JPH0635167A - Photomask for exposure of printed circuit board - Google Patents
Photomask for exposure of printed circuit boardInfo
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Abstract
Description
【０００１】[0001]
【産業上の利用分野】この発明は、スルーホールを備え
るプリント回路基板の製作において、導電パターン等を
形成するために実施される露光工程で使用されるフォト
マスクの改良に関するものである。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to an improvement of a photomask used in an exposure process carried out to form a conductive pattern or the like in manufacturing a printed circuit board having a through hole.
【０００２】[0002]
【従来の技術】図５は、プリント回路基板の製作のため
に実施される従来の露光工程を示している。2. Description of the Related Art FIG. 5 shows a conventional exposure process performed for manufacturing a printed circuit board.
【０００３】プリント回路基板となるべき基板１の表面
には、導電膜２が形成され、さらにその上には、感光性
レジスト３がコーティングされる。なお、図５に示した
基板１は、スルーホール４を備えかつ少なくとも両面配
線されるプリント回路基板を得ようとするものである。
したがって、上述した導電膜２および感光性レジスト３
は、基板１の両主面およびスルーホール４の内周面上に
形成される。A conductive film 2 is formed on the surface of a substrate 1 to be a printed circuit board, and a photosensitive resist 3 is coated on the conductive film 2. The board 1 shown in FIG. 5 is intended to obtain a printed circuit board having through holes 4 and having at least double-sided wiring.
Therefore, the conductive film 2 and the photosensitive resist 3 described above are used.
Are formed on both main surfaces of the substrate 1 and the inner peripheral surface of the through hole 4.
【０００４】他方、基板１の所定領域が露光されるよう
にするため、フォトマスク５が用意される。フォトマス
ク５は、たとえば透明樹脂フィルムまたはガラス板のよ
うな透明体からなるベース部材６を備え、ベース部材６
の一部上には、不透明のパターン膜７が形成される。こ
のパターン膜７は、たとえば黒色とされ、それによっ
て、光は全く透過しないようにされる。On the other hand, a photomask 5 is prepared in order to expose a predetermined area of the substrate 1. The photomask 5 includes a base member 6 made of a transparent material such as a transparent resin film or a glass plate.
An opaque pattern film 7 is formed on a part of the. The pattern film 7 is made black, for example, so that no light is transmitted.
【０００５】このようなフォトマスク５を介して、紫外
線８が基板１、より具体的には感光性レジスト３に照射
され、それによって、感光性レジスト３は、パターン膜
７が形成されていない領域で露光される。なお、図５で
は、フォトマスク５と基板１とが離されて図示されてい
るが、実際の露光時では、これらは互いに密着されてい
る。このような露光工程において、基板１の一方主面側
の感光性レジスト３が所定のパターンをもって露光され
るとともに、紫外線８は矢印９で示すようにスルーホー
ル４内にも達するので、スルーホール４内にある感光性
レジスト３も露光される。また、同様の露光工程が、基
板１の他方主面側にある感光性レジスト３に対しても実
施される。Through the photomask 5 as described above, the substrate 1 and more specifically, the photosensitive resist 3 is irradiated with the ultraviolet rays 8, whereby the photosensitive resist 3 has a region where the pattern film 7 is not formed. Exposed. Although the photomask 5 and the substrate 1 are shown separated from each other in FIG. 5, they are in close contact with each other during actual exposure. In such an exposure step, the photosensitive resist 3 on the one main surface side of the substrate 1 is exposed with a predetermined pattern, and the ultraviolet rays 8 reach the inside of the through hole 4 as shown by an arrow 9, so that the through hole 4 The photosensitive resist 3 inside is also exposed. Further, the same exposure process is performed on the photosensitive resist 3 on the other main surface side of the substrate 1.
【０００６】[0006]
【発明が解決しようとする課題】上述した感光性レジス
ト３には、光硬化型（ネガタイプ）と光軟化型（ポジタ
イプ）とがある。これらのうち、ネガタイプのものを使
用して、スルーホール４内の導電膜２を保護するために
は、スルーホール４の内周面にも紫外線８を十分に当て
て、感光性レジスト３を硬化させる必要がある。他方、
ポジタイプのものを使用する場合でも、スルーホール４
内の導電膜２を剥したい場合には、スルーホール４の内
周面を十分に露光する必要がある。The photosensitive resist 3 described above is classified into a photo-curing type (negative type) and a photo-softening type (positive type). Of these, in order to protect the conductive film 2 in the through hole 4 by using the negative type, the ultraviolet ray 8 is sufficiently applied to the inner peripheral surface of the through hole 4 to cure the photosensitive resist 3. Need to let. On the other hand,
Through hole 4 even when using the positive type
When it is desired to peel off the conductive film 2 inside, it is necessary to sufficiently expose the inner peripheral surface of the through hole 4.
【０００７】しかしながら、上述したスルーホール４の
径は、０．２〜０．５ｍｍ程度の大きさしかない場合が
多く、このようなスルーホール４の内周面まで十分に露
光することは困難であった。そのため、たとえば、感光
性レジスト３としてネガタイプのものを使用する場合に
は、現像したとき、図６に示すように、スルーホール４
内の導電膜２を保護すべき感光性レジスト３の一部が、
部分１０で示すように、不所望にも除去されてしまうこ
とがあった。However, the diameter of the through hole 4 described above is often only about 0.2 to 0.5 mm, and it is difficult to sufficiently expose the inner peripheral surface of such through hole 4. there were. Therefore, for example, when a negative type resist is used as the photosensitive resist 3, when it is developed, as shown in FIG.
Part of the photosensitive resist 3 that should protect the conductive film 2 inside
It was sometimes undesirably removed, as shown by section 10.
【０００８】これを解決するため、露光に際して、強い
紫外線８を用いて、スルーホール４内にも紫外線８が十
分に届くようにされることがある。しかしながら、この
ように、紫外線８の光量をスルーホール４内の露光に十
分な値に設定すると、基板１の主表面においては、光量
がオーバーして、解像度が低下してしまう。すなわち、
露光に際して、スルーホール４内での適正な光量と基板
１の主表面上での適正な光量とが異なり、そのため、い
ずれか一方の適正値を露光に際しての光量として選ぶ
と、他方における露光が不適正となってしまう。In order to solve this problem, a strong ultraviolet ray 8 may be used at the time of exposure so that the ultraviolet ray 8 sufficiently reaches the inside of the through hole 4. However, if the light amount of the ultraviolet rays 8 is set to a value sufficient for the exposure in the through hole 4 as described above, the light amount exceeds the main surface of the substrate 1 and the resolution deteriorates. That is,
At the time of exposure, the appropriate amount of light in the through hole 4 and the appropriate amount of light on the main surface of the substrate 1 are different. Therefore, if one of the appropriate values is selected as the amount of light at the time of exposure, the exposure at the other side will be incorrect. It will be appropriate.
【０００９】それゆえに、この発明の目的は、上述した
ような問題を解決し得るプリント回路基板露光用フォト
マスクを提供しようとすることである。Therefore, an object of the present invention is to provide a photomask for exposing a printed circuit board, which can solve the above-mentioned problems.
【００１０】[0010]
【課題を解決するための手段】この発明は、スルーホー
ルを備えるプリント回路基板を得るため、感光性レジス
トが主面およびスルーホールの内周面上にコーティング
された基板に紫外線を照射する露光工程で、基板の所定
領域が露光されるように用いられる、プリント回路基板
露光用フォトマスクに向けられるものであって、上述し
た技術的課題を解決するため、このようなフォトマスク
が、紫外線を透過させる部分において、透過率の互いに
異なる少なくとも２つの領域を有するとともに、主面に
紫外線を照射する領域は、スルーホールの内周面に紫外
線を照射する領域より透過率が相対的に低くされている
ことを特徴としている。SUMMARY OF THE INVENTION In order to obtain a printed circuit board having a through hole, the present invention is an exposure step of irradiating a substrate having a photosensitive resist coated on the main surface and the inner peripheral surface of the through hole with ultraviolet rays. The present invention is directed to a photomask for exposing a printed circuit board, which is used so that a predetermined area of a substrate is exposed. In the portion to be made, at least two regions having different transmittances are provided, and the region where the main surface is irradiated with ultraviolet rays has a relatively lower transmittance than the region where the inner peripheral surface of the through hole is irradiated with ultraviolet rays. It is characterized by that.
【００１１】この発明にかかるフォトマスクには、次の
ようないくつかの実施態様がある。すなわち、 （１） 透明体からなるベース部材と、ベース部材の一
部上に形成される不透明のパターン膜と、不透明のパタ
ーン膜の少なくとも一部およびベース部材の不透明のパ
ターン膜が形成されていない領域の一部を覆うように形
成される半透明のパターン膜とを備えるもの。The photomask according to the present invention has the following several embodiments. That is, (1) a base member made of a transparent body, an opaque pattern film formed on a part of the base member, at least a part of the opaque pattern film and the opaque pattern film of the base member are not formed. And a translucent pattern film formed so as to cover a part of the region.
【００１２】（２） 透明体からなるベース部材と、ベ
ース部材の一部上に形成される半透明のパターン膜と、
半透明のパターン膜の一部上に形成される不透明のパタ
ーン膜とを備えるもの。(2) A base member made of a transparent material, and a semitransparent pattern film formed on a part of the base member,
An opaque pattern film formed on a part of a semitransparent pattern film.
【００１３】（３） 透明体からなるベース部材と、ベ
ース部材の一方面の一部上に形成される不透明のパター
ン膜と、ベース部材の他方面の一部上であって不透明の
パターン膜が形成されていない領域の一部と対向する領
域を少なくとも覆うように形成される半透明のパターン
膜とを備えるもの。(3) A base member made of a transparent material, an opaque pattern film formed on a part of one surface of the base member, and an opaque pattern film formed on a part of the other surface of the base member. A semi-transparent pattern film formed so as to cover at least a region facing a part of the region not formed.
【００１４】（４） 互いに重ね合わされて使用される
第１および第２のフォトマスク部からなり、第１のフォ
トマスク部には、不透明のパターンが形成され、第２の
フォトマスク部には、半透明のパターンが形成され、第
１および第２のフォトマスク部が互いに重ね合わされた
とき、半透明のパターンの少なくとも一部は、不透明の
パターンと対向しない領域に位置するもの。(4) It is composed of first and second photomask portions which are used by being overlapped with each other. An opaque pattern is formed on the first photomask portion, and a second photomask portion is formed on the second photomask portion. A semitransparent pattern is formed, and when the first and second photomask portions are overlapped with each other, at least a part of the semitransparent pattern is located in a region not facing the opaque pattern.
【００１５】[0015]
【作用】この発明では、フォトマスクにおける紫外線を
透過させる部分に関して、透過率の互いに異なる少なく
とも２つの領域を有しているので、露光量を部分的にコ
ントロールすることができる。According to the present invention, since the portion of the photomask which transmits ultraviolet rays has at least two regions having different transmittances, the exposure amount can be partially controlled.
【００１６】[0016]
【発明の効果】したがって、この発明によれば、露光に
際しての適正な光量が場所によって異なる基板を、１回
の露光工程かつ１つのフォトマスクによって、適正に露
光することができる。たとえば、スルーホール内に紫外
線を与える部分を完全な透明とし、基板の主面に紫外線
を与える部分を半透明とすれば、スルーホール内部およ
び主面の双方において適正な露光を達成することができ
る。それゆえに、この発明によるフォトマスクを用いれ
ば、基板の主面における解像度を犠牲にすることなく、
スルーホール内部の露光を適正に行なうことができる。Therefore, according to the present invention, it is possible to properly expose a substrate having an appropriate amount of light at the time of exposure that varies depending on the location, by one exposure process and one photomask. For example, if the portion that gives ultraviolet rays in the through hole is made completely transparent and the portion that gives ultraviolet rays to the main surface of the substrate is made semi-transparent, proper exposure can be achieved both inside the through hole and on the main surface. . Therefore, using the photomask according to the present invention, without sacrificing the resolution on the main surface of the substrate,
The inside of the through hole can be properly exposed.
【００１７】なお、この発明によるフォトマスクの紫外
線を透過させる部分は、透過率の互いに異なる少なくと
も２つの領域を有している。したがって、上述したよう
に、単に透明および半透明というように、２種類の領域
しかない場合に限らず、半透明の範疇に属するものがさ
らにいくつかの異なる透過率を与えるようにされ、その
結果、透過率の互いに異なる領域が３種類以上備えるよ
うにされてもよい。このような多段階の透過率の設定
は、たとえば、大きさの互いに異なるスルーホールが形
成されている基板の露光に対して有効である。The portion of the photomask according to the present invention that transmits ultraviolet light has at least two regions having different transmittances. Therefore, as described above, it is not limited to the case where there are only two types of regions such as transparent and translucent, but those belonging to the category of translucent are made to give several different transmittances, and as a result, Alternatively, three or more regions having different transmittances may be provided. Such multi-step transmittance setting is effective, for example, for exposure of a substrate in which through holes having different sizes are formed.
【００１８】[0018]
【実施例】たとえば、図５に示した基板１を得ようとす
るとき、スルーホール４の内周面上にも感光性レジスト
３を均一にコーティングする方法として、電着塗装法
（ＥＤ法）が有利に用いられる。このような基板１に対
して露光を適用する場合、実験によれば、主面における
適正露光量は、２００ｍｊ／ｃｍ2 であり、スルーホー
ル４内部での適正露光量は、４００ｍｊ／ｃｍ2 であっ
た。このことから、主面における露光量は、スルーホー
ル４内部における露光量に対し、１／２にする必要があ
ることがわかる。この目的を達成するため、フォトマス
クにおいては、主面に与える光透過率が、スルーホール
４に与える光透過率に対して、１／２にされればよい。
このように、透過率を互いに異ならされたフォトマスク
は、たとえば、図１に示すように製作される。EXAMPLES For example, when the substrate 1 shown in FIG. 5 is to be obtained, as a method for uniformly coating the inner peripheral surface of the through hole 4 with the photosensitive resist 3, an electrodeposition coating method (ED method) is used. Is advantageously used. When exposure is applied to such a substrate 1, according to experiments, the proper exposure amount on the main surface is 200 mj / cm 2 , and the proper exposure amount inside the through hole 4 is 400 mj / cm 2 . there were. From this, it is understood that the exposure amount on the main surface needs to be 1/2 of the exposure amount inside the through hole 4. In order to achieve this purpose, in the photomask, the light transmittance given to the main surface may be set to 1/2 of the light transmittance given to the through hole 4.
Photomasks having different transmittances as described above are manufactured, for example, as shown in FIG.
【００１９】図１（ａ）に示すように、透明体からなる
ベース部材１１が用意される。ベース部材１１は、たと
えば、樹脂フィルムまたはガラス板から構成される。こ
のようなベース部材１１の一部上には、周知のパターン
形成法により、不透明のパターン膜１２が形成される。
図１（ａ）と前述した図５とを対比すればわかるよう
に、パターン膜１２で囲まれた領域１３が、基板１のス
ルーホール４の位置に対応する領域である。As shown in FIG. 1A, a base member 11 made of a transparent material is prepared. The base member 11 is made of, for example, a resin film or a glass plate. An opaque pattern film 12 is formed on a part of the base member 11 by a known pattern forming method.
As can be seen by comparing FIG. 1A and FIG. 5 described above, the region 13 surrounded by the pattern film 12 is a region corresponding to the position of the through hole 4 of the substrate 1.
【００２０】次に、図１（ｂ）に示すように、不透明の
パターン膜１２を含むベース部材１１の必要な領域に、
紫外線照射および現像によって発色するジアゾ基の感光
性レジスト１４がコーティングされる。次いで、前述し
たスルーホール４に対応する領域１３に対応する領域に
おいて遮光部１５を有するフォトマスク１６が、感光性
レジスト１４を覆うように配置される。図面では、感光
性レジスト１４とフォトマスク１６とが離されて図示さ
れているが、実際には、これら感光性レジスト１４とフ
ォトマスク１６とは互いに密着される。この状態で、矢
印で示すように、紫外線１７が照射され、感光性レジス
ト１４の特定の部分が露光され、次いで、現像される。Next, as shown in FIG. 1 (b), in a necessary region of the base member 11 including the opaque pattern film 12,
A photosensitive resist 14 having a diazo group, which develops a color upon irradiation with ultraviolet rays and development, is coated. Next, a photomask 16 having a light shielding portion 15 in a region corresponding to the region 13 corresponding to the through hole 4 described above is arranged so as to cover the photosensitive resist 14. In the drawing, the photosensitive resist 14 and the photomask 16 are shown separated from each other, but in reality, the photosensitive resist 14 and the photomask 16 are in close contact with each other. In this state, as shown by the arrow, ultraviolet rays 17 are irradiated, a specific portion of the photosensitive resist 14 is exposed, and then developed.
【００２１】上述した工程を終えたとき、図１（ｃ）に
示すように、スルーホール４に対応する領域１３におい
て感光性レジスト１４は除去され、透明なベース部材１
１のみが存在するようになり、他方、感光性レジスト１
４の露光された部分では、感光性レジスト１４が発色
（たとえば赤色）し、半透明のパターン膜１８を形成す
る。このようにして、目的とするフォトマスク１９が、
図１（ｃ）に示すように得られる。このフォトマスク１
９における紫外線を透過させる部分は、透明のベース部
材１１によって与えられる領域とベース部材１１および
半透明のパターン膜１８によって与えられる領域とを有
している。When the above steps are completed, as shown in FIG. 1C, the photosensitive resist 14 is removed in the region 13 corresponding to the through hole 4, and the transparent base member 1 is removed.
1 is now present, while the photosensitive resist 1
In the exposed portion of 4, the photosensitive resist 14 develops a color (for example, red) to form a semitransparent pattern film 18. In this way, the desired photomask 19 is
It is obtained as shown in FIG. This photomask 1
The portion of 9 which transmits ultraviolet rays has a region provided by the transparent base member 11 and a region provided by the base member 11 and the semitransparent pattern film 18.
【００２２】図２ないし図４は、それぞれ、この発明の
他の実施例を示している。なお、図２ないし図４におい
て、図１に示した要素に相当する要素には、同様の参照
符号を付し、重複する説明は省略する。2 to 4 respectively show another embodiment of the present invention. 2 to 4, the elements corresponding to those shown in FIG. 1 are designated by the same reference numerals, and the duplicated description will be omitted.
【００２３】図２に示したフォトマスク１９ａは、図１
（ｃ）に示したフォトマスク１９と比較して、不透明の
パターン膜１２と半透明のパターン膜１８との形成順序
が逆となっている。The photomask 19a shown in FIG. 2 is the same as that shown in FIG.
Compared to the photomask 19 shown in (c), the formation order of the opaque pattern film 12 and the semitransparent pattern film 18 is reversed.
【００２４】図３に示したフォトマスク１９ｂは、ベー
ス部材１１の一方面に不透明のパターン膜１２が形成さ
れ、他方面に半透明のパターン膜１８が形成されてい
る。この実施例の場合、ベース部材１１は、できるだけ
その厚みを薄くすることが好ましい。The photomask 19b shown in FIG. 3 has an opaque pattern film 12 formed on one surface of the base member 11 and a semitransparent pattern film 18 formed on the other surface. In the case of this embodiment, the base member 11 is preferably as thin as possible.
【００２５】図４に示したフォトマスク１９ｃは、互い
に重ね合わされて使用される第１および第２のフォトマ
スク部２０および２１から構成される。フォトマスク部
２０および２１のそれぞれは、透明体からなるベース部
材１１を備え、第１のフォトマスク部２０では、不透明
のパターン膜１２が形成され、第２のフォトマスク部２
１では、半透明のパターン膜１８が形成される。図４で
は、第１のフォトマスク部２０と第２のフォトマスク部
２１とが互いに離されて図示されているが、実際には、
これらは互いに密着した状態で使用される。The photomask 19c shown in FIG. 4 is composed of first and second photomask portions 20 and 21 which are used by being superposed on each other. Each of the photomask portions 20 and 21 includes a base member 11 made of a transparent material. In the first photomask portion 20, an opaque pattern film 12 is formed, and the second photomask portion 2 is formed.
In No. 1, the semitransparent pattern film 18 is formed. In FIG. 4, the first photomask portion 20 and the second photomask portion 21 are shown separated from each other, but in reality,
These are used in close contact with each other.
【００２６】上述したこの発明にかかるフォトマスクを
使用して露光工程を実施する際、用いられる紫外線８
（図５）としては、均一な照度と無方向性とを有する散
乱光であることが望ましい。Ultraviolet rays 8 used when carrying out the exposure process using the photomask according to the present invention described above.
As (FIG. 5), scattered light having uniform illuminance and non-directionality is desirable.
【００２７】また、前述した半透明のパターン膜１８を
得るために用いた感光性レジスト１４は、ジアゾ基以外
のものであってもよい。また、半透明の性質を与えるた
めの手段として、感光性レジスト以外の方法によっても
よい。たとえば、ベース部材の材料自身によって、部分
的に半透明の性質を与えるようにしてもよい。The photosensitive resist 14 used to obtain the above-mentioned semitransparent pattern film 18 may be one other than the diazo group. Further, as a means for imparting the semitransparent property, a method other than the photosensitive resist may be used. For example, the material of the base member itself may impart a partially translucent property.
【図１】この発明の一実施例によるフォトマスク１９の
製作工程を示す断面図である。FIG. 1 is a cross-sectional view showing a manufacturing process of a photomask 19 according to an embodiment of the present invention.
【図２】この発明の他の実施例によるフォトマスク１９
ａの断面図である。FIG. 2 is a photomask 19 according to another embodiment of the present invention.
It is sectional drawing of a.
【図３】この発明のさらに他の実施例によるフォトマス
ク１９ｂの断面図である。FIG. 3 is a sectional view of a photomask 19b according to still another embodiment of the present invention.
【図４】この発明のさらに他の実施例によるフォトマス
ク１９ｃの断面図である。FIG. 4 is a sectional view of a photomask 19c according to still another embodiment of the present invention.
【図５】従来のフォトマスク５を用いて露光工程を実施
している状態を示す断面図である。FIG. 5 is a cross-sectional view showing a state where an exposure process is performed using a conventional photomask 5.
【図６】図５に示した露光工程において遭遇する問題を
説明するための基板１の断面図である。6 is a sectional view of the substrate 1 for explaining a problem encountered in the exposure process shown in FIG.
１ 基板 ２ 導電膜 ３ 感光性レジスト ４ スルーホール ８ 紫外線 １１ ベース部材 １２ 不透明のパターン膜 １８ 半透明のパターン膜 １９，１９ａ，１９ｂ，１９ｃ フォトマスク ２０，２１ フォトマスク部 1 Substrate 2 Conductive Film 3 Photosensitive Resist 4 Through Hole 8 Ultraviolet Ray 11 Base Member 12 Opaque Pattern Film 18 Semitransparent Pattern Film 19, 19a, 19b, 19c Photomask 20, 21 Photomask Part
Claims (5)
を得るため、感光性レジストが主面およびスルーホール
の内周面上にコーティングされた基板に紫外線を照射す
る露光工程で、基板の所定領域が露光されるように用い
られる、プリント回路基板露光用フォトマスクにおい
て、 紫外線を透過させる部分は、透過率の互いに異なる少な
くとも２つの領域を有するとともに、前記主面に紫外線
を照射する領域は、前記スルーホールの内周面に紫外線
を照射する領域より透過率が相対的に低くされているこ
とを特徴とする、プリント回路基板露光用フォトマス
ク。1. A predetermined region of a substrate is exposed in an exposure step of irradiating a substrate coated with a photosensitive resist on a main surface and an inner peripheral surface of the through hole with ultraviolet rays in order to obtain a printed circuit board having a through hole. In the photomask for exposing a printed circuit board used as described above, the portion that transmits ultraviolet rays has at least two regions having different transmittances, and the region that irradiates the main surface with ultraviolet rays is the through hole. A photomask for exposing a printed circuit board, wherein the transmittance is relatively lower than that of the region where the inner peripheral surface of the is irradiated with ultraviolet rays.
ス部材の一部上に形成される不透明のパターン膜と、前
記不透明のパターン膜の少なくとも一部および前記ベー
ス部材の前記不透明のパターン膜が形成されていない領
域の一部を覆うように形成される半透明のパターン膜と
を備える、請求項１に記載のプリント回路基板露光用フ
ォトマスク。2. A base member made of a transparent body, an opaque pattern film formed on a part of the base member, at least a part of the opaque pattern film and the opaque pattern film of the base member. The photomask for exposing a printed circuit board according to claim 1, further comprising a semi-transparent pattern film formed so as to cover a part of the area where the pattern is not formed.
ス部材の一部上に形成される半透明のパターン膜と、前
記半透明のパターン膜の一部上に形成される不透明のパ
ターン膜とを備える、請求項１に記載のプリント回路基
板露光用フォトマスク。3. A base member made of a transparent material, a semitransparent pattern film formed on a part of the base member, and an opaque pattern film formed on a part of the semitransparent pattern film. The photomask for exposing a printed circuit board according to claim 1, further comprising:
ス部材の一方面の一部上に形成される不透明のパターン
膜と、前記ベース部材の他方面の一部上であって前記不
透明のパターン膜が形成されていない領域の一部と対向
する領域を少なくとも覆うように形成される半透明のパ
ターン膜とを備える、請求項１に記載のプリント回路基
板露光用フォトマスク。4. A base member made of a transparent material, an opaque pattern film formed on a part of one surface of the base member, and the opaque pattern on a part of the other surface of the base member. The photomask for exposing a printed circuit board according to claim 1, further comprising a translucent pattern film formed so as to cover at least a region facing a part of the region where the film is not formed.
よび第２のフォトマスク部からなり、前記第１のフォト
マスク部には不透明のパターンが形成され、前記第２の
フォトマスク部には、半透明のパターンが形成され、前
記第１および第２のフォトマスク部が互いに重ね合わさ
れたとき、前記半透明のパターンの少なくとも一部は、
前記不透明のパターンと対向しない領域に位置する、請
求項１に記載のプリント回路基板露光用フォトマスク。5. A first photomask portion and a second photomask portion which are used by being overlapped with each other, wherein an opaque pattern is formed on the first photomask portion, and the second photomask portion is formed. When a translucent pattern is formed and the first and second photomask portions are overlapped with each other, at least a part of the translucent pattern is:
The photomask for exposing a printed circuit board according to claim 1, wherein the photomask is located in a region that does not face the opaque pattern.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP18712192A JPH0635167A (en) | 1992-07-14 | 1992-07-14 | Photomask for exposure of printed circuit board |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP18712192A JPH0635167A (en) | 1992-07-14 | 1992-07-14 | Photomask for exposure of printed circuit board |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0635167A true JPH0635167A (en) | 1994-02-10 |
Family
ID=16200484
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP18712192A Withdrawn JPH0635167A (en) | 1992-07-14 | 1992-07-14 | Photomask for exposure of printed circuit board |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0635167A (en) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2003086088A (en) * | 2001-09-06 | 2003-03-20 | Nec Kagoshima Ltd | Method of manufacturing plasma display panel and its manufacturing jig |
| KR100697366B1 (en) * | 2000-06-29 | 2007-03-20 | 비오이 하이디스 테크놀로지 주식회사 | Half tone mask employing in tft-lcd manufacture process |
| JP2008185861A (en) * | 2007-01-31 | 2008-08-14 | Mitsubishi Electric Corp | Halftone mask and patterning method using the same |
| JP2014013867A (en) * | 2012-07-05 | 2014-01-23 | Panasonic Corp | Manufacturing system of electronic component mounting substrate and manufacturing method |
-
1992
- 1992-07-14 JP JP18712192A patent/JPH0635167A/en not_active Withdrawn
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100697366B1 (en) * | 2000-06-29 | 2007-03-20 | 비오이 하이디스 테크놀로지 주식회사 | Half tone mask employing in tft-lcd manufacture process |
| JP2003086088A (en) * | 2001-09-06 | 2003-03-20 | Nec Kagoshima Ltd | Method of manufacturing plasma display panel and its manufacturing jig |
| JP2008185861A (en) * | 2007-01-31 | 2008-08-14 | Mitsubishi Electric Corp | Halftone mask and patterning method using the same |
| JP2014013867A (en) * | 2012-07-05 | 2014-01-23 | Panasonic Corp | Manufacturing system of electronic component mounting substrate and manufacturing method |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A300 | Withdrawal of application because of no request for examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A300 Effective date: 19991005 |