JP3119942B2 - Driving method of active matrix type thin film transistor liquid crystal panel - Google Patents

Driving method of active matrix type thin film transistor liquid crystal panel

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JP3119942B2
JP3119942B2 JP04195295A JP19529592A JP3119942B2 JP 3119942 B2 JP3119942 B2 JP 3119942B2 JP 04195295 A JP04195295 A JP 04195295A JP 19529592 A JP19529592 A JP 19529592A JP 3119942 B2 JP3119942 B2 JP 3119942B2
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Description

【発明の詳細な説明】DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【0001】[0001]

【産業上の利用分野】本発明は、アクティブマトリクス
型薄膜トランジスタ液晶パネルの駆動方法に関するもの
である。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a method for driving an active matrix type thin film transistor liquid crystal panel.

【0002】[0002]

【従来の技術】従来、このような分野の技術としては、
例えば、テレビジョン学会誌 Vol.42、No.
1,P.10〜16及びP.23〜29に記載されるも
のがあった。
2. Description of the Related Art Conventionally, techniques in such a field include:
For example, the Journal of the Institute of Television Engineers of Japan Vol. 42, No.
1, P. 10 to 16 and P.E. 23-29.

【0003】従来、アクティブマトリクス型液晶パネ
ル、特に薄膜トランジスタを利用したもの(TFT−L
CD)の駆動方法は、その交流化方法の違いにより、数
種類の異なった手法が用いられているが、電圧供給方法
の概念は同様のものである。そこで代表的な例として、
走査周期毎に交流化を行なう駆動方法(以後、フレーム
モードという)について説明する。
Conventionally, active matrix type liquid crystal panels, especially those using thin film transistors (TFT-L
Although several different methods are used for the drive method of the CD) due to the difference in the AC conversion method, the concept of the voltage supply method is the same. So as a typical example,
A description will be given of a driving method (hereinafter, referred to as a frame mode) for performing an alternating operation for each scanning cycle.

【0004】図12はかかる従来のアクティブマトリク
ス型薄膜トランジスタ液晶パネルの構成図、図13はそ
の駆動タイミングチャートを示す。
FIG. 12 is a configuration diagram of such a conventional active matrix type thin film transistor liquid crystal panel, and FIG. 13 is a driving timing chart thereof.

【0005】図に示すように、アクティブマトリクス型
薄膜トランジスタ液晶パネルは、一般に背面基板上にゲ
ートバスライン51とドレインバスライン52を直交配
置して、その交点に各画素電極に対応したスイッチング
素子として薄膜トランジスタ(TFT)53を設け、前
面基板上に透明な対向電極54を設け、両基板の表面に
適当な方向に配向処理された配向膜を設け、両基板の配
向膜を液晶層を介して対向配置させて貼り合わせ、かつ
前面基板と背面基板の背面に、互いの偏光軸が平行ある
いは垂直になるように偏光膜を貼り付けた構成にし、T
FT53を介して供給される画素電極の電圧と対向電極
54の電圧との電位差により、両電極に挟まれた部分の
液晶55をスイッチングするものである。
As shown in the figure, an active matrix thin film transistor liquid crystal panel generally has a gate bus line 51 and a drain bus line 52 arranged orthogonally on a rear substrate, and a thin film transistor as a switching element corresponding to each pixel electrode at the intersection. (TFT) 53 is provided, a transparent counter electrode 54 is provided on the front substrate, and an alignment film that has been subjected to an alignment treatment in an appropriate direction is provided on the surfaces of both substrates, and the alignment films of both substrates are arranged to face each other via a liquid crystal layer. And a polarizing film is stuck on the back surface of the front substrate and the back substrate such that their polarization axes are parallel or perpendicular to each other.
The liquid crystal 55 in a portion sandwiched between the two electrodes is switched by a potential difference between the voltage of the pixel electrode supplied through the FT 53 and the voltage of the counter electrode 54.

【0006】TFTのスイッチング手段として、ゲート
バスライン51には走査回路60が、ドレインバスライ
ン52にはデータ回路70が接続され、そのTFT53
のゲート選択信号として走査回路60からON電圧V
G(+),OFF電圧VG(-)が、TFT53のドレイン選択
及び輝度データ信号として、データ回路70から正極性
の書き込み電圧VD(+),負極性の書き込み電圧VD(-)
供給される。
As a TFT switching means, a scanning circuit 60 is connected to the gate bus line 51 and a data circuit 70 is connected to the drain bus line 52.
From the scanning circuit 60 as an ON voltage V
G (+), OFF voltage V G (-) is, as a drain selection and luminance data signals TFT 53, from the data circuit 70 positive write voltage V D (+), negative write voltage V D (-) is Supplied.

【0007】TFT53により書き込まれた画素電極の
電圧VS は、図13に示すように、その電圧保持状態に
おいて、2度の電圧変動を起こす。第1にTFT53の
ゲート選択信号がON状態からOFF状態に変化する際
に、前記選択信号が供給されるTFT53に接続される
画素電極の電圧VS は、該TFT53の寄生容量CgS
より、ΔV1 だけ変動する。
As shown in FIG. 13, the voltage V S of the pixel electrode written by the TFT 53 fluctuates twice in the voltage holding state. First, when the gate selection signal of the TFT 53 changes from the ON state to the OFF state, the voltage V S of the pixel electrode connected to the TFT 53 to which the selection signal is supplied becomes ΔV due to the parasitic capacitance C gS of the TFT 53. It fluctuates by one.

【0008】第2にデータ信号が書き込み時の極性と反
対の極性に変化する時に、画素電極とドレインバスライ
ン52との間の電界効果によってΔV2 だけ変動する。
このために、画素電極と対向電極との間の電位差が画素
電極の電圧VS の変動に対して、正極性の書き込み時と
負極性の書き込み時とで均等になるように、対向電極に
対して電圧VCOM が供給される。
Second, when the data signal changes to the polarity opposite to the polarity at the time of writing, it changes by ΔV 2 due to the electric field effect between the pixel electrode and the drain bus line 52.
Therefore, with respect to fluctuation potential difference of the voltage V S of the pixel electrode between the pixel electrode and the counter electrode, so that the uniformly between the time of the positive polarity writing during the negative polarity writing, to the counter electrode To supply the voltage VCOM .

【0009】図14に2枚の偏光膜の偏光軸を平行にな
るように貼り付けた構成にした場合のTN液晶セルの電
気−光学特性を示す。
FIG. 14 shows the electro-optical characteristics of a TN liquid crystal cell in a case where two polarizing films are bonded so that their polarization axes are parallel.

【0010】アクティブマトリクス型薄膜トランジスタ
液晶パネルに使用されるTN液晶セルは、画素電極と対
向電極との電位差に対して、光透過率が急激に増加する
閾値電圧VTHと光透過率の変動が無くなる飽和電圧V
SAT が存在し、VTH〜VSAT の電圧範囲ΔVにおいて
は、電圧変動が光透過率の変化を示す。このため、完全
なON状態を達成するには、正極性においてはVSAT
S −VCOM 、負極性においてはVSAT <VCOM −VS
の電圧条件に設定し、完全なOFF状態を達成するに
は、正極性においてはVTH>VS −VCOM 、負極性にお
いてはVTH>VCOM −VS の電圧条件に設定することに
より、液晶セルのスイッチングができるものである。
In a TN liquid crystal cell used in an active matrix type thin film transistor liquid crystal panel, there is no change in the threshold voltage V TH at which the light transmittance sharply increases and the light transmittance with respect to the potential difference between the pixel electrode and the counter electrode. Saturation voltage V
SAT exists, and in a voltage range ΔV from V TH to V SAT , a voltage fluctuation indicates a change in light transmittance. Therefore, to achieve a complete ON state, V SAT <
V S −V COM , and V SAT <V COM −V S for negative polarity
Set voltage conditions, to achieve complete OFF state, V TH> V S -V COM in positive polarity, by setting the voltage condition of V TH> V COM -V S is in the negative polarity And a liquid crystal cell can be switched.

【0011】[0011]

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、以上述
べた駆動方法においては、画素電極にデータ信号が書き
込まれてから、ドレインバスラインの電圧極性が反転す
るまでの時間が異なる場合、例えば走査回路によって選
択される第1のゲートバスラインと、第Nのゲートバス
ラインにそれぞれTFTを介して接続される画素電極の
電圧VS を比較すると、画素電極とドレインバスライン
との間の電界効果によって、ΔV2 だけ電圧が変動する
期間が異なるため、液晶層にかかる走査周期毎の平均実
効電圧が異なり、光透過率の相違が発生する。
However, in the above-described driving method, when the time from when the data signal is written to the pixel electrode to when the voltage polarity of the drain bus line is inverted is different, for example, the scanning circuit is used. When the voltage V S of the pixel electrode connected to the selected first gate bus line and the N-th gate bus line via the TFT is compared, the electric field effect between the pixel electrode and the drain bus line indicates that Since the period during which the voltage fluctuates by ΔV 2 is different, the average effective voltage applied to the liquid crystal layer in each scanning cycle is different, resulting in a difference in light transmittance.

【0012】また、液晶層のスイッチングには、画素電
極と対向電極との間にΔVの電圧変動を発生させるだけ
で十分であるが、対向電極の電圧を固定し、画素電極の
電圧を正極性と負極性に変動させるため、ドレインバス
ラインのドライバにVSAT ×2〔(VTH+ΔV)×2に
相当〕のスイッチング電圧が必要となり、ΔV+VTH×
2の電圧分だけ余分なスイッチング電圧が必要となり、
ドライバの低耐圧化の障害となっていた。
Although it is sufficient for the switching of the liquid crystal layer to generate a voltage change of ΔV between the pixel electrode and the counter electrode, the voltage of the counter electrode is fixed and the voltage of the pixel electrode is changed to the positive polarity. And a switching voltage of V SAT × 2 (equivalent to (V TH + ΔV) × 2) is required for the driver of the drain bus line, and ΔV + V TH ×
An extra switching voltage is required for the voltage of 2,
This was an obstacle to lowering the withstand voltage of the driver.

【0013】本発明の目的は、以上述べた液晶層にかか
る走査周期毎の平均実効電圧のばらつきと、ドレインバ
スラインにかかる余分なスイッチング電圧VTH×2+Δ
Vを減少あるいは無くすために、1本のゲートバスライ
ンにTFTを介して接続される画素電極群をゲートバス
ライン方向に交互に千鳥状に配置させ、ゲートバスライ
ン方向に並ぶ画素電極群を2本のゲートバスラインによ
り制御する構成にし、各対向電極をゲートバスライン方
向に並ぶ該画素電極群毎に対応させて設け、かつ隣接す
るドレインバス同士及び隣接する対向電極同士が異なる
極性を示し、1走査ライン周期の2倍の周期毎にそれぞ
れの極性が反転する交流化手法により、前記平均実効電
圧のばらつきを無くし、また各ドレインバスラインに供
給される正極性と負極性のデータが互いに反転された電
圧情報として供給されるデータ構成にし、各対向電極に
同等の電圧振幅を有し、該電圧振幅により書き込み電圧
を補い、ドレインバスライン及びゲートバスラインのス
イッチングドライバの低耐圧化を達成する優れたアクテ
ィブマトリクス型薄膜トランジスタ液晶パネルの駆動方
法を提供することにある。
An object of the present invention is to provide the above-described variation in the average effective voltage of the liquid crystal layer in each scanning cycle and the extra switching voltage V TH × 2 + Δ applied to the drain bus line.
In order to reduce or eliminate V, pixel electrode groups connected to one gate bus line via TFTs are alternately arranged in a staggered manner in the gate bus line direction, and two pixel electrode groups arranged in the gate bus line direction are arranged in a staggered manner. In the configuration controlled by the gate bus line, each counter electrode is provided corresponding to each pixel electrode group arranged in the gate bus line direction, and adjacent drain buses and adjacent counter electrodes have different polarities, The alternating method in which the respective polarities are inverted every twice the scanning line period eliminates variations in the average effective voltage, and the positive and negative data supplied to each drain bus line are inverted. The data configuration is provided as voltage information, and each counter electrode has the same voltage amplitude, and the write voltage is supplemented by the voltage amplitude. It is to provide an excellent method of driving an active matrix type thin film transistor liquid crystal panel to achieve the lowering of the withstand voltage of the switching driver Surain and the gate bus line.

【0014】また、本発明の他の目的は、1本のゲート
バスラインにTFTを介して接続される画素電極群をラ
イン方向に配置し、隣接する2本のゲートバスラインに
TFTを介して接続される画素電極群において、ゲート
バスライン方向に交互に千鳥状に2本のゲートバスライ
ンから選択した画素電極群に対して、1個の波型対向電
極を設ける構成にし、かつ隣接するドレインバスライン
同士及び隣接する対向電極同士が異なる極性を示し、1
走査ライン周期の2倍の周期毎にそれぞれの極性が反転
する交流化手法により、前記平均実効電圧のばらつきを
無くし、また各ドレインバスラインに供給される正極性
と負極性のデータが互いに反転された電圧情報として供
給されるデータ構成にし、各対向電極に同等の電圧振幅
を有し、該電圧振幅により書き込み電圧を補い、ドレイ
ンバスラインのスイッチングドライバの低耐圧化を達
成する優れたアクティブマトリクス型薄膜トランジスタ
液晶パネルの駆動方法を提供することを目的とする。
Another object of the present invention is to dispose a group of pixel electrodes connected to one gate bus line via a TFT in a line direction, and to connect two adjacent gate bus lines to each other via a TFT. In the pixel electrode group to be connected, one corrugated counter electrode is provided for a pixel electrode group selected from two gate bus lines alternately in a staggered manner in the gate bus line direction, and an adjacent drain The bus lines and the adjacent counter electrodes have different polarities.
The alternating method in which the respective polarities are inverted every two times the scanning line period eliminates the variation in the average effective voltage, and the positive and negative data supplied to each drain bus line are inverted with each other. active that the data structure is supplied as a voltage information, the respective counter electrode has the same voltage amplitude, compensate the write voltage by the voltage amplitude, with excellent achieving low resistance conductive pressurization switching driver drain bus line An object of the present invention is to provide a method of driving a matrix type thin film transistor liquid crystal panel.

【0015】[0015]

【課題を解決するための手段】本発明は、上記目的を達
成するために、背面基板上に直交配置されるゲートバス
ラインとドレインバスラインを設け、前記ゲートバスラ
インとドレインバスラインの交点に各画素電極に対応し
た薄膜トランジスタを設け、前面基板上に透明な対向電
極を設け、前記背面基板と前面基板の表面に適当な方向
に配向処理された配向膜を設け、両基板の配向膜同士
を、液晶層を介して対向配置させ貼り合わせ、かつ前記
背面基板と前面基板の背面に偏光膜を貼り付けたアクテ
ィブマトリクス型薄膜トランジスタ液晶パネルの駆動方
法において、1本のゲートバスラインに薄膜トランジス
タを介して接続される画素電極群をゲートバスライン方
向に交互に千鳥状に配置させ、当該1本のゲートバスラ
インに接続される奇数番目の 画素電極群と当該ゲートバ
スラインに隣接するゲートバスラインに接続される偶数
番目の画素電極群によりゲートバスライン方向に一列に
配列される画素電極群を構成し、ゲートバスライン方向
に一列に配列された当該画素電極群に対向して対向電極
を1個設け、複数個設けられた対向電極の内奇数番目
の対向電極同士及び偶数番目の対向電極同士をそれぞれ
接続し、奇数番目の対向電極群及び偶数番目の対向電極
をそれぞれスイッチングする回路を設け、隣接するド
レインバスラインの電圧データの極性が異なり、1走査
ライン周期の2倍の周期に該電圧データの極性が反転
し、かつ正極性と負極性の該電圧データが互いに反転さ
れた電圧を示す電圧信号を、各ドレインバスラインに供
給し、隣接する対向電極の極性が異なり、各対向電極に
対応する画素電極群の極性データ及び液晶の閾値電圧に
相当するオフセット電圧及び実効電圧補正電圧を含む電
圧信号を各対向電極に供給し、ゲートバスラインの選択
信号により画素電極に電圧書き込みを行うようにしたも
のである。
In order to achieve the above object, the present invention provides a gate bus line and a drain bus line which are orthogonally arranged on a rear substrate, and at an intersection of the gate bus line and the drain bus line. A thin-film transistor corresponding to each pixel electrode is provided, a transparent counter electrode is provided on the front substrate, an alignment film that has been subjected to an alignment treatment in an appropriate direction is provided on the surfaces of the back substrate and the front substrate, and the alignment films of both substrates are separated from each other. In a method of driving an active matrix type thin film transistor liquid crystal panel in which a liquid crystal layer is opposed to each other and bonded to each other, and a polarizing film is bonded to the back surface of the rear substrate and the front substrate, a single gate bus line is provided with a thin film transistor through a thin film transistor. the pixel electrode group connected to staggered alternately to the gate bus line direction, Getobasura the one
Odd-numbered pixel electrode groups connected to
Even number connected to the gate bus line adjacent to the line
Th in a row to the gate bus line direction by the pixel electrode group
A pixel electrode group to be arranged is formed, and the gate bus line direction
Opposite to the pixel electrode group arranged in a row in the provided one counter electrode, the odd-numbered of the plurality provided counter electrode of the counter electrode and between the even-numbered counter electrode between the respectively connected, odd A circuit is provided for switching the first counter electrode group and the even-numbered counter electrode group , respectively. The polarity of the voltage data of the adjacent drain bus lines is different, and the polarity of the voltage data is inverted twice as long as one scanning line period. And a voltage signal indicating a voltage obtained by inverting the voltage data of the positive polarity and the negative polarity to each other is supplied to each drain bus line, and the polarity of the adjacent counter electrode is different, and the pixel electrode group corresponding to each counter electrode is provided. And a voltage signal including an offset voltage and an effective voltage correction voltage corresponding to the threshold voltage of the liquid crystal and the threshold voltage of the liquid crystal. It is obtained to perform the voltage writing.

【0016】また、1本のゲートバスラインに薄膜トラ
ンジスタを介して接続される画素電極群をゲートバスラ
イン方向に一列に配置させ、隣接する2本のゲートバス
ラインに薄膜トランジスタを介して接続される2列の
素電極群において当該2本のゲートバスラインの内の一
方のゲートバスラインに接続される奇数番目の画素電極
群と他方のゲートバスラインに接続される偶数番目の画
素電極群に対向して1個の波型対向電極を設ける構成に
し、かつ隣接しない波型対向電極同士を接続し、それぞ
スイッチングする回路を設け、隣接するドレインバ
スラインの電圧データの極性が異なり、1走査ライン周
期の2倍の周期に該電圧データの極性が反転し、かつ正
極性と負極性の該電圧データが互いに反転された電圧を
示す電圧信号を、各ドレインバスラインに供給し、隣接
する対向電極の極性が異なり、かつ各対向電極に対応す
る画素電極群の極性データ及び液晶の閾値電圧に相当す
るオフセット電圧及び実効電圧補正電圧を含む電圧信号
を各対向電極に供給し、ゲートバスラインの選択信号に
より画素電極に電圧書き込みを行うようにしたものであ
る。
[0016] 2 is arranged a single pixel electrode group connected through the thin film transistor to the gate bus lines in a line in the gate bus line direction, it is connected via a thin film transistor adjacent two gate bus lines One of the two gate bus lines in the pixel electrode group of the column.
Odd-numbered pixel electrodes connected to one gate bus line
Group and the even-numbered picture connected to the other gate bus line
To face the pixel electrode group to be provided with a single corrugated counter electrode, and is connected non-adjacent corrugated counter electrode to each other, respectively a circuit for switching provided, the polarity of the voltage data of the adjacent drain bus lines In contrast, a voltage signal indicating a voltage in which the polarity of the voltage data is inverted and the voltage data of the positive polarity and the polarity data of the negative polarity are inverted to each other twice in one scan line cycle is supplied to each drain bus line. A voltage signal including an offset voltage and an effective voltage correction voltage corresponding to the polarity data of the pixel electrode group corresponding to each of the opposed electrodes and the threshold voltage of the liquid crystal, and the polarity of the adjacent opposed electrodes being different, is supplied to each of the opposed electrodes. The voltage writing is performed on the pixel electrode by the selection signal of the gate bus line.

【0017】[0017]

【作用】本発明によれば、上記したように、1本のゲー
トバスラインにTFTを介して接続される画素電極群を
ゲートバスライン方向に交互に千鳥状に配置させ、ゲー
トバスライン方向に並ぶ画素電極群を2本のゲートバス
ラインにより制御する構成にし、各対向電極をゲートバ
スライン方向に並ぶ該画素電極群毎に対応させて設け、
隣接するドレインバス同士及び隣接する対向電極同士が
異なる極性を示し、かつ1走査ライン周期の2倍の周期
毎にそれぞれの極性が反転する交流化手法により、液晶
層にかかる平均実効電圧のばらつきを無くし、また、各
ドレインバスラインに供給される正極性と負極性のデー
タが互いに反転された電圧情報として供給され、かつ各
対向電極に同等の電圧振幅を有し、該電圧振幅により、
書き込み電圧を補うことにより、ドレインバスラインに
かかる余分なスイッチング電圧を無くすことができる。
According to the present invention, as described above, a group of pixel electrodes connected to one gate bus line via a TFT are alternately arranged in a staggered manner in the gate bus line direction. A configuration in which the pixel electrode groups arranged in a row is controlled by two gate bus lines, and each counter electrode is provided in correspondence with each pixel electrode group arranged in the gate bus line direction,
The variation of the average effective voltage applied to the liquid crystal layer can be reduced by an alternating method in which adjacent drain buses and adjacent counter electrodes have different polarities, and each polarity is inverted every twice the scanning line period. In addition, the data of the positive polarity and the data of the negative polarity supplied to each drain bus line are supplied as inverted voltage information, and have the same voltage amplitude to each counter electrode.
By supplementing the write voltage, an extra switching voltage applied to the drain bus line can be eliminated.

【0018】あるいは、1本のゲートバスラインにTF
Tを介して接続される画素電極群をライン方向に配置
し、隣接する2本のゲートバスラインにTFTを介して
接続される画素電極群からゲートバスライン方向に交互
に千鳥状に選択した画素電極群に対して、1個の波型対
向電極を設ける構成にし、隣接するドレインバスライン
同士及び隣接する対向電極同士が異なる極性を示し、か
つ1走査ライン周期の2倍の周期毎にそれぞれの極性が
反転する交流化手法により、液晶層にかかる平均実効電
圧のばらつきを無くし、また、各ドレインバスラインに
供給される正極性と負極性のデータが互いに反転された
電圧情報として供給され、かつ各対向電極に同等の電圧
振幅を有し、該電圧振幅により書き込み電圧を補うこと
により、トレインバスにかかる余分なスイッチング電圧
を無くすことができる。
Alternatively, TF is connected to one gate bus line.
A pixel electrode group connected via T is arranged in the line direction, and pixels are alternately selected in a staggered manner in the gate bus line direction from the pixel electrode group connected via TFT to two adjacent gate bus lines. A configuration in which one corrugated counter electrode is provided for the electrode group, adjacent drain bus lines and adjacent counter electrodes have different polarities, and each of the drain bus lines has a different polarity every two scanning cycle periods By the alternating method in which the polarity is inverted, the dispersion of the average effective voltage applied to the liquid crystal layer is eliminated, and the positive and negative data supplied to each drain bus line are supplied as mutually inverted voltage information, and Each counter electrode has the same voltage amplitude, and by supplementing the write voltage with the voltage amplitude, it is possible to eliminate an extra switching voltage applied to the train bus. .

【0019】したがって、液晶セルの平均実効電圧の均
一化と、ドレインバスライン及びゲートバスラインのス
イッチングドライバの低耐電圧化を達成することができ
る。
Therefore, the average effective voltage of the liquid crystal cell can be made uniform, and the withstand voltage of the switching driver for the drain bus line and the gate bus line can be reduced.

【0020】更に、この駆動方法は、ドレインバスライ
ンにアナログ電圧を入力した場合にも、同等の効果が得
られるため、アクティブマトリクス型薄膜トランジスタ
液晶パネルの階調駆動にも十分適用できる。
Furthermore, this driving method has the same effect even when an analog voltage is input to the drain bus line, and therefore can be sufficiently applied to gradation driving of an active matrix thin film transistor liquid crystal panel.

【0021】[0021]

【実施例】以下、本発明の実施例について図面を参照し
ながら詳細に説明する。
Embodiments of the present invention will be described below in detail with reference to the drawings.

【0022】図1は本発明の実施例を示すアクティブマ
トリクス型薄膜トランジスタ液晶パネルの概略斜視図で
ある。
FIG. 1 is a schematic perspective view of an active matrix type thin film transistor liquid crystal panel according to an embodiment of the present invention.

【0023】この図に示すように、透明な背面基板上
に、ゲートバスライン11とドレインバスライン12と
を直交して配置して、その交点にTFT13を設け、個
別の表示セルに対応する透明な画素電極14に接続す
る。そして1本のゲートバスライン11にTFT13を
介して接続される画素電極14群をゲートバスライン方
向に交互に千鳥状に配置し、隣接する2本のゲートバス
ライン11によってゲートバスライン方向にライン状に
並ぶ画素電極14群をスイッチングする構成にする。更
に前記背面基板上に適当な方向に配向処理された配向膜
を設ける。
As shown in FIG. 1, a gate bus line 11 and a drain bus line 12 are arranged orthogonally on a transparent rear substrate, and a TFT 13 is provided at the intersection between the gate bus line 11 and the drain bus line 12. Connected to the pixel electrode 14. Then, a group of pixel electrodes 14 connected to one gate bus line 11 via the TFT 13 are alternately arranged in a staggered manner in the gate bus line direction, and two adjacent gate bus lines 11 form a line in the gate bus line direction. The pixel electrodes 14 arranged in a line are switched. Further, an alignment film that has been subjected to an alignment treatment in an appropriate direction is provided on the back substrate.

【0024】一方、透明な前面基板上に画素電極14
のライン数と同数にライン状に分割された透明な対向電
極15を設け、かつ奇数ドレインバスライン12に該当
する対向電極15同士及び偶数ドレインバスライン12
に該当する対向電極15同士を接続し、適当な方向に配
向処理された配向膜を設ける。
On the other hand, the counter electrode 15 to each other and even to the appropriate been transparent counter electrode 15 divided on the same number as the number of lines the pixel electrode 14 group in a line on a transparent front substrate is provided, and the odd drain bus line 12 Drain bus line 12
To connect to each other counter electrodes 15 corresponding, it provided the appropriate direction alignment-treated alignment film.

【0025】前記背面基板と前面基板の配向膜同士を向
かい合わせ、ライン状に並んだ画素電極14群と1個の
対向電極15が対向配置されるように位置合せし、両基
板間に適当なギャップを設け、液晶を注入後、封止し、
両基板の露出面に互いに偏光軸が平行あるいは垂直にな
るように偏光膜を貼り付けたものである。なお、15a
は画素電極と対向する部分である。
The alignment films of the rear substrate and the front substrate face each other, are aligned so that a group of pixel electrodes 14 arranged in a line and one counter electrode 15 are opposed to each other. After providing a gap, injecting liquid crystal, sealing,
A polarizing film is attached to the exposed surfaces of both substrates so that the polarizing axes are parallel or perpendicular to each other. Note that 15a
Is a portion facing the pixel electrode.

【0026】図2は本発明の実施例を示すアクティブマ
トリクス型薄膜トランジスタ液晶パネルの概略構成図、
図3は本発明の実施例を示すアクティブマトリクス型薄
膜トランジスタ液晶パネルのデータ回路の概略ブロック
図、図4は本発明の実施例を示すアクティブマトリクス
型薄膜トランジスタ液晶パネルのコモン変動回路を示す
図である。なお、コモン変動回路40は、それぞれの対
向電極15をスイッチングする回路である。
FIG. 2 is a schematic configuration diagram of an active matrix type thin film transistor liquid crystal panel showing an embodiment of the present invention.
FIG. 3 is a schematic block diagram of a data circuit of an active matrix type thin film transistor liquid crystal panel showing an embodiment of the present invention, and FIG. 4 is a diagram showing a common variation circuit of an active matrix type thin film transistor liquid crystal panel showing an embodiment of the present invention. Note that the common variation circuit 40
This is a circuit for switching the counter electrode 15.

【0027】これらの図に示すように、ゲートバスライ
ン11の数をN+1、ドレインバスライン12の数をM
とすると、N+1個のゲートバスライン11に走査回路
20を接続し、第1ゲートバスライン11から時間的に
順次にON電圧VG(+)′を1走査時間に相当するton
間供給し、M個のドレインバスライン12にデータ発生
部31、データ反転部A32、データ反転部B33、デ
ータ出力部A34、データ出力部B35から構成される
データ回路30を接続し、輝度データ及び極性データを
含む電圧データを供給し、2系統に分割された対向電極
群にバッファ41,42、オペアンプ43,44、MO
SFET45,46等により構成されるコモン変動回路
40を接続し、ドレインバスライン12に供給される電
圧データに応じた極性データ及び液晶16の閾値電圧に
相当するオフセット電圧及び実効電圧補正電圧を含む電
圧信号を供給する。
As shown in these figures, the number of gate bus lines 11 is N + 1, and the number of drain bus lines 12 is M
When the scanning circuit 20 is connected to the (N + 1) gate bus lines 11, temporally sequentially supplies t on time corresponding ON voltage V G of (+) 'in one scanning period from the first gate bus line 11 , And a data circuit 30 including a data generation unit 31, a data inversion unit A32, a data inversion unit B33, a data output unit A34, and a data output unit B35 are connected to the M drain bus lines 12, and luminance data and polarity data are transmitted. Voltage data including the buffer 41, 42, the operational amplifiers 43, 44, and the
A common variation circuit 40 including SFETs 45 and 46 is connected, and a voltage including polarity data corresponding to the voltage data supplied to the drain bus line 12, an offset voltage corresponding to a threshold voltage of the liquid crystal 16, and an effective voltage correction voltage. Supply signal.

【0028】図5は本発明の実施例を示すアクティブマ
トリクス型薄膜トランジスタ液晶パネルのドレインバス
に供給される電圧データのタイミングを示す。
FIG. 5 shows the timing of the voltage data supplied to the drain bus of the active matrix type thin film transistor liquid crystal panel according to the embodiment of the present invention.

【0029】この実施例においては、1本のゲートバス
ライン11により、ゲートバスライン方向に交互に千鳥
状に配置された画素電極をスイッチングするため、第1
ゲートバスライン及び第N+1ゲートバスラインにおい
ては、それぞれゲートバスライン方向に偶数番目の画素
電極に接続されるTFT及び奇数番目の画素電極に接続
されるTFTだけをスイッチングすることになる。この
ため、1フレームの画像データを書き込む場合、ゲート
バスライン方向に奇数番目の画素電極群に対しては、第
2ゲートバスラインから第N+1ゲートバスラインの書
き込みタイミングに、またゲートバスライン方向に偶数
番目の画素電極群に対しては第1ゲートバスラインから
第Nゲートバスラインの書き込みタイミングに、それぞ
れドレインバスラインから電圧データを供給しなければ
ならない。
In this embodiment, a single gate bus line 11 switches pixel electrodes arranged in a zigzag pattern alternately in the gate bus line direction.
In the gate bus line and the (N + 1) th gate bus line, only the TFTs connected to the even-numbered pixel electrodes and the TFTs connected to the odd-numbered pixel electrodes in the gate bus line direction are switched. Therefore, when image data of one frame is written, the odd-numbered pixel electrode groups in the gate bus line direction are written at the write timing from the second gate bus line to the (N + 1) th gate bus line and in the gate bus line direction. For even-numbered pixel electrode groups, voltage data must be supplied from the drain bus lines at the write timing from the first gate bus line to the Nth gate bus line.

【0030】そこで、データ回路30のデータ発生部3
1において、1ラインの輝度データをゲートバスライン
方向に奇数番目の表示セルのデータと、偶数番目の表示
セルのデータに分割し、ゲートバスライン方向に奇数番
目の表示セルのデータとしては、第1ゲートバスライン
に該当するデータとしてダミーデータdD を、第2ゲー
トバスに該当するデータとして1ライン目のデータd1
を、第3ゲートバスに該当するデータとして2ライン目
のデータd2 を、…,第N+1ゲートバスに該当するデ
ータとしてNライン目のデータdN を順番に供給するデ
ータ1として作成する。
Therefore, the data generator 3 of the data circuit 30
In 1, the luminance data of one line is divided into data of odd-numbered display cells in the gate bus line direction and data of even-numbered display cells, and the data of odd-numbered display cells in the gate bus line direction is Dummy data d D as data corresponding to the first gate bus line, and data d 1 of the first line as data corresponding to the second gate bus
Is generated as data 1 that sequentially supplies data d 2 of the second line as data corresponding to the third gate bus,..., Data d N of the N th line as data corresponding to the (N + 1) th gate bus.

【0031】また、ゲートバスライン方向に偶数番目の
表示セルのデータとしては、第1ゲートバスに該当する
データとして1ライン目のデータd1 を、第2ゲートバ
スに該当するデータとして2ライン目のデータd2 を、
…第Nゲートバスに該当するデータとしてNライン目の
データdN を、第N+1ゲートバスに該当するデータと
してダミーデータdD を順番に供給するデータ2を作成
する。
As the data of the even-numbered display cells in the gate bus line direction, data d 1 of the first line as data corresponding to the first gate bus and data of the second line as data corresponding to the second gate bus are used. Data d 2 of
... N-th gate bus data d N of the N-th line as corresponding data, to create a dummy data d D data supplied sequentially 2 as data corresponding to the first N + 1 gate buses.

【0032】また、データ発生部31において、奇数番
目のドレインバスと偶数番目のドレインバスの書き込み
極性が異なり、かつ隣接する対向電極の極性が異なるよ
うな1走査ライン周期の2倍の周期毎に極性が反転する
交流化信号として、奇数番目のドレインバスに該当する
交流化信号1と偶数番目のドレインバスに該当する交流
化信号2を作成する。
In the data generating section 31, the write polarity of the odd-numbered drain bus is different from the write polarity of the even-numbered drain bus, and the polarity of adjacent counter electrodes is different every two scanning line periods. As an alternating signal whose polarity is inverted, an alternating signal 1 corresponding to an odd-numbered drain bus and an alternating signal 2 corresponding to an even-numbered drain bus are created.

【0033】更に、データ1と交流化信号1はデータ反
転部A32により演算し、輝度データと極性データを含
む電圧データ、データ3を作成し、データ出力部A34
によって、奇数番目のドレインバスD1 ,D3 …,D
M-1 に出力する。同様にデータ2と交流化信号2は、デ
ータ反転部B33により演算し、輝度データと極性デー
タを含む電圧データ、データ4を作成し、データ出力部
B35によって、偶数番目のドレインバスD2 ,D
4 …,DM に出力する。
Further, the data 1 and the AC signal 1 are operated by a data inverting section A32 to generate voltage data including luminance data and polarity data, data 3, and a data output section A34.
, D, the odd-numbered drain buses D 1 , D 3 .
Output to M-1 . Similarly, the data 2 and the alternating signal 2 are operated by the data inverting section B33 to generate voltage data and data 4 including luminance data and polarity data, and the data output section B35 to generate even-numbered drain buses D 2 and D 2 .
4 ..., and outputs it to the D M.

【0034】また、データ回路30から出力される各ド
レインバスの電圧データ設定条件は、正極性の書き込み
において、ON電圧VD(+)′,OFF電圧として
D(-)′として、負極性の書き込みにおいて、ON電圧
D(-)′,OFF電圧VD(+)′とするため、電圧振幅が
図14に示されるΔVと同等に設定でき、VD(+)′−V
D(-)′=VSAT −VTH=ΔVの条件で与えられるため、
図13の従来例と比較してドレイン電圧の振幅はVTH×
2+ΔV分だけ小さくできる。
The voltage data setting condition of each drain bus output from the data circuit 30 is such that, in the writing of the positive polarity, the ON voltage V D (+) ′, the OFF voltage V D (−) ′, and the negative voltage. In the write operation, the ON voltage VD (-) 'and the OFF voltage VD (+) ', the voltage amplitude can be set to be equal to ΔV shown in FIG. 14, and VD (+) '-V
D (-) '= V SAT -V TH = ΔV
The amplitude of the drain voltage is V TH ×
It can be reduced by 2 + ΔV.

【0035】図6は本発明の実施例を示すアクティブマ
トリクス型薄膜トランジスタ液晶パネルのコモン変動回
路のタイミングチャートを示す。
FIG. 6 is a timing chart of a common variation circuit of an active matrix type thin film transistor liquid crystal panel according to an embodiment of the present invention.

【0036】この実施例においては、ドレイン電圧の振
幅をΔVと同等に設定する替わりに、液晶のオフセット
電圧等の電圧を対向電極の電圧信号により供給する。こ
のため奇数ラインに該当する対向電極には、第1ゲート
バスラインの書き込みタイミングにおいては、偶数ドレ
インバスの書き込み極性のオフセット電圧等を、第2ゲ
ートバスラインの書き込みタイミングにおいては、奇数
ドレインバスの書き込み極性のオフセット電圧等を補充
する電圧信号を供給する。すなわち奇数番目のゲートバ
スラインの書き込みタイミングにおいては、偶数ドレイ
ンバスの書き込み極性のオフセット電圧等を補充する電
圧信号を、偶数番目のゲートバスラインの書き込みタイ
ミングにおいては、奇数ドレインバスの書き込み極性の
オフセット電圧等を補充する電圧信号VCOM Aを供給す
ることになる。一方、偶数ラインに該当する対向電極に
は、奇数番目のゲートバスラインの書き込みタイミング
においては、奇数ドレインバスの書き込み極性のオフセ
ット電圧等を補充する電圧信号を、偶数番目のゲートバ
スラインの書き込みタイミングにおいて、偶数ドレイン
バスの書き込み極性のオフセット電圧等を補充する電圧
信号VCOM Bを供給することになる。また、奇数ドレイ
ンバスと偶数ドレインバスの書き込み極性は、同じ書き
込みタイミングにおいて、互いに異なる書き込み極性に
設定するため、電圧信号VCOM AとVCOM Bも同じ書き
込みタイミングにおいて、互いに異なる書き込み極性に
設定することになる。
In this embodiment, instead of setting the amplitude of the drain voltage to be equal to ΔV, a voltage such as an offset voltage of the liquid crystal is supplied by a voltage signal of the counter electrode. Therefore, at the write timing of the first gate bus line, an offset voltage or the like of the write polarity of the even drain bus is applied to the counter electrode corresponding to the odd line, and at the write timing of the second gate bus line, the offset voltage of the odd drain bus is applied. A voltage signal for supplementing an offset voltage or the like of a write polarity is supplied. That is, at the write timing of the odd-numbered gate bus line, a voltage signal that supplements the offset voltage of the write polarity of the even-numbered drain bus is supplied, and at the write timing of the even-numbered gate bus line, the offset of the write polarity of the odd-numbered drain bus is used. A voltage signal V COM A for supplementing a voltage or the like is supplied. On the other hand, at the write timing of the odd-numbered gate bus line, a voltage signal that supplements the offset voltage of the write polarity of the odd-numbered drain bus is applied to the counter electrode corresponding to the even-numbered line, and the write timing of the even-numbered gate bus line is changed. in will supply a voltage signal V COM B to replenish the offset voltage of the write polarity of the even drain bus. In addition, since the write polarities of the odd drain bus and the even drain bus are set to different write polarities at the same write timing, the voltage signals V COM A and V COM B are also set to different write polarities at the same write timing. Will be.

【0037】以上の条件を満足する反転信号DFを作成
し、コモン変動回路の正転論理バッファ41と反転論理
バッファ42にそれぞれ供給し、それぞれオペアンプ4
3,44によって適当な電圧振幅になるよう抵抗値
1 ,R2 を設定し、R2 /R1倍に増幅し、それぞれ
MOSFETに45,46より出力したものがVCOM
とVCOM Bである。
An inverted signal DF which satisfies the above conditions is created and supplied to the non-inverted logic buffer 41 and the inverted logic buffer 42 of the common variation circuit, respectively.
Resistance so that a suitable voltage amplitude by 3,44 R 1, sets the R 2, R 2 / R was amplified to 1x, the V COM A that is output from 45 and 46 to the MOSFET, respectively
And V COM B.

【0038】図7は本発明の実施例を示すアクティブマ
トリクス型薄膜トランジスタ液晶パネルの液晶セルの等
価回路図である。
FIG. 7 is an equivalent circuit diagram of a liquid crystal cell of an active matrix thin film transistor liquid crystal panel according to an embodiment of the present invention.

【0039】上述した駆動方法の場合、液晶セルの電荷
保持状態における画素電圧の変動が、少なくとも3つの
条件において発生する。
In the case of the above-described driving method, the fluctuation of the pixel voltage in the state where the charge of the liquid crystal cell is held occurs under at least three conditions.

【0040】まず、画素電極に接続されるTFTの書き
込み直後に、TFTの寄生容量Cgsにより、ΔV1 ′=
〔Cgs/(Cgs+CLC+CDP1 +CDP2 )〕×(V
G (+) ′−VG (-) ′)となり、次に画素電極を挟む2
本のドレインバスライン12が書き込み時の電圧からΔ
D1′、ΔVD2′だけ変動した時に画素電極と2本のド
レインバスライン12との間の容量CDP1 とCDP2 によ
り、ΔV2 ′=(CDP1 /Cgs+CLC+CDP1
DP2 )×ΔVD1′−(CDP2 /Cgs+CLC+CDP1
DP2 )×ΔVD2′となり、更に画素電極との間に電荷
蓄積を行なう対向電極15の電圧がΔVCOM だけ変動し
た時に、液晶の容量CLCにより、ΔV3 ′=〔CLC
(Cgs+CLC+CDP1 +CDP2 )〕×ΔVCOM である。
Firstly, immediately after writing of the TFT connected to the pixel electrode, the parasitic capacitance C gs of the TFT, [Delta] V 1 '=
[C gs / (C gs + C LC + C DP1 + C DP2 )] × (V
G (+) V G (−) ′), and then 2
Of the drain bus lines 12 are equal to Δ
Due to the capacitances C DP1 and C DP2 between the pixel electrode and the two drain bus lines 12 when the voltage changes by V D1 ′ and ΔV D2 ′, ΔV 2 ′ = (C DP1 / C gs + C LC + C DP1 +
C DP2 ) × ΔV D1 '-(C DP2 / C gs + C LC + C DP1 +
C DP2) × ΔV D2 'becomes, when the further voltage of the common electrode 15 for charge storage between the pixel electrode is varied only [Delta] V COM, a liquid crystal capacitance C LC, ΔV 3' = [C LC /
(C gs + C LC + C DP1 + C DP2 )] × ΔV COM .

【0041】電位変動ΔV1 ′は全ての画素電極におい
て同等のTFTが形成されていれば、書き込み電圧及び
書き込みタイミングによらず、同極性、同電位の変動で
あるため、対向電極15に供給する電圧の設定におい
て、ΔV1 ′分だけズラして設定することにより、全て
の液晶セルにおいて画素電極と対向電極15の間の電圧
(以下実効電圧と示す)を同等な状態で維持することが
できる。
The potential variation [Delta] V 1 'is long as it is equal TFT in all the pixel electrodes are formed, regardless of the write voltage and write timing, since the same polarity, a variation of the same potential, supplied to the counter electrode 15 In setting the voltage, the voltage is set to be shifted by ΔV 1 ′, so that the voltage between the pixel electrode and the counter electrode 15 (hereinafter referred to as the effective voltage) can be maintained in the same state in all the liquid crystal cells. .

【0042】電位変動ΔV2 ′とΔV3 ′は、書き込み
時の極性によって、実効電圧変動の極性が異なり、その
変動量は画素電極を挟む2本のドレインバスライン12
及び対向電極15の極性が書き込み時と変化した時に最
も大きな電圧変動を示す。よって、各画素電極におい
て、書き込み時の極性に対して、両者の極性が変化して
いる期間が短いものと長いものが存在すると、平均実効
電圧が異なり、表示ムラが発生する。
The potential fluctuations ΔV 2 ′ and ΔV 3 ′ differ in the polarity of the effective voltage fluctuation depending on the polarity at the time of writing, and the amount of the fluctuation depends on the two drain bus lines 12 sandwiching the pixel electrode.
And the largest voltage fluctuation when the polarity of the counter electrode 15 changes from that at the time of writing. Therefore, in each pixel electrode, if there is a short period and a long period during which both polarities are changed with respect to the polarity at the time of writing, the average effective voltage differs, and display unevenness occurs.

【0043】図9は本発明の実施例を示すアクティブマ
トリクス型薄膜トランジスタ液晶パネルの奇数ドレイン
バスに接続されるTFTの駆動電圧及び画素電圧変化を
示すタイミングチャート、図10は本発明の実施例を示
すアクティブマトリクス型薄膜トランジスタ液晶パネル
の偶数ドレインバスに接続されるTFTの駆動電圧及び
画素電圧変化を示すタイミングチャートである。
FIG. 9 is a timing chart showing the drive voltage and the pixel voltage change of the TFT connected to the odd drain bus of the active matrix type thin film transistor liquid crystal panel according to the embodiment of the present invention, and FIG. 10 shows the embodiment of the present invention. 5 is a timing chart showing a drive voltage and a pixel voltage change of a TFT connected to an even drain bus of an active matrix type thin film transistor liquid crystal panel.

【0044】この実施例においては、対向電極に供給す
る電圧信号VCOM AとVCOM Bを電圧変動量ΔV1 ′だ
けズラして電圧設定し、かつ各ドレインバスライン及び
各対向電極の極性が、それぞれ1走査ライン周期の2倍
の周期に極性反転する交流化駆動を行なっているため、
S2A ,VS3A ,…VS(N+1)A ,VS1B ,VS2B ,…,
SNB で示される画素電極の波形が得られ、全ての画素
電極に対して、画素電極を挟む2本のドレインバスライ
及び対向電極の極性が書き込み時と変化している期間
が同等になり平均実効電圧が均一になる。
In this embodiment, the voltage signals V COM A and V COM B supplied to the common electrode are shifted by the voltage variation ΔV 1 ′ to set the voltage, and the polarity of each drain bus line and each common electrode is changed. Since the AC driving is performed in which the polarity is inverted twice as long as one scanning line period,
V S2A , V S3A ,... V S (N + 1) A , V S1B , V S2B,.
Waveform obtained pixel electrode represented by V SNB, to all the pixel electrodes, two drain bus line sandwiching the pixel electrode
The period during which the polarity of the negative electrode and the counter electrode changes during writing becomes equal, and the average effective voltage becomes uniform.

【0045】更に、対向電極に供給するVCOM A及びV
COM Bの電圧信号に表示データより類推して算出した全
ての画素電極におけるΔV2 ′の平均電圧変動量Δ
2 ′(平均値)をΔV2 ′の電圧変動によって生ずる
実効電圧ロス分として、補正データを含んだ状態のV
COM A及びVCOM Bの電圧振幅より算出したΔV3 ′の
平均電圧変動量ΔV3 ′(平均値)をΔV3 ′の電圧変
動によって生ずる実効電圧ロス分として付加して供給す
るために、VCOM A及びVCOM Bの電圧波形を、正極性
の書き込み時にはVD (+) ′−ΔV−VTH−ΔV1 ′−
〔ΔV2 ′(平均値)〕−〔ΔV3 ′(平均値)〕の電
圧レベルに、負極性の書き込み時にはVD (-)′+ΔV
+VTH−ΔV1 ′+〔ΔV2 ′(平均値)〕+〔Δ
3 ′(平均値)〕の電圧レベルに設定したΔV+2V
TH+2×〔ΔV2 ′(平均値)〕+2×〔ΔV3 ′(平
均値)〕の変動振幅を有する電圧信号で供給すると、デ
ータ回路より出力される電圧データの振幅をΔVに設定
した場合においても、全ての画素の平均実効電圧をΔV
+VTHと同程度にすることができるものである。
Further, V COM A and V COM supplied to the opposite electrode
Average voltage fluctuation ΔV 2 ′ of all pixel electrodes calculated by analogy to the voltage signal of COM B from display data
V 2 ′ (average value) is defined as an effective voltage loss caused by a voltage change of ΔV 2 ′, and V 2
In order to supply added COM A and V COM [Delta] V 3 'average voltage variation [Delta] V 3 of' calculated from the voltage amplitude of B (average value) as the effective voltage loss in caused by the voltage variation of [Delta] V 3 ', V The voltage waveforms of COM A and V COM B are set to V D (+) ′ − ΔV−V TH −ΔV 1 ′ −
The voltage level of [ΔV 2 ′ (average value)] − [ΔV 3 ′ (average value)] is V D (−) ′ + ΔV at the time of writing of negative polarity.
+ V TH −ΔV 1 ′ + [ΔV 2 ′ (average value)] + [Δ
ΔV + 2V set to the voltage level of “V 3 ′ (average value)]
When supplied as a voltage signal having a fluctuation amplitude of TH + 2 × [ΔV 2 ′ (average value)] + 2 × [ΔV 3 ′ (average value)], when the amplitude of the voltage data output from the data circuit is set to ΔV , The average effective voltage of all the pixels is ΔV
+ V TH can be made approximately the same.

【0046】図8は本発明の実施例を示すアクティブマ
トリクス型薄膜トランジスタ液晶パネルの等価回路図で
ある。
FIG. 8 is an equivalent circuit diagram of an active matrix type thin film transistor liquid crystal panel showing an embodiment of the present invention.

【0047】図8において、図1及び図2に示したよう
に、アクティブマトリクス型薄膜トランジスタ液晶パネ
ルには数多くの電気的配線が施されているため、液晶パ
ネルの構成条件として配線容量が存在し、各表示セルの
液晶容量CLCに書き込みを行なう時に、ロス電流を発生
させる。ドレインバスライン12とゲートバスライン1
の交差部分により作成される容量CGDは、ドレインバ
ライン12の電圧が変動する毎に、ゲートバスライン
11とドレインバスライン12にドレインバスライン1
の電圧変動量に比例したロス電流を発生させ、また液
晶層を介してドレインバスライン12と対向電極15と
の間に作成される容量CDCは、同様にドレインバスライ
ン12の電圧が変動する毎にドレインバスライン12
対向電極15に、ドレインバスライン12の電圧変動量
に比例したロス電流を発生させる。
In FIG . 8, as shown in FIGS. 1 and 2, since a large number of electric wirings are provided in the active matrix type thin film transistor liquid crystal panel, a wiring capacitance exists as a constituent condition of the liquid crystal panel. When writing is performed on the liquid crystal capacitance CLC of each display cell, a loss current is generated. Drain bus line 12 and gate bus line 1
The capacitance CGD created by the intersection of the gate bus line and the gate bus line each time the voltage of the drain bus line 12 fluctuates.
11 and the drain bus line 12 to the drain bus line 1
To generate a loss current proportional to the voltage variation amount of 2, also the capacity C DC that is created between the drain bus line 12 and the counter electrode 15 through the liquid crystal layer, similarly drain bus line
The drain bus line 12 and the counter electrode 15 each time the voltage of the emission 12 varies, generating a loss current proportional to the voltage variation of the drain bus line 12.

【0048】ここで、各表示セル単位に存在するCGD
びCDCにより発生する電流量は、それほど大きなもので
はないが、配線全体で考えるとかなり大きな電流である
ため、ロス電流を短い期間、例えばライン周期にパネル
外部に放出するためには、ドレインバスライン12及び
ゲートバスライン11及び対向電極15の低抵抗化を図
るとともに、各配線に接続される外部ドライバの電流容
量を大きくしなければならない。
Here, the amount of current generated by C GD and C DC existing in each display cell unit is not so large, but it is a very large current in the entire wiring. For example, in order to discharge the voltage to the outside of the panel in the line cycle, it is necessary to reduce the resistance of the drain bus line 12, the gate bus line 11, and the counter electrode 15 and to increase the current capacity of the external driver connected to each wiring. No.

【0049】この実施例においては、隣接するドレイン
バスライン12の極性が異なり、極性変動する時には、
隣接するドレインバスライン12は必ず異なる極性の電
圧変動、例えば、一方が正極性から負極性に変動する場
合は、他方が負極性から正極性に変動することになる。
In this embodiment, when the adjacent drain bus lines 12 have different polarities, and the polarity fluctuates,
The adjacent drain bus lines 12 always change in voltage with different polarities, for example, when one of the drain bus lines 12 changes from positive to negative, the other changes from negative to positive.

【0050】よって、隣接する容量CGD同士、あるいは
各ライン毎に分割された1個の対向電極15上に隣接す
る容量CDC同士によって発生するロス電流は、互いに反
対方向に流れる電流であるため、ロス電流同士が相殺す
る傾向を示す。
Therefore, the loss currents generated by the adjacent capacitors C GD or by the adjacent capacitors C DC on one counter electrode 15 divided for each line are currents flowing in opposite directions. And the loss currents tend to cancel each other.

【0051】また、各ライン毎に分割された隣接する対
向電極15においても、極性が変動する時には、同様に
隣接する対向電極15同士が必ず異なる極性の電圧変動
をすることになる。よって1本のドレインバスライン1
2上の隣接する容量CDC同士によって発生するロス電流
同士も互いに相殺する傾向を示す。
Also, when the polarity of adjacent opposing electrodes 15 divided for each line fluctuates, the adjacent opposing electrodes 15 also necessarily have voltage fluctuations of different polarities. Therefore, one drain bus line 1
The loss currents generated by the adjacent capacitors C DC on the line 2 also tend to cancel each other.

【0052】このために、1本のゲートバスライン11
ライン11及びドレインバスライン12及び各ライン毎
に分割された対向電極15に流れるロス電流は非常に小
さくなり、各配線の低抵抗化及び各配線に接続される外
部ドライバの大容量化を図らなくてもよい液晶パネルを
提供できるとともに、液晶パネルの大容量、高精細化に
適している。
For this reason, one gate bus line 11
The loss current flowing through the line 11, the drain bus line 12, and the opposing electrode 15 divided for each line becomes extremely small, and it is not possible to reduce the resistance of each wiring and increase the capacity of an external driver connected to each wiring. It can provide a liquid crystal panel that can be used, and is suitable for increasing the capacity and definition of the liquid crystal panel.

【0053】図11は本発明の変形実施例を示すアクテ
ィブマトリクス型薄膜トランジスタ液晶パネルの概略構
成図である。
FIG. 11 is a schematic structural view of an active matrix type thin film transistor liquid crystal panel showing a modified embodiment of the present invention.

【0054】この実施例においては、図1及び図2で詳
細に説明した構成のアクティブマトリクス型薄膜トラン
ジスタ液晶パネルの各画素電極と対向電極15との間の
液晶容量CLCに対して電気的に並列に補助容量Cs 17
を設け、その補助容量Cs 17を補助容量線18により
コモン変動回路40へ接続するようにしたもので、液晶
セルの電荷保持状態における画素電圧の変動量をそれぞ
れΔV1 ″=〔Cgs/(Cgs+CLC+Cs +CDP1 +C
DP2 )〕×(VG (+) ′−VG (-) ′)、ΔV2 ″=
(CDP1 /Cgs+CLC+Cs +CDP1 +CDP2 )×ΔV
D1′−(CDP2/Cgs+CLC+Cs +CDP1 +CDP2
×ΔVD2′、ΔV3 ″=〔(CLC+Cs)/(Cgs+C
LC+Cs +CDP1 +CDP2 )〕×ΔVCOM に減少させら
れるものである。なお、コモン変動回路40は、それぞ
れの対向電極15をスイッチングする回路である。
In this embodiment, the liquid crystal capacitance CLC between each pixel electrode and the counter electrode 15 of the active matrix type thin film transistor liquid crystal panel having the structure described in detail with reference to FIGS. The auxiliary capacity C s 17
And the auxiliary capacitance C s 17 is connected to the common variation circuit 40 via the auxiliary capacitance line 18. The amount of fluctuation of the pixel voltage in the state of holding the charge of the liquid crystal cell is ΔV 1 ″ = [C gs / (C gs + C LC + C s + C DP1 + C
DP2)] × (V G (+) ' -V G (-)'), ΔV 2 "=
(C DP1 / C gs + C LC + C s + C DP1 + C DP2 ) × ΔV
D1 '- (C DP2 / C gs + C LC + C s + C DP1 + C DP2)
× ΔV D2 ′, ΔV 3 ″ = [(C LC + C s ) / (C gs + C
LC + C s + C DP1 + C DP2) ] in which it is reduced to × [Delta] V COM. The common fluctuation circuit 40 is
This is a circuit for switching the counter electrode 15.

【0055】この効果によって、対向電極15に供給す
るVCOM A及びVCOM Bの補正電圧、電圧振幅を小さく
することによって、容易にゲートバスライン11に供給
する電圧振幅を小さくできるものである。
According to this effect, the voltage amplitude supplied to the gate bus line 11 can be easily reduced by reducing the correction voltages and voltage amplitudes of V COM A and V COM B supplied to the counter electrode 15 .

【0056】図15は本発明の他の実施例を示すアクテ
ィブマトリクス型薄膜トランジスタ液晶パネルの概略斜
視図を示す図である。
FIG. 15 is a schematic perspective view of an active matrix type thin film transistor liquid crystal panel according to another embodiment of the present invention.

【0057】この図に示すように、透明な背面基板上
に、ゲートバスライン11とドレインバスライン12と
を直交して配置して、その交点にTFT13を設け、個
別の表示セルに対応する透明な画素電極14に接続し、
1本のゲートバスライン11にTFT13を介して接続
される画素電極14群をゲートバスライン方向に配置
し、更に適当な方向に配向処理された配向膜を設ける。
As shown in this figure, a gate bus line 11 and a drain bus line 12 are arranged orthogonally on a transparent rear substrate, and a TFT 13 is provided at the intersection between the gate bus line 11 and the drain bus line 12, so that transparent TFTs corresponding to individual display cells are provided. Connected to the pixel electrode 14,
A group of pixel electrodes 14 connected to one gate bus line 11 via a TFT 13 is arranged in the gate bus line direction, and an alignment film that has been subjected to an alignment process in an appropriate direction is provided.

【0058】一方、透明な前面基板上に隣接する2本の
ゲートバスライン11にTFT13を介して接続される
画素電極14群から、ゲートバスライン方向に交互に千
鳥状に選択した画素電極14群に対して、1個の透明な
波型の対向電極15を設け、かつ該波型対向電極15を
複数個設け、隣接しない波型対向電極15同士を接続
し、適当な方向に配向処理された配向膜を設ける。な
お、15aは画素電極14と対向する部分である。
Meanwhile, transparent on the front substrate to the two gate bus lines 11 adjacent the pixel electrodes 14 group connected through the TFT 13, pixel electrode 14 group selected alternately to the gate bus line direction in a staggered manner On the other hand, one transparent corrugated counter electrode 15 was provided, and a plurality of corrugated counter electrodes 15 were provided, and non-adjacent corrugated counter electrodes 15 were connected to each other, and orientation treatment was performed in an appropriate direction. An alignment film is provided. In addition, 15a is a portion facing the pixel electrode 14 .

【0059】前記背面基板と前面基板の配向膜同士を向
かい合わせ、位置合わせし、両基板間に適当なギャップ
を設け、液晶を注入後、封止し、両基板の露出面に互い
に偏光軸が平行あるいは垂直になるように偏光膜を貼り
付けたものである。
The alignment films of the back substrate and the front substrate are faced to each other, aligned, an appropriate gap is provided between the two substrates, liquid crystal is injected, and the liquid crystal is sealed. A polarizing film is attached so as to be parallel or vertical.

【0060】図16は本発明の他の実施例を示すアクテ
ィブマトリクス型薄膜トランジスタ液晶パネルの対向電
極の構成を示す図である。
FIG. 16 is a view showing a structure of a counter electrode of an active matrix type thin film transistor liquid crystal panel according to another embodiment of the present invention.

【0061】この図に示すように、波型対向電極15
は、隣接する2本のゲートバスライン11にTFT13
を介して接続される画素電極14群から、ゲートバスラ
イン方向に交互に千鳥状に選択した画素電極14群に対
して、1個の透明な対向電極15として設けるため、図
16(a)のパターン構成1に示すように、隣接する2
本のゲートバスライン11にまたがって形成される。こ
のため、パターン1構成においては、画素ピッチが微細
化した場合には、ゲートバスライン11の2つのライン
にまたがる接合部が細くなり、電気的抵抗値が増加し、
表示ムラが認識できる程度の電位差が発生する可能性が
ある。
As shown in FIG.Fifteen
Indicates two adjacent gate bus lines11TFT13
Pixel electrode connected via14Flock from the gate Basra
Pixel electrodes alternately selected in a zigzag pattern in the in direction14Vs group
And one transparent counter electrodeFifteenTo provide as
As shown in the pattern configuration 1 of FIG.
Book gate bus line11Is formed. This
Therefore, in the pattern 1 configuration, the pixel pitch is fine.
Gate busLine 11Two lines
And the electrical resistance increases,
There is a possibility that there will be a potential difference enough to recognize display unevenness.
is there.

【0062】図16(b)のパターン構成2において
は、この対向電極接合部15bを電気的抵抗値の低いア
ルミニウム等で形成し、画素ピッチの微細化に対応でき
る構成にしたものである。
In the pattern configuration 2 shown in FIG. 16B, the counter electrode junction 15b is made of aluminum or the like having a low electric resistance so as to be able to cope with a fine pixel pitch.

【0063】図17は本発明の他の実施例を示すアクテ
ィブマトリクス型薄膜トランジスタ液晶パネルの概略ブ
ロック図であり、本発明の他の実施例を示すアクティブ
マトリクス型薄膜トランジスタ液晶パネルのデータ回路
は、前記図3と同様である。
FIG. 17 is a schematic block diagram of an active matrix thin film transistor liquid crystal panel according to another embodiment of the present invention. The data circuit of the active matrix thin film transistor liquid crystal panel according to another embodiment of the present invention is the same as that of FIG. Same as 3.

【0064】図17に示すように、ゲートバスライン1
1の数をN、ドレインバスライン12の数をMとする
と、N個のゲートバスライン11に走査回路20を接続
し、第1ゲートバスライン11から時間的に順次にON
電圧VG(+)′を1走査時間に相当するton時間供給し、
M個のドレインバスライン12に、図3に示すように、
データ発生部31、データ反転部A32、データ反転部
B33、データ出力部A34、データ出力部B35から
構成されるデータ回路30を接続し、輝度データ及び極
性データを含む電圧データを供給し、図4に示すよう
に、2系統に分割された対向電極15群にバッファ4
1,42、オペアンプ43,44、MOSFET45,
46等により構成されるコモン変動回路40を接続し、
ドレインバスライン12に供給される電圧データに応じ
た極性データ及び液晶16の閾値電圧に相当するオフセ
ット電圧及び実効電圧補正電圧を含む電圧信号を供給す
る。
As shown in FIG. 17, gate bus line 1
Assuming that the number of 1s is N and the number of drain bus lines 12 is M, the scanning circuit 20 is connected to the N gate bus lines 11 and sequentially turned on sequentially from the first gate bus lines 11.
Supplying t on time corresponding to the voltage V G (+) 'to one scan time,
As shown in FIG. 3, the M drain bus lines 12
A data circuit 30 composed of a data generating unit 31, a data inverting unit A32, a data inverting unit B33, a data output unit A34, and a data output unit B35 is connected to supply voltage data including luminance data and polarity data. as shown in, buffer 4 to the counter electrode 15 group is divided into two systems
1, 42, operational amplifiers 43, 44, MOSFET 45,
46 and a common fluctuation circuit 40 composed of
A voltage signal including polarity data corresponding to the voltage data supplied to the drain bus line 12, an offset voltage corresponding to the threshold voltage of the liquid crystal 16, and an effective voltage correction voltage is supplied.

【0065】図18は本発明の他の実施例を示すアクテ
ィブマトリクス型薄膜トランジスタ液晶パネルのドレイ
ンバスに供給される電圧データのタイミングを示す図で
あり、図18(a)はその奇数ドレインバスの電圧デー
タ波形図、図18(b)はその偶数ドレインバスの電圧
データ波形図である。
FIG. 18 is a diagram showing the timing of voltage data supplied to the drain bus of an active matrix type thin film transistor liquid crystal panel according to another embodiment of the present invention. FIG. 18 (a) shows the voltage of the odd drain bus. FIG. 18B is a data waveform diagram of the even-numbered drain bus.

【0066】この実施例においては、図3に示したデー
タ回路30のデータ発生部31において、1ラインの輝
度データをゲートバスライン11方向に奇数番目の表示
セルのデータと、偶数番目の表示セルのデータに分割し
てデータ1とデータ2を作成する。
In this embodiment, in the data generating section 31 of the data circuit 30 shown in FIG. 3, the luminance data of one line is converted into the data of the odd-numbered display cells in the direction of the gate bus line 11 , and Data 1 and data 2 are created by dividing the data into even-numbered display cells.

【0067】また、奇数ドレインバスと偶数ドレインバ
スの書き込み極性が異なり、かつ、隣接する対向電極の
極性が異なるような1走査ライン周期の2倍の周期毎に
極性が反転する交流化信号として、奇数番目のドレイン
バスに該当する交流化信号1と、偶数番目のドレインバ
スに該当する交流化信号2を作成する。
Further, as an alternating signal, the polarity is inverted every twice the scanning line period in which the odd and even drain buses have different write polarities and adjacent counter electrodes have different polarities. An alternating signal 1 corresponding to the odd-numbered drain bus and an alternating signal 2 corresponding to the even-numbered drain bus are created.

【0068】データ1と交流化信号1はデータ反転部A
32により演算し、輝度データと極性データを含む電圧
データ、データ3を作成し、データ出力部A34によっ
て、奇数番目のドレインバスD1 ,D3 …,DM-1 に出
力する。同様にデータ2と交流化信号2は、データ反転
部B33により演算し、輝度データと極性データを含む
電圧データ、データ4を作成し、データ出力部B35に
よって、偶数番目のドレインバスD2 ,D4 ,…,DM
に出力する。
The data 1 and the alternating signal 1 are supplied to the data inverting section A
32, voltage data including luminance data and polarity data, data 3 are generated, and output to the odd-numbered drain buses D 1 , D 3, ..., D M-1 by the data output unit A34. Similarly, the data 2 and the alternating signal 2 are operated by the data inverting section B33 to generate voltage data and data 4 including luminance data and polarity data, and the data output section B35 to generate even-numbered drain buses D 2 and D 2 . 4 ,…, D M
Output to

【0069】また、データ回路30から出力される各ド
レインバスの電圧データ設定条件は、正極性の書き込み
において、ON電圧VD(+)′,OFF電圧として
D(-)′として、負極性の書き込みにおいて、ON電圧
D(-)′,OFF電圧VD(+)′とするため、電圧振幅が
図14に示されるΔVと同等に設定でき、VD(+)′−V
D(-)′=VSAT −VTH=ΔVの条件で与えられるため、
図13の従来例と比較してドレイン電圧の振幅はVTH×
2+ΔV分だけ小さくできる。
The conditions for setting the voltage data of each drain bus output from the data circuit 30 are as follows: in the writing of the positive polarity, the ON voltage V D (+) ′, the OFF voltage V D (−) ′, and the negative voltage. In the write operation, the ON voltage VD (-) 'and the OFF voltage VD (+) ', the voltage amplitude can be set to be equal to ΔV shown in FIG. 14, and VD (+) '-V
D (-) '= V SAT -V TH = ΔV
The amplitude of the drain voltage is V TH ×
It can be reduced by 2 + ΔV.

【0070】図19は本発明の他の実施例を示すアクテ
ィブマトリクス型薄膜トランジスタ液晶パネルのコモン
変動回路のタイミングチャートである。
FIG. 19 is a timing chart of a common variation circuit of an active matrix thin film transistor liquid crystal panel according to another embodiment of the present invention.

【0071】この実施例においては、ドレイン電圧の振
幅をΔVと同等に設定する替わりに、液晶のオフセット
電圧等の電圧を対向電極の電圧信号により供給する。各
対向電極は、図15、図16及び図17で詳細に説明し
たように配置されるため、奇数番目の対向電極15群に
対しては、奇数番目のゲートバスライン11の書き込み
タイミングにおいては、奇数ドレインバスライン12
書き込み極性のオフセット電圧等を、偶数番目のゲート
バスライン11の書き込みタイミングにおいては、偶数
ドレインバスライン12の書き込み極性のオフセット電
圧等を示すVCOM Aを供給し、また、偶数番目の対向電
15に対しては、奇数番目のゲートバスライン11
書き込みタイミングにおいては、偶数ドレインバスライ
12の書き込み極性のオフセット電圧等を、偶数番目
のゲートバスライン11の書き込みタイミングにおいて
は、奇数ドレインバスライン12の書き込み極性のオフ
セット電圧等を示すVCOM Bを供給することになる。
In this embodiment, instead of setting the amplitude of the drain voltage to be equal to ΔV, a voltage such as an offset voltage of the liquid crystal is supplied by a voltage signal of the counter electrode. Since each counter electrode is arranged as described in detail with reference to FIGS. 15, 16 and 17, with respect to the odd-numbered counter electrodes 15 group, at the write timing of the odd-numbered gate bus line 11 , the offset voltage of the write polarity of the odd drain bus line 12 or the like, in the write timing of the even-numbered gate bus line 11, and supplies the V COM a indicating the offset voltage of the write polarity of the even drain bus line 12 or the like, also, For the even-numbered counter electrode 15 , at the write timing of the odd-numbered gate bus line 11 , the offset voltage of the write polarity of the even-numbered drain bus line 12 and the like, and at the write timing of the even-numbered gate bus line 11 , , the offset voltage of the write polarity of the odd drain bus line 12 or the like Ing to be supplied to V COM B.

【0072】また、奇数ドレインバスライン12と偶数
ドレインバスライン12の書き込み極性は、同じ書き込
みタイミングにおいて、互いに異なる書き込み極性に設
定するため、電圧信号VCOM AとVCOM Bも同じ書き込
みタイミングにおいて、互いに異なる書き込み極性に設
定することになる。
Since the write polarity of the odd drain bus line 12 and the write drain of the even drain bus line 12 are set to different write polarities at the same write timing, the voltage signals V COM A and V COM B are also set at the same write timing. The write polarities are set to be different from each other.

【0073】以上の条件を満足する反転信号DFを作成
し、図4に示したコモン変動回路40の正転論理バッフ
ァ41と反転論理バッファ42にそれぞれ供給し、それ
ぞれオペアンプ43,44によって適当な電圧振幅にな
るように抵抗値R1 ,R2 を設定し、R2 /R1 倍に増
幅し、それぞれMOSFET45,46により出力した
ものがVCOM AとVCOM Bである。
An inverted signal DF satisfying the above conditions is created and supplied to the non-inverted logic buffer 41 and the inverted logic buffer 42 of the common variation circuit 40 shown in FIG. The resistance values R 1 and R 2 are set so as to have amplitudes, amplified by R 2 / R 1 times, and output by the MOSFETs 45 and 46, respectively, are V COM A and V COM B.

【0074】アクティブマトリクス型薄膜トランジスタ
液晶パネルの液晶セルの等価回路は図7と同様であり、
上述した駆動方法の場合、液晶セルの電荷保持状態にお
ける画素電圧の変動が、少なくとも3つの条件において
発生する。
The equivalent circuit of the liquid crystal cell of the active matrix type thin film transistor liquid crystal panel is the same as that of FIG.
In the case of the above-described driving method, the fluctuation of the pixel voltage in the charge holding state of the liquid crystal cell occurs under at least three conditions.

【0075】まず、画素電極に接続されるTFTの書き
込み直後に、TFTの寄生容量CgsによりΔV1 ′=
〔Cgs/(Cgs+CLC+CDP1 +CDP2 )〕×(V
G (+) ′−VG (-) ′)となり、次に画素電極を挟む2
本のドレインバスが書き込み時の電圧からΔVD1′、Δ
D2′だけ変動した時に画素電極と2本のドレインバス
との間の容量CDP1 とCDP2 により、ΔV2 ′=(C
DP1 /Cgs+CLC+CDP1 +CDP2 )×ΔVD1′−(C
DP2 /Cgs+CLC+CDP1 +CDP2 )×ΔVD2′とな
り、更に、画素電極との間に電荷蓄積を行なう対向電極
の電圧がΔVCOM だけ変動した時に、液晶の容量CLC
より、ΔV3 ′=〔CLC/(Cgs+CLC+CDP1 +C
DP2 )〕×ΔVCOM である。
First, immediately after the writing of the TFT connected to the pixel electrode, ΔV 1 ′ = ΔV 1 ′ due to the parasitic capacitance C gs of the TFT.
[C gs / (C gs + C LC + C DP1 + C DP2 )] × (V
G (+) V G (−) ′), and then 2
Are drained from the voltage at the time of writing by ΔV D1 ′, ΔV
Due to the capacitances C DP1 and C DP2 between the pixel electrode and the two drain buses when the voltage changes by V D2 ′, ΔV 2 ′ = (C
DP1 / C gs + C LC + C DP1 + C DP2 ) × ΔV D1 '-(C
DP2 / C gs + C LC + C DP1 + C DP2) × ΔV D2 ' , and the further, when the voltage of the common electrode to perform charge accumulation between the pixel electrode is varied only [Delta] V COM, a liquid crystal capacitance C LC, [Delta] V 3 '= [C LC / (C gs + C LC + C DP1 + C
DP2 )] × ΔV COM .

【0076】また、電位変動ΔV1 ′は全ての画素電極
において同等のTFTが形成されていれば、書き込み電
圧及び書き込みタイミングによらず、同極性、同電位の
変動であるため、対向電極に供給する電圧の設定におい
て、ΔV1 ′分だけズラして設定することにより、全て
の液晶セルにおいて実効電圧を同等な状態でを維持する
ことができる。
If the same TFT is formed in all pixel electrodes, the potential fluctuation ΔV 1 ′ has the same polarity and the same potential regardless of the writing voltage and the writing timing. By setting the voltage to be shifted by ΔV 1 ′, the effective voltage can be maintained in the same state in all the liquid crystal cells.

【0077】更に、電位変動ΔV2 ′とΔV3 ′は、書
き込み時の極性によって画素電圧変動の極性が異なり、
その変動量は画素電極を挟む2本のドレインバスライン
及び対向電極の極性が、書き込み時と変化した時に最も
大きな電圧変動を示す。
Further, the potential fluctuations ΔV 2 ′ and ΔV 3 ′ have different polarities of the pixel voltage fluctuation depending on the polarity at the time of writing.
The amount of the fluctuation shows the largest voltage fluctuation when the polarities of the two drain bus lines sandwiching the pixel electrode and the counter electrode change between the time of writing and the time of writing.

【0078】よって、各画素電極において、書き込み時
の極性に対して、両者の極性が変化している期間が短い
ものと長いものが存在すると、平均実効電圧が異なり、
表示ムラが発生する。
Therefore, if each pixel electrode has a short period and a long period during which both polarities are changed with respect to the polarity at the time of writing, the average effective voltage is different.
Display unevenness occurs.

【0079】図20は本発明の他の実施例を示すアクテ
ィブマトリクス型薄膜トランジスタ液晶パネルの奇数ド
レインバスに接続されるTFTの駆動電圧及び画素電圧
変化を示すタイミングチャート、図21は本発明の他の
実施例を示すアクティブマトリクス型薄膜トランジスタ
液晶パネルの偶数ドレインバスに接続されるTFTの駆
動電圧及び画素電圧変化を示すタイミングチャートであ
る。
FIG. 20 is a timing chart showing a drive voltage and a pixel voltage change of a TFT connected to an odd drain bus of an active matrix type thin film transistor liquid crystal panel showing another embodiment of the present invention, and FIG. 21 is another embodiment of the present invention. 6 is a timing chart showing a drive voltage and a pixel voltage change of a TFT connected to an even drain bus of an active matrix thin film transistor liquid crystal panel according to an embodiment.

【0080】この実施例においては、対向電極に供給す
る電圧信号VCOM AとVCOM Bを電圧変動量ΔV1 ′だ
けズラして電圧設定し、かつ各ドレインバスライン及び
各対向電極の極性が、それぞれ1走査ライン周期の2倍
の周期に極性反転する交流化駆動を行なっているため、
全ての画素電極に対して、画素電極を挟む2本のドレイ
ンバスライン及び対向電極の極性が書き込み時と変化し
ている期間が同等になり平均実効電圧が均一になるもの
である。
In this embodiment, the voltage signals V COM A and V COM B supplied to the common electrodes are shifted by the voltage variation ΔV 1 ′ to set the voltage, and the polarity of each drain bus line and each common electrode is set. Since the AC driving is performed in which the polarity is inverted twice as long as one scanning line period,
For all the pixel electrodes, the periods during which the polarities of the two drain bus lines and the counter electrode sandwiching the pixel electrode are changed during writing are the same, and the average effective voltage becomes uniform.

【0081】更に、対向電極に供給するVCOM A及びV
COM Bの電圧信号に、表示データより類推して算出した
全ての画素電極におけるΔV2 ′の平均電圧変動量ΔV
2 ′(平均値)をΔV2 ′の電圧変動によって生ずる実
効電圧ロス分として、補正データを含んだ状態のVCOM
A及びVCOM Bの電圧振幅より算出したΔV3 ′の平均
電圧変動量ΔV3 ′(平均値)をΔV3 ′の電圧変動に
よって生ずる実効電圧ロス分として付加して供給するた
めに、VCOM A及びVCOM Bの電圧波形を、正極性の書
き込み時には、VD (+) ′−ΔV−VTH−ΔV1 ′−
〔ΔV2 ′(平均値)〕−〔ΔV3 ′(平均値)〕の電
圧レベルに、負極性の書き込み時には、VD (-) ′+Δ
V+VTH−ΔV1 ′+〔ΔV2 ′(平均値)〕+〔ΔV
3 ′(平均値)〕の電圧レベルに設定したΔV+2VTH
+2×〔ΔV2 ′(平均値)〕+2×〔ΔV3 ′(平均
値)〕の変動振幅を有する電圧信号で供給すると、デー
タ回路より出力される電圧データの振幅をΔVに設定し
た場合においても、全ての画素の平均実効電圧をΔV+
THと同程度にすることができるものである。
Further, V COM A and V COM supplied to the opposite electrode
The average voltage variation ΔV of ΔV 2 ′ for all pixel electrodes calculated by analogy with the display signal to the voltage signal of COM B
2 ′ (average value) is defined as an effective voltage loss caused by a voltage change of ΔV 2 ′, and V COM in a state including correction data.
In order to supply added [Delta] V 3 calculated from voltage amplitude of the A and V COM B 'average voltage fluctuation amount [Delta] V 3' (average value) as the effective voltage loss in caused by the voltage fluctuation of ΔV 3 ', V COM When writing the voltage waveforms of A and V COM B to the positive polarity, V D (+) ′ − ΔV−V TH −ΔV 1 ′ −
At the time of writing the negative polarity to the voltage level of [ΔV 2 ′ (average value)] − [ΔV 3 ′ (average value)], V D (−) ′ + Δ
V + V TH −ΔV 1 ′ + [ΔV 2 ′ (average value)] + [ΔV
ΔV + 2V TH set to the voltage level of 3 '(average value)]
When supplied as a voltage signal having a fluctuation amplitude of + 2 × [ΔV 2 ′ (average value)] + 2 × [ΔV 3 ′ (average value)], when the amplitude of the voltage data output from the data circuit is set to ΔV Also, the average effective voltage of all pixels is ΔV +
It can be made to be about the same as V TH .

【0082】また、アクティブマトリクス型薄膜トラン
ジスタ液晶パネルの等価回路図は、図8と同様であり、
図15及び図16に示したように、TFT−LCDには
数多くの電気的配線が施されているため、液晶パネルの
構成条件として配線容量が存在し、各表示セルの液晶容
量CLCに書き込みを行なう時に、ロス電流を発生させ
る。ドレインバスラインとゲートバスラインの交差部分
により作成される容量CGDは、ドレインバスラインの電
圧が変動する毎に、ゲートバスラインとドレインバスに
ドレインバスラインの電圧変動量に比例したロス電流を
発生させ、また液晶層を介してドレインバスラインと対
向電極との間に作成される容量CDCは、同様にドレイン
バスラインの電圧が変動する毎にドレインバスライン
対向電極に、ドレインバスラインの電圧変動量に比例し
たロス電流を発生させる。
[0082] Further, the equivalent circuit diagram of an active matrix thin film transistor liquid crystal panel is similar to FIG. 8,
As shown in FIGS. 15 and 16, since a large number of electrical wirings are provided in the TFT-LCD, a wiring capacitance exists as a configuration condition of the liquid crystal panel, and writing to the liquid crystal capacitance CLC of each display cell is performed. , A loss current is generated. Capacitance C GD created by the intersection of the drain bus lines and gate bus lines, each time the voltage of the drain bus lines varies, the gate bus line and the drain bus loss current proportional to the voltage variation of the drain bus line is generated, and the drain bus line and the counter electrode for each capacitance C DC that is created between the drain bus line and the counter electrode via the liquid crystal layer, which likewise voltage of the drain bus lines varies, the drain bus line A loss current proportional to the amount of voltage fluctuation is generated.

【0083】ここで示す、各表示セル単位に存在するC
GD及びCDCにより発生する電流量はそれほど大きなもの
ではないが、配線全体で考えるとかなり大きな電流であ
るため、ロス電流を短い期間、例えばライン周期にパネ
ル外部に放出するためには、ドレインバスライン及びゲ
ートバスライン及び対向電極の低抵抗化を図るととも
に、各配線に接続される外部ドライバの電流容量を大き
くしなければならない。
The C existing in each display cell unit shown here
Without large so much amount of current generated by GD and C DC, for considering the whole wire is fairly large current, short duration loss current, in order to release, for example, in line periods outside the panel, the drain bus The resistance of the line, the gate bus line and the counter electrode must be reduced, and the current capacity of the external driver connected to each wiring must be increased.

【0084】本発明の実施例においては、隣接するドレ
インバスラインの極性が異なり、極性が変動する時に
は、隣接するドレインバスラインは必ず異なる極性の電
圧変動、例えば、一方が正極性から負極性に変動する場
合は、他方が負極性から正極性に変動することになる。
よって、1本のゲートバスライン上の隣接する容量CGD
同士あるいは各波型対向電極上に隣接する容量CDC同士
によって発生するロス電流は、互いに反対方向に流れる
電流であるため、ロス電流同士が相殺する傾向を示す。
In the embodiment of the present invention, the adjacent drain bus lines have different polarities, and when the polarity fluctuates, the adjacent drain bus lines always have voltage changes of different polarities, for example, one of the polarity changes from positive to negative. If it fluctuates, the other will fluctuate from negative polarity to positive polarity.
Therefore, the adjacent capacitance C GD on one gate bus line
Since the loss currents generated by the capacitors C DC adjacent to each other or on each corrugated counter electrode are currents flowing in opposite directions, the loss currents tend to cancel each other.

【0085】また、各波型対向電極においても、極性が
変動する時には、同様に隣接する対向電極同士が必ず異
なる極性の電圧変動をすることになる。よって、1本の
ドレインバスライン上の隣接する容量CDC同士によって
発生するロス電流同士も互いに相殺する傾向を示す。
Also, in each of the corrugated electrodes, when the polarity fluctuates, similarly, adjacent counter electrodes always undergo voltage fluctuations of different polarities. Therefore, a tendency that the loss current between generated by the capacitance C DC between adjacent on one drain bus lines also cancel each other.

【0086】このために、1本のゲートライン及びドレ
インバスライン及び各波型の対向電極に流れるロス電流
は非常に小さくなり、各配線の低抵抗化及び各配線に接
続される外部ドライバの大容量化を図らなくてもよい液
晶パネルを提供できるとともに、液晶パネルの大容量、
高精細化に適している。
For this reason, the loss current flowing through one gate line and drain bus line and the counter electrode of each wave type is extremely small, and the resistance of each wiring is reduced and the size of the external driver connected to each wiring is large. It is possible to provide a liquid crystal panel that does not require capacity increase,
Suitable for high definition.

【0087】なお、本発明は上記実施例に限定されるも
のではなく、本発明の趣旨に基づいて種々の変形が可能
であり、これらを本発明の範囲から排除するものではな
い。
The present invention is not limited to the above embodiments, but various modifications are possible based on the spirit of the present invention, and these are not excluded from the scope of the present invention.

【0088】[0088]

【発明の効果】以上、詳細に説明したように、本発明に
よれば、1本のゲートバスラインに薄膜トランジスタを
介して接続される、画素電極群をゲートバスライン方向
に交互に千鳥状に配置させ、当該1本のゲートバスライ
ンに接続される奇数番目の画素電極群と当該ゲートバス
ラインに隣接するゲートバスラインに接続される偶数番
目の画素電極群によりゲートバスライン方向に一列に配
列される画素電極群を構成し、ゲートバスライン方向に
一列に配列された当該画素電極群に対向して対向電極を
1個設け、複数個設けられた対向電極の内の奇数番目の
対向電極同士及び偶数番目の対向電極同士をそれぞれ接
続し、奇数番目の対向電極群及び偶数番目の対向電極群
をそれぞれスイッチングする回路を設け、隣接するドレ
インバスラインの電圧データの極性が異なり、1走査ラ
イン周期の2倍の周期に該電圧データの極性が反転し、
かつ正極性と負極性の該電圧データが互いに反転された
電圧を示す電圧信号を、各ドレインバスラインに供給
し、隣接する対向電極の極性が異なり、かつ各対向電極
に対応する画素電極群の極性データ及び液晶の閾値電圧
に相当するオフセット電圧及び実効電圧補正電圧を含む
電圧信号を各対向電極に供給し、ゲートバスラインの選
択信号により画素電極に電圧書き込みを行うことによ
り、液晶セルの平均実効電圧の均一化とゲートバスライ
ン及びドレインバスラインのスイッチングドライバの低
耐電圧化を達成することができる。
As described above in detail, according to the present invention, pixel electrode groups connected to one gate bus line via thin film transistors are alternately arranged in a staggered manner in the gate bus line direction. The one gate bus line
Odd-numbered pixel electrode groups connected to the gate bus
Even number connected to the gate bus line adjacent to the line
Lined up in the gate bus line direction by the pixel electrode group of the eye
Constitute a group of pixel electrodes arranged in a row, and
The counter electrode is opposed to the pixel electrode group arranged in a line.
One, and the odd-numbered
Connect the opposing electrodes and the even-numbered opposing electrodes
The odd-numbered counter electrode group and the even-numbered counter electrode group
Circuit for switching the
The polarity of the voltage data of the in-bus line is different and one scan line
The polarity of the voltage data is inverted at twice the period of the in period,
And the voltage data of the positive polarity and the negative polarity were inverted with each other.
Supply voltage signal indicating voltage to each drain bus line
The polarity of adjacent counter electrodes is different and each counter electrode
Data of pixel electrode group and threshold voltage of liquid crystal corresponding to
Includes offset voltage and effective voltage correction voltage equivalent to
A voltage signal is supplied to each counter electrode to select a gate bus line.
By performing voltage writing on the pixel electrode by the selection signal , the average effective voltage of the liquid crystal cell can be made uniform and the withstand voltage of the switching driver for the gate bus line and the drain bus line can be reduced.

【0089】更に、この駆動方法は、パネル内配線容量
によって発生するロス電流の発生も低減できるため、大
容量、高精細ディスプレイに最適である。また、この駆
動法はドレインバスラインにアナログ電圧を入力した場
合にも、同等の効果が得られるため、アクティブマトリ
クス型薄膜トランジスタ液晶パネルの階調駆動にも十分
適用できる。
Further, this driving method is suitable for a large-capacity, high-definition display, since the occurrence of a loss current caused by the wiring capacitance in the panel can be reduced. In addition, since this driving method can provide the same effect even when an analog voltage is input to the drain bus line, it can be sufficiently applied to gradation driving of an active matrix thin film transistor liquid crystal panel.

【0090】また、本発明によれば、1本のゲートバス
ラインに薄膜トランジスタを介して接続される画素電極
群をゲートバスライン方向に1列に配置させ、隣接する
2本のゲートバスラインにTFTを介して接続される
列の画素電極群において、当該2本のゲートバスライン
の内の一方のゲートバスラインに接続される奇数番目の
画素電極群と他方のゲートバスラインに接続される偶数
番目の画素電極群に対向して1個の波型対向電極を設け
る構成にし、かつ隣接しない波型対向電極同士を接続
し、それぞれスイッチングする回路を設け、隣接する
ドレインバスラインの電圧データの極性が異なり、1走
査ライン周期の2倍の周期に該電圧データの極性が反転
し、かつ正極性と負極性の該電圧データが互いに反転さ
れた電圧を示す電圧信号を、各ドレインバスラインに供
給し、隣接する対向電極の極性が異なり、かつ各対向電
極に対応する画素電極群の極性データ及び液晶の閾値電
圧に相当するオフセット電圧及び実効電圧補正電圧を含
む電圧信号を各対向電極に供給し、ゲートバスラインの
選択信号により画素電極に電圧書き込みを行うことによ
り、液晶セルの平均実効電圧の均一化とドレインバスラ
インのスイッチングドライバの低耐電圧化を達成するこ
とができる。
Further, according to the present invention, a group of pixel electrodes connected to one gate bus line via a thin film transistor is arranged in one row in the direction of the gate bus line, and two adjacent gate bus lines are provided with a TFT. 2 connected via
In the pixel electrode group of the column, the two gate bus lines
Odd-numbered connected to one of the gate bus lines
Even number connected to the pixel electrode group and the other gate bus line
To th facing the pixel electrode group provided one corrugated counter electrode structure, and is connected non-adjacent corrugated counter electrode to each other, respectively a circuit for switching provided, adjacent
The polarity of the drain bus line voltage data is different
The polarity of the voltage data is inverted twice as long as the inspection line cycle
And the voltage data of the positive polarity and the negative polarity are inverted with each other.
Voltage signal indicating the applied voltage to each drain bus line.
And the adjacent counter electrodes have different polarities and
Polarity data of the pixel electrode group corresponding to the pole and the threshold voltage of the liquid crystal
Voltage and the effective voltage correction voltage.
Voltage signal to each opposing electrode,
By writing a voltage to the pixel electrode by the selection signal , the average effective voltage of the liquid crystal cell can be made uniform and the withstand voltage of the switching driver of the drain bus line can be reduced.

【図面の簡単な説明】[Brief description of the drawings]

【図1】本発明の実施例を示すアクティブマトリクス型
薄膜トランジスタ液晶パネルの概略斜視図である。
FIG. 1 is a schematic perspective view of an active matrix type thin film transistor liquid crystal panel showing an embodiment of the present invention.

【図2】本発明の実施例を示すアクティブマトリクス型
薄膜トランジスタ液晶パネルの概略構成図である。
FIG. 2 is a schematic configuration diagram of an active matrix type thin film transistor liquid crystal panel showing an embodiment of the present invention.

【図3】本発明の実施例を示すアクティブマトリクス型
薄膜トランジスタ液晶パネルのデータ回路の概略ブロッ
ク図である。
FIG. 3 is a schematic block diagram of a data circuit of an active matrix thin film transistor liquid crystal panel according to an embodiment of the present invention.

【図4】本発明の実施例を示すアクティブマトリクス型
薄膜トランジスタ液晶パネルのコモン変動回路を示す図
である。
FIG. 4 is a diagram showing a common variation circuit of an active matrix type thin film transistor liquid crystal panel according to an embodiment of the present invention.

【図5】本発明の実施例を示すアクティブマトリクス型
薄膜トランジスタ液晶パネルのドレインバスに供給され
る電圧データのタイミングを示す図である。
FIG. 5 is a diagram showing timing of voltage data supplied to a drain bus of an active matrix thin film transistor liquid crystal panel according to the embodiment of the present invention.

【図6】本発明の実施例を示すアクティブマトリクス型
薄膜トランジスタ液晶パネルのコモン変動回路の動作タ
イミングチャートである。
FIG. 6 is an operation timing chart of a common variation circuit of an active matrix thin film transistor liquid crystal panel according to an embodiment of the present invention.

【図7】本発明の実施例を示すアクティブマトリクス型
薄膜トランジスタ液晶パネルの液晶セルの等価回路図で
ある。
FIG. 7 is an equivalent circuit diagram of a liquid crystal cell of an active matrix thin film transistor liquid crystal panel according to an embodiment of the present invention.

【図8】本発明の実施例を示すアクティブマトリクス型
薄膜トランジスタ液晶パネルの等価回路図である。
FIG. 8 is an equivalent circuit diagram of an active matrix thin film transistor liquid crystal panel showing an embodiment of the present invention.

【図9】本発明の実施例を示すアクティブマトリクス型
薄膜トランジスタ液晶パネルの奇数ドレインバスに接続
されるTFTの駆動電圧及び画素電圧変化を示すタイミ
ングチャートである。
FIG. 9 is a timing chart showing a drive voltage and a pixel voltage change of a TFT connected to an odd drain bus of an active matrix thin film transistor liquid crystal panel according to an embodiment of the present invention.

【図10】本発明の実施例を示すアクティブマトリクス
型薄膜トランジスタ液晶パネルの偶数ドレインバスに接
続されるTFTの駆動電圧及び画素電圧変化を示すタイ
ミングチャートである。
FIG. 10 is a timing chart showing a drive voltage and a pixel voltage change of a TFT connected to an even drain bus of an active matrix thin film transistor liquid crystal panel according to an embodiment of the present invention.

【図11】本発明の変形実施例を示すアクティブマトリ
クス型薄膜トランジスタ液晶パネルの概略構成図であ
る。
FIG. 11 is a schematic configuration diagram of an active matrix type thin film transistor liquid crystal panel showing a modified embodiment of the present invention.

【図12】従来のアクティブマトリクス型薄膜トランジ
スタ液晶パネルの構成図である。
FIG. 12 is a configuration diagram of a conventional active matrix type thin film transistor liquid crystal panel.

【図13】従来のアクティブマトリクス型薄膜トランジ
スタ液晶パネルの駆動タイミングチャートを示す図であ
る。
FIG. 13 is a diagram showing a drive timing chart of a conventional active matrix type thin film transistor liquid crystal panel.

【図14】従来のTN液晶セルの電気−光学特性を示す
図である。
FIG. 14 is a diagram showing electro-optical characteristics of a conventional TN liquid crystal cell.

【図15】本発明の他の実施例を示すアクティブマトリ
クス型薄膜トランジスタ液晶パネルの概略斜視図であ
る。
FIG. 15 is a schematic perspective view of an active matrix type thin film transistor liquid crystal panel showing another embodiment of the present invention.

【図16】本発明の他の実施例を示すアクティブマトリ
クス型薄膜トランジスタ液晶パネルの対向電極の構成を
示す図である。
FIG. 16 is a view showing a configuration of a counter electrode of an active matrix type thin film transistor liquid crystal panel according to another embodiment of the present invention.

【図17】本発明の他の実施例を示すアクティブマトリ
クス型薄膜トランジスタ液晶パネルの概略ブロック図で
ある。
FIG. 17 is a schematic block diagram of an active matrix thin film transistor liquid crystal panel showing another embodiment of the present invention.

【図18】本発明の他の実施例を示すアクティブマトリ
クス型薄膜トランジスタ液晶パネルのドレインバスに供
給される電圧データのタイミングを示す図である。
FIG. 18 is a diagram showing timing of voltage data supplied to a drain bus of an active matrix thin film transistor liquid crystal panel according to another embodiment of the present invention.

【図19】本発明の他の実施例を示すアクティブマトリ
クス型薄膜トランジスタ液晶パネルのコモン変動回路の
タイミングチャートである。
FIG. 19 is a timing chart of a common variation circuit of an active matrix thin film transistor liquid crystal panel according to another embodiment of the present invention.

【図20】本発明の他の実施例を示すアクティブマトリ
クス型薄膜トランジスタ液晶パネルの奇数ドレインバス
に接続されるTFTの駆動電圧及び画素電圧変化を示す
タイミングチャートである。
FIG. 20 is a timing chart showing a drive voltage and a pixel voltage change of a TFT connected to an odd drain bus of an active matrix type thin film transistor liquid crystal panel according to another embodiment of the present invention.

【図21】本発明の他の実施例を示すアクティブマトリ
クス型薄膜トランジスタ液晶パネルの偶数ドレインバス
に接続されるTFTの駆動電圧及び画素電圧変化を示す
タイミングチャートである。
FIG. 21 is a timing chart showing a drive voltage and a pixel voltage change of a TFT connected to an even drain bus of an active matrix type thin film transistor liquid crystal panel according to another embodiment of the present invention.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

11 ゲートバスライン 12 ドレインバスライン 13 TFT(薄膜トランジスタ) 14 画素電極 15 対向電極 15a 画素電極と対向する部分 15b 対向電極接合部 16 液晶 17 補助容量 18 補助容量線 19 隙間 20 走査回路 30 データ回路 31 データ発生部 32 データ反転部A 33 データ反転部B 34 データ出力部A 35 データ出力部B 40 コモン変動回路 41,42 バッファ 43,44 オペアンプ 45,46 MOSFET REFERENCE SIGNS LIST 11 gate bus line 12 drain bus line 13 TFT (thin film transistor) 14 pixel electrode 15 counter electrode 15 a portion facing pixel electrode 15 b counter electrode junction 16 liquid crystal 17 auxiliary capacitance 18 auxiliary capacitance line 19 gap 20 scanning circuit 30 data circuit 31 data Generation unit 32 Data inversion unit A 33 Data inversion unit B 34 Data output unit A 35 Data output unit B 40 Common variation circuit 41, 42 Buffer 43, 44 Operational amplifier 45, 46 MOSFET

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 高橋 敦 東京都港区虎ノ門1丁目7番12号 沖電 気工業株式会社内 (72)発明者 濱野 広 東京都港区虎ノ門1丁目7番12号 沖電 気工業株式会社内 (58)調査した分野(Int.Cl.7,DB名) G09G 3/36 G02F 1/133 G09G 3/20 ──────────────────────────────────────────────────続 き Continued on the front page (72) Inventor Atsushi Takahashi 1-7-12 Toranomon, Minato-ku, Tokyo Oki Electric Industry Co., Ltd. (72) Hiroshi Hamano 1-7-112 Toranomon, Minato-ku, Tokyo Oki Electric Industry Co., Ltd. (58) Field surveyed (Int. Cl. 7 , DB name) G09G 3/36 G02F 1/133 G09G 3/20

Claims (5)

(57)【特許請求の範囲】(57) [Claims] 【請求項1】 背面基板上に直交配置されるゲートバス
ラインとドレインバスラインを設け、前記ゲートバスラ
インとドレインバスラインの交点に各画素電極に対応し
た薄膜トランジスタを設け、前面基板上に透明な対向電
極を設け、前記背面基板と前面基板の表面に適当な方向
に配向処理された配向膜を設け、両基板の配向膜同士
を、液晶層を介して対向配置させ貼り合わせ、かつ前記
背面基板と前面基板の背面に偏光膜を貼り付けたアクテ
ィブマトリクス型薄膜トランジスタ液晶パネルの駆動方
法において、 1本のゲートバスラインに薄膜トランジスタを介して接
続される画素電極群をゲートバスライン方向に交互に千
鳥状に配置させ、当該1本のゲートバスラインに接続さ
れる奇数番目の画素電極群と当該ゲートバスラインに隣
接するゲートバスラインに接続される偶数番目の画素電
極群によりゲートバスライン方向に一列に配列される
素電極群を構成し、ゲートバスライン方向に一列に配列
された当該画素電極群に対向して対向電極を1個設け、
複数個設けられた対向電極の内奇数番目の対向電極同
士及び偶数番目の対向電極同士をそれぞれ接続し、奇数
番目の対向電極群及び偶数番目の対向電極群をそれぞれ
スイッチングする回路を設け、隣接するドレインバスラ
インの電圧データの極性が異なり、1走査ライン周期の
2倍の周期に該電圧データの極性が反転し、かつ正極性
と負極性の該電圧データが互いに反転された電圧を示す
電圧信号を、各ドレインバスラインに供給し、隣接する
対向電極の極性が異なり、かつ各対向電極に対応する画
素電極群の極性データ及び液晶の閾値電圧に相当するオ
フセット電圧及び実効電圧補正電圧を含む電圧信号を各
対向電極に供給し、ゲートバスラインの選択信号により
画素電極に電圧書き込みを行うことを特徴とするアクテ
ィブマトリクス型薄膜トランジスタ液晶パネルの駆動方
法。
A gate bus line and a drain bus line which are orthogonally arranged on a rear substrate; a thin film transistor corresponding to each pixel electrode is provided at an intersection of the gate bus line and the drain bus line; Providing a counter electrode, providing an alignment film oriented in an appropriate direction on the surfaces of the back substrate and the front substrate, aligning the alignment films of both substrates to face each other via a liquid crystal layer, and bonding the substrates. And a method of driving an active matrix type thin film transistor liquid crystal panel in which a polarizing film is adhered to the back surface of the front substrate, wherein a group of pixel electrodes connected to one gate bus line via a thin film transistor are alternately staggered in the gate bus line direction. And connected to the one gate bus line.
Adjacent to the odd-numbered pixel electrode group
Even-numbered pixel electrodes connected to the adjacent gate bus line
Configure the image <br/> pixel electrode group arranged in a row in the gate bus line direction by pole group, the gate bus line direction arranged in a row
Opposite to have been the pixel electrode group opposing electrode provided one by,
The odd-numbered counter electrodes and the even-numbered counter electrodes are connected to each other among the plurality of provided counter electrodes, and the odd-numbered counter electrode group and the even-numbered counter electrode group are respectively connected.
A switching circuit is provided, the polarity of the voltage data of the adjacent drain bus line is different, the polarity of the voltage data is inverted in a cycle twice as long as one scanning line cycle, and the positive and negative voltage data are mutually A voltage signal indicating the inverted voltage is supplied to each drain bus line, the polarity of the adjacent counter electrode is different, and the offset voltage corresponding to the polarity data of the pixel electrode group corresponding to each counter electrode and the threshold voltage of the liquid crystal. And a voltage signal including an effective voltage correction voltage is supplied to each counter electrode, and a voltage is written to a pixel electrode by a selection signal of a gate bus line, thereby driving the active matrix thin film transistor liquid crystal panel.
【請求項2】 前記画素電極と隣接するドレインバスラ
インとの間に存在する容量CDP1 とCDP2 を含むインピ
ーダンス成分を等しくし、動作させることを特徴とする
請求項1記載のアクティブマトリクス型薄膜トランジス
タ液晶パネルの駆動方法。
2. The active matrix type thin film transistor according to claim 1, wherein impedance components including capacitances C DP1 and C DP2 existing between said pixel electrode and an adjacent drain bus line are made equal to operate. How to drive a liquid crystal panel.
【請求項3】 前記画素電極と対向電極との間の液晶容
量CLCに対して電気的に並列に補助容量CS を設け、動
作させることを特徴とする請求項1記載のアクティブマ
トリクス型薄膜トランジスタ液晶パネルの駆動方法。
3. The active matrix type thin film transistor according to claim 1, wherein an auxiliary capacitance CS is provided electrically in parallel with the liquid crystal capacitance CLC between the pixel electrode and the counter electrode, and is operated. How to drive a liquid crystal panel.
【請求項4】 背面基板上に直交配置されるゲートバス
ラインとドレインバスラインを設け、前記ゲートバスラ
インとドレインバスラインの交点に各画素電極に対応し
た薄膜トランジスタを設け、前面基板上に透明な対向電
極を設け、前記背面基板と前面基板の表面に適当な方向
に配向処理された配向膜を設け、両基板の配向膜同士
を、液晶層を介して対向配置させ貼り合わせ、かつ前記
背面基板と前面基板の背面に偏光膜を貼り付けたアクテ
ィブマトリクス型薄膜トランジスタ液晶パネルの駆動方
法において、 1本のゲートバスラインに薄膜トランジスタを介して接
続される画素電極群をゲートバスライン方向に一列に
させ、隣接する2本のゲートバスラインに薄膜トラン
ジスタを介して接続される2列の画素電極群において
該2本のゲートバスラインの内の一方のゲートバスライ
ンに接続される奇数番目の画素電極群と他方のゲートバ
スラインに接続される偶数番目の画素電極群に対向して
1個の波型対向電極を設ける構成にし、かつ隣接しない
波型対向電極同士を接続し、それぞれスイッチング
る回路を設け、隣接するドレインバスラインの電圧デー
タの極性が異なり、1走査ライン周期の2倍の周期に該
電圧データの極性が反転し、かつ正極性と負極性の該電
圧データが互いに反転された電圧を示す電圧信号を、各
ドレインバスラインに供給し、隣接する対向電極の極性
が異なり、かつ各対向電極に対応する画素電極群の極性
データ及び液晶の閾値電圧に相当するオフセット電圧及
び実効電圧補正電圧を含む電圧信号を各対向電極に供給
し、ゲートバスラインの選択信号により画素電極に電圧
書き込みを行うことを特徴とするアクティブマトリクス
型薄膜トランジスタ液晶パネルの駆動方法。
4. A gate bus line and a drain bus line which are orthogonally arranged on a rear substrate, thin film transistors corresponding to respective pixel electrodes are provided at intersections of the gate bus lines and the drain bus lines, and a transparent substrate is provided on the front substrate. Providing a counter electrode, providing an alignment film oriented in an appropriate direction on the surfaces of the back substrate and the front substrate, aligning the alignment films of both substrates to face each other via a liquid crystal layer, and bonding the substrates. And a method of driving an active matrix type thin film transistor liquid crystal panel having a polarizing film attached to the back surface of the front substrate, wherein pixel electrodes connected to one gate bus line via the thin film transistor are arranged in a line in the gate bus line direction. br /> is location, the pixel electrode group of two rows which are connected via a thin film transistor adjacent two gate bus lines those
One gate bus line of the two gate bus lines
Odd-numbered pixel electrode groups connected to
Opposite the even-numbered pixel electrode group connected to Surain to be provided with a single corrugated counter electrode, and connecting the corrugated counter electrode to each other which are not adjacent, to switch the respective
That the circuit is provided, different polarities of the voltage data of the adjacent drain bus lines, first polarity of said voltage data to twice the period of the scan line period is inverted, and the inverted positive and negative polarities of the voltage data from each other A voltage signal indicating the applied voltage is supplied to each drain bus line, the polarity of the adjacent counter electrode is different, and the offset voltage and the polarity data of the pixel electrode group corresponding to each counter electrode and the threshold voltage of the liquid crystal. A method for driving an active matrix type thin film transistor liquid crystal panel, characterized in that a voltage signal including an effective voltage correction voltage is supplied to each counter electrode, and a voltage is written to a pixel electrode by a selection signal of a gate bus line.
【請求項5】 前記画素電極と隣接するドレインバスと
の間に存在する容量CDP1 とCDP2 を含むインピーダン
ス成分を等しくし、動作させることを特徴とする請求項
記載のアクティブマトリクス型薄膜トランジスタ液晶
パネルの駆動方法。
5. An operation in which impedance components including capacitances C DP1 and C DP2 existing between the pixel electrode and an adjacent drain bus are equalized and operated.
5. The method for driving an active matrix thin film transistor liquid crystal panel according to 4 .
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