によりモー
ルド樹脂部３と回路基板２との間に残留応力が発生す
る。この残留応力はモールド樹脂部３と回路基板２に固
定された第１、第２抵抗器群（ここでは両群は各１個の
抵抗器で構成される）Ｒ１，Ｒ２に作用し、両抵抗器群
Ｒ１，Ｒ２の抵抗値が変化する。この発明では、第１抵
抗器群Ｒ１の上記抵抗値変化による回路の出力変化と、
第２抵抗器群Ｒ２の上記抵抗値変化による回路出力の変
化量が等しく、かつ、回路出力の変化方向（増減方向）
が反対となる回路基板２上の固定位置を選定し、これら
の固定位置に両抵抗器群Ｒ１，Ｒ２を固定している。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明は、電子回路装置に関し、
詳しくは樹脂モールドハイブリッドＩＣに関する。

【０００２】

【従来の技術】従来のハイブリッドＩＣは、リード取り
出し構造によりＳＩＰタイプ及びＤＩＰタイプに分類さ
れるが、いずれも樹脂モールド（封止）の場合は、注型
法、浸漬法、トランスファ法などにより金型又はケース
に回路基板を予め挿入しておき、液状又は粉体状の熱硬
化性樹脂（例えばエポキシ樹脂やシリコーン樹脂）をモ
ールドしている。

【０００３】

【発明が解決しようとする課題】しかしながら上記した
従来のハイブリッドＩＣでは、主としてモールド樹脂部
の加熱硬化やその後の冷却により樹脂が収縮する過程で
応力が発生し、又、モールド樹脂部と回路基板との間の
収縮率や熱膨張率の差によっても両者間に残留応力が発
生する。としてこれらの応力が回路基板に固定された抵
抗器に作用し、その結果、この抵抗器の抵抗値が受承す
る応力に応じて変化してしまう。

【０００４】本発明者らの試験、解析によれば、モール
ド樹脂部の収縮により回路基板には圧縮応力及び面直方
向の曲げ応力が作用し、この曲げ応力により上記抵抗器
に圧縮あるいは引張応力が掛かることがわかった。上記
曲げ応力は回路基板各部においてばらつくので、回路基
板上の抵抗体形成位置によって抵抗器の抵抗値がばらつ
き、その結果、抵抗値を用いた回路の出力がばらつく。

【０００５】また、ハイブリットＩＣ外部から加わる応
力によっても抵抗器の抵抗値がばらついてしまうことも
確認した。本発明は、上記問題点に鑑みなされたもので
あり、モールド樹脂部と回路基板との間に生じる硬化収
縮応力、熱膨張率差に起因する応力、外部応力等による
抵抗器の抵抗値変動によって、回路の出力がばらつくの
を低減可能な電子回路装置を提供することを、その目的
としている。

【０００６】

【課題を解決するために手段】本発明の電子回路装置
は、回路基板と、前記回路基板に固定されそれぞれ１個
以上の抵抗器からなる第１、第２抵抗器群を含み前記回
路基板に配設された回路と、前記回路基板表面に固着さ
れ前記回路を被覆するモールド樹脂部と、一端が前記回
路基板に固定され他端が前記モールド樹脂部を貫通して
外部に突出するリードとを備える電子回路装置におい
て、応力に起因する前記両抵抗器群の抵抗値変化による
前記回路の出力変化が互いに相殺し合う位置に、前記両
抵抗器群が配設されることを特徴としている。

【０００７】本発明でいう抵抗器として、印刷、焼成で
形成された厚膜抵抗体の他、各種ＰＶＤ法やＣＶＤ法で
形成された薄膜抵抗体を採用することができる。これら
抵抗器は、回路基板に導電ペーストや接着剤や半田など
により接着、固定されることができ、その他、回路基板
上に直接形成される抵抗器も包含される。そして、これ
ら抵抗器は、コンデンサなどの他の受動回路素子やＩＣ
及びトランジスタなどの能動回路素子とともに回路基板
に搭載される。

【０００８】第１態様において、前記回路の出力は前記
両抵抗値の比の関数となり、かつ、前記両抵抗器群はそ
れぞれ１個の抵抗器で構成され、前記両抵抗器が受承す
る応力による前記両抵抗値の変化率は略等しく設定され
る。第２態様において、前記回路の出力は前記両抵抗値
の積の関数となり、かつ、前記両抵抗器群はそれぞれ１
個の抵抗器で構成され、前記両抵抗器が受承する応力に
よる前記両抵抗値の変化率の積は略１に設定される。

【０００９】第３態様において、前記回路の出力は前記
両抵抗値をＲ１、Ｒ２とし、Ｋを定数とした場合にＲ１
＋ＫＲ２の関数となり、かつ、前記両抵抗器群はそれぞ
れ１個の抵抗器で構成され、前記両抵抗器が受承する応
力による前記両抵抗値Ｒ１の変化率α及びＲ２の変化率
βは、Ｋ＝α／βに設定される。前記第１〜第３態様の
好適な態様である第４態様において、前記両抵抗器は、
前記両抵抗器が受承する応力の大きさが等しい位置に
て、前記両抵抗器の長手方向と前記応力の方向との間の
角度が等しくなる姿勢で配設される。

【００１０】第４態様の好適な態様において、前記両抵
抗器は、回路基板の一短辺から等距離の位置に配設され
る。第４態様の好適な態様において、前記両抵抗器は、
前記回路基板の両短辺からそれぞれ等距離の位置に配設
される。第４態様の好適な態様において、前記両抵抗器
は、前記基板の辺縁部に配置される。

【００１１】第４態様の好適な態様において、前記両抵
抗器の長手方向は、前記基板の短辺と平行に配置され
る。

【００１２】

【作用及び発明の効果】モールド樹脂部の硬化収縮によ
り回路基板に応力が発生する。あるいは、モールド樹脂
と回路基板の熱膨張率差、外部要因により応力は発生す
る。この応力はモールド樹脂部と回路基板に固定された
第１、第２抵抗器群に作用し、両抵抗器群の抵抗値が変
化する。

【００１３】この発明では、第１抵抗器群の上記抵抗値
変化による回路の出力変化による回路出力の変化量と、
第２抵抗器群の上記抵抗値変化による回路出力の変化量
が等しく、かつ、変化方向（増減方向）が反対となる回
路基板上の固定位置を選定し、これらの固定位置に両抵
抗器群を固定している。その結果、上記応力による両抵
抗器群の抵抗値変化にかかわらず、回路出力の変動はほ
ぼ相殺され、高精度の電子回路装置を実現することがで
きる。

【００１４】

【実施例】

（実施例１）本発明の電子回路装置の一実施例を図１〜
図４に示す。この電子回路装置はハイブリッドＩＣであ
って、ケ−ス１と、ケ−ス１内に収容された回路基板２
と、ケ−ス１内に充填されたモールド樹脂部３と、一端
が回路基板２に固定され他端がモールド樹脂部３を貫通
して外部に突出するリード４とを備えている。なお、図
１では回路基板２の主面上のモールド樹脂部３は剥離し
て図示している。

【００１５】ケ−ス１は、縦、横、高さが５０ｍｍ×６
ｍｍ×１８ｍｍの直方中空体形状を有し、底面が開口さ
れている。ケ−ス１の壁厚は約１ｍｍで、ＰＢＴ樹脂の
射出成形により形成されている。ケ−ス１の長手方向両
端に位置する両内端面には、回路基板２の位置決め、案
内用の一対のガイド突起１１が互いに平行に突設されて
いる。

【００１６】回路基板２はアルミナを素材とする多層基
板であって、回路基板２の両短辺２１、２２はそれぞれ
ガイド突起対１１の間にゆるやかに嵌入されて保持され
ている。回路基板２の寸法は、縦、横、厚さ１３ｍｍ×
４７．５ｍｍ×０．８ｍｍであり、その線膨張率は約
７．５×１０^-6／℃である。回路基板２には多層の配線
パタン（図示せず）が形成されている。回路基板２の一
面には、各種回路部品が固定され、電気接続されてい
る。特にこの実施例では、回路基板２の短辺２１に近接
しかつ短辺２１から約２ｍｍの距離に抵抗器Ｒ１、Ｒ２
が固定され、同様に、回路基板２の短辺２１に近接しか
つ短辺２１からから約４．６ｍｍの距離に抵抗器Ｒ３、
Ｒ４が固定されている。

【００１７】抵抗器Ｒ１、Ｒ２は、縦、横、厚さが１．
５ｍｍ×０．８５ｍｍ×１０μｍの直方体形状を有し、
抵抗器Ｒ１、Ｒ２の長手方向は短辺２１と平行となって
いる。抵抗器Ｒ１〜Ｒ４は、その一部を図４に拡大図示
するようにＲｕＯ₂ を素材とした厚膜抵抗体であって、
回路基板２上に印刷、焼成により形成されている。５は
Ａｇ系からなる厚さ約１０μｍの配線層である。

【００１８】モールド樹脂部３は、ケ−ス１内へ回路基
板２を挿入後、溶融エポキシ樹脂（摂氏約４０度）を常
温のケ−ス１内に注入し、熱硬化させ、冷却して形成さ
れる。このエポキシ樹脂の線膨張率は約５１×１０^-6／
℃、溶融状態から硬化後常温復帰状態した場合、体積収
縮率は約９６％である。上記した回路基板２上の回路
は、モノリシックのオペアンプＯＰと、抵抗器Ｒ１、２
からなる初段センスアンプ（図５参照）を有し、このオ
ペアンプ増幅回路の電圧増幅率ｋは、（１＋Ｒ２／Ｒ
１）となる。

【００１９】上記したハイブリッドＩＣは、モールド樹
脂部３の硬化冷却時の収縮により図６に略示するように
回路素子搭載面Ａ側へ反る。これは、回路素子搭載面Ａ
側のモールド樹脂量が、裏面側のモールド樹脂量よりも
多いために、回路基板２の回路素子搭載面Ａに掛かる圧
縮力（特にその長手方向における）が、裏面Ｂのそれに
優り、そのために、回路基板２の中央部が回路基板２の
両短辺２１、２２に対して回路素子搭載面Ａを窪ませる
方向に反るためである。なお、この反り量すなわち残留
応力は当然、温度変化に応じても変化する。また、回路
基板２の中央部は回路基板２の両長辺２３、２４に対し
ても回路素子搭載面Ａを窪ませる方向に反るが、この反
り量は比較的小さいので、この実施例では無視するもの
とする。

【００２０】また、回路素子搭載面Ａ上に固定した各回
路素子により回路基板２の各部は局部的に剛性強化さ
れ、各部の反り量及び応力分布はばらつくが、この実施
例では無視する。このような回路基板２の反り（すなわ
ち回路基板２の面直方向の曲げ応力）により、その上に
固定された抵抗器Ｒ１、Ｒ２に圧縮応力が加えられる。

【００２１】回路基板２に加えられる応力と回路基板に
固定された抵抗器の抵抗値変化との関係を調べた。試験
用の回路基板２０は、図７に示すように、縦、横、厚さ
が１３ｍｍ×４７．５ｍｍ×０．８ｍｍの寸法を有し、
台座９０で回路基板２の長手方向の両端部を支持した。
抵抗器Ｒは回路基板２０の短辺２１から０．１５３ｍｍ
の位置に固定され、回路基板２の中央を回路基板２に向
けて押圧して、抵抗値の変化を調べた。その結果を図８
に示す。

【００２２】図８から、押圧力（曲げ応力）ΔＦと抵抗
値の変化ΔＲとはほぼ直線関係にあり、この押圧力によ
る回路基板２の湾曲により、抵抗器Ｒ１に圧縮応力が生
じる場合には抵抗減少、抵抗器Ｒ１に引っ張り応力が生
じる場合には抵抗増加が生じることがわかった。なお、
この実施例では、抵抗器Ｒ１の長手方向すなわち通電方
向は回路基板２の長手方向としたが、抵抗器Ｒ１の長手
方向すなわち通電方向を回路基板２の長手方向との角度
を変えても、抵抗器Ｒ１に圧縮応力が生じる場合には抵
抗減少、抵抗器Ｒ１に引っ張り応力が生じる場合には抵
抗増加が生じることがわかった。

【００２３】次に、図７の回路基板２０における反り量
（変位量）と抵抗値変化量との関係を調べた。その結果
を図９に示す。ただし、反り量は基板中央部の最大変位
量とした。なお、回路基板２の両短辺２１、２２を支持
して中央部を押圧した場合、回路基板２の弾性変形によ
り回路基板２の長手方向各部に作用する圧縮あるいは引
張り応力は図１０に示すように、中央部が最大で両短辺
２１、２２でほぼ０となり、連続的に（略直線的に）変
化する。

【００２４】次に、抵抗器Ｒが上記位置に固定された回
路基板２０をケ−ス１に収容し、モールド樹脂部で全面
モールドした場合の抵抗器Ｒの抵抗値変化を調べた。そ
の結果、この抵抗器Ｒ１の抵抗値変化率の平均値は室温
状態で約−０．７％であった。以下、本実施例の特徴点
を説明する。

【００２５】以上説明したようにこの実施例では、抵抗
器Ｒ１、Ｒ２が短辺２１から回路基板２の長手方向に等
距離位置に固定されている。その結果、上記した回路基
板２を通じて抵抗器Ｒ１、Ｒ２に作用する圧縮応力は等
しくなり、その結果、抵抗器Ｒ１、Ｒ２の抵抗値変化率
が等しくなる。抵抗器Ｒ１、Ｒ２を用いたオペアンプ電
圧増幅回路の電圧増幅率ｋは（１＋Ｒ２／Ｒ１）である
ので、このオペアンプ電圧増幅回路の出力特性（電圧増
幅率ｋ）から回路基板２の反りの影響がキャンセルされ
る。

【００２６】またこの実施例では、抵抗器Ｒ１、Ｒ２を
短辺２１に近接して配置するため、回路基板２の曲げ応
力に比例する抵抗器Ｒ１、Ｒ２に作用する圧縮応力も小
さく、圧縮応力の差も小さくできる。その結果、このオ
ペアンプ電圧増幅回路の出力特性（電圧増幅率ｋ）から
回路基板２の反りの影響が低減される。更にこの実施例
では、抵抗器Ｒ１、Ｒ２の長手方向が短辺２１と平行に
配置されている。このようにすれば、抵抗器Ｒ１、Ｒ２
の各部に作用する圧縮応力のばらつきが小さく、両抵抗
器Ｒ１、Ｒ２の抵抗値のばらつきも小さくなる。

【００２７】以上の結果として、このオペアンプ電圧増
幅回路からなる初段センスアンプの電圧増幅率のばらつ
きを大幅に低減することができた。通常、微小な入力信
号電圧又は信号電流を増幅する初段センスアンプの電圧
増幅率はより大きな信号電圧を扱うその後の回路段に比
べて格段に高い安定度が要求されるが、本実施例によれ
ば電圧増幅率のばらつきを大幅に低減でき、このような
初段センスアンプに好適である。

【００２８】なお、抵抗器Ｒ１、Ｒ２の各長手方向を回
路基板２の長辺２３、２４と平行とすることも可能であ
り（図１１参照）、また抵抗器Ｒ１、Ｒ２の長手方向と
回路基板２の長手方向との角度を所定値としてもよく
（図１２参照）、更に抵抗器Ｒ１、Ｒ２が回路基板２の
長手方向の基準線を中心として鏡像関係にあるように配
設してもよい（図１３参照）。

【００２９】特に、図１１、図１３では、抵抗器Ｒ１、
Ｒ２が回路基板２の長手方向に延びる中央線Ｃを基準と
して対称配置されており、中央線Ｃに対する回路基板２
の長辺２３、２４の湾曲変形に対する両抵抗器Ｒ１、Ｒ
２の増加率が等しくなるという効果も生じる。 （実施例２）上記実施例では回路基板２及びその上の回
路素子と直接接触してエポキシ樹脂を素材とするモール
ド樹脂部３を形成したが、図１４に示すように抵抗器Ｒ
１、Ｒ２を含む回路素子を軟質のゲル状シリコン樹脂層
８で被覆した後、モールド樹脂部３を形成してもよい。
このようにすれば、抵抗器Ｒ１、Ｒ２に作用する圧縮応
力を減らすことができる。５は配線電極である。

【００３０】すなわち、回路基板２が湾曲するのは、回
路素子搭載面Ａ側のモールド樹脂量が裏面Ｂ側のモール
ド樹脂量より多い分、その回路素子搭載面Ａに作用する
収縮力が優り、そのために回路基板２が回路素子搭載面
Ａ側に湾曲することがわかった。したがって、ゲル状シ
リコン樹脂層８で回路素子搭載面Ａを被覆することによ
り回路素子搭載面Ａに作用するモールド樹脂部３の収縮
力（曲げ応力）を緩和すれば、回路基板２の湾曲が減少
あるいは解消され、実施例１の抵抗器Ｒ１、Ｒ２のペア
配置効果と相まって、安定した電圧増幅率が得られる。

【００３１】（実施例３）他の実施例を図１５に示す。
この実施例では、抵抗器Ｒ１、Ｒ２をレーザートリミン
グし、かつ、レーザートリミングによる溶断領域Ａｗの
短辺２１からの距離をほぼ等しくしたものである。

【００３２】このようにすれば、レーザートリミング後
においても、短辺２１からの抵抗器Ｒ１、Ｒ２の実質距
離は等しくなり、回路基板２の上記湾曲に伴う抵抗値増
加率がほぼ等しくなり、両抵抗値のばらつきをキャンセ
ルすることができる。 （実施例４）他の実施例を図１６に示す。

【００３３】この実施例では、短辺２１からの抵抗器Ｒ
１の距離と、短辺２２からの抵抗器Ｒ２の距離とを等し
く配置したものである。このようにしても抵抗器Ｒ１、
Ｒ２の抵抗値変化率はほぼ等しくなり、上記抵抗値のば
らつきをキャンセルが可能となる。 （実施例５）他の実施例を図１７に示す。

【００３４】この実施例では、抵抗器Ｒ１、Ｒ２を、短
辺２１から回路基板２の長手方向へ等距離位置におい
て、回路基板２の表裏に個別に固定している。そして、
この抵抗器Ｒ１、Ｒ２を用いた回路の出力（出力電圧又
は出力電流又は出力周波数）は、抵抗器Ｒ１の抵抗値を
ｒ１、抵抗器Ｒ２の抵抗値をｒ２とした場合に、（ｒ１
×ｒ２）又は（ｒ１＋ｒ２）を変数とする任意の関数値
とする。

【００３５】このようにすれば、抵抗器Ｒ１の抵抗値増
加率と、抵抗器Ｒ２の抵抗値減少率とがそれらの積又は
和によりキャンセルされる。 （実施例６）他の実施例を図１８に示す。この実施例で
は、抵抗器Ｒ１、Ｒ２を、短辺２１から回路基板２の長
手方向へ等距離位置において、厚さ方向に重ねて固定し
ている。すなわち、回路基板２上に抵抗器Ｒ１を固定し
た後、回路基板２上に層間ガラス膜７をコートし、その
上に抵抗器Ｒ２を固定している。層間ガラス膜７の厚さ
は約０．０５ｍｍとした。なお、回路基板２の厚さ０．
８ｍｍに対して層間ガラス膜７は充分薄いので、両抵抗
器Ｒ１、Ｒ２に掛かる圧縮応力はほぼ等しいと近似する
ことができる。なお、内側の抵抗器Ｒ１に作用する圧縮
応力は外側の抵抗器Ｒ２に作用する圧縮応力より僅かに
小さいので、内側の抵抗器Ｒ１を外側の抵抗器Ｒ２より
回路基板２の長手方向中央寄りに僅かに変位させてもよ
い。

【００３６】この実施例によれば、回路基板２の長辺２
３からの距離が等しくなるので、回路基板２の短辺２
１、２２の湾曲方向への曲げ応力により抵抗器Ｒ１、Ｒ
２に作用する短辺平行方向の圧縮応力もキャンセルする
ことができる。 （実施例７）他の実施例を図１９に示す。

【００３７】この実施例では、抵抗器Ｒ１を短辺２１か
ら回路基板２の長手方向へ距離Ｌ１の位置に固定し、抵
抗器Ｒ２を短辺２１（又は短辺２２）から回路基板２の
長手方向へ距離Ｌ２の位置に固定している、そして、こ
の抵抗器Ｒ１、Ｒ２を用いた回路の出力（出力電圧又は
出力電流又は出力周波数）は、抵抗器Ｒ１の抵抗値をｒ
１、抵抗器Ｒ２の抵抗値をｒ２とした場合に、（ｒ１−
ａ×ｒ２）を変数とする任意の関数値とする。なお、ａ
は、抵抗器Ｒ１の抵抗値増加量Δｒ１／抵抗器Ｒ２の抵
抗値増加量Δｒ２に等しい定数値としている。このよう
にすれば、上記変数（ｒ１−ａ×ｒ２）は（ｒ１＋Δｒ
１−ａ×ｒ２−ａ×Δｒ２）となり、Δｒ１＝ａ×Δｒ
２であるから、抵抗器Ｒ１、Ｒ２の抵抗値の変化は相殺
される。

【００３８】なおこの実施例では、短辺２１からの距離
と抵抗器Ｒ１、Ｒ２の抵抗値増加率とは直線比例する場
合である。 （実施例８）他の実施例を図２０に示す。この実施例
は、実施例７において、抵抗器Ｒ２を回路基板２の裏面
に固定したものであり、そして、この抵抗器Ｒ１、Ｒ２
を用いた回路の出力（出力電圧又は出力電流又は出力周
波数）は、抵抗器Ｒ１の抵抗値をｒ１、抵抗器Ｒ２の抵
抗値をｒ２とした場合に、（ｒ１＋ａ×ｒ２）を変数と
する任意の関数値とする。なお、ａは、抵抗器Ｒ１の抵
抗値増加量Δｒ１／抵抗器Ｒ２の抵抗値減少率に等しい
定数値としている。このようにすれば、上記変数（ｒ１
＋ａ×ｒ２）は（ｒ１＋Δｒ１＋ａ×ｒ２−ａ×Δｒ
２）となり、Δｒ１−ａ×Δｒ２＝０であるから、抵抗
器Ｒ１、Ｒ２の抵抗値の変化は相殺される。

【００３９】（実施例９）他の実施例を図２１、図２２
に示す。この実施例は、抵抗器Ｒ１〜Ｒ４を用いたオペ
アンプ電圧増幅回路からなる初段センスアンプであっ
て、抵抗器Ｒ１〜Ｒ４の配置は図１と同じく、抵抗器Ｒ
１、Ｒ２は短辺２１から回路基板２の長手方向へ等距
離、抵抗器Ｒ３、Ｒ４は短辺２１から回路基板２の長手
方向へ等距離となっている。また、このセンスアンプの
電圧増幅率Ｋは、抵抗器Ｒ１の抵抗値をｒ１、抵抗器Ｒ
２の抵抗値をｒ２、抵抗器Ｒ３の抵抗値をｒ３、抵抗器
Ｒ４の抵抗値をｒ４とした場合に、 となる。

【００４０】したがって、回路基板２の歪みによる各抵
抗値ｒ１〜ｒ４のばらつきが電圧増幅率Ｋに与える影響
は相殺される。 （実施例１０）他の実施例を図２３に示す。この実施例
は、実施例９において、抵抗器Ｒ１〜Ｒ４の配置を変更
したものである。すなわち、この実施例では、抵抗器Ｒ
２は短辺２１からＬ１に距離に固定され、抵抗器Ｒ１、
Ｒ４は短辺２１からＬ２に距離に固定され、抵抗器Ｒ３
は短辺２１からＬ３に距離に固定されている。

【００４１】そして、Ｌ１／Ｌ２＝Ｌ２／Ｌ３に設定さ
れている。なお、回路基板２の湾曲変形により抵抗器Ｒ
１〜Ｒ４に加わる圧縮応力は短辺２１で０、短辺２１か
ら回路基板２の長手方向への距離に略比例して増大する
ものとする。この場合にも当然、増幅率Ｋは変化しない
ことがわかる。この実施例からわかることは、回路基板
２の湾曲に伴う第１の抵抗器群（ここでは抵抗器Ｒ１、
Ｒ２）の変化が回路の出力特性に与える影響により、回
路基板２の湾曲に伴う第２の抵抗器群（ここでは抵抗器
Ｒ３、Ｒ４）の変化が回路の出力特性に与える影響をキ
ャンセルするように、回路基板２上における第１、第２
の抵抗器群の配置パタンを設定することにより、多数の
抵抗器からなる抵抗器群の抵抗値変化を相殺できること
である。

【００４２】また上記各実施例ではオペアンプ電圧増幅
回路への応用例を説明したが、本発明は電流増幅、波形
処理、周波数処理、デジタル処理、コンパレータ、Ａ／
Ｄ変換、Ｄ／Ａ変換などの諸回路に広く応用できること
は当然であり、特に最も高精度を要求されるこれら回路
の初段部分に好適である。上記種々の実施例では圧縮応
力が０となる短辺端を基準位置としてＬ₁ −Ｌ₃等を設
定したが、逆に、最大となる位置を基準位置にして考え
るようにしてもよい。

【図面の簡単な説明】

【図１】実施例１を示す断面図、

【図２】実施例１を示す断面図、

【図３】実施例１を示す断面図、

【図４】実施例１の抵抗器の拡大断面図、

【図５】実施例１の一部回路図、

【図６】回路基板の反りを示す模式図、

【図７】回路基板への曲げ力と抵抗器の抵抗値変化率と
の関係を試験するための試験装置を示す模式図、

【図８】図６の試験装置による試験結果を示す特性図、

【図９】回路基板の変位量と抵抗器の抵抗値変化量との
関係を示す特性図、

【図１０】回路基板の湾曲に伴い抵抗器に加わる応力の
回路基板の長手方向への変化を示す特性図、

【図１１】実施例１の変形態様を示す平面図、

【図１２】実施例１の変形態様を示す平面図、

【図１３】実施例１の変形態様を示す平面図、

【図１４】実施例２を示す断面図、

【図１５】実施例３を示す平面図、

【図１６】実施例４を示す平面図、

【図１７】実施例５を示す正面図、

【図１８】実施例６を示す断面図、

【図１９】実施例７を示す正面図、

【図２０】実施例８を示す正面図、

【図２１】実施例９の回路図、

【図２２】実施例９を示す平面図、

【図２３】実施例１０を示す平面図。

【符号の簡単な説明】

１はケース、２は回路基板、３はモールド樹脂部、４は
リード、Ｒ１、Ｒ２は抵抗器、

フロントページの続き (72)発明者 岡 賢吾 愛知県刈谷市昭和町１丁目１番地 日本電 装株式会社内 (72)発明者 大谷 祐司 愛知県刈谷市昭和町１丁目１番地 日本電 装株式会社内

Claims (1)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】回路基板と、前記回路基板に固定されそれ
   ぞれ１個以上の抵抗器からなる第１、第２抵抗器群を含
   み前記回路基板に配設された回路と、前記回路基板表面
   に固着され前記回路を被覆するモールド樹脂部と、一端
   が前記回路基板に固定され他端が前記モールド樹脂部を
   貫通して外部に突出するリードとを備える電子回路装置
   において、 応力に起因する前記両抵抗器群の抵抗値変化による前記
   回路の出力変化が互いに相殺し合う位置に、前記両抵抗
   器群が配設されることを特徴とする電子回路装置。