JPH0635417A - Method for driving active matrix type thin film transisitor liquid crystal panel - Google Patents

Method for driving active matrix type thin film transisitor liquid crystal panel

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JPH0635417A
JPH0635417A JP19529492A JP19529492A JPH0635417A JP H0635417 A JPH0635417 A JP H0635417A JP 19529492 A JP19529492 A JP 19529492A JP 19529492 A JP19529492 A JP 19529492A JP H0635417 A JPH0635417 A JP H0635417A
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gate bus
liquid crystal
pixel electrode
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Hiromasa Sugano
裕雅 菅野
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敦 高橋
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Abstract

PURPOSE:To make the mean effective voltage of a liquid crystal cell uniform and to lower the dielectric strength of switching drivers for gate bus lines and drain bus lines. CONSTITUTION:The group of pixel electrodes 14 which are connected via thin film transistors(TR) 13 is arranged zigzag alternately in the direction of gate bus lines 11 to constitute the group of pixel electrodes 14 in the direction of two adjacent gate bus lines 11, one counter electrode 15 and a switching circuit are provided on the group of pixel electrodes 14 and the respective drain bus lines 12 are supplied with voltage signals inverted in polarity at the intervals of one scanning line period. Each counter electrode 15 is supplied with polarity data on the group of pixel electrodes 14 corresponding to the counter electrode 15, which vary in synchronism with the write timing of the selected gate bus line 11 and a voltage signal including an offset voltage and an effective voltage correction voltage corresponding to the threshold voltage of liquid crystal and voltage writing to each pixel electrode 14 is performed with the selective signal of the gate bus lines 11.

Description

【発明の詳細な説明】Detailed Description of the Invention

【0001】[0001]

【産業上の利用分野】本発明は、アクティブマトリクス
型薄膜トランジスタ液晶パネルの駆動方法に関するもの
である。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a method of driving an active matrix type thin film transistor liquid crystal panel.

【0002】[0002]

【従来の技術】従来、このような分野の技術としては、
例えば、テレビジョン学会誌 Vol.42,No.
1,P.10〜16及びP.23〜29に記載されるも
のがあった。従来、アクティブマトリクス型液晶パネ
ル、特に薄膜トランジスタを利用したもの(TFT−L
CD)の駆動方法は、その交流化方法の違いにより、数
種類の異なった手法が用いられるが、電圧供給方法の概
念は同様のものである。そこで代表的な例として、走査
周期毎に交流化を行なう駆動方法(以後、フレームモー
ドという)について説明する。
2. Description of the Related Art Conventionally, as a technique in such a field,
For example, Journal of Television Society Vol. 42, No.
1, P. 10-16 and P.I. 23-29. Conventionally, an active matrix type liquid crystal panel, especially one using a thin film transistor (TFT-L
As a driving method of (CD), several kinds of different methods are used depending on the method of alternating current, but the concept of the voltage supply method is the same. Therefore, as a typical example, a driving method (hereinafter, referred to as a frame mode) for performing alternating current for each scanning cycle will be described.

【0003】図13はかかる従来のアクティブマトリク
ス型薄膜トランジスタ液晶パネルの構成図、図14はそ
の駆動タイミングチャートである。図に示すように、ア
クティブマトリクス型薄膜トランジスタ液晶パネルは、
一般に、背面基板上にゲートバスライン51とドレイン
バスライン52を直交配置して、その交点に各画素電極
に対応したスイッチング素子として薄膜トランジスタ
(TFTという)53を設け、前面基板上に透明な対向
電極54を設け、両基板の表面に適当な方向に配向処理
された配向膜を設け、両基板の配向膜を液晶層を介して
対向配置させて貼り合わせ、かつ前面基板と背面基板の
背面に、互いの偏光軸が平行あるいは垂直になるように
偏光膜を貼り付けた構成にし、TFT53を介して供給
される画素電極の電圧と対向電極54の電圧との電位差
により、両電極に挟まれた部分の液晶55をスイッチン
グするものである。
FIG. 13 is a block diagram of such a conventional active matrix type thin film transistor liquid crystal panel, and FIG. 14 is a drive timing chart thereof. As shown in the figure, the active matrix thin film transistor liquid crystal panel is
Generally, a gate bus line 51 and a drain bus line 52 are arranged orthogonally on a rear substrate, and a thin film transistor (TFT) 53 is provided as a switching element corresponding to each pixel electrode at an intersection thereof, and a transparent counter electrode is provided on a front substrate. 54 is provided, an alignment film that has been subjected to an alignment treatment in an appropriate direction is provided on the surfaces of both substrates, the alignment films of both substrates are opposed to each other with a liquid crystal layer in between, and are bonded together, and on the back surfaces of the front substrate and the back substrate, A structure in which polarizing films are attached so that their polarization axes are parallel or perpendicular to each other, and a portion sandwiched between both electrodes due to a potential difference between the voltage of the pixel electrode supplied through the TFT 53 and the voltage of the counter electrode 54. The liquid crystal 55 is switched.

【0004】また、TFT53のスイッチング手段とし
て、ゲートバスライン51には走査回路60が、ドレイ
ンバスライン52にはデータ回路70が接続され、その
TFT53のゲート選択信号として走査回路60からO
N電圧VG(+)、OFF電圧V G(-)が、TFT53のドレ
イン選択及び輝度データ信号として、データ回路70か
ら正極性の書き込み電圧VD(+)、負極性の書き込み電圧
D(-)が供給される。
Also, as a switching means of the TFT 53
Then, the scanning circuit 60 is connected to the gate bus line 51.
The data circuit 70 is connected to the bus line 52.
O from the scanning circuit 60 as a gate selection signal of the TFT 53
N voltage VG (+), OFF voltage V G (-)But the drain of TFT53
The data circuit 70 is used as an in-selection and brightness data signal.
Write voltage V of positive polarityD (+), Negative write voltage
VD (-)Is supplied.

【0005】更に、TFT53により書き込まれた画素
電極の電圧VS は、図14に示すように、その電圧保持
状態において、2度の電圧変動を起こす。第1にTFT
53のゲート選択信号がON状態からOFF状態に変化
する際に、前記選択信号が供給されるTFT53に接続
される画素電極の電圧VS は、該TFT53の寄生容量
gSにより、ΔV1 だけ変動する。
Further, as shown in FIG. 14, the voltage V S of the pixel electrode written by the TFT 53 causes a voltage fluctuation twice in the voltage holding state. First, TFT
When the gate selection signal of 53 changes from the ON state to the OFF state, the voltage V S of the pixel electrode connected to the TFT 53 to which the selection signal is supplied changes by ΔV 1 due to the parasitic capacitance C gS of the TFT 53. To do.

【0006】第2にデータ信号が書き込み時の極性と反
対の極性に変化する時に、画素電極とドレインバスライ
ン52との間の電界効果によってΔV2 だけ変動する。
このために、画素電極と対向電極との間の電位差が画素
電極の電圧VS の変動に対して、正極性の書き込み時と
負極性の書き込み時とで均等になるように対向電極に対
して電圧VCOM が供給される。
Secondly, when the data signal changes to a polarity opposite to the polarity at the time of writing, it changes by ΔV 2 due to the electric field effect between the pixel electrode and the drain bus line 52.
For this reason, the potential difference between the pixel electrode and the counter electrode is equalized to the counter electrode so that the positive polarity writing and the negative polarity writing are even with respect to the fluctuation of the voltage V S of the pixel electrode. The voltage V COM is supplied.

【0007】図15に前記2枚の偏光膜の偏光軸を平行
になるように貼り付けた構成にした場合のTN液晶セル
の電気−光学特性を示す。アクティブマトリクス型薄膜
トランジスタ液晶パネルに使用されるTN液晶セルは、
画素電極と対向電極との電位差に対して、光透過率が急
激に増加する閾値電圧VTHと光透過率の変動が無くなる
飽和電圧VSAT が存在し、VTH〜VSAT の電圧範囲ΔV
においては、電圧変動が光透過率の変化を示す。このた
め、完全なON状態を達成するには、正極性においては
SAT <VS −VCOM 、負極性においてはVSAT <V
COM −VS の電圧条件に設定し、完全なOFF状態を達
成するには、正極性においてはVTH>VS −VCOM 、負
極性においてはVTH>VCOM −VS の電圧条件に設定す
ることにより、液晶セルのスイッチングができる。
FIG. 15 shows the electro-optical characteristics of the TN liquid crystal cell in the case where the two polarizing films are attached so that their polarization axes are parallel to each other. The TN liquid crystal cell used in the active matrix thin film transistor liquid crystal panel is
With respect to the potential difference between the pixel electrode and the counter electrode, there is a threshold voltage V TH at which the light transmittance sharply increases and a saturation voltage V SAT at which the fluctuation of the light transmittance disappears, and a voltage range ΔV of V TH to V SAT.
In, the voltage fluctuation indicates a change in light transmittance. Therefore, in order to achieve a complete ON state, V SAT <V S −V COM in the positive polarity and V SAT <V in the negative polarity.
To set a voltage condition of COM- V S and achieve a complete OFF state, a voltage condition of V TH > V S −V COM in the positive polarity and V TH > V COM −V S in the negative polarity is set. By setting, the liquid crystal cell can be switched.

【0008】[0008]

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、以上述
べた従来のアクティブマトリクス型液晶パネルの駆動方
法においては、画素電極にデータ信号が書き込まれてか
ら、ドレインバスラインの電圧極性が反転するまでの時
間が異なる場合、例えば、走査回路によって選択される
第1のゲートバスラインと第Nのゲートバスラインに、
それぞれTFTを介して接続される画素電極の電圧VS
を比較すると、画素電極とドレインバスラインとの間の
電界効果によって、ΔV2 だけ電圧が変動する期間が異
なるため、液晶層にかかる走査周期毎の平均実効電圧が
異なり、光透過率の相違が発生する。
However, in the above-mentioned conventional driving method of the active matrix type liquid crystal panel, the time from the writing of the data signal to the pixel electrode to the reversal of the voltage polarity of the drain bus line. Are different from each other, for example, in the first gate bus line and the Nth gate bus line selected by the scanning circuit,
The voltage V S of the pixel electrode connected through each TFT
Comparing with each other, the electric field effect between the pixel electrode and the drain bus line changes the period in which the voltage changes by ΔV 2 , so that the average effective voltage applied to the liquid crystal layer for each scanning period differs, and the difference in light transmittance varies. Occur.

【0009】また、液晶層のスイッチングには、画素電
極と対向電極との間にΔVの電圧変動を発生させるだけ
で十分であるが、対向電極の電圧を固定し、画素電極の
電圧を正極性と負極性に変動させるため、ドレインバス
ラインのドライバにVSAT ×2〔(VTH+ΔV)×2に
相当〕のスイッチング電圧が必要となり、ΔV+VTH×
2の電圧分だけ余分なスイッチング電圧が必要となり、
ドライバの低耐圧化の障害となっていた。
Further, for the switching of the liquid crystal layer, it is sufficient to generate a voltage fluctuation of ΔV between the pixel electrode and the counter electrode, but the voltage of the counter electrode is fixed and the voltage of the pixel electrode is positive. In order to change to a negative polarity, the driver of the drain bus line requires a switching voltage of V SAT × 2 [corresponding to (V TH + ΔV) × 2], and ΔV + V TH ×
2 extra switching voltage is needed,
This has been an obstacle to lowering the breakdown voltage of the driver.

【0010】本発明の目的は、以上述べた液晶層にかか
る走査周期毎の平均実効電圧のばらつきと、ドレインバ
スラインにかかる余分なスイッチング電圧VTH×2+Δ
Vを減少あるいは無くすために、1本のゲートバスライ
ンにTFTを介して接続される画素電極群をゲートバス
ライン方向に交互に千鳥状に配置させ、ゲートバスライ
ン方向に並ぶ画素電極群を2本のゲートバスラインによ
り制御する構成にし、各対向電極をゲートバスライン方
向に並ぶ該画素電極群毎に対応させて設け、隣接するド
レインバスライン同士が異なる極性を示し、走査ライン
周期毎にそれぞれの極性が反転する交流化手法により、
前記平均実効電圧のばらつきを無くし、また各ドレイン
バスラインに供給される正極性と負極性のデータが互い
に反転された電圧情報として供給されるデータ構成に
し、各対向電極に同等の電圧振幅を有し、該電圧振幅に
より書き込み電圧を補い、ドレインバスライン及びゲー
トバスラインのスイッチングドライバの低耐圧化を達成
する優れたアクティブマトリクス型薄膜トランジスタ液
晶パネルの駆動方法を提供することにある。
The object of the present invention is to disperse the average effective voltage applied to the liquid crystal layer for each scanning period and the extra switching voltage V TH × 2 + Δ applied to the drain bus line.
In order to reduce or eliminate V, pixel electrode groups connected to one gate bus line via TFTs are alternately arranged in a staggered pattern in the gate bus line direction, and two pixel electrode groups arranged in the gate bus line direction are arranged. The counter electrodes are arranged corresponding to each pixel electrode group arranged in the gate bus line direction, and adjacent drain bus lines exhibit different polarities, and each counter electrode is arranged in each scanning line cycle. By the alternating method that reverses the polarity of
The average effective voltage is eliminated from variations, and the positive and negative polarity data supplied to each drain bus line is supplied as voltage information that is inverted from each other, and each counter electrode has an equal voltage amplitude. However, it is another object of the present invention to provide a driving method of an active matrix type thin film transistor liquid crystal panel, which is capable of compensating a writing voltage by the voltage amplitude and achieving a low breakdown voltage of a switching driver of a drain bus line and a gate bus line.

【0011】また、本発明の他の目的は、以上述べた液
晶層にかかる走査周期毎の平均実効電圧のばらつきと、
ドレインバスラインにかかる余分なスイッチング電圧V
TH×2+ΔVを減少あるいは無くすために、1本のゲー
トバスラインにTFTを介して接続される画素電極群を
ライン方向に配置し、隣接する2本のゲートバスライン
にTFTを介して接続される画素電極群において、ゲー
トバスライン方向に交互に千鳥状に2本のゲートバスラ
インから選択した画素電極群に対して、1個の波型対向
電極を設ける構成にし、隣接するドレインバスライン同
士が異なる極性を示し、走査ライン周期毎にそれぞれの
極性が反転する交流化手法により、前記平均実効電圧の
ばらつきを無くし、また各ドレインバスラインに供給さ
れる正極性と負極性のデータが互いに反転された電圧情
報として供給されるデータ構成にし、各対向電極に同等
の電圧振幅を有し、該電圧振幅により書き込み電圧を補
い、ドレインバスライン及びゲートバスラインの低耐圧
化を達成する優れたアクティブマトリクス型薄膜トラン
ジスタ液晶パネルの駆動方法を提供することにある。
Another object of the present invention is to disperse the average effective voltage applied to the liquid crystal layer in each scanning cycle as described above.
Extra switching voltage V on drain bus line
In order to reduce or eliminate TH × 2 + ΔV, a pixel electrode group connected to one gate bus line via a TFT is arranged in the line direction, and connected to two adjacent gate bus lines via a TFT. In the pixel electrode group, one wavy counter electrode is provided for the pixel electrode group selected from the two gate bus lines alternately in the gate bus line direction, and the adjacent drain bus lines are By the alternating method that shows different polarities and the polarities are inverted every scanning line cycle, the variation of the average effective voltage is eliminated, and the positive polarity data and the negative polarity data supplied to each drain bus line are mutually inverted. The data structure that is supplied as the voltage information is set so that each counter electrode has the same voltage amplitude, and the write voltage is compensated by the voltage amplitude, It is an object of the present invention to provide a method for driving an active matrix type thin film transistor liquid crystal panel, which achieves a low breakdown voltage of the in and gate bus lines.

【0012】[0012]

【課題を解決するための手段】本発明は、上記目的を達
成するために、背面基板上に直交配置されるゲートバス
ラインとドレインバスラインを設け、前記ゲートバスラ
インとドレインバスラインの交点に各画素電極に対応し
て薄膜トランジスタを設け、前面基板上に透明な対向電
極を設け、前記背面基板と前面基板の表面に適当な方向
に配向処理された配向膜を設け、両基板の配向膜同士を
液晶層を介して対向配置させて貼り合わせ、かつ前記背
面基板と前面基板の背面に偏光膜を貼り付けたアクティ
ブマトリクス型薄膜トランジスタ液晶パネルの駆動方法
において、1本のゲートバスラインに薄膜トランジスタ
を介して接続される画素電極群をゲートバスライン方向
に交互に千鳥状に配置させ、隣接する2本のゲートバス
ラインに対応する1部分の画素電極によりゲートバスラ
イン方向の画素電極群を構成し、ゲートバスライン方向
に並ぶ画素電極群に対して対向電極を1個設け、各対向
電極をスイッチングする回路を設け、隣接するドレイン
バスラインの電圧データの極性が異なり、1走査ライン
周期毎に該電圧データの極性が反転し、かつ正極性と負
極性の該電圧データが互いに反転された電圧を示す電圧
信号を、各ドレインバスラインに供給し、各対向電極に
対応する画素電極に薄膜トランジスタを介して接続され
る隣接した2本のゲートバスラインにおいて、先に選択
されるゲートバスラインの書き込みタイミングに同期し
て変動し、かつ各対向電極に対応する画素電極群の極性
データ及び液晶の閾値電圧に相当するオフセット電圧及
び実効電圧補正電圧を含む電圧信号を各対向電極に供給
し、ゲートバスラインに選択信号を供給することにより
各画素電極に電圧書き込みを行うようにしたものであ
る。
In order to achieve the above object, the present invention provides a gate bus line and a drain bus line which are arranged orthogonally on a back substrate, and which is provided at the intersection of the gate bus line and the drain bus line. A thin film transistor is provided corresponding to each pixel electrode, a transparent counter electrode is provided on the front substrate, alignment films that are oriented in appropriate directions are provided on the surfaces of the back substrate and the front substrate, and the alignment films of both substrates are provided. In a method for driving an active matrix type thin film transistor liquid crystal panel, in which the two are opposed to each other with a liquid crystal layer interposed therebetween, and a polarizing film is attached to the back surface of the back substrate and the front substrate, a thin film transistor is provided to one gate bus line. Pixel electrode groups connected to each other are alternately arranged in a zigzag pattern in the gate bus line direction to correspond to two adjacent gate bus lines. Partial pixel electrodes form a pixel electrode group in the gate bus line direction, one counter electrode is provided for the pixel electrode group arranged in the gate bus line direction, a circuit for switching each counter electrode is provided, and an adjacent drain bus is provided. Each drain bus line outputs a voltage signal indicating a voltage in which the polarities of the voltage data of the lines are different and the polarities of the voltage data are inverted every scanning line cycle, and the positive and negative polarities of the voltage data are inverted from each other. Of the two adjacent gate bus lines connected to the pixel electrodes corresponding to the respective counter electrodes via the thin film transistors, the gate bus lines fluctuate in synchronization with the write timing of the gate bus line selected first, and A voltage signal including polarity data of the pixel electrode group corresponding to the counter electrode, an offset voltage corresponding to the threshold voltage of liquid crystal, and an effective voltage correction voltage. It is supplied to the counter electrodes, in which to perform the voltage written to each pixel electrode by supplying a selection signal to the gate bus line.

【0013】また、1本のゲートバスラインに薄膜トラ
ンジスタを介して接続される画素電極群をゲートバスラ
イン方向に配置し、隣接する2本のゲートバスラインに
薄膜トランジスタを介して接続される画素電極群におい
て、ゲートバスライン方向に交互に千鳥状に2本のゲー
トバスラインから選択した画素電極群に対して、1個の
波型対向電極を設け、各波型対向電極をスイッチングす
る回路を設け、隣接するドレインバスラインの電極デー
タの極性が異なり、1走査ライン周期毎に該電圧データ
の極性が反転し、かつ正極性と負極性の該電圧データが
互いに反転された電圧を示す電圧信号を各ドレインバス
ラインに供給し、各対向電極に対応する画素電極に薄膜
トランジスタを介して接続される隣接した2本のゲート
バスラインにおいて、先に選択されるゲートバスライン
の書き込みタイミングに同期して変動し、かつ各対向電
極に対応する画素電極群の極性データ及び液晶の閾値電
圧に相当するオフセット電圧及び実効電圧補正電圧を含
む電圧信号を各対向電極に供給し、ゲートバスラインに
選択信号を供給することにより各画素電極に電圧書き込
みを行うようにしたものである。
Pixel electrode groups connected to one gate bus line via thin film transistors are arranged in the gate bus line direction, and pixel electrode groups connected to two adjacent gate bus lines via thin film transistors. In, in the zigzag pattern alternately in the gate bus line direction, one corrugated counter electrode is provided for the pixel electrode group selected from two gate bus lines, and a circuit for switching each corrugated counter electrode is provided. The polarity of the electrode data of the adjacent drain bus lines is different, the polarity of the voltage data is inverted every scanning line period, and the voltage signal indicating the voltage in which the voltage data of positive polarity and the voltage data of negative polarity are inverted from each other is generated. It is supplied to the drain bus line and is connected to the pixel electrode corresponding to each counter electrode through two thin film transistors, which are adjacent to each other. , A voltage including an offset voltage and an effective voltage correction voltage that vary in synchronization with the write timing of the previously selected gate bus line and that corresponds to the polarity data of the pixel electrode group corresponding to each counter electrode and the threshold voltage of the liquid crystal. A signal is supplied to each counter electrode and a selection signal is supplied to the gate bus line to write a voltage in each pixel electrode.

【0014】[0014]

【作用】本発明によれば、上記したように、1本のゲー
トバスラインにTFTを介して接続される画素電極群を
ゲートバスライン方向に交互に千鳥状に配置させ、ゲー
トバスライン方向に並ぶ画素電極群を2本のゲートバス
ラインにより制御する構成にし、各対向電極をゲートバ
スライン方向に並ぶ該画素電極群毎に対応させて設け、
隣接するドレインバスライン同士が異なる極性を示し、
1走査ライン周期毎にそれぞれの極性が反転する交流化
手法により、液晶層にかかる平均実効電圧のばらつきを
無くし、また、各ドレインバスラインに供給される正極
性と負極性のデータが互いに反転された電圧情報として
供給されるデータ構成にし、各対向電極に同等の電圧振
幅を有し、該電圧振幅により書き込み電圧を補うことに
より、ドレインバスラインにかかる余分なスイッチング
電圧を無くすことができる。
According to the present invention, as described above, the pixel electrode groups connected to one gate bus line via the TFT are alternately arranged in the gate bus line direction in a zigzag pattern, and the pixel electrode groups are arranged in the gate bus line direction. The pixel electrode group arranged side by side is configured to be controlled by two gate bus lines, and each counter electrode is provided corresponding to each pixel electrode group arranged in the gate bus line direction,
Adjacent drain bus lines show different polarities,
The alternating method in which the polarities are inverted every scanning line cycle eliminates the variation in the average effective voltage applied to the liquid crystal layer, and the positive and negative data supplied to each drain bus line are mutually inverted. It is possible to eliminate an extra switching voltage applied to the drain bus line by adopting a data structure which is supplied as voltage information and having the same voltage amplitude on each counter electrode and compensating the write voltage by the voltage amplitude.

【0015】あるいは、1本のゲートバスラインにTF
Tを介して接続される画素電極群をライン方向に配置
し、隣接する2本のゲートバスラインにTFTを介して
接続される画素電極群からゲートバスライン方向に交互
に千鳥状に選択した画素電極群に対して1個の波型対向
電極を設ける構成にし、隣接するドレインバスライン同
士が異なる極性を示し、1走査ライン周期毎にそれぞれ
の極性が反転する交流化手法により、液晶層にかかる平
均実効電圧のばらつきを無くし、また、各ドレインバス
ラインに供給される正極性と負極性のデータが互いに反
転された電圧情報として供給されるデータ構成にし、各
対向電極に同等の電圧振幅を有し、該電圧振幅により書
き込み電圧を補うことにより、ドレインバスラインにか
かる余分なスイッチング電圧を無くすことができる。
Alternatively, one gate bus line may be provided with TF.
Pixels in which pixel electrode groups connected via Ts are arranged in the line direction, and the pixel electrode groups connected to two adjacent gate bus lines via TFTs are alternately selected in a staggered pattern in the gate bus line direction. A structure is provided in which one corrugated counter electrode is provided for the electrode group, and adjacent drain bus lines have different polarities, and the polarity is inverted in each scanning line cycle, and applied to the liquid crystal layer by an alternating method. Eliminating the variation in the average effective voltage, and adopting a data structure in which the positive and negative polarity data supplied to each drain bus line are supplied as voltage information that is inverted from each other, and have the same voltage amplitude on each counter electrode. However, by supplementing the write voltage with the voltage amplitude, an extra switching voltage applied to the drain bus line can be eliminated.

【0016】したがって、液晶セルの平均印加電圧の均
一化と、ゲートバスライン及びドレインバスラインのス
イッチングドライバの低耐電圧化を達成することができ
る。また、この駆動方法は、ドレインバスラインにアナ
ログ電圧を入力した場合にも、同等の効果が得られるた
め、アクティブマトリクス型薄膜トランジスタ液晶パネ
ルの階調駆動にも十分適用できる。
Therefore, it is possible to make the average applied voltage to the liquid crystal cell uniform and to reduce the withstand voltage of the switching driver of the gate bus line and the drain bus line. Further, this driving method can obtain the same effect even when an analog voltage is input to the drain bus line, and thus can be sufficiently applied to the grayscale driving of the active matrix thin film transistor liquid crystal panel.

【0017】[0017]

【実施例】以下、本発明の実施例について図面を参照し
ながら詳細に説明する。図1は本発明の実施例を示すア
クティブマトリクス型薄膜トランジスタ液晶パネルの概
略斜視図である。この図に示すように、透明な背面基板
上に、ゲートバスライン11とドレインバスライン12
とを直交して配置して、その交点にTFT13を設け、
個別の表示セルに対応する透明な画素電極14に接続す
る。そして1本のゲートバスライン11にTFT13を
介して接続される画素電極群をゲートバスライン方向に
交互に千鳥状に配置し、隣接する2本のゲートバスライ
ン11によってゲートバスライン方向に、ライン状に並
ぶ画素電極群をスイッチングする構成にする。更に、前
記背面基板上に適当な方向に配向処理された配向膜を設
ける。
Embodiments of the present invention will now be described in detail with reference to the drawings. FIG. 1 is a schematic perspective view of an active matrix type thin film transistor liquid crystal panel showing an embodiment of the present invention. As shown in this figure, a gate bus line 11 and a drain bus line 12 are formed on a transparent rear substrate.
And are orthogonally arranged, and the TFT 13 is provided at the intersection of
It connects to the transparent pixel electrode 14 corresponding to an individual display cell. Pixel electrode groups connected to one gate bus line 11 via the TFT 13 are alternately arranged in a zigzag pattern in the gate bus line direction, and two adjacent gate bus lines 11 form a line in the gate bus line direction. The pixel electrode groups arranged in a line are configured to be switched. Further, an alignment film that has been subjected to an alignment treatment in an appropriate direction is provided on the back substrate.

【0018】一方、透明な前面基板上に画素電極群のラ
イン数と同数にライン状に分割された透明な対向電極1
5を設け、適当な方向に配向処理された配向膜を設け
る。前記背面基板と前記前面基板の配向膜同士を向かい
合わせ、ライン状に並んだ画素電極群と1個の対向電極
が対向配置されるように位置合せし、両基板間に適当な
ギャップを設け、液晶を注入後、封止し、両基板の露出
面に互いの偏光軸が平行あるいは垂直になるように偏光
膜を貼り付けたものである。なお、15aは画素電極と
対向する部分である。
On the other hand, the transparent counter electrode 1 is divided into the same number of lines as the pixel electrode group on the transparent front substrate.
5 is provided to provide an alignment film that has been subjected to an alignment treatment in an appropriate direction. The alignment films of the back substrate and the front substrate are opposed to each other, the pixel electrode group arranged in a line and one counter electrode are aligned so as to face each other, and an appropriate gap is provided between both substrates. After injecting liquid crystal, it is sealed and a polarizing film is attached to the exposed surfaces of both substrates so that their polarization axes are parallel or perpendicular to each other. Reference numeral 15a is a portion facing the pixel electrode.

【0019】図2は本発明の実施例を示すアクティブマ
トリクス型薄膜トランジスタ液晶パネルの概略構成図、
図3は本発明の実施例を示すアクティブマトリクス型薄
膜トランジスタ液晶パネルのデータ回路の概略ブロック
図、図4は本発明の実施例を示すアクティブマトリクス
型薄膜トランジスタ液晶パネルのドレインバスに供給さ
れる電圧データのタイミングを示す図であり、図4
(a)はその奇数ドレインバスの電圧波形図、図4
(b)はその偶数ドレインバスの電圧波形図である。図
5は本発明の実施例を示すアクティブマトリクス型薄膜
トランジスタ液晶パネルのコモン変動回路の概略ブロッ
ク図である。
FIG. 2 is a schematic configuration diagram of an active matrix type thin film transistor liquid crystal panel showing an embodiment of the present invention,
FIG. 3 is a schematic block diagram of a data circuit of an active matrix type thin film transistor liquid crystal panel showing an embodiment of the present invention, and FIG. 4 shows voltage data supplied to a drain bus of the active matrix type thin film transistor liquid crystal panel showing an embodiment of the present invention. FIG. 4 is a diagram showing timing, and FIG.
(A) is a voltage waveform diagram of the odd drain bus, FIG.
(B) is a voltage waveform diagram of the even drain bus. FIG. 5 is a schematic block diagram of a common variation circuit of an active matrix thin film transistor liquid crystal panel showing an embodiment of the present invention.

【0020】これらの図に示すように、ゲートライン1
1の数をN+1、ドレインバスライン12の数をMとす
ると、N+1本のゲートバスライン11に走査回路20
を接続し、第1ゲートバスライン11から時間的に順次
にON電圧VG(+)′を1走査時間に相当するton時間供
給し、M個のドレインバスライン12にデータ発生部3
1、データ反転部A32、データ反転部B33、データ
出力部A34、データ出力部B35から構成されるデー
タ回路30を接続し、輝度データ及び極性データを含む
電圧データを供給し、N個の対向電極群に2系統のシフ
トレジスタ部A41、シフトレジスタ部B44と電圧増
幅部42,45とドライバ部A43、ドライバ部B46
から構成されるコモン変動回路40を接続し、ドレイン
バスライン12に供給される電圧データに応じた極性デ
ータ及び液晶16の閾値電圧に相当するオフセット電圧
及び実効電圧補正電圧を含む電圧信号を供給する。
As shown in these figures, the gate line 1
When the number of 1s is N + 1 and the number of drain bus lines 12 is M, the scanning circuit 20 is connected to N + 1 gate bus lines 11.
And the ON voltage V G (+) ′ is sequentially supplied from the first gate bus line 11 for a time t on corresponding to one scanning time, and the data generator 3 is supplied to the M drain bus lines 12.
1. A data circuit 30 including a data inversion unit A32, a data inversion unit B33, a data output unit A34, and a data output unit B35 is connected to supply voltage data including brightness data and polarity data, and N counter electrodes. There are two groups of shift register units A41, shift register unit B44, voltage amplification units 42 and 45, driver unit A43, and driver unit B46.
Is connected to the common variable circuit 40, and a voltage signal including polarity data corresponding to the voltage data supplied to the drain bus line 12 and an offset voltage corresponding to the threshold voltage of the liquid crystal 16 and an effective voltage correction voltage is supplied. .

【0021】図4に示すように、この実施例において
は、1本のゲートバスライン11により、ゲートバスラ
イン方向に交互に千鳥状に配置された画素電極14をス
イッチングするため、第1ゲートバスライン11及び第
N+1ゲートバスライン11においては、それぞれゲー
トバスライン方向に偶数番目の画素電極に接続されるT
FT及び奇数番目の画素電極に接続されるTFTだけを
スイッチングすることになる。このため1フレームの画
像データを書き込む場合、ゲートバスライン方向に奇数
番目の画素電極群に対しては、第2ゲートバスラインか
ら第N+1ゲートバスラインの書き込みタイミングに、
またゲートバスライン方向に偶数番目の画素電極群に対
しては、第1ゲートバスラインから第Nゲートバスライ
ンの書き込みタイミングに、それぞれドレインバスライ
ンから電圧データを供給しなければならない。
As shown in FIG. 4, in this embodiment, one gate bus line 11 switches the pixel electrodes 14 alternately arranged in a zigzag pattern in the gate bus line direction. In the line 11 and the (N + 1) th gate bus line 11, T connected to the even-numbered pixel electrodes in the gate bus line direction, respectively.
Only the TFTs connected to the FT and the odd-numbered pixel electrodes are switched. Therefore, when writing one frame of image data, the odd-numbered pixel electrode groups in the gate bus line direction are written from the second gate bus line to the (N + 1) th gate bus line at the write timing.
Further, voltage data must be supplied from the drain bus lines to the even-numbered pixel electrode groups in the gate bus line direction at the write timing of the first gate bus line to the Nth gate bus line.

【0022】そこで、データ回路30のデータ発生部3
1において、1ラインの輝度データをゲートバスライン
方向に奇数番目の表示セルのデータと、偶数番目の表示
セルのデータに分割し、ゲートバスライン方向に奇数番
目の表示セルのデータとして第1ゲートバスラインに該
当するデータとして、ダミーデータdD を、第2ゲート
バスラインに該当するデータとして1ライン目のデータ
1 を、第3ゲートバスラインに該当するデータとして
2ライン目のデータd2 を、…第N+1ゲートバスに該
当するデータとしてNライン目のデータdN を順番に供
給するデータ1とする。
Therefore, the data generator 3 of the data circuit 30
1, the luminance data of one line is divided into the data of the odd-numbered display cells and the data of the even-numbered display cells in the gate bus line direction, and the first gate is used as the data of the odd-numbered display cells in the gate bus line direction. As the data corresponding to the bus line, the dummy data d D , the data d 1 of the first line as the data corresponding to the second gate bus line, and the data d 2 of the second line as the data corresponding to the third gate bus line Is the data 1 that sequentially supplies the data d N of the Nth line as the data corresponding to the (N + 1) th gate bus.

【0023】また、ゲートバスライン方向に偶数番目の
表示セルのデータとして、第1ゲートバラインに該当す
るデータとして1ライン目のデータd1 を、第2ゲート
バスラインに該当するデータとして2ライン目のデータ
2 を、…第Nゲートバスラインに該当するデータとし
てNライン目のデータdN を、第N+1ゲートバスライ
ンに該当するデータとして、ダミーデータdD を順番に
供給するデータ2を作成する。
As the data of the even-numbered display cells in the gate bus line direction, the data d 1 of the first line as the data corresponding to the first gate bus line and the two lines of the data as the data corresponding to the second gate bus line. The data d 2 of the eye, the data d N of the Nth line as the data corresponding to the Nth gate bus line, and the data 2 that sequentially supplies the dummy data d D as the data corresponding to the (N + 1) th gate bus line. create.

【0024】また、データ発生部31において、奇数番
目のドレインバスと偶数番目のドレインバスの書き込み
極性が異なり、かつ走査ライン毎に極性が反転する交流
化信号として、奇数番目のドレインバスに該当する交流
化信号1と、偶数番目のドレインバスに該当する交流化
信号2を作成する。データ1と交流化信号1は、データ
反転部A32により演算し、輝度データと極性データを
含む電圧データ、データ3を作成し、データ出力部A3
4によって、奇数番目のドレインバスD1 ,D3 ,…,
M-1 に出力する。同様にデータ2と交流化信号2は、
データ反転部B33により演算し、輝度データと極性デ
ータを含む電圧データ、データ4を作成し、データ出力
部B35によって、偶数番目のドレインバスD2
4 ,…,DM に出力する。
In the data generator 31, the odd-numbered drain buses and the even-numbered drain buses have different write polarities and correspond to the odd-numbered drain buses as an AC signal whose polarity is inverted for each scanning line. An alternating signal 1 and an alternating signal 2 corresponding to an even-numbered drain bus are created. The data 1 and the alternating signal 1 are calculated by the data inverting unit A32 to create voltage data and data 3 including the brightness data and the polarity data, and the data output unit A3.
4, the odd-numbered drain buses D 1 , D 3 , ...,
Output to D M-1 . Similarly, data 2 and AC signal 2 are
Calculated by the data inversion unit B33, creates voltage data comprising luminance data and polarity data, the data 4, the data output unit B35, an even-numbered drain bus D 2,
Output to D 4 , ..., D M.

【0025】また、データ回路30から出力される各ド
レインバスの電圧データ設定条件は、正極性の書き込み
において、ON電圧VD(+)′,OFF電圧として
D(-)′として、負極性の書き込みにおいてON電圧V
D(-)′,OFF電圧VD(+)′とするため、電圧振幅が図
15に示されるΔVと同等に設定でき、VD(+)′−V
D(-)′=VSAT −VTH=ΔVの条件で与えられるため、
図14の従来例と比較して、ドレイン電圧の振幅はVTH
×2+ΔV分だけ小さくできる。
The voltage data setting conditions for each drain bus output from the data circuit 30 are as follows: ON voltage V D (+) ', OFF voltage V D (-) ' in negative polarity, and negative polarity in positive polarity writing. ON voltage V in writing
Since D (-) 'and OFF voltage V D (+) ' are set, the voltage amplitude can be set to be equal to ΔV shown in FIG. 15, and V D (+) '-V
Since it is given under the condition of D (-) '= V SAT -V TH = ΔV,
Compared with the conventional example of FIG. 14, the amplitude of the drain voltage is V TH
It can be reduced by × 2 + ΔV.

【0026】図6は本発明の実施例を示すアクティブマ
トリクス型薄膜トランジスタ液晶パネルのコモン変動回
路の動作タイミングチャート1を示し、図7はそのコモ
ン変動回路の動作タイミングチャート2を示す。本発明
においては、ドレイン電圧の振幅をΔVと同等に設定す
る替わりに、液晶のオフセット電圧等の電圧を対向電極
の電圧信号により供給する。このため、第1番目の対向
電極には、第1ゲートバスラインの書き込みタイミング
においては、偶数ドレインバスラインの書き込み極性の
オフセット電圧等を、第2ゲートバスラインの書き込み
タイミングにおいては、奇数ドレインバスの書き込み極
性のオフセット電圧等を補充する電圧信号を供給し、ま
た、第2番目の対向電極には、第2ゲートバスラインの
書き込みタイミングにおいては、偶数ドレインバスの書
き込み極性のオフセット電圧等を、第3ゲートバスライ
ンの書き込みタイミングにおいては奇数ドレインバスの
書き込み極性のオフセット電圧等を補充する電圧信号を
供給し、以下同様に第N番目の対向電極まで電圧信号を
供給する。
FIG. 6 shows an operation timing chart 1 of the common variation circuit of the active matrix type thin film transistor liquid crystal panel showing the embodiment of the present invention, and FIG. 7 shows an operation timing chart 2 of the common variation circuit. In the present invention, instead of setting the amplitude of the drain voltage to be equal to ΔV, a voltage such as an offset voltage of the liquid crystal is supplied by the voltage signal of the counter electrode. Therefore, an offset voltage of the write polarity of the even drain bus line is written to the first counter electrode at the write timing of the first gate bus line, and an offset voltage of the odd drain bus line is written at the write timing of the second gate bus line. A voltage signal for supplementing the offset voltage of the write polarity, etc., and the offset voltage of the write polarity of the even drain bus is supplied to the second counter electrode at the write timing of the second gate bus line. At the write timing of the third gate bus line, a voltage signal for supplementing the offset voltage or the like of the write polarity of the odd drain bus is supplied, and the voltage signal is similarly supplied to the Nth counter electrode.

【0027】また、同じ書き込みタイミングにおける奇
数ドレインバスと偶数ドレインバスの極性は異なってお
り、かつ次の書き込みタイミングにおいて、それぞれの
極性は反転しているため、各対向電極には、該当する画
素電極の内偶数ドレインバスにTFTを介して接続され
る画素電極の書き込みタイミングに同期して変動する電
圧信号を供給することになる。
Since the polarities of the odd-numbered drain bus and the even-numbered drain bus are different at the same write timing, and the polarities thereof are inverted at the next write timing, the corresponding pixel electrodes correspond to the respective pixel electrodes. Among them, a voltage signal that changes in synchronization with the writing timing of the pixel electrode connected to the even drain bus via the TFT is supplied.

【0028】そこで、2系統の回路構成のうち、シフト
レジスタ部A41には、図6に示されるように、第1ゲ
ートバスラインのON電圧印加直前に変動し、第1番目
のゲートバスラインのライン方向に偶数番目の画素電極
の極性データを有する信号DF1と、各ゲートバスライ
ンのON電圧印加の立ち上がりに同期し、かつ1走査時
間に相当するton時間の周期を有するクロックΦC とを
供給し、DC1より、2クロック分ずつ順次遅れた波形D
C3, DC5,…,DCN-1を作成し、これを電圧増幅部に供
給し、オペアンプと抵抗R1 ,R2 により、R2 /R1
倍に反転増幅し、オフセット電圧分とゲートバス選択時
の極性補正電圧分を含む所定の電圧振幅を有する電圧信
号を作成し、保護抵抗R3 とドライバ部A43を介し
て、第1番目の対向電極に電圧信号VCOM1を、第3番目
の対向電極に電圧信号VCOM3を、第N−1番目の対向電
極に電圧信号VCOMN-1をそれぞれ供給する。
Therefore, in the circuit configuration of the two systems, in the shift register section A41, as shown in FIG. 6, the voltage fluctuates immediately before the ON voltage of the first gate bus line is applied and the shift voltage of the first gate bus line is changed. The signal DF1 having the polarity data of the even-numbered pixel electrodes in the line direction and the clock Φ C synchronized with the rising of the ON voltage application of each gate bus line and having a period of t on time corresponding to one scanning time are provided. Waveform D supplied and sequentially delayed by two clocks from D C1
C3 , D C5 , ..., D CN-1 are created, this is supplied to the voltage amplifying section, and R 2 / R 1 is set by the operational amplifier and the resistors R 1 and R 2.
Double inversion amplification is performed to create a voltage signal having a predetermined voltage amplitude including the offset voltage and the polarity correction voltage when the gate bus is selected, and the first counter signal is provided via the protection resistor R 3 and the driver unit A43. The voltage signal V COM1 is supplied to the electrodes, the voltage signal V COM3 is supplied to the third counter electrode, and the voltage signal V COMN-1 is supplied to the (N-1) th counter electrode.

【0029】また、シフトレジスタB44には、図7に
示されるように、第1ゲートバスラインのON電圧印加
直前に変動し、かつ第2番目のゲートバスラインの、ラ
イン方向に偶数番目の画素電極の極性データを有する信
号DF2と、各ゲートバスラインのON電圧印加の立ち
上がりに同期し、かつton時間の同期を有するクロック
ΦC とを供給し、図6のDC1より1クロック分遅れた波
形DC2を作成し、さらにDC2より2クロック分ずつ順次
遅れた波形DC4, DC6…,DCNを作成し、これを電圧増
幅部に供給し、オペアンプと抵抗R1 ,R2 によりR2
/R1 倍に反転増幅し、オフセット電圧分と、ゲートバ
ス選択時の極性補正電圧分を含む所定の電圧振幅を有す
る電圧信号を作成し、保護抵抗R3 とドライバ部B46
を介して、第2番目の対向電極に電圧信号VCOM1を、第
4番目の対向電極に電圧信号VCO M4を、第N番目の対向
電極に電圧信号VCOMNをそれぞれ供給する。
Further, as shown in FIG. 7, the shift register B44 changes immediately before the ON voltage is applied to the first gate bus line, and the even-numbered pixel in the line direction of the second gate bus line. The signal DF2 having the polarity data of the electrodes and the clock Φ C synchronized with the rising of the ON voltage application to each gate bus line and having the synchronization of the on time are supplied, and are delayed by one clock from D C1 in FIG. create a waveform D C2 was further D C2 than sequentially delayed waveform by two clocks min D C4, D C6 ..., create a D CN, which was supplied to the voltage amplifier, an operational amplifier and resistors R 1, R 2 By R 2
/ R 1 times inverting amplification is performed to create a voltage signal having a predetermined voltage amplitude including the offset voltage and the polarity correction voltage when the gate bus is selected, and the protection resistor R 3 and the driver unit B46.
Through, a voltage signal V COM1 to the second counter electrode, a voltage signal V CO M4 in the fourth counter electrode, respectively supply voltage signal V COMN to the N-th counter electrode.

【0030】なお、ここで出力されるVCOM1, VCOM2
…,VCOMNは同等の電圧振幅を有する電圧信号を供給し
てもよいため、コモン変動回路に2値出力のドレインド
ライバを適用することもできる。図8は本発明の実施例
を示す液晶セルの等価回路図である。上述した駆動方法
の場合、液晶セルの電荷保持状態における実効電圧の変
動が、少なくとも3つの条件において発生する。
The V COM1 , V COM2 ,
, V COMN may supply a voltage signal having an equivalent voltage amplitude, so that a binary output drain driver can be applied to the common variation circuit. FIG. 8 is an equivalent circuit diagram of a liquid crystal cell showing an embodiment of the present invention. In the case of the driving method described above, the fluctuation of the effective voltage in the charge holding state of the liquid crystal cell occurs under at least three conditions.

【0031】まず、画素電極に接続されるTFTの書き
込み直後に、TFTの寄生容量Cgsにより、ΔV1 ′=
〔Cgs/(Cgs+CLC)〕×(VG (+) ′−
G (-) ′)、次いで、画素電極を挟む2本のドレイン
バスライン12が書き込み時の電圧からΔVD1′及びΔ
D2′だけ変動した時に、画素電極と2本のドレインバ
スライン12との間の容量CDP1 とCDP2 によりΔ
2 ′=(CDP1 /CLC)×ΔVD1′−(CDP2
LC)×ΔVD2′、さらに、画素電極との間に電荷蓄積
を行なう対向電極の電圧がΔVCOM だけ変動した時に、
TFT13の寄生容量Cgsにより、ΔV3 ′=〔Cgs
(Cgs+CLC)〕×ΔVCOM である。
First, immediately after writing to the TFT connected to the pixel electrode, the parasitic capacitance C gs of the TFT causes ΔV 1 ′ =
[C gs / (C gs + C LC )] × (V G (+) ′ −
V G (−) ′), and then the two drain bus lines 12 sandwiching the pixel electrode are ΔV D1 ′ and Δ from the voltage at the time of writing.
When it changes by V D2 ′, Δ due to the capacitances C DP1 and C DP2 between the pixel electrode and the two drain bus lines 12.
V 2 ′ = (C DP1 / C LC ) × ΔV D1 ′ − (C DP2 /
C LC ) × ΔV D2 ′, and when the voltage of the counter electrode for accumulating charges with the pixel electrode changes by ΔV COM ,
Due to the parasitic capacitance C gs of the TFT 13, ΔV 3 ′ = [C gs /
(C gs + C LC )] × ΔV COM .

【0032】また、電位変動ΔV1 ′は全ての画素電極
において同等のTFTが形成されていれば、書き込み電
圧及び書き込みタイミングによらず、同極性、同電位の
変動であるため、対向電極に供給する電圧の設定におい
て、ΔV1 ′分だけズラして設定することにより、全て
の液晶セルにおいて同等の実効電圧を維持することがで
きる。
Further, the potential variation ΔV 1 ′ is of the same polarity and the same potential regardless of the write voltage and the write timing if the same TFT is formed in all the pixel electrodes, and therefore the potential variation ΔV 1 ′ is supplied to the counter electrode. In setting the voltage to be set, the same effective voltage can be maintained in all the liquid crystal cells by shifting the setting by ΔV 1 ′.

【0033】更に、電位変動ΔV2 ′とΔV3 ′は、書
き込み時の極性によって、実効電圧変動の極性が異な
り、その変動量は画素電極を挟む2本のドレインバス及
び対向電極の極性が、書き込み時と変化した時に最も大
きな電圧変動を示す。よって、各画素電極において、書
き込み時の極性に対して、両者の極性が変化している期
間が短いものと長いものが存在すると、平均実効電圧が
異なり、表示ムラが発生する。
Further, the potential fluctuations ΔV 2 ′ and ΔV 3 ′ have different polarities of the effective voltage fluctuation depending on the polarities at the time of writing, and the fluctuation amount depends on the polarities of the two drain buses sandwiching the pixel electrode and the counter electrode. The largest voltage fluctuation is shown at the time of writing and when changing. Therefore, in each pixel electrode, if there is a short period and a long period during which the polarities of the two are changed with respect to the polarities at the time of writing, the average effective voltage is different, and display unevenness occurs.

【0034】図10は本発明の実施例を示す奇数ドレイ
ンバスラインに接続されるTFTの駆動電圧及び画素電
圧変化を示すタイミングチャート、図11は本発明の実
施例を示す偶数ドレインバスに接続されるTFTの駆動
電圧及び画素電圧変化を示すタイミングチャートであ
る。そこで、この実施例においては、対向電極に供給す
る電圧信号VCOM1, VCOM2,…,VCOMNを、電圧変動量
ΔV1 ′だけズラして電圧設定し、かつ各ドレインバス
ラインの極性が1ライン周期に極性反転する交流化駆動
を行なっているため、全ての画素電極に対して、画素電
極を挟む2本のドレインバスの極性が書き込み時と変化
している期間が同等になり平均実効電圧が均一になるも
のである。
FIG. 10 is a timing chart showing changes in driving voltage and pixel voltage of the TFT connected to the odd drain bus line showing the embodiment of the present invention, and FIG. 11 is connected to the even drain bus showing the embodiment of the present invention. 6 is a timing chart showing a drive voltage of a TFT and a pixel voltage change. Therefore, in this embodiment, the voltage signals V COM1 , V COM2 , ..., V COMN supplied to the counter electrodes are set by shifting the voltage variation amount ΔV 1 ′, and the polarity of each drain bus line is 1. Since AC drive is performed to invert the polarity in the line cycle, the period during which the polarities of the two drain buses sandwiching the pixel electrode are the same as that during writing is the same for all pixel electrodes, and the average effective voltage is the same. Is uniform.

【0035】また、各画素電極に対する対向電極の極性
は、書き込み時と変化している期間が奇数ドレインバス
ラインにTFTを介して接続される画素電極に対して、
たかだかT×(1/N+1)の時間だけ発生し、偶数ド
レインバスラインにTFTを介して接続される画素電極
に対しては発生しないため、ΔV3 ′の影響による平均
実効電圧の変動は無視してよい程度になる。
The polarity of the counter electrode with respect to each pixel electrode is different from that at the time of writing with respect to the pixel electrode connected to the odd drain bus line through the TFT.
It occurs only for a time of T × (1 / N + 1) and does not occur for the pixel electrode connected to the even drain bus line via the TFT. Therefore, the fluctuation of the average effective voltage due to the influence of ΔV 3 ′ is ignored. It will be good enough.

【0036】また、さらに以上のことを考慮して、対向
電極に供給するVCOM1, VCOM2,…,VCOMNの電圧信号
に、表示データより算出した全ての画素電極におけるΔ
2′の平均電圧変動量−ΔV2 ′をΔV2 ′の電圧変
動によって生ずる実効電圧ロス分として付加して供給す
るためにVCOM1, VCOM2,…,VCOMNの電圧波形を正極
性の書き込み時には、VD (+) ′−ΔV−VTH−Δ
1 ′−(−ΔV2 ′)の電圧レベルに、負極性の書き
込み時には、VD (-) ′+ΔV+VTH−ΔV1 ′+(−
ΔV2 ′)の電圧レベルに設定した、ΔV+2VTH+2
×(−ΔV2 ′)の変動振幅を有する電圧信号で供給す
ることにより、データ回路より出力される電圧データの
振幅をΔVに設定した場合においても、全ての画素の平
均実効電圧をΔV+VTHと同程度にすることができるも
のである。また同様に、ドレイン電圧の振幅が小さくな
った分、ゲート電圧の振幅も同程度小さくすることがで
きる。
Further, in consideration of the above, the voltage signals of V COM1 , V COM2 , ..., V COMN supplied to the counter electrodes are expressed by Δ in all pixel electrodes calculated from the display data.
The voltage waveform of V COM1 , V COM2 , ..., V COMN is of a positive polarity in order to additionally supply the average voltage fluctuation amount of V 2 ′ -ΔV 2 ′ as the effective voltage loss caused by the voltage fluctuation of ΔV 2 ′. At the time of writing, V D (+) '-ΔV-V TH
At the voltage level of V 1 ′ − (− ΔV 2 ′), at the time of writing with negative polarity, V D (−) ′ + ΔV + V TH −ΔV 1 ′ + (−
ΔV + 2V TH +2 set to the voltage level of ΔV 2 ′)
By supplying a voltage signal having a fluctuation amplitude of × (−ΔV 2 ′), even when the amplitude of the voltage data output from the data circuit is set to ΔV, the average effective voltage of all pixels is ΔV + V TH . It can be the same level. Similarly, the amplitude of the gate voltage can be reduced to the same extent as the amplitude of the drain voltage is reduced.

【0037】図9は本発明の実施例を示すアクティブマ
トリクス型薄膜トランジスタ液晶パネルの等価回路図を
示す。図1及び図2に示したように、アクティブマトリ
クス型薄膜トランジスタ液晶パネルには数多くの電気的
配線が施されているため、液晶パネルの構成条件として
配線容量が存在し、各表示セルの液晶容量CLCに書き込
みを行なう時に、ロス電流を発生させる。ドレインバス
ライン12とゲートバスライン11の交差部分により作
成される容量CGDは、ドレインバスラインの電圧が変動
する毎に、ゲートバスライン11とドレインバスライン
12にドレインバスライン12の電圧変動量に比例した
ロス電流を発生させ、また液晶層を介してドレインバス
ライン12と対向電極15との間に作成される容量CDC
は、同様にドレインバスライン12の電圧が変動する毎
にドレインバスライン12と対向電極15に、ドレイン
バス12の電圧変動量に比例したロス電流を発生させ
る。
FIG. 9 shows an equivalent circuit diagram of an active matrix type thin film transistor liquid crystal panel showing an embodiment of the present invention. As shown in FIGS. 1 and 2, the active matrix type thin film transistor liquid crystal panel is provided with a large number of electrical wirings. Therefore, there is a wiring capacitance as a constituent condition of the liquid crystal panel, and a liquid crystal capacitance C of each display cell is present. A loss current is generated when writing to LC . The capacitance C GD created by the intersection of the drain bus line 12 and the gate bus line 11 is the voltage variation amount of the drain bus line 12 between the gate bus line 11 and the drain bus line 12 each time the voltage of the drain bus line varies. And a capacitance C DC generated between the drain bus line 12 and the counter electrode 15 via the liquid crystal layer.
Similarly, each time the voltage of the drain bus line 12 changes, a loss current proportional to the amount of voltage change of the drain bus 12 is generated in the drain bus line 12 and the counter electrode 15.

【0038】ここで示す、各表示セル単位に存在するC
GD及びCDCにより発生する電流量はそれほど大きなもの
ではないが、配線全体で考えるとかなり大きな電流であ
るため、ロス電流を短い期間、例えばライン周期にパネ
ル外部に放出するためには、ドレインバスライン12及
びゲートバスライン11及び対向電極15の低抵抗化を
図るとともに、各配線に接続される外部ドライバの電流
容量を大きくしなければならない。
C shown in each display cell unit shown here
Without large so much amount of current generated by GD and C DC, for considering the whole wire is fairly large current, short duration loss current, in order to release, for example, in line periods outside the panel, the drain bus It is necessary to reduce the resistance of the line 12, the gate bus line 11, and the counter electrode 15, and increase the current capacity of the external driver connected to each wiring.

【0039】本発明の実施例においては、隣接するドレ
インバスの極性が異なり、極性変動する時には、隣接す
るドレインバスは必ず異なる極性の電圧変動、例えば、
一方が正極性から負極性に変動する場合は、他方が負極
性から正極性に変動することになる。よって、隣接する
容量CGD同士、あるいは各ライン毎に分割された1個の
対向電極上に隣接する容量CDC同士によって発生するロ
ス電流は、互いに反対方向に流れる電流であるため、ロ
ス電流同士が相殺する傾向を示す。
In the embodiment of the present invention, when the polarities of the adjacent drain buses are different and the polarities are changed, the voltage fluctuations of the adjacent drain buses are always different polarities, for example,
When one changes from the positive polarity to the negative polarity, the other changes from the negative polarity to the positive polarity. Therefore, the loss currents generated by the adjacent capacitances C GD or by the capacitances C DC adjacent to each other on one counter electrode divided for each line are currents flowing in opposite directions. Tend to cancel out.

【0040】このために、1本のゲートバスライン及び
ドレインバスライン及び各ライン毎に分割された対向電
極に流れるロス電流は、非常に小さくなり、各配線の低
抵抗化及び各配線に接続される外部ドライバの大容量化
を図らなくてもよい、液晶パネルを提供できるととも
に、液晶パネルの大容量、高精細化に適している。図1
2は本発明の変形実施例を示すアクティブマトリクス型
薄膜トランジスタ液晶パネルの概略構成図である。な
お、前記実施例と同様の部分については、同じ番号を付
し、その説明は省略する。
Therefore, the loss current flowing through one gate bus line and drain bus line and the counter electrode divided for each line becomes very small, and the resistance of each wiring is reduced and each wiring is connected to each wiring. It is possible to provide a liquid crystal panel that does not need to increase the capacity of an external driver, and is suitable for increasing the capacity and definition of the liquid crystal panel. Figure 1
2 is a schematic configuration diagram of an active matrix thin film transistor liquid crystal panel showing a modified embodiment of the present invention. The same parts as those in the above-mentioned embodiment are designated by the same reference numerals, and the description thereof will be omitted.

【0041】この実施例においては、図1及び図2で詳
細に説明した構成のアクティブマトリクス型薄膜トラン
ジスタ液晶パネルの、各画素電極と対向電極との間の液
晶容量CLCに対して、電気的に並列に補助容量Cs 17
を設け、補助容量線18によってコモン変動回路40へ
と接続したもので、液晶セルの電荷保持状態における実
効電圧の変動量を、それぞれΔV1 ″=〔Cgs/(Cgs
+CLC+Cs )〕×(VG (+) ′−VG (-) ′)、ΔV
2 ″=(CDP1 /CLC+Cs )×ΔVD1′−(CDP2
LC+Cs )×ΔVD2′、ΔV3 ″=〔Cgs/(Cgs
LCs )〕×ΔVCOM に減少させられるものである。
この効果によって、対向電極に供給するVCOM1,
COM2,…,VCOMNのの補正電圧、電圧振幅を小さくす
ることによって、容易にゲートバスラインに供給する電
圧振幅を小さくできるものである。
In this embodiment, the liquid crystal capacitance C LC between each pixel electrode and the counter electrode of the active matrix type thin film transistor liquid crystal panel having the configuration described in detail with reference to FIGS. Auxiliary capacitance C s 17 in parallel
Is provided and connected to the common fluctuation circuit 40 by the auxiliary capacitance line 18, the fluctuation amount of the effective voltage in the charge holding state of the liquid crystal cell is ΔV 1 ″ = [C gs / (C gs
+ C LC + C s )] × (VG (+) '-VG (-) '), ΔV
2 ″ = (C DP1 / C LC + C s ) × ΔV D1 ′ − (C DP2 /
C LC + C s ) × ΔV D2 ′, ΔV 3 ″ = [C gs / (C gs +
C LC C s )] × ΔV COM .
By this effect, V COM1 , which is supplied to the counter electrode,
By reducing the correction voltage and the voltage amplitude of V COM2 , ..., V COMN , the voltage amplitude supplied to the gate bus line can be easily reduced.

【0042】図16は本発明の他の実施例を示すアクテ
ィブマトリクス型薄膜トランジスタ液晶パネルの概略斜
視図である。この図に示すように、透明な背面基板上
に、ゲートバスライン11とドレインバスライン12と
を直交して配置して、その交点にTFT13を設け、個
別の表示セルに対応する透明な画素電極14に接続し、
1本のゲートバスラインにTFT13を介して接続され
る画素電極群をライン方向に配置し、適当な方向に配向
処理された配向膜を設ける。なお、19は隙間である。
FIG. 16 is a schematic perspective view of an active matrix type thin film transistor liquid crystal panel showing another embodiment of the present invention. As shown in this figure, a gate bus line 11 and a drain bus line 12 are arranged orthogonal to each other on a transparent rear substrate, and TFTs 13 are provided at the intersections of the gate bus lines 11 and the drain bus lines 12 to form transparent pixel electrodes corresponding to individual display cells. Connect to 14,
A group of pixel electrodes connected to one gate bus line via the TFT 13 is arranged in the line direction, and an alignment film subjected to an alignment treatment in an appropriate direction is provided. In addition, 19 is a gap.

【0043】一方、透明な前面基板上に隣接する2本の
ゲートバスラインにTFT13を介して接続される画素
電極群から、ゲートバスライン方向に交互に千鳥状に選
択した画素電極群に対して、1個の透明な波型の対向電
極15を設け、かつ該波型対向電極を複数個設け、適当
な方向に配向処理された配向膜を設ける。前記背面基板
と前記前面基板の配向膜同士を向かい合わせ、位置合せ
し、両基板間に適当な隙間を設け、液晶を注入後、封止
し、両基板の露出面に互いに偏光軸が平行あるいは垂直
になるように偏光膜を貼り付けたものである。図17は
本発明の実施例を示すアクティブマトリクス型薄膜トラ
ンジスタ液晶パネルの対向電極の構成を示す図である。
On the other hand, from the pixel electrode groups connected via the TFT 13 to the two adjacent gate bus lines on the transparent front substrate, the pixel electrode groups selected alternately in the gate bus line direction in a zigzag manner. One transparent corrugated counter electrode 15 is provided, a plurality of corrugated counter electrodes are provided, and an alignment film that has been subjected to an alignment treatment in an appropriate direction is provided. The alignment films of the back substrate and the front substrate are faced to each other and aligned, an appropriate gap is provided between both substrates, liquid crystal is injected and sealed, and the polarization axes are parallel to each other on the exposed surfaces of both substrates. A polarizing film is attached so as to be vertical. FIG. 17 is a view showing the structure of the counter electrode of the active matrix thin film transistor liquid crystal panel showing the embodiment of the present invention.

【0044】図に示すように、波型対向電極は、隣接す
る2本のゲートバスラインにTFT13を介して接続さ
れる画素電極群から、ゲートバスライン方向に交互に千
鳥状に選択した画素電極群に対して、1個の透明な対向
電極として設けるため、図17(a)のパターン構成1
に示されるように、隣接する2本のゲートバスラインに
またがって形成される。このため、パターン構成1にお
いては、画素ピッチが微細化した場合には、2つのゲー
トバスラインにまたがる接合部が細くなり、電気的抵抗
値が増加し、表示ムラが認識できる程度の電位差が発生
する可能性がある。図17(b)のパターン構成2にお
いては、この対向電極接合部15bを電気的抵抗値の低
いアルミニウム等で形成し、画素ピッチの微細化に対応
できる構成にしたものである。ここで、15aは画素電
極と対向する部分である。
As shown in the figure, the corrugated counter electrodes are pixel electrodes selected in a zigzag pattern alternately in the gate bus line direction from a pixel electrode group connected to two adjacent gate bus lines via the TFT 13. In order to provide one transparent counter electrode for the group, the pattern configuration 1 of FIG.
As shown in FIG. 3, the gate bus lines are formed so as to straddle two adjacent gate bus lines. For this reason, in the pattern configuration 1, when the pixel pitch is made finer, the junction extending over the two gate bus lines becomes thin, the electrical resistance value increases, and a potential difference is generated to the extent that display unevenness can be recognized. there's a possibility that. In the pattern configuration 2 of FIG. 17B, the counter electrode bonding portion 15b is made of aluminum or the like having a low electric resistance value, so that the pixel pitch can be miniaturized. Here, 15a is a portion facing the pixel electrode.

【0045】図18は本発明の他の実施例のアクティブ
マトリクス型薄膜トランジスタ液晶パネルの概略構成図
である。また、アクティブマトリクス型薄膜トランジス
タ液晶パネルのデータ回路は図3と同様であり、ここで
は図示しない。図19は本発明の他の実施例のアクティ
ブマトリクス型薄膜トランジスタ液晶パネルのドレイン
バスに供給される電圧データのタイミングを示す図であ
り、図19(a)はその奇数ドレインバスラインの電圧
データ波形図、図19(b)はその偶数ドレインバスラ
インの電圧データ波形図である。図20は本発明の実施
例を示すアクティブマトリクス型薄膜トランジスタ液晶
パネルのコモン変動回路を示す図である。
FIG. 18 is a schematic configuration diagram of an active matrix type thin film transistor liquid crystal panel of another embodiment of the present invention. The data circuit of the active matrix type thin film transistor liquid crystal panel is similar to that shown in FIG. 3 and is not shown here. FIG. 19 is a diagram showing the timing of the voltage data supplied to the drain bus of the active matrix type thin film transistor liquid crystal panel of another embodiment of the present invention, and FIG. 19 (a) is a voltage data waveform diagram of the odd drain bus line. 19B is a voltage data waveform diagram of the even drain bus line. FIG. 20 is a diagram showing a common variation circuit of an active matrix type thin film transistor liquid crystal panel showing an embodiment of the present invention.

【0046】これらの図に示すように、ゲートライン1
1の数をN、ドレインバスライン12の数をMとする
と、N個のゲートバスライン11に走査回路20を接続
し、第1ゲートバスライン11から時間的に順次にON
電圧VG(+)′を1走査時間に相当するton時間供給し、
M個のドレインバスライン12にデータ発生部31、デ
ータ反転部A32、データ反転部B33、データ出力部
A34、データ出力部B35から構成されるデータ回路
30を接続し、輝度データ及び極性データを含む電圧デ
ータを供給し、N+1個に分割された対向電極群に2系
統のシフトレジスタ部A41、シフトレジスタ部B44
と電圧増幅部42,45とドライバ部A43、ドライバ
部B46より構成されるコモン変動回路40を接続し、
ドレインバスライン12に供給される電圧データに応じ
た極性データ及び液晶16の閾値電圧に相当するオフセ
ット電圧及び実効電圧補正電圧を含む電圧信号を供給す
る。
As shown in these figures, the gate line 1
When the number of 1s is N and the number of drain bus lines 12 is M, the scanning circuits 20 are connected to the N gate bus lines 11, and the first gate bus lines 11 are turned on sequentially in time.
The voltage V G (+) ′ is supplied for a time t on corresponding to one scanning time,
A data circuit 30 including a data generation unit 31, a data inversion unit A32, a data inversion unit B33, a data output unit A34, and a data output unit B35 is connected to the M drain bus lines 12 and includes brightness data and polarity data. Voltage data is supplied, and two systems of shift register unit A41 and shift register unit B44 are provided to the counter electrode group divided into N + 1 pieces.
And a common variation circuit 40 composed of a voltage amplification section 42, 45, a driver section A43, and a driver section B46,
A voltage signal including polarity data corresponding to the voltage data supplied to the drain bus line 12 and an offset voltage corresponding to the threshold voltage of the liquid crystal 16 and an effective voltage correction voltage is supplied.

【0047】図19に示すように、この実施例において
は、データ回路30のデータ発生部31において、ドレ
インバスの1ラインの輝度データをライン方向に、奇数
番目の表示セルのデータと偶数番目の表示セルのデータ
に分割し、データ1とデータ2を作成し、また奇数ドレ
インバスラインと偶数ドレインバスラインの書き込みの
極性が異なり、ドレインバスの1ライン毎に極性が反転
する交流化信号として、奇数番目のドレインバスに該当
する交流化信号1と、偶数番目のドレインバスに該当す
る交流化信号2を作成する。
As shown in FIG. 19, in this embodiment, in the data generation section 31 of the data circuit 30, the luminance data of one line of the drain bus is line-wise directed to the data of the odd-numbered display cells and the even-numbered display cells. The data is divided into display cell data, data 1 and data 2 are created, and the polarity of writing on the odd drain bus line and the even drain bus line is different, and the polarity is inverted for each line of the drain bus. An alternating signal 1 corresponding to the odd-numbered drain buses and an alternating signal 2 corresponding to the even-numbered drain buses are created.

【0048】データ1と交流化信号1はデータ反転部A
32により演算し、輝度データと極性データを含む電圧
データ、データ3を作成し、データ出力部A34によっ
て、奇数番目のドレインバスD1 ,D3 …,DM-1 に出
力する。同様にデータ2と交流化信号2は、データ反転
部B33により演算し、輝度データと極性データを含む
電圧データ、データ4を作成し、データ出力部B35に
よって、偶数番目のドレインバスD2 ,D4 …,DM
出力する。
The data 1 and the alternating signal 1 are transferred to the data inversion unit A.
32, voltage data including brightness data and polarity data, and data 3 are created, and are output to the odd-numbered drain buses D 1 , D 3, ..., D M-1 by the data output unit A34. Similarly, the data 2 and the AC signal 2 are calculated by the data inversion unit B33 to create voltage data and data 4 including the brightness data and the polarity data, and the data output unit B35 outputs even-numbered drain buses D 2 , D. 4 ..., Output to D M.

【0049】また、データ回路30から出力される各ド
レインバスの電圧データ設定条件は、正極性の書き込み
において、ON電圧VD(+)′,OFF電圧として
D(-)′として、負極性の書き込みにおいて、ON電圧
D(-)′,OFF電圧VD(+)′とするため電圧振幅が図
15に示されるΔVと同等に設定でき、VD(+)′−V
D(-)′=VSAT −VTH=ΔVの条件で与えられるため、
図14の従来例と比較してドレイン電圧の振幅はVTH×
2+ΔV分だけ小さくできる。
The voltage data setting conditions for each drain bus output from the data circuit 30 are as follows: ON voltage V D (+) ', OFF voltage V D (-) ' in negative polarity, and negative polarity in positive polarity writing. In writing, since the ON voltage V D (-) 'and the OFF voltage V D (+) ' are set, the voltage amplitude can be set to be equal to ΔV shown in FIG. 15, and V D (+) '-V
Since it is given under the condition of D (-) '= V SAT -V TH = ΔV,
Compared with the conventional example of FIG. 14, the amplitude of the drain voltage is V TH ×
It can be reduced by 2 + ΔV.

【0050】図21は本発明の他の実施例を示すアクテ
ィブマトリクス型薄膜トランジスタ液晶パネルのコモン
変動回路の第1のタイミングチャートを示し、図22は
本発明の他の実施例を示すアクティブマトリクス型薄膜
トランジスタ液晶パネルのコモン変動回路の第2のタイ
ミングチャートを示す。この実施例においては、ドレイ
ン電圧の振幅をΔVと同等に設定する替わりに、液晶の
オフセット電圧等の電圧を対向電極の電圧信号により供
給する。各対向電極は、図16、図17、図18で詳細
に説明したように配置されるため、第1ゲートバスライ
ンの書き込みタイミングにおいて、第1番目の対向電極
に奇数ドレインバスの書き込み極性のオフセット電圧等
の電圧信号を供給し、第2番目の対向電極に偶数ドレイ
ンバスの書き込み極性のオフセット電圧等の電圧信号を
供給する。
FIG. 21 is a first timing chart of a common variation circuit of an active matrix type thin film transistor liquid crystal panel showing another embodiment of the present invention, and FIG. 22 is an active matrix type thin film transistor showing another embodiment of the present invention. The 2nd timing chart of the common variation circuit of a liquid crystal panel is shown. In this embodiment, instead of setting the amplitude of the drain voltage to be equal to ΔV, a voltage such as an offset voltage of the liquid crystal is supplied by the voltage signal of the counter electrode. Since each counter electrode is arranged as described in detail with reference to FIGS. 16, 17, and 18, at the write timing of the first gate bus line, the offset of the write polarity of the odd drain bus is provided to the first counter electrode. A voltage signal such as a voltage is supplied, and a voltage signal such as an offset voltage of the write polarity of the even drain bus is supplied to the second counter electrode.

【0051】また、第2ゲートバスラインの書き込みタ
イミングにおいては、第2番目の対向電極に奇数ドレイ
ンバスの書き込み極性のオフセット電圧等の電圧信号を
供給し、第3番目の対向電極に偶数ドレインバスの書き
込み極性のオフセット電圧等の電圧信号を供給する。以
下同様に電圧信号を供給し、第Nゲートバスラインの書
き込みタイミングにおいて、第N番目の対向電極に奇数
ドレインバスの書き込み極性のオフセット電圧等の電圧
信号を供給し、第N+1番目の対向電極に偶数ドレイン
バスの書き込み極性のオフセット電圧等の電圧信号を供
給することにより一画面の書き込みが終了する。
At the write timing of the second gate bus line, a voltage signal such as an offset voltage of the write polarity of the odd drain bus is supplied to the second counter electrode and the even drain bus is supplied to the third counter electrode. The voltage signal such as the offset voltage of the write polarity is supplied. Similarly, a voltage signal is supplied to the Nth counter electrode at the write timing of the Nth gate bus line, and a voltage signal such as an offset voltage of the write polarity of the odd drain bus is supplied to the N + 1th counter electrode. Writing of one screen is completed by supplying a voltage signal such as an offset voltage of the write polarity of the even drain bus.

【0052】この時、同じゲートバスラインの書き込み
タイミングにおいては、奇数ドレインバスと偶数ドレイ
ンバスの極性は異なっており、かつ次のゲートバスライ
ンの書き込みタイミングにおいては、それぞれの極性は
反転しているため、各対向電極には、該当する画素電極
の内、第1番目の対向電極を除いて、偶数ドレインバス
にTFTを介して接続される画素電極の書き込みタイミ
ングに同期して変動する電圧信号を供給することにな
る。
At this time, the polarities of the odd drain bus and the even drain bus are different at the write timing of the same gate bus line, and the polarities are inverted at the write timing of the next gate bus line. Therefore, a voltage signal that changes in synchronization with the write timing of the pixel electrode connected to the even-numbered drain bus through the TFT is excluded from the corresponding pixel electrode except the first counter electrode. Will be supplied.

【0053】そこで、2系統の回路構成のうち、シフト
レジスタ部A41には、図21に示されるように、第1
ゲートバスラインのON電圧印加直前に変動し、かつ第
1ラインのライン方向に奇数番目の極性データを有する
信号DFと、各ゲートバスラインのON電圧印加の立ち
上がりに同期し、かつton時間の周期を有するクロック
ΦC とを供給しDC1を作成し、また第2ゲートバスライ
ンの偶数番目の極性データを示すDC1より1クロック分
遅れた波形DC3を作成し、また、第4ゲートバスライン
の偶数番目の極性データを示すDC1より1クロック分遅
れた波形DC3を作成し、第4ラインの偶数番目の極性デ
ータを示すDC3より2クロック分遅れた波形DC5を作成
し、以下同様に2クロック分ずつ遅れた波形DC7,…,
CN+1を作成し、これを電圧増幅部に供給し、オペアン
プと抵抗R1 ,R2 によりR2 /R1 倍に反転増幅し、
液晶のオフセット電圧分とゲートバス選択時の極性補正
電圧分を含む所定の電圧振幅を有する電圧信号を作成
し、保護抵抗R3 とドライバ部A43を介して、第1番
目の対向電極に電圧信号VCOM1を、第3番目の対向電極
に電圧信号VCOM3を、第N+1番目の対向電極に電圧信
号VCOMN+1をそれぞれ供給する。
Therefore, in the circuit configuration of the two systems, the shift register section A41 has a first circuit as shown in FIG.
Fluctuate ON voltage application just before the gate bus line, and a signal DF with odd polarity data in the line direction of the first line in synchronization with the rising of the ON voltage application of each of the gate bus lines, and the t on time A clock Φ C having a period is supplied to generate D C1, and a waveform D C3 delayed by one clock from D C1 indicating even-numbered polarity data of the second gate bus line is generated, and a fourth gate is also generated. A waveform D C3 delayed by one clock from D C1 indicating even-numbered polarity data of the bus line is created, and a waveform D C5 delayed by 2 clocks from D C3 indicating even-numbered polarity data of the fourth line is generated. , And the like, the waveform D C7 delayed by two clocks, ...
D CN + 1 is created, and this is supplied to the voltage amplification unit, and is inverted / amplified by R 2 / R 1 times by the operational amplifier and the resistors R 1 and R 2 .
A voltage signal having a predetermined voltage amplitude including an offset voltage of the liquid crystal and a polarity correction voltage when the gate bus is selected is created, and the voltage signal is applied to the first counter electrode via the protection resistor R 3 and the driver unit A43. V COM1 , the voltage signal V COM3 is supplied to the third counter electrode, and the voltage signal V COMN + 1 is supplied to the (N + 1) th counter electrode.

【0054】また、シフトレジスタ部B44には、図2
2に示されるように、第1ゲートバスラインのON電圧
印加直前に変動し、かつ第1ゲートバスラインのライン
方向に偶数番目の極性データを有する信号−DF2とク
ロックΦC とを供給し、DC2を作成し、第3ゲートバス
ラインの偶数番目の極性データを示すDC2より2クロッ
ク分遅れた波形DC4を作成し、以下同様に2クロック分
ずつ遅れた波形DC6,…,DCNを作成し、これを電圧増
幅部に供給し、オペアンプと抵抗R1 ,R2 によりR2
/R1 倍に反転増幅し、オフセット電圧分とゲートバス
選択時の極性補正電圧分を含む所定の電圧振幅を有する
電圧信号を作成し、保護抵抗R3 とドライバ部B46を
介して、第2番目の対向電極に電圧信号VCOM2を、第4
番目の対向電極に電圧信号VCOM4を、第N番目の対向電
極に電圧信号VCOMNをそれぞれ供給する。なお、ここで
出力されるVCOM1, VCOM2,…,VCOMN+1は同等の電圧
振幅を有する電圧信号を供給してもよいため、コモン変
動回路に2値出力のドレインドライバを適用することも
できる。
Further, the shift register section B44 has a structure shown in FIG.
2, the signal -DF2 and the clock Φ C that fluctuate immediately before the ON voltage of the first gate bus line is applied and that has even-numbered polarity data in the line direction of the first gate bus line are supplied, D C2 is created, a waveform D C4 delayed by 2 clocks from D C2 indicating even-numbered polarity data of the third gate bus line is created, and thereafter, waveforms D C6 , ..., D delayed by 2 clocks each in the same manner. create a CN, which was supplied to the voltage amplifier, R 2 an operational amplifier and resistors R 1, R 2
/ R 1 times inverting amplification is performed to create a voltage signal having a predetermined voltage amplitude including an offset voltage component and a polarity correction voltage component when the gate bus is selected, and a second voltage signal is generated via the protection resistor R 3 and the driver unit B46. The voltage signal V COM2 is applied to the fourth counter electrode by the fourth
The voltage signal V COM4 and the voltage signal V COMN are supplied to the Nth counter electrode and the Nth counter electrode, respectively. Since V COM1 , V COM2 , ..., V COMN + 1 output here may supply voltage signals having the same voltage amplitude, a binary output drain driver should be applied to the common variation circuit. You can also

【0055】液晶セルの等価回路は図8と同様であり、
上述した駆動方法の場合、液晶セルの電荷保持状態にお
ける実効電圧の変動が、少なくとも3つの条件において
発生する。まず、画素電極に接続されるTFTの書き込
み直後に、TFTの寄生容量CgsによりΔV1 ′=〔C
gs/(Cgs+CLC)〕×(VG (+) ′−VG (-) ′)、
次に、画素電極を挟む2本のドレインバスが書き込み時
の電圧からΔVD1′及びΔVD2′だけ変動した時に、画
素電極と2本のドレインバスとの間の容量CDP 1 とC
DP2 により、ΔV2 ′=(CDP1 /CLC)×ΔVD1′−
(CDP2 /CLC)×ΔVD2′、更に、画素電極との間に
電荷蓄積を行なう対向電極の電圧がΔVCO M だけ変動し
た時に、TFTの寄生容量Cgsにより、ΔV3 ′=〔C
gs/(Cgs+CLC)〕×ΔVCOM である。
The equivalent circuit of the liquid crystal cell is similar to that of FIG.
In the case of the driving method described above, the fluctuation of the effective voltage in the charge holding state of the liquid crystal cell occurs under at least three conditions. First, [Delta] V 1 immediately after writing TFT connected to the pixel electrode, the parasitic capacitance C gs of the TFT '= [C
gs / (C gs + C LC )] × (VG (+) '-VG (-) '),
Next, when the two drain buses sandwiching the pixel electrode change from the voltage during writing by ΔV D1 ′ and ΔV D2 ′, the capacitances C DP 1 and C between the pixel electrode and the two drain buses are generated.
According to DP2 , ΔV 2 ′ = (C DP1 / C LC ) × ΔV D1 ′ −
(C DP2 / C LC) × ΔV D2 ', further, when the voltage of the common electrode to perform charge accumulation between the pixel electrode is varied only [Delta] V CO M, by the parasitic capacitance C gs of the TFT, [Delta] V 3' = [ C
gs / (C gs + C LC )] × ΔV COM .

【0056】電位変動ΔV1 ′は全ての画素電極におい
て同等のTFTが形成されていれば、書き込み電圧及び
書き込みタイミングによらず、同極性、同電位の変動で
あるため、対向電極に供給する電圧の設定において、Δ
1 ′分だけズラして設定することにより、全ての液晶
セルにおいて同等の実効電圧を維持することができる。
If the same TFT is formed in all the pixel electrodes, the potential fluctuation ΔV 1 ′ has the same polarity and the same potential regardless of the write voltage and the write timing, and therefore the voltage supplied to the counter electrode. In the setting of, Δ
By setting the shift by V 1 ′, the same effective voltage can be maintained in all liquid crystal cells.

【0057】電位変動ΔV2 ′とΔV3 ′は、書き込み
時の極性によって実効電圧変動の極性が異なり、その変
動量は画素電極を挟む2本のドレインバスライン及び対
向電極の極性が、書き込み時と変化した時に最も大きな
電圧変動を示す。よって、各画素電極において、書き込
み時の極性に対して、両者の極性が変化している期間が
短いものと長いものが存在すると、平均実効電圧が異な
り、表示ムラが発生する。
The potential fluctuations ΔV 2 ′ and ΔV 3 ′ have different polarities of the effective voltage fluctuation depending on the polarities at the time of writing, and the fluctuation amount is the polarities of the two drain bus lines and the counter electrode sandwiching the pixel electrode at the time of writing. Shows the largest voltage fluctuation. Therefore, in each pixel electrode, if there is a short period and a long period in which the polarities of the two are changed with respect to the polarities at the time of writing, the average effective voltage is different, and display unevenness occurs.

【0058】図23は本発明の他の実施例の奇数ドレイ
ンバスに接続されるTFTの駆動電圧及び画素電圧変化
を示すタイミングチャートを示し、図24に本発明の他
の実施例の偶数ドレインバスに接続されるTFTの駆動
電圧及び画素電圧変化を示すタイミングチャートを示
す。そこで、この実施例においては、対向電極に供給す
る電圧信号VCOM1, VCOM2,…,VCOMN+1を電圧変動量
ΔV1 ′だけズラして電圧設定し、かつ各ドレインバス
ラインの極性がドレインバスの1ライン周期に極性反転
する交流化駆動を行なっているため、全ての画素電極に
対して、画素電極を挟む2本のドレインバスラインの極
性が書き込み時と変化している期間が同等になり、平均
実効電圧が均一になるものである。
FIG. 23 is a timing chart showing a driving voltage and a pixel voltage of a TFT connected to an odd drain bus of another embodiment of the present invention, and FIG. 24 is an even drain bus of another embodiment of the present invention. 7 is a timing chart showing a drive voltage and a pixel voltage change of a TFT connected to. Therefore, in this embodiment, the voltage signals V COM1 , V COM2 , ..., V COMN + 1 supplied to the counter electrodes are set by shifting the voltage variation ΔV 1 ′, and the polarity of each drain bus line is set. Since AC drive is performed in which the polarity is inverted in one line cycle of the drain bus, the period during which the polarities of the two drain bus lines sandwiching the pixel electrode are the same as that during writing is the same for all pixel electrodes. And the average effective voltage becomes uniform.

【0059】また、各画素電極に対する対向電極の極性
は、書き込み時と変化している期間が奇数ドレインバス
ラインにTFTを介して接続される第2〜第Nドレイン
バスラインに並ぶ画素電極にだけ存在し、その期間は、
T×1/N=tonと各画素電極の電荷保持期間Tに比
べ、非常に短い期間であるため、先に示したΔV3 ′の
影響による平均実効電圧の変動は無視してよい程度にな
る。
Further, the polarity of the counter electrode with respect to each pixel electrode is limited only to the pixel electrodes arranged in the second to Nth drain bus lines connected to the odd drain bus lines via TFTs during the period changing from the time of writing. Exists and its duration is
Since T × 1 / N = t on , which is an extremely short period as compared with the charge holding period T of each pixel electrode, the fluctuation of the average effective voltage due to the influence of ΔV 3 ′ described above is negligible. Become.

【0060】また、さらに以上のことを考慮して、対向
電極に供給するVCOM1, VCOM2,…VCOMN+1の電圧信号
に、表示データより算出した全ての画素電極におけるΔ
2′の平均電圧変動量−ΔV2 ′を、ΔV2 ′の電圧
変動によって生ずる実効電圧ロス分として、付加して供
給するために、VCOM1, VCOM2,…,VCOMN+1の電圧波
形を、正極性の書き込み時には、VD (+) ′−ΔV−V
TH−ΔV1 ′−(−ΔV2 ′)の電圧レベルに、負極性
の書き込み時には、VD (-) ′+ΔV+VTH−ΔV1
+−ΔV2 ′の電圧レベルに設定したΔV+2VTH+2
×(−ΔV2 ′)の変動振幅を有する電圧信号で供給す
ると、データ回路より出力される電圧データの振幅をΔ
Vに設定した場合においても、全ての画素の平均実効電
圧をΔV+VTHと同程度にすることができるものであ
る。また同様に、ドレイン電圧の振幅が小さくなった
分、ゲート電圧の振幅も同程度小さくすることができる
ものである。
Further, in consideration of the above, the voltage signals of V COM1 , V COM2 , ... V COMN + 1 supplied to the counter electrodes are expressed by Δ in all pixel electrodes calculated from the display data.
In order to additionally supply the average voltage fluctuation amount of V 2 ′ -ΔV 2 ′ as the effective voltage loss caused by the voltage fluctuation of ΔV 2 ′, the voltage of V COM1 , V COM2 , ..., V COMN + 1 When writing a waveform of positive polarity, V D (+) '-ΔV-V
At the voltage level of TH −ΔV 1 ′ − (− ΔV 2 ′), when writing the negative polarity, V D (−) ′ + ΔV + V TH −ΔV 1
ΔV + 2V TH +2 set to + -ΔV 2 ′ voltage level
When supplied with a voltage signal having a fluctuation amplitude of × (−ΔV 2 ′), the amplitude of the voltage data output from the data circuit is Δ.
Even when set to V, the average effective voltage of all the pixels can be made approximately equal to ΔV + V TH . Similarly, the amplitude of the gate voltage can be reduced to the same extent as the amplitude of the drain voltage is reduced.

【0061】液晶パネルの等価回路は図9と同様であ
り、図16、図17、図18に示したように、アクティ
ブマトリクス型薄膜トランジスタ液晶パネルには数多く
の電気的配線が施されているため、液晶パネルの構成条
件として配線容量が存在し、各表示セルの液晶容量CLC
に書き込みを行なう時に、ロス電流を発生させる。ドレ
インバスとゲートバスの交差部分により作成される容量
GDは、ドレインバスの電圧が変動する毎に、ゲートバ
スとドレインバスにドレインバスの電圧変動量に比例し
たロス電流を発生させ、また液晶層を介してドレインバ
スと対向電極との間に作成される容量CDCは、同様にド
レインバスの電圧が変動する毎にドレインバスと対向電
極に、ドレインバスの電圧変動量に比例したロス電流を
発生させる。
The equivalent circuit of the liquid crystal panel is the same as that of FIG. 9, and as shown in FIGS. 16, 17 and 18, the active matrix type thin film transistor liquid crystal panel is provided with a large number of electrical wirings. The wiring capacitance exists as a constitution condition of the liquid crystal panel, and the liquid crystal capacitance C LC of each display cell
A loss current is generated when writing to. The capacitance C GD created by the intersection of the drain bus and the gate bus causes a loss current proportional to the amount of voltage change of the drain bus to the gate bus and the drain bus every time the voltage of the drain bus changes, and the liquid crystal The capacitance C DC created between the drain bus and the counter electrode via the layer is the loss current proportional to the voltage variation of the drain bus in the drain bus and the counter electrode every time the voltage of the drain bus also varies. Generate.

【0062】ここで示す、各表示セル単位に存在するC
GD及びCDCにより発生する電流量はそれほど大きなもの
ではないが、配線全体で考えるとかなり大きな電流であ
るため、ロス電流を短い期間、例えばライン周期にパネ
ル外部に放出するためには、ドレインバス及びゲートバ
ス及び対向電極の低抵抗化を計るとともに、各配線に接
続される外部ドライバの電流容量を大きくしなければな
らない。
C present in each display cell unit shown here
Without large so much amount of current generated by GD and C DC, for considering the whole wire is fairly large current, short duration loss current, in order to release, for example, in line periods outside the panel, the drain bus In addition to lowering the resistance of the gate bus and the counter electrode, it is necessary to increase the current capacity of the external driver connected to each wiring.

【0063】この実施例においては、隣接するドレイン
バスの極性が異なり、極性変動する時には、隣接するド
レインバスは必ず異なる極性の電圧変動、例えば、一方
が正極性から負極性に変動する場合は、他方が負極性か
ら正極性に変動することになる。よって、1本のゲート
バスライン上の隣接する容量CGD同士、あるいは分割さ
れた1個の対向電極上に隣接する容量CDC同士によって
発生するロス電流は、互いに反対方向に流れる電流であ
るため、ロス電流同士が相殺する傾向を示す。
In this embodiment, when the polarities of adjacent drain buses are different, and when the polarities are changed, the voltage fluctuations of the adjacent drain buses are always different polarities, for example, when one of them changes from positive polarity to negative polarity, The other will change from negative polarity to positive polarity. Therefore, the loss currents generated by the adjacent capacitors C GD on one gate bus line or by the adjacent capacitors C DC on one divided counter electrode are currents flowing in opposite directions. , The loss currents tend to cancel each other out.

【0064】このために、1本のゲートライン及びドレ
インバスライン及び各対向電極に流れるロス電流は非常
に小さくなり、各配線の低抵抗化及び各配線に接続され
る外部ドライバの大容量化を計らなくてもよい液晶パネ
ルを提供できるとともに、液晶パネルの大容量、高精細
化に適している。なお、本発明は上記実施例に限定され
るものではなく、本発明の趣旨に基づいて種々の変形が
可能であり、これらを本発明の範囲から排除するもので
はない。
Therefore, the loss current flowing through one gate line and drain bus line and each counter electrode becomes very small, and the resistance of each wiring and the capacity of the external driver connected to each wiring are increased. It is possible to provide a liquid crystal panel that does not need to be measured, and is suitable for large capacity and high definition of the liquid crystal panel. The present invention is not limited to the above-mentioned embodiments, and various modifications can be made based on the spirit of the present invention, and these modifications are not excluded from the scope of the present invention.

【0065】[0065]

【発明の効果】以上、詳細に説明したように、本発明に
よれば、1本のゲートバスラインに薄膜トランジスタを
介して接続される画素電極群を、ゲートバスライン方向
に交互に千鳥状に配置させ、各対向電極をゲートバスラ
イン方向に並ぶ画素電極群毎に対応させて設け、ゲート
バスライン方向に並ぶその画素電極群を2本のゲートバ
スラインと1個の対向電極により制御する構成にし、各
対向電極に供給されるV COM 電圧をスイッチングする回
路を設け、ドレインバスラインに供給される電圧データ
を、隣接するドレインバスラインで極性が異なり、1走
査ライン周期毎に極性が反転し、かつ正極性と負極性の
該電圧データが互いに反転された電圧情報として供給
し、各対向電極に供給される電圧信号を各対向電極に対
応する画素電極にTFTを介して接続される2本のゲー
トバスラインのうち、先に選択されるゲートバスライン
の書き込みタイミングに同期して変動し、各対向電極に
対応する画素電極群の極性データ及び液晶の閾値に相当
するオフセット電圧及び実効電圧補正電圧を電圧信号と
して供給することにより、液晶セルの平均実効電圧の均
一化とゲートバスライン及びドレインバスラインのスイ
ッチングドライバの低耐電圧化を達成することができ
る。
INDUSTRIAL APPLICABILITY As described in detail above, the present invention
According to this, a thin film transistor is connected to one gate bus line.
The pixel electrode group connected via the gate bus line direction
Are alternately arranged in a zigzag pattern, and each counter electrode is
A gate is provided corresponding to each pixel electrode group arranged in the in direction.
The pixel electrode group arranged in the bus line direction is connected to two gate bars.
Each line is controlled by a spline and one counter electrode.
V supplied to the counter electrode COMTime to switch voltage
Voltage data provided to the drain bus line
The polarity is different between adjacent drain bus lines.
The polarity is reversed every inspection line cycle, and the positive and negative polarities are
The voltage data is supplied as voltage information that is inverted from each other.
The voltage signal supplied to each counter electrode to each counter electrode.
Two gates connected to the corresponding pixel electrode via TFT.
Gate bus line selected first among the bus lines
Fluctuates in synchronization with the writing timing of the
Equivalent to the polarity data of the corresponding pixel electrode group and the liquid crystal threshold
Offset voltage and effective voltage correction voltage
The average effective voltage of the liquid crystal cell is averaged by supplying
Unification and switching of gate and drain bus lines
It is possible to achieve lower withstand voltage of the
It

【0066】また、この駆動方法は、液晶パネル内の配
線容量によって発生するロス電流の発生も低減できるた
め、大容量、高精細ディスプレイに最適である。更に、
この駆動方法はドレインバスラインにアナログ電圧を入
力した場合にも、同等の効果が得られるため、アクティ
ブマトリクス型薄膜トランジスタ液晶パネルの階調駆動
にも十分適用できる。
This driving method is also suitable for a large-capacity, high-definition display because it can reduce the generation of loss current caused by the wiring capacitance in the liquid crystal panel. Furthermore,
Since this driving method has the same effect even when an analog voltage is input to the drain bus line, it can be sufficiently applied to gradation driving of an active matrix thin film transistor liquid crystal panel.

【0067】また、本発明によれば、1本のゲートバス
ラインに薄膜トランジスタを介して接続される、画素電
極群をゲートバスライン方向に配置し、隣接する2本の
ゲートバスラインにTFTを介して接続される画素電極
群において、ゲートバスライン方向に交互に千鳥状に2
本のゲートバスラインから選択した画素電極群に対し
て、1個の波型対向電極を設ける構成にし、各波型対向
電極に供給されるVCOM電圧をスイッチングする回路を
設け、ドレインバスラインに供給される電圧データが、
隣接するドレインバスで極性が異なり、1走査ライン周
期毎で極性が反転し、かつ正極性と負極性の電圧データ
が互いに反転された電圧情報として供給し、各対向電極
に供給される電圧信号が各対向電極に対応する画素電極
にTFTを介して接続される2本のゲートバスラインの
内、先に選択されるゲートバスラインの書き込みタイミ
ングに同期して変動し、各対向電極に対応する画素電極
群の極性データ及び液晶の閾値電圧に相当するオフセッ
ト電圧及び実効電圧補正電圧を含む電圧信号として供給
することにより、液晶セルの平均実効電圧の均一化とゲ
ートバスライン及びドレインバスラインのスイッチング
ドライバの低耐電圧化を達成することができる。
According to the present invention, the pixel electrode group connected to one gate bus line via the thin film transistor is arranged in the gate bus line direction, and the two adjacent gate bus lines are connected via the TFT. In the pixel electrode group connected by the
One corrugated counter electrode is provided for the pixel electrode group selected from the two gate bus lines, a circuit for switching the V COM voltage supplied to each corrugated counter electrode is provided, and the drain bus line is provided. The supplied voltage data is
The polarities are different between the adjacent drain buses, the polarities are inverted every scanning line cycle, and the positive polarity and negative polarity voltage data are supplied as mutually inverted voltage information, and the voltage signal supplied to each counter electrode is A pixel corresponding to each counter electrode, which changes in synchronization with the write timing of the gate bus line selected first of the two gate bus lines connected to the pixel electrode corresponding to each counter electrode via the TFT. By supplying the voltage data including the polarity data of the electrode group and the offset voltage and the effective voltage correction voltage corresponding to the threshold voltage of the liquid crystal, the average effective voltage of the liquid crystal cell is made uniform and the switching driver of the gate bus line and the drain bus line. It is possible to achieve low withstand voltage.

【図面の簡単な説明】[Brief description of drawings]

【図1】本発明の実施例を示すアクティブマトリクス型
薄膜トランジスタ液晶パネルの概略斜視図である。
FIG. 1 is a schematic perspective view of an active matrix thin film transistor liquid crystal panel showing an embodiment of the present invention.

【図2】本発明の実施例を示すアクティブマトリクス型
薄膜トランジスタ液晶パネルの概略構成図である。
FIG. 2 is a schematic configuration diagram of an active matrix type thin film transistor liquid crystal panel showing an embodiment of the present invention.

【図3】本発明の実施例を示すアクティブマトリクス型
薄膜トランジスタ液晶パネルのデータ回路の概略ブロッ
ク図である。
FIG. 3 is a schematic block diagram of a data circuit of an active matrix thin film transistor liquid crystal panel showing an embodiment of the present invention.

【図4】本発明の実施例を示すアクティブマトリクス型
薄膜トランジスタ液晶パネルのドレインバスに供給され
る電圧データのタイミングを示す図である。
FIG. 4 is a diagram showing the timing of voltage data supplied to the drain bus of the active matrix thin film transistor liquid crystal panel showing the embodiment of the present invention.

【図5】本発明の実施例を示すアクティブマトリクス型
薄膜トランジスタ液晶パネルのコモン変動回路の概略ブ
ロック図である。
FIG. 5 is a schematic block diagram of a common variation circuit of an active matrix thin film transistor liquid crystal panel showing an embodiment of the present invention.

【図6】本発明の実施例を示すアクティブマトリクス型
薄膜トランジスタ液晶パネルのコモン変動回路の第1の
動作タイミングチャートである。
FIG. 6 is a first operation timing chart of the common variation circuit of the active matrix thin film transistor liquid crystal panel showing the embodiment of the present invention.

【図7】本発明の実施例を示すアクティブマトリクス型
薄膜トランジスタ液晶パネルのコモン変動回路の第2の
動作タイミングチャートである。
FIG. 7 is a second operation timing chart of the common variation circuit of the active matrix thin film transistor liquid crystal panel showing the embodiment of the present invention.

【図8】本発明の実施例を示すアクティブマトリクス型
薄膜トランジスタ液晶パネルの液晶セルの等価回路図で
ある。
FIG. 8 is an equivalent circuit diagram of a liquid crystal cell of an active matrix thin film transistor liquid crystal panel showing an embodiment of the present invention.

【図9】本発明の実施例を示すアクティブマトリクス型
薄膜トランジスタ液晶パネルの等価回路図である。
FIG. 9 is an equivalent circuit diagram of an active matrix thin film transistor liquid crystal panel showing an embodiment of the present invention.

【図10】本発明の実施例を示す奇数ドレインバスに接
続される薄膜トランジスタの駆動電圧及び画素電圧変化
を示すタイミングチャートである。
FIG. 10 is a timing chart showing changes in driving voltage and pixel voltage of a thin film transistor connected to an odd drain bus according to an embodiment of the present invention.

【図11】本発明の実施例を示す偶数ドレインバスに接
続される薄膜トランジスタの駆動電圧及び画素電圧変化
を示すタイミングチャートである。
FIG. 11 is a timing chart showing changes in driving voltage and pixel voltage of a thin film transistor connected to an even drain bus according to an embodiment of the present invention.

【図12】本発明の他の実施例を示すアクティブマトリ
クス型薄膜トランジスタ液晶パネルの概略構成図であ
る。
FIG. 12 is a schematic configuration diagram of an active matrix thin film transistor liquid crystal panel showing another embodiment of the present invention.

【図13】従来のアクティブマトリクス型薄膜トランジ
スタ液晶パネルの構成図である。
FIG. 13 is a configuration diagram of a conventional active matrix thin film transistor liquid crystal panel.

【図14】従来のアクティブマトリクス型薄膜トランジ
スタ液晶パネルの駆動タイミングチャートを示す図であ
る。
FIG. 14 is a diagram showing a drive timing chart of a conventional active matrix thin film transistor liquid crystal panel.

【図15】従来のTN液晶セルの電気−光学特性を示す
図である。
FIG. 15 is a diagram showing electro-optical characteristics of a conventional TN liquid crystal cell.

【図16】本発明の他の実施例を示すアクティブマトリ
クス型薄膜トランジスタ液晶パネルの概略斜視図であ
る。
FIG. 16 is a schematic perspective view of an active matrix type thin film transistor liquid crystal panel showing another embodiment of the present invention.

【図17】本発明の実施例を示すアクティブマトリクス
型薄膜トランジスタ液晶パネルの対向電極の構成を示す
図である。
FIG. 17 is a diagram showing a structure of a counter electrode of an active matrix type thin film transistor liquid crystal panel showing an example of the present invention.

【図18】本発明の他の実施例のアクティブマトリクス
型薄膜トランジスタ液晶パネルの概略構成図である。
FIG. 18 is a schematic configuration diagram of an active matrix type thin film transistor liquid crystal panel of another embodiment of the present invention.

【図19】本発明の他の実施例のアクティブマトリクス
型薄膜トランジスタ液晶パネルのドレインバスに供給さ
れる電圧データのタイミングを示す図である。
FIG. 19 is a diagram showing the timing of voltage data supplied to the drain bus of an active matrix thin film transistor liquid crystal panel according to another embodiment of the present invention.

【図20】本発明の実施例を示すアクティブマトリクス
型薄膜トランジスタ液晶パネルのコモン変動回路を示す
図である。
FIG. 20 is a diagram showing a common variation circuit of an active matrix thin film transistor liquid crystal panel showing an example of the present invention.

【図21】本発明の他の実施例を示すアクティブマトリ
クス型薄膜トランジスタ液晶パネルのコモン変動回路の
第1のタイミングチャートを示す図である。
FIG. 21 is a diagram showing a first timing chart of a common variation circuit of an active matrix thin film transistor liquid crystal panel showing another embodiment of the present invention.

【図22】本発明の他の実施例を示すアクティブマトリ
クス型薄膜トランジスタ液晶パネルのコモン変動回路の
第2のタイミングチャートを示す図である。
FIG. 22 is a diagram showing a second timing chart of the common variation circuit of the active matrix thin film transistor liquid crystal panel showing another embodiment of the present invention.

【図23】本発明の他の実施例の奇数ドレインバスに接
続されるTFTの駆動電圧及び画素電圧変化を示すタイ
ミングチャートを示す図である。
FIG. 23 is a diagram showing a timing chart showing a drive voltage and a pixel voltage change of a TFT connected to an odd drain bus according to another embodiment of the present invention.

【図24】本発明の他の実施例の偶数ドレインバスに接
続されるTFTの駆動電圧及び画素電圧変化を示すタイ
ミングチャートを示す図である。
FIG. 24 is a diagram showing a timing chart showing changes in driving voltage and pixel voltage of TFTs connected to an even drain bus according to another embodiment of the present invention.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

11 ゲートバスライン 12 ドレインバスライン 13 TFT 14 画素電極 15 対向電極 15a 画素電極と対向する部分 15b 対向電極接合部 16 液晶 17 補助容量 18 補助容量線 19 隙間 20 走査回路 30 データ回路 31 データ発生部 32 データ反転部A 33 データ反転部B 34 データ出力部A 35 データ出力部B 40 コモン変動回路 41 シフトレジスタ部A 42,45 電圧増幅部 43 ドライバ部A 44 シフトレジスタ部B 46 ドライバ部B 11 Gate Bus Line 12 Drain Bus Line 13 TFT 14 Pixel Electrode 15 Counter Electrode 15a Portion Facing the Pixel Electrode 15b Counter Electrode Joint 16 Liquid Crystal 17 Storage Capacitance 18 Storage Capacitance Line 19 Gap 20 Scan Circuit 30 Data Circuit 31 Data Generator 32 Data inversion unit A 33 Data inversion unit B 34 Data output unit A 35 Data output unit B 40 Common fluctuation circuit 41 Shift register unit A 42, 45 Voltage amplification unit 43 Driver unit A 44 Shift register unit B 46 Driver unit B

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 高橋 敦 東京都港区虎ノ門1丁目7番12号 沖電気 工業株式会社内 (72)発明者 千葉 巳生 東京都港区虎ノ門1丁目7番12号 沖電気 工業株式会社内 ─────────────────────────────────────────────────── ─── Continuation of front page (72) Inventor Atsushi Takahashi 1-7-12 Toranomon, Minato-ku, Tokyo Oki Electric Industry Co., Ltd. (72) Inventor Misei Chiba 1-7-12 Toranomon, Minato-ku, Tokyo Oki Electric Industry Co., Ltd.

Claims (5)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】 背面基板上に直交配置されるゲートバス
ラインとドレインバスラインを設け、前記ゲートバスラ
インとドレインバスラインの交点に各画素電極に対応し
て薄膜トランジスタを設け、前面基板上に透明な対向電
極を設け、前記背面基板と前面基板の表面に適当な方向
に配向処理された配向膜を設け、両基板の配向膜同士を
液晶層を介して対向配置させて貼り合わせ、かつ前記背
面基板と前面基板の背面に偏光膜を貼り付けたアクティ
ブマトリクス型薄膜トランジスタ液晶パネルの駆動方法
において、 1本のゲートバスラインに薄膜トランジスタを介して接
続される画素電極群をゲートバスライン方向に交互に千
鳥状に配置させ、隣接する2本のゲートバスラインに対
応する1部分の画素電極によりゲートバスライン方向の
画素電極群を構成し、ゲートバスライン方向に並ぶ画素
電極群に対して対向電極を1個設け、各対向電極をスイ
ッチングする回路を設け、隣接するドレインバスライン
の電圧データの極性が異なり、1走査ライン周期毎に該
電圧データの極性が反転し、かつ正極性と負極性の該電
圧データが互いに反転された電圧を示す電圧信号を、各
ドレインバスラインに供給し、各対向電極に対応する画
素電極に薄膜トランジスタを介して接続される隣接した
2本のゲートバスラインにおいて、先に選択されるゲー
トバスラインの書き込みタイミングに同期して変動し、
かつ各対向電極に対応する画素電極群の極性データ及び
液晶の閾値電圧に相当するオフセット電圧及び実効電圧
補正電圧を含む電圧信号を各対向電極に供給し、ゲート
バスラインに選択信号を供給することにより各画素電極
に電圧書き込みを行うことを特徴とするアクティブマト
リクス型薄膜トランジスタ液晶パネルの駆動方法。
1. A gate bus line and a drain bus line arranged orthogonally on a rear substrate, and a thin film transistor corresponding to each pixel electrode is provided at an intersection of the gate bus line and the drain bus line, and is transparent on the front substrate. An opposite electrode is provided, and an alignment film that has been subjected to an alignment treatment in an appropriate direction is provided on the surfaces of the back substrate and the front substrate, and the alignment films of both substrates are bonded so as to be opposed to each other via a liquid crystal layer, and In a method of driving an active matrix type thin film transistor liquid crystal panel in which a polarizing film is attached to the back surface of a substrate and a front substrate, pixel electrode groups connected via a thin film transistor to one gate bus line are alternately staggered in the gate bus line direction. Pixel electrodes in the direction of the gate bus line by the pixel electrodes in one portion corresponding to two adjacent gate bus lines. Groups, each pixel electrode group arranged in the direction of the gate bus line is provided with one counter electrode, a circuit for switching each counter electrode is provided, and the polarity of voltage data of adjacent drain bus lines is different, and one scanning line is provided. A voltage signal indicating a voltage in which the polarity of the voltage data is inverted every cycle and the voltage data of positive polarity and negative voltage is inverted is supplied to each drain bus line, and the pixel electrode corresponding to each counter electrode is supplied. In two adjacent gate bus lines connected to each other via a thin film transistor, it fluctuates in synchronization with the write timing of the gate bus line selected first,
Further, a voltage signal including polarity data of the pixel electrode group corresponding to each counter electrode, an offset voltage corresponding to the threshold voltage of the liquid crystal, and an effective voltage correction voltage is supplied to each counter electrode, and a selection signal is supplied to the gate bus line. A method for driving an active matrix type thin film transistor liquid crystal panel, characterized in that voltage writing is performed on each pixel electrode by means of.
【請求項2】 前記画素電極と隣接するドレインバスラ
インとの間に存在する容量CDP1 とCDP2 を含むインピ
ーダンス成分を等しくし、動作させることを特徴とする
請求項1記載のアクティブマトリクス型薄膜トランジス
タ液晶パネルの駆動方法。
2. The active matrix type thin film transistor according to claim 1, wherein impedance components including capacitors C DP1 and C DP2 existing between the pixel electrode and an adjacent drain bus line are made equal to operate. Liquid crystal panel driving method.
【請求項3】 前記画素電極と対向電極との間の液晶容
量CLCに対して電気的に並列に補助容量CS を設けて動
作させることを特徴とする請求項1記載のアクティブマ
トリクス型薄膜トランジスタ液晶パネルの駆動方法。
3. An active matrix type thin film transistor according to claim 1, wherein an auxiliary capacitance C S is provided electrically in parallel with a liquid crystal capacitance C LC between the pixel electrode and the counter electrode to operate. Liquid crystal panel driving method.
【請求項4】 背面基板上に直交配置されるゲートバス
ラインとドレインバスラインを設け、前記ゲートバスラ
インとドレインバスラインの交点に各画素電極に対応し
て薄膜トランジスタを設け、前面基板上に透明な対向電
極を設け、前記背面基板と前面基板の表面に適当な方向
に配向処理された配向膜を設け、両基板の配向膜同士を
液晶層を介して対向配置させ貼り合わせ、かつ前記背面
基板と前面基板の背面に偏光膜を貼り付けたアクティブ
マトリクス型薄膜トランジスタ液晶パネルの駆動方法に
おいて、 1本のゲートバスラインに薄膜トランジスタを介して接
続される画素電極群をゲートバスライン方向に配置し、
隣接する2本のゲートバスラインに薄膜トランジスタを
介して接続される画素電極群において、ゲートバスライ
ン方向に交互に千鳥状に2本のラインから選択した画素
電極群に対して、1個の波型対向電極を設け、各波型対
向電極をスイッチングする回路を設け、隣接するドレイ
ンバスラインの電極データの極性が異なり、1走査ライ
ン周期毎に該電圧データの極性が反転し、かつ正極性と
負極性の該電圧データが互いに反転された電圧を示す電
圧信号を各ドレインバスラインに供給し、各対向電極に
対応する画素電極に薄膜トランジスタを介して接続され
る隣接した2本のゲートバスラインにおいて、先に選択
されるゲートバスラインの書き込みタイミングに同期し
て変動し、かつ各対向電極に対応する画素電極群の極性
データ及び液晶の閾値電圧に相当するオフセット電圧及
び実効電圧補正電圧を含む電圧信号を各対向電極に供給
し、ゲートバスラインに選択信号を供給することにより
各画素電極に電圧書き込みを行うことを特徴とするアク
ティブマトリクス型薄膜トランジスタ液晶パネルの駆動
方法。
4. A gate bus line and a drain bus line are provided orthogonally on a rear substrate, and a thin film transistor is provided at an intersection of the gate bus line and the drain bus line corresponding to each pixel electrode, and is transparent on the front substrate. A counter electrode is provided, and an alignment film that has been subjected to an alignment treatment in an appropriate direction is provided on the surfaces of the back substrate and the front substrate, and the alignment films of both substrates are opposed to each other via a liquid crystal layer and bonded together, and the back substrate And a driving method of an active matrix type thin film transistor liquid crystal panel in which a polarizing film is attached to the back surface of a front substrate, a pixel electrode group connected to one gate bus line via a thin film transistor is arranged in the gate bus line direction,
In a pixel electrode group connected to two adjacent gate bus lines via a thin film transistor, one wavy pattern is provided for the pixel electrode groups selected from two lines alternately in a zigzag manner in the gate bus line direction. A counter electrode is provided, a circuit for switching each corrugated counter electrode is provided, the polarities of the electrode data of the adjacent drain bus lines are different, and the polarities of the voltage data are inverted every scanning line cycle, and the polarity is positive and negative. A voltage signal indicating a voltage obtained by inverting the voltage data of each other is supplied to each drain bus line, and two adjacent gate bus lines connected to a pixel electrode corresponding to each counter electrode via a thin film transistor, The polarity data of the pixel electrode group and the liquid crystal of the pixel electrode group that fluctuates in synchronization with the write timing of the gate bus line selected earlier and corresponds to each counter electrode. A voltage signal including an offset voltage corresponding to a value voltage and an effective voltage correction voltage is supplied to each counter electrode, and a selection signal is supplied to a gate bus line to perform voltage writing to each pixel electrode. Type thin film transistor liquid crystal panel driving method.
【請求項5】 前記画素電極と隣接するドレインバスラ
インとの間に存在する容量CDP1 とCDP2 を含むインピ
ーダンス成分を等しくし、動作させることを特徴とする
請求項4記載のアクティブマトリクス型薄膜トランジス
タ液晶パネルの駆動方法。
5. The active matrix thin film transistor according to claim 4, wherein impedance components including capacitances C DP1 and C DP2 existing between the pixel electrode and an adjacent drain bus line are equalized to operate. Liquid crystal panel driving method.
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