JPH0635418A - Method for driving active matrix type thin film transistor liquid crystal panel - Google Patents
Method for driving active matrix type thin film transistor liquid crystal panelInfo
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- JPH0635418A JPH0635418A JP19529592A JP19529592A JPH0635418A JP H0635418 A JPH0635418 A JP H0635418A JP 19529592 A JP19529592 A JP 19529592A JP 19529592 A JP19529592 A JP 19529592A JP H0635418 A JPH0635418 A JP H0635418A
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Abstract
Description
【0001】[0001]
【産業上の利用分野】本発明は、アクティブマトリクス
型薄膜トランジスタ液晶パネルの駆動方法に関するもの
である。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a method of driving an active matrix type thin film transistor liquid crystal panel.
【0002】[0002]
【従来の技術】従来、このような分野の技術としては、
例えば、テレビジョン学会誌 Vol.42、No.
1,P.10〜16及びP.23〜29に記載されるも
のがあった。従来、アクティブマトリクス型液晶パネ
ル、特に薄膜トランジスタを利用したもの(TFT−L
CD)の駆動方法は、その交流化方法の違いにより、数
種類の異なった手法が用いられているが、電圧供給方法
の概念は同様のものである。そこで代表的な例として、
走査周期毎に交流化を行なう駆動方法(以後、フレーム
モードという)について説明する。2. Description of the Related Art Conventionally, as a technique in such a field,
For example, Journal of Television Society Vol. 42, No.
1, P. 10-16 and P.I. 23-29. Conventionally, an active matrix type liquid crystal panel, especially one using a thin film transistor (TFT-L
As a driving method of (CD), several kinds of different methods are used depending on the difference of the alternating method, but the concept of the voltage supply method is the same. So, as a typical example,
A driving method (hereinafter, referred to as a frame mode) for performing alternating current for each scanning cycle will be described.
【0003】図12はかかる従来のアクティブマトリク
ス型薄膜トランジスタ液晶パネルの構成図、図13はそ
の駆動タイミングチャートを示す。図に示すように、ア
クティブマトリクス型薄膜トランジスタ液晶パネルは、
一般に背面基板上にゲートバスライン51とドレインバ
スライン52を直交配置して、その交点に各画素電極に
対応したスイッチング素子として薄膜トランジスタ(T
FT)53を設け、前面基板上に透明な対向電極54を
設け、両基板の表面に適当な方向に配向処理された配向
膜を設け、両基板の配向膜を液晶層を介して対向配置さ
せて貼り合わせ、かつ前面基板と背面基板の背面に、互
いの偏光軸が平行あるいは垂直になるように偏光膜を貼
り付けた構成にし、TFT53を介して供給される画素
電極の電圧と対向電極54の電圧との電位差により、両
電極に挟まれた部分の液晶55をスイッチングするもの
である。FIG. 12 is a block diagram of such a conventional active matrix type thin film transistor liquid crystal panel, and FIG. 13 is a drive timing chart thereof. As shown in the figure, the active matrix thin film transistor liquid crystal panel is
In general, a gate bus line 51 and a drain bus line 52 are arranged orthogonally on a rear substrate, and a thin film transistor (T) is provided at the intersection as a switching element corresponding to each pixel electrode.
FT) 53, a transparent counter electrode 54 is provided on the front substrate, an alignment film that has been subjected to an alignment treatment in an appropriate direction is provided on the surfaces of both substrates, and the alignment films of both substrates are arranged to face each other through a liquid crystal layer. And a polarizing film is attached to the rear surfaces of the front substrate and the rear substrate such that their polarization axes are parallel or perpendicular to each other, and the voltage of the pixel electrode supplied via the TFT 53 and the counter electrode 54. The liquid crystal 55 in the portion sandwiched between the two electrodes is switched by the potential difference from the voltage.
【0004】TFTのスイッチング手段として、ゲート
バスライン51には走査回路60が、ドレインバスライ
ン52にはデータ回路70が接続され、そのTFT53
のゲート選択信号として走査回路60からON電圧V
G(+),OFF電圧VG(-)が、TFT53のドレイン選択
及び輝度データ信号として、データ回路70から正極性
の書き込み電圧VD(+),負極性の書き込み電圧VD(-)が
供給される。As a TFT switching means, a scanning circuit 60 is connected to the gate bus line 51, and a data circuit 70 is connected to the drain bus line 52.
ON voltage V from the scanning circuit 60 as a gate selection signal of
G (+) and OFF voltage V G (-) are the drain selection and luminance data signal of the TFT 53, and the positive write voltage V D (+) and the negative write voltage V D (-) are output from the data circuit 70. Supplied.
【0005】TFT53により書き込まれた画素電極の
電圧VS は、図13に示すように、その電圧保持状態に
おいて、2度の電圧変動を起こす。第1にTFT53の
ゲート選択信号がON状態からOFF状態に変化する際
に、前記選択信号が供給されるTFT53に接続される
画素電極の電圧VS は、該TFT53の寄生容量CgSに
より、ΔV1 だけ変動する。As shown in FIG. 13, the voltage V S of the pixel electrode written by the TFT 53 causes a voltage fluctuation twice in the voltage holding state. First, when the gate selection signal of the TFT 53 changes from the ON state to the OFF state, the voltage V S of the pixel electrode connected to the TFT 53 to which the selection signal is supplied is ΔV due to the parasitic capacitance C gS of the TFT 53. It fluctuates by 1 .
【0006】第2にデータ信号が書き込み時の極性と反
対の極性に変化する時に、画素電極とドレインバスライ
ン52との間の電界効果によってΔV2 だけ変動する。
このために、画素電極と対向電極との間の電位差が画素
電極の電圧VS の変動に対して、正極性の書き込み時と
負極性の書き込み時とで均等になるように、対向電極に
対して電圧VCOM が供給される。Secondly, when the data signal changes to a polarity opposite to the polarity at the time of writing, it changes by ΔV 2 due to the electric field effect between the pixel electrode and the drain bus line 52.
For this reason, the potential difference between the pixel electrode and the counter electrode is made uniform with respect to the variation of the voltage V S of the pixel electrode during the positive polarity writing and during the negative polarity writing. Voltage V COM is supplied.
【0007】図14に2枚の偏光膜の偏光軸を平行にな
るように貼り付けた構成にした場合のTN液晶セルの電
気−光学特性を示す。アクティブマトリクス型薄膜トラ
ンジスタ液晶パネルに使用されるTN液晶セルは、画素
電極と対向電極との電位差に対して、光透過率が急激に
増加する閾値電圧VTHと光透過率の変動が無くなる飽和
電圧VSAT が存在し、VTH〜VSAT の電圧範囲ΔVにお
いては、電圧変動が光透過率の変化を示す。このため、
完全なON状態を達成するには、正極性においてはV
SAT <VS −VCOM 、負極性においてはVSAT <VCOM
−VS の電圧条件に設定し、完全なOFF状態を達成す
るには、正極性においてはVTH>VS −VCOM 、負極性
においてはVTH>VCOM −VS の電圧条件に設定するこ
とにより、液晶セルのスイッチングができるものであ
る。FIG. 14 shows the electro-optical characteristics of a TN liquid crystal cell in the case where two polarizing films are attached so that their polarization axes are parallel to each other. The TN liquid crystal cell used in the active matrix type thin film transistor liquid crystal panel has a threshold voltage V TH at which the light transmittance sharply increases and a saturation voltage V at which the light transmittance does not vary with respect to the potential difference between the pixel electrode and the counter electrode. In the presence of SAT , in the voltage range ΔV from V TH to V SAT , the voltage fluctuation shows a change in light transmittance. For this reason,
In order to achieve a complete ON state, V in the positive polarity
SAT <V S −V COM , V SAT <V COM in negative polarity
In order to set a voltage condition of −V S and achieve a complete OFF state, a voltage condition of V TH > V S −V COM in the positive polarity and V TH > V COM −V S in the negative polarity are set. By doing so, the liquid crystal cell can be switched.
【0008】[0008]
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、以上述
べた駆動方法においては、画素電極にデータ信号が書き
込まれてから、ドレインバスラインの電圧極性が反転す
るまでの時間が異なる場合、例えば走査回路によって選
択される第1のゲートバスラインと、第Nのゲートバス
ラインにそれぞれTFTを介して接続される画素電極の
電圧VS を比較すると、画素電極とドレインバスライン
との間の電界効果によって、ΔV2 だけ電圧が変動する
期間が異なるため、液晶層にかかる走査周期毎の平均実
効電圧が異なり、光透過率の相違が発生する。However, in the driving method described above, when the time from the writing of the data signal to the pixel electrode until the voltage polarity of the drain bus line is inverted is different, for example, depending on the scanning circuit. Comparing the voltage V S of the pixel electrode connected to the selected first gate bus line and the Nth gate bus line via the TFT, respectively, the electric field effect between the pixel electrode and the drain bus line shows that Since the period in which the voltage fluctuates by ΔV 2 is different, the average effective voltage applied to the liquid crystal layer for each scanning cycle is different, and the light transmittance is also different.
【0009】また、液晶層のスイッチングには、画素電
極と対向電極との間にΔVの電圧変動を発生させるだけ
で十分であるが、対向電極の電圧を固定し、画素電極の
電圧を正極性と負極性に変動させるため、ドレインバス
ラインのドライバにVSAT ×2〔(VTH+ΔV)×2に
相当〕のスイッチング電圧が必要となり、ΔV+VTH×
2の電圧分だけ余分なスイッチング電圧が必要となり、
ドライバの低耐圧化の障害となっていた。Further, for the switching of the liquid crystal layer, it is sufficient to generate a voltage fluctuation of ΔV between the pixel electrode and the counter electrode, but the voltage of the counter electrode is fixed and the voltage of the pixel electrode is positive. In order to change to a negative polarity, the driver of the drain bus line requires a switching voltage of V SAT × 2 [corresponding to (V TH + ΔV) × 2], and ΔV + V TH ×
2 extra switching voltage is needed,
This has been an obstacle to lowering the breakdown voltage of the driver.
【0010】本発明の目的は、以上述べた液晶層にかか
る走査周期毎の平均実効電圧のばらつきと、ドレインバ
スラインにかかる余分なスイッチング電圧VTH×2+Δ
Vを減少あるいは無くすために、1本のゲートバスライ
ンにTFTを介して接続される画素電極群をゲートバス
ライン方向に交互に千鳥状に配置させ、ゲートバスライ
ン方向に並ぶ画素電極群を2本のゲートバスラインによ
り制御する構成にし、各対向電極をゲートバスライン方
向に並ぶ該画素電極群毎に対応させて設け、かつ隣接す
るドレインバス同士及び隣接する対向電極同士が異なる
極性を示し、1走査ライン周期の2倍の周期毎にそれぞ
れの極性が反転する交流化手法により、前記平均実効電
圧のばらつきを無くし、また各ドレインバスラインに供
給される正極性と負極性のデータが互いに反転された電
圧情報として供給されるデータ構成にし、各対向電極に
同等の電圧振幅を有し、該電圧振幅により書き込み電圧
を補い、ドレインバスライン及びゲートバスラインのス
イッチングドライバの低耐圧化を達成する優れたアクテ
ィブマトリクス型薄膜トランジスタ液晶パネルの駆動方
法を提供することにある。The object of the present invention is to disperse the average effective voltage applied to the liquid crystal layer for each scanning period and the extra switching voltage V TH × 2 + Δ applied to the drain bus line.
In order to reduce or eliminate V, pixel electrode groups connected to one gate bus line via TFTs are alternately arranged in a staggered pattern in the gate bus line direction, and two pixel electrode groups arranged in the gate bus line direction are arranged. In the configuration controlled by a book gate bus line, each counter electrode is provided corresponding to each pixel electrode group arranged in the gate bus line direction, and adjacent drain buses and adjacent counter electrodes show different polarities, By the alternating method in which the polarities are inverted every double the period of one scanning line, the variation of the average effective voltage is eliminated, and the positive polarity data and the negative polarity data supplied to each drain bus line are mutually inverted. The data structure is such that it is supplied as the generated voltage information, each counter electrode has the same voltage amplitude, and the write voltage is compensated by the voltage amplitude, It is to provide an excellent method of driving an active matrix type thin film transistor liquid crystal panel to achieve the lowering of the withstand voltage of the switching driver Surain and the gate bus line.
【0011】また、本発明の他の目的は、1本のゲート
バスラインにTFTを介して接続される画素電極群をラ
イン方向に配置し、隣接する2本のゲートバスラインに
TFTを介して接続される画素電極群において、ゲート
バスライン方向に交互に千鳥状に2本のゲートバスライ
ンから選択した画素電極群に対して、1個の波型対向電
極を設ける構成にし、かつ隣接するドレインバスライン
同士及び隣接する対向電極同士が異なる極性を示し、1
走査ライン周期の2倍の周期毎にそれぞれの極性が反転
する交流化手法により、前記平均実効電圧のばらつきを
無くし、また各ドレインバスラインに供給される正極性
と負極性のデータが互いに反転された電圧情報として供
給されるデータ構成にし、各対向電極に同等の電圧振幅
を有し、該電圧振幅により書き込み電圧を補い、ドレイ
ンバスラインのスイッチングドライバの低耐圧化を達成
する優れたアクティブマトリクス型薄膜トランジスタ液
晶パネルの駆動方法を提供することを目的とする。Another object of the present invention is to arrange pixel electrode groups connected to one gate bus line via a TFT in the line direction, and to connect two adjacent gate bus lines via a TFT. In a pixel electrode group to be connected, one wavy counter electrode is provided for a pixel electrode group selected from two gate bus lines alternately in a zigzag direction in the gate bus line direction, and adjacent drain electrodes are provided. The bus lines and adjacent counter electrodes show different polarities.
By the alternating method in which the polarities are inverted every double the scanning line period, the variation of the average effective voltage is eliminated, and the positive polarity data and the negative polarity data supplied to each drain bus line are mutually inverted. An excellent active matrix type which has a data structure which is supplied as voltage information, has an equal voltage amplitude to each counter electrode, and compensates a write voltage by the voltage amplitude to achieve a low breakdown voltage of a switching driver of a drain bus line. It is an object to provide a driving method of a thin film transistor liquid crystal panel.
【0012】[0012]
【課題を解決するための手段】本発明は、上記目的を達
成するために、背面基板上に直交配置されるゲートバス
ラインとドレインバスラインを設け、前記ゲートバスラ
インとドレインバスラインの交点に各画素電極に対応し
た薄膜トランジスタを設け、前面基板上に透明な対向電
極を設け、前記背面基板と前面基板の表面に適当な方向
に配向処理された配向膜を設け、両基板の配向膜同士
を、液晶層を介して対向配置させ貼り合わせ、かつ前記
背面基板と前面基板の背面に偏光膜を貼り付けたアクテ
ィブマトリクス型薄膜トランジスタ液晶パネルの駆動方
法において、1本のゲートバスラインに薄膜トランジス
タを介して接続される画素電極群をゲートバスライン方
向に交互に千鳥状に配置させ、隣接する2本のゲートバ
スラインに対応する1部分の画素電極群によりゲートバ
スライン方向の画素電極群を構成し、ゲートバスライン
方向に並ぶ画素電極群に対して対向電極を1個設け、複
数個設けられた対向電極の内奇数番目の対向電極同士及
び偶数番目の対向電極同士をそれぞれ接続し、奇数番目
の対向電極群及び偶数番目の対向電極群にスイッチング
素子を設け、隣接するドレインバスラインの電圧データ
の極性が異なり、1走査ライン周期の2倍の周期に該電
圧データの極性が反転し、かつ正極性と負極性の該電圧
データが互いに反転された電圧を示す電圧信号を、各ド
レインバスラインに供給し、隣接する対向電極の極性が
異なり、各対向電極に対応する画素電極群の極性データ
及び液晶の閾値電圧に相当するオフセット電圧及び実効
電圧補正電圧を含む電圧信号を各対向電極に供給し、ゲ
ートバスラインの選択信号により画素電極に電圧書き込
みを行うようにしたものである。In order to achieve the above object, the present invention provides a gate bus line and a drain bus line which are arranged orthogonally on a back substrate, and which is provided at the intersection of the gate bus line and the drain bus line. A thin film transistor corresponding to each pixel electrode is provided, a transparent counter electrode is provided on the front substrate, alignment films that are oriented in appropriate directions are provided on the surfaces of the back substrate and the front substrate, and the alignment films of both substrates are provided. In a method for driving an active matrix thin film transistor liquid crystal panel, which is arranged so as to face each other with a liquid crystal layer interposed therebetween and is adhered, and a polarizing film is adhered to the back surfaces of the back substrate and the front substrate, one gate bus line is provided with a thin film transistor interposed therebetween. Pixel electrode groups to be connected are alternately arranged in a zigzag pattern in the direction of the gate bus lines to correspond to two adjacent gate bus lines. A pixel electrode group in the gate bus line direction is formed by the partial pixel electrode group, one counter electrode is provided for the pixel electrode group arranged in the gate bus line direction, and an odd-numbered counter electrode of the plurality of counter electrodes is provided. The electrodes are connected to each other and the even-numbered counter electrodes are connected to each other, and the switching elements are provided to the odd-numbered counter electrode groups and the even-numbered counter electrode groups. A voltage signal indicating a voltage in which the polarity of the voltage data is inverted in a cycle twice as long as that of the positive polarity and the voltage data of the negative polarity is inverted to each other is supplied to each drain bus line, Polarity is different, and the voltage data including the polarity data of the pixel electrode group corresponding to each counter electrode, the offset voltage corresponding to the threshold voltage of the liquid crystal, and the effective voltage correction voltage are countered. It is supplied to the electrode, in which to perform the voltage written to the pixel electrodes by the selection signal of the gate bus line.
【0013】また、1本のゲートバスラインに薄膜トラ
ンジスタを介して接続される画素電極群をゲートバスラ
イン方向に配置し、隣接する2本のゲートバスラインに
薄膜トランジスタを介して接続される画素電極群におい
て、ゲートバスライン方向に交互に千鳥状に2本のゲー
トバスラインから選択した画素電極群に対して、1個の
波型対向電極を設ける構成にし、かつ隣接しない波型対
向電極同士を接続し、それぞれにスイッチング素子を設
け、隣接するドレインバスラインの電圧データの極性が
異なり、1走査ライン周期の2倍の周期に該電圧データ
の極性が反転し、かつ正極性と負極性の該電圧データが
互いに反転された電圧を示す電圧信号を、各ドレインバ
スラインに供給し、隣接する対向電極の極性が異なり、
かつ各対向電極に対応する画素電極群の極性データ及び
液晶の閾値電圧に相当するオフセット電圧及び実効電圧
補正電圧を含む電圧信号を各対向電極に供給し、ゲート
バスラインの選択信号により画素電極に電圧書き込みを
行うようにしたものである。Pixel electrode groups connected to one gate bus line via thin film transistors are arranged in the gate bus line direction, and pixel electrode groups connected to two adjacent gate bus lines via thin film transistors. In the configuration described above, one wavy counter electrode is provided for a pixel electrode group selected from two gate bus lines alternately in a zigzag direction in the gate bus line direction, and wavy counter electrodes that are not adjacent are connected to each other. However, the polarity of the voltage data of adjacent drain bus lines is different, and the polarity of the voltage data is inverted in a period twice as long as one scanning line period, and the positive and negative voltages are provided. A voltage signal indicating a voltage in which data is inverted from each other is supplied to each drain bus line, and the polarities of adjacent counter electrodes are different,
Further, a voltage signal including the polarity data of the pixel electrode group corresponding to each counter electrode, the offset voltage corresponding to the threshold voltage of the liquid crystal, and the effective voltage correction voltage is supplied to each counter electrode, and the pixel electrode is supplied to the pixel electrode by the selection signal of the gate bus line. Voltage writing is performed.
【0014】[0014]
【作用】本発明によれば、上記したように、1本のゲー
トバスラインにTFTを介して接続される画素電極群を
ゲートバスライン方向に交互に千鳥状に配置させ、ゲー
トバスライン方向に並ぶ画素電極群を2本のゲートバス
ラインにより制御する構成にし、各対向電極をゲートバ
スライン方向に並ぶ該画素電極群毎に対応させて設け、
隣接するドレインバス同士及び隣接する対向電極同士が
異なる極性を示し、かつ1走査ライン周期の2倍の周期
毎にそれぞれの極性が反転する交流化手法により、液晶
層にかかる平均実効電圧のばらつきを無くし、また、各
ドレインバスラインに供給される正極性と負極性のデー
タが互いに反転された電圧情報として供給され、かつ各
対向電極に同等の電圧振幅を有し、該電圧振幅により、
書き込み電圧を補うことにより、ドレインバスラインに
かかる余分なスイッチング電圧を無くすことができる。According to the present invention, as described above, the pixel electrode groups connected to one gate bus line via the TFT are alternately arranged in the gate bus line direction in a zigzag pattern, and the pixel electrode groups are arranged in the gate bus line direction. The pixel electrode group arranged side by side is configured to be controlled by two gate bus lines, and each counter electrode is provided corresponding to each pixel electrode group arranged in the gate bus line direction,
Adjacent drain buses and adjacent counter electrodes have different polarities, and the polarity is inverted every two scanning line periods. By the alternating method, the average effective voltage applied to the liquid crystal layer is varied. Further, the positive polarity data and the negative polarity data supplied to each drain bus line are supplied as voltage information inverted from each other, and each counter electrode has an equivalent voltage amplitude.
By supplementing the write voltage, an extra switching voltage applied to the drain bus line can be eliminated.
【0015】あるいは、1本のゲートバスラインにTF
Tを介して接続される画素電極群をライン方向に配置
し、隣接する2本のゲートバスラインにTFTを介して
接続される画素電極群からゲートバスライン方向に交互
に千鳥状に選択した画素電極群に対して、1個の波型対
向電極を設ける構成にし、隣接するドレインバスライン
同士及び隣接する対向電極同士が異なる極性を示し、か
つ1走査ライン周期の2倍の周期毎にそれぞれの極性が
反転する交流化手法により、液晶層にかかる平均実効電
圧のばらつきを無くし、また、各ドレインバスラインに
供給される正極性と負極性のデータが互いに反転された
電圧情報として供給され、かつ各対向電極に同等の電圧
振幅を有し、該電圧振幅により書き込み電圧を補うこと
により、トレインバスにかかる余分なスイッチング電圧
を無くすことができる。Alternatively, one gate bus line may be provided with TF.
Pixels in which pixel electrode groups connected via Ts are arranged in the line direction, and the pixel electrode groups connected to two adjacent gate bus lines via TFTs are alternately selected in a staggered pattern in the gate bus line direction. One corrugated counter electrode is provided for the electrode group, adjacent drain bus lines and adjacent counter electrodes have different polarities, and each of them has a period twice as long as one scanning line period. By the alternating method of reversing the polarity, the variation of the average effective voltage applied to the liquid crystal layer is eliminated, and the positive polarity data and the negative polarity data supplied to each drain bus line are supplied as the voltage information inverted from each other, and Each counter electrode has the same voltage amplitude, and by supplementing the write voltage with the voltage amplitude, it is possible to eliminate the extra switching voltage applied to the train bus. .
【0016】したがって、液晶セルの平均実効電圧の均
一化と、ドレインバスライン及びゲートバスラインのス
イッチングドライバの低耐電圧化を達成することができ
る。更に、この駆動方法は、ドレインバスラインにアナ
ログ電圧を入力した場合にも、同等の効果が得られるた
め、アクティブマトリクス型薄膜トランジスタ液晶パネ
ルの階調駆動にも十分適用できる。Therefore, the average effective voltage of the liquid crystal cell can be made uniform and the withstand voltage of the drain bus line and gate bus line switching drivers can be reduced. Further, this driving method can obtain the same effect even when an analog voltage is input to the drain bus line, and thus can be sufficiently applied to the grayscale driving of the active matrix thin film transistor liquid crystal panel.
【0017】[0017]
【実施例】以下、本発明の実施例について図面を参照し
ながら詳細に説明する。図1は本発明の実施例を示すア
クティブマトリクス型薄膜トランジスタ液晶パネルの概
略斜視図を示す図である。この図に示すように、透明な
背面基板上に、ゲートバスライン11とドレインバスラ
イン12とを直交して配置して、その交点にTFT13
を設け、個別の表示セルに対応する透明な画素電極14
に接続する。そして1本のゲートバスライン11にTF
T13を介して接続される画素電極14群をゲートバス
ライン方向に交互に千鳥状に配置し、隣接する2本のゲ
ートバスライン11によってゲートバスライン方向にラ
イン状に並ぶ画素電極群をスイッチングする構成にす
る。更に前記背面基板上に適当な方向に配向処理された
配向膜を設ける。Embodiments of the present invention will now be described in detail with reference to the drawings. FIG. 1 is a schematic perspective view of an active matrix thin film transistor liquid crystal panel showing an embodiment of the present invention. As shown in this figure, a gate bus line 11 and a drain bus line 12 are arranged orthogonal to each other on a transparent rear substrate, and a TFT 13 is provided at the intersection thereof.
Transparent pixel electrodes 14 corresponding to individual display cells
Connect to. And TF is connected to one gate bus line 11.
Pixel electrode groups 14 connected through T13 are alternately arranged in a zigzag pattern in the gate bus line direction, and two adjacent gate bus lines 11 switch pixel electrode groups arranged in a line in the gate bus line direction. Configure Further, an alignment film that has been subjected to an alignment treatment in an appropriate direction is provided on the back substrate.
【0018】一方、透明な前面基板上に画素電極群のラ
イン数と同数にライン状に分割された透明な対向電極1
5を設け、かつ奇数ドレインバスラインに該当する対向
電極同士及び偶数ドレインバスラインに該当する対向電
極同士を接続し、適当な方向に配向処理された配向膜を
設ける。前記背面基板と前面基板の配向膜同士を向かい
合わせ、ライン状に並んだ画素電極群と1個の対向電極
が対向配置されるように位置合せし、両基板間に適当な
ギャップを設け、液晶を注入後、封止し、両基板の露出
面に互いに偏光軸が平行あるいは垂直になるように偏光
膜を貼り付けたものである。なお、15aは画素電極と
対向する部分である。On the other hand, the transparent counter electrode 1 is divided into the same number of lines as the pixel electrode group on the transparent front substrate.
5, the counter electrodes corresponding to the odd-numbered drain bus lines and the counter electrodes corresponding to the even-numbered drain bus lines are connected to each other to provide an alignment film that is oriented in an appropriate direction. The alignment films of the back substrate and the front substrate are faced to each other, and the pixel electrode group arranged in a line and one counter electrode are aligned so as to face each other, and an appropriate gap is provided between the two substrates, Is injected and then sealed, and a polarizing film is attached to the exposed surfaces of both substrates so that the polarization axes are parallel or perpendicular to each other. Reference numeral 15a is a portion facing the pixel electrode.
【0019】図2は本発明の実施例を示すアクティブマ
トリクス型薄膜トランジスタ液晶パネルの概略構成図、
図3は本発明の実施例を示すアクティブマトリクス型薄
膜トランジスタ液晶パネルのデータ回路の概略ブロック
図、図4は本発明の実施例を示すアクティブマトリクス
型薄膜トランジスタ液晶パネルのコモン変動回路を示す
図である。FIG. 2 is a schematic configuration diagram of an active matrix type thin film transistor liquid crystal panel showing an embodiment of the present invention,
3 is a schematic block diagram of a data circuit of an active matrix thin film transistor liquid crystal panel showing an embodiment of the present invention, and FIG. 4 is a diagram showing a common variation circuit of an active matrix thin film transistor liquid crystal panel showing an embodiment of the present invention.
【0020】これらの図に示すように、ゲートバスライ
ン11の数をN+1、ドレインバスライン12の数をM
とすると、N+1個のゲートバスライン11に走査回路
20を接続し、第1ゲートバスライン11から時間的に
順次にON電圧VG(+)′を1走査時間に相当するton時
間供給し、M個のドレインバスライン12にデータ発生
部31、データ反転部A32、データ反転部B33、デ
ータ出力部A34、データ出力部B35から構成される
データ回路30を接続し、輝度データ及び極性データを
含む電圧データを供給し、2系統に分割された対向電極
群にバッファ41,42、オペアンプ43,44、MO
SFET45,46等により構成されるコモン変動回路
40を接続し、ドレインバスライン12に供給される電
圧データに応じた極性データ及び液晶16の閾値電圧に
相当するオフセット電圧及び実効電圧補正電圧を含む電
圧信号を供給する。As shown in these figures, the number of gate bus lines 11 is N + 1 and the number of drain bus lines 12 is M.
Then, the scanning circuit 20 is connected to the N + 1 gate bus lines 11, and the ON voltage V G (+) ′ is sequentially supplied from the first gate bus line 11 in time sequence for t on time corresponding to one scanning time. , A data circuit 30 including a data generation unit 31, a data inversion unit A32, a data inversion unit B33, a data output unit A34, and a data output unit B35 is connected to the M drain bus lines 12, and the brightness data and the polarity data are transmitted. Including the voltage data, the buffers 41 and 42, the operational amplifiers 43 and 44, and the MO to the opposing electrode group divided into two systems.
A voltage including an offset voltage and an effective voltage correction voltage corresponding to the polarity data corresponding to the voltage data supplied to the drain bus line 12 and the threshold voltage of the liquid crystal 16 by connecting the common fluctuation circuit 40 configured by the SFETs 45 and 46 and the like. Supply a signal.
【0021】図5は本発明の実施例を示すアクティブマ
トリクス型薄膜トランジスタ液晶パネルのドレインバス
に供給される電圧データのタイミングを示す。この実施
例においては、1本のゲートバスライン11により、ゲ
ートバスライン方向に交互に千鳥状に配置された画素電
極をスイッチングするため、第1ゲートバスライン及び
第N+1ゲートバスラインにおいては、それぞれゲート
バスライン方向に偶数番目の画素電極に接続されるTF
T及び奇数番目の画素電極に接続されるTFTだけをス
イッチングすることになる。このため、1フレームの画
像データを書き込む場合、ゲートバスライン方向に奇数
番目の画素電極群に対しては、第2ゲートバスラインか
ら第N+1ゲートバスラインの書き込みタイミングに、
またゲートバスライン方向に偶数番目の画素電極群に対
しては第1ゲートバスラインから第Nゲートバスライン
の書き込みタイミングに、それぞれドレインバスライン
から電圧データを供給しなければならない。FIG. 5 shows the timing of the voltage data supplied to the drain bus of the active matrix type thin film transistor liquid crystal panel showing the embodiment of the present invention. In this embodiment, one gate bus line 11 alternately switches the pixel electrodes arranged in a zigzag pattern in the gate bus line direction. Therefore, in the first gate bus line and the (N + 1) th gate bus line, respectively. TF connected to even-numbered pixel electrodes in the gate bus line direction
Only the TFTs connected to T and the odd-numbered pixel electrodes are switched. Therefore, when writing one frame of image data, the odd-numbered pixel electrode groups in the gate bus line direction are written at the write timing from the second gate bus line to the (N + 1) th gate bus line.
Further, voltage data must be supplied from the drain bus lines to the even-numbered pixel electrode groups in the gate bus line direction at the write timing of the first gate bus line to the Nth gate bus line.
【0022】そこで、データ回路30のデータ発生部3
1において、1ラインの輝度データをゲートバスライン
方向に奇数番目の表示セルのデータと、偶数番目の表示
セルのデータに分割し、ゲートバスライン方向に奇数番
目の表示セルのデータとしては、第1ゲートバスライン
に該当するデータとしてダミーデータdD を、第2ゲー
トバスに該当するデータとして1ライン目のデータd1
を、第3ゲートバスに該当するデータとして2ライン目
のデータd2 を、…,第N+1ゲートバスに該当するデ
ータとしてNライン目のデータdN を順番に供給するデ
ータ1として作成する。Therefore, the data generator 3 of the data circuit 30
1, the luminance data of one line is divided into the data of the odd-numbered display cells in the gate bus line direction and the data of the even-numbered display cells, and the data of the odd-numbered display cells in the gate bus line direction is Dummy data d D is the data corresponding to the first gate bus line, and data d 1 of the first line is the data corresponding to the second gate bus.
, As the data corresponding to the third gate bus, the data d 2 of the second line, ..., The data d N of the N line as the data corresponding to the (N + 1) th gate bus are sequentially created as data 1.
【0023】また、ゲートバスライン方向に偶数番目の
表示セルのデータとしては、第1ゲートバスに該当する
データとして1ライン目のデータd1 を、第2ゲートバ
スに該当するデータとして2ライン目のデータd2 を、
…第Nゲートバスに該当するデータとしてNライン目の
データdN を、第N+1ゲートバスに該当するデータと
してダミーデータdD を順番に供給するデータ2を作成
する。As the data of the even-numbered display cells in the gate bus line direction, the data d 1 of the first line as the data corresponding to the first gate bus and the second line as the data of the second gate bus. Data d 2 of
The data 2 for sequentially supplying the data d N of the Nth line as the data corresponding to the Nth gate bus and the dummy data d D as the data corresponding to the N + 1th gate bus are created.
【0024】また、データ発生部31において、奇数番
目のドレインバスと偶数番目のドレインバスの書き込み
極性が異なり、かつ隣接する対向電極の極性が異なるよ
うな1走査ライン周期の2倍の周期毎に極性が反転する
交流化信号として、奇数番目のドレインバスに該当する
交流化信号1と偶数番目のドレインバスに該当する交流
化信号2を作成する。In the data generator 31, the odd-numbered drain bus and the even-numbered drain bus have different write polarities, and the polarities of the adjacent counter electrodes are different at every double scan line cycle. An alternating signal 1 corresponding to the odd-numbered drain buses and an alternating signal 2 corresponding to the even-numbered drain buses are created as the alternating signals whose polarities are inverted.
【0025】更に、データ1と交流化信号1はデータ反
転部A32により演算し、輝度データと極性データを含
む電圧データ、データ3を作成し、データ出力部A34
によって、奇数番目のドレインバスD1 ,D3 …,D
M-1 に出力する。同様にデータ2と交流化信号2は、デ
ータ反転部B33により演算し、輝度データと極性デー
タを含む電圧データ、データ4を作成し、データ出力部
B35によって、偶数番目のドレインバスD2 ,D
4 …,DM に出力する。Further, the data 1 and the alternating signal 1 are calculated by the data inverting section A32 to create voltage data and data 3 including the brightness data and the polarity data, and the data output section A34.
The odd-numbered drain buses D 1 , D 3, ..., D
Output to M-1 . Similarly, the data 2 and the AC signal 2 are calculated by the data inversion unit B33 to create voltage data and data 4 including the brightness data and the polarity data, and the data output unit B35 outputs even-numbered drain buses D 2 , D.
4 ..., Output to D M.
【0026】また、データ回路30から出力される各ド
レインバスの電圧データ設定条件は、正極性の書き込み
において、ON電圧VD(+)′,OFF電圧として
VD(-)′として、負極性の書き込みにおいて、ON電圧
VD(-)′,OFF電圧VD(+)′とするため、電圧振幅が
図14に示されるΔVと同等に設定でき、VD(+)′−V
D(-)′=VSAT −VTH=ΔVの条件で与えられるため、
図13の従来例と比較してドレイン電圧の振幅はVTH×
2+ΔV分だけ小さくできる。The voltage data setting conditions for each drain bus output from the data circuit 30 are as follows: ON voltage V D (+) ', OFF voltage V D (-) ', and negative polarity in positive polarity writing. In writing, since the ON voltage V D (-) 'and the OFF voltage V D (+) ' are set, the voltage amplitude can be set to be equal to ΔV shown in FIG. 14, and V D (+) '-V
Since it is given under the condition of D (-) '= V SAT -V TH = ΔV,
Compared with the conventional example of FIG. 13, the amplitude of the drain voltage is V TH ×
It can be reduced by 2 + ΔV.
【0027】図6は本発明の実施例を示すアクティブマ
トリクス型薄膜トランジスタ液晶パネルのコモン変動回
路のタイミングチャートを示す。この実施例において
は、ドレイン電圧の振幅をΔVと同等に設定する替わり
に、液晶のオフセット電圧等の電圧を対向電極の電圧信
号により供給する。このため奇数ラインに該当する対向
電極には、第1ゲートバスラインの書き込みタイミング
においては、偶数ドレインバスの書き込み極性のオフセ
ット電圧等を、第2ゲートバスラインの書き込みタイミ
ングにおいては、奇数ドレインバスの書き込み極性のオ
フセット電圧等を補充する電圧信号を供給する。すなわ
ち奇数番目のゲートバスラインの書き込みタイミングに
おいては、偶数ドレインバスの書き込み極性のオフセッ
ト電圧等を補充する電圧信号を、偶数番目のゲートバス
ラインの書き込みタイミングにおいては、奇数ドレイン
バスの書き込み極性のオフセット電圧等を補充する電圧
信号VCOM Aを供給することになる。一方、偶数ライン
に該当する対向電極には、奇数番目のゲートバスライン
の書き込みタイミングにおいては、奇数ドレインバスの
書き込み極性のオフセット電圧等を補充する電圧信号
を、偶数番目のゲートバスラインの書き込みタイミング
において、偶数ドレインバスの書き込み極性のオフセッ
ト電圧等を補充する電圧信号VCOM Bを供給することに
なる。また、奇数ドレインバスと偶数ドレインバスの書
き込み極性は、同じ書き込みタイミングにおいて、互い
に異なる書き込み極性に設定するため、電圧信号VCOM
AとVCOM Bも同じ書き込みタイミングにおいて、互い
に異なる書き込み極性に設定することになる。FIG. 6 is a timing chart of a common variation circuit of an active matrix type thin film transistor liquid crystal panel showing an embodiment of the present invention. In this embodiment, instead of setting the amplitude of the drain voltage to be equal to ΔV, a voltage such as an offset voltage of the liquid crystal is supplied by the voltage signal of the counter electrode. Therefore, an offset voltage of the write polarity of the even drain bus is written to the counter electrode corresponding to the odd line at the write timing of the first gate bus line, and an offset voltage of the odd drain bus is written at the write timing of the second gate bus line. A voltage signal is supplied to supplement the offset voltage of the write polarity. That is, at the write timing of the odd-numbered gate bus line, a voltage signal for supplementing the offset voltage of the write polarity of the even-drain bus is supplied, and at the write timing of the even-numbered gate bus line, the offset voltage of the odd-drain bus write polarity is written. The voltage signal V COM A for replenishing the voltage and the like is supplied. On the other hand, at the write timing of the odd-numbered gate bus line, the counter electrode corresponding to the even-numbered line is supplied with a voltage signal for supplementing the offset voltage of the write polarity of the odd-numbered drain bus and the write timing of the even-numbered gate bus line. In this case, the voltage signal V COM B is supplied to supplement the offset voltage of the write polarity of the even drain bus. Further, since the write polarities of the odd drain bus and the even drain bus are set to different write polarities at the same write timing, the voltage signal V COM
A and V COM B are also set to different write polarities at the same write timing.
【0028】以上の条件を満足する反転信号DFを作成
し、コモン変動回路の正転論理バッファ41と反転論理
バッファ42にそれぞれ供給し、それぞれオペアンプ4
3,44によって適当な電圧振幅になるよう抵抗値
R1 ,R2 を設定し、R2 /R1倍に増幅し、それぞれ
MOSFETに45,46より出力したものがVCOM A
とVCOM Bである。An inverted signal DF satisfying the above conditions is created and supplied to the non-inverting logic buffer 41 and the inverting logic buffer 42 of the common variation circuit, respectively, and the operational amplifier 4 is used for each.
The resistance values R 1 and R 2 are set so as to have appropriate voltage amplitudes by 3, 44, amplified by R 2 / R 1 times, and output from the MOSFETs 45 and 46 respectively are V COM A
And V COM B.
【0029】図7は本発明の実施例を示すアクティブマ
トリクス型薄膜トランジスタ液晶パネルの液晶セルの等
価回路図である。上述した駆動方法の場合、液晶セルの
電荷保持状態における実効電圧の変動が、少なくとも3
つの条件において発生する。まず、画素電極に接続され
るTFTの書き込み直後に、TFTの寄生容量Cgsによ
り、ΔV1 ′=〔Cgs/(Cgs+CLC)〕×
(VG (+) ′−VG (-) ′)となり、次に画素電極を挟
む2本のドレインバスが書き込み時の電圧からΔ
VD1′、ΔVD2′だけ変動した時に画素電極と2本のド
レインバスとの間の容量CDP1とCDP2 により、Δ
V2 ′=(CDP1 /CLC)×ΔVD1′−(CDP2 /
CLC)×ΔVD2′となり、更に画素電極との間に電荷蓄
積を行なう対向電極の電圧がΔV COM だけ変動した時
に、TFTの寄生容量Cgsにより、ΔV3 ′=〔Cgs/
(C gs+CLC)〕×ΔVCOM である。FIG. 7 shows an active marker according to an embodiment of the present invention.
Trix type thin film transistor LCD panel liquid crystal cell etc.
It is a value circuit diagram. In the case of the driving method described above, the liquid crystal cell
The fluctuation of the effective voltage in the charge holding state is at least 3
It occurs in one condition. First connected to the pixel electrode
Immediately after writing to the TFT, the parasitic capacitance C of the TFTgsBy
, ΔV1′ = [Cgs/ (Cgs+ CLC)] ×
(VG (+)′ -VG (-)′) And then insert the pixel electrode
The two drain buses have a Δ
VD1′, ΔVD2When it changes only by ′, the pixel electrode and the two
Capacity C with rain busDP1And CDP2By Δ
V2′ = (CDP1/ CLC) × ΔVD1′-(CDP2/
CLC) × ΔVD2′, And charge is stored between the pixel electrode and
The voltage of the counter electrode that performs the product is ΔV COMWhen it fluctuates
And the parasitic capacitance C of the TFTgsBy ΔV3′ = [Cgs/
(C gs+ CLC)] × ΔVCOMIs.
【0030】電位変動ΔV1 ′は全ての画素電極におい
て同等のTFTが形成されていれば、書き込み電圧及び
書き込みタイミングによらず、同極性、同電位の変動で
あるため、対向電極に供給する電圧の設定において、Δ
V1 ′分だけズラして設定することにより、全ての液晶
セルにおいて同等の実効電圧を維持することができる。If the same TFT is formed in all the pixel electrodes, the potential fluctuation ΔV 1 ′ has the same polarity and the same potential regardless of the write voltage and the write timing, and therefore the voltage supplied to the counter electrode. In the setting of, Δ
By setting the shift by V 1 ′, the same effective voltage can be maintained in all liquid crystal cells.
【0031】電位変動ΔV2 ′とΔV3 ′は、書き込み
時の極性によって、実効電圧変動の極性が異なり、その
変動量は画素電極を挟む2本のドレインバス及び対向電
極の極性が書き込み時と変化した時に最も大きな電圧変
動を示す。よって、各画素電極において、書き込み時の
極性に対して、両者の極性が変化している期間が短いも
のと長いものが存在すると、平均実効電圧が異なり、表
示ムラが発生する。The potential fluctuations ΔV 2 ′ and ΔV 3 ′ have different polarities of effective voltage fluctuation depending on the polarities at the time of writing. It shows the largest voltage fluctuation when it changes. Therefore, in each pixel electrode, if there is a short period and a long period in which the polarities of the two are changed with respect to the polarities at the time of writing, the average effective voltage is different, and display unevenness occurs.
【0032】図9は本発明の実施例を示すアクティブマ
トリクス型薄膜トランジスタ液晶パネルの奇数ドレイン
バスに接続されるTFTの駆動電圧及び画素電圧変化を
示すタイミングチャート、図10は本発明の実施例を示
すアクティブマトリクス型薄膜トランジスタ液晶パネル
の偶数ドレインバスに接続されるTFTの駆動電圧及び
画素電圧変化を示すタイミングチャートである。FIG. 9 is a timing chart showing changes in driving voltage and pixel voltage of TFTs connected to an odd drain bus of an active matrix type thin film transistor liquid crystal panel showing an embodiment of the present invention. FIG. 10 shows an embodiment of the present invention. 6 is a timing chart showing changes in driving voltage and pixel voltage of a TFT connected to an even drain bus of an active matrix thin film transistor liquid crystal panel.
【0033】この実施例においては、対向電極に供給す
る電圧信号VCOM AとVCOM Bを電圧変動量ΔV1 ′だ
けズラして電圧設定し、かつ各ドレインバス及び各対向
電極の極性が、それぞれ1走査ライン周期の2倍の周期
に極性反転する交流化駆動を行なっているため、
VS2A ,VS3A ,…VS(N+1)A ,VS1B ,VS2B ,…,
VSN B で示される画素電極の波形が得られ、全ての画素
電極に対して、画素電極を挟む2本のドレインバス及び
対向電極の極性が書き込み時と変化している期間が同等
になり平均実効電圧が均一になる。In this embodiment, the voltage signals V COM A and V COM B supplied to the counter electrodes are set by shifting the voltage fluctuation amount ΔV 1 ′, and the polarities of the drain buses and the counter electrodes are Since the AC driving is performed in which the polarity is inverted at a period twice as long as one scanning line period,
V S2A , V S3A , ... V S (N + 1) A , V S1B , V S2B , ...,
The waveform of the pixel electrode indicated by V SN B is obtained, and for all the pixel electrodes, the period during which the polarities of the two drain buses and the counter electrode sandwiching the pixel electrode are the same as during writing, and the average The effective voltage becomes uniform.
【0034】更に、対向電極に供給するVCOM A及びV
COM Bの電圧信号に表示データより類推して算出した全
ての画素電極におけるΔV2 ′の平均電圧変動量Δ
V2 ′(平均値)をΔV2 ′の電圧変動によって生ずる
実効電圧ロス分として、補正データを含んだ状態のV
COM A及びVCOM Bの電圧振幅より算出したΔV3 ′の
平均電圧変動量ΔV3 ′(平均値)をΔV3 ′の電圧変
動によって生ずる実効電圧ロス分として付加して供給す
るために、VCOM A及びVCOM Bの電圧波形を、正極性
の書き込み時にはVD (+) ′−ΔV−VTH−ΔV1 ′−
〔ΔV2 ′(平均値)〕−〔ΔV3 ′(平均値)〕の電
圧レベルに、負極性の書き込み時にはVD (-)′+ΔV
+VTH−ΔV1 ′+〔ΔV2 ′(平均値)〕+〔Δ
V3 ′(平均値)〕の電圧レベルに設定したΔV+2V
TH+2×〔ΔV2 ′(平均値)〕+2×〔ΔV3 ′(平
均値)〕の変動振幅を有する電圧信号で供給すると、デ
ータ回路より出力される電圧データの振幅をΔVに設定
した場合においても、全ての画素の平均実効電圧をΔV
+VTHと同程度にすることができるものである。Further, V COM A and V supplied to the counter electrode
Average voltage variation ΔV 2 ′ of all pixel electrodes calculated by analogy to the voltage signal of COM B from the display data Δ
V 2 ′ (average value) is the effective voltage loss caused by the voltage fluctuation of ΔV 2 ′, and V in the state including the correction data.
In order to supply added COM A and V COM [Delta] V 3 'average voltage variation [Delta] V 3 of' calculated from the voltage amplitude of B (average value) as the effective voltage loss in caused by the voltage variation of [Delta] V 3 ', V The voltage waveforms of COM A and V COM B are changed to V D (+) ′ − ΔV−V TH −ΔV 1 ′ − during positive polarity writing.
At the voltage level of [ΔV 2 ′ (average value)] − [ΔV 3 ′ (average value)], V D (−) ′ + ΔV when writing with negative polarity
+ V TH −ΔV 1 ′ + [ΔV 2 ′ (average value)] + [Δ
V 3 ′ (average value)] set to a voltage level of ΔV + 2V
When a voltage signal with a fluctuation amplitude of TH + 2 × [ΔV 2 ′ (average value)] + 2 × [ΔV 3 ′ (average value)] is supplied and the amplitude of the voltage data output from the data circuit is set to ΔV Also, the average effective voltage of all pixels is ΔV
It can be made approximately the same as + V TH .
【0035】図8は本発明の実施例を示すアクティブマ
トリクス型薄膜トランジスタ液晶パネルの等価回路図で
ある。図1及び図2に示したように、アクティブマトリ
クス型薄膜トランジスタ液晶パネルには数多くの電気的
配線が施されているため、液晶パネルの構成条件として
配線容量が存在し、各表示セルの液晶容量CLCに書き込
みを行なう時に、ロス電流を発生させる。ドレインバス
とゲートバスの交差部分により作成される容量CGDは、
ドレインバスの電圧が変動する毎に、ゲートバスとドレ
インバスにドレインバスの電圧変動量に比例したロス電
流を発生させ、また液晶層を介してドレインバスと対向
電極との間に作成される容量CDCは、同様にドレインバ
スの電圧が変動する毎にドレインバスと対向電極に、ド
レインバスの電圧変動量に比例したロス電流を発生させ
る。FIG. 8 is an equivalent circuit diagram of an active matrix type thin film transistor liquid crystal panel showing an embodiment of the present invention. As shown in FIGS. 1 and 2, the active matrix type thin film transistor liquid crystal panel is provided with a large number of electrical wirings. Therefore, there is a wiring capacitance as a constituent condition of the liquid crystal panel, and a liquid crystal capacitance C of each display cell is present. A loss current is generated when writing to LC . The capacitance C GD created by the intersection of the drain bus and the gate bus is
Each time the drain bus voltage changes, a loss current proportional to the amount of drain bus voltage change is generated in the gate bus and drain bus, and the capacitance created between the drain bus and the counter electrode via the liquid crystal layer. Similarly, C DC causes the drain bus and the counter electrode to generate a loss current proportional to the amount of voltage change of the drain bus each time the voltage of the drain bus changes.
【0036】ここで、各表示セル単位に存在するCGD及
びCDCにより発生する電流量は、それほど大きなもので
はないが、配線全体で考えるとかなり大きな電流である
ため、ロス電流を短い期間、例えばライン周期にパネル
外部に放出するためには、ドレインバス及びゲートバス
及び対向電極の低抵抗化を図るとともに、各配線に接続
される外部ドライバの電流容量を大きくしなければなら
ない。Here, although the amount of current generated by C GD and C DC existing in each display cell unit is not so large, it is a considerably large current in view of the wiring as a whole. For example, in order to discharge to the outside of the panel in a line cycle, it is necessary to reduce the resistance of the drain bus, the gate bus, and the counter electrode and increase the current capacity of the external driver connected to each wiring.
【0037】この実施例においては、隣接するドレイン
バスの極性が異なり、極性変動する時には、隣接するド
レインバスは必ず異なる極性の電圧変動、例えば、一方
が正極性から負極性に変動する場合は、他方が負極性か
ら正極性に変動することになる。よって、隣接する容量
CGD同士、あるいは各ライン毎に分割された1個の対向
電極上に隣接する容量CDC同士によって発生するロス電
流は、互いに反対方向に流れる電流であるため、ロス電
流同士が相殺する傾向を示す。In this embodiment, when the polarities of the adjacent drain buses are different, and when the polarities are changed, the adjacent drain buses always have different polarities, for example, when one of them changes from the positive polarity to the negative polarity, The other will change from negative polarity to positive polarity. Therefore, the loss currents generated by the adjacent capacitances C GD or by the capacitances C DC adjacent to each other on one counter electrode divided for each line are currents flowing in opposite directions. Tend to cancel out.
【0038】また、各ライン毎に分割された隣接する対
向電極においても、極性が変動する時には、同様に隣接
する対向電極同士が必ず異なる極性の電圧変動をするこ
とになる。よって1本のドレインバスライン上の隣接す
る容量CDC同士によって発生するロス電流同士も互いに
相殺する傾向を示す。このために、1本のゲートバスラ
イン及びドレインバスライン及び各ライン毎に分割され
た対向電極に流れるロス電流は非常に小さくなり、各配
線の低抵抗化及び各配線に接続される外部ドライバの大
容量化を図らなくてもよい液晶パネルを提供できるとと
もに、液晶パネルの大容量、高精細化に適している。Further, also in the adjacent counter electrodes divided for each line, when the polarities change, similarly, the adjacent counter electrodes inevitably change in voltage with different polarities. Therefore, the loss currents generated by the adjacent capacitors C DC on one drain bus line also tend to cancel each other. Therefore, the loss current flowing through one gate bus line and drain bus line and the counter electrode divided for each line becomes very small, and the resistance of each wiring is reduced and the external driver connected to each wiring is reduced. It is possible to provide a liquid crystal panel that does not need to have a large capacity and is suitable for a large capacity and high definition of the liquid crystal panel.
【0039】図11は本発明の変形実施例を示すアクテ
ィブマトリクス型薄膜トランジスタ液晶パネルの概略構
成図である。この実施例においては、図1及び図2で詳
細に説明した構成のアクティブマトリクス型薄膜トラン
ジスタ液晶パネルの各画素電極と対向電極との間の液晶
容量CLCに対して電気的に並列に補助容量Cs 17を設
け、その補助容量Cs 17を補助容量線18によりコモ
ン変動回路40へ接続するようにしたもので、液晶セル
の電荷保持状態における実効電圧の変動量をそれぞれΔ
V1 ″=〔Cgs/(C gs+CLC+Cs )〕×
(VG (+) ′−VG (-) ′)、ΔV2 ″=(CDP1 /C
LC+Cs )×ΔVD1′−(CDP2 /CLC+Cs )×ΔV
D2′、ΔV3 ″=〔Cgs/(Cgs+CLC+Cs )〕×Δ
VCOM に減少させられるものである。FIG. 11 is an actuator showing a modified embodiment of the present invention.
Schematic structure of a live-matrix thin film transistor liquid crystal panel
It is a diagram. The details of this embodiment are shown in FIGS.
The active matrix type thin film transistor having the configuration described in detail.
Liquid crystal between each pixel electrode and counter electrode of the liquid crystal panel
Capacity CLCAuxiliary capacitance C electrically parallel tosSet up 17
The auxiliary capacity Cs17 is connected to the auxiliary capacitance line 18
A liquid crystal cell
The variation of the effective voltage in the charge holding state of
V1″ = [Cgs/ (C gs+ CLC+ Cs)] ×
(VG (+)′ -VG (-)′), ΔV2″ = (CDP1/ C
LC+ Cs) × ΔVD1′-(CDP2/ CLC+ Cs) × ΔV
D2′, ΔV3″ = [Cgs/ (Cgs+ CLC+ Cs)] × Δ
VCOMCan be reduced to.
【0040】この効果によって、対向電極に供給するV
COM A及びVCOM Bの補正電圧、電圧振幅を小さくする
ことによって、容易にゲートバスに供給する電圧振幅を
小さくできるものである。図15は本発明の他の実施例
を示すアクティブマトリクス型薄膜トランジスタ液晶パ
ネルの概略斜視図を示す図である。By this effect, V supplied to the counter electrode
By reducing the correction voltage and voltage amplitude of COM A and V COM B, the voltage amplitude supplied to the gate bus can be easily reduced. FIG. 15 is a schematic perspective view of an active matrix type thin film transistor liquid crystal panel showing another embodiment of the present invention.
【0041】この図に示すように、透明な背面基板上
に、ゲートバスライン11とドレインバスライン12と
を直交して配置して、その交点にTFT13を設け、個
別の表示セルに対応する透明な画素電極14に接続し、
1本のゲートバスライン11にTFT13を介して接続
される画素電極群をゲートバスライン方向に配置し、更
に適当な方向に配向処理された配向膜を設ける。As shown in this figure, a gate bus line 11 and a drain bus line 12 are arranged orthogonal to each other on a transparent rear substrate, and a TFT 13 is provided at the intersection of the gate bus line 11 and the drain bus line 12. Connected to the pixel electrode 14
A group of pixel electrodes connected to one gate bus line 11 through the TFT 13 is arranged in the gate bus line direction, and an alignment film that has been subjected to an alignment treatment in an appropriate direction is provided.
【0042】一方、透明な前面基板上に隣接する2本の
ゲートバスラインにTFT13を介して接続される画素
電極群から、ゲートバスライン方向に交互に千鳥状に選
択した画素電極群に対して、1個の透明な波型の対向電
極15を設け、かつ該波型対向電極15を複数個設け、
隣接しない波型対向電極同士を接続し、適当な方向に配
向処理された配向膜を設ける。なお、15aは画素電極
と対向する部分である。On the other hand, from the pixel electrode groups connected via the TFT 13 to the two adjacent gate bus lines on the transparent front substrate, the pixel electrode groups alternately selected in the gate bus line direction are formed in a staggered manner. One transparent corrugated counter electrode 15 is provided, and a plurality of corrugated counter electrodes 15 are provided.
The non-adjacent corrugated electrodes are connected to each other to provide an alignment film that has been subjected to an alignment treatment in an appropriate direction. Reference numeral 15a is a portion facing the pixel electrode.
【0043】前記背面基板と前面基板の配向膜同士を向
かい合わせ、位置合わせし、両基板間に適当なギャップ
を設け、液晶を注入後、封止し、両基板の露出面に互い
に偏光軸が平行あるいは垂直になるように偏光膜を貼り
付けたものである。図16は本発明の他の実施例を示す
アクティブマトリクス型薄膜トランジスタ液晶パネルの
対向電極の構成を示す図である。The alignment films of the back substrate and the front substrate are faced to each other and aligned, an appropriate gap is provided between both substrates, liquid crystal is injected, and then sealed, and the polarization axes are mutually on the exposed surfaces of both substrates. A polarizing film is attached so as to be parallel or vertical. FIG. 16 is a diagram showing a structure of a counter electrode of an active matrix type thin film transistor liquid crystal panel showing another embodiment of the present invention.
【0044】この図に示すように、波型対向電極は、隣
接する2本のゲートバスラインにTFT13を介して接
続される画素電極群から、ゲートバスライン方向に交互
に千鳥状に選択した画素電極群に対して、1個の透明な
対向電極として設けるため、図16(a)のパターン構
成1に示すように、隣接する2本のゲートバスラインに
またがって形成される。このため、パターン1構成にお
いては、画素ピッチが微細化した場合には、ゲートバス
の2つのラインにまたがる接合部が細くなり、電気的抵
抗値が増加し、表示ムラが認識できる程度の電位差が発
生する可能性がある。As shown in this figure, the corrugated counter electrodes are pixels selected in a zigzag pattern alternately in the gate bus line direction from a pixel electrode group connected to two adjacent gate bus lines via the TFT 13. Since it is provided as one transparent counter electrode for the electrode group, it is formed across two adjacent gate bus lines as shown in the pattern configuration 1 of FIG. For this reason, in the pattern 1 configuration, when the pixel pitch is made finer, the junction extending over the two lines of the gate bus becomes thin, the electrical resistance value increases, and the potential difference to the extent that display unevenness can be recognized is small. Can occur.
【0045】図16(b)のパターン構成2において
は、この対向電極接合部15bを電気的抵抗値の低いア
ルミニウム等で形成し、画素ピッチの微細化に対応でき
る構成にしたものである。図17は本発明の他の実施例
を示すアクティブマトリクス型薄膜トランジスタ液晶パ
ネルの概略ブロック図であり、本発明の他の実施例を示
すアクティブマトリクス型薄膜トランジスタ液晶パネル
のデータ回路は、前記図3と同様である。In the pattern structure 2 of FIG. 16 (b), the counter electrode bonding portion 15b is formed of aluminum or the like having a low electric resistance value so as to cope with the miniaturization of the pixel pitch. FIG. 17 is a schematic block diagram of an active matrix type thin film transistor liquid crystal panel showing another embodiment of the present invention, and the data circuit of the active matrix type thin film transistor liquid crystal panel showing another embodiment of the present invention is the same as in FIG. Is.
【0046】図17に示すように、ゲートバスライン1
1の数をN、ドレインバスライン12の数をMとする
と、N個のゲートバスライン11に走査回路20を接続
し、第1ゲートバスライン11から時間的に順次にON
電圧VG(+)′を1走査時間に相当するton時間供給し、
M個のドレインバスライン12に、図3に示すように、
データ発生部31、データ反転部A32、データ反転部
B33、データ出力部A34、データ出力部B35から
構成されるデータ回路30を接続し、輝度データ及び極
性データを含む電圧データを供給し、図4に示すよう
に、2系統に分割された対向電極群にバッファ41,4
2、オペアンプ43,44、MOSFET45,46等
により構成されるコモン変動回路40を接続し、ドレイ
ンバスライン12に供給される電圧データに応じた極性
データ及び液晶16の閾値電圧に相当するオフセット電
圧及び実効電圧補正電圧を含む電圧信号を供給する。As shown in FIG. 17, the gate bus line 1
When the number of 1s is N and the number of drain bus lines 12 is M, the scanning circuits 20 are connected to the N gate bus lines 11, and the first gate bus lines 11 are turned on sequentially in time.
The voltage V G (+) ′ is supplied for a time t on corresponding to one scanning time,
In the M drain bus lines 12, as shown in FIG.
A data circuit 30 including a data generation unit 31, a data inversion unit A32, a data inversion unit B33, a data output unit A34, and a data output unit B35 is connected to supply voltage data including brightness data and polarity data, and FIG. As shown in FIG.
2, a common variation circuit 40 including operational amplifiers 43 and 44, MOSFETs 45 and 46, etc. is connected, and polarity data corresponding to the voltage data supplied to the drain bus line 12 and an offset voltage corresponding to the threshold voltage of the liquid crystal 16 and A voltage signal including an effective voltage correction voltage is supplied.
【0047】図18は本発明の他の実施例を示すアクテ
ィブマトリクス型薄膜トランジスタ液晶パネルのドレイ
ンバスに供給される電圧データのタイミングを示す図で
あり、図18(a)はその奇数ドレインバスの電圧デー
タ波形図、図18(b)はその偶数ドレインバスの電圧
データ波形図である。この実施例においては、データ回
路30のデータ発生部31において、1ラインの輝度デ
ータをゲートバスライン方向に奇数番目の表示セルのデ
ータと、偶数番目の表示セルのデータに分割してデータ
1とデータ2を作成する。FIG. 18 is a diagram showing the timing of voltage data supplied to the drain bus of an active matrix type thin film transistor liquid crystal panel showing another embodiment of the present invention. FIG. 18 (a) shows the voltage of the odd drain bus. A data waveform diagram, FIG. 18B is a voltage data waveform diagram of the even drain bus. In this embodiment, in the data generating section 31 of the data circuit 30, the luminance data of one line is divided into data of odd display cells and data of even display cells in the gate bus line direction to obtain data 1. Create data 2.
【0048】また、奇数ドレインバスと偶数ドレインバ
スの書き込み極性が異なり、かつ、隣接する対向電極の
極性が異なるような1走査ライン周期の2倍の周期毎に
極性が反転する交流化信号として、奇数番目のドレイン
バスに該当する交流化信号1と、偶数番目のドレインバ
スに該当する交流化信号2を作成する。データ1と交流
化信号1はデータ反転部A32により演算し、輝度デー
タと極性データを含む電圧データ、データ3を作成し、
データ出力部A34によって、奇数番目のドレインバス
D1 ,D3 …,DM-1 に出力する。同様にデータ2と交
流化信号2は、データ反転部B33により演算し、輝度
データと極性データを含む電圧データ、データ4を作成
し、データ出力部B35によって、偶数番目のドレイン
バスD2 ,D4 ,…,DM に出力する。Further, as the alternating signal for which the polarities are inverted every two times the period of one scanning line such that the writing polarities of the odd drain bus and the even drain bus are different and the polarities of the adjacent counter electrodes are different, An alternating signal 1 corresponding to the odd-numbered drain buses and an alternating signal 2 corresponding to the even-numbered drain buses are created. The data 1 and the alternating signal 1 are calculated by the data inverting unit A32 to create voltage data including brightness data and polarity data, and data 3,
The data output unit A34 outputs the data to the odd-numbered drain buses D 1 , D 3, ..., D M-1 . Similarly, the data 2 and the AC signal 2 are calculated by the data inversion unit B33 to create voltage data and data 4 including the brightness data and the polarity data, and the data output unit B35 outputs even-numbered drain buses D 2 , D. 4 , ..., Output to D M.
【0049】また、データ回路30から出力される各ド
レインバスの電圧データ設定条件は、正極性の書き込み
において、ON電圧VD(+)′,OFF電圧として
VD(-)′として、負極性の書き込みにおいて、ON電圧
VD(-)′,OFF電圧VD(+)′とするため、電圧振幅が
図14に示されるΔVと同等に設定でき、VD(+)′−V
D(-)′=VSAT −VTH=ΔVの条件で与えられるため、
図13の従来例と比較してドレイン電圧の振幅はVTH×
2+ΔV分だけ小さくできる。The voltage data setting conditions for each drain bus output from the data circuit 30 are as follows: ON voltage V D (+) ', OFF voltage V D (-) ' in negative polarity, and negative polarity in positive polarity writing. In writing, since the ON voltage V D (-) 'and the OFF voltage V D (+) ' are set, the voltage amplitude can be set to be equal to ΔV shown in FIG. 14, and V D (+) '-V
Since it is given under the condition of D (-) '= V SAT -V TH = ΔV,
Compared with the conventional example of FIG. 13, the amplitude of the drain voltage is V TH ×
It can be reduced by 2 + ΔV.
【0050】図19は本発明の他の実施例を示すアクテ
ィブマトリクス型薄膜トランジスタ液晶パネルのコモン
変動回路のタイミングチャートである。この実施例にお
いては、ドレイン電圧の振幅をΔVと同等に設定する替
わりに、液晶のオフセット電圧等の電圧を対向電極の電
圧信号により供給する。各対向電極は、図15、図16
及び図17で詳細に説明したように配置されるため、奇
数番目の対向電極群に対しては、奇数番目のゲートバス
ラインの書き込みタイミングにおいては、奇数ドレイン
バスの書き込み極性のオフセット電圧等を、偶数番目の
ゲートバスラインの書き込みタイミングにおいては、偶
数ドレインバスの書き込み極性のオフセット電圧等を示
すVCOM Aを供給し、また、偶数番目の対向電極に対し
ては、奇数番目のゲートバスラインの書き込みタイミン
グにおいては、偶数ドレインバスの書き込み極性のオフ
セット電圧等を、偶数番目のゲートバスラインの書き込
みタイミングにおいては、奇数ドレインバスの書き込み
極性のオフセット電圧等を示すVCOM Bを供給すること
にすることになる。FIG. 19 is a timing chart of a common variation circuit of an active matrix type thin film transistor liquid crystal panel showing another embodiment of the present invention. In this embodiment, instead of setting the amplitude of the drain voltage to be equal to ΔV, a voltage such as an offset voltage of the liquid crystal is supplied by the voltage signal of the counter electrode. Each counter electrode is shown in FIGS.
And, since it is arranged as described in detail in FIG. 17, for the odd-numbered counter electrode groups, at the write timing of the odd-numbered gate bus lines, the offset voltage of the write polarity of the odd-numbered drain bus, etc. At the write timing of the even-numbered gate bus line, V COM A indicating the offset voltage of the write polarity of the even-numbered drain bus is supplied, and the odd-numbered gate bus line is supplied to the even-numbered counter electrode. An offset voltage of the write polarity of the even drain bus is supplied at the write timing, and a V COM B indicating the offset voltage of the write polarity of the odd drain bus is supplied at the write timing of the even-numbered gate bus line. It will be.
【0051】また、奇数ドレインバスと偶数ドレインバ
スの書き込み極性は、同じ書き込みタイミングにおい
て、互いに異なる書き込み極性に設定するため、電圧信
号VCO M AとVCOM Bも同じ書き込みタイミングにおい
て、互いに異なる書き込み極性に設定することになる。
以上の条件を満足する反転信号DFを作成し、コモン変
動回路40の正転論理バッファ41と反転論理バッファ
42にそれぞれ供給し、それぞれオペアンプ43,44
によって適当な電圧振幅になるように抵抗値R1 ,R2
を設定し、R2/R1 倍に増幅し、それぞれMOSFE
T45,46により出力したものがVCO M AとVCOM B
である。[0051] The write polarity of the odd drain bus and the even drain bus, at the same write timing, to set the different write polarity, in the same write timing voltage signal V CO M A and V COM B, writing different It will be set to polarity.
The inverted signal DF that satisfies the above conditions is created and supplied to the normal logic buffer 41 and the inverted logic buffer 42 of the common variation circuit 40, and the operational amplifiers 43 and 44 are respectively provided.
The resistance values R 1 and R 2 so that the voltage amplitude becomes appropriate.
Set and amplify R 2 / R 1 times,
Those output by T45,46 is V CO M A and V COM B
Is.
【0052】アクティブマトリクス型薄膜トランジスタ
液晶パネルの液晶セルの等価回路は図7と同様であり、
上述した駆動方法の場合、液晶セルの電荷保持状態にお
ける実効電圧の変動が、少なくとも3つの条件において
発生する。まず、画素電極に接続されるTFTの書き込
み直後に、TFTの寄生容量CgsによりΔV1 ′=〔C
gs/(Cgs+CLC)〕×(VG (+) ′−VG (-) ′)と
なり、次に画素電極を挟む2本のドレインバスが書き込
み時の電圧からΔVD1′、ΔVD2′だけ変動した時に画
素電極と2本のドレインバスとの間の容量CDP1 とC
DP2 により、ΔV2 ′=(CDP1 /CLC)×ΔVD1′−
(CDP2 /CLC)×ΔVD2′となり、更に、画素電極と
の間に電荷蓄積を行なう対向電極の電圧がΔV COM だけ
変動した時に、TFTの寄生容量Cgsにより、ΔV3 ′
=〔Cgs/(C gs+CLC)〕×ΔVCOM である。Active matrix thin film transistor
The equivalent circuit of the liquid crystal cell of the liquid crystal panel is the same as in FIG.
In the case of the above-mentioned driving method, the charge holding state of the liquid crystal cell is set.
Fluctuation of the effective voltage under at least three conditions
Occur. First, write the TFT connected to the pixel electrode
Immediately after that, the parasitic capacitance C of the TFTgsBy ΔV1′ = [C
gs/ (Cgs+ CLC)] × (VG (+)′ -VG (-)')When
Then, write two drain buses that sandwich the pixel electrode.
ΔV from the measured voltageD1′, ΔVD2Image when it fluctuates
Capacitance C between element electrode and two drain busesDP1And C
DP2By ΔV2′ = (CDP1/ CLC) × ΔVD1′-
(CDP2/ CLC) × ΔVD2′, And the pixel electrode
The voltage of the counter electrode that accumulates charge during COMOnly
When changing, parasitic capacitance C of TFTgsBy ΔV3′
= [Cgs/ (C gs+ CLC)] × ΔVCOMIs.
【0053】また、電位変動ΔV1 ′は全ての画素電極
において同等のTFTが形成されていれば、書き込み電
圧及び書き込みタイミングによらず、同極性、同電位の
変動であるため、対向電極に供給する電圧の設定におい
て、ΔV1 ′分だけズラして設定することにより、全て
の液晶セルにおいて同等の実効電圧を維持することがで
きる。If the same TFT is formed in all pixel electrodes, the potential variation ΔV 1 ′ is of the same polarity and the same potential regardless of the write voltage and the write timing, and therefore is supplied to the counter electrode. In setting the voltage to be set, the same effective voltage can be maintained in all the liquid crystal cells by shifting the setting by ΔV 1 ′.
【0054】更に、電位変動ΔV2 ′とΔV3 ′は、書
き込み時の極性によって実効電圧変動の極性が異なり、
その変動量は画素電極を挟む2本のドレインバス及び対
向電極の極性が、書き込み時と変化した時に最も大きな
電圧変動を示す。よって、各画素電極において、書き込
み時の極性に対して、両者の極性が変化している期間が
短いものと長いものが存在すると、平均実効電圧が異な
り、表示ムラが発生する。Further, the potential fluctuations ΔV 2 ′ and ΔV 3 ′ have different polarities of effective voltage fluctuation depending on the polarities at the time of writing.
The fluctuation amount shows the largest voltage fluctuation when the polarities of the two drain buses sandwiching the pixel electrode and the counter electrode change during writing. Therefore, in each pixel electrode, if there is a short period and a long period in which the polarities of the two are changed with respect to the polarities at the time of writing, the average effective voltage is different, and display unevenness occurs.
【0055】図20は本発明の他の実施例を示すアクテ
ィブマトリクス型薄膜トランジスタ液晶パネルの奇数ド
レインバスに接続されるTFTの駆動電圧及び画素電圧
変化を示すタイミングチャート、図21は本発明の他の
実施例を示すアクティブマトリクス型薄膜トランジスタ
液晶パネルの偶数ドレインバスに接続されるTFTの駆
動電圧及び画素電圧変化を示すタイミングチャートであ
る。FIG. 20 is a timing chart showing a driving voltage and a pixel voltage change of a TFT connected to an odd drain bus of an active matrix type thin film transistor liquid crystal panel showing another embodiment of the present invention, and FIG. 21 is another embodiment of the present invention. 7 is a timing chart showing changes in driving voltage and pixel voltage of a TFT connected to an even drain bus of an active matrix thin film transistor liquid crystal panel showing an example.
【0056】この実施例においては、対向電極に供給す
る電圧信号VCOM AとVCOM Bを電圧変動量ΔV1 ′だ
けズラして電圧設定し、かつ各ドレインバス及び各対向
電極の極性が、それぞれ1走査ライン周期の2倍の周期
に極性反転する交流化駆動を行なっているため、全ての
画素電極に対して、画素電極を挟む2本のドレインバス
及び対向電極の極性が書き込み時と変化している期間が
同等になり平均実効電圧が均一になるものである。In this embodiment, the voltage signals V COM A and V COM B supplied to the counter electrodes are set by shifting the voltage variations ΔV 1 ′, and the polarities of the drain buses and the counter electrodes are Since alternating drive is performed in which the polarity is inverted at a period twice as long as one scanning line period, the polarities of the two drain buses sandwiching the pixel electrode and the counter electrode change from those at the time of writing, for all the pixel electrodes. That is, the periods are the same and the average effective voltage becomes uniform.
【0057】更に対向電極に供給するVCOM A及びV
COM Bの電圧信号に、表示データより類推して算出した
全ての画素電極におけるΔV2 ′の平均電圧変動量ΔV
2 ′(平均値)をΔV2 ′の電圧変動によって生ずる実
効電圧ロス分として、補正データを含んだ状態のVCOM
A及びVCOM Bの電圧振幅より算出したΔV3 ′の平均
電圧変動量ΔV3 ′(平均値)をΔV3 ′の電圧変動に
よって生ずる実効電圧ロス分として付加して供給するた
めに、VCOM A及びVCOM Bの電圧波形を、正極性の書
き込み時にはVD (+) ′−ΔV−VTH−ΔV1 ′−〔Δ
V2 ′(平均値)〕−〔ΔV3 ′(平均値)〕の電圧レ
ベルに、負極性の書き込み時にはVD (-)′+ΔV+V
TH−ΔV1 ′+〔ΔV2 ′(平均値)〕+〔ΔV3 ′
(平均値)〕の電圧レベルに設定したΔV+2VTH+2
×〔ΔV2 ′(平均値)〕+2×〔ΔV3 ′(平均
値)〕の変動振幅を有する電圧信号で供給すると、デー
タ回路より出力される電圧データの振幅をΔVに設定し
た場合においても、全ての画素の平均実効電圧をΔV+
VTHと同程度にすることができるものである。Further, V COM A and V supplied to the counter electrode
The average voltage fluctuation amount ΔV 2 ′ of ΔV 2 ′ in all pixel electrodes calculated by analogy with the display data for the COM B voltage signal
2 COM (average value) is the effective voltage loss caused by the voltage fluctuation of ΔV 2 ′, and V COM including the correction data
In order to supply added [Delta] V 3 calculated from voltage amplitude of the A and V COM B 'average voltage fluctuation amount [Delta] V 3' (average value) as the effective voltage loss in caused by the voltage fluctuation of ΔV 3 ', V COM The voltage waveforms of A and V COM B are V D (+) ′ − ΔV−V TH −ΔV 1 ′ − [Δ
V 2 ′ (average value)] − [ΔV 3 ′ (average value)] voltage level, V D (−) ′ + ΔV + V when writing with negative polarity
TH −ΔV 1 ′ + [ΔV 2 ′ (average value)] + [ΔV 3 ′
(Average value)] ΔV + 2V TH +2 set to the voltage level
When a voltage signal having a fluctuation amplitude of × [ΔV 2 ′ (average value)] + 2 × [ΔV 3 ′ (average value)] is supplied, even when the amplitude of the voltage data output from the data circuit is set to ΔV. , The average effective voltage of all pixels is ΔV +
It can be made as high as V TH .
【0058】アクティブマトリクス型薄膜トランジスタ
液晶パネルの等価回路図は、図8と同様であり、図15
及び図16に示したように、TFT−LCDには数多く
の電気的配線が施されているため、液晶パネルの構成条
件として配線容量が存在し、各表示セルの液晶容量CLC
に書き込みを行なう時に、ロス電流を発生させる。ドレ
インバスとゲートバスの交差部分により作成される容量
CGDは、ドレインバスの電圧が変動する毎に、ゲートバ
スとドレインバスにドレインバスの電圧変動量に比例し
たロス電流を発生させ、また液晶層を介してドレインバ
スと対向電極との間に作成される容量CDCは、同様にド
レインバスの電圧が変動する毎にドレインバスと対向電
極に、ドレインバスの電圧変動量に比例したロス電流を
発生させる。The equivalent circuit diagram of the active matrix type thin film transistor liquid crystal panel is similar to that of FIG.
As shown in FIG. 16 and FIG. 16, since a TFT-LCD is provided with a large number of electrical wirings, a wiring capacitance exists as a configuration condition of the liquid crystal panel, and the liquid crystal capacitance C LC of each display cell is present.
A loss current is generated when writing to. The capacitance C GD created by the intersection of the drain bus and the gate bus causes a loss current proportional to the amount of voltage change of the drain bus to the gate bus and the drain bus every time the voltage of the drain bus changes, and the liquid crystal The capacitance C DC created between the drain bus and the counter electrode via the layer is the loss current proportional to the voltage variation of the drain bus in the drain bus and the counter electrode every time the voltage of the drain bus also varies. Generate.
【0059】ここで示す、各表示セル単位に存在するC
GD及びCDCにより発生する電流量はそれほど大きなもの
ではないが、配線全体で考えるとかなり大きな電流であ
るため、ロス電流を短い期間、例えばライン周期にパネ
ル外部に放出するためには、ドレインバス及びゲートバ
ス及び対向電極の低抵抗化を図るとともに、各配線に接
続される外部ドライバの電流容量を大きくしなければな
らない。C shown in each display cell unit shown here
Without large so much amount of current generated by GD and C DC, for considering the whole wire is fairly large current, short duration loss current, in order to release, for example, in line periods outside the panel, the drain bus It is necessary to reduce the resistance of the gate bus and the counter electrode and increase the current capacity of the external driver connected to each wiring.
【0060】本発明の実施例においては、隣接するドレ
インバスの極性が異なり、極性が変動する時には、隣接
するドレインバスは必ず異なる極性の電圧変動、例え
ば、一方が正極性から負極性に変動する場合は、他方が
負極性から正極性に変動することになる。よって、1本
のゲートバスライン上の隣接する容量CGD同士あるいは
各波型対向電極上に隣接する容量CDC同士によって発生
するロス電流は、互いに反対方向に流れる電流であるた
め、ロス電流同士が相殺する傾向を示す。In the embodiment of the present invention, when the polarities of the adjacent drain buses are different and the polarities are changed, the voltage fluctuations of the adjacent drain buses are always different polarities, for example, one is changed from the positive polarity to the negative polarity. In this case, the other will change from the negative polarity to the positive polarity. Therefore, the loss currents generated by the adjacent capacitors C GD on one gate bus line or by the adjacent capacitors C DC on each corrugated counter electrode are currents flowing in opposite directions. Tend to cancel out.
【0061】また、各波型対向電極においても、極性が
変動する時には、同様に隣接する対向電極同士が必ず異
なる極性の電圧変動をすることになる。よって、1本の
ドレインバスライン上の隣接する容量CDC同士によって
発生するロス電流同士も互いに相殺する傾向を示す。こ
のために、1本のゲートライン及びドレインバスライン
及び各波型の対向電極に流れるロス電流は非常に小さく
なり、各配線の低抵抗化及び各配線に接続される外部ド
ライバの大容量化を図らなくてもよい液晶パネルを提供
できるとともに、液晶パネルの大容量、高精細化に適し
ている。Also in each of the wave type counter electrodes, when the polarity changes, similarly, the adjacent counter electrodes always have voltage fluctuations of different polarities. Therefore, the loss currents generated by the adjacent capacitors C DC on one drain bus line also tend to cancel each other. For this reason, the loss current flowing through one gate line and drain bus line and each corrugated counter electrode becomes very small, which reduces the resistance of each wiring and increases the capacity of the external driver connected to each wiring. It is possible to provide a liquid crystal panel that does not need to be drawn, and is suitable for large capacity and high definition of the liquid crystal panel.
【0062】なお、本発明は上記実施例に限定されるも
のではなく、本発明の趣旨に基づいて種々の変形が可能
であり、これらを本発明の範囲から排除するものではな
い。The present invention is not limited to the above embodiments, and various modifications can be made based on the spirit of the present invention, and these modifications are not excluded from the scope of the present invention.
【0063】[0063]
【発明の効果】以上、詳細に説明したように、本発明に
よれば、1本のゲートバスラインに薄膜トランジスタを
介して接続される、画素電極群をゲートバスライン方向
に交互に千鳥状に配置させ、各対向電極をゲートバスラ
イン方向に並ぶ画素電極群毎に対応させて設け、ゲート
バスライン方向に並ぶ該画素電極群を2本のゲートバス
と1本の対向電極により制御する構成にし、ゲートバス
ライン方向の奇数ラインの画素電極群に対応する対向電
極同士を接続し、偶数ラインの画素電極群に対応する対
向電極同士を接続し、それぞれにスイッチングする回路
を設け、隣接する対向電極の極性が異なり、1走査ライ
ン周期の2倍の周期に極性が反転し、極性データ及び液
晶セルのオフセット電圧及び実効電圧補正電圧を含む電
圧データとして供給し、かつドレインバスラインに供給
される電圧データが隣接するドレインバスで極性が異な
り、1走査ライン周期の2倍の周期に極性が反転し、正
極性と負極性のデータが互いに反転された電圧情報とし
て供給することにより、液晶セルの平均実効電圧の均一
化とゲートバスライン及びドレインバスラインのスイッ
チングドライバの低耐電圧化を達成することができる。As described above in detail, according to the present invention, the pixel electrode groups connected to one gate bus line through the thin film transistors are alternately arranged in the gate bus line direction in a zigzag pattern. Then, each counter electrode is provided corresponding to each pixel electrode group arranged in the gate bus line direction, and the pixel electrode group arranged in the gate bus line direction is controlled by two gate buses and one counter electrode. In the gate bus line direction, the counter electrodes corresponding to the pixel electrode groups on the odd-numbered lines are connected to each other, the counter electrodes corresponding to the pixel electrode groups on the even-numbered lines are connected to each other, and a switching circuit is provided for each of the adjacent counter electrodes. The polarity is different and the polarity is inverted in a cycle twice as long as one scanning line cycle, and the polarity data and the voltage data including the offset voltage of the liquid crystal cell and the effective voltage correction voltage are provided. In addition, the voltage data supplied to the drain bus lines have different polarities in the adjacent drain buses, and the polarities are inverted in a period twice as long as one scanning line period, and the positive polarity data and the negative polarity data are inverted to each other. By supplying it as information, it is possible to make the average effective voltage of the liquid crystal cell uniform and lower the withstand voltage of the switching driver of the gate bus line and the drain bus line.
【0064】更に、この駆動方法は、パネル内配線容量
によって発生するロス電流の発生も低減できるため、大
容量、高精細ディスプレイに最適である。また、この駆
動法はドレインバスラインにアナログ電圧を入力した場
合にも、同等の効果が得られるため、アクティブマトリ
クス型薄膜トランジスタ液晶パネルの階調駆動にも十分
適用できる。Further, this driving method is also suitable for a large capacity and high definition display because it can reduce the generation of loss current generated by the wiring capacitance in the panel. In addition, this driving method has the same effect even when an analog voltage is input to the drain bus line, and thus can be sufficiently applied to gray scale driving of an active matrix thin film transistor liquid crystal panel.
【0065】また、本発明によれば、1本のゲートバス
ラインに薄膜トランジスタを介して接続される画素電極
群をゲートバスライン方向に配置し、隣接する2本のゲ
ートバスラインにTFTを介して接続される画素電極群
において、ゲートバスライン方向に交互に千鳥状に2本
のゲートバスラインから選択した画素電極群に対して1
個の波型対向電極を設ける構成にし、かつ隣接しない波
型対向電極同士を接続し、それぞれにスイッチング回路
を設け、ドレインバスに供給されるデータが隣接するド
レインバスで極性が異なり、1走査ライン周期の2倍の
周期にそれぞれのドレインバスの極性が反転し、正極性
と負極性の電圧データが互いに反転された電圧情報とし
て供給し、各対向電極に対応する画素電極群の極性デー
タ及び液晶の閾値電圧に相当するオフセット電圧及び実
効電圧補正電圧を含む電圧信号として各対向電極に供給
することにより、液晶セルの平均実効電圧の均一化とド
レインバスラインのスイッチングドライバの低耐電圧化
を達成することができる。Further, according to the present invention, the pixel electrode group connected to one gate bus line via the thin film transistor is arranged in the gate bus line direction, and the two adjacent gate bus lines are connected via the TFT. In the pixel electrode group to be connected, 1 for the pixel electrode group selected from two gate bus lines alternately in a zigzag pattern in the gate bus line direction.
The number of wave-shaped opposite electrodes provided is different, and the wave-type opposite electrodes which are not adjacent to each other are connected to each other, and the switching circuits are provided respectively, so that the data supplied to the drain buses have different polarities in the adjacent drain buses, and one scanning line. The polarity of each drain bus is inverted in a period twice the period, and positive polarity and negative polarity voltage data are supplied as mutually inverted voltage information, and the polarity data of the pixel electrode group corresponding to each counter electrode and the liquid crystal are supplied. The average effective voltage of the liquid crystal cell is made uniform and the withstand voltage of the switching driver of the drain bus line is reduced by supplying it to each counter electrode as a voltage signal including the offset voltage and the effective voltage correction voltage corresponding to the threshold voltage of can do.
【図1】本発明の実施例を示すアクティブマトリクス型
薄膜トランジスタ液晶パネルの概略斜視図である。FIG. 1 is a schematic perspective view of an active matrix thin film transistor liquid crystal panel showing an embodiment of the present invention.
【図2】本発明の実施例を示すアクティブマトリクス型
薄膜トランジスタ液晶パネルの概略構成図である。FIG. 2 is a schematic configuration diagram of an active matrix type thin film transistor liquid crystal panel showing an embodiment of the present invention.
【図3】本発明の実施例を示すアクティブマトリクス型
薄膜トランジスタ液晶パネルのデータ回路の概略ブロッ
ク図である。FIG. 3 is a schematic block diagram of a data circuit of an active matrix thin film transistor liquid crystal panel showing an embodiment of the present invention.
【図4】本発明の実施例を示すアクティブマトリクス型
薄膜トランジスタ液晶パネルのコモン変動回路を示す図
である。FIG. 4 is a diagram showing a common variation circuit of an active matrix thin film transistor liquid crystal panel showing an embodiment of the present invention.
【図5】本発明の実施例を示すアクティブマトリクス型
薄膜トランジスタ液晶パネルのドレインバスに供給され
る電圧データのタイミングを示す図である。FIG. 5 is a diagram showing timing of voltage data supplied to the drain bus of the active matrix type thin film transistor liquid crystal panel showing the embodiment of the present invention.
【図6】本発明の実施例を示すアクティブマトリクス型
薄膜トランジスタ液晶パネルのコモン変動回路の動作タ
イミングチャートである。FIG. 6 is an operation timing chart of a common variation circuit of an active matrix thin film transistor liquid crystal panel showing an embodiment of the present invention.
【図7】本発明の実施例を示すアクティブマトリクス型
薄膜トランジスタ液晶パネルの液晶セルの等価回路図で
ある。FIG. 7 is an equivalent circuit diagram of a liquid crystal cell of an active matrix thin film transistor liquid crystal panel showing an embodiment of the present invention.
【図8】本発明の実施例を示すアクティブマトリクス型
薄膜トランジスタ液晶パネルの等価回路図である。FIG. 8 is an equivalent circuit diagram of an active matrix thin film transistor liquid crystal panel showing an embodiment of the present invention.
【図9】本発明の実施例を示すアクティブマトリクス型
薄膜トランジスタ液晶パネルの奇数ドレインバスに接続
されるTFTの駆動電圧及び画素電圧変化を示すタイミ
ングチャートである。FIG. 9 is a timing chart showing a drive voltage and a pixel voltage change of a TFT connected to an odd drain bus of an active matrix thin film transistor liquid crystal panel showing an embodiment of the present invention.
【図10】本発明の実施例を示すアクティブマトリクス
型薄膜トランジスタ液晶パネルの偶数ドレインバスに接
続されるTFTの駆動電圧及び画素電圧変化を示すタイ
ミングチャートである。FIG. 10 is a timing chart showing a drive voltage and a pixel voltage change of a TFT connected to an even drain bus of an active matrix thin film transistor liquid crystal panel showing an embodiment of the present invention.
【図11】本発明の変形実施例を示すアクティブマトリ
クス型薄膜トランジスタ液晶パネルの概略構成図であ
る。FIG. 11 is a schematic configuration diagram of an active matrix thin film transistor liquid crystal panel showing a modified embodiment of the present invention.
【図12】従来のアクティブマトリクス型薄膜トランジ
スタ液晶パネルの構成図である。FIG. 12 is a configuration diagram of a conventional active matrix thin film transistor liquid crystal panel.
【図13】従来のアクティブマトリクス型薄膜トランジ
スタ液晶パネルの駆動タイミングチャートを示す図であ
る。FIG. 13 is a diagram showing a drive timing chart of a conventional active matrix thin film transistor liquid crystal panel.
【図14】従来のTN液晶セルの電気−光学特性を示す
図である。FIG. 14 is a diagram showing electro-optical characteristics of a conventional TN liquid crystal cell.
【図15】本発明の他の実施例を示すアクティブマトリ
クス型薄膜トランジスタ液晶パネルの概略斜視図であ
る。FIG. 15 is a schematic perspective view of an active matrix thin film transistor liquid crystal panel showing another embodiment of the present invention.
【図16】本発明の他の実施例を示すアクティブマトリ
クス型薄膜トランジスタ液晶パネルの対向電極の構成を
示す図である。FIG. 16 is a diagram showing a structure of a counter electrode of an active matrix type thin film transistor liquid crystal panel showing another embodiment of the present invention.
【図17】本発明の他の実施例を示すアクティブマトリ
クス型薄膜トランジスタ液晶パネルの概略ブロック図で
ある。FIG. 17 is a schematic block diagram of an active matrix thin film transistor liquid crystal panel showing another embodiment of the present invention.
【図18】本発明の他の実施例を示すアクティブマトリ
クス型薄膜トランジスタ液晶パネルのドレインバスに供
給される電圧データのタイミングを示す図である。FIG. 18 is a diagram showing timing of voltage data supplied to a drain bus of an active matrix type thin film transistor liquid crystal panel showing another embodiment of the present invention.
【図19】本発明の他の実施例を示すアクティブマトリ
クス型薄膜トランジスタ液晶パネルのコモン変動回路の
タイミングチャートである。FIG. 19 is a timing chart of a common variation circuit of an active matrix thin film transistor liquid crystal panel showing another embodiment of the present invention.
【図20】本発明の他の実施例を示すアクティブマトリ
クス型薄膜トランジスタ液晶パネルの奇数ドレインバス
に接続されるTFTの駆動電圧及び画素電圧変化を示す
タイミングチャートである。FIG. 20 is a timing chart showing a drive voltage and a pixel voltage change of a TFT connected to an odd drain bus of an active matrix type thin film transistor liquid crystal panel showing another embodiment of the present invention.
【図21】本発明の他の実施例を示すアクティブマトリ
クス型薄膜トランジスタ液晶パネルの偶数ドレインバス
に接続されるTFTの駆動電圧及び画素電圧変化を示す
タイミングチャートである。FIG. 21 is a timing chart showing changes in driving voltage and pixel voltage of a TFT connected to an even drain bus of an active matrix thin film transistor liquid crystal panel showing another embodiment of the present invention.
11 ゲートバスライン 12 ドレインバスライン 13 TFT(薄膜トランジスタ) 14 画素電極 15 対向電極 15a 画素電極と対向する部分 15b 対向電極接合部 16 液晶 17 補助容量 18 補助容量線 19 隙間 20 走査回路 30 データ回路 31 データ発生部 32 データ反転部A 33 データ反転部B 34 データ出力部A 35 データ出力部B 40 コモン変動回路 41,42 バッファ 43,44 オペアンプ 45,46 MOSFET 11 gate bus line 12 drain bus line 13 TFT (thin film transistor) 14 pixel electrode 15 counter electrode 15a part facing pixel electrode 15b counter electrode junction 16 liquid crystal 17 auxiliary capacitance 18 auxiliary capacitance line 19 gap 20 scanning circuit 30 data circuit 31 data Generation unit 32 Data inversion unit A 33 Data inversion unit B 34 Data output unit A 35 Data output unit B 40 Common fluctuation circuit 41, 42 Buffer 43, 44 Operational amplifier 45, 46 MOSFET
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 高橋 敦 東京都港区虎ノ門1丁目7番12号 沖電気 工業株式会社内 (72)発明者 濱野 広 東京都港区虎ノ門1丁目7番12号 沖電気 工業株式会社内 ─────────────────────────────────────────────────── ─── Continuation of front page (72) Inventor Atsushi Takahashi 1-7-12 Toranomon, Minato-ku, Tokyo Oki Electric Industry Co., Ltd. (72) Hiro Hiroshi Hamano 1-12-12 Toranomon, Minato-ku, Tokyo Offshore Electric Industry Co., Ltd.
Claims (5)
ラインとドレインバスラインを設け、前記ゲートバスラ
インとドレインバスラインの交点に各画素電極に対応し
た薄膜トランジスタを設け、前面基板上に透明な対向電
極を設け、前記背面基板と前面基板の表面に適当な方向
に配向処理された配向膜を設け、両基板の配向膜同士
を、液晶層を介して対向配置させ貼り合わせ、かつ前記
背面基板と前面基板の背面に偏光膜を貼り付けたアクテ
ィブマトリクス型薄膜トランジスタ液晶パネルの駆動方
法において、 1本のゲートバスラインに薄膜トランジスタを介して接
続される画素電極群をゲートバスライン方向に交互に千
鳥状に配置させ、隣接する2本のゲートバスラインに対
応する1部分の画素電極群によりゲートバスライン方向
の画素電極群を構成し、ゲートバスライン方向に並ぶ画
素電極群に対して対向電極を1個設け、複数個設けられ
た対向電極の内奇数番目の対向電極同士及び偶数番目の
対向電極同士をそれぞれ接続し、奇数番目の対向電極群
及び偶数番目の対向電極群にスイッチング素子を設け、
隣接するドレインバスラインの電圧データの極性が異な
り、1走査ライン周期の2倍の周期に該電圧データの極
性が反転し、かつ正極性と負極性の該電圧データが互い
に反転された電圧を示す電圧信号を、各ドレインバスラ
インに供給し、隣接する対向電極の極性が異なり、かつ
各対向電極に対応する画素電極群の極性データ及び液晶
の閾値電圧に相当するオフセット電圧及び実効電圧補正
電圧を含む電圧信号を各対向電極に供給し、ゲートバス
ラインの選択信号により画素電極に電圧書き込みを行う
ことを特徴とするアクティブマトリクス型薄膜トランジ
スタ液晶パネルの駆動方法。1. A gate bus line and a drain bus line are provided orthogonally on a rear substrate, and a thin film transistor corresponding to each pixel electrode is provided at an intersection of the gate bus line and the drain bus line. An opposing electrode is provided, and an alignment film that has been oriented in an appropriate direction is provided on the surfaces of the back substrate and the front substrate, and the alignment films of both substrates are placed facing each other via a liquid crystal layer and bonded together, and the back substrate In a method for driving an active matrix thin film transistor liquid crystal panel in which a polarizing film is attached to the back surface of a front substrate and a front substrate, pixel electrode groups connected via a thin film transistor to one gate bus line are alternately staggered in the gate bus line direction. The pixel in the gate bus line direction by the pixel electrode group of one part corresponding to two adjacent gate bus lines. One counter electrode is provided for the pixel electrode group that is arranged in the gate bus line direction to form a pole group, and odd-numbered counter electrodes and even-numbered counter electrodes of the plurality of counter electrodes are connected to each other. Then, a switching element is provided in the odd-numbered counter electrode group and the even-numbered counter electrode group,
The polarities of the voltage data of the adjacent drain bus lines are different, and the polarities of the voltage data are inverted in a cycle twice as long as one scanning line cycle, and the positive and negative voltage data are inverted to each other. The voltage signal is supplied to each drain bus line, and the polarity data of the pixel electrode group corresponding to each counter electrode having different polarities and the offset voltage and the effective voltage correction voltage corresponding to the threshold voltage of the liquid crystal are set. A method of driving an active matrix thin film transistor liquid crystal panel, comprising supplying a voltage signal including the voltage to each counter electrode and writing a voltage to the pixel electrode according to a selection signal of a gate bus line.
インとの間に存在する容量CDP1 とCDP2 を含むインピ
ーダンス成分を等しくし、動作させることを特徴とする
請求項1記載のアクティブマトリクス型薄膜トランジス
タ液晶パネルの駆動方法。2. The active matrix type thin film transistor according to claim 1, wherein impedance components including capacitors C DP1 and C DP2 existing between the pixel electrode and an adjacent drain bus line are made equal to operate. Liquid crystal panel driving method.
量CLCに対して電気的に並列に補助容量CS を設け、動
作させることを特徴とする請求項1記載のアクティブマ
トリクス型薄膜トランジスタ液晶パネルの駆動方法。3. The active matrix type thin film transistor according to claim 1, wherein an auxiliary capacitance C S is provided electrically in parallel with the liquid crystal capacitance C LC between the pixel electrode and the counter electrode to operate. Liquid crystal panel driving method.
ラインとドレインバスラインを設け、前記ゲートバスラ
インとドレインバスラインの交点に各画素電極に対応し
た薄膜トランジスタを設け、前面基板上に透明な対向電
極を設け、前記背面基板と前面基板の表面に適当な方向
に配向処理された配向膜を設け、両基板の配向膜同士
を、液晶層を介して対向配置させ貼り合わせ、かつ前記
背面基板と前面基板の背面に偏光膜を貼り付けたアクテ
ィブマトリクス型薄膜トランジスタ液晶パネルの駆動方
法において、 1本のゲートバスラインに薄膜トランジスタを介して接
続される画素電極群をゲートバスライン方向に配置し、
隣接する2本のゲートバスラインに薄膜トランジスタを
介して接続される画素電極群において、ゲートバスライ
ン方向に交互に千鳥状に2本のゲートバスラインから選
択した画素電極群に対して、1個の波型対向電極を設け
る構成にし、かつ隣接しない波型対向電極同士を接続
し、それぞれにスイッチング素子を設け、隣接するドレ
インバスラインの電圧データの極性が異なり、1走査ラ
イン周期の2倍の周期に該電圧データの極性が反転し、
かつ正極性と負極性の該電圧データが互いに反転された
電圧を示す電圧信号を、各ドレインバスラインに供給
し、隣接する対向電極の極性が異なり、かつ各対向電極
に対応する画素電極群の極性データ及び液晶の閾値電圧
に相当するオフセット電圧及び実効電圧補正電圧を含む
電圧信号を各対向電極に供給し、ゲートバスラインの選
択信号により画素電極に電圧書き込みを行うことを特徴
とするアクティブマトリクス型薄膜トランジスタ液晶パ
ネルの駆動方法。4. A gate bus line and a drain bus line are provided orthogonally on a rear substrate, and a thin film transistor corresponding to each pixel electrode is provided at an intersection of the gate bus line and the drain bus line. An opposing electrode is provided, and an alignment film that has been oriented in an appropriate direction is provided on the surfaces of the back substrate and the front substrate, and the alignment films of both substrates are placed facing each other via a liquid crystal layer and bonded together, and the back substrate And a driving method of an active matrix type thin film transistor liquid crystal panel in which a polarizing film is attached to the back surface of a front substrate, a pixel electrode group connected to one gate bus line via a thin film transistor is arranged in the gate bus line direction,
In a pixel electrode group connected to two adjacent gate bus lines via a thin film transistor, one pixel electrode group is selected alternately from two gate bus lines in a zigzag pattern in the gate bus line direction. Wave counter electrodes are provided, and non-adjacent wave counter electrodes are connected to each other, and a switching element is provided for each, and the polarity of the voltage data of the adjacent drain bus lines is different. The polarity of the voltage data is reversed,
Further, a voltage signal indicating a voltage in which the voltage data of positive polarity and the voltage data of negative polarity are inverted to each other is supplied to each drain bus line, and the polarity of adjacent counter electrodes is different, and the pixel electrode group of the pixel electrode group corresponding to each counter electrode is supplied. An active matrix in which a voltage signal including polarity data and an offset voltage corresponding to a threshold voltage of liquid crystal and an effective voltage correction voltage is supplied to each counter electrode, and voltage is written to a pixel electrode by a selection signal of a gate bus line. Type thin film transistor liquid crystal panel driving method.
の間に存在する容量CDP1 とCDP2 を含むインピーダン
ス成分を等しくし、動作させることを特徴とする請求項
1記載のアクティブマトリクス型薄膜トランジスタ液晶
パネルの駆動方法。5. The active matrix thin film transistor liquid crystal according to claim 1, wherein impedance components including capacitances C DP1 and C DP2 existing between the pixel electrode and an adjacent drain bus are equalized to operate. How to drive the panel.
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP04195295A JP3119942B2 (en) | 1992-07-22 | 1992-07-22 | Driving method of active matrix type thin film transistor liquid crystal panel |
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---|---|---|---|
JP04195295A JP3119942B2 (en) | 1992-07-22 | 1992-07-22 | Driving method of active matrix type thin film transistor liquid crystal panel |
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