JP3193462B2 - Driving method of active matrix type thin film transistor liquid crystal panel - Google Patents

Driving method of active matrix type thin film transistor liquid crystal panel

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JP3193462B2
JP3193462B2 JP19529492A JP19529492A JP3193462B2 JP 3193462 B2 JP3193462 B2 JP 3193462B2 JP 19529492 A JP19529492 A JP 19529492A JP 19529492 A JP19529492 A JP 19529492A JP 3193462 B2 JP3193462 B2 JP 3193462B2
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Description

【発明の詳細な説明】DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【0001】[0001]

【産業上の利用分野】本発明は、アクティブマトリクス
型薄膜トランジスタ液晶パネルの駆動方法に関するもの
である。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a method for driving an active matrix type thin film transistor liquid crystal panel.

【0002】[0002]

【従来の技術】従来、このような分野の技術としては、
例えば、テレビジョン学会誌 Vol.42,No.
1,P.10〜16及びP.23〜29に記載されるも
のがあった。従来、アクティブマトリクス型液晶パネ
ル、特に薄膜トランジスタを利用したもの(TFT−L
CD)の駆動方法は、その交流化方法の違いにより、数
種類の異なった手法が用いられるが、電圧供給方法の概
念は同様のものである。そこで代表的な例として、走査
周期毎に交流化を行なう駆動方法(以後、フレームモー
ドという)について説明する。
2. Description of the Related Art Conventionally, techniques in such a field include:
For example, the Journal of the Institute of Television Engineers of Japan Vol. 42, no.
1, P. 10 to 16 and P.E. 23-29. Conventionally, active matrix type liquid crystal panels, especially those using thin film transistors (TFT-L
Although several different methods are used for driving the CD) depending on the AC conversion method, the concept of the voltage supply method is the same. Therefore, as a representative example, a driving method (hereinafter, referred to as a frame mode) for performing an alternating operation in each scanning cycle will be described.

【0003】図13はかかる従来のアクティブマトリク
ス型薄膜トランジスタ液晶パネルの構成図、図14はそ
の駆動タイミングチャートである。図に示すように、ア
クティブマトリクス型薄膜トランジスタ液晶パネルは、
一般に、背面基板上にゲートバスライン51とドレイン
バスライン52を直交配置して、その交点に各画素電極
に対応したスイッチング素子として薄膜トランジスタ
(TFTという)53を設け、前面基板上に透明な対向
電極54を設け、両基板の表面に適当な方向に配向処理
された配向膜を設け、両基板の配向膜を液晶層を介して
対向配置させて貼り合わせ、かつ前面基板と背面基板の
背面に、互いの偏光軸が平行あるいは垂直になるように
偏光膜を貼り付けた構成にし、TFT53を介して供給
される画素電極の電圧と対向電極54の電圧との電位差
により、両電極に挟まれた部分の液晶55をスイッチン
グするものである。
FIG. 13 is a configuration diagram of such a conventional active matrix thin film transistor liquid crystal panel, and FIG. 14 is a driving timing chart thereof. As shown in the figure, the active matrix type thin film transistor liquid crystal panel
In general, a gate bus line 51 and a drain bus line 52 are orthogonally arranged on a rear substrate, and a thin film transistor (TFT) 53 is provided as a switching element corresponding to each pixel electrode at the intersection, and a transparent counter electrode is provided on the front substrate. 54, an alignment film oriented in an appropriate direction is provided on the surfaces of both substrates, and the alignment films of both substrates are arranged facing each other via a liquid crystal layer and bonded together, and on the back surfaces of the front substrate and the rear substrate, A polarizing film is attached so that their polarization axes are parallel or perpendicular to each other, and a portion sandwiched between the two electrodes due to the potential difference between the voltage of the pixel electrode supplied through the TFT 53 and the voltage of the counter electrode 54. The liquid crystal 55 is switched.

【0004】また、TFT53のスイッチング手段とし
て、ゲートバスライン51には走査回路60が、ドレイ
ンバスライン52にはデータ回路70が接続され、その
TFT53のゲート選択信号として走査回路60からO
N電圧VG(+)、OFF電圧V G(-)が、TFT53のドレ
イン選択及び輝度データ信号として、データ回路70か
ら正極性の書き込み電圧VD(+)、負極性の書き込み電圧
D(-)が供給される。
The switching means of the TFT 53 is
The scanning circuit 60 is connected to the gate bus line 51 by a drain.
The data circuit 70 is connected to the
As a gate selection signal of the TFT 53, the scanning circuit 60
N voltage VG (+), OFF voltage V G (-)Is the drain of the TFT 53
As the in-selection and luminance data signals, the data circuit 70
Positive write voltage VD (+), Negative write voltage
VD (-)Is supplied.

【0005】更に、TFT53により書き込まれた画素
電極の電圧VS は、図14に示すように、その電圧保持
状態において、2度の電圧変動を起こす。第1にTFT
53のゲート選択信号がON状態からOFF状態に変化
する際に、前記選択信号が供給されるTFT53に接続
される画素電極の電圧VS は、該TFT53の寄生容量
gSにより、ΔV1 だけ変動する。
Further, as shown in FIG. 14, the voltage V S of the pixel electrode written by the TFT 53 fluctuates twice in the voltage holding state. First, TFT
When the gate selection signal of 53 changes from the ON state to the OFF state, the voltage V S of the pixel electrode connected to the TFT 53 to which the selection signal is supplied varies by ΔV 1 due to the parasitic capacitance C gS of the TFT 53. I do.

【0006】第2にデータ信号が書き込み時の極性と反
対の極性に変化する時に、画素電極とドレインバスライ
ン52との間の電界効果によってΔV2 だけ変動する。
このために、画素電極と対向電極との間の電位差が画素
電極の電圧VS の変動に対して、正極性の書き込み時と
負極性の書き込み時とで均等になるように対向電極に対
して電圧VCOM が供給される。
Second, when the data signal changes to a polarity opposite to the polarity at the time of writing, it changes by ΔV 2 due to an electric field effect between the pixel electrode and the drain bus line 52.
For this reason, the potential difference between the pixel electrode and the counter electrode with respect to the fluctuation of the voltage V S of the pixel electrode is made equal to the counter electrode so that the potential difference becomes equal between the time of writing the positive polarity and the time of writing the negative polarity. A voltage V COM is provided.

【0007】図15に前記2枚の偏光膜の偏光軸を平行
になるように貼り付けた構成にした場合のTN液晶セル
の電気−光学特性を示す。アクティブマトリクス型薄膜
トランジスタ液晶パネルに使用されるTN液晶セルは、
画素電極と対向電極との電位差に対して、光透過率が急
激に増加する閾値電圧VTHと光透過率の変動が無くなる
飽和電圧VSAT が存在し、VTH〜VSAT の電圧範囲ΔV
においては、電圧変動が光透過率の変化を示す。このた
め、完全なON状態を達成するには、正極性においては
SAT <VS −VCOM 、負極性においてはVSAT <V
COM −VS の電圧条件に設定し、完全なOFF状態を達
成するには、正極性においてはVTH>VS −VCOM 、負
極性においてはVTH>VCOM −VS の電圧条件に設定す
ることにより、液晶セルのスイッチングができる。
FIG. 15 shows the electro-optical characteristics of the TN liquid crystal cell in the case where the two polarizing films are bonded so that the polarization axes are parallel. The TN liquid crystal cell used for the active matrix type thin film transistor liquid crystal panel is:
There is a threshold voltage V TH at which the light transmittance sharply increases and a saturation voltage V SAT at which the light transmittance does not fluctuate with respect to the potential difference between the pixel electrode and the counter electrode, and a voltage range ΔV of V TH to V SAT.
In, the voltage fluctuation indicates a change in light transmittance. Therefore, in order to achieve a complete ON state, V SAT <V S −V COM for positive polarity and V SAT <V for negative polarity.
Set voltage condition of COM -V S, to achieve complete OFF state, V TH> V S -V COM in positive polarity, the voltage condition of V TH> V COM -V S is in the negative polarity By setting, the liquid crystal cell can be switched.

【0008】[0008]

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、以上述
べた従来のアクティブマトリクス型液晶パネルの駆動方
法においては、画素電極にデータ信号が書き込まれてか
ら、ドレインバスラインの電圧極性が反転するまでの時
間が異なる場合、例えば、走査回路によって選択される
第1のゲートバスラインと第Nのゲートバスラインに、
それぞれTFTを介して接続される画素電極の電圧VS
を比較すると、画素電極とドレインバスラインとの間の
電界効果によって、ΔV2 だけ電圧が変動する期間が異
なるため、液晶層にかかる走査周期毎の平均実効電圧が
異なり、光透過率の相違が発生する。
However, in the above-described conventional method of driving an active matrix type liquid crystal panel, the time from when a data signal is written to a pixel electrode to when the voltage polarity of a drain bus line is inverted. Are different, for example, the first gate bus line and the N-th gate bus line selected by the scanning circuit include:
The voltage V S of the pixel electrode connected via each TFT
In comparison, the period during which the voltage fluctuates by ΔV 2 is different due to the electric field effect between the pixel electrode and the drain bus line, so that the average effective voltage applied to the liquid crystal layer in each scanning cycle is different, and the difference in light transmittance is different. appear.

【0009】また、液晶層のスイッチングには、画素電
極と対向電極との間にΔVの電圧変動を発生させるだけ
で十分であるが、対向電極の電圧を固定し、画素電極の
電圧を正極性と負極性に変動させるため、ドレインバス
ラインのドライバにVSAT ×2〔(VTH+ΔV)×2に
相当〕のスイッチング電圧が必要となり、ΔV+VTH×
2の電圧分だけ余分なスイッチング電圧が必要となり、
ドライバの低耐圧化の障害となっていた。
Further, it is sufficient to generate a voltage fluctuation of ΔV between the pixel electrode and the counter electrode for switching the liquid crystal layer. However, the voltage of the counter electrode is fixed and the voltage of the pixel electrode is changed to the positive polarity. And a switching voltage of V SAT × 2 (equivalent to (V TH + ΔV) × 2) is required for the driver of the drain bus line, and ΔV + V TH ×
An extra switching voltage is required for the voltage of 2,
This was an obstacle to lowering the withstand voltage of the driver.

【0010】本発明の目的は、以上述べた液晶層にかか
る走査周期毎の平均実効電圧のばらつきと、ドレインバ
スラインにかかる余分なスイッチング電圧VTH×2+Δ
Vを減少あるいは無くすために、1本のゲートバスライ
ンにTFTを介して接続される画素電極群をゲートバス
ライン方向に交互に千鳥状に配置させ、ゲートバスライ
ン方向に並ぶ画素電極群を2本のゲートバスラインによ
り制御する構成にし、各対向電極をゲートバスライン方
向に並ぶ該画素電極群毎に対応させて設け、隣接するド
レインバスライン同士が異なる極性を示し、走査ライン
周期毎にそれぞれの極性が反転する交流化手法により、
前記平均実効電圧のばらつきを無くし、また各ドレイン
バスラインに供給される正極性と負極性のデータが互い
に反転された電圧情報として供給されるデータ構成に
し、各対向電極に同等の電圧振幅を有し、該電圧振幅に
より書き込み電圧を補い、ドレインバスライン及びゲー
トバスラインのスイッチングドライバの低耐圧化を達成
する優れたアクティブマトリクス型薄膜トランジスタ液
晶パネルの駆動方法を提供することにある。
[0010] It is an object of the present invention to provide the above-described variation in the average effective voltage of the liquid crystal layer in each scanning cycle and the extra switching voltage V TH × 2 + Δ applied to the drain bus line.
In order to reduce or eliminate V, pixel electrode groups connected to one gate bus line via TFTs are alternately arranged in a staggered manner in the gate bus line direction, and two pixel electrode groups arranged in the gate bus line direction are arranged in a staggered manner. In this configuration, the gate electrodes are controlled by the gate bus lines, and the opposite electrodes are provided in correspondence with each of the pixel electrode groups arranged in the gate bus line direction. By the alternating method, where the polarity of
Variations in the average effective voltage are eliminated, and a data configuration is provided in which positive and negative data supplied to each drain bus line is supplied as inverted voltage information, and each counter electrode has an equivalent voltage amplitude. It is another object of the present invention to provide an excellent driving method of an active matrix type thin film transistor liquid crystal panel in which a write voltage is supplemented by the voltage amplitude and a switching voltage of a drain bus line and a gate bus line is reduced.

【0011】また、本発明の他の目的は、以上述べた液
晶層にかかる走査周期毎の平均実効電圧のばらつきと、
ドレインバスラインにかかる余分なスイッチング電圧V
TH×2+ΔVを減少あるいは無くすために、1本のゲー
トバスラインにTFTを介して接続される画素電極群を
ライン方向に配置し、隣接する2本のゲートバスライン
にTFTを介して接続される画素電極群において、ゲー
トバスライン方向に交互に千鳥状に2本のゲートバスラ
インから選択した画素電極群に対して、1個の波型対向
電極を設ける構成にし、隣接するドレインバスライン同
士が異なる極性を示し、走査ライン周期毎にそれぞれの
極性が反転する交流化手法により、前記平均実効電圧の
ばらつきを無くし、また各ドレインバスラインに供給さ
れる正極性と負極性のデータが互いに反転された電圧情
報として供給されるデータ構成にし、各対向電極に同等
の電圧振幅を有し、該電圧振幅により書き込み電圧を補
い、ドレインバスライン及びゲートバスラインの低耐圧
化を達成する優れたアクティブマトリクス型薄膜トラン
ジスタ液晶パネルの駆動方法を提供することにある。
Another object of the present invention is to provide a liquid crystal display device, comprising:
Extra switching voltage V applied to the drain bus line
To reduce or eliminate TH × 2 + ΔV, a group of pixel electrodes connected to one gate bus line via a TFT is arranged in the line direction, and connected to two adjacent gate bus lines via the TFT. In the pixel electrode group, one corrugated counter electrode is provided for a pixel electrode group selected from two gate bus lines alternately in a staggered manner in the gate bus line direction. The alternating method of showing different polarities and inverting each polarity every scan line cycle eliminates the variation of the average effective voltage, and the positive and negative data supplied to each drain bus line are inverted with each other. The data configuration is supplied as voltage information, and each counter electrode has the same voltage amplitude, and the write voltage is supplemented by the voltage amplitude, and the drain bus line It is an object of the present invention to provide a method of driving an active matrix thin film transistor liquid crystal panel excellent in achieving a low breakdown voltage of the gate bus line and the gate bus line.

【0012】[0012]

【課題を解決するための手段】本発明は、上記目的を達
成するために、背面基板上に直交配置されるゲートバス
ラインとドレインバスラインを設け、前記ゲートバスラ
インとドレインバスラインの交点に各画素電極に対応し
て薄膜トランジスタを設け、前面基板上に透明な対向電
極を設け、前記背面基板と前面基板の表面に適当な方向
に配向処理された配向膜を設け、両基板の配向膜同士を
液晶層を介して対向配置させて貼り合わせ、かつ前記背
面基板と前面基板の背面に偏光膜を貼り付けたアクティ
ブマトリクス型薄膜トランジスタ液晶パネルの駆動方法
において、1本のゲートバスラインに薄膜トランジスタ
を介して接続される画素電極群をゲートバスライン方向
に交互に千鳥状に配置させ、隣接する2本のゲートバス
ラインに対応する1部分の画素電極によりゲートバスラ
イン方向の画素電極群を構成し、ゲートバスライン方向
に並ぶ画素電極群に対して対向電極を1個設け、各対向
電極をスイッチングする回路を設け、隣接するドレイン
バスラインの電圧データの極性が異なり、1走査ライン
周期毎に該電圧データの極性が反転し、かつ正極性と負
極性の該電圧データが互いに反転された電圧を示す電圧
信号を、各ドレインバスラインに供給し、各対向電極に
対応する画素電極に薄膜トランジスタを介して接続され
る隣接した2本のゲートバスラインにおいて、先に選択
されるゲートバスラインの書き込みタイミングに同期し
て変動し、かつ各対向電極に対応する画素電極群の極性
データ及び液晶の閾値電圧に相当するオフセット電圧及
び実効電圧補正電圧を含む電圧信号を各対向電極に供給
し、ゲートバスラインに選択信号を供給することにより
各画素電極に電圧書き込みを行うようにしたものであ
る。
In order to achieve the above object, the present invention provides a gate bus line and a drain bus line which are orthogonally arranged on a rear substrate, and at an intersection of the gate bus line and the drain bus line. A thin film transistor is provided for each pixel electrode, a transparent counter electrode is provided on the front substrate, and an alignment film that has been subjected to alignment processing in an appropriate direction is provided on the surfaces of the back substrate and the front substrate. In a driving method of an active matrix type thin film transistor liquid crystal panel in which a polarizing film is stuck on the back surface of the rear substrate and the back surface of the front substrate, and a thin film transistor is connected to one gate bus line through the thin film transistor. The pixel electrodes connected to each other are alternately arranged in a staggered manner in the gate bus line direction, and correspond to two adjacent gate bus lines. A pixel electrode group in the gate bus line direction is constituted by the pixel electrodes of the portions, one counter electrode is provided for the pixel electrode group arranged in the gate bus line direction, a circuit for switching each counter electrode is provided, and an adjacent drain bus is provided. The polarity of the voltage data of the lines is different, and the polarity of the voltage data is inverted every scanning line cycle, and a voltage signal indicating a voltage obtained by inverting the voltage data of the positive polarity and the voltage of the negative polarity is supplied to each drain bus line. At two adjacent gate bus lines connected via a thin film transistor to a pixel electrode corresponding to each counter electrode, and fluctuates in synchronization with the write timing of the previously selected gate bus line. A voltage signal including the polarity data of the pixel electrode group corresponding to the counter electrode, an offset voltage corresponding to the threshold voltage of the liquid crystal, and an effective voltage correction voltage. It is supplied to the counter electrodes, in which to perform the voltage written to each pixel electrode by supplying a selection signal to the gate bus line.

【0013】また、1本のゲートバスラインに薄膜トラ
ンジスタを介して接続される画素電極群をゲートバスラ
イン方向に配置し、隣接する2本のゲートバスラインに
薄膜トランジスタを介して接続される画素電極群におい
て、ゲートバスライン方向に交互に千鳥状に2本のゲー
トバスラインから選択した画素電極群に対して、1個の
波型対向電極を設け、各波型対向電極をスイッチングす
る回路を設け、隣接するドレインバスラインの電デー
タの極性が異なり、1走査ライン周期毎に該電圧データ
の極性が反転し、かつ正極性と負極性の該電圧データが
互いに反転された電圧を示す電圧信号を各ドレインバス
ラインに供給し、各対向電極に対応する画素電極に薄膜
トランジスタを介して接続される隣接した2本のゲート
バスラインにおいて、先に選択されるゲートバスライン
の書き込みタイミングに同期して変動し、かつ各対向電
極に対応する画素電極群の極性データ及び液晶の閾値電
圧に相当するオフセット電圧及び実効電圧補正電圧を含
む電圧信号を各対向電極に供給し、ゲートバスラインに
選択信号を供給することにより各画素電極に電圧書き込
みを行うようにしたものである。
A pixel electrode group connected to one gate bus line via a thin film transistor is arranged in the gate bus line direction, and a pixel electrode group connected to two adjacent gate bus lines via a thin film transistor. , A corrugated counter electrode is provided for a pixel electrode group selected from two gate bus lines alternately in a staggered manner in the gate bus line direction, and a circuit for switching each corrugated counter electrode is provided. different polarity of voltage data <br/> other adjacent drain bus lines, one scanning line polarity of the voltage data is inverted every cycle, and the positive polarity and negative polarity of the voltage the voltage data is inverted with respect to each other Is supplied to each drain bus line, and the two gate bus lines adjacent to each other are connected to the pixel electrode corresponding to each counter electrode via a thin film transistor. And includes an offset voltage and an effective voltage correction voltage that fluctuates in synchronization with the write timing of the gate bus line selected earlier and that corresponds to the polarity data of the pixel electrode group corresponding to each counter electrode and the threshold voltage of the liquid crystal. A voltage signal is supplied to each counter electrode, and a selection signal is supplied to a gate bus line to write a voltage to each pixel electrode.

【0014】[0014]

【作用】本発明によれば、上記したように、1本のゲー
トバスラインにTFTを介して接続される画素電極群を
ゲートバスライン方向に交互に千鳥状に配置させ、ゲー
トバスライン方向に並ぶ画素電極群を2本のゲートバス
ラインにより制御する構成にし、各対向電極をゲートバ
スライン方向に並ぶ該画素電極群毎に対応させて設け、
隣接するドレインバスライン同士が異なる極性を示し、
1走査ライン周期毎にそれぞれの極性が反転する交流化
手法により、液晶層にかかる平均実効電圧のばらつきを
無くし、また、各ドレインバスラインに供給される正極
性と負極性のデータが互いに反転された電圧情報として
供給されるデータ構成にし、各対向電極に同等の電圧振
幅を有し、該電圧振幅により書き込み電圧を補うことに
より、ドレインバスラインにかかる余分なスイッチング
電圧を無くすことができる。
According to the present invention, as described above, a group of pixel electrodes connected to one gate bus line via a TFT are alternately arranged in a staggered manner in the gate bus line direction. A configuration in which the pixel electrode groups arranged in a row is controlled by two gate bus lines, and each counter electrode is provided in correspondence with each pixel electrode group arranged in the gate bus line direction,
Adjacent drain bus lines have different polarities,
The alternating method in which each polarity is inverted every scanning line period eliminates variations in the average effective voltage applied to the liquid crystal layer, and the positive and negative data supplied to each drain bus line are inverted with each other. By providing a data configuration that is supplied as voltage information and having the same voltage amplitude on each counter electrode and supplementing the write voltage with the voltage amplitude, it is possible to eliminate an extra switching voltage applied to the drain bus line.

【0015】あるいは、1本のゲートバスラインにTF
Tを介して接続される画素電極群をライン方向に配置
し、隣接する2本のゲートバスラインにTFTを介して
接続される画素電極群からゲートバスライン方向に交互
に千鳥状に選択した画素電極群に対して1個の波型対向
電極を設ける構成にし、隣接するドレインバスライン同
士が異なる極性を示し、1走査ライン周期毎にそれぞれ
の極性が反転する交流化手法により、液晶層にかかる平
均実効電圧のばらつきを無くし、また、各ドレインバス
ラインに供給される正極性と負極性のデータが互いに反
転された電圧情報として供給されるデータ構成にし、各
対向電極に同等の電圧振幅を有し、該電圧振幅により書
き込み電圧を補うことにより、ドレインバスラインにか
かる余分なスイッチング電圧を無くすことができる。
Alternatively, TF is connected to one gate bus line.
A pixel electrode group connected via T is arranged in the line direction, and pixels are alternately selected in a staggered manner in the gate bus line direction from the pixel electrode group connected via TFT to two adjacent gate bus lines. A configuration in which one corrugated counter electrode is provided for the electrode group, and adjacent drain bus lines have different polarities, and are applied to the liquid crystal layer by an alternating method in which each polarity is inverted every scanning line period. Variations in the average effective voltage are eliminated, and the data structure is such that the positive and negative data supplied to each drain bus line are supplied as inverted voltage information, and each counter electrode has the same voltage amplitude. However, by supplementing the write voltage with the voltage amplitude, an extra switching voltage applied to the drain bus line can be eliminated.

【0016】したがって、液晶セルの平均印加電圧の均
一化と、ゲートバスライン及びドレインバスラインのス
イッチングドライバの低耐電圧化を達成することができ
る。また、この駆動方法は、ドレインバスラインにアナ
ログ電圧を入力した場合にも、同等の効果が得られるた
め、アクティブマトリクス型薄膜トランジスタ液晶パネ
ルの階調駆動にも十分適用できる。
Therefore, the average applied voltage of the liquid crystal cell can be made uniform, and the withstand voltage of the switching driver for the gate bus line and the drain bus line can be reduced. In addition, since this driving method can provide the same effect even when an analog voltage is input to the drain bus line, it can be sufficiently applied to gradation driving of an active matrix thin film transistor liquid crystal panel.

【0017】[0017]

【実施例】以下、本発明の実施例について図面を参照し
ながら詳細に説明する。図1は本発明の実施例を示すア
クティブマトリクス型薄膜トランジスタ液晶パネルの概
略斜視図である。この図に示すように、透明な背面基板
上に、ゲートバスライン11とドレインバスライン12
とを直交して配置して、その交点にTFT13を設け、
個別の表示セルに対応する透明な画素電極14に接続す
る。そして1本のゲートバスライン11にTFT13を
介して接続される画素電極群をゲートバスライン方向に
交互に千鳥状に配置し、隣接する2本のゲートバスライ
ン11によってゲートバスライン方向に、ライン状に並
ぶ画素電極群をスイッチングする構成にする。更に、前
記背面基板上に適当な方向に配向処理された配向膜を設
ける。
Embodiments of the present invention will be described below in detail with reference to the drawings. FIG. 1 is a schematic perspective view of an active matrix type thin film transistor liquid crystal panel showing an embodiment of the present invention. As shown in this figure, a gate bus line 11 and a drain bus line 12 are provided on a transparent rear substrate.
Are arranged orthogonally, and a TFT 13 is provided at the intersection,
It is connected to a transparent pixel electrode 14 corresponding to each display cell. Then, pixel electrodes connected to one gate bus line 11 via the TFT 13 are alternately arranged in a staggered manner in the gate bus line direction, and two adjacent gate bus lines 11 form a line in the gate bus line direction. A configuration is adopted in which the pixel electrode groups arranged in a line are switched. Further, an alignment film that has been subjected to an alignment treatment in an appropriate direction is provided on the back substrate.

【0018】一方、透明な前面基板上に画素電極群のラ
イン数と同数にライン状に分割された透明な対向電極1
5を設け、適当な方向に配向処理された配向膜を設け
る。前記背面基板と前記前面基板の配向膜同士を向かい
合わせ、ライン状に並んだ画素電極群と1個の対向電極
が対向配置されるように位置合せし、両基板間に適当な
ギャップを設け、液晶を注入後、封止し、両基板の露出
面に互いの偏光軸が平行あるいは垂直になるように偏光
膜を貼り付けたものである。なお、15aは画素電極と
対向する部分である。
On the other hand, on a transparent front substrate, a transparent counter electrode 1 divided into a line shape in the same number as the number of lines of the pixel electrode group is provided.
5 to provide an alignment film that has been subjected to an alignment treatment in an appropriate direction. The alignment films of the rear substrate and the front substrate face each other, are aligned so that a pixel electrode group arranged in a line and one counter electrode are arranged to face each other, and an appropriate gap is provided between both substrates. After injecting the liquid crystal, the liquid crystal is sealed, and a polarizing film is attached to the exposed surfaces of both substrates so that their polarizing axes are parallel or perpendicular to each other. In addition, 15a is a portion facing the pixel electrode.

【0019】図2は本発明の実施例を示すアクティブマ
トリクス型薄膜トランジスタ液晶パネルの概略構成図、
図3は本発明の実施例を示すアクティブマトリクス型薄
膜トランジスタ液晶パネルのデータ回路の概略ブロック
図、図4は本発明の実施例を示すアクティブマトリクス
型薄膜トランジスタ液晶パネルのドレインバスに供給さ
れる電圧データのタイミングを示す図であり、図4
(a)はその奇数ドレインバスの電圧波形図、図4
(b)はその偶数ドレインバスの電圧波形図である。図
5は本発明の実施例を示すアクティブマトリクス型薄膜
トランジスタ液晶パネルのコモン変動回路の概略ブロッ
ク図である。
FIG. 2 is a schematic configuration diagram of an active matrix type thin film transistor liquid crystal panel showing an embodiment of the present invention.
FIG. 3 is a schematic block diagram of a data circuit of an active matrix type thin film transistor liquid crystal panel according to an embodiment of the present invention. FIG. 4 is a diagram of voltage data supplied to a drain bus of the active matrix type thin film transistor liquid crystal panel according to the embodiment of the present invention. FIG. 4 is a diagram showing timing, and FIG.
(A) is a voltage waveform diagram of the odd drain bus, FIG.
(B) is a voltage waveform diagram of the even drain bus. FIG. 5 is a schematic block diagram of a common variation circuit of an active matrix type thin film transistor liquid crystal panel showing an embodiment of the present invention.

【0020】これらの図に示すように、ゲートバスライ
ン11の数をN+1、ドレインバスライン12の数をM
とすると、N+1本のゲートバスライン11に走査回路
20を接続し、第1ゲートバスライン11から時間的に
順次にON電圧VG(+)′を1走査時間に相当するton
間供給し、M個のドレインバスライン12にデータ発生
部31、データ反転部A32、データ反転部B33、デ
ータ出力部A34、データ出力部B35から構成される
データ回路30を接続し、輝度データ及び極性データを
含む電圧データを供給し、N個の対向電極群に2系統の
シフトレジスタ部A41、シフトレジスタ部B44と電
圧増幅部42,45とドライバ部A43、ドライバ部B
46から構成されるコモン変動回路40を接続し、ドレ
インバスライン12に供給される電圧データに応じた極
性データ及び液晶16の閾値電圧に相当するオフセット
電圧及び実効電圧補正電圧を含む電圧信号を供給する。
As shown in these figures, the number of gate bus line <br/> emissions 11 N + 1, the number of drain bus lines 12 M
When the scanning circuit 20 is connected to the N + 1 pieces of gate bus lines 11, temporally sequentially supplies t on time corresponding ON voltage V G of (+) 'in one scanning period from the first gate bus line 11 , And a data circuit 30 including a data generation unit 31, a data inversion unit A32, a data inversion unit B33, a data output unit A34, and a data output unit B35 are connected to the M drain bus lines 12, and luminance data and polarity data are transmitted. Is supplied to the N opposing electrode groups, two shift register units A41, a shift register unit B44, voltage amplifying units 42 and 45, a driver unit A43, and a driver unit B.
And a voltage signal including a polarity data corresponding to the voltage data supplied to the drain bus line 12, an offset voltage corresponding to a threshold voltage of the liquid crystal 16, and an effective voltage correction voltage. I do.

【0021】図4に示すように、この実施例において
は、1本のゲートバスライン11により、ゲートバスラ
イン方向に交互に千鳥状に配置された画素電極14をス
イッチングするため、第1ゲートバスライン11及び第
N+1ゲートバスライン11においては、それぞれゲー
トバスライン方向に偶数番目の画素電極に接続されるT
FT及び奇数番目の画素電極に接続されるTFTだけを
スイッチングすることになる。このため1フレームの画
像データを書き込む場合、ゲートバスライン方向に奇数
番目の画素電極群に対しては、第2ゲートバスラインか
ら第N+1ゲートバスラインの書き込みタイミングに、
またゲートバスライン方向に偶数番目の画素電極群に対
しては、第1ゲートバスラインから第Nゲートバスライ
ンの書き込みタイミングに、それぞれドレインバスライ
ンから電圧データを供給しなければならない。
As shown in FIG. 4, in this embodiment, a single gate bus line 11 switches pixel electrodes 14 arranged in a staggered manner in the gate bus line direction. In the line 11 and the (N + 1) th gate bus line 11, the T connected to the even-numbered pixel electrode in the gate bus line direction is
Only the FT and the TFT connected to the odd-numbered pixel electrode are switched. Therefore, when writing one frame of image data, the odd-numbered pixel electrode groups in the gate bus line direction are written at the write timing from the second gate bus line to the (N + 1) th gate bus line.
For even-numbered pixel electrode groups in the gate bus line direction, voltage data must be supplied from the drain bus lines at the write timing from the first gate bus line to the Nth gate bus line.

【0022】そこで、データ回路30のデータ発生部3
1において、1ラインの輝度データをゲートバスライン
方向に奇数番目の表示セルのデータと、偶数番目の表示
セルのデータに分割し、ゲートバスライン方向に奇数番
目の表示セルのデータとして第1ゲートバスラインに該
当するデータとして、ダミーデータdD を、第2ゲート
バスラインに該当するデータとして1ライン目のデータ
1 を、第3ゲートバスラインに該当するデータとして
2ライン目のデータd2 を、…第N+1ゲートバスに該
当するデータとしてNライン目のデータdN を順番に供
給するデータ1とする。
Therefore, the data generator 3 of the data circuit 30
1, the luminance data of one line is divided into odd-numbered display cell data and even-numbered display cell data in the gate bus line direction, and the first gate data is divided into odd-numbered display cell data in the gate bus line direction. Dummy data d D as data corresponding to the bus line, data d 1 of the first line as data corresponding to the second gate bus line, and data d 2 of the second line as data corresponding to the third gate bus line. ,..., As the data corresponding to the (N + 1) th gate bus, the data d N on the Nth line are sequentially supplied as data 1.

【0023】また、ゲートバスライン方向に偶数番目の
表示セルのデータとして、第1ゲートバラインに該当す
るデータとして1ライン目のデータd1 を、第2ゲート
バスラインに該当するデータとして2ライン目のデータ
2 を、…第Nゲートバスラインに該当するデータとし
てNライン目のデータdN を、第N+1ゲートバスライ
ンに該当するデータとして、ダミーデータdD を順番に
供給するデータ2を作成する。
Further, as data of an even-numbered display cell in the gate bus line direction, data d 1 of the first line as data corresponding to the first gate bus line, and two lines of data as data corresponding to the second gate bus line. eye data d 2, ... data d N of the N-th line as data corresponding to the N gate bus lines, as data corresponding to the first N + 1 gate bus line, the data 2 supplies dummy data d D sequentially create.

【0024】また、データ発生部31において、奇数番
目のドレインバスと偶数番目のドレインバスの書き込み
極性が異なり、かつ走査ライン毎に極性が反転する交流
化信号として、奇数番目のドレインバスに該当する交流
化信号1と、偶数番目のドレインバスに該当する交流化
信号2を作成する。データ1と交流化信号1は、データ
反転部A32により演算し、輝度データと極性データを
含む電圧データ、データ3を作成し、データ出力部A3
4によって、奇数番目のドレインバスD1 ,D3 ,…,
M-1 に出力する。同様にデータ2と交流化信号2は、
データ反転部B33により演算し、輝度データと極性デ
ータを含む電圧データ、データ4を作成し、データ出力
部B35によって、偶数番目のドレインバスD2
4 ,…,DM に出力する。
In the data generator 31, the odd-numbered drain bus and the even-numbered drain bus have different write polarities and correspond to the odd-numbered drain bus as an alternating signal whose polarity is inverted for each scanning line. An AC signal 1 and an AC signal 2 corresponding to an even-numbered drain bus are created. The data 1 and the AC signal 1 are operated by a data inverting unit A32 to create voltage data including luminance data and polarity data, data 3, and a data output unit A3.
4, the odd-numbered drain buses D 1 , D 3 ,.
Output to DM-1 . Similarly, data 2 and alternating signal 2 are
The data inverting unit B33 calculates the voltage data including the luminance data and the polarity data, the data 4, and the data output unit B35 generates the even-numbered drain buses D 2 ,
Output to D 4 ,..., D M.

【0025】また、データ回路30から出力される各ド
レインバスの電圧データ設定条件は、正極性の書き込み
において、ON電圧VD(+)′,OFF電圧として
D(-)′として、負極性の書き込みにおいてON電圧V
D(-)′,OFF電圧VD(+)′とするため、電圧振幅が図
15に示されるΔVと同等に設定でき、VD(+)′−V
D(-)′=VSAT −VTH=ΔVの条件で与えられるため、
図14の従来例と比較して、ドレイン電圧の振幅はVTH
×2+ΔV分だけ小さくできる。
The voltage data setting condition of each drain bus output from the data circuit 30 is such that, in the writing of the positive polarity, the ON voltage V D (+) ′, the OFF voltage V D (−) ′, and the negative voltage ON voltage V when writing
D (−) ′ and OFF voltage V D (+) ′, the voltage amplitude can be set to be equal to ΔV shown in FIG. 15, and V D (+) ′ −V
D (-) '= V SAT -V TH = ΔV
Compared to the conventional example of FIG. 14, the amplitude of the drain voltage is V TH
It can be reduced by (× 2 + ΔV).

【0026】図6は本発明の実施例を示すアクティブマ
トリクス型薄膜トランジスタ液晶パネルのコモン変動回
路の動作タイミングチャート1を示し、図7はそのコモ
ン変動回路の動作タイミングチャート2を示す。本発明
においては、ドレイン電圧の振幅をΔVと同等に設定す
る替わりに、液晶のオフセット電圧等の電圧を対向電極
の電圧信号により供給する。このため、第1番目の対向
電極には、第1ゲートバスラインの書き込みタイミング
においては、偶数ドレインバスラインの書き込み極性の
オフセット電圧等を、第2ゲートバスラインの書き込み
タイミングにおいては、奇数ドレインバスの書き込み極
性のオフセット電圧等を補充する電圧信号を供給し、ま
た、第2番目の対向電極には、第2ゲートバスラインの
書き込みタイミングにおいては、偶数ドレインバスの書
き込み極性のオフセット電圧等を、第3ゲートバスライ
ンの書き込みタイミングにおいては奇数ドレインバスの
書き込み極性のオフセット電圧等を補充する電圧信号を
供給し、以下同様に第N番目の対向電極まで電圧信号を
供給する。
FIG. 6 shows an operation timing chart 1 of a common variation circuit of an active matrix type thin film transistor liquid crystal panel showing an embodiment of the present invention, and FIG. 7 shows an operation timing chart 2 of the common variation circuit. In the present invention, instead of setting the amplitude of the drain voltage to be equal to ΔV, a voltage such as an offset voltage of the liquid crystal is supplied by a voltage signal of the counter electrode. Therefore, an offset voltage of the write polarity of the even-numbered drain bus line is written to the first counter electrode at the write timing of the first gate bus line, and the odd-numbered drain bus is written to the first gate bus line at the write timing of the second gate bus line. A voltage signal for replenishing the offset voltage or the like of the write polarity is supplied to the second counter electrode. At the write timing of the second gate bus line, the offset voltage or the like of the write polarity of the even drain bus is supplied to the second counter electrode. At the write timing of the third gate bus line, a voltage signal for supplementing an offset voltage or the like of the write polarity of the odd drain bus is supplied, and similarly, a voltage signal is supplied to the Nth counter electrode.

【0027】また、同じ書き込みタイミングにおける奇
数ドレインバスと偶数ドレインバスの極性は異なってお
り、かつ次の書き込みタイミングにおいて、それぞれの
極性は反転しているため、各対向電極には、該当する画
素電極の内偶数ドレインバスにTFTを介して接続され
る画素電極の書き込みタイミングに同期して変動する電
圧信号を供給することになる。
Also, since the polarities of the odd drain bus and the even drain bus at the same write timing are different, and the polarities are inverted at the next write timing, each counter electrode has a corresponding pixel electrode. Are supplied to the even-numbered drain buses, a voltage signal that fluctuates in synchronization with the writing timing of the pixel electrode connected via the TFT.

【0028】そこで、2系統の回路構成のうち、シフト
レジスタ部A41には、図6に示されるように、第1ゲ
ートバスラインのON電圧印加直前に変動し、第1番目
のゲートバスラインのライン方向に偶数番目の画素電極
の極性データを有する信号DF1と、各ゲートバスライ
ンのON電圧印加の立ち上がりに同期し、かつ1走査時
間に相当するton時間の周期を有するクロックΦC とを
供給し、DC1より、2クロック分ずつ順次遅れた波形D
C3, DC5,…,DCN-1を作成し、これを電圧増幅部に供
給し、オペアンプと抵抗R1 ,R2 により、R2 /R1
倍に反転増幅し、オフセット電圧分とゲートバス選択時
の極性補正電圧分を含む所定の電圧振幅を有する電圧信
号を作成し、保護抵抗R3 とドライバ部A43を介し
て、第1番目の対向電極に電圧信号VCOM1を、第3番目
の対向電極に電圧信号VCOM3を、第N−1番目の対向電
極に電圧信号VCOMN-1をそれぞれ供給する。
Therefore, of the two-system circuit configuration, the shift register section A41 changes immediately before the application of the ON voltage to the first gate bus line as shown in FIG. a signal DF1 having polarity data of the even-numbered pixel electrodes in the line direction, and a clock [Phi C having a period of t on time synchronization with the rising of the oN voltage application of each of the gate bus line, and corresponds to one scan time The waveform D that is supplied and sequentially delayed by two clocks from DC1
C3 , D C5 ,..., D CN-1 are created and supplied to the voltage amplifying unit, and R 2 / R 1 is set by the operational amplifier and the resistors R 1 and R 2.
Inverted amplified doubles, creates a voltage signal having a predetermined voltage amplitude, including polarity correction voltage of the time offset voltage and the gate bus select, via a protection resistor R 3 and the driver unit A43, the first opposing The voltage signal V COM1 is supplied to the electrode, the voltage signal V COM3 is supplied to the third counter electrode, and the voltage signal V COMN-1 is supplied to the (N−1) th counter electrode.

【0029】また、シフトレジスタB44には、図7に
示されるように、第1ゲートバスラインのON電圧印加
直前に変動し、かつ第2番目のゲートバスラインの、ラ
イン方向に偶数番目の画素電極の極性データを有する信
号DF2と、各ゲートバスラインのON電圧印加の立ち
上がりに同期し、かつton時間の同期を有するクロック
ΦC とを供給し、図6のDC1より1クロック分遅れた波
形DC2を作成し、さらにDC2より2クロック分ずつ順次
遅れた波形DC4, DC6…,DCNを作成し、これを電圧増
幅部に供給し、オペアンプと抵抗R1 ,R2 によりR2
/R1 倍に反転増幅し、オフセット電圧分と、ゲートバ
ス選択時の極性補正電圧分を含む所定の電圧振幅を有す
る電圧信号を作成し、保護抵抗R3 とドライバ部B46
を介して、第2番目の対向電極に電圧信号VCOM1を、第
4番目の対向電極に電圧信号VCO M4を、第N番目の対向
電極に電圧信号VCOMNをそれぞれ供給する。
As shown in FIG. 7, the shift register B44 has an even-numbered pixel in the second gate bus line which fluctuates immediately before the application of the ON voltage to the first gate bus line and which is in the line direction. a signal DF2 having polarity data electrode in synchronization with the rising of the oN voltage application of each of the gate bus line, and supplies a clock [Phi C having a synchronous t on time, one clock later than the D C1 in FIG. 6 create a waveform D C2 was further D C2 than sequentially delayed waveform by two clocks min D C4, D C6 ..., create a D CN, which was supplied to the voltage amplifier, an operational amplifier and resistors R 1, R 2 By R 2
/ Inverted amplified R to 1x, the offset voltage, to create a voltage signal having a predetermined voltage amplitude, including polarity correction voltage of the time gate bus selection, protection resistor R 3 and the driver unit B46
Through, a voltage signal V COM1 to the second counter electrode, a voltage signal V CO M4 in the fourth counter electrode, respectively supply voltage signal V COMN to the N-th counter electrode.

【0030】なお、ここで出力されるVCOM1, VCOM2
…,VCOMNは同等の電圧振幅を有する電圧信号を供給し
てもよいため、コモン変動回路に2値出力のドレインド
ライバを適用することもできる。図8は本発明の実施例
を示す液晶セルの等価回路図である。上述した駆動方法
の場合、液晶セルの電荷保持状態における画素電圧の変
動が、少なくとも3つの条件において発生する。
Note that V COM1 , V COM2 ,
, V COMN may supply a voltage signal having the same voltage amplitude, so that a binary output drain driver can be applied to the common variation circuit. FIG. 8 is an equivalent circuit diagram of a liquid crystal cell showing an embodiment of the present invention. In the case of the above-described driving method, the fluctuation of the pixel voltage in the charge holding state of the liquid crystal cell occurs under at least three conditions.

【0031】まず、画素電極に接続されるTFTの書き
込み直後に、TFTの寄生容量Cgsにより、ΔV1 ′=
〔Cgs/(Cgs+CLC +C DP1 +C DP2 )〕×(V
G (+) ′−VG (-) ′)、次いで、画素電極を挟む2本
のドレインバスライン12が書き込み時の電圧からΔV
D1′及びΔVD2′だけ変動した時に、画素電極と2本の
ドレインバスライン12との間の容量CDP1 とCDP2
よりΔV2 ′=DP1 (C gs LC +C DP1 +C
DP2 )〕×ΔVD1′−DP2 (C gs LC +C DP1
+C DP2 )〕×ΔVD2′、さらに、画素電極との間に電
荷蓄積を行なう対向電極の電圧がΔVCOM だけ変動した
時に、液晶の容量C LC により、ΔV3 ′=〔C LC /(C
gs+CLC +C DP1 +C DP2 )〕×ΔVCOM である。
Firstly, immediately after writing of the TFT connected to the pixel electrode, the parasitic capacitance C gs of the TFT, [Delta] V 1 '=
[C gs / (C gs + C LC + C DP1 + C DP2 )] × (V
G (+) V G (−) ′), and then the two drain bus lines 12 sandwiching the pixel electrode deviate from the writing voltage by ΔV
When D1 'and [Delta] V D2' only varies, [Delta] V 2 by the capacitance C DP1 and C DP2 between the drain bus line 12 of the pixel electrode and two '= [C DP1 / (C gs + C LC + C DP1 + C
DP2 )] × ΔV D1 '- [ C DP2 / (C gs + C LC + C DP1
+ C DP2)] × [Delta] V D2 ', further, when the voltage of the common electrode to perform charge accumulation between the pixel electrode is varied only [Delta] V COM, a liquid crystal of the capacitance C LC, ΔV 3' = [C LC / ( C
gs is a + C LC + C DP1 + C DP2) ] × [Delta] V COM.

【0032】また、電位変動ΔV1 ′は全ての画素電極
において同等のTFTが形成されていれば、書き込み電
圧及び書き込みタイミングによらず、同極性、同電位の
変動であるため、対向電極に供給する電圧の設定におい
て、ΔV1 ′分だけズラして設定することにより、全て
の液晶セルにおいて画素電極と対向電極の間の電圧(以
下実効電圧と示す)を同等な状態で維持することができ
る。
If the same TFT is formed in all the pixel electrodes, the potential fluctuation ΔV 1 ′ has the same polarity and the same potential regardless of the writing voltage and the writing timing. In the setting of the voltage to be set, the voltage between the pixel electrode and the counter electrode ( hereinafter, referred to as “V”) is set in all the liquid crystal cells by shifting the voltage by ΔV 1 ′.
Lower effective voltage) can be maintained in an equivalent state .

【0033】更に、電位変動ΔV2 ′とΔV3 ′は、書
き込み時の極性によって、画素電圧変動の極性が異な
り、その変動量は画素電極を挟む2本のドレインバス及
び対向電極の極性が、書き込み時と変化した時に最も大
きな電圧変動を示す。よって、各画素電極において、書
き込み時の極性に対して、両者の極性が変化している期
間が短いものと長いものが存在すると、平均実効電圧が
異なり、表示ムラが発生する。
Further, the potential fluctuations ΔV 2 ′ and ΔV 3 ′ differ in the polarity of the pixel voltage fluctuation depending on the polarity at the time of writing. The amount of the fluctuation depends on the polarities of the two drain buses and the counter electrode sandwiching the pixel electrode. It shows the largest voltage fluctuation at the time of writing and when it changes. Therefore, in each pixel electrode, if there is a short period and a long period during which both polarities are changed with respect to the polarity at the time of writing, the average effective voltage differs, and display unevenness occurs.

【0034】図10は本発明の実施例を示す奇数ドレイ
ンバスラインに接続されるTFTの駆動電圧及び画素電
圧変化を示すタイミングチャート、図11は本発明の実
施例を示す偶数ドレインバスに接続されるTFTの駆動
電圧及び画素電圧変化を示すタイミングチャートであ
る。そこで、この実施例においては、対向電極に供給す
る電圧信号VCOM1, VCOM2,…,VCOMNを、電圧変動量
ΔV1 ′だけズラして電圧設定し、かつ各ドレインバス
ラインの極性が1ライン周期に極性反転する交流化駆動
を行なっているため、全ての画素電極に対して、画素電
極を挟む2本のドレインバスの極性が書き込み時と変化
している期間が同等になり平均実効電圧が均一になるも
のである。
FIG. 10 is a timing chart showing a drive voltage and a pixel voltage change of a TFT connected to an odd-numbered drain bus line according to the embodiment of the present invention. FIG. 11 is a timing chart showing an embodiment of the present invention. 6 is a timing chart showing a driving voltage of a TFT and a pixel voltage change. Therefore, in this embodiment, the voltage signals V COM1 , V COM2 ,..., V COMN supplied to the counter electrode are set by shifting the voltage variation ΔV 1 ′, and the polarity of each drain bus line is set to 1 Since the alternating drive is performed in which the polarity is inverted in the line cycle, the period during which the polarity of the two drain buses sandwiching the pixel electrode is changed from that at the time of writing is the same for all the pixel electrodes, and the average effective voltage Is uniform.

【0035】また、各画素電極に対する対向電極の極性
は、書き込み時と変化している期間が奇数ドレインバス
ラインにTFTを介して接続される画素電極に対して、
たかだかT×(1/N+1)の時間だけ発生し、偶数ド
レインバスラインにTFTを介して接続される画素電極
に対しては発生しないため、ΔV3 ′の影響による平均
実効電圧の変動は無視してよい程度になる。
The polarity of the counter electrode with respect to each pixel electrode is different from that of the pixel electrode connected to the odd-numbered drain bus line via the TFT during the period during which writing is being performed.
Since it occurs at most T × (1 / N + 1) and does not occur on the pixel electrode connected to the even-numbered drain bus line via the TFT, the fluctuation of the average effective voltage due to the influence of ΔV 3 ′ is ignored. To a good degree.

【0036】また、さらに以上のことを考慮して、対向
電極に供給するVCOM1, VCOM2,…,VCOMNの電圧信号
に、表示データより算出した全ての画素電極におけるΔ
2′の平均電圧変動量Δ2 * をΔV2 ′の電圧変
動によって生ずる実効電圧ロス分として付加して供給す
るためにVCOM1, VCOM2,…,VCOMNの電圧波形を正極
性の書き込み時には、VD (+) ′−ΔV−VTH−Δ
1 ′−(Δ2 * )の電圧レベルに、負極性の書き
込み時には、VD (-) ′+ΔV+VTH−ΔV1 ′+(Δ
2 * )の電圧レベルに設定した、ΔV+2VTH+2
×(Δ2 * )の変動振幅を有する電圧信号で供給す
ることにより、データ回路より出力される電圧データの
振幅をΔVに設定した場合においても、全ての画素の平
均実効電圧をΔV+VTHと同程度にすることができるも
のである。また同様に、ドレイン電圧の振幅が小さくな
った分、ゲート電圧の振幅も同程度小さくすることがで
きる。
Further, in consideration of the above, the voltage signals of V COM1 , V COM2 ,..., V COMN supplied to the counter electrode are added to the voltage signals of all the pixel electrodes calculated from the display data.
V COM1, V COM2 to supply 'average voltage variation of Δ V 2' V 2 * a is added as the effective voltage loss in caused by the voltage fluctuation of the [Delta] V 2 ', ..., the voltage waveform of the V COMN positive At the time of writing, V D (+) ′ − ΔV−V TH −Δ
At the time of writing the negative polarity to the voltage level of V 1 ′ − ( ΔV 2 * ), V D (−) ′ + ΔV + V TH −ΔV 1 ′ +
ΔV + 2V TH +2 set to the voltage level of V 2 * )
× ( ΔV 2 * ), the average effective voltage of all the pixels is ΔV + V TH even when the amplitude of the voltage data output from the data circuit is set to ΔV. It can be about the same. Similarly, as the amplitude of the drain voltage decreases, the amplitude of the gate voltage can be reduced to the same extent.

【0037】図9は本発明の実施例を示すアクティブマ
トリクス型薄膜トランジスタ液晶パネルの等価回路図を
示す。図1及び図2に示したように、アクティブマトリ
クス型薄膜トランジスタ液晶パネルには数多くの電気的
配線が施されているため、液晶パネルの構成条件として
配線容量が存在し、各表示セルの液晶容量CLCに書き込
みを行なう時に、ロス電流を発生させる。ドレインバス
ライン12とゲートバスライン11の交差部分により作
成される容量CGDは、ドレインバスラインの電圧が変動
する毎に、ゲートバスライン11とドレインバスライン
12にドレインバスライン12の電圧変動量に比例した
ロス電流を発生させ、また液晶層を介してドレインバス
ライン12と対向電極15との間に作成される容量CDC
は、同様にドレインバスライン12の電圧が変動する毎
にドレインバスライン12と対向電極15に、ドレイン
バス12の電圧変動量に比例したロス電流を発生させ
る。
FIG. 9 is an equivalent circuit diagram of an active matrix type thin film transistor liquid crystal panel according to an embodiment of the present invention. As shown in FIG. 1 and FIG. 2, since a large number of electrical wirings are provided in the active matrix type thin film transistor liquid crystal panel, a wiring capacitance exists as a constituent condition of the liquid crystal panel. Generates loss current when writing to LC . Each time the voltage of the drain bus line fluctuates, the capacitance C GD created by the intersection of the drain bus line 12 and the gate bus line 11 is equal to the voltage fluctuation amount of the drain bus line 12 in the gate bus line 11 and the drain bus line 12. And a capacitance C DC generated between the drain bus line 12 and the counter electrode 15 via the liquid crystal layer.
Similarly, every time the voltage of the drain bus line 12 fluctuates, a loss current proportional to the voltage fluctuation amount of the drain bus 12 is generated in the drain bus line 12 and the counter electrode 15.

【0038】ここで示す、各表示セル単位に存在するC
GD及びCDCにより発生する電流量はそれほど大きなもの
ではないが、配線全体で考えるとかなり大きな電流であ
るため、ロス電流を短い期間、例えばライン周期にパネ
ル外部に放出するためには、ドレインバスライン12及
びゲートバスライン11及び対向電極15の低抵抗化を
図るとともに、各配線に接続される外部ドライバの電流
容量を大きくしなければならない。
The C shown in each display cell unit shown here
Without large so much amount of current generated by GD and C DC, for considering the whole wire is fairly large current, short duration loss current, in order to release, for example, in line periods outside the panel, the drain bus The resistance of the line 12, the gate bus line 11, and the counter electrode 15 must be reduced, and the current capacity of the external driver connected to each wiring must be increased.

【0039】本発明の実施例においては、隣接するドレ
インバスの極性が異なり、極性変動する時には、隣接す
るドレインバスは必ず異なる極性の電圧変動、例えば、
一方が正極性から負極性に変動する場合は、他方が負極
性から正極性に変動することになる。よって、隣接する
容量CGD同士、あるいは各ライン毎に分割された1個の
対向電極上に隣接する容量CDC同士によって発生するロ
ス電流は、互いに反対方向に流れる電流であるため、ロ
ス電流同士が相殺する傾向を示す。
In the embodiment of the present invention, the polarities of adjacent drain buses are different, and when the polarities fluctuate, the adjacent drain buses always have voltage fluctuations of different polarities, for example,
When one changes from positive to negative, the other changes from negative to positive. Therefore, since the loss currents generated by the adjacent capacitances C GD or by the adjacent capacitances C DC on one counter electrode divided for each line are currents flowing in opposite directions, the loss currents Shows a tendency to offset.

【0040】このために、1本のゲートバスライン及び
ドレインバスライン及び各ライン毎に分割された対向電
極に流れるロス電流は、非常に小さくなり、各配線の低
抵抗化及び各配線に接続される外部ドライバの大容量化
を図らなくてもよい、液晶パネルを提供できるととも
に、液晶パネルの大容量、高精細化に適している。図1
2は本発明の変形実施例を示すアクティブマトリクス型
薄膜トランジスタ液晶パネルの概略構成図である。な
お、前記実施例と同様の部分については、同じ番号を付
し、その説明は省略する。
For this reason, the loss current flowing through one gate bus line and drain bus line and the counter electrode divided for each line is extremely small, and the resistance of each wiring is reduced and the connection to each wiring is reduced. In addition to providing a liquid crystal panel that does not require an increase in the capacity of an external driver, it is suitable for increasing the capacity and definition of the liquid crystal panel. FIG.
FIG. 2 is a schematic configuration diagram of an active matrix type thin film transistor liquid crystal panel showing a modified embodiment of the present invention. Note that the same parts as those in the above embodiment are denoted by the same reference numerals, and description thereof will be omitted.

【0041】この実施例においては、図1及び図2で詳
細に説明した構成のアクティブマトリクス型薄膜トラン
ジスタ液晶パネルの、各画素電極と対向電極との間の液
晶容量CLCに対して、電気的に並列に補助容量Cs 17
を設け、補助容量線18によってコモン変動回路40へ
と接続したもので、液晶セルの電荷保持状態における
電圧の変動量を、それぞれΔV1 ″=〔Cgs/(Cgs
+CLC+Cs +C DP1 +C DP2 )〕×(VG (+) ′−V
G (-) ′)、ΔV2 ″=DP1 /( gs LC+Cs
+C DP1 +C DP2 ×ΔVD1′−DP2 /( gs
LC+Cs +C DP1 +C DP2 ×ΔVD2′、ΔV3
=〔( LC +C s )/(Cgs+CLC s +C DP1 +C
DP2 )〕×ΔVCOM にさせられるため実効電圧の変動を
減少させられるものである。この効果によって、対向電
極に供給するVCOM1, VCOM2,…,VCOMNのの補正電
圧、電圧振幅を小さくすることによって、容易にゲート
バスラインに供給する電圧振幅を小さくできるものであ
る。
In this embodiment, the liquid crystal capacitance CLC between each pixel electrode and the counter electrode of the active matrix type thin film transistor liquid crystal panel having the structure described in detail with reference to FIGS. In parallel, the auxiliary capacitance C s 17
And connected to the common variation circuit 40 by the auxiliary capacitance line 18, and the image in the charge holding state of the liquid crystal cell is provided.
The variation of the elementary voltage is represented by ΔV 1 ″ = [C gs / (C gs
+ C LC + C s + C DP1 + C DP2 )] × (V G (+) ′ − V
G (-) '), ΔV 2 "= [C DP1 / (C gs + C LC + C s
+ C DP1 + C DP2 ) ] × ΔV D1 '- [ C DP2 / ( C gs +
C LC + C s + C DP1 + C DP2 ) ] × ΔV D2 ′, ΔV 3
= [(C LC + C s) / (C gs + C LC + C s + C DP1 + C
DP2)] for the the canceller × [Delta] V COM fluctuations in the effective voltage
It can be reduced . By this effect, the voltage amplitude supplied to the gate bus line can be easily reduced by reducing the correction voltage and voltage amplitude of V COM1 , V COM2 ,..., V COMN supplied to the common electrode.

【0042】図16は本発明の他の実施例を示すアクテ
ィブマトリクス型薄膜トランジスタ液晶パネルの概略斜
視図である。この図に示すように、透明な背面基板上
に、ゲートバスライン11とドレインバスライン12と
を直交して配置して、その交点にTFT13を設け、個
別の表示セルに対応する透明な画素電極14に接続し、
1本のゲートバスラインにTFT13を介して接続され
る画素電極群をライン方向に配置し、適当な方向に配向
処理された配向膜を設ける。なお、19は隙間である。
FIG. 16 is a schematic perspective view of an active matrix type thin film transistor liquid crystal panel showing another embodiment of the present invention. As shown in this figure, a gate bus line 11 and a drain bus line 12 are arranged orthogonally on a transparent back substrate, and a TFT 13 is provided at the intersection between the gate bus line 11 and the drain bus line 12, so that transparent pixel electrodes corresponding to individual display cells are provided. Connect to 14,
A pixel electrode group connected to one gate bus line via the TFT 13 is arranged in the line direction, and an alignment film that has been subjected to an alignment process in an appropriate direction is provided. In addition, 19 is a gap.

【0043】一方、透明な前面基板上に隣接する2本の
ゲートバスラインにTFT13を介して接続される画素
電極群から、ゲートバスライン方向に交互に千鳥状に選
択した画素電極群に対して、1個の透明な波型の対向電
極15を設け、かつ該波型対向電極を複数個設け、適当
な方向に配向処理された配向膜を設ける。前記背面基板
と前記前面基板の配向膜同士を向かい合わせ、位置合せ
し、両基板間に適当な隙間を設け、液晶を注入後、封止
し、両基板の露出面に互いに偏光軸が平行あるいは垂直
になるように偏光膜を貼り付けたものである。図17は
本発明の実施例を示すアクティブマトリクス型薄膜トラ
ンジスタ液晶パネルの対向電極の構成を示す図である。
On the other hand, from a group of pixel electrodes connected to two adjacent gate bus lines on the transparent front substrate via the TFT 13, a group of pixel electrodes selected alternately in a staggered manner in the gate bus line direction. A transparent corrugated counter electrode 15 is provided, a plurality of corrugated counter electrodes are provided, and an alignment film that has been subjected to an alignment treatment in an appropriate direction is provided. The alignment films of the rear substrate and the front substrate face each other, are aligned, provide an appropriate gap between the two substrates, inject liquid crystal, seal, and the polarization axes are parallel to each other on the exposed surfaces of the two substrates. A polarizing film is stuck so as to be vertical. FIG. 17 is a diagram showing a configuration of a counter electrode of an active matrix type thin film transistor liquid crystal panel according to an embodiment of the present invention.

【0044】図に示すように、波型対向電極は、隣接す
る2本のゲートバスラインにTFT13を介して接続さ
れる画素電極群から、ゲートバスライン方向に交互に千
鳥状に選択した画素電極群に対して、1個の透明な対向
電極として設けるため、図17(a)のパターン構成1
に示されるように、隣接する2本のゲートバスラインに
またがって形成される。このため、パターン構成1にお
いては、画素ピッチが微細化した場合には、2つのゲー
トバスラインにまたがる接合部が細くなり、電気的抵抗
値が増加し、表示ムラが認識できる程度の電位差が発生
する可能性がある。図17(b)のパターン構成2にお
いては、この対向電極接合部15bを電気的抵抗値の低
いアルミニウム等で形成し、画素ピッチの微細化に対応
できる構成にしたものである。ここで、15aは画素電
極と対向する部分である。
As shown in the figure, a corrugated counter electrode is a pixel electrode group selected from a group of pixel electrodes connected to two adjacent gate bus lines via a TFT 13 alternately in a staggered manner in the gate bus line direction. In order to provide one transparent counter electrode for the group, the pattern configuration 1 shown in FIG.
As shown in FIG. 1, the gate bus line is formed over two adjacent gate bus lines. For this reason, in the pattern configuration 1, when the pixel pitch is reduced, the junction between the two gate bus lines becomes thinner, the electrical resistance increases, and a potential difference is generated to the extent that display unevenness can be recognized. there's a possibility that. In the pattern configuration 2 of FIG. 17B, the opposing electrode junction 15b is formed of aluminum or the like having a low electric resistance value so as to be able to cope with a fine pixel pitch. Here, 15a is a portion facing the pixel electrode.

【0045】図18は本発明の他の実施例のアクティブ
マトリクス型薄膜トランジスタ液晶パネルの概略構成図
である。また、アクティブマトリクス型薄膜トランジス
タ液晶パネルのデータ回路は図3と同様であり、ここで
は図示しない。図19は本発明の他の実施例のアクティ
ブマトリクス型薄膜トランジスタ液晶パネルのドレイン
バスに供給される電圧データのタイミングを示す図であ
り、図19(a)はその奇数ドレインバスラインの電圧
データ波形図、図19(b)はその偶数ドレインバスラ
インの電圧データ波形図である。図20は本発明の実施
例を示すアクティブマトリクス型薄膜トランジスタ液晶
パネルのコモン変動回路を示す図である。
FIG. 18 is a schematic structural view of an active matrix type thin film transistor liquid crystal panel according to another embodiment of the present invention. The data circuit of the active matrix type thin film transistor liquid crystal panel is similar to that of FIG. 3 and is not shown here. FIG. 19 is a diagram showing the timing of voltage data supplied to the drain bus of an active matrix thin film transistor liquid crystal panel according to another embodiment of the present invention, and FIG. 19 (a) is a voltage data waveform diagram of the odd-numbered drain bus line. FIG. 19B is a voltage data waveform diagram of the even drain bus line. FIG. 20 is a diagram showing a common variation circuit of an active matrix type thin film transistor liquid crystal panel according to an embodiment of the present invention.

【0046】これらの図に示すように、ゲートライン1
1の数をN、ドレインバスライン12の数をMとする
と、N個のゲートバスライン11に走査回路20を接続
し、第1ゲートバスライン11から時間的に順次にON
電圧VG(+)′を1走査時間に相当するton時間供給し、
M個のドレインバスライン12にデータ発生部31、デ
ータ反転部A32、データ反転部B33、データ出力部
A34、データ出力部B35から構成されるデータ回路
30を接続し、輝度データ及び極性データを含む電圧デ
ータを供給し、N+1個に分割された対向電極群に2系
統のシフトレジスタ部A41、シフトレジスタ部B44
と電圧増幅部42,45とドライバ部A43、ドライバ
部B46より構成されるコモン変動回路40を接続し、
ドレインバスライン12に供給される電圧データに応じ
た極性データ及び液晶16の閾値電圧に相当するオフセ
ット電圧及び実効電圧補正電圧を含む電圧信号を供給す
る。
As shown in these figures, the gate line 1
Assuming that the number of 1s is N and the number of drain bus lines 12 is M, the scanning circuit 20 is connected to the N gate bus lines 11 and sequentially turned on sequentially from the first gate bus lines 11.
Supplying t on time corresponding to the voltage V G (+) 'to one scan time,
A data circuit 30 including a data generation unit 31, a data inversion unit A32, a data inversion unit B33, a data output unit A34, and a data output unit B35 is connected to the M drain bus lines 12, and includes luminance data and polarity data. Voltage data is supplied, and two systems of a shift register unit A41 and a shift register unit B44 are provided to the N + 1 divided counter electrode group.
And a voltage amplifying unit 42, 45 and a common variation circuit 40 including a driver unit A43 and a driver unit B46.
A voltage signal including polarity data corresponding to the voltage data supplied to the drain bus line 12, an offset voltage corresponding to the threshold voltage of the liquid crystal 16, and an effective voltage correction voltage is supplied.

【0047】図19に示すように、この実施例において
は、データ回路30のデータ発生部31において、ドレ
インバスの1ラインの輝度データをライン方向に、奇数
番目の表示セルのデータと偶数番目の表示セルのデータ
に分割し、データ1とデータ2を作成し、また奇数ドレ
インバスラインと偶数ドレインバスラインの書き込みの
極性が異なり、ドレインバスの1ライン毎に極性が反転
する交流化信号として、奇数番目のドレインバスに該当
する交流化信号1と、偶数番目のドレインバスに該当す
る交流化信号2を作成する。
As shown in FIG. 19, in this embodiment, in the data generating section 31 of the data circuit 30, the luminance data of one line of the drain bus is divided in the line direction into the data of the odd-numbered display cells and the even-numbered display cells. The data is divided into display cell data, data 1 and data 2 are created, and the polarity of the writing of the odd drain bus line and that of the even drain bus line are different, and the polarity is inverted for each drain bus line. An alternating signal 1 corresponding to the odd-numbered drain bus and an alternating signal 2 corresponding to the even-numbered drain bus are created.

【0048】データ1と交流化信号1はデータ反転部A
32により演算し、輝度データと極性データを含む電圧
データ、データ3を作成し、データ出力部A34によっ
て、奇数番目のドレインバスD1 ,D3 …,DM-1 に出
力する。同様にデータ2と交流化信号2は、データ反転
部B33により演算し、輝度データと極性データを含む
電圧データ、データ4を作成し、データ出力部B35に
よって、偶数番目のドレインバスD2 ,D4 …,DM
出力する。
The data 1 and the alternating signal 1 are transmitted to the data inverting section A
32, voltage data including luminance data and polarity data, data 3 are generated, and output to the odd-numbered drain buses D 1 , D 3, ..., D M-1 by the data output unit A34. Similarly, the data 2 and the alternating signal 2 are operated by the data inverting section B33 to generate voltage data and data 4 including luminance data and polarity data, and the data output section B35 to generate even-numbered drain buses D 2 and D 2 . 4 ..., and outputs it to the D M.

【0049】また、データ回路30から出力される各ド
レインバスの電圧データ設定条件は、正極性の書き込み
において、ON電圧VD(+)′,OFF電圧として
D(-)′として、負極性の書き込みにおいて、ON電圧
D(-)′,OFF電圧VD(+)′とするため電圧振幅が図
15に示されるΔVと同等に設定でき、VD(+)′−V
D(-)′=VSAT −VTH=ΔVの条件で与えられるため、
図14の従来例と比較してドレイン電圧の振幅はVTH×
2+ΔV分だけ小さくできる。
The condition for setting the voltage data of each drain bus output from the data circuit 30 is as follows: in the writing of the positive polarity, the ON voltage V D (+) ′, the OFF voltage V D (−) ′, and the negative voltage. In the write operation, the ON voltage VD (-) 'and the OFF voltage VD (+) ', the voltage amplitude can be set to be equal to ΔV shown in FIG. 15, and VD (+) '-V
D (-) '= V SAT -V TH = ΔV
Compared to the conventional example of FIG. 14, the amplitude of the drain voltage is V TH ×
It can be reduced by 2 + ΔV.

【0050】図21は本発明の他の実施例を示すアクテ
ィブマトリクス型薄膜トランジスタ液晶パネルのコモン
変動回路の第1のタイミングチャートを示し、図22は
本発明の他の実施例を示すアクティブマトリクス型薄膜
トランジスタ液晶パネルのコモン変動回路の第2のタイ
ミングチャートを示す。この実施例においては、ドレイ
ン電圧の振幅をΔVと同等に設定する替わりに、液晶の
オフセット電圧等の電圧を対向電極の電圧信号により供
給する。各対向電極は、図16、図17、図18で詳細
に説明したように配置されるため、第1ゲートバスライ
ンの書き込みタイミングにおいて、第1番目の対向電極
に奇数ドレインバスの書き込み極性のオフセット電圧等
の電圧信号を供給し、第2番目の対向電極に偶数ドレイ
ンバスの書き込み極性のオフセット電圧等の電圧信号を
供給する。
FIG. 21 is a first timing chart of a common variation circuit of an active matrix type thin film transistor liquid crystal panel showing another embodiment of the present invention, and FIG. 22 is an active matrix type thin film transistor showing another embodiment of the present invention. 4 shows a second timing chart of a common variation circuit of a liquid crystal panel. In this embodiment, instead of setting the amplitude of the drain voltage to be equal to ΔV, a voltage such as an offset voltage of the liquid crystal is supplied by a voltage signal of the counter electrode. Since each counter electrode is arranged as described in detail with reference to FIGS. 16, 17 and 18, at the write timing of the first gate bus line, the offset of the write polarity of the odd drain bus is applied to the first counter electrode. A voltage signal such as a voltage is supplied, and a voltage signal such as an offset voltage of a write polarity of the even drain bus is supplied to the second counter electrode.

【0051】また、第2ゲートバスラインの書き込みタ
イミングにおいては、第2番目の対向電極に奇数ドレイ
ンバスの書き込み極性のオフセット電圧等の電圧信号を
供給し、第3番目の対向電極に偶数ドレインバスの書き
込み極性のオフセット電圧等の電圧信号を供給する。以
下同様に電圧信号を供給し、第Nゲートバスラインの書
き込みタイミングにおいて、第N番目の対向電極に奇数
ドレインバスの書き込み極性のオフセット電圧等の電圧
信号を供給し、第N+1番目の対向電極に偶数ドレイン
バスの書き込み極性のオフセット電圧等の電圧信号を供
給することにより一画面の書き込みが終了する。
At the write timing of the second gate bus line, a voltage signal such as an offset voltage of the write polarity of the odd drain bus is supplied to the second counter electrode, and the even drain bus is supplied to the third counter electrode. And a voltage signal such as an offset voltage of the write polarity. Thereafter, a voltage signal is supplied in the same manner, and at the write timing of the N-th gate bus line, a voltage signal such as an offset voltage of the write polarity of the odd drain bus is supplied to the N-th counter electrode, and the voltage signal is supplied to the (N + 1) -th counter electrode. By supplying a voltage signal such as an offset voltage of the write polarity of the even drain bus, writing of one screen is completed.

【0052】この時、同じゲートバスラインの書き込み
タイミングにおいては、奇数ドレインバスと偶数ドレイ
ンバスの極性は異なっており、かつ次のゲートバスライ
ンの書き込みタイミングにおいては、それぞれの極性は
反転しているため、各対向電極には、該当する画素電極
の内、第1番目の対向電極を除いて、偶数ドレインバス
にTFTを介して接続される画素電極の書き込みタイミ
ングに同期して変動する電圧信号を供給することにな
る。
At this time, at the same gate bus line write timing, the odd drain bus and the even drain bus have different polarities, and at the next gate bus line write timing, their polarities are inverted. Therefore, a voltage signal that fluctuates in synchronization with the writing timing of the pixel electrode connected to the even-numbered drain bus via the TFT, except for the first counter electrode among the corresponding pixel electrodes, is applied to each counter electrode. Will be supplied.

【0053】そこで、2系統の回路構成のうち、シフト
レジスタ部A41には、図21に示されるように、第1
ゲートバスラインのON電圧印加直前に変動し、かつ第
1ラインのライン方向に奇数番目の極性データを有する
信号DFと、各ゲートバスラインのON電圧印加の立ち
上がりに同期し、かつton時間の周期を有するクロック
ΦC とを供給しDC1を作成し、また第2ゲートバスライ
ンの偶数番目の極性データを示すDC1より1クロック分
遅れた波形DC3を作成し、また、第4ゲートバスライン
の偶数番目の極性データを示すDC1より1クロック分遅
れた波形DC3を作成し、第4ラインの偶数番目の極性デ
ータを示すDC3より2クロック分遅れた波形DC5を作成
し、以下同様に2クロック分ずつ遅れた波形DC7,…,
CN+1を作成し、これを電圧増幅部に供給し、オペアン
プと抵抗R1 ,R2 によりR2 /R1 倍に反転増幅し、
液晶のオフセット電圧分とゲートバス選択時の極性補正
電圧分を含む所定の電圧振幅を有する電圧信号を作成
し、保護抵抗R3 とドライバ部A43を介して、第1番
目の対向電極に電圧信号VCOM1を、第3番目の対向電極
に電圧信号VCOM3を、第N+1番目の対向電極に電圧信
号VCOMN+1をそれぞれ供給する。
Therefore, as shown in FIG. 21, the shift register section A41 of the two systems has the first circuit structure.
Fluctuate ON voltage application just before the gate bus line, and a signal DF with odd polarity data in the line direction of the first line in synchronization with the rising of the ON voltage application of each of the gate bus lines, and the t on time A clock Φ C having a period is supplied to generate D C1 , a waveform D C3 delayed by one clock from D C1 indicating even-numbered polarity data of the second gate bus line is generated, and a fourth gate is generated. A waveform D C3 that is delayed by one clock from D C1 indicating even-numbered polarity data of the bus line is created, and a waveform D C5 that is delayed by two clocks from D C3 that indicates even-numbered polarity data of the fourth line is created. , waveform D C7 was similarly delayed by 2 clock minutes or less, ...,
Create a D CN + 1, which was supplied to the voltage amplifier, and the inverting amplifier to the R 2 / R 1 times by an operational amplifier and resistors R 1, R 2,
Create a voltage signal having a predetermined voltage amplitude, including polarity correction voltage of when the liquid crystal is offset voltage and the gate bus select, via a protection resistor R 3 and the driver unit A43, the voltage signal to the first counter electrode V COM1 , a voltage signal V COM3 to the third counter electrode, and a voltage signal V COMN + 1 to the (N + 1) th counter electrode.

【0054】また、シフトレジスタ部B44には、図2
2に示されるように、第1ゲートバスラインのON電圧
印加直前に変動し、かつ第1ゲートバスラインのライン
方向に偶数番目の極性データを有する信号−DF2とク
ロックΦC とを供給し、DC2を作成し、第3ゲートバス
ラインの偶数番目の極性データを示すDC2より2クロッ
ク分遅れた波形DC4を作成し、以下同様に2クロック分
ずつ遅れた波形DC6,…,DCNを作成し、これを電圧増
幅部に供給し、オペアンプと抵抗R1 ,R2 によりR2
/R1 倍に反転増幅し、オフセット電圧分とゲートバス
選択時の極性補正電圧分を含む所定の電圧振幅を有する
電圧信号を作成し、保護抵抗R3 とドライバ部B46を
介して、第2番目の対向電極に電圧信号VCOM2を、第4
番目の対向電極に電圧信号VCOM4を、第N番目の対向電
極に電圧信号VCOMNをそれぞれ供給する。なお、ここで
出力されるVCOM1, VCOM2,…,VCOMN+1は同等の電圧
振幅を有する電圧信号を供給してもよいため、コモン変
動回路に2値出力のドレインドライバを適用することも
できる。
Further, the shift register section B44 has the configuration shown in FIG.
2, a signal -DF2 which varies immediately before the application of the ON voltage to the first gate bus line and has even-numbered polarity data in the line direction of the first gate bus line, and a clock Φ C are supplied; DC C2 is generated, and a waveform D C4 delayed by two clocks from D C2 indicating even-numbered polarity data of the third gate bus line is generated. Similarly, waveforms D C6,. A CN is created and supplied to a voltage amplifying unit, and R 2 is connected by an operational amplifier and resistors R 1 and R 2.
/ R 1 times by the inverting amplifier, to create a voltage signal having a predetermined voltage amplitude, including polarity correction voltage of the time offset voltage and the gate bus select, via a protection resistor R 3 and the driver unit B46, second The voltage signal V COM2 is applied to the
The voltage signal V COM4 is supplied to the N-th counter electrode, and the voltage signal V COMN is supplied to the N-th counter electrode. Since V COM1 , V COM2 ,..., V COMN + 1 output here may supply voltage signals having the same voltage amplitude, it is necessary to apply a binary output drain driver to the common variation circuit. Can also.

【0055】液晶セルの等価回路は図8と同様であり、
上述した駆動方法の場合、液晶セルの電荷保持状態にお
ける画素電圧の変動が、少なくとも3つの条件において
発生する。まず、画素電極に接続されるTFTの書き込
み直後に、TFTの寄生容量CgsによりΔV1 ′=〔C
gs/(Cgs+CLC +C DP1 +C DP2 )〕×(VG (+)
−VG (-) ′)、次に、画素電極を挟む2本のドレイン
バスが書き込み時の電圧からΔVD1′及びΔVD2′だけ
変動した時に、画素電極と2本のドレインバスとの間の
容量CDP1 とCDP2 により、ΔV2 ′=DP1 (C
gs LC +C DP1 +C DP2 )〕×ΔVD1′−DP2
(C gs LC +C DP1 +C DP2 )〕×ΔVD2′、更に、
画素電極との間に電荷蓄積を行なう対向電極の電圧がΔ
COM だけ変動した時に、液晶の容量C LC により、ΔV
3 ′=〔C LC /(Cgs+CLC +C DP1 +C DP2 )〕×Δ
COM である。
The equivalent circuit of the liquid crystal cell is the same as that of FIG.
In the case of the above-described driving method, the fluctuation of the pixel voltage in the charge holding state of the liquid crystal cell occurs under at least three conditions. First, [Delta] V 1 immediately after writing TFT connected to the pixel electrode, the parasitic capacitance C gs of the TFT '= [C
gs / (C gs + C LC + C DP1 + C DP2 )] × (V G (+)
−V G (−) ′), and when the two drain buses sandwiching the pixel electrode fluctuate from the voltage at the time of writing by ΔV D1 ′ and ΔV D2 ′, the voltage between the pixel electrode and the two drain buses The capacitances C DP1 and C DP2 of ΔV 2 ′ = [ C DP1 / (C
gs + C LC + C DP1 + C DP2) ] × ΔV D1 '- [C DP2 /
(C gs + C LC + C DP1 + C DP2 )] × ΔV D2
When the voltage of the counter electrode that accumulates electric charge between the
When only fluctuates V COM, a liquid crystal of the capacitance C LC, [Delta] V
3 '= [C LC / (C gs + C LC + C DP1 + C DP2 )] × Δ
V COM .

【0056】電位変動ΔV1 ′は全ての画素電極におい
て同等のTFTが形成されていれば、書き込み電圧及び
書き込みタイミングによらず、同極性、同電位の変動で
あるため、対向電極に供給する電圧の設定において、Δ
1 ′分だけズラして設定することにより、全ての液晶
セルにおいて実効電圧を同等な状態で維持することがで
きる。
The potential fluctuation ΔV 1 ′ is a fluctuation of the same polarity and the same potential irrespective of the writing voltage and the writing timing if the same TFT is formed in all the pixel electrodes. In the setting of Δ
By setting the shift by V 1 ′, the effective voltage can be maintained in the same state in all the liquid crystal cells.

【0057】電位変動ΔV2 ′とΔV3 ′は、書き込み
時の極性によって画素電圧変動の極性が異なり、その変
動量は画素電極を挟む2本のドレインバスライン及び対
向電極の極性が、書き込み時と変化した時に最も大きな
電圧変動を示す。よって、各画素電極において、書き込
み時の極性に対して、両者の極性が変化している期間が
短いものと長いものが存在すると、平均実効電圧が異な
り、表示ムラが発生する。
The potential fluctuations ΔV 2 ′ and ΔV 3 ′ differ in the polarity of the pixel voltage fluctuation depending on the polarity at the time of writing. The amount of the fluctuation depends on the polarity of the two drain bus lines and the counter electrode sandwiching the pixel electrode. Shows the largest voltage fluctuation when it changes. Therefore, in each pixel electrode, if there is a short period and a long period during which both polarities are changed with respect to the polarity at the time of writing, the average effective voltage differs, and display unevenness occurs.

【0058】図23は本発明の他の実施例の奇数ドレイ
ンバスに接続されるTFTの駆動電圧及び画素電圧変化
を示すタイミングチャートを示し、図24に本発明の他
の実施例の偶数ドレインバスに接続されるTFTの駆動
電圧及び画素電圧変化を示すタイミングチャートを示
す。そこで、この実施例においては、対向電極に供給す
る電圧信号VCOM1, VCOM2,…,VCOMN+1を電圧変動量
ΔV1 ′だけズラして電圧設定し、かつ各ドレインバス
ラインの極性がドレインバスの1ライン周期に極性反転
する交流化駆動を行なっているため、全ての画素電極に
対して、画素電極を挟む2本のドレインバスラインの極
性が書き込み時と変化している期間が同等になり、平均
実効電圧が均一になるものである。
FIG. 23 is a timing chart showing the drive voltage and pixel voltage change of the TFT connected to the odd drain bus of another embodiment of the present invention, and FIG. 24 shows the even drain bus of another embodiment of the present invention. 3 is a timing chart showing changes in the drive voltage and the pixel voltage of the TFT connected to the TFT. Therefore, in this embodiment, the voltage signals V COM1 , V COM2 ,..., V COMN + 1 to be supplied to the common electrode are set by shifting the voltage variation ΔV 1 ′, and the polarity of each drain bus line is changed. Since the alternating drive is performed in which the polarity is inverted in one line cycle of the drain bus, the period in which the polarities of the two drain bus lines sandwiching the pixel electrode are changed during writing is the same as for all the pixel electrodes And the average effective voltage becomes uniform.

【0059】また、各画素電極に対する対向電極の極性
は、書き込み時と変化している期間が奇数ドレインバス
ラインにTFTを介して接続される第2〜第Nドレイン
バスラインに並ぶ画素電極にだけ存在し、その期間は、
T×1/N=tonと各画素電極の電荷保持期間Tに比
べ、非常に短い期間であるため、先に示したΔV3 ′の
影響による平均実効電圧の変動は無視してよい程度にな
る。
The polarity of the counter electrode with respect to each pixel electrode is changed only for the pixel electrodes arranged in the second to Nth drain bus lines connected to the odd drain bus lines via the TFTs during the period during which the writing is changed. Exists, and for that period,
Since the period is T × 1 / N = t on , which is much shorter than the charge holding period T of each pixel electrode, the variation of the average effective voltage due to the influence of ΔV 3 ′ is negligible. Become.

【0060】また、さらに以上のことを考慮して、対向
電極に供給するVCOM1, VCOM2,…VCOMN+1の電圧信号
に、表示データより算出した全ての画素電極におけるΔ
2′の平均電圧変動量Δ2 * を、ΔV2 ′の電圧
変動によって生ずる実効電圧ロス分として、付加して供
給するために、VCOM1, VCOM2,…,VCOMN+1の電圧波
形を、正極性の書き込み時には、VD (+) ′−ΔV−V
TH−ΔV1 ′−(Δ2 * )の電圧レベルに、負極性
の書き込み時には、VD (-) ′+ΔV+VTH−ΔV1
+Δ2 * の電圧レベルに設定したΔV+2VTH+2
×(Δ2 * )の変動振幅を有する電圧信号で供給す
ると、データ回路より出力される電圧データの振幅をΔ
Vに設定した場合においても、全ての画素の平均実効電
圧をΔV+VTHと同程度にすることができるものであ
る。また同様に、ドレイン電圧の振幅が小さくなった
分、ゲート電圧の振幅も同程度小さくすることができる
ものである。
Further, in consideration of the above, the voltage signals of V COM1 , V COM2 ,... V COMN + 1 supplied to the counter electrodes are added to the voltage signals of all the pixel electrodes calculated from the display data.
The V 2 'average voltage variation delta V 2 of' *, as the effective voltage loss in caused by the voltage fluctuation of the [Delta] V 2 ', in order to supply added, V COM1, V COM2, ..., the V COMN + 1 When writing the voltage waveform to the positive polarity, V D (+) ′ − ΔV−V
TH - [Delta] V 1 - the voltage level of the '(Δ V 2' *) , the time of writing of the negative polarity, V D (-) '+ ΔV + V TH -ΔV 1'
+ Delta V 2 'is set to the voltage level of * ΔV + 2V TH +2
× ( ΔV 2 * ), the amplitude of the voltage data output from the data circuit becomes Δ
Even when it is set to V, the average effective voltage of all the pixels can be made approximately equal to ΔV + V TH . Similarly, the amplitude of the gate voltage can be reduced to the same extent as the amplitude of the drain voltage decreases.

【0061】液晶パネルの等価回路は図9と同様であ
り、図16、図17、図18に示したように、アクティ
ブマトリクス型薄膜トランジスタ液晶パネルには数多く
の電気的配線が施されているため、液晶パネルの構成条
件として配線容量が存在し、各表示セルの液晶容量CLC
に書き込みを行なう時に、ロス電流を発生させる。ドレ
インバスとゲートバスの交差部分により作成される容量
GDは、ドレインバスの電圧が変動する毎に、ゲートバ
スとドレインバスにドレインバスの電圧変動量に比例し
たロス電流を発生させ、また液晶層を介してドレインバ
スと対向電極との間に作成される容量CDCは、同様にド
レインバスの電圧が変動する毎にドレインバスと対向電
極に、ドレインバスの電圧変動量に比例したロス電流を
発生させる。
The equivalent circuit of the liquid crystal panel is the same as that shown in FIG. 9, and as shown in FIGS. 16, 17, and 18, the active matrix thin film transistor liquid crystal panel is provided with a large number of electrical wirings. Wiring capacitance exists as a component condition of the liquid crystal panel, and the liquid crystal capacitance C LC of each display cell
When writing data into the memory, a loss current is generated. The capacitance C GD created by the intersection of the drain bus and the gate bus generates a loss current in the gate bus and the drain bus in proportion to the amount of voltage change of the drain bus every time the voltage of the drain bus changes, Similarly, the capacitance C DC created between the drain bus and the counter electrode via the layer has a loss current proportional to the amount of voltage change of the drain bus flowing to the drain bus and the counter electrode every time the voltage of the drain bus changes. Generate.

【0062】ここで示す、各表示セル単位に存在するC
GD及びCDCにより発生する電流量はそれほど大きなもの
ではないが、配線全体で考えるとかなり大きな電流であ
るため、ロス電流を短い期間、例えばライン周期にパネ
ル外部に放出するためには、ドレインバス及びゲートバ
ス及び対向電極の低抵抗化を計るとともに、各配線に接
続される外部ドライバの電流容量を大きくしなければな
らない。
The C existing in each display cell unit shown here
Without large so much amount of current generated by GD and C DC, for considering the whole wire is fairly large current, short duration loss current, in order to release, for example, in line periods outside the panel, the drain bus In addition, the resistance of the gate bus and the counter electrode must be reduced, and the current capacity of the external driver connected to each wiring must be increased.

【0063】この実施例においては、隣接するドレイン
バスの極性が異なり、極性変動する時には、隣接するド
レインバスは必ず異なる極性の電圧変動、例えば、一方
が正極性から負極性に変動する場合は、他方が負極性か
ら正極性に変動することになる。よって、1本のゲート
バスライン上の隣接する容量CGD同士、あるいは分割さ
れた1個の対向電極上に隣接する容量CDC同士によって
発生するロス電流は、互いに反対方向に流れる電流であ
るため、ロス電流同士が相殺する傾向を示す。
In this embodiment, the adjacent drain buses have different polarities, and when the polarity fluctuates, the adjacent drain buses necessarily have voltage fluctuations of different polarities. For example, when one of the two fluctuates from positive to negative, The other will change from negative polarity to positive polarity. Therefore, the loss currents generated by adjacent capacitances C GD on one gate bus line or adjacent capacitances C DC on one divided counter electrode are currents flowing in opposite directions. And the loss currents tend to cancel each other.

【0064】このために、1本のゲートライン及びドレ
インバスライン及び各対向電極に流れるロス電流は非常
に小さくなり、各配線の低抵抗化及び各配線に接続され
る外部ドライバの大容量化を計らなくてもよい液晶パネ
ルを提供できるとともに、液晶パネルの大容量、高精細
化に適している。なお、本発明は上記実施例に限定され
るものではなく、本発明の趣旨に基づいて種々の変形が
可能であり、これらを本発明の範囲から排除するもので
はない。
For this reason, the loss current flowing through one gate line, drain bus line, and each counter electrode is extremely small, and the resistance of each wiring is reduced and the capacity of an external driver connected to each wiring is increased. It can provide a liquid crystal panel that does not need to be measured, and is suitable for increasing the capacity and definition of the liquid crystal panel. It should be noted that the present invention is not limited to the above embodiment, and various modifications can be made based on the gist of the present invention, and these are not excluded from the scope of the present invention.

【0065】[0065]

【発明の効果】以上、詳細に説明したように、本発明に
よれば、1本のゲートバスラインに薄膜トランジスタを
介して接続される画素電極群を、ゲートバスライン方向
に交互に千鳥状に配置させ、各対向電極をゲートバスラ
イン方向に並ぶ画素電極群毎に対応させて設け、ゲート
バスライン方向に並ぶその画素電極群を2本のゲートバ
スラインと1個の対向電極により制御する構成にし、各
対向電極に供給されるV COM 電圧をスイッチングする回
路を設け、ドレインバスラインに供給される電圧データ
を、隣接するドレインバスラインで極性が異なり、1走
査ライン周期毎に極性が反転し、かつ正極性と負極性の
該電圧データが互いに反転された電圧情報として供給
し、各対向電極に供給される電圧信号を各対向電極に対
応する画素電極にTFTを介して接続される2本のゲー
トバスラインのうち、先に選択されるゲートバスライン
の書き込みタイミングに同期して変動し、各対向電極に
対応する画素電極群の極性データ及び液晶の閾値に相当
するオフセット電圧及び実効電圧補正電圧を電圧信号と
して供給することにより、液晶セルの平均実効電圧の均
一化とゲートバスライン及びドレインバスラインのスイ
ッチングドライバの低耐電圧化を達成することができ
る。
As described in detail above, the present invention
According to one gate bus line, a thin film transistor
The pixel electrodes connected through the gate bus line direction
Are arranged alternately in a zigzag pattern, and each counter electrode is
A gate is provided corresponding to each pixel electrode group arranged in the in-direction.
The pixel electrode group arranged in the bus line direction is connected to two gate bars.
The configuration is controlled by a line and one counter electrode.
V supplied to the counter electrode COMTime to switch voltage
Voltage data supplied to the drain bus line
With different polarity on adjacent drain bus lines
The polarity is reversed every test line cycle, and the positive and negative polarities
The voltage data is supplied as mutually inverted voltage information
And a voltage signal supplied to each counter electrode is applied to each counter electrode.
Two gates connected to corresponding pixel electrodes via TFTs
Gate bus line selected first
Fluctuates in synchronization with the write timing of
Corresponds to the polarity data of the corresponding pixel electrode group and the liquid crystal threshold
Offset voltage and effective voltage correction voltage
The average effective voltage of the liquid crystal cell.
And switch of gate bus line and drain bus line
Low withstand voltage of the switching driver
You.

【0066】また、この駆動方法は、液晶パネル内の配
線容量によって発生するロス電流の発生も低減できるた
め、大容量、高精細ディスプレイに最適である。更に、
この駆動方法はドレインバスラインにアナログ電圧を入
力した場合にも、同等の効果が得られるため、アクティ
ブマトリクス型薄膜トランジスタ液晶パネルの階調駆動
にも十分適用できる。
Further, this driving method is suitable for a large-capacity, high-definition display because the loss current generated by the wiring capacitance in the liquid crystal panel can be reduced. Furthermore,
This driving method has the same effect even when an analog voltage is input to the drain bus line, and therefore can be sufficiently applied to the gradation driving of the active matrix type thin film transistor liquid crystal panel.

【0067】また、本発明によれば、1本のゲートバス
ラインに薄膜トランジスタを介して接続される、画素電
極群をゲートバスライン方向に配置し、隣接する2本の
ゲートバスラインにTFTを介して接続される画素電極
群において、ゲートバスライン方向に交互に千鳥状に2
本のゲートバスラインから選択した画素電極群に対し
て、1個の波型対向電極を設ける構成にし、各波型対向
電極に供給されるVCOM電圧をスイッチングする回路を
設け、ドレインバスラインに供給される電圧データが、
隣接するドレインバスで極性が異なり、1走査ライン周
期毎で極性が反転し、かつ正極性と負極性の電圧データ
が互いに反転された電圧情報として供給し、各対向電極
に供給される電圧信号が各対向電極に対応する画素電極
にTFTを介して接続される2本のゲートバスラインの
内、先に選択されるゲートバスラインの書き込みタイミ
ングに同期して変動し、各対向電極に対応する画素電極
群の極性データ及び液晶の閾値電圧に相当するオフセッ
ト電圧及び実効電圧補正電圧を含む電圧信号として供給
することにより、液晶セルの平均実効電圧の均一化とゲ
ートバスライン及びドレインバスラインのスイッチング
ドライバの低耐電圧化を達成することができる。
Further, according to the present invention, a pixel electrode group connected to one gate bus line via a thin film transistor is arranged in the gate bus line direction, and two adjacent gate bus lines are connected via the TFT. In the pixel electrode group connected in a staggered manner alternately in the gate bus line direction.
A configuration in which one corrugated counter electrode is provided for a pixel electrode group selected from the gate bus lines, a circuit for switching the VCOM voltage supplied to each corrugated counter electrode is provided, and a drain bus line is provided. The supplied voltage data is
The polarity is different between adjacent drain buses, the polarity is inverted every scan line cycle, and the positive and negative voltage data are supplied as mutually inverted voltage information, and the voltage signal supplied to each counter electrode is Of the two gate bus lines connected via a TFT to the pixel electrode corresponding to each counter electrode, the pixel voltage varies in synchronization with the write timing of the gate bus line selected first and corresponds to the pixel corresponding to each counter electrode. By supplying as a voltage signal including the polarity data of the electrode group and the offset voltage and the effective voltage correction voltage corresponding to the threshold voltage of the liquid crystal, the average effective voltage of the liquid crystal cell is made uniform and the switching driver for the gate bus line and the drain bus line is provided. Can achieve a low withstand voltage.

【図面の簡単な説明】[Brief description of the drawings]

【図1】本発明の実施例を示すアクティブマトリクス型
薄膜トランジスタ液晶パネルの概略斜視図である。
FIG. 1 is a schematic perspective view of an active matrix type thin film transistor liquid crystal panel showing an embodiment of the present invention.

【図2】本発明の実施例を示すアクティブマトリクス型
薄膜トランジスタ液晶パネルの概略構成図である。
FIG. 2 is a schematic configuration diagram of an active matrix type thin film transistor liquid crystal panel showing an embodiment of the present invention.

【図3】本発明の実施例を示すアクティブマトリクス型
薄膜トランジスタ液晶パネルのデータ回路の概略ブロッ
ク図である。
FIG. 3 is a schematic block diagram of a data circuit of an active matrix thin film transistor liquid crystal panel according to an embodiment of the present invention.

【図4】本発明の実施例を示すアクティブマトリクス型
薄膜トランジスタ液晶パネルのドレインバスに供給され
る電圧データのタイミングを示す図である。
FIG. 4 is a diagram showing timing of voltage data supplied to a drain bus of an active matrix type thin film transistor liquid crystal panel according to the embodiment of the present invention.

【図5】本発明の実施例を示すアクティブマトリクス型
薄膜トランジスタ液晶パネルのコモン変動回路の概略ブ
ロック図である。
FIG. 5 is a schematic block diagram of a common variation circuit of an active matrix type thin film transistor liquid crystal panel showing an embodiment of the present invention.

【図6】本発明の実施例を示すアクティブマトリクス型
薄膜トランジスタ液晶パネルのコモン変動回路の第1の
動作タイミングチャートである。
FIG. 6 is a first operation timing chart of a common variation circuit of an active matrix type thin film transistor liquid crystal panel according to an embodiment of the present invention.

【図7】本発明の実施例を示すアクティブマトリクス型
薄膜トランジスタ液晶パネルのコモン変動回路の第2の
動作タイミングチャートである。
FIG. 7 is a second operation timing chart of the common variation circuit of the active matrix thin film transistor liquid crystal panel according to the embodiment of the present invention.

【図8】本発明の実施例を示すアクティブマトリクス型
薄膜トランジスタ液晶パネルの液晶セルの等価回路図で
ある。
FIG. 8 is an equivalent circuit diagram of a liquid crystal cell of an active matrix thin film transistor liquid crystal panel according to an embodiment of the present invention.

【図9】本発明の実施例を示すアクティブマトリクス型
薄膜トランジスタ液晶パネルの等価回路図である。
FIG. 9 is an equivalent circuit diagram of an active matrix type thin film transistor liquid crystal panel showing an embodiment of the present invention.

【図10】本発明の実施例を示す奇数ドレインバスに接
続される薄膜トランジスタの駆動電圧及び画素電圧変化
を示すタイミングチャートである。
FIG. 10 is a timing chart showing a drive voltage and a pixel voltage change of a thin film transistor connected to an odd drain bus according to the embodiment of the present invention.

【図11】本発明の実施例を示す偶数ドレインバスに接
続される薄膜トランジスタの駆動電圧及び画素電圧変化
を示すタイミングチャートである。
FIG. 11 is a timing chart showing a driving voltage and a pixel voltage change of a thin film transistor connected to an even drain bus according to the embodiment of the present invention.

【図12】本発明の他の実施例を示すアクティブマトリ
クス型薄膜トランジスタ液晶パネルの概略構成図であ
る。
FIG. 12 is a schematic configuration diagram of an active matrix type thin film transistor liquid crystal panel showing another embodiment of the present invention.

【図13】従来のアクティブマトリクス型薄膜トランジ
スタ液晶パネルの構成図である。
FIG. 13 is a configuration diagram of a conventional active matrix type thin film transistor liquid crystal panel.

【図14】従来のアクティブマトリクス型薄膜トランジ
スタ液晶パネルの駆動タイミングチャートを示す図であ
る。
FIG. 14 is a diagram showing a drive timing chart of a conventional active matrix type thin film transistor liquid crystal panel.

【図15】従来のTN液晶セルの電気−光学特性を示す
図である。
FIG. 15 is a diagram showing electro-optical characteristics of a conventional TN liquid crystal cell.

【図16】本発明の他の実施例を示すアクティブマトリ
クス型薄膜トランジスタ液晶パネルの概略斜視図であ
る。
FIG. 16 is a schematic perspective view of an active matrix type thin film transistor liquid crystal panel showing another embodiment of the present invention.

【図17】本発明の実施例を示すアクティブマトリクス
型薄膜トランジスタ液晶パネルの対向電極の構成を示す
図である。
FIG. 17 is a diagram showing a configuration of a counter electrode of an active matrix thin film transistor liquid crystal panel according to an embodiment of the present invention.

【図18】本発明の他の実施例のアクティブマトリクス
型薄膜トランジスタ液晶パネルの概略構成図である。
FIG. 18 is a schematic configuration diagram of an active matrix thin film transistor liquid crystal panel according to another embodiment of the present invention.

【図19】本発明の他の実施例のアクティブマトリクス
型薄膜トランジスタ液晶パネルのドレインバスに供給さ
れる電圧データのタイミングを示す図である。
FIG. 19 is a diagram showing timing of voltage data supplied to a drain bus of an active matrix thin film transistor liquid crystal panel according to another embodiment of the present invention.

【図20】本発明の実施例を示すアクティブマトリクス
型薄膜トランジスタ液晶パネルのコモン変動回路を示す
図である。
FIG. 20 is a diagram showing a common variation circuit of an active matrix thin film transistor liquid crystal panel according to an embodiment of the present invention.

【図21】本発明の他の実施例を示すアクティブマトリ
クス型薄膜トランジスタ液晶パネルのコモン変動回路の
第1のタイミングチャートを示す図である。
FIG. 21 is a diagram showing a first timing chart of a common variation circuit of an active matrix type thin film transistor liquid crystal panel according to another embodiment of the present invention.

【図22】本発明の他の実施例を示すアクティブマトリ
クス型薄膜トランジスタ液晶パネルのコモン変動回路の
第2のタイミングチャートを示す図である。
FIG. 22 is a diagram showing a second timing chart of a common variation circuit of an active matrix thin film transistor liquid crystal panel according to another embodiment of the present invention.

【図23】本発明の他の実施例の奇数ドレインバスに接
続されるTFTの駆動電圧及び画素電圧変化を示すタイ
ミングチャートを示す図である。
FIG. 23 is a diagram showing a timing chart showing a drive voltage and a pixel voltage change of a TFT connected to an odd drain bus according to another embodiment of the present invention.

【図24】本発明の他の実施例の偶数ドレインバスに接
続されるTFTの駆動電圧及び画素電圧変化を示すタイ
ミングチャートを示す図である。
FIG. 24 is a diagram showing a timing chart showing changes in a drive voltage and a pixel voltage of a TFT connected to an even drain bus according to another embodiment of the present invention.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

11 ゲートバスライン 12 ドレインバスライン 13 TFT 14 画素電極 15 対向電極 15a 画素電極と対向する部分 15b 対向電極接合部 16 液晶 17 補助容量 18 補助容量線 19 隙間 20 走査回路 30 データ回路 31 データ発生部 32 データ反転部A 33 データ反転部B 34 データ出力部A 35 データ出力部B 40 コモン変動回路 41 シフトレジスタ部A 42,45 電圧増幅部 43 ドライバ部A 44 シフトレジスタ部B 46 ドライバ部B DESCRIPTION OF SYMBOLS 11 Gate bus line 12 Drain bus line 13 TFT 14 Pixel electrode 15 Counter electrode 15a Portion facing pixel electrode 15b Counter electrode junction 16 Liquid crystal 17 Auxiliary capacitance 18 Auxiliary capacitance line 19 Gap 20 Scanning circuit 30 Data circuit 31 Data generation unit 32 Data inverting section A 33 Data inverting section B 34 Data output section A 35 Data output section B 40 Common variation circuit 41 Shift register section A 42, 45 Voltage amplifying section 43 Driver section A 44 Shift register section B 46 Driver section B

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.7 識別記号 FI G09G 3/20 624 G09G 3/20 624C (72)発明者 高橋 敦 東京都港区虎ノ門1丁目7番12号 沖電 気工業株式会社内 (72)発明者 千葉 巳生 東京都港区虎ノ門1丁目7番12号 沖電 気工業株式会社内 (56)参考文献 特開 平2−7780(JP,A) 特開 平5−134629(JP,A) 特開 平4−309926(JP,A) 特開 昭61−173290(JP,A) 特開 平4−124616(JP,A) 特開 平5−27710(JP,A) 特開 平5−341729(JP,A) 特開 平5−341730(JP,A) 特開 昭56−91275(JP,A) (58)調査した分野(Int.Cl.7,DB名) G09G 3/00 - 3/38 G02F 1/133 505 - 580 ────────────────────────────────────────────────── ─── Continued on the front page (51) Int.Cl. 7 Identification symbol FI G09G 3/20 624 G09G 3/20 624C (72) Inventor Atsushi Takahashi 1-7-12 Toranomon, Minato-ku, Tokyo Oki Electric Industry Inside (72) Inventor Mio Chiba 1-7-12 Toranomon, Minato-ku, Tokyo Oki Electric Industry Co., Ltd. (56) References JP-A-2-7780 (JP, A) JP-A-5- 134629 (JP, A) JP-A-4-309926 (JP, A) JP-A-61-173290 (JP, A) JP-A-4-124616 (JP, A) JP-A-5-27710 (JP, A) JP-A-5-341729 (JP, A) JP-A-5-341730 (JP, A) JP-A-56-91275 (JP, A) (58) Fields investigated (Int. Cl. 7 , DB name) G09G 3/00-3/38 G02F 1/133 505-580

Claims (5)

(57)【特許請求の範囲】(57) [Claims] 【請求項1】 背面基板上に直交配置されるゲートバス
ラインとドレインバスラインを設け、前記ゲートバスラ
インとドレインバスラインの交点に各画素電極に対応し
て薄膜トランジスタを設け、前面基板上に透明な対向電
極を設け、前記背面基板と前面基板の表面に適当な方向
に配向処理された配向膜を設け、両基板の配向膜同士を
液晶層を介して対向配置させて貼り合わせ、かつ前記背
面基板と前面基板の背面に偏光膜を貼り付けたアクティ
ブマトリクス型薄膜トランジスタ液晶パネルの駆動方法
において、 1本のゲートバスラインに薄膜トランジスタを介して接
続される画素電極群をゲートバスライン方向に交互に千
鳥状に配置させ、隣接する2本のゲートバスラインに対
応する1部分の画素電極によりゲートバスライン方向の
画素電極群を構成し、ゲートバスライン方向に並ぶ画素
電極群に対して対向電極を1個設け、各対向電極をスイ
ッチングする回路を設け、隣接するドレインバスライン
の電圧データの極性が異なり、1走査ライン周期毎に該
電圧データの極性が反転し、かつ正極性と負極性の該電
圧データが互いに反転された電圧を示す電圧信号を、各
ドレインバスラインに供給し、各対向電極に対応する画
素電極に薄膜トランジスタを介して接続される隣接した
2本のゲートバスラインにおいて、先に選択されるゲー
トバスラインの書き込みタイミングに同期して変動し、
かつ各対向電極に対応する画素電極群の極性データ及び
液晶の閾値電圧に相当するオフセット電圧及び実効電圧
補正電圧を含む電圧信号を各対向電極に供給し、ゲート
バスラインに選択信号を供給することにより各画素電極
に電圧書き込みを行うことを特徴とするアクティブマト
リクス型薄膜トランジスタ液晶パネルの駆動方法。
A gate bus line and a drain bus line which are orthogonally arranged on a rear substrate; a thin film transistor corresponding to each pixel electrode is provided at an intersection of the gate bus line and the drain bus line; Provided on the surfaces of the rear substrate and the front substrate, an alignment film oriented in an appropriate direction is provided, and the alignment films of both substrates are attached to each other via a liquid crystal layer so as to be bonded to each other. In a method of driving an active matrix type thin film transistor liquid crystal panel in which a polarizing film is attached to a back surface of a substrate and a front substrate, pixel electrodes connected to one gate bus line via a thin film transistor are alternately staggered in the gate bus line direction. Pixel electrodes in the gate bus line direction by a portion of the pixel electrodes corresponding to two adjacent gate bus lines. A group is formed, one counter electrode is provided for the pixel electrode group arranged in the gate bus line direction, a circuit for switching each counter electrode is provided, and the polarity of voltage data of adjacent drain bus lines is different, and one scanning line is provided. A voltage signal indicating a voltage in which the polarity of the voltage data is inverted in each cycle and the voltage data of the positive polarity and the negative polarity is inverted to each other is supplied to each drain bus line, and a pixel electrode corresponding to each counter electrode is provided. Fluctuates in synchronism with the write timing of the previously selected gate bus line in two adjacent gate bus lines connected via a thin film transistor to
And supplying a voltage signal including a polarity data of a pixel electrode group corresponding to each counter electrode, an offset voltage corresponding to a threshold voltage of the liquid crystal, and an effective voltage correction voltage to each counter electrode, and a selection signal to a gate bus line. A method for driving an active matrix type thin film transistor liquid crystal panel, wherein voltage writing is performed on each pixel electrode by the following method.
【請求項2】 前記画素電極と隣接するドレインバスラ
インとの間に存在する容量CDP1 とCDP2 を含むインピ
ーダンス成分を等しくし、動作させることを特徴とする
請求項1記載のアクティブマトリクス型薄膜トランジス
タ液晶パネルの駆動方法。
2. The active matrix type thin film transistor according to claim 1, wherein impedance components including capacitances C DP1 and C DP2 existing between said pixel electrode and an adjacent drain bus line are made equal to operate. How to drive a liquid crystal panel.
【請求項3】 前記画素電極と対向電極との間の液晶容
量CLCに対して電気的に並列に補助容量CS を設けて動
作させることを特徴とする請求項1記載のアクティブマ
トリクス型薄膜トランジスタ液晶パネルの駆動方法。
3. The active matrix thin film transistor according to claim 1, wherein an auxiliary capacitor CS is provided electrically in parallel with the liquid crystal capacitor CLC between the pixel electrode and the counter electrode to operate. How to drive a liquid crystal panel.
【請求項4】 背面基板上に直交配置されるゲートバス
ラインとドレインバスラインを設け、前記ゲートバスラ
インとドレインバスラインの交点に各画素電極に対応し
て薄膜トランジスタを設け、前面基板上に透明な対向電
極を設け、前記背面基板と前面基板の表面に適当な方向
に配向処理された配向膜を設け、両基板の配向膜同士を
液晶層を介して対向配置させ貼り合わせ、かつ前記背面
基板と前面基板の背面に偏光膜を貼り付けたアクティブ
マトリクス型薄膜トランジスタ液晶パネルの駆動方法に
おいて、 1本のゲートバスラインに薄膜トランジスタを介して接
続される画素電極群をゲートバスライン方向に配置し、
隣接する2本のゲートバスラインに薄膜トランジスタを
介して接続される画素電極群において、ゲートバスライ
ン方向に交互に千鳥状に2本のラインから選択した画素
電極群に対して、1個の波型対向電極を設け、各波型対
向電極をスイッチングする回路を設け、隣接するドレイ
ンバスラインの電データの極性が異なり、1走査ライ
ン周期毎に該電圧データの極性が反転し、かつ正極性と
負極性の該電圧データが互いに反転された電圧を示す電
圧信号を各ドレインバスラインに供給し、各対向電極に
対応する画素電極に薄膜トランジスタを介して接続され
る隣接した2本のゲートバスラインにおいて、先に選択
されるゲートバスラインの書き込みタイミングに同期し
て変動し、かつ各対向電極に対応する画素電極群の極性
データ及び液晶の閾値電圧に相当するオフセット電圧及
び実効電圧補正電圧を含む電圧信号を各対向電極に供給
し、ゲートバスラインに選択信号を供給することにより
各画素電極に電圧書き込みを行うことを特徴とするアク
ティブマトリクス型薄膜トランジスタ液晶パネルの駆動
方法。
4. A gate bus line and a drain bus line which are orthogonally arranged on a rear substrate, thin film transistors are provided corresponding to respective pixel electrodes at intersections of the gate bus lines and the drain bus lines, and transparent on the front substrate. Provided on the surface of the rear substrate and the front substrate, an alignment film oriented in an appropriate direction is provided on the surfaces of the rear substrate and the front substrate, and the alignment films of the two substrates are arranged so as to face each other via a liquid crystal layer and bonded to each other. And a method of driving an active matrix type thin film transistor liquid crystal panel having a polarizing film attached to the back surface of the front substrate, wherein a group of pixel electrodes connected to one gate bus line via the thin film transistor is arranged in the gate bus line direction,
In a pixel electrode group connected to two adjacent gate bus lines via a thin film transistor, one wave shape is selected for a pixel electrode group selected from two lines alternately in a staggered manner in the gate bus line direction. the counter electrode is provided, each corrugated counter electrode provided a circuit for switching, different polarities of voltage data of adjacent drain bus lines, 1 inverts the polarity of the voltage data to the scan lines for each cycle, and the positive polarity and A voltage signal indicating a voltage obtained by inverting the voltage data of the negative polarity is supplied to each drain bus line, and two adjacent gate bus lines connected to a pixel electrode corresponding to each counter electrode via a thin film transistor. , The polarity data of the pixel electrode group corresponding to each counter electrode and the liquid crystal data which fluctuates in synchronization with the write timing of the gate bus line selected earlier. An active matrix, wherein a voltage signal including an offset voltage corresponding to a value voltage and an effective voltage correction voltage is supplied to each counter electrode, and a selection signal is supplied to a gate bus line to write a voltage to each pixel electrode. Method of driving a thin film transistor liquid crystal panel.
【請求項5】 前記画素電極と隣接するドレインバスラ
インとの間に存在する容量CDP1 とCDP2 を含むインピ
ーダンス成分を等しくし、動作させることを特徴とする
請求項4記載のアクティブマトリクス型薄膜トランジス
タ液晶パネルの駆動方法。
5. The active matrix type thin film transistor according to claim 4, wherein impedance components including capacitances C DP1 and C DP2 existing between said pixel electrode and an adjacent drain bus line are equalized and operated. How to drive a liquid crystal panel.
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